JP2018141382A - 内燃機関の制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】触媒の劣化検出処理の実行時においてもディザ制御による昇温性能を確保することができる内燃機関の制御装置を提供する。【解決手段】ＣＰＵ３２は、三元触媒２２の温度が所定温度以上となることを条件に、目標空燃比を所定期間リッチとしその後所定期間リーンとする。そしてＣＰＵ３２は、リーンとしたときの空燃比センサ４０によって検出される空燃比Ａｆがリーンとなるタイミングに対する空燃比センサ４２によって検出される空燃比Ａｆｄがリーンとなるタイミングの遅延時間に基づき、三元触媒２２の劣化検出を実行する。また、ＣＰＵ３２は、劣化検出処理時において、第１の気筒＃１の空燃比を理論空燃比および目標空燃比よりもリッチとし、第２〜第４の気筒＃２〜＃４の空燃比を理論空燃比よりもリーンとしつつ、それらの平均値を目標空燃比とする。【選択図】図１

Description

本発明は、複数の気筒から排出された排気を浄化対象とする触媒を備えた内燃機関を制御対象とする内燃機関の制御装置に関する。

たとえば下記特許文献１には、４つの気筒の排気が流入する三元触媒を備えた内燃機関の制御装置が記載されている。この制御装置は、触媒の暖機制御として、内燃機関の１つの気筒の空燃比を理論空燃比よりもリッチとするリッチ燃焼気筒とし、残りの３つの気筒の空燃比を理論空燃比よりもリーンとするリーン燃焼気筒とする、パータベーション制御（ディザ制御）を実行する。これは、リッチ燃焼気筒から排出された排気中の未燃燃料成分や不完全燃焼成分をリーン燃焼気筒から排出された排気中の酸素によって酸化させ、その酸化熱によって三元触媒の温度を上昇させる（昇温処理を行う）ことを狙ったものである。

一方、下記特許文献２には、冷却水の温度が設定温度を超えていることなどの条件を満たす場合に、各気筒の空燃比を理論空燃比よりもリッチな空燃比とした後にリーンな空燃比とし、そのときの三元触媒の下流の空燃比センサの検出値に基づき、三元触媒の異常の有無を判定する装置が記載されている。

特開２０１２−５７４９２号公報 特開平５−１３３２６４号公報

ところで、三元触媒の異常の有無を判定する条件である上述した冷却水の温度の条件は、三元触媒が排気を浄化することができる温度となっている旨の条件であると考えられる。ここで、三元触媒の温度をディザ制御によって浄化率が高まる温度まで昇温した後、異常の有無の判定条件が成立したとしてディザ制御を停止して異常の有無を判定する処理を開始する場合、ディザ制御の停止に伴って三元触媒の温度が低下し、異常の有無の判定条件が不成立となるおそれがある。

上記課題を解決すべく、内燃機関の制御装置は、複数の気筒から排出された排気を浄化対象とする触媒を備えた内燃機関を制御対象とし、前記触媒の昇温要求が生じた場合、前記複数の気筒のうちの一部の気筒であるリーン燃焼気筒における空燃比を理論空燃比よりもリーンに制御し、前記複数の気筒のうちの前記一部の気筒とは別の気筒であるリッチ燃焼気筒における空燃比を理論空燃比よりもリッチに制御するために前記各気筒の燃料噴射弁を操作するディザ制御処理と、目標空燃比を理論空燃比よりもリッチとした後にリーンとした際の前記触媒の下流に流出する排気中の酸素濃度に基づき前記触媒の劣化検出をする劣化検出処理と、を実行し、前記ディザ制御処理は、前記劣化検出処理の実行時には、前記リーン燃焼気筒および前記リッチ燃焼気筒の空燃比の平均値を前記目標空燃比に制御する。

