JP2018530899A - Silver alloy wire - Google Patents

Silver alloy wire Download PDF

Info

Publication number
JP2018530899A
JP2018530899A JP2017563231A JP2017563231A JP2018530899A JP 2018530899 A JP2018530899 A JP 2018530899A JP 2017563231 A JP2017563231 A JP 2017563231A JP 2017563231 A JP2017563231 A JP 2017563231A JP 2018530899 A JP2018530899 A JP 2018530899A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
silver alloy
range
alloy wire
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017563231A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6619458B2 (en
Inventor
ヨン−ドク タク
ヨン−ドク タク
イル テ カン
イル テ カン
ジョン ス キム
ジョン ス キム
ヒュン ソク ジュン
ヒュン ソク ジュン
テ ヨプ キム
テ ヨプ キム
シー チャン
シー チャン
ムラリ サランガパニ
ムラリ サランガパニ
Original Assignee
ヘレウス マテリアルズ シンガポール ピーティーイー. リミテッド
ヘレウス マテリアルズ シンガポール ピーティーイー. リミテッド
ヘレウス オリエンタル ハイテック カンパニー リミテッド
ヘレウス オリエンタル ハイテック カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヘレウス マテリアルズ シンガポール ピーティーイー. リミテッド, ヘレウス マテリアルズ シンガポール ピーティーイー. リミテッド, ヘレウス オリエンタル ハイテック カンパニー リミテッド, ヘレウス オリエンタル ハイテック カンパニー リミテッド filed Critical ヘレウス マテリアルズ シンガポール ピーティーイー. リミテッド
Publication of JP2018530899A publication Critical patent/JP2018530899A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6619458B2 publication Critical patent/JP6619458B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/3006Ag as the principal constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • C22C5/06Alloys based on silver
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0255Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in welding
    • B23K35/0261Rods, electrodes, wires
    • B23K35/0272Rods, electrodes, wires with more than one layer of coating or sheathing material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/14Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of noble metals or alloys based thereon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/438Post-treatment of the connector
    • H01L2224/43848Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45565Single coating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Abstract

ワイヤ芯を含むまたはワイヤ芯からなる銀合金ワイヤであって、前記ワイヤ芯自体が、(a)0.1から3wt.%の範囲の量のパラジウムと、(b)0.1から3wt.%の範囲の量の金と、(c)20から700wt.ppmの範囲の量のニッケルと、(d)20から200wt.ppmの範囲の量のカルシウムと、(e)93.91から99.786wt.%の範囲の量の銀と、(f)0から100wt.ppmのさらなる成分とからなり、ここでwt.%およびwt.ppmの全ての量が前記芯の総重量に基づき、前記銀合金ワイヤが、8から80μmの範囲の平均直径を有する銀合金ワイヤ。【選択図】図1A silver alloy wire comprising or consisting of a wire core, wherein the wire core itself is (a) 0.1 to 3 wt. % Palladium in an amount in the range of 0.1% to 3 wt. % In the amount of gold, and (c) 20 to 700 wt. nickel in an amount in the range of ppm, and (d) 20 to 200 wt. calcium in an amount in the range of ppm, and (e) 93.91 to 99.786 wt. % In the amount of silver, and (f) 0 to 100 wt. ppm of additional components, where wt. % And wt. A silver alloy wire having an average diameter in the range of 8 to 80 μm, wherein all amounts of ppm are based on the total weight of the core. [Selection] Figure 1

Description

本発明は、特有の重量比の銀、パラジウム、金、ニッケルおよびカルシウムを含む芯を含む8から80μm厚銀合金ワイヤに関する。本発明は、さらにこうしたワイヤを製造するためのプロセスに関する。   The present invention relates to an 8 to 80 μm thick silver alloy wire comprising a core comprising a specific weight ratio of silver, palladium, gold, nickel and calcium. The invention further relates to a process for producing such a wire.

電子工学および超小形電子工学用途におけるボンディングワイヤの使用は、既知の最新技術である。ボンディングワイヤは、当初は金から作られていたが、現在では銅、銅合金、銀および銀合金などのより安価な材料が用いられる。   The use of bonding wires in electronics and microelectronic applications is a known state of the art. Bonding wires were initially made of gold, but now less expensive materials such as copper, copper alloys, silver and silver alloys are used.

ワイヤ形状に関して、最も一般的な物は、円形断面のボンディングワイヤおよび多少矩形の断面を有するボンディングリボンである。どちらの種類のワイヤ形状も、特有の用途のためにそれらを有用にするそれらの利点がある。   With regard to wire shape, the most common ones are bonding wires with a circular cross section and bonding ribbons with a somewhat rectangular cross section. Both types of wire shapes have their advantages that make them useful for specific applications.

本発明の目的は、銀合金ワイヤが、具体的には耐腐食性および耐湿性が改善されているが例えば、広いスティッチボンディングウィンドウ、良好な再現性を有する軸対称のフリーエアボール(FAB)の形成、低FAB硬度、高スティッチ引張り強さ、軟性ワイヤ、低電気抵抗率、低エレクトロマイグレーション、などを含めた、ワイヤボンディング用途に関して適切である特性の全体的にバランスのとれたスペクトルも示す、ワイヤボンディング用途において使用するために適した銀合金ワイヤを提供することである。   The object of the present invention is that, for example, a silver alloy wire has improved corrosion resistance and moisture resistance, but for example of a wide stitch bonding window, an axisymmetric free air ball (FAB) with good reproducibility. A wire that also exhibits a globally balanced spectrum of properties that are suitable for wire bonding applications, including formation, low FAB hardness, high stitch tensile strength, soft wire, low electrical resistivity, low electromigration, etc. It is to provide a silver alloy wire suitable for use in bonding applications.

前記目的の解決への寄与は、カテゴリー形成クレームの主題によって提供される。カテゴリー形成クレームの従属クレームは、本発明の好ましい実施形態を表し、その主題も上述の目的の解決への寄与をなす。   The contribution to the solution of the object is provided by the subject matter of the categorization claims. The dependent claims of the category forming claims represent preferred embodiments of the present invention, whose subject matter also contributes to the solution of the above-mentioned object.

銀−パラジウム−金−ニッケル−カルシウム合金18μmワイヤ、試料1(表1を参照)の例示的な焼鈍曲線を示す。焼鈍時間は、移動するワイヤの速度を調整することによって一定値に選択した。焼鈍温度は、X軸の可変パラメーターである。グラフは、ワイヤの破断荷重(BL、グラム単位)および伸び率(EL、%)の測定値を示す。伸び率は、引張試験によって決定した。伸び率測定は、約700℃の焼鈍温度で達成された、示された実施例における約19%の典型的な極大値を示した。試料ワイヤ1は、図1による最大伸び率の温度を220℃下回る、480℃で焼鈍した。これは、最大伸び率値を40%以上下回る、約8%の伸び率値をもたらした。2 shows an exemplary annealing curve of a silver-palladium-gold-nickel-calcium alloy 18 μm wire, Sample 1 (see Table 1). The annealing time was selected to a constant value by adjusting the speed of the moving wire. The annealing temperature is a variable parameter on the X axis. The graph shows the measured values of break load (BL, gram) and elongation (EL,%) of the wire. The elongation was determined by a tensile test. Elongation measurements showed a typical maximum of about 19% in the example shown, achieved at an annealing temperature of about 700 ° C. The sample wire 1 was annealed at 480 ° C., which is 220 ° C. below the maximum elongation temperature according to FIG. This resulted in an elongation value of about 8%, which is 40% below the maximum elongation value. 銀−パラジウム−金−ニッケル−カルシウム合金18μmワイヤ、試料1(表1)の例示的なイオンミリングした断面像を示す。3つの異なる位置のワイヤ、HAZおよびFABの粒子モフォロジーが明白である。ワイヤ試料1を、480℃、7.5%ELで焼鈍した。1.8のワイヤに対するボールのサイズ比(BSR)ならびにEFO電流18mAおよびEFO時間455μsを適用した。2 shows an exemplary ion milled cross-sectional image of a silver-palladium-gold-nickel-calcium alloy 18 μm wire, Sample 1 (Table 1). The particle morphology of the three differently positioned wires, HAZ and FAB is evident. Wire sample 1 was annealed at 480 ° C. and 7.5% EL. A ball size to wire ratio (BSR) of 1.8 and EFO current of 18 mA and EFO time of 455 μs were applied.

第1の態様において、本発明は、ワイヤ芯(下文で略して「芯」とも呼ばれる)自体が、
(a)0.1から3wt.%(重量%、重量での%)、好ましくは0.5から1.5wt.%の範囲の量のパラジウムと、
(b)0.1から3wt.%、好ましくは0.2から1.5wt.%の範囲の量の金と、
(c)20から700wt.ppm(重量ppm、重量でのppm)、好ましくは275から325wt.ppmの範囲の量のニッケルと、
(d)20から200wt.ppm、好ましくは20から50wt.ppmの範囲の量のカルシウムと、
(e)93.91から99.786wt.%、好ましくは96.9625から99.2595wt.%の範囲の量の銀と、
(f)0から100wt.ppmのさらなる成分(パラジウム、金、ニッケル、カルシウムおよび銀以外の成分)と
からなり、
ここで、wt.%およびwt.ppmの全ての量が芯の総重量に基づき、
銀合金ワイヤが、8から80μmの範囲またはさらには12から55μmの範囲の平均直径を有する、ワイヤ芯を含むまたはワイヤ芯からなる銀合金ワイヤに関する。
In the first aspect, the present invention provides a wire core (also referred to as “core” for short) in itself,
(A) 0.1 to 3 wt. % (% By weight,% by weight), preferably 0.5 to 1.5 wt. Palladium in an amount in the range of%,
(B) 0.1 to 3 wt. %, Preferably 0.2 to 1.5 wt. % Amount of gold,
(C) 20 to 700 wt. ppm (ppm by weight, ppm by weight), preferably 275 to 325 wt. nickel in amounts in the ppm range;
(D) 20 to 200 wt. ppm, preferably 20 to 50 wt. an amount of calcium in the ppm range;
(E) 93.91 to 99.786 wt. %, Preferably 96.9625 to 99.2595 wt. % Amount of silver and
(F) 0 to 100 wt. consisting of additional components in ppm (components other than palladium, gold, nickel, calcium and silver),
Here, wt. % And wt. All amounts of ppm are based on the total weight of the wick,
It relates to a silver alloy wire comprising or consisting of a wire core, wherein the silver alloy wire has an average diameter in the range of 8 to 80 μm or even in the range of 12 to 55 μm.

銀合金ワイヤは、好ましくは超小形電子工学におけるボンディングのためのボンディングワイヤである。銀合金ワイヤは、好ましくは一体型の物体である。非常に多くの形状が既知でありかつ本発明の銀合金ワイヤのために有用であると思われる。好ましい形状は、断面図において、円形、楕円形および矩形形状である。   The silver alloy wire is preferably a bonding wire for bonding in microelectronics. The silver alloy wire is preferably a monolithic object. Numerous shapes are known and appear to be useful for the silver alloy wires of the present invention. Preferred shapes are circular, oval and rectangular shapes in the cross-sectional view.

