JP2018137412A - 回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フレキシブル基板の信号配線を伝送される信号の波形の劣化を抑える。
【解決手段】回路基板１は、フレキシブル基板１０、及びその上に搭載された波形整形装置２０を含む。フレキシブル基板１０は、信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂを有する。波形整形装置２０は、フレキシブル基板１０の信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂと接続され、例えば一方の信号配線１２ａから他方の信号配線１２ｂに伝送される信号の波形を整形する。波形整形装置２０により、伝送される信号の波形の劣化が抑えられ、優れた伝送特性を有する回路基板１が実現される。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置に関する。

回路基板の１つとして、フレキシブルなフィルム等の基板上又は基板内に所定の配線を設けたフレキシブル基板（ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）とも称される）が知られている。このようなフレキシブル基板で半導体装置や回路基板等の電子部品間を接続し、フレキシブル基板に設けた信号配線を通じて電子部品間の信号伝送を行う技術が知られている。

特開平１０−１５３７６０号公報 特開２００３−２７３２７８号公報

フレキシブル基板を用いた電子部品間の信号伝送では、伝送過程で信号の波形の劣化が生じ、良好な伝送特性が得られない場合がある。信号の波形の劣化は、フレキシブル基板の信号配線長を増大し、伝送距離を延ばすと、より生じ易くなる。

一観点によれば、第１信号配線及び第２信号配線を有するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板上に搭載され、前記第１信号配線及び前記第２信号配線と接続され、前記第１信号配線から前記第２信号配線に伝送される信号の波形を整形する波形整形装置とを含む回路基板が提供される。

また、一観点によれば、上記のような回路基板の製造方法、及び上記のような回路基板を含む電子装置が提供される。

フレキシブル基板の信号配線を伝送される信号の波形の劣化が抑えられ、優れた伝送特性を有する回路基板が実現される。また、そのような回路基板を含む電子装置が実現される。

第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。 第１の実施の形態に係る回路基板の第１の変形例を示す図である。 第１の実施の形態に係る回路基板の第２の変形例を示す図である。 第１の実施の形態に係る回路基板の第３の変形例を示す図である。 第２の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。 第３の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 第３の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。 第４の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。 第５の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 第５の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。 第６の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 第７の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 第８の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 波形整形装置の一例を示す図である。 第９の実施の形態に係る電子機器の説明図である。

まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１（Ａ）には、回路基板の一例の要部平面模式図を示し、図１（Ｂ）には、回路基板の一例の要部断面模式図を示している。尚、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＬ１−Ｌ１断面模式図である。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す回路基板１は、フレキシブル基板１０、及びその上に搭載された波形整形装置２０を含む。
フレキシブル基板１０は、一端部に設けられた信号端子１１ａ、他端部に設けられた信号端子１１ｂ、並びにこれらの信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂにそれぞれ接続された信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ（信号配線１２）を有する。信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂ並びに信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂには、各種導体材料、例えば銅（Ｃｕ）等の金属材料が用いられる。信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂは、ポリイミド等の絶縁層１３内に設けられ、絶縁層１３から露出するように、信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂが設けられる。フレキシブル基板１０の、信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂを含む端部が、他の電子部品との接続部となる。

波形整形装置２０は、例えば、リタイマＩＣ（Integrated Circuit）であって、イコライザやクロックデータリカバリ（Clock Data Recovery；ＣＤＲ）等の機能を有する。波形整形装置２０は、例えば、パッケージ基板上に実装された半導体素子（半導体チップ）が樹脂で封止された、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型やＱＦＮ（Quad Flat Non Lead package）型の半導体装置（半導体パッケージ）である。或いは、波形整形装置２０は、リードフレーム上に実装された半導体素子が樹脂で封止された、ＱＦＰ（Quad Flat Package）型の半導体装置である。波形整形装置２０は、搭載されるフレキシブル基板１０側に設けられた、バンプやリード等の信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ（ここでは一例としてバンプを図示）を有する。波形整形装置２０は、その信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂにより、フレキシブル基板１０の信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂとそれぞれ接続される。

回路基板１の、例えば一方の信号端子１１ａに入力された信号は、その信号端子１１ａと接続された信号配線１２ａを通じて、それに信号端子２１ａで接続された波形整形装置２０に入力される。波形整形装置２０は、その信号端子２１ａから入力された信号の、振幅方向及び時間方向の補償を行い、その波形を整形する。波形整形装置２０で整形され、その信号端子２１ｂから出力された信号は、それと接続された信号配線１２ｂを通じて、他方の信号端子１１ｂへと伝送され、回路基板１から出力される。

このように回路基板１では、信号端子１１ａと信号端子１１ｂの間を接続する信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）を伝送される信号が、波形整形装置２０を経由する。回路基板１を伝送される信号は、経由する波形整形装置２０において整形される。これにより、回路基板１を伝送される信号の波形の劣化が抑えられ、優れた伝送特性を有する回路基板１が実現される。

回路基板１では、波形整形装置２０によって信号の波形の劣化が抑えられるため、信号の伝送距離（信号をその波形の劣化を抑えて到達させることができる距離）を延ばすこと、即ち信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）を長距離化することが可能になる。長距離の信号配線１２を有し、優れた伝送特性を有する回路基板１が実現される。

例えば、２つの電子部品間を回路基板１で接続し、それら電子部品間の信号伝送を、回路基板１の信号配線１２を通じて行う。このような場合、回路基板１では、信号配線１２を長距離化しても、伝送される信号の波形の劣化を抑えることができるため、接続する電子部品群を比較的遠く離れた位置に配置することができ、電子部品群を含む電子装置の設計自由度を高めることが可能になる。

続いて、回路基板の変形例について述べる。
図２は第１の実施の形態に係る回路基板の第１の変形例を示す図である。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）にはそれぞれ、第１の変形例の要部平面模式図を示している。

図２（Ａ）に示す回路基板１ａは、複数（ここでは一例として３つ）の信号配線１２を有するフレキシブル基板１０ａ、及び各信号配線１２と接続された波形整形装置２０を含む。フレキシブル基板１０ａは、一端部に設けられた信号端子１１ａ群、及び他端部に設けられた信号端子１１ｂ群を有する。対応する一対の信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂにそれぞれ、信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ（信号配線１２）が接続され、その信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂにそれぞれ、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂによって波形整形装置２０が接続される。

回路基板１ａのように、複数の信号配線１２が設けられる場合には、各信号配線１２に波形整形装置２０を接続することができる。このような回路基板１ａによれば、各信号配線１２について、それと接続された波形整形装置２０により、伝送される信号の波形の劣化が抑えられ、優れた伝送特性を得ることができる。回路基板１ａでは、波形整形装置２０によって信号の波形の劣化が抑えられるため、各信号配線１２の長距離化を図ることができる。

尚、複数の信号配線１２が設けられる場合、必ずしも全ての信号配線１２に波形整形装置２０が接続されることを要しない。図２（Ｂ）に示す回路基板１ｂのように、そのフレキシブル基板１０ｂには、波形整形装置２０が接続されない信号配線１２ｄが存在してもよい。例えば、比較的高速（高周波）の信号は、波形整形装置２０が接続された信号配線１２を伝送され、高速の信号に比べると伝送特性の劣化が抑えられる比較的低速（低周波）の信号は、波形整形装置２０が接続されない信号配線１２ｄを伝送される。