上記構成では、劣化検出処理の実行時に、リーン燃焼気筒およびリッチ燃焼気筒の空燃比の平均値を劣化検出時の目標空燃比に制御する。すなわち、リーン燃焼気筒の空燃比は、理論空燃比よりもリーンであって且つ劣化検出時の目標空燃比よりもリーンとされ、リッチ燃焼気筒の空燃比は、理論空燃比よりもリッチであって且つ劣化検出時の目標空燃比よりもリッチとされる。ここで、リーン燃焼気筒の空燃比が理論空燃比よりもリーンであり、リッチ燃焼気筒の空燃比が理論空燃比よりもリッチであるため、リーン燃焼気筒から排出される排気中の酸素と、リッチ燃焼気筒から排出される排気中の未燃燃料成分や不完全燃焼成分とが反応し、これにより、触媒が昇温される。また、リーン燃焼気筒およびリッチ燃焼気筒のそれぞれが排出する排気の空燃比は、劣化検出時の目標空燃比とされる。したがって、触媒に流入する排気成分濃度を、劣化検出から要求される濃度とすることができ、ひいては昇温処理を実行しつつ劣化検出処理を実行することができる。このため、触媒の劣化検出処理の実行時においてもディザ制御による昇温性能を確保することができる。

一実施形態にかかる制御装置および内燃機関を示す図。 同実施形態にかかる触媒劣化検出処理およびその実行判定処理の手順を示す流れ図。 同実施形態にかかるディザ制御処理の手順を示す流れ図。 同実施形態にかかる触媒劣化検出処理を示すタイムチャート。

以下、内燃機関の制御装置にかかる一実施形態について図面を参照しつつ説明する。

図１に示すように、内燃機関１０は、第１の気筒＃１〜第４の気筒＃４の４つの気筒を備えている。内燃機関１０の吸気通路１２内の空気は、第１の気筒＃１〜第４の気筒＃４のそれぞれの燃焼室１４に吸入される。燃焼室１４には、燃料噴射弁１６が突出しており、燃料噴射弁１６から噴射された燃料と、吸気通路１２から燃焼室１４に吸入された空気との混合気は、点火装置１８の火花放電によって、燃焼に供される。燃焼に供された混合気は、排気として、排気通路２０に排出される。排気通路２０には、排気を浄化するための三元触媒２２が設けられている。

制御装置３０は、内燃機関１０を制御対象とし、その制御量（トルク、排気成分）を制御するために、燃料噴射弁１６や点火装置１８等の各種アクチュエータを操作する。制御装置３０は、制御量の制御のために、三元触媒２２の上流に設けられた空燃比センサ４０によって検出される空燃比Ａｆや、三元触媒２２の下流に設けられた空燃比センサ４２によって検出される空燃比Ａｆｄを参照する。また、制御装置３０は、クランク角センサ４４の出力するクランク信号Ｓｃｒや、エアフローメータ４６によって検出される吸入空気量Ｇａ、水温センサ４８によって検出される水温ＴＨＷを参照する。制御装置３０は、ＣＰＵ３２、ＲＯＭ３４、および電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ３６を備え、ＲＯＭ３４に記憶されたプログラムをＣＰＵ３２が実行することにより、上記制御量を制御する。

図２に、三元触媒２２の劣化検出に関する処理の手順を示す。図２に示す処理は、ＲＯＭ３４に記憶されたプログラムをＣＰＵ３２が所定周期で繰り返し実行することにより実現される。なお、以下において、先頭に「Ｓ」が付与された数字によって、ステップ番号を表現する。

