JP2019031076A

JP2019031076A - パターン形成用基体

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Publication number: JP2019031076A
Application number: JP2018140948A
Authority: JP
Inventors: 義昭本多; Yoshiaki Honda
Original assignee: Daikin Industries Ltd
Current assignee: Daikin Industries Ltd
Priority date: 2017-08-04
Filing date: 2018-07-27
Publication date: 2019-02-28
Anticipated expiration: 2038-07-27
Also published as: KR102271615B1; CN110770020A; EP3663087A4; KR20200031074A; CN110770020B; WO2019026803A1; US11898008B2; US20200231748A1; JP6439895B1; EP3663087A1

Abstract

【課題】簡易な方法で形成し得る新たなパターン形成用基体を提供する。
【解決手段】少なくとも、基材と、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分とを有し、基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接するパターン形成用領域である第２の領域を有する少なくとも１の主面を有し、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置されている、パターン形成用基体。
【選択図】なし

Description

本発明は、パターン形成用基体に関する。

基材の表面にパターンを形成し、パターンを有する基体（以下、「パターン基体」ともいう）を製造する方法については様々な検討が行われてきた。

例えば、特許文献１には、主表面に無機材料を含む基材に、ペルフルオロポリエーテルチオール化合物である、少なくとも１つの官能基形成性分子を含む少なくとも１つのパターン形成性組成物を塗布し、その後エッチングし、パターンを形成することが記載されている。

特許文献２には、表面にフッ素含有樹脂層が設けられた基材を準備し、このフッ素含有樹脂層に特定の処理を行ってカルボキシ基などの官能基を該フッ素含有樹脂層に形成させた後、特定の構造の保護剤で保護された金属粒子の分散液をさらに適用し、基材上に微細な金属パターンを形成することが記載されている。

特表２０１２−５１１６３５号公報特開２０１６−４８６０１号公報

特許文献１では、基材の主表面の無機材料がエッチングにより分解される。しかしながら、無機材料の分解には長時間が必要になり得る。特許文献２に記載された方法では、フッ素含有樹脂層が設けられた基材の準備、フッ素含有樹脂層の処理、および特定の構造の保護剤で保護された金属粒子の分散液の調製等の工程が必要となるため、該方法は煩雑である。
従って、より簡易な工程で形成し得るパターン基体が望まれる。

本発明者は、鋭意検討の結果、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物を用いることによって、簡易な方法で形成し得る新たなパターン形成用基体を提供できることを見いだした。

即ち、本発明の第１の要旨によれば、
少なくとも、基材と、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分とを有し、
基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接するパターン形成用領域である第２の領域を有する少なくとも１の主面を有し、
パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置されている、パターン形成用基体、が提供される。

本発明の第２の要旨によれば、
上記本発明のパターン形成用基体、および、パターン部分を有し、
パターン部分が、パターン形成用基体の第２の領域に配置されている、パターン基体、が提供される。

本発明の第３の要旨によれば、
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、を含む、パターン形成用基体の製造方法、が提供される。

本発明の第４の要旨によれば、
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、および
パターン形成用基体のパターン形成用領域に、パターン部分を形成し、パターン基体を作製すること、
を含む、パターン基体の製造方法、が提供される。

本発明によれば、簡易な方法でパターンを形成し得る新たなパターン形成用基体が提供される。

以下、本発明について説明するが、本発明は以下の記載に限定されるものではない。

（パターン形成用基体）
本発明のパターン形成用基体は、少なくとも、基材と、パーフルオロ（ポリ）エーテル基（以下、ＰＦＰＥと称することがある）含有シラン化合物に由来する部分とを有する。上記基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接するパターン形成用領域である第２の領域を有する少なくとも１の主面を有する。上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置されている。

本発明に使用可能な基材は、例えばガラス、樹脂（天然または合成樹脂、例えば一般的なプラスチック材料であってよく、板状、フィルム、その他の形態であってよい）、金属（アルミニウム、銅、鉄等の金属単体または合金等の複合体であってよい）、セラミックス、半導体（シリコン、ゲルマニウム等）、繊維（織物、不織布等）、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築部材等、任意の適切な材料で構成され得る。

上記ガラスとしては、サファイアガラス、ソーダライムガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、クリスタルガラス、石英ガラスが好ましく、化学強化したソーダライムガラス、化学強化したアルカリアルミノケイ酸塩ガラス、および化学結合したホウ珪酸ガラスが特に好ましい。
樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネートが好ましい。

かかる基材としては、少なくともその表面部分が、水酸基を元々有する材料から成るものであってよい。かかる材料としては、ガラス、表面に自然酸化膜または熱酸化膜が形成される金属（特に卑金属）、セラミックス、半導体等が挙げられる。あるいは、樹脂等のように、水酸基を有していても十分でない場合や、水酸基を元々有していない場合には、基材に何らかの前処理を施すことにより、基材の表面に水酸基を導入したり、増加させたりすることができる。かかる前処理の例としては、プラズマ処理（例えばコロナ放電）や、イオンビーム照射が挙げられる。プラズマ処理は、基材表面に水酸基を導入または増加させ得ると共に、基材表面を清浄化する（異物等を除去する）ためにも好適に利用され得る。また、かかる前処理の別の例としては、炭素−炭素不飽和結合基を有する界面吸着剤をＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）や化学吸着法等によって、基材表面に予め単分子膜の形態で形成し、その後、酸素や窒素等を含む雰囲気下にて不飽和結合を開裂する方法が挙げられる。

またあるいは、かかる基材としては、少なくともその表面部分が、別の反応性基、例えばＳｉ−Ｈ基を１つ以上有するシリコーン化合物や、アルコキシシランを含む材料から成るものであってもよい。

好ましい態様において、上記基材はガラスである。

上記基材の形状は特に限定されず、製造すべき物品の用途および具体的仕様等に応じて適宜決定され得る。

上記基材の厚みは、例えば、０．１ｍｍ〜３０ｍｍの範囲にあってもよい。

上記基材は、少なくとも１の主面に第１の領域、および、第２の領域を有する。該１の主面は、全体が第１の領域および第２の領域であってもよく、一部のみが第１の領域および第２の領域であってもよい。

一の態様において、上記基材は、その両主面に、第１の領域、および、第２の領域を有する。

別の態様において、上記基材は、いずれか一方の主面に、第１の領域、および、第２の領域を有する。

上記第２の領域は、上記第１の領域に隣接して存在する、パターン形成用領域である。パターン形成用領域とは、パターン部分を形成するための領域である。すなわち、パターン形成用基体がさらにパターン部分を有するとき（すなわち、パターン基体が形成されるとき）には、該パターン部分は上記パターン形成用領域に形成される。

上記第２の領域において、基材が露出していることが好ましい。

上記第２の領域は、後述するパターン部分形成用組成物に対して、毛管現象を発現する凹凸形状を有していてもよい。

好ましい態様において、本発明のパターン形成用基体において、複数の第１の領域および／または複数の第２の領域が存在する。

第１の領域および第２の領域は、パターン形成用基体（あるいは、パターン形成用基体を用いて形成されるパターン基体）の用途および具体的仕様等に適した形状とすることができる。例えば、第２の領域が格子形状であってもよく、直線形状の第１の領域および第２の領域が交互に存在した構成（ストライプ状に配置された構成）であってもよい。

上記態様において、各第１の領域、および各第２の領域は、それぞれ連続して存在することが好ましい。

例えば、第２の領域が格子形状にあるとき、格子の線幅は、０．１μｍ〜１００μｍの範囲にあってもよく、１μｍ〜５０μｍの範囲にあってもよく、１μｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。線間隔は、０．１μｍ〜１００μｍの範囲にあってもよく、１μｍ〜５０μｍの範囲にあってもよく、１μｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。

例えば、上記第１の領域および上記第２の領域がストライプ状に配置されているとき、本発明のパターン形成用基体の主面内において、互いに直交する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向としたときに、パターン形成用基体の主面内のＸ軸方向に第１の領域および第２の領域が交互に存在し、パターン形成用基体の主面内のＹ軸方向に第１の領域および第２の領域が連続して存在し得る。上記第１の領域のそれぞれの幅（上記Ｘ軸方向の幅）は、０．１μｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。上記第２の領域のそれぞれの幅（上記Ｘ軸方向の幅）は、０．１μｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。

上記基材の主面において、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分が凸形状を形成し、第２の領域が凹部として存在してもよい。

ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、上記第１の領域に配置される。該部分は、その厚みが、例えば、１ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜３０ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲にあってもよい。上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、いわゆる薄層であってもよい。

好ましい態様において、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物は、
（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）または（Ｄ２）で表される化合物である。

以下、上記式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）で表されるＰＦＰＥ含有シラン化合物について説明する。

本明細書において用いられる場合、「２〜１０価の有機基」とは、炭素を含有する２〜１０価の基を意味する。かかる２〜１０価の有機基としては、特に限定されないが、炭化水素基からさらに１〜９個の水素原子を脱離させた２〜１０価の基が挙げられる。２価の有機基としては、特に限定されるものではないが、炭化水素基からさらに１個の水素原子を脱離させた２価の基が挙げられる。

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」とは、炭素および水素を含む基であって、分子から１個の水素原子を脱離させた基を意味する。かかる炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、１つまたはそれ以上の置換基により置換されていてもよい、炭素数１〜２０の炭化水素基、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記「脂肪族炭化水素基」は、直鎖状、分枝鎖状または環状のいずれであってもよく、飽和または不飽和のいずれであってもよい。また、炭化水素基は、１つまたはそれ以上の環構造を含んでいてもよい。尚、かかる炭化水素基は、その末端または分子鎖中に、１つまたはそれ以上のＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、アミド、スルホニル、シロキサン、カルボニル、カルボニルオキシ等を有していてもよい。

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子；１個またはそれ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、Ｃ_２−６アルキニル基、Ｃ_３−１０シクロアルキル基、Ｃ_３−１０不飽和シクロアルキル基、５〜１０員のヘテロシクリル基、５〜１０員の不飽和ヘテロシクリル基、Ｃ_６−１０アリール基および５〜１０員のヘテロアリール基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。

本明細書において、アルキル基およびフェニル基は、特記しない限り、非置換であっても、置換されていてもよい。かかる基の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基およびＣ_２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。

