JP2018534031A - 生体信号を測定するための装置および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2015年9月30日に出願された中国特許出願第201510651334.X号に基づく優先権を主張する。この出願の全内容は、引用することにより本明細書の一部をなす。
本開示は生体の生体信号(バイタルシグナル、バイタル信号)を測定するためのシステム及び方法に関し、より具体的には、運動状態における生体の心拍数信号(ハートレート信号)を測定するためのシステムおよび方法に関する。
生体信号測定器は、ウェアラブルデバイス、医療器具、スポーツ用品などに適用してもよく、様々な生体信号を検出してもよく、信号を検出し、かつ処理してもよく、ネットワークを介して端末、サーバ、または外部のデータ源と通信してもよく、様々な方法により信号を特性化してもよい。本実施形態では、主にイヤホンにおいて用いられ、心拍数を図るための生体信号測定装置を例として詳細に後述する。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図17bに示される構造を有し、センサは2つの光学検出器と1つの光源とを含む。2つの光学検出器と1つの光源は、皮膚の上方に、ある距離をおいて配置され、それら3つの構成部品は直線状に配置されていてもよく、直線状には配置されていなくてもよい。また光学検出器1および光学検出器2は光源から見て同じ側に配置されている。光学検出器1と光源との間の距離は相対的に大きく、光学検出器2と光源との間の距離は相対的に小さい。光学検出器1と光源との間の距離は、光学検出器2と光源との間の距離より大きい。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2はそれぞれ同時に反射光を検出することができ、それにより光電性信号1および光電性信号2を得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器1によって検出される光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの血液量変化情報を含み得る。光電性信号1および光電性信号2は、それぞれI1およびI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図17cに示されるような構造を有していてもよく、センサは2つの光学検出器と1つの光源とを備えていてよい。2つの光学検出器と1つの光源は、皮膚の上方に、ある距離をおいて配置されており、それら3つの構成部品は直線状に配置されており、直線状には配置されていなくてもよい。また光学検出器1と光学検出器2とは光源から見て互いに反対側に配置されている。光学検出器1と光源との間の距離は相対的に大きく、光学検出器2と光源との間の距離は相対的に小さい。光学検出器1と光源との間の距離は、光学検出器2と光源との間の距離より大きい。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2はそれぞれ同時に反射光を検出することができ、それにより光電性信号1および光電性信号2を得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器1によって検出される光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの血液量変化情報を含み得る。光電性信号1および光電性信号2は、それぞれI1およびI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図17dに示されるような構造を有していてもよく、センサは2つの光学検出器と1つの光源とを備えていてよい。光学検出器1は皮膚と近接しており、光源および光学検出器2は皮膚の上方に、ある距離をおいて配置されており、光学検出器1と光学検出器2とは光源から見て同じ側に配置されている。光学検出器1と光源との間の水平方向距離は相対的に大きく、光学検出器2と光源との間の水平方向距離は相対的に小さい。2つの光学検出器および光源が作動する際、光源が光を出射すると、光学検出器1と光学検出器2とはそれぞれ同時に反射光を検出することができ、それにより光電性信号1および光電性信号2を得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器1によって検出される光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1および光電性信号2は、それぞれI1およびI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図18aに示される構造を有していてもよく、センサは1つの光学検出器と、出射光の波長が同じ2つの光源を備えていてもよい。光学検出器および2つの光源はそれぞれ皮膚と近接しており、その3つの部品は直線状に配置されていてもよく、直線状に配置されていなくてもよい。また光源1および光源2は光学検出器から見て同じ側に配置されている。光源1と光学検出器との間の距離は相対的に大きく、光源2と光学検出器の間の距離は相対的に小さい。2つの光源および上記光学検出器が作動する際、光源1および光源2は交互に光を出射し、上記2つの光源が光を出射したときに、光学検出器は反射された信号をそれぞれ検出して光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光源1によって出射された光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1および光電性信号2は、それぞれI1およびI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図18bに示される構造を有していてもよく、センサは1つの光学検出器と、出射光の波長が同じ2つの光源とを備えていてもよい。光学検出器および2つの光源はそれぞれ皮膚と近接しており、その3つの部品は直線状に配置されていてもよく、直線状に配置されていなくてもよい。また光源1および光源2は光学検出器から見て互いに反対側に配置されている。光源1と光学検出器との間の距離は相対的に大きく、光源2と光学検出器との間の距離は相対的に小さい。2つの光源および上記光学検出器が作動する際、光源1および光源2は交互に光を出射し、上記2つの光源が光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光源1によって出射された光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1および光電性信号2は、それぞれI1およびI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図18cに示すように構造を備えており、センサは1つの光学検出器と2つの光源とを備えていてもよい。光学検出器と2つの光源とは、それぞれ皮膚の上方に、ある距離を空けて配置されており、その3つの部品は直線状に配置されていてもよく、直線状に配置されていなくてもよい。また光源1および光源2は光学検出器から見て同じ側に配置されている。光源1と光学検出器との間の距離は相対的に大きく、光源2と光学検出器の間の距離は相対的に小さい。2つの光源および光学検出器が作動する際、光源1および光源2は交互に光を出射し、上記2つの光源が光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光源1によって出射された光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの脈波情報を含んでもよい。光電性信号1および光電性信号2は、それぞれI1およびI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図18dに示される構造を有し、センサは1つの光学検出器と2つの光源とを備えていてもよい。光学検出器と2つの光源とはそれぞれ皮膚の上方に、ある距離を空けて配置されており、その3つの部品は直線状に配置されていてもよく、直線状に配置されていなくてもよい。また光源1および光源2は光学検出器から見て互いに反対側に配置されていてもよい。光源1と光学検出器との間の距離は相対的に大きく、光源2と光学検出器の間の距離は相対的に小さい。2つの光源および光学検出器が作動する際、光源1および光源2は交互に光を出射し、上記2つの光源が光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光源1によって出射された光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1および光電性信号2は、それぞれI1およびI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図18eに示される構造を有し、センサは1つの光学検出器と2つの光源とを備えていてもよい。光学検出器1は皮膚と近接しており、光源2と光学検出器とは、皮膚の上方に、ある距離をおいて配置されており、光学検出器1と光学検出器2とは光源から見て同じ側に配置されている。光源1と光学検出器との間の水平方向距離は相対的に大きく、光源2と光学検出器との間の水平方向距離は相対的に小さい。2つの光源および光学検出器が作動する際、光源1および光源2は交互に光を出射し、上記2つの光源が光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光源1によって出射された光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの脈波情報を含んでもよい。光電性信号1および光電性信号2は、それぞれI1およびI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図19aに示される構造を有し、センサは2つの光学検出器と2つの光源とを備えていてもよい。