JP2018048279A - Resin composition for wiring boards, prepreg, laminate and wiring board - Google Patents

Resin composition for wiring boards, prepreg, laminate and wiring board Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide resin composition for wiring boards that has an increased working speed and excellent handleability when applied to the production of a thin wiring board by sand blast.SOLUTION: A resin composition for wiring boards has a breaking energy of 0.0001-0.001 J/mmper unit volume after curing, and an elastic modulus of 8000 MPa or more.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は配線板用樹脂組成物、プリプレグ、積層板及び配線板に関する。   The present invention relates to a resin composition for a wiring board, a prepreg, a laminated board, and a wiring board.

近年、携帯型情報通信機器端末をはじめ、電子機器の小型化及び高機能化が急速に進んでおり、薄型かつ高機能な半導体装置が要求されている。半導体装置に用いる配線板を薄くすれば、半導体装置の薄型化に直結し、また配線板内の導体経路長が短縮できることから、高機能化にも有利である。そのため、配線板材料を極力薄型化することが求められている。また同時に、配線板内の導体層同士を接続するビアホールを小形化することで、ビア−ビア間に多くの配線を取りまわせるようになる、単位面積当たりのビアホール数を多くできる等の理由から、配線板内の電気回路の高密度化が図れる。そのため、容易な小径ビアの形成方法が求められている。   2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices such as portable information communication device terminals have been rapidly reduced in size and functionality, and a thin and highly functional semiconductor device is required. If the wiring board used in the semiconductor device is thinned, it is directly connected to the thinning of the semiconductor device, and the conductor path length in the wiring board can be shortened, which is advantageous for high functionality. Therefore, it is required to make the wiring board material as thin as possible. At the same time, by reducing the size of the via hole that connects the conductor layers in the wiring board, it is possible to increase the number of via holes per unit area. The density of the electric circuit in the wiring board can be increased. Therefore, an easy method for forming small-diameter vias is required.

小径ビアの形成方法としては、レーザーを用いて絶縁材料を焼き飛ばすものと、感光性絶縁樹脂を用いてフォトリソグラフィープロセスで開口を得るものが知られている(例えば、特許文献1、2参照)。   As a method for forming a small diameter via, there are known a method in which an insulating material is burned off using a laser and a method in which an opening is obtained by a photolithography process using a photosensitive insulating resin (for example, see Patent Documents 1 and 2). .

現在、ビアホールの形成(穴あけ)にはCOレーザーが最も一般的に使用されている。原理的な理由から穴径は50μm程度が限界となっており、更なるビア小径化のためには、特許文献1にも記載されているように、YAGレーザーやエキシマレーザー等の適用が不可欠である。しかし、これらレーザー装置はCOレーザー装置よりはるかに高額である。また、そもそもレーザーは多穴を同時に開口できないため、多穴化時のタクトタイムが非常に長くなるおそれがある。 At present, a CO 2 laser is most commonly used for forming (drilling) a via hole. For theoretical reasons, the hole diameter is limited to about 50 μm. To further reduce the via diameter, it is indispensable to apply a YAG laser or excimer laser as described in Patent Document 1. is there. However, these laser devices are much more expensive than CO 2 laser devices. In the first place, since the laser cannot open multiple holes at the same time, there is a possibility that the tact time at the time of forming multiple holes becomes very long.

一方、感光性絶縁樹脂を用いたビア形成では、一般的なフォトリソグラフィープロセスを適用するため、高額な装置を必要としない。また、多穴を同時に開口することができるため、タクトタイムが穴数に影響を受けず、穴あけ時間を極めて短時間化できる。しかし、感光性絶縁樹脂を用いたビア形成にはガラスクロスを適用することができず、含有できる無機フィラの量にも制限があるため、熱膨張係数を低く抑えることが難しい。そのため、特許文献2にも記載されているように、他の低熱膨張材料と併用する必要があるため、薄型の配線板には適用しづらい。   On the other hand, via formation using a photosensitive insulating resin does not require an expensive apparatus because a general photolithography process is applied. Further, since multiple holes can be opened simultaneously, the tact time is not affected by the number of holes, and the drilling time can be shortened extremely. However, glass cloth cannot be applied to via formation using a photosensitive insulating resin, and the amount of inorganic filler that can be contained is limited, so that it is difficult to keep the thermal expansion coefficient low. Therefore, as described in Patent Document 2, since it is necessary to use together with other low thermal expansion materials, it is difficult to apply to thin wiring boards.

また、これらの方法では、ビア内部や近傍にスミア(加工屑)が発生するため、デスミア(屑の除去)工程が必須となっているが、ビアが小径化するにつれ、薬液を用いたデスミアは液回りの理由などから難度が上がる。以上のことから、それぞれ薄型配線板への容易な小径ビアの形成方法としては課題がある。   In addition, in these methods, smear (machining waste) is generated inside and in the vicinity of the via, so a desmear (removal of scrap) step is essential. However, as the via becomes smaller in diameter, Difficulty rises due to reasons around the liquid. From the above, there is a problem as an easy method for forming a small diameter via on each thin wiring board.

一方で、サンドブラストを用いた穴あけ方法も昔から存在している。専用のドライフィルムレジストで穴あけしたい部分以外をカバーし、砥粒を混ぜた空気を吹き付けて材料を研削することにより穴をあける(例えば、特許文献3参照)。装置はYAGレーザー等と比較して安価であり、タクトタイムは穴数に依存せず、ガラスクロスの加工も可能なため低熱膨張材料を適用でき、加工原理上スミアも穴に溜まりにくいことから、レーザーや感光性絶縁樹脂を用いる方法が有する多くの課題を解決できる。近年、ブラスト装置の進歩によって比較的小径のビアも開口可能になってきている。   On the other hand, drilling methods using sandblast have also existed for a long time. A portion other than the portion to be drilled is covered with a dedicated dry film resist, and air is mixed with abrasive grains to grind the material to drill holes (see, for example, Patent Document 3). The device is cheap compared to YAG lasers, etc., the tact time does not depend on the number of holes, glass cloth can be processed, so low thermal expansion material can be applied, and smears are difficult to accumulate in the hole due to the processing principle, Many problems of the method using a laser or a photosensitive insulating resin can be solved. In recent years, vias having relatively small diameters can be opened with the progress of blasting apparatuses.

特開2004−235202号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-235202 特開2014−225671号公報JP 2014-225671 A 特開2004−160649号公報JP 2004-160649 A

しかし、サンドブラスト法を用いた薄型配線板の加工実績は多くなく、サンドブラスト加工に最適な配線板用樹脂組成物とはどういったものか明らかになっていない。そこで本発明者らは鋭意検討した結果、小径ビアをサンドブラストで加工する上で、ドライフィルムレジストは薄型化せざるを得ないため、積層板の加工速度を上げることが重要であることを見出した。また、同時に配線板が極薄であるため、良好な取扱性を確保することが重要であることを見出した。   However, there are not many processing results of thin wiring boards using the sand blasting method, and it has not been clarified what is the optimal resin composition for wiring boards for sand blasting. Therefore, as a result of intensive studies, the present inventors have found that it is important to increase the processing speed of the laminate because the dry film resist must be thinned when processing the small diameter via by sandblasting. . At the same time, it was found that it is important to ensure good handling because the wiring board is extremely thin.

