JP2018146736A - 光90度位相器、ssb変調器および光ヘテロダイン直交検波レーザレーダ - Google Patents

光90度位相器、ssb変調器および光ヘテロダイン直交検波レーザレーダ Download PDF

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【課題】従来よりも簡単な構成で90度の位相差を有する光を生成する。【解決手段】光90度位相器10は、入力光P1を導波路13と導波路14に分岐すると共に、導波路14を伝播する光を導波路16と導波路21に分岐し、導波路14および導波路16に同じ熱量を供給して、導波路14および導波路16を伝播する光を変調し、変調された導波路16を伝播する光と、導波路13を伝播する光との干渉光の光量が少なくなるように、導波路14および導波路16に供給する熱量を制御する。【選択図】図1

Description

本発明は、光90度位相器、SSB(Single Side Band)変調器および光ヘテロダイン直交検波レーザレーダに関する。
従来から、90度の位相差を有する光を利用する各種の光装置が提案されている。
例えば、特許文献1では、90度の位相差を有する光を合波する光送信装置が開示されている。
特開2013−26758号公報
図8に特許文献1に係る光送信装置80の構成を示す機能ブロック図を示す。図8に示すように、光送信装置80は、光位相変調器81と制御ループ82を備える。
光位相変調器81は、入力された光源83の光を分岐して、一方を第1の光位相変調部84に入力し、他方を第2の光位相変調部85に入力する。第2の光位相変調部85の出力光は、更に光位相シフト部86に入力される。そして、第1の光位相変調部84の出力光と、光位相シフト部86の出力光が合成され、伝送路へ出力される伝送光信号が生成される。
この際、制御ループ82は、伝送光信号をモニタして、加算器94で微小変調信号発生器93と加算することによって得られる制御信号によって、光位相シフト部86での位相差を90度に制御する位相シフト量制御信号を生成する。
そのため、制御ループ82には、フォトダイオード87、ピーク検出部90、同期検波部91、制御部92、微小変調信号発生器93、加算器94および信号補正部95を備える。更に、信号補正部95は、LPF(Low Pass Filter)88および補正用加算器89を備える。
フォトダイオード87は、伝送光信号をモニタする。信号補正部95は、伝送光信号に含まれる微小変調信号発生器93より出力された微小変調信号の周波数から、平均強度変動成分を除去する。ピーク検出部90は、信号補正部95の出力信号の振幅を検出し、検出信号を同期検波部91に出力する。同期検波部91は、検出信号を微小変調信号発生器93から出力された微小変調信号で同期検波して、同期検波出力を制御部92に出力する。制御部92は、同期検波出力に基づき、光位相シフト部86の位相シフト量を90度に制御するための位相シフト量制御信号を生成する。
このように従来の光送信装置80では、90度の位相差を有する光を生成するため、例えば制御ループ82に示されるような複数の機能部を有する複雑な構成をとる必要があった。
本発明は、上記に示した問題点を鑑みてなされたものであり、従来よりも簡単な構成で90度の位相差を有する光を生成する光90度位相器、並びに、光90度位相器を用いたSSB変調器および光ヘテロダイン直交検波レーザレーダを提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の光90度位相器は、レーザ光源から出力された光を第1の導波路と第2の導波路に分岐する第1の分岐部と、前記第1の導波路を伝播する光を第3の導波路と第4の導波路に分岐する第2の分岐部と、前記第1の導波路および前記第4の導波路に同じ熱量を供給して、前記第1の導波路および前記第4の導波路を伝播する光を変調する変調部と前記変調部によって変調された、前記第4の導波路を伝播する光と、前記第2の導波路を伝播する光との干渉光の光量を検出する光検出部と、前記光検出部で検出される前記干渉光の光量が少なくなるように、前記変調部から前記第1の導波路および前記第4の導波路に供給する熱量を制御する制御部と、を備える。
