JP2018159132A - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
1)フラット部とテーパ部を備えたスパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングターゲットのテーパ部に加工溝が配置されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2)前記テーパ部の加工溝の面積比率が0.6%以上であることを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット。
3)前記フラット部の加工溝の面積比率が10%以下であることを特徴とする上記1)又は2)記載のスパッタリングターゲット。
4)前記加工溝の深さが0.1mm以上であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
5)純度4N5以上のタンタルからなることを特徴とする上記1)〜4)のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
直径444mm、スパッタ面の直径が406mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度4N5以上)において、その外周部に断面V字型の加工溝をターゲットの直径方向に対して平行に、等間隔となるように4ヶ所形成した。このターゲットの写真を図4に示す。溝の幅を6mm、溝の深さを3mm、溝の長さをフラット部13mm、テーパ部12mmとし、フラット部の加工溝の面積比率を0.24%とし、テーパ部の加工溝の面積比率を1.1%とした。次に、このターゲットを以下の条件でスパッタリングを実施し、イグニッションの点火失敗率((イグニッション失敗回数/イグニッション実施回数)×100)を調べた。その結果、加工溝がない同型のターゲットに比べて、点火失敗率は、75%から34.7%まで著しく低下した。
第1ステップ「ガス安定」(5sec)
Arガスを5sccm導入する。
第2ステップ「イグニッション」(1sec(点火まで5sec))
Arガスを5sccm導入したまま、DC電源で1000W印加する。
(真空度:0.2〜0.3mTorr)
第3ステップ「真空引き」(10sec)
チャンバ内の真空引きを行う(真空度:1〜3μTorr)。
上記3ステップを1サイクルとして、点火試験を実施する。イグニッションの成否は、第2ステップの「イグニッション」において、印可開始から5sec以内に実電力に到達したかで判断する。5sec以内にイグニッションが成功しなかった場合、第2ステップの「イグニッション」の始めに戻り、設定電力を再度印加する。この第2ステップの「イグニッション」で設定電力の印加を3回繰り返し、合計4回行ってもイグニッションが成功しない場合は点火失敗と判断し、処理を停止する。
直径444mm、スパッタ面の直径が406mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度4N5以上)において、その外周部に断面V字型の加工溝をターゲットの直径方向と平行に、等間隔となるように4ヶ所形成した。溝の幅を3mm、溝の深さを3mm、溝の長さをフラット部13mm、テーパ部12mmとし、フラット部の加工溝の面積比率を0.12%とし、テーパ部の加工溝の面積比率を0.6%とした。次に、このターゲットを実施例1と同条件にて、スパッタを実施して、イグニッションの点火失敗率を調べた。その結果、加工溝がない同型のターゲットに比べて、点火失敗率は、75%から31.6%まで著しく低下した。
直径444mm、スパッタ面の直径が406mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度4N5以上)において、その外周テーパ部のみに断面U字型の加工溝をターゲットの直径方向と平行に、等間隔となるように4ヶ所形成した。溝の幅を3mm、溝の深さを3mm、溝の長さをフラット部0mm、テーパ部12mmとし、フラット部の加工溝の面積比率を0%とし、テーパ部の加工溝の面積比率を0.6%とした。次に、このターゲットをバッキングプレートに接合した後、以下の条件でスパッタリングを実施し、イグニッションの点火失敗率((イグニッション失敗回数/イグニッション実施回数)×100)を調べた。その結果、加工溝がない同型のターゲットに比べて、点火失敗率は、75%から33.7%まで著しく低下した。
直径444mm、スパッタ面の直径が406mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度4N5以上)において、その外周テーパ部のみに断面U字型の加工溝をターゲットの直径方向と平行に、等間隔となるように32ヶ所形成した。このターゲットの写真を図5に示す。溝の幅を3mm、溝の深さを3mm、溝の長さをフラット部0mm、テーパ部12mmとし、フラット部の加工溝の面積比率を0%とし、テーパ部の加工溝の面積比率を4.5%とした。次に、このターゲットを以下の条件でスパッタリングを実施し、イグニッションの点火失敗率((イグニッション失敗回数/イグニッション実施回数)×100)を調べた。その結果、加工溝がない同型のターゲットに比べて、点火失敗率は、75%から7.4%まで著しく低下した。
直径444mm、スパッタ面の直径が406mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度4N5以上)において、その外周テーパ部の全てに、断面V字型の加工溝をターゲットの直径方向に対して±45度の角度を成すように1mmの等間隔でナーリング加工して、格子状模様を形成した。このターゲットの加工溝部分の写真を図6に示す。溝の幅を1mm、溝の深さを0.1mm、フラット部の加工溝の面積比率を0%とし、テーパ部の加工溝の面積比率を90%とした。次に、このターゲットを以下の条件でスパッタリングを実施し、イグニッションの点火失敗率((イグニッション失敗回数/イグニッション実施回数)×100)を調べた。その結果、加工溝がない同型のターゲットに比べて、点火失敗率は、75%から3.2%まで著しく低下した。
