KR20160118962A - Prepreg, resin substrate, metal clad laminated board, printed wiring board and semiconductor device - Google Patents

Prepreg, resin substrate, metal clad laminated board, printed wiring board and semiconductor device Download PDF

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KR20160118962A
KR20160118962A KR1020160039343A KR20160039343A KR20160118962A KR 20160118962 A KR20160118962 A KR 20160118962A KR 1020160039343 A KR1020160039343 A KR 1020160039343A KR 20160039343 A KR20160039343 A KR 20160039343A KR 20160118962 A KR20160118962 A KR 20160118962A
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노리유키 오히가시
겐야 다치바나
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스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
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Abstract

According to the present invention, a prepreg material is prepared by impregnating a thermosetting resin composition in a fiber substrate. When a thermomechanical analysis and measurement operation is conducted on a cured product which is obtained by heating the prepreg material at 230C for two hours, a ratio (2/1) of 2, which is an average linear expansion coefficient calculated in the range of 150C to 250C in the in-plane direction of the cured product, and 1, which is an average linear expansion coefficient calculated in the range of 50C to 150C in the in-plane direction of the cured product, is in the range of 0.7 to 2.20. The average linear expansion coefficient 2 is equal to or less than 8.0 ppm/C.

Description

프리프레그, 수지 기판, 금속 부착 적층판, 프린트 배선 기판, 및 반도체 장치{PREPREG, RESIN SUBSTRATE, METAL CLAD LAMINATED BOARD, PRINTED WIRING BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a prepreg, a resin substrate, a metal-clad laminate, a printed wiring board,

본 발명은, 프리프레그, 수지 기판, 금속 부착 적층판, 프린트 배선 기판, 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a prepreg, a resin substrate, a metal-clad laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device.

최근, 전자 기기의 고기능화의 요구에 따라, 전자 부품의 고밀도 집적화 및 고밀도 실장화가 진행되고 있다. 또, 전자 부품의 고밀도 집적화 및 고밀도 실장화로 인하여, 이들 전자 기기에 사용되는 반도체 장치의 소형화가 급속히 진행되고 있다. 그리고, 반도체 장치에 사용되는 프린트 배선 기판에는, 고밀도로 미세한 회로가 요구되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, high density integration and high-density mounting of electronic components have been progressed in accordance with the demand for high-performance of electronic devices. In addition, due to high-density integration of electronic components and high-density mounting, miniaturization of semiconductor devices used in these electronic devices is rapidly proceeding. A printed circuit board used in a semiconductor device is required to have a high-density and fine circuit.

미세한 회로를 형성하는 방법으로서, SAP(세미 애디티브 프로세스)법이 제안되고 있다. SAP법에서는, 먼저, 절연층 표면에 조화(粗化) 처리를 실시하고, 상기 절연층 표면 상에 하지(下地)가 되는 무전해 금속 도금막을 형성한다. 이어서, 도금 레지스트에 의하여 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의하여 회로 형성부의 구리 후육화를 행한다. 다음으로, 도금 레지스트를 제거하고, 그 후, 상기 회로 형성부 이외의 무전해 금속 도금막을 플러시 에칭으로 제거함으로써, 절연층 상에 회로를 형성한다. SAP법에 의하면, 절연층 상에 적층하는 금속층을 박막화할 수 있으므로, 보다 미세한 회로 배선이 가능해진다.As a method of forming a fine circuit, a SAP (semi-additive process) method has been proposed. In the SAP method, first, the surface of the insulating layer is subjected to a roughening treatment to form an electroless metal plating film serving as a ground (base) on the surface of the insulating layer. Next, the non-circuit forming portion is protected by the plating resist, and the copper thickening of the circuit forming portion is performed by electrolytic plating. Next, the plating resist is removed, and then an electroless metal plating film other than the circuit forming portion is removed by flush etching to form a circuit on the insulating layer. According to the SAP method, since the metal layer to be laminated on the insulating layer can be made thinner, a finer circuit wiring becomes possible.

반도체 장치는, 예를 들면, 프린트 배선 기판 상에 반도체 소자를 탑재함으로써 형성된다. 이와 같은 프린트 배선 기판에 관한 기술로서는, 예를 들면, 이하의 특허문헌 1에 기재된 기술을 들 수 있다. 특허문헌 1에는, 다이하이드로벤조옥사진환을 갖는 열경화성 수지 및 말레이미드환을 갖는 열경화성 수지를 필수 성분으로서 함유하는 열경화성 수지 조성물을 이용한 프린트 배선 기판이 기재되어 있다. 이러한 열경화성 수지 조성물은, 말레이미드환을 갖는 열경화성 수지의 함유 비율이, 다이하이드로벤조옥사진환을 갖는 열경화성 수지 및 말레이미드환을 갖는 열경화성 수지의 합계량에 대하여 3~30중량%인 것을 특징으로 한다.The semiconductor device is formed, for example, by mounting a semiconductor element on a printed wiring board. As a technique related to such a printed wiring board, for example, there is a technique described in Patent Document 1 below. Patent Document 1 discloses a printed wiring board using a thermosetting resin composition having a dihydrobenzoxazine ring and a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin having a maleimide ring as an essential component. The thermosetting resin composition is characterized in that the content of the thermosetting resin having a maleimide ring is 3 to 30% by weight based on the total amount of the thermosetting resin having a dihydrobenzoxazine ring and the thermosetting resin having a maleimide ring.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 평10-259248호Patent Document 1: JP-A-10-259248

프린트 배선 기판 상에 반도체 소자를 탑재함으로써 형성되는 반도체 장치에 대해서는, 배선 간의 절연 신뢰성이 우수한 것이 요구된다. 이와 같은 요구는, 최근의 프린트 배선 기판의 배선의 고밀도화에 따라 특히 현저해지고 있다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 고온 고습하에서의 프린트 배선 기판의 절연 신뢰성을 충분히 얻는 것이 곤란하다는 것이 밝혀졌다.A semiconductor device formed by mounting a semiconductor element on a printed wiring board is required to have excellent insulation reliability between wirings. Such a demand has become remarkable in recent years due to the increase in the wiring density of the printed wiring board. However, according to the study by the present inventors, it has been found that it is difficult to sufficiently obtain the insulation reliability of a printed wiring board under high temperature and high humidity in the technique described in Patent Document 1.

본 발명에 의하면,According to the present invention,

열경화성 수지 조성물을 섬유 기재에 함침하여 이루어지는 프리프레그로서,A prepreg obtained by impregnating a fiber substrate with a thermosetting resin composition,

당해 프리프레그를 230℃, 2시간 가열 처리하여 얻어지는 경화물에 대하여, 열기계 분석 측정을 행했을 때에, 경화물의 면내 방향의 50℃부터 150℃의 범위에 있어서 산출한 평균 선팽창 계수 α1에 대한 150℃부터 250℃의 범위에 있어서 산출한 평균 선팽창 계수 α2의 비(α21)가, 0.7 이상 2.0 이하이며, 또한, 상기 평균 선팽창 계수 α2가, 8.0ppm/℃ 이하인 프리프레그가 제공된다.The cured product obtained by subjecting the prepreg to heat treatment at 230 占 폚 for 2 hours is subjected to thermomechanical analysis to measure the average coefficient of linear expansion? 1 in the in-plane direction of the cured product in the range of 50 占 폚 to 150 占 폚 Wherein a ratio (α 2 / α 1 ) of an average linear expansion coefficient α 2 calculated in the range of 150 ° C. to 250 ° C. is 0.7 or more and 2.0 or less and the average linear expansion coefficient α 2 is 8.0 ppm / Is provided.

또한, 본 발명에 의하면, 상기 프리프레그의 경화물을 포함하는 수지 기판이 제공된다.According to the present invention, there is also provided a resin substrate including a cured product of the prepreg.

또한, 본 발명에 의하면, 상기 프리프레그의 경화물의 편면 또는 양면에, 또는 상기 프리프레그를 2매 이상 중첩한 적층체의 경화물의 편면 또는 양면에, 금속박이 마련되어 있는 금속 부착 적층판이 제공된다.According to the present invention, there is also provided a metal-clad laminate provided with a metal foil on one side or both sides of a cured product of the prepreg, or on one side or both sides of a cured product of a laminate obtained by superposing two or more prepregs.

또한, 본 발명에 의하면, 상기 수지 기판 또는 상기 금속 부착 적층판을 회로 가공하여 얻어지는 프린트 배선 기판이며, 1층 또는 2층 이상의 회로층이 마련되어 있는 프린트 배선 기판이 제공된다.Further, according to the present invention, there is provided a printed wiring board obtained by circuit processing the resin substrate or the metal clad laminate, and a printed wiring board provided with one or more circuit layers.

또한, 본 발명에 의하면, 프린트 배선 기판의 상기 회로층 상에 반도체 소자를 탑재한 반도체 장치가 제공된다.According to the present invention, there is also provided a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the circuit layer of a printed wiring board.

본 발명에 의하면, 미세한 회로 치수를 가지며, 또한, 고온 고습하에서의 절연 신뢰성이 우수한 프린트 배선 기판을 실현할 수 있는 프리프레그, 수지 기판 및 금속 부착 적층판을 제공할 수 있다. 또, 고온 고습하에서의 절연 신뢰성이 우수한 프린트 배선 기판 및 반도체 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a prepreg, a resin substrate, and a metal-clad laminate capable of realizing a printed wiring board having fine circuit dimensions and excellent insulation reliability under high temperature and high humidity. Further, it is possible to provide a printed wiring board and a semiconductor device excellent in insulation reliability under high temperature and high humidity.

도 1은, 본 실시형태에 있어서의 금속 부착 적층판의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는, 본 실시형태에 있어서의 프린트 배선 기판의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 3은, 본 실시형태에 있어서의 프린트 배선 기판의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4는, 본 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5는, 본 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing an example of a structure of a metal-clad laminate according to the present embodiment.
2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a printed wiring board in the present embodiment.
3 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a printed wiring board in the present embodiment.
4 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the semiconductor device in the present embodiment.
5 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the semiconductor device in the present embodiment.

이하에, 본 발명의 실시형태에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 공통의 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다. 또, 도는 개략도이며, 실제의 치수 비율과는 일치하지 않는다. 또한, 문장 중의 숫자의 사이에 있는 "~"는 특별한 설명이 없으면, 이상에서 이하를 나타낸다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. Also, the drawing is a schematic view and does not coincide with the actual dimensional ratio. Further, "~" between the numbers in the sentence indicates the following in the above unless otherwise specified.

먼저, 본 실시형태에 있어서의 프리프레그에 대하여 설명한다.First, the prepreg in this embodiment will be described.

프리프레그는, 프린트 배선 기판의 절연층을 형성하기 위하여 이용된다. 프리프레그는, 예를 들면, 본 실시형태에 있어서의 열경화성 수지 조성물 (P)(이하, 수지 조성물 (P)라고도 함)를 섬유 기재에 함침시키고, 그 후, 반경화시켜 얻어지는 시트 형상의 재료이다.The prepreg is used to form an insulating layer of a printed wiring board. The prepreg is a sheet-like material obtained, for example, by impregnating a fiber substrate with a thermosetting resin composition (P) (hereinafter also referred to as a resin composition (P)) in the present embodiment and then semi-curing .

또, 수지 기판은, 프린트 배선 기판의 절연층을 형성하기 위하여 이용된다.The resin substrate is used for forming an insulating layer of the printed wiring board.

여기에서, 수지 기판은 프리프레그의 경화물을 포함하고 있다. 이와 같은 수지 기판은, 예를 들면, 1매의 프리프레그를 가열 경화함으로써 얻을 수 있다. 또, 수지 기판은, 2매 이상의 프리프레그를 적층한 적층체를 가열 경화함으로써도 얻을 수 있다. 또한, 수지 기판으로서는, 프리프레그의 편면 또는 양면에, 프리프레그를 구성하는 섬유 기재 및 수지 조성물 (P) 이외의 절연성 재료로 구성된 층이 마련되어 있어도 된다. 이와 같은 층으로서는, 예를 들면, 수지 기판의 내찰상성을 향상시키기 위한 하드 코트층 등을 들 수 있다. 하드 코트층을 갖는 수지 기판은, 예를 들면, 상술한 프리프레그의 경화물의 편면 또는 양면에 프라이머층을 개재하여 하드 코트층을 밀착시킴으로써 얻을 수 있다. 또는, 경화 전의 프리프레그의 편면 또는 양면에 하드 코트층을 밀착한 상태에서, 가열 처리함으로써, 프리프레그를 경화 시킴과 함께, 프리프레그와 하드 코트층을 융착시켜, 수지 기판을 얻을 수 있다.Here, the resin substrate contains a cured product of the prepreg. Such a resin substrate can be obtained, for example, by thermally curing a single prepreg. The resin substrate can also be obtained by heat-curing a laminate obtained by laminating two or more prepregs. As the resin substrate, a layer composed of an insulating material other than the fiber base material and the resin composition (P) constituting the prepreg may be provided on one surface or both surfaces of the prepreg. Examples of such a layer include a hard coat layer for improving the scratch resistance of a resin substrate. The resin substrate having the hard coat layer can be obtained, for example, by bringing the hard coat layer into close contact with the one side or both sides of the cured product of the prepreg through the primer layer. Alternatively, the resin substrate can be obtained by heating the prepreg before and after hardening in a state in which the hard coat layer is in close contact with one side or both sides of the prepreg, thereby curing the prepreg and fusing the prepreg and the hard coat layer.

프리프레그는, 예를 들면, 프린트 배선 기판에 있어서의 빌드업층 중의 절연층이나 코어층 중의 절연층을 형성하기 위하여 이용할 수 있다.The prepreg can be used, for example, to form an insulating layer in the buildup layer or an insulating layer in the core layer in the printed wiring board.

프리프레그를 프린트 배선 기판에 있어서의 코어층 중의 절연층을 형성하기 위하여 이용하는 경우는, 예를 들면, 2매 이상의 프리프레그를 겹쳐, 얻어진 적층체를 가열 경화함으로써 코어층용의 절연층으로 할 수도 있다.When the prepreg is used for forming the insulating layer in the core layer of the printed wiring board, for example, two or more prepregs may be stacked and the obtained stacked body may be heat-cured to form an insulating layer for the core layer .

프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성이나, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 접속 신뢰성을 높이는 관점에서, 프리프레그는, 이하의 조건을 만족한다. 즉, 프리프레그를, 230℃에서 2시간 가열하여 얻어지는 경화물(이하, 단순히 "경화물"이라고도 함)에 대하여, 열기계 분석 측정을 행했을 때에, 경화물의 면내 방향의 50℃부터 150℃의 범위에 있어서 산출한 평균 선팽창 계수 α1에 대한 150℃부터 250℃의 범위에 있어서 산출한 평균 선팽창 계수 α2의 비(α21)가, 0.7 이상 2.0 이하이다. 또, α21은, 0.75 이상 1.5 이하인 것이 바람직하고, 0.8 이상 1.2 이하인 것이 보다 바람직하다.From the standpoint of the insulation reliability under high temperature and high humidity of the printed wiring board and the reliability of connection between the semiconductor element and the printed wiring board, the prepreg satisfies the following conditions. That is, when thermomechanical analysis is performed on a cured product obtained by heating the prepreg at 230 占 폚 for 2 hours (hereinafter simply referred to as "cured product"), (Α 2 / α 1 ) of the average linear expansion coefficient α 2 calculated in the range of 150 ° C. to 250 ° C. with respect to the average linear expansion coefficient α 1 calculated in the range is not less than 0.7 and not more than 2.0. It is preferable that? 2 /? 1 is 0.75 or more and 1.5 or less, more preferably 0.8 or more and 1.2 or less.

또한, 상술한 프리프레그의 경화물은, 단순히 프리프레그를 소정 온도(230℃)로 가열하여 얻을 수 있지만, 가압 조건하에서 가열하여 얻어진 경화물이 바람직하다. 프리프레그를 가열 가압하여 형성된 경화물에서는, 그 물성이 보다 안정되어, 정확한 물성 평가가 가능하게 되기 때문이다. 또한, 프리프레그를 가열 가압하여 경화물을 형성하는 경우에는, 예를 들면, 4MPa, 230℃에서 2시간 가열 가압함으로써, 경화물을 얻을 수 있다.The cured product of the prepreg described above can be obtained by simply heating the prepreg at a predetermined temperature (230 DEG C), but a cured product obtained by heating under a pressurized condition is preferable. This is because, in the cured product formed by heating and pressing the prepreg, the physical properties thereof are more stable, and accurate physical property evaluation becomes possible. When a prepreg is heated and pressed to form a cured product, the cured product can be obtained, for example, by heating under pressure at 4 MPa and 230 DEG C for 2 hours.

또, 프리프레그의 경화물만으로 구성된 수지 기판은, 상술한 프리프레그의 경화물과 동일한 조건을 만족한다. 또한, 수지 기판이, 프리프레그의 경화물 이외의 층을 갖는 경우에는, 프리프레그의 경화물만이, 상기 조건을 만족하면 된다. 이하의 설명에 있어서, 프리프레그의 경화물의 조건으로서 든 사항은, 수지 기판이 갖는 프리프레그의 경화물이 만족시켜야만 하는 조건이기도 하다.The resin substrate made of only the cured prepreg of the prepreg satisfies the same conditions as the above-mentioned cured prepreg. When the resin substrate has a layer other than the cured product of the prepreg, only the cured product of the prepreg may satisfy the above conditions. In the following description, the condition of the cured product of the prepreg is a condition in which the cured product of the prepreg of the resin substrate must be satisfied.

본 실시형태에 있어서, 평균 선팽창 계수 α1 및 α2는, TMA(열기계 분석) 장치(TA 인스트루먼트사제, Q400)를 이용하여, 대상물에 대하여, 온도 범위 30℃~260℃, 승온 속도 10℃/min, 하중 10g, 압축 모드의 조건에서 측정되는, 평면 방향(XY 방향)의 선팽창 계수(CTE)의 평균값이다.In the present embodiment, the average coefficient of linear expansion? 1 and? 2 are determined by using a TMA (thermomechanical analysis) apparatus (Q400, manufactured by TA Instrument) at a temperature range of 30 ° C. to 260 ° C., / min, a load of 10 g, and a linear expansion coefficient (CTE) in the plane direction (XY direction) measured under the compression mode.

경화물에 있어서, α21이 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 프린트 배선 기판의 환경 온도에 큰 변화가 발생해도, 회로층과 절연층 사이의 선팽창 계수차에 기인하여 발생하는 응력의 변화를 저감할 수 있다. 이로 인하여, 얻어지는 프린트 배선 기판이나 반도체 장치가, 온도 변화가 심한 상황에 장기간 놓여진 경우에도, 회로층과 절연층의 밀착성을 유지할 수 있다. 이상으로부터, 이러한 프리프레그를 이용함으로써, 얻어지는 프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성을 높일 수 있다고 생각된다.In the case of the cured product, when a value of? 2 /? 1 satisfies the above-described range, a change in the stress caused by the difference in coefficient of linear expansion between the circuit layer and the insulating layer Can be reduced. This makes it possible to maintain the adhesion between the circuit layer and the insulating layer even when the obtained printed wiring board or semiconductor device is placed for a long period of time under a severe temperature change. From the above, it is considered that the use of such a prepreg can improve the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity.

또한, 경화물에 있어서, α21이 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 반도체 장치의 환경 온도에 큰 변화가 발생해도, 프린트 배선 기판과 반도체 소자 사이의 선팽창 계수차에 기인하여 발생하는 응력의 변화를 저감할 수 있다. 그 결과, 반도체 소자의 프린트 배선 기판에 대한 위치 어긋남을 보다 더 억제할 수 있어, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 고온에서의 접속 신뢰성이나 온도 사이클 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.In the case of a cured product, when the value of? 2 /? 1 satisfies the above-described range, even if a large change occurs in the environmental temperature of the resulting semiconductor device, the stress caused by the difference in linear expansion coefficient between the printed wiring board and the semiconductor element The change can be reduced. As a result, displacement of the semiconductor element relative to the printed wiring board can be further suppressed, and connection reliability and temperature cycle reliability at high temperatures between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.

또, 프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성이나, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 접속 신뢰성을 보다 더 높이는 관점에서, 프리프레그는, 이하의 조건을 더 만족한다. 즉, 경화물에 대하여, 열기계 분석 측정을 행했을 때에, 경화물의 면내 방향의 150℃부터 250℃의 범위에 있어서 산출한 평균 선팽창 계수 α2가, 8.0ppm/℃ 이하이다. 또, 평균 선팽창 계수 α2는, 7.5ppm/℃ 이하인 것이 바람직하고, 7.2ppm/℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 하한값에 대해서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 0.1ppm/℃ 이상으로 할 수 있다.From the viewpoint of further improving the reliability of insulation of the printed wiring board under high temperature and high humidity and the reliability of connection between the semiconductor element and the printed wiring board, the prepreg further satisfies the following conditions. That is, when thermomechanical analysis is performed on the cured product, the average coefficient of linear expansion? 2 in the in-plane direction of the cured product in the range of 150 to 250 占 폚 is 8.0 ppm / 占 폚 or less. The average coefficient of linear expansion? 2 is preferably 7.5 ppm / ° C or less, and particularly preferably 7.2 ppm / ° C or less. The lower limit value is not particularly limited, but may be 0.1 ppm / DEG C or higher, for example.

경화물에 있어서, 평균 선팽창 계수 α2가 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 프린트 배선 기판이 땜납 리플로 등의 높은 온도에 노출되었을 때에, 회로층과 절연층 사이의 선팽창 계수차에 기인하여 발생하는 응력을 저감할 수 있다. 이로 인하여, 얻어지는 프린트 배선 기판이나 반도체 장치가, 온도 변화가 심한 상황에 장기간 놓여진 경우에도, 회로층과 절연층의 밀착성을 유지할 수 있다. 이로써, 얻어지는 프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.When the average linear expansion coefficient? 2 of the cured product satisfies the above-described range, the stress generated due to the difference in linear expansion coefficient between the circuit layer and the insulating layer when the resulting printed wiring board is exposed to a high temperature such as a solder reflow Can be reduced. This makes it possible to maintain the adhesion between the circuit layer and the insulating layer even when the obtained printed wiring board or semiconductor device is placed for a long period of time under a severe temperature change. This makes it possible to further improve the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity.

또, 경화물에 있어서, 평균 선팽창 계수 α2가 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 반도체 장치가 땜납 리플로 등의 높은 온도에 노출되었을 때에, 프린트 배선 기판과 반도체 소자 사이의 선팽창 계수차에 기인하여 발생하는 응력을 저감할 수 있다. 그 결과, 반도체 소자의 프린트 배선 기판에 대한 위치 어긋남을 보다 더 억제할 수 있어, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 고온에서의 접속 신뢰성이나 온도 사이클 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.When the average coefficient of linear expansion? 2 of the cured product satisfies the above-described range, it is caused by the difference in linear expansion coefficient between the printed wiring board and the semiconductor element when the obtained semiconductor device is exposed to a high temperature such as a solder reflow Stress can be reduced. As a result, displacement of the semiconductor element relative to the printed wiring board can be further suppressed, and connection reliability and temperature cycle reliability at high temperatures between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.

또, 프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성이나, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 접속 신뢰성을 높이는 관점에서, 프리프레그는, 이하의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. 즉, 경화물에 대하여, 열기계 분석 측정을 행했을 때에, 경화물의 면내 방향의 50℃부터 150℃의 범위에 있어서 산출한 평균 선팽창 계수 α1이, 7.5ppm/℃ 이하인 것이 바람직하고, 7.2ppm/℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 6.5ppm/℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 하한값에 대해서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 0.1ppm/℃ 이상으로 할 수 있다.From the viewpoint of improving the insulation reliability of the printed wiring board under high temperature and high humidity and improving the reliability of connection between the semiconductor element and the printed wiring board, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, when thermomechanical analysis is performed on the cured product, the average coefficient of linear expansion? 1 calculated in the in-plane direction of the cured product in the range of 50 ° C to 150 ° C is preferably 7.5 ppm / / ° C or less, and particularly preferably 6.5 ppm / ° C or less. The lower limit value is not particularly limited, but may be 0.1 ppm / DEG C or higher, for example.

경화물에 있어서, 평균 선팽창 계수 α1이 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 프린트 배선 기판의 환경 온도에 큰 변화가 발생해도, 회로층과 절연층 사이의 선팽창 계수차에 기인하여 발생하는 응력을 저감할 수 있다. 이로 인하여, 얻어지는 프린트 배선 기판이나 반도체 장치가, 온도 변화가 심한 상황에 장기간 놓여진 경우에도, 회로층과 절연층의 밀착성을 유지할 수 있다. 이로써, 얻어지는 프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.In the cured product, if the average coefficient of linear expansion? 1 satisfies the above range, the stress caused by the difference in coefficient of linear expansion between the circuit layer and the insulating layer is reduced even if a great change occurs in the environmental temperature of the obtained printed wiring board . This makes it possible to maintain the adhesion between the circuit layer and the insulating layer even when the obtained printed wiring board or semiconductor device is placed for a long period of time under a severe temperature change. This makes it possible to further improve the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity.