請求項2に記載の光90度位相器は、電圧または電流が供給されることによって、前記第1の導波路および前記第4の導波路にそれぞれ熱量を供給する前記変調部における第1の加熱領域の形状と第2の加熱領域の形状が同じであり、かつ、前記第1の加熱領域を通過する前記第1の導波路の形状と前記第2の加熱領域を通過する前記第4の導波路の形状が同じであり、前記制御部は、前記光検出部で検出される前記干渉光の光量が少なくなるように、かつ、前記加熱領域の各々に供給する電圧または電流が同じになるように前記変調部を制御する。
請求項3に記載の光90度位相器は、前記変調部の前記第1の加熱領域および前記第2の加熱領域を直列に接続し、前記制御部は、直列に接続された前記第1の加熱領域および前記第2の加熱領域に、電圧または電流を供給するように前記変調部を制御する。
請求項4に記載の光90度位相器は、前記変調部の前記第1の加熱領域および前記第2の加熱領域がヒータで構成される。
請求項5に記載の光90度位相器は、前記変調部の前記第1の加熱領域および前記第2の加熱領域がPN接合、PP接合またはNN接合を有する光変調器で構成される。
請求項6に記載のSSB変調器は、請求項1から請求項5の何れか1項に記載した光90度位相器と、前記光90度位相器の前記第2の導波路を伝播する光を変調する第1の平衡変調器と、前記光90度位相器の前記第3の導波路を伝播する光を変調する第2の平衡変調器と、前記第1の平衡変調器および前記第2の平衡変調器の各々に搬送波信号を入力する信号源と、前記第2の平衡変調器に入力する搬送波信号の位相を、前記第1の平衡変調器に入力する搬送波信号の位相に対して90度ずらす位相器と、を備える。
請求項7に記載の光ヘテロダイン直交検波レーザレーダは、複数の導波路の各々に熱量を供給することで光の放射角度を調整し、測定対象物に光を放射する放射用光フェーズドアレイアンテナと、複数の導波路の各々に熱量を供給することで光の受光角度を調整し、前記放射用光フェーズドアレイアンテナから放射された光のうち、前記測定対象物で反射した光を受光する第1の受光用光フェーズドアレイアンテナおよび第2の受光用光フェーズドアレイアンテナと、請求項1から請求項5の何れか1項に記載した光90度位相器と、前記光90度位相器の前記第2の導波路を伝播する光と、前記第1の受光用光フェーズドアレイアンテナで受光した光との干渉光の光量を検出する第1の光検出器と、前記光90度位相器の前記第3の導波路を伝播する光と、前記第2の受光用光フェーズドアレイアンテナで受光した光との干渉光の光量を検出する第2の光検出器と、前記第1の光検出器および前記第2の光検出器での各々の検出結果に対して複素フーリエ変換を行い、前記測定対象物に対するドップラー周波数を演算する演算装置と、を備える。
以上説明したように、本発明に係る光90度位相器、並びに、光90度位相器を用いたSSB変調器および光ヘテロダイン直交検波レーザレーダによれば、従来よりも簡単な構成で90度の位相差を有する光を生成することができる、という効果を奏する。
光90度位相器の構成例を示す図である。 薄膜ヒータの形状の一例を示す図である。 光90度位相器を光集積回路で構成した場合における層構造の一例を示す図である。 光変調器の層構造の一例を示す図である。 光90度位相器を用いたSSB変調器の構成例を示す図である。 光90度位相器を用いた光ヘテロダイン直交検波レーザレーダにおける光の伝播経路の一例を示す図である。 光ヘテロダイン直交検波レーザレーダの構成例を示す機能ブロック図である。 従来の光送信装置の構成例を示す機能ブロック図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1は、本実施の形態に係る光90度位相器10の構成例を示す図である。光90度位相器10の入力端11には、利得媒体の一例である半導体光増幅器(Semiconductor Optical Amplifier:SOA)等の図示しないレーザ光源から出力された光(以降、「入力光P1」という)が入力される。入力端11に入力された入力光P1は、例えば光カプラ等の分岐装置によって構成される分岐部12に入力され、導波路13を伝播する光と、導波路14を伝播する光に2分岐される。ここで、分岐部12は第1の分岐部の一例であり、導波路14は第1の導波路の一例であり、導波路13は第2の導波路の一例である。