2つの光学検出器および2つの光源は、それぞれ皮膚に近接している。センサ1は、光源1と光学検出器1とを備え、センサ2は光源2と光学検出器2とを備える。光源1と光学検出器との間の距離は相対的に大きく、光源2と光学検出器との間の距離は相対的に小さい。2つの光源と2つの光学検出器が作動する際、光源1と光源2は同時に光を出射してもよく、同時には出射しなくてもよい。また光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器1と光学検出器2は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器1によって検出される光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1および光電性信号2は、それぞれI1およびI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図19bに示される構造を有し、センサは2つの光学検出器と2つの光源とを備えていてもよい。また2つの光学検出器および2つの光源は、それぞれ皮膚の上方に、ある距離をおいて配置されている。センサ1は光源1と光学検出器1とを備え、センサ2は光源2と光学検出器2とを備える。光源1と光学検出器との間の距離は相対的に大きく、光源2と光学検出器との間の距離は相対的に小さい。2つの光学検出器と2つの光源が作動する際、光源1と光源2とは同時に光を出射してもよく、同時には出射しなくてもよい。また光源1と光源2が光を出射したときに、光学検出器1と光学検出器2は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器1によって検出される光子は皮膚により深く浸透するため、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1と光電性信号2は、それぞれI1およびI2と表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図20aに示される構造を有し、センサは2つの光学検出器と、1つの光源と、1つのレンズとを備えていてもよい。光源1は皮膚と近接しており、光源は皮膚の上方に、ある距離をおいて配置されており、レンズは光源2と皮膚との間に配置されている。また光源1と光源2とは、光学検出器から見て同じ側に配置されていてもよい。レンズは、光がある角度で皮膚に対して当たるように、光源2の光の検出方向を変えてもよい。光学検出器1と光源との間の距離は相対的に大きく、光学検出器2と光源との間の距離は相対的に小さい。2つの光学検出器および光源が作動する際、光源が光を出射すると、光学検出器1および光学検出器2はそれぞれ同時に反射光を検出することができ、それにより光電性信号1および光電性信号2を得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器1によって検出される光子は皮膚により深く浸透し、一方、レンズが存在するために光学検出器2によって検出される光の浸透深さがより浅くなることから、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1と光電性信号2とは、それぞれI1およびI2と表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図20bに示される構造を有していてもよく、センサは2つの光学検出器と、1つの光源と、1つのレンズとを備えていてもよい。光源1は皮膚と近接していていもよく、光源は皮膚の上方に、ある距離をおいて配置されており、レンズは光学検出器2と皮膚との間に配置されている。また光学検出器1と光学検出器2とは、光学検出器から見て互いに反対側に配置されている。レンズは、光がある角度で皮膚に対して当たるように、光学検出器によって光が検出される方向を変更してもよい。光学検出器1と光源との間の距離は相対的に大きく、光学検出器2と光源との間の距離は相対的に小さい。2つの光学検出器および光源が作動する際、光源が光を出射すると、光学検出器1および光学検出器2はそれぞれ同時に反射光を検出することができ、それにより光電性信号1および光電性信号2を得ることができる。光学検出器と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器1によって検出される光子は皮膚により深く浸透し、一方、レンズが存在するために光学検出器2によって検出される光の浸透深さがより浅くなることから、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1と光電性信号2は、それぞれI1およびI2と表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図20cに示される、1つの光学検出器と、2つの光源と、1つのレンズとを含む構造を有していてもよい。光源1は皮膚と近接していていもよく、光学検出器は皮膚の上方に、ある距離をおいて配置されていていてもよく、レンズは光学検出器2と皮膚との間に配置されていてもよい。また光学検出器1と光学検出器2とは、光学検出器から見て互いに反対側に配置されていてもよい。レンズは、光がある角度で皮膚に対して当たるように、光源2の光の出射方向を変えてもよい。光源1と光学検出器との間の距離は相対的に大きく、光源2と光学検出器との間の距離は相対的に小さい。2つの光源および光学検出器が作動する際、光源1および光源2は交互に光を出射し、上記2つの光源が光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1と光学検出器との間の距離は相対的に大きく、光学検出器1によって検出される光子は皮膚により深く浸透するため、一方、レンズにより光学検出器2によって検出される光の浸透深さがより浅くなることから、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1と光電性信号2とは、それぞれI1およびI2と表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図21aに示される構造を有していてもよく、センサは2つの光源と、2つの光学検出器と、1つのレンズとを含む。センサ1は、光源1と、光学検出器1とを備え、センサ2は光源2と光学検出器2とを備える。光学検出器1と光源1とは皮膚と近接していていもよく、光源2は皮膚の上方に、ある距離をおいて配置されており、レンズは光学検出器2と皮膚との間に配置されている。また光源1と光源2は2つの光学検出器の間に配置されている。レンズは、光がある角度で皮膚に対して当たるように、光源2の光の検出方向を変えてもよい。光学検出器1と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器と光源2との間の距離は相対的に小さい。2つの光学検出器と2つの光源とが作動する際、光源1と光源2とは同時に光を出射してもよく、同時には出射しなくてもよく、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器1と光学検出器2は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器1と光源との間の距離は相対的に大きく、光学検出器1によって検出される光子は皮膚により深く浸透するし、一方、レンズが存在するために光学検出器2によって検出される光の浸透深さがより浅くなることから、光電性信号1はより多くの脈波情報を含み得る。光電性信号1と光電性信号2は、それぞれI1およびI2と表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図21bに示される構造を有し、センサは2つの光源と、2つの光学検出器と、1つのレンズとを備える。センサ1は、光源1と光学検出器1とを備え、センサ2は光源2と光学検出器2とを備える。光学検出器1と光源1は皮膚と近接していていもよく、光学検出器2は皮膚の上方に、ある距離をおいて配置されており、レンズは光源2と皮膚との間に配置されている。また光源1と光源2とは、2つの光学検出器の間に配置されている。レンズは、光がある角度で皮膚に対して当たるように、光源2の光の出射方向を変えてもよい。光学検出器1と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器と光源2との間の距離は相対的に小さい。2つの光学検出器と2つの光源とが作動する場合の、光源と光学検出器の動作の状態は実施形態15と同じである。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図21cに示される構造を有し、センサは2つの光源と、2つの光学検出器と、2つのレンズとを備える。センサ1は、光源1と光学検出器1とを備え、センサ2は光源2と光学検出器2とを備える。光学検出器1と光源1は皮膚と近接しており、レンズ1は光源2と皮膚との間に配置されている。またレンズ2は光学と皮膚との間に配置されている。光源1と光源2は、2つの検出器の間に配置されている。皮膚に対してある角度で光が当たるように、レンズ1は光源2の光の出射方向を変えてもよく、レンズ2は光学検出器によって検出される反射信号の方向を変えてもよい。光学検出器1と光源1との間の距離は相対的に大きく、光学検出器と光源2との間の距離は相対的に小さい。2つの光学検出器と2つの光源とが作動する場合の、光源と光学検出器の動作の状態は実施形態15と同じである。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図22aに示される構造を有し、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、3つの偏光子とを含む。