JP2018142472A - 光軸調整方法および電子線検査装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 138
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Description
電子線検査装置の光軸調整方法であって、
レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とアライナに供給される補正電流または補正電圧との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記レンズをウォブリングし、前記検出器にて撮像される電子像のシフト量を測定し、
(b)測定されたシフト量を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定されたシフト量が前記収束条件より大きい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記シフト量が小さくなるような補正電流または補正電圧を算出し、算出された補正電流または補正電圧を前記アライナに供給し、(a)からやり直す。
前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
(c)では、前記測定されたシフト量における前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定されたシフト量との積を、前記アライナの前回の補正電流または補正電圧に加えることで、前記アライナに供給すべき補正電流または補正電圧を算出する。
電子線検査装置の光軸調整方法であって、
アパーチャで吸収される吸収電流または前記アパーチャを通過する通過電流とアライナに供給される補正電流または補正電圧との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記アパーチャで吸収される吸収電流または前記アパーチャを通過する通過電流を測定し、
(b)測定された吸収電流または通過電流を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定された吸収電流が前記収束条件より大きい場合または測定された通過電流が前記収束条件より小さい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記吸収電流が小さくなるような補正電流または補正電圧もしくは前記通過電流が大きくなるような補正電流または補正電圧を算出し、算出された補正電流または補正電圧を前記アライナに供給し、(a)からやり直す。
前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
(c)では、前記測定された吸収電流または通過電流に対する前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定された吸収電流または通過電流との積を、前記アライナの前回の補正電流または補正電圧に加えることで、前記アライナに供給すべき補正電流または補正電圧を算出する。
対物レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とステージの位置との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記レンズをウォブリングし、前記検出器にて撮像される電子像のシフト量を測定し、
(b)測定されたシフト量を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定されたシフト量が前記収束条件より大きい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記シフト量が小さくなるようなステージの位置を算出し、算出された位置に前記ステージを移動し、(a)からやり直す。
前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
(c)では、前記測定されたシフト量に対する前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定されたシフト量との積を、前記ステージの前回の位置に加えることで、前記ステージを移動させるべき位置を算出する。
前記近似曲線は、2次曲線である。
電子発生源から放出された電子を試料に導く1次光学系と、
前記試料から放出される2次放出電子を検出器に結像させる2次光学系と、
前記1次光学系および前記2次光学系の動作を制御する制御部と、
を備え、
レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とアライナに供給される補正電流または補正電圧との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
前記制御部は、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記レンズをウォブリングし、前記検出器にて撮像される電子像のシフト量を測定し、
(b)測定されたシフト量を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定されたシフト量が前記収束条件より大きい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記シフト量が小さくなるような補正電流または補正電圧を算出し、算出された補正電流または補正電圧を前記アライナに供給し、(a)からやり直す。
前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
前記制御部は、(c)では、前記測定されたシフト量における前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定されたシフト量との積を、前記アライナの前回の補正電流または補正電圧に加えることで、前記アライナに供給すべき補正電流または補正電圧を算出する。
電子発生源から放出された電子を試料に導く1次光学系と、
前記試料から放出される2次放出電子を検出器に結像させる2次光学系と、
前記1次光学系および前記2次光学系の動作を制御する制御部と、
を備え、
レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とアライナに供給される補正電流または補正電圧との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
前記制御部は、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記アパーチャで吸収される吸収電流または前記アパーチャを通過する通過電流を測定し、
(b)測定された吸収電流または通過電流を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定された吸収電流が前記収束条件より大きい場合または測定された通過電流が前記収束条件より小さい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記吸収電流が小さくなるような補正電流または補正電圧もしくは前記通過電流が大きくなるような補正電流または補正電圧を算出し、算出された補正電流または補正電圧を前記アライナに供給し、(a)からやり直す。
前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
前記制御部は、(c)では、前記測定された吸収電流または通過電流に対する前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定された吸収電流または通過電流との積を、前記アライナの前回の補正電流または補正電圧に加えることで、前記アライナに供給すべき補正電流または補正電圧を算出する。
