JP2018186028A - 表示装置の製造方法および表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子を有する表示装置の保護膜の信頼性を向上させる。【解決手段】有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法は、フレキシブル基板からなる基板１１上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜１６を形成する工程と、を含む。保護膜１６を形成する工程は、絶縁膜１６ａをプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程と、絶縁膜１６ａ上に絶縁膜１６ｂをプラズマＣＶＤ法を用いて形成する工程と、絶縁膜１６ｂ上に絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程と、を有する。絶縁膜１６ａ、絶縁膜１６ｂおよび絶縁膜１６ｃからなる積層膜により、保護膜１６が形成される。【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置の製造方法および表示装置に関し、例えば、有機ＥＬ表示装置の製造方法、および有機ＥＬ表示装置に好適に利用できるものである。

発光素子として、エレクトロルミネッセンスを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子（organic electroluminescence device）の開発が進められている。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機ＥＬ素子と称される。エレクトロルミネッセンスとは、物質に電圧を印加した際に発光する現象であり、特に、このエレクトロルミネッセンスを有機物質で生じさせる素子を有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）と呼ぶ。有機ＥＬ素子は、電流注入型デバイスであり、かつ、ダイオード特性を示すため、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）とも呼ばれる。

国際公開第２０１２／０３９３１０号（特許文献１）には、有機ＥＬ素子の製造方法に関する技術が記載されている。特開２００１−２８４０４２号公報（特許文献２）には、有機ＥＬ素子に関する技術が記載されている。

国際公開第２０１２／０３９３１０号 日本国特開２００１−２８４０４２号公報

有機ＥＬ素子は、水分に弱いため、有機ＥＬ素子を覆うように保護膜を形成して、有機ＥＬ素子への水分の伝達を防ぐことが望ましい。このため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置においても、保護膜が使用され、その保護膜の信頼性を向上させることが望まれる。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態によれば、有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法は、（ａ）フレキシブル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程、（ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜を形成する工程、を有する。前記（ｂ）工程は、（ｂ１）前記有機ＥＬ素子を覆うように、第１絶縁膜をプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、（ｂ２）前記第１絶縁膜上に、第２絶縁膜をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する工程、（ｂ３）前記第２絶縁膜上に、第３絶縁膜をプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、を有する。前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜からなる積層膜により、前記保護膜が形成される。

一実施の形態によれば、有機ＥＬ素子を有する表示装置の保護膜の信頼性を向上させることができる。

一実施の形態の表示装置の全体構成を示す平面図である。 一実施の形態の表示装置の要部平面図である。 一実施の形態の表示装置の要部断面図である。 表示装置の基板としてフレキシブル基板を用い、そのフレキシブル基板（表示装置）を折り曲げた場合を模式的に示す断面図である。 一実施の形態の表示装置の製造工程を示す工程フロー図である。 一実施の形態の表示装置の製造工程のうちの、保護膜形成工程を示す工程フロー図である。 一実施の形態の表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図７に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図８に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図９に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図１０に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図１１に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図１２に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 図１３に続く表示装置の製造工程中の要部断面図である。 保護膜形成用の成膜装置の一例を示す説明図である。 プラズマＣＶＤ法を用いた成膜用チャンバの構成の一例を示す断面図である。 プラズマＡＬＤ法を用いた成膜用チャンバの構成の一例を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 保護膜の断面構造を示す断面図である。 プラズマＡＬＤ法で形成された膜の密度と応力との相関を調べた結果を示すグラフである。 折曲げ試験後の保護膜のクラック数を調べた結果を示す表である。 変形例の保護膜の断面構造を示す断面図である。

以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

（実施の形態）
＜表示装置の全体構造について＞
本実施の形態の表示装置は、有機ＥＬ素子を利用した有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）である。本実施の形態の表示装置を、図面を参照して説明する。

図１は、本実施の形態の表示装置１の全体構成を示す平面図である。

図１に示される表示装置１は、表示部２と、回路部３とを有している。表示部２には、複数の画素がアレイ状に配列されており、画像の表示を可能としている。回路部３には、必要に応じて種々の回路が形成されており、例えば、駆動回路または制御回路などが形成されている。回路部３内の回路は、必要に応じて、表示部２の画素に接続されている。回路部３は、表示装置１の外部に設けることもできる。表示装置１の平面形状は、種々の形状を採用できるが、例えば矩形状である。

図２は、表示装置１の要部平面図であり、図３は、表示装置１の要部断面図である。図２には、表示装置１の表示部２の一部（図１に示される領域４）を拡大して示してある。図３は、図２のＡ１−Ａ１線の位置での断面図にほぼ対応している。

表示装置１のベースを構成する基板１１は、絶縁性を有している。また、基板１１は、フレキシブル基板（フィルム基板）であり、可撓性を有している。このため、基板１１は、絶縁性を有するフレキシブル基板、すなわちフレキシブル絶縁基板である。基板１１は、更に透光性を有する場合もあり得る。基板１１として、例えばフィルム状のプラスチック基板（プラスチックフィルム）を用いることができる。基板１１は、図１の表示装置１の平面全体に存在しており、表示装置１の最下層を構成している。このため、基板１１の平面形状は、表示装置１の平面形状とほぼ同じであり、種々の形状を採用できるが、例えば矩形状とすることができる。なお、基板１１の互いに反対側に位置する２つの主面のうち、有機ＥＬ素子が配置される側の主面、すなわち後述のパッシベーション膜１２、電極層１３、有機層１４、電極層１５および保護膜１６を形成する側の主面を、基板１１の上面と称することとする。また、基板１１における上面とは反対側の主面を、基板１１の下面と称することとする。

基板１１の上面上には、パッシベーション膜（パッシベーション層）１２が形成されている。パッシベーション膜１２は、絶縁材料（絶縁膜）からなり、例えば酸化シリコン膜からなる。パッシベーション膜１２は、形成しない場合もあり得るが、形成した方がより好ましい。パッシベーション膜１２は、基板１１の上面のほぼ全体にわたって形成することができる。

パッシベーション膜１２は、基板１１側から有機ＥＬ素子（特に有機層１４）への水分の伝達を防止（遮断）する機能を有している。このため、パッシベーション膜１２は、有機ＥＬ素子の下側の保護膜として機能することができる。一方、保護膜１６は、有機ＥＬ素子の上側の保護膜として機能することができ、上側から有機ＥＬ素子（特に有機層１４）への水分の伝達を防止（遮断）する機能を有している。

基板１１の上面上には、パッシベーション膜１２を介して、有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子は、電極層１３と有機層１４と電極層１５とからなる。つまり、基板１１上のパッシベーション膜１２上には、電極層１３と有機層１４と電極層１５とが、下から順に形成（積層）されており、これら電極層１３と有機層１４と電極層１５とにより、有機ＥＬ素子が形成されている。

電極層１３は、下部電極層であり、電極層１５は、上部電極層である。電極層１３は、陽極および陰極のうちの一方を構成し、電極層１５は、陽極および陰極のうちの他方を構成する。すなわち、電極層１３が陽極（陽極層）の場合は、電極層１５は陰極（陰極層）であり、電極層１３が陰極（陰極層）の場合は、電極層１５は陽極（陽極層）である。電極層１３および電極層１５は、それぞれ導電膜からなる。

電極層１３および電極層１５のうちの一方は、反射電極として機能できるように、アルミニウム（Ａｌ）膜などの金属膜により形成することが好ましく、また、電極層１３および電極層１５のうちの他方は、透明電極として機能できるように、ＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）などからなる透明導体膜により形成することが好ましい。基板１１の下面側から光を取出す、いわゆるボトムエミッション方式を採用する場合は、電極層１３を透明電極とすることができ、基板１１の上面側から光を取出す、いわゆるトップエミッション方式を採用する場合は、電極層１５を透明電極とすることができる。また、ボトムエミッション方式を採用する場合は、基板１１として透光性を有する透明基板（透明フレキシブル基板）を用いることができる。

基板１１上のパッシベーション膜１２上に電極層１３が形成され、電極層１３上に有機層１４が形成され、有機層１４上に電極層１５が形成されているため、電極層１３と電極層１５との間には、有機層１４が介在している。

有機層１４は、少なくとも有機発光層を含んでいる。有機層１４は、有機発光層以外にも、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層および電子注入層のうちの任意の層を、必要に応じて更に含むことができる。このため、有機層１４は、例えば、有機発光層の単層構造、ホール輸送層と有機発光層と電子輸送層との積層構造、あるいは、ホール注入層とホール輸送層と有機発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造などを有することができる。

電極層１３は、例えば、Ｘ方向に延在するストライプ状のパターンを有している。すなわち、電極層１３は、Ｘ方向に延在するライン状の電極（電極パターン）１３ａが、Ｙ方向に所定の間隔で複数配列した構成を有している。電極層１５は、例えば、Ｙ方向に延在するストライプ状のパターンを有している。すなわち、電極層１５は、Ｙ方向に延在するライン状の電極（電極パターン）１５ａが、Ｘ方向に所定の間隔で複数配列した構成を有している。つまり、電極層１３は、Ｘ方向に延在するストライプ状の電極群からなり、電極層１５は、Ｙ方向に延在するストライプ状の電極群からなる。ここで、Ｘ方向とＹ方向とは、互いに交差する方向であり、より特定的には、互いに直交する方向である。また、Ｘ方向およびＹ方向は、基板１１の上面に略平行な方向でもある。

電極層１５を構成する各電極１５ａの延在方向はＹ方向であり、電極層１３を構成する各電極１３ａの延在方向はＸ方向であるため、電極１５ａと電極１３ａとは、平面視において互いに交差している。なお、平面視とは、基板１１の上面に略平行な平面で見た場合を言うものとする。電極１５ａと電極１３ａとの各交差部においては、電極１５ａと電極１３ａとで有機層１４が上下に挟まれた構造を有している。このため、電極１５ａと電極１３ａとの各交差部に、電極１３ａと電極１５ａと電極１３ａ，１５ａ間の有機層１４とで構成される有機ＥＬ素子（画素を構成する有機ＥＬ素子）が形成され、その有機ＥＬ素子により画素が形成される。電極１５ａと電極１３ａとの間に所定の電圧が印加されることで、その電極１５ａ，電極１３ａ間に挟まれた部分の有機層１４中の有機発光層が発光することができる。すなわち、各画素を構成する有機ＥＬ素子が発光することができる。電極１５ａが、有機ＥＬ素子の上部電極（陽極または陰極の一方）として機能し、電極１３ａが、有機ＥＬ素子の下部電極（陽極または陰極の他方）として機能する。

なお、有機層１４は、表示部２全体にわたって形成することもできるが、電極層１３と同じパターン（すなわち電極層１３を構成する複数の電極１３ａと同じパターン）として形成することもでき、あるいは、電極層１５と同じパターン（すなわち電極層１５を構成する複数の電極１５ａと同じパターン）として形成することもできる。いずれにしても、電極層１３を構成する複数の電極１３ａと電極層１５を構成する複数の電極１５ａとの各交点には、有機層１４が存在している。

このように、平面視において、表示装置１の表示部２では、平面視において、基板１１上に有機ＥＬ素子（画素）がアレイ状に複数配列した状態になっている。

なお、ここでは、電極層１３，１５がストライプ状のパターンを有している場合について説明した。このため、アレイ状に配列した複数の有機ＥＬ素子（画素）において、Ｘ方向に並んだ有機ＥＬ同士では、下部電極（電極１３ａ）同士が繋がっており、また、Ｙ方向に並んだ有機ＥＬ同士では、上部電極（電極１５ａ）同士が繋がっている。しかしながら、これに限定されず、アレイ状に配列する有機ＥＬ素子の構造は、種々変更可能である。

例えば、アレイ状に配列した複数の有機ＥＬ素子が、上部電極でも下部電極でも互いにつながっておらず、独立に配置されている場合もあり得る。この場合は、各有機ＥＬ素子は、下部電極と有機層と上部電極との積層構造を有する孤立パターンにより形成され、この孤立した有機ＥＬ素子が、アレイ状に複数配列することになる。この場合は、各画素において有機ＥＬ素子に加えてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などのアクティブ素子を設けるとともに、画素同士を必要に応じて配線を介して接続することができる。

基板１１（パッシベーション膜１２）の上面上には、有機ＥＬ素子を覆うように、従って電極層１３と有機層１４と電極層１５とを覆うように、保護膜（保護層）１６が形成されている。表示部２に有機ＥＬ素子がアレイ状に配列している場合は、それらアレイ状に配列した有機ＥＬ素子を覆うように、保護膜１６が形成されている。このため、保護膜１６は、表示部２全体に形成されていることが好ましく、また、基板１１の上面のほぼ全体上に形成されていることが好ましい。有機ＥＬ素子（電極層１３、有機層１４および電極層１５）を保護膜１６により覆うことで、有機ＥＬ素子（電極層１３、有機層１４および電極層１５）を保護し、また、有機ＥＬ素子への水分の伝達、特に有機層１４への水分の伝達を、保護膜１６によって防止（遮断）することができる。すなわち、保護膜１６を設けたことで、保護膜１６を越えて有機ＥＬ素子側に水分が侵入するのを防止することができる。保護膜１６は、有機ＥＬ素子用の保護膜である。

但し、電極または配線などの一部を、保護膜１６から露出させる必要がある場合もあり得る。そのような場合は、基板１１の上面側の全領域に保護膜１６を形成するのではなく、基板１１の上面側の一部に保護膜１６が形成されない領域を設けておき、そこ（保護膜１６が形成されていない領域）から、電極または配線などの一部を露出させることもできる。但し、そのような場合でも、保護膜１６を形成していない領域から、有機層１４は露出しないようにすることが好ましい。

保護膜１６は、水分に対するバリア性を得られるように、無機絶縁材料により構成されている。すなわち、保護膜１６は、無機絶縁膜である。但し、保護膜１６は、単層の絶縁膜ではなく、複数の絶縁膜（無機絶縁膜）を積層した積層絶縁膜である。

