JP2018093145A - 圧電薄膜積層体、圧電薄膜基板、圧電薄膜素子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】変位量が大きく、変位量の温度依存性が小さい圧電薄膜積層体を提供する。【解決手段】圧電薄膜積層体１００は、第一電極層３と、第一電極層３に積層された第一中間層４と、第一中間層４に積層された第二中間層５と、第二中間層５に積層された圧電薄膜６と、を備え、第一中間層４が、Ｋ、Ｎａ及びＮｂを含み、第二中間層５が、圧電薄膜６に圧縮方向の応力を生じさせる層であり、圧電薄膜６が、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、圧電薄膜積層体、圧電薄膜基板、圧電薄膜素子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置に関する。

現在、圧電組成物を利用した圧電薄膜素子が幅広い分野で利用されている。正圧電効果を利用した圧電薄膜素子では、圧電組成物に応力を加えて圧電組成物を歪ませると、圧電組成物の歪み量に比例した電圧が発生する。正圧電効果を利用した圧電薄膜素子は、例えば、ジャイロセンサ、圧力センサ、脈波センサ、ショックセンサ、マイクロフォン等である。一方、逆圧電効果を利用した圧電素子では、圧電組成物に電圧を印加すると、電圧の大きさに比例した機械的歪みが圧電組成物に生じる。逆圧電効果を利用した圧電薄膜素子は、例えば、アクチュエータ、ハードディスクドライブヘッドスライダ、インクジェットプリントヘッド、スピーカー、ブザー、レゾネータ等である。

圧電薄膜素子などの電子部品には、温度による特性の変化が小さいことが望まれている。温度による特性の変化が大きいと、電子部品の温度が変化した場合、所望の特性が得られなくなる。また、電子部品の特性の変化を補正するために、デバイス中に制御回路を追加する必要が生じ、デバイスの製造コストが高くなる。

電子部品の小型化及び高性能化が進んでいるので、圧電薄膜素子にも小型化及び高性能化が求められている。しかしながら、一般的な固相合成法で作製されるバルク材（圧電組成物）を薄くする場合、バルク材を薄くするほど、バルク材の厚さがバルク材の構成粒子の粒子径に近づく。その結果、特性不良の発生等の影響が無視できなくなる。そこで、近年、スパッタリング法に代表される気相成長法を用いた圧電薄膜作製技術に関する研究開発が盛んに行われている。圧電薄膜素子の薄膜化により、圧電薄膜素子の性能向上が期待される。例えば、圧電薄膜素子の薄膜化により、高精度な変位量制御が可能となったり、又はセンシング感度が向上したりする。また、圧電薄膜素子の薄膜化及び小型化により、基板上に多数の圧電薄膜素子を一括して作製できる。その結果、圧電薄膜素子の量産性が向上し、量産コストが低減される。

従来、代表的な圧電組成物としては、ペロブスカイト型の酸化物であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ：Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３）が用いられてきた。例えば、特許文献１に記載の圧電薄膜素子のように、ＰＺＴに様々な副成分又は添加物を加えることにより、多種多様なニーズに応えるものが幅広く開発されている。

しかしながら、ＰＺＴが酸性雨に曝されると、地球環境を汚染する鉛がＰＺＴから溶出してしまう。そのため、環境への配慮から鉛を使用しないことが望まれており、無鉛（Ｌｅａｄ−ｆｒｅｅ）の圧電組成物の開発が重要な課題である。

特許文献２には、無鉛の圧電組成物として、ニオブ酸カリウムナトリウム（ＫＮＮ：（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３）などが開示されている。ＫＮＮは、圧電組成物の中でも比較的高いキュリー点（Ｔ_Ｃ）を有し、良好な圧電特性が得られることが期待されている。

特許文献３及び４には、電極層と圧電薄膜との間に、圧電薄膜に圧縮方向の応力を生じさせる中間膜が設けられることにより、圧電薄膜素子の特性を向上させる技術が開示されている。

特開平１０−２８６９５３号公報 特開２００７−１９３０２号公報 特開２００９−９４４４９号公報 米国特許出願公開２０１４／００３５４３９号明細書

しかしながら、ＫＮＮを用いた従来の圧電薄膜素子の変位量は、十分に大きくなかった。また、従来の圧電薄膜素子の変位量は、温度変化に伴って変動し易く、圧電薄膜素子の動作が安定しなかった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、変位量が大きく、変位量の温度依存性が小さい圧電薄膜積層体、圧電薄膜基板、圧電薄膜素子、並びに、圧電薄膜素子を用いた圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る圧電薄膜積層体は、第一電極層と、第一電極層に積層された第一中間層と、第一中間層に積層された第二中間層と、第二中間層に積層された圧電薄膜と、を備え、第一中間層が、Ｋ、Ｎａ及びＮｂを含み、第二中間層が、圧電薄膜に圧縮方向の応力を生じさせる層であり、圧電薄膜が、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３を含む。

本発明の一側面に係る上記圧電薄膜積層体では、第二中間層が、無機酸化物を含んでよい。

本発明の一側面に係る上記圧電薄膜積層体では、第二中間層が、ペロブスカイト型の無機酸化物を含んでよい。

本発明の一側面に係る上記圧電薄膜積層体では、第二中間層が、ＳｒＲｕＯ_３、ＣａＲｕＯ_３、ＢａＲｕＯ_３及びＬａＮｉＯ_３からなる群より選ばれる少なくとも一種のペロブスカイト型の無機酸化物を含んでよい。

本発明の一側面に係る圧電薄膜基板は、上記圧電薄膜積層体と、基板と、を含み、第一電極層が、基板と第一中間層との間に位置している。

本発明の一側面に係る圧電薄膜素子は、上記圧電薄膜積層体と、第二電極層と、を含み、第一中間層、第二中間層及び圧電薄膜が、第一電極層と第二電極層との間に位置している。

本発明の一側面に係る圧電アクチュエータは、上記圧電薄膜素子を備える。

本発明の一側面に係る圧電センサは、上記圧電薄膜素子を備える。

本発明の一側面に係るヘッドアセンブリは、上記圧電アクチュエータを備える。

本発明の一側面に係るヘッドスタックアセンブリは、上記ヘッドアセンブリを備える。

本発明の一側面に係るハードディスクドライブは、上記ヘッドスタックアセンブリを備える。

本発明の一側面に係るプリンタヘッドは、上記圧電アクチュエータを備える。

本発明の一側面に係るインクジェットプリンタ装置は、上記プリンタヘッドを備える。

本発明によれば、変位量が大きく、変位量の温度依存性が小さい圧電薄膜積層体、圧電薄膜基板、圧電薄膜素子、並びに、圧電薄膜素子を用いた圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置が提供される。