式（Ａ１）および（Ａ２）：

上記式中、Ｒｆは、各出現において独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表す。

上記１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基における「炭素数１〜１６のアルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１〜６、特に炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１〜３のアルキル基である。

上記Ｒｆは、好ましくは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されている炭素数１〜１６のアルキル基であり、より好ましくはＣＦ_２Ｈ−Ｃ_１−１５フルオロアルキレン基またはＣ_１−１６パーフルオロアルキル基であり、さらに好ましくはＣ_１−１６パーフルオロアルキル基である。

該炭素数１〜１６のパーフルオロアルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１〜６、特に炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、具体的には−ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、または−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３である。

上記式中、ＰＦＰＥは、各出現において独立して、
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−
で表される基である。式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０以上１００以下の整数である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は５以上であり、より好ましくは１０以上である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は２００以下であり、より好ましくは１００以下であり、例えば１０以上２００以下であり、より具体的には１０以上１００以下である。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。

これら繰り返し単位は、直鎖状であっても、分枝鎖状であってもよいが、好ましくは直鎖状である。例えば、−（ＯＣ_６Ｆ_１２）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−等であってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_５Ｆ_１０）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−等であってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_４Ｆ_８）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_３Ｆ_６）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。また、−（ＯＣ_２Ｆ_４）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−である。

一の態様において、上記ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）である。好ましくは、ＰＦＰＥは、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）または−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）である。より好ましくは、ＰＦＰＥは、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）である。

別の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−（式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも５以上、好ましくは１０以上であり、添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）である。好ましくは、ＰＦＰＥは、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−である。一の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−（式中、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、添字ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であってもよい。

さらに別の態様において、ＰＦＰＥは、−（Ｒ^６−Ｒ^７）_ｊ−で表される基である。式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２またはＯＣ_２Ｆ_４であり、好ましくはＯＣ_２Ｆ_４である。式中、Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。好ましくは、Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から選択される基であるか、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から独立して選択される２または３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、および−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４−等が挙げられる。上記ｊは、２以上、好ましくは３以上、より好ましくは５以上であり、１００以下、好ましくは５０以下の整数である。上記式中、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２は、直鎖または分枝鎖のいずれであってもよく、好ましくは直鎖である。この態様において、ＰＦＰＥは、好ましくは、−（ＯＣ_２Ｆ_４−ＯＣ_３Ｆ_６）_ｊ−または−（ＯＣ_２Ｆ_４−ＯＣ_４Ｆ_８）_ｊ−である。

ＰＦＰＥにおいて、ｆに対するｅの比（以下、「ｅ／ｆ比」という）は、０．１以上１０以下であり、好ましくは０．２以上５以下であり、より好ましくは０．２以上２以下であり、さらに好ましくは０．２以上１．５以下であり、さらにより好ましくは０．２以上０．８５以下である。ｅ／ｆ比を１０以下にすることにより、この化合物から得られる層の滑り性、摩擦耐久性および耐ケミカル性（例えば、人工汗に対する耐久性）がより向上する。ｅ／ｆ比がより小さいほど、上記層の滑り性および摩擦耐久性はより向上する。一方、ｅ／ｆ比を０．１以上にすることにより、化合物の安定性をより高めることができる。ｅ／ｆ比がより大きいほど、化合物の安定性はより向上する。

一の態様において、上記式中、ＰＦＰＥは、各出現において独立して、
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−
で表される基であり、かつ、ＰＦＰＥ中に少なくとも１の分岐構造を有する。すなわち、本態様において、上記ＰＦＰＥは、少なくとも１のＣＦ_３末端（具体的には、−ＣＦ_３、−Ｃ_２Ｆ_５等、より具体的には−ＣＦ_３）を有する。このような構造のＰＦＰＥを有することにより、上記化合物に由来する部分の紫外線耐久性、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、耐ケミカル性、耐加水分解性、摩擦耐久性、耐熱性、防湿性等がより良好になり得る。

上記態様において、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０以上１００以下の整数である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は５以上であり、より好ましくは１０以上である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は２００以下であり、より好ましくは１００以下であり、例えば１０以上２００以下であり、より具体的には１０以上１００以下である。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。

上記態様において、ＰＦＰＥは、分岐構造を少なくとも５有することが好ましく、１０有することがより好ましく、２０有することが特に好ましい。

上記態様において、ＰＦＰＥ構造中、繰り返し単位数の合計数（例えば、上記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和）１００に対して、分岐構造を有する繰り返し単位の数は４０以上であることが好ましく、６０以上であることがより好ましく、８０以上であることが特に好ましい。ＰＦＰＥ構造中、繰り返し単位数の合計数１００に対して、分岐構造を有する繰り返し単位の数は１００以下であってもよく、例えば９０以下であってもよい。

上記態様において、ＰＦＰＥ構造中、繰り返し単位数の合計数１００に対して、分岐構造を有する繰り返し単位の数は、４０〜１００の範囲にあることが好ましく、６０〜１００の範囲にあることがより好ましく、８０〜１００の範囲にあることが特に好ましい。

上記態様において、上記分岐構造における分岐鎖としては、例えばＣＦ_３を挙げることができる。

上記態様において、分岐構造を有する繰り返し単位としては、例えば、−（ＯＣ_６Ｆ_１２）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−等を挙げることができる。−（ＯＣ_５Ｆ_１０）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−等を挙げることができる。−（ＯＣ_４Ｆ_８）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））−を挙げることができる。−（ＯＣ_３Ｆ_６）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−を挙げることができる。−（ＯＣ_２Ｆ_４）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３））−を挙げることができる。

上記態様において、上記ＰＦＰＥは、分岐構造を有する繰り返し単位とともに、直鎖状の繰り返し単位を含み得る。直鎖状の繰り返し単位としては、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−を挙げることができる。

上記態様において、好ましくは、上記ＰＦＰＥ中、繰り返し単位−（ＯＣ_６Ｆ_１２）−、−（ＯＣ_５Ｆ_１０）−、−（ＯＣ_４Ｆ_８）−、および−（ＯＣ_３Ｆ_６）−が分岐構造を有する。

上記態様において、より好ましくは、ＰＦＰＥは、分岐構造の繰り返し単位ＯＣ_６Ｆ_１２、ＯＣ_５Ｆ_１０、ＯＣ_４Ｆ_８、およびＯＣ_３Ｆ_６からなる。

一の態様において、上記ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）であり、ＰＦＰＥ中に少なくとも１の分岐構造を有する。

上記態様において、ＰＦＰＥは、さらに、直鎖状の繰り返し単位−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−を含んでいてもよい。

上記態様において、上記ＰＦＰＥは、分岐構造の繰り返し単位ＯＣ_３Ｆ_６からなることが好ましい。上記ＰＦＰＥは、式：−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））_ｄで表されることがより好ましい。上記式中、ｄは１以上２００以下であり、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である。

別の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−（式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも５以上、好ましくは１０以上であり、添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であり、ＰＦＰＥ中に少なくとも１の分岐構造を有する。

さらに別の態様において、ＰＦＰＥは、−（Ｒ^６−Ｒ^７）_ｊ−で表される基であり、ＰＦＰＥ中少なくとも１の分岐構造を有する。式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２またはＯＣ_２Ｆ_４であり、好ましくはＯＣ_２Ｆ_４である。式中、Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。好ましくは、Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から選択される基であるか、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から独立して選択される２または３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、および−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４−等が挙げられる。上記ｊは、２以上、好ましくは３以上、より好ましくは５以上であり、１００以下、好ましくは５０以下の整数である。上記式中、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２は、分岐構造を有することが好ましい。

より好ましくは、上記態様において、ＰＦＰＥは、分岐構造の繰り返し単位ＯＣ_６Ｆ_１２、ＯＣ_５Ｆ_１０、ＯＣ_４Ｆ_８、およびＯＣ_３Ｆ_６からなる。

上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物において、−ＰＦＰＥ−部分の数平均分子量は、特に限定されるものではないが、例えば５００〜３０，０００、好ましくは１，５００〜３０，０００、より好ましくは２，０００〜１０，０００である。上記数平均分子量は、^１９Ｆ−ＮＭＲにより測定される値とする。

別の態様において、−ＰＦＰＥ−部分の数平均分子量は、５００〜３０，０００、好ましくは１，０００〜２０，０００、より好ましくは２，０００〜１５，０００、さらにより好ましくは２，０００〜１０，０００、例えば３，０００〜６，０００であり得る。

別の態様において、−ＰＦＰＥ−部分の数平均分子量は、４，０００〜３０，０００、好ましくは５，０００〜１０，０００、より好ましくは６，０００〜１０，０００であり得る。

上記式中、Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。

上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応を受け得る基を意味し、すなわち、加水分解反応により、化合物の主骨格から脱離し得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ_２、−ＮＲ_２、−ＮＨＲ、ハロゲン原子（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは−ＯＲ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。

上記式中、Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基を表す。

上記式中、Ｒ^１１は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表す。ハロゲン原子は、好ましくはヨウ素原子、塩素原子またはフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。

上記式中、Ｒ^１２は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。

上記式中、ｎ１は、（−ＳｉＲ^１３ _ｎ１Ｒ^１４ _３−ｎ１）単位毎に独立して、０〜３の整数であり、好ましくは１〜３であり、より好ましくは３である。式中、少なくとも１つのｎ１が１〜３の整数であり、即ち、すべてのｎ１が同時に０になることはない。換言すれば、式中、少なくとも１つはＲ^１３が存在する。

一の態様において、式（Ａ１）および（Ａ２）において、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２つ存在する。即ち、式（Ａ１）および（Ａ２）において、ｎが１以上である−ＳｉＲ^１３ _ｎ１Ｒ^１４ _３−ｎ１構造（即ち、−ＳｉＲ^１３部分）が少なくとも２つ存在する。

上記式中、Ｘ^１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ^１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（即ち、α１を付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ^１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。

