JP2018505593A - Rf高電力発生装置 - Google Patents

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ヴァレリエヴィッチ イワノフ、エフゲニー
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アレクサンドロヴィッチ クラノフ、アンドレイ
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リミテッド ライアビリティ カンパニー “シーメンス”
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Abstract

RF高電力発生装置が提供される。この装置は、RF電力結合器(3)と、少なくとも1つのRF電力増幅器(1)と、スイッチ(2)と、制御ユニット(4)と、伝送路(8)とを含む。RF電力結合器(3)は、少なくとも1つのRF入力と少なくとも1つのRF出力とを有する。RF電力増幅器(1)は、伝送路(8)を介してRF入力に電気的に接続される。スイッチ(2)は伝送路(8)に設けられる。スイッチ(2)は、切り換え動作によって、伝送路(8)を介したRF電力増幅器(1)からRF入力へのRF信号伝送を制御するように構成される。制御ユニット(4)は、スイッチ(2)の切り換え動作を制御するように構成される。制御ユニット(4)は、同一の伝送路(8)を共用してスイッチ(2)に電気的に接続される。【選択図】図2

Description

本発明は、RF高電力発生装置、より詳細には、RF電力結合器、少なくとも1つのRF増幅器、及び制御ユニットを備えたスイッチを含むRF高電力発生装置に関する。
RF電力結合器は、無線技術において、RF(無線周波数)電力又はRF信号を結合する必要があるときに使用されるデバイスである。RF電力結合器は、複数のRF入力を受信し、この受信したRF入力のインピーダンスを単一伝送路のインピーダンスに出力として変換する。高RF電力を発生させる1つの方法は、幾つかのRF電力増幅器を、共通の(できれば単一の)RF電力結合器と共に使用することである。RF電力増幅器からのRF電力はRF電力結合器に供給される。RF電力増幅器は、各自伝送路によって共通RF電力結合器に接続される。各RF電力増幅器からのRF信号がRF電力結合器において合わせられて高RF電力を生成する。一般に、RF電力増幅器をそれぞれRF電力結合器に接続する伝送路として、同軸ケーブル又はストリップライン、あるいはその両方が使用される。所望の出力RF信号を得るには、RF電力結合器の出力電力を調節し最適化する必要がある。
出力RF電力を調節又は最適化する、あるいは調節且つ最適化する1つの方法は、RF電力増幅器からRF電力結合器へ供給するRF信号を制御することである。例えば、RF電力結合器のRF出力の電力を低減する必要がある場合、RF電力増幅器の1つ以上について、RF電力結合器への入力提供を止めることができる。あるいは、例えば、RF電力結合器のRF出力の電力を増大させる必要がある場合、RF電力増幅器の1つ以上について、RF電力結合器への入力提供のためにスイッチオンすることが要求され得る。RF電力増幅器に対する当該制御を実施するために、すなわち、所望のRF増幅器からのRF信号だけがRF電力結合器へ供給されるようにRF電力増幅器を制御するために、所定のRF増幅器をRF電力結合器に接続する各伝送路において、RF電力結合器のRF電力入力のそれぞれに対し配設されたスイッチを備えるのが一般的である。該各スイッチは、その切り換え動作によって、所定のRF電力増幅器からRF電力結合器へのRF信号提供を許可又は阻止する。通常、各スイッチは個別の制御ユニットによって制御される。制御ユニットは、切り換え動作を誘導する、すなわち、スイッチオンとオフを切り換える。制御ユニットは、個別の電気コネクタによってスイッチに接続される。スイッチを誘導するための情報は、中央制御システムから制御ユニットに送られる。
特に高出力のRF増幅器/発生器システムは、多数のRF電力増幅器を含むものがあり、その各RF電力増幅器が自身の個別スイッチを有し、各スイッチが、個別の電気コネクタでスイッチと接続される自身の制御ユニットを有する。つまり、制御ユニットとスイッチを接続するために数多くの配線や電気コネクタを必要とする。したがって、レイアウト、装置が全体的に複雑で高コストになる。