本実施の形態では、保護膜１６は、絶縁膜（無機絶縁膜、絶縁層）１６ａと、絶縁膜１６ａ上の絶縁膜（無機絶縁膜、絶縁層）１６ｂと、絶縁膜１６ｂ上の絶縁膜（無機絶縁膜、絶縁層）１６ｃとの積層膜からなる。すなわち、保護膜１６は、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂと絶縁膜１６ｃとの３つの層を有している。

保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃのうち、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとは、それぞれ、プラズマＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法で形成された絶縁膜であり、絶縁膜１６ｂは、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）法により形成された絶縁膜である。ＡＬＤ法は、原料ガスと反応ガスとを交互に供給することにより、処理対象物上に原子層単位で膜を形成する成膜方法である。また、絶縁膜１６ｂを形成するプラズマＣＶＤ法としては、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）−ＣＶＤ法（誘導結合型プラズマＣＶＤ法）を好適に用いることができる。

絶縁膜１６ｂとしては、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜を好適に用いることができるが、窒化シリコン膜が最も好ましい。絶縁膜１６ａとしては、アルミニウム（Ａｌ）を含有する絶縁膜を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜を好適に用いることができるが、その中でも、酸化アルミニウム膜が特に好ましい。同様に、絶縁膜１６ｃとしては、アルミニウム（Ａｌ）を含有する絶縁膜を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜を好適に用いることができるが、その中でも、酸化アルミニウム膜が特に好ましい。

保護膜１６上には、樹脂膜（樹脂層、樹脂絶縁膜、有機絶縁膜）１７が形成されている。すなわち、絶縁膜１６ｃ上に樹脂膜１７が形成されている。樹脂膜１７は、有機絶縁膜とみなすこともできる。樹脂膜１７の材料としては、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）などを好適に用いることができる。

樹脂膜１７は、その形成を省略することもできる。但し、樹脂膜１７を形成しない場合よりも、樹脂膜１７を形成した場合の方が、より好ましい。樹脂膜１７は、柔らかいため、樹脂膜１７を設けることで、表示装置１を扱いやすくなる。

保護膜１６は、無機絶縁膜である。無機絶縁膜は、水分を通しにくい膜であるが、硬い膜でもある。このため、保護膜１６上に、樹脂膜１７を形成することもでき、この樹脂膜１７を、表示装置１の最上層の膜として用いることもできる。樹脂膜（１７）は、無機絶縁膜（保護膜１６）に比べて、水分を通しやすいため、水分の侵入を防止する膜としての機能は小さい。しかしながら、樹脂膜（１７）は、無機絶縁膜（保護膜１６）に比べて、柔らかい。このため、保護膜１６上に柔らかい樹脂膜１７を形成することで、表示装置１を取り扱いやすくなる。また、樹脂膜１７は、物理的な衝撃からの保護膜（機械的保護膜）として機能することができる。

また、保護膜１６上に樹脂膜１７を形成した場合、保護膜１６と樹脂膜１７とを合わせたものを、保護膜とみなすこともできる。但し、樹脂膜１７を形成した場合、水分の侵入を防止する膜（水分防止膜）として機能するのは、保護膜１６であり、樹脂膜１７は、主として、機械的な保護膜として機能する。水分保護膜（ここでは保護膜１６）は、無機絶縁体からなり、機械的保護膜（ここでは樹脂膜１７）は、樹脂材料（有機絶縁体）からなることが好ましい。

本実施の形態では、表示装置１の基板１１としてフレキシブル基板を用いている。図４は、表示装置１を構成する基板１１（フレキシブル基板）を折り曲げた場合、すなわち、表示装置１を折り曲げた場合を模式的に示す断面図である。図４は、断面図であるが、図面を見やすくするために、ハッチングは省略してある。表示装置１の基板１１としてフレキシブル基板を用いることで、表示装置１の折り曲げが可能になる。また、基板１１は、フレキシブル基板であるが、繰り返しの折り曲げも可能であり、ベンダブル（bendable）基板とみなすこともでき、また、折りたたむことも可能であり、フォルダブル（foldable）基板とみなすこともできる。このため、基板１１は、フレキシブル基板であるが、そのフレキシブル基板には、ベンダブル基板やフォルダブル基板も包括されている。

＜表示装置の製造方法＞
本実施の形態の表示装置１の製造方法について、図面を参照して説明する。図５は、本実施の形態の表示装置１の製造工程を示す、工程フロー図である。図６は、本実施の形態の表示装置１の製造工程のうちの、保護膜１６形成工程の詳細を示す、工程フロー図である。図７〜図１４は、本実施の形態の表示装置１の製造工程中の要部断面図であり、上記図３に相当する領域の断面図が示されている。なお、ここでは、主として、表示装置１の表示部２の製造工程を説明する。

まず、図７に示されるように、ガラス基板９とフレキシブル基板である基板１１とが貼り合わされた基板１０を用意（準備）する（図５のステップＳ１）。基板１１は可撓性を有しているが、基板１１がガラス基板９に貼り合わされていることで、基板１１はガラス基板９に固定される。これにより、基板１１上への各種の膜の形成やその膜の加工などが容易になる。なお、基板１１の下面が、ガラス基板９に貼り付けられている。

次に、図８に示されるように、基板１０の上面上に、パッシベーション膜１２を形成する（図５のステップＳ２）。なお、基板１０の上面は、基板１１の上面と同義である。

パッシベーション膜１２は、スパッタリング法、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法などを用いて形成することができる。パッシベーション膜１２は、絶縁材料からなり、例えば酸化シリコン膜からなる。例えば、ＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜を、パッシベーション膜１２として好適に用いることができる。

次に、図９に示されるように、基板１０の上面上に、すなわちパッシベーション膜１２上に、電極層１３と電極層１３上の有機層１４と有機層１４上の電極層１５とからなる有機ＥＬ素子を形成する。すなわち、パッシベーション膜１２上に、電極層１３と有機層１４と電極層１５とを順に形成する（図５のステップＳ３，Ｓ４，Ｓ５）。この工程は、例えば、次のようにして行うことができる。

すなわち、基板１０の上面上に、すなわちパッシベーション膜１２上に、電極層１３を形成する（図５のステップＳ３）。電極層１３は、例えば、導電膜をパッシベーション膜１２上に形成してから、この導電膜を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いてパターニングすることなどにより、形成することができる。それから、電極層１３上に有機層１４を形成する（図５のステップＳ４）。有機層１４は、例えば、マスクを用いた蒸着法（真空蒸着法）などにより、形成することができる。また、有機層１４用の膜を成膜してからその膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いてパターニングする手法で、有機層１４を形成することも可能である。それから、有機層１４上に電極層１５を形成する（図５のステップＳ５）。電極層１５は、例えば、マスクを用いた蒸着法などにより、形成することができる。また、電極層１５用の膜を成膜してからその膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いてパターニングする手法で、電極層１５を形成することも可能である。

電極層１３と有機層１４と電極層１５とからなる有機ＥＬ素子を形成した後、基板１０の上面上に、すなわち電極層１５上に、保護膜１６を形成する（図５のステップＳ６）。保護膜１６は、有機ＥＬ素子を覆うように形成される。

保護膜１６は、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ａ上の絶縁膜１６ｂと絶縁膜１６ｂ上の絶縁膜１６ｃとの積層膜からなるため、ステップＳ６の保護膜１６形成工程は、図６に示されるように、ステップＳ６ａの絶縁膜１６ａ形成工程と、ステップＳ６ｂの絶縁膜１６ｂ形成工程と、ステップＳ６ｃの絶縁膜１６ｃ形成工程と、を有している。ステップＳ６ａの後にステップＳ６ｂが行われ、更にその後にステップＳ６ｃが行われる。

このため、ステップＳ６の保護膜１６形成工程は、具体的には次のようにして行うことができる。すなわち、まず、図１０に示されるように、基板１０上に、すなわち電極層１５上に、絶縁膜１６ａをプラズマＡＬＤ法を用いて形成する（図６のステップＳ６ａ）。絶縁膜１６ａは、有機ＥＬ素子を覆うように形成される。それから、図１１に示されるように、絶縁膜１６ａ上に絶縁膜１６ｂを、プラズマＣＶＤ法を用いて形成する（図６のステップＳ６ｂ）。それから、図１２に示されるように、絶縁膜１６ｂ上に絶縁膜１６ｃを、プラズマＡＬＤ法を用いて形成する（図６のステップＳ６ｃ）。これにより、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂと絶縁膜１６ｃとの積層膜からなる保護膜１６が形成される。

また、電極または配線などの一部を、保護膜１６から露出させる必要がある場合もあり得る。そのような場合は、基板１０の上面の全領域に保護膜１６を形成するのではなく、基板１０の上面の一部に保護膜１６が形成されない領域を設けて、そこ（保護膜１６が形成されていない領域）から、電極または配線などの一部を露出させることができる。この場合は、ステップＳ６の保護膜１６形成工程は、例えば次のようにして行うことができる。

すなわち、まず、基板１０上に、すなわち電極層１５上に、マスク（メタルマスク）を配置してから、ステップＳ６ａとして絶縁膜１６ａをプラズマＡＬＤ法を用いて形成する。それから、そのマスクを取り除いてから、次のマスク（メタルマスク）を基板１０上に、すなわち電極層１５上に配置してから、ステップＳ６ｂとして絶縁膜１６ａ上に絶縁膜１６ｂをプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。それから、そのマスクを取り除いてから、次のマスク（メタルマスク）を基板１０上に、すなわち電極層１５上に配置してから、ステップＳ６ｃとして絶縁膜１６ｂ上に絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法を用いて形成し、その後、そのマスクを取り除く。これにより、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂと絶縁膜１６ｃとの積層膜からなる保護膜１６が形成される。マスクで覆われずに露出されていた領域には、絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃが形成され、従って保護膜１６が形成されるが、マスクで覆われていた領域には、絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃは形成されず、従って保護膜１６は形成されない。これにより、有機ＥＬ素子を覆うように保護膜１６を形成することができるとともに、保護膜１６が形成されていない領域から、電極または配線などを必要に応じて露出させることができる。

いずれにしても、ステップＳ６ａ，Ｓ６ｃにおいて、絶縁膜１６ａ，１６ｃはプラズマＡＬＤ法を用いて形成され、ステップＳ６ｂにおいて、絶縁膜１６ｂはプラズマＣＶＤ法を用いて形成される。ステップＳ６ｂにおいて、プラズマＣＶＤ法としてＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いれば、より好ましい。

詳細は後述するが、絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｃは、絶縁膜１６ｂの応力を緩和（相殺）するために形成され、保護膜１６は、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとで絶縁膜１６ｂを挟んだ構造を有している。このため、ステップＳ６ｂでは、絶縁膜１６ｂは、絶縁膜１６ａ上に、絶縁膜１６ａに接するように形成され、また、ステップＳ６ｃでは、絶縁膜１６ｃは、絶縁膜１６ｂ上に、絶縁膜１６ｂに接するように形成される。このため、ステップＳ６ａ，Ｓ６ｂ，Ｓ６ｃを終了すると、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂと絶縁膜１６ｃとの積層膜からなる保護膜１６が形成され、絶縁膜１６ｂは、絶縁膜１６ａ上に形成されてその絶縁膜１６ａに接し、絶縁膜１６ｃは、絶縁膜１６ｂ上に形成されてその絶縁膜１６ｂに接している。なお、ステップＳ６ａにおいて、絶縁膜１６ｃは有機ＥＬ素子を覆うように形成され、従って、保護膜１６は、有機ＥＬ素子を覆うように形成される。

有機ＥＬ素子（特に有機層１４）は高温に弱いため、ステップＳ６ａ，Ｓ６ｂ，Ｓ６ｃの各成膜温度、すなわち絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃの各成膜温度は、有機ＥＬ素子（特に有機層１４）に悪影響を及ぼさないように、比較的低温であることが好ましく、具体的には、１００℃以下であることが好ましく、例えば８０℃程度とすることができる。

このような低い成膜温度でも緻密な膜を形成できるようにするには、プラズマＣＶＤ法を用いる絶縁膜１６ｂについては、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜を用いることが好ましく、その中でも窒化シリコン膜が特に好ましい。また、プラズマＡＬＤ法を用いる絶縁膜１６ａ，１６ｃについては、アルミニウム（Ａｌ）を含有する絶縁膜を用いることが好ましく、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜を好適に用いることができるが、その中でも、酸化アルミニウム膜が特に好ましい。

保護膜１６を形成すると、電極層１３と有機層１４と電極層１５とからなる有機ＥＬ素子は、保護膜１６で覆われる。複数の有機ＥＬ素子がアレイ状に配列している場合は、それら複数の有機ＥＬ素子が保護膜１６で覆われる。

ステップＳ６で保護膜１６を形成した後、図１３に示されるように、基板１０の上面上に、すなわち保護膜１６上に、樹脂膜１７を形成する（図５のステップＳ７）。

保護膜１６の最上層は絶縁膜１６ｃであるので、絶縁膜１６ｃ上に樹脂膜１７が形成される。樹脂膜１７は、例えばＰＥＴなどからなり、スピンコート法（塗布法）などを用いて形成することができる。

その後、図１４に示されるように、基板１１をガラス基板９から引きはがすことにより、基板１１とその上面上の構造体とを、ガラス基板９から分離する。このようにして、表示装置１を製造することができる。

＜成膜装置について＞
図１５は、保護膜１６形成用の成膜装置の一例を示す説明図である。

図１５の成膜装置２１は、複数のチャンバを有するマルチチャンバ型の成膜装置である。具体的には、成膜装置２１は、ロードロック室２２と、トランスファチャンバ２３と、複数のチャンバ(処理室、成膜室、成膜容器）２４，２５，２６とを有している。このうち、チャンバ２４，２６は、プラズマＡＬＤ法を用いて成膜が行われるチャンバであり、チャンバ２５は、プラズマＣＶＤ法を用いて成膜が行われるチャンバである。チャンバ２４は、上記絶縁膜１６ａを形成するために用いられ、チャンバ２５は、上記絶縁膜１６ｂを形成するために用いられ、チャンバ２６は、上記絶縁膜１６ｃを形成するために用いられる。成膜装置２１を用いて保護膜１６を形成する工程フローについて、以下に説明する。