導波路13を伝播する光は、更に分岐部19に入力され、導波路18を伝播する光と、導波路20を伝播する光に2分岐される。そして、導波路20を伝播する光が出力光P2として光90度位相器10から出力される。すなわち、出力光P2は入力光P1と同じ位相を有する光である。
一方、分岐部12で分岐され、導波路14を伝播する光は、更に分岐部15に入力され、導波路16を伝播する光と、導波路21を伝播する光に2分岐される。ここで、分岐部15は第2の分岐部の一例であり、導波路21は第3の導波路の一例であり、導波路16は第4の導波路の一例である。
そして、導波路21を伝播する光が出力光P3として光90度位相器10から出力される。
導波路16を伝播する光および導波路18を伝播する光は、例えば光カプラ等の合波装置によって構成される合波部17に入力され、導波路16を伝播する光と導波路18を伝播する光との合波によって得られた干渉光が、例えば光を検出し、検出した光の光量に応じた電圧値または電流値を出力するPN接合フォトダイオード等で構成される光検出器22に入力される。ここでは一例として、光検出器22は、光量に応じた電流値を出力するものとして説明を行うが、電流値の代わりに光量に応じた電圧値を出力してもよい。なお、光検出器22は、光検出部の一例である。
また、導波路14および導波路16には、その一部が導波路14および導波路16に沿って延伸し、導波路14および導波路16を覆う薄膜ヒータ26が配置される。薄膜ヒータ26の両端には制御部23から電圧が供給され、導波路14および導波路16を加熱する。
制御部23は、AD変換回路24および駆動回路25を備え、AD変換回路24は、光検出器22から出力された電流値を、例えばNビット(Nは整数)のデジタル値として表される電流値に変換する。駆動回路25は、AD変換回路24から出力される電流値を受け付け、受け付けた電流値、すなわち、光検出器22で検出した光量に応じて、薄膜ヒータ26に供給する電圧を制御する。
薄膜ヒータ26で導波路14および導波路16を加熱することで、導波路14および導波路16の屈折率が変化するため、薄膜ヒータ26から供給される熱量に応じて、導波路14および導波路16を伝播する光の位相が変化する。すなわち、薄膜ヒータ26は、光を変調する変調器の一例である。
図2は、薄膜ヒータ26の形状について詳細に示した図である。図2に示すように、薄膜ヒータ26は、導波路16に沿って延伸する矩形状の加熱部26Aと、導波路14に沿って延伸する矩形状の加熱部26Bと、長手方向が加熱部26Aおよび加熱部26Bのそれぞれの長手方向に対して直交するように配置され、加熱部26Aおよび加熱部26Bのそれぞれの一端を接続する矩形状の加熱部26Cを有する。また、薄膜ヒータ26は、加熱部26Aの他端と接続されると共に、接続点K3で制御部23と接続され、制御部23から電圧の供給を受ける加熱部26Dと、加熱部26Bの他端と接続されると共に、接続点K2で制御部23と接続され、制御部23から電圧の供給を受ける加熱部26Eを有する。
ここで、導波路16に沿った加熱部26Aの長さ(すなわち、加熱部26Aの幅)LAと、導波路14に沿った加熱部26Bの長さ(すなわち、加熱部26Bの幅)LBは同じ長さであり、導波路16に沿った方向と直交する方向における加熱部26Aの長さ(すなわち、加熱部26Aの奥行き)WAと、導波路14に沿った方向と直交する方向における加熱部26Bの長さ(すなわち、加熱部26Bの奥行き)WBとは同じ長さである。
また、幅LAおよび奥行きWAとそれぞれ直交する方向(以降、「導波路16の厚さ方向」という)における加熱部26Aの長さ(すなわち、加熱部26Aの厚さ)HAと、幅LBおよび奥行きWBとそれぞれ直交する方向(以降、「導波路14の厚さ方向」という)における加熱部26Bの長さ(すなわち、加熱部26Bの厚さ)HBも、同じ長さである。