또, 경화물에 있어서, 평균 선팽창 계수 α1이 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 반도체 장치가, 높은 온도에 노출되었을 때에, 프린트 배선 기판과 반도체 소자 사이의 선팽창 계수차에 기인하여 발생하는 응력을 보다 저감할 수 있다. 그 결과, 반도체 소자의 프린트 배선 기판에 대한 위치 어긋남을 보다 더 억제할 수 있어, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 고온에서의 접속 신뢰성이나 온도 사이클 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.When the average linear expansion coefficient? 1 of the cured product satisfies the above-described range, the resulting semiconductor device exhibits a stress caused by the difference in coefficient of linear expansion between the printed wiring board and the semiconductor element when exposed to a high temperature. Can be reduced. As a result, displacement of the semiconductor element relative to the printed wiring board can be further suppressed, and connection reliability and temperature cycle reliability at high temperatures between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.

이와 같은 평균 선팽창 계수 α1이나 α2, α21을 달성하기 위해서는, 프리프레그의 수지 조성물 (P)의 구성 성분의 종류나 각 성분의 배합량, 프리프레그의 제조 방법 등을 적절히 설정하는 것이 중요하다. 또한, 수지 조성물 (P)의 구성 성분은, 구체적으로는, 후술하는, 말레이미드 화합물 (A), 벤조옥사진 화합물 (B), 무기 충전재 (C), 에폭시 수지 (D), 저응력재 (E), 섬유 기재, 경화 촉진제 등이다.In order to achieve the average coefficient of linear expansion? 1 ,? 2 ,? 2 /? 1 , the kind of the constituent components of the resin composition (P) of the prepreg, the blending amount of each component, the prepreg manufacturing method, It is important. Specific examples of the constituent components of the resin composition (P) include a maleimide compound (A), a benzoxazine compound (B), an inorganic filler (C), an epoxy resin (D) E), fiber substrate, curing accelerator, and the like.

또, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 접속 신뢰성을 보다 더 높이는 관점에서, 프리프레그는, 이하의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. 즉, 경화물에 대하여, 열기계 분석 장치를 이용하여, 30℃에서 260℃까지 10℃/min으로 승온하는 과정과, 260℃로 1시간 유지하는 과정을 갖는 열기계 분석 측정을 행했을 때, 열기계 분석 측정 전의 경화물의 세로 방향의 길이를 기준 길이 L0으로 하고, 경화물의 기준 길이 L0으로부터의 최대의 열팽창량을 L1로 하여, 경화물을 260℃로 1시간 유지했을 때의 기준 길이 L0으로부터의 열팽창량을 L2로 한 경우, 100×(L1-L2)/L0으로 나타나는 치수 수축률이, 0.15% 이하인 것이 바람직하고, 0.10% 이하인 것이 보다 바람직하다. 하한값에 대해서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 0.00% 이상으로 할 수 있다.From the viewpoint of further enhancing the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, when a cured product was subjected to a thermomechanical analysis measurement using a thermomechanical analyzer, a process of raising the temperature from 30 DEG C to 260 DEG C at a rate of 10 DEG C / min and a process of maintaining the temperature at 260 DEG C for one hour, The reference length L 0 in the longitudinal direction of the cured product before the thermomechanical analysis measurement, and the maximum thermal expansion amount from the reference length L 0 of the cured product as L 1 , When the thermal expansion amount from the length L 0 is L 2 , the dimensional shrinkage ratio represented by 100 × (L 1 -L 2 ) / L 0 is preferably 0.15% or less, more preferably 0.10% or less. The lower limit value is not particularly limited, but may be 0.00% or more, for example.

또한, 경화물의 세로 방향은 프리프레그의 반송 방향(이른바 MD)을 가리킨다.The longitudinal direction of the cured product indicates the conveying direction of the prepreg (so-called MD).

일반적으로, 반도체 장치가 높은 온도에 노출되면, 프린트 배선 기판 중의 절연층에 축적된 응력(예를 들면, 프리프레그를 가열 경화시킬 때에 섬유 기재에 축적된 응력)이 해방되어, 절연층이 수축하려고 한다. 또, 고온으로부터 상온으로 냉각될 때에, 절연층의 수지 성분이 수축하려고 한다. 이에 대하여, 경화물에 있어서, 치수 수축률이 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 반도체 장치가, 높은 온도에 노출되었을 때에, 프린트 배선 기판 중의 절연층의 수축에 기인하여 발생하는 응력을 저감할 수 있다. 이로 인하여, 반도체 장치가 온도 변화가 심한 상황에 장기간 놓여진 경우에도, 절연층과 회로층과의 밀착성을 유지할 수 있다. 그 결과, 얻어지는 프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성을 보다 높일 수 있다. 또, 반도체 소자의 프린트 배선 기판에 대한 위치 어긋남을 보다 더 억제할 수 있어, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 고온에서의 접속 신뢰성이나 온도 사이클 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.Generally, when the semiconductor device is exposed to a high temperature, the stress accumulated in the insulating layer in the printed wiring board (for example, the stress accumulated in the fibrous substrate when the prepreg is heated and cured) is released, do. Further, when the resin is cooled from high temperature to room temperature, the resin component of the insulating layer tends to shrink. On the other hand, in the case of the cured product, when the dimensional shrinkage rate satisfies the above-described range, the resulting semiconductor device can reduce the stress caused by shrinkage of the insulating layer in the printed wiring board when exposed to a high temperature. This makes it possible to maintain the adhesion between the insulating layer and the circuit layer even when the semiconductor device is placed for a long period of time in a state of severe temperature change. As a result, it is possible to further improve the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity. Further, positional deviation of the semiconductor element from the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability and the temperature cycle reliability at a high temperature between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.

이와 같은 치수 수축률을 달성하기 위해서는, 수지 조성물 (P)의 구성 성분인, 말레이미드 화합물 (A), 벤조옥사진 화합물 (B), 무기 충전재 (C), 에폭시 수지 (D), 저응력재 (E), 섬유 기재, 경화 촉진제 등의 종류나 배합량, 프리프레그의 제조 방법 등을 각각 적절히 제어하는 것이 중요하다.In order to achieve such a dimensional shrinkage ratio, the maleimide compound (A), the benzoxazine compound (B), the inorganic filler (C), the epoxy resin (D) E), fiber substrate, curing accelerator, etc., and the prepreg preparation method, etc., are suitably controlled.

또, 경화물에 대하여, 열기계 분석 장치를 이용하여, 30℃부터 300℃까지 10℃/min으로 승온하는 과정과, 300℃부터 30℃까지 10℃/min으로 강온하는 과정을 갖는 압축 모드에서의 면방향의 열기계 분석 측정을 행했을 때, 열기계 분석 측정 전의 경화물의 세로 방향의 길이를 기준 길이 L0으로 하고, 강온하는 과정에 있어서의 30℃에서의 경화물의 세로 방향의 길이를 L1로 한 경우, 100×(L1-L0)/L0으로 나타나는 치수 변화율이 바람직하게는 -0.20% 이상, 보다 바람직하게는 -0.15% 이상이다. 하한값에 대해서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 0.00% 이하로 할 수 있다.The cured product is subjected to a process of raising the temperature from 30 ° C to 300 ° C at a rate of 10 ° C / min using a thermomechanical analyzer, and a process of decreasing the temperature of the cured product from 300 ° C to 30 ° C at a rate of 10 ° C / The longitudinal length of the cured product before the thermomechanical analysis measurement is set as the reference length L 0 and the length in the longitudinal direction of the cured product at 30 캜 in the temperature lowering process is defined as L 1 , the dimensional change rate represented by 100 x (L 1 -L 0 ) / L 0 is preferably -0.20% or more, and more preferably -0.15% or more. The lower limit value is not particularly limited, but may be 0.00% or less, for example.

또한, 경화물의 세로 방향은 프리프레그의 반송 방향(이른바 MD)을 가리킨다.The longitudinal direction of the cured product indicates the conveying direction of the prepreg (so-called MD).

경화물에 있어서, 치수 변화율이 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 반도체 장치가, 심한 온도 변화에 노출되었을 때에, 프린트 배선 기판 중의 절연층의 치수 변화에 기인하여 발생하는 응력을 저감할 수 있다. 이로 인하여, 반도체 장치가 온도 변화가 심한 상황에 장기간 놓여진 경우에도, 절연층과 회로층과의 밀착성을 유지할 수 있다. 그 결과, 얻어지는 프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성을 보다 높일 수 있다. 또, 반도체 소자의 프린트 배선 기판에 대한 위치 어긋남을 보다 더 억제할 수 있어, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 고온에서의 접속 신뢰성이나 온도 사이클 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.In the cured product, when the dimensional change rate satisfies the above range, the stress caused by the dimensional change of the insulating layer in the printed wiring board can be reduced when the resulting semiconductor device is exposed to a severe temperature change. This makes it possible to maintain the adhesion between the insulating layer and the circuit layer even when the semiconductor device is placed for a long period of time in a state of severe temperature change. As a result, it is possible to further improve the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity. Further, positional deviation of the semiconductor element from the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability and the temperature cycle reliability at a high temperature between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.

이와 같은 치수 변화율을 달성하기 위해서는, 수지 조성물 (P)의 구성 성분인, 말레이미드 화합물 (A), 벤조옥사진 화합물 (B), 무기 충전재 (C), 에폭시 수지 (D), 저응력재 (E), 섬유 기재, 경화 촉진제 등의 종류나 배합량, 프리프레그의 제조 방법 등을 각각 적절히 제어하는 것이 중요하다.In order to achieve such a dimensional change rate, it is preferable to use the maleimide compound (A), the benzoxazine compound (B), the inorganic filler (C), the epoxy resin (D) E), fiber substrate, curing accelerator, etc., and the prepreg preparation method, etc., are suitably controlled.

또, 얻어지는 프린트 배선 기판의 강성이나 내열성을 향상시키는 관점에서, 프리프레그는, 이하의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. 즉, 경화물에 대하여, 승온 속도 5℃/min, 주파수 1Hz의 조건에서 동적 점탄성 측정을 행했을 때에, 경화물의 유리 전이 온도가, 260℃ 이상인 것이 바람직하고, 270℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 280℃ 이상인 것이 더 바람직하다. 상한에 대해서는, 예를 들면, 400℃ 이하가 바람직하다. 유리 전이 온도는, 동적 점탄성 분석 장치(DMA)를 이용하여 측정할 수 있다.From the viewpoint of improving the rigidity and heat resistance of the obtained printed wiring board, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, the cured product preferably has a glass transition temperature of 260 ° C or higher, more preferably 270 ° C or higher, and more preferably 280 ° C or higher, when the dynamic viscoelasticity measurement is performed on the cured product at a temperature raising rate of 5 ° C / Deg.] C or higher. As for the upper limit, for example, 400 占 폚 or lower is preferable. The glass transition temperature can be measured using a dynamic viscoelasticity analyzer (DMA).

동적 점탄성 측정에 의한 경화물의 유리 전이 온도가 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 프린트 배선 기판의 강성이 높아져, 실장 시의 프린트 배선 기판의 휨을 보다 더 저감할 수 있다. 그 결과, 얻어지는 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자의 프린트 배선 기판에 대한 위치 어긋남을 보다 더 억제할 수 있어, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 접속 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.When the glass transition temperature of the cured product obtained by the dynamic viscoelasticity measurement satisfies the above range, the rigidity of the printed wiring board obtained becomes high, and warping of the printed wiring board at the time of mounting can be further reduced. As a result, in the obtained semiconductor device, the displacement of the semiconductor element relative to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.

이와 같은 유리 전이 온도를 달성하기 위해서는, 수지 조성물 (P)의 구성 성분인, 말레이미드 화합물 (A), 벤조옥사진 화합물 (B), 무기 충전재 (C), 에폭시 수지 (D), 저응력재 (E), 섬유 기재, 경화 촉진제 등의 종류나 배합량, 프리프레그의 제조 방법 등을 각각 적절히 제어하는 것이 중요하다.In order to achieve such a glass transition temperature, the maleimide compound (A), the benzoxazine compound (B), the inorganic filler (C), the epoxy resin (D) It is important to suitably control the type and amount of the binder (E), the fiber substrate, the curing accelerator and the like, and the prepreg manufacturing method.

또, 프리프레그를 이용하여 얻어지는 프린트 배선 기판의 강성이나 내열성, 응력 완화능의 밸런스를 보다 더 향상시키는 관점에서, 프리프레그는, 이하의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. 즉, 경화물에 대하여, 동적 점탄성 측정을 행했을 때에, 경화물의 30℃에서의 저장 탄성률 E'30이, 10GPa 이상인 것이 바람직하고, 20GPa 이상인 것이 더 바람직하다. 상한값에 대해서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 40GPa 이하로 할 수 있다.From the viewpoint of further improving the balance of the rigidity, heat resistance and stress relaxation ability of the printed wiring board obtained by using the prepreg, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, with respect to the cured product, when performing the dynamic viscoelasticity measurement, the storage modulus E 'at 30 of the cured 30 ℃ water, and preferably not less than 10GPa, more preferably not less than 20GPa. The upper limit value is not particularly limited, but may be, for example, 40 GPa or less.

30℃에서의 경화물의 저장 탄성률 E'30이 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 프린트 배선 기판의 강성이나 내열성, 응력 완화능의 성능 밸런스가 향상되어, 실장 시의 프린트 배선 기판의 휨을 보다 더 저감할 수 있다. 이로 인하여, 얻어지는 반도체 장치에 대하여, 반도체 소자의 프린트 배선 기판에 대한 위치 어긋남을 보다 더 억제할 수 있다. 그 결과, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 접속 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.When 30 ℃ cured product storage elastic modulus E '30 in the satisfaction of the range, the performance balance of the rigidity and heat resistance, the stress relaxation ability of the printed wiring board obtained is improved, it can be more reduced than that of the printed circuit board at the time of mounting the warp have. This makes it possible to further suppress the positional deviation of the semiconductor element from the printed wiring board with respect to the obtained semiconductor device. As a result, the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.

또, 프리프레그를 이용하여 얻어지는 프린트 배선 기판의 강성이나 내열성, 응력 완화능의 밸런스를 보다 더 향상시키는 관점에서, 프리프레그는, 이하의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. 즉, 경화물에 대하여, 동적 점탄성 측정을 행했을 때에, 경화물의 250℃에서의 저장 탄성률 E'250에 대한 30℃에서의 저장 탄성률 E'30의 비(E'30/E'250)가, 1.05 이상 1.75 이하인 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the balance of the rigidity, heat resistance and stress relaxation ability of the printed wiring board obtained by using the prepreg, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, when with respect to the cured product, performing the dynamic viscoelasticity measurement, the "storage elastic modulus E at 30 ℃ about 250 '30 ratio (E' 30 / E '250) of the storage elastic modulus E of the curing 250 ℃ water, More preferably 1.05 or more and 1.75 or less.

경화물에 있어서, E'30/E'250이 상기 범위를 만족시키면, 온도 변화에 대한 프린트 배선 기판의 탄성률의 변화를 보다 더 억제할 수 있다. 이로써, 큰 온도 변화가 발생해도 절연층의 변형 등이 일어나기 어렵고, 반도체 소자의 프린트 배선 기판에 대한 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 그 결과, 반도체 소자와 프린트 배선 기판 사이의 접속 신뢰성을 보다 더 높일 수 있다.In the cured product, when E '30 / E' 250 satisfies the above range, the change in the modulus of elasticity of the printed wiring board with respect to the temperature change can be further suppressed. Thus, even if a large temperature change occurs, the insulating layer is hardly deformed, and the positional deviation of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be suppressed. As a result, the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.

이와 같은 저장 탄성률 E'30이나 E'30/E'250을 달성하기 위해서는, 수지 조성물 (P)의 구성 성분인, 말레이미드 화합물 (A), 벤조옥사진 화합물 (B), 무기 충전재 (C), 에폭시 수지 (D), 저응력재 (E), 섬유 기재, 경화 촉진제 등의 종류나 배합량, 프리프레그의 제조 방법 등을 각각 적절히 제어하는 것이 중요하다.Such a storage modulus E '30 and E' 30 / E 'in order to achieve 250, the components of the resin composition (P), maleimide compounds (A), benzoxazine compound (B), inorganic filler (C) , Epoxy resin (D), low stress material (E), fiber substrate, curing accelerator, etc., prepreg preparation method and the like.

또, 프리프레그의 경화물 또는 수지 기판의 미세 배선 가공성을 보다 더 높이는 관점에서, 프리프레그는, 이하의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. 즉, 경화물의 120℃에서 1시간 건조 후의 질량을 제1 질량으로 하고, 당해 경화물을 하기 조건으로 처리한 후에, 경화물의 120℃에서 1시간 건조 후의 질량을 제2 질량으로 했을 때, [{(제1 질량)-(제2 질량)}/(당해 경화물의 표리 양면의 면적의 합)]×100으로 정의되는 감막량이 1.2g/m2 이하인 것이 바람직하다.From the standpoint of further enhancing the fine wiring workability of the prepreg cured product or the resin substrate, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, when the mass of the cured product after drying at 120 ° C for 1 hour is defined as the first mass and the mass of the cured product after drying at 120 ° C for 1 hour is regarded as the second mass after the cured product is treated under the following conditions, (The first mass) - (the second mass)} / (the sum of the areas of the front and back surfaces of the cured product)] x 100 is preferably 1.2 g / m 2 or less.

<조건><Condition>

경화물을 3g/L 수산화 나트륨 용액(용매: 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터 11.1체적%, 에틸렌글라이콜 3.6체적%, 순수 85.3체적%)에 60℃, 5분간 침지함으로써 경화물을 팽윤시킨다. 이어서, 팽윤한 경화물을 조화 처리 수용액(과망간산 나트륨 60g/L, 수산화 나트륨 45g/L)에 80℃, 5분간 침지함으로써 경화물을 조화 처리한다. 이어서, 조화 처리한 경화물을 중화액(98질량% 황산 5.0체적%, 황산 하이드록실아민 0.8체적%, 순수 94.2체적%)에 40℃, 5분간 침지함으로써 경화물을 중화한다.The cured product was immersed in a 3 g / L sodium hydroxide solution (solvent: diethylene glycol monobutylether 11.1 vol%, ethylene glycol 3.6 vol%, pure water 85.3 vol%) at 60 DEG C for 5 minutes to swell the cured product . Subsequently, the swollen cured product is dipped in a harmony treatment aqueous solution (60 g / L of sodium permanganate and 45 g / L of sodium hydroxide) at 80 DEG C for 5 minutes to coarsen the cured product. Subsequently, the cured product subjected to the coarsened treatment is immersed in a neutralized solution (5.0% by volume of 98% by mass of sulfuric acid, 0.8% by volume of sulfuric acid hydroxylamine and 94.2% by volume of pure water) at 40 DEG C for 5 minutes to neutralize the cured product.

상기 경화물의 감막량이 상기 범위를 만족시키면, 프리프레그의 경화물 또는 수지 기판의 미세 배선 가공성을 향상시킬 수 있다. 이것은, 상기 식으로 정의되는 감막량이 상기 상한값 이하인 프리프레그의 경화물 또는 수지 기판은, 표면에 조화 처리를 실시해도, 금속층(회로층)에 대한 밀착성을 유지할 수 있기 때문이라고 생각된다.If the amount of the film of the cured product satisfies the above range, the cured product of the prepreg or the fine wiring workability of the resin substrate can be improved. This is presumably because the cured product or the resin substrate of the prepreg having the amount of the thin film defined by the above formula is not more than the upper limit value can maintain the adhesion to the metal layer (circuit layer) even if the surface is roughened.

이와 같은 감막량을 달성하기 위해서는, 수지 조성물 (P)의 구성 성분인, 말레이미드 화합물 (A), 벤조옥사진 화합물 (B), 무기 충전재 (C), 에폭시 수지 (D), 저응력재 (E), 섬유 기재, 경화 촉진제 등의 종류나 배합량, 프리프레그의 제조 방법 등을 각각 적절히 제어하는 것이 중요하다.In order to attain such a thin film amount, the maleimide compound (A), the benzoxazine compound (B), the inorganic filler (C), the epoxy resin (D), the low stress material E), fiber substrate, curing accelerator, etc., and the prepreg preparation method, etc., are suitably controlled.

프리프레그의 두께는, 예를 들면, 20μm 이상 220μm 이하이다. 프리프레그의 두께가 상기 범위 내이면, 기계적 강도 및 생산성의 밸런스가 특히 우수하여, 박형의 프린트 배선 기판에 적합한 수지 기판을 얻을 수 있다.The thickness of the prepreg is, for example, 20 μm or more and 220 μm or less. When the thickness of the prepreg is within the above range, the balance between the mechanical strength and the productivity is particularly excellent, and a resin substrate suitable for a thin printed wiring board can be obtained.

도 1은, 본 실시형태에 있어서의 금속 부착 적층판(200)의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 금속 부착 적층판(200)은, 프리프레그의 경화물로 구성되는 절연층(301)의 양면에 금속박(105)이 마련되어 있다. 금속 부착 적층판(200)은, 프린트 배선 기판의 절연층을 형성하기 위하여 이용할 수 있다. 또한, 도 1에서는, 절연층(301)의 양면에 금속박(105)이 마련되어 있지만, 본 실시형태의 금속 부착 적층판(200)은, 금속박(105)이, 절연층(301)의 일방의 편면에 마련된 구성이어도 된다. 또, 절연층(301)은, 복수 매(2매 이상)의 프리프레그를 중첩한 적층체의 경화물로 구성되어 있어도 된다.1 is a cross-sectional view showing an example of a structure of a metal-clad laminate 200 according to the present embodiment. As shown in Fig. 1, the metal clad laminate 200 is provided with metal foils 105 on both sides of an insulating layer 301 composed of a hardened prepreg. The metal-clad laminate 200 can be used to form an insulating layer of a printed wiring board. Although the metal foil 105 is provided on both sides of the insulating layer 301 in the embodiment shown in Fig. 1, the metal foil 105 is formed on one side of the insulating layer 301 . The insulating layer 301 may be composed of a multilayer body obtained by superposing a plurality of prepregs (two or more pieces).

또, 얻어지는 프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성을 보다 더 높이는 관점에서, 금속 부착 적층판(200)은, 이하의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. 즉, 금속 부착 적층판(200)을 135℃, 습도 85%RH의 환경하에 100시간 보관했을 때의 박리 강도 변화율이, 30% 이하인 것이 바람직하다. 여기에서, 박리 강도 변화율은 100×(P1-P2)/P1로 나타난다. P1은, JIS C-6481: 1996에 준거하여 측정되는, 보관 전의 프리프레그의 경화물(절연층(301)과 금속박(105)) 사이의 박리 강도이며, P2는, 보관 후의 프리프레그의 경화물(절연층(301)과 금속박(105)) 사이의 박리 강도이다.It is also preferable that the metal-clad laminate 200 satisfy the following conditions from the viewpoint of further improving the insulation reliability under high temperature and high humidity of the obtained printed wiring board. That is, it is preferable that the rate of change in peel strength when the metal-clad laminate 200 is stored in an environment of 135 ° C and 85% RH for 100 hours is 30% or less. Here, the rate of change in peel strength is expressed by 100 x (P 1 -P 2 ) / P 1 . P 1 is the peel strength between the cured product of the prepreg before storage (the insulating layer 301 and the metal foil 105) measured according to JIS C-6481: 1996, and P 2 is the peel strength of the prepreg after storage And the peel strength between the cured product (the insulating layer 301 and the metal foil 105).

금속 부착 적층판(200)에 있어서, 박리 강도 변화율이 상기 범위를 만족시키면, 얻어지는 프린트 배선 기판의 고온 고습하에서의 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이것은, 상기 식으로 정의되는 박리 강도 변화율이 상기 상한값 이하인 금속 부착 적층판(200)은, 고온 고습하에 장기간 노출되어도, 금속층(회로층)에 대한 밀착성을 유지할 수 있기 때문이라고 생각된다.In the metal-clad laminate 200, if the rate of change in peel strength satisfies the above range, the insulation reliability under high temperature and high humidity of the printed wiring board obtained can be improved. This is presumably because the metal-clad laminate 200 having the rate of change in peel strength as defined by the above formula can maintain the adhesion to the metal layer (circuit layer) even if it is exposed for a long time under high temperature and high humidity.

이와 같은 박리 강도 변화율을 달성하기 위해서는, 수지 조성물 (P)의 구성 성분인, 말레이미드 화합물 (A), 벤조옥사진 화합물 (B), 무기 충전재 (C), 에폭시 수지 (D), 저응력재 (E), 섬유 기재, 경화 촉진제 등의 종류나 배합량, 프리프레그의 제조 방법, 금속 부착 적층판(200)의 제조 방법 등을 각각 적절히 제어하는 것이 중요하다.In order to achieve such a rate of change in the peel strength, the maleimide compound (A), the benzoxazine compound (B), the inorganic filler (C), the epoxy resin (D) It is important to appropriately control the kind and amount of the binder (E), the fiber substrate, the curing accelerator, etc., the prepreg manufacturing method, and the method of manufacturing the metal clad laminate 200, respectively.

