JP2018151257A - 磁気センサ回路 - Google Patents

磁気センサ回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2018151257A
JP2018151257A JP2017047629A JP2017047629A JP2018151257A JP 2018151257 A JP2018151257 A JP 2018151257A JP 2017047629 A JP2017047629 A JP 2017047629A JP 2017047629 A JP2017047629 A JP 2017047629A JP 2018151257 A JP2018151257 A JP 2018151257A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hall element
terminal
switch
signal
vertical hall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017047629A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6841692B2 (ja
Inventor
雅夫 入口
Masao Iriguchi
雅夫 入口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ablic Inc
Original Assignee
Ablic Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ablic Inc filed Critical Ablic Inc
Priority to JP2017047629A priority Critical patent/JP6841692B2/ja
Priority to CN201810190762.0A priority patent/CN108572338B/zh
Priority to TW107107986A priority patent/TW201838215A/zh
Priority to US15/916,898 priority patent/US10578683B2/en
Priority to KR1020180028785A priority patent/KR20180104574A/ko
Publication of JP2018151257A publication Critical patent/JP2018151257A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6841692B2 publication Critical patent/JP6841692B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0023Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07Hall effect devices
    • G01R33/077Vertical Hall-effect devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07Hall effect devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07Hall effect devices
    • G01R33/072Constructional adaptation of the sensor to specific applications
    • G01R33/075Hall devices configured for spinning current measurements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00Hall-effect devices
    • H10N52/101Semiconductor Hall-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00Hall-effect devices
    • H10N52/80Constructional details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

【課題】異なる2つ以上の軸に対する磁場を検出する磁気センサ回路において、誤差が抑制された信号を出力することができる磁気センサ回路を提供する。【解決手段】磁気センサ回路は、第1方向の磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号を出力する少なくとも2つの出力端子と、信号の駆動電流が供給される正極端子と、駆動電流を流出する負極端子とを備える第1磁気検出部と、第1方向とは方向が異なる第2方向の磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号を出力する少なくとも2つの端子と、信号の駆動電流が供給される正極端子とを備える第2磁気検出部とを備え、第1磁気検出部の正極端子と、第1磁気検出部の負極端子と、第2磁気検出部の正極端子とが、電源から供給される信号の駆動電流の経路に対して直列に接続されている。【選択図】図2

