JP2018517274A - 抵抗ランダムアクセスメモリとして使用するための有機ケイ酸ガラス膜の堆積プロセス - Google Patents
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Abstract
Description
(a)UV放射及びオゾンを使用して、孔を作り出し全ての揮発性残留物を剥離し、次いで、0.001未満の極めて低い消散係数を有する多孔質ケイ素含有膜が生じる;
(b)H2プラズマと組み合わせた広帯域UVを使用して、孔を作り出し、Siと結合した水素で置換してSi−CH3を剥離する。そのようなSi−H結合は、活性化のための要求電位を下げて電鋳プロセスにおいて電位欠陥部位として作用する;及び/又は
(c)EUV(<176nm)を使用して、孔を作り出し、Si−Hで置換してSi−CH3を剥離する。そのようなSi−H結合は、活性化のための要求電位を下げて電鋳プロセスにおいて電位欠陥部位として作用する。
本発明で使用される基材のワークは低抵抗率p型Si(0.005Ω・cm)であった。室温で、これらの基材は約8〜10Aの表面の自然酸化物を含み、それは欠陥のない高品質の熱酸化物であった。この自然酸化物は、Si基材への欠陥駆動(defect driven)導電経路の完成を防ぐ場合があると想定される。SiOx膜の堆積の前に、幾つかのウエハについて、高密熱SiOx自然酸化物表面を除去した。評価した除去の第1の方法は、希釈(5%)HF溶液を使用したウェットエッチであった。ウエハを、撹拌しながら10分間希釈HF溶液に浸して、次いでDI水で洗浄して乾燥した。次に、表面の再酸化を防ぐために、これらのウエハを自然酸化物剥離の5分以内に堆積用のP5000に移動させた。
850mg/分のシクロオクタン流;150mg/分のDEMS流;100sccmのCO2キャリアガス;20sccmのO2;700ワットの印加プラズマ電力;8Torrのチャンバー圧力;300℃のサセプタ温度;45〜55nmの事前UV硬化膜厚を作る90秒間の堆積時間のプロセス条件を使用してSiOx膜を堆積することによって、自然酸化物の除去プロセスの比較を行った。3つの基材コンディショニング法:希釈HFウェットエッチと、その場NF3プラズマと、自然酸化物の剥離無しとを評価した。2つの20個のデバイスアレイについての試験結果を表Iに示した。自然酸化物を除去するために使用されたその場NF3プラズマは、20個のデバイス/アレイで最も高い歩留りを与えた。
3つの異なるポロゲン:構造形成体の混合比を使用することで、電気スイッチング特性に基づいて膜の多孔率の比較を行った。これらは、70%ポロゲン/30%構造形成体;80%ポロゲン/20%構造形成体;90%ポロゲン/10%構造形成体を含んでいた。SiOx膜の導電性を増加させることは、電流が膜を通過することを可能にするのに十分な欠陥密度を生成することを要求すると考えられる。これを達成するための2つのアプローチは、孔サイズ又は孔密度に基づく。5〜10nmのメソ孔の使用により、一方の電極から他方の電極に相互接続された連続多孔質ネットワークを作り出すことができる。PECVDを使用して堆積した多孔質膜は、典型的に、2nm未満の直径を有する微小孔又は孔を作り出す。孔サイズがより小さくなると、典型的に比多孔率と表される孔容積又は孔密度は、導電経路を構築するためにより重要になる。多孔質SiOx膜に対するPECVDの適用において、他の因子の中からポロゲンに対する構造形成体の比を選択することで孔密度を制御することができる。不十分な孔密度が存在している場合は、電極間の導電経路は構築されず、膜は最終的にハードブレークダウンが発生する。多孔率が極めて大きい場合、これは、導電性に影響を与える因子、例えば、膜内の炭素の量及びタイプと組み合わさり、SiOx系多孔質膜に、低印加電位での導電性及び短絡を引き起こすか、又は電流がOFF状態における電極間で漏洩する(漏洩電流が極めて高い)場合がある。最適な多孔率は、比較的低電圧でセットし、より高い電圧でリセットし、印加電圧が変化した場合に前後にスイッチングすることができるヒステリシスな電流−電圧スイープを持つ膜を提供する。以下の3つの膜を同様の条件下で堆積した。合計で1000mg/分の前駆体流を使用した。70:30の場合では、これは700mg/分のシクロオクタンと300mg/分のTEOSとで構成され、80:20の場合では、800mg/分のシクロオクタンと200mg/分のTEOSとで構成され、90:10の場合では、900mg/分のシクロオクタンと100mg/分のTEOSとで構成されていた。TEOS及びシクロオクタンに対して100sccmのCO2のキャリアガス流をそれぞれ使用した。O2流は20sccm、プラズマ電力は700ワット、チャンバー圧力は8Torr、堆積温度は300℃であった。全ての3つの条件について、45〜55nmの厚さを持つ膜を堆積して、そして、次に広帯域UV源を使用して90秒間アニールして、ポロゲンを除去し、孔を生成した。膜の孔容積を、エリプソポロシメトリ法(Ellipsometric Porosimetry)(EP)により決定し、X線光電子分光法(XPS)により炭素含有量を決定し、値は以下の表IIに示される。予期されたように、最も高いポロゲン:構造形成体比(90:10)を持つプロセスでは、最も高い多孔率及び炭素含有量を示した。これらの3つの膜を使用してメモリデバイスを構築し、上で説明したように試験した。各膜について得られた電流−電圧プロファイルは図4A〜Cに示される。具体的には、図4Aでは、28Vの印加電位での誘電体のハードブレークダウンを示している。膜は約25%の孔密度と、極めて低い残留炭素とを有していた。図4Bでは、抵抗メモリスイッチングデバイスのヒステリシスな電流−電圧プロファイルを示している。この膜は25%超の孔密度と、10%未満の炭素含有量とを有していた。図4Cでは、極めて低い印加電位でブレークダウンする膜のプロファイルを示しており、メモリスイッチングデバイスとして作用するのに十分に絶縁されていない。この膜は30%超の多孔率と、20%超の残留単層とを有していた。高い多孔率と残留炭素との組み合わせは、低印加電位での早期のブレークダウンをもたらす場合がある。
