JP2019029487A - Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint apparatus, an imprint method, and an article manufacturing method.
インプリント装置は、基板の上に配置されたインプリント材に型を接触させ該インプリント材を硬化させることによって該基板の上にインプリント材の硬化物からなるパターンを形成する。インプリント装置は、基板を保持する基板保持部の上に、基準マークを有する基準プレートを有する。キャリブレーション工程において、例えば、型のマークと基準マークとの相対位置をアライメントスコープによって計測することによって、型と基板保持部との相対位置を求めることができる。特許文献1には、ウエハステージ上に設けられたステージ基準マークを有するインプリント装置が記載されている。
The imprint apparatus forms a pattern made of a cured product of an imprint material on the substrate by bringing a mold into contact with the imprint material disposed on the substrate and curing the imprint material. The imprint apparatus includes a reference plate having a reference mark on a substrate holding unit that holds the substrate. In the calibration step, for example, the relative position between the mold mark and the reference mark is measured by the alignment scope, whereby the relative position between the mold and the substrate holder can be obtained.
インプリント処理では、基板の上のインプリント材に型を接触させ硬化させた後に、硬化したインプリント材と型とを分離する際に型が帯電しうる。基準プレートは、母材が石英等の絶縁体で構成され、基準マークがクロム等の導電性反射膜で構成されうる。従来は、基板の複数のショット領域のそれぞれに対してパターンを形成する一連のシーケンスにおいて、帯電した型の下を基準プレートが通過するために、型と基準プレートの間で放電が起こり、基準プレートが破損する可能性があった。 In the imprint process, after the mold is brought into contact with the imprint material on the substrate and cured, the mold can be charged when the cured imprint material and the mold are separated. In the reference plate, the base material may be made of an insulator such as quartz, and the reference mark may be made of a conductive reflective film such as chromium. Conventionally, in a series of sequences in which a pattern is formed for each of a plurality of shot regions of a substrate, a discharge occurs between the mold and the reference plate because the reference plate passes under the charged mold. Could be damaged.
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、基準プレートの破損を低減するために有利な技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made with the above problem recognition as an opportunity, and an object thereof is to provide an advantageous technique for reducing the breakage of the reference plate.
本発明の1つの側面は、基板の上に配置されたインプリント材に型を接触させ硬化させることによって前記基板の上にパターンを形成するインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記型を保持する型保持部と、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板の上にインプリント材を配置するディスペンサと、マークを撮像するスコープと、を備え、前記基板保持部は、前記スコープによって撮像される基準マークを有する基準プレートを含み、前記ディスペンサは、前記型保持部から見て第1方向に配置され、前記基準プレートは、前記第1方向に対して垂直な第2方向に平行でかつ前記基板保持部の中心を通る仮想直線と、前記仮想直線から見て前記第1方向の側における前記基板保持部の端部と、の間に配置されている。 One aspect of the present invention relates to an imprint apparatus that forms a pattern on a substrate by bringing the mold into contact with an imprint material disposed on the substrate and curing the mold, and the imprint apparatus includes the mold A mold holding unit that holds the substrate, a substrate holding unit that holds the substrate, a dispenser that disposes an imprint material on the substrate, and a scope that images a mark, and the substrate holding unit includes the scope The dispenser is arranged in a first direction when viewed from the mold holding part, and the reference plate is parallel to a second direction perpendicular to the first direction. And an imaginary straight line passing through the center of the substrate holding part and an end of the substrate holding part on the first direction side when viewed from the imaginary straight line.
本発明によれば、基準プレートの破損を低減するために有利な技術が提供される。 According to the present invention, an advantageous technique is provided for reducing the damage of the reference plate.
以下、添付図面を参照しながら本発明を例示的な実施形態を通して説明する。 Hereinafter, the present invention will be described through exemplary embodiments with reference to the accompanying drawings.
図1には、本発明の一実施形態のインプリント装置100の構成が示されている。インプリント装置100は、基板Wの上に配置されたインプリント材Rに型Mを接触させた後、インプリント材Rを硬化させることによって、基板Wの上にインプリント材Rの硬化物からなるパターンを形成する。
FIG. 1 shows a configuration of an
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。 As the imprint material, a curable composition (which may be referred to as an uncured resin) that cures when energy for curing is applied is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like can be used. The electromagnetic wave can be, for example, light having a wavelength selected from a range of 10 nm to 1 mm, for example, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, and the like. The curable composition may be a composition that is cured by light irradiation or by heating. Among these, the photocurable composition that is cured by light irradiation contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component. The imprint material can be disposed on the substrate in the form of droplets or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25 ° C.) can be, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less. As the material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like can be used. If necessary, a member made of a material different from the substrate may be provided on the surface of the substrate.
