JP2018197657A - 面間隔の評価方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】単結晶試料の面間隔を短時間で評価することが可能な面間隔の評価方法を提供する。【解決手段】面間隔の評価方法は、単結晶試料を準備するステップ(S10)と、単結晶試料にX線源からの入射X線を入射させ、第1の結晶面により回折された回折X線を、多次元検出器にて、X線源、単結晶試料および多次元検出器を固定した状態で検出するステップ(S20)と、多次元検出器にて検出された回折X線の回折角および入射X線の波長に基づき、第1の結晶面の面間隔を導出するステップと、を備える。回折X線を検出するステップ(S20)では、単結晶試料を構成する材料に基づいて想定される回折X線の回折角の範囲内において、回折X線が多次元検出器によって検出可能となるように波長が調整された入射X線を単結晶試料に入射させる。【選択図】図1
Description
本発明は、面間隔の評価方法に関するものである。
単結晶試料に対して入射角を変化させつつX線を入射させ、単結晶試料において回折したX線を、入射角の変化に合わせて検出部の向きを変化させつつ検出器にて検出することにより、単結晶試料の面間隔を評価する方法が知られている(たとえば、特許文献1および2参照)。
上記特許文献1および2に記載の格子定数などの面間隔の評価方法においては、回折X線の所定の結晶面に対応するピーク位置を測定するために、単結晶試料に対してX線源および検出器をスキャンさせる必要がある。そのため、ピーク位置の測定に長時間を要するという問題がある。特に、たとえば基板上に形成されたエピタキシャル膜(以下、「エピ膜」という)の面間隔の面内分布を評価する場合や、面間隔の時分解測定を行う場合など、一回あたりの測定時間を短くする必要がある場合には、上記測定方法の適用は難しい。
そこで、単結晶試料の面間隔を短時間で評価することが可能な面間隔の評価方法を提供することを目的の1つとする。
本発明に従った面間隔の評価方法は、第1の結晶面を有する単結晶試料を準備するステップと、単結晶試料にX線源からの入射X線を入射させ、第1の結晶面により回折された回折X線を、多次元検出器にて、X線源、単結晶試料および多次元検出器を固定した状態で検出するステップと、多次元検出器にて検出された回折X線の回折角および入射X線の波長に基づき、第1の結晶面の面間隔を導出するステップと、を備える。回折X線を検出するステップでは、単結晶試料を構成する材料に基づいて想定される回折X線の回折角の範囲内において、回折X線が多次元検出器によって検出可能となるように波長が調整された入射X線を単結晶試料に入射させる。
上記面間隔の評価方法によれば、単結晶試料の面間隔を短時間で評価することができる。
[本願発明の実施形態の説明]
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願の面間隔の評価方法は、第1の結晶面を有する単結晶試料を準備するステップと、単結晶試料にX線源からの入射X線を入射させ、第1の結晶面により回折された回折X線を、多次元検出器にて、X線源、単結晶試料および多次元検出器を固定した状態で検出するステップと、多次元検出器にて検出された回折X線の回折角および入射X線の波長に基づき、第1の結晶面の面間隔を導出するステップと、を備える。回折X線を検出するステップでは、単結晶試料を構成する材料に基づいて想定される回折X線の回折角の範囲内において、回折X線が多次元検出器によって検出可能となるように波長が調整された入射X線を単結晶試料に入射させる。
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願の面間隔の評価方法は、第1の結晶面を有する単結晶試料を準備するステップと、単結晶試料にX線源からの入射X線を入射させ、第1の結晶面により回折された回折X線を、多次元検出器にて、X線源、単結晶試料および多次元検出器を固定した状態で検出するステップと、多次元検出器にて検出された回折X線の回折角および入射X線の波長に基づき、第1の結晶面の面間隔を導出するステップと、を備える。回折X線を検出するステップでは、単結晶試料を構成する材料に基づいて想定される回折X線の回折角の範囲内において、回折X線が多次元検出器によって検出可能となるように波長が調整された入射X線を単結晶試料に入射させる。
本願の面間隔の評価方法においては、単結晶試料にX線源からの入射X線を入射させ、回折X線を、多次元検出器にて、X線源、単結晶試料および多次元検出器を固定した状態で検出する。ここで、多次元検出器とは、上記特許文献1および2に開示された測定方法において採用される特定の回折角のX線のみを検出する0次元検出器とは異なり、所定の範囲の回折角のX線を同時に検出可能な1次元検出器や2次元検出器を意味する。つまり、本願の面間隔の評価方法では、所定の範囲の回折角を有する回折X線が多次元検出器において同時に(ワンショットで)検出される。