Description

本発明は、磁気センサ回路に関する。
磁電変換素子(例えば、ホール素子)を使用した磁気センサは、非接触型のセンサとして、近年、各種電子機器に使用されている。例えば、折りたたみ式の携帯電話にこの磁気センサが用いられる。この磁気センサは、磁場がある一定闘値を超えた場合に携帯電話の開閉を検出する。
また、センサが搭載される半導体基板に対して垂直な磁場成分を検出する横型ホール素子と、この半導体基板に平行な磁場成分を検出する縦型ホール素子とを、一体として備えるものがある。そのセンサは、垂直磁場と水平磁場との検出信号から回転体の回転速度と回転方向を検出するエンコーダー用IC(Integrated Circuit;集積回路)や、垂直磁場と水平磁場との大きさから回転角度を演算する回転角検出用ICなどに応用される。
しかしながら、ホール素子から出力される検出信号は、微弱な信号である。言い換えると、この検出信号の電圧は、数十μVから数mVであり、回路の信号対雑音電力(S/N)比を確保するのが難しい。
この信号対雑音電力比が小さい回路においてデバイスの非対称性や構造に起因した誤差成分を小さくするべく、縦型ホール素子を並列に接続する構成又は直並列に接続する構成が知られている(例えば、特許文献1及び特許文献2)。
米国特許第8981504号明細書 米国公開特許第2013−0214775号明細書
上述した従来の構成は、縦型ホール素子を用いた場合の信号対雑音電力比を向上させる方法について記載されている。一方、エンコーダー用ICや回転角度検出用ICの場合、縦型ホール素子と横型ホール素子を同一のIC上に形成し、垂直磁場と水平磁場といった異なる軸の間に生じる誤差についても抑制する必要性がある。
しかし、横型ホール素子と縦型ホール素子とをそれぞれ別の駆動源によって駆動する場合には、駆動源の相対的な誤差が、検出される垂直磁場と水平磁場とのそれぞれの検出信号同士の相対的な誤差になる。つまり、この誤差は、回転角検出用ICが検出する回転角度の誤差となる。
本発明の目的は、異なる2つ以上の軸に対する磁場を検出する磁気センサ回路において、誤差が抑制された信号を出力することができる磁気センサ回路を提供することにある。
従来のこのような問題点を解決するために、本発明の磁気センサ回路は以下のような構成とした。
本発明の一実施形態は、第1方向の磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号を出力する少なくとも2つの出力端子と、前記信号の駆動電流が供給される正極端子と、前記駆動電流を流出する負極端子とを備える第1磁気検出部と、前記第1方向とは方向が異なる第2方向の磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号を出力する少なくとも2つの端子と、前記信号の駆動電流が供給される正極端子とを備える第2磁気検出部とを備え、前記第1磁気検出部の正極端子と、前記第1磁気検出部の負極端子と、前記第2磁気検出部の正極端子とが、電源から供給される前記信号の駆動電流の経路に対して直列に接続されている磁気センサ回路である。
本発明によれば、異なる2つ以上の軸に対する磁場を検出する磁気センサ回路において、誤差が抑制された信号を出力することができる磁気センサ回路を提供できる。
縦型ホール素子の駆動方法の一例を示す図である。 第1の実施形態に係る磁気センサ回路の第1相における回路図である。 第1の実施形態に係る磁気センサ回路の第2相における回路図である。 第1の実施形態に係る磁気センサ回路の第3相における回路図である。 第1の実施形態に係る磁気センサ回路の第4相における回路図である。 第2の実施形態に係る磁気センサ回路の第1相における回路図である。 第2の実施形態に係る磁気センサ回路の第2相における回路図である。 第2の実施形態に係る磁気センサ回路の第3相における回路図である。 第2の実施形態に係る磁気センサ回路の第4相における回路図である。 第3の実施形態にかかる磁気センサ回路のある相における回路図である。
以下、本実施形態について、図面を参照して説明する。
[スピニングについて]
図1を参照して、上述した半導体基板に平行な磁場成分を検出する縦型ホール素子について説明する。図1は、縦型ホール素子VS1の駆動方法の一例を示す図である。縦型ホール素子VS1は、端子VC1と、端子VC2と、端子VC3と、端子VC4と、端子VC5とを備える。以下の説明では、端子VC1から端子VC5までを区別しない場合には、単に端子VCとも記載する。
縦型ホール素子の端子VCには、正極の電源端子機能と、負極の電源端子機能と、正相の信号を出力する正相信号出力機能と、逆相の信号を出力する逆相信号出力機能とがある。縦型ホール素子が備える各端子の機能の割り当てを変更して信号出力端子に対するホール素子内の電流の方向を切り替えることを、スピニングとも記載する。また、ある接続状態のことを、相とも記載する。
図1(a)は、縦型ホール素子VS1の第1相のときに入力される信号の状態を示す図である。縦型ホール素子VS1は第1相において、端子VC3に定電流源である駆動源PW1から電流I1が供給される。この駆動源PW1は、電源の一例である。この電流I1とは、駆動電流の一例である。以下の説明では、駆動電流が供給される端子を、正極の電源端子とも記載する。縦型ホール素子VS1は、この電流I1によって駆動されることにより、半導体基板の面に平行な方向である水平磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号を出力する。端子VC4から出力される信号VO1と、端子VC2から出力される信号VO2とは、第1方向の磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号である。以下の説明では、電流が流出する端子のことを、負極の電源端子とも記載する。なお、この負極の電源端子は、他のホール素子の正極の電源端子と接続されてもよい。端子VC3に供給された電流I1は、この端子VC1及び端子VC5から流出する。
図1(b)は、縦型ホール素子VS1の第2相のときに入力される信号の状態を示す図である。縦型ホール素子VS1の第2相において、端子VC4に駆動源PW1から電流I1が供給される。縦型ホール素子VS1の第2相において、端子VC1及び端子VC5から信号VO1を出力する。縦型ホール素子VS1は第2相において、端子VC3から信号VO2を出力する。縦型ホール素子VS1の第2相において、端子VC2は負極の電源端子である。端子VC4に供給された電流I1は、この端子VC2から流出する。
図1(c)は、縦型ホール素子VS1の第3相のときに入力される信号の状態を示す図である。縦型ホール素子VS1は第3相において、端子VC1及び端子VC5に駆動源PW1から電流I1が供給される。縦型ホール素子VS1は第3相において、端子VC2から信号VO1を出力する。縦型ホール素子VS1は第3相において、端子VC4から信号VO2を出力する。縦型ホール素子VS1は第3相において、端子VC3は負極の電源端子である。端子VC1及び端子VC5に供給された電流I1は、この端子VC3から流出する。
図1(d)は、縦型ホール素子VS1の第4相のときに入力される信号の状態を示す図である。縦型ホール素子VS1は第4相において、端子VC2に駆動源PW1から電流I1が供給される。縦型ホール素子VS1は第4相において、端子VC3から信号VO1を出力する。縦型ホール素子VS1は第4相において、端子VC1及び端子VC5から信号VO2を出力する。縦型ホール素子VS1は第4相において、端子VC4は負極の電源端子である。端子VC2に供給された電流I1は、この端子VC4から流出する。
縦型ホール素子は、上述したように、複数の相によって駆動させることにより、縦型ホール素子を製造したときに生じる、縦型ホール素子自身がもつ誤差を抑制することができる。以下の説明では、誤差のことをオフセットとも記載する。同様に、上述した半導体基板に対して垂直な磁場成分を検出する横型ホール素子も、スピニングすることにより、横型ホール素子自身がもつ誤差を抑制することができる。
[第1の実施形態]
次に、図2から図5を参照して、第1の実施形態に係る磁気センサ回路について説明する。
図2は、第1の実施形態に係る磁気センサ回路100の第1相における回路図である。
図3は、第1の実施形態に係る磁気センサ回路100の第2相における回路図である。