要求された基材コンディショニングと、導電経路が膜の全体の厚さを横断することを可能とするのに十分な孔密度とが現れた後、80:20及び85:15のポロゲン:構造形成体比を使用して、膜を堆積して試験した。これらの膜を十分に長い時間硬化して、炭素含有量を20%以下まで低減した。堆積条件は、構造形成体TEOS(150又は200mg/分)と、シクロオクタン(850又は800mg/分)との合計1000mg/分の前駆体流;各前駆体について100sccmのCO2キャリアガス;20sccmのO2流;700ワットのRF電力;8Torrのチャンバー圧力;300℃の堆積温度で構成されていた。45〜60nmの厚さを持つ膜を堆積して、広帯域のUV源を使用して90秒間使用してUV硬化した。次に、その膜を使用して図2に示されるようなメモリデバイスを構築した。図5A及び5Bに示される代表的な電流−電圧スイーププロファイルを持つスイッチング能力について膜を評価して、それにより、80:20(5A)及び85:15(5B)のポロゲン:構造形成体比を使用して堆積された多孔質PECVD系SiOx膜についてのヒステリシスなプロファイルを実証した。両方の膜は、約3.5〜4.5Vのソフトブレークダウン及び約10Vの不活性化を示した。
多孔質PECVDのSiOx系膜の成功した配置に対する重要な構成要素は、長時間ON−OFF状態又はプログラムされた導電性を保持するための能力である。このメモリの保持を、図5Bで堆積された膜から製作したデバイス上で試験し、図6Aに示した。1Vの印加電位で電流を測定した場合、104A/cm2超の電流密度の差を105秒間維持した。
Claims (15)
- 抵抗ランダムアクセスメモリデバイスを形成するためのプロセスであって、
基材上に第1電極を堆積する工程と、
前記第1電極上に多孔質抵抗メモリ材料層を形成する工程であって、前記多孔質抵抗メモリ層が、(i)ケイ素前駆体及びポロゲン前駆体を含むガス状組成物を堆積することと、堆積後に(ii)前記組成物をUV放射にさらすことで前記ポロゲン前駆体を除去することとにより形成される工程と、
前記多孔質抵抗メモリ材料層の上部に第2電極を堆積する工程と
を含むプロセス。 - 前記ケイ素前駆体が、テトラエトキシシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジ−(3級)ブトキシメチルシラン、ジ−3級ペントキシメチルシラン、ジ−3級ブトキシシラン、ジ−3級ペントキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、ジメチルアセトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ネオヘキシルトリエトキシシラン、ネオペンチルトリメトキシシラン、ジアセトキシメチルシラン、フェニルジメトキシシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、1,3,5,7−テトラメチルテトラシクロシロキサン、オクタメチルテトラシクロシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1−ネオヘキシル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、1,3−ジメチル−1−アセトキシ−3−エトキシジシロキサン、1,2−ジメチル−1,2−ジアセトキシ−1,2−ジエトキシジシラン、1,3−ジメチル−1,3−ジエトキシジシロキサン、1,3−ジメチル−1,3−ジアセトキシジシロキサン、1,2−ジメチル−1,1,2,2−テトラアセトキシジシラン、1,2−ジメチル−1,1,2,2−テトラエトキシジシラン、1,3−ジメチル−1−アセトキシ−3−エトキシジシロキサン、1,2−ジメチル−1−アセトキシ−2−エトキシジシラン、メチルアセトキシ(3級)ブトキシシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、テトラメチルジシラン、ジメチルジシラン、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)、オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)、テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)、ビス(トリエトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)エタン、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリメトキシシリル)エタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)エタン、ビス(メチルジエトキシシリル)メタン、(ジエトキシメチルシリル)(ジエトキシシリル)メタン、及びそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも1つである、請求項1に記載のプロセス。
- 前記ケイ素前駆体が、ジ−3級ブトキシシラン、ジ−3級ペントキシシラン、テトラエトキシシラン(TEOS)、テトラメトキシシラン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項2に記載のプロセス。
- 前記ポロゲンが、アルファ−テルピネン、リモネン、シクロヘキサン、シクロオクタン、ガンマ−テルピネン、カンフェン、ジメチルヘキサジエン、エチルベンゼン、ノルボルナジエン、シクロペンテン酸化物、1,2,4−トリメチルシクロヘキサン、1,5−ジメチル−1,5−シクロオクタジエン、カンフェン、アダマンタン、1,3−ブタジエン、置換ジエン、及びデカヒドロナフタレンからなる群より選択される少なくとも1つである、請求項1に記載のプロセス。
- 前記ポロゲンが、ノルボルナジエン、アルファ−テルピネン又はシクロオクタンを含む、請求項3に記載のプロセス。
