JP2018104648A - 樹脂シート - Google Patents

Abstract

【課題】 熱硬化後のパッケージの反りを抑制することが可能な樹脂シートを提供すること。【解決手段】 グリシジル基含有アクリル樹脂を含み、グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量は、樹脂シートの樹脂成分全体に対して１５〜８０重量％である樹脂シート。【選択図】 図１

Description

本発明は、樹脂シートに関する。

従来、電子デバイスと基板との間が中空構造となっている中空型電子デバイスを樹脂封止して中空型電子デバイスパッケージを作製する際に、封止樹脂としてシート状のものが用いられることがある（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−１９７１４号公報

上記パッケージの製造方法としては、被着体上に配置された１又は複数の電子デバイス上にシート状の封止樹脂を配置し、次に、電子デバイスとシート状の封止樹脂とを近づける方向に加圧して電子デバイスをシート状の封止樹脂に埋め込み、その後、シート状の封止樹脂を熱硬化させる方法が挙げられる。

しかしながら、熱硬化後、被着体（例えば、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板）と封止樹脂との収縮差によりパッケージに反りが発生する場合があるといった問題があった。特に、複数の電子デバイスを一括封止する場合には、封止後、個々のパッケージに分割（ダイシング）する必要があるが、ダイシングテープに貼り付ける際に、全体にひずみが生じ、破損等の不具合が発生するおそれがある。また、ダンシングにより規定のサイズに分割できず、歩留りが低下するといった問題がある。

本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、熱硬化後のパッケージの反りを抑制することが可能な樹脂シートを提供することにある。

本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係る樹脂シートは、グリシジル基含有アクリル樹脂を含み、
前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量は、樹脂シートの樹脂成分全体に対して１５〜８０重量％であることを特徴とする。

前記構成によれば、熱可塑性成分としてグリシジル基含有アクリル樹脂を含むため、樹脂シートの熱硬化後の弾性率を低くすることができる。
また、従来、熱可塑性成分として、カルボキシル基含有アクリル樹脂が使用される場合があった。カルボキシル基は反応性が高いため、樹脂シートにエポキシ樹脂やフェノール樹脂が含有されている場合、これらとも反応する。
しかしながら、本発明では、熱可塑性成分として、グリシジル基含有アクリル樹脂を含有する。グリシジル基は、カルボキシル基と比べると反応性が低いため、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との間での反応が優先的に進行する。その結果、未反応のグリシジル基が残留した状態で樹脂が硬化することになり、カルボキシル基含有アクリル樹脂を用いた場合と比較して、エポキシ樹脂やフェノール樹脂との間での架橋構造を作りにくくなる。これにより、弾性率が低下する。
以上より、本発明によれば、樹脂シートの熱硬化後の弾性率を低くでき、熱硬化後のパッケージの反りを抑制することができる。

前記構成において、前記グリシジル基含有アクリル樹脂の重量平均分子量は、１０万以上２００万以下であることが好ましい。

前記グリシジル基含有アクリル樹脂の重量平均分子量が１０万以上であると、熱硬化時の中空部への樹脂の進入量を少なくすることができる。一方、前記重量平均分子量が２００万以下であると、電子デバイスの埋め込みを良好とすることができる。

前記構成において、熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であることが好ましい。

熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であると、パッケージの反りをより抑制できる。

前記構成においては、無機充填剤を含み、
前記無機充填剤の含有量は、樹脂シート全体に対して８０〜９２重量％であることが好ましい。

無機充填剤を、樹脂シート全体に対して８０重量％以上含むと、硬化後の貯蔵弾性率を高く維持でき、外部からの衝撃等から素子を保護することができる。また、信頼性試験時に基板と樹脂間の線膨張の差が大きくなるのを抑制し、基板と樹脂間に剥離が生じることを防止できる。一方、無機充填剤を、樹脂シート全体に対して９２％以下で含むと、樹脂粘度が上昇しすぎるのを抑制できる。その結果、素子端部まで樹脂を行き届かせることができ、パッケージ化するために個片化したときに、基板と樹脂の接着不良部分が残ることを防止できる。

本実施形態に係る電子デバイス封止用樹脂シートの断面模式図である。 （ａ）は、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。 進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図である。 進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図である。 進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図である。 図５の部分拡大図である。 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

（電子デバイス封止用樹脂シート）
図１は、本実施形態に係る電子デバイス封止用樹脂シート（樹脂シート）の断面模式図である。図１に示すように、電子デバイス封止用樹脂シート１１（以下、「樹脂シート１１」ともいう）は、代表的に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどのセパレータ１１ａ上に積層された状態で提供される。なお、セパレータ１１ａには樹脂シート１１の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。

