JP2018522413A - 量子ドットを備える密封デバイス及びこれを作製するための方法 - Google Patents

量子ドットを備える密封デバイス及びこれを作製するための方法 Download PDF

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Abstract

本明細書において開示されるのは、少なくとも1つの量子ドット及び少なくとも1つのLEDを互いに接触した状態で内包するキャビティのアレイを備える、密封デバイスである。上記密封デバイスは、第1及び第2の基板を備えることができ、これらは一体に密封されて上記キャビティを形成し、シールが1つ以上のキャビティの周りに延在する。バックライト、このような密封デバイスを備えるディスプレイデバイス、照明器具及びソリッドステート照明デバイス、並びにこのような密封デバイスの作製方法も、本明細書において開示される。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、米国特許法第119条の下で、2015年6月26日出願の米国仮特許出願第62/185118号の優先権の利益を主張するものであり、上記仮特許出願の内容は信頼できるものであり、参照によりその全体が本出願に援用される。
本開示は、量子ドットを備える密封デバイス、及びこのような密封デバイスを備えるディスプレイデバイスに関し、より詳細には、LED構成部品と接触した量子ドットを備える密封キャビティを有するデバイスに関する。
液晶ディスプレイ(LCD)は、携帯電話、ラップトップ、電子タブレット、テレビ及びコンピュータモニタといった様々な電子機器に共通に使用される。従来のLCDバックライトは典型的には、発光ダイオード(LED)と、イットリウム‐アルミニウム‐ガーネット(YAG)燐光体等の燐光体色変換器とを備える。しかしながらこのようなLCDは、他のディスプレイデバイスに比べて、輝度、コントラスト比、効率及び/又は視野角に関して制限される場合がある。例えば、有機発光ダイオード(OLED)技術と競合するために、例えばハンドヘルドデバイスの場合に、製品コストと消費電力とのバランスも取りながら、従来のLCDにおいて更に高いコントラスト比、色域及び輝度を得ることに対する需要が存在する。
量子ドットは、燐光体の代替品として出現し、いくつかの例では、改善された精度及び/又は更に狭い放出線を提供でき、これによりLCDの色域を改善できる。量子ドットを色変換器として利用するLCDディスプレイは例えば、量子ドットを内包するガラスチューブ、毛細管又はシート、例えば量子ドット増強フィルム(quantum dot enhancement film:QDEF)を備え、これは、LCDパネルと光導体との間に配置できる。このようなフィルム又はデバイスは、緑色及び赤色放出量子ドットといった量子ドットで充填でき、また両端部において及び/又は周縁部を巡るように密封できる。しかしながら、このような密封デバイスは、有意な材料の浪費をもたらす場合があり、及び/又は製造が複雑である場合がある。これらのデバイスはまた、色変換によって生成される熱を放散するための良好な経路を有しない場合がある。
燐光体色変換素子を備えるバックライトに使用されるLEDは、多くの場合、コンフォーマルコーティングを採用しており、このコンフォーマルコーティングでは、燐光体がシリコーン内に懸架され、LEDダイと接触して配置される。このような構成では、熱は、LEDダイ自体を介してLEDパッケージの外へと逃げることができる。しかしながら、量子ドットは燐光体よりも温度感受性が高く、この理由から現在まで、量子ドット材料を使用するバックライトは、量子ドット材料とLEDダイとの間の直接的な接触を回避している。密封毛細管又はシート内の量子ドットの場合、LEDダイを介した放熱経路は、量子ドットがLEDダイと接触していないため利用できない。従って、このような量子ドットの密封パッケージは、熱抽出及び/又は放散が複雑となることがあり、従って量子ドットによって生成された熱が、バックライトの輝度を制限する場合がある。
従って、材料の浪費を削減することによって該デバイスのコストを低減できる、及び/又は量子ドットによって生成される熱をより効率的に放散できる、密封デバイスを提供することが、有利となる。
本開示は、様々な実施形態において、密封デバイスに関し、この密封デバイスは:第1の表面を有する第1の基板であって、上記第1の表面はキャビティのアレイを備える、第1の基板;第2の基板;及び上記第1の基板と上記第2の基板との間の少なくとも1つのシールであって、上記キャビティのアレイのうちの少なくとも1つのキャビティの周りに延在する、シールを備え、ここで上記少なくとも1つのキャビティは、少なくとも1つのLED構成部品に接触した少なくとも1つの量子ドットを備える。このような密封デバイスを備えるバックライト及びディスプレイデバイスも、本明細書において開示される。密封照明デバイスも本明細書において開示され、上記デバイスは:少なくとも1つのキャビティを備える第1の表面を有する第1の基板;第2の基板;及び上記第1の基板と上記第2の基板との間の少なくとも1つのシールを備え、ここで上記少なくとも1つのキャビティは、少なくとも1つのLED構成部品に接触した少なくとも1つの量子ドットを備える。
特定の実施形態では、第1又は第2の基板のうちの少なくとも1つは、ガラス及びアルミナ基板から選択できる。例えば、上記第1の基板は、ガラス基板又はアルミナ基板を含むことができ、上記第2の基板は、任意に金属化パターンを有するガラス基板を含むことができる。上記第1の基板と上記第2の基板との間の上記シールは、レーザ溶接又はレーザフリットシールを含むことができる。いくつかの実施形態では、上記密封デバイスは少なくとも1つのヒートシンクを更に備える。
このような密封デバイスの作製方法も開示され、上記方法は:少なくとも1つの量子ドットを、第1の基板の第1の表面上のキャビティのアレイ中の少なくとも1つのキャビティ内に配置するステップ;上記少なくとも1つの量子ドットを少なくとも1つのLED構成部品と接触させるステップ;第2の基板の第2の表面を、上記第1の基板の上記第1の表面と接触させるステップ;及び上記第1の基板と上記第2の基板との間にシールを形成するステップを含み、上記シールは、上記少なくとも1つのLED構成部品と接触した上記少なくとも1つの量子ドットを内包する上記少なくとも1つのキャビティの周りに延在する。
様々な実施形態によると、上記少なくとも1つの量子ドットを上記少なくとも1つのLED構成部品と接触させる上記ステップは、例えば、上記第1の基板の上記第1の表面上の上記少なくとも1つのキャビティを、上記第2の基板の上記第2の表面上の上記少なくとも1つのLED構成部品と整列させるステップ、及び上記第1の表面と上記第2の表面とを接触させるステップを含むことができる。上記少なくとも1つの量子ドットを上記少なくとも1つのLED構成部品と接触させる上記ステップはまた、例えば、上記少なくとも1つの量子ドットを、LED構成部品を含むキャビティ、例えば上記LED構成部品と接触した及び/又は上記LED構成部品に取り付けられた金属化ビアを備えるキャビティ内に、導入するステップを含むことができる。
本開示の更なる特徴及び利点は、以下の「発明を実施するための形態」に記載されており、またその一部は、当業者にはこの「発明を実施するための形態」から容易に明らかとなり、又は以下の「発明を実施するための形態」、特許請求の範囲、及び添付の図面を含む本明細書に記載されている方法を実施することによって認識されるだろう。
上述の「発明の概要」及び以下の「発明を実施するための形態」の両方は、本開示の様々な実施形態を提示しており、特許請求の範囲の性質及び特徴を理解するための概観又は枠組みを提供することを意図したものであることを理解されたい。添付の図面は、本開示の更なる理解を提供するために含まれており、本明細書に組み込まれて本明細書の一部を構成する。これらの図面は、本開示の様々な実施形態を図示しており、この記載と併せて、本開示の原理及び動作を説明する役割を果たす。
以下の「発明を実施するための形態」は、以下の図面と併せて読むと更に理解できる。これらの図では、可能な場合は同様の番号を用いて同様の要素を表す。
本開示の様々な実施形態による密封デバイスの断面図 本開示の追加の実施形態による密封デバイスの断面図 本開示の更なる実施形態による密封デバイスの断面図 本開示の実施形態による密封デバイスの作製方法の段階 本開示の実施形態による密封デバイスの作製方法の段階 本開示の実施形態による密封デバイスの作製方法の段階 本開示の更なる実施形態による密封デバイスの作製方法の段階 本開示の更なる実施形態による密封デバイスの作製方法の段階 本開示の更なる実施形態による密封デバイスの作製方法の段階 本開示の更なる実施形態による密封デバイスの作製方法の段階 本開示の更なる実施形態による密封デバイスの作製方法の段階 本開示の更なる実施形態による密封デバイスの作製方法の段階 本開示の様々な実施形態による密封デバイスの前面分解立体図 本開示の様々な実施形態による密封デバイスの背面分解立体図
本開示の様々な実施形態について、例示的な密封デバイス及び密封デバイスの作製方法を図示した図1〜6を参照して議論する。下記の「発明の概要」は、請求対象のデバイス及び方法の概観を提供することを意図したものであり、本開示全体を通して、非限定的な実施例を参照して様々な態様を更に具体的に議論する。これらの実施形態は、本開示の文脈において相互に交換可能である。
デバイス
本明細書において開示されるのは、密封デバイスであり、この密封デバイスは:第1の表面を有する第1の基板であって、上記第1の表面はキャビティのアレイを備える、第1の基板;第2の基板;及び上記第1の基板と上記第2の基板との間の少なくとも1つのシールであって、上記キャビティのアレイのうちの少なくとも1つのキャビティの周りに延在する、シールを備え、ここで上記少なくとも1つのキャビティは、少なくとも1つのLED構成部品に接触した少なくとも1つの量子ドットを備える。このような密封デバイスを備えるバックライト及びディスプレイデバイスも、本明細書において開示される。
