JP2018120676A - 有機デバイスの製造方法及び成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】生産性の向上を図りながら所望の性質を実現可能な有機デバイスの製造方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る有機デバイス１０の製造方法は、可撓性基板１２を連続搬送しながら、可撓性基板の主面１２ａに形成された第１の電極層１４上に、第１〜第Ｎの層（Ｎは２以上の整数）を連続的に成膜する成膜工程を有し、成膜工程では、第１〜第Ｎの成膜源と可撓性基板との間に配置された第１〜第Ｎの遮蔽部を介して、第１〜第Ｎの成膜源から第１〜第Ｎの層の材料を可撓性基板に供給することによって、第１〜第Ｎの層それぞれを順に前記第１の電極層上に成膜し、第１〜第Ｎの遮蔽部は、可撓性基板から離間した状態で、可撓性基板の搬送方向に対して固定されており、第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの遮蔽部による遮蔽領域は、他の遮蔽部による遮蔽領域と異なる。【選択図】図９

Description

本発明は、有機デバイスの製造方法及び成膜装置に関する。

有機デバイスの例として有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬデバイス）、有機太陽電池、有機トランジスタなどが挙げられる。有機デバイスは、第１の電極層と、所定の機能を有する機能層（例えば、有機ＥＬデバイスでは正孔注入層、発光層、電子注入層など）と、第２の電極層を有し、それらは基板上に設けられている。有機デバイスを製造する際には、第１の電極層上に積層構造を形成するために成膜工程を有する。成膜工程の例としては、特許文献１に記載されているように、ドライ成膜法の一種である真空成膜法を利用した方法が知られている。

国際公開第２０１２／００８２７５号

真空成膜法では、基板上の成膜領域以外は、遮蔽部で遮蔽する必要がある。この遮蔽方法として、例えば、遮蔽部としてのマスクと基板とをアライメントし、マスクを基板に密着させて基板の一部を遮蔽する方法が考えられる。この場合、基板を連続搬送しながら基板上に成膜できないため、有機デバイスの生産性が低下する。更に、基板にマスクを直接接触させるため、基板にダメージが生じ、有機デバイスにおいて所望の性能を実現できないおそれがある。

そこで、本発明は、生産性の向上を図りながら所望の性質を実現可能な有機デバイスの製造方法及び成膜装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法は、一方向に延在する可撓性基板の主面に形成された第１の電極層上に、少なくとも一つの機能層を含むデバイス機能部及び第２の電極層を含む積層構造を形成する工程を備え、上記積層構造を形成する工程は、上記第１の電極層が形成された上記可撓性基板を連続搬送しながら、上記第１の電極層上に、第１〜第Ｎの層（Ｎは２以上の整数）を成膜する工程を有し、上記成膜する工程では、第１〜第Ｎの成膜源と上記可撓性基板との間に配置された第１〜第Ｎの遮蔽部により上記主面における一部の領域を遮蔽しながら、上記第１〜第Ｎの成膜源から上記第１〜第Ｎの層の材料を上記第１〜第Ｎの層用の成膜領域に選択的に供給することによって、上記第１〜第Ｎの層それぞれを順に上記第１の電極層上に成膜し、上記第１〜第Ｎの遮蔽部は、上記可撓性基板から離間した状態で、上記可撓性基板の搬送方向に対して固定されており、上記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの遮蔽部による上記主面上の遮蔽領域は、前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの他の遮蔽部による遮蔽領域と異なる。

上記製造方法では、上記成膜する工程において、第１〜第Ｎの層を、上記可撓性基板を連続搬送しながら形成できるので第１〜第Ｎの層の形成に要する時間を短縮できる。第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの遮蔽領域は、第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの他の遮蔽部による遮蔽領域と異なるため、第１〜第Ｎの層の少なくとも一つの層を、第１〜第Ｎの層のうち少なくとも一つの他の層と異なる大きさで形成可能である。更に、第１〜第Ｎの遮蔽部は、上記可撓性基板の搬送方向に対して固定されているため、第１〜第Ｎの遮蔽部を上記可撓性基板の搬送方向に移動させる場合に比べて、また、可撓性基板と遮蔽部を接触させる場合に比べて、第１〜第Ｎの遮蔽部に付着した第１〜第Ｎの層の材料が塵などの原因になりにくく、所望の性能を有する有機デバイスを製造可能である。

上記成膜する工程では、上記成膜する工程では、上記第１〜第Ｎの成膜ロールのロール表面に上記可撓性基板を巻き掛けながら上記第１〜第Ｎの層を成膜してもよい。「成膜ロールに可撓性基板を巻き掛ける」とは、成膜ロールのロール表面の一部に、可撓性基板の長手方向と成膜ロールの回転方向が同じ方向を向き、可撓性基板が成膜ロールを覆うように接触している状態を意味する。

上記成膜する工程では、上記成膜する工程では、上記第１〜第Ｎの層それぞれをドライ成膜法により成膜してもよい。

上記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち第ｋの遮蔽部（２≦ｋ≦Ｎ）による遮蔽領域は、第（ｋ−１）の遮蔽部による遮蔽領域より狭くてもよい。これにより、第（ｋ−１）の層を覆うように第ｋの層を形成可能である。

上記第１〜第Ｎの遮蔽部は、上記デバイス機能部の機能発現領域となるべき機能発現設計領域より外側の領域を遮蔽してもよい。これにより、第１〜第Ｎの層を、機能発現設計領域を含むように成膜できるので、機能発現領域を確実に確保できる。

上記可撓性基板の上記主面の垂線方向において、上記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち第ｎの遮蔽部（１≦ｎ≦Ｎ）の上記主面側の面と上記主面との間の距離Ｄｎが上記可撓性基板の厚さの１倍〜１６０倍であってもよい。このような距離であれば、搬送中の可撓性基板と第１〜第Ｎの遮蔽板との接触を防止しやすいとともに、第１〜第Ｎの遮蔽部による遮蔽効果を実現しやすく、第１〜第Ｎの遮蔽部と上記主面との間に上記第１〜第Ｎの層の材料が回り込み、上記第１〜第Ｎの層用の成膜領域外に堆積してしまう領域（ボケ量）を小さくすることができる。

上記可撓性基板の上記主面の垂線方向において、上記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち第ｎの遮蔽部（１≦ｎ≦Ｎ）の上記主面側の表面と上記主面との間の距離Ｄｎの最大値をＤｎ_ｍａｘとし、最小値をＤｎ_ｍｉｎとしたとき、Ｄｎ_ｍａｘとＤｎ_ｍｉｎとが、
｛（Ｄｎ_ｍａｘ−Ｄｎ_ｍｉｎ）／（（Ｄｎ_ｍａｘ＋Ｄｎ_ｍｉｎ）／２）｝×１００≦４０
を満たしてもよい。これにより、第１〜第Ｎの層用の成膜領域に、より正確な位置精度で第１〜第Ｎの層を形成可能である。

上記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち所定の遮蔽部は、上記可撓性基板の幅方向に複数の遮蔽板を有し、上記複数の遮蔽板は、互いに離間していてもよい。この場合、隣接する遮蔽板の間を通過した材料を選択的に可撓性基板上に供給できる。また、遮蔽領域を調整しやすい。

上記成膜する工程は、上記複数の遮蔽板のうち少なくとも一つの遮蔽板を上記可撓性基板の幅方向に移動させることによって、遮蔽領域を調整する工程を有してもよい。これにより、第１〜第Ｎの層のうち所定の遮蔽板を利用して形成する所定の層を、より正確に所定の層用の成膜領域に形成可能である。

上記成膜する工程は、上記遮蔽領域を調整する工程の前に、上記可撓性基板が有する基準位置情報を取得する工程を有し、上記遮蔽領域を調整する工程では、上記基準位置情報に基づいて上記遮蔽領域を調整してもよい。これにより、第１〜第Ｎの層のうち所定の遮蔽部を利用して形成する所定の層を、より正確に所定の層用の成膜領域に形成可能である。

上記成膜する工程は、上記所定の遮蔽部を介して形成された層又は上記所定の遮蔽部の前段の遮蔽部を介して形成された層の端部の位置情報である端部位置情報を取得する工程を有し、上記端部位置情報を取得する工程の後に、上記端部位置情報に基づいて上記所定の遮蔽部の遮蔽領域を調整する工程を実施してもよい。これにより、第１〜第Ｎの層のうち所定の遮蔽板を利用して形成する所定の層を、より正確に所定の層用の成膜領域に形成可能である。

本発明の他の側面に係る成膜装置は、一方向に延在する可撓性基板を連続搬送しながら上記可撓性基板上に第１〜第Ｎの層（Ｎは２以上の整数）を成膜する成膜装置であって、 上記可撓性基板から離間して配置されており、上記第１〜第Ｎの層の材料を上記可撓性基板上に供給する第１〜第Ｎの成膜源と、上記第１〜第Ｎの成膜源と上記可撓性基板との間に、上記可撓性基板から離間して設けられており、上記第１〜第Ｎの成膜源から上記可撓性基板上への上記１〜第Ｎの層の材料の供給の一部を遮蔽する第１〜第Ｎの遮蔽部と、を備え、上記第１〜第Ｎの成膜源は、上記可撓性基板の搬送方向において上流側から下流側に順に配置されており、上記第１〜第Ｎの遮蔽部は、上記可撓性基板の搬送方向において固定されており、上記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの遮蔽部の遮蔽領域は、上記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの他の遮蔽部の遮蔽領域と異なる。

上記成膜装置では、第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの遮蔽領域は、第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの他の遮蔽部による遮蔽領域と異なるため、第１〜第Ｎの層の少なくとも一つの層を、第１〜第Ｎの層のうち少なくとも一つの他の層と異なる大きさで形成可能である。第１〜第Ｎの遮蔽部が可撓性基板から離間して設けられているので、可撓性基板にダメージを与えずに、上記可撓性基板を連続搬送しながら第１〜第Ｎの層を形成できる。そのため、上記成膜装置を有機デバイスの製造方法における複数の層の形成に利用することで、生産性の向上を図りながら所望の性能を有する有機デバイスを製造できる。

一実施形態に係る成膜装置は、上記第１〜第Ｎの成膜源に対向配置されており、上記可撓性基板がロール表面に巻き掛けられる第１〜第Ｎの成膜ロール（Ｎは２以上の整数）を更に備えてもよい。この場合、第１〜第Ｎの成膜ロールに可撓性基板を巻き掛けて連続搬送しながら第１〜第Ｎの層を形成可能である。

一実施形態に係る成膜装置は、上記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち所定の遮蔽部に対して設けられており、上記所定の遮蔽部による遮蔽領域を、上記可撓性基板の幅方向において調整する遮蔽領域調整機構を更に備え、上記所定の遮蔽部は、対応する成膜ロールの軸線方向に対して互いに離間して配置された複数の遮蔽板を有し、上記遮蔽領域調整機構は、上記複数の遮蔽板のうち少なくとも一つの遮蔽板を上記可撓性基板の幅方向に移動させてもよい。これにより、第１〜第Ｎの層のうち所定の遮蔽板を利用して形成する所定の層を、より正確に所定の層用の成膜領域に形成可能である。

一実施形態に係る成膜装置は、上記可撓性基板が有する基準位置情報を取得する基準位置情報取得部を更に備え、上記遮蔽領域調整機構は、上記基準位置情報取得部で取得した上記基準位置情報に基づいて上記所定の遮蔽部の遮蔽領域を調整してもよい。これにより、第１〜第Ｎの層のうち所定の遮蔽板を利用して形成する所定の層を、より正確に所定の層用の成膜領域に形成可能である。