なお、本実施形態では、樹脂シートの一方の面にのみセパレータが積層された場合について説明するが、本発明はこの例に限定されず、樹脂シートの両面にセパレータが積層されていてもよい。この場合、使用する直前に一方のセパレータを剥離して、使用することができる。また、本発明において樹脂シートは、セパレータに積層されず、樹脂シートの単体で提供されてもよい。また、本発明の趣旨に反しない範囲において、樹脂シート上に他の層が積層されていてもよい。

樹脂シート１１は、グリシジル基含有アクリル樹脂を含む。
熱可塑性成分を含むため、樹脂シート１１の熱硬化後の弾性率を低くすることができる。特に、熱可塑性成分としてカルボキシル基含有アクリル樹脂ではなく、グリシジル基含有アクリル樹脂を含有するため、熱硬化後の弾性率を低くすることができる。その結果、熱硬化後のパッケージの反りを抑制することができる。

前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量は、樹脂シート１１の樹脂成分全体に対して１５〜８０重量％であり、１７〜７８重量％であることが好ましく、２０〜７５重量％であることがより好ましい。前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量が、樹脂シート１１の樹脂成分全体に対して１５重量％以上であるため、個片化する際に影響しない程度の反り量を保ちつつ、素子への成型性も担保することが可能である。一方、前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量が、樹脂シート１１の樹脂成分全体に対して８０重量％以下であるため、封止樹脂としての保護機能を保つための一定の硬化後貯蔵弾性率を保持しつつ素子への封止性も両立することができる。

前記グリシジル基含有アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上２００万以下のものが好ましく、２０万〜１９０万のものがより好ましく、３０万〜１８０万のものがさらに好ましい。前記グリシジル基含有アクリル樹脂の重量平均分子量が１０万以上であると、熱硬化時の中空部への樹脂の進入量を少なくすることができる。一方、前記重量平均分子量が２００万以下であると、電子デバイスの埋め込みを良好とすることができる。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。重量平均分子量（Ｍｗ）は東ソー製ＧＰＣ：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣを用いて以下測定条件で測定した値を採用する。
（測定条件）
カラム：ＧＭＨ_ＸＬ相当×３本
流量：１．０ｍｌ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
試料濃度：０．１重量％ＴＨＦ溶液
注入量：１５０μｌ

樹脂シート１１は、エポキシ樹脂、及びフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、成型性および信頼性の観点から、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などがより好ましい。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高く安価であるという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。

樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量の下限は、２重量％以上が好ましく３重量％以上がより好ましい。５．０重量％以上であると、電子デバイス、基板などに対する接着力が良好に得られる。一方、上記合計含有量の上限は、２５重量％以下が好ましく、２０重量％以下がより好ましい。２５重量％以下であると、樹脂シートの吸湿性を低減させることができる。

樹脂シート１１は、無機充填剤を含有することが好ましい。

前記無機充填剤は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。

シリカとしては、シリカ粉末が好ましく、溶融シリカ粉末がより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。

樹脂シート１１は、樹脂１１シート全体に対して８０〜９２重量％の範囲内で含有することが好ましい。上記含有量は、８１〜９１重量％の範囲内であることがより好ましく、８２〜９０重量％の範囲内であることがさらに好ましい。無機充填剤を、樹脂シート全体に対して８０重量％以上含むと、硬化後の貯蔵弾性率を高く維持でき、外部からの衝撃等から素子を保護することができる。また、信頼性試験時に基板と樹脂間の線膨張の差が大きくなるのを抑制し、基板と樹脂間に剥離が生じることを防止できる。一方、無機充填剤を、樹脂シート全体に対して９２％以下で含むと、樹脂粘度が上昇しすぎるのを抑制できる。その結果、素子端部まで樹脂を行き届かせることができ、パッケージ化するために個片化したときに、基板と樹脂の接着不良部分が残ることを防止できる。

前記無機充填剤がシリカである場合、前記無機充填剤の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。樹脂シート１１中のシリカの含有量は、６０〜８８重量％であることが好ましく、７０〜８５重量％であることがより好ましい。

無機充填剤の平均粒径は２０μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１〜１５μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５〜１０μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。
また、前記無機充填剤としては、平均粒子径の異なる２種以上の無機充填剤を用いてもよい。平均粒径の異なる２種以上の無機充填剤を用いる場合、前記の「無機充填剤の平均粒径は２０μｍ以下」とは、無機充填剤全体の平均粒径が２０μｍ以下のことをいう。

前記無機充填剤の形状は特に限定されず、球状（楕円体状を含む。）、多面体状、多角柱状、扁平形状、不定形状等の任意の形状であってもよいが、中空構造付近での高充填状態の達成や適度な流動性の観点から、球状が好ましい。

