JP2018519413A - タンタルスパッターターゲットの製造方法及びこれにより製造されたスパッターターゲット - Google Patents

Abstract

Ｔａスパッターターゲットを製造する方法及びそれによって製造されたスパッターターゲット。Ｔａインゴットはｘ、ｙ、及びｚ方向のうち少なくとも２つの方向に沿って圧縮加工され、続いて、これらの方向のうち少なくとも１つの方向にクロス圧延加工される。次に、一対のターゲットブランクが当該クロス圧延加工されたインゴットから切断される。得られたターゲットは｛１００｝金属組織及び｛１１１｝金属組織の優勢な混合を有し、かつ、減少されたＢ｛１００｝及びＢ｛１１１｝バンド・ファクターを有する。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１５年４月１０日に出願された米国仮特許出願第６２／１４５，５５０号の優先権の利益を主張する。

本発明はＢＢＣ（body-centered cubic：体心立方格子構造）金属及びＢＣＣ合金スパッターターゲット、並びに、ターゲットの中央厚さでのバンド（banding）が従来の方法に比べて少なくなるＢＢＣ金属及びＢＣＣ合金スパッターターゲットの製造方法に関する。本発明は膜厚一様性を改善し、それがシート抵抗のばらつきを減少するＴａスパッタリングターゲットをもたらす。

従来のＴａ及びその他のＢＣＣ金属ターゲットは、ターゲットエリアの中央厚さ付近で｛１１１｝及び｛１００｝結晶方位のバンドが現われる。これらのバンドによって、ターゲットの寿命を通じてスパッタリングでの基板の非一様性がもたらされる。

本発明の１つの代表的な態様では、ＢＣＣ金属又はＢＣＣ合金ターゲットが作製される。ターゲットのインゴットとして、略円柱形の形態とｘ、ｙ及びｚ座標方向を有するインゴットが提供される。インゴットはこれらの座標方向のうち少なくとも２つの座標方向において圧縮加工され、座標方向のうち少なくとも１つにクロス圧延加工される。結果として得られるインゴットは、第１の座標方向に対して垂直にかつ第２の座標方向に対して平行に切断されて、少なくとも一対のターゲットブランクが形成される。次にターゲットブランクそれぞれがクロス圧延加工される。

１つの代表的な実施形態において、インゴットはｙ方向とｚ方向に圧縮加工され、次にインゴットは、ｚ方向に対して垂直にかつｙ方向に対して平行に切断することによって一対のターゲットブランクになるように切断される。いくつかの実施形態において、圧縮加工工程は鍛造を含んでもよい。別の実施形態では、この鍛造はｘ、ｙ及びｚ座標方向に行われてもよく、それによって「三軸鍛造」が定義される。

本発明の別の実施形態では、ＢＣＣ金属はＴａ又はＴａ合金である。Ｔａ金属又はＴａ合金を含むスパッターターゲットがこのようにして提供され、これらのターゲットは１つの厚さ寸法と少なくとも９９．５％の純度、及び合計が約２５ｐｐｍ未満のＣ、Ｏ、Ｎ、Ｈ成分を有する。Ｔａ金属又は合金は、約５０から１００ミクロンの粒度と、厚さ寸法の中央部分にわたり実質的に勾配のない混合した金属組織を有し得る。

いくつかの実施形態において、スパッターターゲットは、２５ｐｐｍ未満のＣ、Ｏ、Ｎ、Ｈ含有量を有してもよく、その粒度は約５０から１５０ミクロンである。いくつかの実施形態において、スパッターターゲットは９９．９９５％又はそれ以上の純度を有する。ターゲットは、｛１１１｝と｛１００｝の金属組織の優勢な混合を有することを特徴としてもよく、ターゲットは減少した｛１１１｝及び｛１００｝のバンド・ファクターを有し、Ｂ｛１００｝及びＢ｛１１１｝バンド・ファクターは、それぞれ５．００％未満である。

別の実施形態では、バンド・ファクターＢ｛１００｝及びＢ｛１１１｝は、それぞれ４．００％未満である。特定の代表的実施形態において、ターゲットは｛１００｝のモル分率が約３０％であり、｛１１１｝のモル分率が約２７％である。

