JP2018108931A - Ramo4基板 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、上述の実施形態では、一般式RAMO4で表される単結晶体からなる基板のうち、ScAlMgO4の単結晶体から得られる基板について説明したが、本開示は、これに限定されない。
002 エピタキシャル成長面
003 段差部
060 劈開面
061 劈開面幅
062 劈開面間高さ
070 砥粒
081 MgAlO2原子層
082 ScO2原子層
090 梨地形状
Claims (6)
- 一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなるRAMO4基板であり、
少なくとも一方の面にエピタキシャル成長面を有し、
前記エピタキシャル成長面が、規則性を持って分布する複数の劈開面を有し、隣接する前記劈開面どうしが、0.8nm以上8nm以下ずつ離間している、RAMO4基板。 - 前記複数の劈開面は、それぞれ長尺形状である、
請求項1に記載のRAMO4基板。 - 前記各劈開面の幅が、5nm以上150nm以下である、
請求項1または2に記載のRAMO4基板。 - 前記劈開面内の100μm2の領域における表面粗さRaが、0.08nm以上1.5nm以下である、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のRAMO4基板。 - 前記一般式におけるRがScであり、AがAlであり、MがMgである、
請求項1〜4のいずれか一項に記載のRAMO4基板。 - 隣接する前記劈開面どうしの間に、AlMgO2層が露出している、
請求項5に記載のRAMO4基板。
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