別の態様において、Ｘ^１は、Ｘ^ｅであり得る。Ｘ^ｅは、単結合または２〜１０価の有機基を表し、好ましくは、単結合または−Ｃ_６Ｈ_４−（すなわち−フェニレン−。以下、フェニレン基を示す。）、−ＣＯ−（カルボニル基）、−ＮＲ^４−および−ＳＯ_２−からなる群より選ばれる少なくとも１つを有する２〜１０価の有機基を表す。上記Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、またはＣ_１〜６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、好ましくは水素原子、またはメチル基である。上記の−Ｃ_６Ｈ_４−、−ＣＯ−、−ＮＲ^４−または−ＳＯ_２−は、ＰＦＰＥ含有シラン化合物の分子主鎖中に含まれることが好ましい。ここで、分子主鎖とは、ＰＦＰＥ含有シラン化合物の分子中で相対的に最も長い結合鎖を表す。

Ｘ^ｅは、より好ましくは、単結合または−Ｃ_６Ｈ_４−、−ＣＯＮＲ^４−、−ＣＯＮＲ^４−Ｃ_６Ｈ_４−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｃ_６Ｈ_４−、−ＳＯ_２ＮＲ^４−、−ＳＯ_２ＮＲ^４−Ｃ_６Ｈ_４−、−ＳＯ_２−、および−ＳＯ_２−Ｃ_６Ｈ_４−からなる群より選ばれる少なくとも１つを有する２〜１０価の有機基を表す。上記の−Ｃ_６Ｈ_４−、−ＣＯＮＲ^４−、−ＣＯＮＲ^４−Ｃ_６Ｈ_４−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｃ_６Ｈ_４−、−ＳＯ_２ＮＲ^４−、−ＳＯ_２ＮＲ^４−Ｃ_６Ｈ_４−、−ＳＯ_２−、または−ＳＯ_２−Ｃ_６Ｈ_４−は、ＰＦＰＥ含有シラン化合物の分子主鎖中に含まれることが好ましい。

上記式中、α１は１〜９の整数であり、α１’は１〜９の整数である。これらα１およびα１’は、Ｘ^１の価数に応じて変化し得る。式（Ａ１）においては、α１およびα１’の和は、Ｘ^１の価数と同じである。例えば、Ｘ^１が１０価の有機基である場合、α１およびα１’の和は１０であり、例えばα１が９かつα１’が１、α１が５かつα１’が５、またはα１が１かつα１’が９となり得る。また、Ｘ^１が２価の有機基である場合、α１およびα１’は１である。式（Ａ２）においては、α１はＸ^１の価数から１を引いた値である。

上記Ｘ^１は、好ましくは２〜７価であり、より好ましくは２〜４価であり、さらに好ましくは２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^１は２〜４価の有機基であり、α１は１〜３であり、α１’は１である。

別の態様において、Ｘ^１は２価の有機基であり、α１は１であり、α１’は１である。この場合、式（Ａ１）および（Ａ２）は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）で表される。

上記Ｘ^１の例としては、特に限定するものではないが、例えば、下記式：
−（Ｒ^３１）_ｐ’−（Ｘ^ａ）_ｑ’−
［式中：
Ｒ^３１は、単結合、−（ＣＨ_２）_ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、好ましくは−（ＣＨ_２）_ｓ’−であり、
ｓ’は、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、
Ｘ^ａは、−（Ｘ^ｂ）_ｌ’−を表し、
Ｘ^ｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、−ＣＯＮＲ^３４−、−Ｏ−ＣＯＮＲ^３４−、−ＮＲ^３４−および−（ＣＨ_２）_ｎ’−からなる群から選択される基を表し、
Ｒ^３３は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、Ｃ_１−６アルキル基またはＣ_１−６アルコキシ基を表し、好ましくはフェニル基またはＣ_１−６アルキル基であり、より好ましくはメチル基であり、
Ｒ^３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ_１−６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、
ｍ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜１００の整数、好ましくは１〜２０の整数であり、
ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数であり、
ｌ’は、１〜１０の整数、好ましくは１〜５の整数、より好ましくは１〜３の整数であり、
ｐ’は、０または１であり、
ｑ’は、０または１であり、
ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］
で表される２価の基が挙げられる。ここに、Ｒ^３１およびＸ^ａ（典型的にはＲ^３１およびＸ^ａの水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

好ましくは、上記Ｘ^１は、−（Ｒ^３１）_ｐ’−（Ｘ^ａ）_ｑ’−Ｒ^３２−である。Ｒ^３２は、単結合、−（ＣＨ_２）_ｔ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、好ましくは−（ＣＨ_２）_ｔ’−である。ｔ’は、１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。ここに、Ｒ^３２（典型的にはＲ^３２中の水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

好ましくは、上記Ｘ^１は、
単結合、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−Ｒ^３１−Ｘ^ｃ−Ｒ^３２−、または
−Ｘ^ｄ−Ｒ^３２−
［式中、Ｒ^３１およびＲ^３２は、上記と同意義である。］
であり得る。なお、アルキレン基とは、−（Ｃ_δＨ_２δ）−構造を有する基であり、置換または非置換であってよく、直鎖状または分枝鎖状であってもよい。

より好ましくは、上記Ｘ^１は、
単結合、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｘ^ｃ−、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｘ^ｃ−（ＣＨ_２）_ｔ’−
−Ｘ^ｄ−、または
−Ｘ^ｄ−（ＣＨ_２）_ｔ’−
［式中、ｓ’およびｔ’は、上記と同意義である。］
である。

上記式中、Ｘ^ｃは、
−Ｏ−、
−Ｓ−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、
−ＣＯＮＲ^３４−、
−Ｏ−ＣＯＮＲ^３４−、
−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−Ｏ−（ＣＨ_２）_u’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−Ｏ−（ＣＨ_２）_u’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−Ｏ−（ＣＨ_２）_u’−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２−、
−ＣＯＮＲ^３４−（ＣＨ_２）_u’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−ＣＯＮＲ^３４−（ＣＨ_２）_u’−Ｎ（Ｒ^３４）−、または
−ＣＯＮＲ^３４−（ｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン）−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−
［式中、Ｒ^３３、Ｒ^３４およびｍ’は、上記と同意義であり、
ｕ’は１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。］を表す。Ｘ^ｃは、好ましくは−Ｏ−である。

上記式中、Ｘ^ｄは、
−Ｓ−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、
−ＣＯＮＲ^３４−、
−ＣＯＮＲ^３４−（ＣＨ_２）_u’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−ＣＯＮＲ^３４−（ＣＨ_２）_u’−Ｎ（Ｒ^３４）−、または
−ＣＯＮＲ^３４−（ｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン）−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
を表す。

より好ましくは、上記Ｘ^１は、
単結合、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｘ^ｃ−（ＣＨ_２）_ｔ’−、または
−Ｘ^ｄ−（ＣＨ_２）_ｔ’−
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
であり得る。

さらにより好ましくは、上記Ｘ^１は、
単結合、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ’−、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−（ＣＨ_２）_ｔ’−、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｏ−（ＣＨ_２）_u’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−（ＣＨ_２）_ｔ’−、または
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２ −（ＣＨ_２）_u’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−（Ｃ_vＨ_２v）−
［式中、Ｒ^３３、ｍ’、ｓ’、ｔ’およびｕ’は、上記と同意義であり、ｖは１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。］
である。

上記式中、−（Ｃ_vＨ_２v）−は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、例えば、−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−であり得る。

上記Ｘ^１基は、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基（好ましくは、Ｃ_１−３パーフルオロアルキル基）から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

一の態様において、Ｘ^１基は、−Ｏ−Ｃ_１−６アルキレン基以外であり得る。

別の態様において、Ｘ^１基としては、例えば下記の基が挙げられる：

［式中、Ｒ^４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、またはＣ_１−６アルコキシ基、好ましくはメチル基であり；
Ｄは、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＦ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）₄−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、および

（式中、Ｒ^４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ_１−６のアルキル基またはＣ_１−６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。）
から選択される基であり、
Ｅは、−（ＣＨ_２）_ｎｅ−（ｎｅは２〜６の整数）であり、
Ｄは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合し、Ｅは、ＰＦＰＥと反対の基に結合する。］

上記Ｘ^１の具体的な例としては、例えば：
単結合
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_４−、
−（ＣＨ_２）_５−、
−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−Ｓ−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＯＣＨ_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＯＣＦＨＣＦ_２−、

などが挙げられる。

より好ましい態様において、Ｘ^１は、Ｘ^ｅ’を表す。Ｘ^ｅ’は、単結合、炭素数１〜６のアルキレン基、−Ｒ^５１−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２−、−Ｒ^５１−ＣＯＮＲ^４−Ｒ^５２−、−Ｒ^５１−ＣＯＮＲ^４−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２−、−Ｒ^５１−ＣＯ−Ｒ^５２−、−Ｒ^５１−ＣＯ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２−、−Ｒ^５１−ＳＯ_２ＮＲ^４−Ｒ^５２−、−Ｒ^５１−ＳＯ_２ＮＲ^４−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２−、−Ｒ^５１−ＳＯ_２−Ｒ^５２−、または−Ｒ^５１−ＳＯ_２−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２−である。Ｒ^５１およびＲ^５２は、それぞれ独立して、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表し、好ましくは単結合または炭素数１〜３のアルキレン基である。Ｒ^４は上記と同意義である。上記アルキレン基は、置換または非置換であり、好ましくは非置換である。上記アルキレン基の置換基としては、例えばハロゲン原子、好ましくはフッ素原子を挙げることができる。上記アルキレン基は、直鎖状または分枝鎖状であり、直鎖状であることが好ましい。