本発明に係る１つの代表的製造スキームを示す模式プロセス図である。 本発明に係る別の代表的製造スキームを示す模式プロセス図である。 本発明に係る１つのスパッターターゲットの全体にわたるターゲット金属組織を示すグラフである。グラフにおいて、ｘ方向はターゲット厚さを示し、ｙ方向は、特定のターゲット厚さ位置に存在する所与の結晶方位の分量を示す。 従来のプロセスで作製されたターゲットの全ターゲット金属組織を示していること以外は、図２に示すグラフと同様のグラフである。 比較用スパッターターゲットＣ−１と、本発明によって製造されたターゲットＸ−１の種々のターゲットパワー出力でスパッタリングされた膜の非一様性のパーセンテージを示すグラフである。

本発明の一実施形態において、Ｔａ又はＴａ合金又はその他のＢＣＣ金属のインゴットが得られる。一実施形態において、図１ａに示すように、インゴットは電子ビームで溶解されて、真空アーク溶解される。インゴットの中心線は、最初のインゴットの中心ｚ軸として規定される。ビレットは各三軸鍛造工程中にｘ軸のまわりに９０度回転される。この三軸鍛造は何回か反復されてもよく、反復する毎に高さが減少され、次にビレットは、スエージ加工で元の直径に戻され、それに伴い高さはｘ軸に沿って増加する。各スエージ加工工程後に、ビレット軸はｙ軸のまわりにさらに９０度回転される。インゴットは次に真空焼なまし処理され、続いて切断ステップを経てダブルのターゲットブランクを製造し、ブランクの重量は最終ターゲット重量の略２．２倍である（すなわち、ダブルのブランク自体が最終ターゲット重量の約２．２倍の重量である）。ターゲットダブルブランクはアップセット鍛造加工されクロック圧延加工されてもよい。アップセット鍛造加工及びクロック圧延加工中に、インゴットの中心線はインゴットの中心に、かつ製造中に用いられる圧縮力に対して平行に維持される。第１のクロック圧延加工後に、ターゲットダブルブランクはインゴット中心線に対して垂直に、かつターゲットブランク面に対して平行に半分に切断される。結果として得られる２つのストリップは付加的なクロック圧延加工を経て、引き続き最終真空焼なまし処理を受ける。この処理で、スパッターターゲットとして用いられるニアネットシェイプブランクを得る。

図１ａに示すように、ｚ軸に沿った中央インゴット軸を有する出発原料のインゴット１は、中心軸に対して平行に特定の高さにアップセット鍛造されてビレット２を形成し、次にｘ軸のまわりに９０度回転させられる。ビレット２はスエージ加工でインゴット１の元の直径まで戻されてビレット３が得られる。ビレット３をスエージ加工するために用いられる圧縮力は、ｙ軸に沿っており中央インゴット軸に対して平行である。上記の工程をさらに２回繰り返して、元の寸法とインゴット１と同じ中央インゴット軸を備えたビレット７が得られる。次にビレット７は、ｙ軸に沿った圧縮力で、さらに小さいダイで特定の直径にスエージ加工されてビレット８が得られる。このビレットのｘ、ｙ及びｚ方向の鍛造は「三軸」鍛造と呼ばれる。図１の黒矢印は中央インゴット軸を示し、赤矢印は現インゴット形態を生成するために用いられる圧縮力の方向を示す。結果として得られたビレット８はダブルターゲットブランクに分割され、アップセット鍛造されて、１０及び１１で示すようにｚ軸に沿った圧縮力でクロス圧延加工又はクロック圧延加工される。次にビレットは、１２で示すようにｚ軸に対して垂直かつｙ軸に対して平行に切断され、その後１３で示すようにそれぞれの得られたビレット半体がクロス圧延加工される。結果として得られる２つのストリップは最終真空焼なまし処理を受ける。

図１ｂは、ビレットが二方向、ｙとｚに鍛造される別の実施形態を示す。この場合、ビレットは、ビレット２のまわりの赤矢印で示すようにｚ軸に沿ってアップセット鍛造される。ビレット２は、インゴット１の元の直径までスエージ加工で戻されてビレット３を得る。ビレット３をスエージ加工するために用いられる圧縮力は、ｙ軸に沿っており中央インゴット軸に対して垂直である。この工程が３回繰り返されてビレット３が得られる。次にビレット３は、ｙ軸に沿った圧縮力で、さらに小さいダイで特定の直径にスエージ加工されてビレット４が得られる。結果として得られたビレット４はダブルターゲットブランクに分割され、アップセット鍛造加工されて、６及び７で示すようにｚ軸に沿った圧縮力でクロス圧延加工又はクロック圧延加工される。次にビレットは、８で示すようにｚ軸に対して垂直かつｙ軸に対して平行に切断され、その後９で示すようにそれぞれの得られたビレット半体がクロス圧延加工される。結果として得られた２つのストリップは最終真空焼なまし処理を受ける。図１ａ及び１ｂにおいて、破線矢印１０２ｆは力の方向を示し、実線矢印１０２ｃｌはインゴット中心線を表す。単純化するため、一部の矢印にのみ参照番号を付している。