密封デバイス100の第1の実施形態の断面図を図1に示す。密封デバイス100は、キャビティ105のアレイを備える第1の基板101、及び第2の基板103を備える。少なくとも1つのキャビティ105は、少なくとも1つの量子ドット107を内包できる。上記少なくとも1つのキャビティはまた、少なくとも1つの量子ドット107と接触している少なくとも1つのLED構成部品、例えばダイ109を内包できる。本明細書中で使用される場合、用語「接触(contact)」は、挙げられた2つの要素間の直接の物理的接触又は相互作用を指すことを意図したものであり、例えば、上記量子ドットと上記LED構成部品とは、上記キャビティ内で物理的に相互作用できる。比較対象として、別個の密封毛細管又はシート、例えばQDEF内の量子ドットは、LEDダイと直接相互作用できない。
様々な実施形態によると、第1の基板101及び/又は第2の基板103は、ガラス基板とすることができる。上記第1及び第2のガラス基板は、LCD等のバックライト付きディスプレイで使用するための、当該技術分野において公知のいずれのガラス(ソーダライムケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、アルカリアルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルカリホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、アルカリアルミノホウケイ酸塩及び他の好適なガラスを含むがこれらに限定されない)を含んでよい。様々な実施形態では、これらの基板は、化学強化及び/又は熱強化されていてよい。好適な市販の基板の非限定的な例をいくつか挙げると、Corning Incorporated製のEAGLE XG(登録商標)、Lotus(商標)、Iris(商標)、Willow(登録商標)及びGorilla(登録商標)ガラスである。いくつかの非限定的な実施形態によると、イオン交換によって化学強化されたガラスが、基板として好適となり得る。
イオン交換プロセス中、ガラスシート内の、上記ガラスシートの表面又は表面付近のイオンは、例えば塩浴由来の、より大きな金属イオンと交換され得る。ガラス内により大きなイオンを組み込むと、表面付近領域に圧縮応力を生成することによって、上記シートを強化できる。対応する引張応力を上記ガラスシートの中央領域内に導入することにより、圧縮応力を平衡化できる。
イオン交換は、例えば上記ガラスを溶融塩浴中に所定の期間浸漬することによって実施できる。例示的な塩浴としては、KNO、LiNO、NaNO、RbNO及びこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。溶融塩浴の温度及び処理期間は、変更できる。所望の用途に従って時間及び温度を決定することは、当業者の能力の範囲内である。非限定的な例として、上記溶融塩浴の温度は約400℃〜約800℃、例えば約400℃〜約500℃であってよく、上記所定の期間は約4〜約24時間、例えば約4時間〜約10時間であってよいが、他の温度及び時間の組み合わせも考えられる。非限定的な例として、上記ガラスを、約450℃で6時間に亘ってKNO浴に沈めることによって、例えば表面圧縮応力を付与する富K層を得ることができる。
様々な実施形態によると、第1及び/又は第2のガラス基板は、約100MPa超の圧縮応力、及び約10マイクロメートル超の圧縮応力層深さ(DOL)を有してよい。更なる実施形態では、第1及び/又は第2のガラス基板は、約500MPa超の圧縮応力及び約20マイクロメートル超のDOL、又は約700MPa超の圧縮応力及び約40マイクロメートル超のDOLを有してよい。非限定的な実施形態では、第1及び/又は第2の基板は、約3mm以下、例えば約0.1mm〜約2.5mm、約0.3mm〜約2mm、約0.5mm〜約1.5mm又は約0.7mm〜約1mm(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の厚さを有することができる。
様々な実施形態では、第1及び/又は第2の基板は、透明又は略透明とすることができる。本明細書中で使用される場合、用語「透明(transparent)」は、厚さおよそ1mmの基板が、可視スペクトル範囲(420〜700nm)において約80%超の透過率を有することを指すことを意図したものである。例えば、ある例示的な透明基板は、可視光範囲において約85%超の透過率、例えば約90%超又は約95%超(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の透過率を有してよい。特定の実施形態では、ある例示的なガラス基板は、紫外線(UV)範囲(200〜410nm)において、約50%超の透過率、例えば約55%超、約60%超、約65%超、約70%超、約75%超、約80%超、約85%超、約90%超、約95%超又は約99%の透過率(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)を有してよい。
様々な実施形態によると、例えば、透明な第1及び/又は第2の基板の場合、上記第1及び/又は第2の透明基板の少なくとも一部分を、例えば上記キャビティを取り囲む1つ以上の領域において、塗装してよい。いくつかの実施形態では、上記基板を、1つ以上のキャビティの周りにおいて、白色の又はその他の反射性インクで塗装でき、これにより、ディスプレイデバイス内で使用すると、光を、密封デバイスの上記キャビティ部分(例えば量子ドットを備える部分)のみを通って伝播させ、周囲の塗装された領域に反射させることができる。特定の実施形態では、第1の基板の第1の表面を、第2の基板を用いて密封する前に、キャビティ開口の周りにおいて塗装してよい。あるいは、反射性フィルムを第1の表面上、例えば第1の基板と第2の基板との間に位置決めでき、又は(以下で更に詳細に議論する)複数層の第1の基板の場合、反射性フィルムを第1の基板の2つの層の間に位置決めすることもできる。反射性フィルムは、本明細において開示されるいずれの金属、例えば一例を挙げるとアルミニウム、銅、金及び銀を含むことができる。
図1は、キャビティ105を略円形かつ凹状の断面を有するものとして図示されているが、上記キャビティは、所与の用途のために望ましいような、いずれの所与の形状又はサイズを有することができることを理解されたい。例えば上記キャビティは、一例を挙げると、正方形、長方形、半円形若しくは半楕円形の断面、又は不規則な断面を有することができる。更に、キャビティ105は、略一様に離間しているものとして図示されているが、キャビティ間の間隔は不規則又はいずれのパターンとすることができ、このパターンは、いずれの望ましいLEDアレイパターン、又はプリント回路基板(PCB)上の回路パターンに適合するよう選択できる。
例えば、バックライト付きデバイスのための典型的なLEDアレイは、約5mm〜約100mm、例えば約10mm〜約90mm、約15mm〜約80mm、約20mm〜約75mm、約25mm〜約70mm、約30mm〜約65mm、約35mm〜約60mm、約40mm〜約55mm、又は約45mm〜約50mm(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の長さ及び/又は幅を有することができる。LEDは、約1mm〜約20mm、例えば約2mm〜約15mm、約3mm〜約12mm、約4mm〜約10mm、約5mm〜約8mm又は約6mm〜約7mm(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の距離だけ離間させることができる。当然のことながら、LEDアレイのサイズ及び間隔は、例えばディスプレイの輝度及び/又は総出力に応じて変化させることができる。従ってキャビティのサイズ及び間隔を同様に変化させることにより、所望のサイズ及び/又は間隔を有するいずれのLEDアレイを製造できる。
第1の基板101の第1の表面111上のキャビティ105はいずれの所与の深さを有することができ、これは、例えば上記キャビティ内に配置される量子ドットのタイプ及び/又は量に対して適切となるように選択できる。非限定的な実施形態としては、第1の表面上のキャビティは、約1mm未満、例えば約0.5mm未満、約0.4mm未満、約0.3mm未満、約0.2mm未満、約0.1mm未満、約0.05mm未満、約0.02mm未満又は約0.01mm未満(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)、例えば約0.01mm〜約1mmの深さまで延在できる。キャビティのアレイは、同一の若しくは異なる深さ、同一の若しくは異なる形状及び/又は同一の若しくは異なるサイズを有するキャビティを備えることができると想定される。
キャビティのアレイ中の少なくとも1つのキャビティ105は、少なくとも1つの量子ドットを備えることができる。量子ドットは、放出される光の所望の波長に応じて、様々な形状及び/又はサイズを有することができる。例えば、放出される光の周波数は、量子ドットのサイズが減少するに従って増大し得、例えば、放出される光の色は、量子ドットのサイズが減少するに従って、赤色から青色にシフトできる。青色、UV又は近UV光を用いて照射を行う場合、量子ドットはこの光を、より長い赤色、黄色、緑色又は青色の波長に変換できる。様々な実施形態によると、上記量子ドットは、青色、UV又は近UV光を用いて照射を行う場合、赤色及び緑色の波長を放出する赤色及び緑色の量子ドットから選択できる。例えば上記LED構成部品は、青色光(およそ420〜490nm)、UV光(およそ200〜410nm)又は近UV光(およそ300〜410nm)を放出できる。
第1の基板101の第1の表面111及び第2の基板103の第2の表面113は、シール又は溶接部115によって接合できる。シール115は、キャビティ105のうちの少なくとも1つの周りに延在でき、これにより、他のキャビティから上記少なくとも1つのキャビティを分離して、1つ以上の不連続な密封領域又はポケットを生成できる。様々な実施形態によると、シール又は溶接部115は、約1マイクロメートル〜約100マイクロメートル、例えば約5マイクロメートル〜約90マイクロメートル、約10マイクロメートル〜約80マイクロメートル、約20マイクロメートル〜約70マイクロメートル、約30マイクロメートル〜約60マイクロメートル、又は約40マイクロメートル〜約50マイクロメートル(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の幅を有することができる。例えばレーザフリットシールは、約5マイクロメートル〜約20マイクロメートル、例えば約10マイクロメートル〜約15マイクロメートルの幅を有することができ、レーザ溶接部は、約5マイクロメートル未満、例えば約0.1マイクロメートル〜約3マイクロメートル、約0.5マイクロメートル〜約2マイクロメートル、又は約1マイクロメートル〜約1.5マイクロメートル(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の幅を有することができる。