樹脂シート１１に含有される前記無機充填剤は、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において、２つのピークを有していることが好ましい。このような無機充填剤は、例えば、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合することにより得ることができる。粒度分布において２つのピークを有する無機充填剤を用いると、無機充填剤を高密度で充填することができる。その結果、無機充填剤の含有量をより多くすることが可能となる。
前記２つのピークは、特に限定されないが、粒径の大きい側のピークが、３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあることが好ましい。前記２つのピークが前記数値範囲内にあると、無機充填剤の含有量をさらに多くすることが可能となる。
上記粒度分布は、具体的には、以下の方法により得られる。
（ａ）樹脂シート１１をるつぼに入れ、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させる。
（ｂ）得られた灰分を純水中に分散させて１０分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「ＬＳ １３ ３２０」；湿式法）を用いて粒度分布（体積基準）を求める。
なお、樹脂シート１１の組成として無機充填剤以外は有機成分であり、上記の強熱処理により実質的に全ての有機成分が焼失することから、得られる灰分を無機充填剤とみなして測定を行う。なお、平均粒径の算出も粒度分布と同時に行うことができる。

樹脂シート１１は、無機充填剤がシランカップリング剤で予め表面処理されていることが好ましい。

前記シランカップリング剤としては、メタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有しており、無機充填剤の表面処理をすることが可能なものであれば特に限定されない。前記シランカップリング剤の具体例としては、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリエトキシシランを挙げることができる。なかでも、反応性とコストの観点から、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。

樹脂シート１１が、シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め表面処理された無機充填剤を含有する場合、前記無機充填剤は、無機充填剤１００重量部に対して０．５〜２重量部のシランカップリング剤により予め表面処理されていることが好ましい。
シランカップリング剤により無機充填剤の表面処理をすれば、樹脂シート１１の粘度が大きくなりすぎるのを抑制することができる。

樹脂シート１１が、シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め予め表面処理された無機充填剤を含有する場合であり、且つ、前記無機充填剤として、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合したものを用いる場合、少なくとも、平均粒径の小さい方の無機充填剤を予めシランカップリング剤で表面処理しておくことが好ましい。平均粒径の小さい方の無機充填剤の方が、比表面積は大きいため、粘度の上昇をより抑制することが可能となる。
また、前記無機充填剤として、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合したものを用いる場合、平均粒径の小さい方の無機充填剤と大きい方の無機充填剤との両方を予めシランカップリング剤で表面処理しておくことがより好ましい。この場合、粘度の上昇をさらに抑制することが可能となる。

樹脂シート１１は、硬化促進剤を含むことが好ましい。

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されないが、反応開始温度を１３０℃以下とすることができるものが好ましい。このような硬化促進剤としては、例えば、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン等を挙げることができる。反応開始温度を１３０℃以下とすることができる硬化促進剤を用いれば、１３０℃以下で熱硬化が開始するため、電子デバイスを埋め込んだ後から熱硬化が終了するまでの間に、電子デバイスと被着体との間の中空部における樹脂の進入量（移動量）をさらに少なくすることができる。なかでも、反応温度と保存性の観点から、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。
なお、本明細書において反応開始温度とは、ＤＳＣ測定において発熱が開始する温度をいう（反応開始からピークまでの変曲点における接線と、ベースラインとの交点の温度ではない）。

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。

樹脂シート１１は、必要に応じ、難燃剤成分を含んでもよい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。

樹脂シート１１は、顔料を含むことが好ましい。顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。

樹脂シート１１中の顔料の含有量は、０．１〜２重量％が好ましい。０．１重量％以上であると、良好なマーキング性が得られる。２重量％以下であると、硬化後の樹脂シートの強度を確保することができる。

なお、樹脂組成物には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。

樹脂シート１１の厚さは特に限定されないが、例えば、１００〜２０００μｍである。上記範囲内であると、良好に電子デバイスを封止することができる。

樹脂シート１１は、単層構造であってもよいし、２以上の樹脂シートを積層した多層構造であってもよい。

樹脂シート１１は、熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であることが好ましく、１８ＧＰａ以下であることがより好ましく、１５ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であると、パッケージの反りをより抑制できる。熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率の測定方法は、実施例記載の方法による。

樹脂シート１１は、下記反り評価方法にて測定される熱硬化後の反り量、及び、リフロー後の反り量が、３ｍｍ以下であることが好ましく、２ｍｍ以下であることがより好ましい。

＜反り評価方法＞
反り評価用のサンプル（縦８７ｍｍ、横８７ｍｍ、厚さ１５０μｍ）を準備するステップＺ１、
反り評価用のアルミナ板（縦１００ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ）の中央に、下記貼り付け条件にて前記サンプルを貼り付ける工程Ｚ２、
＜貼り付け条件＞
温度：９５℃
加圧時間：６０秒
加圧力：３００ｋＰａ
前記サンプルを１７０℃で２時間加熱し、熱硬化させるステップＺ３、
反り量（熱硬化後の反り量）を測定するステップＺ４、
２６０℃で２０秒の加熱を３回行うステップＺ５、及び、
反り量（リフロー後の反り量）を測定するステップＺ６。