電子発生源から放出された電子を試料に導く1次光学系と、
前記試料から放出される2次放出電子を検出器に結像させる2次光学系と、
前記1次光学系および前記2次光学系の動作を制御する制御部と、
を備え、
対物レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とステージの位置との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
前記制御部は、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記対物レンズをウォブリングし、前記検出器にて撮像される電子像のシフト量を測定し、
(b)測定されたシフト量を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定されたシフト量が前記収束条件より大きい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記シフト量が小さくなるようなステージの位置を算出し、算出された位置に前記ステージを移動し、(a)からやり直す。
前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
前記制御部は、(c)では、前記測定されたシフト量に対する前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定されたシフト量との積を、前記ステージの前回の位置に加えることで、前記ステージを移動させるべき位置を算出する。
前記近似曲線は、2次曲線である。
コンピュータを、第8〜第14のいずれかの態様に係る電子線検査装置の制御部として機能させるためのプログラムである。
図1は、一実施の形態に係る電子線検査装置10の概略構成を示す概略図である。
次に、図4〜図8を参照し、制御部20によるレンズ41の光軸調整方法の一例を説明する。図4は、レンズ41の光軸調整方法の一例を示すフローチャートである。図5は、レンズ41の光軸調整方法の一例に係る装置構成を示す概略図である。図6は、レンズ41をウォブリングしたときに検出器15にて撮像される電子像のシフト量を測定する工程を説明するための図である。図7は、記憶装置22に記憶された相関関係に基づいてシフト量が小さくなるような補正電圧を算出する工程を説明するための図である。図8は、本件発明者らによる実際の検証により得られたグラフであって、レンズ41をウォブリングしたときに検出器15にて撮像される電子像のシフト量を測定した回数と測定されたシフト量との関係を示すグラフである。
次に、図9および図10を参照し、制御部20によるアパーチャ42の光軸調整方法の一例を説明する。図9は、アパーチャ42の光軸調整方法の一例を示すフローチャートである。図10は、アパーチャ42の光軸調整方法の一例に係る装置構成を示す概略図である。
次に、図11および図12を参照し、制御部20によるアパーチャ42の光軸調整方法の変形例を説明する。図11は、アパーチャ42の光軸調整方法の変形例を示すフローチャートである。図12は、アパーチャ42の光軸調整方法の変形例に係る装置構成を示す概略図である。
次に、図13を参照し、制御部20による対物レンズ43の光軸調整方法の変形例を説明する。図13は、対物レンズ43の光軸調整方法の変形例を示すフローチャートである。
11 コラム
11a 1次光学系
11b 2次光学系
12 電源/制御系
13 電子発生源
14 真空チャンバ
15 検出器
16 画像処理装置
17 ステージ
18 試料
19 ファラデーカップおよび調整パターンチップ
20 制御部
21 CPU
22 記憶装置
31 トランスファーチャンバ
32 ロードロック
33 大気搬送系
34 ターボ分子ポンプ
35 ドライポンプ
36 光学顕微鏡
37 電子顕微鏡
41 レンズ
42 アパーチャ
43 対物レンズ
51 アライナ
52 アライナ
Claims (15)
- 電子線検査装置の光軸調整方法であって、
レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とアライナに供給される補正電流または補正電圧との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記レンズをウォブリングし、前記検出器にて撮像される電子像のシフト量を測定し、
(b)測定されたシフト量を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定されたシフト量が前記収束条件より大きい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記シフト量が小さくなるような補正電流または補正電圧を算出し、算出された補正電流または補正電圧を前記アライナに供給し、(a)からやり直す
ことを特徴とする光軸調整方法。 - 前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
(c)では、前記測定されたシフト量における前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定されたシフト量との積を、前記アライナの前回の補正電流または補正電圧に加えることで、前記アライナに供給すべき補正電流または補正電圧を算出する
ことを特徴とする請求項1に記載の光軸調整方法。 - 電子線検査装置の光軸調整方法であって、
アパーチャで吸収される吸収電流または前記アパーチャを通過する通過電流とアライナに供給される補正電流または補正電圧との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記アパーチャで吸収される吸収電流または前記アパーチャを通過する通過電流を測定し、
(b)測定された吸収電流または通過電流を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定された吸収電流が前記収束条件より大きい場合または測定された通過電流が前記収束条件より小さい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記吸収電流が小さくなるような補正電流または補正電圧もしくは前記通過電流が大きくなるような補正電流または補正電圧を算出し、算出された補正電流または補正電圧を前記アライナに供給し、(a)からやり直す
ことを特徴とする光軸調整方法。 - 前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
(c)では、前記測定された吸収電流または通過電流に対する前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定された吸収電流または通過電流との積を、前記アライナの前回の補正電流または補正電圧に加えることで、前記アライナに供給すべき補正電流または補正電圧を算出する
ことを特徴とする請求項3に記載の光軸調整方法。 - 電子線検査装置の光軸調整方法であって、
対物レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とステージの位置との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記対物レンズをウォブリングし、前記検出器にて撮像される電子像のシフト量を測定し、
(b)測定されたシフト量を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定されたシフト量が前記収束条件より大きい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記シフト量が小さくなるようなステージの位置を算出し、算出された位置に前記ステージを移動し、(a)からやり直す