すると、両実施形態１a及び１ｂにより、Tａ又はＴａ合金（あるいはＢＣ金属又は合金）ターゲットが、ｘ方向と、ｘ方向に対して垂直なｙ方向と、ｘ及びｙ方向に延出するベクトルによって画定される平面に対して垂直なｚ方向を有する略円柱形のビレットを提供することによって作成されることは明白である。次にビレットはこれら３方向のうち少なくとも２方向に沿って圧縮加工される。各鍛造加工工程の間に再結晶化焼なまし処理が実行されてもよく、好ましくは各スエージ加工工程の後、また、最終クロス圧延加工又はクロック圧延加工工程の後に行われる。

図１ａ及び１ｂの両実施形態は、適切な最終機械加工及び／又は研磨工程の後に適切なスパッターターゲットとして用いられてもよい、少なくとも一対のニアネットシェープターゲットブランクをもたらす。Ｔａが少なくとも９９．５％の純度であり、約２５ｐｐｍ未満の間質含量（Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｈ）を有するＴａ及びＴａ合金ターゲットが得られる。本発明によるＴａターゲットは約５０−１００ミクロンの均一な粒度と、ブランクの厚さにわたり混合した均質な｛１００｝／｛１１１｝／｛１１０｝金属組織(texture)を有する。

本発明による１つのターゲットの金属組織が図２に示されている。ここで、グラフのｘ方向はターゲット厚さを表し、ｙ方向は特定のターゲット厚さ位置に存在する結晶方位の分量を表す。線２００は｛１００｝金属組織を表し、線２０２は｛１１１｝金属組織を表し、線２０４は｛１１０｝金属組織を表す。図２において、｛１００｝のモル分率は０．３００であり、｛１１１｝のモル分率は０．２７８であり、｛１１０｝のモル分率は０．０４６である。（これらはそれぞれ１００倍されて、存在するモル％を規定する）。バンド・ファクターＢは、Ｂ｛１００｝が３．６１６％であり、Ｂ｛１１１｝が４．１３８％である。｛１００｝及び｛１１１｝それぞれに関して約５．００％未満のバンド・ファクターが有益であり、約４．５０％未満のファクターＢがさらに好ましい。ターゲットに関して、平均バンド・ファクター、Ｂ｛１００｝とＢ｛１１１｝が約４．５０未満であることが有益と見なされるが、平均バンド・ファクター、Ｂ｛１００｝とＢ｛１１１｝が３．８７７％である。このように、このターゲットは実質的にバンド形成がない状態で｛１００｝と｛１１１｝の優勢な混合を表している。｛１１０｝は少量存在する。

本発明により製造されたスパッタリングターゲットによって形成された薄膜は、膜厚一様性のばらつき（非一様性パーセント）が３．０００％以下であり、より好ましくは２．０００％以下である。図４を参照されたい。さらに、本発明により製造されたスパッタリングターゲットによって形成された薄膜は、ウェハ内及びウェハ間のシート抵抗のばらつきが４．００％以下であり、より好ましくは３．００％以下である。

本発明により製造された１つのターゲットは、図４に示される代表的スパッタリング性能を有した。このターゲットは、バンド・ファクターＢ｛１００｝が３．７９８％であり、Ｂ｛１１１｝が４．１２６％であり、Ｂ｛１００｝とＢ｛１１１｝の平均が３．９６２％であった。このターゲットは、１．４４７％の平均パーセント（結果として得られるスパッタリング膜に関して）非一様性を示し、ターゲットの寿命を通して０．９２８％という低さを達成した。ウェハ内の膜電気抵抗のばらつきパーセントは平均で２．６１％であり、１．７７％という低さを達成した。｛１００｝と｛１１１｝両方の金属組織に関して５．００％未満のバンド・ファクターを有するスパッタリングターゲットは、代表的薄膜特性をもたらすことが明らかである。

