JP2018128519A - 光源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】簡便な構造でグレアを抑制するとともに、半導体レーザから照射される一次光の利用効率を向上することが可能な光源装置および車両用灯具を提供する。【解決手段】一次光(L10,L11)の少なくとも一部を波長変換して二次光(L20,L21)を出射する波長変換部材(14)と、一次光(L10)を波長変換部材(14)に対して照射する光照射部を備え、波長変換部材(14)は、光照射部から一次光(L10)が直接照射される直接入射部(14a)と、直接入射部(14a)で反射された一次光(L11)が照射される再入射部(14b)とを有する光源装置(100)。【選択図】図1

Description

本発明は光源装置に関し、特に半導体レーザが出射する一次光を波長変換部材で二次光に波長変換する光源装置に関する。
LED(Light Emitting Diode)や半導体レーザを光源として、蛍光体材料を含有した波長変換部材で波長変換して白色光を得る光源装置が用いられている。これらの光源装置では、光源から青色光や紫外光などの一次光を発光して波長変換部材に照射し、波長変換部材に含有された蛍光体が一次光により励起されて黄色光などの二次光を発光し、一次光と二次光が混色して白色光が外部に照射される。
特許文献1には、半導体レーザを光源として用いた車両用灯具が提案されている。光源として半導体レーザを用いると、大出力で波長幅の狭い一次光を得られるが、指向性が非常に強く光が照射される領域が小さいという特徴がある。したがって、光源としてLEDを用いる場合と比較すると、波長変換部材の極めて小さい領域に大出力の一次光が照射されて白色光を出射し、指向性が高い光源装置が得られる。
図7は、従来から提案されている半導体レーザを用いた光源装置の構成を示す模式図である。光源装置は、搭載部1と、サブマウント2と、半導体レーザ3と、波長変換部材4と、光学部材5を備えている。搭載部1上に搭載された波長変換部材4に対して、サブマウント2上に搭載された半導体レーザ3から一次光L10が照射される。波長変換部材4では、含有されている蛍光体材料によって一次光L10の少なくとも一部が波長変換されて二次光L2を放出する。
波長変換部材で散乱された一次光L10の一部と二次光L2は混色され、光学部材5を介して白色光として光源装置の外部に対して照射される。
特開2010−232044号公報
図7に示した従来技術では、半導体レーザ3から波長変換部材4に照射された一次光L10は、一部が波長変換部材4の表面で一次光L11として反射されてしまう。一次光L11は、波長変換部材4によって二次光L2に変換できないため、半導体レーザ3から照射される一次光L10の利用効率が低下してしまう。また、一次光L11が光源装置の外部に放出されると白色光の配光分布において色温度が異なる領域がグレアとして生じてしまうため、一次光L11の放出を防止するための光学的設計を講じる必要があるという問題があった。
そこで本発明は、簡便な構造でグレアを抑制するとともに、半導体レーザから照射される一次光の利用効率を向上することが可能な光源装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために本発明の光源装置は、一次光の少なくとも一部を波長変換して二次光を出射する波長変換部材と、前記一次光を前記波長変換部材に対して照射する光照射部を備え、前記波長変換部材は、前記光照射部から前記一次光が直接照射される直接入射部と、前記直接入射部で反射された前記一次光が照射される再入射部とを有することを特徴とする。
このような本発明の光源装置では、直接入射部で反射された一次光が波長変換部材の再入射部に照射されるため、簡便な構造でグレアを抑制するとともに、半導体レーザから照射される一次光の利用効率を向上することができる。
また本発明の一態様では、前記直接入射部と前記再入射部とは高さが異なる。
また本発明の一態様では、前記波長変換部材を搭載する放熱部材を備え、前記直接入射部と前記放熱部材の距離は、前記再入射部から前記放熱部材の距離よりも小さい。
また本発明の一態様では、前記直接入射部と前記再入射部とは別体で構成されている。
また本発明の一態様では、前記直接入射部と前記再入射部とは、含有される波長変換材料の濃度が異なる。
また本発明の一態様では、直接入射部への前記一次光の入射角は、ブリュースター角に略一致する。