一実施形態に係る成膜装置は、上記所定の遮蔽部を介して形成された層又は上記所定の遮蔽部の前段の遮蔽部を介して形成された層の端部の位置情報である端部位置情報を取得する端部位置情報取得部を有しており、上記遮蔽領域調整機構は、上記端部位置情報取得部で取得した上記端部位置情報に基づいて上記所定の遮蔽部の遮蔽領域を調整してもよい。これにより、第１〜第Ｎの層のうち所定の遮蔽板を利用して形成する層を、より正確に所定の層用の成膜領域に形成可能である。

本発明によれば、生産性の向上を図りながら所望の性質を実現可能な有機デバイスの製造方法及び成膜装置を提供できる。

図１は、一実施形態に係る有機デバイスの製造方法で製造された有機ＥＬデバイスの断面構成を示す模式図である。 図２は、有機ＥＬデバイスの製造に使用する電極付き基板の平面図である。 図３は、ロールツーロール方式による有機ＥＬデバイスの製造方法を模式的に示す図面である。 図４は、図１に示した有機ＥＬデバイスの製造方法を説明する図面であり、発光層が形成された電極付き基板の平面図である。 図５は、図１に示した有機ＥＬデバイスの製造方法を説明する図面であり、電子注入層が形成された電極付き基板の平面図である。 図６は、図１に示した有機ＥＬデバイスの製造方法を説明する図面であり、陰極層となるべき導電層が形成された電極付き基板の平面図である。 図７は、導電層から陰極層を得る工程を説明するための図面である。 図８は、封止部材が貼合された電極付き基板の平面図である。 図９は、成膜工程で使用する成膜装置の模式図である。 図１０は、図９のＸ―Ｘ線に沿った断面構成の模式図である。 図１１は、図９のＸＩ―ＸＩ線に沿った断面構成の模式図である。 図１２は、成膜装置の変形例を説明するための模式図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一の要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。有機デバイスとしては、例えば有機ＥＬデバイス、有機太陽電池、有機フォトディテクタ及び有機トランジスタが挙げられる。以下に説明する実施形態では、断らない限り、有機デバイスは有機ＥＬデバイスである。

図１に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機ＥＬデバイス１０は、可撓性基板１２と、陽極層（第１の電極層）１４と、デバイス機能部１６及び陰極層（第２の電極層）１８を含む積層構造２０と、を備えている。有機ＥＬデバイス１０は、例えば照明に使用される有機ＥＬ照明パネルである。

有機ＥＬデバイス１０は、陰極層１８に電気的に接続された引出電極２２を備えてもよい。有機ＥＬデバイス１０は、デバイス機能部１６を封止する封止部材２４を備えてもよい。有機ＥＬデバイス１０は、ボトムエミッション形態又はトップエミッション形態をとり得る。

以下では、断らない限り、引出電極２２及び封止部材２４を備えているボトムエミッション型の有機ＥＬデバイス１０を説明する。

［可撓性基板］
可撓性基板１２は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する。可撓性基板１２の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下であり、フィルム状を呈し得る。可撓性基板１２が樹脂製の場合は、ロールツーロール方式で連続搬送する際の基板ヨレ、シワ、及び伸びを防止する観点から４５μｍ以上、可撓性の観点から１２５μｍ以下が好ましい。

可撓性基板１２は、例えば、プラスチックフィルムである。可撓性基板１２の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂等を含む。

可撓性基板１２の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、又はポリエチレンナフタレートがより好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

可撓性基板１２は、薄膜ガラスであってもよい。可撓性基板１２が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点からは３０μｍ以上、可撓性の観点からは１００μｍ以下が好ましい。

可撓性基板１２の第１主面１２ａ上には、ガスバリア機能及び水分バリア機能の少なくとも一方を有するバリア層が配置されていてもよい。ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイス１０において、可撓性基板１２の第２主面１２ｂは、発光面として機能する。

［陽極層］
陽極層１４は、可撓性基板１２の第１主面１２ａ上に設けられている。陽極層１４には、透光性を有する電極層が用いられる。透光性を有する電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。

陽極層１４として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極層１４として、上記で挙げられた金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。

陽極層１４の厚さは、光透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層１４の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。

［引出電極］
引出電極２２は、可撓性基板１２の第１主面１２ａ上において、陽極層１４と離間して配置されている。引出電極２２の厚さ及び材料は、陽極層１４の場合と同様であり得る。

[積層構造]
積層構造２０は、陽極層１４上に設けられており、デバイス機能部１６と、デバイス機能部１６上に積層された陰極層１８とを有する。

（デバイス機能部）
デバイス機能部１６は、陽極層１４及び陰極層１８に印加された電力（例えば電圧）に応じて、電荷の移動及び電荷の再結合などの有機ＥＬデバイス１０の発光に寄与する機能部である。デバイス機能部１６は、陽極層１４の主面（可撓性基板１２に接する面の反対側）上に配置されている。デバイス機能部１６は、陽極層１４の一方の端部（陽極層１４において引出電極２２が配置される側と反対側の端部）１４ａ側の領域がデバイス機能部１６から露出するように配置されている。デバイス機能部１６は、陽極層１４の他方の端部（陽極層１４において引出電極２２が配置される側の端部）１４ｂを覆うように配置されていてもよい。この場合、デバイス機能部１６は、可撓性基板１２の第１主面１２ａ上にも配置されている。デバイス機能部１６は、少なくとも一つの機能層を含むものであり、本実施形態では発光層２６及び電子注入層（第１の層）２８を含む。

発光層２６は、所定の波長の光を発する機能を有する機能層であり、有機層である。発光層２６の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。発光層２６の厚さは、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。

発光層２６は、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発する発光材料、或いは該発光材料とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。蛍光及びりん光の少なくとも一方を発する発光材料が有する有機物は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。上記発光材料としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料等が挙げられる。

（色素材料）
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。

（金属錯体材料）
金属錯体材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体等を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。

（高分子材料）
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、又は金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。

発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。

［電子注入層］
電子注入層２８は、陰極層１８から発光層２６への電子注入効率を向上させる機能を有する層である。電子注入層２８の材料には、公知の電子注入材料が用いられ得る。電子注入層２８の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の炭酸塩、又はこれらの物質の混合物等が挙げられる。電子注入材料の例は、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）である。この他に従来知られた電子輸送性の有機材料と、アルカリ金属の有機金属錯体を混合した層を電子注入層２８として利用することができる。

電子注入層２８の材料が酸化物及びフッ化物の場合は、電子注入層２８の厚さは０．５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。電子注入層２８は、特に絶縁性が強い場合は、有機ＥＬデバイス１０の駆動電圧上昇を抑制する観点からは、薄膜であることが好ましく、その厚さは、例えば、０．５ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、また、電子注入性の観点からは、２ｎｍ〜７ｎｍであることが好ましい。電子注入層２８は、例えば、引出電極２２と陰極層１８の間に形成されていてもよい。

（陰極層）
陰極層１８は、デバイス機能部１６の主面（陽極層１４又は可撓性基板１２に接する面の反対側）上に配置されている。陰極層１８は、引出電極２２上にも配置されており、これにより、陰極層１８と引出電極２２とが接続されている。陰極層１８は、２層以上を積層した積層体で構成されてもよい。

陰極層１８の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等を用いることができる。陰極層１８の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。

陰極層１８としては、例えば、導電性金属酸化物や、導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、ＩＺＯ等を挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。

陰極層１８の一部が、図１に示したように、封止部材２４から露出する形態では、陰極層１８の材料には、水分の影響を受けにくい材料（例えば、遷移金属酸化物、アルミニウム、銀など）が好ましい。

陰極層１８の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層１８の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

［封止部材］
封止部材２４は、有機ＥＬデバイス１０において最上部に配置されている。封止部材２４は、封止基材３０と、粘接着部３２と、を有する。

封止基材３０は、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。封止基材３０の例としては、金属箔、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキシブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属を積層させたフィルム等が挙げられる。上記バリア機能層としては、例えば、前述の水分バリア層等が挙げられる。封止基材３０の厚さの例は、１０μｍ〜３００μｍである。金属箔としては、バリア性の観点から、銅箔、アルミニウム箔、ステンレス箔が好ましい。封止基材３０が金属箔である場合、金属箔の厚さとしては、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１０μｍ〜５０μｍが好ましい。

粘接着部３２は、封止基材３０を可撓性基板１２、陽極層１４、デバイス機能部１６及び陰極層１８に貼合させるために用いられる。粘接着部３２は、少なくともデバイス機能部１６を覆うように配置されている。

粘接着部３２は、具体的には、光硬化性若しくは熱硬化性のアクリレート樹脂、光硬化性若しくは熱硬化性のエポキシ樹脂、又は、光硬化性若しくは熱硬化性のポリイミド樹脂から構成される。その他一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルム、例えばエチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリブタジエン（ＰＢ）フィルム等の熱融着性フィルムを使用できる。酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール系、アクリル系、ポリエチレン系、エポキシ系、セルロース系、シクロヘキサン環含有飽和炭化水素樹脂、スチレン−イソブチレン変性樹脂等の熱可塑性樹脂も使用できる。粘着性により簡易取り付けが可能な感圧性接着剤（ＰＳＡ）も使用できる。

粘接着部３２に用いられる接着材中に、吸湿性の微粒子（接着材厚みよりも小さい）が含まれていてもよい。吸湿性の微粒子としては、例えば、水分と常温で化学反応を起こす金属酸化物、水分を物理吸着するゼオライトが挙げられる。

粘接着部３２の厚さは、好ましくは１μｍ〜１００μｍ、より好ましくは５μｍ〜６０μｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜３０μｍである。粘接着部３２の含有水分量は、好ましくは、３００ｐｐｍ以下（重量基準）である。

有機ＥＬデバイス１０が有するデバイス機能部１６のうち陽極層１４及び陰極層１８が重なっている領域（図１の一点鎖線で囲んだ領域）が、機能発現領域Ａであり、有機ＥＬデバイス１０において、機能発現領域Ａは発光領域である。

一実施形態において、有機ＥＬデバイス１０は、図１に示したように、陽極層１４上に設けられた導電性の壁部３４を有してもよい。壁部３４は、陰極層１８と離間して配置されており、壁部３４と陰極層１８との間は、例えば粘接着部３２で埋められている。ただし、壁部３４と陰極層１８との間に、粘接着部３２とは別の絶縁部材が充填されてもよい。壁部３４は、陰極層１８と同じ材料から構成され、陰極層１８と同じ厚さを有し得る。

本実施形態では、電子注入層２８をデバイス機能部１６の一部として説明しているが、電子注入層２８は、陰極層１８の一部であってもよい。

［有機ＥＬデバイスの製造方法］
上記構成を有する有機ＥＬデバイス１０の製造方法について説明する。以下では、図２に示したように、長尺の可撓性基板１２上に陽極層１４及び引出電極２２が形成された電極付き基板３６を用いて有機ＥＬデバイス１０を製造する形態について説明する。

本明細書において、長尺の可撓性基板１２及び長尺の電極付き基板３６とは、一方向に延在しており、その延在方向の長さが、延在方向に直交する方向（幅方向）の長さよりも長い可撓性基板１２及び電極付き基板３６を指す。