図１中の（ａ）は、本発明の一実施形態に係る圧電薄膜積層体の模式図（積層方向における圧電薄膜積層体の断面図）である。図１中の（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る圧電薄膜基板の模式図（積層方向における圧電薄膜基板の断面図）である。図１中の（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る圧電薄膜素子の模式図（積層方向における圧電薄膜素子の断面図）である。図１中の（ｄ）は、本発明の一実施形態に係る圧電薄膜素子の模式図（積層方向における圧電薄膜素子の断面図）である。 図２は、本発明の一実施形態に係るヘッドアセンブリの模式図である。 図３は、本発明の一実施形態に係る圧電アクチュエータの模式図である。 図４は、本発明の一実施形態に係るジャイロセンサの模式図（平面図）である。 図５は、図４に示すジャイロセンサのＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。 図６は、本発明の一実施形態に係る圧力センサの模式図である。 図７は、本発明の一実施形態に係る脈波センサの模式図である。 図８は、本発明の一実施形態に係るハードディスクドライブの模式図である。 図９は、本発明の一実施形態に係るインクジェットプリンタ装置の模式図である。 図１０は、圧電薄膜素子の変位量の測定方法を示す模式図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の好適な一実施形態について詳細に説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素については同一の符号を付す。図１及び１０に示すＸ、Ｙ及びＺは、互いに直交する３つの座標軸を意味する。説明が重複する場合にはその説明を省略する。本発明は、下記実施形態に限定されない。

（圧電薄膜積層体、圧電薄膜基板、圧電薄膜素子）
図１の（ａ）に示すように、本実施形態に係る圧電薄膜積層体１００は、第一電極層３と、第一電極層３の表面に積層された第一中間層４と、第一中間層４の表面に積層された第二中間層５と、第二中間層５の表面に積層された圧電薄膜６と、を備える。つまり、第一中間層４の一部又は全体は、第一電極層３の表面に重なり、第二中間層５の一部又は全体は、第一中間層４の表面に重なり、圧電薄膜６の一部又は全体は、第二中間層５の表面に重なっている。第一中間層４は、Ｋ、Ｎａ及びＮｂを含む。第二中間層５は、圧電薄膜６に圧縮方向の応力を生じさせる層である。ここで、圧縮方向とは、圧電薄膜６の表面に平行な方向（Ｘ方向）と言い換えてよい。また、圧縮方向とは、圧電薄膜６の厚さ方向（積層方向、Ｚ方向）に垂直な方向と言い換えてもよい。圧電薄膜６は、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３を含む。

図１の（ｂ）に示すように、本実施形態に係る圧電薄膜基板１０１は、基板１と、絶縁層２と、上記圧電薄膜積層体１００と、を含む。第一電極層３は、基板１と第一中間層４との間に位置している。絶縁層２は、基板１の表面に積層されている。第一電極層３は、絶縁層２の表面に積層されている。絶縁層２の一部又は全体は、基板１の表面に重なっていてよい。第一電極層３の一部又は全体は、絶縁層２の表面に重なっていてよい。圧電薄膜基板１０１は、絶縁層２を備えなくてもよい。絶縁層２がない場合、基板１は、第一電極層３の表面に接していてよい。圧電薄膜基板１０１は、個片化される前の状態（例えば、ウェーハー）であってよい。また、圧電薄膜基板１０１は、個片化された後の状態（例えば、チップ）であってもよい。

図１の（ｃ）に示すように、本実施形態に係る圧電薄膜素子１０２は、基板１と、絶縁層２と、上記圧電薄膜積層体１００と、第二電極層７と、を含む。言い換えると、圧電薄膜素子１０２は、上記圧電薄膜基板１０１と、第二電極層７と、を含む。第一中間層４、第二中間層５及び圧電薄膜６は、第一電極層３と第二電極層７との間に位置している。第二電極層７は、圧電薄膜６の表面に積層されている。第二電極層７の一部又は全体は、圧電薄膜６の表面に重なっていてよい。圧電薄膜素子１０２は、基板１を備えなくてもよい。圧電薄膜素子１０２は、絶縁層２を備えなくてもよい。

図１の（ｄ）に示すように、圧電薄膜素子１０２の変形例である圧電薄膜素子１０３は、基板１と、上記圧電薄膜積層体１００と、圧電薄膜積層体１００が備える第二中間層５ａとは別の第二中間層５ｂと、圧電薄膜積層体１００が備える第一中間層４ａとは別の第一中間層４ｂと、第二電極層７と、を含む。別の第二中間層５ｂは、圧電薄膜６の表面に積層されている。別の第一中間層４ｂは、別の第二中間層５ｂの表面に積層されている。第二電極層７は、別の第一中間層４ｂの表面に積層されている。別の第二中間層５ｂの一部又は全体は、圧電薄膜６の表面に重なっていてよい。別の第一中間層４ｂの一部又は全体は、別の第二中間層５ｂの表面に重なっていてよい。第二電極層７の一部又は全体は、別の第一中間層４ｂの表面に重なっていてよい。圧電薄膜素子１０３は、基板１を備えなくてもよい。圧電薄膜素子１０３は、絶縁層２を備えてもよい。

圧電薄膜積層体１００の変位量は、ＫＮＮを用いた従来の圧電薄膜積層体の変位量よりも大きい。圧電薄膜積層体１００の変位量の温度依存性は、ＫＮＮを用いた従来の圧電薄膜積層体の変位量の温度依存性よりも小さい。圧電薄膜基板１０１の変位量は、ＫＮＮを用いた従来の圧電薄膜基板の変位量よりも大きい。圧電薄膜基板１０１の変位量の温度依存性は、ＫＮＮを用いた従来の圧電薄膜基板の変位量の温度依存性よりも小さい。圧電薄膜素子１０２，１０３の変位量は、ＫＮＮを用いた従来の圧電薄膜素子の変位量よりも大きい。圧電薄膜素子１０２，１０３の変位量の温度依存性は、ＫＮＮを用いた従来の圧電薄膜素子の変位量の温度依存性よりも小さい。

圧電薄膜積層体１００の変位量が大きく、圧電薄膜積層体１００の変位量の温度依存性が小さい理由は以下のとおりである、と本発明者らは考える。圧電薄膜積層体１００が第二中間層５を備えることにより、圧電薄膜６に圧縮方向の応力が生じる。その結果、圧電薄膜６の厚み方向（Ｚ方向）の配向軸が安定することにより、温度変化に伴う変位量の変動が抑制され、変位量も大きくなる。ただし、第二中間層５のみでは、変位量は十分に大きくならない。しかし、圧電薄膜６と共通するＫ、Ｎａ及びＮｂを含む第一中間層４が設けられていることにより、第二中間層５と圧電薄膜６との間の結晶構造又は結晶方位の違いによる影響が軽減する。その結果、変位量が更に大きくなると共に、温度変化に伴う変位量の変動が更に抑制される。なお、圧電薄膜積層体１００の変位量が大きく、圧電薄膜積層体１００の変位量の温度依存性が小さい理由は、上記の理由に限定されない。

基板１は、例えば、シリコン基板（例えば、単結晶シリコン基板）、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、石英ガラス基板、ＧａＡｓ等からなる化合物半導体基板、サファイア基板、ステンレス等からなる金属基板、ＭｇＯ基板、ＳｒＴｉＯ_３基板等であってよい。基板１としては、コストが低く、取扱いが容易である観点から、シリコン基板が好ましい。基板１がシリコン基板である場合、絶縁層２又は第一電極層３が重なる基板１の表面の面方位は、（１００）であってよく、（１００）とは異なる面方位であってもよい。基板１の厚さは、例えば、１０〜１０００μｍであってよい。