さらに好ましい態様において、Ｘ^ｅ’は、
単結合、
炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜３のアルキレン基
−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２’−、
−ＣＯＮＲ^４’−Ｒ^５２’−、
−ＣＯＮＲ^４’−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２’−、
−ＣＯ−Ｒ^５２’−、
−ＣＯ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２’−、
−ＳＯ_２ＮＲ^４’−Ｒ^５２’−、
−ＳＯ_２ＮＲ^４’−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２’−、
−ＳＯ_２−Ｒ^５２’−、
−ＳＯ_２−Ｃ_６Ｈ_４−Ｒ^５２’−、
−Ｒ^５１’−Ｃ_６Ｈ_４−、
−Ｒ^５１’−ＣＯＮＲ^４’−、
−Ｒ^５１’−ＣＯＮＲ^４’−Ｃ_６Ｈ_４−、
−Ｒ^５１’−ＣＯ−、
−Ｒ^５１’−ＣＯ−Ｃ_６Ｈ_４−、
−Ｒ^５１’−ＳＯ_２ＮＲ^４’−、
−Ｒ^５１’−ＳＯ_２ＮＲ^４’−Ｃ_６Ｈ_４−、
−Ｒ^５１’−ＳＯ_２−、
−Ｒ^５１’−ＳＯ_２−Ｃ_６Ｈ_４−、
−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＣＯＮＲ^４’−、
−ＣＯＮＲ^４’−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＳＯ_２ＮＲ^４’−、
−ＳＯ_２ＮＲ^４’−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＳＯ_２−、または
−ＳＯ_２−Ｃ_６Ｈ_４−
（式中、Ｒ^５１’およびＲ^５２’は、それぞれ独立して、炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜３の直鎖のアルキレン基であり、
Ｒ^４’は、水素原子またはメチルである。）
であり得る。

本態様において、Ｘ^ｅ’の具体例としては、例えば、
単結合、
炭素数１〜６のアルキレン基、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−ＣＯＮＨ−、
−ＣＨ_２−ＣＯＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＨ_２−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＣＨ_２−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＣＨ_２−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｃ_６Ｈ_４−、
−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＳＯ_２ＮＨ−、
−ＳＯ_２ＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＳＯ_２ＮＨ−（ＣＨ_２）_２−、
−ＳＯ_２ＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＳＯ_２ＮＨ−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＳＯ_２Ｎ（ＣＨ_３）−、
−ＳＯ_２Ｎ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＳＯ_２Ｎ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_２−、
−ＳＯ_２Ｎ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＳＯ_２Ｎ（ＣＨ_３）−Ｃ_６Ｈ_４−、
−ＳＯ_２−、
−ＳＯ_２−ＣＨ_２−、
−ＳＯ_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＳＯ_２−（ＣＨ_２）_３−、または
−ＳＯ_２−Ｃ_６Ｈ_４−
などが挙げられる。

一の態様において、Ｘ^ｅ’は、単結合である。本態様において、ＰＦＰＥと基材との結合能を有する基（即ち、（Ａ１）および（Ａ２）においては、α１を付して括弧でくくられた基）とが直接結合している。

さらに別の態様において、Ｘ^１は、式：−（Ｒ^１６）_ｘ−（ＣＦＲ^１７）_ｙ−（ＣＨ_２）_ｚ−で表される基である。式中、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ独立して、０〜１０の整数であり、ｘ、ｙおよびｚの和は１以上であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。

上記式中、Ｒ^１６は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、フェニレン、カルバゾリレン、−ＮＲ^１８−（式中、Ｒ^１８は、水素原子または有機基を表す）または２価の有機基である。好ましくは、Ｒ^１６は、酸素原子または２価の極性基である。

上記「２価の極性基」としては、特に限定されないが、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（＝ＮＲ^１９）−、および−Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１９−（これらの式中、Ｒ^１９は、水素原子または低級アルキル基を表す）が挙げられる。当該「低級アルキル基」は、例えば、炭素数１〜６のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基であり、これらは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい。

上記式中、Ｒ^１７は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり、好ましくはフッ素原子である。当該「低級フルオロアルキル基」は、例えば、炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、さらに好ましくはトリフルオロメチル基である。

この態様において、Ｘ^１は、好ましくは、式：−（Ｏ）_ｘ−（ＣＦ_２）_ｙ−（ＣＨ_２）_ｚ−（式中、ｘ、ｙおよびｚは、上記と同意義であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である）で表される基である。

上記式：−（Ｏ）_ｘ−（ＣＦ_２）_ｙ−（ＣＨ_２）_ｚ−で表される基としては、例えば、−（Ｏ）_ｘ’−（ＣＨ_２）_ｚ”−Ｏ−［（ＣＨ_２）_ｚ’’’−Ｏ−］_ｚ””、および−（Ｏ）_ｘ’−（ＣＦ_２）_ｙ”−（ＣＨ_２）_ｚ”−Ｏ−［（ＣＨ_２）_ｚ’’’−Ｏ−］_ｚ””（式中、ｘ’は０または１であり、ｙ”、ｚ”およびｚ’’’は、それぞれ独立して、１〜１０の整数であり、ｚ””は、０または１である）で表される基が挙げられる。なお、これらの基は左端がＰＦＰＥ側に結合する。

別の好ましい態様において、Ｘ^１は、−Ｏ−ＣＦＲ^２０−（ＣＦ_２）_ｅ’−である。

上記Ｒ^２０は、それぞれ独立して、フッ素原子または低級フルオロアルキル基を表す。ここで低級フルオロアルキル基は、例えば炭素数１〜３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、更に好ましくはトリフルオロメチル基である。

上記ｅ’は、それぞれ独立して、０または１である。

一の具体例において、Ｒ^２０はフッ素原子であり、ｅ’は１である。

さらに別の態様において、Ｘ^１基の例として、下記の基が挙げられる：

［式中、
Ｒ^４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、またはＣ_１−６アルコキシ基、好ましくはメチル基であり；
各Ｘ^１基において、Ｔのうち任意のいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合する以下の基：
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＦ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）₄−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、または

［式中、Ｒ^４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ_１−６のアルキル基またはＣ_１−６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。］
であり、別のＴのいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥと反対の基に結合する−（ＣＨ_２）_ｎ”−（ｎ”は２〜６の整数）であり、存在する場合、残りのＴは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基、Ｃ_１−６アルコキシ基またはラジカル捕捉基もしくは紫外線吸収基であり得る。

ラジカル捕捉基は、光照射で生じるラジカルを捕捉できるものであれば特に限定されないが、例えばベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、安息香酸エステル類、サリチル酸フェニル類、クロトン酸類、マロン酸エステル類、オルガノアクリレート類、ヒンダードアミン類、ヒンダードフェノール類、またはトリアジン類の残基が挙げられる。

紫外線吸収基は、紫外線を吸収できるものであれば特に限定されないが、例えばベンゾトリアゾール類、ヒドロキシベンゾフェノン類、置換および未置換安息香酸もしくはサリチル酸化合物のエステル類、アクリレートまたはアルコキシシンナメート類、オキサミド類、オキサニリド類、ベンゾキサジノン類、ベンゾキサゾール類の残基が挙げられる。

好ましい態様において、好ましいラジカル捕捉基または紫外線吸収基としては、

が挙げられる。

この態様において、Ｘ^１（および、下記するＸ^３、Ｘ^５およびＸ^７）は、３〜１０価の有機基であり得る。

上記式中、Ｘ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表す。Ｘ^２は、好ましくは、炭素数１〜２０のアルキレン基であり、より好ましくは、−（ＣＨ_２）_ｕ−（式中、ｕは、０〜２の整数である）である。

上記式中、ｔは、それぞれ独立して、１〜１０の整数である。好ましい態様において、ｔは１〜６の整数である。別の好ましい態様において、ｔは２〜１０の整数であり、好ましくは２〜６の整数である。

好ましい式（Ａ１）および（Ａ２）で示される化合物は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）：

［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ１は、１〜３の整数であり、好ましくは３であり；
Ｘ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−ＣＦＲ^２０−（ＣＦ_２）_ｅ’−であり；
Ｒ^２０は、各出現においてそれぞれ独立して、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり；
ｅ’は、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり；
Ｘ^２は、−（ＣＨ_２）_ｕ−であり；
ｕは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０の整数である。］
で表される化合物である。

上記式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ−ＰＦＰＥ−部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端にヨウ素を導入した後、−ＣＨ_２ＣＲ^１２（Ｘ^２−ＳｉＲ^１３ _ｎ１Ｒ^１４ _３−ｎ１）−に対応するビニルモノマーを反応させることにより得ることができる。

式（Ｂ１）および（Ｂ２）：

上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびｎ１は、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。

上記式中、Ｘ^３は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ^３は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、−ＳｉＲ^１３ _ｎ１Ｒ^１４ _３−ｎ１）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ^３は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。

別の態様において、Ｘ^３は、Ｘ^ｅを表す。Ｘ^ｅは、上記と同意義である。

上記式中のβ１は、１〜９の整数であり、β１’は、１〜９の整数である。これらβ１およびβ１’は、Ｘ^３の価数に応じて変化し得る。式（Ｂ１）において、β１およびβ１’の和は、Ｘ^３の価数と同じである。例えば、Ｘ^３が１０価の有機基である場合、β１およびβ１’の和は１０であり、例えばβ１が９かつβ１’が１、β１が５かつβ１’が５、またはβ１が１かつβ１’が９となり得る。また、Ｘ^３が２価の有機基である場合、β１およびβ１’は１である。式（Ｂ２）において、β１はＸ^３の価数の値から１を引いた値である。

上記Ｘ^３は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^３は２〜４価の有機基であり、β１は１〜３であり、β１’は１である。

別の態様において、Ｘ^３は２価の有機基であり、β１は１であり、β１’は１である。この場合、式（Ｂ１）および（Ｂ２）は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）で表される。

［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。添字ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
ｎ１は、１〜３の整数であり、好ましくは３であり；
Ｘ^３は、−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−または−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−である］
で表される化合物である。

上記Ｘ^３の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ^１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。

中でも、好ましい具体的なＸ^３は、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_４−、
−（ＣＨ_２）_５−、
−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−Ｓ−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＯＣＨ_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＯＣＦＨＣＦ_２−、

などが挙げられる。

別の好ましい態様において、Ｘ^３は、Ｘ^ｅ’を表す。Ｘ^ｅ’は、上記と同意義である。

一の態様において、Ｘ^ｅ’は、単結合である。本態様において、ＰＦＰＥと基材との結合能を有する基（即ち、（Ｂ１）および（Ｂ２）においては、β１を付して括弧でくくられた基）とが直接結合している。

一の態様において、式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２つ存在する。即ち、式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、ＳｉＲ^１３の構造が少なくとも２つ存在する。

好ましい式（Ｂ１）および（Ｂ２）で示される化合物は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）：

［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。添字ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
ｎ１は、１〜３の整数であり、好ましくは３であり；
Ｘ^３は、−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−または−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−である。］
で表される化合物である。