回路基板１ｂのように、波形整形装置２０が接続された信号配線１２と、接続されない信号配線１２ｄとが共存してもよく、また、波形整形装置２０の接続の有無により、伝送される信号の種類が設定されてもよい。

図３は第１の実施の形態に係る回路基板の第２の変形例を示す図である。図３（Ａ）には、第２の変形例の要部平面模式図を示し、図３（Ｂ）には、第２の変形例の要部断面模式図を示している。尚、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＬ３−Ｌ３断面模式図である。

図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す回路基板１ｃは、信号配線１２を有するフレキシブル基板１０ｃ、及びその信号配線１２と接続された複数（ここでは一例として２つ）の波形整形装置２０を含む。フレキシブル基板１０ｃの信号配線１２には、信号端子１１ａと接続された信号配線１２ａ、信号端子１１ｂと接続された信号配線１２ｂ、並びにそれらの信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂの間に設けられた信号配線１２ｃが含まれる。信号配線１２ａ及び信号配線１２ｃにそれぞれ、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂで一方の波形整形装置２０が接続され、信号配線１２ｃ及び信号配線１２ｂにそれぞれ、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂでもう一方の波形整形装置２０が接続される。

回路基板１ｃでは、例えば、１つ目の波形整形装置２０により、信号配線１２ａから信号配線１２ｃに伝送される信号の波形の劣化が抑えられ、２つ目の波形整形装置２０により、信号配線１２ｃから信号配線１２ｂに伝送される信号の波形の劣化が抑えられる。このように回路基板１ｃでは、信号の波形の劣化が２段の波形整形装置２０によって抑えられるため、更なる伝送特性の向上、又は、信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）の更なる長距離化を図ることができる。

尚、ここでは１つの信号配線１２に２つの波形整形装置２０が接続される場合を例示したが、１つの信号配線１２に３つ以上の波形整形装置２０が接続されてもよい。例えば、要求される伝送特性や信号配線１２の距離（配線長）に基づき、信号配線１２と接続される波形整形装置２０の数が設定される。

また、ここでは１つの信号配線１２を有するフレキシブル基板１０ｃを例示したが、複数の信号配線１２を有するフレキシブル基板の、その各信号配線１２に、複数の波形整形装置２０が接続されてもよい。

図４は第１の実施の形態に係る回路基板の第３の変形例を示す図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）にはそれぞれ、第３の変形例の要部平面模式図を示している。
図４（Ａ）に示す回路基板１ｄは、対向２辺ではなく隣接２辺に相当する端部にそれぞれ信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂを有するフレキシブル基板１０ｄ、並びにその上に搭載された波形整形装置２０を含む。信号端子１１ａと接続された信号配線１２ａ、及び信号端子１１ｂと接続された信号配線１２ｂにそれぞれ、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ（図示せず）で波形整形装置２０が接続される。フレキシブル基板１０ｄの信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）は、平面視でＬ字状となるように配置される。このような配置の信号配線１２についても、波形整形装置２０を接続することで、伝送される信号の波形の劣化を抑えることができる。また、信号配線１２の長距離化を図ることができる。

図４（Ｂ）に示す回路基板１ｅは、平面視で略Ｌ字状にカーブしたフレキシブル基板１０ｅ、及びその上に搭載された波形整形装置２０を含む。カーブしたフレキシブル基板１０ｅの両端部にそれぞれ、信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂが設けられる。信号端子１１ａと接続された信号配線１２ａ、及び信号端子１１ｂと接続された信号配線１２ｂにそれぞれ、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ（図示せず）で波形整形装置２０が接続される。フレキシブル基板１０ｅの信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）は、フレキシブル基板１０ｅの形状に沿って、平面視で略Ｌ字状にカーブするように配置される。このような配置の信号配線１２についても、波形整形装置２０を接続することで、伝送される信号の波形の劣化を抑えることができる。また、信号配線１２の長距離化を図ることができる。

以上述べたように、上記回路基板１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅでは、信号配線１２に波形整形装置２０が接続され、信号配線１２を伝送される信号は、波形整形装置２０を経由し、波形整形装置２０によって整形される。これにより、信号配線１２を伝送される信号の波形の劣化が抑えられ、優れた伝送特性を有する回路基板１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅが実現される。回路基板１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅでは、このように信号配線１２を伝送される信号の波形の劣化が波形整形装置２０によって抑えられるため、信号配線１２を長距離化しても、優れた伝送特性が得られる。このような回路基板１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅによれば、比較的高速の信号が伝送される場合にも、その波形の劣化を抑えた長距離伝送を実現することができる。

例えば、電子装置では、データ通信の高速化、大容量化に伴い、搭載される半導体装置等の電子部品間の、信号伝送の高速化が進んでいる。電子装置内の信号伝送の一形態として、マザーボード上の或る電子部品から出力される信号を、マザーボード内の信号配線を通じて、マザーボード上の別の電子部品に入力する形態が知られている。しかし、このような形態では、電子部品内やマザーボード内のスルーホールビアを信号が通過する際、特性インピーダンスの不整合によって伝送特性が劣化することが起こり得る。また、電子部品内のパッケージ基板やマザーボードが、ガラスクロスを含有するエポキシ樹脂等の複合材料を用いて形成されている場合、高速差動伝送では、伝送経路周辺の材料の不均一性がスキューの発生要因となり、伝送特性が劣化することが起こり得る。このような電子部品間の高速信号の伝送特性を改善する目的で、高速信号が伝送される信号配線をマザーボードから分離し、別体化したフレキシブル基板で高速信号を伝送する技術が知られている。一方、電子装置では、その設計自由度の向上等の観点から、例えば数十ｃｍ以上といった、比較的遠く離れた電子部品間の長距離伝送が望まれることがある。しかし、伝送距離が長くなるほど、伝送される信号の波形の劣化が生じ易くなる。そのため、上記のような、マザーボードと別体化したフレキシブル基板の信号配線で高速信号を伝送する技術を用いても、高速かつ長距離の信号伝送をその伝送特性の劣化を抑えて実現することが困難な場合がある。

これに対し、上記回路基板１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅでは、信号配線１２を伝送される信号が、経由する波形整形装置２０によって整形されるため、高速信号の波形の劣化を抑えた長距離伝送を実現することができる。回路基板１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅによれば、比較的遠く離れた電子部品間の接続が可能になり、電子装置の設計自由度の向上を図ることができる。

尚、信号配線１２は、一対の信号配線１２ａと、一対の信号配線１２ｂとを有する、差動信号配線とすることもできる。この場合、一対の信号配線１２ａと、一対の信号配線１２ｂとに、波形整形装置２０が接続される。例えば、一対の信号配線１２ａのうち、一方の信号配線１２ａを伝送される信号が、波形整形装置２０で整形されて、一対の信号配線１２ｂのうち、対応する一方の信号配線１２ｂに伝送される。一対の信号配線１２ａのうち、他方の信号配線１２ａを伝送される信号が、波形整形装置２０で整形されて、一対の信号配線１２ｂのうち、対応する他方の信号配線１２ｂに伝送される。

次に、第２の実施の形態について説明する。
図５は第２の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図５には、電子装置の一例の要部断面模式図を示している。