ワイヤまたはワイヤ芯の平均直径または、単純に言えば、直径は、「サイジング法」によって取得され得る。本方法に従って画定された長さの銀合金ワイヤの物理的な重量が決定される。この重量に基づいて、ワイヤまたはワイヤ芯の直径が、ワイヤ材料の密度を用いて計算される。直径は、特定のワイヤの5つの切片の5つの測定値の算術平均として計算される。   The average diameter of a wire or wire core, or simply the diameter, can be obtained by a “sizing method”. The physical weight of a defined length of silver alloy wire according to the method is determined. Based on this weight, the diameter of the wire or wire core is calculated using the density of the wire material. The diameter is calculated as the arithmetic average of five measurements of five sections of a particular wire.

本発明に関して、「ボンディングワイヤ」と言う語は、断面の全ての形状および全ての通常のワイヤ径を含むが、円形断面および細径を有するボンディングワイヤは好ましい。   In the context of the present invention, the term “bonding wire” includes all shapes of cross sections and all normal wire diameters, but bonding wires having a circular cross section and a small diameter are preferred.

前述に沿って、ワイヤ芯は、前述の開示された釣り合った比率で(a)パラジウム、(b)金、(c)ニッケル、(d)カルシウム、および(e)銀を含む。しかしながら、本発明の銀合金ワイヤの芯は、(f)0から100wt.ppmの総量のさらなる成分を含み得る。本文脈において、しばしば「不可避の不純物」とも呼ばれる、さらなる成分は、使用された原料内に存在するまたはワイヤ製造プロセスからの不純物に由来する少量の化学元素および/または化合物であり、すなわち、(f)タイプのさらなる成分の存在は、例えば銀、パラジウム、金、ニッケルおよびカルシウムのうちの1種または複数内に存在する不純物に由来し得る。こうしたさらなる成分の例は、Cu、Fe、Si、Mn、Cr、Ce、Mg、La、Al、B、Zr、Ti、S、などである。さらなる成分(f)の0から100wt.ppmの低い総量は、ワイヤ特性の良好な再現性を確保する。芯内に存在するさらなる成分(f)は、通常は別個に追加されない。   In line with the foregoing, the wire core includes (a) palladium, (b) gold, (c) nickel, (d) calcium, and (e) silver in the previously disclosed proportions. However, the core of the silver alloy wire of the present invention has (f) 0 to 100 wt. Additional components in a total amount of ppm can be included. In this context, further components, often also referred to as “unavoidable impurities”, are small amounts of chemical elements and / or compounds present in the raw materials used or derived from impurities from the wire manufacturing process, ie (f The presence of additional components of type) may be derived from impurities present in one or more of, for example, silver, palladium, gold, nickel and calcium. Examples of such additional components are Cu, Fe, Si, Mn, Cr, Ce, Mg, La, Al, B, Zr, Ti, S, and the like. 0 to 100 wt. A low total amount of ppm ensures good reproducibility of wire properties. The additional component (f) present in the core is usually not added separately.

一実施形態において、本発明の銀合金ワイヤの芯は、以下のさらなる成分(f)の量未満を含む:
(i)30wt.ppm未満のCu、
(ii)それぞれ2wt.ppm未満のCr、Ce、Mg、La、Al、Be、In、Mn、Tiのうちのいずれか1種、
(iii)それぞれ15wt.ppm未満のSi、Fe、Sのうちのいずれか1種。
In one embodiment, the core of the silver alloy wire of the present invention comprises less than the amount of the following additional component (f):
(I) 30 wt. less than ppm Cu,
(Ii) 2 wt. Any one of Cr, Ce, Mg, La, Al, Be, In, Mn, Ti less than ppm,
(Iii) 15 wt. Any one of Si, Fe, and S less than ppm.

本文脈において銀合金ワイヤの芯は、バルク材料の均一領域として定義される。いかなるバルク材料も常に、ある程度まで異なる特性を示し得る表面領域を有するので、ワイヤの芯の特性は、バルク材料の均一領域の特性として理解される。バルク材料領域の表面は、モフォロジー、組成(例えば硫黄、塩素および/または酸素含有量)および他の特徴の観点から様々で有り得る。表面は、ワイヤ芯の外表面であってよく、こうした実施形態において、本発明の銀合金ワイヤは、ワイヤ芯からなる。他の選択可能な方法において、表面は、ワイヤ芯とワイヤ芯に重ね合わされた被覆層との間の界面領域で有り得る。   In this context, the core of a silver alloy wire is defined as a uniform region of bulk material. Since any bulk material always has a surface region that can exhibit different properties to some extent, the properties of the core of the wire are understood as the properties of a uniform region of the bulk material. The surface of the bulk material region can vary in terms of morphology, composition (eg, sulfur, chlorine and / or oxygen content) and other characteristics. The surface may be the outer surface of a wire core, and in such embodiments, the silver alloy wire of the present invention comprises a wire core. In other selectable methods, the surface can be the interfacial region between the wire core and the covering layer superimposed on the wire core.

本発明との関連で「重ね合わされた」と言う語は、第2の部材、例えば被覆層に関して第1の部材、例えばワイヤ芯の相対位置を述べるために用いられる。「重ね合わされた」は、中間層などの、さらなる部材が、第1の部材と第2の部材との間に配置され得る(が必要ではない)ことを特徴付ける。好ましくは、第2の部材は、例えばそれぞれ第1の部材の総表面に関して、少なくとも30%、50%、70%または少なくとも90%、第1の部材上に少なくとも部分的に重ね合わされている。最も好ましくは、第2の部材は、第1の部材上に完全に重ね合わされている。   The term “superposed” in the context of the present invention is used to describe the relative position of a first member, eg a wire core, with respect to a second member, eg a covering layer. “Overlapped” characterizes that additional members, such as an intermediate layer, may (but need not) be placed between the first member and the second member. Preferably, the second member is at least partially overlapped on the first member, eg, at least 30%, 50%, 70% or at least 90%, for example, each with respect to the total surface of the first member. Most preferably, the second member is fully superimposed on the first member.

本発明との関連で「中間層」と言う語は、その芯とその上に重ね合わされた被覆層との間の銀合金ワイヤの領域を指す。本領域において、芯および被覆層の、両方の材料の組み合わせが存在する。   The term “intermediate layer” in the context of the present invention refers to the region of the silver alloy wire between its core and the overlying coating layer. In this area, there is a combination of both core and cover layer materials.

本発明との関連で「厚さ」と言う語は、層が、芯の表面上に少なくとも部分的に重ね合わされている、芯の縦軸に直交する方向の層のサイズを定義するために用いられる。   In the context of the present invention, the term “thickness” is used to define the size of a layer in a direction perpendicular to the longitudinal axis of the core, where the layer is at least partially superimposed on the surface of the core. It is done.

一実施形態において、芯は、被覆層が芯の表面上に重ね合わされている、表面を有する。   In one embodiment, the core has a surface with a coating layer superimposed on the surface of the core.

一実施形態において、被覆層の質量は、それぞれ芯の総質量に関して5wt.%以下、好ましくは2wt.%以下である。被覆層が存在する場合、被覆層はしばしば、それぞれ芯の総質量に関して、0.1wt.%以上または0.5wt.%以上の最小質量を有する。被覆層として少量の材料を適用することは、ワイヤの芯の材料によって定義される性質を維持する。一方で、被覆層は、例えば環境に対して不活性であること、腐食に対する耐性、改善された接合性などの特定の性質をワイヤ表面に与える。例えば、被覆層の厚さは、直径18μmのワイヤの場合20から120nmの範囲である。25μmの直径を有するワイヤの場合、被覆層は、例えば、30から150nmの範囲の厚さを有してよい。   In one embodiment, the weight of the coating layer is 5 wt. % Or less, preferably 2 wt. % Or less. If a coating layer is present, the coating layer is often 0.1 wt. % Or more or 0.5 wt. % Minimum mass. Applying a small amount of material as the covering layer maintains the properties defined by the wire core material. On the other hand, the coating layer imparts certain properties to the wire surface, such as inertness to the environment, resistance to corrosion, improved bondability, and the like. For example, the thickness of the covering layer is in the range of 20 to 120 nm for a 18 μm diameter wire. In the case of a wire having a diameter of 25 μm, the covering layer may have a thickness in the range of 30 to 150 nm, for example.

一実施形態において、被覆層は、貴金属元素で作られていてもよい。被覆層は、前記元素のうちの1つの単層であってよい。別の実施形態において、被覆層は、いくつかの重なり合わさった隣接する副層からなる多層であってもよく、それぞれの副層は異なる貴金属元素で作られている。芯上のこうした貴金属元素の堆積のための一般的な技術は、電気めっきおよび無電解めっきなどのめっき、スパッタリングなどの気相からの材料の堆積、イオンめっき、真空蒸着および物理蒸着、ならびに溶融物からの材料の堆積である。   In one embodiment, the covering layer may be made of a noble metal element. The covering layer may be a single layer of one of the elements. In another embodiment, the cover layer may be a multilayer composed of several overlapping adjacent sublayers, each sublayer being made of a different noble metal element. Common techniques for the deposition of such noble metal elements on the core include plating such as electroplating and electroless plating, deposition of materials from the gas phase such as sputtering, ion plating, vacuum and physical vapor deposition, and melts. Is the deposition of material from.

一実施形態において、本発明の銀合金ワイヤまたはその芯は、
(1)平均ワイヤ粒径(平均粒径)が、10μm未満、例えば2から6μmの範囲、好ましくは2から4μmの範囲である、
(2)ワイヤ粒子[100]または[101]または[111]配向の面が、7%未満、例えば1から5%の範囲、好ましくは2から3.5%の範囲である、
(3)ワイヤ双晶境界率が、60%未満、例えば30から50%の範囲、好ましくは40%から45%の範囲である、
(4)FABが、柱状粒子を示す(粒子が引き延ばされている)、
(5)FAB平均粒径が、18μm以下、例えば6から14μmの範囲、好ましくは8から12μmの範囲である、
(6)FAB粒子[101]配向の面が、45%未満、例えば30から40%の範囲、好ましくは32から36%の範囲である、
(7)FAB双晶境界率が、70%未満、例えば30から65%の範囲、好ましくは60%から65%の範囲である、
固有特性のうちの少なくとも1つによって(下述のような「試験法A」を参照)、
および/または
(α)耐腐食性が、5%以下、例えば0から5%の範囲のボンディングされたボールリフトの値を有する(下述のような「試験法B」を参照)、
(β)耐湿性が、5%以下、例えば0から5%の範囲のボンディングされたボールリフトの値を有する(下述のような「試験法C」を参照)、
(γ)ワイヤ芯の硬度が、85HV以下、例えば50から85HVの範囲、好ましくは65から75HVの範囲である(下述のような「試験法D」を参照)、
(δ)スティッチボンディングのためのプロセスウィンドウ領域が、少なくとも12000mA・g、例えば直径18μmのワイヤの場合13000から14400mA・gの値を有する(下述のような詳細な開示および「試験法E」を参照)、
(ε)ワイヤの抵抗率が、2.5μΩ・cm未満、例えば1.7から2.4μΩ・cmの範囲、好ましくは2.2から2.4μΩ・cmの範囲である(下述のような「試験法F」を参照)、
(ζ)ワイヤの降伏強度が、170MPa以下、例えば140から170MPaの範囲である(下述のような「試験法G」を参照)、
(η)ワイヤの銀樹枝状成長が、4μm/s以下、例えば2から4μm/sの範囲、好ましくは2から3μm/sの範囲である(下述のような「試験法H」を参照)、
外因的特性のうちの少なくとも1つによって特徴付けられる。
In one embodiment, the silver alloy wire of the present invention or the core thereof is
(1) The average wire particle size (average particle size) is less than 10 μm, for example in the range of 2 to 6 μm, preferably in the range of 2 to 4 μm.
(2) The wire particle [100] or [101] or [111] orientation plane is less than 7%, for example in the range of 1 to 5%, preferably in the range of 2 to 3.5%.
(3) The wire twin boundary ratio is less than 60%, for example in the range of 30 to 50%, preferably in the range of 40% to 45%.
(4) FAB shows columnar particles (particles are stretched),
(5) FAB average particle size is 18 μm or less, for example, in the range of 6 to 14 μm, preferably in the range of 8 to 12 μm.
(6) The surface of the FAB particle [101] orientation is less than 45%, for example in the range of 30 to 40%, preferably in the range of 32 to 36%.
(7) FAB twin boundary ratio is less than 70%, for example in the range of 30 to 65%, preferably in the range of 60% to 65%.
By at least one of the intrinsic properties (see “Test Method A” as described below),
And / or (α) the corrosion resistance has a value of bonded ball lift in the range of 5% or less, for example in the range of 0 to 5% (see “Test Method B” as described below),
(Β) Moisture resistance has a bonded ball lift value of 5% or less, for example in the range of 0 to 5% (see “Test Method C” as described below),
(Γ) The hardness of the wire core is 85 HV or less, for example in the range of 50 to 85 HV, preferably in the range of 65 to 75 HV (see “Test Method D” as described below),
(Δ) The process window area for stitch bonding has a value of at least 12000 mA · g, eg 13000 to 14400 mA · g for a wire with a diameter of 18 μm (detailed disclosure and “Test Method E” as described below) reference),
(Ε) The resistivity of the wire is less than 2.5 μΩ · cm, for example in the range of 1.7 to 2.4 μΩ · cm, preferably in the range of 2.2 to 2.4 μΩ · cm (as described below See Test Method F),
(Ζ) The yield strength of the wire is 170 MPa or less, for example in the range of 140 to 170 MPa (see “Test Method G” as described below),
(Η) Silver dendritic growth of the wire is 4 μm / s or less, for example in the range of 2 to 4 μm / s, preferably in the range of 2 to 3 μm / s (see “Test Method H” as described below) ,
Characterized by at least one of the extrinsic characteristics.