上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物は、公知の方法、例えば特開２０１３−１１７０１２号公報に記載の方法またはその改良方法により製造することができる。

式（Ｃ１）および（Ｃ２）：

上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。

上記式中、Ｘ^５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ^５は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、−ＳｉＲ^ａ _ｋ１Ｒ^ｂ _ｌ１Ｒ^ｃ _ｍ１基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ^５は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。

別の態様において、Ｘ^５は、Ｘ^ｅを表す。Ｘ^ｅは、上記と同意義である。

上記式中のγ１は、１〜９の整数であり、γ１’は、１〜９の整数である。これらγ１およびγ１’は、Ｘ^５の価数に応じて変化し得る。式（Ｃ１）において、γ１およびγ１’の和は、Ｘ^５の価数と同じである。例えば、Ｘ^５が１０価の有機基である場合、γ１およびγ１’の和は１０であり、例えばγ１が９かつγ１’が１、γ１が５かつγ１’が５、またはγ１が１かつγ１’が９となり得る。また、Ｘ^５が２価の有機基である場合、γ１およびγ１’は１である。式（Ｃ２）において、γ１はＸ^５の価数の値から１を引いた値である。

上記Ｘ^５は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^５は２〜４価の有機基であり、γ１は１〜３であり、γ１’は１である。

別の態様において、Ｘ^５は２価の有機基であり、γ１は１であり、γ１’は１である。この場合、式（Ｃ１）および（Ｃ２）は、下記式（Ｃ１’）および（Ｃ２’）で表される。

上記Ｘ^５の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ^１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。

中でも、好ましい具体的なＸ^５は、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_４−、
−（ＣＨ_２）_５−、
−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−Ｓ−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＯＣＨ_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＯＣＦＨＣＦ_２−、

などが挙げられる。

別の好ましい態様において、Ｘ^５は、Ｘ^ｅ’を表す。Ｘ^ｅ’は、上記と同意義である。

一の態様において、Ｘ^ｅ’は、単結合である。本態様において、ＰＦＰＥと基材との結合能を有する基（即ち、（Ｃ１）および（Ｃ２）においては、γ１を付して括弧でくくられた基）とが直接結合している。

上記式中、Ｒ^ａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ^３−ＳｉＲ^７１ _ｐ１Ｒ^７２ _ｑ１Ｒ^７３ _ｒ１を表す。

式中、Ｚ^３は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。

上記Ｚ^３は、好ましくは、２価の有機基であり、式（Ｃ１）または式（Ｃ２）における分子主鎖の末端のＳｉ原子（Ｒ^ａが結合しているＳｉ原子）とシロキサン結合を形成するものを含まない。

上記Ｚ^３は、好ましくは、Ｃ_１−６アルキレン基、−（ＣＨ_２）_ｇ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｈ−（式中、ｇは、１〜６の整数であり、ｈは、１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｉ−（式中、ｉは、０〜６の整数である）であり、より好ましくはＣ_１−３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、およびＣ_２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。紫外線耐久性が特に良好な観点からは、上記Ｚ^３は、より好ましくは、直鎖状または分枝鎖状のアルキレン基であり、さらに好ましくは直鎖状のアルキレン基である。上記Ｚ^３のアルキレン基を構成する炭素数は、好ましくは１〜６の範囲にあり、より好ましくは１〜３の範囲にある。なお、アルキレン基については上記のとおりである。

式中、Ｒ^７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ａ’を表す。Ｒ^ａ’は、Ｒ^ａと同意義である。

Ｒ^ａ中、Ｚ^３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個である。即ち、上記Ｒ^ａにおいて、Ｒ^７１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒ^ａ中にＺ^３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子が２個以上存在するが、かかるＺ^３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒ^ａ中のＺ^３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」とは、Ｒ^ａ中において直鎖状に連結される−Ｚ^３−Ｓｉ−の繰り返し数と等しくなる。

例えば、下記にＲ^ａ中においてＺ^３基を介してＳｉ原子が連結された一例を示す。

上記式において、＊は、主鎖のＳｉに結合する部位を意味し、…は、Ｚ^３Ｓｉ以外の所定の基が結合していること、即ち、Ｓｉ原子の３本の結合手がすべて…である場合、Ｚ^３Ｓｉの繰り返しの終了箇所を意味する。また、Ｓｉの右肩の数字は、＊から数えたＺ^３基を介して直鎖状に連結されたＳｉの出現数を意味する。即ち、Ｓｉ^２でＺ^３Ｓｉ繰り返しが終了している鎖は「Ｒ^ａ中のＺ^３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が２個であり、同様に、Ｓｉ^３、Ｓｉ^４およびＳｉ^５でＺ^３Ｓｉ繰り返しが終了している鎖は、それぞれ、「Ｒ^ａ中のＺ^３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が３、４および５個である。なお、上記の式から明らかなように、Ｒ^ａ中には、Ｚ^３Ｓｉ鎖が複数存在するが、これらはすべて同じ長さである必要はなく、それぞれ任意の長さであってもよい。

好ましい態様において、下記に示すように、「Ｒ^ａ中のＺ^３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。

一の態様において、Ｒ^ａ中のＺ^３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。

式中、Ｒ^７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。「加水分解可能な基」は、上記と同意義である。

好ましくは、Ｒ^７２は、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ_１−３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。

式中、Ｒ^７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

式中、ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、（−Ｚ^３−ＳｉＲ^７１ _ｐ１Ｒ^７２ _ｑ１Ｒ^７３ _ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３である。

好ましい態様において、Ｒ^ａ中の末端のＲ^ａ’（Ｒ^ａ’が存在しない場合、Ｒ^ａ）において、上記ｑ１は、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。

好ましい態様において、Ｒ^ａの末端部の少なくとも１つは、−Ｓｉ（−Ｚ^３−ＳｉＲ^７２ _ｑ１Ｒ^７３ _ｒ１）_２または−Ｓｉ（−Ｚ^３−ＳｉＲ^７２ _ｑ１Ｒ^７３ _ｒ１）_３、好ましくは−Ｓｉ（−Ｚ^３−ＳｉＲ^７２ _ｑ１Ｒ^７３ _ｒ１）_３であり得る。式中、（−Ｚ^３−ＳｉＲ^７２ _ｑ１Ｒ^７３ _ｒ１）の単位は、好ましくは（−Ｚ^３−ＳｉＲ^７２ _３）である。さらに好ましい態様において、Ｒ^ａの末端部は、すべて−Ｓｉ（−Ｚ^３−ＳｉＲ^７２ _ｑ１Ｒ^７３ _ｒ１）_３、好ましくは−Ｓｉ（−Ｚ^３−ＳｉＲ^７２ _３）_３であり得る。

上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）においては、少なくとも１つのｑ１が１〜３の整数であり、すなわち、少なくとも１つのＲ^７２が存在する。

一の態様において、式（Ｃ１）および（Ｃ２）においては、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２つ存在する。即ち、ＳｉＲ^７２および／またはＳｉＲ^ｂの構造が少なくとも２つ存在する。

上記式中、Ｒ^ｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。

上記Ｒ^ｂは、好ましくは、水酸基、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ）_２、−Ｎ（Ｒ）_２、−ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）であり、より好ましくは−ＯＲである。Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。より好ましくは、Ｒ^ｂは、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ_１−３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。

上記式中、Ｒ^ｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

式中、ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、（ＳｉＲ^ａ _ｋ１Ｒ^ｂ _ｌ１Ｒ^ｃ _ｍ１）毎において、ｋ１、ｌ１およびｍ１の和は、３である。

一の態様において、ｋ１は、１〜３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ−ＰＦＰＥ−部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端に水酸基を導入した後、末端に不飽和結合を有する基を導入し、この不飽和結合を有する基とハロゲン原子を有するシリル誘導体とを反応させ、さらにこのシリル基に末端に水酸基、次いで不飽和結合を有する基を導入し、最後に導入した不飽和結合を有する基とシリル誘導体とを反応させることにより得ることができる。例えば、国際公開第２０１４／０６９５９２号に記載のように合成することができる。

式（Ｄ１）および（Ｄ２）：

上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。

上記式中、Ｘ^７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ^７は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供する部（即ち、δ１を付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ^７は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。

別の態様において、Ｘ^７は、Ｘ^ｅを表す。Ｘ^ｅは、上記と同意義である。

上記式中、δ１は１〜９の整数であり、δ１’は１〜９の整数である。これらδ１およびδ１’は、Ｘ^７の価数に応じて変化し得る。式（Ｄ１）においては、δ１およびδ１’の和は、Ｘ^７の価数と同じである。例えば、Ｘ^７が１０価の有機基である場合、δ１およびδ１’の和は１０であり、例えばδ１が９かつδ１’が１、δ１が５かつδ１’が５、またはδ１が１かつδ１’が９となり得る。また、Ｘ^７が２価の有機基である場合、δ１およびδ１’は１である。式（Ｄ２）においては、δ１はＸ^７の価数から１を引いた値である。

上記Ｘ^７は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^７は２〜４価の有機基であり、δ１は１〜３であり、δ１’は１である。

別の態様において、Ｘ^７は２価の有機基であり、δ１は１であり、δ１’は１である。この場合、式（Ｄ１）および（Ｄ２）は、下記式（Ｄ１’）および（Ｄ２’）で表される。

上記Ｘ^７の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ^１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。

中でも、好ましい具体的なＸ^７は、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_４−、
−（ＣＨ_２）_５−、
−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−Ｓ−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＯＣＨ_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＯＣＦＨＣＦ_２−、

などが挙げられる。

より好ましい態様において、Ｘ^７は、Ｘ^ｅ’を表す。Ｘ^ｅ’は、上記と同意義である。

一の態様において、Ｘ^ｅ’は、単結合である。本態様において、ＰＦＰＥと基材との結合能を有する基（即ち、（Ｄ１）および（Ｄ２）においては、δ１を付して括弧でくくられた基）とが直接結合している。このような構造を有することによって、ＰＦＰＥとδ１を付して括弧でくくられた基との結合力がより強くなると考えられる。また、ＰＦＰＥと直接結合する炭素原子（即ち、δ１を付して括弧でくくられた基においてＲ^ｄ _、Ｒ^ｅおよびＲ^ｆと結合する炭素原子）は電荷の偏りが少なく、その結果、上記炭素原子において求核反応等が生じにくく、当該化合物は基材と安定に結合すると考えられる。このような構造は、ＰＦＰＥシラン化合物により形成される層の摩擦耐久性をより向上させることができｒので、有利である。