前記ステップＺ４、及び、前記ステップＺ６では、アルミナ板とサンプルの積層物を、アルミナ板を下側にして平らな机の上に置き、アルミナ板の４隅が机から浮いている高さを測定し、これを反り量とする。なお、４隅のうち、浮いている高さが一番高い部分の測定値を反り量とする。

本発明の樹脂シートは、中空封止用の電子デバイス封止用樹脂シートとして好適に使用できる。樹脂シート１１は、下記ステップＡ〜ステップＧの手順により測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２３μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値（Ｙ１−Ｘ１）が３０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることがさらに好ましい。

下記仕様の４つのダミーチップが樹脂バンプを介してガラス基板（縦６ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ１．３ｍｍ）に実装されたダミーチップ実装基板を準備するステップＡ、
縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズの樹脂シートのサンプルを準備するステップＢ、
前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置するステップＣ、
下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込むステップＤ、
前記ステップＤの後、前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ、
前記ステップＥの後、１７０℃の熱風乾燥機中に２時間放置し、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得るステップＦ、及び、
前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定するステップＧ。
＜ダミーチップの仕様＞
チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている。隣り合うチップとの距離Ｗ：０．５ｍｍ
＜埋め込み条件＞
プレス方法：平板プレス
温度：９０℃
加圧力：１．２ＭＰａ
プレス時の真空度：１０ｔｏｒｒ
プレス時間：１分

以下、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値を求める方法について説明する。

図２（ａ）は、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。図３〜図５は、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図である。図６は、図５の部分拡大図である。

（ステップＡ）
ステップＡでは、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、４つのダミーチップ１１３が樹脂バンプ１１３ａを介してガラス基板１１２（縦６ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ１．３ｍｍ）に実装されたダミーチップ実装基板１１５を準備する。ダミーチップ１１３の仕様は下記の通りである。ダミーチップ実装基板１１５は、より具体的には、実施例記載の方法により準備する。
＜ダミーチップ１１３の仕様＞
チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプ１１３ａが形成されている。隣り合うチップとの距離Ｗ：０．５ｍｍ

（ステップＢ）
ステップＢでは、図３に示すように、縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズのサンプル１１１を準備する。サンプル１１１は、樹脂シート１１と同一の材料を用いて、縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズにしたものである。本実施形態では、サンプル１１１を、セパレータ１１１ａ上に積層した場合について説明する。サンプル１１１は、例えば、まず、縦１０ｃｍ以上、横１０ｃｍ以上、厚さ２５０μｍの封止用シート１１を作成し、その後、縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズに切り出すことにより作成することができる。なお、樹脂シート１１自体が縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズである必要はない。

（ステップＣ）
ステップＣでは、図４に示すように、サンプル１１１を、ダミーチップ実装基板１１５のダミーチップ１１３上に配置する。例えば、下側加熱板１２２上に、ダミーチップ実装基板１１５を、ダミーチップ１１３が固定された面を上にして配置するとともに、ダミーチップ１１３面上にサンプル１１１を配置する。このステップにおいては、下側加熱板１２２上にまずダミーチップ実装基板１１５を配置し、その後、ダミーチップ実装基板１１５上にサンプル１１１を配置してもよく、ダミーチップ実装基板１１５上にサンプル１１１を先に積層し、その後、ダミーチップ実装基板１１５とサンプル１１１とが積層された積層物を下側加熱板１２２上に配置してもよい。

（ステップＤ）
ステップＣの後、ステップＤでは、図５に示すように、下記埋め込み条件下で、ダミーチップ１１３をサンプル１１１に埋め込む（封止する）。具体的には、下記埋め込み条件下で、平板プレスが備える下側加熱板１２２と上側加熱板１２４とにより熱プレスして、ダミーチップ１１３をサンプル１１１に埋め込む。その後、大気圧、常温（２５℃）に放置する。放置時間は、２４時間以内とする。
＜埋め込み条件＞
プレス方法：平板プレス
温度：９０℃
加圧力：１．２ＭＰａ
プレス時の真空度：１０ｔｏｒｒ
プレス時間：１分

（ステップＥ）
ステップＤの後、ステップＥでは、ダミーチップ１１３とガラス基板１１２との間の中空部１１４への、サンプル１１１を構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定する（図６参照）。進入量Ｘ１は、ダミーチップ１１３の端部から中空部１１４へ進入した樹脂の最大到達距離とする。

（ステップＦ）
前記ステップＥの後、ダミーチップ１１３がサンプル１１１に埋め込まれた構造物を、１７０℃の熱風乾燥機中に２時間放置し、サンプル１１１を熱硬化させて封止体サンプルを得る。

（ステップＧ）
前記ステップＦの後、前記封止体サンプルにおける中空部１１４への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定する。進入量Ｙ１は、ダミーチップ１１３の端部から中空部１１４へ進入した樹脂の最大到達距離とする。

