JP2018076601A - Electrolytic copper foil, production method thereof, copper clad laminate, printed wiring board and production method thereof, and production method of electronic apparatus - Google Patents

Electrolytic copper foil, production method thereof, copper clad laminate, printed wiring board and production method thereof, and production method of electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2018076601A
JP2018076601A JP2018002084A JP2018002084A JP2018076601A JP 2018076601 A JP2018076601 A JP 2018076601A JP 2018002084 A JP2018002084 A JP 2018002084A JP 2018002084 A JP2018002084 A JP 2018002084A JP 2018076601 A JP2018076601 A JP 2018076601A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper foil
electrolytic copper
layer
less
glossy surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018002084A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
賢二 犬飼
Kenji Inukai
賢二 犬飼
小林 洋介
Yosuke Kobayashi
洋介 小林
一彦 飯田
Kazuhiko Iida
一彦 飯田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Publication of JP2018076601A publication Critical patent/JP2018076601A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrolytic copper foil having excellent circuit formability.SOLUTION: The electrolytic copper foil does not contain a roughening treatment layer at the side of a glossy surface, and the root mean square height of the glossy surface is below 0.315 μm or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電解銅箔、電解銅箔の製造方法、銅張積層板、プリント配線板、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法に関する。   The present invention relates to an electrolytic copper foil, a method for producing an electrolytic copper foil, a copper clad laminate, a printed wiring board, a method for producing a printed wiring board, and a method for producing an electronic device.

プリント配線板は銅箔に絶縁基板を接着させて銅張積層板とした後に、エッチングにより銅箔面に導体パターンを形成するという工程を経て製造されるのが一般的である。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化(ファインピッチ化)や高周波対応等が求められている。   Generally, a printed wiring board is manufactured through a process in which an insulating substrate is bonded to a copper foil to form a copper-clad laminate, and then a conductor pattern is formed on the copper foil surface by etching. In recent years, with the increasing needs for miniaturization and higher performance of electronic devices, higher density mounting of components and higher frequency of signals have progressed, and conductor patterns have become finer (fine pitch) and higher frequency than printed circuit boards. Response is required.

電解銅箔を用いて上述のような導体パターンの微細化を実現するために、従来、電解銅箔を製造するための電解液に光沢剤を添加して析出面側の表面が平滑な電解銅箔を作製し、当該表面に回路を形成していた(特許文献1)。   In order to realize the miniaturization of the conductor pattern as described above using the electrolytic copper foil, conventionally, an electrolytic copper having a smooth surface on the deposition surface side by adding a brightening agent to the electrolytic solution for producing the electrolytic copper foil. A foil was produced and a circuit was formed on the surface (Patent Document 1).

特開2004−162172号公報JP 2004-162172 A

しかしながら、上述のように電解銅箔を製造するための電解液に光沢剤を添加して析出面側の表面が平滑な電解銅箔を作製し、当該表面に回路を形成する場合、光沢めっきに含まれる添加剤の影響で、電解銅箔製造時に常温での再結晶およびそれに伴う収縮により銅箔にシワが発生しやすい。そして、当該シワが発生した場合、その後の電解銅箔を樹脂基板と貼り合わせるときにもシワが発生する問題がある。このように電解銅箔にシワが発生してしまうと、当該電解銅箔に回路を形成する際に、ファインピッチ化が困難となる。   However, when a brightening agent is added to the electrolytic solution for producing an electrolytic copper foil as described above to produce an electrolytic copper foil with a smooth surface on the precipitation side, and a circuit is formed on the surface, Under the influence of the additive contained, wrinkles are likely to occur in the copper foil due to recrystallization at normal temperature and the accompanying shrinkage during the production of the electrolytic copper foil. And when the said wrinkle generate | occur | produces, there exists a problem which a wrinkle generate | occur | produces also when bonding subsequent electrolytic copper foil with a resin substrate. Thus, when wrinkles are generated in the electrolytic copper foil, it becomes difficult to make a fine pitch when forming a circuit on the electrolytic copper foil.

そこで、本発明は、回路形成性が良好な電解銅箔を提供することを課題とする。   Then, this invention makes it a subject to provide the electrolytic copper foil with favorable circuit formation property.

本発明は一側面において、光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下である電解銅箔である。   In one aspect, the present invention is an electrolytic copper foil that does not have a roughening treatment layer on the glossy surface side, and the root mean square height Sq of the glossy surface is 0.315 μm or less.

本発明の電解銅箔は一実施形態において、前記光沢面の面粗さSaが0.150μm以下である。   In one embodiment, the electrolytic copper foil of the present invention has a surface roughness Sa of the glossy surface of 0.150 μm or less.

本発明の電解銅箔は別の一実施形態において、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.200μm以下である。   In another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the root mean square height Sq of the glossy surface is 0.200 μm or less.

本発明は別の一側面において、光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.200μm以下である電解銅箔である。   Another aspect of the present invention is an electrolytic copper foil that does not have a roughening layer on the glossy surface side and that has a root mean square height Sq of 0.200 μm or less.

本発明の電解銅箔は別の一実施形態において、前記光沢面の面粗さSaが0.133μm以下、または0.130μm以下である。   In another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the glossy surface has a surface roughness Sa of 0.133 μm or less, or 0.130 μm or less.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.180μm以下である。   In still another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the root mean square height Sq of the glossy surface is 0.180 μm or less.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.120μm以下である。   In still another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the root mean square height Sq of the glossy surface is 0.120 μm or less.

本発明は更に別の一側面において、光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.550μm以下である電解銅箔である。   According to another aspect of the present invention, there is provided an electrolytic copper foil having a roughened layer on the glossy surface side and having a root mean square height Sq of the glossy surface of 0.550 μm or less.

本発明の電解銅箔は別の一実施形態において、前記光沢面の面粗さSaが0.380μm以下である。   In another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the glossy surface has a surface roughness Sa of 0.380 μm or less.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記光沢面側の2乗平均平方根高さSqが0.490μm以下、または0.450μm以下、または0.400μm以下、または0.330μm以下である。   In still another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the root mean square height Sq on the glossy surface side is 0.490 μm or less, or 0.450 μm or less, or 0.400 μm or less, or 0.330 μm or less. It is.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記光沢面側の面粗さSaが0.355μm以下、または0.300μm以下、または0.200μm以下である。   In still another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the surface roughness Sa on the glossy surface side is 0.355 μm or less, or 0.300 μm or less, or 0.200 μm or less.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さSaが0.270μm以下、または0.150μm以下、または0.133μm以下、または0.130μm以下である。   In still another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the surface roughness Sa of the glossy surface before providing the roughening layer on the glossy surface side is 0.270 μm or less, or 0.150 μm or less, or 133 μm or less, or 0.130 μm or less.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下、または0.200μm以下、または0.180μm以下、または0.120μm以下である。   In yet another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the root mean square height Sq of the glossy surface before providing the roughening treatment layer on the glossy surface side is 0.315 μm or less, or 0.200 μm or less, Or it is 0.180 micrometer or less, or 0.120 micrometer or less.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、常温抗張力が30kg/mm2以上である。 In still another embodiment, the electrolytic copper foil of the present invention has a normal temperature tensile strength of 30 kg / mm 2 or more.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、常温伸びが3%以上である。   In yet another embodiment, the electrolytic copper foil of the present invention has a room temperature elongation of 3% or more.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、高温抗張力が10kg/mm2以上である。 In yet another embodiment, the electrolytic copper foil of the present invention has a high-temperature tensile strength of 10 kg / mm 2 or more.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、高温伸びが2%以上である。   In still another embodiment, the electrolytic copper foil of the present invention has a high temperature elongation of 2% or more.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記電解銅箔の光沢面と反対側の面に粗化処理層を有する。   In yet another embodiment, the electrolytic copper foil of the present invention has a roughening treatment layer on the surface opposite to the glossy surface of the electrolytic copper foil.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層である。   In another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, the roughening layer is selected from the group consisting of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, iron, vanadium, cobalt, and zinc. It is a layer made of any simple substance or an alloy containing any one or more kinds.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方の粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。   In another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, a heat-resistant layer on the surface of one or both of the glossy surface side of the electrolytic copper foil and the surface side opposite to the glossy surface, It has 1 or more types of layers selected from the group which consists of a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。   In yet another embodiment of the electrolytic copper foil of the present invention, one or both of the glossy surface side and the surface side opposite to the glossy surface of the electrolytic copper foil are a heat-resistant layer, a rust prevention layer, and a chromate treatment layer. And one or more layers selected from the group consisting of silane coupling treatment layers.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方に樹脂層を備える。   In still another embodiment, the electrolytic copper foil of the present invention includes a resin layer on one or both of the glossy surface side and the surface side opposite to the glossy surface of the electrolytic copper foil.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層上に樹脂層を備える。   In still another embodiment, the electrolytic copper foil of the present invention includes a resin layer on the roughening treatment layer.

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える。   In yet another embodiment, the electrolytic copper foil of the present invention has a resin layer on one or more layers selected from the group consisting of the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate-treated layer, and the silane coupling-treated layer. Prepare.

本発明は更に別の一側面において、表面の2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下である電解ドラムを用いて電解銅箔を作製する電解銅箔の製造方法である。   In still another aspect, the present invention is a method for producing an electrolytic copper foil, wherein an electrolytic copper foil is produced using an electrolytic drum having a surface root mean square height Sq of 0.315 μm or less.

本発明は一実施形態において、表面の面粗さSaが0.150μm以下である電解ドラムを用いて電解銅箔を作製する電解銅箔の製造方法である。   In one embodiment, the present invention is a method for producing an electrolytic copper foil in which an electrolytic copper foil is produced using an electrolytic drum having a surface roughness Sa of 0.150 μm or less.

本発明は一実施形態において、表面の2乗平均平方根高さSqが0.200μm以下である電解ドラムを用いて電解銅箔を作製する電解銅箔の製造方法である。   In one embodiment, the present invention is a method for producing an electrolytic copper foil, which uses an electrolytic drum having a surface root mean square height Sq of 0.200 μm or less.

本発明は更に別の一側面において、本発明の電解銅箔を有する銅張積層板である。   In yet another aspect, the present invention is a copper clad laminate having the electrolytic copper foil of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明の電解銅箔を有するプリント配線板である。   In yet another aspect, the present invention is a printed wiring board having the electrolytic copper foil of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明の電解銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法である。   In still another aspect, the present invention is a printed wiring board manufacturing method for manufacturing a printed wiring board using the electrolytic copper foil of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明の電解銅箔と絶縁基板とを積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In yet another aspect of the present invention, a copper-clad laminate is formed by laminating the electrolytic copper foil of the present invention and an insulating substrate, and then a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-additive method. A method of manufacturing a printed wiring board including a step of forming a circuit by any one of the methods.

本発明は更に別の一側面において、本発明の方法で製造されたプリント配線板を用いて電子機器を製造する電子機器の製造方法である。   In still another aspect of the present invention, there is provided an electronic device manufacturing method for manufacturing an electronic device using the printed wiring board manufactured by the method of the present invention.

本発明によれば、回路形成性が良好な電解銅箔を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electrolytic copper foil with favorable circuit formation property can be provided.

(a)は実施例2の電解銅箔の光沢面のSEM像である。(b)は実施例10の電解銅箔の光沢面のSEM像である。(A) is the SEM image of the glossy surface of the electrolytic copper foil of Example 2. FIG. (B) is the SEM image of the glossy surface of the electrolytic copper foil of Example 10.

以下、本発明の電解銅箔の実施形態について説明する。なお、本明細書において「光沢面の面粗さSa」、「光沢面の2乗平均平方根高さSq」は、それぞれ、電解銅箔の光沢面に粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層等の表面処理層が設けられている場合には、当該表面処理層を設けた後の表面(最外層の表面)の面粗さSa、2乗平均平方根高さSqを示す。また、「光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さSa」及び「光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の2乗平均平方根高さSq」は、それぞれ、光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層等の粗化処理層以外の表面処理層が設けられている場合には、当該表面処理層を設けた後の表面(最外層の表面)の面粗さSa、2乗平均平方根高さSqを示す。   Hereinafter, embodiments of the electrolytic copper foil of the present invention will be described. In this specification, “surface roughness Sa of glossy surface” and “root mean square height Sq of glossy surface” are a roughened layer, a heat-resistant layer, and a rust-proof layer on the glossy surface of electrolytic copper foil, respectively. When a surface treatment layer such as a chromate treatment layer or a silane coupling treatment layer is provided, the surface roughness Sa of the surface (outermost layer surface) after the surface treatment layer is provided, and the root mean square The height Sq is indicated. Further, “the surface roughness Sa of the glossy surface before providing the roughening treatment layer on the glossy surface side” and “the root mean square height Sq of the glossy surface before providing the roughening treatment layer on the glossy surface side” are: Each surface treatment layer other than the roughening treatment layer such as a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer is provided on the glossy surface before providing the roughening treatment layer on the glossy surface side. In the case, the surface roughness Sa and the root mean square height Sq of the surface (surface of the outermost layer) after the surface treatment layer is provided are shown.