上記式中、Ｒ^ｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ^４−ＣＲ^８１ _ｐ２Ｒ^８２ _ｑ２Ｒ^８３ _ｒ２を表す。

式中、Ｚ^４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。

上記Ｚ^４は、好ましくは、Ｃ_１−６アルキレン基、−（ＣＨ_２）_ｇ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｈ−（式中、ｇは、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｈは、０〜６の整数、例えば１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｉ−（式中、ｉは、０〜６の整数である）であり、より好ましくはＣ_１−３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、およびＣ_２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

式中、Ｒ^８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ｄ’を表す。Ｒ^ｄ’は、Ｒ^ｄと同意義である。

Ｒ^ｄ中、Ｚ^４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個である。即ち、上記Ｒ^ｄにおいて、Ｒ^８１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒ^ｄ中にＺ^４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子が２個以上存在するが、かかるＺ^４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒ^ｄ中のＺ^４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」とは、Ｒ^ｄ中において直鎖状に連結される−Ｚ^４−Ｃ−の繰り返し数と等しくなる。

好ましい態様において、下記に示すように、「Ｒ^ｄ中のＺ^４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。

一の態様において、Ｒ^ｄのＺ^４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。

式中、Ｒ^８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２を表す。

Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表す。

好ましい態様において、Ｙは、Ｃ_１−６アルキレン基、−（ＣＨ_２）_ｇ’−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｈ’−（式中、ｇ’は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｈ’は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｉ’−（式中、ｉ’は、０〜６の整数である）である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、およびＣ_２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

一の態様において、Ｙは、Ｃ_１−６アルキレン基または−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｉ’−であり得る。Ｙが上記の基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

上記Ｒ^８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。

上記「加水分解可能な基」とは、式（Ｃ１）および（Ｃ２）と同様のものが挙げられる。

好ましくは、Ｒ^８５は、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ_１−３アルキル基、より好ましくはエチル基またはメチル基、特にメチル基を表す）である。

上記Ｒ^８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し、好ましくは１〜３の整数、より好ましくは２または３、特に好ましくは３である。

上記Ｒ^８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

式中、ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、（−Ｚ^４−ＣＲ^８１ _ｐ２Ｒ^８２ _ｑ２Ｒ^８３ _ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３である。

好ましい態様において、Ｒ^ｄ中の末端のＲ^ｄ’（Ｒ^ｄ’が存在しない場合、Ｒ^ｄ）において、上記ｑ２は、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。

好ましい態様において、Ｒ^ｄの末端部の少なくとも１つは、−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）_２または−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）_３、好ましくは−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）_３であり得る。式中、（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）の単位は、好ましくは（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _３）である。さらに好ましい態様において、Ｒ^ｄ１の末端部は、すべて−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）_３、好ましくは−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _３）_３であり得る。

上記式中、Ｒ^ｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２を表す。ここに、Ｙ、Ｒ^８５、Ｒ^８６およびｎ２は、上記Ｒ^８２における記載と同意義である。

上記式中、Ｒ^ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

式中、ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３である。

一の態様において、少なくとも１つのｋ２は２または３であり、好ましくは３である。

一の態様において、ｋ２は２または３であり、好ましくは３である。

一の態様において、ｌ２は２または３であり、好ましくは３である。

上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、−Ｙ−ＳｉＲ^８５で表される基が２以上存在する。より好ましくは、２以上の−Ｙ−ＳｉＲ^８５に結合した炭素原子が１以上存在する。即ち、−Ｃ−（Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）_２で表される基が１以上存在することが好ましい（式中、ｎ２は１〜３の整数である。）。

上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、ｎ２は１〜３の整数であり、および、少なくとも１つのｑ２は２または３であるか、あるいは、少なくとも１つのｌ２は２または３である。即ち、式中、少なくとも２つの−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２基が存在する。

式（Ｄ１）または式（Ｄ２）で表されるＰＦＰＥ含有シラン化合物は、公知の方法を組み合わせることにより製造することができる。例えば、Ｘ^７が２価である式（Ｄ１’）で表される化合物は、限定するものではないが、以下のようにして製造することができる。

ＨＯ−Ｘ^７−Ｃ（ＹＯＨ）_３（式中、Ｘ^７およびＹは、それぞれ独立して、２価の有機基である。）で表される多価アルコールに、二重結合を含有する基（好ましくはアリル）、およびハロゲン（好ましくはブロモ）を導入して、Ｈａｌ−Ｘ^７−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３（式中、Ｈａｌはハロゲン、例えばＢｒであり、Ｒは二価の有機基、例えばアルキレン基である。）で表される二重結合含有ハロゲン化物を得る。次いで、末端のハロゲンと、Ｒ^ＰＦＰＥ−ＯＨ（式中、Ｒ^ＰＦＰＥは、パーフルオロポリエーテル基含有基である。）で表されるパーフルオロポリエーテル基含有アルコールとを反応させて、Ｒ^ＰＦＰＥ−Ｏ−Ｘ^７−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３を得る。次いで、末端の−ＣＨ＝ＣＨ_２と、ＨＳｉＣｌ_３およびアルコールまたはＨＳｉＲ^８５ _３と反応させて、Ｒ^ＰＦＰＥ−Ｏ−Ｘ^７−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＳｉＲ^８５ _３）_３を得ることができる。

上記したＰＦＰＥ含有シラン化合物は、特に限定されるものではないが、５×１０^２〜１×１０^５の数平均分子量を有し得る。かかる範囲のなかでも、２，０００〜３０，０００、より好ましくは２，５００〜１２，０００、さらに好ましくは３，０００〜６，０００の数平均分子量を有することが、摩擦耐久性の観点から好ましい。なお、本発明において、数平均分子量は、^１９Ｆ−ＮＭＲにより測定される値とする。

以下、パターン形成用基体の製造に特に適した方法の例を用いて、本発明のパターン形成用基体について説明するが、本発明のパターン形成用基体およびその製造方法が、以下の記載に限定されないことは言うまでもない。なお、上記してきた内容と記載が重複する場合については、説明を省略することがある（以下においても同様である）。

本態様のパターン形成用基体の製造方法は、
基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること（以下、工程（Ｉ）と称することがある）、を含む。

上記工程（Ｉ）は、例えば、
基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤（以下、「処理剤」と称することがある）を適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層を形成すること、および、形成された層を除去することによりパターン形成用領域を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製すること（以下、工程（ＩＡ）と称することがある）、
基材の少なくとも１の主面に、パターン形成用領域に対応する部分にＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層が形成されないように前処理（例えば、マスキング処理等）を施し、その後、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製すること（以下、工程（ＩＢ）と称することがある）、または
基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を選択的に適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製すること（以下、工程（ＩＣ）と称することがある）、の少なくともいずれか１を含む。

以下、工程（ＩＡ）について説明する。

上記処理剤は、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む。該処理剤において、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物は、処理剤１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１００質量部、より好ましくは０．１〜３０質量部含まれる。

上記処理剤は、溶媒で希釈されていてもよい。このような溶媒としては、特に限定するものではないが、例えば：
パーフルオロヘキサン、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨＣｌ_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨ_３、ＣＦ_３ＣＨＦＣＨＦＣ_２Ｆ_５、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロオクタン、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（（ゼオローラＨ（商品名）等）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５、ＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ＝ＣＨ_２、キシレンヘキサフルオリド、パーフルオロベンゼン、メチルペンタデカフルオロヘプチルケトン、トリフルオロエタノール、ペンタフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、ＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ、メチルトリフルオロメタンスルホネート、トリフルオロ酢酸およびＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ１（ＣＦ_２Ｏ）_ｎ１ＣＦ_２ＣＦ_３［式中、ｍ１およびｎ１は、それぞれ独立して０以上１０００以下の整数であり、ｍ１またはｎ１を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意であり、但しｍ１およびｎ１の和は１以上である。］、１，1−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン、１，２−ジクロロ−１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１，２−トリクロロ―３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンからなる群から選択されるフッ素原子含有溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上の混合物として用いることができる。

上記溶媒中に含まれる水分含有量は、２０質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。上記水分含有量は、カールフィッシャー法を用いて測定することができる。このような水分含有量であることによって、処理剤の保存安定性が向上し得る。

上記処理剤は、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物に加え、他の成分を含んでいてもよい。かかる他の成分としては、特に限定されるものではないが、例えば、含フッ素オイルとして理解され得る（非反応性の）フルオロポリエーテル化合物、好ましくはパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物（以下、「含フッ素オイル」と言う）、シリコーンオイルとして理解され得る（非反応性の）シリコーン化合物（以下、「シリコーンオイル」と言う）、触媒、低級アルコール、遷移金属、ハロゲン化物イオン、分子構造内に非共有電子対を有する原子を含む化合物などが挙げられる。

上記含フッ素オイルとしては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の一般式（１）で表される化合物（パーフルオロ（ポリ）エーテル化合物）が挙げられる。
Ｒｆ^５−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ’−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ’−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ’−（ＯＣＦ_２）_ｄ’−Ｒｆ^６・・・（１）
式中、Ｒｆ^５は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６アルキル基（好ましくは、Ｃ_１―１６のパーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ^６は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６アルキル基（好ましくは、Ｃ_１−１６パーフルオロアルキル基）、フッ素原子または水素原子を表し、Ｒｆ^５およびＲｆ^６は、より好ましくは、それぞれ独立して、Ｃ_１−３パーフルオロアルキル基である。
ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロ（ポリ）エーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’の和は少なくとも１、好ましくは１〜３００、より好ましくは２０〜３００である。添字ａ’、ｂ’、ｃ’またはｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、−（ＯＣ_４Ｆ_８）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_３Ｆ_６）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよく、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_２Ｆ_４）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−である。