「固有特性」および「外因的特性」という語は、本明細書においてワイヤ芯またはFABに関して用いられる。固有特性は、ワイヤ芯またはFABが(他の因子とは独立に)それ自体有する特性を意味し、一方外因的特性は、ワイヤ芯またはFABの用いられた測定方法および/または測定条件のような他の因子との関係に依存する。   The terms “inherent property” and “exogenous property” are used herein with respect to a wire core or FAB. Intrinsic properties mean the properties that the wire core or FAB has (independently of other factors) themselves, while extrinsic properties are like the measurement method and / or measurement conditions used for the wire core or FAB. Depends on the relationship with other factors.

本発明の好ましい実施形態の場合、ワイヤ芯の硬度(すなわちボンディングの前の硬度)は、85HV未満、好ましくは65から75HVの範囲である。さらに、ボンディングより前の本発明のワイヤを用いて処理されたFABの硬度は、80HV未満、好ましくは60から70HVの範囲である。こうした硬度または、より正確には、ワイヤ芯およびFABの軟度は、ボンディングの過程における繊細な基板の損傷の予防を助ける。実験も、本発明によるこうした軟性ワイヤが、非常に柔軟なFAB特性を示すことを示している。こうしたFAB硬度の制限は、具体的には機械的に繊細な構造がボンドパッドの下に並んでいる場合に役立つ。これは、具体的にはボンドパッドが、アルミニウムまたは金のような軟性材料からなる場合に当てはまる。繊細な構造は、例えば、具体的には2.5未満の誘電率を有する、多孔質の二酸化ケイ素の1つまたはいくつかの層を含んでいてもよい。こうした多孔質のかつしたがって軟弱な材料は、デバイス性能を増加するために役立ち得るので次第に一般的になっている。したがって、本発明のボンディングワイヤの機械的特性は、こうした軟弱な層の亀裂または他の損傷を防止するために最適化され得る。   In the preferred embodiment of the present invention, the hardness of the wire core (ie, the hardness before bonding) is less than 85 HV, preferably in the range of 65 to 75 HV. Furthermore, the hardness of the FAB treated with the wire of the present invention prior to bonding is less than 80 HV, preferably in the range of 60 to 70 HV. Such hardness, or more precisely, the softness of the wire core and FAB helps to prevent damage to delicate substrates during the bonding process. Experiments have also shown that such flexible wires according to the present invention exhibit very flexible FAB characteristics. Such FAB hardness limitations are particularly useful when mechanically delicate structures are lined under the bond pad. This is particularly true when the bond pad is made of a soft material such as aluminum or gold. The delicate structure may include, for example, one or several layers of porous silicon dioxide, specifically having a dielectric constant of less than 2.5. Such porous and therefore soft materials are becoming increasingly popular as they can help to increase device performance. Thus, the mechanical properties of the bonding wire of the present invention can be optimized to prevent such soft layer cracking or other damage.

特定の実施形態において、本発明の銀合金ワイヤは、4μm/s未満、例えば2から4μm/s未満の範囲、好ましくは2から3μm/sの範囲の速度で銀樹枝状成長を示し、これは4N純銀ワイヤの約25μm/sの成長速度の約1/10から1/7である。   In certain embodiments, the silver alloy wire of the present invention exhibits silver dendritic growth at a rate of less than 4 μm / s, such as in the range of 2 to 4 μm / s, preferably in the range of 2 to 3 μm / s. It is about 1/10 to 1/7 of the growth rate of about 25 μm / s of 4N pure silver wire.

別の有利な実施形態において、ワイヤの抵抗率は、3.2μΩ・cm未満、例えば2.0から2.4μΩ・cmの範囲、好ましくは2.2から2.4μΩ・cmの範囲であり、すなわち多くの用途に対する適応性を意味する。   In another advantageous embodiment, the resistivity of the wire is less than 3.2 μΩ · cm, for example in the range of 2.0 to 2.4 μΩ · cm, preferably in the range of 2.2 to 2.4 μΩ · cm, That means adaptability to many applications.

別の態様において、本発明は、上に開示されたその実施形態のいずれかにおける銀合金ワイヤの製造のためのプロセスにも関する。プロセスは、
(1)wt.%およびwt.ppmの全ての量が、前駆物質部材の総重量に基づく、
(a)0.1から3wt.%、好ましくは0.5から1.5wt.%の範囲の量のパラジウム、
(b)0.1から3wt.%、好ましくは0.2から1.5wt.%の範囲の量の金、
(c)20から700wt.ppm、好ましくは275から325wt.ppmの範囲の量のニッケル、
(d)20から200wt.ppm、好ましくは20から50wt.ppmの範囲の量のカルシウム、
(e)93.91から99.786wt.%、好ましくは96.9625から99.2595wt.%の範囲の量の銀、および
(f)0から100wt.ppmのさらなる成分
からなる前駆物質部材を提供するステップと、
(2)ワイヤ芯の所望の最終直径が得られるまで、ワイヤ前駆物質を形成するために前駆物質部材を引き延ばすステップと、
(3)最後に銀合金ワイヤを形成するために0.4から0.8秒からの範囲の暴露時間の間、400から600℃の範囲の炉設定温度でプロセスステップ(2)の完了後に得られるワイヤ前駆物質をストランド焼鈍するステップと
を少なくとも含み、ステップ(2)が、50から150分の範囲の暴露時間の間、400から800℃の炉設定温度での引き延ばされた前駆物質部材の中間バッチ焼鈍の1つもしくは複数のサブステップおよび/または0.4秒から1.2秒の範囲の暴露時間の間、400から800℃の炉設定温度での引き延ばされた前駆物質部材の中間ストランド焼鈍の1つもしくは複数のサブステップを含む。
In another aspect, the present invention also relates to a process for the production of a silver alloy wire in any of its embodiments disclosed above. The process,
(1) wt. % And wt. All amounts of ppm are based on the total weight of the precursor component,
(A) 0.1 to 3 wt. %, Preferably 0.5 to 1.5 wt. Palladium in an amount in the range of%,
(B) 0.1 to 3 wt. %, Preferably 0.2 to 1.5 wt. % Amount of gold,
(C) 20 to 700 wt. ppm, preferably 275 to 325 wt. nickel in amounts in the ppm range,
(D) 20 to 200 wt. ppm, preferably 20 to 50 wt. calcium in amounts in the ppm range,
(E) 93.91 to 99.786 wt. %, Preferably 96.9625 to 99.2595 wt. % In the amount of silver, and (f) 0 to 100 wt. providing a precursor component comprising additional components of ppm;
(2) stretching the precursor member to form a wire precursor until a desired final diameter of the wire core is obtained;
(3) Finally obtained after completion of process step (2) at a furnace set temperature ranging from 400 to 600 ° C. for an exposure time ranging from 0.4 to 0.8 seconds to form a silver alloy wire. Strand annealing the resulting wire precursor, wherein step (2) is a stretched precursor member at a furnace set temperature of 400 to 800 ° C. for an exposure time in the range of 50 to 150 minutes One or more sub-steps of intermediate batch annealing and / or an extended precursor member at a furnace set temperature of 400 to 800 ° C. for an exposure time in the range of 0.4 to 1.2 seconds One or more sub-steps of intermediate strand annealing.

「ストランド焼鈍」と言う語が、本明細書において用いられる。これは、高い再現性でワイヤの最初の生成を可能にする連続的なプロセスである。ストランド焼鈍は、焼鈍が、焼鈍される引き延ばされたワイヤ前駆物質部材またはワイヤ前駆物質が焼鈍炉を通って移動されかつ焼鈍炉を離れた後にリール上に巻かれる間に動的になされることを意味する。   The term “strand annealing” is used herein. This is a continuous process that allows the initial production of wires with high reproducibility. Strand annealing is done dynamically while the stretched wire precursor member or wire precursor to be annealed is moved through the annealing furnace and wound on the reel after leaving the annealing furnace. Means that.

「炉設定温度」と言う語が、本明細書において用いられる。これは、焼鈍炉の温度調節器における一定の温度を意味する。焼鈍炉は、チャンバー溶鉱炉型の炉(バッチ焼鈍の場合)または管状焼鈍炉(ストランド焼鈍の場合)であってよい。   The term “furnace set temperature” is used herein. This means a constant temperature in the temperature controller of the annealing furnace. The annealing furnace may be a chamber blast furnace type furnace (in the case of batch annealing) or a tubular annealing furnace (in the case of strand annealing).

本開示は、前駆物質部材、ワイヤ前駆物質および銀合金ワイヤを区別する。「前駆物質部材」と言う語は、ワイヤ芯の所望の最終直径に達していないそれらのワイヤの前段について用いられる一方で、「ワイヤ前駆物質」と言う語は、所望の最終直径のワイヤの前段について用いられる。プロセスステップ(3)の完了後、すなわち所望の最終直径のワイヤ前駆物質の最終ストランド焼鈍後に本発明の意味における銀合金ワイヤが取得される。   The present disclosure distinguishes between precursor members, wire precursors and silver alloy wires. The term “precursor member” is used for the pre-stage of those wires that have not reached the desired final diameter of the wire core, while the term “wire precursor” is the pre-stage of the wire of the desired final diameter. Used for. After the completion of process step (3), i.e. after final strand annealing of the desired final diameter wire precursor, a silver alloy wire in the sense of the present invention is obtained.