絶縁層２は、基板１と第一電極層３とを電気的に絶縁する。基板１が導電性を有さない場合、圧電薄膜基板１０１又は圧電薄膜素子１０２は、絶縁層２を備えなくてもよい。基板１が導電性を有する場合、圧電薄膜素子１０３は、絶縁層２を備えてもよい。絶縁層２は、例えば、シリコンの熱酸化膜（ＳｉＯ_２）、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３等であってよい。絶縁層２の形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、熱酸化法、印刷法、スピンコート法、ゾルゲル法等であってよい。絶縁層２の厚さは、例えば、１０〜１０００ｎｍであってよい。

第一電極層３は、例えば、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ａｕ（金）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、及びＮｉ（ニッケル）からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属からなっていてよい。第一電極層３は、例えば、ＳｒＲｕＯ_３（ルテニウム酸ストロンチウム）又はＬａＮｉＯ_３（ニッケル酸ランタン）等の導電性金属酸化物からなっていてもよい。第一電極層３は、基板として機能してもよい。第一電極層３が基板として機能する場合、圧電薄膜素子１０２，１０３は、基板１を備えなくてもよい。第一電極層３の厚さは、例えば、２０〜１０００ｎｍであってよい。第一電極層３の厚さが２０ｎｍ以上である場合、第一電極層３の機能が十分となり易い。第一電極層３の厚さが１０００ｎｍ以下である場合、圧電薄膜６の変位特性が向上し易い。

第一電極層３の形成方法は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、印刷法、スピンコート法、ゾルゲル法等であってよい。スパッタリング法により第一電極層３を形成する場合、Ａｒ（アルゴン）ガス中で第一電極層３を形成してよい。ガス圧は、０．１〜１．０Ｐａであってよい。印加電源は、高周波電源又は直流電源であってよい。印加電源の出力は、０．５〜１．０Ｗ／ｃｍ^２であってよい。基板１がシリコン基板であり、第一電極層３がＰｔ膜である場合、４００〜５００℃程度に加熱されたシリコン基板の表面（（１００）面）にスパッタリング法によりＰｔ膜を形成する。

第一中間層４は、Ｋ、Ｎａ、及びＮｂを含む。第一中間層４は、Ｋ、Ｎａ、及びＮｂを含む酸化物からなっていてよい。第一中間層４は、Ｋ、Ｎａ、及びＮｂに加えて、他の元素を更に含んでもよい。他の元素は、例えば、Ｌｉ（リチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｃａ（カルシウム）、及びＣｕ（銅）等であってよい。第一中間層４が他の元素を含む場合、第一中間層４におけるＫ、Ｎａ、及びＮｂの含有量の合計は、８０モル％以上であってよい。圧電薄膜素子１０３において、第一中間層４ａの組成は、別の第一中間層４ｂの組成と同じであってもよく、異なっていてもよい。第一中間層４の厚さＴ_１は、例えば、３〜１００ｎｍであってよい。第一中間層４ａの厚さは、別の第一中間層４ｂの厚さと同じであってもよく、異なっていてもよい。

第一中間層４の形成方法は、例えば、スパッタリング法であってよい。スパッタリング法により第一中間層４を形成する場合、Ａｒ及びＯ_２（酸素）の混合ガス中で第一中間層４を形成してよい。スパッタリングターゲットは、Ｋ、Ｎａ、及びＮｂを含む。スパッタリングターゲットは、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３を含んでよい。スパッタリングターゲットとしては、圧電薄膜６の形成に用いられるスパッタリングターゲットと同じものを用いてよい。第一中間層４用のスパッタリングターゲットにおけるＫ及びＮａのモル比は、圧電薄膜６用のスパッタリングターゲットにおけるＫ及びＮａのモル比と同じであってよい。第一中間層４用のスパッタリングターゲットにおけるＫ及びＮａのモル比は、圧電薄膜６用のスパッタリングターゲットにおけるＫ及びＮａのモル比と異なってもよい。印加電源は、高周波電源であってよい。

第二中間層５は、圧電薄膜６に圧縮方向の応力を生じさせる。第二中間層５の線膨張率は、第一電極層３の線膨張率よりも高くてよく、圧電薄膜６の線膨張率よりも高くてよい。第二中間層５の線膨張率が、第一電極層３及び圧電薄膜６それぞれの線膨張率よりも高いと、圧電薄膜６に圧縮方向の応力が生じ易い。線膨張率とは、例えば、２０〜５００℃の範囲での温度変化量１Ｋあたりの長さ（厚さ）の変化率の平均値であってよい。線膨張率は、例えば、以下の方法により求められる。物体の温度がＴ_ＬＫ（例えば、２９３Ｋ）であるときの物体の長さ（厚さ）Ｌ_Ｌ（単位：ｍ）を測定する。物体の長さ（厚さ）の測定方法は、例えば、Ｘ線反射率法であってよい。物体の温度をＴ_ＬＫからＴ_ＨＫ（例えば、７７３Ｋ）へ上昇させる。物体の温度がＴ_ＨＫであるときの物体の長さ（厚さ）Ｌ_Ｈ（単位：ｍ）を測定する。下記の数式Ａに基づき、Ｌ_Ｈ及びＬ_Ｌから、線膨張率α（単位：１／Ｋ）が算出される。第二中間層５の線膨張率は、第一電極層３の線膨張率、及び圧電薄膜６の線膨張率のうちの大きい値よりも０．１×１０^−６（１／Ｋ）以上高くてよい。第二中間層５の線膨張率は、例えば、８．０×１０^−６〜２０．０×１０^−６（１／Ｋ）であってよい。なお、第一電極層３の線膨張率は、例えば、３．０×１０^−６〜１５．０×１０^−６（１／Ｋ）であってよい。圧電薄膜６の線膨張率は、例えば、３．０×１０^−６〜１１．０×１０^−６（１／Ｋ）であってよい。一般的に、薄膜における線膨張率は、バルク材料の値と比べて同等又はやや低いことが知られている（「豊田中央研究所Ｒ＆Ｄレビュー」、１９９９、ＶｏＬ．３４、Ｎｏ．１、ｐ．１９‐２４参照）。そのため、圧電薄膜素子の各層の組成が分かれば、各層同士の線膨張率の大小関係は十分に推定できる。
α＝｛（Ｌ_Ｈ−Ｌ_Ｌ）／Ｌ_Ｌ｝×｛１／（Ｔ_Ｈ−Ｔ_Ｌ）｝ （Ａ）

