JP2014205755A - Resin composition for primer layer formation - Google Patents

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JP2014205755A JP2013083364A JP2013083364A JP2014205755A JP 2014205755 A JP2014205755 A JP 2014205755A JP 2013083364 A JP2013083364 A JP 2013083364A JP 2013083364 A JP2013083364 A JP 2013083364A JP 2014205755 A JP2014205755 A JP 2014205755A
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Noriyuki Daito
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed wiring board having a fine circuit dimension and exhibiting excellent insulation reliability, and a semiconductor package with suppressed warpage.SOLUTION: A resin composition for primer layer formation is used for forming a primer layer 105 interposed between an insulator layer 101 and a metal layer 103 and causing adhesion of the insulator layer 101 to the metal layer 103. The resin composition includes a naphthylene ether type epoxy resin represented by the general formula (1) shown below, a thermoplastic resin, and an inorganic filler.

Description

本発明は、プライマー層形成用樹脂組成物に関する。   The present invention relates to a resin composition for forming a primer layer.

近年、電子機器の高機能化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んでおり、これらの電子機器に使用される半導体パッケージの小型化が急速に進行している。そして、半導体パッケージに使用されるプリント配線基板には、高密度で微細な回路が求められている。   In recent years, with the demand for higher functionality of electronic devices, the integration of electronic components and the implementation of high-density packaging have progressed, and the miniaturization of semiconductor packages used in these electronic devices has rapidly progressed. ing. A printed wiring board used for a semiconductor package is required to have a high-density and fine circuit.

微細な回路を形成する方法として、SAP(セミアディティブプロセス)法が提案されている。
SAP法では、はじめに、絶縁層表面に粗化処理を施し、上記絶縁層表面上に下地になる無電解金属めっき膜を形成する。次いで、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けをおこなう。その後、めっきレジストを除去し、上記回路形成部以外の無電解金属めっき膜をフラッシュエッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する。SAP法は、絶縁層上に積層する金属層を薄膜化できるので、より微細な回路配線が可能となる。
As a method for forming a fine circuit, an SAP (semi-additive process) method has been proposed.
In the SAP method, first, a roughening treatment is performed on the surface of the insulating layer, and an electroless metal plating film serving as a base is formed on the surface of the insulating layer. Next, the non-circuit forming portion is protected by the plating resist, and the copper thickness of the circuit forming portion is thickened by electrolytic plating. Thereafter, the plating resist is removed, and the electroless metal plating film other than the circuit forming portion is removed by flash etching, thereby forming a circuit on the insulating layer. In the SAP method, since the metal layer laminated on the insulating layer can be thinned, finer circuit wiring is possible.

しかし、従来の絶縁層では、無電解めっき付き性が悪く、SAP法を上手く行うことができないという問題点があった。そこで、絶縁層上にプライマー層付き金属箔を積層した金属張積層板を使用する方法が提案されている(例えば、特許文献1、2)。この方法では、金属張積層板上の金属箔を除去して得られるプライマー層表面に回路形成をすることにより、絶縁層表面の無電解めっき付き性を改善している。   However, the conventional insulating layer has a problem that the electroless plating property is poor and the SAP method cannot be performed well. Then, the method of using the metal-clad laminated board which laminated | stacked the metal foil with a primer layer on the insulating layer is proposed (for example, patent document 1, 2). In this method, by forming a circuit on the surface of the primer layer obtained by removing the metal foil on the metal-clad laminate, the electroless plating property on the surface of the insulating layer is improved.

特開2006−196863号公報JP 2006-196863 A 特開2007−326962号公報JP 2007-326962 A

半導体パッケージの小型化が進むと、従来では半導体パッケージの剛性の大部分を担っていた半導体素子、封止材の厚みが極めて薄くなり、半導体パッケージに反りが発生しやすくなる。また、構成部材としてプリント配線基板の占める割合が大きくなるため、プリント配線基板の物性・挙動が半導体パッケージの反りに大きな影響を及ぼすようになってきている。   As miniaturization of the semiconductor package progresses, the thickness of the semiconductor element and the sealing material that have conventionally been responsible for most of the rigidity of the semiconductor package becomes extremely thin, and the semiconductor package is likely to warp. In addition, since the proportion of the printed wiring board as a component increases, the physical properties and behavior of the printed wiring board have a great influence on the warpage of the semiconductor package.

一方、地球環境保護の観点から半田の鉛フリー化が進むにつれて、プリント配線基板へ半導体素子を搭載するときや、半導体パッケージを実装基板へ実装するときにおこなうリフロー工程での最高温度が非常に高くなってきている。一般的に良く使われている鉛フリー半田の融点が約210度であることからリフロー工程中での最高温度は260度を超えるレベルとなっている。
一般的に、半導体素子と半導体素子が搭載されるプリント配線基板との熱膨張の差は非常に大きい。そのため、プリント配線基板へ半導体素子を実装するときにおこなうリフロー工程において、半導体パッケージが大きく反ってしまう場合があった。
また、実装基板へ半導体パッケージを実装するときにおこなうリフロー工程においても、同様に半導体パッケージが大きく反ってしまう場合があった。
On the other hand, as lead-free solder progresses from the viewpoint of protecting the global environment, the maximum temperature in the reflow process that occurs when mounting semiconductor elements on a printed wiring board or mounting a semiconductor package on a mounting board becomes extremely high. It has become to. Since the melting point of commonly used lead-free solder is about 210 degrees, the maximum temperature during the reflow process is a level exceeding 260 degrees.
In general, the difference in thermal expansion between a semiconductor element and a printed wiring board on which the semiconductor element is mounted is very large. Therefore, the semiconductor package may be greatly warped in the reflow process performed when the semiconductor element is mounted on the printed wiring board.
Similarly, in the reflow process performed when the semiconductor package is mounted on the mounting substrate, the semiconductor package may be greatly warped.

そこで、本発明は、微細な回路寸法を有し、かつ、絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を提供できると共に、反りが抑制された半導体パッケージを提供可能なプライマー層形成用樹脂組成物を提供する。   Therefore, the present invention provides a resin composition for forming a primer layer that can provide a printed wiring board having fine circuit dimensions and excellent insulation reliability, and capable of providing a semiconductor package in which warpage is suppressed. .

本発明者らは、半導体パッケージの反りの抑制について鋭意検討した。その結果、プライマー層がナフチレンエーテル型エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂と無機充填材とを含むとき、微細配線加工性および絶縁信頼性などの諸特性のバランスに優れながら、半導体パッケージの反りを低減できることを見出し、本発明に到達した。   The present inventors diligently studied about suppression of warpage of the semiconductor package. As a result, when the primer layer contains a naphthylene ether type epoxy resin, a thermoplastic resin, and an inorganic filler, it is possible to reduce the warpage of the semiconductor package while maintaining a good balance of characteristics such as fine wiring processability and insulation reliability. And reached the present invention.

本発明によれば、
絶縁層と金属層との間に介在して上記絶縁層と上記金属層とを密着させるプライマー層を形成するために用いられる、プライマー層形成用樹脂組成物であって、
下記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂と、
熱可塑性樹脂と、
無機充填材と、
を含む、プライマー層形成用樹脂組成物が提供される。
According to the present invention,
A resin composition for forming a primer layer, which is used to form a primer layer that is interposed between an insulating layer and a metal layer and adheres the insulating layer and the metal layer,
A naphthylene ether type epoxy resin represented by the following general formula (1);
A thermoplastic resin;
An inorganic filler;
A resin composition for forming a primer layer is provided.

Figure 2014205755
(上記一般式(1)式において、nは1以上20以下の整数であり、lは1または2の整数であり、Rはそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基または下記一般式(2)で表される構造であり、Rはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。)
Figure 2014205755
(In the general formula (1), n is an integer of 1 or more and 20 or less, l is an integer of 1 or 2, and R 1 is independently a hydrogen atom, a benzyl group, an alkyl group, or the following general formula ( 2), and each R 2 is independently a hydrogen atom or a methyl group.)

Figure 2014205755
(上記一般式(2)式において、Arはそれぞれ独立にフェニレン基またはナフチレン基であり、Rはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基であり、mは1又は2の整数である。)
Figure 2014205755
(In the above general formula (2), Ar is each independently a phenylene group or a naphthylene group, R 2 is each independently a hydrogen atom or a methyl group, and m is an integer of 1 or 2.)

さらに、本発明によれば、
熱硬化性樹脂と無機充填材とを含有する樹脂組成物を繊維基材に少なくとも1層以上含浸してなるプリプレグと、
上記プリプレグの少なくとも一方の面に形成される金属層と上記プリプレグとの間に介在して、上記金属層と上記プリプレグとを密着させるプライマー層と、
を含む、プライマー層付きプリプレグであって、
上記プライマー層が本発明の上記プライマー層形成用樹脂組成物を用いて形成されたものである、プライマー層付きプリプレグが提供される。
Furthermore, according to the present invention,
A prepreg formed by impregnating at least one layer of a fiber base material with a resin composition containing a thermosetting resin and an inorganic filler;
A primer layer that is interposed between the metal layer formed on at least one surface of the prepreg and the prepreg, and causes the metal layer and the prepreg to adhere to each other;
A prepreg with a primer layer,
There is provided a prepreg with a primer layer, wherein the primer layer is formed using the primer layer-forming resin composition of the present invention.

さらに、本発明によれば、
金属箔と、
上記金属箔の少なくとも一方の面に形成されたプライマー層と、
を含む、プライマー層付き金属箔であって、
上記プライマー層が、本発明の上記プライマー層形成用樹脂組成物を用いて形成されたものである、プライマー層付き金属箔が提供される。
Furthermore, according to the present invention,
Metal foil,
A primer layer formed on at least one surface of the metal foil;
A metal foil with a primer layer,
Provided is a metal foil with a primer layer, wherein the primer layer is formed using the primer layer-forming resin composition of the present invention.