図4は、第1の実施形態に係る磁気センサ回路100の第3相における回路図である。
図5は、第1の実施形態に係る磁気センサ回路100の第4相における回路図である。
第1の実施形態に係る磁気センサ回路100は、駆動源PW1と、第1磁気検出部VSA21と、第2磁気検出部HSA21と、第1のスイッチ回路SW1と、第2のスイッチ回路SW2と、増幅回路AMP1と、増幅回路AMP2とを備える。
第1磁気検出部VSA21は、磁電変換素子である縦型ホール素子VS1を備える。ここで、縦型ホール素子VS1とは、第1のセンサの一例である。
第2磁気検出部HSA21は、磁電変換素子である横型ホール素子HS1を備える。ここで、横型ホール素子HS1とは、第2のセンサの一例である。
第1のスイッチ回路SW1は、第1スイッチSW11と、第1スイッチSW12と、第1スイッチSW13と、第1スイッチSW14とを備える。
第2のスイッチ回路SW2は、第2スイッチSW21と、第2スイッチSW22と、第2スイッチSW23と、第2スイッチSW24とを備える。
増幅回路AMP1は、入力端子APC11と、入力端子APC12と、出力端子AOC11と、出力端子AOC12とを備える。
増幅回路AMP2は、入力端子APC21と、入力端子APC22と、出力端子AOC21と、出力端子AOC22とを備える。
縦型ホール素子VS1と横型ホール素子HS1とは、互いに近い位置に配置される。このように、2つのホール素子が配置されると、2つのホール素子に印加される磁場強度又は磁束密度を揃えることができる。これにより、2つのホール素子から出力される信号の電圧の大きさを揃えることができる。
[共通事項]
第1スイッチSW11は、駆動源PW1及び縦型ホール素子VS1と接続される。第1スイッチSW11は、駆動源PW1から供給される電流I1の供給先を、縦型ホール素子VS1が備える端子VC1から端子VC5までのうちから選択する。
第1スイッチSW12は、上述した縦型ホール素子VS1の負極の電源端子及び第2スイッチSW21と接続される。第1スイッチSW12は、上述した縦型ホール素子VS1の負極の電源端子から供給される電流の供給元を、縦型ホール素子VS1が備える端子VC1から端子VC5までのうちから選択する。第1スイッチSW12は、縦型ホール素子VS1を駆動した電流を、電流I2として第2スイッチSW21に対して供給する。
第1スイッチSW13は、縦型ホール素子VS1の信号出力端子及び増幅回路AMP1の入力端子APC11と接続される。第1スイッチSW13は、上述した縦型ホール素子VS1から出力される信号VO1の供給元を、縦型ホール素子VS1が備える端子VC1から端子VC5までのうちから選択する。第1スイッチSW13は、縦型ホール素子VS1から出力される信号VO1を、入力端子APC11に対して供給する。
第1スイッチSW14は、縦型ホール素子VS1の信号出力端子及び増幅回路AMP1の入力端子APC12と接続される。第1スイッチSW14は、上述した縦型ホール素子VS1から出力される信号VO2の供給元を、縦型ホール素子VS1が備える端子VC1から端子VC5までのうちから選択する。第1スイッチSW14は、縦型ホール素子VS1から出力される信号VO2を、入力端子APC12に対して供給する。
第2スイッチSW21は、第1スイッチSW12及び横型ホール素子HS1の正極の電源端子と接続される。第2スイッチSW21は、第1スイッチSW12から供給される電流I2の供給先を、横型ホール素子HS1が備える端子HC1から端子HC4までのうちから選択する。
第2スイッチSW22は、横型ホール素子HS1の負極の電源端子及び駆動源PW1の負極の電源端子と接続される。第2スイッチSW22は、横型ホール素子HS1の負極の電源端子から供給される電流の供給元を、横型ホール素子HS1が備える端子HC1から端子HC4までのうちから選択する。第2スイッチSW22は、横型ホール素子HS1を駆動した電流I2を、電流I3として駆動源PW1の負極の電源端子に供給する。
第2スイッチSW23は、横型ホール素子HS1の信号出力端子及び増幅回路AMP2の入力端子APC21と接続される。第2スイッチSW23は、横型ホール素子HS1から出力される信号VO3の供給元を、横型ホール素子HS1が備える端子HC1から端子HC4までのうちから選択する。第2スイッチSW23は、横型ホール素子HS1から出力される信号VO3を、入力端子APC21に対して供給する。
第2スイッチSW24は、横型ホール素子HS1の信号出力端子及び増幅回路AMP2の入力端子APC22と接続される。第2スイッチSW24は、横型ホール素子HS1から出力される信号VO4の供給元を、横型ホール素子HS1が備える端子HC1から端子HC4までのうちから選択する。第2スイッチSW24は、横型ホール素子HS1から出力される信号VO4を、入力端子APC22に対して供給する。
増幅回路AMP1は、入力端子APC11及び入力端子APC12に供給された信号VO1及び信号VO2を増幅する。増幅回路AMP1は、増幅した信号を、出力端子AOC11及び出力端子AOC12から出力する。
増幅回路AMP2は、入力端子APC21及び入力端子APC22に供給された信号VO3及び信号VO4を増幅する。増幅回路AMP2は、増幅した信号を、出力端子AOC21及び出力端子AOC22から出力する。以下の説明では、増幅回路AMP1と増幅回路AMP2とを区別しない場合には、単に増幅回路とも記載する。この増幅回路から出力される信号は、電圧信号であってもよく、電流信号であってもよい。つまり、増幅回路は、入力される差動入力電圧を増幅することにより電圧信号を出力してもよい。また、増幅回路は、電圧電流変換することにより、電流信号を出力してもよい。
[第1の実施形態の第1相の回路]
上述した図2を参照して、第1の実施形態の第1相における回路について説明する。
第1スイッチSW11は第1相において、縦型ホール素子VS1の端子VC3に電流I1を供給する。
第1スイッチSW12は第1相において、縦型ホール素子VS1の端子VC1及び端子VC5から縦型ホール素子VS1を駆動した電流を、電流I2として第2スイッチSW21に対して供給する。ここで、電流I1と電流I2との電流の量は、同じ電流量である。
第1スイッチSW13は第1相において、縦型ホール素子VS1の端子VC4から出力される信号VO1を、入力端子APC11に対して供給する。
第1スイッチSW14は第1相において、縦型ホール素子VS1の端子VC2から出力される信号VO2を、入力端子APC12に対して供給する。
第2スイッチSW21は第1相において、第1スイッチSW12から供給される電流I2を横型ホール素子HS1の端子HC2に対して供給する。
第2スイッチSW22は第1相において、横型ホール素子HS1の端子HC4から供給される電流を、駆動源PW1の負極の電源端子に対して、電流I3として供給する。ここで、上述した電流I1及び電流I2と、電流I3との電流の量は、同じ電流量である。
第2スイッチSW23は第1相において、横型ホール素子HS1の端子HC3から出力される信号VO3を、入力端子APC21に対して供給する。
第2スイッチSW24は第1相において、横型ホール素子HS1の端子HC1から出力される信号VO4を、入力端子APC22に対して供給する。
[第1の実施形態の第2相の回路]
上述した図3を参照して、第1の実施形態の第2相における回路について説明する。
第1スイッチSW11は第2相において、縦型ホール素子VS1の端子VC4に電流I1を供給する。
第1スイッチSW12は第2相において、縦型ホール素子VS1の端子VC2から縦型ホール素子VS1を駆動した電流を、電流I2として第2スイッチSW21に対して供給する。
第1スイッチSW13は第2相において、縦型ホール素子VS1の端子VC1及び端子VC5から出力される信号VO1を、入力端子APC11に対して供給する。
第1スイッチSW14は第2相において、縦型ホール素子VS1の端子VC3から出力される信号VO2を、入力端子APC12に対して供給する。
第2スイッチSW21は第2相において、第1スイッチSW12から供給される電流I2を、横型ホール素子HS1の端子HC3に対して供給する。
第2スイッチSW22は第2相において、横型ホール素子HS1の端子HC1から横型ホール素子HS1を駆動した電流を、駆動源PW1の負極の電源端子に対して電流I3として供給する。