<粗化処理層を光沢面側に有さない電解銅箔>
本発明の電解銅箔は、一側面において、光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面の面粗さSaが0.270μm以下であり、好ましくは0.150μm以下である。本発明において、電解銅箔の光沢面とは、当該電解銅箔が作製されるときのドラム側の表面(シャイニー面:S面)を示す。なお、本発明の電解銅箔において、光沢面と反対側の面とは、当該電解銅箔が作製されるときのドラムとは反対側(析出面側)の表面(マット面:M面)を示す。
このような構成により、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、L/S(ライン/スペース)=22μm以下/22μm以下、好ましくは20μm以下/20μm以下のファインピッチが可能となる。光沢面の面粗さSaは、0.230μm以下であるのが好ましく、0.180μm以下であるのが好ましく、0.150μm以下であるのが好ましく、0.133μm以下であるのが好ましく、0.130μm以下であるのがより好ましく、0.120μm以下であるのがより好ましい。電解銅箔の光沢面の面粗さSaの下限は特に限定されないが、例えば0.001μm以上、あるいは0.010μm以上、あるいは0.050μm以上、あるいは0.100μm以上である。
<Electrolytic copper foil without roughening layer on the glossy surface>
In one aspect, the electrolytic copper foil of the present invention does not have a roughening treatment layer on the glossy surface side, and the surface roughness Sa of the glossy surface is 0.270 μm or less, preferably 0.150 μm or less. In the present invention, the glossy surface of the electrolytic copper foil refers to the surface (shiny surface: S surface) on the drum side when the electrolytic copper foil is produced. In the electrolytic copper foil of the present invention, the surface opposite to the glossy surface is the surface (mat surface: M surface) on the opposite side (deposition surface) from the drum when the electrolytic copper foil is produced. Show.
With such a configuration, a fine pitch of L / S (line / space) = 22 μm or less / 22 μm or less, preferably 20 μm or less / 20 μm or less is possible for the pitch of the circuit formed using the electrolytic copper foil. The surface roughness Sa of the glossy surface is preferably 0.230 μm or less, preferably 0.180 μm or less, preferably 0.150 μm or less, preferably 0.133 μm or less, 0 More preferably, it is 130 μm or less, and more preferably 0.120 μm or less. Although the minimum of surface roughness Sa of the glossy surface of an electrolytic copper foil is not specifically limited, For example, it is 0.001 micrometer or more, 0.010 micrometer or more, 0.050 micrometer or more, or 0.100 micrometer or more.

本発明の電解銅箔は、別の一側面において、光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下であり、好ましくは0.200μm以下である。
このような構成により、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、L/S(ライン/スペース)=22μm以下/22μm以下、好ましくは20μm以下/20μm以下のファインピッチが可能となる。光沢面の2乗平均平方根高さSqは、0.292μm以下であるのが好ましく、0.230μm以下であるのが好ましく、0.200μm以下であるのが好ましく、0.180μm以下であるのが好ましく、0.120μm以下であるのが好ましく、0.115μm以下であるのがより好ましい。電解銅箔の光沢面の2乗平均平方根高さSqの下限は特に限定されないが、例えば0.001μm以上、あるいは0.010μm以上、あるいは0.050μm以上、あるいは0.100μm以上である。
In another aspect, the electrolytic copper foil of the present invention does not have a roughening treatment layer on the glossy surface side, and the root mean square height Sq of the glossy surface is 0.315 μm or less, preferably 0.8. 200 μm or less.
With such a configuration, a fine pitch of L / S (line / space) = 22 μm or less / 22 μm or less, preferably 20 μm or less / 20 μm or less is possible for the pitch of the circuit formed using the electrolytic copper foil. The root mean square height Sq of the glossy surface is preferably 0.292 μm or less, preferably 0.230 μm or less, preferably 0.200 μm or less, and 0.180 μm or less. Preferably, it is 0.120 μm or less, and more preferably 0.115 μm or less. The lower limit of the root mean square height Sq of the glossy surface of the electrolytic copper foil is not particularly limited, but is, for example, 0.001 μm or more, or 0.010 μm or more, or 0.050 μm or more, or 0.100 μm or more.

<粗化処理層を光沢面側に有する電解銅箔>
本発明の電解銅箔は、別の一側面において、光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の面粗さSaが0.470μm以下であり、好ましくは0.380μm以下である電解銅箔である。
このような構成により、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、L/S(ライン/スペース)=22μm以下/22μm以下、好ましくは20μm以下/20μm以下のファインピッチが可能となる。当該光沢面の面粗さSaは、0.385μm以下であるのが好ましく、0.380μm以下であるのが好ましく、0.355μm以下であるのが好ましく、0.340μm以下であるのが好ましく、0.300μm以下であるのが好ましく、0.295μm以下であるのが好ましく、0.230μm以下であるのが好ましく、0.200μm以下であるのがより好ましい。電解銅箔の光沢面の面粗さSaの下限は特に限定されないが、例えば0.001μm以上、あるいは0.010μm以上、あるいは0.050μm以上、あるいは0.100μm以上である。
<Electrolytic copper foil having a roughened layer on the glossy surface>
In another aspect, the electrolytic copper foil of the present invention has a roughening treatment layer on the glossy surface side, and the surface roughness Sa of the glossy surface is 0.470 μm or less, preferably 0.380 μm or less. Electrolytic copper foil.
With such a configuration, a fine pitch of L / S (line / space) = 22 μm or less / 22 μm or less, preferably 20 μm or less / 20 μm or less is possible for the pitch of the circuit formed using the electrolytic copper foil. The surface roughness Sa of the glossy surface is preferably 0.385 μm or less, preferably 0.380 μm or less, preferably 0.355 μm or less, and preferably 0.340 μm or less. It is preferably 0.300 μm or less, preferably 0.295 μm or less, preferably 0.230 μm or less, and more preferably 0.200 μm or less. Although the minimum of surface roughness Sa of the glossy surface of an electrolytic copper foil is not specifically limited, For example, it is 0.001 micrometer or more, 0.010 micrometer or more, 0.050 micrometer or more, or 0.100 micrometer or more.

また、当該電解銅箔は、光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さSaが0.270μm以下であるのが好ましく、0.230μm以下であるのが好ましく、0.180μm以下であるのが好ましく、0.150μm以下であるのが好ましく、より好ましくは0.133μm以下であり、更により好ましくは0.130μm以下であり、更により好ましくは0.120μm以下である。このような構成によれば、粗化処理層を設けた後の電解銅箔の光沢面の面粗さSa、および/または、粗化処理層を設けた後の電解銅箔の光沢面の2乗平均平方根高さSqを適切な値に制御することができ、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、L/S(ライン/スペース)=22μm以下/22μm以下、より好ましくは20μm以下/20μm以下のファインピッチが可能となる。電解銅箔の光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さSaの下限は特に限定されないが、例えば0.001μm以上、あるいは0.010μm以上、あるいは0.050μm以上、あるいは0.100μm以上である。   The electrolytic copper foil preferably has a glossy surface roughness Sa of 0.270 μm or less, preferably 0.230 μm or less, before the roughening layer is provided on the glossy surface side. It is preferably 180 μm or less, preferably 0.150 μm or less, more preferably 0.133 μm or less, still more preferably 0.130 μm or less, and even more preferably 0.120 μm or less. According to such a configuration, the surface roughness Sa of the glossy surface of the electrolytic copper foil after providing the roughening treatment layer and / or the glossy surface 2 of the electrolytic copper foil after providing the roughening treatment layer. The root mean square height Sq can be controlled to an appropriate value, and the pitch of the circuit formed using the electrolytic copper foil is L / S (line / space) = 22 μm or less / 22 μm or less, more preferably 20 μm. Fine pitches of 20 μm or less are possible. The lower limit of the surface roughness Sa of the glossy surface before the roughening treatment layer is provided on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is not particularly limited. For example, 0.001 μm or more, or 0.010 μm or more, or 0.050 μm or more, or It is 0.100 μm or more.

本発明の電解銅箔は、別の一側面において、光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.550μm以下であり、好ましくは0.490μm以下である。
このような構成により、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、L/S(ライン/スペース)=22μm以下/22μm以下、好ましくは20μm以下/20μm以下のファインピッチが可能となる。光沢面の2乗平均平方根高さSqは、0.490μm以下であるのが好ましく、0.450μm以下であるのが好ましく、0.435μm以下であるのが好ましく、0.400μm以下であるのが好ましく、0.395μm以下であるのが好ましく、0.330μm以下であるのがより好ましく、0.290μm以下であるのがより好ましい。電解銅箔の光沢面の2乗平均平方根高さSqの下限は特に限定されないが、例えば0.001μm以上、あるいは0.010μm以上、あるいは0.050μm以上、あるいは0.100μm以上である。
In another aspect, the electrolytic copper foil of the present invention has a roughened layer on the glossy surface side, and the root mean square height Sq of the glossy surface is 0.550 μm or less, preferably 0.490 μm. It is as follows.
With such a configuration, a fine pitch of L / S (line / space) = 22 μm or less / 22 μm or less, preferably 20 μm or less / 20 μm or less is possible for the pitch of the circuit formed using the electrolytic copper foil. The root mean square height Sq of the glossy surface is preferably 0.490 μm or less, preferably 0.450 μm or less, preferably 0.435 μm or less, and 0.400 μm or less. Preferably, it is 0.395 μm or less, more preferably 0.330 μm or less, and more preferably 0.290 μm or less. The lower limit of the root mean square height Sq of the glossy surface of the electrolytic copper foil is not particularly limited, but is, for example, 0.001 μm or more, or 0.010 μm or more, or 0.050 μm or more, or 0.100 μm or more.

また、当該電解銅箔は、光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下であるのが好ましく、0.292μm以下であるのが好ましく、0.230μm以下であるのが好ましく、0.200μm以下であるのが好ましく、0.180μm以下であるのが好ましく、より好ましくは0.120μm以下、より好ましくは0.115μm以下である。このような構成によれば、粗化処理層を設けた後の電解銅箔の光沢面の面粗さSa、および/または、粗化処理層を設けた後の電解銅箔の光沢面の2乗平均平方根高さSqを適切な値に制御することができ、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、L/S(ライン/スペース)=22μm以下/22μm以下、好ましくは20μm以下/20μm以下のファインピッチが可能となる。電解銅箔の光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の2乗平均平方根高さSqの下限は特に限定されないが、例えば0.001μm以上、あるいは0.010μm以上、あるいは0.050μm以上、あるいは0.100μm以上である。   The electrolytic copper foil preferably has a root mean square height Sq of 0.35 μm or less, preferably 0.292 μm or less, of the glossy surface before the roughening layer is provided on the glossy surface side. 0.230 μm or less, preferably 0.200 μm or less, preferably 0.180 μm or less, more preferably 0.120 μm or less, and more preferably 0.115 μm or less. According to such a configuration, the surface roughness Sa of the glossy surface of the electrolytic copper foil after providing the roughening treatment layer and / or the glossy surface 2 of the electrolytic copper foil after providing the roughening treatment layer. The root mean square height Sq can be controlled to an appropriate value, and the pitch of the circuit formed using the electrolytic copper foil is L / S (line / space) = 22 μm or less / 22 μm or less, preferably 20 μm or less. A fine pitch of / 20 μm or less is possible. The lower limit of the root mean square height Sq of the glossy surface before the roughening layer is provided on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is not particularly limited. For example, 0.001 μm or more, or 0.010 μm or more, or 0.050 μm. Or 0.100 μm or more.

本発明の電解銅箔は、常温抗張力が30kg/mm2以上であるのが好ましい。「常温抗張力」とは、室温での抗張力を示し、IPC−TM−650に準じて測定される。常温抗張力が30kg/mm2以上であると、ハンドリング時にシワが発生し難いという効果がある。35kg/mm2以上であるのがより好ましい。 The electrolytic copper foil of the present invention preferably has a normal temperature tensile strength of 30 kg / mm 2 or more. “Room temperature tensile strength” indicates the tensile strength at room temperature and is measured according to IPC-TM-650. When the normal temperature tensile strength is 30 kg / mm 2 or more, there is an effect that wrinkles are hardly generated during handling. More preferably, it is 35 kg / mm 2 or more.

本発明の電解銅箔は、常温伸びが3%以上であるのが好ましい。「常温伸び」とは、室温での伸びを示し、IPC−TM−650に準じて測定される。常温伸びが3%以上であると、破断し難いという効果がある。常温伸びは、4%以上であるのがより好ましい。   The electrolytic copper foil of the present invention preferably has a room temperature elongation of 3% or more. “Normal temperature elongation” indicates elongation at room temperature and is measured according to IPC-TM-650. When the room temperature elongation is 3% or more, there is an effect that it is difficult to break. The room temperature elongation is more preferably 4% or more.