さらに、本発明によれば、
熱硬化性樹脂、無機充填材および繊維基材を含む絶縁層と、
上記絶縁層の両面又は片面に積層される金属箔と、
上記絶縁層の膜厚よりも膜厚が薄く、上記絶縁層と上記金属箔との間に介在して上記絶縁層と上記金属箔とを密着させるプライマー層と、
を有する金属張積層板であって、
上記プライマー層が、本発明の上記プライマー層形成用樹脂組成物を用いて形成されたものである、金属張積層板が提供される。
Furthermore, according to the present invention,
An insulating layer comprising a thermosetting resin, an inorganic filler and a fiber substrate;
Metal foil laminated on both sides or one side of the insulating layer;
A primer layer having a thickness smaller than the thickness of the insulating layer and interposing between the insulating layer and the metal foil so as to adhere the insulating layer and the metal foil;
A metal-clad laminate having
Provided is a metal-clad laminate in which the primer layer is formed using the primer layer-forming resin composition of the present invention.

さらに、本発明によれば、
本発明の上記金属張積層板を回路加工してなるプリント配線基板が提供される。
Furthermore, according to the present invention,
A printed wiring board obtained by subjecting the metal-clad laminate of the present invention to circuit processing is provided.

さらに、本発明によれば、
本発明の上記プリント配線基板に半導体素子を実装してなる半導体パッケージが提供される。
Furthermore, according to the present invention,
A semiconductor package is provided in which a semiconductor element is mounted on the printed wiring board of the present invention.

本発明によれば、微細な回路寸法を有し、かつ、絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を提供できると共に、反りが抑制された半導体パッケージを提供可能なプライマー層形成用樹脂組成物を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while being able to provide the printed wiring board which has a fine circuit dimension and is excellent in insulation reliability, the resin composition for primer layer formation which can provide the semiconductor package by which curvature was suppressed can be provided. .

本発明に係る実施形態のプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the printed wiring board of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態のプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the printed wiring board of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態の金属張積層板の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the metal-clad laminated board of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態のプライマー層付き金属箔の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the metal foil with a primer layer of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態のプライマー層付きプリプレグの構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the prepreg with a primer layer of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態のプリント配線基板の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically an example of the manufacturing method of the printed wiring board of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態の半導体パッケージの構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the semiconductor package of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態の半導体パッケージの構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the semiconductor package of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態の半導体装置の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the semiconductor device of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態の半導体装置の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a structure of the semiconductor device of embodiment which concerns on this invention.

以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは必ずしも一致していない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings, similar constituent elements are denoted by common reference numerals, and description thereof is omitted as appropriate. Moreover, the figure is a schematic diagram and does not necessarily match the actual dimensional ratio.

[プライマー層形成用樹脂組成物]
はじめに、本実施形態に係るプライマー層形成用樹脂組成物Pについて説明する。図1および図2は、本発明に係る実施形態のプリント配線基板100の構成の一例を示す断面図である。
[Resin composition for forming primer layer]
First, the primer layer forming resin composition P according to this embodiment will be described. 1 and 2 are cross-sectional views showing an example of the configuration of a printed wiring board 100 according to an embodiment of the present invention.

プライマー層形成用樹脂組成物Pは、絶縁層101と金属層103との間に介在して絶縁層101と金属層103とを密着させるプライマー層105を形成するために用いられるものである。絶縁層101と金属層103は、例えば、図1および図2に示すように、プリント配線基板100の一部を構成するものである。   The primer layer-forming resin composition P is used to form a primer layer 105 that is interposed between the insulating layer 101 and the metal layer 103 so that the insulating layer 101 and the metal layer 103 are in close contact with each other. The insulating layer 101 and the metal layer 103 constitute a part of the printed wiring board 100 as shown in FIGS. 1 and 2, for example.

金属層103は、例えば、回路層である。プリント配線基板100が多層プリント配線基板の場合は、金属層103は、コア層111またはビルドアップ層117中の回路層である。
絶縁層101は、例えば、絶縁樹脂層である。プリント配線基板100が多層プリント配線基板の場合は、コア層111またはビルドアップ層117中の絶縁層101である。なお、プライマー層105も絶縁であるため絶縁層の一種であるが、本実施形態ではプライマー層105は絶縁層101に含まれない。
The metal layer 103 is, for example, a circuit layer. When the printed wiring board 100 is a multilayer printed wiring board, the metal layer 103 is a circuit layer in the core layer 111 or the buildup layer 117.
The insulating layer 101 is an insulating resin layer, for example. When the printed wiring board 100 is a multilayer printed wiring board, it is the insulating layer 101 in the core layer 111 or the buildup layer 117. Note that the primer layer 105 is also an insulating layer because it is insulating, but the primer layer 105 is not included in the insulating layer 101 in this embodiment.

プライマー層形成用樹脂組成物Pは、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂と、熱可塑性樹脂と、無機充填材と、を含んでいる。これにより微細な回路寸法を有し、かつ、絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を提供できると共に、反りが抑制された半導体パッケージを提供することができる。   The primer layer forming resin composition P includes a naphthylene ether type epoxy resin, a thermoplastic resin, and an inorganic filler. Accordingly, it is possible to provide a printed wiring board having fine circuit dimensions and excellent insulation reliability, and a semiconductor package in which warpage is suppressed.

以下、プライマー層形成用樹脂組成物Pを構成する各成分について説明する。   Hereinafter, each component which comprises the resin composition P for primer layer formation is demonstrated.

(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂)
本実施形態に係るプライマー層形成用樹脂組成物Pは、必須成分としてナフチレンエーテル型エポキシ樹脂を含んでいる。これにより、得られる半導体パッケージの反りを低減することができる。
(Naphthylene ether type epoxy resin)
The primer layer forming resin composition P according to this embodiment contains a naphthylene ether type epoxy resin as an essential component. Thereby, the curvature of the obtained semiconductor package can be reduced.

本実施形態に係るナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、下記一般式(1)で表される。   The naphthylene ether type epoxy resin according to this embodiment is represented by the following general formula (1).

Figure 2014205755
(上記一般式(1)式において、nは1以上20以下の整数であり、lは1または2であり、Rはそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基または下記一般式(2)で表される構造であり、Rはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。)
Figure 2014205755
(In the general formula (1), n is an integer of 1 or more and 20 or less, l is 1 or 2, and R 1 is independently a hydrogen atom, a benzyl group, an alkyl group, or the following general formula (2) And each R 2 is independently a hydrogen atom or a methyl group.)

Figure 2014205755
(上記一般式(2)式において、Arはそれぞれ独立にフェニレン基またはナフチレン基であり、Rはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基であり、mは1又は2の整数である。)
Figure 2014205755
(In the above general formula (2), Ar is each independently a phenylene group or a naphthylene group, R 2 is each independently a hydrogen atom or a methyl group, and m is an integer of 1 or 2.)

上記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、分子内にナフタレン環を有するため、ナフタレン環同士の分子間相互作用により、分子運動が抑えられる。そのため、上記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂を含むことにより、得られるプライマー層105の線膨張係数を小さくすることができ、その結果として、半導体パッケージ300の反りを低減することができる。
また、上記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、ナフタレン環1つにつき、エポキシ基が1つだけ結合しているため、エポキシ基同士の距離が長く、これを含むプライマー層形成用樹脂組成物Pにより形成されたプライマー層105の架橋密度が極度に高くならない。そのため、得られるプライマー層105の硬化収縮が大きくならず、その結果、プライマー層105の歪を抑えることができる。
また、上記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、ナフタレン環同士が酸素原子でつながれているため、適度な柔軟性を有し、得られるプライマー層105の成形時の歪を抑えることができる。
以上の理由から、リフロー工程などの加熱工程において発生する半導体パッケージの反りを低減することができる。
Since the naphthylene ether type epoxy resin represented by the general formula (1) has a naphthalene ring in the molecule, molecular motion is suppressed by the intermolecular interaction between the naphthalene rings. Therefore, the linear expansion coefficient of the obtained primer layer 105 can be reduced by including the naphthylene ether type epoxy resin represented by the general formula (1), and as a result, the warpage of the semiconductor package 300 is reduced. can do.
Moreover, since the naphthylene ether type epoxy resin represented by the general formula (1) has only one epoxy group bonded to each naphthalene ring, the distance between the epoxy groups is long, and a primer containing this The crosslink density of the primer layer 105 formed by the layer forming resin composition P does not become extremely high. Therefore, the curing shrinkage of the obtained primer layer 105 does not increase, and as a result, distortion of the primer layer 105 can be suppressed.
In addition, the naphthylene ether type epoxy resin represented by the general formula (1) has appropriate flexibility because the naphthalene rings are connected to each other by oxygen atoms, and distortion during molding of the resulting primer layer 105 is obtained. Can be suppressed.
For the above reasons, it is possible to reduce the warpage of the semiconductor package that occurs in a heating process such as a reflow process.

上記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、例えば、特開2007−231083に記載の方法で合成することができる。   The naphthylene ether type epoxy resin represented by the general formula (1) can be synthesized by, for example, a method described in JP-A-2007-231083.

上記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、下記一般式(3)で表されるものが例として挙げられる。   Examples of the naphthylene ether type epoxy resin represented by the general formula (1) include those represented by the following general formula (3).