이어서, 프리프레그의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a method of manufacturing the prepreg will be described.

프리프레그는, 예를 들면, 본 실시형태에 있어서의 수지 조성물 (P)를 섬유 기재에 함침시키고, 그 후, 반경화시켜 얻어지는 시트 형상의 재료이다. 이와 같은 구조의 시트 형상 재료는, 유전 특성, 고온 다습하에서의 기계적, 전기적 접속 신뢰성 등의 각종 특성이 우수하여, 프린트 배선 기판의 절연층의 제조에 적합하다.The prepreg is, for example, a sheet-like material obtained by impregnating a fiber substrate with the resin composition (P) in the present embodiment, and then semi-curing. The sheet-like material having such a structure is excellent in various characteristics such as dielectric properties, mechanical and electrical connection reliability under high temperature and high humidity, and is suitable for manufacturing an insulating layer of a printed wiring board.

수지 조성물 (P)를 섬유 기재에 함침시키는 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수지 조성물 (P)를 용제에 용해시켜 수지 바니시를 조제하여, 섬유 기재를 상기 수지 바니시에 침지하는 방법, 각종 코터에 의하여 상기 수지 바니시를 섬유 기재에 도포하는 방법, 스프레이에 의하여 상기 수지 바니시를 섬유 기재에 분사하는 방법, 섬유 기재의 양면으로부터 수지 조성물 (P)로 이루어지는 수지층(P)로 섬유 기재를 래미네이팅하는 방법 등을 들 수 있다.The method of impregnating the resin composition (P) with the fiber substrate is not particularly limited, and examples thereof include a method of dissolving the resin composition (P) in a solvent to prepare a resin varnish and immersing the fiber substrate in the resin varnish, A method in which the resin varnish is sprayed onto the fiber substrate by spraying, a method in which the resin substrate (P) composed of the resin composition (P) And a method of laminating them.

이어서, 상기에서 얻어진 프리프레그를 이용한 금속 부착 적층판(200)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 프리프레그를 이용한 금속 부착 적층판(200)의 제조 방법은, 예를 들면 이하와 같다.Next, a method of manufacturing the metal-clad laminate 200 using the prepreg obtained as described above will be described. A method of manufacturing the metal-clad laminate 200 using the prepreg is as follows, for example.

먼저, 프리프레그 또는 프리프레그를 2매 이상 중첩한 적층체의 외측의 상하 양면 또는 편면에 금속박(105)을 겹친다. 다음으로, 래미네이터 장치나 베크렐 장치를 이용하여 고진공 조건하에서 이들을 접합한다. 또한, 래미네이터 장치나 베크렐 장치를 이용하지 않고, 프리프레그 또는 프리프레그를 2매 이상 중첩한 적층체의 외측의 상하 양면 또는 편면에 금속박(105)을, 단순히 겹친 상태로 해도 된다.First, the metal foil 105 is superimposed on the upper and lower surfaces or one side of the outer side of the laminate in which two or more prepregs or prepregs are superimposed. Next, they are bonded under a high vacuum condition using a laminator device or a becquerel device. Alternatively, the metal foil 105 may be simply superimposed on the upper and lower surfaces or one side of the outer side of the laminate in which two or more prepregs or prepregs are stacked without using the laminator device or the bakrete device.

이어서, 프리프레그(또는 2매 이상의 프리프레그의 적층체)와 금속박(105)을 겹친 적층체를 가열 가압 성형함으로써 금속 부착 적층판(200)을 얻을 수 있다. 여기에서, 가열 가압 성형 시에, 냉각 종료 시까지 가압을 계속하는 것이 바람직하다.Subsequently, the laminate of the prepreg (or a laminate of two or more prepregs) and the metal foil 105 is heated and pressed to obtain the metal laminate plate 200. Here, it is preferable to continue the pressurization at the time of heat press forming until the end of cooling.

상기의 가열 가압 성형할 때의 가열 온도는, 120℃ 이상 250℃ 이하가 바람직하고, 150℃ 이상 240℃ 이하가 보다 바람직하다.The heating temperature at the time of the heat press molding is preferably 120 占 폚 or higher and 250 占 폚 or lower, more preferably 150 占 폚 or higher and 240 占 폚 or lower.

또, 상기의 가열 가압 성형할 때의 압력은, 0.5MPa 이상 5MPa 이하가 바람직하고, 2.5MPa 이상 5MPa 이하의 고압이 보다 바람직하다.The pressure at the time of the hot pressing is preferably from 0.5 MPa to 5 MPa, and more preferably from 2.5 MPa to 5 MPa.

또, 가열 가압 성형 후에, 필요에 따라, 항온조 등으로 후경화를 행해도 된다. 후경화의 온도는, 150℃ 이상 300℃ 이하가 바람직하고, 250℃ 이상 300℃ 이하가 보다 바람직하다.After the heat press molding, if necessary, post-curing may be performed with a thermostat or the like. The post-curing temperature is preferably 150 占 폚 to 300 占 폚, and more preferably 250 占 폚 to 300 占 폚.

또, 이 금속 부착 적층판(200) 또는 수지 기판을 코어 기판으로서 이용하여 프린트 배선 기판을 얻을 수 있다.In addition, a printed wiring board can be obtained by using the metal-clad laminate 200 or the resin substrate as a core substrate.

이하, 프리프레그, 금속 부착 적층판(200) 및 수지 기판을 제조할 때에 사용하는 각 재료에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the prepreg, the metal-clad laminate 200 and the respective materials used in the production of the resin substrate will be described in detail.

금속박(105)을 구성하는 금속으로서는, 예를 들면, 구리, 구리계 합금, 알루미늄, 알루미늄계 합금, 은, 은계 합금, 금, 금계 합금, 아연, 아연계 합금, 니켈, 니켈계 합금, 주석, 주석계 합금, 철, 철계 합금, 코바(상표명), 42 알로이, 인바, 슈퍼 인바 등의 Fe-Ni계의 합금, W, Mo 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 금속박(105)을 구성하는 금속으로서는, 도전성이 우수하고, 에칭에 의한 회로 형성이 용이하며, 또 저렴한 점에서 구리 또는 구리 합금이 바람직하다. 즉, 금속박(105)으로서는, 구리박이 바람직하다.Examples of the metal constituting the metal foil 105 include metals such as copper, copper alloys, aluminum, aluminum alloys, silver, silver alloys, gold and gold alloys, zinc, zinc alloys, nickel, Fe-Ni alloys such as tin-based alloys, iron, iron-based alloys, Koba (trademark), 42 alloys, Invar, Super Invar, W, Mo and the like. Among them, copper or a copper alloy is preferable as the metal constituting the metal foil 105 because of its excellent conductivity, easy circuit formation by etching, and low cost. That is, the metal foil 105 is preferably a copper foil.

또, 금속박(105)으로서는, 캐리어부 금속박 등도 사용할 수 있다.As the metal foil 105, a carrier metal foil or the like may also be used.

금속박(105)의 두께는, 0.5μm 이상 20μm 이하가 바람직하고, 1.5μm 이상 18μm 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the metal foil 105 is preferably 0.5 μm or more and 20 μm or less, more preferably 1.5 μm or more and 18 μm or less.

이어서, 본 실시형태에 이용되는 섬유 기재에 대하여 설명한다.Next, the fiber substrate used in the present embodiment will be described.

섬유 기재로서는, 특별히 한정되지 않지만, 유리 직포, 유리 부직포 등의 유리 섬유 기재; 폴리아마이드 수지 섬유, 방향족 폴리아마이드 수지 섬유, 전방향족 폴리아마이드 수지 섬유 등의 폴리아마이드계 수지 섬유; 폴리에스터 수지 섬유, 방향족 폴리에스터 수지 섬유, 전방향족 폴리에스터 수지 섬유 등의 폴리에스터계 수지 섬유; 폴리이미드 수지 섬유, 불소 수지 섬유 중 어느 하나를 주성분으로 하는 직포 또는 부직포로 구성되는 합성 섬유 기재; 크래프트지, 코튼 린터지, 혹은 린터와 크래프트 펄프의 혼초지(混抄紙) 등을 주성분으로 하는 종이 기재; 등을 들 수 있다. 이들 중, 어느 하나를 사용할 수 있다. 이들 중에서도 유리 섬유 기재가 바람직하다. 이로써, 저흡수성이고, 고강도, 저열팽창성의 수지 기판을 얻을 수 있다.The fiber base material is not particularly limited, and examples thereof include glass fiber base materials such as glass woven fabric and glass nonwoven fabric; Polyamide resin fibers such as polyamide resin fibers, aromatic polyamide resin fibers and wholly aromatic polyamide resin fibers; Polyester-based resin fibers such as polyester resin fibers, aromatic polyester resin fibers and wholly aromatic polyester resin fibers; A synthetic fiber substrate composed of a woven or non-woven fabric comprising a polyimide resin fiber or a fluororesin fiber as a main component; Paper base materials mainly composed of kraft paper, cotton linters, or mixed paper of linter and kraft pulp; And the like. Any one of them may be used. Of these, glass fiber substrates are preferred. This makes it possible to obtain a resin substrate having low water absorption, high strength and low thermal expansion.

섬유 기재의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5μm 이상 150μm 이하가 바람직하고, 10μm 이상 100μm 이하가 보다 바람직하며, 12μm 이상 90μm 이하가 더 바람직하다. 이와 같은 두께를 갖는 섬유 기재를 이용함으로써, 프리프레그 제조 시의 핸들링성을 더 향상시킬 수 있다.The thickness of the fiber base material is not particularly limited, but is preferably 5 占 퐉 or more and 150 占 퐉 or less, more preferably 10 占 퐉 to 100 占 퐉, and more preferably 12 占 퐉 to 90 占 퐉. By using the fiber base material having such a thickness, the handling property at the time of producing the prepreg can be further improved.

섬유 기재의 두께가 상기 상한값 이하이면, 섬유 기재 중의 수지 조성물 (P)의 함침성이 향상되어, 스트랜드 보이드의 발생이나 절연 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 또 탄산 가스, UV, 엑시머 등의 레이저에 의한 수지 기판이나 절연층(301)에 대한 스루홀의 형성을 용이하게 할 수 있다. 또, 섬유 기재의 두께가 상기 하한값 이상이면, 섬유 기재나 프리프레그의 강도를 향상시킬 수 있다. 그 결과, 핸들링성을 향상시키고, 프리프레그의 제작이 용이해지며, 수지 기판의 휨을 억제할 수 있다.When the thickness of the fiber substrate is not more than the upper limit, the impregnability of the resin composition (P) in the fiber substrate is improved, and generation of strand voids and deterioration of insulation reliability can be suppressed. In addition, it is possible to facilitate the formation of the through holes for the resin substrate and the insulating layer 301 by laser such as carbon dioxide, UV, excimer and the like. When the thickness of the fibrous base material is not lower than the above lower limit value, the strength of the fibrous base material and the prepreg can be improved. As a result, the handling property is improved, the preparation of the prepreg is facilitated, and the warpage of the resin substrate can be suppressed.

유리 섬유 기재로서, 예를 들면, E 유리, S 유리, D 유리, T 유리, NE 유리, UT 유리, L 유리, HP 유리 및 석영 유리로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 유리에 의하여 형성된 유리 섬유 기재가 적합하게 이용된다.Examples of the glass fiber substrate include glass fibers formed by one or more kinds of glass selected from E glass, S glass, D glass, T glass, NE glass, UT glass, L glass, HP glass and quartz glass The substrate is suitably used.

수지 조성물 (P)는, 프린트 배선 기판에 있어서의 절연층을 형성하기 위하여 이용되는 열경화성 수지 조성물로서, 말레이미드 화합물 (A)와, 벤조옥사진 화합물 (B)와, 무기 충전재 (C)를 포함하는 것이 바람직하다.The resin composition (P) is a thermosetting resin composition used for forming an insulating layer in a printed wiring board and includes a maleimide compound (A), a benzoxazine compound (B), and an inorganic filler (C) .

말레이미드 화합물 (A)로서는, 하기 식 (1)에 의하여 나타나는 말레이미드 화합물 (A1)을 포함하는 것이 바람직하다.As the maleimide compound (A), it is preferable to include the maleimide compound (A1) represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 (1)에 있어서, n1은 0 이상 10 이하의 정수이고, X1은 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬렌기, 하기 식 (1a)로 나타나는 기, 식 "-SO2-"로 나타나는 기, "-CO-"로 나타나는 기, 산소 원자 또는 단결합이고, R1은 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 6 이하의 탄화 수소기이며, a는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이며, b는 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이다)(1), n 1 is an integer of 0 or more and 10 or less, X 1 is each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the following formula (1a), a group represented by the formula: -SO 2 - A group represented by "-CO- &quot;, an oxygen atom or a single bond, R 1 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a is independently an integer of 0 to 4, b are each independently an integer of 0 or more and 3 or less)

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

(상기 식 (1a)에 있어서, Y는 방향족환을 갖는 탄소수 6 이상 30 이하의 탄화 수소기이며, n2는 0 이상의 정수이다)(In the formula (1a), Y is a hydrocarbon group having an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms and n 2 is an integer of 0 or more)

X1에 있어서의 1 이상 10 이하의 알킬렌기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기가 바람직하다.The alkylene group of 1 to 10 in X 1 is not particularly limited, but a linear or branched alkylene group is preferable.

이 직쇄상의 알킬렌기로서는, 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 뷰틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 데칸일렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기 등을 들 수 있다.Specific examples of the straight chain alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, a heptylene group, an octylene group, a nonylene group, a decylenerene group, a trimethylene group, A pentamethylene group, and a hexamethylene group.

또, 분기쇄상의 알킬렌기로서는, 구체적으로는, -C(CH3)2-(아이소프로필렌기), -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2-와 같은 알킬메틸렌기; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2-와 같은 알킬에틸렌기 등을 들 수 있다.The alkylene group of the branched chain, specifically, -C (CH 3) 2 - ( iso-propylene group), -CH (CH 3) - , -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3 An alkylmethylene group such as - (CH 2 CH 3 ) -, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 ) -, -C (CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH (CH 3) CH 2 - , -CH (CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, -C (CH 2 CH 3 ) 2 -CH 2 -, and the like.

또한, X1에 있어서의 알킬렌기의 탄소수는, 1 이상 10 이하이면 되지만, 1 이상 7 이하인 것이 바람직하고, 1 이상 3 이하인 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이와 같은 탄소수를 갖는 알킬렌기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 아이소프로필렌기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the alkylene group in X 1 may be 1 or more and 10 or less, but is preferably 1 or more and 7 or less, more preferably 1 or more and 3 or less. Specifically, examples of the alkylene group having such a carbon number include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and an isopropylene group.

또, R1은, 각각 독립하여, 탄소수 1 이상 6 이하의 탄화 수소기이지만, 탄소수 1 또는 2의 탄화 수소기, 구체적으로는, 예를 들면, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.Each R 1 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, but is preferably a hydrocarbon group having 1 or 2 carbon atoms, concretely, for example, a methyl group or an ethyl group.

또한, a는 0 이상 4 이하의 정수이며, 0 이상 2 이하의 정수인 것이 바람직하고, 0인 것이 보다 바람직하다. 또, b는 0 이상 3 이하의 정수이며, 0 또는 1인 것이 바람직하고, 0인 것이 보다 바람직하다.Also, a is an integer of 0 or more and 4 or less, preferably an integer of 0 or more and 2 or less, more preferably 0. B is an integer of 0 or more and 3 or less, preferably 0 or 1, and more preferably 0.

또, n1은 0 이상 10 이하의 정수이며, 0 이상 6 이하의 정수인 것이 바람직하고, 0 이상 4 이하의 정수인 것이 보다 바람직하며, 0 이상 3 이하의 정수인 것이 특히 바람직하다. 또, 말레이미드 화합물 (A)는 상기 식 (1)에 있어서 n1이 1 이상의 화합물을 적어도 포함하는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 수지 조성물 (P)로부터 얻어지는 절연층은 보다 우수한 내열성을 발휘한다.N 1 is an integer of from 0 to 10, preferably from 0 to 6, more preferably from 0 to 4, particularly preferably from 0 to 3. It is more preferable that the maleimide compound (A) contains at least one compound of the formula (1) in which n 1 is 1 or more. As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits better heat resistance.

또한, 상기 식 (1a)에 있어서, Y는 방향족환을 갖는 탄소수 6 이상 30 이하의 탄화 수소기이며, n2는 0 이상의 정수이다.In the formula (1a), Y is a hydrocarbon group having an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms and n 2 is an integer of 0 or more.

이 방향족환을 갖는 탄소수 6 이상 30 이하의 탄화 수소기는, 방향족환만으로 이루어지는 탄화 수소기여도 되고, 방향족환 이외의 탄화 수소기를 갖고 있어도 된다. Y가 갖는 방향족환은, 1개여도 되고, 2개 이상이어도 되며, 2개 이상인 경우, 이들 방향족환은, 동일해도 되고 상이해도 된다. 또, 상기 방향족환은, 단환 구조 및 다환 구조 중 어느 것이어도 된다.The hydrocarbon group having 6 or more and 30 or less carbon atoms and having an aromatic ring may be a hydrocarbon group comprising only an aromatic ring or may have a hydrocarbon group other than an aromatic ring. Y may be an aromatic ring or two or more aromatic rings, and when two or more aromatic rings are present, these aromatic rings may be the same or different. The aromatic ring may be either a monocyclic structure or a polycyclic structure.

구체적으로는, 방향족환을 갖는 탄소수 6 이상 30 이하의 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 벤젠, 바이페닐, 나프탈렌, 안트라센, 플루오렌, 페난트렌, 인다센, 터페닐, 아세나프틸렌, 페날렌 등의 방향족성을 갖는 화합물의 핵으로부터 수소 원자를 2개 제거한 2가의 기를 들 수 있다.Specific examples of the hydrocarbon group having an aromatic ring and having 6 or more and 30 or less carbon atoms include benzene, biphenyl, naphthalene, anthracene, fluorene, phenanthrene, indacene, terphenyl, acenaphthylene, And a divalent group obtained by removing two hydrogen atoms from the nucleus of a compound having aromaticity.

또, 이들 방향족 탄화 수소기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 여기에서 방향족 탄화 수소기가 치환기를 갖는다는 것은, 방향족 탄화 수소기를 구성하는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기에 의해 치환된 것을 말한다. 치환기로서는, 예를 들면, 알킬기를 들 수 있다.These aromatic hydrocarbon groups may have a substituent. Here, the aromatic hydrocarbon group having a substituent means that a part or all of the hydrogen atoms constituting the aromatic hydrocarbon group are substituted with a substituent. As the substituent, for example, an alkyl group can be mentioned.

이 치환기로서의 알킬기로서는, 쇄상의 알킬기인 것이 바람직하다. 또, 그 탄소수는 1 이상 10 이하인 것이 바람직하고, 1 이상 6 이하인 것이 보다 바람직하며, 1 이상 4 이하인 것이 특히 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, tert-뷰틸기, sec-뷰틸기 등을 들 수 있다.The alkyl group as this substituent is preferably a linear alkyl group. The number of carbon atoms is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 6 or less, particularly preferably 1 or more and 4 or less. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, tert-butyl and sec-butyl.

이와 같은 기 Y는, 벤젠 또는 나프탈렌으로부터 수소 원자를 2개 제거한 기를 갖는 것이 바람직하고, 상기 식 (1a)로 나타나는 기로서는, 하기 식 (1a-1), (1a-2) 중 어느 하나로 나타나는 기인 것이 바람직하다. 이로써, 수지 조성물 (P)로부터 얻어지는 절연층은 보다 우수한 내열성을 발휘한다.Such a group Y preferably has a group obtained by removing two hydrogen atoms from benzene or naphthalene and the group represented by the formula (1a) is preferably a group represented by any one of the following formulas (1a-1) and (1a- . As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits better heat resistance.

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 식 (1a-1), (1a-2) 중, R4는, 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 6 이하의 탄화 수소기이다. e는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수, 보다 바람직하게는 0이다.In the formulas (1a-1) and (1a-2), R 4 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms. e is independently an integer of 0 or more and 4 or less, more preferably 0. [

또한, 상기 식 (1a)로 나타나는 기에 있어서, n2는, 0 이상의 정수이면 되지만, 0 이상 5 이하의 정수인 것이 바람직하고, 1 이상 3 이하의 정수인 것이 보다 바람직하며, 1 또는 2인 것이 특히 바람직하다.In the group represented by the formula (1a), n 2 may be an integer of 0 or more, but is preferably an integer of 0 or more and 5 or less, more preferably an integer of 1 or more and 3 or less, particularly preferably 1 or 2 Do.

이상으로부터, 상기 식 (1)에 의하여 나타나는 말레이미드 화합물 (A1)은, X1이, 탄소수 1 이상 3 이하의 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기이고, R1이 1 또는 2의 탄화 수소기이며, a가 0 이상 2 이하의 정수이고, b가 0 또는 1이며, n1이 1 이상 4 이하의 정수인 것이 바람직하다. 또는, X1은 상기 식 (1a-1), (1a-2) 중 어느 하나로 나타나는 기이며, e가 0인 것이 바람직하다. 이로써, 수지 조성물 (P)로부터 얻어지는 절연층은, 보다 우수한 저열수축성 및 내약품성을 발휘한다.From the above, the maleimide compound (A1) represented by the formula (1) is a compound wherein X 1 is a linear or branched alkylene group having 1 to 3 carbon atoms and R 1 is a hydrocarbon group having 1 or 2 carbon atoms , a is an integer of 0 or more and 2 or less, b is 0 or 1, and n 1 is an integer of 1 or more and 4 or less. Alternatively, X 1 is a group represented by any one of the formulas (1a-1) and (1a-2), and preferably, e is 0. As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exerts excellent heat shrinkability and chemical resistance.

상기 식 (1)에 의하여 나타나는 말레이미드 화합물 (A1)의 바람직한 구체예로서는, 예를 들면, 하기 식 (1-1)에 의하여 나타나는 말레이미드 화합물이 특히 바람직하게 사용된다.As a preferable specific example of the maleimide compound (A1) represented by the above formula (1), for example, a maleimide compound represented by the following formula (1-1) is particularly preferably used.

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

또, 말레이미드 화합물 (A)는, 상기 (1) 식에 의하여 나타나는 말레이미드 화합물 (A1)과는 상이한 종류의 말레이미드 화합물 (A2)를 포함해도 된다.The maleimide compound (A) may contain a maleimide compound (A2) of a different kind from the maleimide compound (A1) represented by the formula (1).

이와 같은 말레이미드 화합물 (A2)로서는, 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥세인, 헥사메틸렌다이아민비스말레이미드, N,N'-1,2-에틸렌비스말레이미드, N,N'-1,3-프로필렌비스말레이미드, N,N'-1,4-테트라메틸렌비스말레이미드 등의 지방족 비스말레이미드 화합물; 이미드 확장형 비스말레이미드 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥세인, 이미드 확장형 비스말레이미드가 특히 바람직하다. 말레이미드 화합물 (A2)는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of such maleimide compounds (A2) include 1,6'-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane, hexamethylene diamine bismaleimide, N, N'- Aliphatic bismaleimide compounds such as maleimide, N, N'-1,3-propylene bismaleimide and N, N'-1,4-tetramethylene bismaleimide; Imide-extended bismaleimide, and the like. Of these, 1,6'-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane and imide-extended bismaleimide are particularly preferred. The maleimide compound (A2) may be used alone or in combination of two or more.

이미드 확장형 비스말레이미드로서는, 예를 들면, 이하의 식 (a1)에 의하여 나타나는 비스말레이미드 화합물, 이하의 식 (a2)에 의하여 나타나는 비스말레이미드 화합물, 이하의 식 (a3)에 의하여 나타나는 비스말레이미드 화합물 등을 들 수 있다. 식 (a1)에 의하여 나타나는 비스말레이미드 화합물의 구체예로서는 BMI-1500(디자이너 몰레큘즈사(Designer Molecules Inc)제, 분자량 1500) 등을 들 수 있다. 식 (a2)에 의하여 나타나는 비스말레이미드 화합물의 구체예로서는 BMI-1700(디자이너 몰레큘즈사제, 분자량 1700), BMI-1400(디자이너 몰레큘즈사제, 분자량 1400) 등을 들 수 있다. 식 (a3)에 의하여 나타나는 비스말레이미드 화합물의 구체예로서는 BMI-3000(디자이너 몰레큘즈사제, 분자량 3000) 등을 들 수 있다.Examples of the imide-extended bismaleimide include a bismaleimide compound represented by the following formula (a1), a bismaleimide compound represented by the following formula (a2), a bis (maleimide) compound represented by the following formula Maleimide compounds and the like. Specific examples of the bismaleimide compound represented by formula (a1) include BMI-1500 (manufactured by Designer Molecules Inc., molecular weight: 1500). Specific examples of the bismaleimide compound represented by formula (a2) include BMI-1700 (manufactured by Designer Molecules, molecular weight 1700), BMI-1400 (manufactured by Designer Molecules, molecular weight 1400) Specific examples of the bismaleimide compound represented by formula (a3) include BMI-3000 (manufactured by Designer Molecules, molecular weight: 3000).