まず、保護膜１６形成工程より前の工程を終了した後、保護膜１６形成工程を行うために、処理対象物を、成膜装置２１のロードロック室２２に搬入する。ここで、ロードロック室２２に搬入する処理対象物は、上記パッシベーション膜１２、電極層１３、有機層１４および電極層１５などが形成された基板１０であり、基板１０上に図９の構造が形成されており、後述の図１６および図１７では、符号２７を付して処理対象物２７として示してある。

それから、ロードロック室２２内に搬入された処理対象物を、トランスファチャンバ２３を経由してチャンバ２４内に搬送（真空搬送）する。そして、チャンバ２４内に配置された処理対象物に対して、プラズマＡＬＤ法を用いて絶縁膜１６ａを成膜する。この場合、上記ステップＳ６ａが、チャンバ２４で行われることになる。それから、チャンバ２４内の処理対象物を、トランスファチャンバ２３を経由してチャンバ２５内に搬送（真空搬送）する。そして、チャンバ２５内に配置された処理対象物に対して、プラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜１６ｂを成膜する。この場合、上記ステップＳ６ｂが、チャンバ２５で行われることになる。それから、チャンバ２５内の処理対象物を、トランスファチャンバ２３を経由してチャンバ２６内に搬送（真空搬送）する。そして、チャンバ２６内に配置された処理対象物に対して、プラズマＡＬＤ法を用いて絶縁膜１６ｃを成膜する。この場合、上記ステップＳ６ｃが、チャンバ２６で行われることになる。それから、チャンバ２６内の処理対象物を、トランスファチャンバ２３を経由してロードロック室２２に搬送（真空搬送）する。その後、処理対象物は、ロードロック室２２から成膜装置２１の外部に搬出され、次の工程（例えば樹脂膜１７形成工程）を行うための製造装置に搬送される。

また、成膜装置２１において、搬入用のロードロック室と搬出用のロードロック室との２つのロードロック室を設けることもできる。その場合は、処理対象物は、搬入用のロードロック室に搬入され、トランスファチャンバ２３を経由してチャンバ２４，２５，２６でステップＳ６ａ，Ｓ６ｂ，Ｓ６ｃの処理が施され、その後、搬出用のロードロック室から成膜装置２１の外部に搬出され、次の工程に送られる。

また、絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃの各成膜工程において、処理対象物上にマスクを配置した状態で成膜を行う場合は、トランスファチャンバ２３にマスク着脱用のチャンバ（マスクチャンバ）を連結しておき、そのマスクチャンバにおいて、マスクの着脱を行うことができる。

図１５の成膜装置２１を用いれば、上記ステップＳ６ａ（絶縁膜１６ａ形成工程）と、上記ステップＳ６ｂ（絶縁膜１６ｂ形成工程）と、上記ステップＳ６ｃ（絶縁膜１６ｃ形成工程）とを、処理対象物を大気中にさらすことなく、連続的に行うことができる。これにより、ステップＳ６ａで絶縁膜１６ａを形成した後、絶縁膜１６ａの表面に不要な膜が形成されることなく、ステップＳ６ｂで絶縁膜１６ａ上に絶縁膜１６ｂを形成することができ、また、ステップＳ６ｂで絶縁膜１６ｂを形成した後、絶縁膜１６ｂの表面に不要な膜が形成されることなく、ステップＳ６ｃで絶縁膜１６ｂ上に絶縁膜１６ｃを形成することができる。これにより、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂと絶縁膜１６ｃとからなる保護膜１６をより的確に形成することができ、その保護膜１６により水分の侵入を防止する効果を、より的確に得ることができる。

図１６は、プラズマＣＶＤ法による成膜を行うチャンバ２５の構成の一例を示す断面図である。チャンバ２５は、プラズマＣＶＤ法を用いて成膜が行われるチャンバであるが、プラズマＣＶＤ法を用いて成膜を行う成膜装置とみなすこともでき、従って、プラズマＣＶＤ装置またはプラズマＣＶＤ成膜装置とみなすこともできる。

図１６に示されるように、チャンバ２５内には、処理対象物２７を配置するためのステージ３１と、ステージ３１の上方に配置されたシャワーヘッド（ガス供給部）３２と、シャワーヘッド３２の下に配置されたアンテナ３３と、が配置されている。アンテナ３３は、ステージ３１とシャワーヘッド３２との間において、シャワーヘッド３２の近くに配置されている。なお、図１６において、チャンバ２５内で、アンテナ３３は、紙面に略垂直な方向に延在している。チャンバ２５の排気部（排気口）３４は、真空ポンプ（図示せず）などに接続されており、チャンバ２５内を所定の圧力に制御できるようになっている。

チャンバ２５を用いた成膜時は、シャワーヘッド３２からチャンバ２５内に成膜用のガスが放出され、アンテナ３３に高周波電力が印加される。窒化シリコン膜を成膜する場合は、成膜用ガスとしては、例えば、ＳｉＨ_４ガス（シランガス）とＮＨ_３ガス（アンモニアガス）との混合ガスを用いることができる。ガスは、プラズマ化して化学反応し、生成されたＳｉＮ（窒化シリコン）の粒子が、ステージ３１上に配置された処理対象物２７上に堆積して、窒化シリコン膜が形成される。チャンバ２５内で処理対象物２７上に形成される膜（例えば窒化シリコン膜）が、上記絶縁膜１６ｂに対応する。

図１７は、プラズマＡＬＤ法による成膜を行うチャンバ２４の構成の一例を示す断面図である。チャンバ２６の構成も、図１７のチャンバ２４と同様であるので、ここでは、チャンバ２４，２６を代表して、チャンバ２４の構成を、図１７を参照して説明する。チャンバ２４，２６のそれぞれは、プラズマＡＬＤ法を用いて成膜が行われるチャンバであるが、プラズマＡＬＤ法を用いて成膜を行う成膜装置とみなすこともでき、従って、プラズマＡＬＤ装置またはプラズマＡＬＤ成膜装置とみなすこともできる。

また、本実施の形態では、絶縁膜１６ａ，１６ｃの形成には、ＡＬＤ法として、プラズマＡＬＤ法を用いることが好ましく、従って、チャンバ２４，２６では、プラズマＡＬＤ法を用いた成膜を行うことが好ましい。プラズマＡＬＤ装置（チャンバ２４，２６）においては、反応活性を高めるために、プラズマ放電を行って反応ガスをプラズマ化する。このため、プラズマＡＬＤ装置（チャンバ２４，２６）では、プラズマ放電を行うため、平行平板電極などが使用される。

図１７に示されるように、チャンバ２４内には、処理対象物２７を配置するためのステージ４１と、ステージ４１の上方に配置された上部電極（平板電極）４２とが、配置されている。上部電極４２には、高周波電源４６が接続されており、その高周波電源４６によって上部電極４２に、従って上部電極４２とステージ４１との間に、高周波電力を印加できるようになっている。ステージ４１は、下部電極としての機能も有している。上部電極４２と、下部電極（ここではステージ４１）とにより、平行平板電極が構成される。高周波電源４６は、チャンバ２４の外に配置することができる。ステージ４１は、ヒータ（図示せず）などを備えており、ステージ４１上に配置した処理対象物２７を加熱し、処理対象物２７の温度を所望の温度に調整することができるようになっている。チャンバ２４の排気部（排気口）４３は、真空ポンプ（図示せず）などに接続されており、チャンバ２４内を所定の圧力に制御できるようになっている。また、チャンバ２４には、チャンバ２４内にガスを導入するためのガス導入部４４と、チャンバ２４内からガスを排出するためのガス排出部（ガス排気部）４５と、を有している。なお、図１７では、理解を簡単にするために、ガス導入部４４からチャンバ２４内に導入するガスの流れと、ガス排出部４５からチャンバ２４外に排出するガスの流れとを、それぞれ矢印で模式的に示してある。

なお、図１７では、プラズマの発生に平行平板型の電極を用いる成膜装置について示しているが、他の形態として、プラズマの発生に、平行平板型以外の方式（例えばＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）型）を用いることもできる。

チャンバ２４を用いた成膜（プラズマＡＬＤ法による成膜）は、例えば、次のようにして行うことができる。

チャンバ２４内のステージ４１上に処理対象物２７が配置された状態で、以下に説明する第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、複数サイクル繰り返すことで、処理対象物２７の表面上に、所望の膜（例えば酸化アルミニウム膜）を所望の厚さに形成することができる。以下、具体的に説明する。

まず、第１ステップ（原料ガス供給ステップ）として、原料ガスをガス導入部４４からチャンバ２４内に導入（供給）する。酸化アルミニウム膜を成膜する場合は、原料ガスとしては、例えばＴＭＡ（Trimethylaluminium：トリメチルアルミニウム）ガスを用いることができる。第１ステップを行うと、ステージ４１上に配置された処理対象物２７の表面上に、原料ガスの分子が吸着する。すなわち、処理対象物２７の表面に、原料ガスの吸着層が形成される。

次に、第２ステップ（パージステップ）として、チャンバ２４内への原料ガスの導入を停止し、パージガスをガス導入部４４からチャンバ２４内に導入（供給）する。パージガスとしては、不活性ガスを好適に用いることができるが、窒素ガス（Ｎ_２ガス）を用いる場合もあり得る。パージガスを導入することで、処理対象物２７の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）は残存するが、それ以外の原料ガスは、パージガスと一緒にガス排出部４５からチャンバ２４外に排出される（パージされる）。

次に、第３ステップ（反応ガス供給ステップ）として、反応ガスを、ガス導入部４４からチャンバ２４内に導入（供給）する。酸化アルミニウム膜を成膜する場合は、反応ガスとしては、例えばＯ_２ガス（酸素ガス）を用いることができる。そして、上部電極４２に、従って上部電極４２とステージ４１との間に、高周波電力を印加する。これにより、上部電極４２とステージ４１との間にプラズマ放電が発生し、反応ガス（ここではＯ_２ガス）はプラズマ化して、反応ガスにラジカル（活性種）が生成され、処理対象物２７の表面に吸着していた原料ガス分子（原料ガスの吸着層）が反応ガスと反応する。これにより、処理対象物２７の表面に、原料ガスの吸着層と反応ガス（反応ガスのプラズマ）との反応層である酸化アルミニウムの原子層（一層）が形成される。

次に、第４ステップ（パージステップ）として、チャンバ２４内への反応ガスの導入と上部電極４２への高周波電力の印加を停止し、パージガスをガス導入部４４からチャンバ２４内に導入（供給）する。パージガスとしては、不活性ガスを好適に用いることができるが、窒素ガス（Ｎ_２ガス）を用いる場合もあり得る。パージガスを導入することで、反応ガスは、パージガスと一緒にガス排出部４５からチャンバ２４外に排出される（パージされる）。

このような第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、複数サイクル繰り返すことで、処理対象物２７の表面上に、所望の膜（例えば酸化アルミニウム膜）を所望の厚さに形成することができる。例えば、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、３０サイクル繰り返せば、３０層の原子層からなる膜が形成され、また、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、６０サイクル繰り返せば、６０層の原子層からなる膜が形成されることになる。

チャンバ２６を用いた成膜（プラズマＡＬＤ法による成膜）も、チャンバ２４を用いた成膜（プラズマＡＬＤ法による成膜）と基本的には同じであるので、ここではその説明は省略する。チャンバ２４内で処理対象物２７の表面上に形成される膜（例えば酸化アルミニウム膜）が、上記絶縁膜１６ａに対応し、チャンバ２６内で処理対象物２７の表面上に形成される膜（例えば酸化アルミニウム膜）が、上記絶縁膜１６ｃに対応する。

チャンバ２４で形成される絶縁膜１６ａが酸化アルミニウム膜の場合、その酸化アルミニウム膜の成膜条件としては、例えば次の条件を例示できる。すなわち、基板温度(成膜温度)が８０℃で、ＴＭＡガスの流量が５０ｓｃｃｍで、Ｏ_２ガスの流量が３００ｓｃｃｍで、ＲＦパワー（高周波パワー）が７５０Ｗで、成膜速度が４ｎｍ／分である。

チャンバ２５で形成される絶縁膜１６ｂが窒化シリコン膜の場合、その窒化シリコン膜の成膜条件としては、例えば次の条件を例示できる。すなわち、基板温度(成膜温度)が８０℃で、ＳｉＨ_４ガスの流量が１００ｓｃｃｍで、ＮＨ_３ガスの流量が１５０ｓｃｃｍで、ＲＦパワー（高周波パワー）が１０００Ｗで、成膜速度が１００ｎｍ／分である。

チャンバ２６で形成される絶縁膜１６ｃが酸化アルミニウム膜の場合、その酸化アルミニウム膜の成膜条件としては、例えば次の条件を例示できる。すなわち、基板温度(成膜温度)が８０℃で、ＴＭＡガスの流量が５０ｓｃｃｍで、Ｏ_２ガスの流量が３００ｓｃｃｍで、ＲＦパワー（高周波パワー）が７５０Ｗで、成膜速度が４ｎｍ／分である。

＜検討の経緯について＞
有機ＥＬ素子は、水分に弱いため、有機ＥＬ素子を覆うように保護膜（水分保護膜）を形成して、有機ＥＬ素子への水分の伝達を防ぐことが望ましい。この保護膜には、水分の侵入を防止する効果が高い無機絶縁膜を用いることが望ましい。また、有機ＥＬ素子は高温に弱いため、保護膜の成膜温度は、有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼさないように、比較的低温であることが好ましく、従って、保護膜としては、比較的低温度で成膜が可能な材料膜を用いることが好ましい。

ところで、本発明者は、有機ＥＬ素子を形成する基板として、フレキシブル基板を用いることを検討している。フレキシブル基板は、可撓性を有しているため、折り曲げることが可能である。有機ＥＬ表示装置の基板としてフレキシブル基板を用いれば、その表示装置の折り曲げが可能になる。