Figure 2014205755
(上記一般式(3)式において、nは1以上20以下の整数であり、好ましくは1以上10以下の整数であり、より好ましくは1以上3以下の整数である。Rはそれぞれ独立に水素原子または下記一般式(4)で表される構造であり、好ましくは水素原子である。)
Figure 2014205755
(In the above general formula (3), n is an integer of 1 or more and 20 or less, preferably an integer of 1 or more and 10 or less, more preferably an integer of 1 or more and 3 or less. R is independently hydrogen. (Atom or a structure represented by the following general formula (4), preferably a hydrogen atom)

Figure 2014205755
(上記一般式(4)式において、mは1又は2の整数である。)
Figure 2014205755
(In the above general formula (4), m is an integer of 1 or 2.)

上記一般式(3)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、例えば、下記一般式(5)〜(9)で表されるものが例として挙げられる。   Examples of the naphthylene ether type epoxy resin represented by the general formula (3) include those represented by the following general formulas (5) to (9).

Figure 2014205755
Figure 2014205755

Figure 2014205755
Figure 2014205755

Figure 2014205755
Figure 2014205755

Figure 2014205755
Figure 2014205755

Figure 2014205755
Figure 2014205755

上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、プライマー層形成用樹脂組成物Pの全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、10質量%以上が好ましく、20質量%以上がより好ましい。上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、プライマー層105を形成するのが容易となる。
上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、プライマー層形成用樹脂組成物Pの全固形分を100質量%としたとき、55質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましい。上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の含有量が上記上限値以下であると、プライマー層105の機械的強度、難燃性および低熱膨張性を向上させることができる。
The content of the naphthylene ether type epoxy resin is not particularly limited, but when the total solid content of the primer layer forming resin composition P (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass, the content is 10% by mass or more. Preferably, 20 mass% or more is more preferable. When the content of the naphthylene ether type epoxy resin is not less than the above lower limit value, the handling property is improved and the primer layer 105 can be easily formed.
The content of the naphthylene ether type epoxy resin is not particularly limited, but is preferably 55% by mass or less and more preferably 40% by mass or less when the total solid content of the primer layer forming resin composition P is 100% by mass. preferable. When the content of the naphthylene ether type epoxy resin is not more than the upper limit, the mechanical strength, flame retardancy and low thermal expansion of the primer layer 105 can be improved.

(熱可塑性樹脂)
本実施形態に係るプライマー層形成用樹脂組成物Pは、必須成分として熱可塑性樹脂を含んでいる。
これにより、絶縁層101と金属層103との密着性を向上できると共に、プライマー層105の応力緩和能を向上できる。その結果として、得られるプリント配線基板100の絶縁信頼性を向上できる。また、絶縁層101と金属層103との密着性が優れることにより、回路の微細配線加工が可能となる。
(Thermoplastic resin)
The resin composition P for forming a primer layer according to this embodiment includes a thermoplastic resin as an essential component.
Thereby, the adhesiveness between the insulating layer 101 and the metal layer 103 can be improved, and the stress relaxation ability of the primer layer 105 can be improved. As a result, the insulation reliability of the obtained printed wiring board 100 can be improved. In addition, since the adhesion between the insulating layer 101 and the metal layer 103 is excellent, fine wiring processing of a circuit is possible.

本発明者の検討によれば、プライマー層が上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂および無機充填材を含むと、得られる半導体パッケージの反りを低減することができる一方で、微細配線加工性が低下したり、得られるプリント配線基板の絶縁信頼性が低下したりすることが明らかになった。
本発明者は、上記事情に鑑みて鋭意検討した結果、プライマー層が上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂および無機充填材を含むと、金属層とプライマー層との密着性が低下し、その結果として微細配線加工性が低下したり、得られるプリント配線基板の絶縁信頼性が低下したりしてしまうことがわかった。
そこで、本発明者はさらに鋭意検討した。その結果、上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂および無機充填材に加えて、上記熱可塑性樹脂を含ませることにより、金属層とプライマー層との密着性が向上し、その結果、得られる半導体パッケージの反りを低減できると共に、微細配線加工性およびプリント配線基板の絶縁信頼性が向上することを見出し、本発明を完成するに到った。
According to the study of the present inventor, when the primer layer contains the naphthylene ether type epoxy resin and the inorganic filler, it is possible to reduce the warpage of the obtained semiconductor package while reducing the fine wiring processability. It has been clarified that the insulation reliability of the obtained printed wiring board is lowered.
As a result of intensive studies in view of the above circumstances, the present inventor has found that when the primer layer contains the naphthylene ether type epoxy resin and the inorganic filler, the adhesion between the metal layer and the primer layer decreases, and as a result It turned out that wiring workability falls and the insulation reliability of the printed wiring board obtained falls.
Therefore, the present inventor has further studied diligently. As a result, by including the thermoplastic resin in addition to the naphthylene ether type epoxy resin and the inorganic filler, the adhesion between the metal layer and the primer layer is improved. As a result, the warpage of the resulting semiconductor package is improved. It has been found that the fine wiring processability and the insulation reliability of the printed wiring board are improved, and the present invention has been completed.

本実施形態に係る熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、絶縁層101と金属層103との密着性をより一層向上できる観点から、ポリアミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびポリエーテルスルホン樹脂が好ましく、ポリアミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂およびポリアミドイミド樹脂が特に好ましい。
熱可塑性樹脂として、これらの中の1種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用してもよく、1種類または2種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。
Examples of the thermoplastic resin according to this embodiment include phenoxy resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyphenylene oxide resin, polyethersulfone resin, polyester resin, polyethylene resin, polystyrene resin, and the like. Among these, from the viewpoint of further improving the adhesion between the insulating layer 101 and the metal layer 103, a polyamide resin, a thermoplastic polyimide resin, a polyamideimide resin, and a polyethersulfone resin are preferable, and a polyamide resin, a thermoplastic polyimide resin, and Polyamideimide resin is particularly preferred.
As the thermoplastic resin, one of these may be used alone, or two or more having different weight average molecular weights may be used in combination, or one or two or more and those prepolymers may be used in combination. May be.

また、本実施形態に係る熱可塑性樹脂は、その構造中にゴム成分を含むことが好ましい。ゴム成分を含むことにより、絶縁層101と金属層103との密着性をより一層向上できると共に、プライマー層105の応力緩和能をより一層向上できる。その結果、より微細な配線加工が可能になると共に、得られるプリント配線基板100の絶縁信頼性をより一層向上できる。
本実施形態に係る熱可塑性樹脂と反応させるゴム成分としては、天然ゴム及び合成ゴムのいずれであってもよく、変性ゴムであっても未変性ゴムであってもよい。合成ゴムとしては、特に限定されるものではないが、例えば、NBR(ブタジエン−アクリロニトリル共重合体)、アクリルゴム、ポリブタジエン、イソプレン、カルボン酸変性NBR、水素転化型ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエンなどが挙げられる。
熱可塑性樹脂との相溶性を上げる為にカルボン酸変性、水酸基変性やエポキシ変性したものや熱劣化を防止するために水素転化型の合成ゴムなどを用いてもよいが、NBRおよびポリブタジエンを用いることがより好ましい。
Moreover, it is preferable that the thermoplastic resin which concerns on this embodiment contains a rubber component in the structure. By including the rubber component, the adhesion between the insulating layer 101 and the metal layer 103 can be further improved, and the stress relaxation ability of the primer layer 105 can be further improved. As a result, finer wiring processing becomes possible, and the insulation reliability of the obtained printed wiring board 100 can be further improved.
The rubber component to be reacted with the thermoplastic resin according to this embodiment may be either natural rubber or synthetic rubber, and may be a modified rubber or an unmodified rubber. The synthetic rubber is not particularly limited, and examples thereof include NBR (butadiene-acrylonitrile copolymer), acrylic rubber, polybutadiene, isoprene, carboxylic acid-modified NBR, hydrogen conversion polybutadiene, epoxy-modified polybutadiene, and the like. .
Carboxylic acid-modified, hydroxyl-modified, and epoxy-modified ones may be used to improve compatibility with thermoplastic resins, and hydrogen-converted synthetic rubber may be used to prevent thermal degradation, but NBR and polybutadiene should be used. Is more preferable.

上記ポリアミド樹脂としては、特に限定されず、例えば、酸とアミンの重縮合により得られるものを用いることができる。中でも、耐熱性が向上する点から、芳香族環を有するポリアミド樹脂(芳香族ポリアミド樹脂)が好ましく、下記一般式(10)で表されるものがより好ましい。ここでいう「芳香族ポリアミド樹脂」は、芳香族ポリアミド樹脂とゴム成分とを反応させて得られるものを含む。   The polyamide resin is not particularly limited, and for example, a resin obtained by polycondensation of an acid and an amine can be used. Especially, the polyamide resin (aromatic polyamide resin) which has an aromatic ring from the point which heat resistance improves is preferable, and what is represented by following General formula (10) is more preferable. The “aromatic polyamide resin” as used herein includes those obtained by reacting an aromatic polyamide resin and a rubber component.

Figure 2014205755
(上記一般式(10)において、mは繰り返し単位数を表し、50以上5,000以下の整数である。Ar、Arは2価の芳香族基を示し、同じでも異なっていてもよい。Xは、ゴム成分のセグメントを有する基を示す。)
Figure 2014205755
(In the general formula (10), m represents the number of repeating units and is an integer of 50 to 5,000. Ar 1 and Ar 2 represent a divalent aromatic group, and may be the same or different. X represents a group having a segment of a rubber component.)

