JP2018200924A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】制御チップの熱を基板に流して、複数のレーザダイオードの温度を均等化すること。【解決手段】光モジュール１００は、基板１１０と、シリコンフォトニクスチップ１２０と、シリコンフォトニクスチップ１２０に配置される複数のレーザダイオード１３０ａ〜１３０ｄと、金属バー１４０と、制御チップ１５０とを備える。制御チップ１５０は、基板１１０とシリコンフォトニクスチップ１２０とに跨がって配置される。金属バー１４０は、レーザダイオード１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれのシリコンフォトニクスチップ１２０側でない面に設けられた端子と接し、各端子とシリコンフォトニクスチップ１２０または基板１１０の電気回路とを電気的に接続する。【選択図】図１

Description

本発明は、光モジュールに関する。

従来、入力された電気信号を光信号に変換し、変換した光信号を出力する光モジュールがある。このような光モジュールは、たとえば、シリコンフォトニクスチップ上にレーザダイオードや制御チップを実装して構成される。また、従来、電子部品を光電変換基板と電気回路基板を跨いだ状態で配置するようにした技術が知られている（たとえば、下記特許文献１参照。）。

特開２００４−０９６０００号公報

しかしながら、従来技術では、たとえば、シリコンフォトニクスチップ上に制御チップと複数のレーザダイオードを配置する場合に、制御チップに近いレーザダイオードは制御チップの熱により高温になり、出力が低下するという問題がある。

１つの側面では、本発明は、制御チップの熱を基板に流して複数のレーザダイオードの温度を均等化することができる、光モジュールを提供することを目的とする。

１つの実施態様では、光モジュールは、基板と、シリコンフォトニクスチップと、前記基板と前記シリコンフォトニクスチップとに跨がって配置される制御チップと、前記シリコンフォトニクスチップに配置される複数のレーザダイオードと、前記複数のレーザダイオードの各端子と接し、前記各端子と前記シリコンフォトニクスチップまたは前記基板とを電気的に接続する金属性のバーと、を備えることを特徴とする。

１つの側面では、本発明は、制御チップの熱を基板に流して複数のレーザダイオードの温度を均等化することができる。

図１は、実施の形態１にかかる光モジュールの一例を示す図である。 図２は、実施の形態１にかかる金属バーの一例を示す図である。 図３は、実施の形態１にかかる給電基板の一例を示す図である。 図４は、実施の形態１にかかる光モジュールによるＳｉ−Ｐｈチップの小型化の一例を示す図である。 図５は、実施の形態１にかかる光モジュールを筐体に組み込む場合の一例を示す図である。 図６は、実施の形態２にかかる光モジュールの一例を示す図である。 図７は、実施の形態３にかかる光モジュールの一例を示す図である。 図８は、実施の形態３にかかる金属バーの一例を示す図である。 図９は、実施の形態４にかかる光モジュールの一例を示す図（その１）である。 図１０は、実施の形態４にかかる光モジュールの一例を示す図（その２）である。 図１１は、実施の形態４にかかる金属バーの一例を示す図である。

以下に図面を参照して、本発明にかかる光モジュールの実施の形態を詳細に説明する。

（実施の形態１）
（実施の形態１にかかる光モジュールの一例）
図１は、実施の形態１にかかる光モジュールの一例を示す図である。図１に示す実施の形態１にかかる光モジュール１００は、たとえば、入力された電気信号を光信号に変換して、変換した光信号を出力する光モジュールである。一例として、光モジュール１００はＱＳＦＰモジュールに組み込まれる。なお、ＱＳＦＰはＱｕａｄ Ｓｍａｌｌ Ｆｏｒｍ−Ｆａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅの略である。

ＱＳＦＰモジュールは、サーバ装置同士を直接接続するＱＳＦＰケーブルの端部に設けられる。また、光モジュール１００は、ＱＳＦＰ＋モジュール等、他の光送信モジュールや光トランシーバに組み込まれてもよい。

図１に示すように、光モジュール１００は、たとえば、基板１１０と、シリコンフォトニクスチップ１２０と、レーザダイオード１３０ａ〜１３０ｄと、金属バー１４０と、制御チップ１５０と、を備える。

以下の説明において、シリコンフォトニクスチップを「Ｓｉ−Ｐｈチップ」と表記し、レーザダイオードを「ＬＤ」と表記する場合がある。また、以下の説明において、図１に示した面を光モジュール１００の各構成における上面とし、図１に示した面の反対側の面を光モジュール１００の各構成における下面とする。

基板１１０は、たとえば矩形状に形成される。基板１１０の所定位置（たとえば略中央部分）には、開口部１１１が形成される。開口部１１１は、基板１１０の上面から下面まで貫通する。また、開口部１１１は、たとえばＳｉ−Ｐｈチップ１２０よりも一回り程度大きく形成される。これにより、開口部１１１内にＳｉ−Ｐｈチップ１２０を配置することが可能となる。

基板１１０には、電気回路が設けられる。基板１１０の電気回路は、たとえばＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力を出力可能な電気回路を含む。たとえば、基板１１０にはＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力を出力するための端子（電極）が設けられ、基板１１０の電気回路はこの端子を介してＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力を出力する。

また、基板１１０の電気回路は、たとえば制御チップ１５０の駆動電力を出力可能な電気回路を含む。たとえば、基板１１０には制御チップ１５０の駆動電力を出力するための端子が設けられ、基板１１０の電気回路はこの端子を介して制御チップ１５０の駆動電力を出力する。

また、基板１１０の電気回路は、たとえば光モジュール１００による光信号への変換の対象となる電気信号を出力可能な電気回路を含む。たとえば、基板１１０には光モジュール１００による光信号への変換の対象となる電気信号を出力するための端子が設けられ、基板１１０の電気回路はこの端子を介して光信号への変換の対象となる電気信号を出力する。また、基板１１０には基板１１０の電気回路におけるグランド（グラウンド）と接続された端子等が設けられてもよい。

基板１１０は、たとえばプリント基板により実現することができる。すなわち、基板１１０は、エポキシ樹脂等の絶縁体基材に電子部品（たとえば集積回路、抵抗、コンデンサ、およびトランジスタ等）や電子部品間を接続する配線等を設けることにより実現することができる。

Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０は、たとえば、矩形状に形成されて開口部１１１内に配置される。たとえば、基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０との間にはアンダーフィル材Ｕｆが充填される。これにより、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０は基板１１０に対して固定される。一例として、アンダーフィル材Ｕｆはエポキシ樹脂等の液状硬化性樹脂により実現することができる。

Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０には、たとえば、光導波路１２１ａ〜１２１ｄと、光導波路１２１ａ〜１２１ｄを進行する光を変調する光変調器（不図示）と、が設けられる。

光導波路１２１ａは、ＬＤ１３０ａから出射された光が入射され、入射された光を出射する光導波路である。光導波路１２１ｂは、ＬＤ１３０ｂから出射された光が入射され、入射された光を出射する光導波路である。光導波路１２１ｃは、ＬＤ１３０ｃから出射された光が入射され、入射された光を出射する光導波路である。光導波路１２１ｄは、ＬＤ１３０ｄから出射された光が入射され、入射された光を出射する光導波路である。

Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の光変調器は、制御チップ１５０の制御にしたがって光導波路１２１ａ〜１２１ｄを進行する光を変調する。たとえば、光変調器は、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０において制御チップ１５０と対向する位置に設けられる。このため、光導波路１２１ａ〜１２１ｄは、図１に示すように、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄから出射された光を制御チップ１５０と対向して設けられた光変調器へ伝搬可能な部分を含む。このように、光変調器をＳｉ−Ｐｈチップ１２０において制御チップ１５０と近接する位置に設けることにより、制御チップ１５０と光変調器との間の配線を短くすることができ、制御チップ１５０と光変調器との通信性を向上させることができる。

また、たとえば、光変調器は、光導波路１２１ａ〜１２１ｄの光導波路毎に設けられ、各光導波路を進行する光をそれぞれ変調する。これにより、光導波路１２１ａ〜１２１ｄの光導波路毎に異なる光信号を生成することができる。一例として、光変調器はマッハ・ツェンダ型変調器により実現することができる。

また、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０には、電気回路が設けられる。Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の電気回路は、たとえば、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力の入力を受け付けて、受け付けた駆動電力をＬＤ１３０ａ〜１３０ｄへ供給可能な電気回路を含む。

たとえば、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０には、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力の入力を受け付けるための端子と、受け付けた駆動電力をＬＤ１３０ａ〜１３０ｄへ供給するための端子や配線と、が設けられる。そして、たとえば、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の電気回路は、これらの端子や配線を介して、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力の入力を受け付けたり、受け付けた駆動電力をＬＤ１３０ａ〜１３０ｄへ供給したりする。また、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０にはＳｉ−Ｐｈチップ１２０の電気回路におけるグランドと接続された端子等が設けられてもよい。

Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０は、たとえばシリコン基板に各種の光素子や電子素子を集積したＳｉ−Ｐｈチップにより実現することができる。

ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄはＳｉ−Ｐｈチップ１２０上面の所定位置に配置される。たとえば、図１に示すように、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄはＳｉ−Ｐｈチップ１２０の長手方向に沿って並ぶように配置される。なお、図１に示す例では、制御チップ１５０から近い方から順にＬＤ１３０ａ、ＬＤ１３０ｂ、ＬＤ１３０ｃ、ＬＤ１３０ｄと配置されている。

このため、図１に示す例では、ＬＤ１３０ａ、ＬＤ１３０ｂ、ＬＤ１３０ｃ、ＬＤ１３０ｄの順で、制御チップ１５０からの熱が伝わりやすい。したがって、この場合、ＬＤ１３０ａが最も高温となりやすいＬＤとなり、ＬＤ１３０ｄが最も高温となりにくいＬＤとなる。

ＬＤ１３０ａは、駆動電力が供給されることにより所定の光（たとえば波長や強度が一定の光）を光導波路１２１ａ内へ出射する。同様に、ＬＤ１３０ｂ〜１３０ｄは、駆動電力が供給されることにより所定の光を光導波路１２１ｂ〜１２１ｄ内へ出射する。たとえば、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄは、駆動電力が供給されることにより所定の光をレーザ発振するレーザ発振器を備えた発光モジュールにより実現することができる。

また、詳細は図２等を用いて後述するが、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれには、駆動電力の供給を受け付けるための一対の端子が設けられる。そして、一対の端子のうち、一方の端子に駆動電圧が印加され、他方の端子がグランドと電気的に接続（すなわち０［Ｖ］が印加）されることにより、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄへ駆動電力が供給される。たとえば、一対の端子のうち、一方の端子はＬＤ１３０ａ〜１３０ｄ下面（すなわちＳｉ−Ｐｈチップ１２０側となる面）に設けられ、他方の端子はＬＤ１３０ａ〜１３０ｄ上面（すなわち金属バー１４０側となる面）に設けられる。

金属バー１４０は、熱を伝導可能であり、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄ上面の各端子と接した状態で設けられる金属性のバーである。金属バー１４０により、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄを熱的に接続することができ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度を均等化することができる。したがって、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄのうち最も温度の高いＬＤ（たとえば制御チップ１５０の最も近くに配置されるＬＤ１３０ａ）の温度を他のＬＤの温度に近づけて下げることができる。

また、金属バー１４０は、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０とも接した状態で設けられてもよい。このようにすれば、金属バー１４０を介してＬＤ１３０ａ〜１３０ｄとＳｉ−Ｐｈチップ１２０とを熱的に接続することができる。この場合、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの熱をＳｉ−Ｐｈチップ１２０へ分散させることが可能となり、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度を下げることができる。

また、金属バー１４０は、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄ上面の各端子と、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０または基板１１０と、を電気的に接続可能な導電体である。たとえば、金属バー１４０は、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の電気回路または基板１１０の電気回路におけるグランドと接続されて設けられる。このような金属バー１４０により、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄ上面の各端子を一括してグランドと電気的に接続することができる。

一例として、金属バー１４０は、所定の形状に加工した銅等の金属部材により実現することができる。また、金属バー１４０には、ニッケルメッキや金メッキなどのメッキ加工を施してもよい。なお、金属バー１４０については図２等を用いて再度説明する。

制御チップ１５０は、基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がった状態で設けられる。これにより、制御チップ１５０の熱の一部を基板１１０へ直接伝えることができ、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０へ伝えられる制御チップ１５０の熱を小さくすることができる。したがって、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の温度を下げることができ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度を下げることが可能となる。