電極付き基板３６において、可撓性基板１２の第１主面１２ａ上には複数のデバイス形成領域ＤＡが仮想的に設定されており、各デバイス形成領域ＤＡに陽極層１４及び引出電極２２の組が設けられている。よって、陽極層１４と引出電極２２の数は同じであり、一つの陽極層１４に対して、一つの引出電極２２が、可撓性基板１２の長手方向に直交する方向（幅方向）に所定の間隔を空けて配置されている。

陽極層１４及び引出電極２２は、有機ＥＬデバイス１０の製造において公知の方法で形成されていればよい。陽極層１４及び引出電極２２の形成方法としては、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等が挙げられる。塗布法としては、例えばインクジェット印刷法が挙げられるが、陽極層１４及び引出電極２２を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、例えばマイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズルプリント法等が挙げられる。

陽極層１４及び引出電極２２は、例えば可撓性基板１２の第１主面１２ａ上に導電層を形成した後に、その導電層を、陽極層１４及び引出電極２２それぞれのパターンにパターニングすることによって形成され得る。陽極層１４及び引出電極２２は、陽極層１４及び引出電極２２それぞれのパターンに対応した導電層を直接作製することによって形成されてもよい。

図２に示した電極付き基板３６の陽極層１４のうち一点鎖線で囲み且つハッチングを付している領域が、可撓性基板１２上において、機能発現領域Ａを形成すべき機能発現設計領域Ａ１である。換言すれば、機能発現設計領域Ａ１上に、デバイス機能部１６及び陰極層１８を形成することで、デバイス機能部１６が機能発現領域Ａを有する。図２では、機能発現設計領域Ａ１を説明するため、便宜的に、機能発現設計領域Ａ１にハッチングを付している。

電極付き基板３６には、製造工程中における位置合わせの基準位置として、アライメントマークＭが形成されていてもよい。アライメントマークＭは、例えばデバイス形成領域ＤＡの外側に形成される。図２では、可撓性基板１２の幅方向の両端部に形成されている形態を例示している。アライメントマークＭの形状は、図２に示したように十字状に限定されず、直線状などの他の形状でもよい。アライメントマークＭは、アライメントマークＭを例えばカメラなどで撮影可能な材料で形成されていればよく、陽極層１４と同じ材料で形成し得る。アライメントマークＭは、陽極層１４を形成する際に一緒に形成されてもよいし、陽極層１４の形成前に予め形成されていてもよい。

電極付き基板３６を用いて有機ＥＬデバイス１０を製造する場合、電極付き基板３６上に、デバイス機能部１６及び陰極層１８を含む積層構造２０を形成する工程（以下、「積層構造形成工程」と称す）Ｓ１０と、積層構造２０が形成された電極付き基板３６に封止部材２４を貼合する工程（以下、「貼合工程」と称す）Ｓ２０と、を備える。

前述したように、電極付き基板３６を利用して有機ＥＬデバイス１０を製造する工程を説明するが、有機ＥＬデバイス１０は、積層構造形成工程Ｓ１０の前に、電極付き基板３６を作製する工程、すなわち、可撓性基板１２上に、陽極層１４を形成する工程を備えていてもよい。本実施形態で説明するように、有機ＥＬデバイス１０が引出電極２２を有する形態では、陽極層１４を形成する工程において、引出電極２２を形成すればよい。

本実施形態では、図３に概念的に示したように、積層構造形成工程Ｓ１０及び貼合工程Ｓ２０を、ロールツーロール方式を採用して実施する。具体的には、繰出し部４０Ａにロール状の電極付き基板３６をセットし、繰出し部４０Ａから電極付き基板３６を繰り出し、ガイドロールＲで、巻取り部４０Ｂに向けて搬送しながら、積層構造形成工程Ｓ１０及び貼合工程Ｓ２０を実施し、貼合工程Ｓ２０が施された電極付き基板３６を、巻取り部４０Ｂでロール状に巻き取る。繰出し部４０Ａ、巻取り部４０Ｂ及びガイドロールＲは、電極付き基板３６の搬送機構の一部を構成している。搬送機構は、その他、テンション調整機構など公知の構成要素を備え得る。積層構造形成工程Ｓ１０及び貼合工程Ｓ２０について説明する。

（積層構造形成工程）
積層構造形成工程Ｓ１０では、図３に示したように、発光層形成工程Ｓ１１と、電子注入層形成工程Ｓ１２ａ及び導電層形成工程Ｓ１２ｂを含む成膜工程Ｓ１２と、パターニング工程Ｓ１３と、を有する。

発光層形成工程Ｓ１１では、デバイス機能部１６に含まれる発光層２６を、複数のデバイス形成領域ＤＡそれぞれの陽極層１４上に形成する。この工程では、製造すべき有機ＥＬデバイス１０において、陽極層１４の端部１４ａ側の領域を露出する一方、機能発現設計領域Ａ１を含む他の領域を覆うように発光層２６を形成する。発光層２６は、電極付き基板３６をその長手方向に連続搬送しながら、例えば塗布法で形成され得る。これにより、図４に示したように、複数のデバイス形成領域ＤＡについてそれぞれ、発光層２６が形成される。塗布法の例は、陽極層１４の説明で挙げた例と同様とし得る。発光層２６は、ドライ成膜法で形成されてもよい。本明細書において、ドライ成膜法とは、物理気相成長（Physical Vapor Deposition）法であり、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、発光層形成工程Ｓ１１では、複数のデバイス形成領域ＤＡに渡ってストライプ状の発光層２６を形成してもよい。その場合、機能発現設計領域Ａ１以外の部分は除去してもよい。

図３に示したように、成膜工程Ｓ１２では、電極付き基板３６をその長手方向に連続搬送しながら、電子注入層形成工程Ｓ１２ａと、導電層形成工程Ｓ１２ｂとを順に実施する。

電子注入層形成工程Ｓ１２ａでは、図５に示したように、複数のデバイス形成領域ＤＡに亘って電子注入層（第１の層）２８をストライプ状に形成する。電子注入層形成工程Ｓ１２ａでは、発光層２６を覆うように、電子注入層２８を形成する。図５では、陽極層１４及び引出電極２２と、一つ前の工程で形成された層である発光層２６を破線で示している。

導電層形成工程Ｓ１２ｂでは、図６に示したように、複数のデバイス形成領域ＤＡに亘って導電層（第２の層）４２をストライプ状に形成する。導電層形成工程Ｓ１２ｂでは、導電層４２を、電子注入層２８を覆うように、導電層４２を形成する。図６では、陽極層１４及び引出電極２２と、一つ前の工程で形成された層である電子注入層２８を破線で示している。図６では、可撓性基板１２の幅方向においてデバイス形成領域ＤＡ全体に導電層４２を形成しているが、導電層４２は、電子注入層２８を覆い且つ引出電極２２上に配置されるように形成されていればよい。

続いて、パターニング工程Ｓ１３を実施する。パターニング工程Ｓ１３では、図７に示したように、導電層４２をパターニングすることで陰極層１８を得る。図７に示した形態では、導電層４２に、導電層４２を貫通しており、長手方向に延在する孔部４２ａを形成し、導電層４２を、陰極層１８と、壁部３４とに分離している。したがって、孔部４２ａが図１における陰極層１８と壁部３４との間の隙間である。このような孔部４２ａの形成により導電層４２をパターニングする形態では、パターニング工程Ｓ１３が終了した時点において、陰極層１８及び壁部３４も、ストライプ状を呈する。図７では、陽極層１４及び引出電極２２と、発光層２６及び電子注入層２８とを破線で示している。図７に示した形態において、孔部４２ａは、陰極層１８及び電子注入層２８と陽極層１４との絶縁を確保するために、孔部４２ａの側面が発光層２６の側面と面一になるように形成されている。

孔部４２ａの形成方法は、限定されないが、例えば、レーザ加工技術を用いた方法、テープを孔部形成領域に貼り付け、テープを剥離することで、導電層４２のうち孔部形成領域の部分を除去する方法が例示される。孔部４２ａは、陰極層１８と陽極層１４とを絶縁分離するように形成されていればよい。パターニング工程Ｓ１３でのパターニングは、図７に示した形態に限定されず、有機ＥＬデバイス１０で要求されている陰極層１８の形状に応じて実施されていればよい。

上記のように、導電層４２の一部を除去することで、陰極層１８が得られるので、導電層形成工程Ｓ１２ｂ及びパターニング工程Ｓ１３は陰極層１８を形成する工程を構成している。

（貼合工程）
貼合工程Ｓ２０では、積層構造形成工程Ｓ１０を経た電極付き基板３６を、長手方向に搬送しながら、図８に示したように、長尺の封止部材２４を、電極付き基板３６に連続的に貼合する。具体的には、可撓性基板１２の第１主面１２ａと粘接着部３２が対向するように、電極付き基板３６と封止部材２４とを重ね合わせながら加熱及び加圧することでそれらを貼合する。例えば、対を為す２つの加熱ローラの間に、封止部材２４と、積層構造２０が形成された電極付き基板３６とを送りこみ、２つの加熱ローラで、それらを加熱及び加圧すればよい。

貼合工程Ｓ２０を経た電極付き基板３６には、デバイス形成領域ＤＡごとに、図１に示した有機ＥＬデバイス１０が形成されている。よって、有機ＥＬデバイス１０の製造方法は、貼合工程Ｓ２０を経た電極付き基板３６から各デバイス形成領域ＤＡを個片化し、製品サイズの有機ＥＬデバイス１０を得る個片化工程を備えてもよい。この個片化工程では、貼合工程Ｓ２０の後に、電極付き基板３６を連続搬送しながら、デバイス形成領域ＤＡを切断することで実施され得る。

次に、図９、図１０及び図１１を利用して、成膜工程Ｓ１２について詳述する。図９は、成膜工程Ｓ１２を説明するための模式図である。成膜工程Ｓ１２では、電極付き基板３６をガイドロールＲでガイドしながら長手方向に連続搬送する。電極付き基板３６の搬送路上には、成膜装置４６が設けられており、成膜装置４６内で、電極付き基板３６上に、電子注入層２８及び導電層４２を順にドライ成膜法を利用して形成する。ドライ成膜法の例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。

以下、説明の便宜のために、電子注入層２８及び導電層４２それぞれが形成されるべき部材を被成膜基材４４と称す。電子注入層２８が形成されるべき被成膜基材４４は、発光層２６が形成された電極付き基板３６であり、導電層４２が形成されるべき被成膜基材４４は、電子注入層２８が形成された電極付き基板３６である。図９では、被成膜基材４４を模式的に実践で示している。図１０及び図１１では、図示の都合上、被成膜基材４４を一部拡大して示しており、層の厚さなどは説明のものと一致していない。

図９に示したように、成膜装置４６は、第１の成膜室４８と第２の成膜室５０とを備え、それらは連結部５２で連結されている。第１の成膜室４８及び第２の成膜室５０は、直接連結されていてもよい。第１の成膜室４８は、電子注入層２８を形成するための成膜室であり、第２の成膜室５０は、導電層４２を形成するための成膜室である。第１の成膜室４８及び第２の成膜室５０は、それらの内部が真空又は減圧状態に設定されるように構成されている。第１の成膜室４８及び第２の成膜室５０は、それらの内部が不活性ガス雰囲気環境に設定されるように構成されていてもよい。連結部５２内は、第１の成膜室４８及び第２の成膜室５０内の環境と近い環境に設定され得る。