すなわち、薄膜ヒータ26において、加熱部26Aと加熱部26Bは同じ形状を有する。ここで、「形状が同じ」とは、物体の幅、奥行き、厚さが同じで、2つの物体が重なり合うことをいう。同様に、加熱部26Dおよび加熱部26Eも同じ形状を有する。
また、薄膜ヒータ26の各部、すなわち、加熱部26A、26B、26C、26D、26Eは、それぞれ同じ材質で構成されている。すなわち、加熱部26Aと加熱部26Bにおける抵抗値は同じになる。
更に、加熱部26Aで覆われている範囲の導波路16の形状および材質、並びに、加熱部26Bで覆われている範囲の導波路14の形状および材質も同じに構成される。
加熱部26Aと加熱部26Bは加熱部26Cによって直列に接続されているため、制御部23から薄膜ヒータ26に電圧が供給された場合、供給された電圧値に応じた電流が薄膜ヒータ26に流れ、加熱部26Aで覆われている範囲の導波路16と、加熱部26Bで覆われている範囲の導波路14とにそれぞれ同じ熱量が供給される。そして、薄膜ヒータ26から供給される熱量に応じて、導波路14および導波路16を伝播する光の位相が変化する。
導波路16および導波路18を伝播する光は、入力光P1の分岐光であるため、導波路16を伝播する光の位相が、導波路18を伝播する光の位相に対して180度ずれると、光検出器22で検出される、導波路16を伝播する光と導波路18を伝播する光の干渉光の光量が最も少なくなる。
この場合には、導波路14および導波路16には、薄膜ヒータ26によって同じ熱量が供給されているため、導波路14および導波路16における光の屈折率が同じになっている。すなわち、導波路14と導波路16の分岐点K1における光の位相は、入力光P1に対して180度の半分、すなわち90度の位相差を有していることになる。
したがって、制御部23で、光検出器22で検出される光量が最も少なくなるように、光検出器22から出力される電流値を監視しながら薄膜ヒータ26に供給する電圧値を制御することによって、分岐点K1から分岐する導波路21の出力光P3が、出力光P2に対して90度の位相差を有する光となる。
なお、導波路14、導波路16および薄膜ヒータ26の配置に関して、図1の例では、薄膜ヒータ26の形状、並びに、薄膜ヒータ26に覆われた部分の導波路14および導波路16のそれぞれの形状が、例えば加熱部26Cの中央を通過し、加熱部26Aの長手方向に沿った線分Gを対称軸とした線対称となっている。
このように、特定の線分に対して薄膜ヒータ26の形状、並びに、薄膜ヒータ26に覆われた部分の導波路14および導波路16の形状が線対称となるように導波路14、導波路16および薄膜ヒータ26を配置することによって、薄膜ヒータ26から導波路14および導波路16に供給される熱量を簡単に同じにすることができる。
しかし、必ずしも導波路14、導波路16および薄膜ヒータ26を、特定の線分に対して線対称となる位置に配置する必要はなく、加熱部26Aおよび加熱部26Bの形状が同じであり、加熱部26Aで覆われている範囲の導波路16の形状および加熱部26Bで覆われている範囲の導波路14の形状が同じであればよい。
図3は、光90度位相器10を光集積回路30として構成した場合における層構造の一例を示した図である。なお、図3は、図1における薄膜ヒータ26と導波路14および導波路16の物理的な位置関係を示した図ではなく、例えば導波路14および導波路16等の導波路の代わりに、図3の説明だけに用いる便宜上の導波路33を用いて、薄膜ヒータ26と、導波路33との位置関係を示した図である。
光集積回路30は、例えばSiの基板31、基板31上に形成されたSiO2(二酸化珪素)層32および導波路33を含むように構成される。光集積回路30では、薄膜ヒータ26を、例えば基板31と反対の表面上に配置し、導波路33を加熱するように構成される。
また、図1に示した光90度位相器10の例では、変調部の一例として薄膜ヒータ26を用いたが、図4に示す光変調器40のように、光の導波路として機能するリッジ部49に接続されたN電極44aおよびP電極44bから電流を注入して、リッジ部49を伝播する光の屈折率を制御するようにしてもよい。
