JP2018506861A - 中間光学フィルターを有するメカニカルスタック型タンデム光起電力セル - Google Patents

中間光学フィルターを有するメカニカルスタック型タンデム光起電力セル Download PDF

Info

Publication number
JP2018506861A
JP2018506861A JP2017544964A JP2017544964A JP2018506861A JP 2018506861 A JP2018506861 A JP 2018506861A JP 2017544964 A JP2017544964 A JP 2017544964A JP 2017544964 A JP2017544964 A JP 2017544964A JP 2018506861 A JP2018506861 A JP 2018506861A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive device
layer
photoactive
optical filter
photoactive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017544964A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7057132B2 (ja
Inventor
フォレスト,ステファン,アール.
イ,キュサング
Original Assignee
ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン
ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン, ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン filed Critical ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン
Publication of JP2018506861A publication Critical patent/JP2018506861A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7057132B2 publication Critical patent/JP7057132B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H10K30/211Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions comprising multiple junctions, e.g. double heterojunctions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035218Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/043Mechanically stacked PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687Multiple junction or tandem solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725Multiple junction or tandem solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H01L31/076Multiple junction or tandem solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/078Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers including different types of potential barriers provided for in two or more of groups H01L31/062 - H01L31/075
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/1013Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation devices sensitive to two or more wavelengths, e.g. multi-spectrum radiation detection devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50Photovoltaic [PV] devices
    • H10K30/57Photovoltaic [PV] devices comprising multiple junctions, e.g. tandem PV cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/87Light-trapping means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211Fullerenes, e.g. C60
    • H10K85/215Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211Fullerenes, e.g. C60
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544Solar cells from Group III-V materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

多結合型感光デバイスを製造する方法が、提供される。前記方法は、少なくとも2つの光活性層を製造し、そして、少なくとも1つの光活性層は、透明基板上に製造され、かつ、少なくとも1つの光活性層は、反射基板上に製造されるステップと、透明基板上に製造された少なくとも1つの光活性層上で少なくとも1つの光学フィルター層をパターニングするステップと、冷間圧接結合を使用して、前記少なくとも2つの光活性層を結合するステップと、を含むことが可能である。また、多結合型感光デバイスが提供される。前記多結合型感光デバイスは、少なくとも2つの光活性層と、少なくとも1つの光学フィルター層と、を有しており、少なくとも2つの層は、冷間圧接あるいはファンデルワールス結合を使用して結合することが可能である。前記光学フィルター層は、分布ブラッグ反射器であることが可能である。