ここで、偏光子とは偏光板または偏光板のことを指し、普通の光線を偏光へと変えることができる光学部品である。当業者にとっては、光線そのものが偏向特性を有している場合、偏光子は必要でない場合もある。例えば、レーザによって出射された光線が偏向特性を有している場合、偏光子は必要でない場合がある。ある旋光を有する偏光子および構成部品は、光源の偏光特性を調整するのに用いることができ、旋光を有する偏光子または構成部品を使用することについてもなお、上述の保護範囲の範囲内である。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて離れており、2つの検出器の間の距離は非常に小さくてもよい。偏光子1および偏光子3の偏光方向は実質的に同一であり、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光子1および偏光子3の偏光方向が同じであるので、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子2の偏光方向は偏光子3の偏光方向に対して垂直であることから、光学検出器2により検出される光電性信号2は、皮膚表面における反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分を含んでもいてもよい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1R‖+I1B‖
I2=I2B⊥
である。
IR=I1R‖
である。
IB=2I2B⊥
である。
I1B‖=I2B⊥+ΔB
の場合、表面反射光および高散乱後方散乱光は、それぞれ以下の2つの式によって計算することができる。
IR=I1−I2−ΔB
および
IB=2I2
および
Ir=I1−I2
の場合、Isは高散乱後方散乱光のみを含んでもよく、Irは表面反射光および非常に少ない量の高散乱後方散乱光を含んでもよい。Isは運動妨害信号および鼓動信号を含んでもよく、Irは基本的に運動妨害信号のみを含んでもよい。IsとIrは、それぞれ個別に入力信号S1およびS2として使用される。また人為的な運動は図8の適応ノイズ除去アルゴリズムまたは類似のアルゴリズムによって取り除かれる。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図22bに示される構造を有し、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、3つの偏光子とを含む。本願明細書において、偏光子とは偏光板または偏光板であってもよく、普通の光線を偏光へと変えることができる光学部品である。当業者にとっては、光線そのものが偏向特性を有している場合、偏光子は必要でない場合もある。例えば、レーザによって出射された光線が偏向特性を有している場合、偏光子は必要でない場合がある。ある旋光を有する偏光子および構成部品は、光源の偏光特性を調整するのに用いることができ、旋光を有する偏光子または構成部品を使用することについてもなお、上述の保護範囲の範囲内である。光源と光学検出器は皮膚に近接していてもよく、2つの検出器の間の距離は相対的に小さい。偏光子1および偏光子3の偏光方向は実質的に同一であり、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光子1および偏光子3の偏光方向が同じであるので、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光の平行成分と、高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子2の偏光方向は偏光子3の偏光方向に垂直であり、光学検出器2により検出される光電性信号2は低散乱後方散乱光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1BR+I1B
I2=I2B⊥
である。
IBR=I1BR
である。
IB=2I2B⊥
である。
I1B=2I2B⊥+ΔB
である場合、低散乱後方散乱光および高散乱後方散乱光は、それぞれ以下の2つの式によって計算することができる。
IR=I1−I2−ΔB
および
IB=2I2
および
Ir=I1−2I2
である場合、Isは高散乱後方散乱光のみを含んでもよく、Irは低散乱後方散乱光および非常に少ない量の高散乱後方散乱光を含んでもよい。Isは運動妨害信号および鼓動信号を含んでもよく、Irは基本的に運動妨害信号のみを含んでもよい。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図22cに示される構造を有し、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、2つの偏光子とを含む。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて離れており、2つの検出器の間の距離は非常に小さくてもよい。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1の下方には偏光子がないので、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、表面反射光と高散乱後方散乱光とを含み得る。偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に対して垂直であることから、センサ2により検出される光電性信号2は、表面反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下つき文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1R+I1B
I2=I2B⊥
である。
IR=I1R
である。
IB=2I2B⊥
である。
である場合、表面反射光および高散乱後方散乱光は、それぞれ以下の2つの式によって計算することができる。
IR=I1−2I2−ΔB
および
IB=2I2
および
Ir=I1−2I2
である場合、Isは高散乱後方散乱光のみを含んでもよく、Irは表面反射光および非常に少ない量の高散乱後方散乱光を含んでもよい。Isは運動妨害信号および鼓動信号を含んでもよく、Irは基本的に運動妨害信号のみを含んでもよい。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図22dに示される構造を有し、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、2つの偏光子(すなわち、偏光子1と偏光子2)とを含む。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。光源は皮膚に近接していてもよく、2つの光学検出器は皮膚表面に近接していてもよく、または皮膚からある距離をおいて離れていてもよく、また2つの検出器の間の距離は非常に小さくてもよい。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1の下方には偏光子がないので、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光と高散乱後方散乱光とを含み得る。さらに、偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に垂直であることから、センサ2により検出される光電性信号2は低散乱後方散乱光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1BR+I1B
I2=I2B⊥
である。
IBR=I1BR
である。
IB=2I2B⊥
である。
である場合、低散乱後方散乱光および高散乱後方散乱光は、それぞれ以下の2つの式によって計算することができる。
IR=I1−I2−ΔB
および
IB=2I2
で、かつ
Ir=I1−2I2
である場合、Isは高散乱後方散乱光のみを含んでもよく、Irは低散乱後方散乱光および非常に少ない量の高散乱後方散乱光を含んでもよい。Isは運動妨害信号および鼓動信号を含んでもよく、Irは基本的に運動妨害信号のみを含んでもよい。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図22eに示される構造を有していてもよく、センサは直線偏光を発生させることができる2つの光源と、異なる偏向特性を有する光を検出することができる1つの光学検出器とを含む。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて離れており、2つの検出器の間の距離は非常に小さくてもよい。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。表面反射光が直線偏光であって、一方高散乱後方散乱光は偏向されていない光であることから、光電性信号1および光電性信号2に含まれる、表面反射光の成分および高散乱後方散乱光の光成分は異なる特性を有し、表面反射光と後方散乱光の強度の値はそれぞれ上記特性に従って計算することができる。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図22fに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、3つの偏光子とを含んでいてもよい。偏光子2および3は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2および3は必要としない場合がある。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて離れており、2つの検出器の間の距離は非常に小さくてもよい。偏光子1および偏光子3の偏光方向は同じであり、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光子1と偏光子3の偏光方向が同じであるので、光源1が光を出射したときに光学検出器によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子2の偏光方向は偏光子3の偏光方向に対して垂直であるため、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、表面反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分を含んでもいてもよい。光源1および光源2によって出射される光の明度が同じ場合、それらの間の距離が非常に小さいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1R‖+I(1B‖)