上記一般式(10)で表わされる芳香族ポリアミド樹脂と反応させるゴム成分としては、天然ゴム及び合成ゴムのいずれであってもよく、変性ゴムであっても未変性ゴムであってもよい。合成ゴムとしては、特に限定されるものではないが、例えば、NBR(ブタジエン−アクリロニトリル共重合体)、アクリルゴム、ポリブタジエン、イソプレン、カルボン酸変性NBR、水素転化型ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエンなどが挙げられる。
ポリアミドとの相溶性を上げる為にカルボン酸変性、水酸基変性やエポキシ変性したものや熱劣化を防止するために水素転化型の合成ゴムなどを用いてもよいが、NBRおよびポリブタジエンを用いることがより好ましい。
更に好ましい芳香族ポリアミド樹脂としては、フェノール性水酸基を有するポリアミド樹脂がある。フェノール性水酸基を有することで、柔軟性に加え、熱硬化性樹脂との相溶性に優れる。
フェノール性水酸基を有するポリアミド樹脂としては、例えば、下記式(11)で表されるものが挙げられる。
The rubber component to be reacted with the aromatic polyamide resin represented by the general formula (10) may be either natural rubber or synthetic rubber, and may be a modified rubber or an unmodified rubber. The synthetic rubber is not particularly limited, and examples thereof include NBR (butadiene-acrylonitrile copolymer), acrylic rubber, polybutadiene, isoprene, carboxylic acid-modified NBR, hydrogen conversion polybutadiene, epoxy-modified polybutadiene, and the like. .
In order to improve compatibility with polyamide, carboxylic acid-modified, hydroxyl-modified or epoxy-modified ones or hydrogen-converted synthetic rubbers may be used to prevent thermal degradation, but it is more preferable to use NBR and polybutadiene. preferable.
A more preferable aromatic polyamide resin is a polyamide resin having a phenolic hydroxyl group. By having a phenolic hydroxyl group, in addition to flexibility, it is excellent in compatibility with a thermosetting resin.
Examples of the polyamide resin having a phenolic hydroxyl group include those represented by the following formula (11).

Figure 2014205755
(上記一般式(11)において、m、nは繰り返し単位数を表し、50以上5,000以下の整数である。Ar、Arは2価の芳香族基を示し、同じでも異なっていてもよい。Xは、ゴム成分のセグメントを有する基を示す。)
Figure 2014205755
(In the above general formula (11), m and n represent the number of repeating units and are integers of 50 or more and 5,000 or less. Ar 1 and Ar 2 represent a divalent aromatic group and are the same or different. X represents a group having a segment of a rubber component.)

芳香族ポリアミド樹脂とゴム成分とは、芳香族ポリアミド樹脂が30重量%以上85重量%以下、残部がゴム成分という配合で用いることが好ましい。   The aromatic polyamide resin and the rubber component are preferably used in such a composition that the aromatic polyamide resin is 30 wt% or more and 85 wt% or less, and the balance is the rubber component.

上記ポリイミド樹脂としては、特に限定されず、例えば、ジアミン成分と酸二無水物成分を反応させて得られるものを用いることができる。   It does not specifically limit as said polyimide resin, For example, what is obtained by making a diamine component and an acid dianhydride component react can be used.

上記ポリアミドイミド樹脂としては、主鎖中にアミド基とイミド基を有する重合体であれば特に限定されず、例えば、ジカルボン酸誘導体とジイソシアネートから合成することができる。   The polyamide-imide resin is not particularly limited as long as it is a polymer having an amide group and an imide group in the main chain, and can be synthesized from, for example, a dicarboxylic acid derivative and diisocyanate.

上記熱可塑性樹脂の含有量は、とくに限定されないが、プライマー層形成用樹脂組成物Pの全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、5質量%以上40質量%以下であることが好ましく、10質量%以上30質量%以下であることがより好ましい。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記範囲内であると、プライマー層のパラジウム触媒の付着性および無電解めっき付き性に優れ、かつ、低熱膨張性にも優れる。   The content of the thermoplastic resin is not particularly limited. However, when the total solid content of the primer layer forming resin composition P (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass, the content is 5% by mass to 40% by mass. It is preferable that it is 10 mass% or more and 30 mass% or less. When the content of the thermoplastic resin is within the above range, the adhesion of the palladium catalyst of the primer layer and the electroless plating property are excellent, and the low thermal expansion property is also excellent.

(無機充填材)
本実施形態に係るプライマー層形成用樹脂組成物Pは、必須成分として無機充填材を含んでいる。これにより、プライマー層105の機械強度および剛性を向上させることができる。さらに、得られるプライマー層105の線膨張係数を小さくすることができる。
(Inorganic filler)
The primer layer forming resin composition P according to this embodiment includes an inorganic filler as an essential component. Thereby, the mechanical strength and rigidity of the primer layer 105 can be improved. Furthermore, the linear expansion coefficient of the primer layer 105 obtained can be reduced.

上記無機充填材としては、例えば、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。上記無機充填材としては、これらの中の1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。
これらの中でもシリカが好ましく、特に溶融シリカ(特に球状溶融シリカ)が低熱膨張性に優れる点で好ましい。上記シリカの形状は破砕状、球状があるが、プライマー層形成用樹脂組成物Pの溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的に合わせた使用方法が採用される。
Examples of the inorganic filler include talc, alumina, glass, silica, mica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and the like. As the inorganic filler, one of these may be used alone, or two or more may be used in combination.
Among these, silica is preferable, and fused silica (especially spherical fused silica) is particularly preferable in terms of excellent low thermal expansion. The shape of the silica includes a crushed shape and a spherical shape. To lower the melt viscosity of the resin composition P for forming the primer layer, a usage method suitable for the purpose such as using spherical silica is adopted.

上記シリカは、平均粒子径1nm以上100nm以下のシリカナノ粒子であることが好ましく、10nm以上100nm以下のシリカナノ粒子であることがより好ましく、10nm以上70nm以下のシリカナノ粒子であることが特に好ましい。更に、特に限定されないが、平均粒子径0.1μm以上5.0μm以下のシリカ粒子と組み合わせても良い。これにより、シリカをプライマー層形成用樹脂組成物Pに高濃度で均一に含有させることができる。
なお、上記シリカの平均粒子径は、例えば、動的光散乱法により測定することができる。粒子を水中で超音波により分散させ動的光散乱法式粒度分布測定装置(HORIBA製、LB−550)により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径(D50)を平均粒子径とする。
The silica is preferably silica nanoparticles having an average particle diameter of 1 nm or more and 100 nm or less, more preferably 10 nm or more and 100 nm or less, and particularly preferably 10 nm or more and 70 nm or less. Further, although not particularly limited, it may be combined with silica particles having an average particle diameter of 0.1 μm or more and 5.0 μm or less. Thereby, silica can be uniformly contained in the primer layer forming resin composition P at a high concentration.
In addition, the average particle diameter of the silica can be measured by, for example, a dynamic light scattering method. Particles are dispersed in water with ultrasonic waves, and the particle size distribution of the particles is measured on a volume basis using a dynamic light scattering particle size distribution analyzer (manufactured by HORIBA, LB-550). The median diameter (D 50 ) is the average particle diameter. And

上記シリカの製造方法は、特に限定されないが、例えば、VMC(Vaporized Metal Combustion)法、PVS(Physical Vapor Synthesis)法等の燃焼法、破砕シリカを火炎溶融する溶融法、沈降法、ゲル法等が挙げられ、これらの中でもVMC法が特に好ましい。
上記VMC法とは、酸素含有ガス中で形成させた化学炎中にシリコン粉末を投入し、燃焼させた後、冷却することで、シリカ粒子を形成させる方法である。上記VMC法では、投入するシリコン粉末の粒子径、投入量、火炎温度等を調整することにより、得られるシリカ微粒子の粒子径を調整できるため、粒子径の異なるシリカ微粒子を製造することができる。
上記シリカナノ粒子としては、NSS−5N(トクヤマ社製)、Sicastar43−00−501(Micromod社製)等の市販品を用いることもできる。
The method for producing the silica is not particularly limited. For example, a combustion method such as a VMC (Vaporized Metal Combustion) method, a PVS (Physical Vapor Synthesis) method, a melting method in which crushed silica is melted by flame, a sedimentation method, a gel method, etc. Among these, the VMC method is particularly preferable.
The VMC method is a method in which silica particles are formed by putting silicon powder into a chemical flame formed in an oxygen-containing gas, burning it, and cooling it. In the VMC method, the particle diameter of the silica fine particles to be obtained can be adjusted by adjusting the particle diameter of the silicon powder to be charged, the amount to be charged, the flame temperature, etc., so that silica fine particles having different particle diameters can be produced.
Commercially available products such as NSS-5N (manufactured by Tokuyama) and Sicastar 43-00-501 (manufactured by Micromod) can also be used as the silica nanoparticles.

無機充填材の含有量は、とくに限定されないが、プライマー層形成用樹脂組成物Pの全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、20質量%以上80質量%以下が好ましく、30質量%以上60質量%以下がより好ましい。無機充填材の含有量が上記範囲内であると、プライマー層105をとくに低熱膨張、低吸水とすることができる。   The content of the inorganic filler is not particularly limited, but when the total solid content of the primer layer forming resin composition P (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass, it is 20% by mass to 80% by mass. Preferably, 30 mass% or more and 60 mass% or less are more preferable. When the content of the inorganic filler is within the above range, the primer layer 105 can have particularly low thermal expansion and low water absorption.

(熱硬化性樹脂)
プライマー層形成用樹脂組成物Pは、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂をさらに含んでもよい。これにより、半導体パッケージの反りをより一層低減することができる。
(Thermosetting resin)
The primer layer forming resin composition P may further include a thermosetting resin other than the naphthylene ether type epoxy resin. Thereby, the curvature of a semiconductor package can be reduced further.