また、制御チップ１５０は、たとえば下面に端子が設けられたフリップチップである。たとえば、制御チップ１５０下面における基板１１０と対向する位置には、制御チップ１５０の駆動電力が入力される端子が設けられる。そして、制御チップ１５０下面に設けられた制御チップ１５０の駆動電力が入力される端子は、基板１１０上面に設けられた制御チップ１５０の駆動電力が出力される端子とバンプ等により接合される。これにより、基板１１０から制御チップ１５０へ駆動電力を供給し、制御チップ１５０を駆動させることができる。

また、たとえば、制御チップ１５０下面における基板１１０と対向する位置には、光信号への変換の対象となる電気信号が入力される端子が設けられる。そして、制御チップ１５０下面に設けられた光信号への変換の対象となる電気信号が入力される端子は、基板１１０上面に設けられた光信号への変換の対象となる電気信号が出力される端子とバンプ等により接合される。これにより、基板１１０から制御チップ１５０へ光信号への変換の対象となる電気信号を入力し、この電気信号に基づく変調を制御チップ１５０に行わせることができる。

また、たとえば、制御チップ１５０下面におけるＳｉ−Ｐｈチップ１２０と対向する位置には光変調器を制御するための電気信号が出力される端子が設けられる。そして、制御チップ１５０下面に設けられた光変調器を制御するための電気信号が出力される端子は、光変調器の端子とバンプ等により接合される。これにより、制御チップ１５０から光変調器を制御するための電気信号を光変調器へ出力し、この電気信号に基づく変調を光変調器に行わせることができる。

なお、制御チップ１５０の制御にしたがって光変調器により変調された光信号は、たとえば不図示の光導波路を介して光モジュール１００外部へ出力される。この光導波路は、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０に形成された光導波路であってもよいし、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０外部に設けられた光ファイバ等であってもよい。

また、光モジュール１００には、給電基板１６０が設けられてもよい。給電基板１６０は、基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がった状態で設けれ、基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とを電気的に接続する。たとえば、給電基板１６０には、配線１６１ａ〜１６１ｅが設けられる。ここで、配線１６１ａ〜１６１ｅは、基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がった状態で給電基板１６０下面に設けられる。

そして、たとえば、配線１６１ａ〜１６１ｅの基板１１０側の端部は、基板１１０上面に設けられたＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力が出力される端子とバンプや半田等により接合される。また、配線１６１ａ〜１６１ｅのＳｉ−Ｐｈチップ１２０側の端部は、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面に設けられたＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力が入力される端子とバンプや半田等により接合される。

このような給電基板１６０により、基板１１０の電気回路から出力されたＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力をＳｉ−Ｐｈチップ１２０の電気回路へ入力することができる。また、給電基板１６０により、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の熱を基板１１０へ伝えることができる。このため、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の熱を分散してＳｉ−Ｐｈチップ１２０の温度を下げることができ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度を下げることが可能となる。

また、給電基板１６０には、基板１１０の電気回路におけるグランドとＳｉ−Ｐｈチップ１２０の電気回路におけるグランドとを接続する配線等が設けられてもよい。一例として、配線１６１ａ〜１６１ｅのうちいずれかの配線（たとえば配線１６１ｃ）は、基板１１０の電気回路におけるグランドとＳｉ−Ｐｈチップ１２０の電気回路におけるグランドとを接続する配線であってもよい。

給電基板１６０は、たとえば、エポキシ樹脂等の絶縁体基材に配線１６１ａ〜１６１ｅ等を設けたプリント基板により実現することができる。

（実施の形態１にかかる金属バーの一例）
つぎに、実施の形態１にかかる金属バー１４０の一例について説明する。図２は、実施の形態１にかかる金属バーの一例を示す図である。図２において、図１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２は、たとえば、図１におけるＡ−Ａ線の断面をＡ’の方から見た場合の一例を示している。図２においては給電基板１６０の図示を省略する。

図２に示すように、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄは、たとえば、基材１３１と、端子１３２と、端子１３３と、を含む。基材１３１には、たとえばレーザ発振器やＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動回路等が設けられる。

端子１３２は、たとえば、基材１３１下面（すなわちＳｉ−Ｐｈチップ１２０側となる面）に設けられ、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の端子や配線等と接する。これにより、端子１３２には、たとえばＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電圧が印加される。また、端子１３３は、たとえば基材１３１上面（すなわち金属バー１４０側となる面）に設けられ、金属バー１４０（後述の上部１４１）と接する。

また、図２に示すように、金属バー１４０は、たとえば、上部１４１と、側部１４２と、下部１４３と、を含む。上部１４１は、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３と接して設けられる。側部１４２は上部１４１の所定位置からＳｉ−Ｐｈチップ１２０の方へ向かって伸びるように設けられ、側部１４２のＳｉ−Ｐｈチップ１２０側には金属バー１４０をＳｉ−Ｐｈチップ１２０に固定するための下部１４３が設けられる。すなわち、側部１４２および下部１４３は、上部１４１をＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３と接した状態で保持する。

金属バー１４０は、たとえばＳｉ−Ｐｈチップ１２０上面の所定位置に下部１４３がビスや半田等により固定されることで、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面に固定される。また、下部１４３が固定される位置には、たとえばグランドと接続された端子等が設けられる。このため、下部１４３をＳｉ−Ｐｈチップ１２０に固定した場合に、金属バー１４０をグランドと接続された導電体として扱うことが可能となる。

これにより、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３２にＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電圧を印加する一方、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３をグランドと電気的に接続することができる。このため、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄに駆動電力が供給され、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄを駆動させることができる。

このように、光モジュール１００では、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３を金属バー１４０により一括してグランドと接続することができる。このため、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３をワイヤボンディングにより個々にグランドと接続する場合に比べて配線を簡略化することができる。

また、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３をワイヤボンディングにより個々にグランドと接続するようにした場合は、それぞれのワイヤボンディングに対応してグランドの端子をＳｉ−Ｐｈチップ１２０に設けたりする。この場合、これらのグランドの端子を配置するスペースをＳｉ−Ｐｈチップ１２０に確保する必要があり、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０が大型化する場合がある。

これに対して、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３を金属バー１４０により一括してグランドと接続するようにした場合は、たとえば下部１４３が固定される位置にグランドの端子を１つ設ければよい。このため、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０に設ける端子数を減らすことができ、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の小型化を図ることができる。