第2スイッチSW23は第2相において、横型ホール素子HS1の端子HC4から出力される信号VO3を、入力端子APC21に対して供給する。
第2スイッチSW24は第2相において、横型ホール素子HS1の端子HC2から出力される信号VO4を、入力端子APC22に対して供給する。
[第1の実施形態の第3相の回路]
上述した図4を参照して、第1の実施形態の第3相における回路について説明する。
第1スイッチSW11は第3相において、縦型ホール素子VS1の端子VC1及び端子VC5に電流I1を供給する。
第1スイッチSW12は第3相において、縦型ホール素子VS1の端子VC3から供給される電流を、電流I2として第2スイッチSW21に対して供給する。
第1スイッチSW13は第3相において、縦型ホール素子VS1の端子VC2から出力される信号VO1を、入力端子APC11に対して供給する。
第1スイッチSW14は第3相において、縦型ホール素子VS1の端子VC4から出力される信号VO2を、入力端子APC12に対して供給する。
第2スイッチSW21は第3相において、第1スイッチSW12から供給される電流I2を横型ホール素子HS1の端子HC4に対して供給する。
第2スイッチSW22は第3相において、横型ホール素子HS1の端子HC2から横型ホール素子HS1を駆動した電流を、駆動源PW1の負極の電源端子に対して電流I3として供給する。
第2スイッチSW23は第3相において、横型ホール素子HS1の端子HC1から出力される信号VO3を、入力端子APC21に対して供給する。
第2スイッチSW24は第3相において、横型ホール素子HS1の端子HC3から出力される信号VO4を、入力端子APC22に対して供給する。
[第1の実施形態の第4相の回路]
上述した図5を参照して、第1の実施形態の第4相の回路について説明する。
第1スイッチSW11は第4相において、縦型ホール素子VS1の端子VC2に電流I1を供給する。
第1スイッチSW12は第4相において、縦型ホール素子VS1の端子VC4から縦型ホール素子VS1を駆動した電流を、電流I2として第2スイッチSW21に対して供給する。
第1スイッチSW13は第4相において、縦型ホール素子VS1の端子VC3から出力される信号VO1を、入力端子APC11に対して供給する。
第1スイッチSW14は第4相において、縦型ホール素子VS1の端子VC1及び端子VC5から出力される信号VO2を、入力端子APC12に対して供給する。
第2スイッチSW21は第4相において、第1スイッチSW12から供給される電流I2を横型ホール素子HS1の端子HC1に対して供給する。
第2スイッチSW22は第4相において、横型ホール素子HS1の端子HC3から横型ホール素子HS1を駆動した電流を、駆動源PW1の負極の電源端子に対して電流I3として供給する。
第2スイッチSW23は第4相において、横型ホール素子HS1の端子HC2から出力される信号VO3を、入力端子APC21に対して供給する。
第2スイッチSW24は第4相において、横型ホール素子HS1の端子HC4から出力される信号VO4を、入力端子APC22に対して供給する。
[第1実施形態のまとめ]
以上説明したように、磁気センサ回路100は、第1磁気検出部と、第2磁気検出部とを備える。第1磁気検出部は、第1方向の磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号を出力する少なくとも2つの出力端子と、信号の駆動電流が供給される正極の電源端子と、駆動電流を流出する負極の電源端子とを備える。第2磁気検出部は、第1方向とは方向が異なる第2方向の磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号を出力する少なくとも2つの端子と、信号の駆動電流が供給される正極の電源端子とを備える。この第1磁気検出部の正極の電源端子と、駆動電流を流出する負極の電源端子と、第2磁気検出部の正極の電源端子とが、電源から供給される信号の駆動電流の経路に対して直列に接続されている。
これにより、磁気センサ回路100は、第1磁気検出部と、第2磁気検出部とに対して、同じ電源からの電流を駆動電流として供給することができる。これにより、磁気センサ回路100は、第1磁気検出部と、第2磁気検出部とが異なる電源からの駆動電流が供給される場合と比較して、第1磁気検出部と第2磁気検出部とから出力される信号の電圧の誤差を抑制することができる。つまり、磁気センサ回路100は、異なる2つ以上の軸に対する磁場を検出する磁気センサ回路において、誤差が抑制された信号を出力することができる。
また、上述した説明では、第1磁気検出部は、第1のスイッチ回路SW1を備える。第2磁気検出部は、第2のスイッチ回路SW2を備える。第1のスイッチ回路SW1は、縦型ホール素子VS1をスピニングさせる。第2のスイッチ回路SW2は、横型ホール素子HS1をスピニングさせる。これにより、縦型ホール素子VS1及び横型ホール素子HS1から出力される信号の誤差を抑制することができる。なお、第1のスイッチ回路SW1及び第2のスイッチ回路SW2は、必須では無い。
[第2の実施形態]
次に、図6から図9を参照して、磁気センサ回路の第2の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態と同一の構成及び動作については、同一の符号を付してその説明を省略する。
図6は、第2の実施形態に係る磁気センサ回路100aの第1相における回路図である。
図7は、第2の実施形態に係る磁気センサ回路100aの第2相における回路図である。
図8は、第2の実施形態に係る磁気センサ回路100aの第3相における回路図である。
図9は、第2の実施形態に係る磁気センサ回路100aの第4相における回路図である。
第2の実施形態に係る磁気センサ回路100aは、駆動源PW61と、第1磁気検出部VSA61及び第1磁気検出部VSA62と、第2磁気検出部HSA62と、第1のスイッチ回路SW61と、第2のスイッチ回路SW62と、第3のスイッチ回路SW63と、増幅回路AMP61と、増幅回路AMP62とを備える。
駆動源PW61とは、定電流源である。
第1磁気検出部VSA61は、磁電変換素子である縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4を備える。この縦型ホール素子VS1と、縦型ホール素子VS2と、縦型ホール素子VS3と、縦型ホール素子VS4とは、それぞれ電源に対して並列に接続される。この縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までのそれぞれは、互いに異なる相によって駆動される。縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までは、互いに異なる相によって駆動されることにより、空間的な誤差を抑制する。この空間的な誤差の抑制とは、隣接するホール素子同士の電気特性と磁気特性とがほぼ同一であることを利用して、信号を同時的に合算し、平均化することにより、誤差を抑制することである。
第2磁気検出部HSA62は、磁電変換素子である横型ホール素子HS1と横型ホール素子HS2とを備える。この横型ホール素子HS1と横型ホール素子HS2とは、それぞれ互いに異なる相によって駆動される。この横型ホール素子HS1と、横型ホール素子HS2とは、電源に対して並列に接続される。また、横型ホール素子HS1と、横型ホール素子HS2とは、駆動電流が流れる方向が互いに90度異なる状態で配置される。
第1磁気検出部VSA62は、磁電変換素子である縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8を備える。この縦型ホール素子VS5と、縦型ホール素子VS6と、縦型ホール素子VS7と、縦型ホール素子VS8とは、それぞれ電源に対して並列に接続される。この縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれは、異なる相によって駆動される。縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までは、互いに異なる相によって駆動されることにより、空間的な誤差を抑制する。
第1のスイッチ回路SW61は、第1スイッチSW611と、第1スイッチSW612と、第1スイッチSW613と、第1スイッチSW614とを備える。