多数の電気コネクタの少なくとも一部を不要とした、簡素で費用対効果の良いRF高電力発生装置を提供することを目的とする。
上記目的は、請求項1に係るRF高電力発生装置によって達成される。
本発明の一態様によってRF高電力発生装置が提供される。この装置は、RF電力結合器と、少なくとも1つのRF電力増幅器と、スイッチと、制御ユニットと、伝送路とを含む。前記RF電力結合器は、少なくとも1つのRF入力及び少なくとも1つのRF出力をもつ。前記RF電力増幅器は、前記伝送路を介して前記RF入力へ電気的に接続される。前記スイッチは前記伝送路に設けられる。該スイッチは、切り換え動作を行うように構成される。前記スイッチは、その切り換え動作によって、前記伝送路を介した前記RF電力増幅器から前記RF入力へのRF信号の伝送を制御するように構成される。前記制御ユニットは、前記スイッチと電気的に接続される。該制御ユニットは、前記スイッチの切り換え動作を制御するように構成される。さらに、前記制御ユニットは、同一の前記伝送路を利用(共用)して前記スイッチへ電気的に接続される。したがって、当該制御ユニットと前記スイッチとの間に接続部又は伝送路を別途用意する必要はない。この同一(共用)伝送路は、前記RF電力増幅器から前記スイッチにはRF信号を伝え、同時に、前記制御ユニットから前記スイッチには制御信号(すなわち直流信号)を伝えもする。この制御信号が前記スイッチの切り換え動作を誘導する。当該構成によりRF高電力発生装置が簡素化される。さらに、必要な素子が減る、すなわち、各RF電力増幅器及びスイッチ間と各制御ユニット及びスイッチ間とには1つの同一の伝送路だけがあればよいので、回路が簡素化され、そしてさらに、費用対効果が向上し且つ保守を容易にもし得る。
上記装置の一つの態様において、前記伝送路は同軸ケーブルである。同軸ケーブルは、RF信号を前記RF電力増幅器から前記RF電力結合器に伝え且つ同時に制御信号(すなわち直流信号)を前記制御ユニットから前記スイッチに伝える前記伝送路を確立するための、簡素で効率的な手段である。
上記装置の別の態様において、前記RF電力増幅器と前記制御ユニットとがRFモジュールを構成する。該RFモジュールは単一ユニットである。このRFモジュールは、前記RF電力増幅器及び前記制御ユニットを含んだ容器又は筐体の形態でよい。このようなRFモジュールにより、上記装置のRF系への組み込みが簡単且つ容易になる。
本発明の別の態様において、上記装置は、前記制御ユニットと前記RF電力増幅器との間に接続されたRFチョークを含む。このRFチョークは、前記RF電力増幅器がRF信号を生成するために使用されるとき又は使用されているときに、前記制御ユニットを、当該RF電力増幅器によるRF信号から電気的に分離する。これにより、前記制御ユニットはRF信号による影響を受けない。
本発明の他の態様において、上記装置は、前記RF電力増幅器と前記制御ユニットとの間に接続された第1直流阻止キャパシタを含む。この第1直流阻止キャパシタは、前記制御ユニットが直流信号を生成するために使用されるとき又は使用されているときに、前記RF電力増幅器を、当該制御ユニットによる直流信号から電気的に分離する。これにより、前記RF電力増幅器は直流信号による影響を受けない。
本発明の他の態様において、上記装置は、前記スイッチと前記RF電力結合器との間に接続された第2直流阻止キャパシタを含む。この第2直流阻止キャパシタは、前記制御ユニットが直流信号を生成するために使用されるとき又は使用されているときに、前記RF電力結合器を、当該制御ユニットによる直流信号から電気的に分離する。これにより、前記RF電力結合器は直流信号による影響を受けない。
上記装置の他の態様において、前記制御ユニットは、安定化直流源及び直流電圧源のいずれか又は両方を含む。これは、前記制御ユニットの簡単な形態を提供する。
上記装置の他の態様において、前記スイッチは、PINダイオードを含む。このPINダイオードは、オン(ON)モードとオフ(OFF)モードの切り換えが可能で、そのオンモードとオフモードとで、RF信号は、前記スイッチを通って流れることが許可され又は阻止される。このようなPINダイオードは、RF用途での効率的なスイッチである。