図３は、従来技術に従って、従来技術で処理されたＴａターゲットの金属組織を表す。線３００は｛１００｝金属組織を表し、線３０２は｛１１１｝の金属組織を表し、線３０４は｛１１０｝の金属組織を表す。ここで｛１００｝のモル分率は０．１６３であり、｛１１１｝のモル分率は０．３５９の分量で存在する。｛１１０｝のモル分率は０．１０７の分量で存在する。バンド形成は顕著であり、Ｂ｛１００｝＝６．０３９％であり、Ｂ｛１１１｝＝８．８０％である。

本発明によるＴａターゲットは、５０％モル分率（１００％モル分率に基づいて）以上で混合され、ターゲットバンド形成率Ｂ｛１００｝及びＢ｛１１１｝がそれぞれ５．００％未満である場合に、優勢な混合された｛１００｝｛１１１｝金属組織、すなわち｛１００｝｛１１１｝両方の金属組織を表す。存在する金属組織のモル分率及びバンド形成率を確定する方法は、公表された米国特許出願公開第２０１１／０２１４９８７号に詳述され、当該米国特許出願公開は、参考として、本明細書に加えるものとする。

約９００〜１３００℃の再結晶化焼なまし処理工程はプロセス中の種々のタイミングで実行されてもよく、例えば、最終クロック圧延加工工程（例えば図１ａ及び１ｂのワークステーション１３及び９）の後、及び工程のその他の圧縮加工工程前又はそれらの間の真空条件下で実行されてもよい。種々のクロス圧延加工又はクロック圧延加工工程は、いくつかの実施形態において、約７０％の面積縮小をもたらし得る。

好ましくはＢＣＣ金属がＴａであるが、Ｎｂも挙げられる。Ｔａ／Ｎｂ合金も、この工程によって処理されてもよい。

金属組織成分、厚さに全体にわたるばらつきを定量化するために、フィーチャを互いから独立して測定することを可能にする方法が、有力なタンタルスパッタープレート供給業者とユーザによって共同開発された。圧延タンタルプレートにおいて、金属組織は、その中心厚中央線まわりで大体対称であり、各半体（上半体と下半体）は別々に解析されて比較され得る。厚さ全体にわたる試料が、電子後方散乱回折機能を備えたＳＥＭで測定され、二次元マップがＥＢＳＤデータファイルとして収集される。「測定とおりの」方位は横断面にあり、各データポイントは回転されて、プレートに垂直な方位（ＮＤ）内の金属組織を示す。各データポイントは金属組織方位を有し、個々の結晶粒はインデックス化され得る。ピクセル毎のデータが以降の解析で用いられる。

元のＥＢＳＤデータは全ての可能な金属組織を表す多色カラーマップから、三原色に変換され得る。三原色は、表示において等しいコントラストを示す故に選択された。解析した３つの金属組織に関する１５°カットオフ（ｃｕｔ−ｏｆｆ）範囲内でインデックス付けできないポイントはいずれもグレーカラーで示し、解析された金属組織の体積分率（Ｆｔｏｔａｌ）に含めなかった。

計算のために、全データ集合は、ｘ方向(厚さ方向)に垂直な多くのスライスに分割される。結晶組織は各スライスについて (ｙ方向全体にわたって)平均される。各スライスの幅がｘステップ距離(x-step distance)である。このｘステッピング距離は、ピクセルマップの作成に使用するために、ｘ方向の電子ビームのステップ最小増分の整数倍（ｎステップ）(an integer multiple (n-step) of the minimum e-beam stepping increment)として特定される。通常、１のｎステップ(an n-step of 1)が使用される。電子ビームステップ距離が結晶粒度に比してはるかに小さく設定されている場合には、それは大きめにとることができる。ＥＢＳＤステップ寸法は、平均直線切片(the average linear intercept)（ＡＳＴＭ規格 Ｅ１１２結晶粒度法）の約１／３に設定すべきである。解析領域は、少なくとも１００ステップの幅（ＲＤ圧延方向）とすべきである。