また、図２に示す例の場合、ＬＤ１３０ａの熱は放熱経路２０１ａに示すように金属バー１４０へ伝えられ、ＬＤ１３０ｂの熱は放熱経路２０１ｂに示すように金属バー１４０へ伝えられる。また、ＬＤ１３０ｃの熱は放熱経路２０１ｃに示すように金属バー１４０へ伝えられ、ＬＤ１３０ｄの熱は放熱経路２０１ｄに示すように金属バー１４０へ伝えられる。

そして、金属バー１４０へ伝えられた熱は放熱経路２０２に示すようにＳｉ−Ｐｈチップ１２０へ伝えられる。これにより、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの熱を金属バー１４０およびＳｉ−Ｐｈチップ１２０へ分散させることができ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度を下げることができる。

なお、側部１４２および下部１４３は、たとえば金属バー１４０において制御チップ１５０に最も近くなる位置以外の位置に設けられる。図２に示す例では、上部１４１のＬＤ１３０ｄ側の端部に側部１４２および下部１４３を設けている。ここでＬＤ１３０ｄは、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄのうち制御チップ１５０から最も遠くに配置されるＬＤである。側部１４２および下部１４３を、金属バー１４０において制御チップ１５０に最も近くなる位置以外の位置に設けることにより、側部１４２および下部１４３に伝わる制御チップ１５０の熱を小さくすることができる。したがって、金属バー１４０によるＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの冷却効果を高めることができる。

また、図２に示すように、制御チップ１５０は、基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置される。そして、たとえば、制御チップ１５０下面に設けられた端子と、基板１１０およびＳｉ−Ｐｈチップ１２０の上面に設けられた端子とは、バンプＢｐにより接合される。このため、制御チップ１５０の熱の一部は、放熱経路２０３に示すように基板１１０へ伝えられる。

これにより、制御チップ１５０の熱を基板１１０へ分散させることができ、制御チップ１５０の温度を下げることができる。また、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０に伝わる制御チップ１５０の熱を小さくすることができ、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の温度を下げることができる。

したがって、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄに伝わる制御チップ１５０の熱を小さくすることができ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度の低減および均等化を図ることができる。このため、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの出力を安定させ、光モジュール１００から出力される光信号の品質の向上を図ることができる。

また、制御チップ１５０と基板１１０とをバンプ接合した場合、これらをワイヤボンディングにより接続するようにした場合に比べて、制御チップ１５０の端子と基板１１０の端子との間の距離を短くすることができる。したがって、この間の熱抵抗を小さくして熱を伝えやすくすることができる。

また、制御チップ１５０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とをバンプ接合した場合、これらをワイヤボンディングにより接続するようにした場合に比べて、制御チップ１５０の端子とＳｉ−Ｐｈチップ１２０の端子との間の距離を短くすることができる。したがって、この間の熱抵抗を小さくして熱を伝えやすくすることができる。

また、図２に示すように、たとえば、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０は、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面が基板１１０上面の略同じ高さとされた状態でアンダーフィル材Ｕｆにより基板１１０に対して固定される。これにより、制御チップ１５０と基板１１０およびＳｉ−Ｐｈチップ１２０とのバンプ接合を容易にすることができる。

なお、上部１４１と側部１４２と下部１４３とは、たとえば１つの金属部材により一体形成されていてもよいし、各部が異なる金属部材によって形成されていてもよい。ただし、各部が異なる金属部材によって形成されるようにした場合は、各部の金属部材同士が密着する等して、金属バー１４０全体の伝熱性および電導性が確保されているものとする。

また、図１および図２に示した例では、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の長手方向および短手方向の４辺と基板１１０との間、およびＳｉ−Ｐｈチップ１２０下面側にアンダーフィル材Ｕｆを設けた例を示したが、これに限らない。アンダーフィル材Ｕｆは、少なくともＳｉ−Ｐｈチップ１２０と基板１１０との対向面の１つの間に設ければよい。たとえば、アンダーフィル材Ｕｆは、図１におけるＳｉ−Ｐｈチップ１２０の短手方向の２辺と基板１１０との間にのみ設けるようにしてもよい。

（実施の形態１にかかる給電基板の一例）
つぎに、実施の形態１にかかる給電基板１６０について説明する。図３は、実施の形態１にかかる給電基板の一例を示す図である。図３は、たとえば、図１におけるＢ−Ｂ線の断面をＢ’の方から見た場合の一例を示している。図３において、図１および図２と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。また、図３においては光導波路１２１ａ〜１２１ｄの図示を省略する。

図３に示すように、給電基板１６０は、基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置される。そして、給電基板１６０下面に設けられた端子（たとえば図１に示した配線１６１ａ〜１６１ｅの端部に設けられる端子）と、基板１１０およびＳｉ−Ｐｈチップ１２０の上面に設けられた端子とは、バンプＢｐにより接合される。

このため、金属バー１４０を介してＳｉ−Ｐｈチップ１２０へ伝えられたＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの熱を含むＳｉ−Ｐｈチップ１２０の熱は、放熱経路３０１に示すように基板１１０へ伝えられる。これにより、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の熱を基板１１０へ分散させることができ、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の温度を下げることができる。したがって、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの熱をＳｉ−Ｐｈチップ１２０へ伝えやすくして、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度を下げることができる。

また、給電基板１６０と基板１１０とをバンプ接合した場合、これらをワイヤボンディングにより接続するようにした場合に比べて、給電基板１６０の端子と基板１１０の端子との間の距離を短くすることができる。したがって、この間の熱抵抗を小さくして熱を伝えやすくすることができる。

また、給電基板１６０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とをバンプ接合した場合、これらをワイヤボンディングにより接続するようにした場合に比べて、給電基板１６０の端子とＳｉ−Ｐｈチップ１２０の端子との間の距離を短くすることができる。したがって、この間の熱抵抗を小さくして熱を伝えやすくすることができる。

また、たとえば、図３に示すように、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０は、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面が基板１１０上面の略同じ高さとされた状態でアンダーフィル材Ｕｆにより基板１１０に対して固定される。これにより、給電基板１６０と基板１１０およびＳｉ−Ｐｈチップ１２０とのバンプ接合を容易にすることができる。

（実施の形態１の光モジュールによるＳｉ−Ｐｈチップの小型化の一例）
つぎに、実施の形態１にかかる光モジュール１００によるＳｉ−Ｐｈチップ１２０の小型化の一例について説明する。図４は、実施の形態１にかかる光モジュールによるＳｉ−Ｐｈチップの小型化の一例を示す図である。図４において、図１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。また、図４においては光導波路１２１ａ〜１２１ｄの図示を省略する。