第二中間層５は、無機酸化物を含んでよい。第二中間層５は、無機酸化物のみからなっていてよい。第二中間層５が無機酸化物を含む場合、第二中間層５の線膨張率が、圧電薄膜６の線膨張率よりも高くなり易い。また、高温で第二中間層５を形成した後で冷却することにより、圧電薄膜６に圧縮方向の応力を与え易い。第二中間層５に含まれる無機酸化物は、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｒ、Ｒｕ、Ｌａ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ、及びＡｌからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。第二中間層５は、ペロブスカイト型の無機酸化物を含んでよい。第二中間層５は、ペロブスカイト型の無機酸化物のみからなっていてよい。第二中間層５がペロブスカイト型の無機酸化物を含む場合、圧電薄膜６もペロブスカイト型の無機酸化物（（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３）を含むため、第二中間層５と圧電薄膜６との間の結晶構造又は結晶方位の違いによる影響が軽減する。その結果、変位量がより大きくなり易いと共に、変位量の温度依存性がより小さくなり易い。第二中間層５に含まれるペロブスカイト型の無機酸化物は、例えば、ＳｒＲｕＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＬａＮｉＯ_３、ＣａＲｕＯ_３、ＢａＲｕＯ_３、Ｌａ_０．５Ｓｒ_０．５ＣｏＯ_３、ＳｒＲｕ_０．９５Ｍｎ_０．０５Ｏ_３、ＬａＡｌＯ_３、ＹＡｌＯ_３等であってよい。第二中間層５は、ＳｒＲｕＯ_３、ＣａＲｕＯ_３、ＢａＲｕＯ_３及びＬａＮｉＯ_３からなる群より選ばれる少なくとも一種のペロブスカイト型の無機酸化物を含んでよい。この場合、変位量がより大きくなり易い。第二中間層５は、ペロブスカイト型でない無機酸化物を含んでもよい。第二中間層５は、ペロブスカイト型でない無機酸化物として、例えば、Ｌａ_４ＢａＣｕ_５Ｏ_１３、ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７等を含んでよい。圧電薄膜素子１０３において、第二中間層５ａの組成は、別の第二中間層５ｂの組成と同じであってもよく、異なっていてもよい。

第二中間層５の厚さＴ_２は、例えば、５〜１００ｎｍであってよい。Ｔ_２が５ｎｍ以上である場合、第二中間層５の一部が途切れ難く、圧電薄膜６に十分に圧縮応力を与え易い。Ｔ_２が１００ｎｍ以下である場合、第二中間層５の格子定数が変化し難く、圧電薄膜６の結晶性が向上し易い。第二中間層５ａの厚さは、別の第二中間層５ｂの厚さと同じであってもよく、異なっていてもよい。

第二中間層５の形成方法は、例えば、スパッタリング法であってよい。スパッタリング法により第二中間層５を形成する場合、Ａｒ及びＯ_２の混合ガス中で第二中間層５を形成してよい。スパッタリングターゲットは、上記の無機酸化物を含んでよい。スパッタリングターゲットは、上記のペロブスカイト型の無機酸化物を含んでよい。印加電源は、高周波電源であってよい。

圧電薄膜６は、ペロブスカイト型の（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３を含む。（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３は、下記化学式１で表される酸化物と言い換えてよい。圧電薄膜６は、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３のみからなっていてよい。
（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３ （１）
［上記化学式１中、０＜ｘ＜１である。］

圧電薄膜６の面方位は、圧電薄膜６の厚み方向に優先的に配向していてよい。優先的に配向している面方位は、（００１）、（１１０）及び（１１１）からなる群より選ばれるいずれかの面方位であってよい。

圧電薄膜６は、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３に加えて、他の元素を更に含んでもよい。他の元素は、例えば、Ｌｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｃａ、及びＣｕ等であってよい。圧電薄膜６の少なくとも一部は、ペロブスカイト構造（ＡＢＯ_３）を有する結晶相、非晶質相、又は、当該結晶相と非晶質相とが混合した混合相のいずれかであってよい。ここで、ペロブスカイト構造のＡサイトは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｎｄ、及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であってよい。ペロブスカイト構造のＢサイトは、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であってよい。圧電薄膜６が他の元素を含む場合、圧電薄膜６における（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３の含有量は、８０モル％以上であってよい。

圧電薄膜６の厚さＴ_Ｐは、例えば、０．２〜５μｍであってよい。

圧電薄膜６の形成方法は、例えば、スパッタリング法であってよい。スパッタリング法により圧電薄膜６を形成する場合、Ａｒ及びＯ_２の混合ガス中で圧電薄膜６を形成してよい。ガス圧は、０．１〜１．０Ｐａであってよい。スパッタリングターゲットは、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３を含む。印加電源は、高周波電源であってよい。印加電源の出力は、２．５〜５．５Ｗ／ｃｍ^２であってよい。

第二電極層７の組成は、第一電極層３の組成と同じであってよい。第二電極層７の厚さは、例えば、２０〜１０００ｎｍであってよい。第二電極層７の厚さが２０ｎｍ以上である場合、第二電極層７の機能が十分となり易い。第二電極層７の厚さが１０００ｎｍ以下である場合、圧電薄膜６の変位特性が向上し易い。第二電極層７は、上記の第一電極層３として用いられる複数の金属及び導電性金属酸化物の積層体であってもよい。

第二電極層７の形成方法は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、印刷法、スピンコート法、ゾルゲル法であってよい。スパッタリング法により第二電極層７を形成する場合、Ａｒガス中で第二電極層７を形成してよい。ガス圧は、０．１〜１．０Ｐａであってよい。印加電源は、高周波電源又は直流電源であってよい。印加電源の出力は、０．５〜１．０Ｗ／ｃｍ^２であってよい。

圧電薄膜素子１０２，１０３は、以下の手順により作製してよい。まず、圧電薄膜積層体１００と同じ積層構造及び組成を有する積層体をウェーハー（切断加工前の基板１）上に形成する。続いて、フォトリソグラフィ、ドライエッチング、及びウェットエッチングなどの方法によりウェーハー上の積層体を加工して、所定のサイズを有するパターンを形成する。パターンのサイズは、例えば、１５ｍｍ×３ｍｍであってよい。更に、ウェーハーを切断することにより、個片化された複数の圧電薄膜素子１０２，１０３が得られる。基板１は、圧電薄膜素子１０２，１０３から除去してもよい。この場合、圧電薄膜素子１０２，１０３の変位量がより大きくなり易い。

圧電薄膜素子１０２，１０３の表面の少なくとも一部又は全体は、保護膜によって被覆されていてよい。保護膜による被覆により、例えば、圧電薄膜素子１０２，１０３の信頼性又は耐久性（例えば、耐湿性）が向上する。保護膜の材料は、例えば、ポリイミド等であってよい。

圧電薄膜素子１０２，１０３は、電気信号の入力部及び出力部のうち少なくともいずれか一方を更に備えてよい。この場合、電気信号の入力又は出力ができるようになり、正圧電効果及び逆圧電効果のうち少なくともいずれか一方を利用できる。

圧電薄膜積層体１００、圧電薄膜基板１０１、及び圧電薄膜素子１０２，１０３の用途は、多岐にわたる。圧電薄膜素子１０２，１０３は、例えば、圧電アクチュエータに用いられてよい。本実施形態に係る圧電アクチュエータは、変位特性及び温度特性に優れる。圧電アクチュエータは、例えば、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、又はハードディスクドライブに用いられてもよい。圧電アクチュエータは、例えば、プリンタヘッド、又はインクジェットプリンタ装置に用いられてもよい。圧電薄膜素子１０２，１０３は、例えば、圧電センサに用いられてもよい。本実施形態に係る圧電センサは、変位特性、及び、センシング感度の温度特性に優れる。圧電センサは、例えば、ジャイロセンサ、圧力センサ、脈波センサ、又はショックセンサであってよい。圧電薄膜素子１０２，１０３は、例えば、マイクロフォンへ適用されてもよい。