いくつかの実施形態では、シール115は、第1の表面111と第2の表面113との間に直接形成できる。例えば、第1及び第2の表面を接触させることによって、密封境界面(標識なし)を生成できる。次に、所与の波長で動作するレーザビームを、密封境界面に、例えば密封境界面上に、密封境界面の下側に、又は密封境界面の上側に配向することによって、これら2つの基板の間にシールを形成できる。例示的なレーザ密封方法は、2014年5月7日出願の、同時係属中の米国特許出願第14/271,797号明細書に記載されており、上記特許出願は参照によりその全体が本出願に援用される。
様々な非限定的な実施形態では、上記デバイスは、第1の基板と第2の基板との間に配置されてこれらを接続する、密封材料又は層(図示せず)を備えることができる。これらの実施形態では、上記密封材料又は層は、第1の基板の第1の表面と、第2の基板の第2の表面とを接触させることができる。この密封層は、例えばレーザの動作波長及び/又は比較的低いガラス転移温度(T)において、約10%超の吸収率を有するガラス組成物から選択できる。上記ガラス組成物は、例えばガラスフリット、ガラス粉体及び/又はガラスペーストを含むことができる。様々な実施形態によると、上記密封層は、ホウ酸ガラス、リン酸ガラス、テルライトガラス及びカルコゲナイドガラス、例えばリン酸スズ、フルオロリン酸スズ及びフルオロホウ酸スズから選択できる。好適な密封ガラスは例えば、米国特許出願第2014/0151742号明細書に記載されており、上記特許出願は参照によりその全体が本出願に援用される。
一般に、好適な密封層材料は、低Tガラス、及び好適な反応性を有する銅又はスズの酸化物を含むことができる。非限定的な実施例としては、上記密封層は、約400℃以下、例えば約350℃以下、約300℃以下、約250℃以下又は約200℃以下(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)、例えば約200℃〜約400℃のTを有するガラスを含むことができる。様々な実施形態では、上記ガラスは、(室温における)上記レーザ動作波長において約10%超、約15%超、約20%超、約25%超、約30%超、約35%超、約40%超、約45%超又は約50%超(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)、例えば約10%〜約50%の吸収率を有することができる。上記密封層の厚さは用途に応じて変化させることができ、また特定の実施形態では、約0.1マイクロメートル〜約10マイクロメートル、例えば約5マイクロメートル未満、約3マイクロメートル未満、約2マイクロメートル未満、約1マイクロメートル未満、約0.5マイクロメートル未満又は約0.2マイクロメートル未満(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)とすることができる。
上記デバイスが密封層を備える場合、上記密封層によって、上記シールを第1の基板と第2の基板との間に形成できる。例えば、所与の波長で動作するレーザビームを上記密封層(又は密封境界面)に配向して、これら2つの基板の間にシール又は溶接部を形成できる。理論によって束縛されるものではないが、密封層によるレーザビームからの光の吸収、並びに第1及び/又は第2の基板によって誘発された過渡吸収によって、密封層及び基板両方の局所的な加熱及び溶融を引き起こすことができると考えられる。いくつかの実施形態では、第1及び第2の基板はガラス基板とすることができ、従って2つの基板の間に、ガラス‐ガラス間溶接部を形成できる。例示的なガラス溶接部は、2014年5月7日出願の継続中のかつ共有されている米国特許出願第14/271,797号明細書に記載されているように形成でき、上記特許出願は参照によりその全体が本出願に援用される。
図1に示す非限定的な実施形態では、第1の基板101の第1の表面111は、キャビティ105のアレイを備えることができ、その一方で第2の基板103の第2の表面113は、金属要素117のアレイを含む金属化パターンを備えることができ、これにより上記第2の表面は、金属化部分及び非金属化部分(標識なし)を備える。いくつかの実施形態では、LEDダイ109は、例えばワイヤボンド119によって、金属要素117を介して、第2の基板103の第2の表面113に取り付けることができる。金属要素117は、ディスプレイデバイスでの使用に好適ないずれの金属、例えば一例を挙げるとアルミニウム、銅、金及び銀を含むことができる。
図1は、各キャビティ105が量子ドット及びLED構成部品を備える実施形態を示しているが、この図は限定的なものではないことを理解されたい。1つ以上のキャビティが量子ドット及び/又はLED構成部品を備えない実施形態も想定される。更に、各キャビティが同数又は同量の量子ドットを備える必要はなく、この量をキャビティ毎に変化させることができ、またいくつかのキャビティが量子ドットを備えないものとすることもできる。更に、図1に示されている実施形態は、図示されている各キャビティ105間のシール115を図示しているが、例えば量子ドットを有しないキャビティの場合、所望の通り、1つ以上のキャビティが密封されていなくてもよいことを理解されたい。よって、様々なキャビティを空とする、又は量子ドットを備えないものとすることができ、従ってこれらの空のキャビティは適宜、又は所望の通りに封止されているか又は封止されていないことを理解されたい。いくつかの実施形態では、シールは、単一のキャビティの周りに、又は上記アレイ中の複数のキャビティの群、例えば2つ、3つ、4つ、5つ、10個若しくはそれ以上等のキャビティの周りに延在できる。あるいはシールは、キャビティのアレイ全体の周りに延在できる。
更に、キャビティのアレイ中の各キャビティは、同一の又は異なるタイプの量子ドット、例えば異なる波長を放出する量子ドットを備えることができる。例えばいくつかの実施形態では、各キャビティは、各キャビティにおいて赤色‐緑色‐青色(RGB)スペクトルを生成するために、緑色及び赤色の両方の波長を放出する量子ドットを備えることができる。しかしながら他の実施形態によると、緑色の量子ドットのみを備えるキャビティ又は赤色の量子ドットのみを備えるキャビティ等、個々のキャビティが、同一の波長を放出する量子ドットのみを備えるものとすることができる。例えば所与のアレイに関して、キャビティのおよそ1/3を緑色の量子ドットで充填してよく、キャビティのおよそ1/3を赤色の量子ドットで充填してよく、同時にキャビティのおよそ1/3を(青色の光を放出するために)空のままとしてよい。このような構成を用いると、アレイ全体はRGBスペクトルを生成でき、その一方で個々の色に関する動的な調光も提供できる。例えば緑色を含有しない画像の一部分に関して、上記画像の当該部分のすぐ背後にある緑色のキャビティを遮断することにより、これらがいずれの光も放出しないようにし、上記画像の当該部分から緑色を除去できる。緑色及び赤色の燐光体を内包するRGBキャビティの場合、画像の背後のキャビティは緑色を放出し続け、ディスプレイデバイスは画像から緑色を排除するために、液晶切り替えに頼らなければならないことが多い。
当然のことながら、いずれのタイプ、色又は量の量子ドットを内包するキャビティのいずれの比率が可能であり、本開示の範囲内であると見做されることを理解されたい。キャビティの構成、並びに各キャビティ内に配置される量子ドットのタイプ及び量を選択することによって、所望のディスプレイ効果を達成することは、当業者の能力の範囲内である。更に、本明細書に記載のデバイスは、ディスプレイデバイス用の赤色及び緑色量子ドットに関して議論されているが、赤色、橙色、黄色、緑色、青色又は可視スペクトル(例えば400〜700nm)の他のいずれの色を含むがこれらに限定されないいずれの波長の光を放出できる、いずれのタイプの量子ドットを使用できることを理解されたい。
本明細書において開示される方法を参照して更に詳細に議論するように、密封デバイス100は更に、上記デバイスに取り付けられた1つ以上のヒートシンク(図1には図示せず)を備えることができる。本明細書中で使用される場合、用語「ヒートシンク(heat sink)」は、量子ドット及びLED構成部品を備える少なくとも1つのキャビティから熱を抽出又は再配向できるいずれの構成部品を指すことを意図したものである。ヒートシンクは例えば金属から構成できるが、第1及び/又は第2の基板より熱伝導率の高いいずれの材料で構成することもできる。例えば、金属ストリップ又はロッドを第1の基板と第2の基板との間に位置決めできる。これらのヒートシンクは、少なくとも1つの金属要素又はリードと接触させて配置でき、また密封キャビティから熱を放散させる機能を果たすことができる。例示的なヒートシンクは、例えば一例を挙げるとアルミニウム、銅、金又は銀を含む金属から選択できる。
密封デバイス200の第2の実施形態の断面図を図2に示す。密封デバイス200は、キャビティ205のアレイを備える第1の基板201、及び第2の基板203を備える。少なくとも1つのキャビティ205は、少なくとも1つの量子ドット207を内包できる。上記少なくとも1つのキャビティはまた、少なくとも1つの量子ドット207と接触している少なくとも1つのLEDダイ209を内包できる。様々な実施形態によると、第1の基板201は、白色溶融アルミナ等のアルミナ基板とすることができる。第2の基板203は例えばガラスを含むことができ、これは、第1の基板101及び/又は第2の基板103に関して上述したガラス基板と同一の組成及び/又は特性を有することができる。