図４に示す光モジュール４００は、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄへの駆動電力の供給および基板１１０と制御チップ１５０との電気的な接続にワイヤボンディングを使用すると仮定した場合の光モジュールを参考として示している。

たとえば、光モジュール４００では、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面にグランドと接続された端子４０１ａ〜４０１ｄが設けられる。そして、光モジュール４００では、ＬＤ１３０ａの端子１３３と端子４０１ａとがワイヤボンディングＷｂ１ａにより接続され、ＬＤ１３０ｂの端子１３３と端子４０１ｂとがワイヤボンディングＷｂ１ｂにより接続される。また、ＬＤ１３０ｃの端子１３３と端子４０１ｃとがワイヤボンディングＷｂ１ｃにより接続され、ＬＤ１３０ｄの端子１３３と端子４０１ｄとがワイヤボンディングＷｂ１ｄにより接続される。

これに対して、実施の形態１にかかる光モジュール１００は、金属バー１４０を介してＬＤ１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれの端子１３３を一括してグランドと接続することができる。このため、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面に端子４０１ａ〜４０１ｄを設ける必要がない。

また、たとえば、光モジュール４００では、基板１１０上面に端子４０２ａ〜４０２ｄが設けられる。ここで、端子４０２ａ〜４０２ｄは、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力が出力される端子である。また、光モジュール４００では、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面に端子４０３ａ〜４０３ｄが設けられる。ここで、端子４０３ａ〜４０３ｄは、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力が入力される端子である。

そして、光モジュール４００では、端子４０２ａと端子４０３ａとがワイヤボンディングＷｂ２ａにより接続され、端子４０２ｂと端子４０３ｂとがワイヤボンディングＷｂ２ｂにより接続される。また、端子４０２ｃと端子４０３ｃとがワイヤボンディングＷｂ２ｃにより接続され、端子４０２ｄと端子４０３ｄとがワイヤボンディングＷｂ２ｄにより接続される。

これに対して、実施の形態１にかかる光モジュール１００は、給電基板１６０を介してＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力をＳｉ−Ｐｈチップ１２０へ供給することができる。このため、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面にワイヤボンディング用のピッチの大きな端子４０２ａ〜４０２ｄを設ける必要がない。

また、たとえば、光モジュール４００では、基板１１０上面に端子４０４ａ〜４０４ｄが設けられる。ここで、端子４０４ａ〜４０４ｄは、制御チップ１５０の駆動電力が出力される端子である。また、光モジュール４００では、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面に端子４０５ａ〜４０５ｄが設けられる。ここで、端子４０５ａ〜４０５ｄは、制御チップ１５０の駆動電力が入力される端子である。

そして、光モジュール４００では、端子４０４ａと端子４０５ａとがワイヤボンディングＷｂ３ａにより接続され、端子４０４ｂと端子４０５ｂとがワイヤボンディングＷｂ３ｂにより接続される。また、端子４０４ｃと端子４０５ｃとがワイヤボンディングＷｂ３ｃにより接続され、端子４０４ｄと端子４０５ｄとがワイヤボンディングＷｂ３ｄにより接続される。

これに対して、実施の形態１にかかる光モジュール１００は、基板１１０から制御チップ１５０へ駆動電力等を直接入力することができる。このため、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面に端子４０５ａ〜４０５ｄを設ける必要がない。

これらにより、光モジュール１００では、矢印４１０，４２０に示すようにＳｉ−Ｐｈチップ１２０の小型化を図ることができる。図４において、点線４１１は、金属バー１４０および給電基板１６０を設けないと仮定した場合のＳｉ−Ｐｈチップ１２０の一辺の位置を示している。

（実施の形態１にかかる光モジュールを筐体に組み込む場合の一例）
つぎに、実施の形態１にかかる光モジュール１００を筐体に組み込む場合の一例について説明する。図５は、実施の形態１にかかる光モジュールを筐体に組み込む場合の一例を示す図である。図５において、図２と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

図５に示すように、光モジュール１００は、たとえば、上部筐体５０１と下部筐体５０２とを含んで構成される筐体の内部に組み込まれる。制御チップ１５０上面と上部筐体５０１との間には、たとえばヒートスプレッダＨｓ１が設けられる。これにより、放熱経路５１０に示すように、制御チップ１５０の熱を上部筐体５０１へ分散させることができ、制御チップ１５０の温度を下げることができる。

また制御チップ１５０とヒートスプレッダＨｓ１との間やヒートスプレッダＨｓ１と上部筐体５０１との間には、サーマルグリス等の伝熱材を入れるようにしてもよい。これにより、これらの間に伝熱材を入れないようにした場合よりも制御チップ１５０の熱を上部筐体５０１へ伝えやすくすることができる。

また、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０下面と下部筐体５０２との間には、たとえばヒートスプレッダＨｓ２が設けられる。これにより、放熱経路５２０ａ〜５２０ｃに示すように、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の熱を下部筐体５０２へ分散させることができ、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の温度を下げることができる。

また、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０とヒートスプレッダＨｓ２との間やヒートスプレッダＨｓ２と下部筐体５０２との間には、サーマルグリス等の伝熱材を入れるようにしてもよい。これにより、これらの間に伝熱材を入れないようにした場合よりもＳｉ−Ｐｈチップ１２０の熱を下部筐体５０２へ伝えやすくすることができる。

また、ヒートスプレッダＨｓ１，Ｈｓ２は、たとえば、ブロック状に形成されてもよいし、複数のフィンが設けられて形成されてもよい。

以上に説明したように、実施の形態１にかかる光モジュール１００によれば、基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって制御チップ１５０を配置することで、制御チップ１５０の熱を基板１１０に直接伝えることができる。これにより、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄが受ける制御チップ１５０の熱を低減することができ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度の低減および均等化を図ることが可能となる。したがって、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの出力を安定させ、光モジュール１００から出力される光信号の品質の向上を図ることができる。

また、実施の形態１にかかる光モジュール１００によれば、金属バー１４０によってＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３をつなぐことにより、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの配線を簡易化することができる。また、金属バー１４０によってＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３をつなぐことにより、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄを熱的に接続することができ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度の均等化を図ることができる。このため、制御チップ１５０からの熱を最も受けて高温となりやすいＬＤ１３０ａの温度を、ＬＤ１３０ｂ〜１３０ｄの温度に近づけて下げることができる。これらにより、実施の形態１にかかる光モジュール１００によれば、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の小型化を図りつつ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度の低減および均等化を図ることができる。そして、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの出力を安定させ、光モジュール１００から出力される光信号の品質の向上を図ることができる。