以下では、圧電薄膜積層体１００、圧電薄膜基板１０１、及び圧電薄膜素子１０２，１０３の用途の具体例を詳しく説明する。

（圧電アクチュエータ）
図２は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に搭載されるヘッドアセンブリ２００を示す。ヘッドアセンブリ２００は、ベースプレート９、ロードビーム１１、フレクシャ１７、第１及び第２の圧電薄膜素子１３、及びスライダ１９を備えている。第１及び第２の圧電薄膜素子１３は、スライダ１９用の駆動素子である。スライダ１９は、ヘッド素子１９ａを有する。

ロードビーム１１は、ベースプレート９に固着された基端部１１ｂと、この基端部１１ｂから延在する第１の板バネ部１１ｃ及び第２の板バネ部１１ｄと、板バネ部１１ｃ及び１１ｄの間に形成された開口部１１ｅと、板バネ部１１ｃ及び１１ｄに連続して直線的に延在するビーム主部１１ｆと、を備えている。第１の板バネ部１１ｃ及び第２の板バネ部１１ｄは、先細りになっている。ビーム主部１１ｆも、先細りになっている。

第１及び第２の圧電薄膜素子１３は、所定の間隔をもって、フレクシャ１７の一部である配線用フレキシブル基板１５上に配置されている。スライダ１９は、フレクシャ１７の先端部に固定されており、第１及び第２の圧電薄膜素子１３の伸縮に伴って回転運動する。

図３は、プリンタヘッド用の圧電アクチュエータ３００を示す。圧電アクチュエータ３００は、基材２０と、絶縁膜２３と、下部電極層２４（第一電極層）と、第一中間層２８と、第二中間層２９と、圧電薄膜２５と、上部電極層２６（第二電極層）と、を積層して構成されている。下部電極層とは、上記の第一電極層と言い換えてよい。上部電極層とは、上記の第二電極層と言い換えてよい。

所定の吐出信号が供給されず、下部電極層２４と上部電極層２６との間に電圧が印加されていない場合、圧電薄膜２５は変形しない。吐出信号が供給されていない圧電薄膜２５に隣り合う圧力室２１内では、圧力変化が生じず、そのノズル２７からインク滴は吐出されない。

一方、所定の吐出信号が供給され、下部電極層２４と上部電極層２６との間に一定電圧が印加された場合、圧電薄膜２５が変形する。圧電薄膜２５の変形によって絶縁膜２３が大きくたわむので、圧力室２１内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル２７からインク滴が吐出される。

（圧電センサ）
図４及び図５は、圧電センサの一種であるジャイロセンサ４００を示す。ジャイロセンサ４００は、基部１１０と、基部１１０の一面に接続する一対のアーム１２０及び１３０と、を備える。一対のアーム１２０及び１３０は、音叉振動子である。つまり、ジャイロセンサ４００は、音叉振動子型の角速度検出素子である。このジャイロセンサ４００は、上述の圧電薄膜素子を構成する圧電薄膜３０、上部電極層３１（第二電極層）、下部電極層３２（第一電極層）、第一中間層３３、及び第二中間層３４を、音叉型振動子の形状に加工して得られたものである。基部１１０とアーム１２０及び１３０は、圧電薄膜素子と一体化されている。下部電極層とは、上記の第一電極層と言い換えてよい。上部電極層とは、上記の第二電極層と言い換えてよい。

一方のアーム１２０の第一の主面には、駆動電極層３１ａ及び３１ｂと、検出電極層３１ｄとが、形成されている。同様に、他方のアーム１３０の第一の主面には、駆動電極層３１ａ及び３１ｂと、検出電極層３１ｃとが形成されている。各電極層３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄは、上部電極層３１をエッチングにより所定の電極の形状に加工することにより得られる。

下部電極層３２は、基部１１０、並びにアーム１２０及び１３０のそれぞれの第二の主面（第一の主面の裏面）の全体に形成されている。下部電極層３２は、ジャイロセンサ４００のグランド電極として機能する。

アーム１２０及び１３０其々の長手方向をＺ方向と規定し、アーム１２０及び１３０の主面を含む平面をＸＺ平面と規定することにより、ＸＹＺ直交座標系を定義する。

駆動電極層３１ａ、３１ｂに駆動信号を供給すると、二つのアーム１２０、１３０は、面内振動モードで励振する。面内振動モードとは、二つのアーム１２０、１３０の主面に平行な向きに二つのアーム１２０、１３０が励振するモードである。例えば、一方のアーム１２０が−Ｘ方向に速度Ｖ１で励振しているとき、他方のアーム１３０は＋Ｘ方向に速度Ｖ２で励振する。

この状態で、ジャイロセンサ４００にＺ軸を回転軸とする角速度ωの回転が加わると、アーム１２０、１３０のそれぞれに対して、速度方向に直交する向きにコリオリ力が作用する。その結果、アーム１２０、１３０が、面外振動モードで励振し始める。面外振動モードとは、二つのアーム１２０、１３０の主面に直交する向きに二つのアーム１２０、１３０が励振するモードである。例えば、一方のアーム１２０に作用するコリオリ力Ｆ１が−Ｙ方向であるとき、他方のアーム１３０に作用するコリオリ力Ｆ２は＋Ｙ方向である。

コリオリ力Ｆ１、Ｆ２の大きさは、角速度ωに比例するため、コリオリ力Ｆ１、Ｆ２によるアーム１２０、１３０の機械的な歪みを圧電薄膜３０によって電気信号（検出信号）に変換し、これを検出電極層３１ｃ、３１ｄから取り出すことにより、角速度ωが求められる。

図６は、圧電センサの一種である圧力センサ５００を示す。圧力センサ５００は、圧電薄膜素子４０と、圧電薄膜素子４０を支える支持体４１と、電流増幅器４８と、電圧測定器４９とから構成されている。圧電薄膜素子４０は、共通電極層４３（第一電極層）と、第一中間層４４と、第二中間層４５と、圧電薄膜４６と、個別電極層４７（第二電極層）と、を積層して構成されている。共通電極層とは、上記の第一電極層と言い換えてよい。個別電極層とは、上記の第二電極層と言い換えてよい。共通電極層４３と支持体４１とに囲まれた空洞４２は、圧力に対応する。圧力センサ５００に外力がかかると圧電薄膜素子４０がたわみ、電圧測定器４９で電圧が検出される。

図７は、圧電センサの一種である脈波センサ６００を示す。脈波センサ６００は、支持体５１と、支持体５１に重なる絶縁層５２と、絶縁層５２に重なる圧電薄膜素子５０と、電圧測定器５８とから構成されている。支持体５１が導電性を有していない場合、絶縁層５２はなくてもよい。圧電薄膜素子５０は、共通電極層５３（第一電極層）と、第一中間層５４と、第二中間層５５と、圧電薄膜５６と、個別電極層５７（第二電極層）と、を積層して構成されている。共通電極層とは、上記の第一電極層と言い換えてよい。個別電極層とは、上記の第二電極層と言い換えてよい。脈波センサ６００の支持体５１の裏面（圧電薄膜素子５０が搭載されていない面）を生体の動脈上に当接させると、生体の脈による圧力で支持体５１と圧電薄膜素子５０がたわみ、電圧測定器５８で電圧が検出される。

