JP2018176166A - ヒートシンクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1に開示された方法では、上述の通り、基材を射出成形用の金型に組み込み、熱放射性樹脂を射出成形する。そのため、基材の表面に形成される熱放射性樹脂被膜の膜厚が位置によってばらつき易く、熱放射性樹脂被膜の膜厚を均一にすることが極めて難しかった。
基材の表面に熱放射性樹脂被膜が形成されたヒートシンクの製造方法であって、
前記基材をダイカスト鋳造した後、ダイカスト用金型から前記基材を取り出すステップと、
前記ダイカスト用金型から取り出した前記基材の余熱を用いて、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂被膜を形成するステップと、を備え、
前記熱放射性樹脂被膜を形成するステップにおいて、
前記基材の表面に熱放射性樹脂フィルムを貼り付けることによって、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂被膜を形成するものである。
前記接着剤が、熱放射性樹脂から構成されていてもよい。
<ヒートシンクの構成>
まず、図1を参照して、第1の実施形態に係るヒートシンクの製造方法によって製造されるヒートシンクについて説明する。図1は、第1の実施形態に係るヒートシンクの製造方法によって製造されるヒートシンクの一例の断面図である。図1に示すように、本実施形態に係るヒートシンクの製造方法によって製造されるヒートシンクは、基材Bと樹脂フィルムFとを備えており、例えば半導体装置等に用いる放熱部材として好適である。
放熱フィンB2は、図1における平板部の上面(z軸正側の主面)においてy軸方向に延設されている。換言すると、放熱フィンB2は、側壁が設けられた平板部の主面と反対側の主面上に設けられている。
なお、樹脂フィルムFは、放熱フィンB2上に直接貼り付けられていてもよいし、接着剤を介して貼り付けられていてもよい。
次に、図2を参照して、第1の実施形態に係るヒートシンクの製造方法について説明する。図2は、第1の実施形態に係るヒートシンクの製造方法を示すフローチャートである。図2と共に、図1も参照しながら第1の実施形態に係るヒートシンクの製造方法について説明する。
次に、図2に示すように、金型から取り出した基材Bの余熱を利用して、図1に示すように、基材Bの表面に樹脂フィルムFを貼り付ける(ステップST2)。すなわち、基材Bの放熱フィンB2上に樹脂フィルムFを貼り付けることにより、基材Bの表面に熱放射性樹脂被膜を形成する。
次に、図3を参照して、第1の実施形態に係るヒートシンクの製造方法の詳細について説明する。図3は、第1の実施形態に係るヒートシンクの製造方法の詳細を示すフローチャートである。
図3におけるステップST11〜ST13は、図2に示したステップST1に該当し、基材Bのダイカスト鋳造工程である。図3におけるステップST21〜ST24は、図2に示したステップST2に該当し、樹脂フィルムFの貼り付け工程である。
図3に示すように、基材Bのダイカスト鋳造工程(ステップST1)では、まず、プランジャスリーブに溶湯を供給する(ステップST11)。ここで、図4は、ダイカスト鋳造工程において、プランジャスリーブ13に溶湯Mが供給された様子を示す模式的断面図である。
図3に示すように、樹脂フィルムFの貼り付け工程(ステップST2)では、まず、樹脂フィルムを下型に載置する(ステップST21)。ここで、図7は、貼り付け工程において、樹脂フィルムFを下型22に載置した様子を示す模式的側面図である。また、図8は、下型22の模式的平面図である。
4つサブバルブSV1〜SV4は、真空発生装置VGに対して並列に設けられている。
以上のような構成によって、溝G1〜G4のそれぞれが独立して樹脂フィルムFを吸着することができる。
また、スプレー塗布の場合、放熱フィンB2がスプレー塗布を遮るなどの理由によって、基材Bの表面に熱放射性樹脂被膜を形成できない領域が発生し得る。これに対し、第1の実施形態に係るヒートシンクの製造方法では、スプレー塗布に比べ、上述の熱放射性樹脂被膜を形成できない領域の発生を抑制することができる。
次に、図12を参照して、第2の実施形態に係るヒートシンクの製造方法について説明する。図12は、第2の実施形態に係るヒートシンクの製造方法の詳細を示すフローチャートである。
例えば、基材Bの表面に樹脂フィルムFを貼り付ける際、型を用いずに人手によって貼り付けてもよい。あるいは、エア(空気)を用いて樹脂フィルムFを基材Bの表面に押し付けることによって、貼り付けてもよい。
12 固定型
13 プランジャスリーブ
13a 給湯口
14 プランジャ
141 プランジャチップ
142 プランジャロッド
21 上型
22 下型
23 コラム
30 スプレー塗布装置
B 基材
B1 本体部
B2 放熱フィン
B3 ビスケット・ランナー部
C キャビティ
F 樹脂フィルム
G、G1〜G4 溝
H、H1〜H4 吸引孔
L、L1〜L4 配管
M 溶湯
MV メインバルブ
R ランナー
RC 凹部
SV1〜SV4 サブバルブ
VG 真空発生装置
Claims (5)
- 基材の表面に熱放射性樹脂被膜が形成されたヒートシンクの製造方法であって、
前記基材をダイカスト鋳造した後、ダイカスト用金型から前記基材を取り出すステップと、
前記ダイカスト用金型から取り出した前記基材の余熱を用いて、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂被膜を形成するステップと、を備え、
前記熱放射性樹脂被膜を形成するステップにおいて、
前記基材の表面に熱放射性樹脂フィルムを貼り付けることによって、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂被膜を形成する、
ヒートシンクの製造方法。 - 前記基材の表面形状に対応した表面形状を有する貼付用型と、前記基材との間に前記熱放射性樹脂フィルムを挟み込むことによって、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂フィルムを貼り付ける、
請求項1に記載のヒートシンクの製造方法。 - 前記貼付用型には真空吸着用の吸引孔が設けられており、
前記貼付用型に前記基材を真空吸着させた状態で、前記貼付用型と前記基材との間に前記熱放射性樹脂フィルムを挟み込む、
請求項2に記載のヒートシンクの製造方法。 - 前記熱放射性樹脂フィルムの表面に接着剤を塗布し、
前記接着剤を介して、前記基材の表面に前記熱放射性樹脂フィルムを貼り付ける、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のヒートシンクの製造方法。 - 前記接着剤が、熱放射性樹脂からなる、
請求項4に記載のヒートシンクの製造方法。
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