熱硬化性樹脂としては、とくに限定されないが、低線膨張率および高弾性率を有し、熱衝撃性の信頼性に優れたものであることが好ましい。
具体的な熱硬化性樹脂として、例えば、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂等が挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用してもよく、1種類または2種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。
Although it does not specifically limit as a thermosetting resin, It is preferable that it has a low linear expansion coefficient and a high elasticity modulus, and is excellent in the reliability of thermal shock property.
Specific examples of the thermosetting resin include epoxy resins other than naphthylene ether type epoxy resins, phenol resins, cyanate resins, bismaleimide resins, and benzoxazine resins. One of these may be used alone, or two or more having different weight average molecular weights may be used in combination, or one or two or more and those prepolymers may be used in combination.

ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4'−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4'−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)などのビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂;ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。   Examples of epoxy resins other than naphthylene ether type epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol E type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, and bisphenol M type epoxy resins (4,4'- (1,3-phenylene diisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4 ′-(1,4-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy resin Bisphenol type epoxy resins such as (4,4'-cyclohexyldiene bisphenol type epoxy resin); Novolak type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin; Biphenyl type epoxy resin Arylalkylene type epoxy resins such as xylylene type epoxy resins and biphenyl aralkyl type epoxy resins; naphthol type epoxy resins, naphthalene diol type epoxy resins, bifunctional to tetrafunctional epoxy type naphthalene resins, binaphthyl type epoxy resins, naphthalene aralkyl type epoxy resins Naphthalene type epoxy resins such as: anthracene type epoxy resins; phenoxy type epoxy resins; dicyclopentadiene type epoxy resins; norbornene type epoxy resins; adamantane type epoxy resins; and fluorene type epoxy resins.

エポキシ樹脂として、これらの中の1種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用してもよく、1種類または2種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。   As the epoxy resin, one of these may be used alone, two or more having different weight average molecular weights may be used in combination, and one or two or more thereof and a prepolymer thereof may be used in combination. May be.

これらエポキシ樹脂の中でもナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。ベンゼン環に比べナフタレン環のπ−πスタッキング効果が高いため、プライマー層105の低熱膨張性、低熱収縮性を向上させることができる。更に、多環構造のため剛直効果が高く、ガラス転移温度がとくに高いため、リフロー前後の熱収縮変化が小さい。ナフトール型エポキシ樹脂としては、例えば下記一般式(VII−1)、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂としては下記式(VII−2)、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂としては下記式(VII−3)(VII−4)(VII−5)で示すことができる。   Among these epoxy resins, naphthol type epoxy resins such as naphthol type epoxy resins, naphthalene diol type epoxy resins, bifunctional to tetrafunctional naphthalene type epoxy resins, and naphthylene ether type epoxy resins are preferable. Since the naphthalene ring has a higher π-π stacking effect than the benzene ring, the low thermal expansion property and low thermal contraction property of the primer layer 105 can be improved. Furthermore, since the polycyclic structure has a high rigidity effect and the glass transition temperature is particularly high, the heat shrinkage change before and after reflow is small. As a naphthol type epoxy resin, for example, the following general formula (VII-1), as a naphthalene diol type epoxy resin, the following formula (VII-2), as a bifunctional or tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, the following formula (VII-3): (VII-4) (VII-5).

Figure 2014205755
(nは平均1以上6以下の数を示し、Rはグリシジル基または炭素数1以上10以下の炭化水素基を示す。)
Figure 2014205755
(N represents an average number of 1 to 6, and R represents a glycidyl group or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.)

Figure 2014205755
Figure 2014205755

Figure 2014205755
Figure 2014205755

エポキシ樹脂の重量平均分子量(Mw)は、とくに限定されないが、Mw300以上が好ましく、とくにMw800以上が好ましい。Mwが上記下限値以上であると、プライマー層105にタック性が生じるのを抑制することができる。Mwは、とくに限定されないが、Mw20,000以下が好ましく、とくにMw15,000以下が好ましい。Mwが上記上限値以下であると、より均一なプライマー層105を得ることができる。エポキシ樹脂のMwは、例えばGPCで測定することができる。   Although the weight average molecular weight (Mw) of an epoxy resin is not specifically limited, Mw300 or more is preferable and especially Mw800 or more is preferable. When Mw is equal to or greater than the lower limit, it is possible to suppress the occurrence of tackiness in the primer layer 105. Mw is not particularly limited, but Mw is preferably 20,000 or less, and particularly preferably Mw15,000 or less. When Mw is not more than the above upper limit value, a more uniform primer layer 105 can be obtained. The Mw of the epoxy resin can be measured by GPC, for example.

上記シアネート樹脂は、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類やナフトール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
プライマー層形成用樹脂組成Pは、熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂を用いることにより、プライマー層105の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂は、電気特性(低誘電率、低誘電正接)、機械強度などにも優れる。
Although the said cyanate resin is not specifically limited, For example, it can obtain by making a halogenated cyanide compound, phenols, and naphthol react, and prepolymerizing by methods, such as a heating, as needed. Moreover, the commercial item prepared in this way can also be used.
The primer layer forming resin composition P can reduce the linear expansion coefficient of the primer layer 105 by using a cyanate resin as a thermosetting resin. Further, the cyanate resin is excellent in electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent), mechanical strength, and the like.

シアネート樹脂は、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂;ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂;ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂;ビフェニルアルキル型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂が好ましく、ノボラック型シアネート樹脂がより好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を用いることにより、架橋密度が増加し、耐熱性が向上する。   Examples of the cyanate resin include novolak-type cyanate resin, bisphenol A-type cyanate resin, bisphenol E-type cyanate resin, and tetramethylbisphenol F-type cyanate resin; reaction of naphthol aralkyl-type phenol resin with cyanogen halide Naphthol aralkyl type cyanate resin obtained by the following: dicyclopentadiene type cyanate resin; biphenyl alkyl type cyanate resin. Among these, novolak type cyanate resins and naphthol aralkyl type cyanate resins are preferable, and novolak type cyanate resins are more preferable. By using the novolac type cyanate resin, the crosslink density is increased and the heat resistance is improved.

この理由としては、ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することが挙げられる。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。また、ノボラック型シアネート樹脂を含むプライマー層105は優れた剛性を有する。よって、プライマー層105の耐熱性をより一層向上できる。
ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式(I)で示されるものを使用することができる。
The reason for this is that the novolak cyanate resin forms a triazine ring after the curing reaction. Furthermore, it is considered that novolak-type cyanate resin has a high benzene ring ratio due to its structure and is easily carbonized. Further, the primer layer 105 containing a novolac type cyanate resin has excellent rigidity. Therefore, the heat resistance of the primer layer 105 can be further improved.
As a novolak-type cyanate resin, what is shown by the following general formula (I) can be used, for example.

Figure 2014205755
Figure 2014205755

一般式(I)で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位nは任意の整数である。平均繰り返し単位nは、とくに限定されないが、1以上が好ましく、2以上がより好ましい。平均繰り返し単位nが上記下限値以上であると、ノボラック型シアネート樹脂の耐熱性が向上し、加熱時に低量体が脱離、揮発することを抑制できる。また、平均繰り返し単位nは、とくに限定されないが、10以下が好ましく、7以下がより好ましい。nが上記上限値以下であると、溶融粘度が高くなるのを抑制でき、プライマー層105の成形性を向上させることができる。   The average repeating unit n of the novolak type cyanate resin represented by the general formula (I) is an arbitrary integer. The average repeating unit n is not particularly limited, but is preferably 1 or more, and more preferably 2 or more. When the average repeating unit n is not less than the above lower limit, the heat resistance of the novolak cyanate resin is improved, and it is possible to suppress the demerization and volatilization of the low mer during heating. The average repeating unit n is not particularly limited, but is preferably 10 or less, more preferably 7 or less. When n is less than or equal to the above upper limit, an increase in melt viscosity can be suppressed, and the moldability of the primer layer 105 can be improved.

また、シアネート樹脂としては、下記一般式(II)で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式(II)で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂は、例えば、α−ナフトールあるいはβ−ナフトールなどのナフトール類とp−キシリレングリコール、α,α'−ジメトキシ−p−キシレン、1,4−ジ(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼンなどとの反応により得られるナフトールアラルキル型フェノール樹脂とハロゲン化シアンとを縮合させて得られるものである。一般式(II)の繰り返し単位nは10以下の整数であることが好ましい。繰り返し単位nが10以下であると、より均一なプライマー層105を得ることができる。また、合成時に分子内重合が起こりにくく、水洗時の分液性が向上し、収量の低下を防止できる傾向がある。   As the cyanate resin, a naphthol aralkyl type cyanate resin represented by the following general formula (II) is also preferably used. The naphthol aralkyl type cyanate resin represented by the following general formula (II) includes, for example, naphthols such as α-naphthol or β-naphthol, p-xylylene glycol, α, α′-dimethoxy-p-xylene, 1,4 -It is obtained by condensing a naphthol aralkyl type phenol resin obtained by reaction with di (2-hydroxy-2-propyl) benzene and cyanogen halide. The repeating unit n of the general formula (II) is preferably an integer of 10 or less. When the repeating unit n is 10 or less, a more uniform primer layer 105 can be obtained. In addition, intramolecular polymerization hardly occurs at the time of synthesis, the liquid separation property at the time of washing with water tends to be improved, and the decrease in yield tends to be prevented.

Figure 2014205755
(式中、Rは水素原子またはメチル基を示し、nは1以上10以下の整数を示す。)
Figure 2014205755
(In the formula, R represents a hydrogen atom or a methyl group, and n represents an integer of 1 to 10.)