第１の成膜室４８内には、第１の成膜ロール５４と、第１の成膜源５６と、第１の遮蔽部５８と、複数のガイドロールＲとが配置されている。同様に、第２の成膜室５０内には、第２の成膜ロール６０と、第２の成膜源６２と、第２の遮蔽部６４と、複数のガイドロールＲとが配置されている。

第１の成膜ロール５４は、ロール表面５４ａに被成膜基材４４が巻き掛けられるロールであり、回転可能に支持されている。第１の成膜ロール５４に被成膜基材４４を巻き掛けるとは、ロール表面５４ａの一部に、被成膜基材４４の長手方向と第１の成膜ロール５４の回転方向とが同じ方向を向き、被成膜基材４４が第１の成膜ロール５４を覆うように被成膜基材４４に含まれる可撓性基板１２が接触している状態を意味する（後述する第２の成膜ロール５５の場合も同様である）。第１の成膜ロール５４の例は、円柱状のロールであり、例えばキャンロールである。図９及び図１０に示したように、第１の成膜ロール５４と複数のガイドロールＲとは、可撓性基板１２の第１主面１２ａが外側に位置する状態で（換言すれば、第２主面１２ｂがロール表面５４ａ側に位置する状態で）第１の成膜ロール５４のロール表面５４ａに被成膜基材４４が巻き掛けられるように、配置されている。

第１の成膜源５６は、被成膜基材４４から離間しており、第１の成膜ロール５４の径方向（軸線方向に垂直な方向）において、第１の成膜ロール５４に対向配置されている。第１の成膜源５６は、電子注入層材料ｍ１の供給源である。第１の成膜源５６は、ドライ成膜法における公知の成膜源であり、例えば、蒸着源、スパッタ源などである。

第１の遮蔽部５８は、第１の成膜ロール５４と第１の成膜源５６との間であって、第１の成膜ロール５４に巻き掛けられた被成膜基材４４との間に隙間を生じるように配置されている。第１の遮蔽部５８は、第１の成膜源５６から被成膜基材４４に向けて供給される電子注入層材料ｍ１の一部を遮蔽し、被成膜基材４４における電子注入層用の成膜領域に選択的に電子注入層材料ｍ１を堆積させるための部材である。

図９及び図１０に示したように、第１の遮蔽部５８は、対を為す２つの独立した第１の遮蔽板６６を有する。第１の遮蔽板６６の材料の例は、ステンレス、アルミなどの金属や合金である。各第１の遮蔽板６６は、第１の成膜ロール５４のロール表面５４ａと同様に湾曲しており、被成膜基材４４の搬送方向において固定配置されている。各第１の遮蔽板６６と、ロール表面５４ａと接触している可撓性基板１２の第１主面１２ａとの間の距離Ｄ１は、実質的に一定である。距離Ｄ１は、可撓性基板１２の第１主面１２ａの垂線方向において、第１主面１２ａと、第１の遮蔽板６６における上記第１主面１２ａ側の面（第１主面１２ａの対向面）との間の長さであり、本実施形態において、第１の遮蔽部５８と、可撓性基板１２の第１主面１２ａとの間の距離に相当する。第１主面１２ａの垂線方向は、可撓性基板１２がロール表面５４ａに接触している状態において、第１の成膜ロール５４の径方向（軸線方向に垂直な方向）に一致している。ここでは、第１の遮蔽板６６と可撓性基板１２の距離について説明しているが、遮蔽板と可撓性基板との間の距離の定義は、他の遮蔽板（例えば、第２の遮蔽板６８）と可撓性基板１２との距離についても同様である。

距離Ｄ１は、被成膜基材４４に含まれる可撓性基板１２の厚さの１倍〜１６０倍であり得る。連続搬送されている被成膜基材４４では、搬送過程において第１の成膜ロール５４の径方向に被成膜基材４４のうねり等の振動が生じる場合がある。この場合、距離Ｄ１が小さすぎると、第１の遮蔽部５８と被成膜基材４４とが接触し、被成膜基材４４（具体的には、可撓性基板１２及び可撓性基板１２上の構成要素）にダメージが生じるおそれがある。一方、距離Ｄ１が大きすぎると、第１の遮蔽部５８による遮蔽効果が低減する。距離Ｄ１が上記範囲であれば、第１の遮蔽部５８と被成膜基材４４との接触を防止しながら、第１の遮蔽部５８による遮蔽効果を維持して電子注入層用の成膜領域に選択的に電子注入層材料ｍ１を堆積しやすい。

距離Ｄ１が、可撓性基板１２の厚さの３０倍〜１６０倍であれば可撓性基板１２の厚さは距離Ｄ１に対して十分小さく、距離Ｄ１は、ロール表面５４ａと第１の遮蔽板６６との間の距離と見なし得る。

被成膜基材４４の搬送方向における距離Ｄ１の均一性をα１[％]としたとき、α１を、以下の式（１）で定義する。

式（１）中、Ｄ１_ｍａｘは、距離Ｄ１のうち、被成膜基材４４の搬送方向における最大値であり、Ｄ１_ｍｉｎは、距離Ｄ１のうち、被成膜基材４４の搬送方向における最小値である。

均一性α１は、４０％以下であることが好ましい。被成膜基材４４と第１の遮蔽部５８とは離間していることから、距離Ｄ１が不均一であると、第１の遮蔽部５８による遮蔽領域の幅に不均一が生じ、被成膜基材４４と第１の遮蔽部５８の間に電子注入層材料ｍ１が回り込み、被成膜基材４４の成膜領域に形成される層とは異なる膜厚で電子注入層材料ｍ１が、被成膜基材４４の成膜領域外に不均一に堆積する。距離Ｄ１の均一性α１が上記範囲であれば、被成膜基材４４の成膜領域の範囲内で均一なストライプ状の電子注入層２８を形成しやすい。

図１０に示したように、対を為す２つの第１の遮蔽板６６は、可撓性基板１２の幅方向（第１の成膜ロール５４の軸線Ｃ１の方向）に離間して配置されている。これにより、第１の遮蔽板６６と第１の遮蔽板６６との間の領域が、第１の成膜源５６から被成膜基材４４に向けて供給される電子注入層材料ｍ１の材料通過領域として機能する。換言すれば、各第１の遮蔽板６６により可撓性基板１２上において電子注入層材料ｍ１を付着させないための遮蔽領域が形成される。２つの第１の遮蔽板６６の間が上記材料通過領域であるため、材料通過領域は、ロール表面５４ａと同様に湾曲したストライプ状を呈し得る。

２つの第１の遮蔽板６６は、それらの間を通過した電子注入層材料ｍ１が被成膜基材４４における電子注入層用の成膜領域に堆積するとともに、電子注入層用の成膜領域以外の領域（遮蔽領域）に電子注入層材料ｍ１が付着することを防止するように、配置されている。

通常、電子注入層用の成膜領域は、有機ＥＬデバイス１０（又はデバイス機能部１６）において機能発現領域Ａとなるべき（或いは設計されている）機能発現設計領域Ａ１より広く設定されている。この場合、２つの第１の遮蔽板６６は、可撓性基板１２の幅方向において機能発現設計領域Ａ１より外側に配置される。

第２の成膜ロール６０は、第１の成膜ロール５４と同様の構成を有するので、第２の成膜ロール６０の構成の説明は省略する。図９及び図１１に示したように、第２の成膜室５０内において、第２の成膜ロール６０と複数のガイドロールＲとは、可撓性基板１２の第１主面１２ａが外側に位置する状態で第２の成膜ロール６０のロール表面６０ａに被成膜基材４４が巻き掛けられるように、配置されている。

第２の成膜源６２は、被成膜基材４４から離間しており、第２の成膜ロール６０の径方向（軸線方向に垂直な方向）において、第２の成膜ロール６０に対向配置されている。第２の成膜源６２は、導電層材料（陰極層材料）ｍ２の供給源である。第２の成膜源６２は、ドライ成膜法における公知の成膜源であり、その例は、第１の成膜源５６の場合と同様である。第２の成膜源６２は、第１の成膜源５６と同じでもよいし、異なってもよい。

第２の遮蔽部６４は、第２の成膜ロール６０と第２の成膜源６２との間であって、第２の成膜ロール６０に巻き掛けられた被成膜基材４４との間に隙間を生じるように配置されている。第２の遮蔽部６４は、第２の成膜源６２から被成膜基材４４に向けて供給される導電層材料ｍ２の一部を遮蔽し、被成膜基材４４における導電層用の成膜領域に選択的に導電層材料ｍ２を堆積させるための部材である。

図９及び図１１に示したように、第２の遮蔽部６４は、対を為す２つの独立した第２の遮蔽板６８を有する。第２の遮蔽板６８の材料の例は、第１の遮蔽板６６の場合と同様である。各第２の遮蔽部６４は、第２の成膜ロール６０のロール表面６０ａと同様に湾曲しており、被成膜基材４４の搬送方向において固定配置されている。各第２の遮蔽板６８と、ロール表面６０ａと接触している可撓性基板１２の第１主面１２ａとの間の距離Ｄ２は、実質的に一定である。本実施形態において、距離Ｄ２は、第２の遮蔽部６４と、可撓性基板１２の第１主面１２ａとの間の距離に相当する。

距離Ｄ２は、可撓性基板１２の厚さの１倍〜１６０倍であり得る。距離Ｄ２が上記範囲であれば、距離Ｄ１の場合と同様に、第２の遮蔽部６４と被成膜基材４４との接触を防止しながら、第２の遮蔽部６４による遮蔽効果を維持して導電層用の成膜領域に選択的に導電層材料ｍ２を堆積しやすい。距離Ｄ２が、可撓性基板１２の厚さの３０倍〜１６０倍であれば可撓性基板１２の厚さは距離Ｄ２に対して十分小さく、距離Ｄ２は、ロール表面６０ａと第２の遮蔽板６８との間の距離と見なし得る。被成膜基材４４の搬送方向における距離Ｄ２の均一性α２を式（２）で定義した際、４０％以下あることが好ましい。

式（２）中、Ｄ２_ｍａｘは、距離Ｄ２のうち、被成膜基材４４の搬送方向における最大値であり、Ｄ２_ｍｉｎは、距離Ｄ２のうち被成膜基材４４の搬送方向における最小値である。

均一性α２が４０％以下であれば、距離Ｄ１の場合と同様に、より均一な幅のストライプ状の導電層４２を形成しやすい。

図１１に示したように、対を為す２つの第２の遮蔽板６８は、可撓性基板１２の幅方向（第２の成膜ロール６０の軸線Ｃ２の方向）に離間して配置されている。これにより、２つの第２の遮蔽板６８の間の領域が、第２の成膜源６２から被成膜基材４４に向けて供給される導電層材料ｍ２の材料通過領域として機能する。換言すれば、各第２の遮蔽板６８により可撓性基板１２上において導電層材料ｍ２を付着させないための遮蔽領域が形成される。２つの第２の遮蔽板６８の間が上記材料通過領域であるため、材料通過領域は、ロール表面６０ａと同様に湾曲したストライプ状を呈し得る。

第２の遮蔽板６８及び第２の遮蔽部６４は、それらの間を通過した導電層材料ｍ２が被成膜基材４４における導電層用の成膜領域に堆積するとともに、導電層用の成膜領域以外の領域に導電層材料ｍ２の付着を防止するように、配置されている。

