JP2018151058A - 電磁弁を制御するための装置および方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高い電流調整精度を得ることができる電磁弁を提供する。【解決手段】制御ユニット（１０）が、通常運転中にＰＷＭ装置（２０）を介してデューティ比を有するＰＷＭ信号（ＰＷＭ）を生成し、かつ電磁弁（３）の磁石構造群（３．１）にアウトプットし、電流測定装置（ＡＭ）が、前記ＰＷＭ信号から発生した、前記磁石構造群（３．１）を通る電流（Ｉ）を検出し、前記制御ユニットにフィードバックし、前記磁石構造群の応答閾値を上回る電流が前記電磁弁の切換え操作を作動させるようになっており、前記制御ユニットが、テスト運転中に前記ＰＷＭ装置を介して、前記磁石構造群を通る、応答閾値を下回るテスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）を生ぜしめるデューティ比を有する少なくとも１つのテストＰＷＭ信号を生成し、かつアウトプットするようになっており、前記電磁弁を制御するためのこのような装置（１）を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、独立請求項１または７の前提部に記載した、電磁弁を制御するための装置または方法に関する。本発明の対象は、電磁弁を制御するためのこのような装置を有する、独立請求項６の前提部に記載した液圧構造群でもある。

従来技術によれば、ＡＢＳおよび／またはＥＳＰ機能性を有する液圧式のブレーキシステムに使用される電磁弁を制御するための装置および方法が公知である。このような電磁弁は、特に無電流閉鎖式または無電流開放式の高圧切換え弁として構成されていて、マグネットコイルを備えた磁石構造群を有しており、マグネットコイルの磁力は、磁石構造群若しくはマグネットコイルを通る電流を介して生成される。電磁弁は技術的な構成部分として、流体の入口または出口を制御するために、または流れ方向を開ループ制御並びに閉ループ制御するために用いられる。この場合、電流は、電磁弁を制御するために閉ループ制御または開ループ制御される。一般的に、電流は電流調整可能な出力段を介して調節され、この場合、ＰＷＭ装置（ＰＷＭ：パルス幅変調）は、アウトプットされたＰＷＭ信号のデューティ比を介して磁石構造群を通る電流の制御を行う。電流制御は非常に精確である。何故ならば、電流は測定し直され、アウトプットされたＰＷＭ信号およびひいては磁石構造群を通って流れる電流のデューティ比が場合によっては修正されるからである。電流の制御時に、所望の電流をもたらす固定的なデューティ比を有するＰＷＭ信号だけが提供される。この場合、干渉作用に直接的な影響が及ぼされることはない。電磁弁、特に切換え弁の弁可動子は、マグネットコイルに関連したその物理的な構造に基づいて弁運動中に相互インダクタンスを生ぜしめ、この相互インダクタンスが、磁石構造群若しくはマグネットコイルを通る電流にこの段階中に影響を及ぼす。弁可動子がより高速で移動すればするほど、インダクタンスはより大きくなる。これによって、通常の弁制御において、切換え時に可動子運動によって生ぜしめられた電流変化が電流調整の調整パラメータの自動的な適合をもたらすようになる。つまり、電流調整が電流の急激な変化に抗するように作用し、ここで、磁石構造群を通る電流およびＰＷＭ信号のデューティ比を大きくする、ということである。電流調整なしでは、可動子運動による電流の急激な変化はその最大の値を有する、つまり、磁石構造群を通る電流は、弁可動子が極心にぶつかる直前の最大可動子速度において、その最小の値を有する。このような作用は、電流調整によって完全に補正されるので、弁可動子はちょうど極心にぶつかる時点で追加的な力を受けて、電流調整なしの場合におけるよりも著しく大きい切換え騒音を生ぜしめる。もちろん、電流調整なしの提供された電流と所望の電流との間のばらつきは比較的大きくてよい。何故ならば、実際の環境条件若しくは干渉作用、例えばコイル温度は、コイル巻き線の電気抵抗に影響を及ぼし、電圧は結果（電流調整公差）に多大な影響を有しているからである。従って、電磁弁の切換え操作を作動させるための、磁石構造群の応答閾値を上回る所望の電流は、場合によってはもはや確定できない。