シアネート樹脂の重量平均分子量(Mw)は、とくに限定されないが、Mw500以上が好ましく、Mw600以上がより好ましい。Mwが上記下限値以上であると、プライマー層105を作製した場合にタック性の発生を抑制でき、プライマー層105同士が接触したとき互いに付着したり、プライマー層105の転写が生じたりするのを抑制することができる。また、Mwは、とくに限定されないが、Mw4,500以下が好ましく、Mw3,000以下がより好ましい。また、Mwが上記上限値以下であると、反応が速くなるのを抑制でき、プライマー層105に不良が生じたり、プライマー層105と金属層103とのピール強度が低下したりするのを抑制することができる。
シアネート樹脂のMwは、例えば、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。
Although the weight average molecular weight (Mw) of cyanate resin is not specifically limited, Mw500 or more is preferable and Mw600 or more is more preferable. When Mw is equal to or more than the above lower limit, the occurrence of tackiness can be suppressed when the primer layer 105 is produced, and when the primer layers 105 are in contact with each other, the primer layers 105 are attached to each other or the primer layer 105 is transferred. Can be suppressed. Mw is not particularly limited, but is preferably Mw 4,500 or less, and more preferably Mw 3,000 or less. Further, when Mw is not more than the above upper limit value, it is possible to suppress the reaction from being accelerated, and it is possible to suppress the occurrence of a defect in the primer layer 105 or the decrease in the peel strength between the primer layer 105 and the metal layer 103. be able to.
Mw of cyanate resin can be measured by GPC (gel permeation chromatography, standard substance: polystyrene conversion), for example.

また、シアネート樹脂は1種類を単独で用いてもよいし、異なるMwを有する2種類以上を併用してもよく、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。   Moreover, cyanate resin may be used individually by 1 type, may use together 2 or more types which have different Mw, and may use 1 type, or 2 or more types, and those prepolymers together.

上記ビスマレイミド樹脂としては、特に限定されないが、例えば、4,4'−ジフェニルメタンビスマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、p−フェニレンビスマレイミド、2,2'−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン、4−メチル−1,3−フェニレンビスマレイミド、N,N'−エチレンジマレイミド、N,N'−ヘキサメチレンジマレイミド等が挙げられる。
ポリマレイミドとしては、ポリフェニルメタンマレイミド等が挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用することもできる。これらのビスマレイミド樹脂の中でも、低吸水率である点などから、4,4'−ジフェニルメタンビスマレイミド、2,2'−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタンが好ましい。
The bismaleimide resin is not particularly limited. For example, 4,4′-diphenylmethane bismaleimide, m-phenylene bismaleimide, p-phenylene bismaleimide, 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl ] Propane, bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane, 4-methyl-1,3-phenylenebismaleimide, N, N'-ethylenedimaleimide, N, N'-hexamethylenedi Examples include maleimide.
Examples of the polymaleimide include polyphenylmethane maleimide. One of these can be used alone, or two or more having different weight average molecular weights can be used in combination. Among these bismaleimide resins, 4,4′-diphenylmethane bismaleimide, 2,2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, bis- (3- Ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane is preferred.

ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂以外の上記熱硬化性樹脂の含有量は、とくに限定されないが、プライマー層形成用樹脂組成物Pの全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、1質量%以上30質量%以下が好ましく、5質量%以上20質量%以下がより好ましい。熱硬化性樹脂の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、プライマー層105を形成するのが容易となる。熱硬化性樹脂の含有量が上記上限値以下であると、プライマー層105の強度、難燃性および低熱膨張性を向上させることができる。   The content of the thermosetting resin other than the naphthylene ether type epoxy resin is not particularly limited, but when the total solid content of the primer layer forming resin composition P (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. 1 mass% or more and 30 mass% or less are preferable, and 5 mass% or more and 20 mass% or less are more preferable. When the content of the thermosetting resin is not less than the above lower limit value, the handling property is improved and the primer layer 105 can be easily formed. When the content of the thermosetting resin is not more than the above upper limit value, the strength, flame retardancy, and low thermal expansibility of the primer layer 105 can be improved.

(その他の添加剤)
このほか、必要に応じて、プライマー層形成用樹脂組成物Pにはカップリング剤、硬化剤などの添加剤を適宜配合することができる。本実施形態で用いられるプライマー層形成用樹脂組成物Pは、上記成分を有機溶剤などにより溶解および/または分散させた液状形態で好適に用いることができる。
(Other additives)
In addition, additives such as a coupling agent and a curing agent can be appropriately blended in the primer layer forming resin composition P as necessary. The primer layer forming resin composition P used in the present embodiment can be suitably used in a liquid form in which the above components are dissolved and / or dispersed with an organic solvent or the like.

(カップリング剤)
カップリング剤の使用により、無機充填材と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、プライマー層105の耐熱性を改良することができる。
(Coupling agent)
By using the coupling agent, the wettability of the interface between the inorganic filler and each resin can be improved. Therefore, it is preferable to use a coupling agent, and the heat resistance of the primer layer 105 can be improved.

カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。カップリング剤は1種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を併用してもよい。
これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることができる。
Examples of the coupling agent include an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an amino silane coupling agent, a titanate coupling agent, and a silicone oil type coupling agent. A coupling agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
Thereby, the wettability with the interface of an inorganic filler can be made high, and thereby heat resistance can be improved more.

カップリング剤の添加量は、無機充填材の比表面積に依存するのでとくに限定されないが、プライマー層形成用樹脂組成物Pの全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、0.01質量%以上1質量%以下が好ましく、0.05質量%以上0.5質量%以下がより好ましい。
カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材を十分に被覆することができ、プライマー層105の耐熱性を向上させることができる。また、カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、プライマー層105の曲げ強度などの低下を抑制することができる。
The addition amount of the coupling agent is not particularly limited because it depends on the specific surface area of the inorganic filler, but when the total solid content of the primer layer forming resin composition P (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. 0.01 mass% or more and 1 mass% or less is preferable, and 0.05 mass% or more and 0.5 mass% or less are more preferable.
When the content of the coupling agent is not less than the above lower limit, the inorganic filler can be sufficiently covered, and the heat resistance of the primer layer 105 can be improved. Further, when the content of the coupling agent is not more than the above upper limit value, it is possible to suppress the influence on the reaction, and it is possible to suppress a decrease in the bending strength or the like of the primer layer 105.

(硬化剤)
硬化剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミン(BDMA)、2,4,6−トリスジメチルアミノメチルフェノール(DMP−30)などの3級アミン化合物;2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI24)、2−フェニル−4−メチルイミダゾール(2P4MZ)、2−フェニルイミダゾール(2PZ)、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール(2P4MHZ)、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール(1B2PZ)などのイミダゾール化合物;BF錯体などのルイス酸などの触媒型の硬化剤が挙げられる。
また、例えば、ジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物;ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物;ノボラック型フェノール樹脂、フェノールポリマーなどのポリフェノール化合物;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などの重付加型の硬化剤も用いることができる。
さらに、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂系硬化剤;メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂;メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などの縮合型の硬化剤も用いてもよい。フェノール樹脂系硬化剤は、一分子内にフェノール性水酸基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂;トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール化合物等が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は90g/eq以上、250g/eq以下のものが好ましい。
(Curing agent)
Examples of the curing agent include tertiary amine compounds such as benzyldimethylamine (BDMA) and 2,4,6-trisdimethylaminomethylphenol (DMP-30); 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole (EMI24), 2-phenyl-4-methylimidazole (2P4MZ), 2-phenylimidazole (2PZ), 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole (2P4MHZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole (1B2PZ) ) And the like; and catalyst-type curing agents such as Lewis acids such as BF 3 complexes.
Also, for example, aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), metaxylylenediamine (MXDA), diaminodiphenylmethane (DDM), m-phenylenediamine (MPDA), diaminodiphenylsulfone (DDS) In addition to aromatic polyamines such as dicyandiamide (DICY), polyamine compounds containing organic acid dihydralazide, etc .; alicyclic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride (HHPA), methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA), and trimellitic anhydride Acid anhydrides including aromatic acid anhydrides such as acid (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA) and benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA); polyphenols such as novolac-type phenolic resins and phenolic polymers Nord compounds; polysulfide, thioester, polymercaptan compounds such as thioethers; isocyanate prepolymer, isocyanate compounds such as blocked isocyanate; polyaddition type curing agent such as an organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resin can be used.
Furthermore, for example, phenolic resin-based curing agents such as novolak-type phenolic resins and resol-type phenolic resins; urea resins such as methylol group-containing urea resins; and condensation-type curing agents such as melamine resins such as methylol group-containing melamine resins It may be used. The phenol resin-based curing agent is a monomer, oligomer, or polymer in general having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and its molecular weight and molecular structure are not particularly limited. For example, phenol novolak resin, cresol novolak Resin, novolak resin such as naphthol novolak resin; polyfunctional phenol resin such as triphenolmethane phenol resin; modified phenol resin such as terpene modified phenol resin and dicyclopentadiene modified phenol resin; phenylene skeleton and / or biphenylene skeleton Aralkyl type resins such as phenol aralkyl resins having phenylene and / or naphthol aralkyl resins having a biphenylene skeleton; bisphenol compounds such as bisphenol A and bisphenol F, etc. Type may be used in combination of two or more be used alone. Among these, the hydroxyl equivalent is preferably 90 g / eq or more and 250 g / eq or less from the viewpoint of curability.