基板Wは、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。基板Wは、マーク11を有する。型Mは、例えば、石英または樹脂で構成されうる。型Mは、基板Wの上のインプリント材Rに転写すべきパターンを有するパターン領域Mpを含みうる。パターン領域Mpは、例えば、メサ部MSに設けられ、メサ部MSは、周辺領域PRによって取り囲まれうる。メサ部MSは、周辺領域PRよりも突出している。型Mは、マーク10を有する。マーク10は、例えば、パターン領域Mpに設けられうる。
The substrate W is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass. The substrate W has a
本明細書および添付図面では、基板Wの表面に平行な方向をXY平面とするXYZ座標系において方向を示す。XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向とし、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および/または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および/または姿勢の制御を含みうる。 In this specification and the accompanying drawings, directions are shown in an XYZ coordinate system in which a direction parallel to the surface of the substrate W is an XY plane. In the XYZ coordinate system, the directions parallel to the X, Y, and Z axes are the X, Y, and Z directions, respectively, and rotation around the X axis, rotation around the Y axis, and rotation around the Z axis are θX and θY, respectively. , ΘZ. The control or drive related to the X axis, Y axis, and Z axis means control or drive related to the direction parallel to the X axis, the direction parallel to the Y axis, and the direction parallel to the Z axis, respectively. The control or drive related to the θX axis, θY axis, and θZ axis relates to rotation around an axis parallel to the X axis, rotation around an axis parallel to the Y axis, and rotation around an axis parallel to the Z axis. Means control or drive. The position is information that can be specified based on the coordinates of the X axis, the Y axis, and the Z axis, and the posture is information that can be specified by the values of the θX axis, the θY axis, and the θZ axis. Positioning means controlling position and / or attitude. The alignment may include control of the position and / or attitude of at least one of the substrate and the mold.
インプリント装置100は、基板Wを保持する基板保持部5(基板ステージ)、基板保持部5を駆動することによって基板Wを駆動する基板駆動機構20、型Mを保持する型保持部6、および、型保持部6を駆動する型駆動機構30を備えうる。基板駆動機構20および型駆動機構30は、基板Wと型Mとの相対位置が調整されるように基板Wおよび型Mの少なくとも一方を駆動する相対駆動機構を構成する。該相対駆動機構による相対位置の調整は、基板Wの上のインプリント材に対する型Mの接触、および、硬化したインプリント材(硬化物のパターン)からの型Mの分離のための駆動を含む。基板駆動機構20は、基板Wを複数の軸(例えば、X軸、Y軸、θZ軸の3軸、好ましくは、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸の6軸)について駆動するように構成されうる。型駆動機構30は、型Mを複数の軸(例えば、Z軸、θX軸、θY軸の3軸、好ましくは、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸の6軸)について駆動するように構成されうる。型保持部6は、基板Wのショット領域の形状に応じて型Mを変形させる形状補正機構を含みうる。
The
基板保持部5の上には、基準マーク12、13を有する基準プレート7が配置されている。基準プレート7は、インプリント装置100のキャリブレーションにおいて使用されうる。基準プレート7の母材は、熱によって変形しにくく、安定した材料(例えば、石英)で構成されうる。基準マーク12、13は、光を反射する導電材料膜(例えば、クロム膜)で母材を被覆した部分と、母材が露出した部分とで構成されうる。あるいは、基準マーク12、13は、光を反射する絶縁材料で母材を被覆した部分と、母材が露出した部分とで構成されうる。
A
インプリント装置100は、更に、硬化部1と、アライメント光学系2と、観察光学系3と、ディスペンサ8と、制御部CNTとを備えうる。硬化部1は、基板Wの上のインプリント材Rを硬化させる硬化エネルギー(この例では、紫外線等の光エネルギー)をインプリント材Rに照射することによってインプリント材Rを硬化させうる。型Mは、硬化エネルギーを透過させる材料で構成されうる。硬化部1が硬化エネルギーとして光エネルギーを発生する場合、光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、各種エキシマランプ、エキシマレーザ、発光ダイオードまたはレーザダイオードが採用されうる。