プロセスステップ(1)において提供されたような前駆物質部材は、所望の量のパラジウム、金、ニッケルおよびカルシウムで銀を合金/ドーピングすることによって取得され得る。銀合金自体は、金属合金の当業者に既知の従来型のプロセスによって、例えば、所望の比率で銀、パラジウム、金、ニッケルおよびカルシウムを一緒に溶融することによって調製され得る。そうする場合、1種または複数の従来型のマスター合金を利用することが可能である。溶融プロセスは、例えば誘導炉を利用して実行してよくかつ真空下または不活性ガス雰囲気下で作業することは適切である。用いられる材料は、例えば、99.99wt.%以上の純度等級を有してよい。そのように生成された溶融物は、銀系前駆物質部材の均一な部分を形成するために冷却してよい。典型的には、こうした前駆物質部材は、例えば、2から25mmの直径および例えば、5から100mの長さを有するロッドの形状である。こうしたロッドは、室温の適切な鋳型において前記銀合金溶融物を鋳造すること、その後冷却することおよび固化することによって作られ得る。   The precursor member as provided in process step (1) can be obtained by alloying / doping silver with the desired amount of palladium, gold, nickel and calcium. The silver alloy itself can be prepared by conventional processes known to those skilled in the art of metal alloys, for example, by melting together silver, palladium, gold, nickel and calcium in the desired ratio. In doing so, it is possible to utilize one or more conventional master alloys. The melting process may be performed, for example, using an induction furnace and it is appropriate to work under vacuum or in an inert gas atmosphere. The material used is, for example, 99.99 wt. % Or more purity grade. The melt so produced may be cooled to form a uniform portion of the silver based precursor member. Typically, such precursor members are in the form of rods having a diameter of, for example, 2 to 25 mm and a length of, for example, 5 to 100 m. Such rods can be made by casting the silver alloy melt in a suitable mold at room temperature, followed by cooling and solidification.

単層または多層の形状の被覆層が、本発明の第1の態様の実施形態のいくつかについて開示されたような銀合金ワイヤの芯上に存在する場合、この被覆層は、好ましくはまだ引き延ばされていなくてもよく、最終的に引き延ばされていなくてもよくまたは所望の最終直径に十分に引き延ばされていてさえもよい、ワイヤ前駆物質部材に適用される。当業者は、ワイヤの実施形態について開示された厚さの被覆層を取得するために、すなわちワイヤ前駆物質を形成するために被覆層を有する前駆物質部材を引き延ばした後に、前駆物質部材上のこうした被覆層の厚さを計算する方法を知っている。上記で既に開示されたように、銀合金表面上に実施形態による材料の被覆層を形成するための非常に多くの技法が既知である。好ましい技法は、電気めっきおよび無電解めっきなどのめっき、スパッタリングなどの気相からの材料の堆積、イオンめっき、真空蒸着および物理蒸着、ならびに溶融物からの材料の堆積である。   If a coating layer in the form of a single layer or multiple layers is present on the core of a silver alloy wire as disclosed for some of the embodiments of the first aspect of the invention, this coating layer is preferably still drawn. Applies to wire precursor members that may not be stretched and ultimately stretched or even fully stretched to the desired final diameter. Those skilled in the art will be able to obtain a coating layer of the thickness disclosed for the wire embodiment, ie after stretching the precursor member having the coating layer to form a wire precursor, such on the precursor member. Know how to calculate the thickness of the coating layer. As already disclosed above, numerous techniques are known for forming a coating layer of a material according to embodiments on a silver alloy surface. Preferred techniques are plating such as electroplating and electroless plating, deposition of materials from the gas phase such as sputtering, ion plating, vacuum and physical vapor deposition, and deposition of materials from the melt.

単層または多層として金属被覆を本発明の第1の態様の実施形態のいくつかについて開示されたようなワイヤ芯へ重ね合わせるために、前駆物質部材の所望の直径が一旦達成されたらプロセスステップ(2)を中断することは適切である。こうした直径は、例えば、80から200μmの範囲であってよい。次いで単層または多層金属被覆は、例えば、1種または複数の電気めっきプロセスステップによって、適用され得る。その後プロセスステップ(2)は、ワイヤ芯の所望の最終直径が得られるまで継続される。   Process steps (once the desired diameter of the precursor member has been achieved to overlay the metallization as a single layer or multiple layers onto a wire core as disclosed for some of the embodiments of the first aspect of the invention) It is appropriate to interrupt 2). Such a diameter may be in the range of 80 to 200 μm, for example. The single layer or multi-layer metallization can then be applied, for example, by one or more electroplating process steps. Process step (2) is then continued until the desired final diameter of the wire core is obtained.

プロセスステップ(2)において前駆物質部材は、ワイヤ芯の所望の最終直径が得られるまで、ワイヤ前駆物質を形成するために引き延ばされる。ワイヤ前駆物質を形成するために前駆物質部材を引き延ばすための技法は、既知でありかつ本発明との関連で有用と思われる。好ましい技法は、圧延、スエージ加工、ダイ延伸などであり、その中でダイ延伸は、特に好ましい。後者において前駆物質部材は、いくつかのプロセスステップにおいてワイヤ芯の所望のおよび最終の直径が達成されるまで延伸される。   In process step (2), the precursor member is stretched to form a wire precursor until the desired final diameter of the wire core is obtained. Techniques for stretching a precursor member to form a wire precursor are known and deemed useful in the context of the present invention. Preferred techniques are rolling, swaging, die drawing, etc., among which die drawing is particularly preferred. In the latter, the precursor member is stretched in several process steps until the desired and final diameter of the wire core is achieved.

ワイヤ芯の所望のおよび最終直径は、8から80μmの範囲または、好ましくは、12から55μmの範囲であってよい。こうしたワイヤダイ延伸プロセスは、当業者に良く知られている。従来型のタングステンカーバイドおよびダイヤモンド延伸ダイは、採用してよくかつ従来型の延伸潤滑剤は、延伸を助けるために採用してよい。   The desired and final diameter of the wire core may be in the range of 8 to 80 μm, or preferably in the range of 12 to 55 μm. Such wire die drawing processes are well known to those skilled in the art. Conventional tungsten carbide and diamond stretching dies may be employed and conventional stretching lubricants may be employed to aid stretching.

本発明のプロセスのステップ(2)は、50から150分の範囲の暴露時間の400から800℃の炉設定温度での引き延ばされた前駆物質部材の中間バッチ焼鈍の1つもしくは複数のサブステップおよび/または0.4秒から1.2秒の範囲の暴露時間の400から800℃の炉設定温度での引き延ばされた前駆物質部材の中間ストランド焼鈍の1つもしくは複数のサブステップを含む。引き延ばされた前駆物質部材の中間焼鈍の1つまたは複数のステップは、複数の伸長または延伸ステップのうちの2つ以上の間に実行され得る。実施例によってこれを例示するために、延伸中の3つの異なる段階での3つの中間焼鈍ステップ、例えば、50から150分の暴露時間の400から800℃の範囲の炉設定温度での2mmの直径まで延伸されかつドラム上に巻き付けられたロッドの第1の中間バッチ焼鈍、0.4から1.2秒の暴露時間の400から800℃の範囲の炉設定温度での47μmの直径まで延伸された前駆物質部材の第2の中間ストランド焼鈍および0.4から1.2秒の暴露時間の400から800℃の範囲の炉設定温度での27μmの直径までさらに延伸された前駆物質部材の第3の中間ストランド焼鈍が実行され得る。   Step (2) of the process of the present invention comprises one or more sub-stages of intermediate batch annealing of the extended precursor member at a furnace set temperature of 400 to 800 ° C. with an exposure time ranging from 50 to 150 minutes. One or more sub-steps of intermediate strand annealing of the step and / or extended precursor member at a furnace set temperature of 400 to 800 ° C. with an exposure time in the range of 0.4 to 1.2 seconds Including. One or more steps of intermediate annealing of the stretched precursor member may be performed during two or more of the plurality of stretching or stretching steps. To illustrate this by way of example, three intermediate annealing steps at three different stages during stretching, for example a diameter of 2 mm at a furnace set temperature ranging from 400 to 800 ° C. with an exposure time of 50 to 150 minutes. First intermediate batch annealing of the rod stretched to and wound on a drum, stretched to a diameter of 47 μm at a furnace set temperature ranging from 400 to 800 ° C. with an exposure time of 0.4 to 1.2 seconds A second intermediate strand anneal of the precursor member and a third of the precursor member further stretched to a diameter of 27 μm at a furnace set temperature in the range of 400 to 800 ° C. with an exposure time of 0.4 to 1.2 seconds. Intermediate strand annealing can be performed.

プロセスステップ(3)においてプロセスステップ(2)の完了後に得られた引き延ばされたワイヤ前駆物質は、最終的にストランド焼鈍される。最終ストランド焼鈍は、例えば、400から600℃の範囲の炉設定温度で0.4から0.8秒の暴露時間、または、好ましい実施形態においては、400から500℃で0.5から0.7秒間実行される。   In process step (3), the stretched wire precursor obtained after completion of process step (2) is finally strand annealed. The final strand anneal is for example an exposure time of 0.4 to 0.8 seconds at a furnace set temperature in the range of 400 to 600 ° C., or in a preferred embodiment, 0.5 to 0.7 at 400 to 500 ° C. Run for seconds.

最終ストランド焼鈍は、典型的には引き延ばされたワイヤ前駆物質を典型的には所与の長さの円筒形管の形状の、従来型の焼鈍炉によって、かつ例えば、10から60メートル/分の範囲で選択され得る所与の焼鈍速度の確定された温度プロファイルで引っ張ることによって実行される。その際焼鈍時間/炉温度パラメーターは、確定および設定してよい。   Final strand annealing typically involves drawing the drawn wire precursor into a conventional annealing furnace, typically in the form of a cylindrical tube of a given length, and for example 10 to 60 meters / This is done by pulling on a defined temperature profile for a given annealing rate that can be selected in the range of minutes. The annealing time / furnace temperature parameter may then be determined and set.

好ましい実施形態において、最終的にストランド焼鈍された銀合金ワイヤは、一実施形態において、1種または複数の添加剤、例えば、0.01から0.07体積%の添加剤(1種または複数)を含有してよい、水中でクエンチされる。水中のクエンチングは、直ちにまたは急速に、すなわち0.2から0.6秒以内に、例えば浸漬または滴下によって、最終的にストランド焼鈍された銀合金ワイヤをプロセスステップ(3)においてそれが経験した温度から室温まで冷却することを意味する。   In a preferred embodiment, the final strand annealed silver alloy wire is in one embodiment one or more additives, such as 0.01 to 0.07 vol% additive (s). Quench in water. Quenching in water immediately or rapidly, i.e. within 0.2 to 0.6 seconds, it was experienced in process step (3) in the final strand annealed silver alloy wire, for example by dipping or dripping. It means cooling from temperature to room temperature.