白色溶融アルミナ基板は、例えばより高い熱伝導率(例えばガラス基板の1W/m‐Kに比べて25W/m‐K)及び/又は反射表面特性(例えば透明ガラス基板に比べて塗装ステップを用いない)といった、ガラス基板を上回る特定の利点を提示できる。白色溶融アルミナの色は、例えば不純物の量若しくはタイプ及び/又は焼成条件を変化させることによって制御できる。従って白色アルミナは、標準的なアルミナに比べて更なるコスト面での利点を有し得る。様々な実施形態によると、第1の基板は、1つ以上のアルミナの層を備えることができる。例えばアルミナを第1の厚さまでテープ成形してよく、複数の層を積層して焼成することにより、(第1の厚さより大きい)第2の厚さを有するアルミナ基板を生成できる。いくつかの実施形態では、単一のアルミナの層は、約0.05mm〜約0.3mm、例えば約0.1mm〜約0.2mm(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の厚さを有することができる。アルミナ基板は、約0.1mm〜約3mm、例えば約0.2mm〜約2.5mm、約0.3mm〜約2mm、約0.4mm〜約1.5mm、約0.5mm〜約1mm、約0.6mm〜約0.9mm又は約0.7mm〜約0.8mm(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の全体厚さを有することができる。いくつかの実施形態では、アルミナ基板は、2つ以上の層、例えば2、3、4、5、6、7、8、9若しくは10個以上の層を備えることができ、又はこれらから構成できる。
例えばアルミナから構成された第1の基板201は、複数のキャビティ205を備えることができ、これはアルミナ基板に切断、打抜き又はその他の方法で設けることができる。例えば、1つ以上のアルミナ層に孔を打抜き、孔を備える層を最下層と積層して、1つ以上のキャビティを備える基板を生成してよい。図2に示すように、第1の基板201は、キャビティ205の側壁に対応する孔が打抜かれた、アルミナの3つの最上層201aと、キャビティ205の底部に対応するアルミナの1つの最下層201bとを備えることができる。キャビティ205は、金属化ビア221を備えることができ、これは例えば、本明細書において開示される方法に関して以下で更に詳細に議論されるように、最下層201bに設けることができる。
図2は、キャビティ205を、略正方形又は長方形の断面を有するものとして示しているが、上記キャビティは、所与の用途のために望ましいような、いずれの所与の形状又はサイズを有することができることを理解されたい。例えば上記キャビティは、一例を挙げると、正方形、円形、凸状、凹状、半円形若しくは半楕円形の断面、又は不規則な断面を有することができる。更に、キャビティ205は、略一様に離間しているものとして図示されているが、キャビティ間の間隔は不規則又はいずれのパターンとすることができ、このパターンは、いずれの望ましいLEDアレイパターン、又はプリント回路基板(PCB)231上の回路パターンに適合するよう選択できることを理解されたい。
第1の基板201のキャビティ205はいずれの所与の深さを有することができ、これは、例えば上記キャビティ内に配置される量子ドットのタイプ及び/又は量に対して適切となるように選択できる。非限定的な実施形態としては、第1の表面上のキャビティは、約1mm未満、例えば約0.5mm未満、約0.4mm未満、約0.3mm未満、約0.2mm未満、約0.1mm未満、約0.05mm未満、約0.02mm未満又は約0.01mm未満(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)、例えば約0.01mm〜約1mmの深さまで延在できる。キャビティのアレイは、同一の若しくは異なる深さ、同一の若しくは異なる形状及び/又は同一の若しくは異なるサイズを有するキャビティを備えることができると想定される。
キャビティのアレイ中の少なくとも1つのキャビティ205は、図1に関して議論したように、少なくとも1つの量子ドット207及び少なくとも1つのLEDダイ209を備えることができる。LEDダイ209は例えば金属線219によって、金属化ビア221に接合できる。第1の基板201及び第2の基板203は、シール又は溶接部(図示せず)によって接合できる。シールは、キャビティ205のうちの少なくとも1つの周りに延在でき、これにより、1つ以上の不連続な密封領域又はポケットを生成できる。このシールは、図1を参照して上述したものと同様の様式で形成でき、シール幅及び/又はタイプ(例えばレーザ溶接部若しくはレーザフリットシール)等、同様の特性を有することができる。
図2に示す非限定的な実施形態では、第1の基板201は、キャビティ205のアレイを備えることができ、その一方で第2の基板203は、キャビティ又はパターンを有しない1つ以上の表面、例えば平坦又は平滑表面を有することができる。いくつかの実施形態では、第2の基板は、図1に関して議論したガラス基板と同様のものであってよいガラス基板を含むことができる。図2は、各キャビティ205が量子ドット及びLEDダイを備える実施形態を示しているが、この図は限定的なものではないことを理解されたい。1つ以上のキャビティが量子ドット及び/又はLED構成部品を備えない実施形態も想定される。更に、各キャビティが同数又は同量の量子ドットを備える必要はなく、この量をキャビティ毎に変化させることができ、またいくつかのキャビティが量子ドットを備えないものとすることもできる。更に、例えば量子ドットを有しないキャビティの場合、所望の通り、1つ以上のキャビティが密封されていなくてもよいことを理解されたい。よって、様々なキャビティを空とする、又は量子ドットを備えないものとすることができ、これらの空のキャビティは適宜、又は所望の通りに封止されているか又は封止されていない。いくつかの実施形態では、シールは、単一のキャビティの周りに、又は上記アレイ中の複数のキャビティの群、例えば2つ、3つ、4つ、5つ、10個若しくはそれ以上等のキャビティの周りに延在できる。あるいはシールは、キャビティのアレイ全体の周りに延在できる。
本明細書において開示される方法を参照して更に詳細に議論するように、密封デバイス200は更に、上記デバイスに取り付けられた1つ以上のヒートシンクを備えることができる。例えば図2に示すように、ヒートシンク225を第1の基板201の第2の表面(標識なし)上に位置決めして、例えば接着層223を介して取り付けることができる。様々な実施形態では、ヒートシンク225は、例えば一例を挙げるとアルミニウム、銅、銀又は金といった、ディスプレイデバイスから熱を放散させるために好適な金属を含むことができる。上記接着層は熱伝導性とすることができ、例えば伝導性エポキシから選択できる。
いくつかの実施形態では、ヒートシンク225は1つ以上の孔227を備えることができる。孔227は、キャビティ205と整列させることができ、エラストマ製(「ゼブラ」)コネクタ229はこの孔を貫通して、例えば金属化ビア221を介してLED構成部品209に接続できる。コネクタ229は例えば、各LEDを個別に制御して、高分解能の局所的調光を達成し、画像のコントラストを改善するための手段として機能できる。LED構成部品209は、各LEDをLEDコントローラ(図示せず)に接続するための回路構成を含むプリント回路基板(PCB)231と相互接続でき、上記LEDコントローラは、ディスプレイコントローラ(図示せず)によって駆動できる。当然のことながら、例えば量子ドット及び/又はLED構成部品を有しない1つ以上のキャビティの場合には、密封デバイス200中の各キャビティ205が対応する孔227を有する必要はない。
密封デバイス300の第3の実施形態の断面図を図3に示す。密封デバイス300は、キャビティ305(1つが図示されている)のアレイを備える第1の基板301、及び第2の基板303を備える。少なくとも1つのキャビティ305は、少なくとも1つの量子ドット307を内包できる。上記少なくとも1つのキャビティはまた、少なくとも1つの量子ドット307と接触している少なくとも1つのLEDダイ309を内包できる。様々な実施形態によると、第1の基板301及び第2の基板303は例えばガラスを含むことができ、また、第1の基板101及び/又は第2の基板103に関して上述したガラス基板と同一の組成及び/又は特性を有することができる。特定の実施形態では、第1の基板301(図示せず)は、少なくとも1つの量子ドット307を内包する複数のキャビティを有する単一の層を備えることができる。
あるいは図3に示すように、第1の基板301は、最上層301a及び最下層301bといった2つ以上の層を備えることができる。いくつかの実施形態では、最下層301bはガラスを含むことができる。最上層301aは例えば、ガラス、又はプラスチック若しくはセラミック材料といった別の材料を含むことができる。最上層301aは例えば、複数の孔を備えるウェルプレートを含むことができる。2つ以上の層を備える第1の基板301の場合、最上層301aは複数の孔を備えることができ、孔を備える1つ以上の層を最下層301bと積層して、1つ以上のキャビティを備える第1の基板301を生成できる。
図3に示すように、第1の基板301は、キャビティ305の側壁に対応する孔が打抜かれた、プラスチックを含む1つの最上層301aと、キャビティ305の底部に対応する、ガラスを含む1つの最下層301bとを備えることができる。当然のことながら、最上層及び最下層に関して、所望に応じて異なる数、構成及び材料を使用できる。いくつかの実施形態によると、第1の基板301は、ガラスシートを備える1つ以上の層を備えることができ、上記ガラスシートは、このガラスシートに設けられた切り欠き部に静置されたウェルプレートを有し、上記ウェルプレートは、ガラスシートと略同一の厚さを有する(図6A〜B参照)。
いくつかの実施形態では、密封デバイスから観察者へと伝播する光の量を増大させるため、及び/又は複数のキャビティ間のクロストークを回避するために、白色プラスチック最上層301a(又は静置されたウェルプレート)を含むことが有利となり得る。クロストークは、あるキャビティ内の量子ドットが励起されて、ある波長を有する光が生成され、続いてこの生成された光が、隣接する量子ドットによって、別の更に長い波長を有する光に変換される(例えば緑色の量子ドットから放出される光を、隣接する赤色の量子ドットによって、更に長い波長へと変換できる)際に発生し得る。いくつかの実施形態では、透明の最上層301a及び最下層301bを含む透明の第1の基板301も使用できる。このような例では、上記基板若しくは上記基板の1つ以上の層を、キャビティの周りにおいて(例えば白色若しくは反射性インクで)塗装してよく、及び/又は反射層を上記密封デバイスに含めてよい。
