JP2018507564A - 垂直共振器面発光レーザ - Google Patents
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Abstract
【課題】従来の垂直共振器面発光レーザ（「ビクセル」）の欠点を緩和する及び／又は克服する。【解決手段】本発明の垂直共振器面発光レーザは、少なくとも基板（１０４）と、電気接点（１１６）と、第１ミラー領域（１０６）と、第２ミラー領域（１１２）と、第１ミラー領域及び第２ミラー領域の間の活性領域（１０８）と、を有する。第１ミラー領域及び第２ミラー領域（１０６、１１２）は、複数の層から形成される分散型のブラッグ反射器を含む。レーザ発光は、活性領域の少なくとも１つの砒化アンチモン化ガリウムのナノ構造から放出される。それぞれのナノ構造は砒素原子よりもアンチモン原子を多く含む。
Description
本発明は、垂直共振器面発光レーザに関する。
垂直共振器面発光レーザ（「ＶＣＳＥＬ」又は「ビクセル」）として知られる装置の設計はしばらくの間ずっと知られてきた。ビクセルは基板、第１ミラー領域、第２ミラー領域及びミラー領域の間の活性領域を一般に有する固体の半導体である。各ミラー領域は、適した材料の複数の薄層から形成される分散型のブラッグ反射器（「ＤＢＲ」）を一般に有する。
ビクセルは従来の端面発光レーザに照らして例えば以下の様な利点を提供する。高周波操作（切り替え速度）、簡単で小型の装置パッケージ、極めて低い閾値、低い消費電力、円形のビーム像及び低いビーム広がりである。
ビクセルの特性は遠隔通信での使用において有利となる。産業の目標は、冷却の必要無しに（光ファイバの減衰が低い）１２６０から１６７５ｎｍの範囲の波長の発光を有する輝きが効率的なビクセルを製造することである。これは、従来好ましい砒化ガリウムベースの材料システムの使用により容易に達成されない。
１２６０から１６７５ｎｍで動作するビクセルも報告されてきた。これらは非常に歪んだ材料を含む量子井戸ビクセルである。その例は、砒化ガリウムを含むインジウムガリウム砒化物、窒化砒化ガリウムインジウム、砒化ガリウムを含む窒化砒化ガリウムインジウムアンチモン、又はリン化インジウムを含むインジウムアルミニウムガリウム砒素リンである。しかし、そのような装置はそれらの幅広い産業への応用を妨げるという欠点を有する。
リン化インジウム設計の欠点は、高い熱伝導性及び反射性を提供可能な適切なＤＢＲ材料の不足を含む。よってリン化インジウム装置は温度変化に極めて敏感であり横方向のモード閉じ込めが困難である。
砒化ガリウムベースの装置は様々な欠点に悩まされる。それらの装置は、砒化ガリウムを有する砒化アルミニウムガリウムを含む、格子整合された、高反射性及び高い熱伝導性のＤＢＲをうまく利用しても良い。しかし、砒化ガリウムベースの装置において長い波長（１μｍより長い）発光を実現するのは困難である。これは歪んだ量子井戸層又は希薄窒化物の組み込み（例えば特許文献１）により実現されることが知られるが、その様な技術は材料品質を低下させ、装置の性能に悪影響を与える。
本発明の目的は、本明細書で明白に述べているかに拘わらず、従来の垂直共振器面発光レーザの欠点を緩和する及び／又は克服することにある。更なる目的は、光ファイバネットワーク及び他の応用における産業利用に適したビクセルを提供することにある。
本発明は、少なくとも基板と、電気接点と、第１ミラー領域と、第２ミラー領域と、第１ミラー領域及び第２ミラー領域の間の活性領域と、を含む垂直共振器面発光レーザである。第１ミラー領域及び第２ミラー領域は複数の層から形成される分散型のブラッグ反射器を含む。レーザ発光は、活性領域の少なくとも１つの砒化アンチモン化ガリウムのナノ構造から放出される。それぞれのナノ構造は砒素原子よりもアンチモン原子を多く含む。
それぞれのナノ構造は量子リングを有する。
それぞれの量子リングは量子井戸内に配置される。
それぞれの量子井戸は、活性領域と第１ミラー領域との間の第１追加層、及び、活性領域と第２ミラー領域との間の第２追加層により提供され得る。
それぞれの量子リングは量子井戸内に配置される。
それぞれの量子井戸は、活性領域と第１ミラー領域との間の第１追加層、及び、活性領域と第２ミラー領域との間の第２追加層により提供され得る。
第１追加層及び第２追加層は、砒化アルミニウムガリウムを含む。
また、第１追加層及び第２追加層は、ガリウム及びアルミニウムの組成勾配を有する。
この組成勾配はほぼ直線的である。
第１追加層及び第２追加層内で、アルミニウムの第３族原子分率は、活性領域に近い側での低い値から活性領域から遠い側での高い値へと増加する。
好ましくは、低い値は０．２５から０．３５の間であり、高い値は０．５５から０．６５の間である。より好ましくは、低い値は０．３であり、高い値は０．６である。