図５に示す電子装置１００Ａは、マザーボード２００（回路基板）、半導体装置３００（電子部品）、半導体装置４００（電子部品）、及び回路基板１Ａを含む。
マザーボード２００は、回路基板の一例であって、絶縁層２１０、及び絶縁層２１０内に設けられた電源配線２２０を有する。絶縁層２１０には、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料にガラスクロスやガラスファイバが含有された複合樹脂材料が用いられる。電源配線２２０には、グランド（ＧＮＤ）電位に設定されるＧＮＤ配線２２１、及び電源（ＶＤＤ）電位に設定されるＶＤＤ配線２２２が含まれる。電源配線２２０には、各種導体材料、例えば、Ｃｕ等の金属材料が用いられる。ここでは図示を省略するが、マザーボード２００の絶縁層２１０内には更に、比較的低速の信号が伝送される信号配線（低速信号配線）が設けられてもよい。

半導体装置３００は、電子部品の一例であって、マザーボード２００上に搭載される。半導体装置３００は、パッケージ基板３１０（回路基板）、及びパッケージ基板３１０上に実装された半導体素子３２０を有する。半導体素子３２０は、ここでは図示を省略するが、半田バンプ等の各種バンプ、或いはＡｕ（金）ワイヤ等の各種ワイヤを用いて、パッケージ基板３１０と接続される。パッケージ基板３１０は、絶縁層３１１、及び絶縁層３１１内に設けられた電源配線３１２を有する。絶縁層３１１には、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料にガラスクロスやガラスファイバが含有された複合樹脂材料が用いられる。電源配線３１２には、ＧＮＤ電位に設定されるＧＮＤ配線３１２ａ、及びＶＤＤ電位に設定されるＶＤＤ配線３１２ｂが含まれる。パッケージ基板３１０は更に、絶縁層３１１内に、半導体素子３２０からその外側に引き出された、比較的高速の信号が伝送される信号配線（高速信号配線）３１３を有する。電源配線３１２及び信号配線３１３には、各種導体材料、例えば、Ｃｕ等の金属材料が用いられる。ここでは図示を省略するが、パッケージ基板３１０の絶縁層３１１内には更に、比較的低速の信号が伝送される低速信号配線が設けられてもよい。半導体装置３００は、例えば半田等のバンプ３３０を用いてマザーボード２００上に実装され、互いの電源配線３１２及び電源配線２２０（或いは更に互いの低速信号配線同士）が接続される。

半導体装置４００は、電子部品の一例であり、マザーボード２００上に搭載される。半導体装置４００は、パッケージ基板４１０（回路基板）、及びパッケージ基板４１０上に実装された半導体素子４２０を有する。半導体素子４２０は、ここでは図示を省略するが、バンプ或いはワイヤを用いて、パッケージ基板４１０と接続される。パッケージ基板４１０は、絶縁層４１１、及び絶縁層４１１内に設けられた電源配線４１２を有する。絶縁層４１１には、例えば、樹脂材料或いは複合樹脂材料が用いられる。電源配線４１２には、ＧＮＤ電位に設定されるＧＮＤ配線４１２ａ、及びＶＤＤ電位に設定されるＶＤＤ配線４１２ｂが含まれる。パッケージ基板４１０は更に、絶縁層４１１内に設けられ、半導体素子４２０からその外側に引き出された高速信号配線である信号配線４１３を有する。電源配線４１２及び信号配線４１３には、各種導体材料、例えば、Ｃｕ等の金属材料が用いられる。ここでは図示を省略するが、パッケージ基板４１０の絶縁層４１１内には更に、低速信号配線が設けられてもよい。半導体装置４００は、例えば半田等のバンプ４３０を用いてマザーボード２００上に実装され、互いの電源配線４１２及び電源配線２２０（或いは更に互いの低速信号配線同士）が接続される。

回路基板１Ａは、フレキシブル基板１０Ａ、及びその上に搭載された波形整形装置２０Ａを含む。
フレキシブル基板１０Ａは、一端部に設けられた信号端子１１ａ、他端部に設けられた信号端子１１ｂ、並びにこれらの信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂにそれぞれ接続された信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ（信号配線１２）を有する。信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂ並びに信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂには、各種導体材料、例えばＣｕ等の金属材料が用いられる。信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂは、ポリイミド等の絶縁層１３内に設けられ、絶縁層１３から露出するように、信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂが設けられる。フレキシブル基板１０Ａは更に、絶縁層１３内に設けられた電源配線１４を有する。電源配線１４には、ＧＮＤ電位に設定される配線１４ａ、及びＶＤＤ電位に設定される配線１４ｂが含まれる。電源配線１４には、各種導体材料、例えばＣｕ等の金属材料が用いられる。信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂは、電源配線１４を利用して、或いは絶縁層１３内に別途設けられた電源層や電源配線を利用して、ストリップライン型やコプレナ型の高速信号配線として設けられる。尚、フレキシブル基板１０Ａには、高速信号配線である信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂのほか、低速信号配線が設けられてもよい。

波形整形装置２０Ａは、例えば、リタイマＩＣであって、イコライザやクロックデータリカバリ等の機能を有する。波形整形装置２０Ａは、ＢＧＡ型、ＱＦＮ型、ＱＦＰ型等のパッケージ構造を有する半導体装置である。波形整形装置２０Ａは、フレキシブル基板１０Ａ側に設けられた、バンプやリード等の信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂ（ここでは一例としてバンプを図示）を有する。波形整形装置２０Ａの信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂは、フレキシブル基板１０Ａの信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂとそれぞれ接続される。波形整形装置２０Ａの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂは、フレキシブル基板１０Ａの電源配線１４であるＧＮＤ配線１４ａ及びＶＤＤ配線１４ｂとそれぞれ接続される。波形整形装置２０Ａには、フレキシブル基板１０Ａの電源配線１４から、電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂを通じて、電源が供給される。

回路基板１Ａは、マザーボード２００上に搭載された半導体装置３００及び半導体装置４００と、それぞれ接続部３１及び接続部３２を用いて接続される。例えば、接続部３１として、半導体装置３００のパッケージ基板３１０上にコネクタが実装され、接続部３２として、半導体装置４００のパッケージ基板４１０上にコネクタが実装される。半導体装置３００の接続部３１に、フレキシブル基板１０Ａの信号端子１１ａ側の接続部が接続され、半導体装置４００の接続部３２に、フレキシブル基板１０Ａの信号端子１１ｂ側の接続部が接続される。接続部３１により、半導体装置３００の信号配線３１３が、フレキシブル基板１０Ａの信号端子１１ａ及び信号配線１２ａと接続される。接続部３２により、半導体装置４００の信号配線４１３が、フレキシブル基板１０Ａの信号端子１１ｂ及び信号配線１２ｂと接続される。接続部３１又は接続部３２により、半導体装置３００の電源配線３１２又は半導体装置４００の電源配線４１２が、フレキシブル基板１０Ａの電源配線１４と接続される。ここでは一例として、接続部３２により、半導体装置４００の電源配線４１２が、フレキシブル基板１０Ａの電源配線１４と接続された例を図示している。尚、フレキシブル基板１０Ａと、半導体装置３００及び半導体装置４００との接続には、コネクタを用いる方法のほか、所定端子間の半田接合や圧着等の各種電気接続方法を用いることもできる。