また、以上に説明した例では、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄにおいて、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０側の各端子１３２に駆動電圧を印加し、金属バー１４０側の各端子１３３を金属バー１４０によりグランドに接続するようにしたが、これに限らない。たとえば、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面において、各端子１３２と接する位置にグランドと接続される配線を設け、下部１４３と接する位置に駆動電圧を印加される端子等を設けるようにしてもよい。このようにすれば、金属バー１４０を介してＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３に一括して駆動電圧を印加することができる。したがって、この場合もＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの配線を簡略化することができる。

（実施の形態２）
実施の形態２について、実施の形態１と異なる部分について説明する。実施の形態２は、基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０との電気的な接続にワイヤボンディングを使用するように変更した場合の一例である。

（実施の形態２にかかる光モジュールの一例）
図６は、実施の形態２にかかる光モジュールの一例を示す図である。図６において、図１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。また、図６においては光導波路１２１ａ〜１２１ｄの図示を省略する。

図６に示す実施の形態２にかかる光モジュール１００では、たとえば、基板１１０上面に端子６０１ａ〜６０１ｄが設けられる。端子６０１ａ〜６０１ｄは、たとえば、基板１１０の電気回路と接続された端子であり、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力が出力される端子である。

また、実施の形態２にかかる光モジュール１００では、たとえば、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面に端子６０２ａ〜６０２ｄが設けられる。端子６０２ａ〜６０２ｄは、たとえば、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の電気回路と接続された端子であり、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力が入力される端子である。

そして、実施の形態２にかかる光モジュール１００では、たとえば、端子６０１ａと端子６０２ａとがワイヤボンディングＷｂ４ａにより接続され、端子６０１ｂと端子６０２ｂとがワイヤボンディングＷｂ４ｂにより接続される。また、実施の形態２にかかる光モジュール１００では、たとえば、端子６０１ｃと端子６０２ｃとがワイヤボンディングＷｂ４ｃにより接続され、端子６０１ｄと端子６０２ｄとがワイヤボンディングＷｂ４ｄにより接続される。

このため、実施の形態２にかかる光モジュール１００は、給電基板１６０の代わりにワイヤボンディングＷｂ４ａ〜Ｗｂ４ｄを介して、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力を基板１１０からＳｉ−Ｐｈチップ１２０へ入力することができる。

したがって、実施の形態２にかかる光モジュール１００によれば、給電基板１６０を設けずに、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の小型化を図りつつＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度の低減および均等化を図ることができる。このため、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの出力を安定させ、光モジュール１００から出力される光信号の品質の向上を図ることができる。

（実施の形態３）
実施の形態３について、実施の形態１、２と異なる部分について説明する。実施の形態３は、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄ、金属バー１４０、制御チップ１５０、および給電基板１６０の配置位置や金属バー１４０の形状等を変更した場合の一例である。

（実施の形態３にかかる光モジュールの一例）
図７は、実施の形態３にかかる光モジュールの一例を示す図である。図７において、図１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図７に示す実施の形態３にかかる光モジュール１００では、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の長手方向に沿って並ぶように配置されたＬＤ１３０ａ〜１３０ｄを挟んで制御チップ１５０と給電基板１６０とが対称となるように配置される。

また、実施の形態３にかかる光モジュール１００の場合も、光変調器は、たとえばＳｉ−Ｐｈチップ１２０において制御チップ１５０と対向する位置に設けられる。このため、光導波路１２１ａ〜１２１ｄは、図７に示すように、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄから出射された光を制御チップ１５０と対向して設けられた光変調器へ伝搬可能な部分を含む。

図７に示す例では、ＬＤ１３０ｂおよびＬＤ１３０ｃが、ＬＤ１３０ａおよびＬＤ１３０ｄよりも制御チップ１５０の近くに配置されている。このため、図７に示す例では、ＬＤ１３０ｂおよびＬＤ１３０ｃが、ＬＤ１３０ａおよびＬＤ１３０ｄよりも制御チップ１５０からの熱が伝わりやすく高温となりやすいＬＤとなる。

（実施の形態３にかかる金属バーの一例）
図８は、実施の形態３にかかる金属バーの一例を示す図である。図８は、たとえば、図７におけるＣ−Ｃ線の断面をＣ’の方から見た場合の一例を示している。図８においては、基板１１０、光導波路１２１ａ〜１２１ｄ、および給電基板１６０の図示を省略する。また、図８において、図２と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

図８に示す実施の形態３にかかる金属バー１４０では、たとえば、上部１４１のＬＤ１３０ａ側の端部と、ＬＤ１３０ｄ側の端部と、のそれぞれに側部１４２および下部１４３が設けられる。

実施の形態３にかかる金属バー１４０は、たとえば、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面の所定位置に両方の下部１４３がビスや半田等により固定されることで、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面に固定される。また、少なくとも一方の下部１４３が固定される位置には、たとえばグランドと接続された端子等が設けられる。このため、金属バー１４０をＳｉ−Ｐｈチップ１２０に固定した場合に、金属バー１４０をグランドと接続された導電体として扱うことが可能となる。

図８に示す例の場合、ＬＤ１３０ａの熱は放熱経路８０１ａに示すように金属バー１４０へ伝えられ、ＬＤ１３０ｂの熱は放熱経路８０１ｂに示すように金属バー１４０へ伝えられる。また、ＬＤ１３０ｃの熱は放熱経路８０１ｃに示すように金属バー１４０へ伝えられ、ＬＤ１３０ｄの熱は放熱経路８０１ｄに示すように金属バー１４０へ伝えられる。

そして、金属バー１４０へ伝えられた熱は放熱経路８０２ａおよび放熱経路８０２ｂに示すようにＳｉ−Ｐｈチップ１２０へ伝えられる。これにより、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの熱を金属バー１４０およびＳｉ−Ｐｈチップ１２０へ分散させることができ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度を下げることができる。

また、実施の形態３にかかる光モジュール１００においても、実施の形態２にかかる光モジュール１００と同様に、給電基板１６０の代わりに基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とをワイヤボンディングにより電気的に接続するようにしてもよい。