成分の強度（通常、１００／／ＮＤ及び１１１／／ＮＤがタンタル板材の主要二成分である）を、１５°カットオフを使用して、各半厚部分の面積百分率として測定した。二次元ＥＢＳＤマップの解析のために、３つの金属組織成分｛１００｝、｛１１０｝及び｛１１１｝のみを解析した。ＥＢＳＤ入力ファイルからのデータ、すなわちＦ１００、Ｆ１１０、Ｆ１１１及びＦｔｏｔａｌ、を受け入れるために、４つの配列（それぞれ長さｎカウント）が必要である。ピクセルマップの各ポイントに関して、ｘ位置（厚さ方向）が、計算配列の更新のためのインデックス位置(index location)は次式のように決定される。

オイラー角度Φ及びΦ２によって方位空間内のターゲット面の法線（Ｎｔ）の位置が決定される。これらの２つの角度は、それぞれ、０〜９０°及び０〜３６０°の範囲に及ぶ。データファイルの各ピクセルにおいて、関連する金属組織の成分の各方位に対してＮｔの角度を計算する必要がある。３つの成分に関して、計算すべき２６個の角度が存在する。結晶対称性の操作の使用により、Φ及びΦ２の範囲を狭めることができる。見出された最小角度によって金属組織成分「候補」を決定される。その角度は「カットオフ」角度（１５°として選択）と比較される。この角度が「カットオフ」角度よりも小さい場合、候補配列が増分される（すなわち、Ｆ１００（インデックス）＝Ｆ１００（インデックス）＋１）。総カウント配列が増分される（Ｆｔｏｔａｌ（インデックス）＝Ｆｔｏｔａｌ（インデックス）＋１）。

上で略述したようにして、全てのピクセルデータポイントに関する計算が完了すると、金属組織成分の体積分率はｘステップの深さ分解能で深さ方向（ｘ）の関数として計算される。

ウィンドウを分析領域の端から端まで動かし、各ウィンドウにおいてＦ（ｈｋｌ）を収集することによって、各金属組織成分を分析した。Ｆ（ｈｋｌ）の値を、位置(ウィンドウの中心)に対してプロットした。ｘステップよりも大きなバンド又はウィンドウを作成し、バンド又はウィンドウ内の体積成分を平均することによって、データは平滑化されることができる。体積フラクション・データは、各ｘステップ位置におけるバンド内の平均値としてプロットされる。

面積分率Ｆ（ｈｋｌ）が各ウィンドウ位置に関して把握されたならば、最小二乗法を用いて、データに曲線を当てはめることができる（線形回帰）。この曲線の勾配は、面積フラクション／距離（％／ｍｍ）を単位とする金属組織の勾配である。勾配は半分の厚さに関してのみ計算すればよい。試料のどちらの半分でも、プレートの対称性の決定のための測定を行うことができる。

バンド形成について調べるために、Ｆ（ｈｋｌ）曲線を４次以下の多項式に当てはめることができ、データのこの多項式からの平均ずれ（差の絶対値）を、バンド形成強度数(banding severity number)として使用することができる。この多項式は、勾配の非線形性を説明するものであり、そして、結果としてバンド形成の過大評価を防止するものである。ノイズもバンド形成の計算にとって１つの問題となる。

ＥＢＳＤ分析においては、通常の個々の面のＸ線回折による金属組織分析に比して、非常に少数の結晶粒しか分析されない（数千対数百万）。分析に使用される結晶粒の数が割合に少数であるために、低い信号雑音比となる。ノイズレベルを評価するために、分析グリッドの全てのポイント（全ＥＢＳＤ点）にランダムに金属組織を割り振って、同じ分析を行うことができる。すると、ゼロよりも大きなバンド形成強度数が得られる。このノイズ計算を何回も実行することにより、平均のランダムノイズを決定して、実際のデータ集合からの結果と比較することができる。このＥＢＳＤ測定法は強力であるが、時間がかかる。従来のＸＲＤの場合と同数の結晶粒からのデータを集積するのは、実用的ではない。分析の補助のために、ＥＢＳＤデータファイルから自動的に計算を行うコンピュータプログラムを作成し、グラフの形の結果を得ることができる。そのようなプログラムが作成され、当該プログラムによって当該方法を発展させるためにメンバーが協働できるようになった。

本発明をその様々な代表的実施形態に即して説明したが、明らかに、添付の特許請求の範囲に定める本発明の範囲を逸脱することなく、本発明について変形及び変更を行うことができる。

１ インゴット
２ ビレット
３ ビレット
７ ビレット
８ ビレット

Claims (20)