Description

本出願は、2015年2月27日に出願された米国仮出願番号第62/126,326号の利点を請求しており、それは、参照され、全体として組み入れられている。
本発明は、Award#DE−EE0006708下の米国エネルギー省(EERE)およびナノフレックスパワーコーポレーション(NanoFlex Power Corporation)によって、共同で提案された。
本開示は、多結合型(multi−junction)光起電力(photovoltaic)デバイスおよび製造方法、特に、太陽電池(solar cell)のための多結合型光起電力デバイスを対象としている。
多結合型光起電力セルは、光起電力セルによって吸収することが可能である太陽スペクトルの波長を増加させ、また、光活性材料のバンドギャップより大きなエネルギーを有する光子の吸収に関連付けられる熱化(thermalization)ロスを最小化することによって、単結合型(single junction)型太陽電池より優れた性能を提供している。太陽電池は、従来の多結合型有機太陽電池の性能を最大にするため、近赤外線太陽スペクトルをカバーする必要がある。今までのところ、有機化合物等の多くの光活性材料は、効率的には、近赤外線太陽スペクトルを吸収して電気エネルギーを生成しない。量子ドット(quantum dot)太陽電池は、1μmの波長までの近赤外線スペクトルおよび適度な高パワー変換効率(>8%)を有する1μmの波長を超える近赤外線スペクトルまで、効率的にカバーしており、以下の文献によって実証されている。チャンその他による「バンドアラインメントエンジニアリングによる量子ドット太陽電池の改良された性能および安定性」(Chia−Hao M. Chuang, Patrick R. Brown, Vladimir Bulovic, and Moungi G. Bawendi, Improved performance and stability in quantum dot solar cells through band alignment engineering. 13 Nat. Mater., 796(2014))。しかし、量子ドット太陽電池は、可視スペクトルにおいても強く吸収している。したがって、より短い波長の光子を吸収し、その結果、より短い波長の光子を吸収するために調整された別のサブセルに、光子が透過(transmit)あるいは反射されることを抑制することにより、量子ドット太陽電池の広範の吸収スペクトルは、多結合型有機太陽電池の性能を制限している。
1つの様相において、本開示は、多結合型感光デバイスを対象としている。一部の実施の形態において、多結合型感光デバイスは、少なくとも2つの光活性層および少なくとも1つの光学フィルター層を含んでいる。一部の実施の形態において、多結合型デバイスは、単結合型デバイスと比較し、吸収スペクトルが増加している。
本発明の一様相において、光学フィルターは、入射光の反射波長、透過波長および吸収波長の少なくとも1つを、選択的に調整するように構成することが可能である。一部の実施の形態において、光学フィルターは、長波長光を透過するように構成される。一部の実施の形態において、光学フィルターは、短波長光を反射するように構成される。一部の実施の形態において、光学フィルターは、短波長を透過するように構成される。一部の実施の形態において、光学フィルターは、長波長光を反射することが可能である。一部の実施の形態において、光学フィルターは、フォトニック結晶とすることが可能である。一部の実施の形態において、フォトニック結晶は、少なくとも2つの異なる屈折率を有する材料が交互に重なった多層を有することが可能である。一部の実施の形態において、フォトニック結晶は、導波路材料(waveguide material)の周期格子(periodic grating)を有することが可能である。一部の実施の形態において、光学フィルターは、分布ブラッグ反射器(DBR:Distributed Bragg Reflector)とすることが可能である。一部の実施の形態において、光学フィルターは、ダイクロイックフィルター(dichroic filter)とすることが可能である。
本発明の一様相は、多結合型太陽電池を対象としている。一部の実施の形態において、太陽電池の吸収は、太陽スペクトルの少なくとも一部の波長をカバーしている。本発明の一様相は、多結合型検出器(detector)を対象としている。一部の実施の形態において、多結合型検出器の吸収は、太陽スペクトルの外側の少なくとも1つの波長を有することが可能である。
一様相において、本開示は、多結合型感光デバイスを製造する方法を対象としている。前記方法は、少なくとも2つの光活性層を製造するステップと、透明基板上に製造された少なくとも1つの光活性層上で、少なくとも1つの光学フィルター層をパターニングするステップと、前記少なくとも2つの光活性層を少なくとも1つの別の層に結合(bonding)するステップと、を有している。一部の実施の形態において、少なくとも1つの光活性層は、透明基板上に製造される。一部の実施の形態において、少なくとも1つの光活性層は、反射基板上に製造される。一部の実施の形態において、冷間圧接(cold−weld)結合は、前記少なくとも2つの光活性層を少なくとも1つの別の層に結合するために使用される。