（ハードディスクドライブ）
図８は、図２に示すヘッドアセンブリが搭載されたハードディスクドライブ７００を示す。図８のヘッドアセンブリ６５は、図２のヘッドアセンブリ２００と同じである。

ハードディスクドライブ７００は、筐体６０と、筐体６０内に設置されたハードディスク６１（記録媒体）と、ヘッドスタックアセンブリ６２と、を備えている。ハードディスク６１は、モータによって回転させられる。ヘッドスタックアセンブリ６２は、ハードディスク６１へ磁気情報を記録したり、ハードディスク６１に記録された磁気情報を再生したりする。

ヘッドスタックアセンブリ６２は、ボイスコイルモータ６３と、支軸に支持されたアクチュエータアーム６４と、アクチュエータアーム６４に接続されたヘッドアセンブリ６５と、を有する。アクチュエータアーム６４は、ボイスコイルモータ６３により、支軸周りに回転自在である。アクチュエータアーム６４は、複数のアームに分かれており、各アームそれぞれにヘッドアセンブリ６５が接続されている。つまり、複数のアーム及びヘッドアセンブリ６５が支軸に沿って積層されている。ヘッドアセンブリ６５の先端部には、ハードディスク６１に対向するようにスライダ１９が取り付けられている。

ヘッドアセンブリ６５（２００）は、ヘッド素子１９ａを２段階で変動させる。ヘッド素子１９ａの比較的大きな移動は、ボイスコイルモータ６３によるヘッドアセンブリ６５及びアクチュエータアーム６４の全体の駆動によって、制御される。ヘッド素子１９ａの微小な移動は、ヘッドアセンブリ６５の先端部に位置するスライダ１９の駆動により制御する。

（インクジェットプリンタ装置）
図９は、インクジェットプリンタ装置８００を示す。インクジェットプリンタ装置８００は、プリンタヘッド７０と、本体７１と、トレイ７２と、ヘッド駆動機構７３と、を備えている。図９のプリンタヘッド７０は、図３の圧電アクチュエータ３００を有している。

インクジェットプリンタ装置８００は、イエロー、マゼンダ、シアン、ブラックの計４色のインクカートリッジを備えている。インクジェットプリンタ装置８００によるフルカラー印刷が可能である。インクジェットプリンタ装置８００の内部には、専用のコントローラボード等が搭載されている。コントローラボード等は、プリンタヘッド７０によるインクの吐出のタイミング、及びヘッド駆動機構７３の走査を制御する。本体７１の背面にはトレイ７２が設けられ、トレイ７２の一端側にはオートシートフィーダ（自動連続給紙機構）７６が設けられている。オートシートフィーダ７６が、記録用紙７５を自動的に送り出し、正面の排出口７４から記録用紙７５を排紙する。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、本発明の種々の変更が可能であり、これ等の変更例も本発明に含まれる。

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
真空チャンバー内で、シリコン基板（切断加工前の基板１）の表面に、Ｐｔからなる第一電極層３を形成した。第一電極層３が形成されたシリコン基板の表面の面方位は、（１００）であった。シリコン基板の厚さは、４００μｍであった。第一電極層３は、スパッタリング法により形成した。第一電極層３の形成過程におけるシリコン基板の温度は、４００℃に維持した。第一電極層３の厚さは、２００ｎｍに調整した。

真空チャンバー内で、第一電極層３の表面に、Ｋ、Ｎａ、Ｎｂ及びＯを含む第一中間層４を形成した。第一中間層４は、スパッタリング法により形成した。第一中間層４の形成過程におけるシリコン基板の温度は、５５０℃に維持した。真空チャンバー内の雰囲気としては、Ａｒ及びＯ_２の混合ガスを用いた。混合ガスにおけるＯ_２の濃度は、混合ガスの全体積を基準として、５体積％であった。混合ガスのガス圧は、０．２Ｐａに維持した。スパッタリングターゲットとしては、（Ｋ_０．５Ｎａ_０．５）ＮｂＯ_３を用いた。スパッタリングターゲットのサイズは、φ１５０ｍｍであった。スパッタリングの印加電源としては、高周波電源を用いた。印加出力は、８００Ｗに調整した。第一中間層４の厚さは、５０ｎｍに調整した。

真空チャンバー内で、第一中間層４の表面に、ＳｒＲｕＯ_３からなる第二中間層５を形成した。第二中間層５は、スパッタリング法により形成した。第二中間層５の形成過程におけるシリコン基板の温度は、６００℃に維持した。真空チャンバー内の雰囲気としては、Ａｒ及びＯ_２の混合ガスを用いた。混合ガスにおけるＯ_２の濃度は、混合ガスの全体積を基準として、２．５体積％であった。混合ガスのガス圧は、０．２Ｐａに維持した。スパッタリングターゲットのサイズは、φ１５０ｍｍであった。スパッタリングの印加電源としては、高周波電源を用いた。印加出力は、１５０Ｗに調整した。第二中間層５の厚さは、１５ｎｍに調整した。

真空チャンバー内で、第二中間層５の表面に、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３からなる圧電薄膜６を形成した。圧電薄膜６は、スパッタリング法により形成した。圧電薄膜６の形成過程におけるシリコン基板の温度は、５５０℃に維持した。真空チャンバー内の雰囲気としては、Ａｒ及びＯ_２の混合ガスを用いた。混合ガスにおけるＯ_２の濃度は、混合ガスの全体積を基準として、５体積％であった。スパッタリングターゲットとしては、（Ｋ_０．５Ｎａ_０．５）ＮｂＯ_３を用いた。スパッタリングターゲットのサイズは、φ１５０ｍｍであった。スパッタリングの印加電源としては、高周波電源を用いた。印加出力は、８００Ｗに調整した。圧電薄膜６の厚さは、２μｍに調整した。以上の方法により、実施例１の圧電薄膜基板１１１を得た。

真空チャンバー内で、圧電薄膜基板１１１に含まれる圧電薄膜６の表面に、Ｐｔからなる第二電極層７を形成した。第二電極層７は、スパッタリング法により形成した。真空チャンバー内の温度は、室温に維持した。第二電極層７の厚さは、２００ｎｍに調整した。

フォトリソグラフィ、ドライエッチング及びウェットエッチングにより、第二電極層７、圧電薄膜６、第二中間層５、第一中間層４、及び第一電極層３のパターニングを行った。続いて、シリコン基板を切断した。以上の方法により、実施例１の圧電薄膜素子１１２を得た。実施例１の圧電薄膜素子１１２の可動部分の寸法は、１５ｍｍ×３ｍｍであった。