本発明の実施形態に関して、最大伸び率の温度未満の温度での最終ストランド焼鈍は、ワイヤモフォロジーが良い方向に影響され得るので有益なワイヤ特性をもたらし得ることが分かった。この調整によって、例えばワイヤ硬度、ボールボンディング挙動などのような他の特性は、良い方向に影響され得る。   With respect to embodiments of the present invention, it has been found that final strand annealing at temperatures below the maximum elongation temperature can provide beneficial wire properties since the wire morphology can be positively affected. With this adjustment, other characteristics such as wire hardness, ball bonding behavior, etc. can be influenced in a good direction.

一実施形態において、最終ストランド焼鈍は、焼鈍によって最大伸び率値が達成される温度よりも少なくとも150℃低い、例えば210から240℃低い温度で実行されてよく、これは最大伸び率値の70%以下、例えば最大伸び率値の30から60%である焼鈍後のワイヤの伸び率値をもたらし得る。例えば、プロセスステップ(3)は、最大伸び率TΔL(max)の温度よりも少なくとも150℃、好ましくは少なくとも180℃、または少なくとも200℃低い温度で実行され得る。しばしば、プロセスステップ(3)における温度は、TΔL(max)よりも250℃以上低い。最大伸び率TΔL(max)の温度は、異なる温度における試験片(ワイヤ)の破断伸びを試験することによって決定される。データ点は、伸び率(%)を温度(℃)の関数として示す、グラフに集約される。得られるグラフは、しばしば「焼鈍曲線」と呼ばれる。銀系ワイヤの場合は、伸び率(%)が最大に達する温度が観察される。これが、最大伸び率TΔL(max)の温度である。一例が図1に示され、これは試料1による18μm銀合金ワイヤの例示的な焼鈍曲線を示す(表1)。焼鈍温度は、X軸の可変パラメーターである。グラフは、ワイヤの破断荷重(BL、グラム)および伸び率(EL、%)の測定値を示す。伸び率は、引張試験によって決定された。伸び率測定は、約700℃の焼鈍温度で達成された、示された実施例において約19%の典型的な極大値を示した。試料1によるワイヤが、この最大伸び率の温度ではされないが、最大伸び率の温度を220℃下回った、480℃で最終ストランド焼鈍された場合、結果は、最大伸び率値を40%以上下回る約8%の伸び率値である。 In one embodiment, the final strand annealing may be performed at a temperature that is at least 150 ° C., eg, 210 to 240 ° C. lower than the temperature at which the maximum elongation value is achieved by annealing, which is 70% of the maximum elongation value. In the following, it can lead to an elongation value of the wire after annealing which is for example 30 to 60% of the maximum elongation value. For example, process step (3) may be performed at a temperature that is at least 150 ° C., preferably at least 180 ° C., or at least 200 ° C. lower than the temperature of maximum elongation T ΔL (max) . Often, the temperature in process step (3) is 250 ° C. or more below T ΔL (max) . The temperature of the maximum elongation T ΔL (max) is determined by testing the breaking elongation of the test piece (wire) at different temperatures. Data points are summarized in a graph showing percent elongation as a function of temperature (° C.). The resulting graph is often referred to as an “annealing curve”. In the case of a silver-based wire, a temperature at which the elongation (%) reaches the maximum is observed. This is the temperature of the maximum elongation T ΔL (max) . An example is shown in FIG. 1, which shows an exemplary annealing curve of an 18 μm silver alloy wire from Sample 1 (Table 1). The annealing temperature is a variable parameter on the X axis. The graph shows the measured values of wire breaking load (BL, grams) and elongation (EL,%). The elongation was determined by a tensile test. Elongation measurements showed a typical maximum of about 19% in the example shown, achieved at an annealing temperature of about 700 ° C. If the wire from Sample 1 was not annealed at this maximum elongation temperature, but was annealed at 480 ° C., which was 220 ° C. below the maximum elongation temperature, the result was about 40% below the maximum elongation value. The elongation value is 8%.

プロセスステップ(2)の中間焼鈍ならびにプロセスステップ(3)の最終ストランド焼鈍は、不活性または還元性雰囲気において実行され得る。非常に多くの種類の不活性雰囲気ならびに還元性雰囲気が、当技術分野において既知でありかつ焼鈍炉をパージするために用いられる。既知の不活性雰囲気の中で、窒素またはアルゴンは、好ましい。既知の還元性雰囲気の中で、水素は、好ましい。別の好ましい還元性雰囲気は、水素と窒素との混合物である。水素と窒素との好ましい混合物は、総体積%が100体積%である、90から98体積%の窒素および、したがって、2から10体積%の水素である。窒素/水素の好ましい混合物は、それぞれが混合物の総体積に基づく、93/7、95/5および97/3体積%/体積%に等しい。焼鈍において還元性雰囲気を適用することは、銀合金ワイヤの表面のいくつかの部分が空気の酸素による酸化に感受性である場合、特に好ましい。前記種類の不活性または還元性ガスを用いたパージングは、好ましくは10から125min−1、より好ましくは15から90min−1、最も好ましくは20から50min−1の範囲のガス交換速度(=ガス流速[リットル/分]:内部炉容積[リットル])で実行される。 The intermediate annealing of process step (2) as well as the final strand annealing of process step (3) can be carried out in an inert or reducing atmosphere. Numerous types of inert and reducing atmospheres are known in the art and are used to purge the annealing furnace. Of the known inert atmospheres, nitrogen or argon is preferred. Of the known reducing atmospheres, hydrogen is preferred. Another preferred reducing atmosphere is a mixture of hydrogen and nitrogen. A preferred mixture of hydrogen and nitrogen is 90 to 98% by volume nitrogen, and thus 2 to 10% by volume hydrogen, with a total volume% of 100% by volume. Preferred mixtures of nitrogen / hydrogen are equal to 93/7, 95/5 and 97/3% by volume / volume%, each based on the total volume of the mixture. Applying a reducing atmosphere in annealing is particularly preferred when some portion of the surface of the silver alloy wire is sensitive to oxidation by oxygen in the air. Purging with the type of inert or reducing gas, preferably 125Min -1, more 90min -1 preferably from 15, most preferably gas exchange rate ranging from 20 to 50min -1 (= gas flow rate from 10 [L / min]: Internal furnace volume [L].

前駆物質部材材料(完成した銀合金ワイヤ芯の材料と同じ)の組成ならびにプロセスステップ(2)および(3)の間に広く使われている焼鈍パラメーターの固有の組み合わせは、上記に開示された固有および/または外因的特性のうちの少なくとも1つを示す本発明のワイヤを取得するために必須であると考えられる。中間および最終ストランド焼鈍ステップの温度/時間条件は、銀合金ワイヤ芯の固有および外因的特性を達成するまたは調整することを可能にする。   The composition of the precursor component material (same as the material of the finished silver alloy wire core) and the unique combination of annealing parameters widely used during process steps (2) and (3) are the specific features disclosed above. And / or considered to be essential for obtaining a wire of the present invention exhibiting at least one of the extrinsic properties. The temperature / time conditions of the intermediate and final strand annealing steps make it possible to achieve or adjust the intrinsic and extrinsic properties of the silver alloy wire core.

プロセスステップ(3)の完了後に本発明の銀合金ワイヤが完成する。その特性から十分に恩恵を受けるために、ワイヤボンディング用途のために直ちに、すなわち遅延なく、例えば、プロセスステップ(3)の完了後10日以内にそれを使用することも適切である。あるいは、銀合金ワイヤの広いワイヤボンディングプロセスウィンドウ特性を維持するためにおよびそれを酸化性のまたは他の化学攻撃から防ぐために、完成したワイヤは、典型的にはプロセスステップ(3)の完了後直ちに、すなわち遅延なく、例えば、プロセスステップ(3)の完了後1から5時間未満で巻かれおよび真空密封され次いでボンディングワイヤとしてのさらなる使用のために保管される。真空密封条件における保管は、6か月を超えてはならない。真空密封の開封後銀合金ワイヤは、10日以内にワイヤボンディングのために使用されるべきである。   After the completion of the process step (3), the silver alloy wire of the present invention is completed. In order to fully benefit from its properties, it is also suitable to use it immediately for wire bonding applications, ie without delay, for example within 10 days after completion of process step (3). Alternatively, to maintain the wide wire bonding process window characteristics of the silver alloy wire and to prevent it from oxidative or other chemical attacks, the finished wire is typically immediately after completion of process step (3). That is, without delay, for example, wound in less than 1 to 5 hours after completion of process step (3) and vacuum sealed and then stored for further use as a bonding wire. Storage in vacuum sealed conditions should not exceed 6 months. After opening of the vacuum seal, the silver alloy wire should be used for wire bonding within 10 days.

全てのプロセスステップ(1)から(3)ならびに巻き付けおよび真空密封は、クリーンルーム条件(米国FED STD 209Eクリーンルーム規格、1k規格)下で実行されることが好ましい。   All process steps (1) to (3) and wrapping and vacuum sealing are preferably performed under clean room conditions (US FED STD 209E clean room standard, 1k standard).

本発明の第3の態様は、本発明の第2の態様またはその実施形態による前述の開示されたプロセスによって得ることができる銀合金ワイヤである。前記銀合金ワイヤは、ワイヤボンディング用途におけるボンディングワイヤとしての使用に十分に適することが分かっている。ワイヤボンディング技法は、当業者に良く知られている。ワイヤボンディングの過程においてはボールボンド(ファーストボンド)およびステッチボンド(セカンドボンド、ウェッジボンド)が形成されることが典型的である。ボンド形成中、超音波エネルギーの印加(典型的にはmAで測定される)によって支持される、ある種の力(典型的にはグラムで測定される)が加えられる。加えられた力の上限と下限との間の差およびワイヤボンディングプロセスにおいて加えられ超音波エネルギーの上限と下限との間の差の相乗積が、ワイヤボンディングプロセスウィンドウを確定する:
(加えられた力の上限−加えられた力の下限)・(加えられた超音波エネルギーの上限−加えられた超音波エネルギーの下限)=ワイヤボンディングプロセスウィンドウ。
A third aspect of the present invention is a silver alloy wire obtainable by the previously disclosed process according to the second aspect of the present invention or an embodiment thereof. The silver alloy wire has been found to be well suited for use as a bonding wire in wire bonding applications. Wire bonding techniques are well known to those skilled in the art. In the wire bonding process, a ball bond (first bond) and a stitch bond (second bond, wedge bond) are typically formed. During bond formation, a certain force (typically measured in grams) is applied, supported by the application of ultrasonic energy (typically measured in mA). The product of the difference between the upper and lower limits of the applied force and the difference between the upper and lower limits of ultrasonic energy applied in the wire bonding process establishes the wire bonding process window:
(Upper limit of applied force-Lower limit of applied force) (Upper limit of applied ultrasonic energy-Lower limit of applied ultrasonic energy) = Wire bonding process window.

ワイヤボンディングプロセスウィンドウは、規格に適合する、すなわち少数の例を挙げれば従来型の引張試験、ボールせん断試験およびボール引張試験のような従来型の試験に合格するワイヤボンドの形成を可能にする力/超音波エネルギーの組み合わせの領域を確定する。   The wire bonding process window is a force that allows the formation of wire bonds that meet standards, ie pass conventional tests such as conventional tensile tests, ball shear tests and ball tensile tests to name a few. / Determine the region of the ultrasonic energy combination.