図２に示す一連の処理において、ＣＰＵ３２は、まずクランク信号Ｓｃｒから算出される回転速度ＮＥと、回転速度ＮＥおよび吸入空気量Ｇａから算出される充填効率ηｃとを取得する（Ｓ１０）。そしてＣＰＵ３２は、回転速度ＮＥおよび充填効率ηｃに基づき、三元触媒２２の温度（触媒温度Ｔｃａｔ）を算出する（Ｓ１２）。ここで、ＣＰＵ３２は、入力変数としての回転速度ＮＥおよび充填効率ηｃと、出力変数としての触媒温度Ｔｃａｔとの関係を定めた２次元マップを用いて、触媒温度Ｔｃａｔをマップ演算する。２次元マップは、回転速度ＮＥが同一なら、充填効率ηｃが高い場合に低い場合よりも触媒温度Ｔｃａｔを高い値とする。この際、ＣＰＵ３２は、２次元マップにてマップ演算された触媒温度Ｔｃａｔの変化を徐変させるために、２次元マップにてマップ演算された値にフィルタ処理を施したものを最終的な触媒温度Ｔｃａｔとしてもよい。なお、マップとは、入力変数の離散的な値と、入力変数の値のそれぞれに対応する出力変数の値と、の組データである。またマップ演算とは、たとえば、入力変数の値が２次元マップの入力変数の値のいずれかに一致する場合、対応する出力変数の値を演算結果とし、一致しない場合、組データに含まれる複数の出力変数の値の補間によって得られる値を演算結果とすればよい。

次に、ＣＰＵ３２は、後述する昇温処理の実行時であるか否かを判定する（Ｓ１４）。そしてＣＰＵ３２は、昇温処理の実行時であると判定する場合（Ｓ１４：ＹＥＳ）、Ｓ１２の処理によって算出した触媒温度Ｔｃａｔに、昇温処理による温度上昇量ΔＴｃａｔを加算することによって、触媒温度Ｔｃａｔを補正する（Ｓ１６）。ＣＰＵ３２は、温度上昇量ΔＴｃａｔを、後述の昇温処理におけるリーン燃焼気筒のリーン化度合いおよびリッチ燃焼気筒のリッチ化度合いに基づき算出する。

ＣＰＵ３２は、Ｓ１６の処理が完了する場合やＳ１４において否定判定する場合には、触媒劣化検出の実行条件が成立するか否かを判定する（Ｓ１８）。触媒劣化検出処理は、三元触媒２２の劣化の有無を検出する処理であり、その実行条件は、触媒温度Ｔｃａｔが所定温度Ｔｔｈ以上であることと、現トリップにおいて未だ劣化検出処理が実行されていないこととの論理積が真であることなどを条件に成立するものである。

ＣＰＵ３２は、実行条件が成立すると判定する場合（Ｓ１８：ＹＥＳ）、三元触媒２２の劣化検出処理を実行する（Ｓ２０）。具体的にはＣＰＵ３２は、内燃機関１０の目標空燃比Ａｆ＊をまず、所定期間に渡って理論空燃比よりもリッチとし、その後、所定期間に渡って理論空燃比よりもリーンとする。すなわち、目標空燃比Ａｆ＊とする上での開ループ制御の操作量であるベース噴射量Ｑｂを、まず理論空燃比に開ループ制御する場合の操作量である基準噴射量Ｑｂｓよりも所定期間に渡って多くした後、所定期間に渡って少なくする。そして、ＣＰＵ３２は、目標空燃比Ａｆ＊を理論空燃比よりもリーンに切り替えた後、三元触媒２２よりも上流側の空燃比センサ４０が検出する空燃比Ａｆがリーンとなった後、三元触媒２２よりも下流側の空燃比センサ４２が検出する空燃比Ａｆｄが理論空燃比を維持する時間の長さが短い場合に異常であると判定する。これは、空燃比Ａｆｄが理論空燃比を維持する時間の長さが短い場合には、三元触媒２２の酸素吸蔵能力が低下し、三元触媒２２が劣化していると考えられることに鑑みたものである。なお、ＣＰＵ３２は、三元触媒２２に異常があると判定する場合、図１に示す警告灯５０を操作してその旨をユーザに通知し、また、不揮発性メモリ３６に異常の内容を記憶する。
ＣＰＵ３２は、Ｓ２０の処理が完了する場合や、Ｓ１８において否定判定する場合には、図２に示す一連の処理を一旦終了する。