上記一般式（１）で表されるパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物の例として、以下の一般式（１ａ）および（１ｂ）のいずれかで示される化合物（１種または２種以上の混合物であってよい）が挙げられる。
Ｒｆ^５−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ’’−Ｒｆ^６・・・（１ａ）
Ｒｆ^５−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ａ’’−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ’’−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ’’−（ＯＣＦ_２）_ｄ’’−Ｒｆ^６・・・（１ｂ）
これら式中、Ｒｆ^５およびＲｆ^６は上記の通りであり；式（１ａ）において、ｂ’’は１以上１００以下の整数であり；式（１ｂ）において、ａ’’およびｂ’’は、それぞれ独立して１以上３０以下の整数であり、ｃ’’およびｄ’’はそれぞれ独立して１以上３００以下の整数である。添字ａ’’、ｂ’’、ｃ’’、ｄ’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。

上記含フッ素オイルは、１，０００〜３０，０００の数平均分子量を有していてよい。特に、式（１ａ）で表される化合物の数平均分子量は、２，０００〜８，０００であることが好ましい。かかる数平均分子量を有することにより、高い表面滑り性を得ることができる。一の態様において、式（１ｂ）で表される化合物の数平均分子量は、３，０００〜８，０００である。別の態様において、式（１ｂ）で表される化合物の数平均分子量は、８，０００〜３０，０００である。

上記処理剤中、含フッ素オイルは、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物１００質量部に対して、例えば０〜５００質量部、好ましくは０〜１００質量部、より好ましくは１〜５０質量部、さらに好ましくは１〜５質量部で含まれ得る。

また、別の観点から、含フッ素オイルは、一般式Ｒｆ’−Ｆ（式中、Ｒｆ’はＣ_５−１６パーフルオロアルキル基である。）で表される化合物であってよい。また、クロロトリフルオロエチレンオリゴマーであってもよい。Ｒｆ’−Ｆで表される化合物およびクロロトリフルオロエチレンオリゴマーは、ＲｆがＣ_１−１６パーフルオロアルキル基である上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物と高い親和性が得られる点で好ましい。

含フッ素オイルは、処理剤により形成された層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

上記シリコーンオイルとしては、例えばシロキサン結合が２，０００以下の直鎖状または環状のシリコーンオイルを用い得る。直鎖状のシリコーンオイルは、いわゆるストレートシリコーンオイルおよび変性シリコーンオイルであってよい。ストレートシリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイルが挙げられる。変性シリコーンオイルとしては、ストレートシリコーンオイルを、アルキル、アラルキル、ポリエーテル、高級脂肪酸エステル、フルオロアルキル、アミノ、エポキシ、カルボキシル、アルコールなどにより変性したものが挙げられる。環状のシリコーンオイルは、例えば環状ジメチルシロキサンオイルなどが挙げられる。

上記処理剤中、かかるシリコーンオイルは、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物１００質量部（２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０〜５０質量部、好ましくは０〜５質量部で含まれ得る。

シリコーンオイルは、上記処理剤により形成される層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

上記触媒としては、酸（例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等）、塩基（例えばアンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等）、遷移金属（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｓｎ等）等が挙げられる。

触媒は、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物の加水分解および脱水縮合を促進し、上記処理剤により形成される層の形成を促進する。

上記他の成分としての低級アルコールとしては、炭素数１〜６のアルコール化合物が挙げられる。

上記遷移金属としては、白金、ルテニウム、ロジウム等が挙げられる。

上記ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン等が挙げられる。

上記分子構造内に非共有電子対を有する原子を含む化合物しては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、アニリン、ピリジン、ヘキサメチルホスホルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラメチル尿素、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、テトラメチレンスルホキシド、メチルフェニルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド等を挙げられる。これらの化合物の中で、ジメチルスルホキシド、またはテトラメチレンスルホキシドを用いることが好ましい。

他の成分としては、上記以外に、例えば、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン等も挙げられる。

一の態様において、上記処理剤は、上記他の成分である含フッ素オイル、シリコーンオイル、触媒、低級アルコール、遷移金属、ハロゲン化物イオン、分子構造内に非共有電子対を有する原子を含む化合物を含まない。

上記処理剤は、多孔質物質、例えば多孔質のセラミック材料、金属繊維、例えばスチールウールを綿状に固めたものに含浸させて、ペレットとすることができる。当該ペレットは、例えば、真空蒸着に用いることができる。

基材の少なくとも１の主面に、上記処理剤を適用することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層が形成される。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の形成は、基材上に上記処理剤の膜を形成し、この膜を必要に応じて後処理することによって形成されてもよい。上記基材としては、必要に応じて、マスキング等によって部分的に保護されたものを用いてもよい。

上記処理剤の膜の形成は、上記処理剤を基材の主面に対して、該主面を被覆するように適用することによって実施できる。被覆方法は、特に限定されない。例えば、湿潤被覆法および乾燥被覆法を使用できる。

湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。

乾燥被覆法の例としては、蒸着（通常、真空蒸着）、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）および類似の方法が挙げられる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ−ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。

更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。

次に、必要に応じて、膜を後処理する。この後処理は、特に限定されないが、例えば、水分供給および乾燥加熱を逐次的に、または同時に実施するものであってよい。

上記のようにして、基材の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層が形成される。これにより得られる層は、帯電性が低い。また、この処理剤により形成された層は、低帯電性であることに加えて、使用する処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）、摩擦耐久性、透明性などを有する機能性薄膜となり得る。

次いで、形成された処理剤の層の一部を除去することにより、パターン形成用領域を形成する。

パターン形成用領域の形成には、レーザー、プラズマ、紫外線（ＵＶ）、真空紫外線（ＶＵＶ）照射等を用いることが好ましい。

ＵＶ照射等においては、例えば、フォトマスク（例えば、レチクル）を用いた露光処理を行い得る。上記フォトマスクを用いた処理としては、例えば、パターンを有するフォトマスクを、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層に密着させ、ここにＵＶを照射することによって行い得る。

上記方法においては、非接触の露光方式（プロキシミティ露光、プロジェクション露光）、および、接触の露光方式（コンタクト露光）を用いて露光処理を行い得る。プロキシミティ露光においては、マスクとＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を用いて形成された層との間隔を、１０μｍ以下とすることが好ましく、３μｍ以下とすることがより好ましい。

本発明の上記のパターン形成用領域の形成において、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤により形成された層（ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層）が分解および除去される。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層は、有機材料からなる層であるため、レーザー照射等によって（例えば、無機材料よりも）容易に分解され得る。従って、本発明においては、パターンの形成がより容易になり得、短時間でのパターニングが可能になり得る。本発明のパターン形成用基材およびその製造方法は、生産効率の向上に寄与し得る。

従来、基材の主面にパターンを形成する方法として、フォトレジストを用いてパターンを形成することが行われてきた。このようなフォトレジストを用いた方法では、通常、煩雑な工程が必要になる。これに対して、本発明における上記パターン形成用領域の形成は、より簡易な工程によって行い得る。従って、本発明における上記パターン形成用領域の形成は、コストの低減にも寄与し得る。

以下、工程（ＩＢ）について説明する。

工程（ＩＢ）では、まず、基材の少なくとも１の主面に、パターン形成用領域に対応する部分にＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層が形成されないように前処理（例えば、マスキング処理等）を施す。

上記マスキング処理としては、通常行われる方法を用いることができる。例えば、メタルマスクを用い得る。

その後、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）が形成される。該層（または部分）の形成については、上記工程（ＩＡ）に記載した、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の形成方法と同様の方法を用いることができる。

より具体的な態様においては、工程（ＩＢ）では、メタルマスクを用いてマスキング処理を施し、その後、マスキング処理を施した基材に蒸着法（通常、真空蒸着法）を用いてＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製し得る。

ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を用いて層を形成した後、必要に応じて、マスキングに用いた材料の除去を行い、パターン形成用基体を作製し得る。

ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を用いて層を形成した後、必要に応じて、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の分解および除去を行ってもよい。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の分解および除去は、工程（ＩＡ）に記載した方法と同様に行い得る。

以下、工程（ＩＣ）について説明する。

工程（ＩＣ）では、基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を選択的に適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製する。

ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を選択的に適用する方法としては、インクジェット方式等を用い得る。インクジェット方式は、通常行い得る方法を用いることができるが、例えば、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤をノズルにて吐出し、基材上に選択的にパターン部分を形成し得る。

ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成した後、必要に応じて、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の分解および除去を行ってもよい。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の分解および除去は、工程（ＩＡ）に記載した方法と同様に行い得る。

上記工程（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）によれば、基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン部分を、より簡易な方法で設け得る。

（パターン基体）
本発明のパターン基体においては、本発明のパターン形成用基体、およびパターン部分を有し、該パターン部分が、パターン形成用基体の第２の領域に配置されている。

すなわち、本発明のパターン基体は、
少なくとも、基材、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン部分を有し、
基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接する第２の領域を有する少なくとも１の主面を有し、
ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置され、
パターン部分が、第２の領域に配置されている。

本発明において、上記パターン部分は、第２の領域に直接（即ち、他の層または部分を介することなく）設けられる。従って、本発明においては、パターン部分と他の層または部分とを結合するための加工工程は特に必要とされない。

上記パターン部分の厚みは、例えば、１ｎｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。

一の態様において、上記パターン部分は、実質的に金属またはその酸化物のみからなる。

好ましい態様において、本発明のパターン基体において、複数のＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分およびパターン部分が存在する。

上記パターン部分は、金属、およびその酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含み得る。

上記金属としては、例えば、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、およびそれらの合金を挙げることができる。上記酸化物としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ））、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ_２）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ））等を挙げることができる。

好ましい態様において、上記パターン部分は、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、および、これらの合金、並びに、これらの金属および合金の酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含むことが好ましい。上記パターン部分は、より好ましくは、銀、金、銅、およびインジウム錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含む。このようなパターン部分は、導電性に優れ電極材料等として特に有用である。

一の態様において、上記パターン部分は、透明電極、または電極配線を形成する。

本態様において、上記パターン部分は、電極または配線として機能し得るように、連続した構造を有することが好ましい。本態様において、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、絶縁部分として機能し得る。従って、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、電極または配線間を絶縁し得るように配置されていることが好ましい。

上記透明電極は、例えば、透明酸化物半導体を主成分とする無機透明導電体、または、導電性高分子を主成分とする有機透明導電体から形成される。

上記透明酸化物半導体としては、例えば、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛、アルミドープ酸化亜鉛、フッ素ドープ酸化錫、酸化錫、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛等を挙げることができる。