［線膨張率の測定］
以下の方法により、線膨張率測定用の各試料を作製し、実施例１の第一電極層３、第二中間層５、及び圧電薄膜６それぞれの線膨張率を個別に測定した。
上記と同様の方法により、第一電極層３をシリコン基板の表面に直接形成した。上記と同様の方法により、第一電極層３のパターニングを行った。シリコン基板を切断して、試料を得た。試料のサイズは１５ｍｍ×３ｍｍであった。この試料を用いて、第一電極層３の線膨張率をＸ線反射率法により測定した。実施例１の第一電極層３の線膨張率は、８．８×１０^−６（１／Ｋ）であった。
上記と同様の方法により、第二中間層５をシリコン基板の表面に直接形成した。上記と同様の方法により、第二中間層５のパターニングを行った。シリコン基板を切断して、試料を得た。試料のサイズは１５ｍｍ×３ｍｍであった。この試料を用いて、第二中間層５の線膨張率をＸ線反射率法により測定した。実施例１の第二中間層５の線膨張率を表１に示す。
上記と同様の方法により、圧電薄膜６をシリコン基板の表面に直接形成した。上記と同様の方法により、圧電薄膜６のパターニングを行った。シリコン基板を切断して、試料を得た。試料のサイズは１５ｍｍ×３ｍｍであった。この試料を用いて、圧電薄膜６の線膨張率をＸ線反射率法により測定した。実施例１の圧電薄膜６の線膨張率は、８．０×１０^−６（１／Ｋ）であった。

［変位量の測定］
以下の方法により、実施例１の圧電薄膜素子１１２の２５℃における変位量Ｄｉｓ_２５℃（単位：ｎｍ）を測定した。図１０に示すように、変位量とは、圧電薄膜素子１１２の一端をクランプ８０により固定し、第一電極層３と第二電極層７との間に電圧を印加したとき、圧電薄膜素子１１２の固定されていない側の先端部が、圧電薄膜素子１１２の変形に伴って、圧電薄膜素子１１２の厚さ方向（積層方向、Ｚ方向）に移動した距離（変位量Ｄｉｓ）を意味する。第一電極層３と第二電極層７との間に印加した交流電圧の周波数は、１０Ｈｚであった。交流電圧は、１．５Ｖ±１．５Ｖのサイン波形であった。交流電圧を印加している間、圧電薄膜素子１１２の温度は、２５℃に維持した。レーザードップラー振動計とオシロスコープとを用いて、実施例１のＤｉｓ_２５℃を測定した。実施例１のＤｉｓ_２５℃を表１に示す。

下記の基準により、実施例１の圧電薄膜素子１１２の変位特性を評価した。実施例１の変位特性の評価を表１に示す。変位量は、３５０ｎｍ以上であれば実用的に問題ないと考えられるが、より高い方が好ましい。
Ａ：Ｄｉｓ_２５℃が、５５０ｎｍ以上である。
Ｂ：Ｄｉｓ_２５℃が、４５０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満である。
Ｃ：Ｄｉｓ_２５℃が、３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ未満である。

［変位量の変化率の算出］
以下の方法により、実施例１の変位量の変化率ΔＤｉｓ（単位：％）を算出した。実施例１の圧電薄膜素子１１２の温度を２５〜１２０℃の範囲内で変化させ、実施例１のＤｉｓ_２５℃の測定方法と同様の方法により、各温度における圧電薄膜素子１１２の変位量を測定した。２５〜１２０℃における圧電薄膜素子１１２の変位量の最大値Ｄｉｓ_Ｍａｘ（単位：ｎｍ）を測定した。下記の数式（Ｂ）に基づいて、実施例１のΔＤｉｓを求めた。実施例１のΔＤｉｓを表１に示す。
ΔＤｉｓ＝（Ｄｉｓ_Ｍａｘ−Ｄｉｓ_２５℃）／Ｄｉｓ_２５℃×１００ （Ｂ）

下記の基準により、実施例１の圧電薄膜素子１１２の温度特性を評価した。実施例１の温度特性の評価を表１に示す。
Ａ：ΔＤｉｓが、２０％以下である。
Ｂ：ΔＤｉｓが、２０％を超える。

（実施例２〜１２）
実施例２〜１２の第二中間層５の形成過程では、実施例１の第二中間層５の形成過程で用いたスパッタリングターゲットの代わりに、それぞれ表１に示す組成を有するスパッタリングターゲットを用いた。その結果、実施例２〜１２では、それぞれ表１に示すスパッタリングターゲットと同じ組成を有する第二中間層８４が形成された。以上の点を除いては、実施例１と同様の方法により、実施例２〜１２の圧電薄膜素子１１２をそれぞれ作製した。

実施例１と同様の方法により、実施例２〜１２それぞれの第二中間層５の線膨張率を測定した。実施例２〜１２それぞれの第二中間層５の線膨張率を表１に示す。なお、実施例２〜１２それぞれの第一電極層３は、実施例１の第一電極層３と同様であるため、実施例２〜１２それぞれの第一電極層３の線膨張率は、実施例１の第一電極層３の線膨張率と等しい。実施例２〜１２それぞれの圧電薄膜６は、実施例１の圧電薄膜６と同様であるため、実施例２〜１２それぞれの圧電薄膜６の線膨張率は、実施例１の圧電薄膜６の線膨張率と等しい。

実施例１と同様の方法により、実施例２〜１２それぞれの変位量の測定、及び変位特性の評価を行った。実施例２〜１２それぞれのＤｉｓ_２５℃、及び変位特性の評価を表１に示す。

実施例１と同様の方法により、実施例２〜１２それぞれの変位量の変化率の算出、及び温度特性の評価を行った。実施例２〜１２それぞれのΔＤｉｓ、及び温度特性の評価を表１に示す。

（比較例１）
比較例１では、第一中間層４及び第二中間層５を形成しなかった。つまり、比較例１では、第一電極層３の表面に圧電薄膜６を直接形成した。以上の点を除いては、実施例１と同様の方法により、比較例１の圧電薄膜素子を作製した。

比較例１の第一電極層３は、実施例１の第一電極層３と同様であるため、比較例１の第一電極層３の線膨張率は、実施例１の第一電極層３の線膨張率と等しい。比較例１の圧電薄膜６は、実施例１の圧電薄膜６と同様であるため、比較例１の圧電薄膜６の線膨張率は、実施例１の圧電薄膜６の線膨張率と等しい。

実施例１と同様の方法により、比較例１の変位量の測定、及び変位特性の評価を行った。比較例１のＤｉｓ_２５℃、及び変位特性の評価を表１に示す。

実施例１と同様の方法により、比較例１の変位量の変化率の算出、及び温度特性の評価を行った。比較例１のΔＤｉｓ、及び温度特性の評価を表１に示す。

（比較例２）
比較例２では、第一中間層４を形成しなかった。つまり、比較例２では、第一電極層３の表面に第二中間層５を直接形成した。以上の点を除いては、実施例１と同様の方法により、比較例２の圧電薄膜素子を作製した。

実施例１と同様の方法により、比較例２の第二中間層５の線膨張率を測定した。比較例２の第二中間層５の線膨張率を表１に示す。なお、比較例２の第一電極層３は、実施例１の第一電極層３と同様であるため、比較例２の第一電極層３の線膨張率は、実施例１の第一電極層３の線膨張率と等しい。比較例２の圧電薄膜６は、実施例１の圧電薄膜６と同様であるため、比較例２の圧電薄膜６の線膨張率は、実施例１の圧電薄膜６の線膨張率と等しい。