そこで本発明は、サンドブラスト法を用いた薄型配線板の製造に適用した場合に、加工速度が向上し、且つ取扱性が良好である配線板用樹脂組成物、並びにこれを用いたプリプレグ、積層板及び配線板を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides a resin composition for a wiring board that has improved processing speed and good handling properties when applied to the manufacture of a thin wiring board using a sandblast method, and a prepreg and a laminate using the same. And it aims at providing a wiring board.

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、本発明者らは鋭意検討の結果、上記課題をすべて解決しうる配線板用樹脂組成物を見出し、本発明を完成させるに至った。   The present invention has been made in view of such a situation, and as a result of intensive studies, the present inventors have found a resin composition for a wiring board that can solve all of the above problems, and have completed the present invention. .

すなわち、本発明は下記の態様を有することを特徴とする。
[1] 硬化後の単位体積あたりの破壊エネルギーが0.0001〜0.001J/mmであり、かつ弾性率が8000MPa以上である配線板用樹脂組成物。
[2] [1]に記載の配線板用樹脂組成物をガラスクロスに含浸してなるプリプレグ。
[3] [2]に記載のプリプレグを複数枚積層してなる積層板。
[4] 厚さが20〜100μmである、[3]に記載の積層板。
[5] [3]又は[4]に記載の積層板に配線形成してなる配線板。
That is, the present invention has the following aspects.
[1] A resin composition for wiring boards having a fracture energy per unit volume after curing of 0.0001 to 0.001 J / mm 3 and an elastic modulus of 8000 MPa or more.
[2] A prepreg obtained by impregnating a glass cloth with the resin composition for a wiring board according to [1].
[3] A laminate obtained by laminating a plurality of the prepregs according to [2].
[4] The laminated plate according to [3], which has a thickness of 20 to 100 μm.
[5] A wiring board formed by forming wiring on the laminated board according to [3] or [4].

本発明によれば、サンドブラスト法を用いた薄型配線板の製造に適用した場合に、加工速度が向上し、且つ取扱性が良好である配線板用樹脂組成物、並びにこれを用いたプリプレグ、積層板及び配線板を提供することができる。   According to the present invention, when applied to the production of a thin wiring board using a sandblasting method, the processing speed is improved and the handling property is good, and the prepreg and laminate using the same A board and a wiring board can be provided.

破壊エネルギー及び弾性率の算出方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the calculation method of fracture energy and an elasticity modulus. 配線の形成方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically one Embodiment of the formation method of wiring.

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、図面の寸法比率は図示した比率に限られるものではない。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. However, the present invention is not limited to the following embodiments. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

本明細書中、単位体積あたりの破壊エネルギーと弾性率については、以下のように求めることができる。まず、配線板用樹脂組成物を用いて厚さ(h)1.2mmの樹脂板を作製し、幅(b)2.9mm、長さ45mmサイズにダイサ等で切り出して試験片を作る。支点間距離(L)25mm、試験速度1mm/min、温度20〜25℃の条件で試験片が破壊する(ここでは最大荷重を記録後、加重が最大荷重の3/4に下がったときを「破壊」とする)まで三点曲げ試験し、得られた曲げ荷重(F)と曲げたわみ(s)から、曲げ応力(σ)と曲げひずみ(ε)を算出し、応力―ひずみ曲線(S−Sカーブ)を得る。なお、曲げ応力(σ)と曲げひずみ(ε)の算出式はσ=(3FL)/(2bh)、ε=(6hs)/Lとなる。ここで、図1に示すように、得られたS−Sカーブの面積を単位体積あたりの破壊エネルギー、立ち上がりの接線の傾きを弾性率とする。 In the present specification, the fracture energy and elastic modulus per unit volume can be determined as follows. First, a resin plate having a thickness (h) of 1.2 mm is produced using the resin composition for a wiring board, and a test piece is produced by cutting it into a size of width (b) 2.9 mm and length 45 mm with a dicer or the like. The test piece breaks under the conditions of a distance between fulcrums (L) of 25 mm, a test speed of 1 mm / min, and a temperature of 20 to 25 ° C. (Here, when the maximum load is recorded, the load decreases to 3/4 of the maximum load. The bending stress (σ) and bending strain (ε) are calculated from the obtained bending load (F) and bending deflection (s), and the stress-strain curve (S- S curve) is obtained. The calculation formulas for bending stress (σ) and bending strain (ε) are σ = (3FL) / (2bh 2 ) and ε = (6hs) / L 2 . Here, as shown in FIG. 1, the area of the obtained SS curve is the fracture energy per unit volume, and the slope of the rising tangent is the elastic modulus.

なお、樹脂板の作製に関しては、試験片内にボイドなく作製できるのであれば、特に方法を規定するものではなく、様々な方法をとることができる。例えば、配線板用樹脂組成物を用いて作製したプリプレグをビニール袋に入れ、ビニール袋の口を閉じた状態でよく揉んで半硬化の樹脂粉を集め、それをテフロン(登録商標)製シートの型枠に投入し、加熱プレスで押し固めて樹脂板を得てもよい。あるいは、例えば、配線板用樹脂組成物をバーコーター等を用いて任意の厚さで支持体(例えばPET)上に塗布し、配線板用樹脂組成物が硬化しない程度の温度で加熱して溶剤を除去した後、塗布物をビニール袋に入れ、ビニール袋の口を閉じた状態でよく揉んで半硬化の樹脂粉を集め、それをテフロン(登録商標)製シートの型枠に投入し、加熱プレスで押し固めて樹脂板を得てもよい。支持体としては、特に制限はなく、汎用のものを使用することができ、また、塗布の方法としても特に制限はなく、通常の卓上塗工機を用いて塗布すればよい。なお、硬化後の単位体積あたりの破壊エネルギーと弾性率の測定に用いられる樹脂板は、実施例に記載の方法で作製されることが好ましい。   In addition, regarding the production of the resin plate, as long as it can be produced without voids in the test piece, the method is not particularly defined, and various methods can be adopted. For example, a prepreg produced using a resin composition for a wiring board is put in a plastic bag, and the plastic bag is thoroughly massaged with the mouth of the plastic bag closed to collect semi-cured resin powder. It may be put into a mold and pressed and hardened by a heating press to obtain a resin plate. Alternatively, for example, the resin composition for a wiring board is coated on a support (for example, PET) at an arbitrary thickness using a bar coater or the like, and heated to a temperature at which the resin composition for a wiring board is not cured. After removing the material, put the coated material in a plastic bag, rub it well with the mouth of the plastic bag closed, collect the semi-cured resin powder, put it into the mold of the Teflon (registered trademark) sheet, and heat it. The resin plate may be obtained by pressing with a press. There is no restriction | limiting in particular as a support body, A general purpose thing can be used, Moreover, there is no restriction | limiting in particular also as the application | coating method, What is necessary is just to apply | coat using a normal desktop coating machine. In addition, it is preferable that the resin board used for the measurement of the fracture energy per unit volume after hardening and an elasticity modulus is produced by the method as described in an Example.