また本発明の一態様では、前記光照射部を複数備える。
本発明では、簡便な構造でグレアを抑制するとともに、半導体レーザから照射される一次光の利用効率を向上することが可能な光源装置を提供することができる。
第1実施形態における光源装置100を示す模式図であり、図1(a)は一次光L10、一次光L11、二次光L20,L21の位置関係を示し、図1(b)は一次光L10の入射角度θと一次光L11および波長変換部材14の関係を示している。 第1実施形態の光源装置100を用いた車両用灯具を示す模式図であり、図2(a)はパラボラ光学系の車両用灯具200を示し、図2(b)はモノフォーカス光学系の車両用灯具210を示している。 第2実施形態における光源装置110を示す模式図であり、図3(a)は模式斜視図であり、図3(b)は模式平面図である。 第3実施形態における光源装置120を示す模式図である。 第4実施形態における光源装置130を示す模式図であり、図5(a)は模式側面図であり、図5(b)は模式平面図である。 直接入射部14aと再入射部14bを別体で形成した波長変換部材14を示す模式図であり、図6(a)は図1(a)に示した形状の例であり、図6(b)は図5(a)に示した形状の例であり、図6(c)は他の形状の例である。 従来から提案されている半導体レーザを用いた光源装置の構成を示す模式図である。
(第1実施形態)
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付すものとし、適宜重複した説明は省略する。図1は、第1実施形態における光源装置100を示す模式図であり、図1(a)は一次光L10、一次光L11、二次光L20,L21の位置関係を示し、図1(b)は一次光L10の入射角度θと一次光L11および波長変換部材14の関係を示している。光源装置100は、搭載部11と、サブマウント12と、半導体レーザ13と、波長変換部材14を備えている。
搭載部11は、サブマウント12と波長変換部材14を搭載する部材である。図1では搭載部11として平板形状のものを示しているが、各部材を搭載して保持できればどのような形状でもよい。また、半導体レーザ13の光照射に伴う発熱や、波長変換部材14での波長変換時の発熱等を光源装置100の外部に放熱するために、熱伝導性が良好な材質で構成されることが好ましい。サブマウント12は、半導体レーザ13を搭載する部材であり、熱伝導性の良好な銅、アルミニウム等の金属や窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等のセラミックで構成されることが好ましい。搭載部11は、熱伝導性が良好な材質で構成することで、波長変換部材14からの熱を外部に伝達して放熱する放熱部材として機能する。
半導体レーザ13は、所定の電圧を印加されると所定波長の一次光L10をレーザ発振して、波長変換部材14に対して照射する。したがって、半導体レーザ13は、一次光L10を波長変換部材14に対して照射する光照射部として機能する。一次光L10の波長としては、波長変換部材14の吸収帯域であればよく、例えば青色光、紫色光、近紫外光、紫外光等の短波長のものを用いることができる。半導体レーザ13を構成する材料は、一次光L10の波長を発振可能であれば限定されず、例えば窒化ガリウム系、酸化ガリウム系、酸化亜鉛系、セレン化亜鉛系等の公知の材料を用いることができる。
ここでは半導体レーザ13から波長変換部材14に対して一次光L10を直接照射する例を示したが、反射部材や光導波路等の光学系部材を用いて一次光L10を波長変換部材14に対して間接的に照射する構成としてよい。この場合、反射部材や光導波路等の光学系部材が光照射部として機能し、光照射部から一次光L10が波長変換部材14に対して照射される。また、図1(a)では半導体レーザ13としてサブマウント12上に搭載されたベアチップのものを示したが、例えばCAN型パッケージ等の公知の構造を採用するとしてもよい。また、半導体レーザ13は搭載部11上に搭載されていてもよいが、別部材に取り付けられていてもよい。
波長変換部材14は、蛍光体材料を含有して半導体レーザ13から照射された一次光L10の少なくとも一部を波長変換して二次光L20を放出する部材である。波長変換部材14中での蛍光体材料の含有形態は限定されず、蛍光体粒子を樹脂中に分散したものや蛍光体を含有したセラミックの焼結体などであってもよい。