図５に示す電子装置１００Ａにおいて、フレキシブル基板１０Ａ上の波形整形装置２０Ａには、電源配線１４から、電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂを通じて、電源が供給される。例えば、マザーボード２００の電源配線２２０、バンプ４３０、半導体装置４００の電源配線４１２及び接続部３２を通じてフレキシブル基板１０Ａの電源配線１４に電源が供給され、電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂから波形整形装置２０Ａに電源が供給される。波形整形装置２０Ａは、このように電源が供給され、それに入力される信号を整形して出力する所定の処理機能を実行する。

波形整形装置２０Ａが搭載されたフレキシブル基板１０Ａを有する回路基板１Ａは、半導体装置３００と半導体装置４００との間の信号伝送（この例では高速信号の伝送）を行う、信号伝送装置として機能する。

例えば、半導体装置３００の半導体素子３２０から出力された信号が、パッケージ基板３１０に設けられた信号配線３１３及び接続部３１を通じて、フレキシブル基板１０Ａの信号端子１１ａに入力され、信号配線１２ａを伝送される。信号配線１２ａを伝送される信号は、信号端子２１ａから波形整形装置２０Ａに入力される。波形整形装置２０Ａに入力された信号は、波形整形装置２０Ａにより、振幅方向及び時間方向の補償が行われて整形され、整形された信号は、信号端子２１ｂから出力される。波形整形装置２０Ａから出力された信号は、フレキシブル基板１０Ａの信号配線１２ｂを伝送され、信号端子１１ｂから出力される。フレキシブル基板１０Ａから出力された信号は、接続部３２を通じて、半導体装置４００のパッケージ基板４１０に設けられた信号配線４１３を伝送され、半導体素子４２０に入力される。このようにして半導体素子３２０から半導体素子４２０へ、回路基板１Ａによって信号伝送が行われる。尚、同様に、半導体素子４２０から半導体素子３２０へ、回路基板１Ａによって信号伝送が行われてもよい。

電子装置１００Ａでは、マザーボード２００に高速信号配線を設けず、マザーボード２００と別体化した回路基板１Ａに高速信号配線を設け、この回路基板１Ａにより、半導体装置３００と半導体装置４００との間の高速信号の伝送を行う。これにより、マザーボード２００を通じて高速信号の伝送を行う際の、特性インピーダンスの不整合や、差動信号のスキューの発生といった、高速信号の伝送特性の劣化を抑えることができる。

上記の例のような回路基板１Ａによる信号伝送において、そのフレキシブル基板１０Ａの信号端子１１ａから信号端子１１ｂへ、信号配線１２を伝送される信号は、途中、波形整形装置２０Ａによって整形される。即ち、信号端子１１ａから入力されて信号配線１２ａを伝送される信号が、波形整形装置２０Ａによって整形され、整形された信号が、信号配線１２ｂを伝送されて信号端子１１ｂから出力される。このように、信号端子１１ａから入力されて伝送される信号が、経由する波形整形装置２０Ａによって整形されるため、波形整形装置２０Ａを経由せずに信号端子１１ｂまで伝送される場合に比べ、その波形の劣化を抑えることができる。

信号配線を伝送される信号が比較的高速で、且つその信号配線の距離が長いと、その信号の波形の劣化が生じ易くなる。これに対し、回路基板１Ａでは、波形整形装置２０Ａにより、信号端子１１ａから信号端子１１ｂへ、波形の劣化を抑えて高速信号を伝送することができる。そのため、高速信号をその波形の劣化を抑えて伝送或いは到達させることができる距離の長距離化、即ち信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）の長距離化を図ることができる。回路基板１Ａによれば、高速信号の波形の劣化を抑えた長距離伝送を実現することができる。これにより、マザーボード２００上の比較的遠く離れた位置に搭載された半導体装置３００と半導体装置４００との間でも、回路基板１Ａによる信号伝送を行うことが可能になり、電子装置１００Ａの設計自由度の向上を図ることができる。

尚、電子装置１００Ａにおいて、その回路基板１Ａには、信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）を複数設けることができ、各信号配線１２に波形整形装置２０Ａを設けることができる。また、回路基板１Ａには、１つの信号配線１２に複数の波形整形装置２０Ａを設けることもできる。

また、電子装置１００Ａにおいて、その波形整形装置２０Ａに電源を供給する、フレキシブル基板１０Ａの電源配線１４には、デカップリングコンデンサを接続することもできる。これにより、波形整形装置２０Ａに供給される電源に混入するノイズ（電源ノイズ）を低減することができる。

電子装置１００Ａの回路基板１Ａは、例えば、次のようにして形成される。
図６は第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図６（Ａ）〜図６（Ｃ）には、各工程の要部断面模式図を示している。また、波形整形装置の一例を図１６（Ａ）に示している。

まず、図６（Ａ）に示すような波形整形装置２０Ａ、及び図６（Ｂ）に示すようなフレキシブル基板１０Ａが準備される。波形整形装置２０Ａには、例えば、図１６（Ａ）に示すような、パッケージ基板２３上に実装された半導体素子２４が樹脂２５で封止されたパッケージ構造を有する半導体装置２０ａが用いられる。ここでは一例として、パッケージ基板２３に設けられる信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂに、半田バンプが用いられる。

波形整形装置２０Ａとフレキシブル基板１０Ａとは、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂと、信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ並びにＧＮＤ配線１４ａ及びＶＤＤ配線１４ｂとの位置合わせが行われ、対向配置される。そして、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂに用いられた半田の加熱による溶融、及び冷却による凝固が行われる。これにより、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂが、それぞれ信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ並びにＧＮＤ配線１４ａ及びＶＤＤ配線１４ｂと半田接合され、図６（Ｃ）に示すような回路基板１Ａが得られる。

このようにして得られる回路基板１Ａ（その信号端子１１ａ，１１ｂ側の両接続部）を、半導体装置３００の接続部３１、及び半導体装置４００の接続部３２と接続する。これにより、上記図５に示したような電子装置１００Ａが得られる。

次に、第３の実施の形態について説明する。
図７は第３の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図７には、電子装置の一例の要部断面模式図を示している。

図７に示す電子装置１００Ｂでは、マザーボード２００上に搭載された半導体装置３００と半導体装置４００との間の信号伝送が、回路基板１Ｂによって行われる。回路基板１Ｂは、フレキシブル基板１０Ｂ、及びその上に搭載された波形整形装置２０Ｂを含む。

フレキシブル基板１０Ｂは、絶縁層１３、ＧＮＤ層１４ｃ、信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂ、並びに信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ（信号配線１２）を有する。信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂは、ストリップライン型やコプレナ型の高速信号配線として設けられる。尚、フレキシブル基板１０Ｂには、高速信号配線のほか、低速信号配線が設けられてもよい。

波形整形装置２０Ｂは、例えば、リタイマＩＣであって、ＢＧＡ型、ＱＦＮ型、ＱＦＰ型等のパッケージ構造を有する。波形整形装置２０Ｂは、フレキシブル基板１０Ｂ側に設けられた、バンプやリード等の信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ（ここでは一例としてバンプを図示）を有する。波形整形装置２０Ｂの信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂは、フレキシブル基板１０Ｂの信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂとそれぞれ接続される。波形整形装置２０Ｂは更に、フレキシブル基板１０Ｂ側とは反対側に設けられた、バンプやリード等の電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂ（ここでは一例としてバンプを図示）を有する。波形整形装置２０Ｂは、電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂを通じて電源が供給され、それに入力される信号を整形して出力する所定の処理機能を実行する。