本発明の電解銅箔は、高温抗張力が10kg/mm2以上であるのが好ましい。「高温抗張力」とは、180℃での抗張力を示し、IPC−TM−650に準じて測定される。高温抗張力が10kg/mm2以上であると、樹脂との張り付き時のシワが発生し難いという効果がある。15kg/mm2以上であるのがより好ましい。 The electrolytic copper foil of the present invention preferably has a high temperature tensile strength of 10 kg / mm 2 or more. “High temperature tensile strength” refers to tensile strength at 180 ° C., and is measured according to IPC-TM-650. When the high temperature tensile strength is 10 kg / mm 2 or more, there is an effect that wrinkles are hardly generated when sticking to the resin. More preferably, it is 15 kg / mm 2 or more.

本発明の電解銅箔は、高温伸びが2%以上であるのが好ましい。「高温伸び」とは、180℃での伸びを示し、IPC−TM−650に準じて測定される。高温伸びが2%以上であると、回路のクラック発生防止に効果がある。高温伸びは、3%以上であるのが好ましく、6%以上であるのがより好ましく、15%以上であるのがより好ましい。   The electrolytic copper foil of the present invention preferably has a high temperature elongation of 2% or more. “High temperature elongation” refers to elongation at 180 ° C. and is measured according to IPC-TM-650. When the high temperature elongation is 2% or more, there is an effect in preventing the occurrence of cracks in the circuit. The high temperature elongation is preferably 3% or more, more preferably 6% or more, and more preferably 15% or more.

本発明の電解銅箔は、後述の表面処理層が設けられている場合は当該表面処理層を除いた部分について、純銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Ti、W、Mo、Cr、Zr、Mg、Ni、Sn、Ag、Co、Fe、As、P等を添加した銅合金も使用可能である。本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。これら銅合金箔は電解銅箔を製造する際に用いる電解液中に合金元素(例えば、Ti、W、Mo、Cr、Zr、Mg、Ni、Sn、Ag、Co、Fe、AsおよびPからなる群から選択される一種または二種以上の元素)を添加して電解銅箔を製造することで、製造することが出来る。また、当該電解銅箔の厚みは特に限定はされないが、典型的には0.5〜3000μmであり、好ましくは1.0〜1000μm、好ましくは1.0〜300μm、好ましくは1.0〜100μm、好ましくは3.0〜75μm、好ましくは4〜40μm、好ましくは5〜37μm、好ましくは6〜28μm、好ましくは7〜25μm、好ましくは8〜19μmである。   The electrolytic copper foil of the present invention has, in addition to pure copper, for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, Ti, W, Mo, Cr, in addition to pure copper, when a later-described surface treatment layer is provided. Copper alloys added with Zr, Mg, Ni, Sn, Ag, Co, Fe, As, P, etc. can also be used. In this specification, when the term “copper foil” is used alone, it also includes a copper alloy foil. These copper alloy foils are composed of alloying elements (for example, Ti, W, Mo, Cr, Zr, Mg, Ni, Sn, Ag, Co, Fe, As, and P) in an electrolytic solution used for producing an electrolytic copper foil. It can be manufactured by adding electrolytic copper foil by adding one or more elements selected from the group. The thickness of the electrolytic copper foil is not particularly limited, but is typically 0.5 to 3000 μm, preferably 1.0 to 1000 μm, preferably 1.0 to 300 μm, preferably 1.0 to 100 μm. The thickness is preferably 3.0 to 75 μm, preferably 4 to 40 μm, preferably 5 to 37 μm, preferably 6 to 28 μm, preferably 7 to 25 μm, preferably 8 to 19 μm.

<電解銅箔の製造方法>
本発明の電解銅箔は、硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造される。当該電解条件を以下に示す。
<電解条件>
電解液組成:Cu 50〜150g/L、H2SO4 60〜150g/L、
電流密度:30〜120A/dm2
電解液温度:50〜60度
添加物:塩素イオン 20〜80ppm、ニカワ 0.01〜10.0ppm
なお、本明細書に記載の電解、エッチング、表面処理又はめっき等に用いられる処理液(エッチング液、電解液等)の残部は特に明記しない限り水である。
<Method for producing electrolytic copper foil>
The electrolytic copper foil of the present invention is produced by electrolytically depositing copper from a copper sulfate plating bath onto a titanium or stainless steel drum. The electrolysis conditions are shown below.
<Electrolysis conditions>
Electrolyte composition: Cu 50-150 g / L, H 2 SO 4 60-150 g / L,
Current density: 30 to 120 A / dm 2
Electrolyte temperature: 50 to 60 degrees Additive: Chlorine ion 20 to 80 ppm, Nika 0.01 to 10.0 ppm
In addition, the balance of the processing liquid (etching liquid, electrolytic solution, etc.) used for electrolysis, etching, surface treatment or plating described in this specification is water unless otherwise specified.

このとき用いる電解ドラムは、ドラム表面の面粗さSaが0.270μm以下、好ましくは0.15μm以下である。また、ドラム表面の2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下、好ましくは0.20μm以下である。当該面粗さSaまたは2乗平均平方根高さSqを表面に有する電解ドラムは、まず、チタンやステンレスのドラムの表面を、番手が300(P300)〜500(P500)番の研磨ベルトによって研磨する。このとき、研磨ベルトを、ドラムの幅方向において所定幅だけ巻き付け、所定速度で研磨ベルトをドラムの幅方向へ移動させながら、ドラムを回転させることで研磨する。当該研磨時のドラム表面の回転速度は130〜190m/分とする。また、研磨時間は、研磨ベルトの1回のパスでドラム表面の(幅方向の位置の)1点を通過する時間とパス回数との積とする。なお、前述の1回のパスでドラム表面の1点を通過する時間は、研磨ベルトの幅を、研磨ベルトのドラムの幅方向の移動速度で割った値とした。また、研磨ベルトの1回のパスとは、ドラムの周方向の表面を、ドラムの軸(幅)方向(電解銅箔の幅方向)の一方の端部からもう一方の端部まで1回研磨ベルトで研磨することを意味する。すなわち研磨時間は以下の式で表される。
研磨時間(分)=1パス当たりの研磨ベルトの幅(cm/回)/研磨ベルトの移動速度(cm/分)×パス回数(回)
これまで電解銅箔の製造においては、研磨時間は1.6〜3分としていたが、本発明では3.5〜10分、また、本発明において研磨時にドラム表面を水で濡らす場合は6〜10分とする。上記研磨時間の算出の例として、例えば10cmの幅の研磨ベルトで移動速度を20cm/分としたとき、ドラム表面の1点の1パスの研磨時間は0.5分となる。これにトータルのパス回数を掛けることで算出される(例えば0.5分×10パス=5分)。研磨ベルトの番手を大きくすること、および/または、ドラム表面の回転速度を高くすること、および/または、研磨時間を長くすること、および/または、研磨時にドラム表面を水でぬらすこと、によりドラム表面の面粗さSaおよびドラム表面の2乗平均平方根高さSqを小さくすることができる。また、研磨ベルトの番手を小さくすること、および/または、ドラム表面の回転速度を低くすること、および/または、研磨時間を短くすること、および/または、研磨時にドラム表面を乾燥させること、によりドラム表面の面粗さSaおよびドラム表面の2乗平均平方根高さSqを大きくすることができる。なお、研磨時間を長くすることで、面粗さSaを小さくするとともに、Saが小さくなる程度よりも大きな程度で2乗平均平方根高さSqを小さくすることが出来る。また、研磨時間を短くすることで、面粗さSaを大きくするとともに、面粗さSaが大きくなる程度よりも大きな程度で2乗平均平方根高さSqを大きくすることが出来る。なお、前述の研磨ベルトの番手は、研磨ベルトに使用されている研磨材の粒度を意味する。そして、当該研磨材の粒度はFEPA(Federation of European Producers of Abrasives)−standard 43−1:2006、43−2:2006に準拠している。
The electrolytic drum used at this time has a surface roughness Sa of the drum surface of 0.270 μm or less, preferably 0.15 μm or less. Further, the root mean square height Sq of the drum surface is 0.315 μm or less, preferably 0.20 μm or less. In the electrolytic drum having the surface roughness Sa or the root mean square height Sq on the surface, first, the surface of a titanium or stainless steel drum is polished by a polishing belt having a count of 300 (P300) to 500 (P500). . At this time, the polishing belt is wound by a predetermined width in the drum width direction, and polishing is performed by rotating the drum while moving the polishing belt in the drum width direction at a predetermined speed. The rotation speed of the drum surface during the polishing is 130 to 190 m / min. The polishing time is the product of the time required to pass one point (position in the width direction) on the drum surface and the number of passes in one pass of the polishing belt. The time for passing one point on the drum surface in one pass described above was a value obtained by dividing the width of the polishing belt by the moving speed of the polishing belt in the width direction of the drum. The single pass of the polishing belt means that the surface of the drum in the circumferential direction is polished once from one end in the drum axis (width) direction (width direction of the electrolytic copper foil) to the other end. It means polishing with a belt. That is, the polishing time is expressed by the following formula.
Polishing time (minutes) = width of polishing belt per pass (cm / time) / moving speed of polishing belt (cm / minute) × number of passes (times)
So far, in the production of electrolytic copper foil, the polishing time has been 1.6 to 3 minutes, but in the present invention it is 3.5 to 10 minutes, and in the present invention, 6 to 6 when the drum surface is wet with water during polishing. 10 minutes. As an example of calculation of the polishing time, for example, when a moving speed is set to 20 cm / min with a polishing belt having a width of 10 cm, the polishing time for one pass at one point on the drum surface is 0.5 minutes. This is calculated by multiplying the total number of passes (for example, 0.5 minutes × 10 passes = 5 minutes). Drum by increasing the count of the polishing belt and / or increasing the rotational speed of the drum surface and / or increasing the polishing time and / or wetting the drum surface with water during polishing The surface roughness Sa of the surface and the root mean square height Sq of the drum surface can be reduced. Also, by reducing the count of the polishing belt and / or decreasing the rotation speed of the drum surface and / or shortening the polishing time and / or drying the drum surface during polishing The surface roughness Sa of the drum surface and the root mean square height Sq of the drum surface can be increased. Note that by increasing the polishing time, the surface roughness Sa can be reduced, and the root mean square height Sq can be reduced to a greater extent than Sa can be reduced. Further, by shortening the polishing time, the surface roughness Sa can be increased, and the root mean square height Sq can be increased to a greater extent than the extent that the surface roughness Sa is increased. The count of the above-described abrasive belt means the particle size of the abrasive used in the abrasive belt. And the particle size of the said abrasives is based on FEPA (Federation of European Producers of Abbreviations) -standard 43-1: 2006, 43-2: 2006.

また、研磨時にドラム表面を水でぬらすことにより、2乗平均平方根高さSqを小さくするとともに、2乗平均平方根高さSqが小さくなる程度よりも大きな程度で面粗さSaを小さくすることが出来る。また、研磨時にドラム表面を乾燥させることで、2乗平均平方根高さSqを大きくするとともに、2乗平均平方根高さSqが大きくなる程度よりも大きな程度で面粗さSaを大きくすることが出来る。
このようにして、光沢面の面粗さSaが0.270μm以下、好ましくは0.150μm以下、および/または2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下、好ましくは0.200μm以下である電解銅箔を作製することができる。
また、光沢面の面粗さSaが0.270μm以下、好ましくは0.150μm以下、および/または2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下、好ましくは0.200μm以下である電解銅箔の光沢面側に後述する粗化処理または表面処理を行うことにより光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の面粗さSaが0.470μm以下、好ましくは0.380μm以下、および/または、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqを0.550μm以下、好ましくは0.490μm以下である電解銅箔を作製することができる。
In addition, when the surface of the drum is wetted with water, the root mean square height Sq can be reduced, and the surface roughness Sa can be reduced to a greater extent than the extent that the root mean square height Sq is reduced. I can do it. Further, by drying the drum surface during polishing, the root mean square height Sq can be increased, and the surface roughness Sa can be increased to a greater extent than the extent that the root mean square height Sq is increased. .
In this way, electrolysis in which the surface roughness Sa of the glossy surface is 0.270 μm or less, preferably 0.150 μm or less, and / or the root mean square height Sq is 0.315 μm or less, preferably 0.200 μm or less. Copper foil can be produced.
Moreover, the surface roughness Sa of the glossy surface is 0.270 μm or less, preferably 0.150 μm or less, and / or the root mean square height Sq is 0.315 μm or less, preferably 0.200 μm or less. By carrying out the roughening treatment or surface treatment described later on the glossy surface side, the glossy surface side has a roughening treatment layer, and the surface roughness Sa of the glossy surface is 0.470 μm or less, preferably 0.380 μm or less, and Or, an electrolytic copper foil having a root mean square height Sq of the glossy surface of 0.550 μm or less, preferably 0.490 μm or less can be produced.