その後、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値を求める。

以上により、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値を求める方法について説明した。

樹脂シート１１は、上述の通り、ステップＡ〜ステップＧの手順により測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。また、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が３０μｍ以下であることが好ましい。
前記進入量Ｘ１が０μｍ以上３０μｍ以下であると、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造において、電子デバイスを樹脂シート１１に埋め込んだ際に、電子デバイスと被着体との間の中空部へ適度に樹脂を進入させることができる。
また、前記進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が３０μｍ以下であると、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造において、樹脂シート１１を熱硬化させる際の、中空部における樹脂の流動を抑制できる。
なお、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値を用いて樹脂シート１１の物性を評価しているのは、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造を想定した条件で評価するためである。ただし、これらの評価における条件は、当然、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造における条件と異なることがある。

また、前記進入量Ｙ１は、９０μｍ以下であることが好ましく、６０μｍ以下であることがより好ましい。中空型電子デバイスパッケージにおいて、バンプや電子デバイスに形成される能動面は、電子デバイスの端部から中空部方向に９０μｍ以上内側に設けられることが多い。従って、前記進入量Ｙ１を６０μｍ以下とすれば、中空型電子デバイスパッケージとして確実に機能させることが可能となる。

［樹脂シートの製造方法］
樹脂シート１１は、適当な溶剤に樹脂シート１１を形成するための樹脂等を溶解、分散させてワニスを調整し、このワニスをセパレータ１１ａ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させて形成することができる。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜３０分間の範囲内で行われる。
また、他の方法として、支持体上に前記ワニスを塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて樹脂シート１１を形成してもよい。その後、セパレータ１１ａ上に樹脂シート１１を支持体と共に貼り合わせる。樹脂シート１１が、特に、熱可塑性樹脂（アクリル樹脂）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を含む場合、これらすべてを溶剤に溶解させた上で、塗布、乾燥させる。溶剤としては、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン等を挙げることができる。
また、樹脂シート１１は、混練押出により製造してもよい。混練押出により製造する方法としては、例えば、樹脂シート１１を形成するための各成分をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物を可塑加工してシート状に形成する方法などが挙げられる。
具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、樹脂シートを形成することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Ｔダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。以上により、樹脂シート１１を形成することができる。

［中空型電子デバイスパッケージの製造方法］
本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法は、
電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
樹脂シートを準備する工程と、
前記樹脂シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
熱プレスにより、前記電子デバイスを前記樹脂シートに埋め込む工程と、
前記埋め込む工程の後、前記樹脂シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
を少なくとも含む。

前記被着体としては特に限定されず、例えば、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板等が挙げられる。本実施形態では、ＬＴＣＣ基板１２上に搭載されたＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１により中空封止して中空型電子デバイスパッケージを作製する。なお、ＳＡＷチップ１３とは、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタを有するチップである。すなわち、本実施形態では、本発明の電子デバイスが、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタを有するチップである場合について説明する。

図７〜図１１は、本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

（積層体を準備する工程）
本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法では、まず、複数のＳＡＷチップ１３（ＳＡＷフィルタ１３）がＬＴＣＣ基板１２上に搭載された積層体１５を準備する（図７参照）。ＳＡＷチップ１３は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。ＳＡＷチップ１３のＬＴＣＣ基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。ＳＡＷチップ１３とＬＴＣＣ基板１２とはバンプ１３ａを介して電気的に接続されている。また、ＳＡＷチップ１３とＬＴＣＣ基板１２との間は、ＳＡＷフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部１４を維持するようになっている。ＳＡＷチップ１３とＬＴＣＣ基板１２との間の距離（中空部の幅）は適宜設定でき、一般的には１０〜１００μｍ程度である。

（樹脂シートを準備する工程）
また、本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法では、樹脂シート１１（図１参照）を準備する。

（樹脂シートを配置する工程）
次に、図８に示すように、下側加熱板２２上に、積層体１５を、ＳＡＷチップ１３が固定された面を上にして配置するとともに、ＳＡＷチップ１３面上に樹脂シート１１を配置する。この工程においては、下側加熱板２２上にまず積層体１５を配置し、その後、積層体１５上に樹脂シート１１を配置してもよく、積層体１５上に樹脂シート１１を先に積層し、その後、積層体１５と樹脂シート１１とが積層された積層物を下側加熱板２２上に配置してもよい。

（電子デバイスを樹脂シートに埋め込む工程）
次に、図９に示すように、下側加熱板２２と上側加熱板２４とにより熱プレスして、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に埋め込む。下側加熱板２２、及び、上側加熱板２４は、平板プレスが備えるものであってよい。樹脂シート１１は、ＳＡＷチップ１３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。