本実施形態では、導電層４２は、電子注入層２８を覆うように形成するため、可撓性基板１２の幅方向において、導電層用の成膜領域の幅は、電子注入層用の成膜領域の幅より広い。したがって、第２の遮蔽板６８及び第２の遮蔽部６４の間の距離（材料通過領域の幅）は、２つの第１の遮蔽板６６の間の距離（材料通過領域の幅）より広い。換言すれば、第２の遮蔽部６４による遮蔽領域は、第１の遮蔽部５８による遮蔽領域より狭く設定されている。

通常、導電層用の成膜領域は、有機ＥＬデバイス１０（又はデバイス機能部１６）において機能発現領域Ａとなるべき（或いは設計されている）機能発現設計領域Ａ１より広く設定されている。この場合、２つの第２の遮蔽板６８は、可撓性基板１２の幅方向において、機能発現設計領域Ａ１より外側に配置される。

第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４のそれぞれは、一つの遮蔽板から構成されていてもよい。この場合、その遮蔽板に、材料通過領域としての開口部が形成されていればよい。

上記成膜装置４６を利用した成膜工程Ｓ１２では、第１の成膜ロール５４のロール表面５４ａに、可撓性基板１２の第１主面１２ａが外側を向くように被成膜基材４４をロール表面５４ａに沿わせながら連続搬送する。その際に、第１の成膜源５６から電子注入層材料ｍ１を被成膜基材４４に向けて供給する。具体的には、電子注入層材料ｍ１を飛散させる。第１の成膜源５６から飛び出した電子注入層材料ｍ１の一部は、第１の遮蔽板６６で遮蔽される。一方、２つの第１の遮蔽板６６の間の材料通過領域を通過した電子注入層材料ｍ１は、被成膜基材４４上に堆積し、電子注入層２８が形成される。成膜工程Ｓ１２では、電極付き基板３６はその長手方向に搬送されながら、電子注入層２８が成膜されるので、ストライプ状の電子注入層２８が形成される。

電子注入層２８が形成された電極付き基板３６は、第１の成膜室４８から搬出された後、連結部５２を通過して第２の成膜室５０に搬入される。第２の成膜室５０において、被成膜基材４４は、第１の成膜室４８の場合と同様に、第２の成膜ロール６０のロール表面６０ａに、可撓性基板１２の第１主面１２ａが外側を向くようにロール表面６０ａに沿って搬送される。その際に、第２の成膜源６２から導電層材料ｍ２を被成膜基材４４に向けて供給する。具体的には、導電層材料ｍ２を飛散させる。第２の成膜源６２から飛び出した導電層材料ｍ２の一部は、第２の遮蔽板６８で遮蔽される。一方、２つの第２の遮蔽板６８の間の材料通過領域を通過した導電層材料ｍ２が被成膜基材４４に堆積し、導電層４２が形成される。成膜工程Ｓ１２では、電極付き基板３６はその長手方向に搬送されながら、導電層４２が成膜されるので、ストライプ状の導電層４２に形成される。

第２の遮蔽部６４による遮蔽領域は、第１の遮蔽部５８による遮蔽領域より狭い。換言すれば、第２の遮蔽部６４が有する２つの第２の遮蔽板６８の間の材料通過領域は、第１の遮蔽部５８が有する２つの第１の遮蔽板６６の間の材料通過領域より広い。これにより、電子注入層２８を覆うように、導電層４２が形成される。

成膜装置４６では、第１の成膜ロール５４及び第２の成膜ロール６０に巻き掛けられた被成膜基材４４と、第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４とが離間している。そのため、成膜工程Ｓ１２では、被成膜基材４４を連続搬送しながら、隣接する２つの電子注入層２８と導電層４２とを成膜可能である。したがって、成膜工程Ｓ１２を含む積層構造形成工程Ｓ１０に要する時間を短縮でき、有機ＥＬデバイス１０の生産性向上を図れる。

電子注入層２８及び導電層４２の形成のために、それぞれ成膜ロール、成膜源及び遮蔽部が配置されているため、電子注入層２８及び導電層４２それぞれを所望のパターンで形成できる。例えば、成膜ロール、成膜源及び遮蔽部が、電子注入層２８及び導電層４２の形成用に独立に設置されていることから、被成膜基材４４の進行方向における電子注入層２８及び導電層４２の幅をそれぞれ調整可能である。

第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４は、被成膜基材４４から離間して配置されており、被成膜基材４４に接触していない。そのため、電子注入層２８及び導電層４２の形成時に、被成膜基材４４にダメージを与えない。これにより、製造された有機ＥＬデバイス１０において所望の性能（設計上の性能）を実現可能である。

第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４は、機能発現設計領域Ａ１より外側を遮蔽する。そのため、上記機能発現設計領域Ａ１を含むように、電子注入層２８及び導電層４２を形成できるので、デバイス機能部１６が機能発現領域Ａを含み得る。その結果、デバイス機能部１６において適切に機能を発現させられる。

次に、本実施形態の種々の変形例について説明する。

図１２に示したように、成膜装置４６は、第１の遮蔽領域調整機構７０と、第２の遮蔽領域調整機構７２とを更に備えてもよい。図１２では、第１の成膜室４８及び第２の成膜室５０の図示を省略している。

第１の遮蔽領域調整機構７０は、可撓性基板１２の幅方向における第１の遮蔽部５８による遮蔽領域を調整する機構である。第１の遮蔽領域調整機構７０は、各第１の遮蔽板６６にそれぞれ接続された第１のシリンダ（第１の遮蔽板移動部）７４と、各第１のシリンダ７４の伸縮量を制御する第１の制御装置７６とを有する。第１のシリンダ７４の一端は、第１の遮蔽板６６に接続され、他端は、第１の制御装置７６に接続されている。第１の制御装置７６は、第１の成膜源５６から飛散される電子注入層材料ｍ１の影響を受けない位置に配置されていればよく、例えば第１の成膜室４８の外側に配置される。第１の制御装置７６は、第１のシリンダ７４の伸縮量を調整可能に構成されていればよく、コンピュータを含んでいてもよい。

第１の制御装置７６が第１のシリンダ７４の伸縮を制御し、対を為す第１の遮蔽板６６と第１の遮蔽板６６との間の距離を変化させることによって、第１の遮蔽部５８による遮蔽領域が調整され得る。

同様に、第２の遮蔽領域調整機構７２は、可撓性基板１２の幅方向における第２の遮蔽部６４による遮蔽領域を調整する機構である。第２の遮蔽領域調整機構７２は、各第２の遮蔽板６８にそれぞれ接続された第２のシリンダ（第２の遮蔽板移動部）７８と、各第２のシリンダ７８を制御する第２の制御装置８０とを有する。第２のシリンダ７８の一端は、第２の遮蔽板６８に接続され、他端は、第２の制御装置８０に接続されている。第２の制御装置８０は、第２の成膜源６２から飛散される導電層材料ｍ２の影響を受けない位置に配置されていればよく、例えば第２の成膜室５０の外側に配置される。第２の制御装置８０は、第２のシリンダ７８の伸縮量を調整可能に構成されていればよく、コンピュータを含んでいてもよい。

第２の制御装置８０が第２のシリンダ７８の伸縮を制御し、対を為す第２の遮蔽板６８と第２の遮蔽板６８との間の距離を変化させることによって、第２の遮蔽部６４による遮蔽領域の幅が調整され得る。

第１の遮蔽領域調整機構７０及び第２の遮蔽領域調整機構７２を備える成膜装置４６を利用した成膜工程Ｓ１２では、電子注入層２８及び導電層４２それぞれを成膜する前に、電子注入層用の成膜領域及び導電層用の成膜領域に応じて、第１の遮蔽部５８による遮蔽領域及び第２の遮蔽部６４による遮蔽領域を、可撓性基板１２の幅方向に対して調整する工程（遮蔽領域調整工程）を実施し得る。このような遮蔽領域調整工程を実施することで、電子注入層用の成膜領域及び導電層用の成膜領域に、より正確に電子注入層２８及び導電層４２を成膜可能である。更に、一つの成膜装置４６で、電子注入層２８及び導電層４２の幅の異なる有機ＥＬデバイス１０を製造可能である。

第１の遮蔽領域調整機構７０は、第１の遮蔽板６６と第１の遮蔽板６６のうちの少なくとも一方を幅方向に移動できればよい。したがって、第１の遮蔽領域調整機構７０は、第１のシリンダ７４と、第１の制御装置７６との組を少なくとも一つ有すればよい。同様に第２の遮蔽領域調整機構７２は、第２のシリンダ７８と、第２の制御装置８０との組を少なくとも一つ有すればよい。遮蔽板を移動させる遮蔽板移動部としてシリンダを例示したが、第１の遮蔽板６６及び第２の遮蔽板６８を幅方向に移動させることができれば、シリンダに限定されない。

成膜装置４６が、第１の遮蔽領域調整機構７０及び第２の遮蔽領域調整機構７２を備えている形態では、図１２に示したように、第１の基準位置情報取得部８２及び第２の基準位置情報取得部８４を備えてもよい。

第１の基準位置情報取得部８２は、可撓性基板１２に形成されたアライメントマークＭの位置情報を基準位置情報として取得し、第１の制御装置７６に入力する。第１の基準位置情報取得部は、第１の基準位置撮像部８６と、第１の基準位置情報解析装置８８とを有する。

第１の基準位置撮像部８６は、例えば、被成膜基材の搬送方向において第１の成膜ロール５４の上流側で、基準位置を示すアライメントマークＭを撮影可能な位置に配置されていればよい。第１の基準位置撮像部８６の例はカメラである。図１２では、第１の基準位置撮像部８６は、被成膜基材４４の上側（可撓性基板１２の第２主面１２ｂ側）に配置されているが、被成膜基材４４の下側に配置されていてもよい。通常、第１の基準位置撮像部８６は、第１の成膜ロール５４が配置されている第１の成膜室４８の外側に配置されており、第１の成膜室４８に形成される窓部を通してアライメントマークＭ及びその近傍を撮影する。第１の基準位置撮像部８６は、取得した画像データを第１の基準位置情報解析装置８８に入力する。

第１の基準位置情報解析装置８８は、第１の基準位置撮像部８６で撮影した画像データを解析してアライメントマークＭの位置を算出するとともに、アライメントマークＭの位置情報に基づいて、第１の遮蔽部５８による遮蔽領域の制御情報（具体的には、第１の遮蔽板６６の位置情報又は移動量）を算出する。第１の基準位置情報解析装置８８は、コンピュータを有し得る。第１の基準位置情報解析装置８８は、通常、第１の成膜室４８の外側に配置されている。第１の基準位置情報解析装置８８は、第１の遮蔽部５８による遮蔽領域の制御情報を第１の制御装置７６に入力する。

同様に、第２の基準位置情報取得部８４は、可撓性基板１２に形成されたアライメントマークＭの位置情報を基準位置情報として取得し、第２の制御装置８０に入力する。第２の基準位置情報取得部８４は、第２の基準位置撮像部９０と、第２の基準位置情報解析装置９２とを有する。

第２の基準位置撮像部９０は、例えば、第１の成膜ロール５４から第２の成膜ロール６０への被成膜基材４４の搬送路上において第２の成膜ロール６０の上流側でアライメントマークＭを撮影可能な位置に配置されていればよい。第２の基準位置撮像部９０の例はカメラである。第２の基準位置撮像部９０の被成膜基材４４及び第２の成膜室５０に対する配置状態は、第１の基準位置撮像部８６の被成膜基材４４及び第１の成膜室４８に対する配置状態と同様とし得る。第２の基準位置撮像部９０は、取得した画像データを第２の基準位置情報解析装置９２に入力する。