第2のスイッチ回路SW62は、第2スイッチSW621と、第2スイッチSW622と、第2スイッチSW623と、第2スイッチSW624とを備える。
第3のスイッチ回路SW63は、第3スイッチSW631と、第3スイッチSW632と、第3スイッチSW633と、第3スイッチSW634とを備える。
ここで、第1のスイッチ回路SW61、第2のスイッチ回路SW62及び第3のスイッチ回路SW63とは、スイッチ回路の一例である。このスイッチ回路は、複数の縦型ホール素子及び横型ホール素子に供給される電流の複数の経路のうちからいずれかの経路を選択する。
増幅回路AMP61は、入力端子APC611と、入力端子APC612と、入力端子APC613と、入力端子APC614と、出力端子AOC611と、出力端子AOC612とを備える。
増幅回路AMP62は、入力端子APC621と、入力端子APC622と、出力端子AOC621と、出力端子AOC622とを備える。この増幅回路AMP61及び増幅回路AMP62から出力される信号は、上述した増幅回路AMP1及び増幅回路AMP2と同様に、電圧信号であってもよく、電流信号であってもよい。
縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS8と横型ホール素子HS1から横型ホール素子HS2とは、それぞれ互いに近い位置に配置される。
[第2の実施形態の共通事項]
第1スイッチSW611は、駆動源PW61及び縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までと接続される。第1スイッチSW611は、駆動源PW61から供給される電流I61の供給先を、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までのそれぞれが備える端子のうちから選択する。
第1スイッチSW612は、上述した縦型ホール素子VS1の負極の電源端子及び第2スイッチSW621と接続される。第1スイッチSW612は、上述した縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までのそれぞれの負極の電源端子から供給される電流の供給元を選択する。第1スイッチSW612は、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までを駆動した電流を、電流I62として第2スイッチSW621に対して供給する。
第1スイッチSW613は、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までの信号出力端子及び増幅回路AMP61の入力端子APC611と接続される。第1スイッチSW613は、上述した縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までのそれぞれから出力される信号VO61の供給元を、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までがそれぞれ備える端子のうちから選択する。第1スイッチSW613は、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までのそれぞれから出力される信号を、信号VO61として、入力端子APC611に対して供給する。
第1スイッチSW614は、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までの信号出力端子及び増幅回路AMP61の入力端子APC612と接続される。第1スイッチSW614は、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までから出力される信号の供給元を、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までがそれぞれ備える端子のうちから選択する。第1スイッチSW614は、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までのそれぞれから出力される信号を、信号VO62として、入力端子APC612に対して供給する。
第2スイッチSW621は、第1スイッチSW612と、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2との正極の電源端子と接続される。第2スイッチSW621は、第1スイッチSW612から供給される電流I62の供給先を、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2がそれぞれ備える端子のうちから選択する。
第2スイッチSW622は、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2のそれぞれの負極の電源端子と、第3のスイッチ631と接続される。第2スイッチSW622は、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2のそれぞれの負極の電源端子から供給される電流の供給元を、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2がそれぞれ備える端子のうちから選択する。第2スイッチSW622は、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2を駆動した電流I62を、電流I63として第3のスイッチ631に対して供給する。
第2スイッチSW623は、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2の信号出力端子及び増幅回路AMP62の入力端子APC621と接続される。第2スイッチSW623は、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2から出力される信号VO63の供給元を、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2がそれぞれ備える端子のうちから選択する。第2スイッチSW623は、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2から出力される信号を、信号VO63として、入力端子APC621に対して供給する。
第2スイッチSW624は、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2がそれぞれ備える信号出力端子及び増幅回路AMP62の入力端子APC622と接続される。第2スイッチSW624は、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2から出力される信号VO64の供給元を、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2が備える端子のうちから選択する。第2スイッチSW624は、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2から出力される信号を、信号VO64として、入力端子APC622に対して供給する。
第3スイッチSW631は、第2スイッチSW622と、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までと接続される。第3スイッチSW631は、第2スイッチSW622から供給される電流I63の供給先を、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれが備える端子のうちから選択する。
第3スイッチSW632は、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれの負極の電源端子及び駆動源PW61の負極の電源端子に対して、電流I64として供給する。ここで、上述した電流I61から電流I64までは、それぞれ同じ電流量である。