第1の基板301は、複数の金属化ビア321を備えることができ、これは例えば、本明細書において開示される方法に関して以下で更に詳細に議論されるように、各LEDダイ309に隣接する最下層301bに設けることができる。金属化ビア321は、いずれの所望の直径を有することができ、いずれの所与のピッチで離間させることができる。例えば単一の金属化ビアの直径は、約20マイクロメートル〜約200マイクロメートル、例えば約40マイクロメートル〜約180マイクロメートル、約60マイクロメートル〜約160マイクロメートル、約80マイクロメートル〜約140マイクロメートル、又は約100マイクロメートル〜約120マイクロメートル(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)とすることができる。いくつかの実施形態では、複数の金属化ビア321は、LEDダイ309に隣接して位置決めされた、複数のビアの1つ以上の別個(1つの群が図示されている)の群を含むことができる。別個の群はそれぞれ、例えば2つ以上のビア、例えば2〜40個のビア、5〜30個のビア、10〜25個のビア、又は15〜20個のビア(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)を含むことができる。
ある群内の金属化ビア321間のピッチは例えば、約40マイクロメートル〜約300マイクロメートル、約75マイクロメートル〜約250マイクロメートル、約100マイクロメートル〜約200マイクロメートル、又は約120マイクロメートル〜約150マイクロメートル(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)とすることができる。金属化ビアの各群は、デバイスのLEDダイの間隔に対応する距離、例えば約1mm〜約20mm、例えば約2mm〜約15mm、約3mm〜約12mm、約4mm〜約10mm、約5mm〜約8mm又は約6mm〜約7mm(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)だけ離間させることができる。当然のことながら、金属化ビアのサイズ及び間隔は、いずれの所望のLEDアレイに適合するように変化させることができる。
LEDダイ309は、例えば伝導性エポキシによって、第1の基板301に接合できる。いくつかの実施形態では、伝導性フィルム333を第1の基板301上に設けることができる。図3に示すように、反射性フィルム333を第1の基板301の、最上層301aと接触する最下層301bの表面上等の表面上に設けることができる。この反射性フィルムは、本明細書において開示されているいずれの金属、例えばアルミニウム、銅、銀、金等から選択できる。第1の基板301及び第2の基板303は、シール又は溶接部(図示せず)によって接合できる。LEDダイ309は、金属線319によって第1の基板301に接着できる。シールは、キャビティ305のうちの少なくとも1つの周りに延在でき、これにより、1つ以上の不連続な密封領域又はポケットを生成できる。いくつかの実施形態では、シールは、アレイ内の複数のキャビティ、例えば2つ以上のキャビティ、3つ以上のキャビティ、4つ以上のキャビティ、5つ以上のキャビティ、10個以上のキャビティ等の群の周りに延在できる。あるいはシールは、キャビティのアレイ全体の周りに延在できる。このシールは、図1を参照して上述したものと同様の様式で形成でき、シール幅及び/又はタイプ(例えばレーザ溶接部若しくはレーザフリットシール)等、同様の特性を有することができる。
図3は、量子ドット及びLEDダイを備えるキャビティ305を示しているが、この図は限定的なものではないことを理解されたい。1つ以上のキャビティが量子ドット及び/又はLED構成部品を備えない実施形態も想定される。更に、各キャビティが同数又は同量の量子ドットを備える必要はなく、この量をキャビティ毎に変化させることができ、またいくつかのキャビティが量子ドットを備えないものとすることもできる。更に、例えば量子ドットを有しないキャビティの場合、所望の通り、1つ以上のキャビティが密封されていなくてもよいことを理解されたい。よって、様々なキャビティを空とする、又は量子ドットを備えないものとすることができ、従ってこれらの空のキャビティは適宜、又は所望の通りに封止されているか又は封止されていない。
本明細書において開示される方法を参照して更に詳細に議論するように、密封デバイス300は更に、上記デバイスに取り付けられた1つ以上のヒートシンクを備えることができる。例えば図3に示すように、ヒートシンク325を第1の基板301の第2の表面(標識なし)上に位置決めして、例えば接着層323を介して取り付けることができる。様々な実施形態では、ヒートシンク325は、例えば一例を挙げるとアルミニウム、銅、銀又は金といった、ディスプレイデバイスから熱を放散させるために好適な金属を含むことができる。上記接着層323は熱伝導性とすることができ、例えば伝導性エポキシから選択できる。ヒートシンクは更に、フィン等の1つ以上の特徴部分335を備えることができ、これは、例えば(矢印Aで示されている)周囲の空気流を介した、熱エネルギの放散を増進できる。これまでに開示した実施形態においてと同様、密封デバイス300もまた、例えばヒートシンク325によって、プリント回路基板(PCB)331に接続できる。各LEDをLEDコントローラ(図示せず)に接続するために、プリント回路を第1の基板の第2の表面上に設けることができ、上記LEDコントローラは、ディスプレイコントローラ(図示せず)によって駆動できる。
様々な実施形態では、第1及び第2の基板は、本明細書において開示されているように一体に密封されて、上記キャビティのうちの1つ以上の周りにシール又は溶接部を生成できる。特定の実施形態では、上記シール又は溶接部は、1つ以上の気密及び/又は耐水ポケットをデバイス内に形成する、気密型シールであってよい。例えば、少なくとも1つの量子ドットを内包する少なくとも1つのキャビティは、上記キャビティが水、湿気、空気及び/又は他の不純物に対して不浸透性又は略不浸透性となるように、気密密封できる。非限定的な実施例としては、気密型シールは、酸素の発散(拡散)を約10‐2cm/m/日未満(例えば約10‐3/cm/m/日未満)まで制限し、水の発散を約10‐2g/m/日未満(例えば約10‐3、10‐4、10‐5又は10‐6g/m/日未満)まで制限するように構成できる。様々な実施形態では、気密型シールは、水、湿気及び/又は空気が、上記気密型シールによって保護された構成部品に接触するのを略防止できる。
特定の実施形態では、第1及び第2の基板は、上記基板の熱膨張係数(CTE)が略同様となるように選択してよい。例えば、第2の基板のCTEは第1の基板のCTEの約20%以内、例えば第1の基板のCTEの約15%以内、約10%以内、約5%以内、約4%以内、約3%以内、約2%以内又は約1%以内とすることができる。様々な実施形態によると、第1の基板のCTEは、第2の基板のCTEに略等しい。
非限定的な例として、第1及び/又は第2の基板のCTEは、例えば約0.5×10‐6/℃〜約15×10‐6/℃、例えば約1×10‐6/℃〜約14×10‐6/℃、約2×10‐6/℃〜約13×10‐6/℃、約3×10‐6/℃〜約12×10‐6/℃、約4×10‐6/℃〜約11×10‐6/℃、約5×10‐6/℃〜約10×10‐6/℃、約6×10‐6/℃〜約9×10‐6/℃又は約7×10‐6/℃〜約8×10‐6/℃(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)とすることができる。特定の実施形態では、第1及び/又は第2の基板は、約8×10‐6/℃〜約10×10‐6/℃、例えば約8.5×10‐6/℃〜約9.5×10‐6/℃(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)のCTEを有するガラスを含むことができる。非限定的な実施形態では、ガラス基板は、約7.5〜約8.5×10‐6/℃のCTEを有するCorning Gorillaガラス、又は約3〜約4×10‐6/℃のCTEを有するCorning EAGLE XG、Lotus若しくはWillowガラス(登録商標)とすることができる。他の実施形態では、第1及び/又は第2の基板は、約0.5×10‐6/℃〜約3×10‐6/℃、例えば約1×10‐6/℃〜約2.5×10‐6/℃又は約1.5×10‐6/℃〜約2×10‐6/℃(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)のCTEを有するアルミナを含むことができる。
本明細書において開示される密封デバイスは、密封されたキャビティのアレイを備えることができ、これらのキャビティは所望に応じて離間させることができ、またその少なくとも一部分は少なくとも1つの量子ドットを備えることができる。この構成により、LCDデバイス等のバックライト付きデバイスのための光学構成部品を提供でき、この光学構成部品は、量子ドット及びLEDを、別個の所望の位置に設けることができ、LEDに隣接又は近接していない領域において量子ドットの材料を浪費することがない。本明細書において開示される構成はまた、高いダイナミックレンジ、(局所的調光による)高いコントラスト、(量子ドット色変換による)高い色域、及び/又は(色変換器からLEDダイを通ってヒートシンクへの熱放散経路の提供による)高い輝度を提供できる。
特定の態様では、密封デバイスの合計厚さは、約6mm未満、例えば約5mm未満、約4mm未満、約3mm未満、約2mm未満、約1.5mm未満、約1mm未満、又は約0.5mm未満(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)とすることができる。例えば、密封デバイスの厚さは、約0.3mm〜約3mm、例えば約0.5mm〜約2.5mm又は約1mm〜約2mm(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)とすることができる。
図1〜3に示す実施形態は、キャビティ及びLEDの1次元的アレイ(例えば単一の行)を考察しているが、本明細書において開示される密封デバイスは、2次元的アレイ(例えば2つ以上の行、及び/又は2つ以上の方向に延在するもの)のために使用することもできることを理解されたい。従って、密封デバイスの高さ及び長さ寸法は、選択されるディスプレイに好適となるよう、所望の通りに変更できる。例えば、1つ以上の密封デバイスを、例えば約5mm〜約1.5m、例えば約1cm〜約1m、約10cm〜約500cm、約25cm〜約250cm又は約50cm〜約100cm(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の長さ及び/又は幅を有するいずれのサイズのディスプレイに適合するよう、1つ以上の方向において一体に配設又は位置決めできる。特定の実施形態では、2つ以上の密封デバイスを一体に配設して、より大きなLEDアレイを生成でき、例えば3、4、5、6、7、8、9、10、12、14、16、18、20個又はそれ以上のデバイスを一方又は両方の方向に配設して、所望のサイズを有するLEDアレイを生成できる。