ここで、回折角を2θとすると、多次元検出器の検出部において、試料への入射X線の入射角とθとが等しくなる領域では、回折条件が満たされ、回折X線が検出される。しかし、検出部の他の領域では、回折条件が満たされないため、回折X線は検出されないこととなる。評価対象の試料が多結晶体または粉体である場合、多数の結晶粒がランダムな向きで存在するため、いずれかの結晶粒で回折条件が満たされ、所定の範囲の回折角を有する回折X線が検出される。しかし、試料が単結晶体である場合、結晶の向きが単一であるため、何ら対応策を講ずることなく試料にX線を入射させても、多次元検出器の検出部において試料への入射X線の入射角とθとが等しくなる領域でのみ回折X線が検出され、他の領域では検出されない。
これに対し、本発明者らは以下のような対応策を見出し、本願発明に想到した。すなわち、単結晶試料を構成する材料が既知であれば、特定の結晶面(第1の結晶面)に対応するおよその回折角と、当該回折角と実際の回折角との差の範囲を想定することができる。つまり、単結晶試料を構成する材料に基づいて、第1の結晶面に対応する回折角の範囲を想定することができる。一方、回折X線が多次元検出器にて検出可能となる回折角の範囲を、入射X線の波長を調整することにより変動させることができる。そのため、入射X線の波長を調整して、想定される回折角の範囲を、回折X線が多次元検出器にて検出可能となる範囲内とすることにより、回折X線のピーク位置を特定することができる。
本願の面間隔の評価方法では、回折X線を検出するステップで、単結晶試料を構成する材料に基づいて想定される回折X線の回折角の範囲内において、回折X線が多次元検出器によって検出可能となるように波長が調整された入射X線を単結晶試料に入射させる。そのため、想定される範囲の回折角を有する回折X線が多次元検出器においてワンショットで検出され、第1の結晶面に対応する回折X線のピーク位置が導出される。その結果、本願の面間隔の評価方法によれば、単結晶試料の面間隔を短時間で評価することができる。
上記面間隔の評価方法において、上記単結晶試料は、単結晶基板上に形成されたエピ膜であってもよい。単結晶基板上のエピ膜は、評価対象となる単結晶試料として好適である。
上記面間隔の評価方法において、上記回折X線を検出するステップでは、面間隔を導出するステップにおいて面間隔の導出が可能な強度の回折X線が検出可能な範囲で、単結晶試料の逆格子空間において面間方向の指数の絶対値が最も小さく面内方向の指数の絶対値が最も大きい面指数を有する格子点に対応して回折された回折X線が多次元検出器にて検出されるように、入射X線の波長が調整されてもよい。このようにすることにより、たとえば単結晶試料が単結晶基板上に形成されたエピ膜であって、単結晶基板が反っている場合のように、結晶面に変形が存在する場合であっても、面間隔の評価においてその影響を抑制することができる。
上記面間隔の評価方法において、上記入射X線は放射光であってもよい。入射X線は、管球から出射したものであってもよいが、放射光を採用することにより、波長の調整が容易となる。
[本願発明の実施形態の詳細]
次に、本発明にかかる面間隔の評価方法の一実施の形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
次に、本発明にかかる面間隔の評価方法の一実施の形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
図1を参照して、本実施の形態における面間隔の評価方法では、まず単結晶試料が準備される(S10)。単結晶試料は、特に限定されるものではないが、本実施の形態では評価対象として単結晶基板上に形成されたエピ膜が準備されるものとする。
次に、ステップ(S10)において準備されたエピ膜にX線源からの入射X線を入射させ、所望の結晶面(第1の結晶面)により回折された回折X線を多次元検出器にて検出する(S20)。このステップ(S20)は、X線源、単結晶試料としてのエピ膜および多次元検出器が固定された状態で実施される。また、本実施の形態において、入射X線としては、放射光が採用される。すなわち、X線源は、放射光を出射させる放射光設備である。また、ステップ(S20)では、上記エピ膜を構成する材料に基づいて想定される回折X線の回折角の範囲内の全域において、回折X線が多次元検出器によって検出可能となるように波長が調整された入射X線がエピ膜に入射する。
具体的には、以下のように逆格子空間にて適切な入射X線の波長を考えることができる。図2は、エピ膜の第1の結晶面の面内方向をQx、面間方向をQyとして表した逆格子空間(ただし、Qy≧0、半径1の半円)を示す図である。図中のドットは、逆格子空間における格子点に対応する。
単結晶試料が単結晶基板上に形成されたエピ膜である場合、エピ膜の第1の結晶面に対応する回折角は、単結晶基板の同一指数を有する結晶面に対応する回折角からわずかにずれたものであると想定される。このように想定されるエピ膜の回折角の範囲において、回折X線を多次元検出器で検出可能とするための条件としては、式(1)に示すように、入射X線の入射角ωをQyで偏微分して0になる条件