直径444mm、スパッタ面の直径が406mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度4N5以上)において、その外周テーパ部に断面U字型の加工溝をターゲットの直径方向と平行に、等間隔となるように4ヶ所形成し、溝の幅を3mm、溝の深さを3mm、溝の長さをフラット部0mm、テーパ部12mmとした。合わせて、外周部に断面V字型の加工溝を同心円状に形成し、溝の幅を6mm、深さを3mm、溝の長さを外周約1256mm、内周約1193mmとした。上記2種類の加工溝によりテーパ部の加工溝の面積比率を0.6%とし、フラット部の加工溝の面積比率を9.5%とした。次に、このターゲットを以下の条件でスパッタリングを実施し、イグニッションの点火失敗率((イグニッション失敗回数/イグニッション実施回数)×100)を調べた。その結果、加工溝がない同型のターゲットに比べて、点火失敗率は、75%から25.3%まで著しく低下した。
直径444mm、スパッタ面の直径が406mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度4N5以上)において、加工溝が無いターゲットを作製した。このターゲットを実施例1と同条件にて、スパッタを実施して、イグニッションの点火失敗率((イグニッション失敗回数/イグニッション実施回数)×100)を調べた。その結果、点火失敗率は75.0%であった。
直径444mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度3N5以上)において、その外周部に断面V字型の加工溝を同心円状に形成した。このターゲットの写真を図7に示す。溝の幅を6mm、深さを3mm、溝の長さを外周約1256mm、内周約1193mmとし、フラット部の加工溝の面積比率を9.5%とし、テーパ部の加工溝の面積比率を0%とした。次に、このターゲットを実施例1と同条件にて、スパッタを実施して、イグニッションの点火失敗率((イグニッション失敗回数/イグニッション実施回数)×100)を調べた。その結果、加工溝がない同型のターゲットに比べて、点火失敗率は、75.0%から70.9%と大きな低下は見られなかった。
直径444mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度3N5以上)において、その外周部に断面V字型の加工溝を同心円状に形成した。溝の幅は14mm、深さは3mm、溝の長さは外周約1237mm、内周約1150mmとし、フラット部の加工溝の面積比率は11.1%とし、テーパ部の加工溝の面積比率を0%とした。次に、このターゲットを実施例1と同条件にて、スパッタを実施したところ、スパッタ時の電流値が低下し、スパッタ電力が安定しない現象が見られたため、評価を中止した。
直径444mm、スパッタ面の直径が406mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度4N5以上)において、その外周フラット部のみに断面U字型の加工溝をターゲットの直径方向と平行に、等間隔となるように4ヶ所形成した。溝の幅を3mm、溝の深さを3mm、溝の長さをフラット部13mm、テーパ部0mmとし、フラット部の加工溝の面積比率を0.24%とし、テーパ部の加工溝の面積比率を0%とした。次に、このターゲットをバッキングプレートに接合した後、以下の条件でスパッタリングを実施し、イグニッションの点火失敗率((イグニッション失敗回数/イグニッション実施回数)×100)を調べた。その結果、加工溝がない同型のターゲットに比べて、点火失敗率は、75%から68.5%と大きな低下はみられなかった。
直径444mm、スパッタ面の直径が406mmのタンタルスパッタリングターゲット(純度4N5以上)において、その外周フラット部のみに断面U字型の加工溝をターゲットの直径方向と平行に、等間隔となるように4ヶ所形成した。溝の幅を6mm、溝の深さを3mm、溝の長さをフラット部13mm、テーパ部0mmとし、フラット部の加工溝の面積比率を0.24%とし、テーパ部の加工溝の面積比率を0%とした。次に、このターゲットをバッキングプレートに接合した後、以下の条件でスパッタリングを実施し、イグニッションの点火失敗率((イグニッション失敗回数/イグニッション実施回数)×100)を調べた。その結果、加工溝がない同型のターゲットに比べて、点火失敗率は、75%から68.5%と大きな低下はみられなかった。
Claims (5)
- フラット部とテーパ部を備えたスパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングターゲットのテーパ部に加工溝が配置されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 前記テーパ部の加工溝の面積比率が0.6%以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。
- 前記フラット部の加工溝の面積比率が10%以下であることを特徴とする請求項1〜2のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記加工溝の深さが0.1mm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 純度4N5以上のタンタルからなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
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