図4に示す光変調器40は、例えばSiの基板41、基板41上に形成されたSiO2層42、43を備える。そして、SiO2層42、43に挟まれるように、Siに規定量より少なくN型不純物を拡散(ドーピング)したN−ドープ領域であるN−Si領域48aと、Siに規定量より少なくP型不純物をドーピングしたP−ドープ領域であるP−Si領域48bが構成される。なお、N−Si領域48aとP−Si領域48bは、それぞれリッジ部49の中央部まで延伸してリッジ部49内でPN接合を形成している。
N−Si領域48aには、Siに規定量より多くN型不純物をドーピングしたN+ドープ領域であるN+Si領域47aが積層され、P−Si領域48bには、Siに規定量より多くP型不純物をドーピングしたP+ドープ領域であるP+Si領域47bが積層される。そして、N+Si領域47aは、ビア46aを介してN電極44aと接続され、P+Si領域47bは、ビア46bを介してP電極44bと接続される。
上記のような構成を有する光変調器40では、N電極44aおよびP電極44bとの間に電流が注入されると、キャリアプラズマ効果によって、N−Si領域48aとP−Si領域48bによって形成されるPN接合における屈折率が変化し、リッジ部49を伝播する光の位相変調が行われる。
したがって、導波路14の1部分および導波路16の1部分を、それぞれ図4に示す光変調器40のリッジ部49として同じ長さだけ構成し、導波路14および導波路16での光の屈折率が同じになるように、制御部23でそれぞれの光変調器40のN電極44aおよびP電極44bに注入する電流を制御してもよい。
上記の例では、PN接合を有する光変調器40を用いたが、領域48aおよび領域48b共にP型不純物をドーピングしたPP接合を有する光変調器40、または領域48aおよび領域48b共にN型不純物をドーピングしたNN接合を有する光変調器40を用いてもよい。
なお、熱容量は非線形性を有するため、薄膜ヒータ26による導波路14、16の加熱特性も非線形となる。したがって、光変調器40を用いた方が、薄膜ヒータ26を用いる場合と比較して光の屈折率を精度よく制御することができる。
<光90度位相器10の応用例1>
図5は、光90度位相器10を用いたSSB変調器50の構成例を示す図である。
図5に示すように、SSB変調器50は、光90度位相器10、メインマッハツェンダー干渉計34、第1サブマッハツェンダー干渉計36、第2サブマッハツェンダー干渉計38、搬送波信号源35および90度位相器39を備える。ここで、第1サブマッハツェンダー干渉計36は第1の平衡変調器の一例であり、第2サブマッハツェンダー干渉計38は第2の平衡変調器の一例である。
導波路20を伝播する光90度位相器10の出力光P2は第1サブマッハツェンダー干渉計36に入力され、導波路36−1と導波路36−2を伝播する光に分岐される。一方、導波路21を伝播する光90度位相器10の出力光P3は第2サブマッハツェンダー干渉計38に入力され、導波路38−1と導波路38−2を伝播する光に分岐される。
導波路36−2には、搬送波信号源35から出力される搬送波信号によって光を変調する変調部36−3が配置され、導波路36−1を伝播する光と、導波路36−2を伝播する変調光との合波光が導波路28を伝播する。
導波路38−1には、90度位相器39で90度位相がずらされた搬送波信号源35から出力される搬送波信号によって光を変調する変調部38−3が配置され、導波路38−1を伝播する変調光と、導波路38−2を伝播する光との合波光が導波路29を伝播する。
導波路28を伝播する合波光と導波路29を伝播する合波光は、更にメインマッハツェンダー干渉計34で合波され、メインマッハツェンダー干渉計34の出力がSSB変調光P4としてSSB変調器50から出力される。
SSB変調器50では、第1サブマッハツェンダー干渉計36と第2サブマッハツェンダー干渉計38に位相差が90度の光(信号波)を入力する必要があることから、光90度位相器10の出力光P2および出力光P3をそれぞれ入力すればよい。
ここで、第1サブマッハツェンダー干渉計36と第2サブマッハツェンダー干渉計38は、入力された信号波と搬送波信号から側波帯を出力する平衡変調器の一例である。