なお、電解ドラム表面の面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSqは以下の様にして測定することができる。
・樹脂フィルム(ポリ塩化ビニル)を溶剤(アセトン)に浸漬させることで膨潤させる。
・上記膨潤させた樹脂フィルムを電解ドラム表面に接触させ、樹脂フィルムからアセトンが揮発した後に樹脂フィルムを剥離し、電解ドラム表面のレプリカを採取する。
・当該レプリカをレーザー顕微鏡で測定し、面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSqの値を測定する。
そして、得られたレプリカの面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSqの値を電解ドラム表面の面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSqとした。
The surface roughness Sa and the root mean square height Sq of the electrolytic drum surface can be measured as follows.
-A resin film (polyvinyl chloride) is swollen by immersing it in a solvent (acetone).
-The swollen resin film is brought into contact with the surface of the electrolytic drum. After the acetone is volatilized from the resin film, the resin film is peeled off, and a replica of the electrolytic drum surface is collected.
The replica is measured with a laser microscope, and the surface roughness Sa and the root mean square height Sq are measured.
Then, the surface roughness Sa and the root mean square height Sq of the obtained replica were set as the surface roughness Sa and the root mean square height Sq of the surface of the electrolytic drum.

<粗化処理およびその他の表面処理>
電解銅箔の光沢面、及び、光沢面と反対側の面の一方又は両方には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良く、針状、棒状または粒子状の粗化粒子を形成することにより行ってもよい。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、電解銅箔の表面に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
<Roughening treatment and other surface treatment>
One or both of the glossy surface of the electrolytic copper foil and the surface opposite to the glossy surface is subjected to a roughening treatment, for example, to improve the adhesion to the insulating substrate, etc. May be provided. The roughening treatment can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughening treatment may be fine, or may be performed by forming needle-like, rod-like or particle-like roughened particles. The roughening treatment layer is a layer made of any single element selected from the group consisting of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, iron, vanadium, cobalt, and zinc, or an alloy containing at least one of them. It may be. Moreover, after forming the roughened particles with copper or a copper alloy, a roughening treatment can be performed in which secondary particles or tertiary particles are further formed of nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy. Thereafter, a heat-resistant layer or a rust-preventing layer may be formed of nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy, and the surface thereof may be further subjected to a treatment such as a chromate treatment or a silane coupling treatment. Alternatively, a heat-resistant layer or a rust-preventing layer may be formed from nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy without roughening, and the surface may be subjected to a treatment such as chromate treatment or silane coupling treatment. Good. That is, one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust-preventing layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the roughening treatment layer. Further, one or more layers selected from the group consisting of a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed. In addition, the above-mentioned heat-resistant layer, rust prevention layer, chromate treatment layer, and silane coupling treatment layer may each be formed of a plurality of layers (for example, 2 layers or more, 3 layers or more, etc.).

また、粗化処理層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて形成することができる。粗化処理層は粉落ち防止、ピール強度向上のため硫酸・硫酸銅からなる電解浴でかぶせメッキを行う事が望ましい。   The roughening treatment layer can be formed by using an electrolytic bath made of sulfuric acid / copper sulfate containing at least one kind of a material selected from alkyl sulfate salts, tungsten ions, and arsenic ions. The roughened layer is preferably plated with an electrolytic bath made of sulfuric acid / copper sulfate to prevent powder falling and improve peel strength.

具体的な処理条件は、次の通りである。
(液組成1)
CuSO4・5H2O:39.3〜118g/L
Cu:10〜30g/L
2SO4:10〜150g/L
Na2WO4・2H2O:0〜90mg/L
W:0〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム:0〜50mg
3AsO3(60%水溶液):0〜6315mg/L
As:0〜2000mg/L
Specific processing conditions are as follows.
(Liquid composition 1)
CuSO 4 .5H 2 O: 39.3 to 118 g / L
Cu: 10-30 g / L
H 2 SO 4: 10~150g / L
Na 2 WO 4 .2H 2 O: 0 to 90 mg / L
W: 0 to 50 mg / L
Sodium dodecyl sulfate: 0-50mg
H 3 AsO 3 (60% aqueous solution): 0-6315 mg / L
As: 0 to 2000 mg / L

(電気めっき条件1)
温度:30〜70℃
(電流条件1)
電流密度:25〜110A/dm2
粗化クーロン量:50〜500As/dm2
めっき時間:0.5〜20秒
(液組成2)
CuSO4・5H2O:78〜314g/L
Cu:20〜80g/L
2SO4:50〜200g/L
(電気めっき条件2)
温度: 30〜70℃
(電流条件2)
電流密度:5〜50A/dm2
粗化クーロン量:50〜300As/dm2
めっき時間:1〜60秒
(Electroplating condition 1)
Temperature: 30-70 ° C
(Current condition 1)
Current density: 25 to 110 A / dm 2
Roughening coulomb amount: 50 to 500 As / dm 2
Plating time: 0.5 to 20 seconds (Liquid composition 2)
CuSO 4 .5H 2 O: 78 to 314 g / L
Cu: 20-80 g / L
H 2 SO 4 : 50 to 200 g / L
(Electroplating condition 2)
Temperature: 30-70 ° C
(Current condition 2)
Current density: 5 to 50 A / dm 2
Roughening coulomb amount: 50 to 300 As / dm 2
Plating time: 1 to 60 seconds

また、粗化処理層としての銅−コバルト−ニッケル合金めっき層は、電解めっきにより、付着量が15〜40mg/dm2の銅−100〜3000μg/dm2のコバルト−100〜1500μg/dm2のニッケルであるような3元系合金層を形成するように実施することができる。Co付着量が100μg/dm2未満では、耐熱性が悪化し、エッチング性が悪くなることがある。Co付着量が3000μg/dm2を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化がすることがある。Ni付着量が100μg/dm2未満であると、耐熱性が悪くなることがある。他方、Ni付着量が1500μg/dm2を超えると、エッチング残が多くなることがある。好ましいCo付着量は1000〜2500μg/dm2であり、好ましいニッケル付着量は500〜1200μg/dm2である。ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Coが溶解せずに残ってしまうことを意味しそしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Niが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。 Also, copper as a roughened layer - cobalt - nickel alloy plated layer by electrolytic plating, deposition amount of 15~40mg / dm 2 of copper -100~3000μg / dm 2 of cobalt -100~1500μg / dm 2 A ternary alloy layer such as nickel can be formed. If the amount of deposited Co is less than 100 μg / dm 2 , the heat resistance may deteriorate and the etching property may deteriorate. If the amount of Co adhesion exceeds 3000 μg / dm 2 , it is not preferable when the influence of magnetism must be taken into account, etching spots may occur, and acid resistance and chemical resistance may deteriorate. If the Ni adhesion amount is less than 100 μg / dm 2 , the heat resistance may deteriorate. On the other hand, when the Ni adhesion amount exceeds 1500 μg / dm 2 , the etching residue may increase. A preferable Co adhesion amount is 1000 to 2500 μg / dm 2 , and a preferable nickel adhesion amount is 500 to 1200 μg / dm 2 . Here, the etching stain means that Co remains without being dissolved when etched with copper chloride, and the etching residue means that Ni remains without being dissolved when alkaline etching is performed with ammonium chloride. It means that.

このような3元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件の一例は次の通りである:
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度:20〜30A/dm2
めっき時間:1〜5秒
このような3元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件の別の例は次の通りである:
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度:30〜45A/dm2
めっき時間:0.1〜2.0秒
なお、上述の粗化処理層を形成する処理において、めっき時間を短くすることで、光沢面側に粗化処理層を有する電解銅箔の、前記光沢面の面粗さSa、および/または、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqを小さくすることが出来る。また、上述の粗化処理層を形成する処理において、めっき時間を長くすることで、光沢面側に粗化処理層を有する電解銅箔の、前記光沢面の面粗さSa、および/または、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqを大きくすることが出来る。
また、上述の粗化処理層を形成する処理において、電流密度を高くかつめっき時間を非常に短くすることで、光沢面側に粗化処理層を有する電解銅箔の、前記光沢面の面粗さSa、および/または、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqをより小さくすることが出来る。また、上述の粗化処理層を形成する処理において、電流密度を高くかつめっき時間を長くすることで、光沢面側に粗化処理層を有する電解銅箔の、前記光沢面の面粗さSa、および/または、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqをより大きくすることが出来る。
An example of a plating bath and plating conditions for forming such a ternary copper-cobalt-nickel alloy plating is as follows:
Plating bath composition: Cu 10-20 g / L, Co 1-10 g / L, Ni 1-10 g / L
pH: 1-4
Temperature: 30-50 ° C
Current density: 20-30 A / dm 2
Plating time: 1 to 5 seconds Another example of the plating bath and plating conditions for forming such a ternary copper-cobalt-nickel alloy plating is as follows:
Plating bath composition: Cu 10-20 g / L, Co 1-10 g / L, Ni 1-10 g / L
pH: 1-4
Temperature: 30-50 ° C
Current density: 30 to 45 A / dm 2
Plating time: 0.1-2.0 seconds In addition, in the process which forms the above-mentioned roughening process layer, the said gloss of the electrolytic copper foil which has a roughening process layer in a glossy surface side by shortening plating time. The surface roughness Sa of the surface and / or the root mean square height Sq of the glossy surface can be reduced. Further, in the treatment for forming the roughening treatment layer, by increasing the plating time, the surface roughness Sa of the glossy surface of the electrolytic copper foil having the roughening treatment layer on the glossy surface side, and / or The root mean square height Sq of the glossy surface can be increased.
Further, in the treatment for forming the roughened layer, the surface roughness of the glossy surface of the electrolytic copper foil having the roughened layer on the glossy surface side can be increased by increasing the current density and significantly shortening the plating time. Sa and / or the root mean square height Sq of the glossy surface can be further reduced. Further, in the treatment for forming the roughening treatment layer described above, the surface roughness Sa of the glossy surface of the electrolytic copper foil having the roughening treatment layer on the glossy surface side by increasing the current density and increasing the plating time. And / or the root mean square height Sq of the glossy surface can be further increased.

本発明の電解銅箔は、光沢面、及び、光沢面と反対側の面の一方又は両方の上に、粗化処理層を備えても良く、粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群のから選択された層を一つ以上備えても良い。また、電解銅箔上に粗化処理層を備えても良く、粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。   The electrolytic copper foil of the present invention may be provided with a roughening treatment layer on one or both of the glossy surface and the surface opposite to the glossy surface. One or more layers selected from the group consisting of a layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be provided. In addition, a roughened layer may be provided on the electrolytic copper foil, a heat-resistant layer and a rust-proof layer may be provided on the roughened layer, and a chromate-treated layer may be provided on the heat-resistant layer and the rust-proof layer. Alternatively, a silane coupling treatment layer may be provided on the chromate treatment layer.

本発明の電解銅箔は、光沢面、及び、光沢面と反対側の面の一方又は両方、あるいは粗化処理層上、あるいは耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。   The electrolytic copper foil of the present invention has a glossy surface and / or a surface opposite to the glossy surface, or a roughened layer, a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a chromate-treated layer, or a silane coupling treatment. A resin layer may be provided on the layer. The resin layer may be an insulating resin layer.

また、耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることができる。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層は銅−亜鉛合金層、亜鉛−ニッケル合金層、ニッケル−コバルト合金層、銅−ニッケル合金層、クロム−亜鉛合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%〜99wt%、亜鉛を50wt%〜1wt%含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5〜1000mg/m2、好ましくは10〜500mg/m2、好ましくは20〜100mg/m2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5〜10であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2〜500mg/m2であることが好ましく、1mg/m2〜50mg/m2であることがより好ましい。 Moreover, a well-known heat resistant layer and a rust preventive layer can be used as a heat resistant layer and a rust preventive layer. For example, the heat-resistant layer and / or the anticorrosive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, tantalum A layer containing one or more elements selected from nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements Further, it may be a metal layer or an alloy layer made of one or more elements selected from the group consisting of iron, tantalum and the like. The heat-resistant layer and / or rust preventive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum. An oxide, nitride, or silicide containing one or more elements selected from the above may be included. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a copper-zinc alloy layer, a zinc-nickel alloy layer, a nickel-cobalt alloy layer, a copper-nickel alloy layer, or a chromium-zinc alloy layer. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% nickel and 50 wt% to 1 wt% zinc, excluding inevitable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2 , preferably 10 to 500 mg / m 2 , preferably 20 to 100 mg / m 2 . Further, the ratio of the nickel adhesion amount and the zinc adhesion amount of the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer (= nickel adhesion amount / zinc adhesion amount) is 1.5 to 10. It is preferable. Further, the nickel - in adhesion amount of nickel in the zinc alloy layer is preferably from 0.5mg / m 2 ~500mg / m 2 , 1mg / m 2 ~50mg / m 2 - zinc alloy layer or the nickel containing More preferably.