図1(a)に示したように、波長変換部材14は略平板状の直接入射部14aと、直接入射部14aから突出した再入射部14bを備えている。波長変換部材14の形成方法は限定されず、蛍光体粒子を分散した樹脂を型に入れて硬化させる方法や、セラミックグリーンシートを成型した後に焼結する方法等、材料に適した公知の方法を用いることができる。
光照射部である半導体レーザ13から波長変換部材14に照射された一次光L10は、直接入射部14aに入射して一部が二次光L20に波長変換される。一次光L10の一部は、一次光L11として直接入射部14aで反射されて再入射部14bに到達する。再入射部14bに入射した一次光L11の一部は、二次光L21に波長変換される。ここでは波長変換部材14の形状として、略平板状の直接入射部14aから再入射部14bが突出したものを示したが、どのような形状であってもよく、光照射部から一次光L10が直接照射される領域が直接入射部14aであり、一次光L11が入射する領域が再入射部14bとなる。
波長変換部材14に含有される蛍光体材料は、一次光L10を吸収して二次光L20,L21を放出するものであれば限定されず、複数種類の蛍光体材料を含有するとしてもよい。二次光L20,L21の波長としては、一次光L10と混色して白色光となるものが好ましく、一次光L10が青色である場合には二次光L2は黄色光が好ましい。また、一次光L10が紫色や近紫外光、紫外光である場合には、RGB各色を放出する複数の蛍光体材料を用いて、二次光L20,L21同士の混色で白色を得ることが好ましい。
波長変換部材14に含有される蛍光体材料としては、例えば無機化合物では酸化物系、窒化物系などがあり、具体的には酸化物系にはCaScSi12:Ce、CaSc:Ce、YAl12:Ce、(Y、Gd)(Al,Ga)12:Ce、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Si,Al)(N,O):Eu、BaSi12:Eu、CaAlSiN:Eu、BaMgAl1017:Eu、YS:Eu、SrAl1425:Eu、クルムス、CaSrクロロアパタイトなどが挙げられる。窒化物系にはY−SiO−N:Ce、La−Si−O−N:Ce、AlN:Eu、SrSi:Eu、SrSiAl19ON31:Eu、SrSiAl:Eu、SrSiAlO:Eu、BaSi:Eu、BaSi12:Eu、SrSiAl:Eu、SrSiAlO:Eu、SrSi13Al21:Eu、SrSi21Al35:Eu、β−sialon:Eu((Si,Al)(O,N):Eu)、MSi:Eu(M=Ca,Sr)、AlON:Mn、α−sialon:Yb、MYSi:Eu(M=Sr,Ba)、α−sialon:Eu(Ca(Si,Al)12(O,N)16:Eu)、CaAlSiN:Ce、CaAlSiN:Eu、MSi:Eu(M=Ca,Sr,Ba)、LaSi:Eu、CaSiN:Eu、CaSiN:Ce、(Ca,Sr)Si:Eu、(Ca,Sr)SiN:Euが挙げられる。硫化物系には(Ca,Sr)S:Eu、CaGa:Eu、ZnS:Cu,Alが挙げられる。有機物にはbrilliantsulfoflavine FF、basic yellow HG、eosine、rhodamine 6G、rhodamine Bが挙げられる。
図1(a)(b)に示した光源装置100では、半導体レーザ13が一次光L10を波長変換部材14に対して照射し、直接入射部14aに入射して内部に取り込まれた一次光L10の少なくとも一部が二次光L20に波長変換される。また、一次光L10のうち直接入射部14a内部に取り込まれず表面で反射された一次光L11は、再入射部14bに入射して内部に取り込まれて少なくとも一部が二次光L21に波長変換される。このとき、一次光L10,L11は部分的に蛍光体材料等によって散乱され、二次光L20,L21と混色されて白色光として光源装置100の外部に照射される。
波長変換部材14の直接入射部14a表面で反射された一次光L11は、再入射部14bで再び波長変換部材14に取り込まれるため、反射された一次光L11が光源装置100の外部に取り出されることを防止でき、簡便な構造でグレアを抑制することが可能となる。また、再入射部14bの内部に取り込まれた一次光L11は二次光L21に波長変換されるため、半導体レーザ13から照射される一次光L10,L11の利用効率を向上させることが可能となる。