ことを特徴とする光軸調整方法。 - 前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
(c)では、前記測定されたシフト量に対する前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定されたシフト量との積を、前記ステージの前回の位置に加えることで、前記ステージを移動させるべき位置を算出する
ことを特徴とする請求項5に記載の光軸調整方法。 - 前記近似曲線は、2次曲線である
ことを特徴とする請求項2、4、6のいずれかに記載の光軸調整方法。 - 電子発生源から放出された電子を試料に導く1次光学系と、
前記試料から放出される2次放出電子を検出器に結像させる2次光学系と、
前記1次光学系および前記2次光学系の動作を制御する制御部と、
を備え、
レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とアライナに供給される補正電流または補正電圧との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
前記制御部は、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記レンズをウォブリングし、前記検出器にて撮像される電子像のシフト量を測定し、
(b)測定されたシフト量を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定されたシフト量が前記収束条件より大きい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記シフト量が小さくなるような補正電流または補正電圧を算出し、算出された補正電流または補正電圧を前記アライナに供給し、(a)からやり直す
ことを特徴とする電子線検査装置。 - 前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
前記制御部は、(c)では、前記測定されたシフト量における前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定されたシフト量との積を、前記アライナの前回の補正電流または補正電圧に加えることで、前記アライナに供給すべき補正電流または補正電圧を算出する
ことを特徴とする請求項8に記載の電子線検査装置。 - 電子発生源から放出された電子を試料に導く1次光学系と、
前記試料から放出される2次放出電子を検出器に結像させる2次光学系と、
前記1次光学系および前記2次光学系の動作を制御する制御部と、
を備え、
レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とアライナに供給される補正電流または補正電圧との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
前記制御部は、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記アパーチャで吸収される吸収電流または前記アパーチャを通過する通過電流を測定し、
(b)測定された吸収電流または通過電流を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定された吸収電流が前記収束条件より大きい場合または測定された通過電流が前記収束条件より小さい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記吸収電流が小さくなるような補正電流または補正電圧もしくは前記通過電流が大きくなるような補正電流または補正電圧を算出し、算出された補正電流または補正電圧を前記アライナに供給し、(a)からやり直す
ことを特徴とする電子線検査装置。 - 前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
前記制御部は、(c)では、前記測定された吸収電流または通過電流に対する前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定された吸収電流または通過電流との積を、前記アライナの前回の補正電流または補正電圧に加えることで、前記アライナに供給すべき補正電流または補正電圧を算出する
ことを特徴とする請求項10に記載の電子線検査装置。 - 電子発生源から放出された電子を試料に導く1次光学系と、
前記試料から放出される2次放出電子を検出器に結像させる2次光学系と、
前記1次光学系および前記2次光学系の動作を制御する制御部と、
を備え、
対物レンズをウォブリングしたときに検出器にて撮像される電子像のシフト量とステージの位置との相関関係が予め測定されて記憶装置に記憶されており、
前記制御部は、
(a)コラム内に電子ビームを生成し、前記対物レンズをウォブリングし、前記検出器にて撮像される電子像のシフト量を測定し、
(b)測定されたシフト量を予め定められた収束条件と比較し、
(c)測定されたシフト量が前記収束条件より大きい場合には、前記記憶装置に記憶された相関関係に基づいて、前記シフト量が小さくなるようなステージの位置を算出し、算出された位置に前記ステージを移動し、(a)からやり直す
ことを特徴とする電子線検査装置。 - 前記記憶装置には、前記相関関係が近似曲線で記憶されており、
前記制御部は、(c)では、前記測定されたシフト量に対する前記近似曲線の接線の傾きを算出し、算出された傾きの逆数と前記測定されたシフト量との積を、前記ステージの前回の位置に加えることで、前記ステージを移動させるべき位置を算出する
ことを特徴とする請求項12に記載の電子線検査装置。 - 前記近似曲線は、2次曲線である
ことを特徴とする請求項9、11、13のいずれかに記載の電子線検査装置。 - コンピュータを、請求項8〜14のいずれかに記載の電子線検査装置の制御部として機能させるためのプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017036584A JP6821471B2 (ja) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 光軸調整方法および電子線検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017036584A JP6821471B2 (ja) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 光軸調整方法および電子線検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018142472A true JP2018142472A (ja) | 2018-09-13 |
JP6821471B2 JP6821471B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=63528175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017036584A Active JP6821471B2 (ja) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | 光軸調整方法および電子線検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6821471B2 (ja) |
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