言い換えれば、得られるボンドがある種のボールせん断試験規格、例えば0.0085グラム/μmのボールせん断、ボンドパッド非粘着性がない(no non−stick on bond pad)、などに適合しなければならない、ファーストボンド(ボールボンド)プロセスウィンドウ領域は、ボンディングにおいて用いられる力の上限と下限との間の差および加えられる超音波エネルギーの上限と下限との間の差の積であり、一方得られるボンドがある種の引張試験規格、例えば2.5グラムの引張力、リード非粘着性がない(no non−stick on lead)、などに適合しなければならない、セカンドボンド(ステッチボンド)プロセスウィンドウ領域は、ボンディングにおいて用いられる力の上限と下限との間の差および加えられる超音波エネルギーの上限と下限との間の差の積である。 In other words, the resulting bond must meet certain ball shear test standards such as 0.0085 grams / μm 2 ball shear, no non-stick on bond pad, etc. The first bond (ball bond) process window region is the product of the difference between the upper and lower limits of the force used in bonding and the difference between the upper and lower limits of applied ultrasonic energy, while Second bond (stitch bond) process window area where the bond must meet certain tensile test standards such as 2.5 grams tensile force, no non-stick on lead, etc. Is the difference between the upper and lower limits of the force used in bonding. And the product of the difference between the upper and lower limits of the applied ultrasonic energy.

産業用途の場合、ワイヤボンディングプロセス堅牢性の理由のために広いワイヤボンディングプロセスウィンドウ(gでの力対mAでの超音波エネルギー)を有することは望ましい。本発明のワイヤは、相当に広いワイヤボンディングプロセスウィンドウを示す。   For industrial applications, it is desirable to have a wide wire bonding process window (force in g versus ultrasonic energy in mA) for reasons of wire bonding process robustness. The wire of the present invention exhibits a fairly wide wire bonding process window.

以下の非限定的な実施例は、本発明を例示する。これらの実施例は、本発明の例示的な説明のために役立つものでありかついかなる方法においても本発明の範囲または特許請求の範囲を限定することは意図されない。   The following non-limiting examples illustrate the invention. These examples serve to illustrate the invention and are not intended to limit the scope of the invention or the claims in any way.

FABの調製:
KNS Process User Guide for Free Air Ball(Kulicke & Soffa Industries Inc、米国、ペンシルベニア州、フォートワシントン、2002、2009年5月31日)に記載されている手順に従って作業した。FABを、標準の点火による従来型の電気トーチ(EFO)点火を実行することによって調製した(単一ステップ、18mAのEFO電流、EFO時間455μs)。
Preparation of FAB:
Worked according to the procedure described in KNS Process User Guide for Free Air Ball (Kulike & Soffa Industries Inc, Fort Washington, PA, USA, May 31, 2009). The FAB was prepared by performing a conventional electric torch (EFO) ignition with standard ignition (single step, 18 mA EFO current, EFO time 455 μs).

試験法AからJ
全ての試験および測定は、T=20℃および相対湿度RH=50%において実施した。
Test methods A to J
All tests and measurements were performed at T = 20 ° C. and relative humidity RH = 50%.

A.ワイヤおよびFABの電子線後方散乱回折(EBSD)パターン解析:
ワイヤおよびFAB組織を測定するために採用された主要ステップは、試料調製、良好な菊池パターンの取得および成分計算であった。
A. Electron backscatter diffraction (EBSD) pattern analysis of wire and FAB:
The main steps employed to measure wire and FAB tissue were sample preparation, acquisition of a good Kikuchi pattern and component calculation.

FABを有するまたは有さないワイヤを、最初にエポキシ樹脂を用いて埋め込んで標準の金属組織学的技法によって研磨した。イオンミリングを、ワイヤ表面、汚染物および酸化層のいかなる機械的変形も除去するために最終試料調製ステップにおいて適用した。イオンミリングした試料断面を、金でスパッタリングした。次いでイオンミリングおよび金スパッタリングを、さらに二回実行した。化学エッチングまたはイオンエッチングは行わなかった。   Wires with or without FAB were first embedded with epoxy resin and polished by standard metallographic techniques. Ion milling was applied in the final sample preparation step to remove any mechanical deformation of the wire surface, contaminants and oxide layers. The ion milled sample cross section was sputtered with gold. Ion milling and gold sputtering were then performed twice more. No chemical or ion etching was performed.

試料を、通常のFESEM試料保持テーブル表面に対して70°の角度を付けたホルダーを備えたFESEM(電界放出型走査型電子顕微鏡)内に充填した。FESEMは、さらにEBSD検出器を備えていた。ワイヤ結晶学的情報を含む電子後方散乱パターン(EBSP)を取得した。   The sample was loaded into a FESEM (Field Emission Scanning Electron Microscope) equipped with a holder at an angle of 70 ° to the surface of a normal FESEM sample holding table. The FESEM was further equipped with an EBSD detector. An electron backscatter pattern (EBSP) containing wire crystallographic information was acquired.

これらのパターンを、粒子配向率、平均粒径、などについて(Brukerによって開発されたQUANTAX EBSDプログラムと呼ばれるソフトウェアを用いて)さらに解析した。類似した配向の点を、組織成分を形成するために共にグループ化した。   These patterns were further analyzed (using software called the QUANTAX EBSD program developed by Bruker) for particle orientation, average particle size, and the like. Points of similar orientation were grouped together to form a tissue component.

異なる組織成分を区別するために、15°の最大公差角度を用いた。ワイヤ延伸方向を基準配向として設定した。[100]、[101]および[111]組織割合を、基準配向に平行した[100]、[101]および[111]配向の面を有する結晶の割合の測定によって計算した。   A maximum tolerance angle of 15 ° was used to distinguish different tissue components. The wire drawing direction was set as the reference orientation. [100], [101] and [111] texture proportions were calculated by measuring the proportion of crystals having [100], [101] and [111] oriented faces parallel to the reference orientation.

粒界の位置を決定するために、平均粒径を、本明細書において10°の、最小より大きい隣接した格子点間の結晶学的配向を確定して解析した。EBSDソフトウェアは、それぞれの粒子の面積を計算しそれを「平均結晶粒径」として定義される、相当する円直径に変換した。約100μm以内の長さのワイヤの縦方向に沿った全ての粒子を、平均結晶粒径の平均および標準偏差を決定するために計数した。   In order to determine the position of the grain boundaries, the average grain size was analyzed by determining the crystallographic orientation between adjacent lattice points larger than the minimum, 10 ° herein. The EBSD software calculated the area of each particle and converted it to the corresponding circle diameter, defined as the “average grain size”. All particles along the length of the wire within about 100 μm in length were counted to determine the average and standard deviation of the average crystal grain size.

双晶境界(Σ3 CSL双晶境界とも呼ばれる)は、平均粒径計算から除外した。双晶境界を、隣接する結晶学的ドメイン間の<111>配向の面周りの60°回転によって描写した。点の数は、ステップサイズに依存し、平均結晶粒径の1/5未満であった。   Twin boundaries (also referred to as Σ3 CSL twin boundaries) were excluded from the average particle size calculation. Twin boundaries were delineated by a 60 ° rotation around the plane of <111> orientation between adjacent crystallographic domains. The number of points depended on the step size and was less than 1/5 of the average grain size.

B.ボンディングされたボールの塩溶液浸水試験:
ワイヤを、Al−0.5wt.%Cuボンドパッドにボールボンドした。そのようにボンディングされたワイヤを備えた試験デバイスを、25℃で10分間塩溶液に浸水し、脱イオン(DI)水および後にアセトンで洗った。塩溶液は、脱イオン水中に20wt.ppmのNaClを含有した。リフトされたボールの数を、低倍率の顕微鏡(Nikonmm−40)下で100X倍率で検査した。リフトされたボールのより大きい数の観測は、激しい界面の電解腐食を示した。
B. Bonded ball salt solution immersion test:
The wire was Al-0.5 wt. Ball bonded to a% Cu bond pad. The test device with the wire so bonded was immersed in a salt solution for 10 minutes at 25 ° C. and washed with deionized (DI) water and later with acetone. The salt solution is 20 wt. Contains ppm NaCl. The number of lifted balls was examined at 100X magnification under a low magnification microscope (Nikonmm-40). An observation of a larger number of lifted balls indicated severe interfacial galvanic corrosion.

C.ボンディングされたボールの耐湿性試験:
ワイヤを、Al−0.5wt.%Cuボンドパッドにボールボンドした。そのようにボンディングされたワイヤを備えた試験デバイスを、高度加速ストレス試験(HAST)チャンバーにおいて温度130℃、相対湿度(RH)85%で8時間保管し後にリフトされたボールの数について低倍率の顕微鏡(Nikonmm−40)下で100X倍率で検査した。リフトされたボールのより大きい数の観測は、激しい界面の電解腐食を示した。
C. Moisture resistance test for bonded balls:
The wire was Al-0.5 wt. Ball bonded to a% Cu bond pad. A test device with such bonded wires is stored in a highly accelerated stress test (HAST) chamber at a temperature of 130 ° C. and a relative humidity (RH) of 85% for 8 hours, and the number of balls subsequently lifted is reduced. Inspection was performed at 100X magnification under a microscope (Nikonmm-40). An observation of a larger number of lifted balls indicated severe interfacial galvanic corrosion.

D.Vickers微小硬度:
硬度を、Vickers圧子を備えたMitutoyo HM−200試験装置を用いて測定した。10mN押し込み荷重の力を、12秒の滞留時間の間ワイヤの試験片に加えた。試験は、ワイヤ芯およびFABの中心で実行した。
D. Vickers microhardness:
Hardness was measured using a Mitutoyo HM-200 tester equipped with a Vickers indenter. A force of 10 mN indentation load was applied to the wire specimen for a residence time of 12 seconds. The test was performed at the center of the wire core and FAB.

E.スティッチボンディングプロセスウィンドウ領域:
ボンディングプロセスウィンドウ領域の測定を、標準的な手順によって行った。試験ワイヤを、KNS−iConnボンディングツール(Kulicke & Soffa Industries Inc.、米国、ペンシルベニア州、フォートワシントン)を用いてボンディングした。プロセスウィンドウ値は、ワイヤがボンディングされたリードフィンガーが銀からなる、18μmの平均直径を有するワイヤに基づいた。
E. Stitch bonding process window area:
Measurement of the bonding process window area was performed according to standard procedures. Test wires were bonded using a KNS-iConn bonding tool (Kullike & Soffa Industries Inc., Fort Washington, PA, USA). The process window value was based on a wire having an average diameter of 18 μm, where the lead finger to which the wire was bonded was made of silver.

プロセスウィンドウの4つの角は、2つの主要な故障モード、
(1)ワイヤのリードフィンガー非粘着性(NSOL)に繋がる低すぎる力および超音波エネルギーの供給、および
(2)短いワイヤテール(SHTL)に繋がる高すぎる力および超音波エネルギーの供給
を克服することによって導かれた。
The four corners of the process window are the two major failure modes,
(1) Overcoming too low force and ultrasonic energy supply leading to lead finger non-stickiness (NSOL) of the wire, and (2) too high force and ultrasonic energy supply leading to short wire tail (SHTL). Led by.

F.電気抵抗率:
試験片の両端部、すなわち長さ1.0メートルのワイヤを、一定電流/電圧を提供している電源に接続した。抵抗を、供給電圧についてデバイスで記録した。測定デバイスは、HIOKIモデル3280−10であり、かつ試験は、少なくとも10個の試験片で繰り返した。測定値の算術平均を、下に示す計算のために用いた。
F. Electrical resistivity:
The ends of the specimen, i.e., a 1.0 meter long wire, were connected to a power supply providing a constant current / voltage. Resistance was recorded on the device for supply voltage. The measuring device was a HIOKI model 3280-10 and the test was repeated with at least 10 specimens. The arithmetic mean of the measurements was used for the calculations shown below.