上記装置の他の態様において、前記スイッチは、トランジスタを含む。このトランジスタは、オンモードとオフモードの切り換えが可能で、そのオンモードとオフモードとで、RF信号は、前記スイッチを通って流れることが許可又は阻止される。このようなトランジスタは、RF用途での効率的スイッチである。
上記装置の他の態様において、前記スイッチは、前記伝送路及び前記RF電力結合器に対して直列に接続される。これにより、当該スイッチを上記装置に組み込む簡単な手法が提供される。
上記装置の他の態様において、前記スイッチは、前記伝送路及び前記RF電力結合器に対して並列に接続される。これにより、当該スイッチを上記装置に組み込む別の簡単な手法が提供される。
次の図面に例示した実施形態を参照して本発明につき以下に詳述する。
現在最新の既知回路配置を示す図。 本発明の態様に係る装置を示す図。
以下に、本発明の前述した特徴及びその他の特徴を詳細に説明する。図面を参照して種々の実施形態を説明するが、全体を通じて類似の参照数字が類似の要素を指すために使用される。以下の説明では、解説を目的として、1つ以上の実施形態の徹底した理解を可能にするために多数の特定の詳細が開示される。当然ながら、例示する実施形態は、本発明を説明するためのものであり、限定するためのものではない。同様の実施形態が、それら特定の詳細でなくとも実施され得ることは、言う迄も無い。
図1に、RF電力増幅器1及びRF電力結合器3について現在最新の既知回路配置10を示す。回路配置10においてRF電力結合器3は、RF入力14とRF出力15をもつ。RF電力結合器3のRF入力14はそれぞれ、伝送路11によってRF電力増幅器1に接続される。RF電力増幅器1からのRF信号又はRF電力が、伝送路11を介してRF電力結合器3のRF入力14に供給される。RF電力増幅器1からの供給を制御するために、すなわち、所望のRF増幅器1だけからRF信号がRF電力結合器3へ供給されるようにRF電力増幅器1を制御するために、所定のRF増幅器1をRF電力結合器3へ接続する各伝送路11にスイッチ2を備える。スイッチ2は、伝送路11が接続する各RF電力入力14にそれぞれ配設されるのが一般的である。各スイッチ2は、その切り換え動作によって、所定のRF電力増幅器1からRF電力結合器3へのRF信号提供を許可又は阻止する。各スイッチ2は、個別の制御ユニット4によって制御される。制御ユニット4は、切り換え動作を誘導する、すなわち、スイッチオンとオフを切り換える。制御ユニット4は、個別の電気コネクタ13によってスイッチ2に接続される。スイッチ2をオン又はオフ状態にする情報が、コネクタ12を介して中央制御システム6から制御ユニット4へ提供される。
図1には、2つの電力増幅器1及びその各接続部とスイッチ2及び制御ユニット4だけが示されているが、高出力RF増幅器/発生器システムは、より多くのRF電力増幅器1を含み得る。その各RF電力増幅器1が個別のスイッチ2を有し、各スイッチ2は、個別の電気コネクタ13によってスイッチ2と接続された個別の制御ユニット4を有する。
制御ユニット4は、スイッチ2に電流又は電圧を印加して該スイッチを導通状態と非導通状態に切り換えることによって、スイッチ2のポジションを制御する。制御ユニット4は、安定化直流源41及び直流電圧源42のいずれか又は両方を、制御ユニット4からスイッチ2へ提供される直流電流又は直流電圧を制御するマイクロプロセッサ(省略可能:図示せず)と共に、含む。制御ユニット4に電力を提供するために直流電源5が使用される。以上の回路配置10から明らかなように、1つのRF電力増幅器1をRF電力結合器3の1つのRF入力14と接続するために、RF電力増幅器1をRF入力14へ接続する少なくとも1つの伝送路11が必要とされ、且つ、伝送路11を制御するスイッチ2に制御ユニット4を接続するために少なくとも1つの電気コネクタ13が必要とされる。
図2は、本発明の実施形態に係る装置100を示す。装置100は、RF電力結合器3と、少なくとも1つのRF電力増幅器1と、スイッチ2と、制御ユニット4と、伝送路8とを含む。