また、第１追加層及び第２追加層は、ガリウム及びアルミニウムの組成勾配を有する。
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第１追加層及び第２追加層内で、アルミニウムの第３族原子分率は、活性領域に近い側での低い値から活性領域から遠い側での高い値へと増加する。
好ましくは、低い値は０．２５から０．３５の間であり、高い値は０．５５から０．６５の間である。より好ましくは、低い値は０．３であり、高い値は０．６である。
ビクセルは、１２６０から１６７５ｎｍの範囲内の波長を有するレーザ発光を生成し得る。ビクセルは、能動冷却の必要無しに上記の動作をし得る。
オックスフォード英語辞典（「ＯＥＤ」）はナノ構造を「構造、特に数ナノメートルの寸法を有する半導体装置」（２０１２年現在の項目）と規定する。当業者は１００ナノメートルより小さい２つ以上の寸法を有する構造のみがナノ構造であると考える。
量子井戸は一つの寸法においてナノスケールで薄いが、面内の２つの寸法は装置の横のサイズにより決定される。知られたビクセル装置は１００ナノメートルを超す寸法を有し、通常数ミクロンである。例えば米国特許出願公開第２００３／０２３１６８０号に開示された、活性領域が少なくとも１つの量子井戸を有するビクセルは、（上記の定義において）ナノ構造を組み込まない。
当業者にとって、アンチモン化ガリウムを活性領域に使用することの選択は、直感的でなく成功しそうにないと思われる。アンチモン化ガリウム及び砒化ガリウムは、アンチモン化ガリウムの正電荷を閉じ込め負電荷を反発させるタイプＩＩバンド配列を有する。これは電荷担体の再結合を減らし、よって発光強度を低下させると期待される。
しかし発明者らは、アンチモン化ガリウムにより提供される電位を閉じ込める約６００ｍｅＶの深さの正電荷が蓄積するような直感に反したビクセルが（温度が高くても）形成され得ることに気付いた。これは負電荷を引き付け、高いレベルの電荷担体の再結合を可能にする。
従来の量子ドットではなく量子リング（「ＱＲ」）の使用はアンチモン化ガリウムの砒化ガリウムへの組み込みによる歪みを緩和し、材料の欠陥（転位）の数を減らす。
本発明の実施形態は添付の図面を参照し、例示の目的のみで記載される。
図１は、原寸に比例していない、一般的なビクセル（従来技術）の実施形態の概略的断面図である。この装置は下部の電気接点（１０２）を有する基板（１０４）を備える。基板（１０４）の他方（上部）は選択的な緩衝層（１０５）、及び複数の層から形成されるＤＢＲを有す第１ミラー領域（１０６）である。その後、その中に活性レーザ構造（１１０）が形成される活性領域（１０８）が形成される。次に、複数の層を有するＤＢＲである第２ミラー領域（１１２）と、更に選択的な緩衝層（１１４）及び上部の電気接点（１１６）とがある。使用時、レーザ光が装置の上面から放出される。上部の電気接点（１１６）は好ましくは円形の光線の発光を可能にするリングの形式であるが、他の適切な形式を取ることも出来る。
電圧が上部の電気接点（１１６）と下部の電気接点（１０２）の間に付与されて電流を提供し、装置に電力供給して発光させる。
図２は、アンチモン化ガリウムのＱＲの集合体からの発光スペクトルを示す。ｘ軸は発光の波長をナノメートルで示す。ｙ軸は任意のユニットでの強度を表す。（左側の）短い波長のピークを有するグラフ線は４００Ｋで計測され、他方の（右側の）グラフ線は３００Ｋで計測された。これは本発明によるＱＲビクセルが冷却の必要性が少ないか又は全く無い状態で、高温で動作し得ることを示す。
図３Ａ及び図３Ｂはバンドギャップの図である。各図において、ｙ軸は電子ボルトでのエネルギーを表し、ｘ軸はナノメートルでの変位を表す。基底状態の再結合エネルギーは垂直の矢印で示され、それぞれのエネルギー及び波長が与えられる。
図３Ａは、量子井戸無しの、アンチモン化ガリウムと砒化ガリウムのバンドギャップ図を示す。図３Ｂは、２０ナノメートル幅の砒化アルミニウムガリウムの量子井戸を加えた同様のバンドギャップ図を示す。
量子リングはアンチモン化ガリウムを砒化ガリウムの表面に堆積させることにより形成され得る。格子不整合のため、大きく歪んだ量子ドットは最初にストランスキー・クラスタノフ成長様式により自己組織化される。正確な寸法は成長状況に依存し得るが、そのようなドットは通常約３０ｎｍの半径と約４ｎｍの高さを有する。ドットが砒化ガリウムの堆積により覆われる（キャップされる）と、ドットはリングに変形する。リングはドットの中心のアンチモン原子が砒素原子に置換されると形成され、全体の構造歪みを減少させる。リングは通常約１５ｎｍの内径を有する。
本発明によるビクセルの発光強度は、それぞれのアンチモン化ガリウムの量子リングを活性領域（１０８）の量子井戸に配置することにより改良され得る。量子井戸は電子の閉じ込めを増加させ、電子を量子リングの近くに移動させる。