図1(b)に示すように、直接入射部14aに対する一次光L10の入射角度をθ、一次光L10の入射位置から再入射部14bの側面までの距離をx、再入射部14bにおける一次光L11が入射する位置をyとすると、y=x・tan(90−θ)となる。直接入射部14aからの再入射部14bの突出高さは、再入射部14bに一次光L11を入射させるためにyよりも大きくなるように、入射角度θおよび距離xを設定する。直接入射部14aと再入射部14bの高さを異ならせ、上述したように再入射部14bの高さを一次光L11の入射位置yよりも高くすることで、簡便な構造でグレアを抑制し一次光L10,L11の利用効率を向上させることが可能となる。
直接入射部14aに対する一次光L10の入射角度θは、具体的には45°以上75°以下の範囲が好ましい。光源装置100では、波長変換部材14で波長変換された二次光L20,L21を外部に取り出す必要があるため、θが45°未満の場合には二次光L20,L21が照射される図中上方に半導体レーザ13等の光照射部を配置することとなり、光取り出しの妨げになるので好ましくない。また、θが75°より大きいと、一次光L10のうち直接入射部14aで反射されて一次光L11となる割合が増加し、直接入射部14aでの輝度が低下してしまう。
さらに入射角度θは、45°以上75°以下の範囲でブリュースター角に略一致させることが好ましい。ブリュースター角では、一次光L10に含まれるp偏光成分の直接入射部14aへの取り込み効率が最大となる。これにより、直接入射部14aから取り出される二次光L20光量を増大して輝度向上を図ることができる。一例として、波長変換部材14を構成する材料の屈折率が1.83の場合には、ブリュースター角は61°であり、入射角度θも61°程度に設定する。
図1(a)(b)に示したように、一次光L10が入射する直接入射部14a表面から搭載部11までの距離を、再入射部14bの一次光L11が入射する位置から搭載部11までの距離よりも小さくする。半導体レーザ13から照射された一次光L10は、その多くが直接入射部14aの内部で二次光L20に波長変換され、反射された一次光L11が再入射部14bで波長変換された二次光L21よりも輝度が高くなる。このように、直接入射部14aで波長変換される光量が多いため、波長変換による発熱は再入射部14bよりも直接入射部14aの方が大きくなる。したがって、放熱部材として機能する搭載部11からの距離が、再入射部14bよりも直接入射部14a表面の方を近くすることで、直接入射部14aでの発熱を効率よく放熱して、波長変換部材14での波長変換の効率低下を抑制することができる。
図2は、本実施形態の光源装置100を用いた車両用灯具を示す模式図であり、図2(a)はパラボラ光学系の車両用灯具200を示し、図2(b)はモノフォーカス光学系の車両用灯具210を示している。
図2(a)に示すように車両用灯具200は、搭載部11と、半導体レーザ13と、波長変換部材14と、反射鏡16を備えており、パラボラ光学系の灯具を構成している。図2(a)に示した例では、半導体レーザ13としてベアチップの半導体レーザ素子をパッケージ化したものを用い、例えばCAN型パッケージ等の公知の構造を採用することができる。また、半導体レーザ13は搭載部11上に搭載されていてもよいが、別部材に取り付けられていてもよい。
反射鏡16は、搭載部11上に搭載された放物面状の反射面を有するミラーである。反射鏡16の一部には、透過窓17が設けられている。透過窓17は、反射鏡16の反射面に設けられた孔または透明な部材であり、半導体レーザ13が照射する一次光L10を透過可能とされている。
反射鏡16の搭載位置は、透過窓17と再入射部14bが直接入射部14aに対して反対側となり、波長変換部材14が放物面の焦点位置となるように設けられている。反射鏡16の反射面は、波長変換部材14から放出される二次光L20,L21と散乱された一次光L10、L12を前方(図中左方向)に照射する。
車両用灯具200では、透過窓17を介して半導体レーザ13から一次光L10が波長変換部材14の直接入射部14aに対して照射される。図1(a)(b)に示したものと同様に、直接入射部14aと再入射部14bの内部に取り込まれた一次光L10,L11の少なくとも一部が二次光L20,L21に変換される。車両用灯具200では、半導体レーザ13を搭載部11に搭載する必要がなく、半導体レーザ13を設ける位置の設計自由度を高めるとともに、小型化を図ることが可能となる。