なお、積層板の作製に関しては特に方法を規定するものではなく、様々な方法をとることができる。例えば、当該積層板に用いられる配線板用樹脂組成物をガラスクロスに含浸した後、加熱により半硬化(Bステージ化)して得たプリプレグを複数枚重ね、その片面又は両面に銅箔を配置して、加熱加圧プレスによって積層形成して得た銅張積層板の銅箔層を銅エッチング液で溶かして得てもよい。   It should be noted that the method for producing the laminated plate is not particularly defined, and various methods can be adopted. For example, after impregnating a glass cloth with a resin composition for a wiring board used for the laminate, a plurality of prepregs obtained by semi-curing (B-stage) by heating are stacked, and copper foil is disposed on one or both sides thereof And you may obtain by melt | dissolving the copper foil layer of the copper clad laminated board obtained by carrying out lamination | stacking formation with the heating-pressing press with a copper etching liquid.

本実施形態の配線板用樹脂組成物の硬化物の単位体積あたりの破壊エネルギーは0.0001〜0.001J/mmである。破壊エネルギーが0.0001J/mmを下回ると、積層板を取り扱う際の様々な外力によって、配線板用樹脂組成物が割れたりヒビが入ったりしやすくなるため好ましくない。また、破壊エネルギーが0.001J/mを上回ると、サンドブラスト加工時に配線板用樹脂組成物が砕け散りにくく、加工速度が下がるため好ましくない。この破壊エネルギーは、取扱性及び加工速度をより向上させる観点から、好ましくは0.00015〜0.0008J/mmであり、より好ましくは0.0002〜0.0006J/mmである。 The breaking energy per unit volume of the cured product of the resin composition for wiring boards of this embodiment is 0.0001 to 0.001 J / mm 3 . When the fracture energy is less than 0.0001 J / mm 3 , the resin composition for a wiring board is liable to be cracked or cracked by various external forces when handling the laminated board, which is not preferable. On the other hand, if the fracture energy exceeds 0.001 J / m 3 , the resin composition for a wiring board is hardly crushed during sandblasting, which is not preferable because the processing speed decreases. This breaking energy is preferably 0.00015 to 0.0008 J / mm 3 and more preferably 0.0002 to 0.0006 J / mm 3 from the viewpoint of further improving the handleability and processing speed.

本実施形態の配線板用樹脂組成物の硬化物の弾性率は8000MPa以上である。弾性率が8000MPaを下回ると、極薄の積層板がたわみやすくなるため、積層板及び配線板の搬送やマガジンラックへの挿抜等の取り扱いが難しくなるため好ましくない。この弾性率は、たわみを抑制して取扱性をより向上させる観点から、好ましくは9000MPa以上であり、より好ましくは10000MPa以上である。なお、弾性率の上限は特に限定されないが、例えば15000MPa以下とすることができる。   The elastic modulus of the cured product of the resin composition for wiring boards of this embodiment is 8000 MPa or more. When the elastic modulus is less than 8000 MPa, an extremely thin laminated board is easily bent, and it becomes difficult to handle the laminated board and the wiring board, and to insert and remove the magazine board. This elastic modulus is preferably 9000 MPa or more, and more preferably 10,000 MPa or more, from the viewpoint of further improving the handleability by suppressing the deflection. The upper limit of the elastic modulus is not particularly limited, but can be, for example, 15000 MPa or less.

本実施形態の配線板用樹脂組成物が上記所定の要件を満たすことにより上述の効果を奏する理由は必ずしも明らかでないが、本発明者らは以下のように推察している。
破壊エネルギーを所定値以下とすることで、サンドブラストの砥粒が衝突した際に効率よく砕け散ることができ、かつ所定値以上の破壊エネルギーを有することで、積層板取扱時の折れや割れを防ぐことができる。更に、同時に弾性率を所定値以上とすることで、積層板を極薄化してもたわみを小さく抑えることができ、取扱性に優れる。
The reason why the resin composition for a wiring board of the present embodiment exhibits the above-described effect by satisfying the above-mentioned predetermined requirements is not necessarily clear, but the present inventors speculate as follows.
By making the fracture energy below the predetermined value, it can be efficiently broken when the sandblast abrasive grains collide, and by having the fracture energy above the predetermined value, it prevents breakage and cracking when handling laminates be able to. Furthermore, by setting the elastic modulus to a predetermined value or more at the same time, even if the laminated plate is made extremely thin, the deflection can be kept small, and the handleability is excellent.

ここで配線板用樹脂組成物は、上記所定の破壊エネルギーと弾性率を有すれば、特にその組成は限定されず、様々な種類の組成物とすることができる。例えば、分子構造中に少なくとも2個の1級アミノ基を有するアミン化合物、酸性置換基を有するアミン化合物、及び分子構造中に少なくとも2個のN−置換マレイミド基を有するマレイミド化合物を配合、又は反応させて得られる熱硬化性樹脂組成物であってもよく、ホスホニウム塩及びホスフィン−ルイス酸錯体より選ばれる少なくとも1種のリン含有化合物;エポキシ樹脂もしくはシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一種の熱硬化性樹脂;無機充填材;及び熱可塑性エラストマーからなる群から選ばれる少なくとも1種を更に含む組成物とすることもできる。特に、分子構造中に少なくとも2個の1級アミノ基を有するアミン化合物、及び分子構造中に少なくとも2個のN−置換マレイミド基を有するマレイミド化合物を含むと、良好なガラス転移温度(Tg)、低熱膨張率、弾性率、銅箔接着性、耐デスミア性が得られ、高密度化、高多層化されたプリント配線板を製造することができ、大量のデータを高速で処理するコンピュータや情報機器端末等の用いられる電子機器の配線板に好適に用いることができ、好ましい。   Here, the resin composition for a wiring board is not particularly limited as long as it has the predetermined fracture energy and elastic modulus, and various kinds of compositions can be used. For example, an amine compound having at least two primary amino groups in the molecular structure, an amine compound having an acidic substituent, and a maleimide compound having at least two N-substituted maleimide groups in the molecular structure or reaction At least one phosphorus-containing compound selected from a phosphonium salt and a phosphine-Lewis acid complex; at least one thermosetting resin selected from an epoxy resin or a cyanate resin. An inorganic filler; and a composition further comprising at least one selected from the group consisting of thermoplastic elastomers. In particular, when an amine compound having at least two primary amino groups in the molecular structure and a maleimide compound having at least two N-substituted maleimide groups in the molecular structure, a good glass transition temperature (Tg), Computers and information devices that can produce printed wiring boards with high thermal expansion, high modulus, copper foil adhesion, desmear resistance, high density and high multilayer, and process large amounts of data at high speed It can be suitably used for a wiring board of an electronic device such as a terminal, which is preferable.