図３Ｂはビクセルの活性領域のバンドギャップの概略図を示す。ｙ軸はエネルギーを表し、ｘ軸は装置を通した垂直方向を表す。
図４は電子が砒化ガリウム量子井戸に閉じ込められる領域（５０１）と、穴がアンチモン化ガリウム量子リングに閉じ込められる領域（５０３）を示す。傾斜したバンド端部（５０５）は砒化アルミニウムガリウム層（１０７、１１１）内に組成勾配を提供することにより設計される。この構造の態様は電荷担体を活性領域に導くために存在する。組成勾配は、例えば米国特許第７０６５１２４号により業界に知られている。
計算により、２０ナノメートルの幅の量子井戸は、約１０ナノメートルのみの発光波長のずれを有してレーザ発光の強度を３桁の大きさまで増加させ得ることが示される。他の量子井戸の幅が他の実施形態に適用されても良い。
図５は、原寸に比例していない、本発明の実施形態の活性領域の概略断面図である。活性領域（１０８）は４つの層（２０２、２０４、２０６、２０８）を備え、第１のスペーサ層（１０７）が先に来て、第２のスペーサ層（１１１）が後に続く。
この実施形態において、第１のスペーサ層（１０７）と第２のスペーサ層（１１１）は、アルミニウムとガリウムとの比が組成勾配を形成する砒化アルミニウム（ｘ）ガリウム（１−ｘ）を備え、そのため量子井戸を形成する。活性領域（１０８）の３つの層（２０２、２０６及び２０８）は、アンチモン化ガリウムを含む更なる層（２０４）に活性レーザ装置（１１０）を形成させる適切な特性を有する砒化ガリウムを含む。
本発明の一つの例としての実施形態の構造を詳細に説明する。この実施形態は１３００ナノメートルの出力波長を有するように設計され作製される。当業者には、この波長を変化させるためパラメータを変える方法が明らかであると思われる。
装置の構造は広く商業的に入手可能な結晶固体の砒化ガリウム基板（１０４）から開始する。
装置の構造は広く商業的に入手可能な結晶固体の砒化ガリウム基板（１０４）から開始する。
基板（１０４）に最初に堆積されるのは、厚さ約１ミクロン（重要ではない）の砒化ガリウムの緩衝層（１０５）である。これは、１立方センチメートル当たり２×１０18ドーパント原子のレベルまで（例えばテルル又はシリコンで）ｎ型ドーピングされる。
次に、砒化アルミニウム（０．９）ガリウム（０．１）を含む第１のＤＢＲミラー領域（１０６）の第１の層（層「Ａ」、図１の黒い線）が堆積される。これは、１立方センチメートル当たり２×１０18ドーパント原子のレベルまで（例えばテルル又はシリコンで）ｎ型ドーピングされ、１１２．２ナノメートルの厚さを有する。
この後、砒化ガリウムを含む第１のＤＢＲミラー領域（１０６）の第２の層（層「Ｂ」、図１の白い線）が続く。これは、１立方センチメートル当たり２×１０18ドーパント原子のレベルまで（例えばテルル又はシリコンで）ｎ型ドーピングされ、９８．５ナノメートルの厚さを有する。
Ａ層及びＢ層は、合計でＡ層が３５過程、Ｂ層が３４過程になるまで交互に繰り返され、第１ミラー領域（１０６）を完成する。明確性を増すため、より少ない層が図１に示される。
図５に示されるように、活性領域（１０８）は、１９９．９ナノメートルの非ドープの砒化アルミニウム（ｘ）ガリウム（１−ｘ）を含む第１のスペーサ層（１０７）が先に来て、アルミニウム分率ｘは、最初の値０．６からから最後の値０．３まで活性領域に近い側でほぼ直線的に減少する。
活性領域（１０８）は１０ナノメートルの非ドープの砒化ガリウムの第１の層（２０２）を含む。その後に、通常２．１単原子層の非ドープのアンチモン化ガリウム（およそ０．６ｎｍ）を含む第２の層（２０４）、５ナノメートルの「冷間キャップの」非ドープの砒化ガリウムの第３の層（２０６）、及び、更に５ナノメートルの非ドープの砒化ガリウムの第４の層（２０８）が続く。
活性領域（１０８）は１０ナノメートルの非ドープの砒化ガリウムの第１の層（２０２）を含む。その後に、通常２．１単原子層の非ドープのアンチモン化ガリウム（およそ０．６ｎｍ）を含む第２の層（２０４）、５ナノメートルの「冷間キャップの」非ドープの砒化ガリウムの第３の層（２０６）、及び、更に５ナノメートルの非ドープの砒化ガリウムの第４の層（２０８）が続く。
活性レーザ装置（１１０）は第２の層（２０４）で形成される。
活性領域（１０８）の後、１９９．９ナノメートルの非ドープの砒化アルミニウム（ｘ）ガリウム（１−ｘ）を含む第２のスペーサ層（１１１）が続き、アルミニウム分率ｘは、活性領域に近い側での最初の値０．３から最終の値０．６までほぼ直線的に減少する。他の組成分率の値が他の実施形態において使用されても良い。
次に、砒化アルミニウム（０．９）ガリウム（０．１）を含む第２のＤＢＲミラー領域（１１２）の第１の（低い屈折率の）層が堆積される。これは、１立方センチメートル当たり２×１０18ドーパント原子のレベルまで（例えばベリリウム又は炭素で）ｐ型ドーピングされ、１１２．２ナノメートルの厚さを有する。