個々のサブセルからの、例示的な有機/量子ドット多結合型太陽電池の例示的な製造フローの概略図を示している。 例示的な有機/量子ドット多結合型太陽電池における中間ミラーを経由した太陽スペクトルの分離の概略図を示している。 光学フィルター層としてのDBRを有する単結合型太陽電池の概略図を示している。 図3Aの層によって製造された単結合型太陽電池に関し、電圧に対する測定された光電流のグラフを示している。 DBR光学フィルターを有する単結合型太陽電池とDBR光学フィルターを有しない単結合型太陽電池との性能を要約しているテーブルを示している。 光学フィルター層としての例示的なDBRの概略図を示している。 図5のDBRに関する光の波長に対する光の透過率のグラフを示している。
図1は、個々のサブセルからの、例示的な有機/量子ドット多結合型太陽電池の例示的な製造フローの概略図を示している。
図2は、例示的な有機/量子ドット多結合型太陽電池における中間ミラーを経由した太陽スペクトルの分離の概略図を示している。
図3Aは、光学フィルター層としてのDBRを有する単結合型太陽電池の概略図を示している。
図3Bは、図3Aの層によって製造された単結合型太陽電池に関し、電圧に対する測定された光電流のグラフを示している。
図4は、DBR光学フィルターを有する単結合型太陽電池とDBR光学フィルターを有しない単結合型太陽電池との性能を要約しているテーブルを示している。
図5は、光学フィルター層としての例示的なDBRの概略図を示している。
図6は、図5のDBRに関する光の波長に対する光の透過率のグラフを示している。
図1は、有機および量子ドット光活性層のサブセルを有する例示的な多結合型太陽電池を製造する例示的な方法の概略図を示している。
図1(1)に示されるように、有機体(organic)104および量子ドット112は、それぞれ、異なる基板108および116上で個別に製造することが可能である。一実施の形態において、有機光活性層(organic photovoltaic layer)104は、トップサブセルであり、ガラス108等の透明基板上に製造され、透明コンタクト102,106を使用している。この実施の形態によれば、量子ドット112光活性層は、ボトム層とし、非透過基板116上に製造することが可能であり、そして、少なくとも1つの透明コンタクト110を使用するが、少なくとも1つの金属コンタクト114を含むことが可能である。一部の実施の形態において、透明コンタクトは、ITO、IZO、AZOあるいはPEDOT:PSSとすることも可能である。一部の実施の形態において、サブセルは、真空熱蒸着(vacuum thermal evaporation)あるいは溶液(solution)プロセスによって、個々の基板上に製造されることが可能である。
個々のサブセルの製造後、図1(2)に示されるように、光学フィルター層202,302が、トップサブセル上でパターニングされる。一部の実施の形態において、光学フィルター層は、別のパターニング方法を使用することが可能であるが、シャドーマスクを使用して、パターニングされる。そして、図1(3)に示されるように、グリッド320は、トップサブセルおよびボトムサブセルの両方の上でパターニングされる。一部の実施の形態において、グリッド320は、AuまたはAl/Au等の貴金属あるいは貴金属が被覆された金属を使用しており、それによって、酸化および別の汚染を避けている。
グリッド蒸着(deposition)の後において、両方のサブセルは、結合を促進するために温度をわずかに増加させて圧力を加え、あるいは、温度を増加させずに圧力を加えて、ファンデルワールス結合あるいは冷間圧接によって結合される。参考までに、冷間圧接結合は、以下の文献に説明されている。リーその他による「シングルInP基板からのエピタキシャルリフトオフ太陽電池のマルチプル成長」(Kyusang Lee, Kuen−Ting Shiu, Jeramy D. Zimmerman, Christopher K. Renshaw and Stephen R. Forrest, Multiple growths of epitaxial lift−off solar cells from a single InP substrate, 97 Appl. Phys. Lett., 101107 (2010))。参考までに、冷間圧接結合は、以下の文献にさらに説明されている。キムその他による「冷間圧接による有機電子デバイスのマイクロパターニング」(Changsoon Kim, Paul E. Burrows, Stephen R. Forrest, Micropatterning of organic electronic devices by cold−welding. 288, Science, 831 (2000))。参考までに、冷間圧接結合は、以下の文献にさらに説明されている。ファーガソンその他による「エラストマー支持体上における金薄膜のコンタクト接着:周囲条件下における冷間圧接」(Gregory S. Ferguson, Manoj K. Chaudhury, George.B. Sigal George M. Whitesides, Contact adhesion of thin gold films on elastomeric supports:cold welding under ambient conditions, 253 Science, 776 (1991))。冷間圧接プロセスのため、エピ(epi−)層およびホスト基板の表面は、概して、類似した貴金属(Au、Ni、その他)の層によってプレコートされており、適当な圧力が、2つの金属界面(interfaces)の間で付加される。一部の実施の形態において、冷間圧接結合されている領域に、金属コンタクトを挿入し、個々のスタック要素と接触させることが可能である。