図３に、昇温処理に関する処理の手順を示す。図３に示す処理は、ＲＯＭ３４に記憶されたプログラムをＣＰＵ３２が所定周期で繰り返し実行することにより実現される。

図３に示す一連の処理において、ＣＰＵ３２は、まず昇温処理の実行条件が成立しているか否かを判定する（Ｓ３０）。昇温処理の実行条件は、三元触媒２２の先端部分の温度が、浄化率が所定比率以上となる温度（たとえば２５０°Ｃ）以上である旨の条件や、三元触媒２２の温度が過度に高くない温度である旨の条件などを含む。ここで、三元触媒２２の先端部分の温度が浄化率が所定比率以上となる温度以上である旨の条件は、昇温性能を担保するための条件である。なお、所定比率以上となる温度以上であるか否かは、たとえば内燃機関１０の始動時からの吸入空気量Ｇａの積算値が所定値以上であるか否かによって判定すればよく、三元触媒２２の温度が過度に高くない温度であるか否かは、上記触媒温度Ｔｃａｔに基づき判定すればよい。

ＣＰＵ３２は、実行条件が成立すると判定する場合（Ｓ３０：ＹＥＳ）、三元触媒２２の劣化検出処理を実行しているときであるか否かを判定する（Ｓ３２）。そしてＣＰＵ３２は、劣化検出処理を実行しているときではないと判定する場合（Ｓ３２：ＮＯ）、目標空燃比Ａｆ＊を理論空燃比としつつ、回転速度ＮＥおよび充填効率ηｃに基づき噴射量補正要求値αを算出する（Ｓ３４）。噴射量補正要求値αは、空燃比を目標空燃比Ａｆ＊に開ループ制御するための操作量であるベース噴射量Ｑｂに対する補正量である。噴射量補正要求値αは、回転速度ＮＥが同一であるなら、充填効率ηｃが高い場合に低い場合よりも大きい値に設定される。なお、Ｓ３４の処理は、たとえば入力変数としての回転速度ＮＥおよび充填効率ηｃと、出力変数としての噴射量補正要求値αとの関係を定めた２次元マップを用いて実行すればよい。

ＣＰＵ３２は、Ｓ３４の処理が完了する場合、ベース噴射量Ｑｂを、噴射量補正要求値αを用いて補正し、補正した噴射量に基づき、操作信号ＭＳ１を生成して燃料噴射弁１６に出力する（Ｓ３６）。ここで、本実施形態では、昇温処理として、第１の気筒＃１を、目標空燃比が理論空燃比よりもリッチなリッチ燃焼気筒とし、第２〜第４の気筒＃２〜＃４を、目標空燃比が理論空燃比よりもリーンなリーン燃焼気筒とする処理を実行する。詳しくは、ＣＰＵ３２は、第１の気筒＃１の噴射量指令値Ｑ＊を、「Ｑｂ・（１＋α）」とし、第２〜第４の気筒＃２〜＃４の噴射量指令値Ｑ＊を、「Ｑｂ・（１−α／３）」とする。

これに対し、ＣＰＵ３２は、劣化検出処理を実行していると判定する場合（Ｓ３２：ＹＥＳ）、劣化検出によって目標空燃比Ａｆ＊がリッチとされている期間であるか否かを判定する（Ｓ３８）。そしてＣＰＵ３２は、リッチとされている期間であると判定する場合（Ｓ３８：ＹＥＳ）、噴射量補正要求値αの上限値αＲを、入力変数としての回転速度ＮＥおよび充填効率ηｃと出力変数としての上限値αＲとの関係を定めた２次元マップに基づき算出する（Ｓ４０）。ここで、上限値αＲは、リッチ燃焼気筒におけるリッチ化度合いの上限値に応じて設定されるものであり、詳しくはドライバビリティの許容範囲の上限値等に基づき設定される。