I2=I2B⊥
である。
IR=I1R‖
である。
IB=2I2B⊥
である。
である場合、表面反射光および高散乱後方散乱光は、それぞれ以下の2つの式によって計算することができる。
IR=I1−I2−ΔB
および
IB=2I2
および
Ir=I1−I2
である場合、Isは高散乱後方散乱光のみを含んでもよく、Irは表面反射光および非常に少ない量の高散乱後方散乱光を含んでもよい。Isは運動妨害信号および鼓動信号を含んでもよく、Irは基本的に運動妨害信号のみを含んでもよい。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図22gに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、3つの偏光子とを含んでいてもよい。偏光子2および3は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2および3は必要としない場合がある。光源は皮膚表面に近接していてもよく、光学検出器は皮膚からある距離をおいて離れていてもよく、または皮膚表面に近接していてもよく、また2つの光源の間の距離は非常に小さくてもよい。偏光子1および偏光子3の偏光方向は同じであり、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光子1と偏光子3の偏光方向が同じであるので、光源1が光を出射すると、光学検出器によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子2の偏光方向は偏光子3の偏光方向に対して垂直であり、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、低散乱後方散乱光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光源1および光源2によって出射される光の明度が同じ場合、それらの間の距離が非常に小さいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1BR‖+I1B‖
I2=I2B⊥
である。
IBR=I1BR‖
である。
IB=2I2B⊥
である。
である場合、低散乱後方散乱光および高散乱後方散乱光は、それぞれ以下の2つの式によって計算することができる。
IR=I1−I2−ΔB
および
IB=2I2
および
Ir=I1−I2
である場合、Isは高散乱後方散乱光のみを含んでもよく、Irは低散乱後方散乱光および非常に少ない量の高散乱後方散乱光を含んでもよい。Isは運動妨害信号および鼓動信号を含んでもよく、Irは基本的に運動妨害信号のみを含んでもよい。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図22hに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、2つの偏光子とを含んでいてもよい。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて離れており、2つの光源の間の距離は非常に小さくてもよい。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である、センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1の下方には偏光子がないので、光源1が光を出射したときに光学検出器1によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に対して垂直であり、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、表面反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光源1によって出射される光の明度が、光源2によって出射され、偏光子2を通過する光の明度と同じである場合、それらの間の距離が非常に小さいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1R‖+I1B‖
I2=I2B⊥
である。
IR=2I1R‖
である。
IB=2I2B⊥
である。
である場合、表面反射光および高散乱後方散乱光は、それぞれ以下の2つの式によって計算することができる。
IR=2(I1−I2−ΔB)
および
IB=2I2
および
Ir=2(I1−I2)
である場合、Isは高散乱後方散乱光のみを含んでもよく、Irは表面散乱光および非常に少ない量の高散乱後方散乱光を含んでもよい。Isは運動妨害信号および鼓動信号を含んでもよく、Irは基本的に運動妨害信号のみを含んでもよい。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図22iに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、2つの偏光子とを含んでいてもよい。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。光源は皮膚表面に近接していてもよく、光学検出器は皮膚からある距離をおいて離れていてもよく、または皮膚表面に近接していてもよく、また2つの検出器の間の距離は非常に小さくてもよい。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1の下方には偏光子がないので、光源1が光を出射したときに光学検出器1によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に対して垂直であり、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、低散乱後方散乱光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光源1によって出射される光の明度が、光源2によって出射され、偏光子2を通過する光の明度と同じである場合、それらの間の距離が非常に小さいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1BR‖+I1B‖
I2=I2B⊥
である。
IBR=2I1BR‖
である。
IB=2I2B⊥
である。
である場合、低散乱後方散乱光および高散乱後方散乱光は、それぞれ以下の2つの式によって計算することができる。
IBR=2(I1−I2−ΔB)および
IB=2I2
および
Ir=2(I1−I2)
である場合、Isは高散乱後方散乱光のみを含んでもよく、Irは低散乱後方散乱光および非常に少ない量の高散乱後方散乱光を含んでもよい。Isは運動妨害信号および鼓動信号を含んでもよく、Irは基本的に運動妨害信号のみを含んでもよい。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図23aに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源とを含んでいてもよい。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて配置されていてもよい。皮膚表面を中間界面とし、光源1によって出射される光の入射角はθであり、光学検出器1は、入射光と法線とによって決定される平面上の理論上の鏡面反射領域に配置され、法線と、光学検出器と入射点と結ぶ直線との間に形成される角度もθである。光源2によって出射される光と皮膚との交差点は光学検出器のすぐ下に位置し、検出器は光源2の光が皮膚上に出射される光点の法線に近い場所に配置されており、検出器が法線方向に対してより近くなるほど、信号の品質がより良くなる。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器は、光源1から出射された光の、表面での反射光が最も強くなる方向に配置されることから、光源1が光を出射したときに光学検出器によって検出される光電性信号1は、皮膚表面での反射光の大きな要素を含み得る。光学検出器は、光源2によって出射された光の後方散乱光が最も強くなる方向に配置されることから、光源2が光を出射したときに光学検出器によって検出される光電性信号2は、後方散乱光の大きな要素を含み得る。光電性信号1はI1として表され、光電性信号2はI2として表される。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図23bに示される構造を有し、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、2つの偏光子とを含む。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて配置されている。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である、皮膚表面を中間界面とし、光源1によって出射される光の入射角はθであり、光学検出器1は、入射光と法線とによって決定される平面上の理論上の鏡面反射領域に配置され、法線と、光学検出器と入射点と結ぶ直線との間に形成される角度もθである。