回路基板１Ｂは、波形整形装置２０Ｂの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂの配設面側が、マザーボード２００の半導体装置３００及び半導体装置４００の搭載面側と対向するように配置される。このような向きで配置される回路基板１Ｂが、半導体装置３００の接続部３１、及び半導体装置４００の接続部３２と接続される。波形整形装置２０Ｂは、フレキシブル基板１０Ｂとマザーボード２００との間に位置し、その電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂは、マザーボード２００の電源配線２２０であるＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２とそれぞれ接続される。

図７に示す電子装置１００Ｂでは、マザーボード２００の電源配線２２０から、それと接続された電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂを通じて波形整形装置２０Ｂに電源が供給される。波形整形装置２０Ｂに、マザーボード２００から、半導体装置４００又は半導体装置３００を介さず、直接電源が供給されるため、波形整形装置２０Ｂまでの電源配線距離が短縮される。これにより、波形整形装置２０Ｂに供給される電源に混入する電源ノイズを低減し、波形整形装置２０Ｂを安定に動作させることができる。また、波形整形装置２０Ｂにマザーボード２００から直接電源が供給されるため、フレキシブル基板１０Ｂには、波形整形装置２０Ｂに電源を供給するための電源配線を設けることを要しない。そのため、フレキシブル基板１０Ｂの配線層数を削減して柔軟性を高めたり、信号配線１２の数を増大したりすることができる。

電子装置１００Ｂでは、フレキシブル基板１０Ｂ上の波形整形装置２０Ｂが上記のようにマザーボード２００と接続された回路基板１Ｂにより、半導体装置３００と半導体装置４００との間の信号伝送が行われる。

例えば、半導体素子３２０から出力された信号は、パッケージ基板３１０の信号配線３１３及び接続部３１を通じて、フレキシブル基板１０Ｂの信号端子１１ａに入力され、信号配線１２ａを伝送される。信号配線１２ａを伝送される信号は、信号端子２１ａから波形整形装置２０Ｂに入力されて整形された後、信号端子２１ｂから出力される。波形整形装置２０Ｂから出力された信号は、フレキシブル基板１０Ｂの信号配線１２ｂを伝送され、信号端子１１ｂから出力され、接続部３２及びパッケージ基板４１０の信号配線４１３を通じて、半導体素子４２０に入力される。このようにして半導体素子３２０から半導体素子４２０へ、回路基板１Ｂによって信号伝送が行われる。

回路基板１Ｂでは、信号端子１１ａから入力されて伝送される信号が、経由する波形整形装置２０Ｂによって整形されるため、波形整形装置２０Ｂを経由せずに信号端子１１ｂまで伝送される場合に比べ、その波形の劣化を抑えることができる。回路基板１Ｂでは、波形整形装置２０Ｂにより、信号端子１１ａから信号端子１１ｂへ、波形の劣化を抑えて高速信号を伝送することができるため、信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）の長距離化を図ることができる。回路基板１Ｂによれば、高速信号の波形の劣化を抑えた長距離伝送を実現することができる。これにより、設計自由度が高く、長距離伝送特性に優れた電子装置１００Ｂを実現することができる。

尚、電子装置１００Ｂにおいて、その回路基板１Ｂには、信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）を複数設けることができ、各信号配線１２に波形整形装置２０Ｂを設けることができる。また、回路基板１Ｂには、１つの信号配線１２に複数の波形整形装置２０Ｂを設けることもできる。各波形整形装置２０Ｂが、上記のようなマザーボード２００からの直接電源供給が行われる構造とされる。

電子装置１００Ｂの回路基板１Ｂは、例えば、次のようにして形成される。
図８は第３の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図８（Ａ）〜図８（Ｃ）には、各工程の要部断面模式図を示している。また、波形整形装置の一例を図１６（Ｂ）に示している。

まず、図８（Ａ）に示すような波形整形装置２０Ｂ、及び図８（Ｂ）に示すようなフレキシブル基板１０Ｂが準備される。波形整形装置２０Ｂには、例えば、図１６（Ｂ）に示すような、パッケージ基板２３上に実装された半導体素子２４が樹脂２５で封止され、更にその樹脂２５を貫通しパッケージ基板２３と接続される電極２６ａ及び電極２６ｂが設けられたパッケージ構造を有する半導体装置２０ｂが用いられる。ここでは一例として、パッケージ基板２３に設けられる信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ、並びに樹脂２５を貫通する電極２６ａ及び電極２６ｂ上にそれぞれ設けられる電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂに、半田バンプが用いられる。

波形整形装置２０Ｂとフレキシブル基板１０Ｂとは、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂと、信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂとの位置合わせが行われ、対向配置される。そして、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂに用いられた半田の加熱による溶融、及び冷却による凝固が行われる。これにより、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂが、それぞれ信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂと半田接合され、図８（Ｃ）に示すような回路基板１Ｂが得られる。

このようにして得られる回路基板１Ｂを、その波形整形装置２０Ｂ側をマザーボード２００側に向け、電極２６ａ及び電極２６ｂ上の電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂを、マザーボード２００のＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２と半田接合する。この半田接合後又は半田接合前に、回路基板１Ｂ（その信号端子１１ａ，１１ｂ側の両接続部）を、半導体装置３００の接続部３１、及び半導体装置４００の接続部３２と接続する。これにより、上記図７に示したような電子装置１００Ｂが得られる。

次に、第４の実施の形態について説明する。
図９は第４の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図９には、電子装置の一例の要部断面模式図を示している。

図９に示す電子装置１００Ｃでは、マザーボード２００上に搭載された半導体装置３００と半導体装置４００との間の信号伝送が、回路基板１Ｃによって行われる。回路基板１Ｃは、フレキシブル基板１０Ｃ、及びその上に搭載された波形整形装置２０Ｃを含む。

フレキシブル基板１０Ｃは、絶縁層１３、ＧＮＤ層１４ｃ、信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂ、並びに信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ（信号配線１２）を有する。信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂは、ストリップライン型やコプレナ型の高速信号配線として設けられる。尚、フレキシブル基板１０Ｃには、高速信号配線のほか、低速信号配線が設けられてもよい。フレキシブル基板１０Ｃは更に、フレキシブル基板１０Ｃを貫通するように設けられた導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂ（導体部）、並びにこれらの導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂにそれぞれ接続されたバンプ等の電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂを有する。フレキシブル基板１０Ｃの導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂはそれぞれ、波形整形装置２０Ｃの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂと対応する位置に設けられる。

波形整形装置２０Ｃは、例えば、リタイマＩＣであって、ＢＧＡ型、ＱＦＮ型、ＱＦＰ型等のパッケージ構造を有する。波形整形装置２０Ｃは、フレキシブル基板１０Ｃ側に設けられた、バンプやリード等の信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂ（ここでは一例としてバンプを図示）を有する。波形整形装置２０Ｃの信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂは、フレキシブル基板１０Ｃの信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂとそれぞれ接続される。波形整形装置２０Ｃの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂは、対応する位置に設けられたフレキシブル基板１０Ｃの導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂとそれぞれ接続される。