そしてＣＰＵ３２は、目標空燃比Ａｆ＊とするためのベース噴射量Ｑｂを補正することによって、第１の気筒＃１の噴射量指令値Ｑ＊を「Ｑｂ・（１＋α）」とし、第２〜第４の気筒＃２〜＃４の噴射量指令値Ｑ＊を「Ｑｂ・（１−α／３）」とし、噴射量が噴射量指令値Ｑ＊となるように燃料噴射弁１６を操作する（Ｓ４２）。ここで、噴射量補正要求値αは、次の式（ｃ１）にて算出される。
α＝｛αＲ−（Ｑｂ−Ｑｂｓ）／Ｑｂｓ｝・Ｑｂｓ／Ｑｂ …（ｃ１）

一方、ＣＰＵ３２は、劣化検出によって目標空燃比Ａｆ＊がリーンとされている期間であると判定する場合（Ｓ３８：ＮＯ）、噴射量補正要求値αの上限値αＬを、入力変数としての回転速度ＮＥおよび充填効率ηｃと出力変数としての上限値αＬとの関係を定めた２次元マップに基づき算出する（Ｓ４４）。ここで、上限値αＬは、リーン燃焼気筒におけるリーン化度合いの上限値に応じて設定されるものであり、詳しくは、リーン燃焼気筒の燃焼限界に応じて設定される。上記２次元マップは、充填効率ηｃが高い場合に低い場合よりも、上限値αＬを大きい値とする。

そしてＣＰＵ３２は、目標空燃比Ａｆ＊とするためのベース噴射量Ｑｂを補正することによって、第１の気筒＃１の噴射量指令値Ｑ＊を、「Ｑｂ・（１＋α）」とし、第２〜第４の気筒＃２〜＃４の噴射量指令値Ｑ＊を、「Ｑｂ・（１−α／３）」とし、噴射量が噴射量指令値Ｑ＊となるように燃料噴射弁１６を操作する（Ｓ４６）。ここで、噴射量補正要求値αは、次の式（ｃ２）にて算出される。
−α／３＝｛−αＬ−（Ｑｂ−Ｑｂｓ）／Ｑｂｓ｝・Ｑｂｓ／Ｑｂ …（ｃ２）
なお、ＣＰＵ３２は、Ｓ３６，Ｓ４２，Ｓ４６の処理が完了する場合や、Ｓ３０の処理において否定判定する場合には、図３に示す一連の処理を一旦終了する。
ここで、本実施形態の作用を説明する。

図４に、昇温処理および触媒劣化検出処理を例示する。詳しくは、図４には、内燃機関１０の目標空燃比Ａｆ＊の推移と、第１の気筒＃１の目標空燃比の推移と、第２〜第４の気筒＃２〜＃４の目標空燃比の推移と、触媒温度Ｔｃａｔの推移とを示す。

図４に示す時刻ｔ１に昇温処理の実行条件が成立すると、第１の気筒＃１においては、目標空燃比がリッチとされ、第２〜第４の気筒＃２〜＃４においては、目標空燃比がリーンとされる。これにより、三元触媒２２において、リーン燃焼気筒である第２〜第４の気筒＃２〜＃４から排出された排気中の酸素によりリッチ燃焼気筒である第１の気筒＃１から排出された排気中の未燃燃料成分や不完全燃焼成分が酸化され、酸化熱によって、三元触媒２２が昇温される。しかも、この際、第１の気筒＃１〜第４の気筒＃４の噴射量指令値Ｑ＊の合計は、ベース噴射量Ｑｂの４倍となるため、空燃比の平均値は、理論空燃比となっている。なお、ここでの空燃比の平均値は、排気空燃比の平均値である。

ちなみに、対象排気の排気空燃比は、仮想混合気を用いて定義される。すなわち、仮想混合気を、新気および燃料のみからなって且つ燃焼させた場合に生成される排気の未燃燃料濃度（たとえばＨＣ）、不完全燃焼成分濃度（たとえばＣＯ）および酸素濃度が対象排気の未燃燃料濃度、不完全燃焼成分濃度および酸素濃度と同一となる混合気と定義し、排気空燃比を、仮想混合気の空燃比と定義している。ただし、ここで仮想混合気の燃焼には、未燃燃料濃度および不完全燃焼成分濃度と酸素濃度との少なくとも一方がゼロまたはゼロと見なせる値となる燃焼に限らず、未燃燃料濃度および不完全燃焼成分濃度と酸素濃度との双方がゼロよりも大きい状態となる燃焼も含まれることとする。