なお、第1サブマッハツェンダー干渉計36、第2サブマッハツェンダー干渉計38およびメインマッハツェンダー干渉計34の代わりに、それぞれLiNbO3結晶のポッケルス効果による屈折率変化を利用したLN変調器を用いてもよい。
<光90度位相器10の応用例2>
図6は、光90度位相器10を用いた光ヘテロダイン直交検波レーザレーダ70(以降、「レーザレーダ70」という)における光の伝播経路の一例を示した図である。
図6に示すように、レーザレーダ70は、光90度位相器10、送信用光フェーズドアレイアンテナ52(以降、「光フェーズドアレイ52」という)、受信用第1光フェーズドアレイアンテナ62(以降、「光フェーズドアレイ62」という)、受信用第2光フェーズドアレイアンテナ72(以降、「光フェーズドアレイ72」という)、光検出器56および光検出器57を備える。ここで、光フェーズドアレイ52は放射用光フェーズドアレイアンテナの一例であり、光フェーズドアレイ62は第1の受光用光フェーズドアレイアンテナの一例であり、光フェーズドアレイ72は第2の受光用光フェーズドアレイアンテナの一例である。
レーザレーダ70では、入力光P1が2分岐され、一方の入力光P1が光フェーズドアレイ52に入力され、他方の入力光P1が光90度位相器10に入力される。
ここで、光フェーズドアレイ52とは、入力光P1を図示しない光カプラによって複数の導波路(図6の例では、52−1から52−8の8本)に分岐させ、導波路52−1〜導波路52−8の端部から光を放射する光アンテナの一例である。以降では、導波路52−1から導波路52−8をまとめて「導波路52」という場合がある。
導波路52において、光を放射する側の端部には回折格子53が設けられており、導波路52を伝播する入力光P1は出力光P1Aとして、回折格子53から測定対象物Qに向けて放射される。
光フェーズドアレイ52には、導波路52の各々を加熱する薄膜ヒータ54A、54Bが取り付けられており、薄膜ヒータ54A、54Bで導波路52を加熱することで、導波路52を伝播する各々の光の屈折率を変化させ、回折格子53から放射される光の放射角度を変えることができる。
薄膜ヒータ54Aは、導波路52−1から導波路52−8に進むにつれて、導波路52を加熱する面積が大きくなるような形状を有する(一例として、図6では三角形の形状で表している)。逆に、薄膜ヒータ54Bは、導波路52−1から導波路52−8に進むにつれて、導波路52を加熱する面積が小さくなるような形状を有する。
光の屈折率は、導波路52に供給される熱量(薄膜ヒータ54A、54Bの発熱量)に応じて変化するため、導波路52の各々から放射される光の位相が変化することで、出力光P1Aの伝播方向が変化する。したがって、測定対象物Qに向かって出力光P1Aを放射することができる。
光フェーズドアレイ62、72は、測定対象物Qに向かって放射された出力光P1Aのうち、測定対象物Qで反射した反射光P5を受光する。
光フェーズドアレイ62、72は、光フェーズドアレイ52と光の伝播方向が逆方向になるだけで、光フェーズドアレイ52と同じ構造を備えている。
すなわち、光フェーズドアレイ62には、導波路62−1から導波路62−8まで(以降、「導波路62」という)の各々を加熱する薄膜ヒータ64A、64Bが取り付けられており、薄膜ヒータ64A、64Bで導波路62を加熱することで導波路62の屈折率を変化させ、回折格子63で受光する光の受光角度を変えることができる。
また、光フェーズドアレイ72には、導波路72−1から導波路72−8まで(以降、「導波路72」という)の各々を加熱する薄膜ヒータ74A、74Bが取り付けられており、薄膜ヒータ74A、74Bで導波路72を加熱することで導波路72の屈折率を変化させ、回折格子73で受光する光の受光角度を変えることができる。
光フェーズドアレイ62で受光した反射光P5は、光90度位相器10の出力光P2と合波され、合波による干渉光が光検出器56に入力される。また、光フェーズドアレイ72で受光した反射光P5は、光90度位相器10の出力光P3と合波され、合波による干渉光が光検出器57に入力される。ここで、出力光P2と出力光P3は、光90度位相器10によって90度の位相差を有するため、レーザレーダ70の入力光P1としてコサイン波を入力すれば、出力光P2をコサイン波、出力光P3をサイン波に設定することができる。