RF電力結合器3は、複数の入力RF信号を受けて単一のRF出力信号を送出するRF電力結合回路である。RF電力結合器3は、複数のRF入力14と少なくとも1つのRF出力15とを含む。RF電力結合器3は、複数のRF入力14を介してRF電力を受信し、受信したRF電力のインピーダンスを合成単一出力のインピーダンスへ変換する。合成単一出力は、単一RF出力15を介してRF電力結合器3から出力される。RF電力結合器3は、様々なタイプ、例えば、ゼロ度RF電力結合器(zero-degree RF power combiner)であり、任意の技術仕様をもち得る。
RF電力増幅器1は、伝送路8を介してRF入力14と電気的に接続される。伝送路8は同軸ケーブルであるが、ただしこれに限定されない。
スイッチ(又はRFスイッチ)2は、限定する訳ではないが、トランジスタ、PINダイオードなどである。スイッチ2は、切り換え動作を行うように構成される。スイッチ2は、その切り換え動作によって、伝送路8を通したRF電力増幅器1からRF入力14へのRF信号伝送を制御するように構成される。制御ユニット4は、スイッチ2と電気的に接続される。制御ユニット4は、スイッチ2の切り換え動作を制御するように構成される。制御ユニット4は、安定化直流源41及び直流電圧源42のいずれか又は両方を、制御ユニット4からスイッチ2へ提供される直流電流又は直流電圧を制御するマイクロプロセッサ(省略可能:図示せず)と共に、含み得る。制御ユニット4に電力を提供するために直流電源5が使用される。制御ユニット4は、同一の伝送路8によってスイッチ2と電気的に接続される。したがって、図1に示したような制御ユニット4とスイッチ2との間の電気コネクタ13が不要である。すなわち装置100においては、同一の伝送路8が、RF信号をRF電力増幅器1からRF入力14へ伝え、且つ同時に、制御信号(すなわち直流信号)を制御ユニット4からスイッチ2へ伝える。制御信号は、スイッチ2の切り換え動作を誘導する。
装置100の一実施形態において、スイッチ2は、伝送路8、RF電力結合器3及びRF電力増幅器1に対して直列に接続される。図2において参照数字21が示すのは、概略的に示した直列接続のスイッチ2である。スイッチ2はRF入力14に配設される。あるいは、装置100の別の実施形態では、スイッチが伝送路8及びRF電力結合器3に対して並列に接続される。図2において参照数字22が示すのは、概略的に示した並列接続のスイッチ2である。
伝送路8と直列に接続されたスイッチ2が装置100に含まれる場合、オンモードでは、スイッチ2(例えば、PINダイオード2)が、伝送路8を介したRF電力増幅器1からRF電力結合器3へのRF信号の流れを許可し、オフモードでは、PINダイオード2が、伝送路8を介したRF電力増幅器1からRF電力結合器3へのRF信号の流れを阻止する。制御ユニット4は、スイッチ2に電流又は電圧を印加することによってスイッチ2のポジションを制御することにより、該スイッチ2を導通状態又は非導通状態へ遷移させる。
上述したように、スイッチ2は、並列接続方式でも動作し得る。並列接続の場合、例えば、スイッチ2は、RF電力増幅器1からのRF信号を短絡するように接続され、したがって、スイッチ2がオン又は閉状態のときはRF電力増幅器1からのRF信号がスイッチ2に通されることでRF電力結合器3の方には行かず、一方、スイッチ2がオフ又は開状態のときにはRF電力増幅器1からのRF信号がスイッチに通されないことでRF電力結合器3の方へ流れる。言うまでも無く、電気学分野の当業者であれば分かるように、スイッチ2は、制御ユニット4からスイッチ2への制御信号がRF電力増幅器1からRF入力14へRF信号を提供するのと同一の伝送路8によって提供されるという、本発明の範囲内で、装置100において様々な回路トポロジで接続可能である。
装置100は、制御ユニット4とRF電力増幅器1との間に接続された図2のRFチョーク10を含む。RFチョーク10は、RF電力増幅器1がRF信号を生成するために使用されるか又は使用されているときに、制御ユニット4を、RF電力増幅器1によるRF信号から電気的に分離する。さらに、装置100は、RF電力増幅器1と制御ユニット4との間に接続された第1直流阻止キャパシタ9を含む。第1直流阻止キャパシタ9は、制御ユニット4が直流信号を生成するために使用されるか又は使用されているときに、RF電力増幅器1を、制御ユニット4による直流信号から電気的に分離する。制御ユニット4による直流信号は、スイッチ2を制御、誘導する信号、すなわち、スイッチ2を導通状態と非導通状態とに切り換えるかあるいはスイッチ2を導通状態又は非導通状態に維持する信号を、含む。