The
アライメント光学系2は、基板Wのショット領域と型Mとの相対位置を計測するために使用される。基板Wのショット領域と型Mとの相対位置に基づいて、基板駆動機構20および型駆動機構30の少なくとも一方が駆動され、基板Wのショット領域と型Mとが位置合わせされる。この際に、型保持部6に設けられた形状補正機構も駆動されうる。
The alignment
アライメント光学系2は、基板Wのマーク11、型Mのマーク10、基準プレート7の基準マーク12、13を撮像する少なくとも1つのスコープ2a、好ましくは複数のスコープ2aを含む。基板Wのショット領域と型Mとの相対位置は、撮像によって得られた画像を処理することによって得られる。各スコープ2aは、型Mのマーク10または基板Wのマーク11の位置に応じて、X軸方向およびY軸方向に駆動されうる。更に、各スコープ2aは、焦点調節のためにZ軸方向にも駆動可能に構成されてもよいし、焦点調節機構を内蔵してもよい。アライメント光学系2は、更に、複数の光学素子21、22、23、31を含みうる。この例では、複数の光学素子21、22、23、31は、リレー光学系を構成し、基板Wの表面と共役な面に、マーク10、11の像を形成する。
The alignment
型Mが交換された場合には、図2に模式的に示されるように、アライメント光学系2を使って、型Mのマーク10と、基準プレート7の複数のマークのうち位置合わせ用のマーク12との相対位置が計測される。以降は、計測によって得られた相対位置に基づいて、型Mと基板保持部5との相対位置を制御することができる。
When the mold M is exchanged, as shown schematically in FIG. 2, the alignment
また、アライメント光学系2を使って、型Mのマーク10と基板Wのマーク11との相対位置を計測することができる。アライメント光学系2の各スコープ2aは、型Mの配置誤差、基板Wの配置誤差、基板Wのマーク11の配置誤差等が許容範囲であれば、型Mのマーク10と基板Wのマーク11とを同時に視野内に収めることができるように構成されている。したがって、型Mのマーク10と基準プレート7のマーク12との相対位置に基づいて、基板保持部5によって保持された基板Wのショット領域に設けられたマーク11をアライメント光学系2のスコープ2aの視野に収めることができる。
Further, the relative position between the
観察光学系3は、基板Wの各ショット領域の全体を観察するための光学系である。観察光学系3は、マークを撮像するスコープでもある。観察光学系3は、インプリント処理の状態を観察するために使用されうる。インプリント処理の状態とは、例えば、基板Wの上のインプリント材Rと型Mとの接触状態、型Mのパターンを構成する凹部へのインプリント材Rの充填状態、基板Wの上の硬化したインプリント材Rからの型Mとの分離状態等でありうる。
The observation
観察光学系3の光軸とアライメント光学系2の光軸とは同一であることが望ましいが、両者の間には、ある程度の誤差が存在しうる。そこで、観察光学系3のキャリブレーションがなされうる。観察光学系3のキャリブレーションは、基準プレート7を用いてなされうる。観察機能の調整(例えば、光量調整や視野調整)を行う場合、図3に模式的に示されるように、基準プレート7の複数のマークのうち観察光学系3用の基準マーク13が観察光学系3の視野内に入るように基板駆動機構20によって基板保持部5が駆動されうる。図3では、型Mが型保持部6によって保持された状態で観察光学系3の調整がなされているが、型保持部6から型Mが外された状態で観察光学系3の調整がなされてもよい。
Although it is desirable that the optical axis of the observation
ディスペンサ8は、基板Wのショット領域の上にインプリント材Rを配置する。一例において、ディスペンサ8は、インプリント材Rを吐出するノズルを有し、基板駆動機構20によって基板Wが走査駆動されながらノズルからインプリント材Rが吐出されることによって、基板Wのショット領域にインプリント材Rが配置される。制御部CNTは、基板駆動機構20、型駆動機構30、硬化部1、アライメント光学系2、観察光学系3およびディスペンサ8を制御する。制御部CNTは、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
The
インプリント装置100は、更に、型Mの帯電量を低減する除電機構40を備えうる。除電機構40は、例えば、イオナイザーを含みうる。除電機構40は、型M以外の部材、例えば、基準プレート7が帯電している場合に、その帯電量を低減するように作用しうる。
The
以下、図4を参照しながらインプリント装置100による1つのショット領域に対するインプリント処理(パターン形成処理)を説明する。まず、図4(a)に示されているように、基板Wのショット領域がディスペンサ8の下方を通過するように基板駆動機構20によって基板保持部5(基板W)が駆動されながら、ディスペンサ8によって基板Wのショット領域の上にインプリント材Rが配置される。
Hereinafter, an imprint process (pattern formation process) for one shot area by the
次いで、図4(b)に示されているように、インプリント材Rが配置されたショット領域が型Mのパターン領域Mpの下方に配置されるように、基板駆動機構20によって基板保持部5(基板W)が駆動される。次いで、図4(c)に示されるように、基板Wのショット領域と型Mのパターン領域Mpとの相対位置がアライメント光学系2を使って計測されながら、基板駆動機構20と型駆動機構30とによって該ショット領域とパターン領域Mpとが位置合わせされる。また、基板Wの上のインプリント材Rと型のパターン領域Mpとが接触するように、基板駆動機構20および型駆動機構30の少なくとも一方が制御される。そして、硬化部1によって硬化エネルギーがインプリント材Rに照射されることによって、インプリント材Rが硬化し、硬化したインプリント材RからなるパターンDpが基板Wの上に形成される。
Next, as shown in FIG. 4B, the
次いで、図4(d)に示されるように、基板Wの上の硬化したインプリント材RからなるパターンDpと型Mとが分離されるように、基板駆動機構20および型駆動機構30の少なくとも一方が制御される。以上のインプリント処理が基板Wの複数のショット領域のそれぞれに対してなされる。
Next, as shown in FIG. 4D, at least the