例えば耐熱層および/または防錆層は、付着量が1mg/m2〜100mg/m2、好ましくは5mg/m2〜50mg/m2のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が1mg/m2〜80mg/m2、好ましくは5mg/m2〜40mg/m2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および/または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が2mg/m2〜150mg/m2であることが好ましく、10mg/m2〜70mg/m2であることがより好ましい。また、耐熱層および/または防錆層は、[ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量]/[スズ付着量]=0.25〜10であることが好ましく、0.33〜3であることがより好ましい。 For example heat-resistant layer and / or anticorrosive layer has coating weight of 1 mg / m 2 -100 mg / m 2, preferably from 5 mg / m 2 and to 50 mg / m 2 of nickel or nickel alloy layer, the adhesion amount is 1 mg / m 2 to 80 mg / m 2, preferably it may be obtained by sequentially laminating a tin layer of 5mg / m 2 ~40mg / m 2 , wherein the nickel alloy layer of nickel - molybdenum, nickel - zinc, nickel - molybdenum - cobalt You may be comprised by any one of these. The heat-resistant layer and / or anticorrosive layer, it is preferably, 10mg / m 2 ~70mg / m 2 total deposition amount of nickel or nickel alloy and tin is 2mg / m 2 ~150mg / m 2 It is more preferable. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer is preferably [nickel or nickel adhesion amount in nickel or nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25 to 10, preferably 0.33 to 3. More preferred.

クロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。   The chromate treatment layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is any element such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) May be included). Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with chromic anhydride or a potassium dichromate aqueous solution, a chromate treatment layer treated with a treatment solution containing anhydrous chromic acid or potassium dichromate and zinc, and the like. .

シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、4‐グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐3‐(4‐(3‐アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。   As the silane coupling agent used for the silane coupling treatment, a known silane coupling agent may be used. For example, an amino silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, or a mercapto silane coupling agent may be used. Silane coupling agents include vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxylane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane, and γ-aminopropyl. Triethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane or the like may be used.

前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。   The silane coupling treatment layer may be formed using a silane coupling agent such as an epoxy silane, an amino silane, a methacryloxy silane, or a mercapto silane. In addition, you may use 2 or more types of such silane coupling agents in mixture. Especially, it is preferable to form using an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent.

ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、N‐(2‐アミノエチル)‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐(3‐アクリルオキシ‐2‐ヒドロキシプロピル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、4‐アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリス(2‐エチルヘキソキシ)シラン、6‐(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3‐(1‐アミノプロポキシ)‐3,3‐ジメチル‐1‐プロペニルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、ω‐アミノウンデシルトリメトキシシラン、3‐(2‐N‐ベンジルアミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、(N,N‐ジエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、(N,N‐ジメチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。   The amino silane coupling agent referred to here is N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N- (3 -Acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) Trimethoxysilane, N (2-Aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3- Dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltris (methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, 3- (2 -N-benzylaminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, (N, N- Dimethyl-3-aminopropyl) Limethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N -Β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane Good.

シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、0.05mg/m2〜200mg/m2、好ましくは0.15mg/m2〜20mg/m2、好ましくは0.3mg/m2〜2.0mg/m2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、樹脂基材と金属箔との密着性をより向上させることができる。 The silane coupling treatment layer is 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2 , preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2 , preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg in terms of silicon atoms. / M 2 is desirable. In the case of the above-mentioned range, the adhesiveness between the resin base material and the metal foil can be further improved.

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。   The resin layer may be an adhesive, or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage state) for bonding. The semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。   The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. The resin layer may include a thermoplastic resin. Although the type is not particularly limited, for example, a resin including an epoxy resin, a polyimide resin, a polyfunctional cyanate ester compound, a maleimide compound, a polyvinyl acetal resin, a urethane resin, and the like can be preferably used. .

前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体(無機化合物及び/または有機化合物を含む誘電体、金属酸化物を含む誘電体等どのような誘電体を用いてもよい)、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225号、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。   The resin layer may be made of any known dielectric such as a known resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric (dielectric including an inorganic compound and / or organic compound, dielectric including a metal oxide). May be included), a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton material, and the like. The resin layer may be, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP-A-11-140281, Patent 3184485, International Publication No. WO 97/02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-179772, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-359444, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-302068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Patent Laid-Open No. 2003 No. 249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-82687, Japanese Patent No. 4025177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent Application Laid-Open No. No. 5-53218, Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-257153, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-326923, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-11169, and Japanese Patent No. 5024930. No. WO2006 / 028207, Japanese Patent No. 4828427, JP 2009-67029, International Publication No. WO 2006/134868, Japanese Patent No. 5046927, JP 2009-173017, International Publication No. WO 2007/105635, Patent No. 5180815, International Publication Number WO2008 / 114858, International Publication Number WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication Number WO2009 / 001850, International Publication Number WO2009 / 145179, International Publication Number Nos. WO2011 / 068157, JP-A-2013-19056 (resins, resin curing agents, compounds, curing accelerators, dielectrics, reaction catalysts, crosslinking agents, polymers, prepregs, skeletal materials, etc.) and / or You may form using the formation method and formation apparatus of a resin layer.

これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン(MEK)、トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記電解銅箔上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート皮膜層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100〜250℃、好ましくは130〜200℃であればよい。   These resins are dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK) or toluene to obtain a resin solution, which is used on the electrolytic copper foil, the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate film layer, or the silane coupling. On the agent layer, it is applied by, for example, a roll coater method or the like, and then heated and dried as necessary to remove the solvent to obtain a B-stage state. For example, a hot air drying furnace may be used for drying, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C.

前記樹脂層を備えた電解銅箔は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめた後、所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。   The electrolytic copper foil provided with the resin layer is used in such a manner that a predetermined wiring pattern is formed after the resin layer is superposed on a substrate and the whole is thermocompression bonded to thermally cure the resin layer. The

この樹脂付き電解銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張り積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。   When this electrolytic copper foil with resin is used, the number of prepreg materials used at the time of manufacturing a multilayer printed wiring board can be reduced. In addition, the copper-clad laminate can be manufactured even if the resin layer is made thick enough to ensure interlayer insulation or no prepreg material is used. At this time, the surface smoothness can be further improved by undercoating the surface of the substrate with an insulating resin.

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。   In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous. Moreover, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is used. The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured.

この樹脂層の厚みは0.1〜80μmであることが好ましい。樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。   The thickness of this resin layer is preferably 0.1 to 80 μm. When the thickness of the resin layer is less than 0.1 μm, the adhesive strength is reduced, and when this copper foil with a carrier with a resin is laminated on a base material provided with an inner layer material without interposing a prepreg material, the circuit of the inner layer material It may be difficult to ensure interlayer insulation between the two.

一方、樹脂層の厚みを80μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。   On the other hand, if the thickness of the resin layer is greater than 80 μm, it is difficult to form a resin layer having a target thickness in a single coating process, which is economically disadvantageous because of extra material costs and man-hours. Furthermore, since the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks are likely to occur during handling, and excessive resin flow occurs during thermocompression bonding with the inner layer material, making smooth lamination difficult. There is.

更に、この樹脂付き電解銅箔のもう一つの製品形態としては、前記光沢面、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、樹脂付き電解銅箔の形で製造することも可能である。   Further, as another product form of the resin-coated electrolytic copper foil, a resin layer is coated on the glossy surface, the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate-treated layer, or the silane coupling-treated layer. And after making it into a semi-hardened state, it is also possible to manufacture in the form of electrolytic copper foil with resin.

更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板およびフレキシブルプリント配線板およびリジッドプリント配線板も含まれることとする。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係る電解銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
Furthermore, a printed circuit board is completed by mounting electronic components on the printed wiring board. In the present invention, the “printed wiring board” includes a printed wiring board, a printed circuit board, a printed board, a flexible printed wiring board, and a rigid printed wiring board on which electronic components are mounted in this manner.
In addition, an electronic device may be manufactured using the printed wiring board, an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic components are mounted, and a print on which the electronic components are mounted. An electronic device may be manufactured using a substrate. Below, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the electrolytic copper foil which concerns on this invention are shown.

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。   In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention, a copper-clad laminate is formed by laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to the present invention, and then a semi-additive method, a modified semi-additive method, A step of forming a circuit by any one of a partly additive method and a subtractive method is included. It is also possible for the insulating substrate to contain an inner layer circuit.

本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer, a pattern is formed, and then a conductive pattern is formed using electroplating and etching.

従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記電解銅箔をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, the step of laminating the electrolytic copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Removing all of the electrolytic copper foil by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the electrolytic copper foil by etching;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the resin and the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記電解銅箔と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記電解銅箔を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記電解銅箔をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, the step of laminating the electrolytic copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Providing a through hole or / and a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating resin substrate;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Removing all of the electrolytic copper foil by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Providing an electroless plating layer for the resin and the region including the through hole or / and the blind via exposed by removing the electrolytic copper foil by etching or the like;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記電解銅箔を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記電解銅箔をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, the step of laminating the electrolytic copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Providing a through hole or / and a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating resin substrate;
Removing all of the electrolytic copper foil by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the resin and the region including the through hole or / and the blind via exposed by removing the electrolytic copper foil by etching or the like;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記電解銅箔をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び電解銅箔をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, the step of laminating the electrolytic copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Removing all of the electrolytic copper foil by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the electrolytic copper foil by etching;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the electrolytic copper foil in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。   In the present invention, the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, and the copper is thickened in the circuit forming portion by electrolytic plating, and then the resist is removed. Then, a method of forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit forming portion by (flash) etching is indicated.

従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記電解銅箔にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した電解銅箔をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of laminating the electrolytic copper foil according to the present invention and an insulating substrate,
Providing a through hole or / and a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the electrolytic copper foil,
Forming a circuit by electrolytic plating after providing the plating resist;
Removing the plating resist;
Removing the electrolytic copper foil exposed by removing the plating resist by flash etching;
including.

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び電解銅箔をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of laminating the electrolytic copper foil according to the present invention and an insulating substrate,
Providing a plating resist on the electrolytic copper foil,
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the electrolytic copper foil in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。   In the present invention, the partial additive method means that a catalyst circuit is formed on a substrate provided with a conductor layer, and if necessary, a substrate provided with holes for through holes or via holes, and etched to form a conductor circuit. Then, after providing a solder resist or a plating resist as necessary, it refers to a method of manufacturing a printed wiring board by thickening through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.

従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記電解銅箔にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記電解銅箔および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記電解銅箔および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the partly additive method, a step of laminating the electrolytic copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Providing a through hole or / and a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Applying catalyst nuclei to the region containing the through-holes and / or blind vias;
Providing an etching resist on the electrolytic copper foil,
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the electrolytic copper foil and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
A step of providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the electrolytic copper foil and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid;
Providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or plating resist is not provided,
including.

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the subtractive method refers to a method of forming a conductor pattern by selectively removing unnecessary portions of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like.

従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記電解銅箔の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記電解銅箔および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, the step of laminating the electrolytic copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Providing a through hole or / and a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer;
Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the electrolytic copper foil;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the electrolytic copper foil and the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されていない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記電解銅箔の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記電解銅箔および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, the step of laminating the electrolytic copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Providing a through hole or / and a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Forming a mask on the surface of the electroless plating layer;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer on which no mask is formed;
Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the electrolytic copper foil;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the electrolytic copper foil and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.

スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。   The process of providing a through hole or / and a blind via and the subsequent desmear process may not be performed.

以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。   The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these examples.