フレキシブル基板を用いる場合は、フレキシブル基板と一緒に保護膜も折り曲げられることになるため、保護膜においても折り曲げ耐性が重要になる。しかしながら、無機絶縁膜は、保護膜（水分保護膜）としては優れているが、樹脂膜などに比べて硬い材料であるため、基板としてフレキシブル基板を用いる場合には、曲げに伴って無機絶縁膜からなる保護膜にクラックが生じるリスクがある。すなわち、フレキシブル基板を小さな折り曲げ半径で折り曲げると、それに伴い保護膜も小さな折り曲げ半径で折り曲げられることになり、その曲げに伴って保護膜にクラックが発生するリスクがある。保護膜にクラックが発生してしまうと、そのクラックを通じて有機ＥＬ素子側へ水分が侵入してしまい、その水分が有機ＥＬ素子に伝達され、有機ＥＬ素子の劣化を引き起こす虞がある。これは、有機ＥＬ素子の信頼性の低下や、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の信頼性の低下につながってしまう。

このため、フレキシブル基板を用いる場合には、保護膜（水分保護膜）について、水分に対するバリア性を高めるだけでなく、折り曲げ耐性も高めることが重要である。

＜主要な特徴と効果について＞
本実施の形態の主要な特徴のうちの一つは、基板１１としてフレキシブル基板を用いたことである。本実施の形態の主要な特徴のうちの他の一つは、無機絶縁材料からなる保護膜１６が、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａと、絶縁膜１６ａ上にプラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂと、絶縁膜１６ｂ上にプラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ｃとを有する積層膜からなることである。

本実施の形態では、基板１１としてフレキシブル基板を用いているため、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させて、折り曲げに伴い保護膜１６にクラックが生じないようにすることが望まれる。これを実現するために、本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂを、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａとプラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ｃとで挟んだ構造（積層構造）を有する保護膜１６を採用している。これにより、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させることができるが、このことについて、図１８〜図２１を参照して以下に詳細に説明する。なお、保護膜の折り曲げ耐性とは、折曲げ試験に対する耐久性に対応している。また、折曲げ試験とは、折り曲げ動作を多数回繰り返す試験に対応している。折り曲げ動作を多数回繰り返しても、保護膜にクラックなどの不具合が生じなければ、保護膜の折り曲げ耐性が向上したと判断することができる。

図１８〜図２１は、保護膜の断面構造を示す断面図（説明図）であり、表示装置１の一部（上記図３の一部）を抜き出して示したものである。但し、図１８は、本実施の形態に対応しているが、図１９、図２０および図２１は、本発明者が検討した検討例に対応している。図１８〜図２１には、保護膜（１６，１１６，２１６，３１６）の断面構造が示されているが、図１８〜図２１において、保護膜の断面構造は互いに相違している。

なお、図１８〜図２１において、保護膜（１６，１１６，２１６，３１６）の下地を構成する層を、符号１８を付して下地層１８として示しており、保護膜（１６，１１６，２１６，３１６）は、下地層１８上に形成されている。下地層１８は、上記電極層１５、有機層１４、電極層１３、パッシベーション膜１２あるいは基板１１で構成されているが、下地層１８が、電極層１５、有機層１４、電極層１３、パッシベーション膜１２あるいは基板１１のいずれによって構成されているかは、保護膜の平面位置によって相違し得る。例えば、１つの保護膜１６が、保護膜１６の下の下地層１８が電極層１５で構成されている領域と、保護膜１６の下の下地層１８が有機層１４で構成されている領域と、保護膜１６の下の下地層１８が電極層１３で構成されている領域と、保護膜１６の下の下地層１８がパッシベーション膜１２で構成されている領域と、を一体的に有する場合もあり得る。

図１８〜図２１のそれぞれにおける保護膜の構造（断面構造）は、次の通りである。

図１８は、本実施の形態の保護膜１６の断面図が示されている。図１８に示されるように、無機絶縁材料からなる保護膜１６は、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ａと、絶縁膜１６ａ上にプラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜１６ｂと、絶縁膜１６ｂ上にプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ｃとの積層構造を有している。保護膜１６を構成する積層構造において、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ｃが最上層であり、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ａが最下層であり、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜１６ｂが中間層である。

図１９は、第１検討例の保護膜１１６の断面図が示されている。図１９に示されるように、無機絶縁材料からなる保護膜１１６は、プラズマＣＶＤ法で形成された膜であり、単層構造を有している。図１９（第１検討例）の場合、保護膜１１６は、全体が上記絶縁膜１６ｂに相当する膜で構成されており、本実施の形態における絶縁膜１６ａ，１６ｃに相当する膜は有していない。

図２０は、第２検討例の保護膜２１６の断面図が示されている。図２０に示されるように、無機絶縁材料からなる保護膜２１６は、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜２１６ｂと、絶縁膜２１６ｂ上にプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜２１６ｃとの積層構造を有している。保護膜２１６を構成する積層構造において、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜２１６ｃが最上層でありプラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜２１６ｂが最下層である。図２０（第２検討例）の場合、保護膜２１６は、絶縁膜１６ｂに相当する絶縁膜２１６ｂと絶縁膜１６ｃに相当する絶縁膜２１６ｃとで構成されており、絶縁膜１６ａに相当する膜は有していない。

図２１は、第３検討例の保護膜３１６の断面図が示されている。図２１に示されるように、無機絶縁材料からなる保護膜３１６は、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜３１６ａと、絶縁膜３１６ａ上にプラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜３１６ｂとの積層構造を有している。保護膜３１６を構成する積層構造において、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜３１６ｂが最上層であり、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜３１６ａが最下層である。図２１（第３検討例）の場合、保護膜３１６は、絶縁膜１６ａに相当する絶縁膜３１６ａと絶縁膜１６ｂに相当する絶縁膜３１６ｂとで構成されており、絶縁膜１６ｃに相当する膜は有していない。

ところで、水分に対するバリア性を有する保護膜（水分保護膜）としては、プラズマＣＶＤ法で形成したＳｉ含有無機絶縁膜が適している。プラズマＣＶＤ法で形成したＳｉ含有無機絶縁膜は、低温での成膜が可能で、かつ、膜の密度を高くできるため、単位厚さ当たりの水分透過率が低く、有機ＥＬ素子への水分の伝達を防ぐ保護膜として好適だからである。ここで、Ｓｉ含有無機絶縁膜とは、Ｓｉ（シリコン、ケイ素）を構成元素として含有する無機絶縁膜であり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜を例示できる。特に、窒化シリコン膜は、単位厚さ当たりの水分透過率が非常に低く、水分に対する高いバリア性を有しているため、水分保護膜として好ましい。これは、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法で成膜する場合、低温で、より緻密な膜を形成することができるからである。

しかしながら、プラズマＣＶＤ法で形成した膜は、その膜の応力を制御することが容易ではない。このため、有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼさないような温度（好ましくは１００℃以下）でプラズマＣＶＤ法を用いて形成した膜（１６ｂ，１１６，２１６ｂ，３１６ｂ）は、応力を有する膜（引張応力膜または圧縮応力膜）として形成されやすい。特に、有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼさないような温度（好ましくは１００℃以下）でプラズマＣＶＤ法を用いて形成した窒化シリコン膜は、水分に対する高いバリア性を有する反面、かなり大きな圧縮応力を有する膜となってしまう。

このため、図１９の保護膜１１６は、プラズマＣＶＤ法を用いて形成していることを反映して、応力が大きくなりやすく、特に、保護膜１１６が、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜の単層構造を有している場合には、保護膜１１６は、大きな圧縮応力を有する膜となってしまう。

保護膜１１６が圧縮応力または圧縮応力を有していると、その応力に逆らうように保護膜１１６が折り曲げられたときに保護膜１１６にクラックが発生するリスクが高くなる。例えば、保護膜１１６が圧縮応力を有している場合には、上記図４の場合と同様の方向に表示装置を折り曲げると、保護膜１１６の圧縮応力に逆らって保護膜１１６が折り曲げられることになり、保護膜１１６にクラックが発生するリスクが高くなってしまう。また、保護膜１１６が引張応力を有している場合には、上記図４の場合とは逆の方向に表示装置を折り曲げると、保護膜１１６の引張応力に逆らって保護膜１１６が折り曲げられることになり、保護膜１１６にクラックが発生するリスクが高くなってしまう。

保護膜（水分保護膜）の応力は、その保護膜の折り曲げ耐性に影響を与えるため、図１９のように、プラズマＣＶＤ法で形成した膜のみを保護膜１１６として使用してしまうと、保護膜１１６の応力に起因して、保護膜１１６の折り曲げ耐性が低くなり、折り曲げに伴い保護膜１１６にクラックが生じる懸念がある。

すなわち、保護膜１１６に相応しい材料(例えば窒化シリコン)を選択し、有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼさないような温度（好ましくは１００℃以下）で保護膜１１６を形成すると、保護膜１１６には大きな応力（保護膜１１６が窒化シリコン膜の場合は大きな圧縮応力）が発生し、その応力に起因して、保護膜１１６の折り曲げ耐性が低下する虞がある。つまり、図１９に示される第１検討例の保護膜１１６においては、全体がプラズマＣＶＤ法を用いて形成した膜により構成されているため、そのプラズマＣＶＤ法を用いて形成した膜の応力が、保護膜１１６の折り曲げ耐性に大きく影響することになり、保護膜１１６の折り曲げ耐性が低くなってしまうのである。

一方、プラズマＡＬＤ法は、形成する膜の応力の制御が比較的容易であり、成膜条件を調整することにより、形成する膜の応力を、所望の大きさおよび方向に制御することができる。例えば、後述の図２２を参照して説明するように、プラズマを生成するための高周波電力（上記上部電極４２に印加する高周波電力）を制御することによって、プラズマＡＬＤ法で形成する膜の応力を制御することができる。

そこで、本実施の形態では、図１８にも示されるように、保護膜１６は、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ａと、絶縁膜１６ａ上にプラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜１６ｂと、絶縁膜１６ｂ上にプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ｃとの積層構造を有している。すなわち、保護膜１６は、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜１６ｂを、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ｃとプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ａとで挟んだ構造を有している。これにより、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜１６ｂの応力を、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ｃとプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ａとで緩和（相殺）することができるため、保護膜１６の応力に起因して保護膜１６の折り曲げ耐性が低くなるのを抑制または防止でき、折り曲げに伴い保護膜１６にクラックが生じるのを抑制または防止することができる。

すなわち、本実施の形態の保護膜１６においても、絶縁膜１６ｂは、プラズマＣＶＤ法を用いて形成していることを反映して、応力が大きくなりやすく、特に、絶縁膜１６ｂが、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜である場合には、絶縁膜１６ｂは、大きな圧縮応力を有する膜となってしまう。しかしながら、形成する膜の応力の制御が比較的容易なプラズマＡＬＤ法を用いて、絶縁膜１６ａ，１６ｃを形成し、これら絶縁膜１６ａ，１６ｃで絶縁膜１６ｂを挟んだことで、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜１６ｂの応力を、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ｃとプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ａとで緩和（相殺）することができる。

つまり、絶縁膜１６ａ，１６ｃの成膜法として膜応力の制御が容易なプラズマＡＬＤ法を採用したことで、プラズマＣＶＤ法で形成する絶縁膜１６ｂの応力を絶縁膜１６ａ，１６ｃの応力で緩和（相殺）できるように、絶縁膜１６ａを形成する際に、その絶縁膜１６ａの応力を制御し、また、絶縁膜１６ｃを形成する際に、その絶縁膜１６ｃの応力を制御することができる。

具体的には、ステップＳ６ｂで形成される絶縁膜１６ｂの応力が圧縮応力である場合には、ステップＳ６ａでは、引張応力を有する絶縁膜１６ａをプラズマＡＬＤ法で形成し、ステップＳ６ｃでは、引張応力を有する絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法で形成する。これにより、形成された保護膜１６において、絶縁膜１６ｂの応力の方向（ここでは圧縮応力）と、絶縁膜１６ｂを挟む絶縁膜１６ａ，１６ｃの応力の方向（ここでは引張応力）とが、互いに逆方向になるため、絶縁膜１６ｂの応力（ここでは圧縮応力）を、絶縁膜１６ｃおよび絶縁膜１６ａの応力（ここでは引張応力）で緩和（相殺）することができる。

一方、ステップＳ６ｂで形成される絶縁膜１６ｂの応力が引張応力である場合には、ステップＳ６ａでは、圧縮応力を有する絶縁膜１６ａをプラズマＡＬＤ法で形成し、ステップＳ６ｃでは、圧縮応力を有する絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法で形成する。これにより、形成された保護膜１６において、絶縁膜１６ｂの応力の方向（ここでは引張応力）と、絶縁膜１６ｂを挟む絶縁膜１６ａ，１６ｃの応力の方向（ここでは圧縮応力）とが、互いに逆方向になるため、絶縁膜１６ｂの応力（ここでは引張応力）を、絶縁膜１６ｃおよび絶縁膜１６ａの応力（ここでは圧縮応力）で緩和（相殺）することができる。

上述のように、有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼさないような温度（好ましくは１００℃以下）でプラズマＣＶＤ法を用いて形成した窒化シリコン膜は、かなり大きな圧縮応力を有する膜となってしまう。このため、プラズマＣＶＤ法で形成する絶縁膜１６ｂとして、窒化シリコン膜を採用する場合は、絶縁膜１６ｂは、かなり大きな圧縮応力を有する膜となる。この場合は、プラズマＡＬＤ法で形成する絶縁膜１６ａ，１６ｃを、引張応力を有する膜とすればよい。これにより、絶縁膜１６ｂの応力（ここでは圧縮応力）を、絶縁膜１６ｃと絶縁膜１６ａとの応力（ここでは引張応力）で緩和（相殺）することができる。