実施例１と同様の方法により、比較例２の変位量の測定、及び変位特性の評価を行った。比較例２のＤｉｓ_２５℃、及び変位特性の評価を表１に示す。

実施例１と同様の方法により、比較例２の変位量の変化率の算出、及び温度特性の評価を行った。比較例２のΔＤｉｓ、及び温度特性の評価を表１に示す。

表１に示すように、第一中間層４及び第二中間層５を備えない比較例１に比べて、第二中間層５を備える比較例２の変位量は大きかった。比較例１の変位量の変化率に比べて、比較例２の変位量の変化率は低かった。第一中間層４を備えない比較例２に比べて、第一中間層４及び第二中間層５を備える実施例１の変位量は大きかった。比較例２の変位量の変化率に比べて、実施例１の変位量の変化率は低かった。

実施例の変位量が大きくなり、実施例の変位量の変化率が低下するメカニズムは以下のとおりである、と本発明者らは考える。第二中間層５の線膨張率は、第一電極層３及び圧電薄膜６それぞれの線膨張率よりも高いため、圧電薄膜６に圧縮方向の応力が生じる。その結果、圧電薄膜６の厚み方向（Ｚ方向）の配向軸が安定することにより、変位量の変化率が低下し、変位量も大きくなる。ただし、第二中間層５のみでは、変位量の向上は十分ではない。しかし、圧電薄膜６と同様にＫ、Ｎａ及びＮｂを含む第一中間層４が設けられていることにより、第二中間層５と圧電薄膜６との間の結晶構造又は結晶方位の違いによる影響が軽減する。その結果、変位量が更に大きくなると共に、変位量の変化率が更に低下する。

表１に示すように、実施例１の第二中間層５をそれぞれ実施例２〜１２の第二中間層５に変更しても、実施例は、比較例に比べて、変位特性及び温度特性に優れていた。

表１に示すように、第二中間層５が無機酸化物からなる実施例１〜１２は、変位特性及び温度特性に優れていた。第二中間層５が、ＳｒＲｕＯ_３、ＣａＲｕＯ_３、ＢａＲｕＯ_３、又はＬａＮｉＯ_３からなる実施例１及び３〜５は、実施例２及び６〜１２に比べて、変位特性に優れていた。

本発明によれば、変位量が大きく、変位量の温度依存性が小さい圧電薄膜積層体、圧電薄膜基板、圧電薄膜素子、並びに、圧電薄膜素子を用いた圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置が提供される。

１００…圧電薄膜積層体、１０１…圧電薄膜基板、１０２，１０３…圧電薄膜素子、１…基板、２…絶縁層、３…第一電極層、４，４ａ，４ｂ…第一中間層、５，５ａ，５ｂ…第二中間層、６…圧電薄膜、７…第二電極層、２００…ヘッドアセンブリ、９…ベースプレート、１１…ロードビーム、１１ｂ…基端部、１１ｃ…第１の板バネ部、１１ｄ…第２の板バネ部、１１ｅ…開口部、１１ｆ…ビーム主部、１３…圧電薄膜素子、１５…フレキシブル基板、１７…フレクシャ、１９…スライダ、１９ａ…ヘッド素子、３００…圧電アクチュエータ、２０…基材、２１…圧力室、２３…絶縁膜、２４…下部電極層（第一電極層）、２５…圧電薄膜、２６…上部電極層（第二電極層）、２７…ノズル、２８…第一中間層、２９…第二中間層、４００…ジャイロセンサ、１１０…基部、１２０、１３０…アーム、３０…圧電薄膜、３１…上部電極層（第二電極層）、３１ａ、３１ｂ…駆動電極層、３１ｃ、３１ｄ…検出電極層、３２…下部電極層（第一電極層）、３３…第一中間層、３４…第二中間層、５００…圧力センサ、４０…圧電薄膜素子、４１…支持体、４２…空洞、４３…共通電極層（第一電極層）、４４…第一中間層、４５…第二中間層、４６…圧電薄膜、４７…個別電極層（第二電極層）、４８…電流増幅器、４９…電圧測定器、６００…脈波センサ、５０…圧電薄膜素子、５１…支持体、５２…絶縁層、５３…共通電極層（第一電極層）、５４…第一中間層、５５…第二中間層、５６…圧電薄膜、５７…個別電極層（第二電極層）、５８…電圧測定器、７００…ハードディスクドライブ、６０…筐体、６１…ハードディスク、６２…ヘッドスタックアセンブリ、６３…ボイスコイルモータ、６４…アクチュエータアーム、６５…ヘッドアセンブリ、８００…インクジェットプリンタ装置、７０…プリンタヘッド、７１…本体、７２…トレイ、７３…ヘッド駆動機構、７４…排出口、７５…記録用紙、７６…オートシートフィーダ（自動連続給紙機構）、１１１…圧電薄膜基板、１１２…圧電薄膜素子、８０…クランプ。

Claims (13)

1. 第一電極層と、
   前記第一電極層に積層された第一中間層と、
   前記第一中間層に積層された第二中間層と、
   前記第二中間層に積層された圧電薄膜と、
   を備え、
   前記第一中間層が、Ｋ、Ｎａ及びＮｂを含み、
   前記第二中間層が、前記圧電薄膜に圧縮方向の応力を生じさせる層であり、
   前記圧電薄膜が、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３を含む、
   圧電薄膜積層体。
2. 前記第二中間層が、無機酸化物を含む、
   請求項１に記載の圧電薄膜積層体。
3. 前記第二中間層が、ペロブスカイト型の無機酸化物を含む、
   請求項１に記載の圧電薄膜積層体。
4. 前記第二中間層が、ＳｒＲｕＯ_３、ＣａＲｕＯ_３、ＢａＲｕＯ_３及びＬａＮｉＯ_３からなる群より選ばれる少なくとも一種のペロブスカイト型の無機酸化物を含む、
   請求項１に記載の圧電薄膜積層体。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧電薄膜積層体と、
   基板と、
   を含み、
   前記第一電極層が、前記基板と前記第一中間層との間に位置している、
   圧電薄膜基板。
6. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧電薄膜積層体と、
   第二電極層と、
   を含み、
   前記第一中間層、前記第二中間層及び前記圧電薄膜が、前記第一電極層と前記第二電極層との間に位置している、
   圧電薄膜素子。
7. 請求項６に記載の圧電薄膜素子を備える、
   圧電アクチュエータ。
8. 請求項６に記載の圧電薄膜素子を備える、
   圧電センサ。
9. 請求項７に記載の圧電アクチュエータを備える、
   ヘッドアセンブリ。
10. 請求項９に記載のヘッドアセンブリを備える、
    ヘッドスタックアセンブリ。
11. 請求項１０に記載のヘッドスタックアセンブリを備える、
    ハードディスクドライブ。
12. 請求項７に記載の圧電アクチュエータを備える、
    プリンタヘッド。
13. 請求項１２に記載のプリンタヘッドを備える、
    インクジェットプリンタ装置。

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