抵抗Rを、R=V/Iに従って計算した。   The resistance R was calculated according to R = V / I.

特有の抵抗率ρを、ρ=(R×A)/Lに従って計算した(式中、Aはワイヤの平均断面積およびLは電圧を測定するためのデバイスの2つの測定点間のワイヤの長さである)。   The specific resistivity ρ was calculated according to ρ = (R × A) / L, where A is the average cross-sectional area of the wire and L is the length of the wire between the two measurement points of the device for measuring voltage. Is).

特有の伝導率σを、σ=1/ρに従って計算した。   The specific conductivity σ was calculated according to σ = 1 / ρ.

G.伸び率(EL):
ワイヤの引っ張り特性を、Instron−5564計器を用いて試験した。ワイヤを、2.54cm/分の速度で、254mmゲージ長(L)について試験した。破壊(破断)荷重および伸び率を、ASTM規格F219−96により取得した。伸び率は、記録された荷重対引張伸びのプロットから計算された、通常(100・ΔL/L)として百分率で報告される、引張試験の最初と最後とのワイヤのゲージ長(ΔL)における差であった。引張強度および降伏強度を、ワイヤ面積で割った破断および降伏荷重から計算した。ワイヤの実際の直径を、サイジング法、標準の長さのワイヤの秤量およびその密度を用いることによって測定した。
G. Elongation rate (EL):
The tensile properties of the wire were tested using an Instron-5564 instrument. The wire was tested for 254 mm gauge length (L) at a rate of 2.54 cm / min. The breaking (breaking) load and elongation were obtained according to ASTM standard F219-96. Elongation is the difference in the gauge length (ΔL) of the wire between the beginning and end of the tensile test, reported as a percentage (usually (100 · ΔL / L)) calculated from the recorded load versus tensile elongation plot. Met. Tensile strength and yield strength were calculated from break and yield load divided by wire area. The actual diameter of the wire was measured by using the sizing method, a standard length of wire weigh and its density.

H.ワイヤのエレクトロマイグレーション試験:
2本のワイヤを、50倍の倍率の低倍率の顕微鏡Nikon MM40モデルの対物レンズの下のPTFEプレート上で1ミリメートル以内の距離に平行に維持した。電気的に接続される2本のワイヤ間にマイクロピペットによって水滴を形成した。1本のワイヤを陽極にもう一方を陰極に接続して5Vをワイヤに与えた。2本のワイヤを、10Ω抵抗と直列に接続し、閉回路内で5V直流でバイアスした。回路を、電解液として数滴の脱イオン水を用いて2本のワイヤを湿らせることによって閉じた。銀は、電解液中で陰極から陽極へエレクトロマイグレーションして銀樹枝状結晶を形成し、時には2本のワイヤがブリッジを形成した。銀樹枝状結晶の成長の速度は、合金添加に強く依存する。試験したワイヤの直径は、75μmであった。
H. Wire electromigration testing:
The two wires were kept parallel to a distance of 1 millimeter or less on the PTFE plate under the objective lens of the low magnification microscope Nikon MM40 model at 50 × magnification. Water droplets were formed by a micropipette between two electrically connected wires. One wire was connected to the anode and the other to the cathode, and 5 V was applied to the wire. Two wires were connected in series with a 10Ω resistor and biased with 5V DC in a closed circuit. The circuit was closed by wetting the two wires with a few drops of deionized water as the electrolyte. Silver electromigrationd from the cathode to the anode in the electrolyte to form silver dendrites and sometimes two wires formed a bridge. The rate of silver dendrite growth is strongly dependent on alloy addition. The diameter of the tested wire was 75 μm.

実施例1
いずれの場合にも少なくとも99.99%純度(「4N」)の銀(Ag)、パラジウム(Pd)および金(Au)の分量を、坩堝において溶融した。少量の銀−ニッケルおよび銀−カルシウムマスター合金を溶融物に加え撹拌することによって加えた成分の均一な分散を確実にした。以下の銀−ニッケルおよび銀−白金マスター合金を用いた。
Example 1
In each case, quantities of silver (Ag), palladium (Pd) and gold (Au) of at least 99.99% purity (“4N”) were melted in the crucible. A small amount of silver-nickel and silver-calcium master alloy was added to the melt and agitated to ensure uniform distribution of the added ingredients. The following silver-nickel and silver-platinum master alloys were used.

表1の合金については対応するマスター合金Ag−0.5wt.%NiおよびAg−0.5wt.%Caの組み合わせを加えた。   For the alloys in Table 1, the corresponding master alloy Ag-0.5 wt. % Ni and Ag-0.5 wt. A combination of% Ca was added.

次いで8mmロッドの形状のワイヤ芯前駆物質部材を、溶融物から連続鋳造した。ワイヤ芯前駆物質部材を、次いで18±0.5μmの特定の直径を有するワイヤ芯前駆物質を形成するためにいくつかの延伸ステップにおいて延伸した。ワイヤ芯の断面は、実質上円形形状であった。   A wire core precursor member in the form of an 8 mm rod was then continuously cast from the melt. The wire core precursor member was then stretched in several stretching steps to form a wire core precursor having a specific diameter of 18 ± 0.5 μm. The cross section of the wire core was substantially circular.

2mmの直径に延伸しドラム上に巻き付けたロッドを、500℃の炉設定温度で60分の暴露時間中間バッチ焼鈍した。600℃の炉設定温度での0.8秒の暴露時間の47μmの直径に延伸した前駆物質部材の第2の中間ストランド焼鈍および600℃の炉設定温度での0.6秒の暴露時間の27μmの直径に延伸した前駆物質部材の第3の中間ストランド焼鈍を実行した。480℃の炉設定温度での0.6秒の暴露時間の18μmワイヤ芯前駆物質の最終ストランド焼鈍を実行した後そのようにして得られたワイヤを0.05体積%の界面活性剤を含有する水中でクエンチした。中間バッチ焼鈍は、アルゴンパージングガスを用いて実行し、一方ストランド焼鈍は、95体積%窒素:5体積%窒素パージングガス混合物を用いて実行した。   The rod, drawn to a diameter of 2 mm and wound on a drum, was subjected to an intermediate batch annealing at an oven set temperature of 500 ° C. for an exposure time of 60 minutes. Second intermediate strand annealing of the precursor member stretched to a diameter of 47 μm with an exposure time of 0.8 seconds at a furnace set temperature of 600 ° C. and 27 μm with an exposure time of 0.6 seconds at a furnace set temperature of 600 ° C. A third intermediate strand anneal of the precursor member stretched to the diameter of was performed. After performing a final strand annealing of 18 μm wire core precursor with an exposure time of 0.6 seconds at a furnace set temperature of 480 ° C., the wire thus obtained contains 0.05% by volume of surfactant. Quenched in water. Intermediate batch annealing was performed using an argon purging gas, while strand annealing was performed using a 95 vol% nitrogen: 5 vol% nitrogen purging gas mixture.

本手順によって、本発明による銀合金ワイヤのいくつかの異なる試料1から5および4N純度の比較の銀ワイヤ(基準)を製造した。   By this procedure, several different samples of silver alloy wires according to the invention 1 to 5 and 4N purity comparative silver wires (reference) were produced.

表1は、本発明による異なるワイヤ、試料1から5の組成を示す。パラジウム含有量は、1から3wt.%の範囲であった。金含有量は、1から1.5wt.%の範囲であった。ニッケル添加は、30から300wt.ppmまで異なった。カルシウム含有量は、それぞれ、30および50wt.ppmに維持した。   Table 1 shows the composition of the different wires according to the invention, samples 1 to 5. The palladium content is 1 to 3 wt. % Range. The gold content is 1 to 1.5 wt. % Range. Nickel addition is 30 to 300 wt. Different up to ppm. The calcium content was 30 and 50 wt. Maintained at ppm.

ワイヤ試料1から5の粒径を測定して平均粒径を報告した。結果は、いずれの場合にも2から5μmの範囲であった。試料1については、平均粒径は2.91μmであった。   The particle size of wire samples 1-5 was measured and the average particle size was reported. Results were in the range of 2 to 5 μm in all cases. For sample 1, the average particle size was 2.91 μm.

下表2は、ボンディングされたワイヤの耐腐食性および耐湿性、セカンドボンドプロセスウィンドウの挙動およびFAB形成の性能の評価の結果を示す。上記で定義したワイヤ試料1から5ならびに4N純銀の比較ワイヤを、Al−0.5wt.%Cuボンドパッドにボンディングし上記で開示した試験法に従って試験した。75μmワイヤで実行したエレクトロマイグレーション試験を除いて全ての試験を18μmワイヤで実行した。   Table 2 below shows the results of evaluating the corrosion resistance and moisture resistance of the bonded wires, the behavior of the second bond process window and the performance of FAB formation. Wire samples 1 to 5 as defined above and 4N pure silver comparative wires were Al-0.5 wt. Bonded to a% Cu bond pad and tested according to the test method disclosed above. All tests were performed on 18 μm wire except for electromigration tests performed on 75 μm wire.

ワイヤ試料の全ては、産業用途に十分に適したプロセスウィンドウを生じた。ボンディングされたボールの耐腐食性および耐湿性の著しい改善が観察された。具体的には、ワイヤ試料1は、4N純銀ワイヤ(基準)と比較して特定の改善である、ゼロに近い値、すなわち2ボールリフトを示した。   All of the wire samples produced process windows well suited for industrial applications. Significant improvements in corrosion resistance and moisture resistance of the bonded balls were observed. Specifically, wire sample 1 showed a value close to zero, ie a 2-ball lift, which is a specific improvement compared to 4N pure silver wire (reference).

さらに、ワイヤ試料1から5の銀樹枝状成長は、4N純銀ワイヤの銀樹枝状成長よりもずっと低かった。   Furthermore, the silver dendritic growth of wire samples 1 to 5 was much lower than that of 4N pure silver wire.

表3は、ワイヤ試料1の平均粒径および組織成分を示す(ワイヤ、FABおよび熱影響部(HAZ))。
Table 3 shows the average particle diameter and the tissue component of the wire sample 1 (wire, FAB and heat affected zone (HAZ)).