1.電解銅箔の作製
(実施例1〜14、比較例1)
チタン製の回転ドラム(電解ドラム)を準備した。次に、表1に記載の電解ドラム表面制御条件にて研磨し、所定の面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSqを有する電解ドラムとした。具体的には、当該電解ドラムの表面を、表1に記載の番手の研磨ベルトによって研磨した。このとき、研磨ベルトを、ドラムの幅方向において所定幅だけ巻き付け、研磨ベルトをドラムの幅方向へ移動させながら、ドラムを回転させることで研磨した。当該研磨時のドラム表面の回転速度を表1に示す。また、研磨時間は、研磨ベルトの幅と研磨ベルトの移動速度から1回のパスでドラム表面の1点を通過する時間とパス回数の積とした。ここで、研磨ベルトの1回のパスとは、回転ドラムの周方向の表面を、軸方向(電解銅箔の幅方向)の一方の端部からもう一方の端部まで1回研磨ベルトで研磨することを意味する。
すなわち研磨時間は以下の式で表される。
研磨時間(分)=1パス当たりの研磨ベルトの幅(cm/回)/研磨ベルトの移動速度(cm/分)×パス回数(回)
1. Preparation of electrolytic copper foil (Examples 1-14, Comparative Example 1)
A rotating drum (electrolytic drum) made of titanium was prepared. Next, polishing was performed under the electrolytic drum surface control conditions shown in Table 1 to obtain an electrolytic drum having a predetermined surface roughness Sa and root mean square height Sq. Specifically, the surface of the electrolytic drum was polished by a count polishing belt described in Table 1. At this time, the polishing belt was wound by a predetermined width in the drum width direction, and was polished by rotating the drum while moving the polishing belt in the drum width direction. Table 1 shows the rotational speed of the drum surface during the polishing. The polishing time was the product of the time required to pass one point on the drum surface in one pass and the number of passes based on the width of the polishing belt and the moving speed of the polishing belt. Here, a single pass of the polishing belt means that the circumferential surface of the rotating drum is polished by one polishing belt from one end in the axial direction (width direction of the electrolytic copper foil) to the other end. It means to do.
That is, the polishing time is expressed by the following formula.
Polishing time (minutes) = width of polishing belt per pass (cm / time) / moving speed of polishing belt (cm / minute) × number of passes (times)

次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を厚みが18μmとなるまで析出させた。
<電解条件>
電解液組成:Cu 50〜150g/L、H2SO4 60〜150g/L、
電流密度:30〜120A/dm2
電解液温度:50〜60度
添加物:塩素イオン 20〜80質量ppm、ニカワ 0.01〜5.0質量ppm
なお、実施例1、2、5、6、10〜12、比較例1においてはニカワ濃度を前述の範囲内で低目とした。
また、実施例3、4、7、8、9、13、14においてはニカワ濃度を前述の範囲内で高目とした。
Next, an electrode was placed in the electrolytic cell with the electrolytic drum and a predetermined inter-electrode distance around the drum. Next, electrolysis was performed in the electrolytic bath under the following conditions, and copper was deposited on the surface of the electrolytic drum until the thickness became 18 μm while rotating the electrolytic drum.
<Electrolysis conditions>
Electrolyte composition: Cu 50-150 g / L, H 2 SO 4 60-150 g / L,
Current density: 30 to 120 A / dm 2
Electrolyte temperature: 50-60 degrees Additive: Chlorine ion 20-80 mass ppm, Nika 0.01-5.0 mass ppm
In Examples 1, 2, 5, 6, 10 to 12, and Comparative Example 1, the glue concentration was low within the above range.
In Examples 3, 4, 7, 8, 9, 13, and 14, the glue concentration was set high within the aforementioned range.

次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、連続的に厚さ18μmの電解銅箔を製造した。   Next, the copper deposited on the surface of the rotating electrolytic drum was peeled off to continuously produce an electrolytic copper foil having a thickness of 18 μm.

実施例1〜4、10、比較例1ついては、上記のようにして作製した電解銅箔の電解ドラム側の表面(光沢面)に対し、さらに、以下の(1)〜(4)に示す表面処理をこの順で実施した。   For Examples 1 to 4, 10 and Comparative Example 1, the surfaces shown in the following (1) to (4) are further added to the surface (glossy surface) on the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil produced as described above. Processing was performed in this order.

(1)粗化処理
Cu、H2SO4、As、Wから成る、以下に記す銅粗化めっき浴を用いて粗化粒子を形成した。
(液組成1)
CuSO4・5H2O:39.3〜118g/L
Cu:10〜30g/L
2SO4:10〜150g/L
Na2WO4・2H2O:0〜90mg/L
W:0〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム:0〜50mg
3AsO3(60%水溶液):0〜6315mg/L
As:0〜2000mg/L
(1) Roughening treatment Roughened particles were formed using a copper roughening plating bath described below, consisting of Cu, H 2 SO 4 , As, and W.
(Liquid composition 1)
CuSO 4 .5H 2 O: 39.3 to 118 g / L
Cu: 10-30 g / L
H 2 SO 4: 10~150g / L
Na 2 WO 4 .2H 2 O: 0 to 90 mg / L
W: 0 to 50 mg / L
Sodium dodecyl sulfate: 0-50mg
H 3 AsO 3 (60% aqueous solution): 0-6315 mg / L
As: 0 to 2000 mg / L

(電気めっき条件1)
温度:30〜70℃
(電流条件1)
電流密度:25〜110A/dm2
粗化クーロン量:50〜500As/dm2
めっき時間:0.5〜20秒
(液組成2)
CuSO4・5H2O:78〜314g/L
Cu:20〜80g/L
2SO4:50〜200g/L
(電気めっき条件2)
温度: 30〜70℃
(電流条件2)
電流密度:5〜50A/dm2
粗化クーロン量:50〜300As/dm2
めっき時間:1〜60秒
(Electroplating condition 1)
Temperature: 30-70 ° C
(Current condition 1)
Current density: 25 to 110 A / dm 2
Roughening coulomb amount: 50 to 500 As / dm 2
Plating time: 0.5 to 20 seconds (Liquid composition 2)
CuSO 4 .5H 2 O: 78 to 314 g / L
Cu: 20-80 g / L
H 2 SO 4 : 50 to 200 g / L
(Electroplating condition 2)
Temperature: 30-70 ° C
(Current condition 2)
Current density: 5 to 50 A / dm 2
Roughening coulomb amount: 50 to 300 As / dm 2
Plating time: 1 to 60 seconds

(2)バリヤー処理(耐熱処理)
ニッケル亜鉛合金めっき
(液組成)
Ni 13g/L
Zn 5g/L
pH 2
(電気メッキ条件)
温度 40℃
電流密度 8A/dm2
(2) Barrier treatment (heat-resistant treatment)
Nickel zinc alloy plating (liquid composition)
Ni 13g / L
Zn 5g / L
pH 2
(Electroplating conditions)
Temperature 40 ℃
Current density 8A / dm 2

(3)クロメート処理
亜鉛クロメート処理
(液組成)
CrO3 2.5g/L
Zn 0.7g/L
Na2SO4 10g/L
pH 4.8
(亜鉛クロメート条件)
温度 54℃
電流密度 0.7As/dm2
(3) Chromate treatment Zinc chromate treatment (liquid composition)
CrO 3 2.5g / L
Zn 0.7g / L
Na 2 SO 4 10 g / L
pH 4.8
(Zinc chromate condition)
Temperature 54 ° C
Current density 0.7 As / dm 2

(4)シランカップリング処理
(液組成)
テトラエトキシシラン含有量 0.4vol%
pH 7.5
塗布方法 溶液の噴霧
(4) Silane coupling treatment (liquid composition)
Tetraethoxysilane content 0.4 vol%
pH 7.5
Application method Spraying solution

実施例5〜8、14については、上記のようにして作製した電解銅箔の電解ドラム側の表面(光沢面)に対し、さらに、以下の(1)〜(5)に示す表面処理をこの順で実施した。   For Examples 5 to 8 and 14, the surface treatment shown in the following (1) to (5) is further applied to the surface (glossy surface) on the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil produced as described above. Conducted in order.

(1)粗化処理
3元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきの粗化処理粒子を形成するため以下のめっき浴及びめっき条件で粗化処理を行った。
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度:20〜30A/dm2
めっき時間:1〜5秒
(1) Roughening treatment Roughening treatment was performed in the following plating bath and plating conditions in order to form roughening particles of ternary copper-cobalt-nickel alloy plating.
Plating bath composition: Cu 10-20 g / L, Co 1-10 g / L, Ni 1-10 g / L
pH: 1-4
Temperature: 30-50 ° C
Current density: 20-30 A / dm 2
Plating time: 1-5 seconds

(2)耐熱処理
Co−Ni合金メッキを行った。Co−Ni合金メッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Co:1〜30g/L
Ni:1〜30g/L
pH:1.0〜3.5
(電解液温)
30〜80℃
(電流条件)
電流密度5.0A/dm2
めっき時間:0.1〜5秒
(2) Heat-resistant Co—Ni alloy plating was performed. Co-Ni alloy plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Co: 1-30 g / L
Ni: 1-30 g / L
pH: 1.0-3.5
(Electrolyte temperature)
30-80 ° C
(Current condition)
Current density 5.0A / dm 2
Plating time: 0.1 to 5 seconds

(3)防錆処理
亜鉛−ニッケル合金めっき
(液組成)
Ni 1〜15g/L
Zn 10〜40g/L
pH 3〜4
(電気メッキ条件)
温度 40〜55℃
電流密度 2〜5A/dm2
(3) Rust-proof zinc-nickel alloy plating (liquid composition)
Ni 1-15g / L
Zn 10-40g / L
pH 3-4
(Electroplating conditions)
Temperature 40-55 ° C
Current density 2-5A / dm 2

(4)クロメート処理
亜鉛クロメート処理
(液組成)
CrO3 2.5g/L
Zn 0.7g/L
Na2SO4 10g/L
pH 4.8
(亜鉛クロメート条件)
温度 54℃
電流密度 0.7As/dm2
(4) Chromate treatment Zinc chromate treatment (liquid composition)
CrO 3 2.5g / L
Zn 0.7g / L
Na 2 SO 4 10 g / L
pH 4.8
(Zinc chromate condition)
Temperature 54 ° C
Current density 0.7 As / dm 2

(5)シランカップリング処理
(液組成)
N‐(2‐アミノエチル)‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン含有量 0.4vol%
pH 7.5
塗布方法 溶液の噴霧
(5) Silane coupling treatment (liquid composition)
N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane content 0.4 vol%
pH 7.5
Application method Spraying solution

実施例9については、上記のようにして作製した電解銅箔の電解ドラム側の表面(光沢面)に対し、さらに、以下の(1)〜(3)に示す表面処理をこの順で実施した。   About Example 9, the surface treatment shown in the following (1) to (3) was further performed in this order on the surface (glossy surface) on the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil produced as described above. .

(1)バリヤー処理(耐熱処理)
ニッケル−亜鉛合金めっき
(液組成)
Ni 13g/L
Zn 5g/L
pH 2
(電気メッキ条件)
温度 40℃
電流密度 8A/dm2
(1) Barrier treatment (heat-resistant treatment)
Nickel-zinc alloy plating (liquid composition)
Ni 13g / L
Zn 5g / L
pH 2
(Electroplating conditions)
Temperature 40 ℃
Current density 8A / dm 2

(2)クロメート処理
亜鉛クロメート処理
(液組成)
CrO3 2.5g/L
Zn 0.7g/L
Na2SO4 10g/L
pH 4.8
(亜鉛クロメート条件)
温度 54℃
電流密度 0.7As/dm2
(2) Chromate treatment Zinc chromate treatment (liquid composition)
CrO 3 2.5g / L
Zn 0.7g / L
Na 2 SO 4 10 g / L
pH 4.8
(Zinc chromate condition)
Temperature 54 ° C
Current density 0.7 As / dm 2

(3)シランカップリング処理
(液組成)
テトラエトキシシラン含有量 0.4%
pH 7.5
塗布方法 溶液の噴霧
(3) Silane coupling treatment (liquid composition)
Tetraethoxysilane content 0.4%
pH 7.5
Application method Spraying solution

上述の表面処理の後、更に下記の条件で銅箔の表面処理層の表面に樹脂層の形成を行った。
(樹脂合成例)
ステンレス製の碇型攪拌棒、窒素導入管とストップコックのついたトラップ上に、玉付冷却管を取り付けた還流冷却器を取り付けた2リットルの三つ口フラスコに、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物117.68g(400mmol)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン87.7g(300mmol)、γ-バレロラクトン4.0g(40mmol)、ピリジン4.8g(60mmol)、N-メチル-2-ピロリドン(以下NMPと記す)300g、トルエン20gを加え、180℃で1時間加熱した後室温付近まで冷却した後、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.42g(100mmol)、2,2-ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}プロパン82.12g(200mmol)、NMP200g、トルエン40gを加え、室温で1時間混合後、180℃で3時間加熱して、固形分38%のブロック共重合ポリイミドを得た。このブロック共重合ポリイミドは、下記に示す一般式(1):一般式(2)=3:2であり、数平均分子量:70000、重量平均分子量:150000であった。
After the surface treatment described above, a resin layer was formed on the surface of the copper foil surface treatment layer under the following conditions.
(Resin synthesis example)
To a 2-liter three-necked flask equipped with a stainless steel vertical stirring bar, a trap equipped with a nitrogen inlet tube and a stopcock, and a reflux condenser equipped with a ball cooling tube, 3,4, 3 ', 117.68 g (400 mmol) of 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 87.7 g (300 mmol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4.0 g (40 mmol) of γ-valerolactone, 4. 8 g (60 mmol), N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) 300 g, and toluene 20 g were added, heated at 180 ° C. for 1 hour, cooled to near room temperature, then 3, 4, 3 ′, 4′- Add 29.42 g (100 mmol) of biphenyltetracarboxylic dianhydride, 82.12 g (200 mmol) of 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 200 g of NMP, and 40 g of toluene. After 1 hour mixing at room temperature, and heated for 3 hours at 180 ° C., to obtain a 38% solids polyimide block copolymer. The block copolymerized polyimide had the following general formula (1): general formula (2) = 3: 2, number average molecular weight: 70000, and weight average molecular weight: 150,000.