多種の実施の形態において、サブセルは、金属コンタクトによって直列に接続されるため、トンネルあるいは相互接続層を必要とせず、したがって、デバイス製造がかなり単純化される。この技術の応用は、有機/量子ドット太陽電池のみに限定されない。別の実施の形態において、個々のサブセルを単独で製造し、中間光学フィルターを挿入し、そして、冷間圧接を使用してサブセルを結合することによって、多様な太陽電池の構成(例えば、ポリマー、アモルファス/多結晶/単結晶Si、ゲルマニウム、III−V半導体、ケステライト(kesterite)、ペロブスカイト(perovskite)、その他)のために使用して、太陽スペクトルを分離することが可能である。前記実施の形態は、トップ層を通過してボトム層によって吸収される光の波長を選択すること、および、トップ層において吸収される別の波長の光を反射すること、が可能である。
冷間圧接結合後で、2つのサブセルは、接続され、図1(4)に示されるように、多結合型太陽電池を形成する入射光は、ガラス層416を通過することが可能であり、選択波長(select wavelengths)の光は、有機光起電力層412によって吸収される。有機光活性層412によって吸収されない選択波長の光は、DBRに到達し、そして、前記波長は、DBRの構成に応じて、透過あるいは反射させられる。図1(4)に示されるように、DBRの向こう側の光活性層は、量子ドット光活性層406である。一実施の形態において、一方の光活性層は、可視および紫外スペクトルの光を吸収する有機光活性層であり、他方の光活性層は、近赤外線スペクトルの光を吸収する量子ドット光活性層である。前記実施の形態において、DBRは、可視スペクトルの光を反射し、近赤外線スペクトルの光を透過するように構成することが可能である。有機光活性層、DBRおよび量子ドット光活性層を通過する光は、金属コンタクト層404によって反射あるいは吸収することが可能である。一部の実施の形態において、金属コンタクト層は、多結合型太陽電池の背面の電気コンタクトおよびミラーの両方の機能を果たすことが可能である。
多結合型直列接続(series−connected)太陽電池において、各々のサブセルによって供給される電流は、太陽電池性能を最大にするため、等しいことが必要がある。あるいは、並列(parallel)セル(中間コンタクトを使用することによって達成される)においては、電圧は、性能を最大にするため、セル間で等しくする必要がある。一部の実施の形態は、デュアル近赤外線セルスタックから構成されることが可能であり、設計において並列接続が望まれる場合、シングル短波長デバイス(single shorter wavelength device)と並列に接続される。一部の実施の形態において、デバイスは、多重波長信号チャネルに感受性を有する光検出器であり、電圧あるいは電流のどちらのバランスも必要とされない。
図1の例示的な実施の形態は、ダブルスタックされたデバイスを表示している。別の実施の形態は、太陽スペクトルの異なる波長あるいは所定の(of interest)別の波長を吸収することが可能である付加光活性要素、例えば、ドープシリコンあるいは二酸化チタンを含むことが可能である。光学フィルター、例えば、202および302は、スタックにおける各々の付加光活性層の間に配置することも、配置しないことも可能である。さらに、層間のエアーギャップは、存在することも、存在しないことも可能である。一部の実施の形態において、このデバイスは、光起電力デバイスとすることが可能である。別の実施の形態において、このデバイスは、信号源から放射される幅が狭いスペクトル信号(narrow spectral signals)を逆多重化(de−multiplex)することが可能である光検出器によって構成することが可能である。
本開示の1つの様相は、多結合型感光デバイスに関している。多結合型感光デバイスは、少なくとも2つの光活性層と、1つの光学フィルター層と、を有することが可能であり、少なくとも2つの層が、冷間圧接あるはファンデルワールス結合を使用して、結合される。一部の実施の形態において、少なくとも1つの光学フィルター層は、DBRである。一部の実施の形態において、多結合型デバイスは、少なくとも3つの光活性層と、少なくとも2つの光学フィルター層と、を有することが可能であり、少なくとも1つの光学フィルター層は、各々の光活性層の間に位置している。
一部の実施の形態において、少なくとも1つの光活性層は、少なくとも1つの別の光活性層と異なる光の波長を吸収することが可能である。一部の実施の形態において、少なくとも1つの別の層より下方の光活性層は、近赤外線の光を吸収している。近赤外線スペクトルは、0.75〜1.4ミクロンの範囲の波長を含んでいる。一部の実施の形態において、デバイスは、光検出器によって構成されており、波長は、30ミクロンまでの波長を含むことが可能である。一部の実施の形態において、少なくとも1つの別の層より上方の光活性層は、紫外線スペクトルの光を吸収する。紫外線スペクトルは、400ナノメートルより短い波長を含んでいる。一部の実施の形態において、少なくとも1つの光活性層は、少なくとも1つの別の光活性層と異なる10ナノメートルに及んでいる(spanning)光の波長の範囲を吸収する。
一部の実施の形態において、波長選択(wavelength selective)光学フィルター層は、多結合型感光デバイスにおける少なくとも2つの光活性層の間に、配置される。一部の実施の形態において、光活性層間のエアーギャップは、存在することあるいは存在しないことが可能である。