特許文献１によれば、多数の誘導負荷が接続されている出力段素子を監視するための切換え装置および方法が公知である。この場合、誘導負荷を通って流れる電流が出力段のクロック制御によって制御され、出力段の遮断段階で誘導性の蓄えられたエネルギーによって生ぜしめられた電流が部分的にまたは一時的に共通の電流測定装置を介して伝送され、誘導負荷を含めて出力段を検査するために評価される。誘導負荷は、例えば電気式に操作可能な液圧弁であって、この場合、予め設定された電流値の維持が別個の測定過程で検査される。従って、好適な形式で弁締付電流および／または弁保持電流の最小値の維持が監視され得る。さらに、液圧弁を含む出力段は、それぞれの出力段を、弁応答時間を下回る所定の時間間隔だけ若しくは弁応答値を下回る弁電流が生ぜしめられる所定の時間間隔だけ制御することによって、および遮断電流若しくはフリーホイール電流を評価することによってテストされ得る。

ドイツ連邦共和国特許第１９５２９４３３号明細書

独立請求項１の特徴を有する電磁弁を制御するための装置、および電磁弁を制御するための方法はそれぞれ、制御された電流供給の電流調整公差がテスト運転によって最小化され、磁石構造群の電流調整式の制御によるよりも優れたＮＶＨ特性［（ＮＶＨ：Ｎｏｉｓｅ Ｖｉｂｒａｔｉｏｎ Ｈａｒｓｈｎｅｓｓ（騒音・振動・ハーシュネス）（ドイツ語：Ｇｅｒａｅｕｓｃｈ，Ｖｉｂｒａｔｉｏｎ，Ｒａｕｈｅｉｔ）］が得られる、という利点を有している。電流を精確に調整できるようにするために、テスト電流が、電流値が電磁弁を切換えるために十分でない予め設定されたテストＰＷＭ信号を介して、短い間隔で調整かつ測定される。従って、電磁弁が組み込まれている対応する液圧装置の通常運転が妨害を受けることはない。テスト電流によって、実際のテスト電流に対するテストＰＷＭ信号の瞬間的に調整されたデューティ比の直接的な関係が得られる。これによって、好適な形式で高い電流調整精度を得ることができる。磁石構造群を通る電流は、本発明の実施例によれば精確に調整することができる。何故ならばテスト電流によって、ＰＷＭ信号のデューティ比と電流との間の直ちに得られる関係が存在するからである。対応する弁切換え騒音は静かである。何故ならば弁運動の相互インダクタンスによって生ぜしめられた逆電流は制動されて弁可動子に作用するからである。

本発明の実施例は、電磁弁を制御するための装置および方法を提供する。電磁弁を制御するための装置は、評価および制御ユニットとＰＷＭ装置と電流測定装置とを有している。評価および制御ユニットは、通常運転中にＰＷＭ装置を介してデューティ比を有するＰＷＭ信号を生成し、かつ電磁弁の磁石構造群にアウトプットする。電流測定装置は、ＰＷＭ信号から発生した、磁石構造群を通る電流を検出し、評価および制御回路にフィードバックし、この場合、磁石構造群の応答閾値を上回る電流が電磁弁の切換え操作を作動させる。評価および制御回路は、テスト運転中にＰＷＭ装置を介して、磁石構造群を通る、応答閾値を下回るテスト電流を生ぜしめるデューティ比を有する少なくとも１つのテストＰＷＭ信号を生成し、かつアウトプットする。この場合、評価および制御ユニットはテスト運転中に少なくとも２つの異なるテストＰＷＭ信号を生成し、かつアウトプットし、発生したテスト電流を検出する。さらに、評価および制御ユニットは、予め設定されたテストＰＷＭ信号および発生したテスト電流から実際に支配している環境条件を導き出し、この実際に支配している環境条件に基づいて通常運転中に、電磁弁を切換えるための、応答閾値を上回る電流を生ぜしめる後続のＰＷＭ信号を生成し、かつアウトプットする。