上記導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系、ポリアニリン系、ポリピロール系等の導電性高分子材料を挙げることができ、ポリチオフェン系の導電性高分子材料を用いることが好ましい。ポリチオフェン系の導電性高分子材料としては、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）にポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）をドーピングしたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ系の材料を挙げることができる。

電極配線を構成する金属としては、パターン部分を形成する金属、その合金、またはその酸化物として記載したものを用いるとができ、好ましくは、金、銀、銅等を用いることができる。

以下、パターン基体の製造に特に適した方法の例を用いて、本発明のパターン基体について説明するが、本発明のパターン基体およびその製造方法が、以下の方法に限定されないことは言うまでもない。

本態様のパターン基体の製造方法は、工程（Ｉ）で得られたパターン形成用基体のパターン形成用領域に、パターン部分を形成し、パターン基体を作製すること（以下、工程（ＩＩ）と称することがある）、を含む。

即ち、本態様のパターン基体の製造方法は、
基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること（工程（Ｉ））、および
パターン形成用基体のパターン形成用領域に、パターン部分を形成し、パターン基体を作製すること（工程（ＩＩ））、を含む。

工程（Ｉ）は、上記と同様に行うことができる。

以下、工程（ＩＩ）について説明する。

上記パターン部分は、乾式法または湿式法のいずれで形成してもよい。

上記湿式法は、パターン部分形成用組成物（いわゆる、導電性インク）を、該組成物をパターン形成用基体のパターン形成用領域に適用することによって行い得る。適用方法としては、具体的には、塗布、浸漬などを挙げることができ、より具体的には、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。

上記パターン部分形成用組成物は、導電性材料を含有し、必要に応じて、バインダ、溶媒を含有し得る。上記パターン部分形成用組成物は、分散助剤、硬化促進剤、レベリング剤、沈降防止剤、導電性材料の被覆材、カップリング剤または消泡剤等の添加剤をさらに含有していてもよい。このようなパターン部分形成用組成物により形成されたパターン部分は、配線パターン（導電パターン部）または電極として機能し得る。

一の態様において、上記パターン部分形成用組成物は、樹脂材料等のバインダを含有する。本態様においては、導電性材料間が互いに接触するようにして導電性材料が固定されることが好ましい。

上記バインダとしては、樹脂材料を用いることができる。上記樹脂材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂またはエネルギー線照射型樹脂を用いることができ、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂やポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、アルカリ樹脂等を挙げることができる。これらの樹脂材料は、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。上記エネルギー線としては、例えば、電子線、紫外線、可視光線、ガンマ線、電子線など挙げることができ、生産設備の観点からは紫外線を用いることが好ましい。

上記パターン部分形成用組成物に含まれ得る溶媒としては、導電性材料およびバインダを分散し得るものであれば特に限定されない。例えば、溶媒として、揮発性の溶剤を用いることができる。例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン等の炭化水素系化合物；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサン等のエーテル系化合物；プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン等の極性化合物を挙げることができる。これらのうち、導電性材料の分散性と分散液の安定性が良好な観点から、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物を用いることが好ましい。そのほか、溶媒として水を用いてもよい。

上記パターン部分形成用組成物を、パターン形成用基体のパターン形成用領域に適用後、必要に応じて、乾燥、加熱、焼成などにより上記パターン部分形成用組成物を固化し得る。固化方法としては、レーザー照射、プラズマ処理、エネルギー線照射等を用いてもよい。

湿式法を用いて形成されるパターン部分の厚みは、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。

上記乾式法としては、例えばスパッタリング、蒸着（通常、真空蒸着）、ＣＶＤ、および類似の方法を用いることができる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ−ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。

更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。

上記乾式法は、パターン部分を形成する化合物のみを使用し得る（有機溶剤などを用いた希釈を特に必要としない）ため、有機物などの不純物が混合しにくいという観点から、有利である。乾式法によれば、実質的に金属またはその酸化物のみからなるパターン部分を形成し得る。上記乾式法は、細かいパターン部分の形成においても有利である。

上記パターン形成用領域の形成において、乾式法、特に蒸着、好ましくは真空蒸着を用いることが、好ましい。

乾式法を用いて形成されるパターン部分の厚みは、例えば、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲にあってもよい。

次に、必要に応じて、上記パターン部分の形成された基体を後処理する。この後処理は、特に限定されないが、例えば、水分供給および乾燥加熱を逐次的に、または同時に実施するものであってよい。

必要に応じて、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層を、基材の主面から除去する工程をさらに行ってもよい。

一の態様においては、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層は、基材の主面から、除去されない。

上記パターン部分が、導電性材料を含むとき、本発明のパターン基体は、回路用基体として用いることができる。この場合、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、絶縁領域として機能し得る。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分が絶縁層として機能し得る範囲であれば、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分にパターン部分が不連続的に形成されてもよい。

（実施例１）
以下のように、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を用いてパターンを形成した。
ガラス基材上にメタルマスクを施し、その後、真空蒸着法により下記構造を有するＰＦＰＥ含有シラン化合物１を基材上に処理した。真空蒸着は、チャンバー内圧力１０^−３Ｐａで、ＰＦＰＥシラン化合物１をチャンバー内にセットし３００℃に加熱することで行った。処理後の基材を室温２４時間静置し、ＰＦＰＥ含有シラン化合物で処理されたパターン形成用基体を作製した。
・ＰＦＰＥ含有シラン化合物１
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２（ＣＨ_２ＣＨ[Ｓi（ＯＣＨ_３）_３]）_３Ｈ（ｎ＝２５）

上記で得られたパターン形成用基体に、以下のように、金属パターニングを施した。
マグネトロンスパッタ法により純度９９．９％の白金を、上記パターン形成用基体上にスパッタ処理した。上記マグネトロンスパッタ法において、スパッタ時のチャンバー内圧力を０．１Ｐａとし、アルゴンガスを用いて１０ｎｍの膜厚になるようにスパッタ蒸着を実施した。上記のようにして、白金で処理された基体を得た。

（実施例２）
ＰＦＰＥ含有シラン化合物１の代わりに、以下のＰＦＰＥ含有シラン化合物２を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、白金で処理された基体を得た。
・ＰＦＰＥ含有シラン化合物２
ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｌＣＦ_２（ＣＨ_２ＣＨ[Ｓi（ＯＣＨ_３）_３]）_３Ｈ（ｍ＝２３、ｌ＝１８）

（実施例３）
白金の代わりに銀を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、銀で処理された基体を得た。

（比較例１）
ＰＦＰＥ含有シラン化合物１の代わりに、トリメトキシプロピルシランを用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、白金で処理された基体を得た。

（パターニング性の評価）
得られた各基体において、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分［Ａ］および金属を含むパターン部分［Ｂ］に含まれる金属元素（実施例１、２および比較例１では白金元素、実施例３では銀元素）の強度測定を実施した。ＸＰＳ測定の結果から、ＡおよびＢの各領域で得られた金属元素の強度の比率（Ｂ／Ａ）を計算し、パターニング性の評価とした。表１に結果を示す。なお、表１において、Ｂ／Ａの値が１に近い程パターニング性が低く、１から離れる程パターニング性が優れることを示す。

本発明のパターン形成用基体は、パターン基体の形成に用いられる。本発明のパターン基体は、様々な分野において使用できる。

Claims

少なくとも、基材と、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分とを有し、
基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接するパターン形成用領域である第２の領域を有する少なくとも１の主面を有し、
パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置されている、パターン形成用基体。
パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物が、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）または（Ｄ２）：

［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ１は、（−ＳｉＲ^１３ _ｎ１Ｒ^１４ _３−ｎ１）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのｎ１が、１〜３の整数であり；
Ｘ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
α１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ^３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
β１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ^５は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γ１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ^ａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ^３−ＳｉＲ^７１ _ｐ１Ｒ^７２ _ｑ１Ｒ^７３ _ｒ１を表し；
Ｚ^３は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ^７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ａ’を表し；
Ｒ^ａ’は、Ｒ^ａと同意義であり；
Ｒ^ａ中、Ｚ^３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ^７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（−Ｚ^３−ＳｉＲ^７１ _ｐ１Ｒ^７２ _ｑ１Ｒ^７３ _ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのｑ１が１〜３の整数であり；
Ｒ^ｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^ｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（ＳｉＲ^ａ _ｋ１Ｒ^ｂ _ｌ１Ｒ^ｃ _ｍ１）毎において、ｋ１、ｌ１およびｍ１の和は３であり；
Ｘ^７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δ１は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ^ｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ^４−ＣＲ^８１ _ｐ２Ｒ^８２ _ｑ２Ｒ^８３ _ｒ２を表し；
Ｚ^４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ^８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ｄ’を表し；
Ｒ^ｄ’は、Ｒ^ｄと同意義であり；
Ｒ^ｄ中、Ｚ^４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ^８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ^８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ^８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（−Ｚ^４−ＣＲ^８１ _ｐ２Ｒ^８２ _ｑ２Ｒ^８３ _ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３であり；
Ｒ^ｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２を表し；
Ｒ^ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（ＣＲ^ｄ _ｋ２Ｒ^ｅ _ｌ２Ｒ^ｆ _ｍ２）毎において、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３であり、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、ｎ２が１以上である−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２で表される基が２以上存在する。］
で表される少なくとも１種のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物である、請求項１に記載のパターン形成用基体。
請求項１または２に記載のパターン形成用基体、およびパターン部分を有し、
パターン部分が、パターン形成用基体の第２の領域に配置されている、パターン基体。
パターン部分が、金属、およびその酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項３に記載のパターン基体。
金属が、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、およびそれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項４に記載のパターン基体。
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、を含む、パターン形成用基体の製造方法。
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、および
パターン形成用基体のパターン形成用領域に、パターン部分を形成し、パターン基体を作製すること、
を含む、パターン基体の製造方法。
パターン部分が、金属、およびその酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項７に記載のパターン基体の製造方法。
金属が、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、およびそれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項８に記載のパターン基体の製造方法。
パターン部分が、蒸着法により形成される、請求項７〜９のいずれか１項に記載のパターン基体の製造方法。