プリプレグは、配線板用樹脂組成物をガラスクロスに含浸することにより得ることができる。ガラスクロスは、実用途に応じ、任意の厚さのEガラスやTガラス、Dガラス等を好適に用いることができる。   The prepreg can be obtained by impregnating a glass cloth with a resin composition for a wiring board. As the glass cloth, E glass, T glass, D glass, or the like having any thickness can be suitably used according to the actual application.

本実施形態の積層板は上述の方法等で作製することができる。積層板は片面又は両面に銅箔を備えるものであってもよい。積層板の銅箔を除いた厚さは20〜100μmであることが好ましい。この厚さが20μmを下回ると、たわみが大きくなりすぎて、積層板を単独で取り扱うことが難しくなる傾向がある。また、100μmを上回ると、小径のビアが開口しにくくなる傾向がある。この厚さは、たわみを抑制して取扱性を向上させる観点から、より好ましくは25〜80μmであり、更に好ましくは30〜60μmである。   The laminated board of this embodiment can be produced by the method described above. The laminate may be provided with a copper foil on one side or both sides. The thickness of the laminate excluding the copper foil is preferably 20 to 100 μm. When this thickness is less than 20 μm, the deflection becomes too large, and it tends to be difficult to handle the laminate alone. On the other hand, when the thickness exceeds 100 μm, a small-diameter via tends to be difficult to open. This thickness is more preferably 25 to 80 μm, and further preferably 30 to 60 μm, from the viewpoint of suppressing the deflection and improving the handleability.

本実施形態の積層板は、配線板におけるビルドアップ層として好適に用いることができる。積層板に配線形成する方法としては従来公知の方法を採用できるが、例えば図2に示す方法により配線を形成することができる。   The laminated board of this embodiment can be used suitably as a buildup layer in a wiring board. A conventionally known method can be adopted as a method for forming the wiring on the laminate, but the wiring can be formed by the method shown in FIG.

まず、図2(a)に示すように、支持基材1と、支持基材1上に形成された導体層2とを備える積層体3を用意する(用意工程)。積層体3は、例えば、支持基材1上に導体を積層することにより得られる。   First, as shown to Fig.2 (a), the laminated body 3 provided with the support base material 1 and the conductor layer 2 formed on the support base material 1 is prepared (preparation process). The laminate 3 is obtained, for example, by laminating a conductor on the support base 1.

支持基材1は、例えば、基板4と、基板4上に形成された複数の金属箔層5a,5bとを備える。基板4は、FR−4(ガラスエポキシ樹脂基材)、FR−5(耐熱ガラスエポキシ基材)、SUS(ステンレス)基材等であってよい。金属箔層5は、2層以上の金属箔層からなっていてよく、複数の金属箔層の少なくとも2層間が互いに物理的に剥離可能になっている。金属箔層5は、好ましくはピーラブル銅箔で形成される。ピーラブル銅箔層の基板4から最も離れた層の厚さが極薄であることで、最終的にエッチアウトする際に時間短縮が図られる。支持基材1は、好ましくはFR−4あるいはFR−5にピーラブル銅箔を貼付したものであるが、SUS板にめっき処理により金属箔層を形成したものであってもよい。   The support base material 1 includes, for example, a substrate 4 and a plurality of metal foil layers 5 a and 5 b formed on the substrate 4. The substrate 4 may be FR-4 (glass epoxy resin base material), FR-5 (heat resistant glass epoxy base material), SUS (stainless steel) base material, or the like. The metal foil layer 5 may be composed of two or more metal foil layers, and at least two layers of the plurality of metal foil layers can be physically separated from each other. The metal foil layer 5 is preferably formed of a peelable copper foil. The thickness of the layer of the peelable copper foil layer farthest from the substrate 4 is extremely thin, so that the time can be shortened when finally etching out. The support substrate 1 is preferably made by attaching a peelable copper foil to FR-4 or FR-5, but may be a SUS plate having a metal foil layer formed by plating.

導体層2は、例えば銅で形成されている。導体層2は、例えば支持基材1上にパターニングされた配線であってよく、パッド、ダミーパターン等であってもよい。導体層2の形成方法は、特に限定されず、例えば金属箔層(ピーラブル銅箔層)5をシード層にして、めっきプロセスで形成する方法であってよい。   The conductor layer 2 is made of, for example, copper. The conductor layer 2 may be, for example, a wiring patterned on the support substrate 1, and may be a pad, a dummy pattern, or the like. The formation method of the conductor layer 2 is not specifically limited, For example, the metal foil layer (peelable copper foil layer) 5 may be used as a seed layer and may be formed by a plating process.

用意工程に続いて、図2(b)に示すように、本実施形態の積層板を用いて、導体層2を覆うようにして支持基材1上にビルドアップ層6を形成する(ビルドアップ層形成工程)。ビルドアップ層6は、例えば、支持基材1上に積層板を真空プレスすることにより形成される。   Following the preparation step, as shown in FIG. 2B, the build-up layer 6 is formed on the support substrate 1 so as to cover the conductor layer 2 using the laminate of the present embodiment (build-up). Layer forming step). The buildup layer 6 is formed by, for example, vacuum pressing a laminated plate on the support base material 1.

ビルドアップ層形成工程に続いて、図2(c)に示すように、ビルドアップ層6上に樹脂層(めっきプロセス用プライマ樹脂層)7を形成する(樹脂層形成工程)。樹脂層7は、例えばラミネートすることにより形成される。樹脂層7に用いられる樹脂は、ビルドアップ層6の物性に影響が少なく、無電解めっきとの密着性がよいことから、好ましくは多官能型エポキシ樹脂である。   Following the buildup layer forming step, as shown in FIG. 2C, a resin layer (primer resin layer for plating process) 7 is formed on the buildup layer 6 (resin layer forming step). The resin layer 7 is formed by laminating, for example. The resin used for the resin layer 7 is preferably a polyfunctional epoxy resin because it has little influence on the physical properties of the buildup layer 6 and has good adhesion to the electroless plating.

樹脂層形成工程に続いて、図2(c)に示すように、樹脂層7上に第一のドライフィルムレジスト層8を形成する(第一のドライフィルムレジスト層形成工程)。第一のドライフィルムレジスト層8は、例えば、ロールラミネート、真空ラミネートなど公知の方法により形成できる。ラミネートは、例えば、0〜180℃で0.001N以上、ロール速度0.01mm/s以上の条件で行われてよい。   Following the resin layer forming step, as shown in FIG. 2C, a first dry film resist layer 8 is formed on the resin layer 7 (first dry film resist layer forming step). The first dry film resist layer 8 can be formed by a known method such as roll lamination or vacuum lamination. Lamination may be performed, for example, at 0 to 180 ° C. under conditions of 0.001 N or higher and a roll speed of 0.01 mm / s or higher.