また、少なくとも１つの電磁弁、および電磁弁を制御するための少なくとも１つのこのような装置を備えた液圧装置が提案される。

電磁弁を制御するための方法は、ＰＷＭ信号を生成し、かつ通常運転中に電磁弁の磁石構造群にアウトプットするステップと、ＰＷＭ信号のデューティ比に基づく、磁石構造群を通る、発生した電流を検出し、かつフィードバックするステップとを有しており、この場合、磁石構造群の応答閾値を上回る電流が電磁弁の切換え操作を作動させる。さらに、テスト運転中に、応答閾値を下回る、磁石構造群を通るテスト電流を生ぜしめる少なくとも１つのテストＰＷＭ信号を生成し、かつアウトプットする。この場合、テスト運転中に少なくとも２つの異なるテストＰＷＭ信号が生成され、かつアウトプットされ、発生したテスト電流が検出される。予め設定されたテストＰＷＭ信号および発生したテスト電流から、実際に支配している環境条件が導き出される。さらに別のステップで、通常運転中に、実際に支配している環境条件に基づいて、電磁弁を切換えるための、応答閾値を上回る電流を生ぜしめる後続のＰＷＭ信号が生成され、かつアウトプットされる。

評価および制御ユニットとは、ここでは、電気機器、例えば検出したセンサ信号を処理若しくは評価する制御装置、特にブレーキ制御装置のことであってよい。評価および制御ユニットは、ハードウエア的および／またはソフトウエア的に構成され得る少なくとも１つのインターフェースを有していてよい。ハードウエア的な構成において、インターフェースは、例えば、評価および制御ユニットの様々な機能を有するいわゆるシステムＡＳＩＣの部分であってよい。しかしながら、インターフェースは、固有の集積回路であるかまたは少なくも部分的に離散素子より成っていてもよい。ソフトウエア的な構成において、インターフェースは、例えばマイクロコントローラ上で別のソフトウエアモジュールの隣に存在するソフトウエアモジュールであってよい。機械読み取り可能なキャリア、例えば半導体メモリ、ハードディスクまたは光学メモリに記憶されたプログラムコードを有するコンピュータプログラムも有利である。このコンピュータプログラムは、プログラムが評価および制御ユニットによって実行されると、評価を実施するために使用される。

ＰＷＭ装置とは、ここでは、制御信号に反応して、対応するデューティ比を有するパルス幅変調された信号（ＰＷＭ信号）を生ぜしめ、かつ磁石構造群若しくはマグネットコイルにアウトプットする構成要素のことである。ＰＷＭ信号は、ＰＷＭ信号のデューティ比を上回る、予め設定可能な平均的な電流を生ぜしめる。

従属請求項に記載された手段および実施態様によって、独立請求項１に記載した、電磁弁を制御するための装置、および独立請求項７に記載された電磁弁を制御するための方法の好適な改善が可能である。

特に好適には、評価および制御ユニットは、ＰＷＭ装置を介して、第１のテスト電流を生ぜしめる第１のデューティ比を有する第１のテストＰＷＭ信号、および第２のテスト電流を生ぜしめる第２のデューティ比を有する第２のテストＰＷＭ信号を生成し、かつ電磁弁の磁石構造群にアウトプットすることができる。電流測定装置は発生したテスト電流を評価および制御ユニットにフィードバックすることができる。好適な形式で、評価および制御ユニットは、実際に支配している環境条件のために、テストＰＷＭ信号の予め設定されたデューティ比、および発生しかつ測定されたテスト電流から、デューティ比と発生したテスト電流との間の実際の関数関係を算出し、この関数関係を介して印加しようとするＰＷＭ信号の対応するデューティ比を通常運転中に外挿法によって求め、ＰＷＭ装置を介して対応するＰＷＭ信号を生成し、かつアウトプットすることができる。これによって、好適な形式で、実際の環境条件に影響を及ぼす干渉作用を補正し、かつ磁石構造群の応答閾値を上回る十分に高い電流を提供することができる。

電磁弁を制御するための装置の好適な実施態様によれば、評価および制御装置が、様々なテストＰＷＭ信号を予め設定可能な時間窓内でまたは事象に合わせてまたは所定の時点でＰＷＭ装置を介して生成し、かつアウトプットすることができる。