すなわち、光検出器56には、反射光P5にコサイン波(出力光P2)が乗じられた光が入力され、光検出器57には、反射光P5にサイン波(出力光P3)が乗じられた光が入力される。なお、光検出器56は第1の光検出器の一例であり、光検出器57は第2の光検出器の一例である。
図7は、レーザレーダ70の機能ブロック例を示す図である。
タイミング制御回路106の指示に従って、駆動回路110がレーザ光源100を駆動し、入力光P1を照射させる。この際、タイミング制御回路106は駆動回路108を制御して、光フェーズドアレイ52の薄膜ヒータ54A、54B、光フェーズドアレイ62の薄膜ヒータ64A、64Bおよび光フェーズドアレイ72の薄膜ヒータ74A、74Bを駆動させ、光フェーズドアレイ52における出力光P1Aの放射角度、並びに、光フェーズドアレイ62、72における反射光P5の受光角度を調整する。
また、レーザ光源100から照射される入力光P1は光90度位相器10に入力され、光フェーズドアレイ62で受光した反射光P5と光90度位相器10の出力光(コサイン波)P2とが合波器102で合波され、光検出器56を含む検出回路112に入力される。更に、光フェーズドアレイ72で受光した反射光P5と光90度位相器10の出力光(サイン波)P3とが合波器104で合波され、光検出器57を含む検出回路114に入力される。
検出回路112は、反射光P5とコサイン波P2とによる第1干渉光の光量を検出し、BPF(Band Pass Filter)116で検出結果に含まれるノイズ成分を除去した後、第1干渉光の光量がADC(Analog to Digital Converter)120に入力される。
同様に、検出回路114は、反射光P5とサイン波P3とによる第2干渉光の光量を検出し、BPF118で検出結果に含まれるノイズ成分を除去した後、第2干渉光の光量がADC122に入力される。
ADC120でデジタル値として表された第1干渉光の光量と、ADC122でデジタル値として表された第2干渉光の光量は、共に演算装置の一例である複素FFT124に入力され、複素FFT124において、複素フーリエ変換が実行される。複素FFT124は、複素フーリエ変換の演算結果から測定対象物Qに対するドップラー周波数を算出する。
そして、レーザレーダ70は、公知の手法を用いてドップラー周波数から測定対象物Qまでの距離および相対速度等を算出する。
このように本実施形態に係る光90度位相器10によれば、薄膜ヒータ26を用いた変調部と、同じ光源からの分岐光である無変調の光と変調部で変調した光との干渉光の光量を検出する光検出器22と、干渉光の光量が最も少なくなるように変調部における光の変調量を制御する制御部23とを用いて、90度の位相差を有する出力光P2および出力光P3を生成する。すなわち、光90度位相器10は従来よりも簡単な構成で、90度の位相差を有する出力光P2およびP3を生成することができる。
したがって、光90度位相器10を用いたSSB変調器50および光90度位相器10を用いたレーザレーダ70の構成も、それぞれ従来のSSB変調器およびレーザレーダよりも簡単な構成にすることができるため、装置の小型化および低コスト化が図られる。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。
例えば、光90度位相器10の制御部23は、薄膜ヒータ26に供給する電圧を制御して導波路14、16を伝播する光の屈折率を制御したが、薄膜ヒータ26に供給する電流を制御してもよいことは言うまでもない。
10・・・光90度位相器
22、56、57・・・光検出器
23・・・制御部
26・・・薄膜ヒータ
30・・・光集積回路
34・・・メインマッハツェンダー干渉計
35・・・搬送波信号
36・・・第1サブマッハツェンダー干渉計
38・・・第2サブマッハツェンダー干渉計
39・・・90度位相器
40・・・光変調器
50・・・SSB変調器