解像性と耐サンドブラスト性との両立の観点から、第一のドライフィルムレジスト層8の厚さは、好ましくは35μm以下であり、また、第一のドライフィルムレジスト層8は、好ましくは、カルボキシル基を有するセルロース又はカルボキシル基を有するアクリル樹脂を含むアルカリ可溶性樹脂、エチレン性不飽和基を有する単官能化合物又は多官能化合物を含む光重合性化合物、ウレタン(メタ)アクリレート化合物、及び光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物で形成されている。   From the viewpoint of achieving both resolution and sandblast resistance, the thickness of the first dry film resist layer 8 is preferably 35 μm or less, and the first dry film resist layer 8 is preferably carboxyl. Alkali-soluble resin containing cellulose having carboxyl group or acrylic resin having carboxyl group, photopolymerizable compound containing monofunctional compound or polyfunctional compound having ethylenically unsaturated group, urethane (meth) acrylate compound, and photopolymerization initiator It is formed with the photosensitive resin composition containing this.

第一のドライフィルムレジスト層形成工程に続いて、図2(d)に示すように、例えば露光マスク9を用いて、第一のドライフィルムレジスト層8の一部である所定領域を活性光線Lで露光する(露光工程)。ここでの所定領域は、第一のドライフィルムレジスト層8に開口部が形成される予定の領域である。露光方法は、露光マスク9を用いる方法に代えて、UVレーザーによる直描方式であってもよい。   Following the first dry film resist layer forming step, as shown in FIG. 2D, a predetermined region that is a part of the first dry film resist layer 8 is made active light L using, for example, an exposure mask 9. (Exposure process). Here, the predetermined region is a region where an opening is to be formed in the first dry film resist layer 8. The exposure method may be a direct drawing method using a UV laser instead of the method using the exposure mask 9.

露光工程に続いて、図2(e)に示すように、露光後の第一のドライフィルムレジスト層8の未露光領域(露光工程において、露光マスク9により活性光線Lが遮断されていた領域)を除去して開口部10を形成する(開口部形成工程)。開口部10は、ビルドアップ層6にIVH(Inner Via Hole)が形成される予定の領域に対応する位置に形成される。   Following the exposure step, as shown in FIG. 2 (e), the unexposed region of the first dry film resist layer 8 after exposure (region where the actinic ray L was blocked by the exposure mask 9 in the exposure step). Is removed to form the opening 10 (opening forming step). The opening 10 is formed at a position corresponding to a region where IVH (Inner Via Hole) is to be formed in the buildup layer 6.

第一のドライフィルムレジスト層8の未露光領域を除去する方法としては、特に限定されず、現像液を用いたシャワー現像又はミスト現像によって除去する方法、サンドブラスト法によって除去する方法等が挙げられる。現像液によるシャワー現像又はミスト現像、洗浄及び乾燥工程を省略して、工程を簡易化できる観点から、サンドブラスト法によって除去する方法が好適である。サンドブラストは、例えば後述するIVH形成工程におけるサンドブラストと同様の条件で行われる。   The method of removing the unexposed area of the first dry film resist layer 8 is not particularly limited, and examples thereof include a method of removing by shower development or mist development using a developer, a method of removing by sand blasting, and the like. From the viewpoint of simplifying the process by omitting the shower development or mist development, washing and drying steps with a developer, a method of removing by a sandblast method is preferable. Sand blasting is performed, for example, under the same conditions as sand blasting in an IVH forming process described later.

開口部形成工程に続いて、図2(f)に示すように、サンドブラスト法を用いて、ビルドアップ層6にIVH11を形成する(IVH形成工程)。   Following the opening forming step, as shown in FIG. 2F, IVH11 is formed on the buildup layer 6 by using a sandblasting method (IVH forming step).

IVH形成工程では、開口部10を有する第一のドライフィルムレジスト層8がマスクとしての役割を果たし、砥粒(研磨剤)を吹き付けることで、開口部10に対応する位置のビルドアップ層6を切削する。サンドブラストの条件は、特に制限されない。砥粒としては、例えば、ガラスビーズ、SiC、SiO、Al、ZrO等の微粒子が挙げられる。砥粒の平均粒径は、例えば2〜100μmであってよい。砥粒は、好ましくは平均粒径が30μm以下のAlの微粒子(アルミナ粉)である。砥粒の射出量は、好ましくは砥粒がIVHに詰まらない程度の量である。 In the IVH forming step, the first dry film resist layer 8 having the opening 10 serves as a mask, and the abrasive grains (polishing agent) are sprayed to form the build-up layer 6 at a position corresponding to the opening 10. To cut. The conditions for sandblasting are not particularly limited. Examples of the abrasive grains include fine particles such as glass beads, SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , and ZrO. The average particle diameter of the abrasive grains may be, for example, 2 to 100 μm. The abrasive grains are preferably Al 2 O 3 fine particles (alumina powder) having an average particle size of 30 μm or less. The amount of abrasive grains injected is preferably such that the abrasive grains are not clogged with IVH.

IVH11の直径は、50μm以下であり、配線板内の電気回路(配線)を高密度化できることから、好ましくは40μm以下、より好ましくは30μm以下である。IVH11の直径が50μm以下であると、配線板内の電気回路(配線)の高密度化が図られ、ビルドアップ層6の層数の増加を抑制し、従来のCOレーザーによるIVH形成よりもコストが低くなる。 The diameter of IVH11 is 50 μm or less, and the electric circuit (wiring) in the wiring board can be densified, so that it is preferably 40 μm or less, more preferably 30 μm or less. When the diameter of the IVH 11 is 50 μm or less, the density of the electric circuit (wiring) in the wiring board is increased, and the increase in the number of the buildup layers 6 is suppressed, which is more than the conventional IVH formation by the CO 2 laser. Cost is lower.

IVH形成工程の後、例えば、サンドブラスト処理により削り取られずに樹脂層7上に残った第一のドライフィルムレジスト層8を除去する(第一のドライフィルムレジスト層除去工程)。第一のドライフィルムレジスト層8の除去方法としては、例えばアルカリ水溶液による除去方法等が挙げられる。   After the IVH forming step, for example, the first dry film resist layer 8 remaining on the resin layer 7 without being scraped off by sandblasting is removed (first dry film resist layer removing step). Examples of the removal method of the first dry film resist layer 8 include a removal method using an alkaline aqueous solution.

第一のドライフィルムレジスト層除去工程の後、樹脂層7上、IVH11の内壁上及び導体層2上にシード層を形成する(シード層形成工程)。シード層は好ましくは銅により形成される。シード層は、例えば無電解銅めっきにより形成される。シード層の厚みなどは、特に制限されない。   After the first dry film resist layer removing step, a seed layer is formed on the resin layer 7, the inner wall of the IVH 11, and the conductor layer 2 (seed layer forming step). The seed layer is preferably made of copper. The seed layer is formed by, for example, electroless copper plating. The thickness of the seed layer is not particularly limited.