この後に、砒化ガリウムを含む第２のＤＢＲミラー領域（１１２）の第２の（高い屈折率の）層（層「Ｃ」、図１の白い部分）が続く。これは、１立方センチメートル当たり３×１０18ドーパント原子のレベルまで（例えばベリリウム又は炭素で）ｐ型ドーピングされ、９８．５ナノメートルの厚さを有する。
この後に、砒化アルミニウム（０．９）ガリウム（０．１）を含む第２のＤＢＲミラー領域（１１２）の第３の（低い屈折率の）層（層「Ｄ」、図１の黒い部分）が続く。これは、１立方センチメートル当たり３×１０18ドーパント原子のレベルまで（例えばベリリウム又は炭素で）ｐ型ドーピングされ、１１２．２ナノメートルの厚さを有する。
この後に、砒化アルミニウム（０．９）ガリウム（０．１）を含む第２のＤＢＲミラー領域（１１２）の第３の（低い屈折率の）層（層「Ｄ」、図１の黒い部分）が続く。これは、１立方センチメートル当たり３×１０18ドーパント原子のレベルまで（例えばベリリウム又は炭素で）ｐ型ドーピングされ、１１２．２ナノメートルの厚さを有する。
Ｃ層及びＤ層は、合計でＣ層が２４過程、Ｄ層が２４過程になるまで交互に繰り返される。それが第２ミラー領域（１１２）を完成させる。明確性を増すため、より少ない層が図１に示される。
各ＤＢＲミラー領域（１０６、１１２）の正確な期間（層）の数は重要ではない。しかし、あまりにも少ない層の構造ではレーザが発振閾値状態に到達するのを妨げ、あまりにも多い層では光子吸収を通してレーザ性能を低下させ得る。間違った方向への（即ち基板（１０４）に向かう）発光を避けるため、第２ＤＢＲミラー領域（１１２）よりも第１ＤＢＲミラー領域（１０６）の層数が多いことが好ましい。
その後、構造は、１立方センチメートル当たり少なくとも１×１０19ドーパント原子のレベルまで（例えばベリリウム又は炭素で）ｐ型ドーピングされ、９８．５ナノメートルの厚さを有する砒化ガリウムを含む接触層（１１６）の追加により完成される。
各ＤＢＲミラー領域（１０６、１１２）の正確な期間（層）の数は重要ではない。しかし、あまりにも少ない層の構造ではレーザが発振閾値状態に到達するのを妨げ、あまりにも多い層では光子吸収を通してレーザ性能を低下させ得る。間違った方向への（即ち基板（１０４）に向かう）発光を避けるため、第２ＤＢＲミラー領域（１１２）よりも第１ＤＢＲミラー領域（１０６）の層数が多いことが好ましい。
その後、構造は、１立方センチメートル当たり少なくとも１×１０19ドーパント原子のレベルまで（例えばベリリウム又は炭素で）ｐ型ドーピングされ、９８．５ナノメートルの厚さを有する砒化ガリウムを含む接触層（１１６）の追加により完成される。
上記に詳細を示した垂直の構造に加え、ビクセルは効率的に機能するため電流の横方向の閉じ込めと横方向の光の閉じ込めを必要とする。この要求は当業者に公知であり、適切な技術の選択により達成され得る。
その様な閉じ込め技術の一つはイオン衝撃である。イオン衝撃により装置を高エネルギーイオンに衝突させることにより活性領域（１０８、１１１）上の装置（１１１、１１２及び１１４）の一部の縁部で絶縁層が形成されるものである。
もう一つのその様な閉じ込め技術は、砒化アルミニウムガリウムを約９８％のアルミニウム組成物で酸化させることである。この技術において、追加の砒化アルミニウムガリウム層は活性領域（１０８）の直後（上部）の装置構造に含まれる。この層の縁部領域は成長後に酸化されても良い。得られる横方向の酸化層は絶縁性があり、砒化アルミニウムに対して大変異なる屈折率を有する。この層は電気的及び光学的閉じ込めを提供する。
本発明による装置は様々な技術により成長され得る。本発明による装置は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）により成長され得る。例としてのＭＢＥ成長条件は以下に与えられ、温度及び成長速度の詳細を記載する。尚、これらは当業者に公知のように機械により詳細が異なる。
・砒化ガリウム（１０５、１０６‐Ｂ、１１２‐Ｃ、１１４、２０２、２０８）：５８０℃、１単分子層／秒（砒素対ガリウムの比＝１．７）
・「冷間キャップの」砒化ガリウム（２０６）：４３０℃、１単分子層／秒（砒素対ガリウムの比＝５）
・砒化アルミニウムガリウム（１０６‐Ａ、１０７、１１１、１１２‐Ｄ）：６００℃、１単分子層／秒（第５群対第３群の比＝２）
・砒化ガリウム（２０４）：４９０℃、０．３単分子層／秒（アンチモン対ガリウム原子の比＝１０）
・砒化ガリウム（１０５、１０６‐Ｂ、１１２‐Ｃ、１１４、２０２、２０８）：５８０℃、１単分子層／秒（砒素対ガリウムの比＝１．７）
・「冷間キャップの」砒化ガリウム（２０６）：４３０℃、１単分子層／秒（砒素対ガリウムの比＝５）