光学検出器2は、法線に近い方向に位置していてもよい。検出器2は法線の近くに配置され、検出器が法線に近くなるほど信号の品質がより良くなる。例えば、上記角度は好ましくは90°であり、80°〜100°の範囲内であってもよく、60°〜120°の範囲内であってもよい。一方、60°より小さい、または120°より大きいのはあまり好ましくない。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1の下方には偏光子がないので、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、表面反射光と高散乱後方散乱光を含んでもよく、また検出器1が、表面での反射光が最も強くなる方向に配置されることから、光電性信号1は表面反射光の大きな要素を含み得る。偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に対して垂直であり、光学検出器2により検出される光電性信号2は、表面反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含み得る。また光学検出器2は後方散乱光が最も強くなる方向に配置されることから、光電性信号2は、後方散乱光の大きな要素を含み得る。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1R+I1B
および
I2=I2B⊥
である。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図24aに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、3つの偏光子とを含んでいてもよい。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて配置されている。偏光子1および偏光子3の偏光方向は同じであり、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。偏光子2および3は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2および3は必要としない場合がある。皮膚表面を中間界面とし、光源1によって出射される光の入射角はθであり、光学検出器1は、入射光と法線とによって決定される平面上の理論上の鏡面反射領域に配置され、法線と、光学検出器と入射点と結ぶ直線との間に形成される角度もθである。光源2によって出射される光と皮膚との交差点は光学検出器のすぐ下に位置する。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光子1と偏光子3の偏光方向は同じであることから、光源1から光が出射されたときの、光学検出器によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と、表面反射光の平行成分と、高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。光学検出器は、光源1から出射された光の、表面での反射光が最も強くなる方向に配置されることから、光電性信号1は、皮膚表面での反射光の大きな要素を含み得る。偏光子2の偏光方向は偏光子3の偏光方向に対して垂直であることから、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、表面反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。また光学検出器は、光源2によって出射された光の後方散乱光が最も強くなる方向に配置されることから、光電性信号2は、後方散乱光の大きな要素を含み得る。光源1および光源2によって出射される光の明度が同じ場合、それらの間の距離が非常に小さいことから、光源が光を出射したときに生じる後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1R‖+I1B‖
および
I2=I2B⊥
である。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図24bに示される構造を有し、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、2つの偏光子とを含む。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて配置されている。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である、偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。皮膚表面を中間界面とし、光源1によって出射される光の入射角はθであり、光学検出器1は、入射光と法線とによって決定される平面上の理論上の鏡面反射領域に配置され、法線と、光学検出器と入射点と結ぶ直線との間に形成される角度もθである。光源2によって出射される光と皮膚との交差点は光学検出器のすぐ下に位置する。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1の下方には偏光子が存在しないことから、光源1が光を出射したときに光学検出器によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と、表面反射光の平行成分と、高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。光学検出器は、光源1から出射された光の、表面での反射光が最も強くなる方向に配置されることから、光電性信号1は、皮膚表面での反射光の大きな要素を含み得る。偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に対して垂直であることから、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、表面反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。また光学検出器は、光源2によって出射された光の後方散乱光が最も強くなる方向に配置されることから、光電性信号2は、後方散乱光の大きな要素を含み得る。光源1によって出射される光の明度が、光源2によって出射され、偏光子2を通過する光の明度と同じである場合、それらの間の距離が非常に小さいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=I1R‖+I1B‖
および
I2=I2B⊥
である。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図25aに示される構造を有し、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、3つの偏光子と、1つのビームスプリッタとを含む。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子3は必要としない場合がある。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて配置されていてもよく、また2つの光学検出器および偏光子は、それぞれビームスプリッタの反射方向および透過方向に配置されている。偏光子1および偏光子3の偏光方向は同じであり、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。ビームスプリッタによって生じる反射光および透過光の成分は同じあってもよい。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光子1および偏光子3の偏光方向が同じであるので、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、表面で反射された光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子2の偏光方向は偏光子3の偏光方向に垂直であり、光学検出器2により検出される光電性信号2は、皮膚表面における反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IR‖+IB‖
および
I2=IB⊥
である。
IR=IR‖
IB=2IB⊥
である。
IR=I1−I2
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図25bに示される構造を有していてもよく、この構造において、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、3つの偏光子と、1つのビームスプリッタとを含んでもよい。偏光子3は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを反射方向および透過方向として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子3は必要としない場合がある。光源は皮膚表面に近接していてもよく、2つの光学検出器は皮膚からある距離をおいて離れていてもよく、または皮膚表面に近接していてもよく、また2つの検出器と2つの偏光子は、ビームスプリッタの反射方向および透過方向に配置されている。偏光子1および偏光子3の偏光方向は同じであり、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。ビームスプリッタによって生じる反射光および透過光の成分は同じあってもよい。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光子1および偏光子3の偏光方向が同じであるので、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子2の偏光方向は偏光子3の偏光方向に垂直であり、光学検出器2により検出される光電性信号2は低散乱後方散乱光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IBR‖+IB‖