シード層形成工程の後、シード層上に第三のドライフィルムレジスト層を形成する(第三のドライフィルムレジスト層形成工程)。第三のドライフィルムレジスト層は、例えば、第一のドライフィルムレジスト層8と同様の材料及び方法により形成される。第三のドライフィルムレジスト層の耐サンドブラスト性の有無は問わない。   After the seed layer forming step, a third dry film resist layer is formed on the seed layer (third dry film resist layer forming step). The third dry film resist layer is formed by the same material and method as the first dry film resist layer 8, for example. It does not matter whether or not the third dry film resist layer has sandblast resistance.

第三のドライフィルムレジスト層形成工程の後、第一のドライフィルムレジスト層8と同様にして、第三のドライフィルムレジスト層の所定領域を露光し、次いで、第三のドライフィルムレジスト層の未露光部を除去する。   After the third dry film resist layer forming step, a predetermined region of the third dry film resist layer is exposed in the same manner as the first dry film resist layer 8, and then the third dry film resist layer is not yet formed. Remove the exposed area.

続いて、IVH11内、及び第三のドライフィルムレジスト層が形成されていないシード層上に配線を形成する(配線形成工程)。配線は、好ましくは銅で形成される。配線は、例えば電気銅めっきにより形成される。   Subsequently, wiring is formed in the IVH 11 and on the seed layer on which the third dry film resist layer is not formed (wiring forming step). The wiring is preferably made of copper. The wiring is formed by, for example, electrolytic copper plating.

配線形成工程の後、第三のドライフィルムレジスト層を除去する(第三のドライフィルムレジスト層除去工程)。第三のドライフィルムレジスト層の除去方法は、第一のドライフィルムレジスト層8と同様の方法により除去できる。   After the wiring formation step, the third dry film resist layer is removed (third dry film resist layer removal step). The third dry film resist layer can be removed by the same method as that for the first dry film resist layer 8.

第三のドライフィルムレジスト層除去工程の後、配線が積層されていない領域に対応するシード層を除去する(シード層除去工程)。シード層の除去方法としては、例えばエッチング処理が挙げられる。   After the third dry film resist layer removing step, the seed layer corresponding to the region where the wiring is not laminated is removed (seed layer removing step). An example of a method for removing the seed layer is an etching process.

以上説明したビルドアップ層形成工程からシード層除去工程までを繰り返して、多層化してよい。すなわち、ビルドアップ層6を2層以上形成し、複数のビルドアップ層6間を配線で電気的に接続してよい。   Multiple layers may be formed by repeating the build-up layer forming step to the seed layer removing step described above. That is, two or more buildup layers 6 may be formed and the plurality of buildup layers 6 may be electrically connected by wiring.

次に実施例により本発明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例で得られた樹脂板又は積層板は、以下の方法で性能を測定・評価した。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention, the scope of the present invention is not limited to these Examples. In addition, the performance of the resin plates or laminates obtained in the following examples was measured and evaluated by the following methods.

<単位体積あたりの破壊エネルギー及び弾性率の測定>
厚さ(h)1.2mmの樹脂板を、幅(b)2.9mm、長さ45mmサイズにダイサ等で切り出して試験片を作る。インストロン社製5948型試験機を用いて支点間距離(L)25mm、試験速度1mm/min、温度20〜25℃の条件で試験片が破壊する(ここでは最大荷重を記録後、加重が最大荷重の3/4に下がったときを「破壊」とする)まで三点曲げ試験し、得られた曲げ荷重(F)と曲げたわみ(s)から、曲げ応力(σ)と曲げひずみ(ε)を算出し、応力―ひずみ曲線(S−Sカーブ)を得る。なお、曲げ応力(σ)と曲げひずみ(ε)の算出式はσ=(3FL)/(2bh2)、ε=(6hs)/L2となる。ここで、図1に示すように、得られたS−Sカーブの面積を単位体積あたりの破壊エネルギー、立ち上がりの接線の傾きを弾性率とした。
<Measurement of fracture energy and elastic modulus per unit volume>
A resin plate having a thickness (h) of 1.2 mm is cut into a width (b) of 2.9 mm and a length of 45 mm with a dicer or the like to make a test piece. Using an Instron 5948 type testing machine, the test piece breaks under the conditions of a distance between fulcrums (L) of 25 mm, a test speed of 1 mm / min, and a temperature of 20 to 25 ° C. (Here, the maximum load is recorded and then the maximum load is recorded. A three-point bending test is performed until the load drops to 3/4 of the load, and the bending stress (σ) and bending strain (ε) are obtained from the bending load (F) and bending deflection (s). And a stress-strain curve (SS curve) is obtained. The calculation formulas for bending stress (σ) and bending strain (ε) are σ = (3FL) / (2bh2) and ε = (6hs) / L2. Here, as shown in FIG. 1, the area of the obtained SS curve was defined as the fracture energy per unit volume, and the slope of the rising tangent was defined as the elastic modulus.

<加工性の評価>
まず、積層板表面にφ80μmの開口を有するサンドブラスト用ドライフィルム層を形成した。プロセスは以下のとおりである。
積層板表面にサンドブラスト用ドライフィルムSB−3050(日立化成製)を温度80℃圧力0.4MPa速度1.0m/minの条件でロールラミネートする。平行露光機とネガマスクを用いて、開口部を形成しようとする部位以外の面にUV光を115mJ/cm照射する。スプレー現像機を用いて、1.0wt%のNaCO水溶液でドライフィルムにφ80μmの開口を300μm以上の間隔で100穴以上現像する。1000mJ/cmのUV光を照射し硬化を促進させる。
次に、サンドブラスト装置を用いて積層板に穴加工を行った。プロセスは以下のとおりである。
開口を有するサンドブラスト用ドライフィルム層を形成した積層板をサンドブラスト装置ELP−1TR(エルフォテック製)にセットする。基板面から100mmの距離にあるφ5mm径のノズルから、噴射圧0.15MPaで平均粒径20μmのアルミナ#600砥粒を吹き付ける。その際、砥粒供給は、供給ローラー回転数で3rpmに設定、ノズルは移動速度8m/minで130mm幅を往復運動しつつ、積層板は20mm/minの速度で運ばれる。φ80μmの穴が開いている箇所を2回通過したら穴加工を止め、積層板を取り出し、ドライフィルムを取り去る。積層板に加工された穴の深さを深度計で無作為に20穴測定し、平均したものを加工性の指標とした。この数値が大きいほど加工速度が速い、すなわち加工性が高いということができる。
<Evaluation of workability>
First, a dry film layer for sandblasting having an opening of φ80 μm was formed on the surface of the laminate. The process is as follows.
A sandblasting dry film SB-3050 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is roll-laminated on the surface of the laminate under the conditions of a temperature of 80 ° C., a pressure of 0.4 MPa, and a speed of 1.0 m / min. Using a parallel exposure machine and a negative mask, UV light is irradiated to 115 mJ / cm 2 on the surface other than the part where the opening is to be formed. Using a spray developing machine, develop 100 holes or more of φ80 μm openings in a dry film with a 1.0 wt% Na 2 CO 3 aqueous solution at intervals of 300 μm or more. Curing is promoted by irradiation with 1000 mJ / cm 2 of UV light.
Next, a hole was formed in the laminate using a sandblasting apparatus. The process is as follows.
A laminated board on which a dry film layer for sandblasting having an opening is formed is set in a sandblasting apparatus ELP-1TR (manufactured by Elfotec). Alumina # 600 abrasive grains having an average particle diameter of 20 μm are sprayed from a nozzle having a diameter of 5 mm at a distance of 100 mm from the substrate surface at an injection pressure of 0.15 MPa. At that time, the supply of abrasive grains is set to 3 rpm by the number of rotations of the supply roller, the nozzle is reciprocated through a width of 130 mm at a moving speed of 8 m / min, and the laminate is carried at a speed of 20 mm / min. After passing through a hole with a hole of φ80 μm twice, the hole processing is stopped, the laminated board is taken out, and the dry film is removed. Twenty holes were randomly measured with a depth meter to measure the depth of the holes processed in the laminate, and the average was used as an index of workability. It can be said that the larger this value, the faster the processing speed, that is, the higher the workability.