第3スイッチSW632は、上述した縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれの負極の電源端子から供給される電流の供給元を選択する。第3スイッチSW632は、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までを駆動した電流を、電流I64として駆動源PW61の負極の電源端子に対して供給する。
第3スイッチSW633は、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれの信号出力端子と、増幅回路AMP61の入力端子APC613と接続される。第1スイッチSW633は、上述した縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれから出力される信号の供給元を、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までがそれぞれ備える端子のうちから選択する。第3スイッチSW633は、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれから出力される信号を、信号VO65として、入力端子APC613に対して供給する。
第1スイッチSW634は、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれの信号出力端子と、増幅回路AMP61の入力端子APC614と接続される。第1スイッチSW634は、上述した縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれから出力される信号の供給元を、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までがそれぞれ備える端子のうちから選択する。第3スイッチSW634は、縦型ホール素子VS5から縦型ホール素子VS8までのそれぞれから出力される信号を、信号VO66として、入力端子APC612に対して供給する。
増幅回路AMP61は、入力端子APC611、入力端子APC612、入力端子APC613、入力端子APC614に供給された信号VO61、信号VO62、信号VO65及び信号VO66を増幅する。増幅回路AMP61は、増幅した信号を、出力端子AOC611及び出力端子AOC612から出力する。
増幅回路AMP62は、入力端子APC621及び入力端子APC622に供給された信号VO63及び信号VO64を増幅する。増幅回路AMP62は、増幅した信号を、出力端子AOC621及び出力端子AOC622から出力する。
磁気センサ回路100aは、図6から図9に示すように、第1の実施形態と同様に4つの相にされて駆動される。
[第2の実施形態のまとめ]
縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までを第1相から第4相までの4相によってスピニングする場合、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までの抵抗値がそれぞれ異なる。しかし、本実施形態では、第1磁気検出部VSA61に含まれ、電源に対して並列に接続された4つの縦型ホール素子同士を、それぞれ互いに異なる相によって駆動させる。これにより、磁気センサ回路100aは、第1磁気検出部VSA61において、4つのスピニングの相を構成することができる。これにより、第1磁気検出部VSA61は、スピニングの相毎の抵抗値が変わらないため、縦型ホール素子VS1から縦型ホール素子VS4までから出力される信号VO61及び信号VO62の出力特性が安定する。第1磁気検出部VSA62も同様である。
同様に、第2磁気検出部HSA62に含まれる横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2も、スピニング相毎の抵抗値が変わらないため、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2から出力される信号VO63及び信号VO64の出力特性が安定する。また、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2は、駆動電流の方向が互いに90度異なる状態で駆動電流が流される。これにより、磁気センサ回路100aは、第1相から第4相までのそれぞれの相において、幾何学的な不平衡によるオフセットを、横型ホール素子HS1及び横型ホール素子HS2からの信号を加算することにより、抑制することができる。これにより、磁気センサ回路100aは、より精度が高い信号VO63及び信号VO64を得ることができる。
また、本実施形態では、第1磁気検出部VSA61と、第2磁気検出部HSA62と、第1磁気検出部VSA62とが、駆動源PW61に対して直列に接続される。これにより、第1磁気検出部VSA61と、第2磁気検出部HSA62と、第1磁気検出部VSA62とに含まれるホール素子からのそれぞれの信号の電力効率を上げることができる。
[第3の実施形態]
次に、図10を参照して、磁気センサ回路の第3の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態及び第2の実施形態と同一の構成及び動作については、同一の符号を付してその説明を省略する。
図10は、第3の実施形態にかかる磁気センサ回路100bのある相における回路図である。
磁気センサ回路100bは、電流補正負荷部Rを更に備える。電流補正部Rは、第1のセンサ又は第2のセンサと並列に接続され、信号の駆動電流を補正する。図10は、第2のセンサと並列に接続された電流補正部Rの一例を示す。電流補正負荷部Rとは、具体的には、抵抗素子、定電流を流す回路素子であってもよい。電流補正負荷部Rは、並列に接続されたセンサへ供給される電流の量を調整する。これにより、電流補正負荷部Rが並列に接続されたセンサへの感度調整を行うことができる。
なお、上述した説明では、電流補正負荷部Rは、第2磁気検出部HSA62の駆動電流を調整する構成について説明したがこれに限られない。電流補正負荷部Rは、第1磁気検出部VSA61又は第1磁気検出部VSA62と並列に接続されてもよい。
なお、上述した第1の実施形態から第3の実施形態のホール素子の駆動源が定電流源の場合について説明したが、これに限られず電圧源であってもよい。駆動源が定電流源の場合には、第1磁気検出部及び第2磁気検出部を駆動する駆動電流を一定にすることができるため、ホール素子が出力する信号の精度を高めることができる。
なお、上述した第1の実施形態から第3の実施形態の磁気センサ回路は、水平と垂直との2軸に対する磁場を検出する構成について説明したが、これに限られない。磁気センサ回路が、3軸の磁気センサ回路についても同様に実施することができる。3軸の磁気センサ回路とは、2つの縦型ホール素子と、横型ホール素子とが、駆動源に対して直列に接続される構成の磁気センサ回路である。具体的には、3軸の磁気センサ回路は、2つの縦型ホール素子同士を互いに90度方向が異なる向きに配置されることにより半導体基板の面に対して水平の磁場(X−Y軸)を検出する。また、3軸の磁気センサ回路は、横型ホール素子によって半導体基板の面に対して直交する垂直の磁場(Z軸)を検出する。この3軸の磁気センサは、上述した2軸の磁気センサ回路と同様の効果を得ることができる。
以上、本発明の実施形態及びその変形を説明したが、これらの実施形態及びその変形は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態及びその変形は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態及びその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。また、上述した各実施形態及びその変形は、互いに適宜組み合わせることができる。
100,100a,100b…磁気センサ回路、PW1,PW61…駆動源、I1,I2,I3,I61,I62,I63…電流、VO1,VO2,VO3,VO4,VO61,VO62,VO63,VO64,VO65,VO66…信号、VSA21,VSA61,VSA62…第1磁気検出部、HSA21,HSA62…第2磁気検出部、VS1,VS2,VS3,VS4,VS5,VS6,VS7,VS8…縦型ホール素子、HS1,HS2…横型ホール素子、AMP1,AMP2,AMP61,AMP62…増幅回路、R…電流補正負荷部