リーン燃焼気筒およびリッチ燃焼気筒を設けるディザ制御処理により、触媒温度Ｔｃａｔが上昇して所定温度Ｔｔｈとなることにより、触媒劣化検出処理の実行条件が成立する時刻ｔ２において、ＣＰＵ３２は、触媒劣化検出処理を実行する。これにより、内燃機関１０の目標空燃比Ａｆ＊は、時刻ｔ２〜ｔ３の期間においては、リッチとされ、その後、時刻ｔ３〜ｔ４の期間においては、リーンとされる。

触媒劣化検出処理によって目標空燃比Ａｆ＊がリッチとされる時刻ｔ２〜ｔ３の期間においては、リッチ燃焼気筒である第１の気筒＃１の目標空燃比は、目標空燃比Ａｆ＊よりもリッチとされ、リーン燃焼気筒である第２〜第４の気筒＃２〜＃４の目標空燃比は、目標空燃比Ａｆ＊よりもリーンとされ、特に理論空燃比よりもリーンとされる。このため、三元触媒２２において、リーン燃焼気筒である第２〜第４の気筒＃２〜＃４から排出された排気中の酸素によりリッチ燃焼気筒である第１の気筒＃１から排出された排気中の未燃燃料成分や不完全燃焼成分が酸化され、酸化熱によって、三元触媒２２が昇温される。しかも、この際、第１の気筒＃１〜第４の気筒＃４の噴射量指令値Ｑ＊の合計は、ベース噴射量Ｑｂの４倍となるため、空燃比の平均値は、触媒劣化検出時の目標空燃比Ａｆ＊とされる。

また、触媒劣化検出処理によって目標空燃比Ａｆ＊がリーンとされる時刻ｔ３〜ｔ４の期間においては、リーン燃焼気筒である第２〜第４の気筒＃２〜＃４の目標空燃比は、目標空燃比Ａｆ＊よりもリーンとされ、リッチ燃焼気筒である第１の気筒＃１の目標空燃比は、目標空燃比Ａｆ＊よりもリッチとされ、特に理論空燃比よりもリッチとされる。このため、三元触媒２２において、リーン燃焼気筒である第２〜第４の気筒＃２〜＃４から排出された排気中の酸素によりリッチ燃焼気筒である第１の気筒＃１から排出された排気中の未燃燃料成分や不完全燃焼成分が酸化され、酸化熱によって、三元触媒２２が昇温される。しかも、この際、第１の気筒＃１〜第４の気筒＃４の噴射量指令値Ｑ＊の合計は、ベース噴射量Ｑｂの４倍となるため、空燃比の平均値は、触媒劣化検出時の目標空燃比Ａｆ＊とされる。

このように、本実施形態によれば、触媒劣化検出処理時においても、リーン燃焼気筒およびリッチ燃焼気筒を設けるディザ制御処理を実行することによって、昇温性能を維持することができる。これに対し、触媒劣化検出処理を実行するときにディザ制御処理を停止する場合には、図４に２点鎖線にて示すように、触媒温度Ｔｃａｔが所定温度Ｔｔｈよりも低下し、触媒劣化検出処理の実行条件が不成立となるおそれがある。
以上説明した本実施形態によれば、さらに以下に記載する効果が得られる。

（１）触媒劣化検出処理によって目標空燃比Ａｆ＊が理論空燃比よりもリッチとされているときにリッチ燃焼気筒の空燃比をその上限値とし、目標空燃比Ａｆ＊が理論空燃比よりもリーンとされているときにリーン燃焼気筒の空燃比をその上限値とした。これにより、三元触媒２２において、未燃燃料成分や不完全燃焼成分と酸素との反応量を極力多くすることができることから、昇温性能を極力高くすることができる。
＜対応関係＞