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 식 (a1)에 있어서, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.In the formula (a1), n represents an integer of 1 or more and 10 or less.

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 식 (a2)에 있어서, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.In the formula (a2), n represents an integer of 1 or more and 10 or less.

[화학식 7](7)

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 식 (a3)에 있어서, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.In the formula (a3), n represents an integer of 1 or more and 10 or less.

수지 조성물 (P) 중에 포함되는 말레이미드 화합물 (A)의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 (P)의 전체 고형분(즉, 용매를 제외한 성분)을 100질량%로 했을 때, 1.0질량% 이상 25.0질량% 이하가 바람직하고, 2.0질량% 이상 22.0질량% 이하가 보다 바람직하며, 5.0질량% 이상 20.0질량% 이하가 보다 바람직하다. 말레이미드 화합물 (A)의 함유량이 상기 범위 내이면, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 저열수축성 및 내약품성의 밸런스를 보다 더 향상시킬 수 있다.The content of the maleimide compound (A) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but the content of the maleimide compound (A) in the resin composition (P) is preferably 1.0% by mass, Or more and 25.0 mass% or less, more preferably 2.0 mass% or more and 22.0 mass% or less, and still more preferably 5.0 mass% or more and 20.0 mass% or less. When the content of the maleimide compound (A) is within the above range, the balance between the cured product of the obtained prepreg and the low heat shrinkability and chemical resistance of the resin substrate can be further improved.

말레이미드 화합물 (A) 중에 포함되는 말레이미드 화합물 (A1)의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 (P) 중에 포함되는 말레이미드 화합물 (A)를 100질량%로 했을 때, 30.0질량% 이상 100.0질량% 이하가 바람직하고, 50질량% 이상 100.0질량% 이하가 보다 바람직하다. 말레이미드 화합물 (A1)의 함유량이 상기 범위 내이면, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 저열수축성 및 내약품성의 밸런스를 보다 더 향상시킬 수 있다.The content of the maleimide compound (A1) contained in the maleimide compound (A) is not particularly limited, but it is preferably 30.0% by mass or more, more preferably 30.0% by mass or more, based on 100% by mass of the maleimide compound (A) Is preferably 100.0 mass% or less, more preferably 50 mass% or more and 100.0 mass% or less. When the content of the maleimide compound (A1) is within the above range, the balance of the cured product of the resulting prepreg and the low heat shrinkability and chemical resistance of the resin substrate can be further improved.

말레이미드 화합물 (A1)의 중량 평균 분자량(Mw)의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 400 이상이 바람직하고, 800 이상이 특히 바람직하다. Mw가 상기 하한값 이상이면, 프리프레그에 택킹(tacking)성이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, Mw의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 4000 이하가 바람직하고, 2500 이하가 보다 바람직하다. Mw가 상기 상한값 이하이면, 수지 기판 제작 시, 섬유 기재에 대한 함침성이 향상하여, 보다 균일한 수지 기판을 얻을 수 있다. 말레이미드 화합물 (A1)의 Mw는, 예를 들면 GPC(젤 퍼미에이션 크로마토그래피, 표준 물질: 폴리스타이렌 환산)로 측정할 수 있다.The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) of the maleimide compound (A1) is not particularly limited, but is preferably 400 or more, and particularly preferably 800 or more. When the Mw is equal to or smaller than the lower limit value, occurrence of tacking on the prepreg can be suppressed. The upper limit of Mw is not particularly limited, but is preferably 4000 or less, more preferably 2500 or less. When the Mw is not more than the upper limit value, the impregnation property with respect to the fiber substrate is improved at the time of manufacturing the resin substrate, and a more uniform resin substrate can be obtained. The Mw of the maleimide compound (A1) can be measured by, for example, GPC (gel permeation chromatography, standard material: in terms of polystyrene).

벤조옥사진 화합물 (B)는 벤조옥사진환을 갖는 화합물이다. 벤조옥사진 화합물 (B)로서는, 예를 들면, 하기 식 (2)에 의하여 나타나는 화합물, 하기 식 (3)에 의하여 나타나는 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.The benzoxazine compound (B) is a compound having a benzoxazine ring. Examples of the benzoxazine compound (B) include one or more compounds selected from the compounds represented by the following formula (2) and the compounds represented by the following formula (3).

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure pat00008
Figure pat00008

(상기 식 (2)에 있어서, X2는 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬렌기, 상기 식 (1a)로 나타나는 기, 식 "-SO2-"로 나타나는 기, "-CO-"로 나타나는 기, 산소 원자 또는 단결합이고, R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 6 이하의 탄화 수소기이며, c는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다)(2), each X 2 independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the formula (1a), a group represented by the formula "-SO 2 -", a group represented by "-CO-" An oxygen atom or a single bond, R 2 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and c is independently an integer of 0 to 4)

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure pat00009
Figure pat00009

(상기 식 (3)에 있어서, X3은 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬렌기, 상기 식 (1a)로 나타나는 기, 식 "-SO2-"로 나타나는 기, "-CO-"로 나타나는 기, 산소 원자 또는 단결합이고, R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 6 이하의 탄화 수소기이며, d는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다)(3), each X 3 independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the formula (1a), a group represented by the formula "-SO 2 -", a group represented by "-CO-" An oxygen atom or a single bond, R 3 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and d is independently an integer of 0 to 4)

상기 식 (2) 및 상기 식 (3)에 있어서의 X2 및 X3으로서는, 상기 식 (1)에 있어서의 X1로 설명한 것과 동일한 기를 들 수 있다. 또, 상기 식 (2) 및 상기 식 (3)에 있어서의 R2 및 R3으로서는, 상기 식 (1)에 있어서의 R1로 설명한 것과 동일하게 할 수 있고, 또한, 상기 식 (2) 및 상기 식 (3)에 있어서의 c 및 d로서는, 상기 식 (1)에 있어서의 a로 설명한 것과 동일하게 할 수 있다.Examples of X 2 and X 3 in the formulas (2) and (3) include the same groups as those described for X 1 in the formula (1). R 2 and R 3 in the formulas (2) and (3) can be the same as those described for R 1 in the formula (1), and the formulas (2) and The c and d in the formula (3) can be the same as those described for the formula (1).

이와 같은 벤조옥사진 화합물 (B)로서는, 상기 식 (2)로 나타나는 화합물 및 상기 식 (3)으로 나타나는 화합물 중, 상기 식 (2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다. 이로써, 수지 조성물 (P)로부터 얻어지는 절연층은, 보다 우수한 저열수축성 및 내약품성을 발휘한다.The benzoxazine compound (B) is preferably a compound represented by the formula (2) among the compound represented by the formula (2) and the compound represented by the formula (3). As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exerts excellent heat shrinkability and chemical resistance.

또, 이 상기 식 (2)로 나타나는 화합물은, 상기 X2가 탄소수 1 이상 3 이하의 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기이고, R2가 1 또는 2의 탄화 수소기이며, c가 0 이상 2 이하의 정수인 것이 바람직하다. 또는, 상기 X2는 상기 식 (1a-1), (1a-2) 중 어느 하나로 나타나는 기이며, c가 0인 것이 바람직하다. 이로써, 수지 조성물 (P)로부터 얻어지는 절연층은, 보다 우수한 저열수축성 및 내약품성을 발휘한다.The compound represented by the above formula (2) is a compound wherein X 2 is a linear or branched alkylene group having 1 to 3 carbon atoms and R 2 is a hydrocarbon group having 1 or 2, Or less. Alternatively, X 2 is a group represented by any one of the formulas (1a-1) and (1a-2), and c is preferably 0. As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exerts excellent heat shrinkability and chemical resistance.

벤조옥사진 화합물 (B)의 바람직한 구체예로서는, 예를 들면, 하기 식 (2-1)에 의하여 나타나는 화합물, 하기 식 (2-2)에 의하여 나타나는 화합물, 하기 식 (2-3)에 의하여 나타나는 화합물, 하기 식 (3-1)에 의하여 나타나는 화합물, 하기 식 (3-2)에 의하여 나타나는 화합물 및 하기 식 (3-3)에 의하여 나타나는 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.Specific examples of the benzoxazine compound (B) include, for example, a compound represented by the following formula (2-1), a compound represented by the following formula (2-2), a compound represented by the following formula A compound represented by the following formula (3-1), a compound represented by the following formula (3-2), and a compound represented by the following formula (3-3) .

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure pat00010
Figure pat00010

(상기 식 (2-3)에 있어서, R은 각각 독립적으로 탄소수 1~4의 탄화 수소기이다)(In the above formula (2-3), each R is independently a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms)

[화학식 11](11)

Figure pat00011
Figure pat00011

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure pat00012
Figure pat00012

수지 조성물 (P) 중에 포함되는 벤조옥사진 화합물 (B)의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 (P)의 전체 고형분(즉, 용매를 제외한 성분)을 100질량%로 했을 때, 1.0질량% 이상 25.0질량% 이하가 바람직하고, 2.0질량% 이상 15.0질량% 이하가 보다 바람직하다. 벤조옥사진 화합물 (B)의 함유량이 상기 범위 내이면, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 저열수축성 및 내약품성을 보다 더 향상시킬 수 있다.The content of the benzoxazine compound (B) contained in the resin composition (P) is not particularly limited. When the total solids content of the resin composition (P) is 100 mass% Or more and 25.0 mass% or less, and more preferably 2.0 mass% or more and 15.0 mass% or less. When the content of the benzoxazine compound (B) is within the above range, it is possible to further improve the cured product of the obtained prepreg and the low heat shrinkability and chemical resistance of the resin substrate.

수지 조성물 (P) 중에 포함되는 말레이미드 화합물 (A)의 함유량은, 말레이미드 화합물 (A) 및 벤조옥사진 화합물 (B)의 합계 100질량%에 대하여 35질량% 이상 80질량% 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 내열성, 저열수축성 및 내약품성을 보다 더 향상시킬 수 있다.The content of the maleimide compound (A) contained in the resin composition (P) is preferably 35 mass% or more and 80 mass% or less based on 100 mass% of the total amount of the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B) . This makes it possible to further improve the heat resistance, the low heat shrinkability, and the chemical resistance of the obtained cured product of the prepreg and the resin substrate.

본 실시형태에 관한 수지 조성물 (P)는 에폭시 수지 (D)를 추가로 포함할 수 있다.The resin composition (P) according to the present embodiment may further include an epoxy resin (D).

에폭시 수지 (D)로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 M형 에폭시 수지(4,4'-(1,3-페닐렌다이아이소프리다이엔) 비스페놀형 에폭시 수지), 비스페놀 P형 에폭시 수지(4,4'-(1,4-페닐렌다이아이소프리다이엔) 비스페놀형 에폭시 수지), 비스페놀 Z형 에폭시 수지(4,4'-사이클로헥사다이엔 비스페놀형 에폭시 수지) 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페놀기 에테인형 노볼락형 에폭시 수지, 축합환 방향족 탄화 수소 구조를 갖는 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 바이페닐형 에폭시 수지; 자일릴렌형 에폭시 수지, 바이페닐아랄킬형 에폭시 수지 등의 아랄킬형 에폭시 수지; 나프틸렌에터형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌다이올형 에폭시 수지, 2관능 내지 4관능 에폭시형 나프탈렌 수지, 바이나프틸형 에폭시 수지, 나프탈렌 아랄킬형 에폭시 수지 등의 나프탈렌형 에폭시 수지; 안트라센형 에폭시 수지; 페녹시형 에폭시 수지; 다이사이클로펜타다이엔형 에폭시 수지; 노보넨형 에폭시 수지; 아다만테인형 에폭시 수지; 플루오렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy resin (D) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin (4,4 '- Bisphenol-type epoxy resin), bisphenol-type epoxy resin (4,4 '- (1,4-phenylene diisophoradiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy resin , 4'-cyclohexadiene bisphenol type epoxy resin), and other bisphenol type epoxy resins; Novolak type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, tetra phenol group ethane type novolak type epoxy resin and condensed ring aromatic hydrocarbon structure novolak type epoxy resin; Biphenyl-type epoxy resins; Aralkyl type epoxy resins such as xylylen type epoxy resins and biphenyl aralkyl type epoxy resins; Naphthalene type epoxy resins such as naphthylene ether type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, bifunctional to tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, binaphthyl type epoxy resin and naphthalene aralkyl type epoxy resin; Anthracene type epoxy resin; Phenoxy type epoxy resin; Dicyclopentadiene type epoxy resin; Norbornene type epoxy resin; Adamantane type epoxy resin; Fluorene-type epoxy resins, and the like.

에폭시 수지 (D)로서, 이들 중의 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 되며, 1종류 또는 2종류 이상과 이들의 프리폴리머를 병용해도 된다.As the epoxy resin (D), one type of epoxy resin (D) may be used alone, or two or more types may be used together, or one type or two or more types thereof and these prepolymers may be used in combination.

에폭시 수지 (D) 중에서도, 얻어지는 프린트 배선 기판의 내열성 및 절연 신뢰성을 보다 더 향상시킬 수 있는 관점에서, 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔형 에폭시 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이 바람직하고, 아랄킬형 에폭시 수지, 축합환 방향족 탄화 수소 구조를 갖는 노볼락형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이 보다 바람직하다.Of the epoxy resins (D), from the viewpoint of further improving the heat resistance and insulation reliability of the obtained printed wiring board, there can be mentioned bisphenol type epoxy resins, novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, aralkyl type epoxy resins, An epoxy resin, an anthracene epoxy resin, and a dicyclopentadiene epoxy resin, and is preferably an aralkyl type epoxy resin, a novolak type epoxy resin having a condensed ring aromatic hydrocarbon structure And naphthalene type epoxy resins are more preferable.

비스페놀 A형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠사제의 "에피코트 828EL" 및 "YL980" 등을 이용할 수 있다. 비스페놀 F형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠사제의 "jER806H" 및 "YL983U", DIC사제의 "EPICLON 830S" 등을 이용할 수 있다. 2관능 나프탈렌형 에폭시 수지로서는, DIC사제의 "HP4032", "HP4032D" 및 "HP4032SS" 등을 이용할 수 있다. 4관능 나프탈렌형 에폭시 수지로서는, DIC사제의 "HP4700" 및 "HP4710" 등을 이용할 수 있다. 나프톨형 에폭시 수지로서는, 신닛테츠 가가쿠사제의 "ESN-475V", 닛폰 가야쿠사제의 "NC7000L" 등을 이용할 수 있다. 아랄킬형 에폭시 수지로서는, 닛폰 가야쿠사제의 "NC3000", "NC3000H", "NC3000L", "NC3000S", "NC3000S-H", "NC3100", 신닛테츠 가가쿠사제의 "ESN-170", 및 "ESN-480" 등을 이용할 수 있다. 바이페닐형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠사제의 "YX4000", "YX4000H", "YX4000HK" 및 "YL6121" 등을 이용할 수 있다. 안트라센형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 가가쿠사제의 "YX8800" 등을 이용할 수 있다. 나프틸렌에터형 에폭시 수지로서는, DIC사제의 "HP6000", "EXA-7310", "EXA-7311", "EXA-7311L" 및 "EXA7311-G3" 등을 이용할 수 있다.As the bisphenol A type epoxy resin, "Epikote 828EL" and "YL980" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. As the bisphenol F type epoxy resin, "jER806H " and" YL983U "available from Mitsubishi Chemical Corporation, and" EPICLON 830S " As the bifunctional naphthalene type epoxy resin, "HP4032 "," HP4032D ", and "HP4032SS" As the tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, "HP4700" and "HP4710" manufactured by DIC Corporation can be used. As the naphthol-type epoxy resin, "ESN-475V" manufactured by Shinnittoshi Kagaku Co., Ltd., "NC7000L" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and the like can be used. "NC3000", "NC3000H", "NC3000L", "NC3000S", "NC3000S-H" and "NC3100" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., "ESN- "ESN-480" As the biphenyl type epoxy resin, "YX4000", "YX4000H", "YX4000HK" and "YL6121" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. As the anthracene epoxy resin, "YX8800" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd. and the like can be used. As the naphthylene ether type epoxy resin, "HP6000", "EXA-7310", "EXA-7311", "EXA-7311L" and "EXA7311-G3" manufactured by DIC can be used.

에폭시 수지 (D)로서, 이들 중의 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 되며, 1종류 또는 2종류 이상과, 이들의 프리폴리머를 병용해도 된다.As the epoxy resin (D), one type of epoxy resin (D) may be used alone, or two or more types thereof may be used together, or one type or two or more types thereof may be used in combination with these prepolymers.

이들 에폭시 수지 (D) 중에서도 특히 아랄킬형 에폭시 수지가 바람직하다. 이로써, 수지 기판의 흡습 땜납 내열성 및 난연성을 더 향상시킬 수 있다.Among these epoxy resins (D), an aralkyl type epoxy resin is particularly preferable. As a result, the heat-resistant solder heat resistance and flame retardancy of the resin substrate can be further improved.

에폭시 수지 (D)의 중량 평균 분자량(Mw)의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 300 이상이 바람직하고, 800 이상이 특히 바람직하다. Mw가 상기 하한값 이상이면, 프리프레그에 택킹성이 발생하는 것을 억제할 수 있다. Mw의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 20,000 이하가 바람직하고, 15,000 이하가 특히 바람직하다. Mw가 상기 상한값 이하이면, 프리프레그의 제작 시, 섬유 기재에 대한 함침성이 향상되어 보다 균일한 프리프레그를 얻을 수 있다. 에폭시 수지의 Mw는, 예를 들면 GPC로 측정할 수 있다.The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin (D) is not particularly limited, but is preferably 300 or more, particularly preferably 800 or more. When Mw is not less than the above lower limit value, it is possible to suppress the occurrence of the picking property on the prepreg. The upper limit of Mw is not particularly limited, but is preferably 20,000 or less, and particularly preferably 15,000 or less. When the Mw is less than the upper limit value, the impregnation property with respect to the fibrous substrate is improved at the time of making the prepreg, so that a more uniform prepreg can be obtained. The Mw of the epoxy resin can be measured by GPC, for example.

수지 조성물 (P) 중에 포함되는 에폭시 수지 (D)의 함유량은, 그 목적에 따라 적절히 조정되면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 단, 수지 조성물 (P) 중의 무기 충전재 (C)를 제외하는 성분의 전량을 100질량%로 했을 때, 1질량% 이상 50질량% 이하인 것이 바람직하다. 에폭시 수지 (D)의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 핸들링성이 향상되어, 프리프레그를 형성하는 것이 용이해진다. 에폭시 수지 (D)의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 얻어지는 프린트 배선 기판의 강도나 난연성이 향상되거나, 프린트 배선 기판의 선팽창 계수가 저하되어, 휨의 저감 효과가 향상되는 경우가 있다.The content of the epoxy resin (D) contained in the resin composition (P) may be suitably adjusted according to the purpose, and is not particularly limited. However, when the total amount of the components excluding the inorganic filler (C) in the resin composition (P) is 100 mass%, it is preferably 1 mass% or more and 50 mass% or less. When the content of the epoxy resin (D) is not lower than the above lower limit value, the handling property is improved and the prepreg can be easily formed. When the content of the epoxy resin (D) is not more than the upper limit value, the strength and flame retardancy of the resulting printed wiring board are improved, the coefficient of linear expansion of the printed wiring board is lowered, and the effect of reducing warpage is improved.

본 실시형태에 관한 수지 조성물 (P)는, 무기 충전재 (C)를 포함하는 것이 바람직하다. 이로써, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 저장 탄성률 E'를 향상시킬 수 있다. 또한, 얻어지는 절연층(301)의 선팽창 계수를 작게 할 수 있다.The resin composition (P) according to the present embodiment preferably contains an inorganic filler (C). As a result, the storage elastic modulus E 'of the cured product of the obtained prepreg and the resin substrate can be improved. In addition, the coefficient of linear expansion of the obtained insulating layer 301 can be reduced.

무기 충전재 (C)로서는, 예를 들면, 탈크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 마이카, 유리 등의 규산염; 산화 타이타늄, 알루미나, 베마이트, 실리카, 용융 실리카 등의 산화물; 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 하이드로탈사이트 등의 탄산염; 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 수산화 칼슘 등의 수산화물; 황산 바륨, 황산 칼슘, 아황산 칼슘 등의 황산염 또는 아황산염; 붕산 아연, 메타 붕산 바륨, 붕산 알루미늄, 붕산 칼슘, 붕산 나트륨 등의 붕산염; 질화 알루미늄, 질화 붕소, 질화 규소, 질화 탄소 등의 질화물; 타이타늄산 스트론튬, 타이타늄산 바륨 등의 타이타늄산염 등을 들 수 있다.Examples of the inorganic filler (C) include silicates such as talc, calcined clay, unbaked clay, mica and glass; Oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica, and fused silica; Carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate, and hydrotalcite; Hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and calcium hydroxide; Sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite; Borates such as zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, calcium borate and sodium borate; Nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, and carbon nitride; Strontium titanate, strontium titanate, and titanate salts such as barium titanate.

이들 중에서도, 탈크, 알루미나, 유리, 실리카, 마이카, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘이 바람직하고, 실리카가 특히 바람직하다. 무기 충전재 (C)로서는, 이들 중의 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.Among these, talc, alumina, glass, silica, mica, boehmite, aluminum hydroxide and magnesium hydroxide are preferable, and silica is particularly preferable. As the inorganic filler (C), one type of the inorganic filler (C) may be used alone, or two or more types may be used in combination.

무기 충전재 (C)의 평균 입자 직경은, 특별히 한정되지 않지만, 0.01μm 이상이 바람직하고, 0.05μm 이상이 보다 바람직하다. 무기 충전재 (C)의 평균 입자 직경이 상기 하한값 이상이면, 바니시의 점도가 과도하게 높아지는 것을 억제할 수 있어, 프리프레그의 제작 시의 작업성을 향상시킬 수 있다. 또, 무기 충전재 (C)의 평균 입자 직경은, 특별히 한정되지 않지만, 5.0μm 이하가 바람직하고, 2.0μm 이하가 보다 바람직하며, 1.0μm 이하가 더 바람직하다. 무기 충전재 (C)의 평균 입자 직경이 상기 상한값 이하이면, 바니시 중에서 무기 충전재 (C)의 침강 등의 현상을 억제할 수 있어, 보다 균일한 수지층을 얻을 수 있다. 또, 프린트 배선 기판의 회로 치수 L/S(라인 앤드 스페이스)가 20/20μm를 하회할 때에는, 배선 간의 절연성에 영향을 주는 것을 억제할 수 있다. 무기 충전재 (C)의 평균 입자 직경은, 예를 들면, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(HORIBA사제, LA-500)에 의하여, 입자의 입도 분포를 체적 기준으로 측정하여, 그 메디안 직경(D50)을 평균 입자 직경으로 할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler (C) is not particularly limited, but is preferably 0.01 탆 or more, and more preferably 0.05 탆 or more. When the average particle diameter of the inorganic filler (C) is not lower than the lower limit value described above, the viscosity of the varnish can be prevented from becoming excessively high, and the workability at the time of production of the prepreg can be improved. The average particle diameter of the inorganic filler (C) is not particularly limited, but is preferably 5.0 占 퐉 or less, more preferably 2.0 占 퐉 or less, and even more preferably 1.0 占 퐉 or less. When the average particle diameter of the inorganic filler (C) is not more than the upper limit value, the phenomenon such as settling of the inorganic filler (C) in the varnish can be suppressed and a more uniform resin layer can be obtained. In addition, when the circuit dimension L / S (line and space) of the printed wiring board is less than 20/20 m, it is possible to suppress the influence on the insulation between the wirings. The average particle diameter of the inorganic filler (C) is, for example, by laser diffraction type particle size distribution analyzer (HORIBA Co., Ltd., LA-500), by measuring the particle size of the particle size distribution on the volume basis, the median diameter (D 50 ) Can be made an average particle diameter.

또, 무기 충전재 (C)는, 특별히 한정되지 않지만, 평균 입자 직경이 단분산인 무기 충전재를 이용해도 되고, 평균 입자 직경이 다분산인 무기 충전재를 이용해도 된다. 또한 평균 입자 직경이 단분산 및/또는 다분산인 무기 충전재를 1종류 또는 2종 이상으로 병용해도 된다.The inorganic filler (C) is not particularly limited, but an inorganic filler having an average particle diameter of monodisperse may be used, or an inorganic filler having an average particle diameter of polydispersity may be used. The inorganic fillers having an average particle diameter of monodisperse and / or polydisperse may be used alone or in combination of two or more.