ここで、図5を参照しながら比較例のインプリント装置におけるディスペンサ8、型M、基準プレート7の相対位置の変化を説明する。ディスペンサ8および型Mの位置は固定されていて、基板保持部5が移動する。比較例では、図5(a)に示されるように、ディスペンサ8は、型保持部6又は型Mから見て第1方向(−X方向)DIR1に配置されている。また、比較例では、基準プレート7は、第1方向DIR1に対して垂直な第2方向DIR2に平行でかつ基板保持部5又は基板Wの中心を通る仮想直線VLと、仮想直線VLから見て第1方向DIR1の反対側における基板保持部の端部E2と、の間に配置されている。
Here, a change in the relative positions of the
ショット領域S11に対するインプリント処理では、図5(b)に示されるように、ショット領域S11にインプリント材Rを配置するために、ショット領域S11がディスペンサ8の下に位置決めされる。この状態では、型Mと基準プレート7とが十分に離隔しているので、帯電した型Mと基準プレート7の基準マークとの間での放電は起こらず、基準プレート7の損傷は起こらない。次いで、図5(c)に示されるように、インプリント材Rが配置されたショット領域S11が型Mの下に位置決めされるように、基板駆動機構20によって基板保持部5が駆動される。この状態でも、型Mと基準プレート7とが十分に離隔しているので、帯電した型Mと基準プレート7の基準マークとの間での放電は起こらず、基準プレート7の損傷は起こらない。
In the imprint process for the shot area S11, as shown in FIG. 5B, the shot area S11 is positioned below the
ショット領域S42に対するインプリント処理では、図5(d)に示されるように、ショット領域S42の上にインプリント材Rを配置するために、ショット領域S42がディスペンサ8の下に位置決めされる。図5(d)の状態では、型Mの下に基準プレート7が位置するので、帯電した型Mと基準プレート7の基準マークとの間で放電が起こり、型Mが破損しうる。
In the imprint process for the shot area S42, as shown in FIG. 5D, the shot area S42 is positioned below the
以下、図6を参照しながら本発明の第1実施形態のインプリント装置100におけるディスペンサ8、型M、基準プレート7の相対位置の変化を説明する。ディスペンサ8および型Mの位置は固定されていて、基板保持部5が移動する。第1実施形態では、図6(a)に示されるように、ディスペンサ8は、型保持部6又は型Mから見て第1方向(−X方向)DIR1に配置されている。また、第1実施形態では、基準プレート7は、第1方向DIR1に対して垂直な第2方向DIR2に平行でかつ基板保持部5又は基板Wの中心を通る仮想直線VLと、仮想直線VLから見て第1方向DIR1における基板保持部の端部E1と、の間に配置されている。このような配置は、以降で説明するように、帯電した型Mと基準プレート7の間の放電を低減し、基準プレート7の破損を低減するために有利である。
Hereinafter, changes in the relative positions of the
ここで、基板保持部5は、第1方向DIR1に平行な2つの辺と、第2方向DIR2に平行な2つの辺とを有する矩形形状を有しうる。基準プレート7は、仮想直線VLから見て第1方向DIR1の側に位置する、矩形形状の頂点V1と、基板保持部5の中心との間に配置されうる。基板保持部5の中心は、例えば、基板保持部5の重心でありうる。このような配置は、基板保持部5を小型化するために有利である。図6(a)では、基準プレート7が、仮想直線VLから見て第1方向DIR1の側に位置する、矩形形状の頂点V1と、基板保持部5の中心との間に配置されている。しかし、基準プレート7は、仮想直線VLから見て第1方向DIR1の側に位置する、矩形形状の他の頂点V2と、基板保持部5の中心との間に配置されてもよい。
Here, the
ショット領域S11に対するインプリント処理では、図6(b)に示されるように、ショット領域S11にインプリント材Rを配置するために、ショット領域S11がディスペンサ8の下に位置決めされる。この状態では、型Mと基準プレート7とが十分に離隔しているので、帯電した型Mと基準プレート7の基準マークとの間での放電は起こらず、基準プレート7の損傷は起こらない。次いで、図6(c)に示されるように、インプリント材Rが配置されたショット領域S11が型Mの下に位置決めされる。この状態でも、型Mと基準プレート7とが十分に離隔しているので、帯電した型Mと基準プレート7の基準マークとの間での放電は起こらず、基準プレート7の損傷は起こらない。
In the imprint process for the shot area S11, as shown in FIG. 6B, the shot area S11 is positioned below the
また、ショット領域S42に対するインプリント処理では、図6(d)に示されるように、ショット領域S42にインプリント材Rを配置するために、ショット領域S42がディスペンサ8の下に位置決めされる。この状態では、型Mと基準プレート7とが十分に離隔しているので、帯電した型Mと基準プレート7の基準マークとの間での放電は起こらず、基準プレート7の損傷は起こらない。次いで、図6(e)に示されるように、インプリント材Rが配置されたショット領域S42が型Mの下に位置めされる。この状態でも、型Mと基準プレート7とが十分に離隔しているので、帯電した型Mと基準プレート7の基準マークとの間での放電は起こらず、基準プレート7の損傷は起こらない。
In the imprint process for the shot area S42, as shown in FIG. 6D, the shot area S42 is positioned below the
また、第1実施形態では、他のショット領域に対するインプリント処理においても、型Mと基準プレート7とが十分に離隔しているので、帯電した型Mと基準プレート7の基準マークとの間での放電は起こらず、基準プレート7の損傷は起こらない。
In the first embodiment, since the mold M and the
ここで、図7(a)、(b)に模式的に示されているように、基板Wの複数のショット領域のいずれに対して型Mのパターン領域Mpが位置決めされた場合においても、基準プレート7が型Mに対向しないことが好ましい。あるいは、基板Wの複数のショット領域のいずれに対して型Mのパターン領域Mpが位置決めされた場合においても、基準プレート7が型Mの周辺領域PRに対向しないことが好ましい。