1. （ａ）略円柱形であり、ｘ，ｙ及びｚ座標方向を有するインゴットが提供される工程と、
   （ｂ）当該インゴットを少なくとも２つの座標方向に圧縮加工する工程と、
   （ｃ）当該インゴットを少なくとも１つの座標方向にクロス圧延加工する工程と、
   （ｄ）少なくとも一対のターゲットブランクを形成するために、工程ｃによって得られるインゴットを第１の当該座標方向に垂直に、かつ、第２の当該座標方向に平行に切断する工程と、
   及び
   （ｅ）当該ターゲットブランクの各々をクロス圧延する工程と、
   を含む、ＢＢＣ金属又はＢＢＣ合金のターゲットを製造する方法。
2. 工程ｂにおける当該少なくとも２つの座標方向がｙ方向及びｚ方向であり、そして工程ｄにおける当該第１の座標方向がｚ方向であり、当該第２の座標方向がｙ方向である請求項１に記載の方法。
3. 当該工程ｂが鍛造加工を含んでいる請求項１又は２に記載の方法。
4. 当該鍛造加工がｘ、ｙ及びｚ座標方向に実施され、これによって３軸鍛造加工が定義される請求項３に記載の方法。
5. 当該ＢＢＣ金属がＴａ又はＴａ合金である請求項１から４までのいずれか１つに記載の方法。
6. 当該ターゲットは、｛１００｝及び｛１１１｝金属組織の優勢な混合を有し、そして、減少された｛１００｝及び｛１１１｝バンド・ファクター(banding factors)を有し、当該Ｂ｛１００｝バンド・ファクター及び当該Ｂ｛１１１｝バンド・ファクターが、それぞれ、５．００％未満である請求項５に記載の方法。
7. 当該Ｂ｛１００｝バンド・ファクター及び当該Ｂ｛１１１｝バンド・ファクターが、それぞれ、４．５０％未満である請求項６に記載の方法。
8. 当該Ｔａが９９．５％以上の純度及び約５０−１００ミクロンの一様な粒径を有している請求項７に記載の方法。
9. Ｂ｛１００｝及び当該Ｂ｛１１１｝の平均が、４．００％未満である請求項６に記載の方法。
10. 当該ターゲットは約３０％の｛１００｝モル分率を有している請求項８に記載の方法。
11. 当該ターゲットは約２７％の｛１１１｝モル分率を有している請求項８に記載の方法。
12. 当該工程ｂは鍛造加工、スエージ加工又は押出し加工を含んでいる請求項１に記載の方法。
13. 膜厚一様性のばらつき（非一様性パーセント）が３．０００％以下であり、かつ、ウェハ内及びウェハ間のシート抵抗のばらつきが４．００％以下である、請求項１から１２までのいずれか１項に記載のタンタルスパッタリングターゲットを用いて製造された半導体応用のための薄膜。
14. 厚さ寸法（a thickness dimension）を有し、少なくとも９９．５％の純度と２５ｐｐｍ未満の結合されたＣ、Ｏ、Ｎ、Ｈ成分を有し、Ｔａ金属又はＴａ合金が約５０〜１５０ミクロンの粒径と当該厚さ寸法の中央部分にわたりバンディングのない混合金属組織とを有する、Ｔａ金属又はＴａ合金を含むスパッターターゲット。
15. 当該Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｈ成分が２５ｐｐｍ未満であり、かつ、当該粒径が５０〜１５０ミクロンである、請求項１４に記載のスパッターターゲット。
16. ９９．９９５％以上の純度を有する、請求項１４に記載のスパッターターゲット。
17. 当該ターゲットは｛１００｝金属組織及び｛１１１｝金属組織の優勢な混合を有し、かつ、減少された｛１００｝及び｛１１１｝バンド・ファクターを有し、当該Ｂ｛１００｝バンド・ファクター及び当該Ｂ｛１１１｝バンド・ファクターが、それぞれ、５．００％未満である、請求項１４に記載のスパッターターゲット。
18. Ｂ｛１００｝及びＢ｛１１１｝が４．５０％未満である、請求項１７に記載のスパッターターゲット。
19. Ｂ｛１００｝及びＢ｛１１１｝の平均が４．００％未満である、請求項１８に記載のスパッターターゲット。
20. 当該ターゲットが約３０％の｛１００｝モル分率及び約２７％の｛１１１｝モル分率を有している、請求項１８に記載のスパッターターゲット。
    

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