この埋め込む工程は、樹脂シート１１を構成する樹脂の、ＳＡＷフィルタ１３とＬＴＣＣ基板１２との間の中空部１４への進入量Ｘ２が０μｍ以上４０μｍ以下となるように行うことが好ましい。前記進入量Ｘ２は、好ましくは０μｍ以上３０μｍ以下である。前記進入量Ｘ２を０μｍ以上４０μｍ以下とする方法としては、樹脂シート１１の粘度を調整したり、熱プレス条件を調整することにより達成することができる。より具体的には、例えば、圧力、及び、温度を高めに設定する方法が挙げられる。

具体的に、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に埋め込む際の熱プレス条件としては、樹脂シート１１の粘度等に応じて異なるが、温度が、好ましくは２０〜１５０℃、より好ましくは４０〜１００℃であり、圧力が、例えば、０．０１〜２０ＭＰａ、好ましくは０．０５〜５ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。熱プレス方法としては、平行平板プレスやロールプレスが挙げられる。なかでも、平行平板プレスが好ましい。熱プレス条件を上記数値範囲内とすることにより、進入量Ｘ２を上記数値範囲内とし易くなる。
熱プレス時の温度が高すぎると、熱プレス中に反応が開始し、侵入量がばらつく可能性があり、作業性の観点からも、低温（例えば、１００℃以下）等が求められている。また、圧力も、チップへの破損を防止する観点より、低圧が好ましい。

また、樹脂シート１１のＳＡＷチップ１３及びＬＴＣＣ基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下においてプレスすることが好ましい。
前記減圧条件としては、圧力が、例えば、０〜２０Ｔｏｒｒ、好ましくは、５〜１０Ｔｏｒｒであり、減圧保持時間（減圧開始からプレス開始までの時間）が、例えば、５〜６００秒であり、好ましくは、１０〜３００秒である。

（セパレータ剥離工程）
次に、本実施形態のように、片面にセパレータが付いた状態のままで樹脂シート１１を使用している場合には、セパレータ１１ａを剥離する（図１０参照）。

（熱硬化させて封止体を得る工程）
次に、樹脂シート１１を熱硬化させて封止体２５を得る。
この封止体を得る工程は、封止体２５を得る工程の後の状態における、中空部１４への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が３０μｍ以下となるように行うことが好ましい。前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値は、好ましくは２５μｍ以下である。前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値を３０μｍ以下とする方法としては、樹脂シート１１の硬化前の粘度を調整したり、加熱時の硬化速度が早くなるように樹脂シート１１の構成材料を調整することにより達成することができる。具体的には、例えば、上記硬化促進剤を選択することにより達成することができる。

具体的に、熱硬化処理の条件として、樹脂シート１１の粘度や構成材料等に応じて異なるが、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。
熱硬化処理の条件を上記数値範囲内とすることにより、埋め込む工程後から熱硬化工程後までの間の樹脂の流動距離、すなわち、進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値を３０μｍ以下とし易い。

電子デバイスとしてのＳＡＷフィルタ１３を１つのみ封止した場合は、封止体２５を１つの中空型電子デバイスパッケージとすることができる。また、複数のＳＡＷフィルタ１３を一括して封止した場合は、ＳＡＷフィルタごとに分割することにより、それぞれ１つの中空型電子デバイスパッケージとすることができる。すなわち、本実施形態のように、複数のＳＡＷフィルタ１３を一括して封止した場合、さらに、下記の構成を行ってもよい。

（ダイシング工程）
熱硬化工程の後、封止体２５のダイシングを行ってもよい（図６参照）。これにより、ＳＡＷチップ１３単位での中空パッケージ１８（中空型電子デバイスパッケージ）を得ることができる。
ダイシングは、封止体２５をダイシングテープに貼り付けた後、ダイシングブレードによるダイシング等、公知の方法により行うことができる。封止体２５をダイシングテープに貼り付ける際には、封止体２５のＬＴＣＣ基板１２側の面をダイシングテープに貼り付ける。
ここで、樹脂シート１１は、グリシジル基含有アクリル樹脂を含み、前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量は、樹脂シートの樹脂成分全体に対して１５〜８０重量％である。そのため、熱硬化後の封止体２５の反りは、抑制されている。従って、ダイシングテープに貼り付ける際に、全体にひずみが生じにくい。その結果、破損等の不具合がおこりにくい。また、反りが抑制されているため、ダイシングし易い。その結果、歩留りの低下を抑制できる。

（基板実装工程）
必要に応じて、中空パッケージ１８に対してバンプを形成し、これを別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。中空パッケージ１８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。