<取扱性の評価>
200mm×200mmサイズの積層板を20枚重ねたものを、搬送ローラーの脇に準備する。搬送ローラー径50mm、搬送ローラー幅1mm、ローラーの間隔50mm、ローラー軸のピッチ最大45mm、搬送速度2.0mm/sの条件で搬送ローラーを動かし、積層板を一枚ずつ取り上げ、搬送ローラーに置いてゆき、5m搬送後1枚ずつ回収して重ねた。その際、積層板のダメージ(割れやヒビ)や、搬送ローラーからの落下や巻き込まれの有無をチェックし、取扱性の指標とした。なお、今回は積層板製造現場の基板搬送設備を利用したが、同様の搬送ローラーを有してあれば搬送設備に特に指定はない。
<Evaluation of handleability>
A stack of 20 200 mm × 200 mm laminates is prepared beside the transport roller. Transport roller diameter 50mm, transport roller width 1mm, roller interval 50mm, roller shaft pitch maximum 45mm, transport speed 2.0mm / s, move the transport roller, pick up the laminate one by one, put it on the transport roller Yuki was collected and stacked one by one after being transported for 5 m. At that time, the laminated board was checked for damage (cracks and cracks) and whether it was dropped or caught by the transport roller, and used as an index for handling. In addition, although the board | substrate conveyance equipment of the laminated board manufacturing field was utilized this time, if there is the same conveyance roller, there will be no designation | designated in particular in a conveyance equipment.

(実施例1、比較例1〜3)
<ワニスの調製>
以下に示す(d)、(e)、(f)、(g)及び(x)成分を表1に示した配合割合(質量部;但し(g)成分のみvol%)で混合し、溶媒にメチルエチルケトンを用いて樹脂分65質量%のワニスを調製した。
[(d)熱硬化性樹脂]
(d−1)ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
〔日本化薬株式会社製;商品名:XD−1000〕
(d−2)ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂
〔日本化薬株式会社製;商品名:NC−3000H〕
[(e)熱可塑性エラストマー]
(e−1)タフテックH1043:水添スチレン−ブタジエン共重合樹脂〔旭化成株式会社製、商品名〕
[(f)リン含有化合物]
(f−1)トリフェニルホスフィントリフェニルボラン
〔北興化学工業株式会社製;商品名:TPP−S〕
[(g)無機充填材]
(g−1)溶融シリカ(株式会社アドマテックス製:商品名:SC2050−KNK)
[(x)変性シリコーン]
製造例1:化合物(x−1)
温度計、攪拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積2リットルの反応容器に、X−22−161A:30.4gと、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン:192.0gと、p−アミノフェノール:7.3gと、3,3'−ジエチル−4,4'−ジアミノジフェニルメタン:20.3g及びプロピレングリコールモノメチルエーテル:375.0gを入れ、100℃で3時間反応させて、化合物(x−1)含有溶液を得た。
製造例2:化合物(x−2)
温度計、攪拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積2リットルの反応容器に、X−22−161B:26.8gと、3,3'−ジエチル−4,4'−ジアミノジフェニルメタン:301.0gと、p−アミノフェノール:7.2gと、ビス(4−マレイミドフェニル)メタン:22.4g及びプロピレングリコールモノメチルエーテル:536.3gを入れ、100℃で3時間反応させて、化合物(x−2)含有溶液を得た。
製造例3:(x−3)
温度計、攪拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積2リットルの反応容器に、X−22−161B:39.5gと、3,3'−ジエチル−4,4'−ジアミノジフェニルメタン:211.7gと、p−アミノフェノール:5.0gと、ビス(4−マレイミドフェニル)メタン:13.7g及びプロピレングリコールモノメチルエーテル:405.0gを入れ、100℃で3時間反応させて、化合物(x−3)含有溶液を得た。
<製造例1〜3で用いた材料>
[(a)分子構造中に少なくとも2個の1級アミノ基を有するアミン化合物]
(a−1)両末端ジアミン変性シロキサン
〔信越化学工業株式会社製;商品名:X−22−161A〕
(a−2)両末端ジアミン変性シロキサン
〔信越化学工業株式会社製;商品名:X−22−161B〕
(a−3)3,3'−ジエチル−4,4'−ジアミノジフェニルメタン
〔日本化薬株式会社製;商品名:KAYAHARD A−A〕
[(b)酸性置換基を有するアミン化合物]
p−アミノフェノール〔関東化学株式会社製〕
[(c)少なくとも2個のN−置換マレイミド基を有するマレイミド化合物]
2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン
〔大和化成工業株式会社製;商品名:BMI−4000〕
(Example 1, Comparative Examples 1-3)
<Preparation of varnish>
The following components (d), (e), (f), (g), and (x) are mixed in the mixing ratio shown in Table 1 (parts by mass; only component (g) is vol%), A varnish having a resin content of 65% by mass was prepared using methyl ethyl ketone.
[(D) Thermosetting resin]
(D-1) Dicyclopentadiene type epoxy resin [made by Nippon Kayaku Co., Ltd .; trade name: XD-1000]
(D-2) Biphenyl aralkyl type epoxy resin [manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; trade name: NC-3000H]
[(E) Thermoplastic elastomer]
(E-1) Tuftec H1043: Hydrogenated styrene-butadiene copolymer resin [trade name, manufactured by Asahi Kasei Corporation]
[(F) Phosphorus-containing compound]
(F-1) Triphenylphosphine triphenylborane [made by Hokuko Chemical Co., Ltd .; trade name: TPP-S]
[(G) Inorganic filler]
(G-1) Fused silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd .: trade name: SC2050-KNK)
[(X) Modified silicone]
Production Example 1: Compound (x-1)
In a reaction vessel with a capacity of 2 liters that can be heated and cooled, equipped with a thermometer, a stirrer, and a moisture quantifier with a reflux condenser, X-22-161A: 30.4 g and 2,2-bis (4- (4 -Maleimidophenoxy) phenyl) propane: 192.0 g, p-aminophenol: 7.3 g, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane: 20.3 g and propylene glycol monomethyl ether: 375.0 g And reacted at 100 ° C. for 3 hours to obtain a compound (x-1) -containing solution.
Production Example 2: Compound (x-2)
In a reaction vessel with a capacity of 2 liters that can be heated and cooled, equipped with a thermometer, a stirrer, and a moisture meter with a reflux condenser, X-22-161B: 26.8 g and 3,3′-diethyl-4,4 '-Diaminodiphenylmethane: 301.0 g, p-aminophenol: 7.2 g, bis (4-maleimidophenyl) methane: 22.4 g and propylene glycol monomethyl ether: 536.3 g were reacted at 100 ° C for 3 hours. To obtain a compound (x-2) -containing solution.
Production Example 3: (x-3)
In a reaction vessel with a volume of 2 liters that can be heated and cooled, equipped with a thermometer, a stirrer, and a moisture quantifier with a reflux condenser, X-22-161B: 39.5 g and 3,3′-diethyl-4,4 '-Diaminodiphenylmethane: 211.7 g, p-aminophenol: 5.0 g, bis (4-maleimidophenyl) methane: 13.7 g and propylene glycol monomethyl ether: 405.0 g were added and reacted at 100 ° C. for 3 hours. To obtain a compound (x-3) -containing solution.
<Materials used in Production Examples 1 to 3>
[(A) Amine compound having at least two primary amino groups in the molecular structure]
(A-1) Both-ends diamine-modified siloxane [manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .; trade name: X-22-161A]
(A-2) Both-end diamine-modified siloxane [manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .; trade name: X-22-161B]
(A-3) 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane [manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; trade name: KAYAHARD AA]
[(B) Amine compound having acidic substituent]
p-aminophenol (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.)
[(C) Maleimide compound having at least two N-substituted maleimide groups]
2,2-bis (4- (4-maleimidophenoxy) phenyl) propane [manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd .; trade name: BMI-4000]