電磁弁を制御するための装置の別の好適な実施態様によれば、評価および制御ユニットが通常運転中に、ＰＷＭ信号および発生した電流から実際に支配している環境条件を導き出し、この実際に支配している環境条件に基づいて後続の切換え操作のために、電磁弁を切換えるための、応答閾値を上回る電流を生ぜしめるデューティ比を有する後続のＰＷＭ信号を生成し、かつアウトプットすることができる。これによって、好適な形式で、電流調整なしでもさらに改善された電流調整精度を得ることができる。

電磁弁を制御するための本発明の１実施例による装置を有する液圧装置の１実施例の一部の概略的なブロック図である。 図１に示した電磁弁を制御するための装置のＰＷＭ装置からアウトプットされた２つのテストＰＷＭ信号および発生した２つのテスト電流を示す特性曲線グラフである。

本発明の実施例を図面に示し、以下に詳しく説明する。図面では、同じ若しくは類似の機能を有する構成部材若しくは要素には同じ符号がつけられている。

図１に示されているように、液圧ユニット５は、少なくとも１つの電磁弁３と、電磁弁３を制御するための少なくとも１つの装置１とを有している。電磁弁３を制御するための装置１は、評価および制御ユニット１０、ＰＷＭ装置２０および電流測定装置ＡＭを有している。評価および制御ユニット１０は、通常運転中にＰＷＭ装置２０を介して、デューティ比ＴＶを有するＰＷＭ信号ＰＷＭを生成し、このＰＷＭ信号ＰＷＭを電磁弁３の磁石構造群３．１に提供する。電流測定装置ＡＭは、ＰＷＭ信号ＰＷＭから生じる電流Ｉを、磁石構造群３．１によって若しくは磁石構造群の詳しく図示していないマグネットコイルによって検出して、検出した電流Ｉの値を評価および制御回路１０にフィードバックし、この際に、磁石構造群３．１の応答閾値を上回る電流Ｉが電磁弁３の切換え操作を作動させる。さらに、評価および制御回路１０は、テスト運転中にＰＷＭ装置２０を介して、デューティ比ＴＶ１，ＴＶ２を有する少なくとも１つのテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２を生成し、かつアウトプットし、このテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２は、磁石構造群３．１を通る、応答閾値を下回るテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２を生ぜしめる。この場合、評価および制御ユニット１０は、テスト運転中に少なくとも２つの異なるテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２を生成し、かつアウトプットし、発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２を検出する。予め設定されたテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２および発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２から、評価および制御ユニット１０は、実際に支配している環境条件を導き出す。実際に支配している環境条件に基づいて、評価および制御ユニット１０は通常運転中に、後続のＰＷＭ信号ＰＷＭをアウトプットし、このＰＷＭ信号ＰＷＭは、電磁弁３を切換えるための、応答閾値を上回る電流Ｉを生ぜしめる。生じた電流Ｉは調整されないので、弁可動子運動の相互インダクタンスによって発生した逆電流が、対応する極心にぶつかる際に弁可動子を制動させるように作用し、これが、調整された電流Ｉにおけるよりも静粛な電磁弁１の切換え騒音となる。

図１および図２からさらに分かるように、評価および制御ユニット１０は図示の実施例では、ＰＷＭ装置２０を介して、第１のテスト電流ＩＴ１を生ぜしめる第１のデューティ比ＴＶ１を有する第１のテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１と、第２のテスト電流ＩＴ２を生ぜしめる第２のデューティ比ＴＶ２を有する第２のテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ２とを生成し、かつ電磁弁３の磁石構造群３．１にアウトプットする。電流測定装置ＡＭは、発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２を評価および制御ユニット１０にフィードバックする。

評価および制御ユニット１０は、実際に支配している環境条件のために、テストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２の予め設定されたデューティ比ＴＶ１，ＴＶ２および測定された、発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２から、デューティ比ＴＶ１，ＴＶ２と発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２との間の実際の関数関係Ｆ（ＴＶ１，ＴＶ２，ＩＴ１，ＩＴ２）を算出する。この関数関係を介して、評価および制御ユニット１０は、印加しようとするＰＷＭ信号ＰＷＭの対応するデューティ比ＴＶを通常運転中に外挿法によって求める。ＰＷＭ装置２０を介して、評価および制御ユニット１０は対応するＰＷＭ信号ＰＷＭを生成し、かつアウトプットする。評価および制御ユニット１０は、様々なテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２を、例えば予め設定可能な時間窓内でまたは事象に合わせてまたは所定の時点でＰＷＭ装置２０を介して生成し、かつアウトプットすることができる。

