JP2018087921A - フレキシブルデバイスの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 263
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 19
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000008157 edible vegetable oil Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
1.第1の実施の形態(支持基板の第2面を液体に接触させる製造方法の例)
2.変形例1(ダム内に溜めた液体に支持基板の第2面を接触させる例)
3.変形例2(高粘度材料に支持基板の第2面を接触させる例)
4.変形例3(高粘度材料を支持基板の第2面に接触させた後、硬化させる例)
5.第2の実施の形態(支持基板の第2面に表面処理を施す製造方法の例)
6.適用例(フレキシブルデバイスの電子機器への適用例)
[構成]
図1は、本技術の第1の実施の形態に係るフレキシブルデバイスとしての表示装置(表示装置1)の概略構成例を、模式的に断面図で表したものである。表示装置1は、例えば有機電界発光(EL:Electro-Luminescence)装置であり、半導体装置10上に表示素子層13および保護層14をこの順に備えたものである。半導体装置10は、可撓性基板11の上(表面)に、例えばTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)層12を有している。なお、TFT層12および表示素子層13はそれぞれ、本技術の「素子層」の一具体例に対応している。
上記のような表示装置1は、例えば次のようにして製造することができる。
(基本動作)
この表示装置1では、外部から入力される映像信号に基づいて、表示素子層13における各画素が表示駆動され、映像表示がなされる。このとき、TFT層12では、例えば画素ごとに薄膜トランジスタが電圧駆動される。具体的には、この薄膜トランジスタに対して閾値電圧以上の電圧が供給されると、前述した半導体層が活性化され(チャネルが形成され)、その結果、薄膜トランジスタにおける一対のソース・ドレイン電極間に、電流が流れる。このような薄膜トランジスタに対する電圧駆動を利用して、表示装置1における映像表示が行われる。
ここで、図4〜図8は、比較例に係る表示装置1の製造方法を、断面図で模式的に表したものである。この比較例に係る製造方法では、前述した本実施の形態と同様に、可撓性基板11上に各層(TFT層12、表示素子層13および保護層14)を形成した後に、レーザ光Lの照射を利用して支持基板9を可撓性基板11から剥離させるようになっている。
これに対して本実施の形態に係る表示装置1の製造方法では、支持基板9の裏面S2に液体31を接触させた状態でレーザ光Lを照射するので、支持基板9の裏面S2に傷9Cが存在していても、傷9C部分とそれ以外の部分とでレーザ光Lの進み方を近づけることが可能となる。なお、ここでは傷9Cが本技術の凹部の一具体例である。
A3=A1-A2・・・・・(1)
(数2)
n31sin(A1)=n9sin(A2)・・・・・(2)
(数3)
X=T1×tan(A3)・・・・・(3)
式(2)はスネルの法則である。式(3)に式(1),(2)を適用させると、以下の式(4)のように表すことができる。
(数4)
X=T1×tan(A1−A2)
=T1×tan(A1-sin-1(n31/n9×sinA1)・・・・・(4)
(数5)
n9≧n31≧0.98×n9・・・・・(5)
図16A,16Bは、変形例1に係る表示装置1の製造方法の一工程を表している。図16Aは、この一工程の斜視図、図16Bは断面図である。支持基板9の裏面S2を液体31に接触させる工程では、上記の容器52に代えて、ダム53を用いるようにしてもよい。
図17A,17Bは、変形例2に係る表示装置1の製造方法の一工程を表している。図17Aは、この一工程の斜視図、図17Bは断面図である。支持基板9の裏面S2を液体31に接触させる工程では、液体31に代えて高粘度材料32(流動性部材)を用いるようにしてもよい。高粘度材料32は、例えばアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂等の樹脂である。液体31と同様に、高粘度材料32の屈折率は、支持基板9の構成材料と同じまたは略同じであることが好ましい。
紫外線硬化材料などの光硬化性の高粘度材料32を用いるようにしてもよく、あるいは熱硬化性の高粘度材料32を用いるようにしてもよい。このような高粘度材料32を用いることにより、高粘度材料32を固着させてからレーザ光Lを支持基板9の裏面S2に照射することが可能となる。光硬化性または熱硬化性の高粘度材料32としては、例えばアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂等の樹脂が挙げられる。
図18A,図18Bを用いて本技術の第2の実施の形態に係る表示装置1の製造方法について説明する。第2の実施の形態に係る表示装置1の製造方法では、支持基板9の裏面S2を液体(図3の液体31)に接触することに代えて、支持基板9の裏面S2に表面処理を施し、一様な被処理面S3(図18B)を形成している。この点において、第2の実施の形態に係る表示装置1の製造方法は、上記第1の実施の形態に係る表示装置1の製造方法と異なっている。
続いて、上記した第1の実施の形態、変形例1〜3および第2の実施の形態(以下、上記実施の形態等という)に係るフレキシブルデバイス(表示装置1)の、電子機器への適用例(適用例)について説明する。