・砒化アルミニウムガリウム（１０６‐Ａ、１０７、１１１、１１２‐Ｄ）：６００℃、１単分子層／秒（第５群対第３群の比＝２）
・砒化ガリウム（２０４）：４９０℃、０．３単分子層／秒（アンチモン対ガリウム原子の比＝１０）
本発明の装置は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）としても知られる有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）等の化学真空蒸着（ＣＶＤ）によっても成長され得る。ＭＯＣＶＤによる成長は当業者に公知の条件（ＭＢＥの条件により異なる）を要求する。
本発明は一般的な用語で記載されたが、当業者は本発明が記載された場合に制限されず、添付の請求項の範囲内で修正及び変形を有して実行され得ると認めるであろう。よって明細書及び図面は制限するものではなく例示的であると見なされる。
１０２、１１６・・・電気接点
１０４・・・・・・・基板
１０５、１１４・・・緩衝層
１０６・・・・・・・第１ミラー領域
１０８・・・・・・・活性領域
１１０・・・・・・・活性レーザ装置
１１２・・・・・・・第２ミラー領域
１０４・・・・・・・基板
１０５、１１４・・・緩衝層
１０６・・・・・・・第１ミラー領域
１０８・・・・・・・活性領域
１１０・・・・・・・活性レーザ装置
１１２・・・・・・・第２ミラー領域
Claims (12)
- 少なくとも基板と、電気接点と、第１ミラー領域と、第２ミラー領域と、前記第１ミラー領域及び前記第２ミラー領域の間の活性領域と、を含む垂直共振器面発光レーザであって、
前記第１ミラー領域及び前記第２ミラー領域は、複数の層から形成される分散型のブラッグ反射器を含み、
レーザ発光は、前記活性領域の少なくとも１つの砒化アンチモン化ガリウムのナノ構造から放出され、
それぞれのナノ構造は砒素原子よりもアンチモン原子を多く含む、垂直共振器面発光レーザ。 - それぞれのナノ構造は量子リングを有する、請求項１に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- それぞれの量子リングは量子井戸内に配置される、請求項２に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- それぞれの量子井戸は、前記活性領域と前記第１ミラー領域との間の第１追加層、及び、前記活性領域と前記第２ミラー領域との間の第２追加層により提供される、請求項３に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- 前記第１追加層及び前記第２追加層は、砒化アルミニウムガリウムを含む、請求項４に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- 前記第１追加層及び前記第２追加層は、ガリウム及びアルミニウムの組成勾配を含む、請求項５に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- 前記組成勾配は直線的である、請求項６に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- 前記第１追加層及び前記第２追加層内で、アルミニウムの第３族原子分率は、前記活性領域に近い側での低い値から前記活性領域から遠い側での高い値へと増加する、請求項６に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- 前記低い値は０．２５から０．３５の間であり、前記高い値は０．５５から０．６５の間である、請求項８に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- 前記低い値は０．３であり、前記高い値は０．６である、請求項９に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- １２６０から１６７５ｎｍの範囲内の波長を有するレーザ発光を生成する、請求項１から１０の何れか一項に記載の垂直共振器面発光レーザ。
- 能動冷却の必要無しに動作する、請求項１１に記載の垂直共振器面発光レーザ。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175285A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH0555713A (ja) * | 1991-02-04 | 1993-03-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPH0677587A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH09326506A (ja) * | 1996-04-05 | 1997-12-16 | Fujitsu Ltd | 量子半導体装置およびその製造方法 |