および
I2=IB⊥
である。
IBR=IBR‖
IB=2IB⊥
である。
IBR=I1−I2
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図25cに示される構造を有していてもよく、この構造において、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、2つの偏光子と、1つのビームスプリッタとを含んでいてもよい。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて配置されており、光学検出器1はビームスプリッタの反射方向に配置されており、光学検出器2および偏光子1はビームスプリッタの透過方向に配置されている。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。ビームスプリッタによって生じる反射光および透過光の成分は同じあってもよい。センサが作動する際、光源が光を出射すると、光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光学検出器1の下方には偏光子がないので、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に対して垂直であり、センサ2により検出される光電性信号2は、表面反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IR+IB
および
I2=IB⊥
である。
IR=IR‖
IB=2IB⊥
である。
IR=I1−2I2
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図25dに示される構造を有していてもよく、この構造において、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、2つの偏光子と、1つのビームスプリッタとを含んでもよい。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを反射方向および透過方向として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。光源は皮膚表面に近接していてもよく、2つの光学検出器は皮膚からある距離をおいて離れていてもよく、または皮膚表面に近接していてもよく、また2つの検出器と2つの偏光子は、ビームスプリッタの反射方向および透過方向にそれぞれ配置されている。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である、ビームスプリッタによって生じる反射光および透過光の成分は同じあってもよい。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1の下方には偏光子がないので、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光と高散乱後方散乱光とを含み得る。さらに、偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に垂直であることから、センサ2により検出される光電性信号2は低散乱後方散乱光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IBR+IB
および
I2=IB⊥
IBR=IBR‖
IB=2IB⊥
である。
IBR=I1−2I2
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図26aに示される構造を有していてもよい。この構造においては、センサは直線偏光を発生させることができる2つの光源と、異なる偏向特性を有する光を検出することができる1つの光学検出器と、1つのビームスプリッタとを含んでもよい。光源と、光学検出器とは、皮膚からある距離をおいて配置されており、2つの光源は、ビームスプリッタの反射方向および透過方向にそれぞれ配置されている。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。表面反射光が直線偏光であるのに対し、高散乱後方散乱光は偏光ではないことから、光電性信号1および光電性信号2に含まれる、表面反射光の成分および高散乱後方散乱光の成分は異なる特性を有し、表面反射光と後方散乱光の強度の値は上記特性に従ってそれぞれ計算することができる。
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図26bに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、3つの偏光子と、1つのビームスプリッタとを含んでいてもよい。偏光子2および3は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2および3は必要としない場合がある。光源と、光学検出器とは、皮膚からある距離をおいて配置されており、2つの光源と偏光子とは、ビームスプリッタの反射方向および透過方向にそれぞれ配置されている。偏光子1と偏光子3の偏光方向は同じであり、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。ビームスプリッタによって生じる反射光および透過光の成分は同じあってもよい。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射してもよく、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光子1と偏光子3の偏光方向が同じであるので、光源1が光を出射すると、光学検出器によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子2の偏光方向は偏光子3の偏光方向に対して垂直であるので、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、表面反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光源1および光源2によって出射される光の明度が同じ場合、ビームスプリッタによって反射および透過される成分は等しいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IR‖+IB‖
および
I2=IB⊥
IR=IR‖
IB=2IB⊥
である。
IR=I1−I2
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図26cに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、3つの偏光子と、1つのビームスプリッタとを含んでいてもよい。偏光子2および3は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを反射方向および透過方向として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2および3は必要としない場合がある。光学検出器は皮膚表面に近接していてもよく、2つの光源は皮膚からある距離をおいて離れていてもよく、または皮膚表面に近接していてもよく、また2つの光源と2つの偏光子は、ビームスプリッタの反射方向および透過方向に配置されている。偏光子1および偏光子3の偏光方向は同じであり、偏光子2の偏光方向に対して垂直である。ビームスプリッタによって生じる反射光および透過光の成分は同じあってもよい。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射してもよく、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光子1と偏光子3の偏光方向が同じであるので、光源1が光を出射すると、光学検出器によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子2の偏光方向は偏光子3の偏光方向に対して垂直であるので、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、低散乱後方散乱光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光源1および光源2によって出射される光の明度が同じ場合、ビームスプリッタによって反射および透過される成分は等しいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IBR‖+IB‖
および
I2=IB⊥
である。
IBR=IBR‖
IB=2IB⊥
である。
IBR=I1−I2