第２の基準位置情報解析装置９２は、第２の基準位置撮像部９０で撮影した画像データを解析してアライメントマークＭの位置を算出するとともに、アライメントマークＭの位置情報に基づいて、第２の遮蔽部６４による遮蔽領域の制御情報（具体的には、第２の遮蔽板６８の位置情報又は移動量）を算出する。第２の基準位置情報解析装置９２は、コンピュータを有し得る。第２の基準位置情報解析装置９２は、通常、第２の成膜室５０の外側に配置されている。第２の基準位置情報解析装置９２は、第２の遮蔽部６４による遮蔽領域の制御情報を第２の制御装置８０に入力する。

第１の基準位置情報取得部８２及び第２の基準位置情報取得部８４を備える成膜装置４６を利用した成膜工程Ｓ１２では、第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４それぞれに対する遮蔽領域調整工程の前に、アライメントマークＭの位置情報を基準位置情報として取得する工程（基準位置情報取得工程）を実施し得る。この基準位置情報取得工程を実施することで、取得したアライメントマークＭの位置情報(基準位置情報)に基づいて、第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４それぞれに対する遮蔽領域調整工程を実施できる。そのため、電子注入層２８及び導電層４２を、それぞれの成膜領域に、より確実に成膜可能である。更に、一つの成膜装置４６で、電子注入層２８の幅及び導電層４２の幅の少なくとも一方が異なる有機ＥＬデバイス１０を製造可能である。

第１の基準位置情報取得部８２及び第２の基準位置情報取得部８４は、アライメントマークＭの位置情報を取得できれば、例示した形態に限定されない。

図１２では、第１の基準位置情報取得部８２は、可撓性基板１２の幅方向における両端部に形成されたアライメントマークを撮影するために２つの第１の基準位置撮像部８６を有する形態を例示している。しかしながら、第１の基準位置情報取得部８２は、可撓性基板１２の幅方向における両端部のうちの少なくとも一方の端部に形成されたアライメントマークＭを撮影するように撮像部を有すればよい。第２の基準位置情報取得部８４についても同様である。

第１の基準位置情報取得部８２及び第２の基準位置情報取得部８４は、第１の基準位置情報解析装置８８及び第２の基準位置情報解析装置９２を有しなくてもよい。この場合、第１の制御装置７６及び第２の制御装置８０が、第１の基準位置情報解析装置８８及び第２の基準位置情報解析装置９２で実施する解析機能を実施してもよいし、第１の基準位置撮像部８６及び第２の基準位置撮像部９０が、第１の基準位置情報解析装置８８及び第２の基準位置情報解析装置９２で実施する解析機能を有してもよい。

成膜装置４６が、第１の遮蔽領域調整機構７０及び第２の遮蔽領域調整機構７２を備えている形態では、図１２に示したように、第１の端部位置情報取得部９４及び第２の端部位置情報取得部９６を備えてもよい。

第１の端部位置情報取得部９４は、可撓性基板１２に形成された電子注入層２８の端部２８ａ及び端部２８ｂ（図１０参照）の位置情報を取得し、第１の制御装置７６に入力する。第１の端部位置情報取得部９４は、第１の端部撮像部９８と、第１の端部位置解析装置１００とを有する。

第１の端部撮像部９８は、第１の成膜ロール５４と第２の成膜ロール６０との間の被成膜基材４４の搬送路上において、端部２８ａ及び端部２８ｂを撮影可能な位置に配置されていればよい。図１２では、第１の基準位置撮像部８６は、被成膜基材４４の下側（可撓性基板１２の第１主面１２ａ側）に配置されているが、被成膜基材４４の上側に配置されていてもよい。第１の端部撮像部９８は、直接成膜されない位置にあればよく、例えば、第１の成膜ロール５４が配置されている第１の成膜室４８の外側に配置されており、第１の成膜室４８に形成される窓部を通して端部２８ａ及び端部２８ｂ近傍を撮影する。第１の端部撮像部９８は、取得した画像データを第１の端部位置解析装置１００に入力する。

第１の端部位置解析装置１００は、第１の端部撮像部９８で撮影した画像データを解析して端部２８ａ及び端部２８ｂの位置を算出するとともに、端部２８ａ及び端部２８ｂの位置情報に基づいて、第１の遮蔽部５８による遮蔽領域の制御情報（具体的には、第１の遮蔽板６６の位置情報又は移動量）を算出する。第１の端部位置解析装置１００は、通常、第１の成膜室４８の外側に配置されている。第１の端部位置解析装置１００は、コンピュータを有し得る。第１の端部位置解析装置１００は、第１の遮蔽部５８による遮蔽領域の制御情報を第１の制御装置７６に入力する。

同様に、第２の端部位置情報取得部９６は、可撓性基板１２に形成された導電層４２の端部４２ｂ及び端部４２ｃ（図１１参照）の位置情報を取得し、第２の制御装置８０に入力する。第２の端部位置情報取得部９６は、第２の端部撮像部１０２と、第２の端部位置解析装置１０４とを有する。

第２の端部撮像部１０２は、被成膜基材４４の搬送経路において、第２の成膜ロール６０の下流で且つ端部４２ｂ及び端部４２ｃを撮影可能な位置に配置されていればよい。図１２では、第２の端部撮像部１０２の被成膜基材４４及び第２の成膜室５０に対する配置状態は、第１の端部撮像部９８の被成膜基材４４及び第１の成膜室４８に対する配置状態と同様とし得る。第２の端部撮像部１０２は、取得した画像データを第２の端部位置解析装置１０４に入力する。

第２の端部位置解析装置１０４は、第２の端部撮像部１０２で撮影した画像データを解析して端部４２ｂ及び端部４２ｃの位置を算出するとともに、端部４２ｂ及び端部４２ｃの位置情報に基づいて、第２の遮蔽部６４による遮蔽領域の制御情報（具体的には、第２の遮蔽板６８の位置情報又は移動量）を算出する。第２の端部位置解析装置１０４は、コンピュータを有し得る。第２の端部位置解析装置１０４は、通常、第２の成膜室５０の外側に配置されている。第２の端部位置解析装置１０４は、第２の遮蔽部６４による遮蔽領域の制御情報を第２の制御装置８０に入力する。

第１の端部位置情報取得部９４及び第２の端部位置情報取得部９６を備える成膜装置４６を利用した成膜工程Ｓ１２では、第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４それぞれを介して電子注入層２８及び導電層４２を形成した後に、電子注入層２８及び導電層４２それぞれの端部位置情報を取得する工程（端部位置情報取得工程）を実施し得る。このように、電子注入層２８を形成した後及び導電層４２を形成した後それぞれにおいて、端部位置情報取得工程を実施することで、取得した端部位置情報に基づいて、第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４それぞれに対する遮蔽領域調整工程を実施できる。すなわち、端部位置情報取得工程の後に遮蔽領域調整工程を実施することで、第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４の遮蔽領域にフィードバックをかけられる。

被成膜基材４４を連続搬送しながら電子注入層２８及び導電層４２を成膜するため、第１の遮蔽部５８が有する第１の遮蔽板６６及び第２の遮蔽部６４が有する第２の遮蔽板６８のそれぞれにも、電子注入層材料ｍ１及び導電層材料ｍ２が堆積する。これにより、例えば第１の遮蔽板６６及び第２の遮蔽板６８の幅が変わると、電子注入層２８及び導電層４２の端部位置が変化する。このように端部位置が変化したとしても、前述したように、電子注入層２８及び導電層４２の端部位置情報に基づいて、第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４による遮蔽領域を調整することで、被成膜基材４４を連続搬送しながら電子注入層２８及び導電層４２を成膜しても、電子注入層２８及び導電層４２をそれぞれの成膜領域に、より正確に成膜可能である。

第１の端部位置情報取得部９４及び第２の端部位置情報取得部９６は、対象とする端部の位置情報を取得できれば、例示した形態に限定されない。

図１２に示した形態では、第１の端部位置情報取得部９４は、可撓性基板１２の幅方向における電子注入層２８の両端部及びそれらの近傍を撮影するために２つの第１の端部撮像部９８を有する形態を例示している。しかしながら、第１の端部位置情報取得部９４は、電子注入層２８の上記両端部のうちの少なくとも一方の端部及びその近傍を撮影するように撮像部を有すればよい。第２の端部位置情報取得部９６についても同様である。

図１２に示した変形例では、成膜装置４６は、第１の基準位置情報取得部８２及び第２の基準位置情報取得部８４の組と、第１の端部位置情報取得部９４及び第２の端部位置情報取得部９６の組の両方を備えている。しかしながら、成膜装置４６は、第１の基準位置情報取得部８２及び第２の基準位置情報取得部８４の組と、第１の端部位置情報取得部９４及び第２の端部位置情報取得部９６の組のどちらかのみを更に有してもよい。

第１の端部位置解析装置１００は、第１の端部撮像部９８で撮影した画像データを解析して端部２８ａ及び端部２８ｂの位置を算出するとともに、端部２８ａ及び端部２８ｂの位置情報に基づいて、第１の遮蔽部５８の後段に配置された第２の遮蔽部６４による遮蔽領域の制御情報（具体的には、第２の遮蔽板６８の位置情報又は移動量）を算出してもよい。これにより、例えば、被成膜基材４４に成膜された電子注入層２８の端部位置が変化したとしても、前述したように、電子注入層２８の端部の位置情報に基づいて、第２の遮蔽部６４による遮蔽領域を調整することで、被成膜基材４４を連続搬送しながら導電層４２を成膜しても、導電層４２の成膜領域に、より正確に成膜可能である。

本実施形態では、陽極層１４と陰極層１８との間に発光層２６及び電子注入層２８を含むデバイス機能部１６が配置された有機ＥＬデバイス１０を例示した。しかし、デバイス機能部の構成はこれに限定されない。デバイス機能部は、以下の構成を有してもよい。下記構成例では、説明のために陽極層及び陰極層も記載している。
（ａ）（陽極層）／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｈ）（陽極層）／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記（ｈ）に示す構成が、本実施形態における有機ＥＬデバイス１０の構成に対応する。

正孔注入層、正孔輸送層及び電子輸送層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層及び電子輸送層のそれぞれは、例えば、発光層と同様に塗布法により形成してもよいし、ドライ成膜法で形成してもよい。

本実施形態では、電子注入層２８及び導電層４２の２つの層を成膜工程Ｓ１２で成膜する形態を例示した。しかしながら、本実施形態で説明した成膜工程Ｓ１２は、可撓性基板１２を連続搬送しながら複数の層を成膜する場合に適用可能である。

陰極層１８は、例えば複数の層を有する積層体であり得る。陰極層１８が上記のように積層体である場合、成膜工程Ｓ１２において、例えば、本実施形態で説明した方法を適用して、可撓性基板１２を連続搬送しながら、陰極層１８となるべき複数の層をドライ成膜法で成膜してもよい。或いは、本実施形態で説明した方法を適用して、電子注入層２８と、陰極層１８となるべき複数の導電層とを形成してもよい。上記複数の導電層用の複数の遮蔽部の遮蔽領域は同じでもよいし、異なっていてもよい。

デバイス機能部１６に含まれており隣接する複数の機能層となるべき層を、成膜工程Ｓ１２において、本実施形態で説明した方法を適用してドライ成膜法で形成してもよい。例えば、成膜工程Ｓ１２では、デバイス機能部１６に含まれる機能層のうち電子注入層２８に隣接する層と、電子注入層２８と、陰極層１８となるべき導電層とを、成膜工程Ｓ１２で可撓性基板１２を連続搬送しながら形成し得る。