무기 충전재 (C)는 실리카 입자가 바람직하고, 평균 입자 직경 5.0μm 이하의 실리카 입자가 바람직하며, 평균 입자 직경 0.1μm 이상 4.0μm 이하의 실리카 입자가 보다 바람직하고, 0.2μm 이상 2.0μm 이하의 실리카 입자가 특히 바람직하다. 이로써, 섬유 기재에 대한 무기 충전재 (C)의 충전성을 더 향상시킬 수 있다.The inorganic filler (C) is preferably a silica particle, more preferably a silica particle having an average particle diameter of 5.0 m or less, more preferably a silica particle having an average particle diameter of 0.1 m or more and 4.0 m or less, Particles are particularly preferred. As a result, the filling property of the inorganic filler (C) with respect to the fiber substrate can be further improved.

수지 조성물 (P) 중에 포함되는 무기 충전재 (C)의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 (P)의 전체 고형분(즉, 용매를 제외한 성분)을 100질량%로 했을 때, 50.0질량% 이상 85.0질량% 이하가 바람직하고, 60.0질량% 이상 80.0질량% 이하가 보다 바람직하다. 무기 충전재 (C)의 함유량이 상기 범위 내이면, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판을 보다 저열팽창, 저흡수로 할 수 있다.The content of the inorganic filler (C) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but it is preferably 50.0% by mass or more, more preferably 50.0% by mass or more, based on 100% by mass of the total solid content of the resin composition (P) Preferably 85.0 mass% or less, and more preferably 60.0 mass% or more and 80.0 mass% or less. When the content of the inorganic filler (C) is within the above range, the obtained prepreg cured product and the resin substrate can be made to have lower thermal expansion and lower absorption.

수지 조성물 (P)는, 저응력재 (E)를 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 이로써, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 응력을 완화시키고 회로층 등의 다른 부재와의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.The resin composition (P) preferably further comprises a low stress material (E). As a result, the stress of the cured product of the obtained prepreg and the resin substrate can be relaxed, and adhesion with other members such as a circuit layer can be further improved.

저응력재 (E)로서는, 예를 들면, (메트)아크릴계 블록 공중합체; 실리콘 화합물; 카복실기, 아미노기, 바이닐아크릴레이트기 또는 에폭시기에 의해 변성된 아크릴로나이트릴·뷰타다이엔 고무; 지방족 에폭시 수지; 및 고무 입자 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.Examples of the low stress material (E) include (meth) acrylic block copolymers; Silicon compounds; Acrylonitrile / butadiene rubber modified with a carboxyl group, an amino group, a vinyl acrylate group or an epoxy group; Aliphatic epoxy resins; And rubber particles, and the like.

(메트)아크릴계 블록 공중합체는 (메트)아크릴계 모노머를 필수의 모노머 성분으로서 함유하는 블록 공중합체이다. 상기 아크릴계 모노머로서는, 예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 n-뷰틸, 아크릴산 t-뷰틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 n-뷰틸, 메타크릴산 t-뷰틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 라우릴, 메타크릴산 스테아릴 등의 (메트)아크릴산 알킬에스터; 아크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산 사이클로헥실 등의 지환 구조를 갖는 (메트)아크릴산 에스터; 메타크릴산 벤질 등의 방향환을 갖는 (메트)아크릴산 에스터; 메타크릴산 2-트리플루오로에틸 등의 (메트)아크릴산의 (플루오로)알킬에스터; 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 분자 중에 카복실기를 갖는 카복실기 함유 아크릴 단량체; 아크릴산 2-하이드록시에틸, 아크릴산 2-하이드록시프로필, 아크릴산 4-하이드록시뷰틸, 메타크릴산 2-하이드록시에틸, 메타크릴산 2-하이드록시프로필, 메타크릴산 4-하이드록시뷰틸, 글리세린의 모노(메트)아크릴산 에스터 등의 분자 중에 수산기를 갖는 수산기 함유 아크릴 단량체; 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 메틸글리시딜, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타크릴레이트 등의 분자 중에 에폭시기를 갖는 아크릴 단량체; 아크릴산 알릴, 메타크릴산 알릴 등의 분자 중에 알릴기를 갖는 알릴기 함유 아크릴 단량체; γ-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실레인, γ-메타크릴로일옥시프로필트리에톡시실레인 등의 분자 중에 가수분해성 실릴기를 갖는 실레인기 함유 아크릴 단량체; 2-(2'-하이드록시-5'-메타크릴옥시에틸페닐)-2H-벤조트리아졸 등의 벤조트리아졸계 자외선 흡수성기를 갖는 자외선 흡수성 아크릴 단량체 등을 들 수 있다.The (meth) acrylic block copolymer is a block copolymer containing a (meth) acrylic monomer as an essential monomer component. Examples of the acrylic monomer include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, (Meth) acrylic acid alkyl esters such as t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, lauryl methacrylate, and stearyl methacrylate; (Meth) acrylic acid esters having an alicyclic structure such as cyclohexyl acrylate, cyclohexyl methacrylate and the like; (Meth) acrylic acid esters having an aromatic ring such as benzyl methacrylate; (Fluoro) alkyl esters of (meth) acrylic acid such as 2-trifluoroethyl methacrylate; A carboxyl group-containing acrylic monomer having a carboxyl group in the molecule such as acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, Mono (meth) acrylic acid esters and other hydroxyl group-containing acrylic monomers having a hydroxyl group in the molecule; Acrylic monomers having an epoxy group in the molecule such as glycidyl methacrylate, methyl glycidyl methacrylate and 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate; Allyl group-containing acrylic monomers having an allyl group in the molecule such as allyl acrylate and allyl methacrylate; silyl-containing acrylic monomers having a hydrolyzable silyl group in the molecule such as? -methacryloyloxypropyltrimethoxysilane and? -methacryloyloxypropyltriethoxysilane; And ultraviolet absorptive acrylic monomers having a benzotriazole-based ultraviolet absorptive group such as 2- (2'-hydroxy-5'-methacryloxyethylphenyl) -2H-benzotriazole.

또한, 상기 (메트)아크릴계 블록 공중합체에는, 상기 아크릴계 모노머 이외의 모노머가 모노머 성분으로서 이용되고 있어도 된다. 상기 아크릴계 모노머 이외의 모노머로서는, 예를 들면, 스타이렌, α-메틸스타이렌 등의 방향족 바이닐 화합물, 뷰타다이엔, 아이소프렌 등의 공액 다이엔, 에틸렌, 프로필렌, 아이소뷰텐 등의 올레핀 등을 들 수 있다.Further, monomers other than the acrylic monomer may be used as the monomer component in the (meth) acrylic block copolymer. Examples of the monomer other than the acrylic monomer include aromatic vinyl compounds such as styrene and? -Methylstyrene, conjugated dienes such as butadiene and isoprene, and olefins such as ethylene, propylene and isobutene. .

상기 (메트)아크릴계 블록 공중합체로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 2개의 중합체 블록으로 이루어지는 다이 블록 공중합체나, 3개의 중합체 블록으로 이루어지는 트리 블록 공중합체, 4개 이상의 중합체 블록으로 구성되는 멀티 블록 공중합체 등을 들 수 있다.The (meth) acrylic block copolymer is not particularly limited, and examples thereof include a diblock copolymer composed of two polymer blocks, a triblock copolymer composed of three polymer blocks, a triblock copolymer composed of four or more polymer blocks And multi-block copolymers.

그 중에서도, 상기 (메트)아크릴계 블록 공중합체로서는, 내열성, 내광성, 및 내크랙성 향상의 관점에서, 유리 전이 온도 (Tg)가 낮은 중합체 블록 (S)(소프트 블록)와, 중합체 블록 (S)보다 높은 Tg를 갖는 중합체 블록 (H)(하드 블록)가 교대로 나열된 블록 공중합체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 중합체 블록 (S)를 중간에 가지며, 그 양단에 중합체 블록 (H)를 갖는 H-S-H구조의 트리 블록 공중합체가 바람직하다.Among them, the (meth) acrylic block copolymer is preferably a polymer block (soft block) having a low glass transition temperature (Tg) and a polymer block (S) having a low glass transition temperature (Tg), from the viewpoint of improving heat resistance, light resistance, A block copolymer in which polymer blocks (H) having a higher Tg (hard block) are alternately arranged is preferable, more preferably a polymer block (S) is in the middle and a polymer block (H) Triblock copolymer is preferred.

수지 조성물 (P)에 있어서의 (메트)아크릴계 블록 공중합체의 바람직한 구체예로서는, 예를 들면, 상기 중합체 블록 (S)가 뷰틸아크릴레이트 (BA)를 주된 모노머로 하여 구성된 중합체이며, 상기 중합체 블록 (H)이 메틸메타크릴레이트 (MMA)를 주된 모노머로 하여 구성된 중합체인, 폴리메틸메타크릴레이트-block-폴리뷰틸아크릴레이트-block-폴리메틸메타크릴레이트터폴리머(PMMA-b-PBA-b-PMMA) 등을 들 수 있다.As specific preferred examples of the (meth) acrylic block copolymer in the resin composition (P), for example, the polymer block (S) is a polymer composed mainly of butyl acrylate (BA) Polystyrene acrylate-block-polymethyl methacrylate terpolymer (PMMA-b-PBA-b), which is a polymer composed mainly of methyl methacrylate (MMA) -PMMA).

또, 상기 (메트)아크릴계 블록 공중합체로서는, 예를 들면, 상품명 "나노 스트렝스 M52N", "나노 스트렝스 M22N", "나노 스트렝스 M51", "나노 스트렝스 M52", "나노 스트렝스 M53"(아케마사제, PMMA-b-PBA-b-PMMA), 상품명 "나노 스트렝스 E21", "나노 스트렝스 E41"(아케마사제, PSt(폴리스타이렌)-b-PBA-b-PMMA) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.Examples of the (meth) acrylic block copolymer include trade names of "Nano Strength M52N", "Nano Strength M22N", "Nano Strength M51", "Nano Strength M52", "Nano Strength M53" , PMMA-b-PBA-b-PMMA), trade names "Nano Strength E21" and "Nano Strength E41" (Akeama Co., PSt (polystyrene) -b-PBA-b-PMMA).

실리콘 화합물로서는, 예를 들면, 실리콘 고무, 실리콘 오일, 실리콘 파우더, 실리콘 수지, 실리콘 에폭시 수지, 아민 변성 실리콘 수지, 에폭시기 및 페닐기 함유 3차원 가교형 실리콘 수지 등을 들 수 있다.Examples of the silicone compound include a silicone rubber, a silicone oil, a silicone powder, a silicone resin, a silicone epoxy resin, an amine-modified silicone resin, an epoxy group, and a three-dimensional crosslinked silicone resin containing a phenyl group.

상기 지방족 에폭시 수지로서는, 글리시딜기 이외에 환상 구조를 갖지 않는 지방족 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 글리시딜기를 2 이상 갖는 2관능 이상의 지방족 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 이와 같은 지방족 에폭시 수지는, 에폭시기가 산화되기 어렵기 때문에, 열이력에 의한 탄성률의 상승이 일어나기 어렵기 때문에 우수하다.The aliphatic epoxy resin is preferably an aliphatic epoxy resin having no cyclic structure in addition to the glycidyl group, and more preferably a bifunctional or higher aliphatic epoxy resin having two or more glycidyl groups. Such an aliphatic epoxy resin is excellent because an epoxy group is hardly oxidized and an increase in elastic modulus due to thermal history hardly occurs.

상기 고무 입자로서는, 예를 들면, 코어 쉘형 고무 입자, 가교 아크릴로나이트릴뷰타다이엔 고무 입자, 가교 스타이렌뷰타다이엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자, 실리콘 입자 등을 들 수 있다.Examples of the rubber particles include core-shell type rubber particles, crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber particles, crosslinked styrene-butadiene rubber particles, acrylic rubber particles, silicone particles and the like.

코어 쉘형 고무 입자는, 코어층과 쉘층을 갖는 고무 입자이며, 예를 들면, 외층의 쉘층이 유리 형상 폴리머로 구성되고, 내층의 코어층이 고무 형상 폴리머로 구성되는 2층 구조, 또는 외층의 쉘층이 유리 형상 폴리머로 구성되고, 중간층이 고무 형상 폴리머로 구성되며, 코어층이 유리 형상 폴리머로 구성되는 3층 구조의 입자 등을 들 수 있다. 유리 형상 폴리머층은, 예를 들면, 메타크릴산 메틸의 중합물 등으로 구성되고, 고무 형상 폴리머층은, 예를 들면, 뷰틸아크릴레이트 중합물(뷰틸 고무) 등으로 구성된다. 코어 쉘형 고무 입자의 구체예로서는, 스타피로이드 AC3832, AC3816N(상품명, 간쓰 가세이사제), 메타브렌 KW-4426(상품명, 미쓰비시 레이온사제)을 들 수 있다. 가교 아크릴로나이트릴뷰타다이엔 고무(NBR) 입자의 구체예로서는, XER-91(평균 입자 직경 0.5μm, JSR사제) 등을 들 수 있다.The core-shell-type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer, for example, a two-layer structure in which the shell layer of the outer layer is composed of a glassy polymer and the core layer of the inner layer is composed of rubbery polymer, A three-layer structure composed of the glassy polymer, the intermediate layer made of a rubbery polymer and the core layer made of a glassy polymer, and the like. The glassy polymer layer is composed of, for example, a polymer of methyl methacrylate and the like, and the rubbery polymer layer is composed of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber). Specific examples of the core-shell type rubber particles include stapyloids AC3832, AC3816N (trade name, manufactured by Kanto Kasei Kasei) and Metabrene KW-4426 (trade name, manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.). Specific examples of crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber (NBR) particles include XER-91 (average particle diameter 0.5 mu m, manufactured by JSR Corporation).

가교 스타이렌뷰타다이엔 고무(SBR) 입자의 구체예로서는, XSK-500(평균 입자 직경 0.5μm, JSR사제) 등을 들 수 있다. 아크릴 고무 입자의 구체예로서는, 메타브렌 W300A(평균 입자 직경 0.1μm), W450A(평균 입자 직경 0.2μm)(미쓰비시 레이온사제) 등을 들 수 있다.Specific examples of the crosslinked styrene-butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle diameter 0.5 μm, manufactured by JSR Corporation). Specific examples of the acrylic rubber particles include Metbrene W300A (average particle diameter 0.1 mu m) and W450A (average particle diameter 0.2 mu m) (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.).

실리콘 입자는, 오가노폴리실록세인으로 형성된 고무 탄성 미립자이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 실리콘 고무(오가노폴리실록세인 가교 엘라스토머)로 이루어지는 미립자, 및 이차원 가교 주체의 실리콘으로 이루어지는 코어부를 삼차원 가교형 주체의 실리콘으로 피복한 코어 쉘 구조 입자 등을 들 수 있다. 실리콘 고무 미립자로서는, KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594(신에쓰 가가쿠사제), 트레필 E-500, 트레필 E-600(도레이·다우코닝사제) 등의 시판품을 이용할 수 있다.The silicone particles are not particularly limited as long as they are rubber elastic fine particles formed of organopolysiloxane. For example, fine particles made of silicone rubber (organopolysiloxane crosslinked elastomer) and core parts made of silicone of two-dimensional crosslinking main body are three- And core shell structure particles coated with silicon as a main component. As silicone rubber fine particles, commercially available products such as KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), Trefil E-500 and Trefil E-600 Can be used.

수지 조성물 (P) 중에 포함되는 저응력재 (E)의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 (P)의 전체 고형분(즉, 용매를 제외한 성분)을 100질량%로 했을 때, 0.1질량% 이상 10.0질량% 이하가 바람직하고, 1.0질량% 이상 8.0질량% 이하가 보다 바람직하다. 저응력재 (E)의 함유량이 상기 범위 내이면, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 응력을 보다 더 완화시키고, 회로층 등의 다른 부재와의 밀착성을 보다 더 향상시킬 수 있다.The content of the low stress material (E) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but is preferably 0.1 mass% or less, more preferably 100 mass% Or more and 10.0 mass% or less, and more preferably 1.0 mass% or more and 8.0 mass% or less. When the content of the low stress material (E) is within the above range, the stress of the cured product of the obtained prepreg or the resin substrate can be further relaxed, and the adhesiveness with other members such as a circuit layer can be further improved.

이 외에, 필요에 따라, 수지 조성물 (P)에는 경화 촉진제, 커플링제를 적절히 배합할 수 있다.In addition, if necessary, a curing accelerator and a coupling agent may be appropriately added to the resin composition (P).

경화 촉진제로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 포스핀 화합물, 포스포늄염을 갖는 화합물, 이미다졸계 화합물 등을 들 수 있고, 이들 중의 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도 이미다졸계 화합물이 바람직하다. 이미다졸계 화합물은, 특히 우수한 촉매로서의 기능을 갖는 화합물인 점에서, 말레이미드 화합물 (A)와, 벤조옥사진 화합물 (B)의 중합 반응을 보다 확실히 촉진시킬 수 있다.The curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include a phosphine compound, a compound having a phosphonium salt, and an imidazole-based compound, and one or more of these may be used in combination. Of these, imidazole-based compounds are preferred. The imidazole-based compound can promote the polymerization reaction of the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B) more certainly because it is a compound having a particularly excellent function as a catalyst.

이미다졸계 화합물로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2,4-다이메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-다이하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 1-비닐-2-메틸이미다졸, 1-프로필-2-메틸이미다졸, 2-아이소프로필이미다졸, 1-사이아노메틸-2-메틸-이미다졸, 1-사이아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-사이아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸 등을 들 수 있고, 이들 중의 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-운데실이미다졸, 및 2-에틸-4-메틸이미다졸인 것이 바람직하다. 이들 화합물을 이용함으로써, 말레이미드 화합물 (A)와, 벤조옥사진 화합물 (B)의 반응이 보다 촉진되어, 성형 가공성이 향상함과 함께, 얻어지는 경화물의 내열성이 향상된다는 이점이 얻어진다.The imidazole-based compound is not particularly limited, and examples thereof include 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2- , 5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 1-vinyl-2-methylimidazole, Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1 -cyanoethyl-2-undecylimidazole Sol, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and the like, and one or more of these may be used in combination. Among them, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole are preferable. By using these compounds, the reaction between the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B) is further promoted, the molding processability is improved, and the heat resistance of the obtained cured product is improved.

포스핀 화합물로서는, 에틸포스핀, 프로필포스핀과 같은 알킬포스핀, 페닐포스핀 등의 1급 포스핀; 다이메틸포스핀, 다이에틸포스핀과 같은 다이알킬포스핀, 다이페닐포스핀, 메틸페닐포스핀, 에틸페닐포스핀 등의 2급 포스핀; 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리뷰틸포스핀, 트리옥틸포스핀과 같은 트리알킬포스핀, 트리사이클로헥실포스핀, 트리페닐포스핀, 알킬다이페닐포스핀, 다이알킬페닐포스핀, 트리벤질포스핀, 트리톨릴포스핀, 트리-p-스타이릴포스핀, 트리스(2,6-다이메톡시페닐)포스핀, 트리-4-메틸페닐포스핀, 트리-4-메톡시페닐포스핀, 트리-2-사이아노에틸포스핀 등의 3급 포스핀 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 3급 포스핀이 바람직하게 사용된다.Examples of the phosphine compounds include alkylphosphines such as ethylphosphine and propylphosphine, and primary phosphines such as phenylphosphine; Dialkylphosphines such as dimethylphosphine and diethylphosphine, secondary phosphines such as diphenylphosphine, methylphenylphosphine and ethylphenylphosphine; Triphenylphosphine, triphenylphosphine, alkyldiphenylphosphine, dialkylphenylphosphine, trialkylphosphine, triphenylphosphine, triphenylphosphine, triphenylphosphine, triphenylphosphine, triphenylphosphine, Benzylphosphine, tritolylphosphine, tri-p-styrylphosphine, tris (2,6-dimethoxyphenyl) phosphine, tri-4-methylphenylphosphine, And tert-phosphine such as tri-2-cyanoethylphosphine. Of these, tertiary phosphines are preferably used.

또, 포스포늄염을 갖는 화합물로서는, 테트라페닐포스포늄염, 알킬트리페닐포스포늄염 등을 갖는 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는, 테트라페닐포스포늄싸이오사이아네이트, 테트라페닐포스포늄테트라-p-메틸페닐보레이트, 뷰틸트리페닐포스포늄싸이오사이아네이트 등을 들 수 있다.Examples of the compound having a phosphonium salt include compounds having a tetraphenylphosphonium salt and an alkyltriphenylphosphonium salt, and specific examples thereof include tetraphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium tetra p-methylphenyl borate, and butyltriphenylphosphonium thiocyanate.

경화 촉진제의 함유량은, 말레이미드 화합물 (A)와, 벤조옥사진 화합물 (B)의 합계 100질량부에 대하여, 0.01~5.0질량부인 것이 바람직하고, 0.05~3.0질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1~1.5질량부인 것이 특히 바람직하다. 경화 촉진제의 함유량을 이러한 범위 내로 설정함으로써, 수지 조성물 (P)로부터 얻어지는 경화물의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.The content of the curing accelerator is preferably 0.01 to 5.0 parts by mass, more preferably 0.05 to 3.0 parts by mass, more preferably 0.1 to 3.0 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B) Particularly preferably 1.5 parts by mass. By setting the content of the curing accelerator within this range, the heat resistance of the cured product obtained from the resin composition (P) can be further improved.

또한, 수지 조성물 (P)는, 커플링제를 포함해도 된다. 커플링제는 수지 조성물 (P)의 조제 시에 직접 첨가해도 되고, 수지 조성물 (P)가 무기 충전재 (C)를 포함하는 경우에는, 무기 충전재 (C)에 미리 첨가해 두어도 된다. 커플링제의 사용에 의하여, 섬유 기재 또는 무기 충전재 (C)와 각 수지와의 계면의 습윤성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 커플링제를 사용하는 것은 바람직하고, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 내열성을 개량할 수 있다.The resin composition (P) may contain a coupling agent. The coupling agent may be added directly at the time of preparing the resin composition (P), and if the resin composition (P) contains the inorganic filler (C), it may be added to the inorganic filler (C) in advance. By using the coupling agent, the wettability of the interface between the fiber base or the inorganic filler (C) and each resin can be improved. Therefore, it is preferable to use a coupling agent, and the heat resistance of the resulting prepreg cured product or resin substrate can be improved.

커플링제로서는, 예를 들면, 에폭시 실레인 커플링제, 카티오닉 실레인 커플링제, 아미노 실레인 커플링제 등의 실레인 커플링제, 타이타네이트계 커플링제 및 실리콘 오일형 커플링제 등을 들 수 있다. 커플링제는 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.Examples of the coupling agent include a silane coupling agent such as an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent and an amino silane coupling agent, a titanate coupling agent, and a silicone oil coupling agent. One kind of coupling agent may be used alone, or two or more kinds of coupling agents may be used in combination.

이로써, 섬유 기재 또는 무기 충전재 (C)와 각 수지와의 계면의 습윤성을 높일 수 있어, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.As a result, the wettability of the interface between the fibrous base material or the inorganic filler (C) and each resin can be enhanced, and the resulting cured product of the prepreg and the heat resistance of the resin substrate can be further improved.

실레인 커플링제로서는, 각종 화합물을 이용할 수 있는데, 예를 들면, 에폭시 실레인, 아미노 실레인, 알킬 실레인, 유레이드 실레인, 머캅토 실레인, 비닐 실레인 등을 들 수 있다.As the silane coupling agent, various compounds can be used, and examples thereof include epoxy silane, amino silane, alkyl silane, ureido silane, mercaptosilane, and vinyl silane.

구체적인 화합물로서는, 예를 들면, γ-아미노프로필트리에톡시 실레인, γ-아미노프로필트리메톡시 실레인, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시 실레인, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메틸다이메톡시 실레인, N-페닐γ-아미노프로필트리에톡시 실레인, N-페닐γ-아미노프로필트리메톡시 실레인, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리에톡시 실레인, N-6-(아미노 헥실)3-아미노프로필트리메톡시 실레인, N-(3-(트리메톡시실릴프로필)-1,3-벤젠다이메탄, γ-글리시독시프로필트리에톡시 실레인, γ-글리시독시프로필트리메톡시 실레인, γ-글리시독시프로필메틸다이메톡시 실레인, β-(3,4에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시 실레인, γ-머캅토프로필트리메톡시 실레인, 메틸트리메톡시 실레인, γ-유레이드프로필트리에톡시 실레인, 비닐트리에톡시 실레인 등을 들 수 있고, 이들 중의 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중 에폭시 실레인, 머캅토 실레인, 아미노 실레인이 바람직하고, 아미노 실레인으로서는, 1급 아미노 실레인 또는 아닐리노 실레인이 보다 바람직하다.Specific examples of the compound include γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N- Ethyl) gamma -aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl gamma -aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl gamma -aminopropyltrimethoxysilane, N- beta (aminoethyl) Aminopropyltrimethoxysilane, N- (3- (trimethoxysilylpropyl) -1,3-benzenedimethanone,? -Glycidoxime, N-6- ? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? - glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane,? - - mercaptopropyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, gamma -ylidopropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane Among them, epoxysilane, mercaptosilane and aminosilane are preferable, and aminosilane is preferably a primary amino silane or an aminosilane, An anilinosilane is more preferable.