Here, as schematically shown in FIGS. 7A and 7B, even when the pattern region Mp of the mold M is positioned with respect to any of the plurality of shot regions of the substrate W, the reference It is preferable that the
図7(a)、(b)において、基準プレート7に最も近い2つのショット領域は、ショット領域S41、S31である。図7(a)では、ショット領域S41に対して型Mのパターン領域Mpが位置決めされた状態が示されている。型Mの4つの辺のうち基準プレート7に最も近い辺と基準プレート7との距離をD1としたとき、D1>0となっている。また、図7(b)では、ショット領域S31に対して型Mのパターン領域Mpが位置決めされた状態が示されている。型Mの4つの辺のうち基準プレート7に最も近い辺と基準プレート7との距離をD2としたとき、D2>0となっている。
7A and 7B, the two shot areas closest to the
制御部CNTは、第1ショット領域に対するパターン形成と、最終ショット領域に対するパターン形成との間において基準プレート7が型Mと対向しないように、基板駆動機構20による基板保持部5の駆動を制御する。第1ショット領域は、基板Wの複数のショット領域のうち最初にパターンが形成されるショット領域であり、最終ショット領域は、基板Wの複数のショット領域のうち最後にパターンが形成されるショット領域である。
The control unit CNT controls the driving of the
第1ショット領域に対するパターンの形成は、少なくとも第1ショット領域に対するインプリント材Rの配置、第1ショット領域のインプリント材Rと型Mとの接触、および、第1ショット領域のインプリント材Rの硬化を含む。ここで、第1ショット領域に対するインプリント材Rを配置する処理と連続して、複数のショット領域のうち他のショット領域の全部または一部に対してもインプリント材が配置された後に、第1ショット領域のインプリント材Rと型Mとの接触がなされてもよい。 The pattern formation for the first shot region includes at least the arrangement of the imprint material R with respect to the first shot region, the contact between the imprint material R and the mold M in the first shot region, and the imprint material R in the first shot region. Including curing. Here, after the imprint material R is arranged on all or a part of the other shot regions among the plurality of shot regions, the imprint material R is arranged continuously with the process of arranging the imprint material R on the first shot region. The imprint material R in one shot area and the mold M may be contacted.
図2、図3を参照して説明したキャリブレーションにおいては、アライメント光学系2または観察光学系3によって型Mを介して基準プレート7のマークが撮像(観察)される。したがって、基準プレート7が型Mに対向するように配置される。このようなキャリブレーションは、除電機構40によって型Mの帯電量が低減された後に実施されうる。
In the calibration described with reference to FIGS. 2 and 3, the mark on the
一方、基板Wの複数のショット領域に対するインプリント処理においては、帯電している型Mと基板Wとの間隙が維持されると、除電機構40による除電の効果が十分には得られない。そこで、基板Wの複数のショット領域に対するインプリント処理の途中で型Mと基板Wとの間隙を広げることが除電の効果を高めるための1つの方法となりうる。しかし、このような方法では、生産性が低下しうる。
On the other hand, in the imprint process for a plurality of shot regions of the substrate W, if the gap between the charged mold M and the substrate W is maintained, the effect of charge removal by the
上記のインプリント装置100を用いて実施されるインプリント方法は、基板Wの複数のショット領域の各々に対してディスペンサ8によってインプリント材Rを配置し、インプリント材Rに型Mを接触させ硬化させる処理を行う工程を含む。この工程の開始から終了までにおいて、基準プレート7が型Mに対向しないように基板保持部5が駆動されうる。
In the imprint method implemented using the
第1実施形態によれば、除電の必要性を低減しつつ、基準プレート7の損傷の可能性を低減することができる。
According to the first embodiment, it is possible to reduce the possibility of damage to the
以下、図8乃至図11を参照しながら本発明の第2実施形態を説明する。第2実施形態は、第1実施形態とともに、または、第1実施形態とは独立して実施されうる。第2実施形態として特に言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。 Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The second embodiment can be implemented together with the first embodiment or independently of the first embodiment. Matters not particularly mentioned in the second embodiment can follow the first embodiment.