有機ＥＬデバイス１０の製造方法で使用する電極付き基板３６には、可撓性基板１２の幅方向において、陽極層１４と引出電極２２との組が複数形成されていてもよい。換言すれば、複数のデバイス形成領域ＤＡの列を、可撓性基板１２の幅方向において、複数有してもよい。この場合、第１の遮蔽部５８及び第２の遮蔽部６４それぞれは、可撓性基板の幅方向に沿って３つ以上の遮蔽板を有すればよい。

有機ＥＬデバイス１０の構成は、図１に示した例に限定されない。電子注入層２８及び陰極層１８は陽極層１４と短絡しないように形成されていればよいので、例えば電子注入層２８及び陰極層１８における壁部３４側の端部は、発光層２６の壁部３４側の側面より内側（引出電極２２側）に位置していてもよい。これは、例えば、孔部４２ａを形成する際に、孔部４２ａの側面が発光層２６より内側に位置するように孔部４２ａを形成すればよい。更に、壁部３４は有しなくてもよい。

図３に概念的に示した有機ＥＬデバイス１０の製造方法では、ロールツーロール方式で、積層構造形成工程Ｓ１０及び貼合工程Ｓ２０を連続的に実施した。しかしながら、例えば、有機ＥＬデバイス１０の製造工程における複数の工程のうち一部の工程をロールツーロール方式で行って、一度、可撓性基板をロール状に巻き取った後、更に後工程を実施してもい。したがって、例えば、成膜工程Ｓ１２の前段までで一旦可撓性基板をロール状に巻き取った後、その巻き取ったロール状の可撓性基板を利用して成膜工程をロールツーロール方式で実施してもよい。この場合、例えば、図９に示した第１の成膜室４８内若しくはその前段に繰出し部４０Ａを設置し、第２の成膜室５０内若しくはその後段に巻取り部４０Ｂが設置されていてもよい。

本実施形態では、引出電極２２を備える形態を一例として説明したが、有機ＥＬデバイスは、引出電極を備えなくてもよい。この形態の有機ＥＬデバイスでは、陰極層が引出電極として機能する。有機ＥＬデバイスの製造方法で製造される有機ＥＬデバイスは封止部材を有さなくてもよい。この場合、有機ＥＬデバイスの製造方法は、貼合工程を有さない。

本発明は、例示した種々の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

成膜工程では、可撓性基板を連続搬送しながら可撓性基板上に第１〜第Ｎの層（Ｎは２以上の整数）を順に成膜すればよい。上記実施形態は、Ｎ＝２の場合に対応し、具体的には、第１の層が電子注入層２８に対応し、第２の層が、陰極層となるべき導電層４２に対応する。第１〜第Ｎの層の材料のうち複数の層の材料は同じであってもよい。例えば、第１〜第Ｎの層のうち隣接する複数の層の材料が同じ材料であってもよい。

成膜工程で第１〜第Ｎの層を可撓性基板上に第１〜第Ｎの層の順に形成する形態では、成膜装置は、第１〜第Ｎの層それぞれに対応して、第１〜第Ｎの成膜ロール、第１〜第Ｎの成膜源及び第１〜第Ｎの遮蔽部を有すればよい。この場合、成膜工程では、可撓性基板を連続搬送しながら、第１〜第Ｎの成膜源のそれぞれと可撓性基板との間に可撓性基板から離間して配置された第１〜第Ｎの遮蔽部を介して、第１〜第Ｎの成膜源から第１〜第Ｎの層の材料を可撓性基板に供給することによって、第１〜第Ｎの層それぞれを第１〜第Ｎの層の順に可撓性基板上に成膜し得る。

第１〜第Ｎの成膜ロール、第１〜第Ｎの成膜源、及び、第１〜第Ｎの遮蔽部は、それぞれ形成すべき第１〜第Ｎの層に対応して構成されている点以外は、上記実施形態で説明した成膜ロール、成膜源、遮蔽部（例えば第１の成膜ロール、第１の成膜源、第１の遮蔽部）と同様の構成とし得る。

第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの遮蔽部の遮蔽領域は、第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの他の遮蔽部の遮蔽領域と異なっていればよい。したがって、第１〜第Ｎの層のうち任意の層を第ｋの層（２≦ｋ≦Ｎ）と称し、第ｋの層に対応する遮蔽部を、第ｋの遮蔽部と称した場合、第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの遮蔽部の遮蔽領域は、第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの他の遮蔽部の遮蔽領域と異なっていれば、第ｋの遮蔽部の遮蔽領域は、第（ｋ−１）の遮蔽部の遮蔽領域と同じでもよいし、異なってもよい。第ｋの遮蔽部の遮蔽領域が、第（ｋ−１）の遮蔽部の遮蔽領域と異なる場合、第（ｋ−１）の遮蔽部による遮蔽領域は、第ｋの遮蔽部による遮蔽領域より狭くし得る。すなわち、第（ｋ−１）の層用の成膜領域は、第ｋの層用の成膜領域より広くし得る。これにより、第ｋの層を、第（ｋ−１）の層を覆うように形成可能である。

成膜装置が１〜第Ｎの遮蔽部を備える形態では、第１〜第Ｎの遮蔽部のうち任意の遮蔽部を第ｎの遮蔽部（１≦ｎ≦Ｎ）としたとき、可撓性基板の主面の垂線方向（厚さ方向に相当）において、可撓性基板の主面と、第ｎの遮蔽部における上記主面側の面との間の距離をＤｎとしたとき、距離Ｄｎは、可撓性基板の厚さの１倍〜１６０倍であることが好ましい。このような距離であれば、搬送中の可撓性基板と第１〜第Ｎの遮蔽板との接触を防止しやすいとともに、第１〜第Ｎの遮蔽部による遮蔽効果を実現しやすい。

距離Ｄｎにおける可撓性基板の搬送方向における最大値をＤｎ_ｍａｘとし、最小値をＤｎ_ｍｉｎとしたとき、Ｄｎ_ｍａｘとＤｎ_ｍｉｎとが、
｛（Ｄｎ_ｍａｘ−Ｄｎ_ｍｉｎ）／（（Ｄｎ_ｍａｘ＋Ｄｎ_ｍｉｎ）／２）｝×１００≦４０
を満たすことが好ましい。これにより、第ｎの遮蔽部を介して対応する第ｎの層用の成膜領域に、より正確に第ｎの層を形成可能である。

第１〜第Ｎの遮蔽部は、第１〜第Ｎの層のパターン及び可撓性基板上における成膜領域に応じて、可撓性基板の幅方向に、複数の遮蔽板を有し得る。よって、例えば、第１〜第Ｎの遮蔽部は、可撓性基板の幅方向に３つ以上の遮蔽板を有してもよい。

成膜工程で第１〜第Ｎの層を可撓性基板上に第１〜第Ｎの層の順に形成するための成膜装置は、第１〜第Ｎの遮蔽部のうち所定の遮蔽部に対して設けられており、所定の遮蔽部による遮蔽領域を、可撓性基板の幅方向において調整する遮蔽領域調整機構を更に備え、所定の遮蔽部は、対応する成膜ロールの軸線方向に対して互いに離間して配置された複数の遮蔽板を有し、遮蔽領域調整機構は、複数の遮蔽板のうち少なくとも一つの遮蔽板を可撓性基板の幅方向に移動させてもよい。上記遮蔽領域調整機構は、図１２を利用して説明した遮蔽領域調整機構（例えば、第１の遮蔽領域調整機構７０）と同様の構成とし得る。

この場合、成膜工程において、図１２を利用して説明した遮蔽領域調整工程を実施し得る。そのため、第１〜第Ｎの層のうち所定の遮蔽部に対応した所定の層を成膜する前に、上記所定の層の成膜領域に合わせて所定の遮蔽部の遮蔽領域を調整できる。その結果、所定の遮蔽部を利用して成膜する所定の層を、所定の成膜領域に、より正確に形成しやすい。遮蔽領域調整機構は、第１〜第Ｎの遮蔽部のうちの少なくとも一つに対して設けられていればよい。例えば、第１〜第Ｎの遮蔽部すべてに対応して設けられている場合には、第１〜第Ｎの層を所定の成膜領域に、より正確に形成しやすい。

成膜装置が上記遮蔽領域調整機構を備える形態では、可撓性基板に形成されているアライメントマークの位置情報を基準位置情報として取得する基準位置情報取得部を更に備え、遮蔽領域調整機構は、基準位置情報取得部で取得した基準位置情報に基づいて所定の遮蔽部の遮蔽領域を調整してもよい。上記基準位置情報取得部は、図１２を利用して説明した基準位置情報取得部（例えば、第１の基準位置情報取得部８２）と同様の構成とし得る。

この場合、成膜工程において、図１２を利用して説明した基準位置情報取得工程を実施し得る。例えば、上記所定の遮蔽部に対応する所定の成膜ロールより上流側で基準位置情報取得部によりアライメントマーク位置の情報を取得すれば、所定の遮蔽部を利用して形成すべき所定の層用の遮蔽領域を、アライメントマークに合わせて適切に調整可能である。換言すれば、所定の層を、製造すべき有機ＥＬデバイスにおいて設定されている所定の成膜領域に形成可能である。

基準位置情報取得部は、第１〜第Ｎの成膜ロールのうちの少なくとも一つの成膜ロールに対応して設けられていればよい。換言すれば、基準位置情報取得部は、少なくとも一つの成膜ロールの上流側でアライメントマークの位置情報を取得するように設けられていればよい。例えば、第１〜第Ｎの成膜ロールすべてに対応して設けられている場合には、各基準位置情報取得部で、第１〜第Ｎの成膜ロールそれぞれの上流側でアライメントマークの位置情報を取得すれば、第１〜第Ｎの層を、所定の成膜領域に、より正確に形成しやすい。

これまでの説明では、可撓性基板に形成されたアライメントマークの位置の情報を、遮蔽領域の調整用の基準位置情報として説明した。しかしながら、基準位置情報は、可撓性基板が有しており、遮蔽領域の調整のための基準となる位置の情報であればよい。例えば可撓性基板の端部（幅方向の端部）の位置情報が基準位置情報であってもよい。この場合、基準位置情報取得部の動作は、アライメントマークの位置情報の代わりに可撓性基板の端部の位置情報を取得する点以外は、アライメントマークの位置情報を取得する場合と同様である。可撓性基板の端部（幅方向の端部）の位置を基準位置情報とする形態では、例えば、発光層などの層形成の位置調整に、上記基準位置情報を使用してもよい。この場合、アライメントマークは可撓性基板に形成されていなくてもよい。

成膜装置が上記遮蔽領域調整部を備える形態では、所定の遮蔽部を介して形成された層又は所定の遮蔽部の前段（例えば一つ前）の遮蔽部を介して形成された層の端部の位置情報である端部位置情報を取得する端部位置情報取得部を有しており、遮蔽領域調整機構は、端部位置情報取得部で取得した端部位置情報に基づいて所定の遮蔽部の遮蔽領域を調整してもよい。上記端部位置情報取得部は、図１２を利用して説明した端部位置情報取得部（例えば、第１の端部位置情報取得部９４）と同様の構成とし得る。