図2(b)に示すように車両用灯具210は、搭載部11と、半導体レーザ13と、波長変換部材14と、投影レンズ15を備えており、モノフォーカス光学系の灯具を構成している。投影レンズ15は、焦点位置からの入射した光を所定の拡がり角度として前方に出射する光学部材である。波長変換部材14は、投影レンズ15の焦点位置近傍となるように配置されている。
車両用灯具210でも、半導体レーザ13から一次光L10が波長変換部材14の直接入射部14aに対して照射される。図1(a)(b)に示したと同様に、直接入射部14aと再入射部14bの内部に取り込まれた一次光L10,L11の少なくとも一部が二次光L20,L21に変換される。波長変換部材14から放出される二次光L20,L21と散乱された一次光L10、L11は、投影レンズ15の前方(図中上方向)に照射される。車両用灯具210でも、半導体レーザ13を搭載部11に搭載する必要がなく、半導体レーザ13を設ける位置の設計自由度を高めるとともに、小型化を図ることが可能となる。
上述したように、本実施形態の光源装置100および車両用灯具200,210では、直接入射部14aで反射された一次光L11が波長変換部材14の再入射部14bに照射されるため、簡便な構造でグレアを抑制するとともに、半導体レーザ13から照射される一次光L10,L11の利用効率を向上することが可能である。
(第2実施形態)
次に本発明の第2実施形態について説明する。第1実施形態と重複する部分についての説明は省略する。図3は、第2実施形態における光源装置110を示す模式図であり、図3(a)は模式斜視図であり、図3(b)は模式平面図である。図3(a)(b)に示すように本実施形態では、波長変換部材14の直接入射部14aに対して複数の光照射部から一次光L101〜L103を照射する。直接入射部14aでは、一次光L101〜L103が内部に取り込まれて少なくとも一部が二次光L20に波長変換される。一次光L101〜L103の一部は、直接入射部14aの表面で反射されて一次光L111〜L113として再入射部14bの側面に入射する。再入射部14bでは、一次光L111〜L113が内部に取り込まれて少なくとも一部が二次光L21に波長変換される。図3(a)(b)では3つの光照射部から直接入射部14aに一次光L101〜L103を照射した例を示したが、光照射部の個数や照射方向は限定されない。
図3(b)に示すように一次光L101〜L103は、それぞれ直接入射部14aの表面における領域SP1〜SP3に照射される。領域SP1〜SP3を部分的に重ね合わせることで、直接入射部14aから取り出される二次光L20の光量を増やして輝度を向上させることができる。このとき一次光L111〜L113は、一次光L101〜L103よりも光強度が低いうえに、図3(a)に示したようにそれぞれ異なる方向に進行して再入射部14bに到達する。したがって、再入射部14bから取り出される二次光L21の輝度は直接入射部14aよりも低くなる。このように直接入射部14aを高輝度領域とし、再入射部14bを低輝度領域とした光源装置110は、配光分布のホットゾーンをカットオフライン近傍とする車両用灯具のロービーム配光として好適に用いることができる。
図3(b)に示したように一次光L101〜L103の照射領域SP1〜SP3を少しずらして重畳させる場合には、直接入射部14aから二次光L20を取り出す領域を広くするとともに、波長変換に寄与する面積を増加させて波長変換効率を向上させることができる。照射領域SP1〜SP3を一致させる場合には、直接入射部14aから取り出される二次光L20の輝度を高めることができる。また、照射領域SP1〜SP3の長軸方向が再入射部14bの側面に略平行となるように一次光L101〜L103を照射すると、図1(b)で示した距離xを短くして高さyも小さくすることができるため、波長変換部材14を小型化できる。
本実施形態の光源装置110でも、直接入射部14aで反射された一次光L111〜L113が波長変換部材14の再入射部14bに照射されるため、簡便な構造でグレアを抑制するとともに、半導体レーザ13から照射される一次光L101〜L103,L111〜L113の利用効率を向上することが可能である。
(第3実施形態)
次に本発明の第3実施形態について説明する。第1実施形態と重複する部分についての説明は省略する。図4は、第3実施形態における光源装置120を示す模式図である。図4に示すように本実施形態では、波長変換部材14の中央に設けられた凹部の底面が直接入射部14aであり、平板状の直接入射部14aの周囲を突出させて再入射部14b1,14b2としている。