図示の実施例では、評価および制御ユニット１０は通常運転中に、ＰＷＭ信号ＰＷＭおよび発生した電流Ｉから、実際に支配している環境条件を導き出して、後続の切換え操作のための実際に支配している環境条件に基づいてＰＷＭ装置２０を介して、電磁弁３を切換えるための、応答閾値を上回る電流Ｉを生ぜしめるデューティ比ＴＶを有する後続のＰＷＭ信号ＰＷＭを生成し、かつアウトプットする。これによって、干渉作用は電流調整なしでも即座に補正され得る。

電磁弁３を制御するための対応する方法は、次のステップを有している。通常運転中にＰＷＭ信号ＰＷＭを生成し、かつ電磁弁３の磁石構造群３．１にアウトプットする。磁石構造群３．１を通る、ＰＷＭ信号ＰＷＭのデューティ比ＴＶに基づく、発生した電流Ｉを検出し、かつフィードバックし、この際に、磁石構造群３．１の応答閾値を上回る電流Ｉが電磁弁３の切換え操作を作動させる。テスト運転中に、少なくとも１つのテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２が生成され、かつアウトプットされ、このテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２は、磁石構造群３．１を通る、応答閾値を下回るテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２を生ぜしめる。この場合、テスト運転中に少なくとも２つの異なるテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２が生成され、かつアウトプットされ、発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２が検出される。実際に支配している環境条件を、予め設定されたテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２および発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２から導き出す。通常運転中に、実際に支配している環境条件に基づき、かつ応答閾値を上回る、電磁弁３を切換えるための電流Ｉを生成する、後続のＰＷＭ信号ＰＷＭを発生させ、かつアウトプットする。

図２からさらに分かるように、第１のテスト電流ＩＴ１を生ぜしめる第１のデューティ比ＴＶ１を有する第１のテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１と、第２のテスト電流ＩＴ２を生ぜしめる第２のデューティ比ＴＶ２を有する第２のテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ２とが生成され、かつ電磁弁３の磁石構造群３．１にアウトプットされ、発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２が検出される。様々なテストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２が、予め設定可能な時間窓内でまたは事象に合わせてまたは所定の時点で生成され、かつアウトプットされる。実際に支配している環境条件のために、テストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２の予め設定されたデューティ比ＴＶ１，ＴＶ２および発生しかつ検出されたテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２から、デューティ比ＴＶ１，ＴＶ２と発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２との間の実際の関数関係が算出される。この関数関係を介して、印加しようとする後続のＰＷＭ信号ＰＷＭの対応するデューティ比ＴＶが通常運転中に外挿法によって求められ、対応する後続のＰＷＭ信号ＰＷＭが生成され、かつアウトプットされる。

従って、温度の影響は、テストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２の数若しくは時間間隔に応じて程度の差はあるが良好に補正され得る。テストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２によって、テストＰＷＭ信号ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２のデューティ比ＴＶ１，ＴＶ２と発生したテスト電流ＩＴ１，ＩＴ２との間の変化する関係がダイナミックに算出されるので、電磁弁１は通常運転中に可能な限り静粛に運転され得る。

しかも、通常運転中に、ＰＷＭ信号ＰＷＭおよび発生した電流Ｉから、実際に支配している環境条件が導き出され、この実際に支配している環境条件に基づいて後続の切換え操作のために、電磁弁３を切換えるための応答閾値を上回る電流Ｉを生ぜしめるデューティ比ＴＶを有する後続のＰＷＭ信号ＰＷＭが生成され、かつアウトプットされる。