このように、本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂを、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａ，１６ｃで挟んだ構造を採用したことで、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂの応力を、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａ，１６ｃの応力によって緩和（相殺）することが可能になる。具体的には、絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｃのそれぞれが、絶縁膜１６ｂの応力の方向とは逆方向の応力を有するように、ステップＳ６ａ，Ｓ６ｃで絶縁膜１６ａ，１６ｃを形成する。これにより、形成された保護膜１６において、絶縁膜１６ｂを挟む絶縁膜１６ａ，１６ｃの応力が、絶縁膜１６ｂの応力と逆方向となるため、絶縁膜１６ｂの応力を、絶縁膜１６ｃおよび絶縁膜１６ａの応力により緩和（相殺）することができる。

図２０の第２検討例の保護膜２１６は、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜２１６ｂと絶縁膜２１６ｂ上にプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜２１６ｃとからなる積層構造を有しているが、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜２１６ｂの下には、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜（本実施の形態の絶縁膜１６ａに相当する膜）は形成されていない。また、図２１の第３検討例の保護膜３１６は、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜３１６ａと絶縁膜３１６ａ上にプラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜３１６ｂとからなる積層構造を有しているが、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜３１６ｂの上には、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜（本実施の形態の絶縁膜１６ｃに相当する膜）は形成されていない。このため、図２０の第２検討例の保護膜２１６と図２１の第３検討例の保護膜３１６とにおいては、保護膜（２１６，３１６）は、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜をプラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜で挟んだ構造とはなっていない。このため、図２０の第２検討例の保護膜２１６や図２１の第３検討例の保護膜３１６では、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜（２１６ｂ，３１６ｂ）の応力をプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜（２１６ｃ，３１６ａ）の応力によって十分に緩和（相殺）することは難しい。

すなわち、図２０の第２検討例の保護膜２１６において、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜２１６ｂが圧縮応力を有する膜であり、絶縁膜２１６ｂ上にプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜２１６ｃが引張応力を有する膜であると仮定する。この場合、絶縁膜２１６ｂにおける上層部分の応力（圧縮応力）は、絶縁膜２１６ｂ上の絶縁膜２１６ｃの応力（引張応力）によって緩和（相殺）できるが、絶縁膜２１６ｂにおける下層部分の応力（圧縮応力）は、絶縁膜２１６ｂ上の絶縁膜２１６ｃの応力（引張応力）によって緩和（相殺）することは難しい。このため、図２０の第２検討例の保護膜２１６では、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜２１６ｂ上にプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜２１６ｃを配置したとしても、保護膜２１６の応力に起因して保護膜２１６の折り曲げ耐性が低くなるのを抑制する効果は限定的であり、折り曲げに伴い保護膜２１６にクラックが生じる懸念がある。

また、図２１の第３検討例の保護膜３１６において、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜３１６ｂが圧縮応力を有する膜であり、絶縁膜３１６ｂの下のプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜３１６ａが引張応力を有する膜であると仮定する。この場合、絶縁膜３１６ｂにおける下層部分の応力（圧縮応力）は、絶縁膜３１６ｂの下の絶縁膜３１６ａの応力（引張応力）によって緩和（相殺）できるが、絶縁膜３１６ｂにおける上層部分の応力（圧縮応力）は、絶縁膜３１６ｂの下の絶縁膜３１６ａの応力（引張応力）によって緩和（相殺）することは難しい。このため、図２１の第３検討例の保護膜３１６では、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜３１６ｂの下にプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜３１６ａを配置したとしても、保護膜３１６の応力に起因して保護膜３１６の折り曲げ耐性が低くなるのを抑制する効果は限定的であり、折り曲げに伴い保護膜３１６にクラックが生じる懸念がある。

それに対して、本実施の形態では、保護膜１６は、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂをプラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａ，１６ｂで挟んだ構造となっている。ここで、プラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜１６ｂが圧縮応力を有する膜であり、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ａ，１６ｃが引張応力を有する膜であると仮定する。この場合、絶縁膜１６ｂにおける下層部分の応力（圧縮応力）は、絶縁膜１６ｂの下の絶縁膜１６ａの応力（引張応力）によって緩和（相殺）でき、絶縁膜１６ｂにおける上層部分の応力（圧縮応力）は、絶縁膜１６ｂ上の絶縁膜１６ｃの応力（引張応力）によって緩和（相殺）できる。このため、絶縁膜１６ｂ全体における応力（圧縮応力）を、絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｂの応力によって緩和(相殺)することができる。従って、本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂをプラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａ，１６ｂで挟むことで、保護膜１６の応力に起因して保護膜１１６の折り曲げ耐性が低くなるのを的確に抑制または防止することができ、折り曲げに伴い保護膜１６にクラックが生じるのを的確に抑制または防止することができる。

また、図２０の第２検討例の保護膜２１６の場合や図２１の第３検討例の保護膜３１６の場合、プラズマＣＶＤ膜（２１６ｂ，３１６ｂ）の上面側と下面側のうち、一方の側にしかプラズマＡＬＤ膜を形成していないため、プラズマＣＶＤ膜（２１６ｂ，３１６ｂ）の応力を緩和させる作用を高めるためには、プラズマＡＬＤ膜（２１６ｃ，３１６ａ）の厚さを厚くする必要がある。しかしながら、プラズマＡＬＤ膜の厚さを厚くすることは、プラズマＡＬＤ膜とプラズマＣＶＤ膜とを含む保護膜全体の厚さを厚くすることにつながるが、保護膜の厚さを厚くすることは、保護膜の折り曲げ耐性を低下させ、折り曲げに伴う保護膜のクラックが生じやすくすることにつながってしまう。なお、プラズマＡＬＤ法を用いて形成した膜（絶縁膜）を、プラズマＡＬＤ膜と称し、また、プラズマＣＶＤ法を用いて形成した膜（絶縁膜）を、プラズマＣＶＤ膜と称することとする。絶縁膜１６ａ、絶縁膜１６ｃ、絶縁膜２１６ｃおよび絶縁膜３１６ａは、いずれもプラズマＡＬＤ膜とみなすことができ、絶縁膜１６ｂ、保護膜１１６、絶縁膜２１６ｂおよび絶縁膜３１６ｂは、いずれもプラズマＣＶＤ膜とみなすことができる。

保護膜における応力の有無にかかわらず、保護膜の厚さを厚くすることは、折り曲げに伴う保護膜のクラックが生じやすくなることにつながる。保護膜の折り曲げ耐性を向上させる上では、保護膜の厚さを薄くすることが有効であり、保護膜の厚さを薄くすれば、折り曲げに伴う保護膜のクラックが生じにくくなる。このため、図２０の第２検討例の保護膜２１６の場合や図２１の第３検討例の保護膜３１６の場合、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜（２１６ｂ，３１６ｂ）の応力を緩和させる作用を高めるためにプラズマＡＬＤ膜（２１６ｃ，３１６ａ）の厚さを厚くすることは、保護膜の折り曲げ耐性を向上させる観点で、得策ではない。

それに対して、本実施の形態の保護膜１６の場合は、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂの上面側と下面側の両方にプラズマＡＬＤ膜（１６ａ，１６ｃ）を形成しているため、プラズマＡＬＤ膜（１６ａ，１６ｃ）の厚さを厚くしなくとも、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂの応力を緩和させる作用を高めることができる。このため、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａ，１６ｃの厚さを厚くしなくとも、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂの応力を緩和させる作用を効率的に得ることができる。すなわち、保護膜１６全体の厚さを抑制しながら、保護膜１６全体の応力を緩和することができる。このため、本実施の形態の保護膜１６の場合は、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂの応力を、その絶縁膜１６ｂを挟むプラズマＡＬＤ膜（１６ａ，１６ｃ）の応力によって緩和する点と、その緩和作用をプラズマＡＬＤ膜（１６ａ，１６ｃ）の厚さを厚くしなくとも効率的に得られるという点とで、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させることができる。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂを、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａ，１６ｃで挟んだ構造を採用したことで、保護膜１６全体の応力を制御して保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させることができ、また、保護膜１６全体の厚さを抑制することで保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させることができる。このため、折り曲げ時に保護膜１６にクラックが生じるのを、抑制または防止することができる。従って、保護膜１６の信頼性を向上させることができ、ひいては、表示装置の信頼性を向上させることができる。

また、絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｃは、絶縁膜１６ｂの応力を緩和（相殺）するために設けている。このため、保護膜１６全体における応力（全応力）の大きさは、絶縁膜１６ｂにおける応力の大きさよりも小さくなっている。つまり、絶縁膜１６ａ，１６ｃを形成せずに単独の絶縁膜１６ｂによって保護膜を形成した場合よりも、絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃの積層膜によって保護膜を形成した場合の方が、保護膜の応力（絶対値）は小さくなっている。このため、絶縁膜１６ａ，１６ｃのそれぞれは、絶縁膜１６ｂの応力の方向とは逆方向の応力を有する必要がある。応力を有する絶縁膜１６ｂを、絶縁膜１６ｂの応力とは逆方向の応力を有する絶縁膜１６ａ，１６ｃで挟むことで、絶縁膜１６ｂの応力を緩和（相殺）し、絶縁膜１６ａ，１６ｃを形成しない場合に比べて、保護膜１６の応力の大きさを小さくすることができ、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させることができる。このため、折り曲げ時に保護膜１６にクラックが生じるのを、抑制または防止することができる。従って、保護膜１６の信頼性を向上させることができ、ひいては、表示装置の信頼性を向上させることができる。

例えば、絶縁膜１６ａ，１６ｃを形成せずに単独の絶縁膜１６ｂによって保護膜を形成した場合は、保護膜全体の応力の大きさ（絶対値）は３００〜４００ＭＰａ程度であったものが、絶縁膜１６ｂを絶縁膜１６ａ，１６ｂで挟んだ構造の保護膜では、全体の応力の大きさ（絶対値）は１００ＭＰａ以下程度（すなわち−１００ＭＰａ〜１００ＭＰａ）とすることができる。

また、本実施の形態の保護膜１６においては、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂ上に、その絶縁膜１６ｂに接するように、絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法で形成している。これにより、絶縁膜１６ｂをプラズマＣＶＤ法で形成したことに伴い、絶縁膜１６ｂにピンホールが発生しても、絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法で形成したことで、そのピンホールを埋めることができるという効果も得られる。このことについて、具体的に説明する。

プラズマＣＶＤ法で形成した膜は、成膜時にピンホール（微小な孔）などの欠陥が形成される虞がある。このため、絶縁膜１６ｂをプラズマＣＶＤ法で形成したことを反映して、絶縁膜１６ｂの成膜時に、絶縁膜１６ｂにピンホールが発生する虞がある。絶縁膜１６ｂにピンホールが形成されてしまうと、そのピンホールを経由して有機ＥＬ素子側に水分が侵入してしまう懸念がある。

それに対して、本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂ上に、絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法で形成している。プラズマＡＬＤ法は、段差や孔に対する被覆性が高い成膜法であるため、プラズマＣＶＤ法で絶縁膜１６ｂを形成した際に、その絶縁膜１６ｂにピンホールが形成されたとしても、その絶縁膜１６ｂ上にプラズマＡＬＤ法で絶縁膜１６ｃを形成すれば、その絶縁膜１６ｃで絶縁膜１６ｂのピンホールを埋めることができる。これにより、絶縁膜１６ｂのピンホールを経由して水分が有機ＥＬ素子へ伝達してしまうのを防止することができる。このため、保護膜１６の水分の伝達を防止（遮蔽）する機能を高めることができ、保護膜１６により有機ＥＬ素子への水分の伝達を防止する効果を高めることができる。このため、保護膜１６の信頼性を向上させることができる。従って、有機ＥＬ素子の信頼性を向上させることができ、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の信頼性を向上させることができる。

また、絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｃのそれぞれは、絶縁膜１６ｂの応力の方向とは逆方向の応力を有しているが、絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｃのそれぞれの応力の大きさ（絶対値）は、絶縁膜１６ｂの応力の大きさ（絶対値）よりも小さいことが好ましい。なぜなら、絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｃは、絶縁膜１６ｂの応力を緩和（相殺）するために設けているが、絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｃの応力が大きくなり過ぎると、絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｃの大きな応力が保護膜のクラックに繋がる懸念が生じるからである。このため、絶縁膜１６ａ，１６ｃの応力の大きさは、絶縁膜１６ｂの応力の大きさよりも小さいことが好ましく、これにより、絶縁膜１６ａ，１６ｃによって絶縁膜１６ｂの応力を緩和（相殺）して保護膜１６の折り曲げ耐性を向上できるとともに、絶縁膜１６ａ，１６ｃの応力が保護膜１６の折り曲げ耐性を低下させるリスクを抑制または回避できる。従って、保護膜１６全体の応力を的確に制御して、保護膜１６全体の折り曲げ耐性を的確に向上させることができる。

また、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとは、応力の方向が同じであるが、絶縁膜１６ａの応力の大きさ（絶対値）と絶縁膜１６ｃの応力の大きさ（絶対値）とが同程度であれば、より好ましい。そうすることで、絶縁膜１６ｂの応力を絶縁膜１６ａにより緩和（相殺）する作用と、絶縁膜１６ｂの応力を絶縁膜１６ｃにより緩和（相殺）する作用とを、同程度にすることができるため、保護膜１６における応力のバランスが良くなり、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果を、より高めることができる。

また、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとは、同じ材料により形成されていれば、より好ましい。ステップＳ６ａとステップＳ６ｃとで、第１ステップで使用される原料ガスの種類を共通（同じ）にし、かつ、ステップＳ６ａとステップＳ６ｃとで、第３ステップで使用される反応ガスの種類を共通（同じ）にすれば、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとは、構成元素が互いに同じになるため、同じ材料により形成されることになる。

絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとが同じ材料により形成されていれば、絶縁膜１６ａの応力の大きさと絶縁膜１６ｃの応力の大きさとを同程度にしやすくなる。このため、絶縁膜１６ｂの応力を絶縁膜１６ａにより緩和（相殺）する作用と、絶縁膜１６ｂの応力を絶縁膜１６ｃにより緩和（相殺）する作用とを、同程度にしやすくなるため、保護膜１６における応力のバランスが良くなり、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果を、より高めることができる。