図4に示したように本実施形態でも、複数の光照射部から一次光L101,L102を直接入射部14aに対して照射する。直接入射部14aでは、一次光L101,L102が内部に取り込まれて少なくとも一部が二次光L20に波長変換される。一次光L101,L102の一部は、直接入射部14aの表面で反射されて一次光L111,L112としてそれぞれ再入射部14b1,14b2の側面に入射する。再入射部14b1,14b2では、一次光L111,L112が内部に取り込まれて少なくとも一部が二次光L211,L212に波長変換される。図4では2つの光照射部から直接入射部14aに一次光L101,L102を照射した例を示したが、光照射部の個数や照射方向は限定されず、中央に設けられた凹部である直接入射部14aに対して4箇所から一次光を照射するとしてもよい。
本実施形態では、波長変換部材14の中央に設けられた直接入射部14aに対して一次光L101,L102を照射することで、二次光L20の周囲で二次光L211,L212への波長変換を行い、中央部での輝度が高い配光分布とすることができる。また、本実施形態の光源装置120でも、直接入射部14aで反射された一次光L111,L112が波長変換部材14の再入射部14b1,14b2に照射されるため、簡便な構造でグレアを抑制するとともに、半導体レーザ13から照射される一次光L101,L102,L111,L112の利用効率を向上することが可能である。
(第4実施形態)
次に本発明の第4実施形態について説明する。第1実施形態と重複する部分についての説明は省略する。図5は、第4実施形態における光源装置130を示す模式図であり、図5(a)は模式側面図であり、図5(b)は模式平面図である。図5(a)(b)に示すように本実施形態では、波長変換部材14の中央に突出して再入射部14bが設けられ、再入射部14bの周囲を平板状の直接入射部14aとしている。
図5(a)(b)に示したように本実施形態では、波長変換部材14の四方に配置された光照射部から、一次光L101〜L104を直接入射部14aに対して照射する。直接入射部14aでは、一次光L101〜L104が内部に取り込まれて少なくとも一部が二次光L201〜L204に波長変換される。一次光L101〜L104の一部は、直接入射部14aの表面で反射されて一次光L111〜L114としてそれぞれ再入射部14bの側面に入射する。再入射部14bでは、一次光L111〜L114が内部に取り込まれて少なくとも一部が二次光L21に波長変換される。
本実施形態では、波長変換部材14の中央に設けられた再入射部14bに対して、周囲を取り囲む直接入射部14aで反射された一次光L111〜L114が入射される。これにより、再入射部14bへ取り込まれる一次光L111〜L114の合計光量が大きくなるため、再入射部14bで波長変換されて取り出される二次光L21の輝度を高めることができる。また、本実施形態の光源装置130でも、直接入射部14aで反射された一次光L111〜L114が波長変換部材14の再入射部14bに照射されるため、簡便な構造でグレアを抑制するとともに、半導体レーザ13から照射される一次光L101〜L104,L111〜L114の利用効率を向上することが可能である。
(第5実施形態)
次に本発明の第5実施形態について説明する。第1実施形態と重複する部分についての説明は省略する。図6は、直接入射部14aと再入射部14bを別体で形成した波長変換部材14を示す模式図であり、図6(a)は図1(a)に示した形状の例であり、図6(b)は図5(a)に示した形状の例であり、図6(c)は他の形状の例である。本実施形態では図6(a)〜(c)に示したように、直接入射部14aと再入射部14bを別体で形成し、組み合わせて波長変換部材14を構成している。
図6(a)に示した例では、平板状の直接入射部14aと、直接入射部14aよりも厚い再入射部14bを別体で形成し、互いの側面を接着剤等で固定することで再入射部14bが直接入射部14aから突出した形状となっている。直接入射部14aに照射された一次光L10は少なくとも一部が二次光L20に波長変換され、反射した一次光L11は再入射部14bの側面に入射して少なくとも一部が二次光L21に波長変換される。