本明細書において開示される密封デバイスは、LCD等のバックライト又はバックライト付きディスプレイ(これらは様々な追加の構成部品を備えることができる)を含むがこれらに限定されない様々なディスプレイデバイス又はディスプレイ構成部品において使用してよい。例示的なLCDデバイスは更に、反射器、光導体、拡散器、1つ以上のプリズムフィルム、反射偏光子、1つ以上の直線偏光子、薄膜トランジスタ(TFT)アレイ、プリント回路基板(PCB)、液晶層及び/又は色フィルタといった、様々な従来の構成部品を備えてよい。
本明細書において開示される密封デバイスはまた、照明器具及びソリッドステート照明用途といった、照明デバイスとして使用することもできる。例えば、少なくとも1つのLEDダイと接触した量子ドットを備える密封デバイスは、例えば太陽の広帯域出力を模倣した、一般的な照明のために使用できる。このような照明デバイスは例えば、例えば400〜700nmの波長といった様々な波長で放出を行う、様々なサイズの量子ドットを備えることができる。特定の実施形態では、密封照明デバイスは、少なくとも3つ、少なくとも4つ、少なくとも5つ又はそれ以上の異なる量子ドットといった、(例えば異なる波長で放出を行う)異なるサイズの少なくとも2つ以上の異なる量子ドットを備えることができる。様々な実施形態によると、密封デバイスは、赤色、橙色、黄色、緑色及び青色波長といった幅広い可視スペクトルにまたがる色を放出する量子ドットの混合物を備えることができる。密封照明デバイスは、単一のキャビティ、又は(上述の密封デバイスと同様に)キャビティのアレイを備えることができる。複数のキャビティの場合、各キャビティは同一の又は異なる量子ドットを内包でき、例えば各キャビティは、量子ドットの同一の混合物を内包でき、又はキャビティは量子ドットの異なる混合物を内包でき、又は各キャビティは、1つのタイプの量子ドットのみを内包できる。
方法
本明細書において開示されるのは、密封デバイスの作製方法であり、この方法は:第1の基板の第1の表面上のキャビティのアレイ内の少なくとも1つのキャビティ内に、少なくとも1つの量子ドットを配置するステップ;上記少なくとも1つの量子ドットを、少なくとも1つのLED構成部品と接触させるステップ;第2の基板の第2の表面を、上記第1の基板の上記第1の表面と接触させるステップ;及び上記第1の基板と上記第2の基板との間にシールを形成するステップを含み、上記シールは、上記少なくとも1つのLEDの構成部品と接触した上記少なくとも1つの量子ドットを内包する上記少なくとも1つのキャビティの周りに延在する。
図4A〜Cは、図1に示す密封デバイス等の、本開示の特定の実施形態による密封デバイスの作製方法の様々な段階を示す。例えば図4Aは、キャビティ405のアレイを備える第1の基板401の上面図を示す。上で議論したように、図示されているキャビティのアレイは、キャビティの数、構成、タイプ、サイズ等によって特許請求の範囲を限定することを意図したものではない。図4Aはキャビティ405を、略円形の表面領域を有するものとして図示しているが、上記キャビティは、所与の用途に望ましいように、いずれの所与の形状又はサイズを有することができることを理解されたい。例えばキャビティは、一例を挙げると正方形、長方形若しくは楕円形の表面領域、又は不規則な表面領域を有することができる。
任意に、ガラスフリット又はペースト等の密封材料437aを各キャビティの周りに堆積させることができる。少なくとも1つの量子ドット407を、上記アレイ内の少なくとも1つのキャビティ405内に配置できる。図4Aは、様々な例示的なキャビティ間に分散された量子ドット407を図示しているが、全てのキャビティ又は異なるキャビティを、特定の用途のために望ましいように、様々な量の量子ドットで充填できることを理解されたい。様々な実施形態によると、量子ドット材料407は、不活性環境においてキャビティ405内に堆積させることができる。量子ドット407を堆積させるための好適な方法としては例えば、インクジェット印刷、スクリーン印刷、及びマイクロ接触印刷等のマイクロ印刷法を挙げることができる。
様々な実施形態によると、第1の基板401は、1つの均質なピース、又は複数の組み付けられた若しくは付着させられたピースを備えることができる。例えば図4Aに示すように、上記第1の基板は、固定用シート401aを備えることができ、これは略平坦とすることができ、又はキャビティのアレイ(標識なし)を有することができる。個々のキャビティ405を備える個片化された(個々の)基板401bを、固定用シート401aの表面上又は固定用シート401aのキャビティ内に配置して、キャビティの所望のパターンを形成できる。このような実施形態では、キャビティ405は、LEDダイと略同一のピッチで配置できる。個片化された基板401bは例えば、プレス加工又は他のいずれの好適な方法等により、基板シート(例えばガラスシート)にキャビティを設けることによって調製できる。次に個々の基板401bを上記シートから切断して、いずれの所望の形状及び/又は寸法を生成できる。任意にキャビティ405の周りに密封材料437aを備える基板401bは、切断前にシートとして、切断後に、及び/又は固定用シート401aのキャビティ内に配置した後に、焼成できる。
様々な実施形態では、第1の基板401の一部を、キャビティに近接した、例えばキャビティの周縁の領域において塗装できる。例えば、(ガラス基板等の)透明な第1の基板401の場合、基板の様々な部分を、白色又は反射性インクで塗装できる。個片化された基板401bの場合、各基板の側部を塗装できる。塗装を実施することにより、例えば密封デバイスからLCDパネルへ(例えば観察者へ)と伝播する光の量を増大させることができ、及び/又は複数のキャビティ間のクロストークを回避できる。
図4Bは、例示的な第2の基板403の上面図を示す。第2の表面413は例えば、金属化パターンを備えることができる。LEDダイ409をワイヤボンディング等によって金属要素417に取り付けることにより、アレイを形成できる。当然のことながら、図4Bはある特定の例示的な実施形態を図示しているものの、第2の基板403の第2の表面413上にはいずれの金属化パターンを設けることができることを理解されたい。更に、第2の表面403上に、いずれの数のLEDダイ409をいずれの所望のパターンで設けることができる。
図4Cに図示されているように、キャビティ405のアレイを備える第1の基板(例えば個片化された基板401b)がLEDダイ409のアレイを備える第2の表面(標識なし)に接触するように、第1及び第2の基板(標識なし)を接触させることができる。特定の実施形態では、少なくとも1つのキャビティ405が少なくとも1つの量子ドット407及び少なくとも1つのLEDダイ409を備えるように、これらの基板を整列させることができる。このように接触した上記基板を、例えば少なくとも1つの量子ドット407及び少なくとも1つのLEDダイ409を備える少なくとも1つのキャビティ405の周りにおいて密閉できる。例えば個片化された基板401bの場合、各上記基板を第2の基板に密着させることにより、密封キャビティのアレイを形成できる。上で議論したように、例えばレーザ溶接又はレーザフリット密封によって密封を実施し、密封デバイス400を形成できる。例えばレーザを、密封材料を含む密封境界面に若しくは密封境界面上に配向することによって、第1及び第2の基板を一体に接合でき、又は密封材料が存在しない状態でレーザ溶接部を形成できる。従ってシール437bは、レーザ溶接部又はレーザフリットシールを含むことができる。フリットシールの場合、シール437bは、密封材料437aのパターンに対応できる(図4A参照)。いくつかの実施形態では、密封方法は、基板のCTEに応じて選択してよく、例えば比較的高いCTE(例えば約3×10‐6/℃超)を有する基板に対してはレーザ溶接を使用でき、その一方で、比較的低いCTE(例えば約3×10‐6/℃未満)を有する基板に対してはレーザフリット密封を使用できるが、基板及びシールのいずれの組み合わせも可能であり、また基板及びシールのいずれの組み合わせが想定される。
様々な実施形態によると、基板を密封するステップは、いずれの所定の経路を用いて、レーザビームで上記基板に沿って走査する、又はレーザビームを上記基板に沿って並進移動させ(あるいは基板をレーザに対して並進移動させることができる)、正方形、長方形、円形、楕円形又は他のいずれの好適なパターン若しくは形状といったいずれのパターンを生成し、デバイス内の1つ以上のキャビティを気密密封するステップを含むことができる。レーザビーム(又は基板)が境界面に沿って移動する並進速度は、用途によって変化してよく、例えば第1及び第2の基板の組成、並びに/又は焦点構成、並びに/又はレーザ出力、周波数及び/若しくは波長に左右され得る。特定の実施形態では、レーザは、約1mm/秒〜約1000mm/秒、例えば約10mm/秒〜約500mm/秒又は約50mm/秒〜約700mm/秒、例えば約100mm/秒超、約200mm/秒超、約300mm/秒超、約400mm/秒超、約500mm/秒超又は約600mm/秒超(これらの間の全ての範囲及び部分範囲を含む)の並進速度を有してよい。
本明細書において開示される様々な実施形態によると、レーザ波長、パルス幅、繰り返し数、平均出力、集束条件及び他の関連パラメータを変化させることにより、第1及び第2の基板を、直接又は密封材料を用いて、一体に溶接するために十分なエネルギを生成してよい。これらのパラメータを、所望の用途のために必要であるように変化させることは、当業者の能力の範囲内である。様々な実施形態では、レーザのフルエンス(又は強度)は、第1及び/又は第2の基板の損傷閾値未満であり、例えばレーザは、上記基板を一体に溶接するために十分に強力であるものの、上記基板を損傷するほどには強力ではない条件下で動作する。特定の実施形態では、レーザビームは、密封境界面におけるレーザビームの直径とレーザビームの繰り返し数との積以下である並進速度で動作してよい。