커플링제의 첨가량은, 무기 충전재 (C)의 비표면적에 따라 적절히 조정되고, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 (P)의 전체 고형분(즉, 용매를 제외한 성분)을 100질량%로 했을 때, 0.01질량% 이상 1질량% 이하가 바람직하고, 0.05질량% 이상 0.5질량% 이하가 보다 바람직하다.The amount of the coupling agent to be added is not particularly limited and may be suitably adjusted according to the specific surface area of the inorganic filler (C). When the total solid content of the resin composition (P) is 100 mass% By mass to 1% by mass or less, and more preferably 0.05% by mass or more and 0.5% by mass or less.

커플링제의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 무기 충전재 (C)를 충분히 피복 할 수 있어, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 내열성을 향상시킬 수 있다. 또, 커플링제의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 반응에 영향을 주는 것을 억제할 수 있어, 얻어지는 프리프레그의 경화물이나 수지 기판의 굽힘 강도 등의 저하를 억제할 수 있다.When the content of the coupling agent is not less than the lower limit value, the inorganic filler (C) can be sufficiently coated, and the heat resistance of the cured product of the obtained prepreg and the resin substrate can be improved. When the content of the coupling agent is not more than the upper limit value, it is possible to suppress the influence on the reaction, and the deterioration of the cured product of the resulting prepreg and the bending strength of the resin substrate can be suppressed.

또한, 수지 조성물 (P)에는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 안료, 염료, 소포제, 레벨링제, 자외선 흡수제, 발포제, 산화 방지제, 난연제, 이온 포착제 등의 상기 성분 이외의 첨가물을 첨가해도 된다.To the resin composition (P), additives other than the above components such as a pigment, a dye, a defoaming agent, a leveling agent, an ultraviolet absorber, a foaming agent, an antioxidant, a flame retardant and an ion scavenger may be added to the resin composition May be added.

안료로서는, 카올린, 합성 산화철 적, 카드뮴 황, 니켈 타이타늄 황, 스트론튬 황, 함수산화 크로뮴, 산화 크로뮴, 알루미늄산 코발트, 합성 울트라마린 청 등의 무기 안료, 프탈로사이아닌 등의 다환 안료, 아조 안료 등을 들 수 있다.Examples of the pigment include inorganic pigments such as kaolin, synthetic iron oxide red, cadmium sulfur, nickel titanium sulfur, strontium sulfur, chromium oxide hydrate, chromium oxide, cobalt aluminum oxide and synthetic ultramarine blue, polycyclic pigments such as phthalocyanine, And the like.

염료로서는, 아이소인돌리논, 아이소인돌린, 퀴노프탈론, 잔텐, 다이케토피롤로피롤, 페릴렌, 페린온, 안트라퀴논, 인디고이드, 옥사진, 퀴나크리돈, 벤즈이미다졸온, 비올란트론, 프탈로사이아닌, 아조메타인 등을 들 수 있다.Examples of the dyes include dyes such as isoindolinone, isoindolin, quinophthalone, xanthone, diketopyrrolopyrrole, perylene, perynone, anthraquinone, indigoid, oxazine, quinacridone, , Phthalocyanine, azomethine, and the like.

수지 조성물 (P)는, 각종 유기 용제 중에서, 초음파 분산 방식, 고압 충돌식 분산 방식, 고속 회전 분산 방식, 비즈밀 방식, 고속 전단 분산 방식, 자전 공전식 분산 방식 등의 각종 혼합기를 이용하여 용해, 혼합, 교반하여 수지 바니시 (I)로 할 수 있다.The resin composition (P) is dissolved and mixed in various organic solvents by using various mixers such as an ultrasonic dispersion system, a high pressure collisional dispersion system, a high-speed rotation dispersion system, a bead mill system, a high-speed shear dispersion system, , And the resin varnish (I) can be obtained by stirring.

수지 바니시 (I)에 이용하는 유기 용제로서는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 톨루엔, 아세트산 에틸, 사이클로헥산, 헵테인, 사이클로헥세인, 사이클로헥산온, 테트라하이드로퓨란, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, 다이메틸설폭사이드, 에틸렌글라이콜, 셀로솔브계, 카비톨계, 아니솔, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.Examples of the organic solvent used in the resin varnish (I) include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, Dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, carbitol, anisole, N-methylpyrrolidone and the like.

수지 바니시 (I)의 고형분은, 특별히 한정되지 않지만, 40질량% 이상 80질량% 이하가 바람직하고, 특히 50질량% 이상 70질량% 이하가 바람직하다. 이로써, 수지 바니시 (I)의 섬유 기재에 대한 함침성을 더 향상시킬 수 있다.The solid content of the resin varnish (I) is not particularly limited, but is preferably 40% by mass or more and 80% by mass or less, particularly preferably 50% by mass or more and 70% by mass or less. This makes it possible to further improve the impregnation property of the resinous varnish (I) to the fiber substrate.

이상의 수지 조성물 (P)에 있어서, 각 성분의 비율은, 예를 들면, 이하와 같다.In the above-mentioned resin composition (P), the ratio of each component is, for example, as follows.

수지 조성물 (P)의 전체 고형분(즉, 용매를 제외한 성분)을 100질량%로 했을 때, 말레이미드 화합물 (A)의 비율이 1.0질량% 이상 25.0질량% 이하이고, 벤조옥사진 화합물 (B)의 비율이 1.0질량% 이상 25.0질량% 이하이며, 무기 충전재 (C)의 비율이 50.0질량% 이상 85.0질량% 이하인 것이 바람직하다.(A) is 1.0 mass% or more and 25.0 mass% or less when the total solid content of the resin composition (P) (that is, the component excluding the solvent) is 100 mass% Is not less than 1.0 mass% and not more than 25.0 mass%, and the ratio of the inorganic filler (C) is not less than 50.0 mass% and not more than 85.0 mass%.

또, 말레이미드 화합물 (A)의 비율이 5.0질량% 이상 20.0질량% 이하이고, 벤조옥사진 화합물 (B)의 비율이 2.0질량% 이상 15.0질량% 이하이며, 무기 충전재 (C)의 비율이 60.0질량% 이상 80.0질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.When the ratio of the maleimide compound (A) is 5.0% by mass or more and 20.0% by mass or less, the proportion of the benzoxazine compound (B) is 2.0% by mass or more and 15.0% by mass or less and the ratio of the inorganic filler (C) And more preferably not less than 80.0 mass%.

다음으로, 본 실시형태에 관한 프린트 배선 기판(300)에 대하여 설명한다. 도 2 및 도 3은, 본 실시형태에 있어서의 프린트 배선 기판(300)의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.Next, the printed wiring board 300 according to the present embodiment will be described. 2 and 3 are cross-sectional views showing an example of the configuration of the printed wiring board 300 in the present embodiment.

프린트 배선 기판(300)은, 비아 홀(307)이 마련된 절연층(301)과, 절연층(301)의 적어도 일방의 면에 마련된 금속층(303)을 적어도 갖는다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 비아 홀(307)은 층간을 전기적으로 접속하기 위한 구멍이며, 관통 구멍 및 비관통 구멍 어느 것이어도 된다.The printed wiring board 300 has at least an insulating layer 301 provided with a via hole 307 and a metal layer 303 provided on at least one surface of the insulating layer 301. In the present embodiment, the via hole 307 is a hole for electrically connecting layers, and may be a through hole or a non-through hole.

본 실시형태에 관한 프린트 배선 기판(300)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 편면 프린트 배선 기판이어도 되고, 양면 프린트 배선 기판 또는 다층 프린트 배선 기판이어도 된다. 양면 프린트 배선 기판은, 절연층(301)의 양면에 금속층(303)을 적층한 프린트 배선 기판이다. 또, 다층 프린트 배선 기판은, 도금 스루홀법이나 빌드업법 등에 의하여, 절연층(301) 상에, 층간 절연층(빌드업층이라고도 함)을 개재하여 금속층(303)을 2층 이상 적층한 프린트 배선 기판이다.The printed wiring board 300 according to the present embodiment may be a single-sided printed wiring board, a double-sided printed wiring board, or a multilayer printed wiring board as shown in Fig. The double-sided printed wiring board is a printed wiring board in which a metal layer 303 is laminated on both surfaces of an insulating layer 301. The multilayer printed wiring board can be formed by a plating through-hole method, a build-up method, or the like on a printed wiring board (not shown) in which two or more metallic layers 303 are laminated on an insulating layer 301 with an interlayer insulating layer to be.

여기에서, 본 실시형태에 관한 프린트 배선 기판(300)에 있어서, 절연층(301)이 본 실시형태에 관한 수지 기판 또는 금속 부착 적층판(200)의 절연층(301)에 상당한다.Here, in the printed wiring board 300 according to the present embodiment, the insulating layer 301 corresponds to the insulating layer 301 of the resin substrate or the metal clad laminate 200 according to the present embodiment.

금속층(303)은, 예를 들면, 회로층이며, 금속박(105) 및/또는 무전해 금속 도금막(308)과, 전해 금속 도금층(309)을 갖는다.The metal layer 303 is, for example, a circuit layer and has a metal foil 105 and / or an electroless metal plating film 308 and an electrolytic metal plating layer 309.

프린트 배선 기판(300)이, 도 3에 나타내는 바와 같은 다층 프린트 배선 기판의 경우는, 금속층(303)은, 코어층(311) 또는 빌드업층(317) 중의 회로층이다.3, the metal layer 303 is a circuit layer in the core layer 311 or the build-up layer 317. In the case of the multilayer printed circuit board shown in Fig.

금속층(303)은, 예를 들면, 약액 처리 또는 플라즈마 처리된 금속박(105) 또는 절연층(301)의 면상에, SAP(세미 애디티브 프로세스)법에 의하여 형성된다. 금속박(105) 또는 절연층(301) 상에 무전해 금속 도금막(308)을 입힌 후, 도금 레지스트에 의하여 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의하여 전해 금속 도금층(309) 부착을 행한다. 그 후, 도금 레지스트의 제거와 플러시 에칭에 의한 무전해 금속 도금막(308)의 제거에 의하여, 금속박(105) 또는 절연층(301) 상에 금속층(303)을 형성한다.The metal layer 303 is formed by SAP (semi-additive process) method on the surface of the metal foil 105 or the insulating layer 301 that has been subjected to, for example, chemical treatment or plasma treatment. After covering the metal foil 105 or the insulating layer 301 with the electroless metal plating film 308, the non-circuit forming portion is protected by the plating resist and the electrolytic metal plating layer 309 is attached by electrolytic plating. Thereafter, the metal layer 303 is formed on the metal foil 105 or the insulating layer 301 by removing the plating resist and removing the electroless metal plating film 308 by flush etching.

금속층(303)의 회로 치수는, 라인 앤드 스페이스(L/S)로 나타낼 때, 25μm/25μm 이하로 할 수 있고, 특히 15μm/15μm 이하로 할 수 있다. 일반적으로, 회로 치수를 작게 하여, 미세 배선으로 하면 배선 간의 절연 신뢰성이 저하된다. 그러나, 본 실시형태에 관한 프린트 배선 기판(300)은, 라인 앤드 스페이스(L/S) 15μm/15μm 이하의 미세 배선이 가능하고, 라인 앤드 스페이스(L/S) 10μm/10μm 정도까지의 미세화를 달성할 수 있다.The circuit dimension of the metal layer 303 can be 25 μm / 25 μm or less, particularly 15 μm / 15 μm or less when expressed by a line-and-space (L / S) Generally, if the circuit dimensions are made small and fine wiring is formed, insulation reliability between wirings is lowered. However, the printed wiring board 300 according to the present embodiment is capable of fine wiring with a line-and-space (L / S) of 15 mu m / 15 mu m or less and can be miniaturized up to about 10 mu m / 10 mu m in line and space Can be achieved.

금속층(303)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 통상은 5μm 이상 25μm 이하이다.The thickness of the metal layer 303 is not particularly limited, but is usually 5 占 퐉 or more and 25 占 퐉 or less.

빌드업층(317) 중의 절연층(305)은, 절연성의 재료에 의하여 구성되어 있으면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수지 필름, 프리프레그 중 어느 하나에 의하여 구성할 수 있다. 이들 중에서도, 프리프레그는 시트 형상 재료이며, 유전 특성, 고온 다습하에서의 기계적, 전기적 접속 신뢰성 등의 각종 특성이 우수하고, 프린트 배선 기판용의 빌드업층(317)의 제조에 적합하여 바람직하다.The insulating layer 305 in the buildup layer 317 is not particularly limited as long as it is made of an insulating material, and can be formed of, for example, a resin film or a prepreg. Of these, prepregs are sheet-like materials and are excellent in various characteristics such as dielectric properties, mechanical and electrical connection reliability under high temperature and humidity, and are suitable for the production of a buildup layer 317 for a printed wiring board.

프리프레그로서는, 상술한 프리프레그가 특히 바람직하다.As the prepreg, the above-mentioned prepreg is particularly preferable.

코어층(311) 중의 절연층(301)(빌드업층(317)을 포함하지 않는 프린트 배선 기판(300) 중의 절연층(301)도 포함함)의 두께는, 0.025mm 이상 0.3mm 이하인 것이 바람직하다. 절연층(301)의 두께가 상기 범위 내이면, 절연층(301)의 기계적 강도 및 생산성의 밸런스가 특히 우수하여, 박형 프린트 배선 기판에 적합한 절연층(301)을 얻을 수 있다.The thickness of the insulating layer 301 (including the insulating layer 301 in the printed wiring board 300 not including the buildup layer 317) in the core layer 311 is preferably 0.025 mm or more and 0.3 mm or less . When the thickness of the insulating layer 301 is within the above range, the insulating layer 301 is particularly excellent in balance of mechanical strength and productivity, and an insulating layer 301 suitable for a thin printed wiring board can be obtained.

빌드업층(317) 중의 절연층(305)의 두께는, 0.015mm 이상 0.05mm 이하인 것이 바람직하다. 절연층(305)의 두께가 상기 범위 내이면, 절연층(305)의 기계적 강도 및 생산성의 밸런스가 특히 우수하여, 박형 프린트 배선 기판에 적합한 절연층(305)를 얻을 수 있다.The thickness of the insulating layer 305 in the buildup layer 317 is preferably 0.015 mm or more and 0.05 mm or less. When the thickness of the insulating layer 305 is within the above range, the insulating layer 305 is particularly excellent in balance of mechanical strength and productivity, and an insulating layer 305 suitable for a thin printed wiring board can be obtained.

이어서, 프린트 배선 기판(300)의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다. 단, 본 실시형태에 관한 프린트 배선 기판(300)의 제조 방법은, 이하의 예에 한정되지 않는다.Next, an example of a method of manufacturing the printed wiring board 300 will be described. However, the manufacturing method of the printed wiring board 300 according to the present embodiment is not limited to the following example.

먼저, 금속 부착 적층판(200)을 준비한다.First, the metal-clad laminate 200 is prepared.

다음으로, 에칭 처리에 의하여, 금속 부착 적층판(200)의 금속박(105)의 일부 또는 전부를 제거한다.Next, a part or all of the metal foil 105 of the metal clad laminate 200 is removed by etching.

이어서, 절연층(301)에 비아 홀(307)을 형성한다. 비아 홀(307)은, 예를 들면, 드릴기나 레이저 조사를 이용하여 형성할 수 있다. 레이저 조사에 이용하는 레이저는, 엑시머 레이저, UV 레이저, 탄산 가스 레이저 등을 들 수 있다. 비아 홀(307)을 형성 후의 수지 잔사 등은, 과망간산염, 중크롬산염 등의 산화제 등에 의하여 제거해도 된다.Then, a via hole 307 is formed in the insulating layer 301. The via hole 307 can be formed using, for example, a drill or laser irradiation. Examples of the laser used for laser irradiation include an excimer laser, a UV laser, and a carbon dioxide gas laser. The resin residue or the like after forming the via hole 307 may be removed by an oxidizing agent such as permanganate or bichromate.

또한, 에칭 처리에 의한 금속박(105)의 제거 전에, 절연층(301)에 비아 홀(307)을 형성해도 된다.The via hole 307 may be formed in the insulating layer 301 before the metal foil 105 is removed by etching.

이어서, 금속박(105) 또는 절연층(301)의 표면에 대하여, 약액 처리 또는 플라즈마 처리를 행한다.Subsequently, the surface of the metal foil 105 or the insulating layer 301 is subjected to chemical treatment or plasma treatment.

약액 처리로서는, 특별히 한정되지 않고, 유기물 분해 작용을 갖는 산화제 용액 등을 사용하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 플라즈마 처리로서는, 대상물에 직접 산화 작용이 강한 활성종(플라즈마, 라디칼 등)을 조사하여 유기물 잔사를 제거하는 방법 등을 들 수 있다.The chemical liquid treatment is not particularly limited, and a method of using an oxidant solution or the like having an organic substance decomposing action may, for example, be mentioned. As the plasma treatment, there may be mentioned a method of removing an organic substance residue by irradiating an active species (plasma, radical or the like) having a strong oxidizing action directly on an object.

이어서, 금속층(303)을 형성한다. 금속층(303)은, 예를 들면, 세미 애디티브 프로세스(SAP) 또는 모디파이드 세미 애디티브 프로세스(MSAP)에 의하여 형성할 수 있다. 이하, 구체적으로 설명한다.Then, a metal layer 303 is formed. The metal layer 303 may be formed, for example, by a semi-additive process (SAP) or a modified semi-additive process (MSAP). Hereinafter, this will be described in detail.

먼저, 무전해 도금법을 이용하여, 금속박(105) 또는 절연층(301)의 표면이나 비아 홀(307) 내에 무전해 금속 도금막(308)을 형성하고, 프린트 배선 기판(300)의 양면의 도통을 도모한다. 또, 비아 홀(307)은, 도체 페이스트, 또는 수지 페이스트로 적절히 메울 수 있다. 무전해 도금법의 예를 설명한다. 예를 들면, 먼저, 금속박(105) 또는 절연층(301)의 표면 상이나 비아 홀(307) 내에 촉매 핵을 부여한다. 이 촉매 핵으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 귀금속 이온이나 팔라듐 콜로이드를 이용할 수 있다. 계속해서, 이 촉매 핵을 핵으로 하여, 무전해 도금 처리에 의하여 무전해 금속 도금막(308)을 형성한다. 무전해 도금 처리에는, 예를 들면, 황산 구리, 포말린, 착화제, 수산화 나트륨 등을 포함하는 용액을 이용할 수 있다. 또한, 무전해 도금 후에, 100~250℃의 가열 처리를 행하여, 도금 피막을 안정화시키는 것이 바람직하다. 120~180℃의 가열 처리가 산화를 억제할 수 있는 피막을 형성할 수 있는 점에서, 특히 바람직하다. 또, 무전해 금속 도금막(308)의 평균 두께는, 예를 들면, 0.1~2μm 정도이다.First, an electroless metal plating film 308 is formed on the surface of the metal foil 105 or the insulating layer 301 or in the via hole 307 using the electroless plating method, and the electroless metal plating film 308 is formed on the both surfaces of the printed wiring board 300 . The via hole 307 can be suitably filled with a conductive paste or a resin paste. An example of the electroless plating method will be described. For example, first, a catalyst nucleus is provided on the surface of the metal foil 105 or the insulating layer 301 or in the via hole 307. The catalyst nucleus is not particularly limited, and for example, noble metal ions and palladium colloid can be used. Subsequently, using this catalyst nuclei as nuclei, an electroless metal plating film 308 is formed by electroless plating. For the electroless plating treatment, for example, a solution containing copper sulfate, formalin, a complexing agent, sodium hydroxide and the like can be used. Further, it is preferable that after the electroless plating, a heat treatment at 100 to 250 ° C is performed to stabilize the plating film. The heat treatment at 120 to 180 占 폚 is particularly preferable in that a coat capable of inhibiting oxidation can be formed. The average thickness of the electroless metal plating film 308 is, for example, about 0.1 to 2 μm.

이어서, 금속박(105) 및/또는 무전해 금속 도금막(308) 상에 소정의 개구 패턴을 갖는 도금 레지스트를 형성한다. 이 개구 패턴은, 예를 들면 회로 패턴에 상당한다. 도금 레지스트로서는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 재료를 이용할 수 있는데, 액상 및 드라이 필름을 이용할 수 있다. 미세 배선 형성의 경우에는, 도금 레지스트로서는, 감광성 드라이 필름 등을 이용하는 것이 바람직하다. 감광성 드라이 필름을 이용한 일례를 설명한다. 예를 들면, 무전해 금속 도금막(308) 상에 감광성 드라이 필름을 적층하여, 비회로 형성 영역을 노광하여 광경화시키고, 미노광부를 현상액으로 용해, 제거한다. 경화된 감광성 드라이 필름을 잔존시킴으로써, 도금 레지스트를 형성한다.Subsequently, a plating resist having a predetermined opening pattern is formed on the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308. This opening pattern corresponds to, for example, a circuit pattern. The plating resist is not particularly limited and a known material can be used, and liquid and dry films can be used. In the case of fine wiring formation, a photosensitive dry film or the like is preferably used as the plating resist. An example using a photosensitive dry film will be described. For example, a photosensitive dry film is laminated on the electroless metal plating film 308, the non-circuit forming area is exposed and photocured, and the unexposed area is dissolved and removed as a developer. By leaving a cured photosensitive dry film, a plating resist is formed.

이어서, 적어도 도금 레지스트의 개구 패턴 내부 또한 금속박(105) 및/또는 무전해 금속 도금막(308) 상에, 전기 도금 처리에 의하여, 전해 금속 도금층(309)을 형성한다. 전기 도금 처리로서는, 특별히 한정되지 않지만, 통상의 프린트 배선 기판에서 이용되는 공지의 방법을 사용할 수 있고, 예를 들면, 황산 구리 등의 도금액 중에 상기와 같이 처리된 금속 부착 적층판(200)을 침지시킨 상태에서, 도금액에 전류를 흘려 보내는 등의 방법을 사용할 수 있다. 전해 금속 도금층(309)은 단층이어도 되고 다층 구조를 갖고 있어도 된다. 전해 금속 도금층(309)의 재료로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 구리, 구리 합금, 42 합금, 니켈, 철, 크로뮴, 텅스텐, 금, 땜납 중 어느 1종 이상을 이용할 수 있다.Subsequently, an electrolytic metal plating layer 309 is formed by electroplating at least on the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308 in the opening pattern of the plating resist. The electroplating treatment is not particularly limited, and a known method used in a conventional printed wiring board can be used. For example, the metal-clad laminate 200 treated as described above is immersed in a plating solution such as copper sulfate A method of flowing a current through the plating liquid can be used. The electrolytic metal plating layer 309 may be a single layer or a multilayer structure. The material of the electrolytic metal plating layer 309 is not particularly limited. For example, at least one of copper, copper alloy, 42 alloy, nickel, iron, chromium, tungsten, gold and solder can be used.

이어서, 알칼리성 박리액이나 황산 또는 시판 중인 레지스트 박리액 등을 이용하여 도금 레지스트를 제거한다.Subsequently, the plating resist is removed using an alkaline removing solution, sulfuric acid, or a commercially available resist removing solution.

이어서, 전해 금속 도금층(309)이 형성되어 있는 영역 이외의 금속박(105) 및/또는 무전해 금속 도금막(308)을 제거한다. 예를 들면, 소프트 에칭(플러시 에칭) 등을 이용함으로써, 금속박(105) 및/또는 무전해 금속 도금막(308)을 제거할 수 있다. 여기에서, 소프트 에칭 처리는, 예를 들면, 황산 및 과산화 수소를 포함하는 에칭액을 이용한 에칭에 의하여 행할 수 있다. 이로써, 금속층(303)을 형성할 수 있다. 금속층(303)은, 금속박(105) 및/또는 무전해 금속 도금막(308)과 전해 금속 도금층(309)에 의하여 구성되게 된다.Subsequently, the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308 other than the region where the electrolytic metal plating layer 309 is formed are removed. For example, the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308 can be removed by using soft etching (flush etching) or the like. Here, the soft-etching treatment can be performed by, for example, etching using an etching solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide. Thus, the metal layer 303 can be formed. The metal layer 303 is constituted by the metal foil 105 and / or the electroless metal plating film 308 and the electrolytic metal plating layer 309.