一部の実施の形態において、少なくとも1つの光活性層は、冷間圧接あるいはファンデルワールスによって結合された領域における金属コンタクトに、個別に接続している。一部の実施の形態において、個々のセルは、直列に接続される。一部の実施の形態において、個々のセルは、並列に接続される。
一部の実施の形態において、個々のセルの少なくとも1つのグループは、直列に接続され、そして、少なくとも1つのグループは、並列に接続される。一部の実施の形態において、少なくとも1つの光活性層は、有機光起電力素子、量子ドット、シリコン、ゲルマニウム、III−V半導体、ケステライトおよびペロブスカイトから選ばれる材料を有している。一部の実施の形態において、少なくとも1つの光活性層は、PbS量子ドットを有している。
1つの様相において、本開示は、信号源から放射されるスペクトル信号を逆多重化するように構成される光検出器を、対象としている。
1つの様相において、本開示は、多結合型感光デバイスを製造する方法を対象としている。前記方法は、少なくとも2つの光活性層を製造することと、透明基板上に製造された少なくとも1つの光活性層上で、少なくとも1つの光学フィルター層をパターニングすることと、冷間圧接結合を使用して、前記少なくとも2つの光活性層を結合することと、を含むことが可能である。一部の実施の形態において、少なくとも1つの光活性層は、透明基板上に製造される。一部の実施の形態において、少なくとも1つの光活性層は、反射基板上に製造される。一部の実施の形態において、少なくとも1つの光学フィルター層は、DBRである。一部の実施の形態において、前記方法は、少なくとも1つの付加光活性層を透明基板上に製造することを、さらに有し、前記透明基板が、光活性層を含むことが可能である。
図2は、例示的な有機/量子ドット多結合型太陽電池における光子吸収プロセスの概略図を示している。例示的な多結合型太陽電池は、可視(visible)光起電力素子(VIS PV)と、2つの透明コンタクト(ITO)間のDBRと、近赤外線光起電力素子(photovoltaic)(NIR PV)と、ミラーと、を有している。可視光起電力素子(VIS PV)は、有機光起電力層(OPV)とすることが可能である。近赤外線光起電力素子(NIR PV)は、量子ドット層(QDセル)とすることが可能である。ミラーは、太陽電池の背面にあり、DBRを透過し、かつ、NIR PVによって、最初は吸収されなNIR光を反射する。有機体のフロントサブセルは、DBRを介し、可視光の光子をトップサブセルに限定しており、近赤外線光のみが、ボトムセル内に透過している。量子ドットボトムサブセルは、近赤外線光の反射のために、金属コンタクト反射器を有している。中間光学フィルターを、この場合はDBRを使用して、太陽スペクトルを、サブセル内に選択的に分離することが可能である。DBRは、一般的に、少なくとも2つの異なる屈折率を有する材料を交互に重ねることによって構成される。あるいは、DBRは、有効屈折率の変化を生じさせる特性(例えば、高さ)の周期的な変化を有する単一の材料を、有することが可能である。中間光学フィルターの反射および透過特性は、DBRおよび/又はエアーギャップ厚みを適切に設計することによって、制御することが可能である。光電流のバランスのための反射(reflection of the balance)の制御は、多結合型太陽電池の性能を最大にするために、サブセルの間で達成することが可能である。また、DBRが、有機層を通過して後退する(back up)選択波長の光を反射するという事実のため、多種の実施の形態においては、他のことで必要であるより(than necessary otherwise)薄い光活性層を使用することが可能である。その理由は、有機層の光学距離が、反射の後で光が再び光活性層を通過する場合、長くなるためである。
図3Aに示される層に基づいて製造される太陽電池は、光学フィルター層の想定される利点の1つを示している。太陽電池は、DTDCPB:C70層を有する有機光活性層と、有機光活性層の間の相互接続層(interconnecting layer)と、を含んでいる。光活性層は、透明コンタクト層(ITO)の間に位置し、DBRは、太陽電池の入射光と関連して背面に位置している。図の3AのDBRは、11の層を有している。11の層は、セレン化亜鉛の層とフッ化マグネシウムの層とを交互に重ねて構成されており、700ナノメートルを超える波長を有する光のために、DBRが透過開始点(onset)を有するように構成されている。図3BのDBRは、DBR@700nm、ZnSe/MgFと略記されており、そして、図5にさらに詳細に記載されている。図3Bは、図3Aの層によって製造された太陽電池に関し、電圧に対する測定された光電流のグラフを示しており、図3Aのように、DBR層を除いて同じ層によって製造された太陽電池と比較している。太陽電池性能の結果は、図4に要約されており、DBRを利用する場合、太陽電池のパワー変換効率が増加することを、示している。図5は、図3Aに示される例示的なDBRの概略図を示しており、ZnSeおよびMgFの合計11の層を有している。図6のグラフは、図3Aの太陽電池とDBRのみとにおける透過が示されており、700ナノメートルより長い波長の光の透過の開始点を例示しており、また、700ナノメートルより短い光の波長は、少なくとも部分的に反射されている。
本開示の別の実施の形態は、本明細書の検討および本開示の実施から当業者にとって明らであろう。本明細書および実施の形態は、例示的なものとしてのみ考慮され、そして、本開示の真の範囲および精神は、添付の特許請求の範囲によって示されることが意図されている。