合成例で得られたブロック共重合ポリイミド溶液をNMPで更に希釈し、固形分10%のブロック共重合ポリイミド溶液とした。このブロック共重合ポリイミド溶液にビス(4-マレイミドフェニル)メタン(BMI-H、ケイ・アイ化成)を固形分重量比率35、ブロック共重合ポリイミドの固形分重量比率65として(即ち、樹脂溶液に含まれるビス(4-マレイミドフェニル)メタン固形分重量:樹脂溶液に含まれるブロック共重合ポリイミド固形分重量=35:65)60℃、20分間溶解混合して樹脂溶液とした。その後、実施例9では銅箔の表面処理層の表面に、リバースロール塗工機を用いて前記樹脂溶液を塗工し、窒素雰囲気下で、120℃で3分間、160℃で3分間乾燥処理後、最後に300℃で2分間加熱処理を行い、樹脂層を備える銅箔を作製した。なお、樹脂層の厚みは2μmとした。   The block copolymerized polyimide solution obtained in the synthesis example was further diluted with NMP to obtain a block copolymerized polyimide solution having a solid content of 10%. In this block copolymerized polyimide solution, bis (4-maleimidophenyl) methane (BMI-H, Silica Chemical) is contained in a solid content weight ratio of 35 and a solid content weight ratio of block copolymer polyimide of 65 (that is, included in the resin solution). Bis (4-maleimidophenyl) methane solid content weight: block copolymerized polyimide solid content weight contained in resin solution = 35: 65) A resin solution was prepared by dissolving and mixing at 60 ° C. for 20 minutes. Thereafter, in Example 9, the surface of the copper foil surface treatment layer was coated with the resin solution using a reverse roll coater, and dried at 120 ° C. for 3 minutes and at 160 ° C. for 3 minutes in a nitrogen atmosphere. Then, finally, heat treatment was performed at 300 ° C. for 2 minutes to produce a copper foil provided with a resin layer. The thickness of the resin layer was 2 μm.

実施例11〜13については、上記のようにして作製した電解銅箔の電解ドラム側の表面(光沢面)に対し、さらに、以下の(1)に示す粗化処理を行った後に、実施例5の(2)〜(5)の表面処理をこの順で実施した。   About Examples 11-13, after performing the roughening process shown to the following (1) with respect to the surface (glossy surface) of the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil produced as mentioned above, Example 5 (2) to (5) were surface treated in this order.

(1)粗化処理
3元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきの粗化処理粒子を形成するため以下のめっき浴及びめっき条件で粗化処理を行った。
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度:30〜45A/dm2
めっき時間:0.1〜1.5秒
(1) Roughening treatment Roughening treatment was performed in the following plating bath and plating conditions in order to form roughening particles of ternary copper-cobalt-nickel alloy plating.
Plating bath composition: Cu 10-20 g / L, Co 1-10 g / L, Ni 1-10 g / L
pH: 1-4
Temperature: 30-50 ° C
Current density: 30 to 45 A / dm 2
Plating time: 0.1 to 1.5 seconds

2.電解銅箔の評価
<光沢面の面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSq>
表面処理前(すなわち粗化処理層を有さない)の電解銅箔の光沢面および表面処理後の電解銅箔の光沢面に対し、ISO−25178−2:2012に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡OLS4100(LEXT OLS 4100)にて、面粗さSaおよび2乗平均平方根高さを測定した。このとき、レーザー顕微鏡における対物レンズ50倍を使用して200μm×1000μm面積(具体的には200000μm2)の測定を3か所行い、面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSqを算出した。3か所で得られた面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSqの算術平均値をそれぞれ面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSqの値とした。なおレーザー顕微鏡測定において、測定結果の測定面が平面でない、曲面になった場合は、平面補正を行った後に、面粗さSaおよび2乗平均平方根高さSqを算出した。なお、レーザー顕微鏡による面粗さSaの測定環境温度は23〜25℃とした。
2. Evaluation of electrolytic copper foil <Glossy surface roughness Sa and root mean square height Sq>
For the glossy surface of the electrolytic copper foil before the surface treatment (that is, having no roughened layer) and the glossy surface of the electrolytic copper foil after the surface treatment, manufactured by Olympus Corporation in accordance with ISO-25178-2: 2012 Surface roughness Sa and root mean square height were measured with a laser microscope OLS4100 (LEXT OLS 4100). At this time, measurement of 200 μm × 1000 μm area (specifically 200,000 μm 2 ) was performed at three locations using an objective lens 50 times in a laser microscope, and surface roughness Sa and root mean square height Sq were calculated. The arithmetic average values of the surface roughness Sa and the root mean square height Sq obtained at three locations were taken as the values of the surface roughness Sa and the root mean square height Sq, respectively. In the laser microscope measurement, when the measurement surface of the measurement result is not a flat surface but a curved surface, the surface roughness Sa and the root mean square height Sq were calculated after performing plane correction. In addition, the measurement environmental temperature of surface roughness Sa by a laser microscope was 23-25 degreeC.

<常温抗張力、高温抗張力>
電解銅箔の常温抗張力及び高温抗張力は、IPC−TM−650に準じて測定した。
<Normal temperature tensile strength, high temperature tensile strength>
The normal temperature tensile strength and high temperature tensile strength of the electrolytic copper foil were measured according to IPC-TM-650.

<常温伸び、高温伸び>
電解銅箔の常温伸び及び高温伸びは、IPC−TM−650に準じて測定した。なお、上述の通り「高温抗張力」とは、180℃での抗張力を示す。また、「高温伸び」とは、180℃での伸びを示す。
<Normal temperature elongation, high temperature elongation>
The normal temperature elongation and high temperature elongation of the electrolytic copper foil were measured according to IPC-TM-650. As described above, “high temperature tensile strength” refers to tensile strength at 180 ° C. “High temperature elongation” indicates elongation at 180 ° C.

<回路形成性>
表面処理後の電解銅箔を、それぞれ光沢面側から熱圧着によりビスマレイミドトリアジン樹脂プリプレグに貼り合わせた。その後、当該プリプレグに貼り合せた電解銅箔を、プリプレグと貼り合せた側とは反対側から厚みが9μmとなるまでエッチングした。そして、エッチングをした後の電解銅箔表面にエッチングレジストを設けた後に露光、現像を行ってレジストパターンを形成した後に、塩化第二鉄でエッチングを行い、L/S=25μm/25μm、L/S=22μm/22μm、L/S=20μm/20μm、及び、L/S=15μm/15μmで長さ1mmの配線をそれぞれ20本形成した。続いて、回路上面から見た回路下端幅の最大値と最小値の差(μm)を測定し、5箇所を測定した平均値とした。最大値と最小値の差が2μm以下であれば、良好な回路直線性を有すると判断し、◎とした。また、当該最大値と最小値の差が2μm超え且つ4μm以下のとき、〇とした。また、当該最大値と最小値の差が4μm超えのとき、×とした。
試験条件及び試験結果を表2に示す。また、図1(a)は実施例2の電解銅箔の光沢面のSEM像である。図1(b)は実施例10の電解銅箔の光沢面のSEM像である。
<Circuit formability>
The surface-treated electrolytic copper foil was bonded to a bismaleimide triazine resin prepreg by thermocompression bonding from the glossy surface side. Thereafter, the electrolytic copper foil bonded to the prepreg was etched from the side opposite to the side bonded to the prepreg until the thickness became 9 μm. Then, after an etching resist is provided on the surface of the electrolytic copper foil after etching, exposure and development are performed to form a resist pattern, and then etching is performed with ferric chloride. L / S = 25 μm / 25 μm, L / S Twenty wires each having a length of 1 mm were formed with S = 22 μm / 22 μm, L / S = 20 μm / 20 μm, and L / S = 15 μm / 15 μm. Subsequently, the difference (μm) between the maximum value and the minimum value of the circuit lower end width viewed from the circuit upper surface was measured, and the average value was measured at five locations. If the difference between the maximum value and the minimum value was 2 μm or less, it was judged that the circuit had good circuit linearity, and it was marked ◎. In addition, when the difference between the maximum value and the minimum value is more than 2 μm and not more than 4 μm, it is marked as ◯. Moreover, when the difference between the maximum value and the minimum value exceeded 4 μm, it was marked as x.
Test conditions and test results are shown in Table 2. 1A is an SEM image of the glossy surface of the electrolytic copper foil of Example 2. FIG. FIG. 1B is an SEM image of the glossy surface of the electrolytic copper foil of Example 10.

<評価結果>
実施例1〜14は、いずれも粗化処理層を有さない電解銅箔の光沢面の面粗さSaが0.270μm以下および2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下であり、また、粗化処理層を有する電解銅箔の光沢面の面粗さSaが0.470μm以下および2乗平均平方根高さSqが0.550μm以下であり回路形成性が良好であった。
比較例1は、粗化処理層を有さない電解銅箔の光沢面の面粗さSaが0.270μmを超えており、および、2乗平均平方根高さSqが0.315μmを超えており、また、粗化処理層を有する電解銅箔の光沢面の面粗さSaが0.470μmを超えており、および、2乗平均平方根高さSqが0.550μmを超えており回路形成性が不良であった。
<Evaluation results>
In Examples 1 to 14, the glossy surface roughness Sa of the electrolytic copper foil having no roughening treatment layer is 0.270 μm or less and the root mean square height Sq is 0.315 μm or less. The surface roughness Sa of the glossy surface of the electrolytic copper foil having the roughened layer was 0.470 μm or less, and the root mean square height Sq was 0.550 μm or less, and the circuit formation was good.
In Comparative Example 1, the surface roughness Sa of the glossy surface of the electrolytic copper foil having no roughening treatment layer exceeds 0.270 μm, and the root mean square height Sq exceeds 0.315 μm. Further, the surface roughness Sa of the glossy surface of the electrolytic copper foil having the roughened layer exceeds 0.470 μm, and the root mean square height Sq exceeds 0.550 μm. It was bad.

Claims (44)