또한, 프린트 배선 기판(300) 상에, 필요에 따라 빌드업층(317)을 적층하고, 세미 애디티브 프로세스에 의하여 층간 접속 및 회로 형성하는 공정을 반복함으로써, 다층으로 할 수 있다.Further, multilayering can be achieved by repeating the steps of laminating the build-up layer 317 on the printed wiring board 300 as needed, and interlayer connection and circuit formation by a semi-additive process.

이상에 의하여, 본 실시형태의 프린트 배선 기판(300)이 얻어진다.Thus, the printed wiring board 300 of the present embodiment is obtained.

이어서, 본 실시형태에 관한 반도체 장치(400)에 대하여 설명한다. 도 4 및 도 5는, 본 실시형태에 있어서의 반도체 장치(400)의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다. 프린트 배선 기판(300)은, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같은 반도체 장치(400)에 이용할 수 있다. 반도체 장치(400)의 제조 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 이하와 같은 방법이 있다.Next, the semiconductor device 400 according to the present embodiment will be described. 4 and 5 are sectional views showing an example of the configuration of the semiconductor device 400 in the present embodiment. The printed wiring board 300 can be used for the semiconductor device 400 shown in Figs. 4 and 5. The manufacturing method of the semiconductor device 400 is not particularly limited, and for example, the following method is available.

먼저, 상술한 방법에 의하여 얻어진 프린트 배선 기판(300)을 준비한다. 다음으로, 프린트 배선 기판(300)의 금속층(303)(회로층) 상에, 필요에 따라 빌드업층을 적층하고, 세미 애디티브 프로세스에 의하여 층간 접속 및 회로 형성하는 공정을 반복한다. 그리고, 필요에 따라 솔더 레지스트층(401)을 프린트 배선 기판(300)의 양면 또는 편면에 적층한다.First, the printed wiring board 300 obtained by the above-described method is prepared. Next, a buildup layer is laminated on the metal layer 303 (circuit layer) of the printed wiring board 300 as necessary, and the process of forming interlayer connection and circuit formation by a semiadditive process is repeated. If necessary, the solder resist layer 401 is laminated on both sides or one side of the printed wiring board 300.

솔더 레지스트층(401)의 형성 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 드라이 필름 타입의 솔더 레지스트를 래미네이팅하여, 노광, 및 현상함으로써 형성하는 방법, 또는, 액상 레지스트에 의하여 패턴 인쇄한 후, 노광, 및 현상에 의하여 패턴 형성하는 방법을 들 수 있다.The method of forming the solder resist layer 401 is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a dry film type solder resist is formed by laminating, followed by exposure and development, Followed by patterning by exposure and development.

이어서, 프린트 배선 기판(300)의 회로층의 일부인 접속 단자 상에 땜납 범프(410)를 개재하여, 반도체 소자(407)를 재치한다. 다음으로, 리플로 처리를 행함으로써, 반도체 소자(407)를 땜납 범프(410)를 개재하여 접속 단자 상에 고착시킨다. 그 후, 반도체 소자(407), 땜납 범프(410) 등을 밀봉재(413)로 밀봉함으로써, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같은 반도체 장치(400)가 얻어진다.Then, the semiconductor element 407 is mounted on the connection terminal, which is a part of the circuit layer of the printed wiring board 300, with the solder bumps 410 interposed therebetween. Next, the semiconductor element 407 is fixed on the connection terminal via the solder bumps 410 by performing the reflow process. Thereafter, the semiconductor device 407, the solder bumps 410, and the like are sealed with the sealing material 413 to obtain the semiconductor device 400 as shown in Figs. 4 and 5.

이상, 본 발명의 실시형태에 대하여 서술했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다. 예를 들면, 본 실시형태에서는, 프리프레그가 1층인 경우를 나타냈지만, 프리프레그를 2층 이상 적층한 절연층을 제작해도 된다.Although the embodiments of the present invention have been described above, they are examples of the present invention, and various configurations other than the above may be employed. For example, although the case where the prepreg is one layer is shown in this embodiment mode, an insulating layer in which two or more prepregs are laminated may be produced.

또, 상기 실시형태에서는, 반도체 소자(407)와 프린트 배선 기판(300)의 회로층을 땜납 범프(410)로 접속했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 반도체 소자(407)와 프린트 배선 기판(300)의 회로층을 본딩 와이어로 접속해도 된다.In the above embodiment, the circuit elements of the semiconductor element 407 and the printed wiring board 300 are connected by the solder bumps 410, but the invention is not limited thereto. For example, the semiconductor element 407 and the circuit layer of the printed wiring board 300 may be connected by a bonding wire.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의하여 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 또한, 실시예에서는, "부"는 특별히 특정하지 않는 한 "질량부"를 나타낸다. 또, 각각의 두께는 평균 막두께로 나타내었다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto. In the examples, "part" means "part by mass" unless otherwise specified. The respective thicknesses are shown by the average film thicknesses.

실시예 및 비교예에서는, 이하의 원료를 이용했다.In the examples and comparative examples, the following materials were used.

말레이미드 화합물 1: 식 (1)에 있어서, n1이 0 이상 3 이하, X1이 "-CH2-"로 나타나는 기, a가 0, b가 0인 화합물(BMI-2300, 다이와 가세이 고교사제, Mw=750)(BMI-2300, manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.) in which n 1 is 0 or more and 3 or less, X 1 is a group represented by "-CH 2 -", a is 0, Priest, Mw = 750)

말레이미드 화합물 2: 비스페놀 A 다이페닐에터비스말레이미드(BMI-4000, 다이와 가세이 고교사제)Maleimide compound 2: bisphenol A diphenylether bis maleimide (BMI-4000, manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.)

말레이미드 화합물 3: 4,4'-다이페닐메테인비스말레이미드(식 (1)에 있어서, n1은 0, X1이 "-CH2-"로 나타나는 기, a가 0, b가 0인 화합물, BMI-1000, 다이와 가세이 고교사제)Maleimide compound 3: 4,4'-diphenylmethane bismaleimide (In the formula (1), n 1 is 0, X 1 is a group represented by "-CH 2 -", a is 0, b is 0 Phosphorus compound, BMI-1000, manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.)

말레이미드 화합물 4: 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥세인(BMI-TMH, 다이와 가세이 고교사제)Maleimide compound 4: 1,6'-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane (BMI-TMH, manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co.)

말레이미드 화합물 5: 이미드 확장형 비스말레이미드(BMI-1500, 식 (a1)에 의하여 나타나는 비스말레이미드 화합물, 디자이너 몰레큘즈사제, 분자량 1500)Maleimide compound 5: imide-extended bismaleimide (BMI-1500, bismaleimide compound represented by formula (a1), manufactured by Designer Molecules, molecular weight 1500)

사이아네이트에스터 수지: 비스페놀 A 다이사이아네이트의 프리폴리머(고형분 75질량%의 MEK 용액, 론자사제, BA230S)Cyanate ester resin: bisphenol A dicyanate prepolymer (MEK solution of solid content 75% by mass, BA230S manufactured by Lonza)

벤조옥사진 화합물 1: 식 (2-1)에 의하여 나타나는 벤조옥사진 화합물(P-d형 벤조옥사진, 시코쿠 가세이 고교사제)Benzoxazine compound 1: A benzoxazine compound (P-d type benzoxazine, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) represented by the formula (2-1)

벤조옥사진 화합물 2: 식 (3-1)에 의하여 나타나는 벤조옥사진 화합물(F-a형 벤조옥사진 시코쿠 가세이 고교사제)Benzoxazine compound 2: The benzoxazine compound represented by formula (3-1) (F-a type benzoxazine, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.)

에폭시 수지 1: 아랄킬형 에폭시 수지(NC3000L, 닛폰 가야쿠사제)Epoxy resin 1: Aralik type epoxy resin (NC3000L, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

에폭시 수지 2: 비스페놀 F형 에폭시 수지(EPICLON 830S, DIC사제)Epoxy resin 2: Bisphenol F type epoxy resin (EPICLON 830S, manufactured by DIC)

에폭시 수지 3: 나프탈렌다이올형 에폭시 수지(EPICLON HP-4032D, DIC사제)Epoxy resin 3: Naphthalene diol type epoxy resin (EPICLON HP-4032D, manufactured by DIC)

에폭시 수지 4: 실세스퀴옥세인형 에폭시 수지(콘포세란 SQ502-8, 아라카와 가가쿠 고교사제)Epoxy resin 4: Silsesquioxane type epoxy resin (Konfoselen SQ502-8, manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.)

페놀 수지 1: 노볼락형 페놀 수지(PR-HF-3, 스미토모 베이크라이트사제)Phenol resin 1: novolac phenolic resin (PR-HF-3, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.)

무기 충전재 1: 실리카(아드마텍스사제, SC4050, 평균 입경 1.1μm, 페닐아미노 실레인 처리의 실리카 슬러리)Inorganic filler 1: silica (SC4050, product of Admatex, average particle size 1.1 mu m, silica slurry treated with phenylamino silane)

저응력재 1: 카복실산 말단 아크릴로나이트릴·뷰타다이엔 고무(PTI 재팬사제, CTBN1008SP)Low stress material 1: Carboxylic acid-terminated acrylonitrile-butadiene rubber (CTBN1008SP, manufactured by PTI Japan)

저응력재 2: 아미노기 말단 아크릴로나이트릴·뷰타다인 고무(PTI 재팬사제, ATBN1300X16)Low stress material 2: amino group end acrylonitrile / butadiene rubber (PTI Japan, ATBN1300X16)

저응력재 3: 실리콘 화합물 (에폭시기 및 페닐기 함유 3차원 가교형 실리콘 수지, 도레이·다우코닝사제, AY42-119)Low stress material 3: silicone compound (epoxy cross-linked three-dimensional cross-linked silicone resin containing epoxy group and phenyl group, manufactured by Dow Corning Toray, AY42-119)

저응력재 4: 실리콘 화합물 (실리콘 에폭시 수지, 도레이·다우코닝사제, BY16-115)Low stress material 4: Silicone compound (silicone epoxy resin, BY16-115, Dow Corning Toray Co., Ltd.)

저응력재 5: 실리콘 화합물 (분자쇄 양 말단에 아미노기를 갖는 변성 실리콘 수지, 도레이·다우코닝사제, BY16-853)Low stress material 5: Silicone compound (denatured silicone resin having amino groups at both ends of molecular chain, BY16-853, manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.)

저응력재 6: 아크릴계 블록 공중합체(아크릴 모노머의 블록 공중합체(PMMA-b-PBA-b-PMMA; b=블록), 수평균 분자량: 약 10,000, 아케마사제, 나노 스트렝스 M51)Low stress material 6: acrylic block copolymer (PMMA-b-PBA-b-PMMA; b = block, number average molecular weight: about 10,000, Aramemase, Nano Strength M51)

경화 촉진제 1: 2-페닐이미다졸(시코쿠 가세이사제, 2PZ-PW)Curing accelerator 1: 2-phenylimidazole (Shikoku Chemicals, 2PZ-PW)

경화 촉진제 2: 테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트(홋코 가가쿠 고교사제, TPP-MK)Curing accelerator 2: Tetraphenylphosphonium tetra-p-tolyl borate (TPP-MK manufactured by Hokko Chemical Industry Co., Ltd.)

다음으로, 프리프레그의 제조에 대하여 설명한다. 사용한 수지 바니시의 조성을 표 1(질량부)에 나타내고, 얻어진 프리프레그 1~22의 평가 결과 등을 표 2에 나타낸다. 또한, 표 2에 기재된 P1~P20은 프리프레그 1~프리프레그 22를 의미한다.Next, the production of the prepreg will be described. The composition of the resin varnish used is shown in Table 1 (parts by mass), and the evaluation results and the like of the obtained prepregs 1 to 22 are shown in Table 2. In Table 2, P1 to P20 refer to prepreg 1 to prepreg 22.

[1] 프리프레그 1[1] prepreg 1

1. 수지 바니시 1의 조제1. Preparation of resin varnish 1

표 1에 나타내는 고형분 비율로 각 성분을 용해 또는 분산시키고, 메틸에틸케톤으로 불휘발분 70질량%가 되도록 조정한 혼합액을 준비했다. 그 후, 이 혼합액을 고속 교반 장치를 이용하여, 교반하여 수지 바니시 1을 조제했다.A mixed solution prepared by dissolving or dispersing each component at a solid content ratio shown in Table 1 and adjusting it to methyl ethyl ketone to a non-volatile content of 70 mass% was prepared. Thereafter, this mixed solution was stirred using a high-speed stirring device to prepare resin varnish 1.

2. 프리프레그의 제조2. Preparation of prepreg

(프리프레그 1)(Prepreg 1)

유리 직포(크로스 타입 #2118, T 유리, 평량 114g/m2)에 수지 바니시 1을 도포 장치로 함침시켰다. 그 후, 140℃의 열풍 건조 장치로 유리 직포를 10분간 건조하여, 두께 107μm의 프리프레그 1(P1)을 얻었다.Glass woven fabric (cross type # 2118, T glass, basis weight 114 g / m 2 ) was impregnated with resin varnish 1 with a coating device. Thereafter, the glass woven fabric was dried for 10 minutes by a hot air dryer at 140 캜 to obtain a prepreg 1 (P1) having a thickness of 107 탆.

(프리프레그 2~22)(Prepregs 2 to 22)

프리프레그 2~22는, 수지 바니시의 종류를 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 프리프레그 1과 동일하게 하여 제조했다. 단, 바니시 19는 용해성의 관점에서 다이메틸폼아마이드로 고형분 농도를 조정했다.Prepregs 2 to 22 were produced in the same manner as prepreg 1 except that the resin varnishes were changed as shown in Table 1. [ However, the varnish 19 adjusted the solid content concentration with dimethylformamide from the viewpoint of solubility.

(실시예 1)(Example 1)

1. 수지 기판의 제조1. Manufacturing of Resin Substrate

프리프레그 1의 양면에 극박 구리박(미쓰이 긴조쿠 고교사제, 마이크로신 Ex, 2.0μm)을 중첩했다. 다음으로, 4MPa, 230℃에서 2시간 가열 가압 성형함으로써, 수지 기판을 얻었다. 얻어진 금속박 부착 수지 기판의 코어층(수지 기판으로 이루어지는 부분)의 두께는, 0.107mm였다.On both sides of the prepreg 1, an ultra-thin copper foil (Microsin Ex, manufactured by Mitsui Kinzoku Kogyo Co., Ltd., 2.0 m) was laminated. Next, the resultant was heated and pressed at 4 MPa and 230 DEG C for 2 hours to obtain a resin substrate. The thickness of the obtained core layer (a portion made of resin substrate) of the obtained resin-coated metal foil was 0.107 mm.

2. 프린트 배선 기판의 제조2. Fabrication of printed wiring board

먼저, 상기 항목에서 얻어진 금속박 부착 수지 기판의 표면의 극박 구리박층에 약 1μm의 조화 처리를 실시했다. 그 후, 탄산 가스 레이저로, 층간 접속용의 φ80μm의 스루홀을 형성했다. 이어서, 60℃의 팽윤액(아트텍 재팬사제, 스웰링 딥 세큐리강스 P)이 넣어진 용기에 금속박 부착 수지 기판을 넣고, 5분간 침지한 후, 금속박 부착 수지 기판을 용기에서 꺼냈다. 그 후, 80℃의 과망간산 갈륨 수용액(아트텍 재팬사제, 컨센트레이트 콤팩트 CP)이 넣어진 용기에 금속박 부착 수지 기판을 넣고, 2분간 침지 후, 중화하여 스루홀 내의 디스미어 처리를 행했다. 다음으로, 디스미어 처리 후의 금속박 부착 수지 기판에 대하여, 무전해 구리 도금을 두께 0.5μm가 되도록 행했다. 다음으로, 전해 구리 도금용 레지스트층을 두께 18μm가 되도록 형성하여, 패턴 구리 도금했다. 그 후, 150℃에서 30분간 가열하여 포스트큐어했다. 이어서, 도금 레지스트를 박리하여 전면을 플러시 에칭하여, L/S=15/15μm의 패턴을 형성했다.First, the extremely thin copper foil layer on the surface of the resin substrate with a metal foil obtained in the above item was subjected to a coarsening treatment of about 1 mu m. Thereafter, through-holes of? 80 占 퐉 for interlayer connection were formed with a carbon dioxide gas laser. Subsequently, a resin substrate with a metal foil was placed in a container filled with a swelling liquid (manufactured by Artec Japan Co., Swelling Deep Curei Kang P) at 60 ° C and immersed for 5 minutes, and then the resin substrate with a metal foil was taken out of the container. Thereafter, a resin substrate with a metal foil was placed in a container filled with an aqueous solution of gallium permanganate (manufactured by Artec Japan Co., Ltd., Concentrate Compact CP) at 80 ° C, immersed for 2 minutes, neutralized and subjected to desmear treatment in a through hole. Next, the resin substrate with the metal foil after the desmear treatment was subjected to electroless copper plating so as to have a thickness of 0.5 mu m. Next, a resist layer for electrolytic copper plating was formed so as to have a thickness of 18 mu m, and patterned copper plating. Thereafter, it was heated at 150 캜 for 30 minutes to post-cure. Subsequently, the plating resist was peeled off and the whole surface was subjected to flush etching to form a pattern of L / S = 15/15 m.

(실시예 2~18 및 비교예 1~4)(Examples 2 to 18 and Comparative Examples 1 to 4)

표 2에 나타내는 바와 같이 프리프레그의 종류를 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 기판, 프린트 배선 기판을 제작했다.A resin substrate and a printed wiring board were produced in the same manner as in Example 1, except that the kind of the prepreg was changed as shown in Table 2.

또, 각 실시예 및 비교예에 의하여 얻어진 수지 기판에 대하여, 다음의 각 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.The following evaluations were performed on the resin substrates obtained in the respective Examples and Comparative Examples. The evaluation results are shown in Table 2.

(1) 유리 전이 온도(1) Glass transition temperature

유리 전이 온도의 측정은, 동적 점탄성 분석 장치(DMA 장치, TA 인스트루먼트사제, Q800)를 이용하여 행했다.The glass transition temperature was measured using a dynamic viscoelasticity analyzer (DMA apparatus, manufactured by TA Instruments, Inc., Q800).

먼저, 얻어진 수지 기판으로부터 8mm×40mm의 테스트 피스를 잘라냈다. 다음으로, 에칭액(제2 염화철 용액, 35℃)으로 테스트 피스의 구리박을 제거하여, 프리프레그의 경화물을 얻었다. 이어서, 얻어진 프리프레그의 경화물을 이용하여 승온 속도 5℃/min, 주파수 1Hz로 동적 점탄성 측정을 행했다. 또한, 유리 전이 온도는, 주파수 1Hz에 있어서 tanδ가 최댓값을 나타내는 온도로 했다.First, a test piece of 8 mm x 40 mm was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (second iron chloride solution, 35 ° C) to obtain a cured prepreg. Then, the obtained cured product of the prepreg was subjected to dynamic viscoelasticity measurement at a heating rate of 5 캜 / min and a frequency of 1 Hz. Further, the glass transition temperature was set to a temperature at which the tan 隆 exhibited the maximum value at a frequency of 1 Hz.

(2) 저장 탄성률 E'(2) Storage elastic modulus E '

저장 탄성률 E'의 측정은, 동적 점탄성 분석 장치(DMA 장치, TA 인스트루먼트사제, Q800)를 이용하여 행했다.The storage elastic modulus E 'was measured using a dynamic viscoelasticity analyzer (DMA device, manufactured by TA Instruments, Q800).

먼저, 얻어진 수지 기판으로부터 8mm×40mm의 테스트 피스를 잘라냈다. 다음으로, 에칭액(제2 염화철 용액, 35℃)으로 테스트 피스의 구리박을 제거하여, 프리프레그의 경화물을 얻었다.First, a test piece of 8 mm x 40 mm was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (second iron chloride solution, 35 ° C) to obtain a cured prepreg.

얻어진 프리프레그의 경화물에 대하여, 승온 속도 5℃/min, 주파수 1Hz로, 30℃ 및 250℃에서의 저장 탄성률 측정을 행하여, 30℃에서의 저장 탄성률 E'30, 250℃에서의 저장 탄성률 E'250, 및 E'30/E'250을 산출했다.The cured product of the obtained prepreg was subjected to measurement of the storage elastic modulus at 30 DEG C and 250 DEG C at a heating rate of 5 DEG C / min and a frequency of 1 Hz to obtain a storage elastic modulus E 'at 30 DEG C and a storage elastic modulus E at 250 DEG C ' 250 , and E' 30 / E ' 250 .

(3) 치수 수축률(3) Dimensional Shrinkage

먼저, 얻어진 수지 기판으로부터 4mm×15mm의 테스트 피스를 잘라냈다. 다음으로, 에칭액(제2 염화철 용액, 35℃)으로 테스트 피스의 구리박을 제거하여, 프리프레그의 경화물을 얻었다.First, a test piece of 4 mm x 15 mm was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (second iron chloride solution, 35 ° C) to obtain a cured prepreg.

이어서, 얻어진 프리프레그의 경화물에 대하여, 열기계 분석 장치 TMA(TA 인스트루먼트사제, Q400)를 이용하여, 승온 속도 10℃/min, 하중 10g, 압축 모드의 조건에서, 30℃부터 260℃까지 승온하는 과정과, 260℃로 1시간 유지하는 과정을 갖는 열기계 분석 측정을 행했다. 그리고, 프리프레그의 경화물의 기준 길이 L0으로부터의 최대의 열팽창량 L1 및 프리프레그의 경화물을 260℃로 1시간 유지 했을 때의 기준 길이 L0으로부터의 열팽창량 L2를 구했다. 이어서, 100×(L1-L2)/L0으로 나타나는 치수 수축률을 산출했다.Subsequently, the cured product of the obtained prepreg was subjected to a temperature elevation rate of 10 占 폚 / min, a load of 10 g, and a temperature of 30 占 폚 to 260 占 폚 under a compression mode condition using a thermomechanical analyzer TMA (Q400, manufactured by TA Instruments) And holding the sample at 260 DEG C for 1 hour. And it was obtained from a thermal expansion amount L 2 from the reference length L 0 when maintained for one hour up to a thermal expansion amount L 1 and the cured product of the prepreg from the prepreg in the reference length L 0 of the cured product in 260 ℃. Subsequently, the dimensional shrinkage ratio represented by 100 x (L 1 -L 2 ) / L 0 was calculated.

(4) 선팽창 계수(4) Coefficient of linear expansion

먼저, 얻어진 수지 기판으로부터 4mm×15mm의 테스트 피스를 잘라냈다. 다음으로, 에칭액(제2 염화철 용액, 35℃)으로 테스트 피스의 구리박을 제거하여, 프리프레그의 경화물을 얻었다.First, a test piece of 4 mm x 15 mm was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (second iron chloride solution, 35 ° C) to obtain a cured prepreg.

이어서, 얻어진 프리프레그의 경화물에 대하여, 열기계 분석 장치 TMA(TA 인스트루먼트사제, Q400)를 이용하여, 온도 범위 30~260℃, 승온 속도 10℃/min, 하중 10g, 압축 모드의 조건에서 열기계 분석(TMA) 측정을 2 사이클 행했다. 50℃부터 150℃의 범위에 있어서의 평면 방향(XY 방향)의 선팽창 계수의 평균값 α1 및 150℃부터 250℃의 범위에 있어서의 평면 방향(XY 방향)의 선팽창 계수의 평균값 α2를 산출했다.Subsequently, a cured product of the obtained prepreg was subjected to heat treatment at a temperature range of 30 to 260 占 폚, a temperature raising rate of 10 占 폚 / min, a load of 10 g, and a compression mode using a thermomechanical analyzer TMA (TA Instruments Co., Ltd., Q400) Mechanical analysis (TMA) was performed for two cycles. An average value? 1 of the linear expansion coefficient in the plane direction (XY direction) in the range of 50 to 150 占 폚 and an average value? 2 of the linear expansion coefficient in the plane direction (XY direction) in the range of 150 to 250 占.

또한, 팽창 계수는, 2 사이클째의 값을 채용했다.Further, the expansion coefficient was the value of the second cycle.

(5) 감막량(5)

먼저, 얻어진 수지 기판으로부터 4mm×15mm의 테스트 피스를 잘라냈다. 다음으로, 에칭액(제2 염화철 용액, 35℃)으로 구리박을 제거하여, 프리프레그의 경화물을 얻었다.First, a test piece of 4 mm x 15 mm was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil was removed with an etching solution (second iron chloride solution, 35 DEG C) to obtain a cured prepreg.

이어서, 얻어진 프리프레그의 경화물의 120℃에서 1시간 건조 후의 질량을 제1 질량으로 하고, 당해 경화물을 하기 조건으로 처리한 후에, 당해 경화물의 120℃에서 1시간 건조 후의 질량을 제2 질량으로 했을 때, [{(제1 질량)-(제2 질량)}/(당해 경화물의 표리 양면의 면적의 합)]×100으로 정의되는 감막량을 산출했다.Subsequently, the cured product of the obtained prepreg was dried at 120 ° C. for 1 hour to obtain a first mass, and after the cured product was treated under the following conditions, the mass of the cured product after drying at 120 ° C. for 1 hour was changed to a second mass , The amount of reduced film defined by [{(first mass) - (second mass)} / (sum of areas of both sides of the cured product) × 100] was calculated.