また、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとは、同じ成膜条件で形成されていれば、より好ましい。成膜条件には、例えば、第１ステップで使用される原料ガスの種類と流量、第３ステップで使用される反応ガスの種類と流量、第３ステップの高周波電力の大きさと周波数、基板温度(成膜温度)などがある。絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとを同じ成膜条件で形成すれば、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとについて、応力の方向が同じで、かつ、応力の大きさ（絶対値）を同程度とすることができる。これにより、絶縁膜１６ｂの応力を絶縁膜１６ａにより緩和（相殺）する作用と、絶縁膜１６ｂの応力を絶縁膜１６ｃにより緩和（相殺）する作用とを、同程度にすることができるため、保護膜１６における応力のバランスが良くなり、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果を、より高めることができる。

本実施の形態の他の特徴について、更に説明する。

本実施の形態では、保護膜１６を、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｂと絶縁膜１６ｃとの積層膜とするとともに、各絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃの厚さも工夫している。以下、具体的に説明する。

保護膜における応力の有無にかかわらず、保護膜の厚さを厚くすることは、折り曲げに伴う保護膜のクラックが生じやすくなることにつながる。保護膜の折り曲げ耐性を向上させる上では、保護膜の厚さを薄くすることが有効であり、保護膜の厚さを薄くすれば、折り曲げに伴う保護膜のクラックが生じにくくなる。

このため、本実施の形態においても、保護膜１６の厚さを抑制することが望ましいが、保護膜１６の厚さを抑制しても、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を確保できるようにする必要がある。

そこで、本実施の形態では、保護膜１６を、絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃの積層膜により形成するとともに、絶縁膜１６ｂの厚さ（膜厚）Ｔ２を、絶縁膜１６ａの厚さ（膜厚）Ｔ１と絶縁膜１６ｃの厚さ（膜厚）Ｔ３との合計よりも大きくすることが好ましい（すなわちＴ２＞Ｔ１＋Ｔ３）。なお、絶縁膜１６ａの厚さＴ１は、上記図３、図１０および図１８に示され、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２は、上記図３、図１１および図１８に示され、絶縁膜１６ｃの厚さＴ３は、上記図３、図１２および図１８に示され、保護膜１６の厚さ（膜厚）Ｔ４は、上記図３、図１２および図１８に示されている。これにより、保護膜１６の厚さを抑制しても、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に確保することができる。その理由について、以下に説明する。

すなわち、プラズマＡＬＤ法により形成した絶縁膜１６ａ，１６ｃよりも、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂの方が、水分に対するバリア性が高く、単位厚さ当たりの水分の透過率は低い。逆に言えば、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂよりも、プラズマＡＬＤ法により形成した絶縁膜１６ａ，１６ｃの方が、水分に対するバリア性が低く、単位厚さ当たりの水分の透過率は高い。このため、保護膜１６の厚さＴ４のうち、絶縁膜１６ａ，１６ｃに配分する厚さを大きくするよりも、絶縁膜１６ｂに配分する厚さを大きくした方が、保護膜１６の水分に対するバリア性を高める上では有利である。

そこで、本実施の形態では、水分に対するバリア性が低い絶縁膜１６ａ，１６ｃの合計の厚さ（Ｔ１＋Ｔ３）よりも、水分に対するバリア性が高い絶縁膜１６ｂの厚さ（Ｔ２）を大きくしている（すなわちＴ２＞Ｔ１＋Ｔ３）。これにより、保護膜１６の厚さＴ４のうち、水分に対するバリア性が低い絶縁膜１６ａ，１６ｃに配分された厚さよりも、水分に対するバリア性が高い絶縁膜１６ｂに配分された厚さを相対的に大きくすることができるため、保護膜１６の水分に対するバリア性を効率的に高めることができる。

すなわち、絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃのうち、単位厚さ当たりの水分の透過率が低い絶縁膜１６ｂを厚くしたことにより、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を高めることができ、絶縁膜１６ｂよりも、単位厚さ当たりの水分の透過率が高い絶縁膜１６ａ，１６ｃについては、厚さを薄くしたことにより、保護膜１６全体の厚さを抑制することができる。これにより、保護膜１６の厚さを抑制しながら、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に得ることができる。このため、保護膜１６の厚さを抑制することによる保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果を得ながら、保護膜１６の厚さを抑制しても保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に確保することができる。

なお、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２を、絶縁膜１６ａの厚さＴ１と絶縁膜１６ｃの厚さＴ３との合計よりも大きくする（すなわちＴ２＞Ｔ１＋Ｔ３とする）ことは、保護膜１６の厚さＴ４のうちの半分（５０％）よりも多くを、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２に配分する（すなわちＴ２＞Ｔ４×１／２とする）ことに対応している。すなわち、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２を、絶縁膜１６ａの厚さＴ１と絶縁膜１６ｃの厚さＴ３との合計よりも大きくすることは、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２を、保護膜１６の厚さＴ４の半分（５０％）よりも大きくすることに対応している。これは、保護膜１６は、絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃの積層膜からなるため、保護膜１６の厚さＴ４は、絶縁膜１６ａの厚さＴ１と絶縁膜１６ｂの厚さＴ２と絶縁膜１６ｃの厚さＴ３との合計と実質的に同じであり（すなわちＴ４＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）、それゆえ、Ｔ２＞Ｔ１＋Ｔ３の関係とＴ２＞Ｔ４×１／２の関係とは、実質的に等価だからである。

本実施の形態では、保護膜１６の厚さＴ４の半分（５０％）よりも多くを、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２に配分し、保護膜１６を主として、水分に対するバリア性が高い絶縁膜１６ｂで構成することにより、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に得ることができる。

また、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃのうち、水分の侵入を防止する作用を主として担うのは絶縁膜１６ｂであるため、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を高めるためには、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２を、ある程度厚くすることが有効である。この観点で、ステップＳ１６ｂで形成する絶縁膜１６ｂの厚さＴ２は、２０ｎｍよりも大きいことが好ましい（すなわちＴ２＞２０ｎｍ）。これにより、水分に対するバリア性が高い絶縁膜１６ｂの厚さＴ２を確保して、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を的確に得ることができるようになる。

本実施の形態では、絶縁膜１６ｂに比べて絶縁膜１６ａ，１６ｃの厚さを薄くしているが、絶縁膜１６ｂの上面側とおよび下面側の一方だけにプラズマＡＬＤ膜を配置したのではなく、絶縁膜１６ｂの上面側と下面側の両方にプラズマＡＬＤ膜を配置しており、絶縁膜１６ｂを、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａとプラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ｃとで挟んだ構造を採用している。このため、絶縁膜１６ａ，１６ｃの厚さを厚くしなくとも、絶縁膜１６ｂの応力を緩和させる作用を効率的に得ることができる。このため、本実施の形態では、絶縁膜１６ｂの厚さＴ２よりも絶縁膜１６ａ，１６ｃの合計の厚さを小さく（すなわちＴ２＞Ｔ１＋Ｔ３）しても、絶縁膜１６ａ，１６ｃにより絶縁膜１６ｂの応力を緩和する作用を効率的に得ることができる。従って、本実施の形態では、保護膜１６の応力を制御することにより保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果と、保護膜１６の厚さを抑制することにより保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果とを得ながら、保護膜１６の厚さを抑制しても保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に確保することができる。

また、上述したように、絶縁膜１６ｃは、絶縁膜１６ｂに形成されたピンホールを埋める作用も有している。しかしながら、絶縁膜１６ｃの厚さＴ３が薄すぎると、絶縁膜１６ｂに形成されたピンホールを絶縁膜１６ｃで十分に埋められなくなる虞がある。このため、ステップＳ６ｃで形成する絶縁膜１６ｃの厚さＴ３は、１０ｎｍ以上（Ｔ３≧１０ｎｍ）が好ましく、１５ｎｍ以上（Ｔ３≧１５ｎｍ）であればより好ましい。そうすることにより、ステップＳ６ｂで絶縁膜１６ｂをプラズマＣＶＤ法で形成した際に絶縁膜１６ｂにピンホールが発生しても、ステップＳ６ｃで絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法で形成した際に、絶縁膜１６ｂのピンホールを絶縁膜１６ｃで的確に埋め込むことができるようになる。これにより、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を、より的確に得ることができる。

また、絶縁膜１６ａの厚さＴ１は、絶縁膜１６ｃの厚さＴ３と同じである（すなわちＴ１＝Ｔ３）ことが好ましい。その理由は次のようなものである。

すなわち、本実施の形態では、絶縁膜１６ｂを、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａとプラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ｃとで挟んだ構造を採用しており、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとは、いずれも、絶縁膜１６ｂの応力を緩和（相殺）する作用を有している。絶縁膜１６ａの厚さＴ１と絶縁膜１６ｃの厚さＴ３とが互いに同じであれば、絶縁膜１６ｂの応力を絶縁膜１６ａにより緩和（相殺）する作用と、絶縁膜１６ｂの応力を絶縁膜１６ｃにより緩和（相殺）する作用とが、ほぼ同じになるため、保護膜１６における応力のバランスが良くなり、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果を、より高めることができる。このため、絶縁膜１６ａの厚さＴ１と絶縁膜１６ｃの厚さＴ３とが同じ（すなわちＴ１＝Ｔ３）であれば、より好ましい。従って、絶縁膜１６ｃの厚さＴ３は１０ｎｍ以上（Ｔ３≧１０ｎｍ）が好ましいことを反映して、絶縁膜１６ａの厚さＴ１も、１０ｎｍ以上（Ｔ３≧１０ｎｍ）が好ましい。

また、本実施の形態では、絶縁膜１６ｂを、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａおよび絶縁膜１６ｃで挟んだ構造を採用することで、保護膜の折り曲げ耐性を向上させているため、保護膜１６を厚くしても、折り曲げ時に保護膜１６にクラックが生じにくくなっている。しかしながら、保護膜の厚さを厚くすることは、折り曲げ時に保護膜にクラックが生じるリスクを高めるように作用する。このため、保護膜１６の厚さＴ４は、２００ｎｍ以下（すなわちＴ４≦２００ｎｍ）であれば、より好ましい。これにより、フレキシブル基板（表示装置）を小さな折り曲げ半径で折り曲げたときでも、保護膜１６にクラックが発生するのを、より的確に防止することができる。なお、保護膜１６の厚さＴ４が２００ｎｍ以下であることは、絶縁膜１６ａの厚さＴ１と絶縁膜１６ｂの厚さＴ２と絶縁膜１６ｃの厚さＴ３の合計が２００ｎｍ以下（すなわちＴ１＋Ｔ２＋Ｔ３≦２００ｎｍ）であることに対応している。

また、保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃのうち、水分の侵入を防止する作用を主として担うのは絶縁膜１６ｂであるため、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を高めるためには、絶縁膜１６ｂの密度を高くすることが有効である。絶縁膜１６ｂの密度を高くすれば、絶縁膜１６ｂの水分に対するバリア性を、より高めることができる。このため、ステップＳ６ｂでプラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜１６ｂを形成する際には、ＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いれば、より好ましい。ＩＣＰ−ＣＶＤ法は、ＣＣＰ（Conductively Coupled Plasma）−ＣＶＤ法（容量結合型プラズマＣＶＤ法）などに比べて、プラズマ密度（プラズマ電子密度）を高くしやすく、成膜温度を抑えながら形成する膜の密度を高めやすい。絶縁膜１６ｂの形成工程にＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いることにより、成膜温度を抑えながら、絶縁膜１６ｂの密度を高めることができ、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を更に高めることができる。従って、保護膜１６の厚さを抑制しながら、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を更に高めることができる。

＜絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃの形成工程について＞
上述のように、絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃの積層膜からなる保護膜１６において、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとは、絶縁膜１６ｂの応力とは逆方向の応力を有する膜である。絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとは、いずれもプラズマＡＬＤ法を用いて形成するが、プラズマＡＬＤ法で絶縁膜１６ａや絶縁膜１６ｃの応力を制御する手法について、以下に説明する。

ＡＬＤ法（プラズマＡＬＤ法）は、上記「成膜装置について」の欄で説明したように、第１ステップ（原料ガス供給ステップ）と第２ステップ（パージステップ）と第３ステップ（反応ガス供給ステップ）と第４ステップ（パージステップ）とを１サイクルとして、これを複数サイクル繰り返すことで、処理対象物２７の表面上に、所望の膜を形成する手法である。ＡＬＤ法としてプラズマＡＬＤ法を用いる場合は、第３ステップにおいて、反応ガスはプラズマ化される。絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとは、いずれも、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを、複数サイクル繰り返すことにより、形成される。但し、ステップＳ６ａの絶縁膜１６ａ形成工程（プラズマＡＬＤ工程）とステップＳ６ｃの絶縁膜１６ｃ形成工程（プラズマＡＬＤ工程）との間には、ステップＳ６ｂの絶縁膜１６ｂ形成工程（プラズマＣＶＤ工程）が行われる。上述したように、第１ステップは、チャンバ（成膜容器）内に原料ガスを供給する工程であり、第２ステップは、チャンバ内にパージガスを供給する工程であり、第３ステップは、チャンバ内に反応ガスを供給する工程であり、第４ステップは、チャンバ内にパージガスを供給する工程である。このチャンバは、ステップＳ６ａにおいては上記チャンバ２４に対応し、ステップＳ６ｃにおいては上記チャンバ２６に対応している。

本実施の形態では、プラズマＡＬＤ装置（プラズマＡＬＤ法）を用いて絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとを形成しており、ステップＳ６ａおよびステップＳ６ｃのそれぞれにおいて、第３ステップ（反応ガス供給ステップ）では、高周波電力により反応ガスがプラズマ化される。各絶縁膜１６ａ，１６ｃの応力を制御する手法は、第３ステップの高周波電力の大きさを制御することによって、成膜される絶縁膜の応力を制御する手法であり、これについて、以下に具体的に説明する。