∂ω/∂Qy=0・・・(1)
が適切である。
∂ω/∂Qy=0・・・(1)
が適切である。
任意の格子点の回折条件を満たす回折角を2θ、右回りを正としたQy軸からの回転角をφ、入射X線の入射角をωとすると、
θ−φ=ω・・・(2)
が成立する。
θ−φ=ω・・・(2)
が成立する。
上記式(1)を式(2)の条件の下で解くと、
∂(θ−φ)/∂Qy=0
∂(arcsin(Qx 2+Qy 2)1/2−arctan(Qx/Qy))/∂Qy=0
(Qx+1/2)2+Qy 2=(1/2)2・・・(3)
となる。すなわち、ステップ(S20)では、式(3)を表す図2の破線で示される検出可能領域11上に格子点が重なるように入射X線の波長を調整する。
∂(θ−φ)/∂Qy=0
∂(arcsin(Qx 2+Qy 2)1/2−arctan(Qx/Qy))/∂Qy=0
(Qx+1/2)2+Qy 2=(1/2)2・・・(3)
となる。すなわち、ステップ(S20)では、式(3)を表す図2の破線で示される検出可能領域11上に格子点が重なるように入射X線の波長を調整する。
次に、ステップ(S20)において多次元検出器にて検出された回折角(ピーク位置)および入射X線の波長に基づいて、第1の結晶面の面間隔が導出される(S30)。以上の手順により、単結晶試料の第1の結晶面の面間隔が導出される。
本実施の形態の面間隔の評価方法では、ステップ(S20)で、単結晶試料であるエピ膜を構成する材料に基づいて想定される回折X線の回折角2θの範囲内において、回折X線が多次元検出器によって検出可能となるように波長が調整された入射X線をエピ膜に入射させる。そのため、想定される範囲の回折角2θを有する回折X線が多次元検出器においてワンショットで検出され、第1の結晶面に対応する回折X線のピーク位置が導出される。その結果、エピ膜の所望の結晶面(第1の結晶面)の面間隔を短時間で評価することができる。面間隔を短時間で評価できることから、本実施の形態の面間隔の評価方法は、たとえば多数回の面間隔の導出が必要なエピ膜の面間隔の面内分布の評価や、時間の経過とともに面間隔が変化するような場合における面間隔の時分解測定などに応用することができる。
上記面間隔の評価方法のステップ(S20)では、基板の反りなどの影響を低減することが好ましい。ここで、基板の反りなどの影響を低減するためには、上記式(3)の条件を満たしつつ、入射X線の入射角ωをQxで偏微分した値を大きくするように入射X線の波長を調整する必要がある。
∂ω/∂QX
=∂(θ−φ)/∂QX
=∂(arcsin(Qx 2+Qy 2)1/2−arctan(Qx/Qy))/∂QX
=(−((−Qx)1/2)/(1+Qx)1/2)−Qx−1・・・(4)
(ただし、−1<Qx<0)
すなわち、上記式(4)の値が大きくなるように、入射X線の波長を調整することが好ましいといえる。つまり、ステップ(S30)において面間隔の導出が可能な強度の回折X線が検出可能な範囲で、図2において、Qxの値がなるべく小さい格子点21と検出可能領域11とが重なるように入射X線の波長を調整することが好ましいといえる。これは、ステップ(S30)において面間隔の導出が可能な強度の回折X線が検出可能な範囲で、単結晶試料の逆格子空間において面間方向(Qy方向)の指数の絶対値が最も小さく面内方向(Qx)の指数の絶対値が最も大きい面指数を有する格子点に対応して回折された回折X線が多次元検出器にて検出されるように、入射X線の波長を調整することを意味する。
=∂(θ−φ)/∂QX
=∂(arcsin(Qx 2+Qy 2)1/2−arctan(Qx/Qy))/∂QX
=(−((−Qx)1/2)/(1+Qx)1/2)−Qx−1・・・(4)
(ただし、−1<Qx<0)
すなわち、上記式(4)の値が大きくなるように、入射X線の波長を調整することが好ましいといえる。つまり、ステップ(S30)において面間隔の導出が可能な強度の回折X線が検出可能な範囲で、図2において、Qxの値がなるべく小さい格子点21と検出可能領域11とが重なるように入射X線の波長を調整することが好ましいといえる。これは、ステップ(S30)において面間隔の導出が可能な強度の回折X線が検出可能な範囲で、単結晶試料の逆格子空間において面間方向(Qy方向)の指数の絶対値が最も小さく面内方向(Qx)の指数の絶対値が最も大きい面指数を有する格子点に対応して回折された回折X線が多次元検出器にて検出されるように、入射X線の波長を調整することを意味する。
InP(インジウムリン)単結晶基板上に形成されたエピ膜を単結晶試料として、上記実施の形態のステップ(S20)を実施し、(3−1−1)面に対応する回折X線のピークを導出する実験を行った。実験結果を図3に示す。
図3において、横軸は回折角2θ、縦軸は回折X線の強度(相対値)である。また、図中の丸印はデータ点、実線は、データ点に対するフィッティングにより得られたピーク位置を示している。図3を参照して、上記実施の形態のステップ(S20)により、(3−1−1)面に対応する回折X線のピークが回折角51.712°に明確に存在していることが分かる。このことから、本実施の形態の面間隔の評価方法によれば、単結晶試料であるエピ膜の所望の結晶面((3−1−1)面)の面間隔を短時間で評価できることが確認された。