装置100の一実施形態において、RF電力増幅器1と制御ユニット4は、RFモジュール7を構成する。RFモジュール7は単一ユニットである。RFモジュール7は、RF電力増幅器1と制御ユニット4とが中に収められた容器71又は筐体の形態であり得る。さらに、RFチョーク10と第1直流阻止キャパシタ9も、RFモジュール7内に収容され得る。直流電源5がRFモジュール7に提供される。中央制御システム6が、制御ユニット4に情報を提供する。
装置100は、さらに、スイッチ2とRF電力結合器3との間に接続された第2直流阻止キャパシタ91を含む。第2直流阻止キャパシタ91は、制御ユニット4が直流信号を生成するために使用されるか又は使用されているときに、スイッチ2を介した制御ユニット4による直流信号からRF電力結合器3を電気的に分離する。
本発明についていくつかの実施形態を基に詳細に説明したが、当然ながら、本発明はそれら実施形態そのものに限定されない。さらに言えば、本発明を実施するための例示的態様を説明した本開示に鑑みれば、本発明の範囲及び思想から逸脱することなく多くの変形及び派生のあることが当業者には明らかである。したがって、本発明の範囲は、以上の説明によってではなく特許請求の範囲によって画定される。特許請求の範囲と均等の要旨及び範囲において可能な置換、変形及び派生は全て本発明の範囲内にある。
1 RF電力増幅器
2 スイッチ
3 RF電力結合器
4 制御ユニット
5 直流電源
6 中央制御システム
7 RFモジュール
8 伝送路
9 第1直流阻止キャパシタ
10 RFチョーク
11 RF電力増幅器−スイッチ間のコネクタ(伝送路)
12 中央制御システム−制御ユニット間のコネクタ
13 制御ユニット−スイッチ間のコネクタ
14 RF電力結合器のRF入力
15 RF電力結合器のRF出力
21 直列接続スイッチ
22 並列接続スイッチ
41 安定化直流源
42 直流電圧源
71 RFモジュールの容器(筐体)
91 第2直流阻止キャパシタ
100 RF高電力発生装置

Claims (11)

  1. RF高電力発生装置(100)であって、
    少なくとも1つのRF入力(14)及び少なくとも1つのRF出力(15)を有するRF電力結合器(3)と、
    伝送路(8)を介して前記RF入力(14)と電気的に接続された少なくとも1つのRF電力増幅器(1)と、
    前記伝送路(8)に設けられる少なくとも1つのスイッチ(2)であって、切り換え動作によって、前記伝送路(8)を介した前記RF電力増幅器(1)から前記RF入力(14)へのRF信号伝送を制御するように構成されたスイッチ(2)と、
    前記スイッチ(2)と電気的に接続され、前記スイッチ(2)の前記切り換え動作を制御するように構成された制御ユニット(4)とを備え、
    前記制御ユニット(4)が、同一の前記伝送路(8)を利用して前記スイッチ(2)へ電気的に接続される、RF高電力発生装置。
  2. 各前記伝送路(8)が単一の同軸ケーブルである、請求項1に記載のRF高電力発生装置。
  3. 前記RF電力増幅器(1)及び前記制御ユニット(4)がRFモジュール(7)を構成し、該RFモジュール(7)が単一ユニットである、請求項1又は請求項2に記載のRF高電力発生装置。
  4. 前記制御ユニット(4)と前記RF電力増幅器(1)との間に接続されて、前記制御ユニット(4)を、前記RF電力増幅器(1)によるRF信号から電気的に分離するRFチョーク(10)をさらに備えた、請求項1〜3のいずれか1項に記載のRF高電力発生装置。
  5. 前記RF電力増幅器(1)と前記制御ユニット(4)との間に接続されて、前記RF電力増幅器(1)を、前記制御ユニット(4)による直流信号から電気的に分離する第1直流阻止キャパシタ(9)をさらに備えた、請求項1〜4のいずれか1項に記載のRF高電力発生装置。
  6. 前記スイッチ(2)と前記RF電力結合器(3)との間に接続されて、前記RF電力結合器(3)を、前記制御ユニット(4)による直流信号から電気的に分離する第2直流阻止キャパシタ(91)をさらに備えた、請求項1〜5のいずれか1項に記載のRF高電力発生装置。
  7. 前記制御ユニット(4)が、安定化直流源(41)及び直流電圧源(42)のいずれか又は両方を備えている、請求項1〜6のいずれか1項に記載のRF高電力発生装置。