| US20030231680A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-18 | Dariusz Burak | Material systems for long wavelength lasers grown on InP substrates |
| JP2004525498A (ja) * | 2000-09-22 | 2004-08-19 | サイエンス アンド テクノロジー コーポレーション ＠ ユーエヌエム | 量子ダッシュデバイス |
| JP2006032964A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Agilent Technol Inc | 空隙および保護被覆層を備えているｖｃｓｅｌ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175285A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH0555713A (ja) * | 1991-02-04 | 1993-03-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPH0677587A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH09326506A (ja) * | 1996-04-05 | 1997-12-16 | Fujitsu Ltd | 量子半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004525498A (ja) * | 2000-09-22 | 2004-08-19 | サイエンス アンド テクノロジー コーポレーション ＠ ユーエヌエム | 量子ダッシュデバイス |
| US20030231680A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-18 | Dariusz Burak | Material systems for long wavelength lasers grown on InP substrates |
| JP2006032964A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Agilent Technol Inc | 空隙および保護被覆層を備えているｖｃｓｅｌ |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| NAOKATSU YAMAMOTO: "Sb-based quautum dots for creating novel light-emitting devices for optical communications", PROCEEDINGS OF SPIE, JPN5018000483, 2006, US, pages 63930 - 1, ISSN: 0004189181 * |
| WEI-HSUN LIN: "Improved 1.3-μm Electroluminescence of InGaAs-Capped Type-II GaSb/GaAs Quantum Rings at room Temper", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 25, no. 1, JPN5018000481, January 2013 (2013-01-01), US, pages 97 - 99, XP011483761, ISSN: 0004189179, DOI: 10.1109/LPT.2012.2229700 * |
| WEI-HSUN LIN: "Room-Temperature Electro-Luminescence of Type-II GaSb/GaAs Quantum Rings", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 24, no. 14, JPN5018000482, July 2012 (2012-07-01), US, pages 1203 - 1205, XP011446207, ISSN: 0004189180, DOI: 10.1109/LPT.2012.2200247 * |
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