本発明の実施例は、車両ブレーキシステム（ＡＢＳ，ＥＳＰその他）の高圧切換え弁に使用することができる。テストＰＷＭ信号に基づく、本発明による制御の原理は、空圧式の電磁弁および液圧式の電磁弁に使用することができる。

１ 電磁弁３を制御するための装置
３ 電磁弁
３．１ 磁石構造群
５ 液圧ユニット
１０ 評価および制御ユニット、評価および制御回路
２０ ＰＷＭ装置
ＡＭ 電流測定装置
Ｆ 関数関係
Ｉ 電流
ＩＴ１，ＩＴ２ テスト電流
ＴＶ１，ＴＶ２ デューティ比
ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２ テストＰＷＭ信号

Claims (10)

1. 電磁弁（３）を制御するための装置（１）であって、評価および制御ユニット（１０）とＰＷＭ装置（２０）と電流測定装置（ＡＭ）とを有しており、前記評価および制御ユニット（１０）が、通常運転中に前記ＰＷＭ装置（２０）を介してデューティ比（ＴＶ）を有するＰＷＭ信号（ＰＷＭ）を生成し、かつ電磁弁（３）の磁石構造群（３．１）にアウトプットし、この場合、前記電流測定装置（ＡＭ）が、前記ＰＷＭ信号（ＰＷＭ）から発生した、前記磁石構造群（３．１）を通る電流（Ｉ）を検出し、前記評価および制御回路（１０）にフィードバックし、この際に、前記磁石構造群（３．１）の応答閾値を上回る電流（Ｉ）が前記電磁弁（３）の切換え操作を作動させるようになっており、前記評価および制御回路（１０）が、テスト運転中に前記ＰＷＭ装置（２０）を介して、前記磁石構造群（３．１）を通る、前記応答閾値を下回るテスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）を生ぜしめるデューティ比（ＴＶ１，ＴＶ２）を有する少なくとも１つのテストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）を生成し、かつアウトプットする形式のものにおいて、
   前記評価および制御ユニット（１０）がテスト運転中に少なくとも２つの異なるテストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）を生成し、かつアウトプットし、発生したテスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）を検出し、この際に、前記評価および制御ユニット（１０）が、予め設定された前記テストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）および発生した前記テスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）から、実際に支配している環境条件を導き出し、この実際に支配している環境条件に基づいて通常運転中に、前記電磁弁（３）を切換えるための、前記応答閾値を上回る電流（Ｉ）を生ぜしめる後続のＰＷＭ信号（ＰＷＭ）を生成し、かつアウトプットすることを特徴とする、電磁（３）弁を制御するための装置（１）。
2. 前記評価および制御ユニット（１０）が前記ＰＷＭ装置（２０）を介して、第１のテスト電流（ＩＴ１）を生ぜしめる第１のデューティ比（ＴＶ１）を有する第１のテストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１）、および第２のテスト電流（ＩＴ２）を生ぜしめる第２のデューティ比（ＴＶ２）を有する第２のテストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ２）を生成し、かつ前記電磁弁（３）の前記磁石構造群（３．１）にアウトプットし、この際に、前記電流測定装置（ＡＭ）が発生した前記テスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）を前記評価および制御ユニット（１０）にフィードバックすることを特徴とする、請求項１記載の装置（１）。
3. 前記評価および制御ユニット（１０）が、実際に支配している前記環境条件のために、前記テストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）の予め設定された前記デューティ比（ＴＶ１，ＴＶ２）、および発生しかつ測定された前記テスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）から、前記デューティ比（ＴＶ１，ＴＶ２）と前記発生したテスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）との間の実際の関数関係を算出し、この関数関係を介して印加しようとするＰＷＭ信号（ＰＷＭ）の対応するデューティ比（ＴＶ）を通常運転中に外挿法によって求め、前記ＰＷＭ装置（２０）を介して対応するＰＷＭ信号（ＰＷＭ）を生成し、かつアウトプットすることを特徴とする、請求項２記載の装置（１）。
4. 前記評価および制御装置（１０）が、様々なテストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）を予め設定可能な時間窓内でまたは事象に合わせてまたは所定の時点で前記ＰＷＭ装置（２０）を介して生成し、かつアウトプットすることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置（１）。