Claims (16)

ワイヤ芯を含むまたはワイヤ芯からなる銀合金ワイヤであって、前記ワイヤ芯自体が、
(a)0.1から3wt.%の範囲の量のパラジウムと、
(b)0.1から3wt.%の範囲の量の金と、
(c)20から700wt.ppmの範囲の量のニッケルと、
(d)20から200wt.ppmの範囲の量のカルシウムと、
(e)93.91から99.786wt.%の範囲の量の銀と、
(f)0から100wt.ppmのさらなる成分と
からなり、
ここで、wt.%およびwt.ppmの全ての量は前記芯の総重量に基づき、
前記銀合金ワイヤが、8から80μmの範囲の平均直径を有する、銀合金ワイヤ。
A silver alloy wire comprising or consisting of a wire core, the wire core itself,
(A) 0.1 to 3 wt. Palladium in an amount in the range of%,
(B) 0.1 to 3 wt. % Amount of gold,
(C) 20 to 700 wt. nickel in amounts in the ppm range;
(D) 20 to 200 wt. an amount of calcium in the ppm range;
(E) 93.91 to 99.786 wt. % Amount of silver and
(F) 0 to 100 wt. consisting of additional components in ppm,
Here, wt. % And wt. All amounts of ppm are based on the total weight of the core,
A silver alloy wire, wherein the silver alloy wire has an average diameter in the range of 8 to 80 μm.
12から55μmの範囲の平均直径を有する、請求項1に記載の銀合金ワイヤ。   2. A silver alloy wire according to claim 1 having an average diameter in the range of 12 to 55 [mu] m. 前記パラジウムの量が、0.5から1.5wt.%の範囲である、請求項1または2に記載の銀合金ワイヤ。   The amount of palladium is 0.5 to 1.5 wt. The silver alloy wire according to claim 1 or 2, wherein the silver alloy wire is in the range of%. 前記金の量が、0.2から1.5wt.%の範囲である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の銀合金ワイヤ。   The amount of gold is 0.2 to 1.5 wt. The silver alloy wire according to any one of claims 1 to 3, which is in a range of%. 前記ニッケルの量が、275から325wt.ppmの範囲である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の銀合金ワイヤ。   The amount of nickel is 275 to 325 wt. The silver alloy wire according to any one of claims 1 to 4, which is in a ppm range. 前記カルシウムの量が、20から50wt.ppmの範囲である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の銀合金ワイヤ。   The amount of calcium is 20 to 50 wt. The silver alloy wire according to any one of claims 1 to 5, which is in a range of ppm. 前記銀の量が、96.9625から99.2595wt.%の範囲である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の銀合金ワイヤ。   The amount of silver is 96.9625 to 99.2595 wt. The silver alloy wire according to any one of claims 1 to 6, which is in a range of%. 断面図において、円、楕円または矩形形状を有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の銀合金ワイヤ。   The silver alloy wire according to any one of claims 1 to 7, which has a circle, an ellipse, or a rectangular shape in a cross-sectional view. 前記ワイヤ芯が、表面を有し、前記表面が、外表面または前記ワイヤ芯と前記ワイヤ芯に重ね合わされた被覆層との間の界面領域である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の銀合金ワイヤ。   The wire core has a surface, and the surface is an outer surface or an interface region between the wire core and a coating layer superimposed on the wire core. Silver alloy wire as described. 前記銀合金ワイヤが前記ワイヤ芯上に重ね合わされた被覆層を有し、前記被覆層が、貴金属元素で作られている単層であるか、または複数の重なり合わさった隣接する副層からなる多層であり、それぞれの副層は異なる貴金属元素で作られている、請求項9に記載の銀合金ワイヤ。   The silver alloy wire has a coating layer superimposed on the wire core, and the coating layer is a single layer made of a noble metal element or a multilayer composed of a plurality of adjacent sublayers that are overlapped The silver alloy wire according to claim 9, wherein each sublayer is made of a different noble metal element. 前記ワイヤ芯が、
(1)平均ワイヤ粒径が、10μm未満である、
(2)ワイヤ粒子[100]または[101]または[111]配向の面が、7%未満である、
(3)ワイヤ双晶境界率が、60%未満である、
(4)FABが、柱状粒子を示す、
(5)FAB平均粒径が、18μm以下である、
(6)FAB粒子[101]配向の面が、45%未満である、
(7)FAB双晶境界率が、70%未満である、
固有特性のうちの少なくとも1つによって、
および/または
(α)耐腐食性が、5%以下のボンディングされたボールリフトの値を有する、
(β)耐湿性が、5%以下のボンディングされたボールリフトの値を有する、
(γ)前記ワイヤ芯の硬度が、85HV以下である、
(δ)スティッチボンディングのプロセスウィンドウ領域が、少なくとも12000mA・gの値を有する、
(ε)前記ワイヤの抵抗率が、2.5μΩ・cm未満である、
(ζ)前記ワイヤの降伏強度が、170MPa以下である、
(η)前記ワイヤの銀樹枝状成長が、4μm/s以下である、
外因的特性のうちの少なくとも1つによって特徴付けられる、請求項1〜10のいずれか一項に記載の銀合金ワイヤ。
The wire core is
(1) The average wire particle size is less than 10 μm.
(2) The wire particle [100] or [101] or [111] orientation plane is less than 7%.
(3) The wire twin boundary ratio is less than 60%.
(4) FAB shows columnar particles,
(5) The FAB average particle size is 18 μm or less.
(6) The plane of FAB particle [101] orientation is less than 45%.
(7) FAB twin boundary ratio is less than 70%,
By at least one of the intrinsic properties,
And / or (α) the corrosion resistance has a value of bonded ball lift of 5% or less,
(Β) Moisture resistance has a bonded ball lift value of 5% or less,
(Γ) The wire core has a hardness of 85 HV or less.
(Δ) the process window region of stitch bonding has a value of at least 12000 mA · g;
(Ε) The resistivity of the wire is less than 2.5 μΩ · cm,
(Ζ) The yield strength of the wire is 170 MPa or less,
(Η) The silver dendritic growth of the wire is 4 μm / s or less,
A silver alloy wire according to any one of the preceding claims, characterized by at least one of the extrinsic properties.
請求項1〜11のいずれか一項に記載の銀合金ワイヤの製造のためのプロセスであって、前記プロセスが、
(1)請求項1から7のいずれか一項に記載の前記ワイヤ芯の組成を含む前駆物質部材を提供するステップと、
(2)前記ワイヤ芯の所望の最終直径が得られるまで、ワイヤ前駆物質を形成するために前記前駆物質部材を引き延ばすステップと、
(3)前記銀合金ワイヤを形成するために0.4から0.8秒の範囲の暴露時間の間、400から600℃の範囲の炉設定温度でプロセスステップ(2)の完了後に得られる前記ワイヤ前駆物質を最終的にストランド焼鈍するステップと
を少なくとも含み、
ステップ(2)が、50から150分の範囲の暴露時間の間、400から800℃の炉設定温度での前記引き延ばされた前駆物質部材の中間バッチ焼鈍の1つもしくは複数のサブステップおよび/または0.4秒から1.2秒の範囲の暴露時間の間、400から800℃の炉設定温度での前記引き延ばされた前駆物質部材の中間ストランド焼鈍の1つもしくは複数のサブステップを含むプロセス。
A process for producing a silver alloy wire according to any one of claims 1 to 11, wherein the process comprises:
(1) providing a precursor member comprising the composition of the wire core according to any one of claims 1 to 7;
(2) stretching the precursor member to form a wire precursor until a desired final diameter of the wire core is obtained;
(3) obtained after completion of process step (2) at a furnace set temperature in the range of 400 to 600 ° C. for an exposure time in the range of 0.4 to 0.8 seconds to form the silver alloy wire. And finally strand annealing the wire precursor,
Step (2) includes one or more sub-steps of intermediate batch annealing of the stretched precursor member at a furnace set temperature of 400 to 800 ° C. for an exposure time ranging from 50 to 150 minutes; One or more sub-steps of intermediate strand annealing of the stretched precursor member at a furnace set temperature of 400 to 800 ° C. for an exposure time in the range of 0.4 to 1.2 seconds Including processes.
最終ストランド焼鈍が、400から500℃の範囲の炉設定温度で0.5から0.7秒の範囲の暴露時間の間、実行される、請求項12に記載のプロセス。   The process of claim 12, wherein the final strand annealing is performed at an oven set temperature in the range of 400 to 500 ° C for an exposure time in the range of 0.5 to 0.7 seconds. 最終的にストランド焼鈍された銀合金ワイヤが、1種または複数の添加剤を含んでいてもよい水中でクエンチされる、請求項12または13に記載のプロセス。   14. A process according to claim 12 or 13 wherein the finally strand annealed silver alloy wire is quenched in water which may contain one or more additives. プロセスステップ(2)の中間焼鈍ならびにプロセスステップ(3)の最終ストランド焼鈍が、不活性または還元性雰囲気において実行される、請求項12から14のいずれか一項に記載のプロセス。   Process according to any one of claims 12 to 14, wherein the intermediate annealing of process step (2) and the final strand annealing of process step (3) are carried out in an inert or reducing atmosphere. 請求項12から15のいずれか一項に記載のプロセスによって得ることができる銀合金ワイヤ。   A silver alloy wire obtainable by the process according to any one of claims 12 to 15.
JP2017563231A 2015-09-29 2016-09-05 Silver alloy wire Active JP6619458B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG10201508103Q 2015-09-29
SG10201508103QA SG10201508103QA (en) 2015-09-29 2015-09-29 Alloyed silver wire
PCT/SG2016/000015 WO2017058103A1 (en) 2015-09-29 2016-09-05 Alloyed silver wire

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018530899A true JP2018530899A (en) 2018-10-18
JP6619458B2 JP6619458B2 (en) 2019-12-11

Family

ID=56958987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017563231A Active JP6619458B2 (en) 2015-09-29 2016-09-05 Silver alloy wire

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6619458B2 (en)
KR (2) KR102169059B1 (en)
CN (1) CN107849643A (en)
SG (1) SG10201508103QA (en)
TW (1) TWI649434B (en)
WO (1) WO2017058103A1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013033811A (en) * 2011-08-01 2013-02-14 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd Ball bonding wire
JP2014179412A (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd Bonding wire
JP2014222725A (en) * 2013-05-14 2014-11-27 田中電子工業株式会社 Bonding wire for high-speed signal
JP2015164186A (en) * 2014-01-31 2015-09-10 タツタ電線株式会社 Bonding wire and method for manufacturing the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100801444B1 (en) * 2006-05-30 2008-02-11 엠케이전자 주식회사 Au-Ag based alloy wire for a semiconductor package
DE102013000057B4 (en) * 2012-01-02 2016-11-24 Wire Technology Co., Ltd. ALLOY WIRE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US8940403B2 (en) * 2012-01-02 2015-01-27 Wire Technology Co., Ltd. Alloy wire and methods for manufacturing the same
EP2703116B1 (en) * 2012-09-04 2017-03-22 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Method for manufacturing a silver alloy wire for bonding applications
CN104372197A (en) * 2014-09-26 2015-02-25 四川威纳尔特种电子材料有限公司 Silver alloy wire for semiconductor packaging, and its making method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013033811A (en) * 2011-08-01 2013-02-14 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd Ball bonding wire
JP2014179412A (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd Bonding wire
JP2014222725A (en) * 2013-05-14 2014-11-27 田中電子工業株式会社 Bonding wire for high-speed signal
JP2015164186A (en) * 2014-01-31 2015-09-10 タツタ電線株式会社 Bonding wire and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI649434B (en) 2019-02-01
KR102169059B1 (en) 2020-10-23
SG10201508103QA (en) 2017-04-27
KR102083717B1 (en) 2020-03-02
KR20180039015A (en) 2018-04-17
JP6619458B2 (en) 2019-12-11
WO2017058103A1 (en) 2017-04-06
KR20190131629A (en) 2019-11-26
TW201718887A (en) 2017-06-01
CN107849643A (en) 2018-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6557417B2 (en) Coated wire
JP2018503743A (en) Corrosion- and moisture-resistant copper-based bonding wires containing nickel
KR102076898B1 (en) Silver alloy wire
JP6619458B2 (en) Silver alloy wire
US11791309B2 (en) Process for electrically connecting contact surfaces of electronic components
TWI818531B (en) Coated round wire and process for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180213

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20181204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20181204

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190927

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6619458

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250