上記硬化剤の含有量は、とくに限定されないが、プライマー層形成用樹脂組成物Pの全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、0.01重量%以上5重量%以下が好ましく、0.1重量%以上2重量%以下がより好ましい。硬化剤の含有量が上記下限値以上であると、硬化を促進する効果が十分に発揮することができる。硬化剤の含有量が上記上限値以下であるとプライマー層105の保存性をより向上させることができる。   Although content of the said hardening | curing agent is not specifically limited, When the total solid content (namely, component except a solvent) of the resin composition P for primer layer formation is 100 mass%, 0.01 weight% or more and 5 weight% The following is preferable, and 0.1 to 2% by weight is more preferable. When the content of the curing agent is not less than the above lower limit, the effect of promoting curing can be sufficiently exerted. When the content of the curing agent is not more than the above upper limit value, the preservability of the primer layer 105 can be further improved.

さらに、プライマー層形成用樹脂組成物Pには、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。   Further, the primer layer-forming resin composition P may include the above-described components such as pigments, dyes, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants, and ion scavengers as necessary. Additives other than may be added.

顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青などの無機顔料、フタロシアニンなどの多環顔料、アゾ顔料などが挙げられる。   Examples of pigments include kaolin, synthetic iron oxide red, cadmium yellow, nickel titanium yellow, strontium yellow, hydrous chromium oxide, chromium oxide, cobalt aluminate, synthetic ultramarine blue and other inorganic pigments, phthalocyanine polycyclic pigments, azo pigments, etc. Etc.

染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン 、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン 、アントラキノン、インジゴイド 、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン 、フタロシアニン、アゾメチンなどが挙げられる。   Examples of the dye include isoindolinone, isoindoline, quinophthalone, xanthene, diketopyrrolopyrrole, perylene, perinone, anthraquinone, indigoid, oxazine, quinacridone, benzimidazolone, violanthrone, phthalocyanine, and azomethine.

以上のプライマー層形成用樹脂組成物Pにおいて、各成分の割合はたとえば、以下のようである。
プライマー層形成用樹脂組成物Pの全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、好ましくは、上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の割合が10質量%以上55質量%以下であり、上記熱可塑性樹脂の割合が5質量%以上40質量%以下であり、上記無機充填材の割合が20質量%以上80質量%以下であり、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂以外の上記熱硬化性樹脂の割合が1質量%以上30質量%以下であり、カップリング剤の割合が0.01質量%以上1質量%以下であり、硬化剤の割合が0.01重量%以上5重量%以下である。
より好ましくは、上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の割合が20質量%以上40質量%以下であり、上記熱可塑性樹脂の割合が10質量%以上30質量%以下であり、上記無機充填材の割合が30質量%以上60質量%以下であり、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂以外の上記熱硬化性樹脂の割合が5質量%以上20質量%以下であり、カップリング剤の割合が0.05質量%以上0.5質量%以下であり、硬化剤の割合が0.1重量%以上2重量%以下である。
In the primer layer forming resin composition P described above, the ratio of each component is, for example, as follows.
When the total solid content (that is, the component excluding the solvent) of the primer layer forming resin composition P is 100% by mass, the proportion of the naphthylene ether type epoxy resin is preferably 10% by mass to 55% by mass. Yes, the ratio of the thermoplastic resin is 5% by mass or more and 40% by mass or less, the ratio of the inorganic filler is 20% by mass or more and 80% by mass or less, and the thermosetting other than the naphthylene ether type epoxy resin. The ratio of the resin is 1% by mass to 30% by mass, the ratio of the coupling agent is 0.01% by mass to 1% by mass, and the ratio of the curing agent is 0.01% by weight to 5% by weight. is there.
More preferably, the ratio of the naphthylene ether type epoxy resin is 20% by mass to 40% by mass, the ratio of the thermoplastic resin is 10% by mass to 30% by mass, and the ratio of the inorganic filler is 30 mass% or more and 60 mass% or less, the ratio of the thermosetting resin other than the naphthylene ether type epoxy resin is 5 mass% or more and 20 mass% or less, and the ratio of the coupling agent is 0.05 mass% or more. It is 0.5 mass% or less, and the ratio of a hardening | curing agent is 0.1 to 2 weight%.

プライマー層形成用樹脂組成物Pを200℃、1時間加熱硬化させて得られる硬化物(プライマー層)の動的粘弾性測定によるガラス転移温度(昇温速度5℃/min、周波数1Hz)は、好ましくは150℃以上250℃以下であり、より好ましくは150℃以上220℃以下である。
ガラス転移温度は、動的粘弾性分析装置(DMA)を用いて測定することができる。上記硬化物の動的粘弾性測定によるガラス転移温度が上記範囲内であると、プライマー層105の剛性や耐熱性をより一層向上させることができる。
The glass transition temperature (temperature increase rate 5 ° C./min, frequency 1 Hz) by dynamic viscoelasticity measurement of a cured product (primer layer) obtained by heating and curing the primer layer forming resin composition P at 200 ° C. for 1 hour is: Preferably they are 150 degreeC or more and 250 degrees C or less, More preferably, they are 150 degreeC or more and 220 degrees C or less.
The glass transition temperature can be measured using a dynamic viscoelasticity analyzer (DMA). When the glass transition temperature measured by dynamic viscoelasticity measurement of the cured product is within the above range, the rigidity and heat resistance of the primer layer 105 can be further improved.

プライマー層形成用樹脂組成物Pを200℃、1時間加熱硬化させて得られる硬化物(プライマー層)の線膨張係数(CTE)は、好ましくは75ppm/℃以下であり、より好ましくは60ppm/℃以下である。また、上記硬化物の線膨張係数の下限はとくに限定されないが、通常は5ppm/℃以上である。
本実施形態において、線膨張係数とは、TMA(熱機械的分析)装置(TAインスツルメント社製,Q400)を用いて、温度範囲30〜300℃、10℃/分、荷重5gの条件で2サイクル目の50〜150℃における平面方向(XY方向)の線膨張係数(CTE)である。
プライマー層形成用樹脂組成物Pの上記硬化物の線膨張係数が上記範囲内であると、半導体パッケージの反り抑制や温度サイクル信頼性の向上がより一層効果的に得られる。さらに半導体パッケージを二次実装した半導体装置のマザーボードとの温度サイクル信頼性の向上がより一層効果的に得られる。
なお、本実施形態の線膨張係数は、50℃以上150℃以下の範囲における平均値である。
The linear expansion coefficient (CTE) of a cured product (primer layer) obtained by heat-curing the resin composition P for forming a primer layer at 200 ° C. for 1 hour is preferably 75 ppm / ° C. or less, more preferably 60 ppm / ° C. It is as follows. Moreover, the minimum of the linear expansion coefficient of the said hardened | cured material is although it does not specifically limit, Usually, it is 5 ppm / degrees C or more.
In this embodiment, the linear expansion coefficient is a temperature range of 30 to 300 ° C., 10 ° C./min, and a load of 5 g using a TMA (thermomechanical analysis) device (TA Instruments, Q400). It is a linear expansion coefficient (CTE) of the plane direction (XY direction) in 50-150 degreeC of the 2nd cycle.
When the linear expansion coefficient of the cured product of the resin composition P for forming the primer layer is within the above range, it is possible to more effectively obtain the suppression of the warpage of the semiconductor package and the improvement of the temperature cycle reliability. Further, it is possible to more effectively improve the temperature cycle reliability with the motherboard of the semiconductor device in which the semiconductor package is secondarily mounted.
In addition, the linear expansion coefficient of this embodiment is an average value in the range of 50 degreeC or more and 150 degrees C or less.

また、プライマー層形成用樹脂組成物Pにより形成されるプライマー層は好ましくは海島構造であり、少なくとも上記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が海相に存在し、上記熱可塑性樹脂が島相に存在することが好ましい。
こうした構造であると、プライマー層105の応力緩和能をより一層向上できる。その結果として、得られるプリント配線基板100の絶縁信頼性をより一層向上できる。
Further, the primer layer formed by the primer layer forming resin composition P preferably has a sea-island structure, and at least the naphthylene ether type epoxy resin is present in the sea phase, and the thermoplastic resin is present in the island phase. Is preferred.
With such a structure, the stress relaxation ability of the primer layer 105 can be further improved. As a result, the insulation reliability of the obtained printed wiring board 100 can be further improved.

プライマー層形成用樹脂組成物Pにより形成されるプライマー層105は、無電解めっき付き性が良く、絶縁層101と金属層103との密着性を向上できるため、SAP(セミアディティブプロセス)法によって回路形成するプリント配線基板100に好適に用いることができる。   Since the primer layer 105 formed from the primer layer forming resin composition P has good electroless plating property and can improve the adhesion between the insulating layer 101 and the metal layer 103, the circuit is formed by the SAP (semi-additive process) method. It can use suitably for the printed wiring board 100 to form.

プライマー層105の厚みは、特に限定されないが、通常は1μm以上10μm以下であり、好ましくは2μm以上8μm以下である。プライマー層105の厚みが上記範囲内であることにより、絶縁層101の特性を失うことなく薄膜化に対応したプリント配線基板100を得ることができる。プライマー層105の厚みは、絶縁信頼性を向上させる上で上記下限値以上が好ましく、プリント配線基板100における目的の一つである薄膜化を達成する上で上記上限値以下が好ましい。   The thickness of the primer layer 105 is not particularly limited, but is usually 1 μm or more and 10 μm or less, preferably 2 μm or more and 8 μm or less. When the thickness of the primer layer 105 is within the above range, it is possible to obtain the printed wiring board 100 corresponding to the thinning without losing the characteristics of the insulating layer 101. The thickness of the primer layer 105 is preferably not less than the above lower limit for improving the insulation reliability, and is preferably not more than the above upper limit for achieving thinning, which is one of the purposes in the printed wiring board 100.