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図26dに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、2つの偏光子と、1つのビームスプリッタとを含んでいてもよい。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて配置されており、光源1はビームスプリッタの反射方向に配置されており、光源2はビームスプリッタの透過方向に配置されている。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である、ビームスプリッタによって生じる反射光および透過光の成分は同じあってもよい。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射してもよく、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1の下方には偏光子がないので、光源1が光を出射したときに光学検出器1によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に対して垂直であるので、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、表面反射光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光源1によって出射される光の明度が、光源2によって出射され、偏光子2を通過する光の明度と同じである場合、ビームスプリッタによって反射および透過される成分が等しいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IR‖+IB‖
および
I2=IB⊥
である。
IR=2IR‖
および
IB=2IB⊥
である。
IR=2(I1−I2)
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図26eに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、2つの偏光子と、1つのビームスプリッタとを含んでいてもよい。偏光子2は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに用いられる。レーザを反射方向および透過方向として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子2は必要としない場合がある。光学検出器は皮膚表面に近接していてもよく、2つの光源は皮膚からある距離をおいて離れていてもよく、または皮膚表面に近接していてもよく、また2つの光源と2つの偏光子は、ビームスプリッタの反射方向および透過方向に配置されている。偏光子1の偏光方向は、偏光子2の偏光方向に対して垂直である、ビームスプリッタによって生じる反射光および透過光の成分は同じあってもよい。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。光源1の下方には偏光子がないので、光源1が光を出射したときに光学検出器1によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光子1の偏光方向は偏光子2の偏光方向に対して垂直であるので、光源2が光を出射したときに光学検出器により検出される光電性信号2は、低散乱後方散乱光を含んでいなくてもよいが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含んでもいてもよい。光源1によって出射される光の明度が、光源2によって出射され、偏光子2を通過する光の明度と同じである場合、ビームスプリッタによって反射および透過される成分が等しいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IBR‖+IB‖
および
I2=IB⊥
である。
IBR=2IR‖
および
IB=2IB⊥
である。
IBR=2(I1−I2)
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図27aに示される構造を有していてもよく、この構造において、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、1つの偏光子と、1つの偏光ビームスプリッタとを含んでもよい。偏光子は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを光源として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子は必要としない場合がある。光源と光学検出器とは皮膚からある距離をおいて配置されており、また2つの光学検出器は、偏光ビームスプリッタの反射方向および透過方向にそれぞれ配置されている。偏光ビームスプリッタの反射偏光方向は、偏光子の偏光方向と同じであり、偏光ビームスプリッタの透過偏光方向は、偏光子の偏光方向に垂直であり、反射成分および透過成分は等しい。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光ビームスプリッタの反射偏光方向は、偏光子の偏光方向と同じであることから、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光ビームスプリッタの透過偏光方向は、偏光子の偏光方向に対して垂直であることから、光学検出器2によって検出される光電性信号2は、表面反射光を含まないが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含み得る。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IR‖+IB‖
および
I2=IB⊥
である。
IR=IR‖
IB=2IB⊥
である。
IR=I1−I2
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図27bに示される構造を有していてもよく、この構造において、センサは1つの光源と、2つの光学検出器と、1つの偏光子と、1つの偏光ビームスプリッタとを含んでもよい。偏光子は、通常の光源を用いて偏光を生成するのに使用される。レーザを反射方向および透過方向として使用する場合(例えばレーザダイオードなど)、レーザは既に偏光特性を有しており、この場合、偏光子は必要としない場合がある。光源は皮膚表面に近接していてもよく、2つの光学検出器は皮膚からある距離をおいて離れていてもよく、または皮膚表面に近接していてもよく、また2つの検出器と2つの偏光子は、ビームスプリッタの反射方向および透過方向に配置されている。偏光ビームスプリッタの反射偏光方向は、偏光子の偏光方向と同じであり、偏光ビームスプリッタの透過偏光方向は、偏光子の偏光方向に垂直であり、反射成分および透過成分は等しい。センサが作動する際、光源が光を出射すると光学検出器1および光学検出器2は反射信号を検出し、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光ビームスプリッタの反射偏光方向は、偏光子の偏光方向と同じであることから、光学検出器1によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光ビームスプリッタの透過偏光方向は、偏光子の偏光方向に対して垂直であることから、光学検出器2によって検出される光電性信号2は、低散乱後方散乱光を含まないが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含み得る。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IBR‖+IB‖
および、
I2=IB⊥
である。
IBR=IBR‖
IB=2IB⊥
である。
IBR=I1−I2
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図27cに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、1つの偏光子と、1つの偏光ビームスプリッタとを含んでいてもよい。光源と、光学検出器とは、皮膚からある距離をおいて配置されており、2つの光源は、ビームスプリッタの反射方向および透過方向にそれぞれ配置されている。偏光ビームスプリッタの反射偏光方向は、偏光子の偏光方向と同じであり、偏光ビームスプリッタの透過偏光方向は、偏光子の偏光方向に垂直であり、反射成分および透過成分は等しい。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光ビームスプリッタの反射偏光方向は、偏光子の偏光方向と同じであることから、光源1が光を出射したときに光学検出器1によって検出される光電性信号1は、表面反射光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光ビームスプリッタの透過偏光方向は、偏光子の偏光方向と垂直であることから、光源2が光を出射したときに光学検出器2によって検出される光電性信号2は、表面反射光を含まないが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含み得る。光源1および光源2によって出射される光の明度が同じ場合、偏光ビームスプリッタによって反射および透過される成分は等しいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、表面反射光をIRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IR‖+IB‖
および
I2=IB⊥
である。
IR=IR‖
IB=2IB⊥
である。
IR=I1−I2
および
IB=2I2