図19は、フレキシブルデバイスとしての表示装置1の概略構成例を、ブロック図で模式的に表したものである。この表示装置1は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するものであり、前述した有機ELディスプレイの他にも、例えば液晶ディスプレイなどにも適用される。表示装置1は、例えばタイミング制御部21と、信号処理部22と、駆動部23と、表示画素部24とを備えている。
上記実施の形態等では、本開示におけるフレキシブルデバイスの具体例(半導体装置10の適用例)として表示装置1を例に挙げて説明したが、本開示におけるフレキシブルデバイスが、表示装置1以外の他の装置(例えば撮像装置など)により構成されていてもよい。すなわち、半導体装置10が、表示装置1の他にも、例えば撮像装置などに用いられてもよい。
上記実施の形態等において説明したフレキシブルデバイス(半導体装置10を含む表示装置1または撮像装置2など)は、様々なタイプの電子機器に適用することが可能である。
(1)
支持基板の第1面に可撓性基板の裏面を貼り合わせ、
前記可撓性基板の表面に素子層を形成し、
前記第1面に対向する前記支持基板の第2面を流動性部材に接触させ、
前記支持基板の前記第2面側からレーザ光を照射して、前記支持基板を前記可撓性基板から剥離する
フレキシブルデバイスの製造方法。
(2)
前記支持基板の前記第2面には凹部が設けられており、
前記凹部を前記流動性部材で埋めた後に、前記レーザ光を照射する
前記(1)記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(3)
前記流動性部材の屈折率は、空気の屈折率よりも大きく、前記支持基板の構成材料の屈折率以下である
前記(1)または(2)記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(4)
前記流動性部材の屈折率は、前記支持基板の構成材料の屈折率と同じまたは略同じである
前記(1)乃至(3)のうちいずれか1つに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(5)
前記流動性部材として液体を用いる
前記(1)乃至(4)のうちいずれか1つに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(6)
前記液体を溜めた容器に前記支持基板を入れて、前記支持基板の前記第2面を前記液体に接触させる
前記(5)記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(7)
前記支持基板の前記第2面にダムを形成し、
前記ダムに前記液体を溜めて、前記支持基板の前記第2面を前記液体に接触させる
前記(5)記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(8)
前記流動性部材として高粘度材料を用い、
前記高粘度材料を前記支持基板の前記第2面に塗布する
前記(1)乃至(4)のうちいずれか1つに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(9)
前記高粘度材料を前記支持基板の前記第2面に塗布した後、前記高粘度材料を硬化させる
前記(8)記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(10)
前記支持基板の前記第2面を前記流動性部材に接触させた状態で、前記支持基板の前記第2面側からレーザ光を照射する
前記(1)乃至(9)のうちいずれか1つに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(11)
支持基板の第1面に可撓性基板の裏面を貼り合わせ、
前記可撓性基板の表面に素子層を形成し、
前記第1面に対向する前記支持基板の第2面に表面処理を施し、
前記支持基板の前記第2面側からレーザ光を照射して、前記支持基板を前記可撓性基板から剥離する
フレキシブルデバイスの製造方法。
(12)
前記支持基板の前記第2面に表面処理を施して前記支持基板の前記第2面側に一様な被処理面を形成する
前記(11)記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(13)
前記支持基板の前記被処理面は一様な粗さを有する
前記(12)記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(14)
前記表面処理として、研磨剤を用いたエッチング処理を行う
前記(11)乃至(13)のうちいずれか1つに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(15)
前記表面処理として、溶解処理を行う
前記(11)乃至(13)のうちいずれか1つに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
(16)
ガラスにより構成された前記支持基板を用いる
前記(1)乃至(15)のうちいずれか1つに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
Claims (16)
- 支持基板の第1面に可撓性基板の裏面を貼り合わせ、
前記可撓性基板の表面に素子層を形成し、
前記第1面に対向する前記支持基板の第2面を流動性部材に接触させ、
前記支持基板の前記第2面側からレーザ光を照射して、前記支持基板を前記可撓性基板から剥離する
フレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記支持基板の前記第2面には凹部が設けられており、
前記凹部を前記流動性部材で埋めた後に、前記レーザ光を照射する
請求項1記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記流動性部材の屈折率は、空気の屈折率よりも大きく、前記支持基板の構成材料の屈折率以下である