Figure 2018048279
Figure 2018048279

<積層板の作製>
次に、上記ワニスを厚さ0.1mmのEガラスクロスに含浸塗工し、160℃で10分加熱乾燥して樹脂含有量48質量%のプリプレグを得た。このプリプレグを4枚重ね、9μmの電解銅箔を上下に配置し、圧力2.5MPa、温度240℃で60分間プレスを行って、銅張積層板を得た。その後、上下の銅箔を銅エッチング液により溶解して取り去って積層板を得た。
<Production of laminated plate>
Next, the varnish was impregnated and applied to an E glass cloth having a thickness of 0.1 mm and dried by heating at 160 ° C. for 10 minutes to obtain a prepreg having a resin content of 48 mass%. Four prepregs were stacked, 9 μm electrolytic copper foils were placed one above the other, and pressed at a pressure of 2.5 MPa and a temperature of 240 ° C. for 60 minutes to obtain a copper-clad laminate. Thereafter, the upper and lower copper foils were dissolved and removed with a copper etching solution to obtain a laminate.

<樹脂板の作製>
また、上記ワニスを、16μmのポリエチレンテレフタレート製フィルムに、乾燥後の樹脂厚が35μmとなるようにフィルムアプリケーター(テスター産業株式会社製、PI−1210)を用いて塗布し、160℃で10分加熱乾燥し、半硬化物の樹脂粉を得た。この樹脂粉を厚さ1.2mmのテフロン(登録商標)シートの型枠に投入し、12μmの電解銅箔の光沢面を上下に配置し、圧力2.0MPa、温度240℃で60分間プレスを行った後、電解銅箔を除去して樹脂板を得た。
<Production of resin plate>
The varnish is applied to a 16 μm polyethylene terephthalate film using a film applicator (PI-1210, manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.) so that the resin thickness after drying is 35 μm, and heated at 160 ° C. for 10 minutes. Drying was performed to obtain a semi-cured resin powder. This resin powder is put into a 1.2 mm thick Teflon (registered trademark) sheet form, the glossy surface of 12 μm electrolytic copper foil is placed up and down, and pressed for 60 minutes at a pressure of 2.0 MPa and a temperature of 240 ° C. After the electrolytic copper foil was removed, a resin plate was obtained.

得られた積層板及び樹脂板の試験・評価した結果を表2に示す。実施例では、砕け易さとハンドリングを両立する破壊エネルギーを有し、かつ高弾性率とすることで、良好な加工性と薄型積層板の取扱性を両立できている。一方比較例では、加工性には優れるがハンドリング時に割れる、あるいはたわみが大きく機械搬送に難があったり、取扱性に優れるものの加工速度が遅かったりしており、明らかに実施例と比較すると劣っている。   Table 2 shows the results of testing and evaluating the obtained laminate and resin plate. In an Example, it has the fracture energy which balances ease of crushing and handling, and can make favorable workability and the handleability of a thin laminated board by setting it as a high elasticity modulus. On the other hand, in the comparative example, it is excellent in workability, but it breaks at the time of handling, or the deflection is large and it is difficult to transport the machine, or the processing speed is slow although it is excellent in handleability, clearly inferior to the example. Yes.

Figure 2018048279
Figure 2018048279

以上、本発明によって、極薄でありながらたわみが少なく取扱性に優れ、高密度配線の配線板を高効率で製造することができるようになる。当該配線板は、電子機器の小型化及び高機能化に対応できる、薄型かつ高機能な半導体装置に好適であり、産業上の利用価値は非常に大きい。   As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture a wiring board having high density wiring with high efficiency while having a very small thickness and less deflection. The wiring board is suitable for a thin and highly functional semiconductor device that can cope with downsizing and high functionality of an electronic device, and has a great industrial utility value.

1…支持基材、2…導体層、3…積層体、4…基板、5,5a,5b…金属箔層、6…ビルドアップ層、7…樹脂層、8…第一のドライフィルムレジスト層、9…露光マスク、10…開口部、11…IVH。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Support base material, 2 ... Conductor layer, 3 ... Laminated body, 4 ... Board | substrate, 5, 5a, 5b ... Metal foil layer, 6 ... Build-up layer, 7 ... Resin layer, 8 ... 1st dry film resist layer 9 ... exposure mask, 10 ... opening, 11 ... IVH.

Claims (5)

硬化後の単位体積あたりの破壊エネルギーが0.0001〜0.001J/mmであり、かつ弾性率が8000MPa以上である配線板用樹脂組成物。 A resin composition for wiring boards having a fracture energy per unit volume after curing of 0.0001 to 0.001 J / mm 3 and an elastic modulus of 8000 MPa or more. 請求項1に記載の配線板用樹脂組成物をガラスクロスに含浸してなるプリプレグ。   A prepreg obtained by impregnating a glass cloth with the resin composition for a wiring board according to claim 1. 請求項2に記載のプリプレグを複数枚積層してなる積層板。   A laminate obtained by laminating a plurality of the prepregs according to claim 2. 厚さが20〜100μmである、請求項3に記載の積層板。   The laminated board of Claim 3 whose thickness is 20-100 micrometers. 請求項3又は4に記載の積層板に配線形成してなる配線板。   A wiring board formed by forming wiring on the laminated board according to claim 3.
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