生体信号検出デバイスは、実施形態1に記載されたものと異なる検出モジュールを含んでもよい。検出モジュールは図27dに示される構造を有していてもよい。この構造において、センサは1つの光学検出器と、2つの光源と、1つの偏光子と、1つの偏光ビームスプリッタとを含んでいてもよい。光学検出器は皮膚表面に近接していてもよく、2つの光源は皮膚からある距離をおいて離れていてもよく、または皮膚表面に近接していてもよく、また2つの光源と2つの偏光子は、偏光ビームスプリッタの反射方向および透過方向にそれぞれ配置されている。偏光ビームスプリッタの反射偏光方向は、偏光子の偏光方向と同じであり、偏光ビームスプリッタの透過偏光方向は、偏光子の偏光方向に垂直であり、反射成分および透過成分は等しい。センサが作動する際、光源1と光源2は交互に光を出射し、光源1と光源2とが光を出射したときに、光学検出器は反射された信号を検出して、光電性信号1および光電性信号2をそれぞれ得ることができる。偏光ビームスプリッタの反射偏光方向は、偏光子の偏光方向と同じであることから、光源1が光を出射したときに光学検出器1によって検出される光電性信号1は、低散乱後方散乱光の平行成分と高散乱後方散乱光の平行成分とを含み得る。偏光ビームスプリッタの透過偏光方向は、偏光子の偏光方向と垂直であることから、光源2が光を出射したときに光学検出器2によって検出される光電性信号2は、低散乱後方散乱光を含まないが、高散乱後方散乱光の垂直成分のみを含み得る。光源1および光源2によって出射される光の明度が同じ場合、偏光ビームスプリッタによって反射および透過される成分は等しいことから、光源が光を出射したときに生じる高散乱後方散乱光は等しい。光電性信号1をI1で表し、光電性信号2をI2で表し、低散乱後方散乱光をIBRで表し、高散乱後方散乱光をIBで表し、下付き文字‖および⊥がそれぞれ平行成分および垂直成分を表すとき、
I1=IBR‖+IB‖
および
I2=IB⊥
IBR=IBR‖
IB=2IB⊥
である。
IBR=I1−I2
および
IB=2I2である
102 端末装置
103 ネットワーク
104 外部データ源
105 サーバ
200 実行モジュール
201 検出モジュール
202 処理モジュール
203 格納モジュール
204 出力モジュール
205 制御モジュール
206 電源モジュール
401 発光素子
402 感光素子
403 駆動回路
404 信号増幅器
405 A/Dコンバータ
601 ノイズ除去ユニット
602 機能構成ユニット
603 信号解析ユニット
604 信号特性化ユニット
Claims (50)
- 第1の位置に配置され、生体の表面に第1の光線を出射するように構成された第1の信号源と、
第2の位置に配置され、前記生体によって反射される、前記第1の光線に関連付けられた第1の信号を検出するように構成された第1の信号検出デバイスと、
第3の位置に配置され、前記生体によって反射される、前記第1の光線に関連付けられるが前記第1の信号とは異なる第2の信号を検出するように構成された第2の信号検出デバイスと、
前記第1の信号と前記第2の信号とに基づいて、前記生体の生体信号を判断するように構成されたプロセッサと、
を含む装置。 - 前記第1の信号検出デバイスは光電センサを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の信号はフォトプレチスモグラフ(PPG)信号および前記生体の動作信号を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の信号は前記生体の動作信号を含む、請求項3に記載の装置。
- 前記第1の位置と前記第2の位置との間の距離は、前記第1の位置と前記第3の位置との間の距離よりも大きい、請求項4に記載の装置。
- 前記第1の位置と前記生体の表面との間の距離は、前記第3の位置と前記生体の表面との間の距離より小さい、請求項4に記載の装置。
- 第4の位置に配置され、前記生体に第2の光線を出射するように構成された第2の信号源をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の信号検出デバイスと前記生体との間に配置され、前記第2の信号の伝達方向を変えるように構成された構成部品を更に含む、請求項3に記載の装置。
- 前記構成部品はレンズまたは導光体を含む、請求項8に記載の装置。
- 前記生体の表面に対し、前記第1の信号源によって出射される前記第1の光線は偏光である、請求項3に記載の装置。
- 前記第1の信号検出デバイスと前記生体との間に配置される第1の偏光デバイスを更に含む、請求項3に記載の装置。
- 前記第1の偏光デバイスは直線偏光子を含む、請求項11に記載の装置。
- 前記生体によって反射された反射信号を2つの部分に分けるように構成された少なくとも1つのビームスプリッタを更に含む、請求項11に記載の装置。
- 前記ビームスプリッタは偏光ビームスプリッタを含み、前記生体によって反射された前記反射信号を、2つの異なる偏光方向を有する2つの偏光に分割する、請求項13に記載の装置。
- 前記第1の信号検出デバイスと前記生体との間に配置される第2の偏光デバイスを更に含む、請求項11に記載の装置。
- 前記第1の信号検出デバイスと前記生体との間に配置される第3の偏光デバイスを更に含む、請求項15に記載の装置。
- 前記第2の信号検出デバイスが前記第1の光線の法線の近傍に配置されている、請求項3に記載の装置。
- 前記プロセッサは、前記生体の心拍数の情報を判断するように構成されている、請求項3に記載の装置。
- 第1の位置に配置され、生体の表面に第1の光線を出射するように構成された第1の信号源と、
第2の位置に配置され、前記生体の表面に第2の光線を出射するように構成された第2の信号源と、
第3の位置に配置され、前記生体によって反射される第1の信号および第2の信号を異なる時点で検出するように構成され、前記第1の信号は前記第1の光線と関連付けられており、前記第2の信号は前記第2の光線と関連付けられており、前記第1の信号は前記第2の信号と異なっている、第1の信号検出デバイスと、
前記第1の信号と前記第2の信号とに基づいて、前記生体の生体信号を判断するように構成されたプロセッサと、
を含む装置。 - 前記第1の信号検出デバイスは光電センサを含む、請求項19に記載の装置。
- 前記第1の信号はPPG信号および前記生体の動作信号を含む、請求項19に記載の装置。
- 前記第2の信号は前記生体の動作信号を含む、請求項21に記載の装置。
- 前記第1の位置と前記第3の位置との間の距離は、前記第2の位置と前記第3の位置との間の距離よりも大きい、請求項22に記載の装置。
- 前記第1の位置と前記生体の表面との間の距離は、前記第3の位置と前記生体の表面との間の距離より小さい、請求項21に記載の装置。
- 前記第2の位置と前記生体の表面との間の距離は、前記第3の位置と前記生体の表面との間の距離より大きい、請求項21に記載の装置。
- 前記第2の信号源と前記生体との間に配置され、前記第2の光線の伝達方向を変えるように構成された構成部品を更に含む、請求項22に記載の装置。
- 前記構成部品はレンズまたは導光体を含む、請求項26に記載の装置。
- 前記第1の光線および前記第2の光線のうち少なくとも1つは偏光である、請求項22に記載の装置。
- 前記第1の信号検出デバイスと前記生体との間に配置される第1の偏光デバイスを更に含む、請求項22に記載の装置。
- 前記第1の偏光デバイスは直線偏光子を含む、請求項29に記載の装置。
- 前記第2の信号源と前記生体との間に配置される第2の偏光デバイスを更に含む、請求項29に記載の装置。
- 前記第1の信号源と前記生体との間に配置される第3の偏光デバイスを更に含む、請求項31に記載の装置。
- 前記第1の光線および前記第2の光線を前記生体の同じ領域に対して出射させるように構成されたビームスプリッタを更に含む、請求項21に記載の装置。
- 前記ビームスプリッタは、前記第1の光線および前記第2の光線に異なる偏光特性をもたせるように構成された偏光ビームスプリッタを含む、請求項33に記載の装置。
- 前記第2の偏光デバイスの偏光方向は、前記第1の偏光デバイスの偏光方向に対して垂直である、請求項29に記載の装置。
- 前記第1の信号検出デバイスが前記第1の光線の法線の近傍に配置されている、請求項21に記載の装置。
- 前記プロセッサは、前記第1の信号と前記第2の信号とに基づいて、前記生体の心拍数の情報を得るように構成されている、請求項21に記載の装置。
- 生体の表面に第1の光線を出射する工程と、
前記生体によって反射された第1の信号を検出する工程と、
前記生体によって反射された第2の信号を検出する工程であって、前記第1の信号と前記第2の信号とは前記第1の光線と関連付けられており、前記第2の信号は前記第1の信号と異なっている、工程と、
前記第1の信号と前記第2の信号とに基づいて、前記生体の生体信号を判断する工程と、
を含む方法。 - 前記第1の信号と前記第2の信号は2つの光電センサによってそれぞれ検出される、請求項38に記載の方法。
- 前記第1の信号はPPG信号および前記生体の動作信号を含む、請求項38に記載の方法。
- 前記第2の信号は前記生体の表面反射信号を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記生体内における前記第1の信号の伝達距離は、前記生体内における前記第2の信号の伝達距離より大きい、請求項40に記載の方法。
- 前記第1の信号における高散乱後方散乱光の強度は、前記第2の信号における高散乱後方散乱光の強度よりも大きい、請求項40に記載の方法。
- 前記生体の外の前記第1の信号の伝達方向を変更するために用いられる構成部品を更に含む、請求項40に記載の方法。
- 前記構成部品はレンズまたは導光体を含む、請求項44に記載の方法。
- 前記第1の光線は偏光を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記第1の信号および/または前記第2の信号に偏光特性を持たせるための第1の偏光デバイスを用いることを更に含む、請求項40に記載の方法。
- 前記第1の偏光デバイスは直線偏光子を含む、請求項47に記載の方法。
- 前記第1の光線または前記第2の光線に偏光特性を持たせるための第2の偏光デバイスを用いることを更に含む、請求項47に記載の方法。
- 前記第1の信号と前記第2の信号とに基づいて、前記生体の心拍数の情報を得るステップを更に含む、請求項38に記載の方法。
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