光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下である電解銅箔。   The electrolytic copper foil which does not have a roughening process layer in a glossy surface side, and whose root mean square height Sq of the said glossy surface is 0.315 micrometer or less. 前記光沢面の面粗さSaが0.150μm以下である請求項1に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to claim 1, wherein the glossy surface has a surface roughness Sa of 0.150 μm or less. 前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.200μm以下である請求項1又は2に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to claim 1 or 2, wherein a root mean square height Sq of the glossy surface is 0.200 µm or less. 光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.200μm以下である電解銅箔。   The electrolytic copper foil which does not have a roughening process layer in a glossy surface side, and whose root mean square height Sq of the said glossy surface is 0.200 micrometer or less. 前記光沢面の面粗さSaが0.133μm以下である請求項1〜4のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 1 to 4, wherein a surface roughness Sa of the glossy surface is 0.133 µm or less. 前記光沢面の面粗さSaが0.130μm以下である請求項5に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to claim 5, wherein the glossy surface has a surface roughness Sa of 0.130 μm or less. 前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.180μm以下である請求項1〜6のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The root mean square height Sq of the glossy surface is 0.180 µm or less. The electrolytic copper foil according to any one of claims 1 to 6. 前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.120μm以下である請求項1〜7のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 1 to 7, wherein a root mean square height Sq of the glossy surface is 0.120 µm or less. 光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.550μm以下である電解銅箔。   The electrolytic copper foil which has a roughening process layer in a glossy surface side, and the root mean square height Sq of the said glossy surface is 0.550 micrometer or less. 前記光沢面の面粗さSaが0.380μm以下である請求項9に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to claim 9, wherein the glossy surface has a surface roughness Sa of 0.380 μm or less. 前記光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.490μm以下である請求項9又は10に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to claim 9 or 10, wherein a root mean square height Sq of the glossy surface is 0.490 µm or less. 前記光沢面側の面粗さSaが0.355μm以下である請求項9〜11のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 9 to 11, wherein the glossiness side surface roughness Sa is 0.355 µm or less. 前記光沢面側の面粗さSaが0.300μm以下である請求項9〜12のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 9 to 12, wherein a surface roughness Sa on the glossy surface side is 0.300 µm or less. 前記光沢面側の面粗さSaが0.200μm以下である請求項9〜13のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 9 to 13, wherein a surface roughness Sa on the glossy side is 0.200 µm or less. 前記光沢面側の2乗平均平方根高さSqが0.450μm以下である請求項9〜14のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil as described in any one of Claims 9-14 whose root mean square height Sq by the side of the said glossy surface is 0.450 micrometer or less. 前記光沢面側の2乗平均平方根高さSqが0.400μm以下である請求項9〜15のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil as described in any one of Claims 9-15 whose root mean square height Sq by the side of the said glossy surface is 0.400 micrometer or less. 前記光沢面側の2乗平均平方根高さSqが0.330μm以下である請求項9〜16のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 9 to 16, wherein a root mean square height Sq on the glossy surface side is 0.330 µm or less. 前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さSaが0.270μm以下である請求項9〜17のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 9 to 17, wherein a surface roughness Sa of the glossy surface before providing the roughening treatment layer on the glossy surface side is 0.270 µm or less. 前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さSaが0.150μm以下である請求項9〜18のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 9 to 18, wherein a surface roughness Sa of the glossy surface before providing the roughening treatment layer on the glossy surface side is 0.150 µm or less. 前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さSaが0.133μm以下である請求項19に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to claim 19, wherein a surface roughness Sa of the glossy surface before providing the roughening treatment layer on the glossy surface side is 0.133 μm or less. 前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さSaが0.130μm以下である請求項20に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to claim 20, wherein a surface roughness Sa of the glossy surface before providing the roughening layer on the glossy surface side is 0.130 µm or less. 前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下である請求項9〜21のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil as described in any one of Claims 9-21 whose root mean square height Sq of the glossy surface before providing a roughening process layer in the said glossy surface side is 0.315 micrometer or less. 前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.200μm以下である請求項9〜22のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 9 to 22, wherein a root mean square height Sq of the glossy surface before the roughening layer is provided on the glossy surface side is 0.200 µm or less. 前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.180μm以下である請求項23に記載の電解銅箔。   24. The electrolytic copper foil according to claim 23, wherein the root mean square height Sq of the glossy surface before providing the roughening treatment layer on the glossy surface side is 0.180 [mu] m or less. 前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の2乗平均平方根高さSqが0.120μm以下である請求項24に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to claim 24, wherein a root mean square height Sq of the glossy surface before providing the roughening treatment layer on the glossy surface side is 0.120 µm or less. 常温抗張力が30kg/mm2以上である請求項1〜25のいずれか一項に記載の電解銅箔。 The electrolytic copper foil according to any one of claims 1 to 25, wherein the normal temperature tensile strength is 30 kg / mm 2 or more. 常温伸びが3%以上である請求項1〜26のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to any one of claims 1 to 26, wherein the room temperature elongation is 3% or more. 高温抗張力が10kg/mm2以上である請求項1〜27のいずれか一項に記載の電解銅箔。 The high temperature tensile strength is 10 kg / mm 2 or more, The electrolytic copper foil according to any one of claims 1 to 27. 高温伸びが2%以上である請求項1〜28のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The high temperature elongation is 2% or more. The electrolytic copper foil according to any one of claims 1 to 28. 前記電解銅箔の光沢面と反対側の面に粗化処理層を有する請求項1〜29のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil as described in any one of Claims 1-29 which has a roughening process layer in the surface on the opposite side to the glossy surface of the said electrolytic copper foil. 前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層である請求項9〜30のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The roughening layer is made of any single element selected from the group consisting of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, iron, vanadium, cobalt, and zinc, or an alloy containing one or more of them. It is a layer, The electrolytic copper foil as described in any one of Claims 9-30. 前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方の粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項9〜31のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The surface of one or both of the glossy surface side and the surface side opposite to the glossy surface of the electrolytic copper foil is composed of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer. The electrolytic copper foil as described in any one of Claims 9-31 which has 1 or more types of layers selected from the group. 前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜8、26〜29のいずれか一項に記載の電解銅箔。   One type selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer on one or both of the glossy surface side and the surface side opposite to the glossy surface of the electrolytic copper foil The electrolytic copper foil as described in any one of Claims 1-8 and 26-29 which has the above layer. 前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方に樹脂層を備える請求項1〜8、26〜29のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil as described in any one of Claims 1-8 and 26-29 provided with the resin layer in the glossy surface side of the said electrolytic copper foil, and one or both of the surface side on the opposite side to a glossy surface. 前記粗化処理層上に樹脂層を備える請求項9〜31のいずれか一項に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil as described in any one of Claims 9-31 provided with a resin layer on the said roughening process layer. 前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える請求項32又は33に記載の電解銅箔。   The electrolytic copper foil according to claim 32 or 33, further comprising a resin layer on one or more layers selected from the group consisting of the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate-treated layer, and the silane coupling-treated layer. 表面の2乗平均平方根高さSqが0.315μm以下である電解ドラムを用いて電解銅箔を作製する電解銅箔の製造方法。   The manufacturing method of the electrolytic copper foil which produces electrolytic copper foil using the electrolytic drum whose surface root mean square height Sq is 0.315 micrometer or less. 前記表面の面粗さSaが0.150μm以下である電解ドラムを用いて電解銅箔を作製する請求項37に記載の電解銅箔の製造方法。   The method for producing an electrolytic copper foil according to claim 37, wherein the electrolytic copper foil is produced using an electrolytic drum having a surface roughness Sa of 0.150 μm or less. 表面の2乗平均平方根高さSqが0.200μm以下である電解ドラムを用いて電解銅箔を作製する請求項37又は38に記載の電解銅箔の製造方法。   The method for producing an electrolytic copper foil according to claim 37 or 38, wherein the electrolytic copper foil is produced using an electrolytic drum having a root mean square height Sq of 0.200 µm or less. 請求項1〜36のいずれか一項に記載の電解銅箔を有する銅張積層板。   The copper clad laminated board which has the electrolytic copper foil as described in any one of Claims 1-36. 請求項1〜36のいずれか一項に記載の電解銅箔を有するプリント配線板。   The printed wiring board which has the electrolytic copper foil as described in any one of Claims 1-36. 請求項1〜36のいずれか一項に記載の電解銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法。   The manufacturing method of the printed wiring board which manufactures a printed wiring board using the electrolytic copper foil as described in any one of Claims 1-36. 請求項1〜36のいずれか一項に記載の電解銅箔と絶縁基板とを積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。   A copper-clad laminate is formed by laminating the electrolytic copper foil according to any one of claims 1 to 36 and an insulating substrate, and then a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method or a modified semi-additive method. A method for producing a printed wiring board, comprising a step of forming a circuit by any one of the methods. 請求項42又は43に記載の方法で製造されたプリント配線板を用いて電子機器を製造する電子機器の製造方法。   The manufacturing method of the electronic device which manufactures an electronic device using the printed wiring board manufactured by the method of Claim 42 or 43.
JP2018002084A 2015-11-10 2018-01-10 Electrolytic copper foil, production method thereof, copper clad laminate, printed wiring board and production method thereof, and production method of electronic apparatus Pending JP2018076601A (en)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015220764 2015-11-10
JP2015220764 2015-11-10
JP2015250475 2015-12-22
JP2015250475 2015-12-22
JP2016201966 2016-10-13
JP2016201966 2016-10-13

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017092706A Division JP6328821B2 (en) 2015-11-10 2017-05-08 Electrolytic copper foil, electrolytic copper foil manufacturing method, copper-clad laminate, printed wiring board, printed wiring board manufacturing method, and electronic device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018076601A true JP2018076601A (en) 2018-05-17

Family

ID=61966533

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016220018A Active JP6346244B2 (en) 2015-11-10 2016-11-10 Electrolytic copper foil, electrolytic copper foil manufacturing method, copper-clad laminate, printed wiring board, printed wiring board manufacturing method, and electronic device manufacturing method
JP2017092706A Active JP6328821B2 (en) 2015-11-10 2017-05-08 Electrolytic copper foil, electrolytic copper foil manufacturing method, copper-clad laminate, printed wiring board, printed wiring board manufacturing method, and electronic device manufacturing method
JP2018002084A Pending JP2018076601A (en) 2015-11-10 2018-01-10 Electrolytic copper foil, production method thereof, copper clad laminate, printed wiring board and production method thereof, and production method of electronic apparatus

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016220018A Active JP6346244B2 (en) 2015-11-10 2016-11-10 Electrolytic copper foil, electrolytic copper foil manufacturing method, copper-clad laminate, printed wiring board, printed wiring board manufacturing method, and electronic device manufacturing method
JP2017092706A Active JP6328821B2 (en) 2015-11-10 2017-05-08 Electrolytic copper foil, electrolytic copper foil manufacturing method, copper-clad laminate, printed wiring board, printed wiring board manufacturing method, and electronic device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (3) JP6346244B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022083632A (en) * 2020-11-25 2022-06-06 三菱マテリアル株式会社 Heat sink integral type insulation circuit board and method for manufacturing heat sink integral type insulation circuit board
CN112708909A (en) * 2020-12-18 2021-04-27 江西省江铜耶兹铜箔有限公司 Composite electroplating solution and preparation method of low-profile electrolytic copper foil for high-frequency PCB

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3313277B2 (en) * 1995-09-22 2002-08-12 古河サーキットフォイル株式会社 Electrodeposited copper foil for fine pattern and its manufacturing method
JP4295800B2 (en) * 2002-05-13 2009-07-15 三井金属鉱業株式会社 Electrolytic copper foil
JP3789107B2 (en) * 2002-07-23 2006-06-21 株式会社日鉱マテリアルズ Copper electrolytic solution containing amine compound and organic sulfur compound having specific skeleton as additive, and electrolytic copper foil produced thereby
KR100389061B1 (en) * 2002-11-14 2003-06-25 일진소재산업주식회사 Electrolytic copper foil and process producing the same
TW200738913A (en) * 2006-03-10 2007-10-16 Mitsui Mining & Smelting Co Surface treated elctrolytic copper foil and process for producing the same
JP4948656B2 (en) * 2010-03-17 2012-06-06 古河電気工業株式会社 Perforated roughening copper foil for secondary battery current collector, method for producing the same, and negative electrode for lithium ion secondary battery
JP5362923B1 (en) * 2012-10-12 2013-12-11 Jx日鉱日石金属株式会社 Surface-treated copper foil and laminate using the same
JP2014138020A (en) * 2013-01-15 2014-07-28 Nippon Kayaku Co Ltd Printed wiring substrate for high-frequency circuit
JP2015134953A (en) * 2014-01-17 2015-07-27 Jx日鉱日石金属株式会社 Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018062704A (en) 2018-04-19
JP6328821B2 (en) 2018-05-23
JP6346244B2 (en) 2018-06-20
JP2018062706A (en) 2018-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101851882B1 (en) Treated surface copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed circuit board, copper clad laminate, and printed circuit board manufacturing method
WO2018207786A1 (en) Electrolytic copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, production method therefor, electronic device, and production method therefor
JP6640567B2 (en) Copper foil with carrier, laminate, printed wiring board, method for manufacturing electronic equipment, and method for manufacturing printed wiring board
KR101909352B1 (en) Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for manufacturing printed circuit board
WO2015108191A1 (en) Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, printed wiring board, copper-clad laminate, laminate and method for producing printed wiring board
CN107018623B (en) Electrolytic copper foil and method for producing same, copper-clad laminate, printed wiring board and method for producing same, and method for producing electronic device
WO2014136785A1 (en) Copper foil with attached carrier, copper-clad laminate using same, printed circuit board, electronic device, and method for manufacturing printed circuit board
WO2014084385A1 (en) Copper foil with carrier
JP5470487B1 (en) Copper foil, copper clad laminate for semiconductor package using the same, printed wiring board, printed circuit board, resin substrate, circuit forming method, semi-additive method, circuit forming substrate for semiconductor package, and semiconductor package
WO2014084384A1 (en) Carrier-supported copper foil
JP6328821B2 (en) Electrolytic copper foil, electrolytic copper foil manufacturing method, copper-clad laminate, printed wiring board, printed wiring board manufacturing method, and electronic device manufacturing method
JP6396967B2 (en) Copper foil with carrier and copper clad laminate using copper foil with carrier
JP6522974B2 (en) Copper foil with carrier, laminate, method of producing laminate, and method of producing printed wiring board
TWI690622B (en) Electrolytic copper foil and its manufacturing method, copper-clad laminate, printed wiring board and its manufacturing method, and electronic equipment and its manufacturing method
JP6178360B2 (en) Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, method for producing printed circuit board, method for producing copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
TWI691622B (en) Electrolytic copper foil and its manufacturing method, copper-clad laminate, printed wiring board and its manufacturing method, and electronic equipment and its manufacturing method
JP6246486B2 (en) Copper foil with carrier and method for producing the same, method for producing copper-clad laminate and method for producing printed wiring board
JP2017013473A (en) Copper foil with carrier, copper clad laminate, laminate, printed wiring board, coreless substrate, electronic device, and manufacturing method of coreless substrate
JP2016050364A (en) Copper foil with carrier, copper-clad laminate, printed wiring board, electronic device, and laminate, and methods for manufacturing copper foil with carrier, copper-clad laminate, and printed wiring board