52・・・送信用光フェーズドアレイアンテナ
62・・・受信用第1光フェーズドアレイアンテナ
70・・・光ヘテロダイン直交検波レーザレーダ(レーザレーダ)
72・・・受信用第2光フェーズドアレイアンテナ
80・・・光送信装置
Q・・・測定対象物

Claims (7)

  1. レーザ光源から出力された光を第1の導波路と第2の導波路に分岐する第1の分岐部と、
    前記第1の導波路を伝播する光を第3の導波路と第4の導波路に分岐する第2の分岐部と、
    前記第1の導波路および前記第4の導波路に同じ熱量を供給して、前記第1の導波路および前記第4の導波路を伝播する光を変調する変調部と
    前記変調部によって変調された、前記第4の導波路を伝播する光と、前記第2の導波路を伝播する光との干渉光の光量を検出する光検出部と、
    前記光検出部で検出される前記干渉光の光量が少なくなるように、前記変調部から前記第1の導波路および前記第4の導波路に供給する熱量を制御する制御部と、
    を備えた光90度位相器。
  2. 電圧または電流が供給されることによって、前記第1の導波路および前記第4の導波路にそれぞれ熱量を供給する前記変調部における第1の加熱領域の形状と第2の加熱領域の形状が同じであり、かつ、前記第1の加熱領域を通過する前記第1の導波路の形状と前記第2の加熱領域を通過する前記第4の導波路の形状が同じであり、
    前記制御部は、前記光検出部で検出される前記干渉光の光量が少なくなるように、かつ、前記加熱領域の各々に供給する電圧または電流が同じになるように前記変調部を制御する
    請求項1記載の光90度位相器。
  3. 前記変調部の前記第1の加熱領域および前記第2の加熱領域を直列に接続し、
    前記制御部は、直列に接続された前記第1の加熱領域および前記第2の加熱領域に、電圧または電流を供給するように前記変調部を制御する
    請求項2記載の光90度位相器。
  4. 前記変調部の前記第1の加熱領域および前記第2の加熱領域がヒータで構成された
    請求項2または請求項3記載の光90度位相器。
  5. 前記変調部の前記第1の加熱領域および前記第2の加熱領域がPN接合、PP接合またはNN接合を有する光変調器で構成された
    請求項2または請求項3記載の光90度位相器。
  6. 請求項1から請求項5の何れか1項に記載した光90度位相器と、
    前記光90度位相器の前記第2の導波路を伝播する光を変調する第1の平衡変調器と、
    前記光90度位相器の前記第3の導波路を伝播する光を変調する第2の平衡変調器と、
    前記第1の平衡変調器および前記第2の平衡変調器の各々に搬送波信号を入力する信号源と、
    前記第2の平衡変調器に入力する搬送波信号の位相を、前記第1の平衡変調器に入力する搬送波信号の位相に対して90度ずらす位相器と、
    を備えたSSB変調器。
  7. 複数の導波路の各々に熱量を供給することで光の放射角度を調整し、測定対象物に光を放射する放射用光フェーズドアレイアンテナと、
    複数の導波路の各々に熱量を供給することで光の受光角度を調整し、前記放射用光フェーズドアレイアンテナから放射された光のうち、前記測定対象物で反射した光を受光する第1の受光用光フェーズドアレイアンテナおよび第2の受光用光フェーズドアレイアンテナと、
    請求項1から請求項5の何れか1項に記載した光90度位相器と、
    前記光90度位相器の前記第2の導波路を伝播する光と、前記第1の受光用光フェーズドアレイアンテナで受光した光との干渉光の光量を検出する第1の光検出器と、
    前記光90度位相器の前記第3の導波路を伝播する光と、前記第2の受光用光フェーズドアレイアンテナで受光した光との干渉光の光量を検出する第2の光検出器と、
    前記第1の光検出器および前記第2の光検出器での各々の検出結果に対して複素フーリエ変換を行い、前記測定対象物に対するドップラー周波数を演算する演算装置と、
    を備えた光ヘテロダイン直交検波レーザレーダ。
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