また、実施の形態３にかかる光モジュール１００の場合、たとえば、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０上面において、各端子１３２と接する位置にグランドと接続される配線を設け、一方の下部１４３と接する位置に駆動電圧を印加される端子等を設けるようにしてもよい。このようにすれば、金属バー１４０を介してＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３に一括して駆動電圧を印加することができる。したがって、この場合もＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの配線を簡略化することができる。

（実施の形態４）
実施の形態４について、実施の形態１〜３と異なる部分について説明する。実施の形態４は、金属バー１４０を給電基板１６０に接合して設けるようにした場合の一例である。

（実施の形態４にかかる光モジュールの一例）
図９は、実施の形態４にかかる光モジュールの一例を示す図（その１）である。図１０は、実施の形態４にかかる光モジュールの一例を示す図（その２）である。図９および図１０において、図１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

図９等に示す実施の形態４にかかる光モジュール１００の基板１１０には、たとえば配線９０１ａ〜９０１ｄおよび配線９０２が設けられる。配線９０１ａ〜９０１ｄおよび配線９０２は、基板１１０の電気回路と接続された配線であり、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力を出力するための配線である。たとえば、配線９０１ａ〜９０１ｄは、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電圧がそれぞれ印加される配線である。また、たとえば、配線９０２は、基板１１０の電気回路におけるグランドと接続された配線である。

配線９０１ａ〜９０１ｄおよび配線９０２は、一端が開口部１１１付近まで伸びるように設けられる。そして、配線９０１ａの開口部１１１側の端部には端子９０３ａが設けられる。同様に、配線９０１ｂ〜９０１ｄの開口部１１１側の端部には端子９０３ｂ〜９０３ｄが設けられる。また、配線９０２の開口部１１１側の端部には端子９０４が設けられる。

また、実施の形態４にかかる光モジュール１００のＳｉ−Ｐｈチップ１２０には、たとえば配線９０５ａ〜９０５ｄが設けられる。配線９０５ａ〜９０５ｄは、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０の電気回路と接続された配線であり、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電力をＬＤ１３０ａ〜１３０ｄへ供給するための配線である。

たとえば、配線９０５ａはＬＤ１３０ａの駆動電力をＬＤ１３０ａへ供給するための配線である。このため、配線９０５ａの一端はＬＤ１３０ａへ接続される。また、配線９０５ａの他端には端子９０６ａが設けられる。端子９０６ａは、たとえば、図９に示すように、開口部１１１を挟んで端子９０３ａと対称となる位置に設けられる。

同様に、配線９０５ｂ〜９０５ｄは、ＬＤ１３０ｂ〜１３０ｄの駆動電力をＬＤ１３０ｂ〜１３０ｄへ供給するための配線である。このため、配線９０５ｂ〜９０５ｄの一端はＬＤ１３０ｂ〜１３０ｄへ接続される。また、配線９０５ｂ〜９０５ｄの他端には端子９０６ｂ〜９０６ｄが設けられる。端子９０６ｂ〜９０６ｄは、たとえば、図９に示すように、開口部１１１を挟んで端子９０３ｂ〜９０３ｄと対称となる位置にそれぞれ設けられる。

また、実施の形態４にかかる光モジュール１００の金属バー１４０では、たとえば、側部１４２および下部１４３が端子９０６ａ〜９０６ｄ側に設けられる。そして、下部１４３は端子９０６ａ〜９０６ｄ付近の位置でＳｉ−Ｐｈチップ１２０に固定される。

また、実施の形態４にかかる光モジュール１００の給電基板１６０では、給電基板１６０下面に設けられた配線１６１ａ〜１６１ｅの基板１１０側端部に端子９０７ａ〜９０７ｅが設けられる。図１０に示すように、たとえば、端子９０７ａは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０３ａと対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０７ａと端子９０３ａとはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ａは基板１１０の配線９０１ａと電気的に接続される。

また、図１０に示すように、たとえば、端子９０７ｂは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０３ｂと対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０７ｂと端子９０３ｂとはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ｂは基板１１０の配線９０１ｂと電気的に接続される。

また、図１０に示すように、たとえば、端子９０７ｃは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０４と対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０７ｃと端子９０４とはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ｃは基板１１０の配線９０２と電気的に接続される。

また、図１０に示すように、たとえば、端子９０７ｄは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０３ｃと対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０７ｄと端子９０３ｃとはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ｄは基板１１０の配線９０１ｃと電気的に接続される。

また、図１０に示すように、たとえば、端子９０７ｅは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０３ｄと対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０７ｅと端子９０３ｄとはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ｅは基板１１０の配線９０１ｄと電気的に接続される。

また、実施の形態４にかかる光モジュール１００の給電基板１６０では、給電基板１６０下面に設けられた配線１６１ａ〜１６１ｅのＳｉ−Ｐｈチップ１２０側端部に端子９０８ａ〜９０８ｅが設けられる。図１０に示すように、たとえば、端子９０８ａは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０６ａと対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０８ａと端子９０６ａとはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ａはＳｉ−Ｐｈチップ１２０の配線９０５ａと電気的に接続される。

また、図１０に示すように、たとえば、端子９０８ｂは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０６ｂと対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０８ｂと端子９０６ｂとはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ｂはＳｉ−Ｐｈチップ１２０の配線９０５ｂと電気的に接続される。

また、図１０に示すように、たとえば、端子９０８ｃは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに金属バー１４０の下部１４３と対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０８ｃと下部１４３とはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ｃは金属バー１４０と電気的に接続される。

また、図１０に示すように、たとえば、端子９０８ｄは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０６ｃと対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０８ｄと端子９０６ｃとはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ｄはＳｉ−Ｐｈチップ１２０の配線９０５ｃと電気的に接続される。

また、図１０に示すように、たとえば、端子９０８ｅは、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０６ｄと対向するように設けられる。そして、給電基板１６０を基板１１０とＳｉ−Ｐｈチップ１２０とに跨がって配置したときに端子９０８ｅと端子９０６ｄとはバンプや半田等により接合される。これにより、給電基板１６０の配線１６１ｅはＳｉ−Ｐｈチップ１２０の配線９０５ｄと電気的に接続される。

なお、図９および図１０では図示を省略するが、実施の形態４にかかる光モジュール１００では、制御チップ１５０は、たとえば図９および図１０において金属バー１４０の左側（すなわち側部１４２および下部１４３の反対側）に設けられる。そして、光導波路１２１ａ〜１２１ｄは、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄから出射された光を金属バー１４０の左側に配置された制御チップ１５０と対向して設けられた光変調器へ伝搬可能な部分を含む。