回路基板１Ｃは、フレキシブル基板１０Ｃの電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂの配設面側が、マザーボード２００の半導体装置３００及び半導体装置４００の搭載面側と対向するように配置される。このような向きで配置される回路基板１Ｃが、半導体装置３００の接続部３１、及び半導体装置４００の接続部３２と接続される。フレキシブル基板１０Ｃの電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂは、マザーボード２００の電源配線２２０であるＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２とそれぞれ接続される。

図９に示す電子装置１００Ｃでは、マザーボード２００の電源配線２２０から、それと接続された電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂ、導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂ、並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂを通じて、波形整形装置２０Ｃに電源が供給される。波形整形装置２０Ｃのパッケージ構造上、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂと同一面に電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂが設けられる場合、このようにフレキシブル基板１０Ｃに設けた電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂ並びに導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂを通じて、波形整形装置２０Ｃに電源を供給する。このようにすると、フレキシブル基板１０Ｃに設けた電源配線を通じて波形整形装置２０Ｃに電源を供給する場合に比べて、波形整形装置２０Ｃまでの電源配線距離を短縮することができ、電源ノイズを低減し、波形整形装置２０Ｃを安定に動作させることができる。また、波形整形装置２０Ｃに電源を供給するための電源配線をフレキシブル基板１０Ｃに設けることを要しないため、フレキシブル基板１０Ｃの配線層数を削減して柔軟性を高めたり、信号配線１２の数を増大したりすることができる。

電子装置１００Ｃでは、波形整形装置２０Ｃが搭載されたフレキシブル基板１０Ｃが上記のようにマザーボード２００と接続された回路基板１Ｃにより、半導体装置３００と半導体装置４００との間の信号伝送が行われる。その際、回路基板１Ｃでは、例えば、信号端子１１ａから入力され、信号配線１２ａを伝送される信号が、経由する波形整形装置２０Ｃによって整形された後、信号配線１２ｂを伝送され、信号端子１１ｂから出力される。そのため、波形整形装置２０Ｃを経由せずに信号端子１１ａから信号端子１１ｂまで伝送される場合に比べ、信号の波形の劣化を抑えることができる。回路基板１Ｃでは、波形整形装置２０Ｃにより、信号端子１１ａから信号端子１１ｂへ、波形の劣化を抑えて高速信号を伝送することができるため、信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）の長距離化を図ることができる。これにより、設計自由度が高く、長距離伝送特性に優れた電子装置１００Ｃを実現することができる。

尚、電子装置１００Ｃにおいて、その回路基板１Ｃには、信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）を複数設けることができ、各信号配線１２に波形整形装置２０Ｃを設けることができる。また、回路基板１Ｃには、１つの信号配線１２に複数の波形整形装置２０Ｃを設けることもできる。各波形整形装置２０Ｃに対応して、フレキシブル基板１０Ｃに、上記のようなマザーボード２００からの電源供給構造、即ち電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂ並びに導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂが設けられる。

電子装置１００Ｃの回路基板１Ｃは、例えば、次のようにして形成される。
図１０は第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）には、各工程の要部断面模式図を示している。また、波形整形装置の一例を図１６（Ａ）に示している。

まず、図１０（Ａ）に示すような波形整形装置２０Ｃ、及び図１０（Ｂ）に示すようなフレキシブル基板１０Ｃが準備される。波形整形装置２０Ｃには、例えば、図１６（Ａ）に示すような、パッケージ基板２３上に実装された半導体素子２４が樹脂２５で封止されたパッケージ構造を有する半導体装置２０ａが用いられる。ここでは一例として、パッケージ基板２３に設けられる信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂに、半田バンプが用いられる。フレキシブル基板１０Ｃの導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂ上にそれぞれ設けられる電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂにも同様に、半田バンプが用いられる。

波形整形装置２０Ｃとフレキシブル基板１０Ｃとは、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂと、信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ並びに導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂとの位置合わせが行われ、対向配置される。そして、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂに用いられた半田の加熱による溶融、及び冷却による凝固が行われる。これにより、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ並びに電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂが、それぞれ信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ並びに導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂと半田接合される。また、フレキシブル基板１０Ｃの導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂに、半田バンプの電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂが設けられる。これにより、図１０（Ｃ）に示すような回路基板１Ｃが得られる。

このようにして得られる回路基板１Ｃを、そのフレキシブル基板１０Ｃ側をマザーボード２００側に向け、導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂ上の電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂを、マザーボード２００のＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２と半田接合する。この半田接合後又は半田接合前に、回路基板１Ｃ（その信号端子１１ａ，１１ｂ側の両接続部）を、半導体装置３００の接続部３１、及び半導体装置４００の接続部３２と接続する。これにより、上記図９に示したような電子装置１００Ｃが得られる。

尚、導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂは、単体の導体ビアに限らず、導体ビアの積層体、配線の積層体、又は導体ビアと配線の積層体を少なくとも一部に含むもの等、フレキシブル基板１０Ｃの表裏面間を導通するものであれば、各種導体部とすることができる。

次に、第５の実施の形態について説明する。
図１１は第５の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１１には、電子装置の一例の要部断面模式図を示している。

図１１に示す電子装置１００Ｄでは、マザーボード２００上に搭載された半導体装置３００と半導体装置４００との間の信号伝送が、回路基板１Ｄによって行われる。回路基板１Ｄは、フレキシブル基板１０Ｄ、及びその上に搭載された波形整形装置２０Ｄを含む。

フレキシブル基板１０Ｄは、便宜上、ここでは図示を省略するが、上記フレキシブル基板１０Ｃ等について述べたような絶縁層１３、ＧＮＤ層１４ｃ、信号端子１１ａ及び信号端子１１ｂ、並びに信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ（信号配線１２）を有する。信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂは、ストリップライン型やコプレナ型の高速信号配線として設けられる。尚、フレキシブル基板１０Ｄには、高速信号配線のほか、低速信号配線が設けられてもよい。フレキシブル基板１０Ｄは更に、図１１に示すような、フレキシブル基板１０Ｄを貫通する貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂを有する。フレキシブル基板１０Ｄの貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂはそれぞれ、波形整形装置２０Ｄの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂと対応する位置に設けられる。

波形整形装置２０Ｄは、例えば、リタイマＩＣであって、ＢＧＡ型、ＱＦＮ型、ＱＦＰ型等のパッケージ構造を有する。波形整形装置２０Ｄは、フレキシブル基板１０Ｄ側に設けられた、バンプやリード等の信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂ（ここでは一例としてバンプを図示）を有する。波形整形装置２０Ｄの信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂは、フレキシブル基板１０Ｄの信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂ（図示せず）とそれぞれ接続される。波形整形装置２０Ｄは更に、フレキシブル基板１０Ｄ側に設けられた、バンプやリード等の電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂ（ここでは一例としてバンプを図示）を有する。波形整形装置２０Ｄの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂは、その配設面２０Ｄａからの高さが、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂの配設面２０Ｄａからの高さよりも高くなるように設けられる。波形整形装置２０Ｄの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂはそれぞれ、対応する位置に設けられたフレキシブル基板１０Ｄの貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂを貫通する。