<조건><Condition>

경화물을 3g/L 수산화 나트륨 용액(용매: 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터 11.1체적%, 에틸렌글라이콜 3.6체적%, 순수 85.3체적%)에 60℃, 5분간 침지함으로써 경화물을 팽윤시킨다. 이어서, 팽윤한 경화물을 조화 처리 수용액(과망간산 나트륨 60g/L, 수산화 나트륨 45g/L)에 80℃, 5분간 침지함으로써 경화물을 조화 처리한다. 이어서, 조화 처리한 경화물을 중화액(98질량% 황산 5.0체적%, 황산 하이드록실아민 0.8체적%, 순수 94.2체적%)에 40℃, 5분간 침지함으로써 경화물을 중화한다The cured product was immersed in a 3 g / L sodium hydroxide solution (solvent: diethylene glycol monobutylether 11.1 vol%, ethylene glycol 3.6 vol%, pure water 85.3 vol%) at 60 DEG C for 5 minutes to swell the cured product . Subsequently, the swollen cured product is dipped in a harmony treatment aqueous solution (60 g / L of sodium permanganate and 45 g / L of sodium hydroxide) at 80 DEG C for 5 minutes to coarsen the cured product. Subsequently, the cured product subjected to the roughening treatment is immersed in a neutralizing solution (98 mass% sulfuric acid 5.0 volume%, sulfuric acid hydroxylamine 0.8 volume%, pure water 94.2 volume%) at 40 ° C for 5 minutes to neutralize the cured product

(6) 치수 변화율(6) Dimensional change rate

먼저, 얻어진 수지 기판으로부터 4mm×15mm의 테스트 피스를 잘라냈다. 다음으로, 에칭액(제2 염화철 용액, 35℃)으로 테스트 피스의 구리박을 제거하여, 프리프레그의 경화물을 얻었다.First, a test piece of 4 mm x 15 mm was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (second iron chloride solution, 35 ° C) to obtain a cured prepreg.

이어서, 얻어진 프리프레그의 경화물에 대하여, 열기계 분석 장치 TMA(TA 인스트루먼트사제, Q400)를 이용하여, 승온 속도 10℃/min, 하중 10g, 압축 모드의 조건에서, 30℃부터 300℃까지 10℃/min으로 승온하는 과정과 300℃부터 30℃까지 10℃/min으로 강온하는 과정을 갖는 열기계 분석 측정을 행했다. 그리고, 열기계 분석 측정 전의 경화물의 세로 방향의 길이를 기준 길이 L0 및 강온하는 과정에 있어서의 30℃에서의 경화물의 세로 방향의 길이 L1를 측정했다. 이어서, 얻어진 L0 및 L1로부터 100×(L1-L0)/L0으로 나타나는 치수 변화율을 산출했다.Subsequently, a cured product of the obtained prepreg was subjected to compression molding at a temperature elevation rate of 10 占 폚 / min, a load of 10 g, and a compression mode using a thermomechanical analyzer TMA (TA Instruments Co., Ltd., Q400) And a thermomechanical analysis measurement was carried out with a process of raising the temperature from 300 DEG C to 30 DEG C at a rate of 10 DEG C / min. Then, the length in the longitudinal direction of the cured product before the thermomechanical analysis measurement was measured as the reference length L 0, and the length L 1 in the longitudinal direction of the cured product at 30 캜 in the process of lowering the temperature. Subsequently, the dimensional change rate, which is represented by 100 x (L 1 -L 0 ) / L 0 , was calculated from the obtained L 0 and L 1 .

(7) 박리 강도 변화율(7) Peel strength change rate

얻어진 수지 기판(금속 부착 적층판)을 135℃, 습도 85%RH의 환경하에 100시간 보관했을 때의, 100×(P1-P2)/P1로 나타나는 박리 강도 변화율을 산출했다.The rate of change in peel strength, which is expressed by 100 x (P 1 -P 2 ) / P 1 when the resin substrate (metal-clad laminate) was stored for 100 hours under the environment of 135 ° C and 85% RH was calculated.

상기 식에 있어서, P1은, 보관 전의 JIS C-6481: 1996에 준거하여 측정되는, 프리프레그의 경화물과 금속박 사이의 박리 강도이다. 또, P2는, 보관 후의 JIS C-6481: 1996에 준거하여 측정되는, 프리프레그의 경화물과 금속박 사이의 박리 강도이다.In the above formula, P 1 is the peel strength between the cured product of the prepreg and the metal foil measured according to JIS C-6481: 1996 before storage. P 2 is the peel strength between the cured product of the prepreg and the metal foil measured according to JIS C-6481: 1996 after storage.

(8) 세선간 절연 신뢰성 평가(8) Three-wire insulation reliability evaluation

프린트 배선 기판의 L/S=15/15μm의 미세 회로 패턴 상에, 빌드업재(스미토모 베이크라이트사제, BLA-3700GS)를 적층한 후, 경화된 시험 샘플을 제작했다. 이 시험 샘플을 이용하여, 130℃, 습도 85%, 인가 전압 3.3V의 조건에서 연속 습중 절연 저항을 평가했다. 또한, 저항값 106Ω 이하를 고장으로 했다. 평가 기준은 이하와 같다.A buildup material (BLA-3700GS made by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was laminated on a fine circuit pattern of L / S = 15/15 占 퐉 of a printed wiring board, and then a cured test sample was prepared. Using this test sample, the continuous-wet insulation resistance was evaluated under conditions of 130 ° C, humidity 85%, and an applied voltage of 3.3 V. Also, the resistance value was set to 10 6 Ω or less. The evaluation criteria are as follows.

○: 500시간 이상 고장 없음○: No failure for 500 hours or more

△: 200~500시간 미만에서 고장 있음△: Failure in less than 200 to 500 hours

×: 200시간 미만에서 고장 있음×: Failure in less than 200 hours

(9) 세선 가공성 평가(9) Evaluation of fine line workability

L/S=15/15μm의 미세 회로 패턴을 형성한 후의 프린트 배선 기판의 세선 가공성을, 레이저 현미경으로 세선(회로)의 외관 검사 및 도통 체크에 의하여 평가했다. 평가 기준은 이하와 같다.The fine line workability of a printed wiring board after forming a fine circuit pattern of L / S = 15/15 占 퐉 was evaluated by a laser microscope by appearance inspection and conduction check of a fine line (circuit). The evaluation criteria are as follows.

◎: 세선의 형상, 도통 모두 문제 없음◎: Shape of fine wire, no problem in all conduction

○: 세선의 일부의 형상에 문제는 있지만, 쇼트, 배선 단락은 없고, 실질상 문제 없음○: Although there is a problem in the shape of a part of the thin wire, there is no short circuit, wiring short-circuit,

×: 쇼트, 배선 단락 있음×: Short, wiring short-circuited

(10) 스루홀 절연 신뢰성 평가(10) Through hole insulation reliability evaluation

상기한 프린트 배선 기판의 제조에 있어서, 층간 접속의 φ80μm의 스루홀을 벽 사이 80μm가 되도록 20쌍 형성했다. 다음으로, 회로 패턴 상에, 빌드업재(스미토모 베이크라이트사제, BLA-3700GS)를 적층한 후, 경화된 시험 샘플을 제작했다. 이 시험 샘플을 이용하여, 130℃, 습도 85%, 인가 전압 5.5V의 조건에서 연속 습중 절연 저항을 평가했다. 또한, 저항값 106Ω 이하를 고장으로 했다. 평가 기준은 이하와 같다.In the production of the above-mentioned printed wiring board, 20 pairs of through holes of? 80 占 퐉 in interlayer connection were formed so as to be 80 占 퐉 between the walls. Next, a buildup material (BLA-3700GS made by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was laminated on the circuit pattern, and then a cured test sample was produced. Using this test sample, the continuous-wet insulation resistance was evaluated at 130 ° C, a humidity of 85%, and an applied voltage of 5.5 V. Also, the resistance value was set to 10 6 Ω or less. The evaluation criteria are as follows.

◎: 500시간 이상 고장 없음(양호)◎: No breakdown for 500 hours (Good)

○: 200~500시간 미만에서 고장 있음(실질상 문제 없음)○: Failure occurred in less than 200 to 500 hours (no problem in practical terms)

△: 200시간 미만에서 고장 있음(실질상 사용 불가)△: Failure occurred in less than 200 hours (practically unusable)

×: 100시간 미만에서 고장 있음(사용 불가)X: Failure in less than 100 hours (not available)

(11) 반도체 장치의 휨 평가(11) Evaluation of bending of semiconductor device

회로 패턴을 형성한 후의 프린트 배선 기판에 빌드업재(스미토모 베이크라이트사제, BLA-3700GS)를 적층한 후, 경화했다. 다음으로, 이 경화물에 대하여, 세미 애디티브법으로 회로 가공했다. 그 위에, 세로 10mm×가로 10mm×두께 100μm의 땜납 범프 부착 반도체 소자를 실장했다. 다음으로, 반도체 소자를 언더 필(스미토모 베이크라이트사제, CRP-4160G)로 밀봉하고, 150℃에서 2시간 경화시켰다. 마지막으로, 15mm×15mm에 다이싱하여 반도체 장치를 제작했다.A buildup material (BLA-3700GS, made by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was laminated on the printed wiring board after the circuit pattern was formed, and then cured. Next, this cured product was subjected to circuit processing by the semi-additive method. A semiconductor device with a solder bump having a length of 10 mm, a width of 10 mm, and a thickness of 100 占 퐉 was mounted thereon. Next, the semiconductor device was sealed with underfill (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRP-4160G) and cured at 150 占 폚 for 2 hours. Finally, the semiconductor device was diced into 15 mm x 15 mm.

얻어진 반도체 장치의 260℃에서의 휨을, 온도 가변 레이저 삼차원 측정기(히타치 테크놀로지 앤드 서비스사제, 형식 LS220-MT100MT50)를 이용하여 평가했다. 평가는, 상기 측정기의 샘플 챔버에 반도체 소자면을 아래로 하여 반도체 장치를 설치하여 행하고, 높이 방향의 변위를 측정하여, 변위차가 가장 큰 값을 휨량으로 했다. 평가 기준은 이하와 같다.The bending of the obtained semiconductor device at 260 캜 was evaluated using a temperature-variable laser three-dimensional measuring instrument (manufactured by Hitachi, Ltd., model LS220-MT100MT50). The evaluation was carried out by placing a semiconductor device in the sample chamber of the measuring instrument with the semiconductor element surface facing downward. The displacement in the height direction was measured, and the value with the greatest displacement difference was taken as the deflection amount. The evaluation criteria are as follows.

◎: 휨량이 30μm 미만?: Less than 30 占 퐉

○: 휨량이 30μm 이상 50μm 미만?: Deflection of 30 占 퐉 or more and less than 50 占 퐉

×: 휨량이 50μm 이상X: Deflection of 50 占 퐉 or more

(12) 히트 사이클 시험(12) Heat cycle test

먼저, (11)에서 얻어진 반도체 장치를 4개 준비했다. 이들 반도체 장치를 85℃, 습도 85%RH의 조건하에서 168시간 처리 후, IR 리플로 노(피크 온도: 260℃)에서 3회 처리했다. 그 후, 대기 중에서, -55℃(15분), 125℃(15분)의 조건을 1 사이클로 하여, 이러한 조건을 500 사이클 행했다. 다음으로, 초음파 영상 장치(히타치 겐키 파인텍사제, FS300)를 이용하여, 반도체 소자, 땜납 범프에 이상이 없는지 관찰했다.First, four semiconductor devices obtained in (11) were prepared. These semiconductor devices were treated for 168 hours under the conditions of 85 캜 and 85% RH, and then treated three times at IR reflow (peak temperature: 260 캜). Thereafter, one cycle was performed under the conditions of -55 占 폚 (15 minutes) and 125 占 폚 (15 minutes) in the atmosphere, and these conditions were repeated for 500 cycles. Next, by using an ultrasonic imaging apparatus (FS300, manufactured by Hitachi Genki Fine-Tex), it was observed that there was no abnormality in the semiconductor element and the solder bump.

◎: 반도체 소자, 땜납 범프 모두 이상 없음◎: No abnormality in both semiconductor element and solder bump

○: 반도체 소자 및/또는 땜납 범프의 일부에 크랙이 발견되었지만 실용상 문제 없음O: Cracks were found in a part of the semiconductor element and / or the solder bump, but there was no practical problem

×: 반도체 소자 및/또는 땜납 범프의 일부 또는 전부에 크랙이 발견되어, 실용상 문제 있음C: Cracks were found in part or all of the semiconductor element and / or the solder bump, causing practical problems

[표 1][Table 1]

Figure pat00013
Figure pat00013

[표 2][Table 2]

Figure pat00014
Figure pat00014

105 금속박
200 금속 부착 적층판
300 프린트 배선 기판
301 절연층
303 금속층
305 절연층
307 비아 홀
308 무전해 금속 도금막
309 전해 금속 도금층
311 코어층
317 빌드업층
400 반도체 장치
401 솔더 레지스트층
407 반도체 소자
410 땜납 범프
413 밀봉재
105 metal foil
200 metal-clad laminate
300 printed wiring board
301 insulating layer
303 metal layer
305 insulating layer
307 via hole
308 Electroless metal plating film
309 Electrolytic metal plating layer
311 core layer
317 buildup layer
400 semiconductor device
401 solder resist layer
407 Semiconductor device
410 solder bump
413 Sealing material

Claims (15)

열경화성 수지 조성물을 섬유 기재에 함침하여 이루어지는 프리프레그로서,
당해 프리프레그를 230℃, 2시간 가열 처리하여 얻어지는 경화물에 대하여, 열기계 분석 측정을 행했을 때에, 경화물의 면내 방향의 50℃부터 150℃의 범위에 있어서 산출한 평균 선팽창 계수 α1에 대한 150℃부터 250℃의 범위에 있어서 산출한 평균 선팽창 계수 α2의 비(α21)가, 0.7 이상 2.0 이하이며, 또한, 상기 평균 선팽창 계수 α2가, 8.0ppm/℃ 이하인 프리프레그.
A prepreg obtained by impregnating a fiber substrate with a thermosetting resin composition,
The cured product obtained by subjecting the prepreg to heat treatment at 230 占 폚 for 2 hours is subjected to thermomechanical analysis to measure the average coefficient of linear expansion? 1 in the in-plane direction of the cured product in the range of 50 占 폚 to 150 占 폚 Wherein a ratio (α 2 / α 1 ) of an average linear expansion coefficient α 2 calculated in the range of 150 ° C. to 250 ° C. is 0.7 or more and 2.0 or less and the average linear expansion coefficient α 2 is 8.0 ppm / .
청구항 1에 있어서,
당해 프리프레그를 230℃, 2시간 가열 처리하여 얻어지는 경화물에 대하여, 30℃부터 260℃까지 10℃/min으로 승온하는 과정과, 260℃에서 1시간 유지하는 과정을 갖는 열기계 분석 측정을 행했을 때에,
상기 열기계 분석 측정 전의 상기 경화물의 세로 방향의 길이를 기준 길이 L0으로 하고, 상기 경화물의 상기 기준 길이 L0으로부터의 최대의 열팽창량을 L1로 하며, 상기 경화물을 260℃에서 1시간 유지 했을 때의 상기 기준 길이 L0으로부터의 열팽창량을 L2로 한 경우,
100×(L1-L2)/L0으로 나타나는 치수 수축률이, 0.15% 이하인 프리프레그.
The method according to claim 1,
The prepreg is heat treated at 230 ° C for 2 hours, and the resulting cured product is subjected to thermomechanical analysis with a process of raising the temperature from 30 ° C to 260 ° C at a rate of 10 ° C / min and holding the process at 260 ° C for one hour When doing so,
1 hour the thermomechanical analysis of the cured length relative to the length of the water vertically as L 0 and, and the maximum thermal expansion of from the reference length of the cured product of L 0 to L 1, the cured product before measurement at 260 ℃ And the amount of thermal expansion from the reference length L 0 at the time of holding is L 2 ,
100 占 (L 1 -L 2 ) / L 0 is 0.15% or less.
청구항 1에 있어서,
당해 프리프레그를 230℃, 2시간 가열 처리하여 얻어지는 경화물에 대하여, 30℃부터 300℃까지 10℃/min으로 승온하는 과정과, 300℃부터 30℃까지 10℃/min으로 강온하는 과정을 갖는 압축 모드에서의 면방향의 열기계 분석 측정을 행했을 때,
상기 열기계 분석 측정 전의 상기 경화물의 세로 방향의 길이를 기준 길이 L0으로 하고,
상기 강온하는 과정에 있어서의 30℃에서의 상기 경화물의 세로 방향의 길이를 L1로 한 경우,
100×(L1-L0)/L0으로 나타나는 치수 변화율이, -0.20% 이상인 프리프레그.
The method according to claim 1,
A step of raising the temperature of the cured product obtained by heating the prepreg at 230 ° C for 2 hours from 30 ° C to 300 ° C at a rate of 10 ° C / min and a step of decreasing the temperature from 300 ° C to 30 ° C at a rate of 10 ° C / When the thermomechanical analysis measurement in the plane direction in the compression mode is performed,
The longitudinal length of the cured product before the thermomechanical analysis measurement is defined as a reference length L 0 ,
When the longitudinal length of the cured product at 30 DEG C in the step of cooling down is L &lt; 1 &gt;
100 占 (L 1 -L 0 ) / L 0 is -0.20% or more.
청구항 1에 있어서,
상기 경화물에 대하여, 승온 속도 5℃/min, 주파수 1Hz의 조건에서 동적 점탄성 측정을 행했을 때에, 상기 경화물의 유리 전이 온도가, 260℃ 이상인 프리프레그.
The method according to claim 1,
Wherein the cured product has a glass transition temperature of 260 占 폚 or more when subjected to dynamic viscoelasticity measurement under the conditions of a temperature rise rate of 5 占 폚 / min and a frequency of 1 Hz.
청구항 1에 있어서,
상기 경화물에 대하여, 동적 점탄성 측정을 행했을 때에, 상기 경화물의 250℃에서의 저장 탄성률 E'250에 대한 30℃에서의 저장 탄성률 E'30의 비(E'30/E'250)가, 1.05 이상 1.75 이하인 프리프레그.
The method according to claim 1,
With respect to the cured product, when performing the dynamic viscoelasticity measurement, the "storage elastic modulus E at 30 ℃ about 250 '30 ratio (E' 30 / E '250) of the storage modulus E at the curing 250 ℃ water, 1.05 or more and 1.75 or less.
청구항 1에 있어서,
당해 프리프레그의 두께가, 20μm 이상 220μm 이하인 프리프레그.
The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the prepreg is not less than 20 占 퐉 and not more than 220 占 퐉.
청구항 1에 있어서,
상기 열경화성 수지 조성물이, 말레이미드 화합물 (A)와, 벤조옥사진 화합물 (B)와, 무기 충전재 (C)를 포함하는 프리프레그.
The method according to claim 1,
Wherein the thermosetting resin composition comprises a maleimide compound (A), a benzoxazine compound (B), and an inorganic filler (C).
청구항 7에 있어서,
상기 말레이미드 화합물 (A)가, 하기 식 (1)에 의하여 나타나는 말레이미드 화합물 (A1)을 포함하는 프리프레그.
[화학식 1]
Figure pat00015

(상기 식 (1)에 있어서, n1은 0 이상 10 이하의 정수이고, X1은 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬렌기, 하기 식 (1a)로 나타나는 기, 식 "-SO2-"로 나타나는 기, "-CO-"로 나타나는 기, 산소 원자 또는 단결합이며, R1은 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 6 이하의 탄화 수소기이고, a는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이며, b는 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이다)
[화학식 2]
Figure pat00016

(상기 식 (1a)에 있어서, Y는 방향족환을 갖는 탄소수 6 이상 30 이하의 탄화 수소기이며, n2는 0 이상의 정수이다)
The method of claim 7,
Wherein the maleimide compound (A) comprises a maleimide compound (A1) represented by the following formula (1).
[Chemical Formula 1]
Figure pat00015

(1), n 1 is an integer of 0 or more and 10 or less, X 1 is each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the following formula (1a), a group represented by the formula: -SO 2 - , A group represented by "-CO-", an oxygen atom or a single bond, R 1 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms and a is independently an integer of 0 to 4 , and b are each independently an integer of 0 or more and 3 or less)
(2)
Figure pat00016

(In the formula (1a), Y is a hydrocarbon group having an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms and n 2 is an integer of 0 or more)
청구항 7에 있어서,
상기 벤조옥사진 화합물 (B)는 하기 식 (2)에 의하여 나타나는 화합물, 하기 식 (3)에 의하여 나타나는 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 프리프레그.
[화학식 3]
Figure pat00017

(상기 식 (2)에 있어서, X2는 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬렌기, 상기 식 (1a)로 나타나는 기, 식 "-SO2-"로 나타나는 기, "-CO-"로 나타나는 기, 산소 원자 또는 단결합이고, R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~6의 탄화 수소기이며, c는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다)
[화학식 4]
Figure pat00018

(상기 식 (3)에 있어서, X3은 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬렌기, 상기 식 (1a)로 나타나는 기, 식 "-SO2-"로 나타나는 기, "-CO-"로 나타나는 기, 산소 원자 또는 단결합이고, R3은 각각 독립적으로 탄소수 1~6의 탄화 수소기이며, d는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다)
The method of claim 7,
Wherein the benzoxazine compound (B) comprises at least one compound selected from a compound represented by the following formula (2) and a compound represented by the following formula (3).
(3)
Figure pat00017

(2), each X 2 independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the formula (1a), a group represented by the formula "-SO 2 -", a group represented by "-CO-" An oxygen atom or a single bond, R 2 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and each c is independently an integer of 0 to 4)
[Chemical Formula 4]
Figure pat00018

(3), each X 3 independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a group represented by the formula (1a), a group represented by the formula "-SO 2 -", a group represented by "-CO-" An oxygen atom or a single bond, R 3 is independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and d is independently an integer of 0 or more and 4 or less)
청구항 7에 있어서,
상기 무기 충전재 (C)가, 탈크, 알루미나, 유리, 실리카, 마이카, 베마이트, 수산화 알루미늄, 및 수산화 마그네슘으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 프리프레그.
The method of claim 7,
Wherein the inorganic filler (C) comprises at least one selected from talc, alumina, glass, silica, mica, boehmite, aluminum hydroxide, and magnesium hydroxide.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 따른 프리프레그의 경화물을 포함하는 수지 기판.A resin substrate comprising a cured product of a prepreg according to any one of claims 1 to 10. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 따른 프리프레그의 경화물의 편면 또는 양면에, 또는 상기 프리프레그를 2매 이상 중첩한 적층체의 경화물의 편면 또는 양면에, 금속박이 마련되어 있는 금속 부착 적층판.A metal-clad laminate provided with a metal foil on one side or both sides of a cured product of a prepreg according to any one of claims 1 to 10, or on one side or both sides of a cured product of a laminate obtained by superimposing two or more prepregs. 청구항 12에 있어서,
당해 금속 부착 적층판을 135℃, 습도 85%RH의 환경하에 100시간 보관했을 때,
상기 보관 전의 JIS C-6481:1996에 준거하여 측정되는, 상기 프리프레그의 경화물과 상기 금속박 사이의 박리 강도를 P1로 하고,
상기 보관 후의 JIS C-6481:1996에 준거하여 측정되는, 상기 프리프레그의 경화물과 상기 금속박 사이의 박리 강도를 P2로 했을 때,
100×(P1-P2)/P1로 나타나는 박리 강도 변화율이, 30% 이하인 금속 부착 적층판.
The method of claim 12,
When the metal-clad laminate was stored for 100 hours under an environment of 135 ° C and a humidity of 85% RH,
The peel strength between the cured product of the prepreg and the metal foil measured according to JIS C-6481: 1996 before storage is defined as P 1 ,
When the peel strength between the cured product of the prepreg and the metal foil, which is measured according to JIS C-6481: 1996 after storage, is P 2 ,
100 占 (P 1 -P 2 ) / P 1 is 30% or less.
청구항 11에 따른 수지 기판 또는 청구항 12에 따른 금속 부착 적층판을 회로 가공하여 얻어지는 프린트 배선 기판이며, 1층 또는 2층 이상의 회로층이 마련되어 있는 프린트 배선 기판.A printed wiring board obtained by circuit processing a resin substrate according to Claim 11 or a metal-clad laminate according to Claim 12, wherein the printed wiring board has one or more circuit layers. 청구항 14에 따른 프린트 배선 기판의 상기 회로층 상에 반도체 소자를 탑재한 반도체 장치A semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the circuit layer of a printed wiring board according to claim 14
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