（実施の形態４にかかる金属バーの一例）
つぎに、実施の形態４にかかる金属バー１４０の一例について説明する。図１１は、実施の形態４にかかる金属バーの一例を示す図である。図１１は、たとえば、図１０におけるＤ−Ｄ線の断面をＤ’の方から見た場合の一例を示している。図１１において、図２、図９、および図１０と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

図１１に示すように、ＬＤ１３０ｃの端子１３２は、たとえばＳｉ−Ｐｈチップ１２０の配線９０５ｃと接する。そして、配線９０５ｃの基板１１０側端部の端子９０６ｃは、給電基板１６０の端子９０８ｄと半田１１０１により接合される。これにより、ＬＤ１３０ｃの端子１３２にＬＤ１３０ｃの駆動電圧を印加することができる。

また、ＬＤ１３０ｃの端子１３３は、金属バー１４０の上部１４１と接する。また、金属バー１４０の下部１４３は、給電基板１６０における配線１６１ｃの端子９０８ｃと半田１１０２により接合される。また、配線１６１ｃの反対側の端子９０７ｃは、基板１１０の端子９０４と半田１１０３により接合される。

これにより、ＬＤ１３０ｃの端子１３３をグランドと電気的に接続することができる。このため、ＬＤ１３０ｃに駆動電力を供給することができ、ＬＤ１３０ｃを駆動させることができる。なお、図示および詳細な説明を省略するが、ＬＤ１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｄについても、ＬＤ１３０ｃと同様である。

以上に説明したように、実施の形態４にかかる光モジュール１００では、金属バー１４０が給電基板１６０と接合されている。したがって、実施の形態４にかかる光モジュール１００では、金属バー１４０に伝えられたＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの熱を金属バー１４０から給電基板１６０へ直接伝えることができる。これにより、金属バー１４０に伝えられたＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの熱を、Ｓｉ−Ｐｈチップ１２０を経由して給電基板１６０へ伝えるようにした場合よりも効率よく給電基板１６０へ伝えることができ、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの温度を下げることが可能となる。

また、実施の形態４にかかる光モジュール１００の場合、たとえば、基板１１０の端子９０３ａ〜９０３ｄをグランドの配線と接続された端子とし、端子９０４をＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの駆動電圧が印加される端子としてもよい。このようにすれば、給電基板１６０および金属バー１４０を介して、ＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの各端子１３３に一括して駆動電圧を印加することができる。したがって、この場合もＬＤ１３０ａ〜１３０ｄの配線を簡略化することができる。

また、実施の形態４にかかる光モジュール１００の場合、給電基板１６０により金属バー１４０を基板１１０と熱的および電気的に接続することができるため、金属バー１４０がＳｉ−Ｐｈチップ１２０と接していなくてもよい。

以上に説明したように、本発明にかかる光モジュールによれば、制御チップの熱を基板に流して複数のレーザダイオードの温度を均等化することができる。

上述した各実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

（付記１）基板と、
シリコンフォトニクスチップと、
前記基板と前記シリコンフォトニクスチップとに跨がって配置される制御チップと、
前記シリコンフォトニクスチップに配置される複数のレーザダイオードと、
前記複数のレーザダイオードの各端子と接し、前記各端子と前記シリコンフォトニクスチップまたは前記基板とを電気的に接続する金属性のバーと、
を備えることを特徴とする光モジュール。

（付記２）前記金属性のバーは、前記各端子と接する部分と、前記シリコンフォトニクスチップと接することにより、前記各端子と接する部分を保持する部分と、を有し、
前記保持する部分は、前記金属性のバーのうち前記制御チップに最も近い位置以外の位置に設けられる、
ことを特徴とする付記１に記載の光モジュール。

（付記３）前記基板と前記シリコンフォトニクスチップとに跨がって配置され、前記基板と前記シリコンフォトニクスチップとを電気的に接続する給電基板を備えることを特徴とする付記１または２に記載の光モジュール。

（付記４）前記金属性のバーは、前記給電基板と接合されることを特徴とする付記３に記載の光モジュール。

（付記５）前記制御チップは、前記基板とバンプ接合されることを特徴とする付記１〜４のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記６）前記制御チップは、前記シリコンフォトニクスチップとバンプ接合されることを特徴とする付記１〜５のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記７）前記給電基板は、前記基板とバンプ接合されることを特徴とする付記３または４に記載の光モジュール。

（付記８）前記給電基板は、前記シリコンフォトニクスチップとバンプ接合されることを特徴とする付記３、４、７のいずれか一つに記載の光モジュール。

（付記９）前記複数のレーザダイオードは、前記シリコンフォトニクスチップの光導波路に光を出射し、
前記制御チップは、前記光導波路に設けられた光変調器を制御して前記複数のレーザダイオードから出射された光を変調する、
ことを特徴とする付記１〜８のいずれか一つに記載の光モジュール。

１００ 光モジュール
１１０ 基板
１２０ シリコンフォトニクスチップ（Ｓｉ−Ｐｈチップ）
１２１ａ〜１２１ｄ 光導波路
１３０ａ〜１３０ｄ レーザダイオード（ＬＤ）
１４０ 金属バー
１４１ 上部
１４２ 側部
１４３ 下部
１５０ 制御チップ
１６０ 給電基板

Claims (4)

1. 基板と、
   シリコンフォトニクスチップと、
   前記基板と前記シリコンフォトニクスチップとに跨がって配置される制御チップと、
   前記シリコンフォトニクスチップに配置される複数のレーザダイオードと、
   前記複数のレーザダイオードの各端子と接し、前記各端子と前記シリコンフォトニクスチップまたは前記基板とを電気的に接続する金属性のバーと、
   を備えることを特徴とする光モジュール。
2. 前記金属性のバーは、前記各端子と接する部分と、前記シリコンフォトニクスチップと接することにより、前記各端子と接する部分を保持する部分と、を有し、
   前記保持する部分は、前記金属性のバーのうち前記制御チップに最も近い位置以外の位置に設けられる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記基板と前記シリコンフォトニクスチップとに跨がって配置され、前記基板と前記シリコンフォトニクスチップとを電気的に接続する給電基板を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
4. 前記金属性のバーは、前記給電基板と接合されることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。

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