本明細書において開示される方法は、1つ以上のヒートシンク425を密封デバイス400に取り付けるステップを更に含むことができる。例えば、密封キャビティ405から熱を放散させることができるよう、金属ストリップを、金属要素417のうちの1つ以上に接触させて配置できる。図4Cに示すように、シール437bは、少なくとも1つの量子ドット407及び少なくとも1つのLEDダイ409を備えるキャビティ405の周りに延在できる。いくつかの実施形態では、金属要素417は、これが密封キャビティ405の内側及び外側の両方に存在するよう、少なくとも部分的にシール437bの下側に延在できる。様々な実施形態では、金属要素417は、密封境界面に沿って1つ以上の孔439(5つが図示されている)を備えることができ、これにより、金属要素417を覆うように、統合されたシールを設けることができる。当然のことながら、他の実施形態では、金属要素417は更に多数の若しくは更に少数の孔を備えることができ、又は孔439を備えないものとすることもできる。
図5A〜Dは、図2に示す密封デバイスのような、本開示の更なる実施形態による密封デバイスの作製方法の、様々な段階を示す。例えば図5Aは、ビアホール521を備える第1の基板の最下層501bの上面図を示す。図5Bは、複数の孔541が打抜かれた最上層501aの上面図を示す。1つ以上の最上層501aを最下層501b上に積層して組み付けることにより、図5Cに示すように、複数のキャビティ505を備える第1の基板501を形成できる。このように組み付けられた層501a及び501bを例えば焼成して、第1の基板501を生成できる。いくつかの実施形態では、焼成前にビアホール521を伝導性ペースト(図示せず)で充填できる。
少なくとも1つのLED構成部品509は、例えば最下層501bに取り付けられたダイ、及び金属化ビア521のうちの1つ以上へのワイヤボンディングによって、キャビティ505内に固定できる。上で議論したように、図示されているキャビティのアレイは、キャビティの数、構成、タイプ、サイズ等によって特許請求の範囲を限定することを意図したものではない。図5C〜Eはキャビティ505を、略正方形の表面領域を有するものとして図示しているが、上記キャビティは、所与の用途に望ましいように、いずれの所与の形状又はサイズを有することができることを理解されたい。例えばキャビティは、一例を挙げると長方形、円形若しくは楕円形の表面領域、又は不規則な表面領域を有することができる。少なくとも1つの量子ドット507を、アレイ内の少なくとも1つのキャビティ505内に配置できる。図5Dは、様々な例示的なキャビティ間に分散された量子ドット507を示すが、全てのキャビティ又は異なるキャビティを、特定の用途のために望ましいように、量子ドットで充填できることを理解されたい。
図5Eは、上部の基板503と共に見た密封基板500の上面図を示す。図示されている実施形態では、第2の基板503は略透明(例えばガラス基板)であり、従ってこの図から第1の基板501を視認できる。図5Fは、底部の第2の基板(標識なし)と共に見た密封基板500の反転図を示す。図示されている実施形態では、金属基板525(ヒートシンク)が、第1の基板501の第2の表面(標識なし)上に設けられる。第1の基板501及び金属化ビア521は、金属基板525の孔527を通して視認できる。この非限定的な実施形態において図示されているように、第1の基板501は不透明(例えば白色アルミナ基板)であり、従って第2の基板503はこの図から視認できない。
図6A〜Bは、本開示の特定の実施形態による密封デバイス、例えば図3に示す密封デバイスの、前面及び背面分解立体図を示す。第1の基板601は、最上層601a及び最下層601bから構成できる。最上層601aは、静置されたウェルプレート651を備えることができ、その一方で最下層601bは、最上層601aと接触した表面上に反射性コーティング653を備えることができる。量子ドット(図示せず)を、少なくとも1つのキャビティ605内に配置でき、また最下層601b上の少なくとも1つのLEDダイ609に接触するように配置できる。任意に、ガラスフリット又はペースト等の密封材料637aを、各キャビティの周りに堆積させることができる。上で議論したように、例えばレーザ溶接又はレーザフリット密封によって密封を実施し、密封デバイス600を形成できる。図6A〜Bに示すように、いくつかの実施形態では、シールはキャビティのアレイ全体の周りに延在できる。当然のことながら、キャビティの複数の群の周りの様々なシール、又は個々のキャビティの周りの個々のシール等といった、他のシールパターンも利用できることを理解されたい。
ゼブラコネクタ(又は他のいずれの好適なコネクタ)629を、LEDダイ609に接触させて配置でき、これは、画像コントラストを改善するために、各LEDを個別に制御して、高分解能の局所的調光を達成するための手段として機能できる。ヒートシンク625は、接着層(図示せず)によって密封デバイス600に取り付けることができる。更に、PCB631を設けることができ、このPCB631には、LEDダイ609がプリント回路構成655によって相互接続される。上記プリント回路構成は、銅ペースト又は他のいずれの伝導性材料といった、当該技術分野において公知のいずれの材料を用いて、構成する又は堆積させることができる。
本開示の様々な実施形態は、当該特定の実施形態に関連して記載されている特定の特徴、要素又はステップを伴い得ることが理解されるだろう。また、ある特定の特徴、要素又はステップは、ある特定の実施形態に関連して記載されていても、例示されていない組み合わせ又は順列で、相互交換してよく、又は代替実施形態と組み合わせてよいことが理解されるだろう。
また本明細書中で使用される場合、名詞は「少なくとも1つの」の対象を指し、そうでないことが明示されていない限り、「唯一の」対象に限定されてはならないことも理解されたい。従って例えば「キャビティ」に関する言及は、文脈によってそうでないことが明示されていない限り、1つのこのような「キャビティ」、又は2つ以上のこのような「キャビティ」を有する例を含む。同様に「複数の」又は「アレイ」は、2つ以上のものを指すことを意図しており、従って「キャビティのアレイ」又は「複数のキャビティ」は、2つ以上のこのようなキャビティを指す。
本明細書において、範囲は、「約(about)」ある特定の値から、及び/又は「約」別の特定の値までとして表現され得る。このような範囲が表現されている場合、その例は、上記ある特定の値から、及び/又は上記別の特定の値までを含む。同様に、先行詞「約」を用いることにより、値が概数として表現されている場合、上記特定の値は別の態様を形成することが理解されるだろう。更に、各範囲の端点は、他方の端点との関連でも、他方の端点とは独立しても、重要であることが理解されるだろう。
本明細書中で表現される全ての数値は、そうでないことが明示されていない限り、「約」と言明されているかいないかにかかわらず、「約」を含むものとして解釈されるものとする。しかしながら、挙げられている各数値は、その数値が「約」その数値として表現されているかどうかにかかわらず、同様に正確に考察されることが更に理解されるだろう。従って、「10mm未満の寸法(a dimension less than 10 mm)」及び「約10mm未満の寸法(a dimension less than about 10 mm)」はいずれも、「約10mm未満の寸法」及び「10mm未満の寸法の実施形態を含む。
そうでないことが言明されていない限り、本明細書に記載のいずれの方法が、そのステップを特定の順序で実施することを必要とするものとして解釈されることは、全く意図されていない。従って、ある方法クレームが、そのステップが従うべき順序を実際に列挙していない場合、又はステップをある特定の順序に限定するべきであることが、特許請求の範囲若しくは説明中で具体的に言明されていない場合、いずれの特定の順序が推定されることは全く意図されていない。
特定の実施形態の様々な特徴、要素又はステップが、移行句「…を含む/備える」を用いて開示される場合があるが、移行句「…からなる」又は「…から実質的になる」を用いて記載され得るものを含む代替実施形態も含意されていることを理解されたい。従って例えば、A+B+Cを含む方法に対して含意されている代替実施形態は、方法がA+B+Cからなる実施形態、及びA+B+Cから実質的になる実施形態を含む。
本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な修正及び変形を本開示に対して実施できることは、当業者には理解されるだろう。本開示の精神及び内容を組み込んだ、本開示の実施形態の修正、組み合わせ、部分的組み合わせ及び変形が、当業者には想起され得るため、本開示は、添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にある全てを含むものとして解釈されるものとする。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態1
第1の表面を有する第1の基板であって、上記第1の表面はキャビティのアレイを備える、第1の基板;
第2の基板;及び
上記第1の基板と上記第2の基板との間の少なくとも1つのシールであって、上記キャビティのアレイのうちの少なくとも1つのキャビティの周りに延在する、シール
を備える、密封デバイスであって、
上記少なくとも1つのキャビティは、少なくとも1つのLED構成部品に接触した少なくとも1つの量子ドットを備える、密封デバイス。
実施形態2
上記第1の基板又は上記第2の基板のうちの少なくとも1つは、ガラスを含む、実施形態1に記載の密封デバイス。
実施形態3
上記第2の基板は、金属化パターンを備えるガラス基板である、実施形態2に記載の密封デバイス。
実施形態4
上記少なくとも1つのLED構成部品は、上記金属化パターンに取り付けられる、実施形態3に記載の密封デバイス。
実施形態5
上記第1の基板は、アルミナ又はガラスの少なくとも1つの層を備える、実施形態1に記載の密封デバイス。
実施形態6
上記少なくとも1つのキャビティは、少なくとも1つの金属化ビアを備える、実施形態5に記載の密封デバイス。
実施形態7
上記少なくとも1つのLED構成部品は、上記少なくとも1つの金属化ビアに取り付けられる、実施形態6に記載の密封デバイス。
実施形態8
上記少なくとも1つのシールは、レーザ溶接部及びレーザフリットシールから選択される、実施形態1に記載の密封デバイス。
実施形態9
上記少なくとも1つのシールは、上記キャビティのアレイ中の単一のキャビティの周り、上記キャビティのアレイ中の2つ以上のキャビティの群の周り、又は上記キャビティのアレイ全体の周りに延在する、実施形態1に記載の密封デバイス。
実施形態10
少なくとも1つのヒートシンクを更に備える、実施形態1に記載の密封デバイス。
実施形態11
上記少なくとも1つのヒートシンクは、熱伝導性接着材によって、上記第1の基板又は上記第2の基板に取り付けられる、実施形態10に記載の密封デバイス。