まず、図8、図9を参照しながら比較例の基準プレート7を説明する。ただし、図8、図9を参照しながら説明される比較例の基準プレート7は、第1実施形態に適用されうるものである。基準プレート7は、基準マーク12、13を含む複数の基準マークを有しうる。基準プレート7の母材は、熱によって変形しにくく、安定した材料(例えば、石英)で構成されうる。基準マーク12、13は、光を反射する導電材料膜(例えば、クロム膜)からなる複数の導電性反射部CRで母材を被覆した部分(斜線部分)と、母材が露出した部分(白抜き部分)とで構成されうる。複数の導電性反射部CRは、例えば、単層または多層の導電材料層で構成されうる。なお、複数の導電性反射部CRの全部または一部は、電気的に互いにつながった部分でありうる。
First, the
ここで、図8に示されるように、点Pにおいて、隣り合う2以上の導電性反射部CRが点接触した構造を有する場合を考える。この場合、図9に示されるように、帯電した型Mが基準プレート7と対向する状態において、型Mの電荷15による静電誘導が起き、基準プレート7の導電性反射部CR上の電荷が移動しうる。図9では、型Mに帯電している電荷15を負電荷、基準プレート7の導電性反射部CR上の電荷16を正電荷としているが、条件によってはこれらが反転することもある。静電誘導により導電性反射部CR上を移動する電荷16の経路上に点Pがあると、点Pに電荷が集中し、基準マークが破損する可能性がある。
Here, as shown in FIG. 8, a case is considered where at point P, two or more adjacent conductive reflectors CR are in point contact. In this case, as shown in FIG. 9, in the state where the charged mold M faces the
図10には、第2実施形態の基準プレート7の1つの例が示されている。図11には、第2実施形態の基準プレート7の他の例が示されている。第2実施形態では、基準マーク12、13は、複数の導電性反射部CRを含み、複数の導電性反射部CRは、互いに点接触しないように配置されている。図11の例では、複数の導電性反射部CRの一部にラウンド形状が採用されている。複数の導電性反射部CRの全てにラウンド形状が採用されてもよい。
FIG. 10 shows an example of the
ここで、微小ラインが放電破壊されるモードを考える。放電破壊は、反射性反射部CR上に溜まっている電荷Qの面内分布が、帯電した型Mに対向することによって変化した時に発生しうる。電荷Qの面内分布が変化する時に、微小ラインを通って移動する電荷Qは、最も抵抗が高い微小ラインの近傍で大量のジュール熱を発生する。そのジュール熱の蓄積が導電性反射部CRの融点を超えると微小ラインが溶断し、基準マークが破損する。微小ライン部おけるジュール熱による温度上昇をTempとすると、温度上昇Tempは、(1)で与えられうる。 Here, a mode in which a minute line is broken by discharge is considered. The discharge breakdown can occur when the in-plane distribution of the charge Q accumulated on the reflective reflector CR is changed by facing the charged mold M. When the in-plane distribution of the charge Q changes, the charge Q moving through the minute line generates a large amount of Joule heat in the vicinity of the minute line having the highest resistance. If the accumulated Joule heat exceeds the melting point of the conductive reflecting portion CR, the minute line is melted and the reference mark is damaged. If the temperature rise due to Joule heat in the minute line portion is Temp, the temperature rise Temp can be given by (1).
Temp=A・ρe・Q2/(d2・W2・ρ・c・t)・・・(1)
ここで、ρeは導電性反射部CRの体積抵抗率、Qは導電性反射部CRを流れる電荷、dは導電性反射部CRの厚さである。また、Wは電荷Qが流れる経路のライン幅、ρは導電性反射部CRの密度、cは導電性反射部CRの比熱、tは電荷Qが流れる時間、Aは単位換算の定数を表す。
Temp = A · ρ e · Q 2 / (d 2 · W 2 · ρ · c · t) (1)
Here, ρ e is the volume resistivity of the conductive reflector CR, Q is the charge flowing through the conductive reflector CR, and d is the thickness of the conductive reflector CR. W is the line width of the path through which the charge Q flows, ρ is the density of the conductive reflector CR, c is the specific heat of the conductive reflector CR, t is the time during which the charge Q flows, and A is a unit conversion constant.
図5の構成において、どれほどの電荷が移動しているかを検討した結果、1〜50pCの電荷が数ms以内に移動していると分かった。厚さが100nmのクロム膜では、幅が180nmのラインに1msの間に50pCの電荷が流れると、クロムの融点である1907℃を超える温度上昇が起こる。温度上昇は、ライン幅wの二乗に反比例するので、少なくとも57nm以上のライン幅とすればよい。ここで、4倍の尤度を持たせた214nm以上のライン幅とすることが好ましく、10倍の尤度を持たせた570nm以上のライン幅とすることが更に好ましい。 As a result of examining how much charge is moving in the configuration of FIG. 5, it has been found that the charge of 1 to 50 pC moves within several ms. In a chromium film having a thickness of 100 nm, when a charge of 50 pC flows in a line having a width of 180 nm in 1 ms, a temperature rise exceeding 1907 ° C., which is the melting point of chromium, occurs. Since the temperature rise is inversely proportional to the square of the line width w, the line width may be at least 57 nm or more. Here, a line width of 214 nm or more with a fourfold likelihood is preferable, and a line width of 570 nm or more with a tenfold likelihood is more preferable.