- ケイ素前駆体及びポロゲン前駆体を含む前記ガス状組成物が、プラズマ化学気相堆積(PECVD)又はプラズマ周期的化学気相堆積(PECCVD)プロセスのいずれかで堆積される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記基材が、ケイ素、ゲルマニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、ホウ素ドープケイ素、リンドープケイ素、ホウ素ドープ酸化ケイ素、リンドープ酸化ケイ素、ホウ素ドープ窒化ケイ素、リンドープケイ素、窒化ケイ素、銅、タングステン、アルミニウム、コバルト、ニッケル、タンタル、窒化チタン、窒化タンタル、金属酸化物、GaAs、InP、GaP及びGaN、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される材料である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記第1電極が、アルキル金属、金属アミド、金属アルコキシド、及び金属ハライドからなる群より選択される前駆体から堆積された金属である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記ケイ素前駆体及び前記ポロゲン前駆体を含む前記ガス状組成物を堆積する場合に、ドーパントを加えることをさらに含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記ドーパントが、Zn、Mg、B、P、As、S、Se、及びTeからなる群より選択される、請求項9に記載のプロセス。
- 前記ケイ素前駆体及び前記ポロゲン前駆体を含む前記ガス状組成物を堆積する場合に、金属又は金属酸化物の前駆体を加えることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記金属又は金属酸化物が、ジエチル亜鉛、トリメチルアルミニウム、(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム、ビス(2,4−ジメチルペンタジエニル)ルテニウム、(2,4−ジメチルペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム、ジコバルトヘキサカルボニルt−ブチルアセチレン(CCTBA)又はシクロペンタジエニルコバルトジカルボニル(CpCo(CO)2)、Ru3(CO)12;金属アミド、例えば、テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(TDMAZ)、テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(TDEAZ)、テトラキス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(TEMAZ)、テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム(TDMAH)、テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム(TDEAH)、及びテトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム(TEMAH)、テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)、テトラキス(ジエチルアミノ)チタン(TDEAT)、テトラキス(エチルメチルアミノ)チタン(TEMAT)、tert−ブチルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル(TBTDET)、tert−ブチルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(TBTDMT)、tert−ブチルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル(TBTEMT)、エチルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル(EITDET)、エチルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(EITDMT)、エチルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル(EITEMT)、tert−アミルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(TAIMAT)、tert−アミルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル、ペンタキス(ジメチルアミノ)タンタル、tert−アミルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル、ビス(tert−ブチルイミノ)ビス(ジメチルアミノ)タングステン(BTBMW)、ビス(tert−ブチルイミノ)ビス(ジエチルアミノ)タングステン、ビス(tert−ブチルイミノ)ビス(エチルメチルアミノ)タングステン、ハフニウムテトラクロリド、タンタルペンタクロリド、及びタングステンヘキサクロリドからなる群より選択される、請求項11に記載のプロセス。
- 第2多孔質ケイ素含有層を堆積する工程をさらに含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記第2多孔質ケイ素含有層が、モノクロロシラン、モノクロロジシラン、ジイソプロピルアミノシラン、ジ−sec−ブチルアミノシラン、ジイソプロピルアミノジシラン、ジ−sec−ブチルアミノジシラン、ビス(tert−ブチルアミノ)シラン、ビス(ジメチルアミノ)シラン、ビス(ジエチルアミノ)シラン、ビス(エチルメチルアミノ)シラン、トリシリルアミン及びその誘導体、ビス(ジシリルアミノ)シラン、並びにH2Si((NSiH3)2)2からなる群より選択される少なくとも1つの第2ケイ素含有前駆体を堆積することによって形成される、請求項13に記載のプロセス。
- 前記多孔質抵抗メモリ材料層が、SiOx、SiOxH、SiOxNy、SiOxNyH、SiOxCz、SiOxCzH、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、式中のx、y、及びzのそれぞれが1以上又は2以下である、請求項1に記載のプロセス。
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