実施形態12
上記少なくとも1つのヒートシンクは、上記第1の基板の上記第1の表面上に位置決めされた、少なくとも1つの金属ストリップを備える、実施形態10に記載の密封デバイス。
実施形態13
上記少なくとも1つのヒートシンクは、上記第1の基板の第2の表面上に位置決めされた金属基板を備え、上記金属基板は任意に1つ以上の孔を備える、実施形態10に記載の密封デバイス。
実施形態14
実施形態1に記載の密封デバイスを備える、バックライト。
実施形態15
実施形態1に記載の密封デバイスを備える、ディスプレイデバイス。
実施形態16
少なくとも1つのキャビティを備える第1の表面を有する第1の基板;
第2の基板;及び
上記第1の基板と上記第2の基板との間の少なくとも1つのシールであって、上記シールは上記少なくとも1つのキャビティの周りに延在する、少なくとも1つのシール
を備える、密封デバイスであって、
上記少なくとも1つのキャビティは、少なくとも1つのLED構成部品に接触した少なくとも1つの量子ドットを備える、密封デバイス。
実施形態17
上記少なくとも1つの量子ドットは、約400nm〜約700nmの波長の光を放出する、実施形態16に記載の密封デバイス。
実施形態18
上記少なくとも1つのキャビティは、異なるサイズの2つ以上の上記量子ドットを備える、実施形態16に記載の密封デバイス。
実施形態19
上記第1の表面は、単一の上記キャビティ又は上記キャビティのアレイを備える、実施形態16に記載の密封デバイス。
実施形態20
上記少なくとも1つのシールは、単一の上記キャビティの周り、2つ以上の上記キャビティの群の周り、又は上記キャビティのアレイの周りに延在する、実施形態16に記載の密封デバイス。
実施形態21
実施形態16に記載の密封デバイスを備える、ソリッドステート照明デバイス。
実施形態22
密封デバイスの作製方法であって、
少なくとも1つの量子ドットを、第1の基板の第1の表面上のキャビティのアレイ中の少なくとも1つのキャビティ内に配置するステップ;
上記少なくとも1つの量子ドットを少なくとも1つのLED構成部品と接触させるステップ;
第2の基板の第2の表面を、上記第1の基板の上記第1の表面と接触させるステップ;及び
上記第1の基板と上記第2の基板との間にシールを形成するステップであって、上記シールは、上記少なくとも1つのLED構成部品と接触した上記少なくとも1つの量子ドットを内包する上記少なくとも1つのキャビティの周りに延在する、ステップ
を含む、方法。
実施形態23
上記少なくとも1つのLED構成部品は、上記第2の基板の上記第2の表面に取り付けられ、
上記第1の表面及び上記第2の表面は、接触させられ、これにより、上記少なくとも1つの量子ドットを内包する上記少なくとも1つのキャビティと、上記少なくとも1つのLED構成部品とが整列される、実施形態22に記載の方法。
実施形態24
上記少なくとも1つのLED構成部品は、上記第1の基板の上記第1の表面上の上記キャビティのアレイ中の少なくとも1つのキャビティ内に位置決めされ、
上記少なくとも1つの量子ドットは、上記少なくとも1つのLED構成部品を含む上記少なくとも1つのキャビティ内に配置される、実施形態22に記載の方法。
実施形態25
上記第1の基板及び上記第2の基板のうちの少なくとも1つは、ガラス基板であり、
上記第1の基板と上記第2の基板との間にシールを形成する上記ステップは、レーザ溶接ステップ又はレーザフリットシール形成ステップを含む、実施形態22に記載の方法。
実施形態26
上記少なくとも1つのシールは、上記キャビティのアレイ中の単一のキャビティの周り、上記キャビティのアレイ中の2つ以上のキャビティの群の周り、又は上記キャビティのアレイ全体の周りに延在する、実施形態22に記載の方法。
実施形態27
少なくとも1つのヒートシンクを、上記第1の基板の上記第1の表面又は第2の表面に取り付けるステップを更に含む、実施形態22に記載の方法。
100 密封デバイス
101 第1の基板
103 第2の基板
105 キャビティ
107 量子ドット
109 ダイ
111 第1の表面
113 第2の表面
115 シール、溶接部
117 金属要素
119 ワイヤボンド
200 密封デバイス
201 第1の基板
201a 最上層
201b 最下層
203 第2の基板
205 キャビティ
207 量子ドット
209 LEDダイ、LED構成部品
219 金属線
221 金属化ビア
223 接着層
225 ヒートシンク
227 孔
229 コネクタ
231 プリント回路基板(PCB)
300 密封デバイス
301 第1の基板
301a 最上層
301b 最下層
303 第2の基板
305 キャビティ
307 量子ドット
309 LEDダイ
319 金属線
321 金属化ビア
323 接着層
325 ヒートシンク
331 プリント回路基板(PCB)
333 伝導性フィルム、反射性フィルム
335 特徴部分
400 密封デバイス
401 第1の基板
401a 固定用シート
401b 個片化された基板
403 第2の基板
405 キャビティ
407 量子ドット
409 LEDダイ
413 第2の表面
417 金属要素
425 ヒートシンク
437a 密封材料
437b シール
439 孔
500 密封基板
501 第1の基板
501a 最上層
501b 最下層
503 第2の基板
505 キャビティ
507 量子ドット
509 LED構成部品
521 金属化ビア、ビアホール
525 金属基板
527 孔
541 孔
600 密封基板
601 第1の基板
601a 最上層
601b 最下層
605 キャビティ
609 LEDダイ
625 ヒートシンク
629 ゼブラコネクタ
631 PCB
637a 密封材料
651 ウェルプレート
653 反射性コーティング
655 プリント回路構成

Claims (13)

  1. 第1の表面を有する第1の基板であって、前記第1の表面はキャビティのアレイを備える、第1の基板;
    第2の基板;及び
    前記第1の基板と前記第2の基板との間の少なくとも1つのシールであって、前記キャビティのアレイのうちの少なくとも1つのキャビティの周りに延在する、シール
    を備える、密封デバイスであって、
    前記少なくとも1つのキャビティは、少なくとも1つのLED構成部品に接触した少なくとも1つの量子ドットを備える、密封デバイス。
  2. 前記第1の基板又は前記第2の基板のうちの少なくとも1つは、ガラスを含む、請求項1に記載の密封デバイス。
  3. 前記第1の基板は、アルミナ又はガラスの少なくとも1つの層を備え、
    前記少なくとも1つのキャビティは、少なくとも1つの金属化ビアを備え、
    前記少なくとも1つのLED構成部品は、前記少なくとも1つの金属化ビアに取り付けられる、請求項1又は2に記載の密封デバイス。
  4. 前記少なくとも1つのシールは、レーザ溶接部及びレーザフリットシールから選択され、
    前記少なくとも1つのシールは、前記キャビティのアレイ中の単一のキャビティの周り、前記キャビティのアレイ中の2つ以上のキャビティの群の周り、又は前記キャビティのアレイ全体の周りに延在する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の密封デバイス。
  5. 少なくとも1つのヒートシンクを更に備え、
    前記少なくとも1つのヒートシンクは、熱伝導性接着材によって、前記第1の基板又は前記第2の基板に取り付けられ、
    前記少なくとも1つのヒートシンクは、前記第1の基板の前記第1の表面上に位置決めされた、少なくとも1つの金属ストリップを備えるか、又は前記少なくとも1つのヒートシンクは、前記第1の基板の第2の表面上に位置決めされた金属基板を備え、前記金属基板は任意に1つ以上の孔を備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載の密封デバイス。
  6. 前記少なくとも1つの量子ドットは、約400nm〜約700nmの波長の光を放出する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の密封デバイス。
  7. 前記少なくとも1つのキャビティは、異なるサイズの2つ以上の前記量子ドットを備える、請求項1〜6のいずれか1項に記載の密封デバイス。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の密封デバイスを備える、バックライト又はディスプレイデバイス。
  9. 密封デバイスの作製方法であって、
    少なくとも1つの量子ドットを、第1の基板の第1の表面上のキャビティのアレイ中の少なくとも1つのキャビティ内に配置するステップ;
    前記少なくとも1つの量子ドットを少なくとも1つのLED構成部品と接触させるステップ;
    第2の基板の第2の表面を、前記第1の基板の前記第1の表面と接触させるステップ;及び
    前記第1の基板と前記第2の基板との間にシールを形成するステップであって、前記シールは、前記少なくとも1つのLED構成部品と接触した前記少なくとも1つの量子ドットを内包する前記少なくとも1つのキャビティの周りに延在する、ステップ
    を含む、方法。
  10. 前記少なくとも1つのLED構成部品は、前記第2の基板の前記第2の表面に取り付けられ、
    前記第1の表面及び前記第2の表面は、接触させられ、これにより、前記少なくとも1つの量子ドットを内包する前記少なくとも1つのキャビティと、前記少なくとも1つのLED構成部品とが整列される、請求項9に記載の方法。
  11. 前記少なくとも1つのLED構成部品は、前記第1の基板の前記第1の表面上の前記キャビティのアレイ中の少なくとも1つのキャビティ内に位置決めされ、
    前記少なくとも1つの量子ドットは、前記少なくとも1つのLED構成部品を含む前記少なくとも1つのキャビティ内に配置される、請求項9又は10に記載の方法。
  12. 前記少なくとも1つのシールは、前記キャビティのアレイ中の単一のキャビティの周り、前記キャビティのアレイ中の2つ以上のキャビティの群の周り、又は前記キャビティのアレイ全体の周りに延在する、請求項9〜11のいずれか1項に記載の方法。
  13. 少なくとも1つのヒートシンクを、前記第1の基板の前記第1の表面又は第2の表面に取り付けるステップを更に含む、請求項9〜12のいずれか1項に記載の方法。
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