Claims (5)

  1. 第1方向の磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号を出力する少なくとも2つの出力端子と、前記信号の駆動電流が供給される正極端子と、前記駆動電流を流出する負極端子とを備える第1磁気検出部と、
    前記第1方向とは方向が異なる第2方向の磁場の強度に応じた互いに位相が逆の信号を出力する少なくとも2つの端子と、前記信号の駆動電流が供給される正極端子とを備える第2磁気検出部と
    を備え、
    前記第1磁気検出部の正極端子と、前記第1磁気検出部の負極端子と、前記第2磁気検出部の正極端子とが、電源から供給される前記信号の駆動電流の経路に対して直列に接続されている
    磁気センサ回路。
  2. 前記第1磁気検出部は、前記第1方向の磁場を検出する第1のセンサを備え、
    前記第2磁気検出部は、前記第2方向の磁場を検出する第2のセンサを備え、
    前記第1のセンサ又は前記第2のセンサと並列に接続され、前記信号の駆動電流を補正する電流補正負荷部を更に備える
    請求項1に記載の磁気センサ回路。
  3. 前記第1のセンサとは、複数のホール素子であって、
    前記第2のセンサとは、複数の第2のホール素子であって、
    複数の前記ホール素子及び複数の前記第2のホール素子に供給される電流の複数の経路のうちからいずれかの経路を選択するスイッチ回路
    を更に備える請求項1又は請求項2に記載の磁気センサ回路。
  4. 前記第2のホール素子とは、水平方向に印加される磁場の強度に応じた信号を検出するホール素子であって、
    複数の前記第2のホール素子のうち、少なくとも4つの前記第2のホール素子同士は並列接続される
    請求項3に記載の磁気センサ回路。
  5. 前記電源とは、定電流源である
    請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の磁気センサ回路。
JP2017047629A 2017-03-13 2017-03-13 磁気センサ回路 Active JP6841692B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017047629A JP6841692B2 (ja) 2017-03-13 2017-03-13 磁気センサ回路
CN201810190762.0A CN108572338B (zh) 2017-03-13 2018-03-08 磁传感器电路
TW107107986A TW201838215A (zh) 2017-03-13 2018-03-09 磁性感測電路
US15/916,898 US10578683B2 (en) 2017-03-13 2018-03-09 Magnetic sensor circuit
KR1020180028785A KR20180104574A (ko) 2017-03-13 2018-03-12 자기 센서 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017047629A JP6841692B2 (ja) 2017-03-13 2017-03-13 磁気センサ回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018151257A true JP2018151257A (ja) 2018-09-27
JP6841692B2 JP6841692B2 (ja) 2021-03-10