プラズマＡＬＤ装置を用いた成膜工程では、形成した膜の密度は、第３ステップ（反応ガス供給ステップ）において、反応ガスをプラズマ化するための高周波電力（ここでは上部電極４２に印加される高周波電力）の大きさによって、制御することができる。具体的には、第３ステップの高周波電力を大きくすると、形成される膜の密度が高くなり、第３ステップの高周波電力を小さくすると、形成される膜の密度が低くなる傾向にある。なお、第３ステップの高周波電力をある程度以上大きくすると、形成される膜は、欠陥（空孔）が少なく、理想的な結晶構造の膜（層）に近くなるため、形成される膜の密度は、ほぼ一定になる。なお、第３ステップにおける、反応ガスをプラズマ化するための高周波電力（ここでは上部電極４２に印加される高周波電力）を、「第３ステップにおける高周波電力」または「第３ステップの高周波電力」と称することとする。

すなわち、第３ステップでは、チャンバ（２４，２６）内に導入した反応ガスを、処理対象物２７の表面に吸着していた原料ガス分子と反応させるが、反応ガスの反応性（反応活性）を高めるために、反応ガスをプラズマ化して、処理対象物２７の表面に吸着していた原料ガス分子と反応させ、それによって、処理対象物２７の表面に反応層である原子層を形成する。第３ステップの高周波電力を大きくした場合は、生成されるプラズマ（活性種）と処理対象物２７の表面に吸着していた原料ガス分子との反応性が高くなる。このため、第３ステップの高周波電力を大きくした条件で、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを複数サイクル繰り返すと、生成された膜は、欠陥（空孔）が少なく、理想的な結晶構造の膜（層）に近い高密度の膜になる。一方、第３ステップの高周波電力を小さくした場合は、生成されるプラズマ（活性種）と処理対象物２７の表面に吸着していた原料ガス分子との反応性が低くなる。このため、第３ステップの高周波電力を小さくした条件で、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップおよび第４ステップを複数サイクル繰り返すと、生成された膜は、欠陥（空孔）が多く、理想的な結晶構造の膜（層）に比べて密度が低い膜になる。

このため、プラズマＡＬＤ法では、第３ステップの高周波電力を大きくすれば、高密度の膜を形成することができ、第３ステップの高周波電力を小さくすれば、低密度の膜を形成することができるため、第３ステップの高周波電力を制御することにより、形成される膜の密度を制御することができる。

プラズマＡＬＤ法で形成された膜は、その膜の密度（緻密性）とその膜の応力とが関連している。図２２は、プラズマＡＬＤ法で形成された膜（ここでは酸化アルミニウム膜）の密度と応力との相関を調べた結果を示すグラフである。図２２のグラフの横軸は、プラズマＡＬＤ法で形成された酸化アルミニウム膜の密度（膜密度）に対応し、図２２のグラフの縦軸は、プラズマＡＬＤ法で形成された酸化アルミニウム膜の応力（膜応力）に対応している。なお、図２２の縦軸において、引張応力をプラス、圧縮応力をマイナスで表記している。このため、例えば、３００ＭＰａと−３００ＭＰａとは、応力の大きさは同じであるが、応力の方向が互いに反対方向であり、３００ＭＰａは引張応力であり、−３００ＭＰａは圧縮応力である。

なお、図２２のグラフには、第３ステップの高周波電力を変えてプラズマＡＬＤ法で形成した４つの酸化アルミニウム膜について、密度と応力との相関を調べてプロットしてある。すなわち、密度が２．８５ｇ／ｃｍ^３の酸化アルミニウム膜と、密度が２．９４ｇ／ｃｍ^３の酸化アルミニウム膜と、密度が３．０２ｇ／ｃｍ^３の酸化アルミニウム膜と、密度が３．１７ｇ／ｃｍ^３の酸化アルミニウム膜とを、それぞれプラズマＡＬＤ法で形成し、それら酸化アルミニウム膜の密度と応力との相関を図２２のグラフにプロットしてある。

上述のように、プラズマＡＬＤ法では、第３ステップの高周波電力を制御することにより、形成される膜の密度を制御することができる。このため、図２２のグラフにプロットされた４つの酸化アルミニウム膜についても、第３ステップの高周波電力を制御することにより、膜の密度を制御しており、高密度の酸化アルミニウム膜は、第３ステップの高周波電力を大きくした条件で形成され、低密度の酸化アルミニウム膜は、第３ステップの高周波電力を小さくた条件で形成されている。このため、図２２のグラフにプロットされた４つの酸化アルミニウム膜について、第３ステップの高周波電力を比べると、密度が３．１７ｇ／ｃｍ^３の酸化アルミニウム膜、密度が３．０２ｇ／ｃｍ^３の酸化アルミニウム膜、密度が２．９４ｇ／ｃｍ^３の酸化アルミニウム膜、密度が２．８５ｇ／ｃｍ^３の酸化アルミニウム膜の順で、第３ステップの高周波電力が小さくなっている。

プラズマＡＬＤ法では、第３ステップの高周波電力を制御することにより、形成される膜の密度を制御することができ、それに伴い、形成される膜の応力を制御することができる。

例えば、酸化アルミニウム膜をプラズマＡＬＤ法で形成する場合は、図２２のグラフにも示されるように、第３ステップの高周波電力を大きくすれば、高密度の酸化アルミニウム膜を形成することができ、それに伴い、形成された酸化アルミニウム膜は圧縮応力を有する膜となる。そして、第３ステップの高周波電力を小さくすれば、低密度の酸化アルミニウム膜を形成することができ、それに伴い、形成された酸化アルミニウム膜は引張応力を有する膜となる。

すなわち、第３ステップの高周波電力を十分に大きくすると、形成される酸化アルミニウム膜は、緻密で高密度の膜となり、それに伴い圧縮応力を有する膜となる。そして、第３ステップの高周波電力を小さくしていくと、形成される酸化アルミニウム膜の密度は徐々に低くなり、それに伴い、形成される酸化アルミニウム膜の応力は、圧縮応力の大きさが徐々に小さくなっていき、圧縮応力から引張応力に遷移してからは、引張応力の大きさが徐々に大きくなっていく。

このため、ステップＳ６ａにおいて、プラズマＡＬＤ法を用いて絶縁膜１６ａを形成し、第３ステップの高周波電力を制御することにより、形成される絶縁膜１６ａの応力の方向と大きさとを所望の方向および大きさに、容易かつ的確に制御することができる。同様に、ステップＳ６ｃにおいて、プラズマＡＬＤ法を用いて絶縁膜１６ｃを形成し、第３ステップの高周波電力を制御することにより、形成される絶縁膜１６ｃの応力の方向と大きさとを所望の方向および大きさに、容易かつ的確に制御することができる。従って、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂの応力を緩和できるような方向および大きさを有する絶縁膜１６ａ，１６ｃを、プラズマＡＬＤ法を用いて容易かつ的確に形成することができる。

本実施の形態では、絶縁膜１６ａ，１６ｃの成膜法として、プラズマＡＬＤ法を用いることで、薄くても強い応力を有する膜を絶縁膜１６ａ，１６ｃとして形成することが可能になる。このため、絶縁膜１６ｂの応力が大きくなったとしても、その絶縁膜１６ｂの応力を、絶縁膜１６ａ，１６ｂの応力によって十分に緩和して保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させることができる。例えば、−３００〜−４００ＭＰａ程度の圧縮応力を有する絶縁膜１６ｂを、それぞれ１００〜２５０ＭＰ程度の引張応力を有する絶縁膜１６ａ，１６ｂで挟むことができる。

また、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとを同じ材料により形成するとともに、ステップＳ６ａとステップＳ６ｃとで、第３ステップの高周波電力の大きさを同じにすることで、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃとについて、応力の方向を同じにし、かつ、応力の大きさ（絶対値）を同程度にすることができる。これにより、保護膜１６における応力のバランスが良くなり、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果を、より高めることができる。

図２３は、折曲げ試験後の保護膜のクラック数を調べた結果を示す表である。図２３には、フレキシブル基板上に保護膜を形成したものを用意してから、そのフレキシブル基板を小さな折り曲げ半径で、多数回繰り返し折り曲げた後に、保護膜を観察して保護膜における単位面積当たり（１ｃｍ^２当たり）のクラック数を調べた結果を載せてある。

図２３に示される「単層構造保護膜」は、プラズマＣＶＤ法で形成された窒化シリコン膜の単層により形成された保護膜であり、上記図１９の第１検討例の保護膜１１６の構造に相当している。また、図２３に示される「三層構造保護膜」は、プラズマＣＶＤ法で形成された窒化シリコン膜を、プラズマＡＬＤ法で形成された２つの酸化アルミニウム膜で挟んだ構造の保護膜であり、上記図１８の本実施の形態の保護膜１６の構造に相当している。

図２３における「単層構造保護膜」の場合は、保護膜には−２５０ＭＰａ程度の圧縮応力が発生していた。一方、図２３における「三層構造保護膜」の場合は、−２５０ＭＰａ程度の圧縮応力を有する窒化シリコン膜（プラズマＣＶＤ膜）を、引張応力を有する酸化アルミニウム膜（プラズマＡＬＤ膜）で挟み、窒化シリコン膜の圧縮応力をその窒化シリコン膜を挟む酸化アルミニウム膜の引張応力で緩和（相殺）することで、保護膜全体では、−５０ＭＰａ程度の圧縮応力が発生していた。そして、折曲げ試験後の保護膜を観察したところ、「単層構造保護膜」の場合は、保護膜において１ｃｍ^２当たり１×１０^５本程度のクラックが観察されたが、「三層構造保護膜」の場合は、保護膜において１ｃｍ^２当たり２×１０^３本程度のクラックが観察された。「単層構造保護膜」の場合よりも、「三層構造保護膜」の場合の方が、折り曲げに伴うクラックが発生しにくく、保護膜の折り曲げ耐性が高いことが分かる。

なお、図２３では、「単層構造保護膜」と「三層構造保護膜」とで、折り曲げに伴うクラックの発生数を比較しやすくするために、保護膜の厚さをわざと５００ｎｍと厚くし、折り曲げ試験で保護膜にクラックが発生しやすくしている。このため、「三層構造保護膜」の場合、５００ｎｍの厚さの保護膜には、折曲げ試験後に１ｃｍ^２当たり２×１０^３本のクラックが観察されたが、保護膜の厚さを１００ｎｍにすると、「三層構造保護膜」の場合は、折曲げ試験後にクラックはほとんど観察されなかった。

このため、「三層構造保護膜」を採用することで、保護膜の折り曲げ耐性が向上し、保護膜の厚さを薄くすることで、保護膜の折り曲げ耐性が更に向上することが分かる。

本実施の形態では、「三層構造保護膜」のように、保護膜１６が、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂを、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａ，１６ｃで挟んだ構造を有し、絶縁膜１６ａ，１６ｃのそれぞれが、絶縁膜１６ｂの応力の方向とは逆方向の応力を有することで、保護膜の折り曲げ耐性を向上させることができる。そして、保護膜１６の厚さを薄くすれば、保護膜１６の折り曲げ耐性を更に向上させることができるが、上述のように保護膜１６を構成する絶縁膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃのそれぞれの厚さを工夫することにより、保護膜１６の厚さを薄くしても、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に確保することができるようにしている。これにより、保護膜１６の総合的な信頼性を向上させることができ、ひいては、表示装置の信頼性を向上させることができる。

<変形例>
図２４は、変形例の保護膜１６の断面構造を示す断面図（説明図）であり、上記図１８に相当する断面が示されている。

図２４の場合は、保護膜１６は、プラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ａと、絶縁膜１６ａ上にプラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜１６ｂ１と、絶縁膜１６ｂ１上にプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ｄと、絶縁膜１６ｄ上にプラズマＣＶＤ法で形成された絶縁膜１６ｂ２と、絶縁膜１６ｂ２上にプラズマＡＬＤ法で形成された絶縁膜１６ｃと、からなる積層構造を有している。保護膜１６において、絶縁膜１６ａが最下層であり、絶縁膜１６ｃが最上層であり、絶縁膜１６ｂ１は絶縁膜１６ａに接し、絶縁膜１６ｄは絶縁膜１６ｂ１に接し、絶縁膜１６ｂ２は絶縁膜１６ｄに接し、絶縁膜１６ｃは絶縁膜１６ｂ２に接している。絶縁膜１６ａ，１６ｃ，１６ｄは、それぞれプラズマＡＬＤ膜とみなすことができ、絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２は、それぞれプラズマＣＶＤ膜とみなすことができる。

この図２４の保護膜１６は、上記図１８の保護膜１６において、プラズマＣＶＤ膜（１６ｂ）の厚みの途中に、プラズマＡＬＤ膜（１６ｄ）を挿入した場合に対応している。すなわち、図２４の保護膜１６は、図１８の保護膜１６において、絶縁膜１６ｂを、絶縁膜１６ｂ１と絶縁膜１６ｂ１上の絶縁膜１６ｄと絶縁膜１６ｄ上の絶縁膜１６ｂ２との積層膜に置き換えた場合に対応している。

図２４の保護膜１６は、絶縁膜１６ａをプラズマＡＬＤ法で形成する工程と、絶縁膜１６ａ上に絶縁膜１６ｂ１をプラズマＣＶＤ法で形成する工程と、絶縁膜１６ｂ１上に絶縁膜１６ｄをプラズマＡＬＤ法で形成する工程と、絶縁膜１６ｄ上に絶縁膜１６ｂ２をプラズマＣＶＤ法で形成する工程と、絶縁膜１６ｂ２上に絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法で形成する工程と、により形成される。

絶縁膜１６ｄとしては、絶縁膜１６ａ，１６ｃと同様に、アルミニウム（Ａｌ）を含有する絶縁膜を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜を好適に用いることができるが、その中でも、酸化アルミニウム膜が特に好ましい。絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２としては、上記絶縁膜１６ｂと同様に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜を好適に用いることができるが、窒化シリコン膜が最も好ましい。絶縁膜１６ｂ１と絶縁膜１６ｂ２とは、互いに同じ材料により形成されていることが好ましく、また、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃと絶縁膜１６ｄとは、互いに同じ材料により形成されていることが好ましい。