5. 前記評価および制御ユニット（１０）が通常運転中に、前記ＰＷＭ信号（ＰＷＭ）および前記発生した電流（Ｉ）から実際に支配している環境条件を導き出し、この実際に支配している環境条件に基づいて後続の切換え操作のために、前記電磁弁（３）を切換えるための、前記応答閾値を上回る電流（Ｉ）を生ぜしめるデューティ比（ＴＶ）を有する後続のＰＷＭ信号（ＰＷＭ）を生成し、かつアウトプットすることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置（１）。
6. 少なくとも１つの電磁弁（３）と電磁弁（３）を制御するための少なくとも１つの装置（１）とを有する液圧装置（５）において、
   電磁弁（３）を制御するための前記装置（１）が、請求項１から５までのいずれか１項に従って構成されていることを特徴とする、液圧装置。
7. 電磁弁（３）を制御するための方法であって、
   ＰＷＭ信号（ＰＷＭ）を生成し、かつ通常運転中に電磁弁（３）の磁石構造群（３．１）にアウトプットするステップと、
   前記ＰＷＭ信号（ＰＷＭ）のデューティ比（ＴＶ）に基づく、前記磁石構造群（３．１）を通る発生した電流（Ｉ）を検出し、かつフィードバックするステップと、を有しており、
   この場合、前記磁石構造群（３．１）の応答閾値を上回る電流（Ｉ）によって前記電磁弁（３）の切換え操作が作動され、テスト運転中に、前記応答閾値を下回る、前記磁石構造群（３．１）を通るテスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）を生ぜしめる少なくとも１つのテストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）が生成され、かつアウトプットされる方法において、
   少なくとも２つの異なるテストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）をテスト運転中に生成し、かつアウトプットするステップと、
   発生した前記テスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）を検出するステップと、
   実際に支配している環境条件を、予め設定された前記テストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）および発生した前記テスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）から導き出すステップと、
   前記実際に支配している環境条件に基づいて、前記電磁弁（３）を切換えるための、前記応答閾値を上回る電流（Ｉ）を生ぜしめる後続のＰＷＭ信号（ＰＷＭ）を、通常運転中に生成し、かつアウトプットするステップと、
   を有していることを特徴とする、電磁弁（３）を制御するための方法。
8. 第１のテスト電流（ＩＴ１）を生ぜしめる第１のデューティ比（ＴＶ１）を有する第１のテストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１）、および第２のテスト電流（ＩＴ２）を生ぜしめる第２のデューティ比（ＴＶ２）を有する第２のテストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ２）を生成し、かつ前記電磁弁（３）の前記磁石構造群（３．１）にアウトプットし、発生したテスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）を検出し、この際に、異なる前記テストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）を、予め設定可能な時間窓内でまたは事象に合わせてまたは所定の時点で生成し、かつアウトプットすることを特徴とする、請求項７記載の方法。
9. 実際に支配している環境条件のために、前記テストＰＷＭ信号（ＴＰＷＭ１，ＴＰＷＭ２）の予め設定された前記デューティ比（ＴＶ１，ＴＶ２）、および発生しかつ検出された前記テスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）から、前記デューティ比（ＴＶ１，ＴＶ２）と前記発生したテスト電流（ＩＴ１，ＩＴ２）との間の実際の関数関係を算出し、この関数関係を介して印加しようとする後続のＰＷＭ信号（ＰＷＭ）の対応するデューティ比（ＴＶ）を通常運転中に外挿法によって求め、対応する後続のＰＷＭ信号（ＰＷＭ）を生成し、かつアウトプットすることを特徴とする、請求項８記載の方法。
10. 通常運転中に、前記ＰＷＭ信号（ＰＷＭ）および前記発生した電流（Ｉ）から実際に支配している環境条件を導き出し、この実際に支配している環境条件に基づいて後続の切換え操作のために、前記電磁弁（３）を切換えるための、前記応答閾値を上回る電流（Ｉ）を生ぜしめるデューティ比（ＴＶ）を有する後続のＰＷＭ信号（ＰＷＭ）を生成し、かつアウトプットすることを特徴とする、請求項７から９までのいずれか１項記載の方法。

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