端部位置情報取得部が所定の遮蔽部を介して形成された層の端部の位置情報を取得する形態では、成膜工程において、図１２を利用して説明した端部位置情報取得工程を実施し得る。そのため、例えば、所定の遮蔽部が有する遮蔽板に所定の層の材料が堆積してくることによって、上記遮蔽板の幅などが変化したとしても、所定の層を、製造すべき有機ＥＬデバイスにおいて設定されている所定の成膜領域に、より正確に形成可能である。この形態では、端部位置情報取得部は、第１〜第Ｎの成膜ロールのうちの少なくとも一つの成膜ロールに対応して設けられていればよい。換言すれば、端部位置情報取得部は、少なくとも一つの成膜ロールの下流側で（且つ、好ましくは、次の成膜ロールより上流側で）端部位置情報を取得するように設けられていればよい。例えば、第１〜第Ｎの成膜ロールすべてに対応して設けられている場合には、各端部位置情報取得部で、第１〜第Ｎの成膜ロールそれぞれの下流側で直前の成膜ロールを利用して形成された層の端部位置情報を取得すれば、第１〜第Ｎの層を、所定の成膜領域に、より正確に形成しやすい。

端部位置情報取得部が所定の遮蔽部の前段（例えば一つ前）の遮蔽部を介して形成された層の端部の位置情報を取得する形態は、例えば、図１２に示した第１の端部位置情報取得部９４の情報に基づいて、第２の遮蔽領域調整機構７２で第２の遮蔽部６４の遮蔽領域を調整する形態に対応する。

端部位置情報取得部が所定の遮蔽部の前段（例えば一つ前）の遮蔽部を介して形成された層の端部の位置情報を取得する形態では、所定の遮蔽部の前段（例えば一つ前）の遮蔽部を介して形成された層の端部位置が変化したとしても、可撓性基板を連続搬送しながら所定の遮蔽部に対応する所定の層を形成しても、所定の層用の成膜領域に、より正確に所定の層を形成できる。この形態では、端部位置情報取得部は、第１〜第（Ｎ−１）の成膜ロールのうちの少なくとも一つの成膜ロールに対応して設けられていればよい。例えば、第１〜第（Ｎ−１）の成膜ロールすべてに対応して設けられている場合には、各端部位置情報取得部で、第１〜第（Ｎ−１）の成膜ロールそれぞれの下流側で直前の成膜ロールを利用して形成された層の端部位置情報を取得すれば、第２〜第Ｎの層を、所定の成膜領域に、より正確に形成しやすい。

前述したように、第１〜第Ｎの層のうち任意の層を第ｋの層（２≦ｋ≦Ｎ）と称し、第ｋの層に対応する成膜ロール、成膜源及び遮蔽部のそれぞれを、第ｋの成膜ロール、第ｋの成膜源及び第ｋの遮蔽部と称した場合、第ｋの成膜ロール、第ｋの成膜源及び第ｋの遮蔽部は、第ｋの層を形成する成膜ユニットを構成する。第１〜第Ｎの層を形成するための成膜ユニットは、それぞれ別々の成膜室内に配置されてもよいし、複数の成膜ユニットは同じ成膜室内に配置されてもよい。

これまでの説明では、成膜装置及び成膜工程では、第１〜第Ｎの層をドライ成膜法で形成する形態を説明したが、第１〜第Ｎの層の形成方法は、ドライ成膜法に限定されない。

上記実施形態では、有機デバイスの一例である有機ＥＬデバイスについて説明したが、本発明は、有機ＥＬデバイスの他、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池、有機センサー等の有機デバイスにも適用できる。

１０…有機ＥＬデバイス（有機デバイス）、１２…可撓性基板、１２ａ…第１主面（主面）、１２ｂ…第２主面、１４…陽極層、１６…デバイス機能部、１８…陰極層、２０…積層構造、２８…電子注入層（第１の層）、２８ａ，２８ｂ…端部、４２…導電層（第２の層）、４２ｂ，４２ｃ…端部、４６…成膜装置、５４…第１の成膜ロール、５４ａ…ロール表面、５６…第１の成膜源、５８…第１の遮蔽部、６０…第２の成膜ロール、６０ａ…ロール表面、６２…第２の成膜源、６４…第２の遮蔽部、６６…第１の遮蔽板、６８…第２の遮蔽板、７０…第１の遮蔽領域調整機構（遮蔽領域調整機構）、７２…第２の遮蔽領域調整機構（遮蔽領域調整機構）、８２…第１の基準位置情報取得部（基準位置情報取得部）、８４…第２の基準位置情報取得部（基準位置情報取得部）、９４…第１の端部位置情報取得部（端部位置情報取得部）、９６…第２の端部位置情報取得部（端部位置情報取得部）、Ａ…機能発現領域、Ａ１…機能発現設計領域、Ｃ１，Ｃ２…軸線。

Claims (16)

1. 一方向に延在する可撓性基板の主面に形成された第１の電極層上に、少なくとも一つの機能層を含むデバイス機能部及び第２の電極層を含む積層構造を形成する工程を備え、
   前記積層構造を形成する工程は、前記第１の電極層が形成された前記可撓性基板を連続搬送しながら、前記第１の電極層上に、第１〜第Ｎの層（Ｎは２以上の整数）を成膜する工程を有し、
   前記成膜する工程では、第１〜第Ｎの成膜源と前記可撓性基板との間に配置された第１〜第Ｎの遮蔽部により前記主面における一部の領域を遮蔽しながら、前記第１〜第Ｎの成膜源から前記第１〜第Ｎの層の材料を前記第１〜第Ｎの層用の成膜領域に選択的に供給することによって、前記第１〜第Ｎの層それぞれを順に前記第１の電極層上に成膜し、
   前記第１〜第Ｎの遮蔽部は、前記可撓性基板から離間した状態で、前記可撓性基板の搬送方向に対して固定されており、
   前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの遮蔽部による前記主面上の遮蔽領域は、前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの他の遮蔽部による遮蔽領域と異なる、
   有機デバイスの製造方法。
2. 前記成膜する工程では、第１〜第Ｎの成膜ロールのロール表面に前記可撓性基板を巻き掛けながら前記第１〜第Ｎの層を成膜する、
   請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
3. 前記成膜する工程では、前記第１〜第Ｎの層それぞれをドライ成膜法により成膜する、
   請求項１又は２に記載の有機デバイスの製造方法。
4. 前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち第ｋの遮蔽部（２≦ｋ≦Ｎ）による遮蔽領域は、第（ｋ−１）の遮蔽部による遮蔽領域より狭い、
   請求項１〜３の何れか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
5. 前記第１〜第Ｎの遮蔽部が、前記可撓性基板上において、前記デバイス機能部の機能発現領域を形成すべき領域である機能発現設計領域より外側を遮蔽する、
   請求項１〜４の何れか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
6. 前記可撓性基板の前記主面の垂線方向において、前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち第ｎの遮蔽部（１≦ｎ≦Ｎ）の前記主面側の面と前記主面との間の距離Ｄｎが前記可撓性基板の厚さの１倍〜１６０倍である、
   請求項１〜５の何れか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
7. 前記可撓性基板の前記主面の垂線方向において、前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち第ｎの遮蔽部（１≦ｎ≦Ｎ）の前記主面側の表面と前記主面との間の距離Ｄｎの最大値をＤｎ_ｍａｘとし、最小値をＤｎ_ｍｉｎとしたとき、Ｄｎ_ｍａｘとＤｎ_ｍｉｎとが、
   ｛（Ｄｎ_ｍａｘ−Ｄｎ_ｍｉｎ）／（（Ｄｎ_ｍａｘ＋Ｄｎ_ｍｉｎ）／２）｝×１００≦４０
   を満たす、
   請求項１〜６の何れか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
8. 前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち所定の遮蔽部は、前記可撓性基板の幅方向に複数の遮蔽板を有し、
   前記複数の遮蔽板は、互いに離間している、
   請求項１〜７の何れか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
9. 前記成膜する工程は、前記複数の遮蔽板のうち少なくとも一つの遮蔽板を前記可撓性基板の幅方向に移動させることによって、遮蔽領域を調整する工程を有する、
   請求項８に記載の有機デバイスの製造方法。
10. 前記成膜する工程は、前記遮蔽領域を調整する工程の前に、前記可撓性基板が有する基準位置情報を取得する工程を有し、
    前記遮蔽領域を調整する工程では、前記基準位置情報に基づいて前記遮蔽領域を調整する、
    請求項９に記載の有機デバイスの製造方法。
11. 前記成膜する工程は、前記所定の遮蔽部を介して形成された層又は前記所定の遮蔽部の前段の遮蔽部を介して形成された層の端部の位置情報である端部位置情報を取得する工程を有し、
    前記端部位置情報を取得する工程の後に、前記端部位置情報に基づいて前記所定の遮蔽部の遮蔽領域を調整する工程を実施する、
    請求項９又は１０に記載の有機デバイスの製造方法。
12. 一方向に延在する可撓性基板を連続搬送しながら前記可撓性基板上に第１〜第Ｎの層（Ｎは２以上の整数）を成膜する成膜装置であって、
    前記可撓性基板から離間して配置されており、前記第１〜第Ｎの層の材料を前記可撓性基板上に供給する第１〜第Ｎの成膜源と、
    前記第１〜第Ｎの成膜源と前記可撓性基板との間に、前記可撓性基板から離間して設けられており、前記第１〜第Ｎの成膜源から前記可撓性基板上への前記１〜第Ｎの層の材料の供給の一部を遮蔽する第１〜第Ｎの遮蔽部と、
    を備え、
    前記第１〜第Ｎの成膜源は、前記可撓性基板の搬送方向において上流側から下流側に順に配置されており、
    前記第１〜第Ｎの遮蔽部は、前記可撓性基板の搬送方向において固定されており、
    前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの遮蔽部の遮蔽領域は、前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち少なくとも一つの他の遮蔽部の遮蔽領域と異なる、
    成膜装置。
13. 前記第１〜第Ｎの成膜源に対向配置されており、前記可撓性基板がロール表面に巻き掛けられる第１〜第Ｎの成膜ロール（Ｎは２以上の整数）を更に備える、
    請求項１２に記載の成膜装置。
14. 前記第１〜第Ｎの遮蔽部のうち所定の遮蔽部に対して設けられており、前記所定の遮蔽部による遮蔽領域を、前記可撓性基板の幅方向において調整する遮蔽領域調整機構を更に備え、
    前記所定の遮蔽部は、対応する成膜ロールの軸線方向に対して互いに離間して配置された複数の遮蔽板を有し、
    前記遮蔽領域調整機構は、前記複数の遮蔽板のうち少なくとも一つの遮蔽板を前記可撓性基板の幅方向に移動させる、
    請求項１２又は１３に記載の成膜装置。
15. 前記可撓性基板が有する基準位置情報を取得する基準位置情報取得部を更に備え、
    前記遮蔽領域調整機構は、前記基準位置情報取得部で取得した前記基準位置情報に基づいて前記所定の遮蔽部の遮蔽領域を調整する、
    請求項１４に記載の成膜装置。
16. 前記所定の遮蔽部を介して形成された層又は前記所定の遮蔽部の前段の遮蔽部を介して形成された層の端部の位置情報である端部位置情報を取得する端部位置情報取得部を有しており、
    前記遮蔽領域調整機構は、前記端部位置情報取得部で取得した前記端部位置情報に基づいて前記所定の遮蔽部の遮蔽領域を調整する、
    請求項１４又は１５に記載の成膜装置。

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