Claims (20)

  1. 少なくとも2つの光活性層と、
    少なくとも1つの光学フィルター層と、を有しており、
    少なくとも2つの層は、冷間圧接あるいはファンデルワールス結合を使用して結合されていることを特徴とする多結合型感光デバイス。
  2. 前記少なくとも1つの光学フィルター層は、分布ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  3. 少なくとも3つの光活性層と、少なくとも2つの光学フィルター層と、を有しており、
    少なくとも1つの光学フィルター層は、各光活性層の間に位置していることを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  4. 少なくとも1つの光活性層は、少なくとも1つの別の光活性層と異なる波長を吸収することが可能であることを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  5. 少なくとも1つの別の層より下の光活性層は、近赤外線スペクトルの光を吸収することを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  6. 少なくとも1つの別の層より上の光活性層は、紫外線スペクトルの光を吸収することを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  7. 少なくとも1つの光活性層は、少なくとも1つの別の光活性層によって吸収されない、10nmに及んでいる光の波長の範囲を吸収することを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  8. 波長選択光学フィルター層が、前記多結合型感光デバイスの少なくとも2つの光活性層の間に、配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  9. 前記少なくとも2つの光活性層の間には、エアーギャップが存在しないことを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  10. 少なくとも1つの光活性層が、冷間圧接あるいはファンデルワールス結合されている領域における金属コンタクトに、単独で接続されていることを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  11. 個々のセルは、直列に接続されていることを特徴とする請求項10に記載の多結合型感光デバイス。
  12. 個々のセルは、並列に接続されていることを特徴とする請求項10に記載の多結合型感光デバイス。
  13. 個々のセルの少なくとも1つのグループは、直列に接続され、少なく1つのグループは、並列に接続されていることを特徴とする請求項10に記載の多結合型感光デバイス。
  14. 少なくとも1つの光活性層は、有機光起電力素子、量子ドット、シリコン、ゲルマニウム、III−V半導体、ケステライトおよびペロブスカイトから選択された材料を有することを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  15. 少なくとも1つの光活性層は、PbS量子ドットを有し、また、
    少なくとも1つの光活性層は、有機光起電力素子を有することを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  16. 前記多結合型感光デバイスは、信号源から放射されるスペクトル信号を逆多重化するように構成される光検出器であることを特徴とする請求項1に記載の多結合型感光デバイス。
  17. 多結合型感光デバイスを製造する方法であって、
    少なくとも2つの光活性層を製造し、少なくとも1つの光活性層は、透明基板上に製造され、かつ、少なくとも1つの光活性層は、反射基板上に製造されるステップと、
    透明基板上に製造された前記少なくとも1つの光活性層上で少なくとも1つの光学フィルター層をパターニングするステップと、
    冷間圧接結合を使用して、前記少なくとも2つの光活性層を結合するステップと、
    を有することを特徴とする方法。
  18. 前記少なくとも1つの光学フィルター層は、分布ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項17に記載の方法。
  19. 透明基板上に、少なくとも1つの付加光活性層をさらに製造することを特徴とする請求項17に記載の方法。
  20. 前記透明基板は、光活性層を含んでいることを特徴とする請求項19に記載の方法。
JP2017544964A 2015-02-27 2016-02-29 中間光学フィルターを有するメカニカルスタック型タンデム光起電力セル Active JP7057132B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562126326P 2015-02-27 2015-02-27
US62/126,326 2015-02-27
PCT/US2016/020039 WO2016138514A1 (en) 2015-02-27 2016-02-29 Mechanically stacked tandem photovoltaic cells with intermediate optical filters