以下、図12を参照しながら本発明の第3実施形態を説明する。第3実施形態は、第1および/または第2実施形態とともに、または、第1および第2実施形態とは独立して実施されうる。第3実施形態として特に言及しない事項は、第1および/または第2実施形態に従いうる。 The third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The third embodiment can be implemented together with the first and / or second embodiment or independently of the first and second embodiments. Matters not particularly mentioned in the third embodiment can follow the first and / or second embodiment.
第3実施形態の基準プレート7は、1または複数の導電性反射部CRと、該1または複数の導電性反射部CRを覆う透明導電膜TMとを有する。透明導電膜TMは、例えば、ITO膜、IZO膜、TNO膜またはAl薄膜等で構成されうる。透明電極膜TMは、基準プレート7の基準マーク12、13の観察を妨げない範囲で、他の種々の材料で構成されうる。透明導電膜TMは、インプリント装置におけるグランド等の所定電位の部材に電気的に接続されうるが、フローティングであってもよい。透明導電膜TMを設けることによって、電荷分布が瞬間的に形成されたとしても、電荷は透明導電膜TMの表面を流れ、基準マーク12、13を構成する導電性反射部CRを流れない。
The
一例において、基準プレート7の導電性反射部CRは、図8で示される構成を有し、厚さが100nmの単層のクロム層で構成され、透明電極膜TMは、厚さが200nmのITO膜で構成される。クロム膜によって段差が形成されるが、透明電導膜TMの厚さを200nmにすることによって、透明電極膜TMの抵抗値を十分に小さくすることができる。ITO膜の光透過率は、波長が450nmの光で基準マークを観察する場合において、70%以上である。この例において、基準マークの破損を起こらず、アライメント光学系2および観察光学系3による基準マークの観察が可能であることが確認された。なお、基準プレート7の導電性反射部CRは、図10又は図11で示される構成であってもよい。
In one example, the conductive reflecting portion CR of the
インプリント装置100を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
The pattern of the cured product formed using the
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。 The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation or the like is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.
次に、インプリント装置100によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。図13(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。
Next, an article manufacturing method will be described in which a pattern is formed on a substrate by the
図13(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図13(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1と型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。
As shown in FIG. 13B, the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate with the side having the concave / convex pattern formed thereon. As shown in FIG. 13C, the
図13(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。 As shown in FIG. 13D, after the imprint material 3z is cured, when the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of a cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. This cured product pattern has a shape in which the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, and the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, that is, the concave / convex pattern of the die 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.
図13(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図13(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。 As shown in FIG. 13 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching resistant mask, the portion of the surface of the workpiece 2z where there is no cured product or remains thin is removed, and the groove 5z and Become. As shown in FIG. 13 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Although the cured product pattern is removed here, it may be used as, for example, a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.
100:インプリント装置、2:アライメント光学系、3:観察光学系、7:基準プレート、12、13:基準マーク、W:基板、M:型 100: imprint apparatus, 2: alignment optical system, 3: observation optical system, 7: reference plate, 12, 13: reference mark, W: substrate, M: mold
Claims (15)
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上にインプリント材を配置するディスペンサと、
マークを撮像するスコープと、を備え、
前記基板保持部は、前記スコープによって撮像される基準マークを有する基準プレートを含み、前記ディスペンサは、前記型保持部から見て第1方向に配置され、前記基準プレートは、前記第1方向に対して垂直な第2方向に平行でかつ前記基板保持部の中心を通る仮想直線と、前記仮想直線から見て前記第1方向の側における前記基板保持部の端部と、の間に配置されている、
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus that forms a pattern on the substrate by bringing a mold into contact with the imprint material disposed on the substrate and curing the mold,
A mold holding unit for holding the mold;
A substrate holder for holding the substrate;
A dispenser for disposing an imprint material on the substrate;
A scope for imaging the mark,
The substrate holding unit includes a reference plate having a reference mark imaged by the scope, and the dispenser is disposed in a first direction as viewed from the mold holding unit, and the reference plate is in the first direction. Between a virtual straight line parallel to the second direction perpendicular to the center and passing through the center of the substrate holding part, and an end of the substrate holding part on the first direction side when viewed from the virtual straight line. Yes,
An imprint apparatus characterized by that.
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 The substrate holding part has a rectangular shape having two sides parallel to the first direction and two sides parallel to the second direction, and the reference plate is Arranged between a vertex located on one side and the center,
The imprint apparatus according to claim 1.