上述した実施形態では、本発明の中空型電子デバイスが、可動部を有する半導体チップであるＳＡＷチップ１３である場合について説明した。しかしながら、本発明の中空型電子デバイスは、被着体と電子デバイスとの間に中空部を有するものであれば、この例に限定されない。例えば、可動部として圧力センサ、振動センサなどのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）を有する半導体チップであってもよい。
また、上述の本実施形態では、樹脂シートを用いて、電子デバイスを平行平板プレスで埋め込む場合について説明したが、本発明は、この例に限定されず、真空状態の真空チェンバー内において、離型フィルムで、電子デバイスと電子デバイス用樹脂シートとの積層物を密閉した後、チャンバー内に大気圧以上のガスを導入して、電子デバイスを電子デバイス用樹脂シートの熱硬化性封止用シートに埋め込むこととしてもよい。具体的には、特開２０１３−５２４２４号公報に記載されている方法により、電子デバイスを樹脂シートの熱硬化性樹脂シートに埋め込むこととしてもよい。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

実施例で使用した樹脂シートの成分について説明する。
エポキシ樹脂Ａ：三菱樹脂製の８２５（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）
フェノール樹脂Ａ：明和化成製のＭＥＨ８０００Ｈ（ノボラック型フェノール樹脂）
硬化促進剤Ａ：四国化成工業社製の２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４−ヒドロキシメチル−５−メチルイミダゾール）
硬化促進剤Ｂ：日本曹達製のＨＣ１８８Ｗ（イミダゾール系触媒２Ｐ４ＭＨＺを５−ヒドロキシ―イソフタル酸で包接した潜在性硬化触媒。２Ｐ４ＭＨＺ含有割合６７％）
グリシジル基含有アクリル樹脂Ａ：根上工業製のＮＤＨＢ−１０１（グリシジル基を有するアクリル樹脂、平均重量分子量１２０万）
グリシジル基含有アクリル樹脂Ｂ：根上工業製のＮＤ−７８Ｌ（グリシジル基を有するアクリル樹脂、平均重量分子量１００万）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
無機充填剤Ａ：アドマテックス製のＡＣ−９１５０ＳＭＥ（平均粒径３μｍ、材質：アルミナ）

［実施例、及び、比較例に係る樹脂シートの作成］
表１に記載の樹脂シートの配合比に従い、各成分を溶剤としてのメチルエチルケトンに溶解、分散させ、ワニスを得た。その後、ワニス粘度を調整するため、表１の「追加ＭＥＫ」に記載の量のＭＥＫ（メチルエチルケトン）をワニスに追加した。ＭＥＫ追加後のワニスを、シリコーン離型処理したセパレータ上に塗布した後、１１０℃で５分間乾燥させた。これにより、厚さ５０μｍのシートを得た。このシートを５層積層させて厚さ２５０μｍの樹脂シートを作製した。
なお、下記評価においては、樹脂シートの厚みは、下記評価で用いたチップ厚みとバンプ高さとの合計以上の厚みで実施することが好ましい。これは、シート厚が薄すぎると、侵入量が減り、安定的な評価を行うことができないためである。従って、本実施例では、下記評価での「チップ厚みとバンプ高さとの合計」である２５０μｍとした。

（反り評価）
実施例、比較例の樹脂シートを縦８７ｍｍ、横８７ｍｍ、厚さ２５０μｍに切り出し、反り評価用のサンプルとした。

次に、反り評価用のアルミナ板（縦１００ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ）の中央に、下記貼り付け条件にて反り評価用サンプルを貼り付けた。
＜貼り付け条件＞
温度：９５℃
加圧時間：６０秒
加圧力：３００ｋＰａ

次に、前記反り評価用サンプルを１７０℃で２時間加熱し、熱硬化させた。なお、本実施例では、硬化促進剤として、四国化成工業社製の２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）を用いており、この製品「２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ」は、反応開始温度が１３０℃付近である。硬化度を高めるため（厳しい硬化条件で評価するため）、本実施例では、熱硬化条件を１７０℃で２時間とした。

次に、反り量（熱硬化後の反り量）を測定した。具体的には、アルミナ板と反り評価用サンプルの積層物を、アルミナ板を下側にして平らな机の上に置き、アルミナ板の４隅が机から浮いている高さを測定した。４隅のうち、浮いている高さが一番高い部分の測定値を反り量とした。測定は、２５℃にて行った。

次に、２６０℃で２０秒の加熱を３回行った。

次に、反り量（リフロー後の反り量）を測定した。測定方法は、熱硬化後の反り量の測定と同様とした。リフロー後の反り量が２ｍｍ以下である場合を○、２ｍｍより大きく３ｍｍ以下である場合を△、３ｍｍより大きい場合を×と評価した。結果を表１に示す。