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018506861A true JP2018506861A (ja) 2018-03-08
JP7057132B2 JP7057132B2 (ja) 2022-04-19

Family

ID=55543076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017544964A Active JP7057132B2 (ja) 2015-02-27 2016-02-29 中間光学フィルターを有するメカニカルスタック型タンデム光起電力セル

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11889709B2 (ja)
EP (1) EP3262693A1 (ja)
JP (1) JP7057132B2 (ja)
KR (1) KR102467716B1 (ja)
CN (1) CN107534066A (ja)
WO (1) WO2016138514A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11069684B1 (en) 2020-03-04 2021-07-20 International Business Machines Corporation Stacked field effect transistors with reduced coupling effect
US11164792B2 (en) 2020-01-08 2021-11-02 International Business Machines Corporation Complementary field-effect transistors
US11164793B2 (en) 2020-03-23 2021-11-02 International Business Machines Corporation Reduced source/drain coupling for CFET

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170040557A1 (en) * 2015-08-05 2017-02-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Tandem Photovoltaic Module Comprising a Control Circuit
EP3977513A4 (en) * 2019-05-29 2023-06-28 North Carolina State University Heat insulating transparent tandem organic solar cells
CN110635041A (zh) * 2019-09-03 2019-12-31 理天光电科技(苏州)有限公司 薄膜太阳能电池及其制备方法
IL273118B (en) 2020-03-05 2022-03-01 Allen Richter Self-adaptive electromagnetic radiation guide
CN112186061A (zh) * 2020-09-21 2021-01-05 浙江大学绍兴微电子研究中心 内置滤光器的叠层太阳能电池
TWI820822B (zh) * 2021-08-23 2023-11-01 天光材料科技股份有限公司 光二極體之結構
CN115768145A (zh) * 2021-09-01 2023-03-07 隆基绿能科技股份有限公司 一种叠层太阳能电池及光伏组件
CN115513310A (zh) * 2022-11-02 2022-12-23 太原国科半导体光电研究院有限公司 一种ⅱ类超晶格红外探测器单元结构及其制备方法、ⅱ类超晶格红外焦平面探测器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02106979A (ja) * 1988-10-17 1990-04-19 Mitsubishi Electric Corp 波長分波型光検出器
US20080190479A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Epistar Corporation Optoelectronical semiconductor device
US20130014813A1 (en) * 2011-01-11 2013-01-17 Weiming Wang HIGH EFFICIENCY AND LOW COST GaInP/GaAs/Si TRIPLE JUNCTION BY EPITAXY LIFT-OFF AND MECHANICAL STACK
WO2013042525A1 (ja) * 2011-09-21 2013-03-28 ソニー株式会社 多接合型太陽電池、化合物半導体デバイス、光電変換素子及び化合物半導体層・積層構造体

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050126628A1 (en) * 2002-09-05 2005-06-16 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
CN102089856B (zh) * 2008-05-12 2013-02-13 维拉诺瓦大学 太阳能电池以及太阳能电池的制造方法
KR20100028729A (ko) * 2008-09-05 2010-03-15 삼성전자주식회사 복층 구조의 태양 전지 및 그 제조 방법
US20100269896A1 (en) * 2008-09-11 2010-10-28 Applied Materials, Inc. Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications
US20100122764A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Emcore Solar Power, Inc. Surrogate Substrates for Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20100147366A1 (en) 2008-12-17 2010-06-17 Emcore Solar Power, Inc. Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells with Distributed Bragg Reflector
WO2010107033A1 (ja) * 2009-03-18 2010-09-23 三菱電機株式会社 光電変換装置およびその製造方法
US20110155233A1 (en) * 2009-12-29 2011-06-30 Honeywell International Inc. Hybrid solar cells
KR101089587B1 (ko) * 2010-03-26 2011-12-05 광주과학기술원 적층형 태양 전지 및 이의 제조 방법
IT1399542B1 (it) * 2010-04-23 2013-04-19 Bortolussi Dispositivo di fissaggio per fili mobili di un filare di piante
WO2012018649A2 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Spectrawatt, Inc. Cooperative photovoltaic networks and photovoltaic cell adaptations for use therein
US20120180854A1 (en) * 2011-01-18 2012-07-19 Bellanger Mathieu Mechanical stacking structure for multi-junction photovoltaic devices and method of making
US9818901B2 (en) * 2011-05-13 2017-11-14 International Business Machines Corporation Wafer bonded solar cells and fabrication methods
KR101996607B1 (ko) * 2011-07-06 2019-10-01 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 에피택셜 리프트 오프 및 냉간 용접 결합된 반도체 태양 전지를 사용한 일체형 태양열 집열기
US20130048064A1 (en) * 2011-08-29 2013-02-28 Alliance For Sustainable Energy, Llc Interconnections for Mechanically Stacked Multijunction Solar Cells
US20140182667A1 (en) * 2013-01-03 2014-07-03 Benjamin C. Richards Multijunction solar cell with low band gap absorbing layer in the middle cell
CN103107229B (zh) * 2013-02-25 2015-09-09 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 石墨烯/半导体多结级联太阳电池及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02106979A (ja) * 1988-10-17 1990-04-19 Mitsubishi Electric Corp 波長分波型光検出器
US20080190479A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Epistar Corporation Optoelectronical semiconductor device
US20130014813A1 (en) * 2011-01-11 2013-01-17 Weiming Wang HIGH EFFICIENCY AND LOW COST GaInP/GaAs/Si TRIPLE JUNCTION BY EPITAXY LIFT-OFF AND MECHANICAL STACK
WO2013042525A1 (ja) * 2011-09-21 2013-03-28 ソニー株式会社 多接合型太陽電池、化合物半導体デバイス、光電変換素子及び化合物半導体層・積層構造体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11164792B2 (en) 2020-01-08 2021-11-02 International Business Machines Corporation Complementary field-effect transistors
US11069684B1 (en) 2020-03-04 2021-07-20 International Business Machines Corporation Stacked field effect transistors with reduced coupling effect
US11164793B2 (en) 2020-03-23 2021-11-02 International Business Machines Corporation Reduced source/drain coupling for CFET
US11688646B2 (en) 2020-03-23 2023-06-27 International Business Machines Corporation Reduced source/drain coupling for CFET