なお、上記実施の形態および実施例においては、単結晶試料として単結晶基板上のエピ膜が採用される場合について説明したが、単結晶試料はこれに限られず、たとえば単結晶基板など、種々の単結晶体からなる試料を採用することができる。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって規定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本願の面間隔の評価方法は、短時間での評価が求められる単結晶試料の面間隔の評価に、特に有利に適用され得る。
11 検出可能領域
21 格子点
21 格子点
Claims (4)
- 第1の結晶面を有する単結晶試料を準備するステップと、
前記単結晶試料にX線源からの入射X線を入射させ、前記第1の結晶面により回折された回折X線を、多次元検出器にて、前記X線源、前記単結晶試料および前記多次元検出器を固定した状態で検出するステップと、
前記多次元検出器にて検出された前記回折X線の回折角および前記入射X線の波長に基づき、前記第1の結晶面の面間隔を導出するステップと、を備え、
前記回折X線を検出するステップでは、前記単結晶試料を構成する材料に基づいて想定される前記回折X線の回折角の範囲内において、前記回折X線が前記多次元検出器によって検出可能となるように波長が調整された前記入射X線を前記単結晶試料に入射させる、面間隔の評価方法。 - 前記単結晶試料は、単結晶基板上に形成されたエピ膜である、請求項1に記載の面間隔の評価方法。
- 前記回折X線を検出するステップでは、前記面間隔を導出するステップにおいて前記面間隔の導出が可能な強度の前記回折X線が検出可能な範囲で、前記単結晶試料の逆格子空間において面間方向の指数の絶対値が最も小さく面内方向の指数の絶対値が最も大きい面指数を有する格子点に対応して回折された前記回折X線が前記多次元検出器にて検出されるように、前記入射X線の波長が調整される、請求項1または請求項2に記載の面間隔の評価方法。
- 前記入射X線は放射光である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の面間隔の評価方法。
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JP2017101391A JP2018197657A (ja) | 2017-05-23 | 2017-05-23 | 面間隔の評価方法 |
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
KR20210017673A (ko) * | 2019-08-09 | 2021-02-17 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 시료의 결정 구조 분석 장치, 방법 및 컴퓨터로 독출 가능한 기록 매체 |
CN113390908A (zh) * | 2020-03-12 | 2021-09-14 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种基于电子背散射衍射花样的晶面间距测量方法 |
-
2017
- 2017-05-23 JP JP2017101391A patent/JP2018197657A/ja active Pending
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WO2021029519A1 (ko) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 시료의 결정 구조 분석 장치, 방법 및 컴퓨터로 독출 가능한 기록 매체 |
KR102251068B1 (ko) | 2019-08-09 | 2021-05-13 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 시료의 결정 구조 분석 장치, 방법 및 컴퓨터로 독출 가능한 기록 매체 |
CN113390908A (zh) * | 2020-03-12 | 2021-09-14 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种基于电子背散射衍射花样的晶面间距测量方法 |
CN113390908B (zh) * | 2020-03-12 | 2023-03-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种基于电子背散射衍射花样的晶面间距测量方法 |
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