Family

ID=63444425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017047629A Active JP6841692B2 (ja) 2017-03-13 2017-03-13 磁気センサ回路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10578683B2 (ja)
JP (1) JP6841692B2 (ja)
KR (1) KR20180104574A (ja)
CN (1) CN108572338B (ja)
TW (1) TW201838215A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10816613B2 (en) 2017-07-21 2020-10-27 Ablic Inc. Magnetic sensor circuit

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018005676A1 (de) * 2018-07-19 2020-01-23 Tdk-Micronas Gmbh Hall-Sensor und Verfahren zum Betreiben eines solchen
US11500041B2 (en) * 2020-10-05 2022-11-15 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Hall effect sensors

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006133240A (ja) * 1994-09-06 2006-05-25 Micronas Gmbh ホール効果装置を有する磁界センサ
JP2008008883A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Denso Corp 磁気センサ及びセンサ
JP2010500536A (ja) * 2006-08-09 2010-01-07 フラウンホーファーゲゼルシャフト ツール フォルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシユング エー.フアー. 測定動作時に較正可能な磁気3dセンサ
WO2013168353A1 (ja) * 2012-05-11 2013-11-14 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気検出装置及び磁気検出方法
JP2015507192A (ja) * 2012-02-01 2015-03-05 アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトams AG ホールセンサおよびセンサ配列体
US20150137805A1 (en) * 2012-06-22 2015-05-21 Infineon Technologies Ag Vertical Hall Sensor with Series-Connected Hall Effect Regions
JP2016134533A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ホール素子

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3872259B2 (ja) * 2000-07-26 2007-01-24 セイコーインスツル株式会社 磁気センサーの駆動電流調整方法及び電子方位計
ATE506705T1 (de) * 2002-09-10 2011-05-15 Melexis Tessenderlo Nv Magnetfeldsensor mit einem hallelement
GB0724240D0 (en) * 2007-12-12 2008-01-30 Melexis Nv Twin vertical hall sensor
EP2234185B1 (en) * 2009-03-24 2012-10-10 austriamicrosystems AG Vertical Hall sensor and method of producing a vertical Hall sensor
EP2813860B1 (en) * 2012-02-07 2017-10-18 Asahi Kasei Microdevices Corporation Magnetic sensor and magnetic detection method of the same
US9312472B2 (en) * 2012-02-20 2016-04-12 Infineon Technologies Ag Vertical hall device with electrical 180 degree symmetry
EP2672285B1 (en) * 2012-06-06 2014-05-21 Nxp B.V. Magnetic sensor arrangement
CN103885005B (zh) * 2012-12-21 2018-11-02 上海矽睿科技有限公司 磁传感装置及其磁感应方法
US9134383B2 (en) * 2012-12-28 2015-09-15 Asahi Kasei Microdevices Corporation Hall device, magnetic sensor having same, and signal correcting method thereof
CN104515957B (zh) * 2013-09-27 2017-05-31 上海矽睿科技有限公司 磁传感装置及其制备方法
US9547048B2 (en) * 2014-01-14 2017-01-17 Allegro Micosystems, LLC Circuit and method for reducing an offset component of a plurality of vertical hall elements arranged in a circle
JP6344307B2 (ja) * 2015-05-20 2018-06-20 株式会社デンソー センサ装置、および、これを用いた電動パワーステアリング装置
US10107873B2 (en) * 2016-03-10 2018-10-23 Allegro Microsystems, Llc Electronic circuit for compensating a sensitivity drift of a hall effect element due to stress

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006133240A (ja) * 1994-09-06 2006-05-25 Micronas Gmbh ホール効果装置を有する磁界センサ
JP2008008883A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Denso Corp 磁気センサ及びセンサ
JP2010500536A (ja) * 2006-08-09 2010-01-07 フラウンホーファーゲゼルシャフト ツール フォルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシユング エー.フアー. 測定動作時に較正可能な磁気3dセンサ
JP2015507192A (ja) * 2012-02-01 2015-03-05 アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトams AG ホールセンサおよびセンサ配列体
WO2013168353A1 (ja) * 2012-05-11 2013-11-14 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気検出装置及び磁気検出方法
US20150137805A1 (en) * 2012-06-22 2015-05-21 Infineon Technologies Ag Vertical Hall Sensor with Series-Connected Hall Effect Regions
JP2016134533A (ja) * 2015-01-20 2016-07-25 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ホール素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10816613B2 (en) 2017-07-21 2020-10-27 Ablic Inc. Magnetic sensor circuit

Also Published As

Publication number Publication date
TW201838215A (zh) 2018-10-16
KR20180104574A (ko) 2018-09-21
CN108572338A (zh) 2018-09-25
US10578683B2 (en) 2020-03-03
US20180259598A1 (en) 2018-09-13
JP6841692B2 (ja) 2021-03-10
CN108572338B (zh) 2021-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5052982B2 (ja) 磁気センサ回路
US9513348B2 (en) Hall electromotive force signal detection circuit and current sensor thereof
JP6841692B2 (ja) 磁気センサ回路
JP4675994B2 (ja) 磁気センサ及び磁気測定方法
TWI586986B (zh) 磁性感測器裝置
CN107436416A (zh) 能处理垂直霍尔盘信号的磁开关系统及信号处理方法
JP6890493B2 (ja) 磁気センサ回路
JP2021124289A (ja) 電流センサ、磁気センサ及び回路
US9921273B2 (en) Hall electromotive force signal detection circuit, current sensor thereof, and hall element driving method
CN104007399A (zh) 磁传感器装置
US11474168B2 (en) Magnetic sensor device
EP3407078B1 (en) Magnetic sensor circuit
US11953565B2 (en) Electrical offset compensating in a bridge using more than four magnetoresistance elements
CN107561459B (zh) 使用多个磁场敏感装置的设备和方法
JP2005257642A (ja) 磁気検出回路およびエンコーダ
US10571528B2 (en) Magnetic sensor circuit
TWI767006B (zh) 磁性感測器電路
US11408945B2 (en) Magnetic field sensor with stacked transducers and capacitive summing amplifier
JP2021152512A (ja) ホール素子センサおよびその動作方法
JP2021148773A (ja) 半導体装置
US20190242955A1 (en) Hall sensor apparatus and method for measuring a magnetic field
WO2022203778A1 (en) Electrical offset compensating in a magnetoresistance bridge

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191205

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210112

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210218

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6841692

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250