Also Published As

Publication number Publication date
US20180047922A1 (en) 2018-02-15
KR20170123643A (ko) 2017-11-08
KR102467716B1 (ko) 2022-11-15
EP3262693A1 (en) 2018-01-03
TW201705510A (zh) 2017-02-01
WO2016138514A1 (en) 2016-09-01
JP7057132B2 (ja) 2022-04-19
US11889709B2 (en) 2024-01-30
CN107534066A (zh) 2018-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7057132B2 (ja) 中間光学フィルターを有するメカニカルスタック型タンデム光起電力セル
Jiang et al. Efficient colorful perovskite solar cells using a top polymer electrode simultaneously as spectrally selective antireflection coating
JP5089605B2 (ja) 三重接合太陽電池のためのノッチフィルタ
US20150349147A1 (en) Broad Band Anti-Reflection Coating for Photovoltaic Devices and Other Devices
EP2901496B1 (fr) Composant photovoltaique a fort rendement de conversion
JP5239568B2 (ja) 半導体受光素子
WO2006078319A1 (en) Light trapping in thin film solar cells using textured photonic crystal
JP2011501439A (ja) 一体化された色干渉膜積層体を有する光起電力デバイス
TW200937650A (en) Photovoltaics with interferometric ribbon masks
WO2008072688A1 (ja) フォトダイオード
FR2988222A1 (fr) Module photovoltaique comprenant des elements de conversion spectrale localises et procede de realisation
Ouellette et al. Optical resonance engineering for infrared colloidal quantum dot photovoltaics
JP5626796B2 (ja) 直列接続型ソーラーセル及びソーラーセルシステム
US20110132455A1 (en) Solar cell with luminescent member
US11476378B2 (en) Solar-energy apparatus, methods, and applications
US20150364634A1 (en) Photonic Bandgap Structure
US20160254403A1 (en) Decorative dual-function photovoltaic devices generating angle insensitive transmissive or reflective colors
JP2011165755A (ja) 太陽電池モジュール
US20120326191A1 (en) Semiconductor light-emitting device
Elikkottil et al. Silicon nitride grating based planar spectral splitting concentrator for NIR light harvesting
US9842947B2 (en) Photoconversion device with enhanced photon absorption
TWI840317B (zh) 具有中間光學濾光器之機械式堆疊的串聯式光伏打電池
Zohar et al. Ultrathin high efficiency photodetectors based on subwavelength grating and near-field enhanced absorption
JP2016111279A (ja) 多接合太陽電池およびその製造方法
KR101677430B1 (ko) 점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180109

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201222

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20210128

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20211102

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220302

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20220302

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20220309

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20220315

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220407

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7057132

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150