図２４の保護膜１６においては、絶縁膜１６ｂ１と絶縁膜１６ｂ２とは、いずれもプラズマＣＶＤ法により形成されており、応力の方向が同じである。すなわち、絶縁膜１６ｂ１が圧縮応力膜の場合は、絶縁膜１６ｂ２も圧縮応力膜であり、絶縁膜１６ｂ１が引張応力膜の場合は、絶縁膜１６ｂ２も引張応力膜である。一方、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃと絶縁膜１６ｄとは、いずれもプラズマＡＬＤ法により形成されており、応力の方向が絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２の応力の方向とは逆である。すなわち、絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２が圧縮応力膜の場合は、絶縁膜１６ａ，１６ｃ，１６ｄのそれぞれは引張応力膜であり、絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２が引張応力膜の場合は、絶縁膜１６ａ，１６ｃ，１６ｄのそれぞれは圧縮応力膜である。絶縁膜１６ａ，１６ｃ，１６ｄは、プラズマＡＬＤ法により形成されているため、応力の制御が容易であり、絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２の応力とは逆方向の応力を有する膜として、形成することができる。

図２４の保護膜１６の場合は、保護膜１６として、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂ１が、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａ，１６ｄで挟まれ、かつ、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂ２が、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ｄ，１６ｃで挟まれた構造を有している。そして、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃと絶縁膜１６ｄとのそれぞれは、絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２の応力の方向とは逆方向の応力を有している。このため、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂ１の応力を、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ａ，１６ｄの応力によって緩和（相殺）し、かつ、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１６ｂ２の応力を、プラズマＡＬＤ法で形成した絶縁膜１６ｄ，１６ｃの応力によって緩和（相殺）することができる。これにより、保護膜１６の応力に起因して保護膜１６の折り曲げ耐性が低くなるのを抑制または防止することができ、折り曲げに伴い保護膜１６にクラックが生じるのを抑制または防止することができる。

ここで、図２４の保護膜１６と上記図１８の保護膜１６とを比較する。上記図１８の保護膜１６は、図２４の保護膜１６に比べて、次のような利点を有している。

すなわち、上記図１８の保護膜１６は、図２４の保護膜１６に比べて、保護膜を構成する絶縁膜の数（層数）が少ないため、保護膜１６を形成するのに要する工程数を低減でき、保護膜１６の形成に要する時間の短縮や、スループットの向上を図ることができる。

また、図１８の場合と図２４の場合とを比べると、保護膜１６の厚さが同じであれば、図１８の保護膜１６におけるプラズマＣＶＤ膜（１６ｂ）の厚さの方が、図２４の保護膜１６におけるプラズマＣＶＤ膜（１６ｂ１，１６ｂ２）の合計の厚さよりも、大きくなる。すなわち、保護膜１６の厚さに占めるプラズマＣＶＤ膜の厚さの割合は、図２４の場合よりも図１８の場合の方が、大きくしやすい。このため、保護膜１６の水分のバリア性をできるだけ高くする、すなわち、保護膜１６の水分透過率をできるだけ低くするという観点では、水分のバリア性に優れたプラズマＣＶＤ膜の厚さをより厚くできる図１８の場合の方が、図２４の場合よりも有利である。

一方、図２４の保護膜１６は、上記図１８の保護膜１６に比べて、次のような利点を有している。

すなわち、図１８の保護膜１６よりも図２４の保護膜１６の方が、個々のプラズマＣＶＤ膜の厚さを薄くすることができるため、プラズマＣＶＤ膜の応力を、そのプラズマＣＶＤ膜を挟むプラズマＡＬＤ膜の応力によって緩和しやすくなる。

なお、図２４の保護膜１６の場合、絶縁膜１６ｂ１の厚さ（膜厚）Ｔ２ａと絶縁膜１６ｂ２の厚さ(膜厚)Ｔ２ｂとの合計が、絶縁膜１６ａの厚さ（膜厚）Ｔ１と絶縁膜１６ｃの厚さ（膜厚）Ｔ３と絶縁膜１６ｄの厚さ（膜厚）Ｔ５との合計よりも大きい（すなわちＴ２ａ＋Ｔ２ｂ＞Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ５）ことが好ましい。すなわち、図２４の保護膜１６の場合も、保護膜１６の厚さのうちの半分（５０％）よりも多くを、絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２の合計の厚さに配分することが好ましい。そうする理由は、水分に対するバリア性は、絶縁膜１６ａ，１６ｃ，１６ｄよりも絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２の方が高いからである。図２４の場合も、保護膜１６の厚さの半分（５０％）よりも多くを、絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２の合計の厚さ（Ｔ２ａ＋Ｔ２ｂ）に配分し、保護膜１６を主として、水分に対するバリア性が高い絶縁膜１６ｂ１，１６ｂ２で構成することにより、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を効率的に得ることができる。

また、図２４の保護膜１６の場合、絶縁膜１６ｄの厚さＴ５は、１０ｎｍ以上（Ｔ５≧１０ｎｍ）が好ましく、１５ｎｍ以上（Ｔ５≧１５ｎｍ）であればより好ましい。そうすることにより、絶縁膜１６ｂ１をプラズマＣＶＤ法で形成した際に絶縁膜１６ｂ１にピンホールが発生しても、絶縁膜１６ｄをプラズマＡＬＤ法で形成した際に、絶縁膜１６ｂ１のピンホールを絶縁膜１６ｄで的確に埋め込むことができるようになる。同様に、絶縁膜１６ｃの厚さＴ３は、１０ｎｍ以上（Ｔ３≧１０ｎｍ）が好ましく、１５ｎｍ以上（Ｔ３≧１５ｎｍ）であればより好ましい。そうすることにより、絶縁膜１６ｂ２をプラズマＣＶＤ法で形成した際に絶縁膜１６ｂ２にピンホールが発生しても、絶縁膜１６ｃをプラズマＡＬＤ法で形成した際に、絶縁膜１６ｂ２のピンホールを絶縁膜１６ｃで的確に埋め込むことができるようになる。これにより、保護膜１６による水分の侵入を防止する効果を、より的確に得ることができる。

また、図２４の保護膜１６の場合、絶縁膜１６ａの厚さＴ１と絶縁膜１６ｃの厚さＴ３と絶縁膜１６ｄの厚さＴ５とは、互いに同じである（すなわちＴ１＝Ｔ３＝Ｔ５）ことが好ましい。また、絶縁膜１６ｂ１の厚さＴ２ａと絶縁膜１６ｂ２の厚さＴ２ｂとは、互いに同じである（すなわちＴ２ａ＝Ｔ２ｂ）ことが好ましい。これにより、保護膜１６における応力のバランスが良くなり、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果を、より高めることができる。

また、図２４の保護膜１６の場合、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃと絶縁膜１６ｄとは、同じ成膜条件で形成されていれば、より好ましい。成膜条件には、例えば、第１ステップで使用される原料ガスの種類と流量、第３ステップで使用される反応ガスの種類と流量、第３ステップの高周波電力の大きさと周波数、基板温度(成膜温度)などがある。また、絶縁膜１６ｂ１と絶縁膜１６ｂ２とは、同じ条件で形成されていれば、より好ましい。成膜条件には、例えば、プラズマＣＶＤ法で使用されるガスの種類と流量、基板温度（成膜温度）などがある。絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃと絶縁膜１６ｄとを同じ成膜条件で形成すれば、絶縁膜１６ａと絶縁膜１６ｃと絶縁膜１６ｄとについて、応力の方向が同じで、かつ、応力の大きさ（絶対値）を同程度とすることができる。また、絶縁膜１６ｂ１と絶縁膜１６ｂ２とを同じ成膜条件で形成すれば、絶縁膜１６ｂ１と絶縁膜１６ｂ２とについて、応力の方向が同じで、かつ、応力の大きさ（絶対値）を同程度とすることができる。これにより、保護膜１６における応力のバランスが良くなり、保護膜１６の折り曲げ耐性を向上させる効果を、より高めることができる。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

１ 表示装置
２ 表示部
３ 回路部
９ ガラス基板
１０ 基板
１１ 基板
１２ パッシベーション膜
１３ 電極層
１３，１５ 電極層
１３ａ，１５ａ 電極
１４ 有機層
１６，１１６，２１６，３１６ 保護膜
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，２１６ｂ，２１６ｃ，３１６ａ，３１６ｂ 絶縁膜
１７ 樹脂膜
１８ 下地層
２１ 成膜装置
２２ ロードロック室
２３ トランスファチャンバ
２４，２５，２６ チャンバ
２７ 処理対象物
３１ ステージ
３２ シャワーヘッド
３３ アンテナ
３４ 排気部
４１ ステージ
４２ 上部電極
４３ 排気部
４４ ガス導入部
４５ ガス排出部
４６ 高周波電源
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ２ａ，Ｔ２ｂ，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５ 厚さ

Claims (22)

1. 以下の工程を含む、有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法：
   （ａ）フレキシブル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程；
   （ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜を形成する工程；
   ここで、前記（ｂ）工程は、
   （ｂ１）前記有機ＥＬ素子を覆うように、第１絶縁膜をプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   （ｂ２）前記第１絶縁膜上に、第２絶縁膜をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する工程、
   （ｂ３）前記第２絶縁膜上に、第３絶縁膜をプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
   を有し、
   前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜からなる積層膜により、前記保護膜が形成される。
2. 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
   前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜のそれぞれは、前記第２絶縁膜の応力の方向とは逆方向の応力を有する、表示装置の製造方法。
3. 請求項２記載の表示装置の製造方法において、
   前記第２絶縁膜は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる、表示装置の製造方法。
4. 請求項２記載の表示装置の製造方法において、
   前記第２絶縁膜は、窒化シリコン膜からなる、表示装置の製造方法。
5. 請求項３記載の表示装置の製造方法において、
   前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜は、それぞれ、Ａｌを含有する絶縁膜からなる、表示装置の製造方法。
6. 請求項３記載の表示装置の製造方法において、
   前記第１絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜からなり、
   前記第３絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜からなる、表示装置の製造方法。
7. 請求項３記載の表示装置の製造方法において、
   前記第１絶縁膜は、酸化アルミニウム膜からなり、
   前記第３絶縁膜は、酸化アルミニウム膜からなる、表示装置の製造方法。
8. 請求項４記載の表示装置の製造方法において、
   前記第２絶縁膜は圧縮応力を有し、前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜のそれぞれは、引張応力を有する、表示装置の製造方法。
9. 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
   前記第２絶縁膜の第２厚さは、前記第１絶縁膜の第１厚さと前記第３絶縁膜の第３厚さとの合計よりも大きい、表示装置の製造方法。
10. 請求項９記載の表示装置の製造方法において、
    前記第２絶縁膜の前記第２厚さは、２０ｎｍよりも大きい、表示装置の製造方法。
11. 請求項１０記載の表示装置の製造方法において、
    前記第３絶縁膜の前記第３厚さは、１０ｎｍ以上である、表示装置の製造方法。
12. 請求項１１記載の表示装置の製造方法において、
    前記第１絶縁膜の前記第１厚さは、前記第３絶縁膜の前記第３厚さと同じである、表示装置の製造方法。
13. 請求項９記載の表示装置の製造方法において、
    前記保護膜の厚さは、２００ｎｍ以下である、表示装置の製造方法。
14. 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
    前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜に接し、
    前記第３絶縁膜は、前記第２絶縁膜に接している、表示装置の製造方法。
15. 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
    前記（ｂ２）工程では、ＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いて前記第２絶縁膜を形成する、表示装置の製造方法。
16. 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程後に、
    （ｃ）前記保護膜上に樹脂膜を形成する工程、
    を更に有する、表示装置の製造方法。
17. 以下の工程を含む、有機ＥＬ素子を有する表示装置の製造方法：
    （ａ）フレキシブル基板上に前記有機ＥＬ素子を形成する工程；
    （ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、無機絶縁材料からなる保護膜を形成する工程；
    ここで、前記（ｂ）工程は、
    （ｂ１）前記有機ＥＬ素子を覆うように、第１絶縁膜をプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
    （ｂ２）前記第１絶縁膜上に、第２絶縁膜をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する工程、
    （ｂ３）前記第２絶縁膜上に、第３絶縁膜をプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
    （ｂ４）前記第３絶縁膜上に、第４絶縁膜をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する工程、
    （ｂ５）前記第４絶縁膜上に、第５絶縁膜をプラズマＡＬＤ法を用いて形成する工程、
    を有し、
    前記第２絶縁膜と前記第４絶縁膜とは、同じ方向の応力を有し、
    前記第１絶縁膜と前記第３絶縁膜と前記第５絶縁膜とは、それぞれ、前記第２絶縁膜および前記第４絶縁膜の応力の方向とは逆方向の応力を有し、
    前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、前記第３絶縁膜、前記第４絶縁膜および前記第５絶縁膜からなる積層膜により、前記保護膜が形成される。
18. 請求項１７記載の表示装置の製造方法において、
    前記第２絶縁膜と前記第４絶縁膜の厚さの合計は、前記第１絶縁膜と前記第３絶縁膜と前記第５絶縁膜の厚さの合計よりも大きい、表示装置の製造方法。
19. フレキシブル基板と、
    前記フレキシブル基板上に形成された有機ＥＬ素子と、
    前記有機ＥＬ素子を覆うように形成された、無機絶縁材料からなる保護膜と、
    を有する表示装置であって、
    前記保護膜は、第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成された第３絶縁膜との積層膜からなり、
    前記第１絶縁膜は、プラズマＡＬＤ法により形成された、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜からなり、
    前記第２絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法を用いて形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなり、
    前記第３絶縁膜は、プラズマＡＬＤ法により形成された、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜からなる、表示装置。
20. 請求項１９記載の表示装置において、
    前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜のそれぞれは、前記第２絶縁膜の応力の方向とは逆方向の応力を有する、表示装置。
21. 請求項１９記載の表示装置において、
    前記第２絶縁膜の第２厚さは、前記第１絶縁膜の第１厚さと前記第３絶縁膜の第３厚さとの合計よりも大きい、表示装置。
22. 請求項１９記載の表示装置において、
    前記保護膜上に形成された樹脂膜を更に有する、表示装置。

Images