  8. 前記スイッチ(2)がPINダイオードを含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載のRF高電力発生装置。
  9. 前記スイッチ(2)がトランジスタを含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載のRF高電力発生装置。
  10. 前記スイッチ(2)が、前記伝送路(8)と前記RF電力結合器(3)に対して直列に接続されている、請求項1〜9のいずれか1項に記載のRF高電力発生装置。
  11. 前記スイッチ(2)が、前記伝送路(8)と前記RF電力結合器(3)に対して並列に接続されている、請求項1〜9のいずれか1項に記載のRF高電力発生装置。
JP2017535703A 2014-12-29 2014-12-29 Rf高電力発生装置 Pending JP2018505593A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2840101A1 (de) 2013-08-23 2015-02-25 BASF Coatings GmbH Dimerfettsäure-haltiges Reaktionsprodukt und ein das Reaktionsprodukt enhaltendes Beschichtungsmittel
RU181024U1 (ru) * 2017-12-08 2018-07-03 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт технической физики и автоматизации" (АО "НИИТФА") Конструкция радиочастотного объединителя с ключами

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318829A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Fujitsu Ltd 高周波電力分配・合成器
US20020118076A1 (en) * 2000-01-12 2002-08-29 Sharpe Thomas M High Power Pin Diode Switch

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4836253B2 (ja) * 2006-09-01 2011-12-14 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 電力増幅装置および携帯電話端末
US8022772B2 (en) * 2009-03-19 2011-09-20 Qualcomm Incorporated Cascode amplifier with protection circuitry
US8102205B2 (en) * 2009-08-04 2012-01-24 Qualcomm, Incorporated Amplifier module with multiple operating modes
US9083293B2 (en) * 2011-05-19 2015-07-14 Mediatek Inc. Signal transceiver
JP2012249236A (ja) * 2011-05-31 2012-12-13 Renesas Mobile Corp 半導体集積回路装置、電子装置、及び無線通信端末

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318829A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Fujitsu Ltd 高周波電力分配・合成器
US20020118076A1 (en) * 2000-01-12 2002-08-29 Sharpe Thomas M High Power Pin Diode Switch

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