回路基板１Ｄは、フレキシブル基板１０Ｄ側が、マザーボード２００の半導体装置３００及び半導体装置４００の搭載面側と対向するように配置される。このような向きで配置される回路基板１Ｄが、半導体装置３００の接続部３１、及び半導体装置４００の接続部３２と接続される。フレキシブル基板１０Ｄの貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂを貫通する、波形整形装置２０Ｄの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂが、マザーボード２００の電源配線２２０であるＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２とそれぞれ接続される。

図１１に示す電子装置１００Ｄでは、マザーボード２００の電源配線２２０から、それと接続された電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂを通じて、波形整形装置２０Ｄに電源が供給される。波形整形装置２０Ｄに、マザーボード２００から、半導体装置４００又は半導体装置３００を介さず、直接電源が供給されるため、波形整形装置２０Ｄまでの電源配線距離が短縮される。これにより、電源ノイズを低減し、波形整形装置２０Ｄを安定に動作させることができる。また、波形整形装置２０Ｄに電源を供給するための電源配線をフレキシブル基板１０Ｄに設けることを要しないため、フレキシブル基板１０Ｄの配線層数を削減して柔軟性を高めたり、信号配線１２の数を増大したりすることができる。更にまた、波形整形装置２０Ｄに電源を供給するための導体ビアや電源端子をフレキシブル基板１０Ｄに設けることを要せず、貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂを設ければ足りるため、フレキシブル基板１０Ｄの製造コスト、製造工数を抑えることができる。

電子装置１００Ｄでは、フレキシブル基板１０Ｄ上の波形整形装置２０Ｄが上記のようにマザーボード２００と接続された回路基板１Ｄにより、半導体装置３００と半導体装置４００との間の信号伝送が行われる。その際、回路基板１Ｄでは、例えば、信号端子１１ａから入力され、信号配線１２ａを伝送される信号が、経由する波形整形装置２０Ｄによって整形された後、信号配線１２ｂを伝送され、信号端子１１ｂから出力される。そのため、波形整形装置２０Ｄを経由せずに信号端子１１ａから信号端子１１ｂまで伝送される場合に比べ、信号の波形の劣化を抑えることができる。回路基板１Ｄでは、波形整形装置２０Ｄにより、信号端子１１ａから信号端子１１ｂへ、波形の劣化を抑えて高速信号を伝送することができるため、信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）の長距離化を図ることができる。これにより、設計自由度が高く、長距離伝送特性に優れた電子装置１００Ｄを実現することができる。

尚、電子装置１００Ｄにおいて、その回路基板１Ｄには、信号配線１２（信号配線１２ａ，１２ｂ）を複数設けることができ、各信号配線１２に波形整形装置２０Ｄを設けることができる。また、回路基板１Ｄには、１つの信号配線１２に複数の波形整形装置２０Ｄを設けることもできる。各波形整形装置２０Ｄが、上記のようなマザーボード２００からの直接電源供給が行われる構造とされる。

電子装置１００Ｄの回路基板１Ｄは、例えば、次のようにして形成される。
図１２は第５の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）には、各工程の要部断面模式図を示している。また、波形整形装置の一例を図１６（Ｃ）に示している。

まず、図１２（Ａ）に示すような波形整形装置２０Ｄ、及び図１２（Ｂ）に示すようなフレキシブル基板１０Ｄが準備される。波形整形装置２０Ｄには、例えば、図１６（Ｃ）に示すような、パッケージ基板２３上に実装された半導体素子２４が樹脂２５で封止されたパッケージ構造を有する半導体装置２０ｃが用いられる。ここでは一例として、パッケージ基板２３に設けられる信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂに、半田バンプが用いられる。電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂには、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂよりも大きなサイズの半田バンプが用いられる。

波形整形装置２０Ｄとフレキシブル基板１０Ｄとは、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂと、信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂとの位置合わせが行われ、対向配置される。そして、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂに用いられた半田の加熱による溶融、及び冷却による凝固が行われる。これにより、信号端子２１ａ及び信号端子２１ｂが、それぞれ信号配線１２ａ及び信号配線１２ｂと半田接合される。この時、波形整形装置２０Ｄの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂはそれぞれ、フレキシブル基板１０Ｄの貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂに挿入され、貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂを貫通する。これにより、図１２（Ｃ）に示すような回路基板１Ｄが得られる。

このようにして得られる回路基板１Ｄを、そのフレキシブル基板１０Ｄ側をマザーボード２００側に向け、貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂを貫通する電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂを、マザーボード２００のＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２と半田接合する。この半田接合後又は半田接合前に、回路基板１Ｄ（その信号端子１１ａ，１１ｂ側の両接続部）を、半導体装置３００の接続部３１、及び半導体装置４００の接続部３２と接続する。これにより、上記図１１に示したような電子装置１００Ｄが得られる。

次に、第６の実施の形態について説明する。
図１３は第６の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１３には、電子装置の一例の要部断面模式図を示している。

図１３に示す電子装置１００Ｂａは、回路基板１Ｂ及びマザーボード２００が、着脱可能なコネクタ４１及びコネクタ４２を用いて接続されている点で、上記第３の実施の形態で述べた電子装置１００Ｂ（図７）と相違する。

回路基板１Ｂには、フレキシブル基板１０Ｂ上に搭載された波形整形装置２０Ｂの、そのフレキシブル基板１０Ｂ側とは反対側に設けられた電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂと接続されるように、コネクタ４１が設けられる。マザーボード２００には、回路基板１Ｂの波形整形装置２０Ｂに電源を供給する電源配線２２０であるＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２と接続されるように、コネクタ４２が設けられる。回路基板１Ｂのコネクタ４１が、マザーボード２００のコネクタ４２と接続されることで、回路基板１Ｂの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂと、マザーボード２００のＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２とが、それぞれ接続される。また、コネクタ４１及びコネクタ４２によってマザーボード２００と接続された回路基板１Ｂは、そのコネクタ４１がマザーボード２００のコネクタ４２から外されることで、マザーボード２００から分離される。

電子装置１００Ｂａのように、回路基板１Ｂ及びマザーボード２００を、着脱可能なコネクタ４１及びコネクタ４２を用いて接続することで、マザーボード２００に対する回路基板１Ｂの取り付け及び取り外しを容易にすることができる。

次に、第７の実施の形態について説明する。
図１４は第７の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１４には、電子装置の一例の要部断面模式図を示している。

図１４に示す電子装置１００Ｃａは、回路基板１Ｃ及びマザーボード２００が、着脱可能なコネクタ４１及びコネクタ４２を用いて接続されている点で、上記第４の実施の形態で述べた電子装置１００Ｃ（図９）と相違する。

回路基板１Ｃには、波形整形装置２０Ｃが搭載されたフレキシブル基板１０Ｃの、その導体ビア１５ａ及び導体ビア１５ｂ上に設けられた電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂと接続されるように、コネクタ４１が設けられる。マザーボード２００には、回路基板１Ｃの波形整形装置２０Ｃに電源を供給する電源配線２２０であるＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２と接続されるように、コネクタ４２が設けられる。回路基板１Ｃのコネクタ４１が、マザーボード２００のコネクタ４２と接続されることで、回路基板１Ｃの電源端子１６ａ及び電源端子１６ｂと、マザーボード２００のＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２とが、それぞれ接続される。また、コネクタ４１及びコネクタ４２によってマザーボード２００と接続された回路基板１Ｃは、そのコネクタ４１がマザーボード２００のコネクタ４２から外されることで、マザーボード２００から分離される。