請求項2記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記流動性部材の屈折率は、前記支持基板の構成材料の屈折率と同じまたは略同じである
請求項1記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記流動性部材として液体を用いる
請求項1記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記液体を溜めた容器に前記支持基板を入れて、前記支持基板の前記第2面を前記液体に接触させる
請求項5記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記支持基板の前記第2面にダムを形成し、
前記ダムに前記液体を溜めて、前記支持基板の前記第2面を前記液体に接触させる
請求項5記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記流動性部材として高粘度材料を用い、
前記高粘度材料を前記支持基板の前記第2面に塗布する
請求項1記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記高粘度材料を前記支持基板の前記第2面に塗布した後、前記高粘度材料を硬化させる
請求項8記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記支持基板の前記第2面を前記流動性部材に接触させた状態で、前記支持基板の前記第2面側からレーザ光を照射する
請求項1記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 支持基板の第1面に可撓性基板の裏面を貼り合わせ、
前記可撓性基板の表面に素子層を形成し、
前記第1面に対向する前記支持基板の第2面に表面処理を施し、
前記支持基板の前記第2面側からレーザ光を照射して、前記支持基板を前記可撓性基板から剥離する
フレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記支持基板の前記第2面に表面処理を施して前記支持基板の前記第2面側に一様な被処理面を形成する
請求項11記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記支持基板の前記被処理面は一様な粗さを有する
請求項12記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記表面処理として、研磨剤を用いたエッチング処理を行う
請求項11記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - 前記表面処理として、溶解処理を行う
請求項11記載のフレキシブルデバイスの製造方法。 - ガラスにより構成された前記支持基板を用いる
請求項1記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016231491A JP6660279B2 (ja) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | フレキシブルデバイスの製造方法 |
US15/603,406 US10957722B2 (en) | 2016-05-26 | 2017-05-23 | Method of manufacturing flexible device using multidirectional oblique irradiation of an interface between a support substrate and a flexible substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016231491A JP6660279B2 (ja) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | フレキシブルデバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018087921A true JP2018087921A (ja) | 2018-06-07 |
JP2018087921A5 JP2018087921A5 (ja) | 2019-02-28 |
JP6660279B2 JP6660279B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=62494417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016231491A Active JP6660279B2 (ja) | 2016-05-26 | 2016-11-29 | フレキシブルデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6660279B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020065856A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
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-
2016
- 2016-11-29 JP JP2016231491A patent/JP6660279B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP6660279B2 (ja) | 2020-03-11 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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