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。 Forming a pattern for a first shot region where a pattern is first formed among a plurality of shot regions of the substrate, and forming a pattern for a final shot region where a pattern is formed last among the plurality of shot regions of the substrate; The substrate holder is driven so that the reference plate does not face the mold during
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the imprint apparatus according to claim 1.
ことを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。 The pattern formation for the first shot region includes at least the placement of the imprint material for the first shot region, the contact between the imprint material for the first shot region and the mold, and the imprint for the first shot region. Including hardening of the material,
The imprint apparatus according to claim 3.
前記基板の複数のショット領域のいずれに対して前記パターン領域が位置決めされた場合においても、前記基準プレートが前記型に対向しない、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のインプリント装置。 The mold includes a pattern region having a pattern to be transferred to an imprint material disposed on the substrate,
Even when the pattern region is positioned with respect to any of the plurality of shot regions of the substrate, the reference plate does not face the mold,
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is an imprint apparatus.
前記基板の複数のショット領域のいずれに対して前記パターン領域が位置決めされた場合においても、前記基準プレートが前記型の前記周辺領域に対向しない、
ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。 The mold includes a peripheral region surrounding a pattern region;
Even when the pattern region is positioned with respect to any of the plurality of shot regions of the substrate, the reference plate does not face the peripheral region of the mold,
The imprint apparatus according to claim 5.
前記スコープが前記型を介して前記基準プレートを撮像する処理は、前記除電機構によって前記型の帯電量が低減された後に実施される、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のインプリント装置。 A static elimination mechanism for reducing the charge amount of the mold;
The process in which the scope images the reference plate through the mold is performed after the charge amount of the mold is reduced by the static elimination mechanism.
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is an imprint apparatus.
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のインプリント装置。 The reference mark includes a plurality of conductive reflection portions, and the plurality of conductive reflection portions are arranged so as not to make point contact with each other.
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the imprint apparatus is any one of claims 1 to 7.
ことを特徴とする請求項8に記載のインプリント装置。 The reference mark has a transparent conductive film that covers the plurality of conductive reflective portions.
The imprint apparatus according to claim 8.
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のインプリント装置。 The reference mark has a conductive reflection portion and a transparent conductive film covering the conductive reflection portion.
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the imprint apparatus is any one of claims 1 to 7.
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上にインプリント材を配置するディスペンサと、
マークを撮像するスコープと、を備え、
前記基板保持部は、前記スコープによって撮像される基準マークを有する基準プレートを含み、前記基準マークは、複数の導電性反射部を含み、前記複数の導電性反射部は、互いに点接触しないように配置されている、
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus that forms a pattern on the substrate by bringing a mold into contact with the imprint material disposed on the substrate and curing the mold,
A mold holding unit for holding the mold;
A substrate holder for holding the substrate;
A dispenser for disposing an imprint material on the substrate;
A scope for imaging the mark,
The substrate holding part includes a reference plate having a reference mark imaged by the scope, the reference mark includes a plurality of conductive reflection parts, and the plurality of conductive reflection parts are not in point contact with each other. Arranged,
An imprint apparatus characterized by that.
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上にインプリント材を配置するディスペンサと、
マークを撮像するスコープと、を備え、
前記基板保持部は、前記スコープによって撮像される基準マークを有する基準プレートを含み、前記基準マークは、導電性反射部と、前記導電性反射部を覆う透明導電膜とを有する、
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus that forms a pattern on the substrate by bringing a mold into contact with the imprint material disposed on the substrate and curing the mold,
A mold holding unit for holding the mold;
A substrate holder for holding the substrate;
A dispenser for disposing an imprint material on the substrate;
A scope for imaging the mark,
The substrate holding part includes a reference plate having a reference mark imaged by the scope, and the reference mark includes a conductive reflection part and a transparent conductive film covering the conductive reflection part.
An imprint apparatus characterized by that.
前記基板の複数のショット領域の各々に対してディスペンサによってインプリント材を配置し、該インプリント材に前記型を接触させ硬化させる処理を行う工程を含み、
前記工程の開始から終了までにおいて、前記基準プレートが前記型に対向しないように前記基板保持部が駆動される、
ことを特徴とするインプリント方法。 An imprint method for forming a pattern on a substrate by bringing the mold into contact with an imprint material disposed on the substrate held by the substrate holding unit having a reference plate and curing the mold,
Disposing an imprint material by a dispenser for each of a plurality of shot regions of the substrate, and performing a process of bringing the mold into contact with the imprint material and curing it;
From the start to the end of the process, the substrate holder is driven so that the reference plate does not face the mold.
An imprint method characterized by the above.
ことを特徴とする請求項14に記載のインプリント方法。 The dispenser is disposed in a first direction when viewed from a mold holding unit that holds the mold, and the reference plate is parallel to a second direction perpendicular to the first direction and is centered on the substrate holding unit. Disposed between a virtual straight line passing through and an end of the substrate holding part on the first direction side when viewed from the virtual straight line,
The imprint method according to claim 14.
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