電子装置１００Ｃａのように、回路基板１Ｃ及びマザーボード２００を、着脱可能なコネクタ４１及びコネクタ４２を用いて接続することで、マザーボード２００に対する回路基板１Ｃの取り付け及び取り外しを容易にすることができる。

次に、第８の実施の形態について説明する。
図１５は第８の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１５には、電子装置の一例の要部断面模式図を示している。

図１５に示す電子装置１００Ｄａは、回路基板１Ｄ及びマザーボード２００が、着脱可能なコネクタ４１及びコネクタ４２を用いて接続されている点で、上記第５の実施の形態で述べた電子装置１００Ｄ（図１１）と相違する。

回路基板１Ｄには、フレキシブル基板１０Ｄ上に搭載された波形整形装置２０Ｄの、フレキシブル基板１０Ｄの貫通孔１７ａ及び貫通孔１７ｂを貫通する電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂと接続されるように、コネクタ４１が設けられる。マザーボード２００には、回路基板１Ｄの波形整形装置２０Ｄに電源を供給する電源配線２２０であるＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２と接続されるように、コネクタ４２が設けられる。回路基板１Ｄのコネクタ４１が、マザーボード２００のコネクタ４２と接続されることで、回路基板１Ｄの電源端子２２ａ及び電源端子２２ｂと、マザーボード２００のＧＮＤ配線２２１及びＶＤＤ配線２２２とが、それぞれ接続される。また、コネクタ４１及びコネクタ４２によってマザーボード２００と接続された回路基板１Ｄは、そのコネクタ４１がマザーボード２００のコネクタ４２から外されることで、マザーボード２００から分離される。

電子装置１００Ｄａのように、回路基板１Ｄ及びマザーボード２００を、着脱可能なコネクタ４１及びコネクタ４２を用いて接続することで、マザーボード２００に対する回路基板１Ｄの取り付け及び取り外しを容易にすることができる。

次に、第９の実施の形態について説明する。
上記第１〜第８の実施の形態で述べたような回路基板、又はそのような回路基板を用いて得られる電子装置は、各種電子機器に搭載することができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に搭載することができる。

図１７は第９の実施の形態に係る電子機器の説明図である。図１７には、電子機器の一例を模式的に図示している。
図１７に示すように、例えば上記第１の実施の形態で述べたような回路基板１（図１）を含む電子装置１００が、各種電子機器５０に搭載（内蔵）される。例えば、電子装置１００は、マザーボード等の回路基板１０１上に搭載された、半導体装置等の電子部品１０２及び電子部品１０３が、回路基板１で接続された構造を有する。回路基板１の信号端子１１ａ側が電子部品１０２と接続され、信号端子１１ｂ側が電子部品１０３と接続されて、電子部品１０２と電子部品１０３との間の信号伝送が、回路基板１の信号配線１２を通じて行われる。信号配線１２と接続された波形整形装置２０により、伝送される信号の整形が行われ、その波形の劣化が抑えられる。回路基板１が用いられ、伝送特性に優れた電子装置１００が実現される。このような電子装置１００を搭載する、性能及び信頼性に優れた電子機器５０が実現される。

ここでは、上記第１の実施の形態で述べたような回路基板１を含む電子装置１００を搭載する電子機器５０を例示した。このほか、上記第１〜第８の実施の形態で述べたような他の回路基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ等、及び電子装置１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｂａ，１００Ｃ，１００Ｃａ，１００Ｄ，１００Ｄａ等も同様に、各種電子機器に搭載することが可能である。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１０１ 回路基板
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ フレキシブル基板
１１ａ，１１ｂ，２１ａ，２１ｂ 信号端子
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，３１３，４１３ 信号配線
１３，２１０，３１１，４１１ 絶縁層
１４，２２０，３１２，４１２ 電源配線
１４ａ，２２１，３１２ａ，４１２ａ ＧＮＤ配線
１４ｂ，２２２，３１２ｂ，４１２ｂ ＶＤＤ配線
１４ｃ ＧＮＤ層
１５ａ，１５ｂ 導体ビア
１６ａ，１６ｂ，２２ａ，２２ｂ 電源端子
１７ａ，１７ｂ 貫通孔
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ 波形整形装置
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，３００，４００ 半導体装置
２０Ｄａ 配設面
２３，３１０，４１０ パッケージ基板
２４，３２０，４２０ 半導体素子
２５ 樹脂
２６ａ，２６ｂ 電極
３１，３２ 接続部
４１，４２ コネクタ
５０ 電子機器
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｂａ，１００Ｃ，１００Ｃａ，１００Ｄ，１００Ｄａ 電子装置
１０２，１０３ 電子部品
２００ マザーボード
３３０，４３０ バンプ

Claims (9)

1. 第１信号配線及び第２信号配線を有するフレキシブル基板と、
   前記フレキシブル基板上に搭載され、前記第１信号配線及び前記第２信号配線と接続され、前記第１信号配線から前記第２信号配線に伝送される信号の波形を整形する波形整形装置と
   を含むことを特徴とする回路基板。
2. 前記波形整形装置の前記フレキシブル基板側とは反対側に設けられ、前記波形整形装置に電源を供給する電源端子を有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
3. 前記フレキシブル基板の前記波形整形装置側とは反対側に設けられ、前記フレキシブル基板を貫通する導体部を介して前記波形整形装置と接続され、前記波形整形装置に電源を供給する電源端子を有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
4. 前記波形整形装置の前記フレキシブル基板側に設けられ、前記フレキシブル基板に設けられた貫通孔を貫通し、前記波形整形装置に電源を供給する電源端子を有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
5. 前記電源端子と接続されたコネクタを含むことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の回路基板。
6. 第１信号配線及び第２信号配線を有するフレキシブル基板上に、波形整形装置を、前記第１信号配線及び前記第２信号配線と接続し、搭載する工程を含み、
   前記波形整形装置は、前記第１信号配線から前記第２信号配線に伝送される信号の波形を整形することを特徴とする回路基板の製造方法。
7. 第１回路基板と、
   前記第１回路基板上に搭載された第１電子部品及び第２電子部品と、
   前記第１電子部品と前記第２電子部品との間を接続する第２回路基板と
   を含み、
   前記第２回路基板は、
   前記第１電子部品と接続される第１信号配線、及び前記第２電子部品と接続される第２信号配線を有するフレキシブル基板と、
   前記フレキシブル基板上に搭載され、前記第１信号配線及び前記第２信号配線と接続され、前記第１信号配線から前記第２信号配線に伝送される信号の波形を整形する波形整形装置と
   を含むことを特徴とする電子装置。
8. 前記第２回路基板は、前記第１回路基板との対向面に、前記第１回路基板の電源配線と接続され前記波形整形装置に電源を供給する電源端子を含むことを特徴とする請求項７に記載の電子装置。
9. 前記第１回路基板の前記第２回路基板との対向面に設けられ、前記第１回路基板の電源配線と接続された第１コネクタと、
   前記第２回路基板の前記第１回路基板との対向面に、前記第１コネクタと着脱可能に設けられ、前記波形整形装置に電源を供給する電源端子と接続された第２コネクタと
   を含むことを特徴とする請求項７に記載の電子装置。

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