上記実施形態における事項と、上記「課題を解決するための手段」の欄に記載した事項との対応関係は、次の通りである。ディザ制御処理は、Ｓ３６，Ｓ４２，Ｓ４６の処理に対応し、劣化検出処理は、Ｓ２０の処理に対応する。
＜その他の実施形態＞
なお、上記実施形態の各事項の少なくとも１つを、以下のように変更してもよい。

・上記実施形態では、触媒劣化検出処理によって目標空燃比Ａｆ＊が理論空燃比よりもリッチとされているときにリッチ燃焼気筒の空燃比をその上限値とし、目標空燃比Ａｆ＊が理論空燃比よりもリーンとされているときにリーン燃焼気筒の空燃比をその上限値としたがこれに限らない。たとえば充填効率ηｃが大きく上限値としなくても昇温性能を確保できる場合には、リーン燃焼気筒のリーン化度合いやリッチ燃焼気筒のリッチ化度合いを上限値よりも小さくしてもよい。すなわち、この場合、たとえば回転速度ＮＥや充填効率ηｃ、目標空燃比Ａｆ＊に応じて噴射量補正要求値αを算出した後、これを上限値αＲや上限値αＬでガード処理すればよい。
・上記実施形態では、触媒劣化検出処理が実行されていない時の目標空燃比Ａｆ＊を理論空燃比としたが、これに限らない。
・上記実施形態では、リッチ燃焼気筒の数を１個とし、リーン燃焼気筒の数を３個としたが、これに限らない。

・上記実施形態では、ベース噴射量Ｑｂを噴射量補正要求値αに応じて補正したものによって操作信号ＭＳ１を生成する処理に関し、空燃比フィードバック制御については特に触れなかったが、空燃比フィードバック制御を実行してもよい。これは、たとえば噴射量補正要求値αによる補正対象を、ベース噴射量が空燃比フィードバック制御の操作量によって補正された値とすることで実現することができる。

・内燃機関としては、４気筒の内燃機関に限らない。たとえば直列６気筒の内燃機関であってもよい。燃料噴射弁としては、燃焼室１４に燃料を噴射するものに限らず、たとえば吸気通路１２に燃料を噴射するものであってもよい。

・制御装置としては、ＣＰＵ３２とＲＯＭ３４とを備えて、ソフトウェア処理を実行するものに限らない。たとえば、上記実施形態においてソフトウェア処理されたものの少なくとも一部を、ハードウェア処理する専用のハードウェア回路（たとえばＡＳＩＣ等）を備えてもよい。

１０…内燃機関、１２…吸気通路、１４…燃焼室、１６…燃料噴射弁、１８…点火装置、２０…排気通路、２２…三元触媒、３０…制御装置、３２…ＣＰＵ、３４…ＲＯＭ、３６…不揮発性メモリ、４０，４２…空燃比センサ、４４…クランク角センサ、４６…エアフローメータ、４８…水温センサ、５０…警告灯。

Claims (1)

1. 複数の気筒から排出された排気を浄化対象とする触媒を備えた内燃機関を制御対象とし、
   前記触媒の昇温要求が生じた場合、前記複数の気筒のうちの一部の気筒であるリーン燃焼気筒における空燃比を理論空燃比よりもリーンに制御し、前記複数の気筒のうちの前記一部の気筒とは別の気筒であるリッチ燃焼気筒における空燃比を理論空燃比よりもリッチに制御するために前記各気筒の燃料噴射弁を操作するディザ制御処理と、
   目標空燃比を理論空燃比よりもリッチとした後にリーンとした際の前記触媒の下流に流出する排気中の酸素濃度に基づき前記触媒の劣化検出をする劣化検出処理と、を実行し、
   前記ディザ制御処理は、前記劣化検出処理の実行時には、前記リーン燃焼気筒および前記リッチ燃焼気筒の空燃比の平均値を前記目標空燃比に制御する内燃機関の制御装置。

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