図6(b)に示した例では、平板状の直接入射部14a上に別体で形成した再入射部14bを接着剤等で固定し、再入射部14bが直接入射部14aから突出した形状となっている。直接入射部14aに照射された一次光L101,L103は少なくとも一部が二次光L201,L203に波長変換され、反射した一次光L111,L113は再入射部14bの側面に入射して少なくとも一部が二次光L21に波長変換される。
図6(c)に示した例では、側面が傾斜した逆テーパとなる形状の再入射部14bを、平板状の直接入射部14a上に接着剤等で固定し、再入射部14bが直接入射部14aから突出した形状となっている。直接入射部14aに照射された一次光L101,L103は少なくとも一部が二次光L201,L203に波長変換され、反射した一次光L111,L113は再入射部14bの側面に入射して少なくとも一部が二次光L21に波長変換される。再入射部14bの側面が逆テーパとされていることで、一次光L111,L113が再入射部14bの側面に入射する際の角度が垂直に近くなる。これにより、一次光L111,L113が再入射部14bに取り込まれ易くなり、一次光L111,L113を二次光L21に変換する効率を向上させることができる。
本実施形態では、直接入射部14aと再入射部14bを別体で形成するため、波長変換部材14の形状を設計する自由度が向上する。また、直接入射部14aに含有される蛍光体材料の濃度と、再入射部14bに含有される蛍光体材料の濃度を異ならせることで、直接入射部14aから取り出される二次光L20と再入射部14bから取り出される二次光L21の輝度を適切に設計することが容易となる。
一般的に、直接入射部14aに入射する一次光L10の光量は、再入射部14bに入射する一次光L11の光量よりも大きい。したがって、直接入射部14aでの波長変換を効率的に行うためには、再入射部14bに含有される蛍光体材料の濃度よりも、直接入射部14aに含有される蛍光体材料の濃度を高くすることが好ましい。
別体で形成した直接入射部14aと再入射部14bの固定方法は接着剤に限定されず、別体で形成したグリーンシートを接触させながら焼結することや、異なる蛍光体濃度の樹脂を多段階で重ね合わせて硬化する等、公知の各種方法を用いることができる。
本実施形態の波長変換部材14を用いても、簡便な構造でグレアを抑制するとともに、半導体レーザ13から照射される一次光L101〜L104,L111〜L114の利用効率を向上することが可能である。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
1,11…搭載部
2,12…サブマウント
3,13…半導体レーザ
4,14…波長変換部材
5…光学部材
14a…直接入射部
14b…再入射部
15…投影レンズ
16…反射鏡
17…透過窓
100,110,120,130…光源装置
200,210…車両用灯具
L10,L11,L101〜L104,L111〜114…一次光
L2,L20,L21,L201〜L204,L211,L212…二次光

Claims (7)

  1. 一次光の少なくとも一部を波長変換して二次光を出射する波長変換部材と、
    前記一次光を前記波長変換部材に対して照射する光照射部を備え、
    前記波長変換部材は、前記光照射部から前記一次光が直接照射される直接入射部と、前記直接入射部で反射された前記一次光が照射される再入射部とを有することを特徴とする光源装置。
  2. 請求項1に記載の光源装置であって、
    前記直接入射部と前記再入射部とは高さが異なることを特徴とする光源装置。
  3. 請求項1または2に記載の光源装置であって、
    前記波長変換部材を搭載する放熱部材を備え、
    前記直接入射部と前記放熱部材の距離は、前記再入射部から前記放熱部材の距離よりも小さいことを特徴とする光源装置。
  4. 請求項1から3の何れか一つに記載の光源装置であって、
    前記直接入射部と前記再入射部とは別体で構成されていることを特徴とする光源装置。
  5. 請求項4に記載の光源装置であって、
    前記直接入射部と前記再入射部とは、含有される波長変換材料の濃度が異なることを特徴とする光源装置。
  6. 請求項1から5の何れか一つに記載の光源装置であって、
    前記直接入射部への前記一次光の入射角は、ブリュースター角に略一致することを特徴とする光源装置。
  7. 請求項1から6の何れか一つに記載の光源装置であって、
    前記光照射部を複数備えることを特徴とする光源装置。
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