（パッケージ中空部への樹脂進入性評価）
＜ステップＡ＞
まず、下記仕様の４つのダミーチップが樹脂バンプを介してガラス基板（縦６ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ１．３ｍｍ）に実装されたダミーチップ実装基板を準備した。ガラス基板とダミーチップの間のギャップ幅は、５０μｍであった。
＜ダミーチップの仕様＞
チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍ、直径１０μｍの樹脂バンプ（樹脂の材質：アクリル樹脂）が形成されている。１チップのバンプ数は、６０バンプ。バンプの配置位置は、２５μｍピッチである。ダミーチップの材質は、シリコンウエハである。また、隣り合うチップとの距離Ｗは、０．５ｍｍである。
なお、近年、電子デバイスの薄型化が進んでおり、チップや半導体パッケージの薄型化が求められている。そのため、チップ表面に形成されるバンプ高さが１０〜５０μｍ程度が求められている。ここで、バンプは、シリコンウエハを所定厚みまで研削した後にウエハ表面に形成しているため、ウエハ厚みがあまり薄すぎるとバンプを有効に形成できなくなる。そこで、本実施例では、バンプを安定的に形成できるウエハ厚みの限界を考慮し、チップ厚さとして約２００μｍを採用して評価した。また、評価のバラツキを抑えるためには、バンプ高さは低い方がよい。この観点より、バンプ高さを５０μｍとして評価した。

具体的には、上記ダミーチップを、下記ボンディング条件で、上記ガラス基板に実装することにより、ダミーチップ実装基板を準備した。
＜ボンディング条件＞
装置：パナソニック電工（株）製
ボンディング条件：２００℃、３Ｎ、１秒、超音波出力２Ｗ

＜ステップＢ＞
上記実施例、比較例にて作成した厚さ２５０μｍの樹脂シートを縦２ｃｍ、横２ｃｍに切り出してサンプルとした。

＜ステップＣ＞
前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置した。

＜ステップＤ＞
下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込んだ。
＜埋め込み条件＞
プレス方法：平板プレス
温度：９０℃
加圧力：１．２ＭＰａ
プレス時の真空度：１０ｔｏｒｒ
プレス時間：１分

＜ステップＥ＞
大気圧に開放した後、前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定した。具体的には、ＫＥＹＥＮＣＥ社製、商品名「デジタルマイクロスコープ」（２００倍）により、ダミーチップとセラミック基板との間の中空部への樹脂の進入量Ｘ１を測定した。樹脂進入量Ｘ１は、ＳＡＷチップの端部から中空部へ進入した樹脂の最大到達距離を測定し、これを樹脂進入量Ｘ１とした。なお、進入がなく、中空部がＳＡＷチップよりも外側に広がっている場合は、樹脂進入量をマイナスで表した。

＜ステップＦ＞
前記ステップＥの後、１７０℃の熱風乾燥機中に２時間放置した。これにより、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得た。

＜ステップＧ＞
その後、封止体サンプルにおける中空部への樹脂の進入量Ｙ１を測定した。測定方法は、進入量Ｘ１と同様である。

その後、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値を求めた。進入量Ｘ１が１００μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値（Ｙ１−Ｘ１）が２０μｍ以下である場合を○、進入量Ｘ１が１００μｍよりも大きい、又は、（Ｙ１−Ｘ１）が２０μｍより大きい場合を△、進入量Ｘ１が１００μｍよりも大きく、且つ、（Ｙ１−Ｘ１）が２０μｍより大きい場合を×として評価した。結果を表１に示す。

（熱硬化後の２５℃での貯蔵弾性率の測定）
実施例及び比較例で作製した樹脂シートを１５０℃、１時間の条件で熱硬化させた。なお、本明細書において、「熱硬化後の２５℃での貯蔵弾性率」とは、１５０℃、１時間の条件で熱硬化させた後の２５℃での貯蔵弾性率をいう。
次に、樹脂シートの熱硬化後の２５℃における貯蔵弾性率を測定した。結果を表１に示す。
ここでの貯蔵弾性率は、樹脂シートを厚さ０．１ｍｍ、幅２ｍｍ、長さ４０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、インスツルメント社製の動的粘弾性測定装置（ＲＳＡ−Ｇ２）を用いて、下記測定条件にて測定して得られた値である。
＜測定条件＞
周波数：１ｈｚ
ひずみ：０．０５％
Ｇａｐ：２０ｍｍ
測定温度領域：−１０℃〜２６０℃
温度上昇速度：１０℃／ｍｉｎ

１１ 電子デバイス封止用樹脂シート（樹脂シート）
１３ ＳＡＷフィルタ（電子デバイス）
１４ 中空部
１５ 積層体
１８ 中空型電子デバイスパッケージ
２５ 封止体
１１２ ガラス基板
１１３ ダミーチップ
１１３ａ 樹脂バンプ
１１４ 中空部
１１５ ダミーチップ実装基板

Claims (4)

1. グリシジル基含有アクリル樹脂を含み、
   前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量は、樹脂シートの樹脂成分全体に対して１５〜８０重量％であることを特徴とする樹脂シート。
2. 前記グリシジル基含有アクリル樹脂の重量平均分子量は、１０万以上２００万以下であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂シート。
3. 熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂シート。
4. 無機充填剤を含み、
   前記無機充填剤の含有量は、樹脂シート全体に対して８０〜９２重量％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の樹脂シート。
   

Images