[金属張積層板]
次に、本実施形態に係る金属張積層板280について説明する。図3は、本発明に係る実施形態の金属張積層板280の構成の一例を示す断面図である。
[Metal-clad laminate]
Next, the metal-clad laminate 280 according to this embodiment will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the metal-clad laminate 280 according to the embodiment of the present invention.

金属張積層板280は、熱硬化性樹脂(A)、無機充填材(B)および繊維基材を含む絶縁層101と、絶縁層101の両面又は片面に積層される金属箔255と、絶縁層101の膜厚よりも膜厚が薄く、絶縁層101と金属箔255との間に介在して絶縁層101と金属箔255とを密着させるプライマー層105と、を有する。プライマー層105は前述したプライマー層形成用樹脂組成物Pを用いて形成されたものである。   The metal-clad laminate 280 includes an insulating layer 101 including a thermosetting resin (A), an inorganic filler (B), and a fiber substrate, a metal foil 255 laminated on both sides or one side of the insulating layer 101, and an insulating layer And a primer layer 105 that is interposed between the insulating layer 101 and the metal foil 255 and adheres the insulating layer 101 and the metal foil 255 to each other. The primer layer 105 is formed using the above-described primer layer forming resin composition P.

金属箔255を構成する金属としては、例えば、銅および銅系合金、アルミおよびアルミ系合金、銀および銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金、鉄および鉄系合金、コバール(商標名)、42アロイ、インバーまたはスーパーインバーなどのFe−Ni系の合金、WまたはMoなどが挙げられる。これらの中でも、金属箔255を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。また、金属箔255は、としては、キャリア付金属箔なども使用することができる。   Examples of the metal constituting the metal foil 255 include copper and copper alloys, aluminum and aluminum alloys, silver and silver alloys, gold and gold alloys, zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and Examples thereof include tin alloys, iron and iron alloys, Kovar (trade name), 42 alloys, Fe-Ni alloys such as Invar and Super Invar, W or Mo, and the like. Among these, as the metal constituting the metal foil 255, copper or a copper alloy is preferable because of its excellent conductivity, easy circuit formation by etching, and low cost. As the metal foil 255, a metal foil with a carrier can be used.

金属箔255の厚みは、好ましくは0.5μm以上20μm以下であり、より好ましくは1.5μm以上12μm以下である。   The thickness of the metal foil 255 is preferably 0.5 μm or more and 20 μm or less, and more preferably 1.5 μm or more and 12 μm or less.

熱硬化性樹脂(A)、無機充填材(B)および繊維基材を含む絶縁層101は、例えば、熱硬化性樹脂(A)と無機充填材(B)とを必須成分として含有する樹脂組成物(I)を繊維基材に少なくとも1層以上含浸してなるプリプレグである。   The insulating layer 101 including the thermosetting resin (A), the inorganic filler (B), and the fiber base material contains, for example, a thermosetting resin (A) and an inorganic filler (B) as essential components. It is a prepreg formed by impregnating at least one layer of the fiber substrate with the product (I).

上記熱硬化性樹脂(A)としては、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。   Examples of the thermosetting resin (A) include cyanate resins, epoxy resins, maleimide resins, and phenol resins.

シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、アリールアラルキル型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂、アリールアルキレン型シアネート樹脂が好ましい。   The cyanate resin can be obtained, for example, by reacting a halogenated cyanide compound with a phenol and prepolymerizing it by a method such as heating as necessary. Specific examples include novolak-type cyanate resins, arylaralkyl-type cyanate resins, bisphenol A-type cyanate resins, bisphenol E-type cyanate resins, and bisphenol-type cyanate resins such as tetramethylbisphenol F-type cyanate resins. Among these, novolak-type cyanate resins and arylalkylene-type cyanate resins are preferable.

シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量5.0×10〜4.5×10が好ましく、6.0×10〜3.0×10がより好ましい。これより小さいとプリプレグにタック性が生じ、プリプレグ同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、これより大きいと反応が速くなりすぎ、成形不良を生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。 The weight average molecular weight of the cyanate resin is not particularly limited, but is preferably a weight-average molecular weight 5.0 × 10 2 ~4.5 × 10 3 , more preferably 6.0 × 10 2 ~3.0 × 10 3 . If it is smaller than this, tackiness may occur in the prepreg, and when the prepregs come into contact with each other, they may adhere to each other or transfer of the resin may occur. On the other hand, if it is larger than this, the reaction becomes too fast, which may cause molding failure or decrease the interlayer peel strength.

シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(I)全体の5重量%以上60重量%以下が好ましく、10重量%以上50重量%以下がさらに好ましい。シアネート樹脂等の含有量を上記下限値以上とすることで、耐熱性の低下を防ぎ、熱膨張化を低減することができる。また、上記上限値以下とすることで、耐湿性の低下を防ぐことができる。   Although content of cyanate resin is not specifically limited, 5 to 60 weight% of the whole resin composition (I) is preferable, and 10 to 50 weight% is further more preferable. By making content of cyanate resin etc. more than the said lower limit, a heat resistant fall can be prevented and thermal expansion can be reduced. Moreover, the fall of moisture resistance can be prevented by setting it as the said upper limit or less.

フェノール樹脂としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でもアリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。フェノール樹脂は、シアネート樹脂と組み合わせて用いることで、シアネート樹脂の反応性を向上させることができ、これにより絶縁層101の成形性が良好となる。   Examples of the phenol resin include novolac type phenol resins, resol type phenol resins, aryl alkylene type phenol resins, and the like. Among these, arylalkylene type phenol resins are preferable. Thereby, moisture absorption solder heat resistance can be improved further. By using a phenol resin in combination with a cyanate resin, the reactivity of the cyanate resin can be improved, whereby the moldability of the insulating layer 101 is improved.

アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂等が挙げられる。   Examples of the aryl alkylene type phenol resin include a xylylene type phenol resin and a biphenyl dimethylene type phenol resin.

特にノボラック型シアネート樹脂とアリールアルキレン型フェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、プライマー層105に対する接着性を向上することができる。   In particular, the combination of the novolac-type cyanate resin and the arylalkylene-type phenol resin can control the crosslinking density and improve the adhesion to the primer layer 105.

フェノール樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(I)全体の1重量%以上55重量%以下が好ましく、5重量%以上40重量%以下がより好ましく、8重量%以上20重量%以下がさらに好ましい。フェノール樹脂を上記下限値以上とすることで耐熱性を確実に向上させることができ、上記上限値以下とすることで、低吸水とすることができる。
フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量4×10〜1.8×10が好ましく、5×10〜1.5×10がより好ましい。重量平均分子量を上記下限値以上とすることでプリプレグにタック性が生じるなどの問題がおこりにくくなり、上記上限値以下とすることで、プリプレグ作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一な製品が得ることができる。
Although content of a phenol resin is not specifically limited, 1 to 55 weight% of the whole resin composition (I) is preferable, 5 to 40 weight% is more preferable, 8 to 20 weight% is more preferable. The following is more preferable. Heat resistance can be reliably improved by setting the phenol resin to the above lower limit or more, and low water absorption can be achieved by setting the phenol resin to the upper limit or less.
The weight average molecular weight of the phenol resin is not particularly limited, but is preferably 4 × 10 2 to 1.8 × 10 3 and more preferably 5 × 10 2 to 1.5 × 10 3 . By making the weight average molecular weight equal to or higher than the above lower limit value, problems such as tackiness occur in the prepreg, and by making the above upper limit value or less, the impregnation property to the fiber base material is improved at the time of prepreg production, A more uniform product can be obtained.

エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4'−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4'−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタンノボラック型エポキシ樹脂、1,1,2,2−(テトラフェノール)エタンのグリシジルエーテル類、3官能、又は4官能のグリシジルアミン類、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、メトキシナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂、ナフトールアルキレン型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、上記エポキシ樹脂をハロゲン化した難燃化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用することもでき、1種類又は2種類以上と、それらのプレポリマーを併用することもできる。
これらのエポキシ樹脂の中でも特に、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂よりなる群から選ばれる1種または2種以上が好ましい。これにより、ハンドリング性が向上するほか、耐熱性及び難燃性を向上させる。
Although it does not specifically limit as an epoxy resin, For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin (4,4'- cyclohexyleneene) Bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4 ′-(1,4-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol M type epoxy resin (4,4 ′-(1,3- Bisphenol type epoxy resins such as phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resins), novolak type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resins and cresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and xylylene type epoxy resins. Resin, phenol aralkyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, biphenyl dimethylene type epoxy resin, trisphenol methane novolak type epoxy resin, glycidyl ethers of 1,1,2,2- (tetraphenol) ethane, trifunctional, Or tetrafunctional glycidylamines, arylalkylene type epoxy resins such as tetramethylbiphenyl type epoxy resin, naphthalene skeleton modified cresol novolak type epoxy resin, methoxynaphthalene modified cresol novolak type epoxy resin, methoxynaphthalene dimethylene type epoxy resin, naphthol alkylene Naphthalene type epoxy resin such as epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene Epoxy resins, adamantane type epoxy resins, fluorene type epoxy resins, flame-retarded epoxy resin or the like halogenated epoxy resins. One of these can be used alone, two or more having different weight average molecular weights can be used in combination, and one or two or more of these prepolymers can be used in combination.
Among these epoxy resins, one or more selected from the group consisting of biphenylaralkyl type epoxy resins, naphthalene skeleton-modified cresol novolak type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, and naphthalene type epoxy resins are preferable. As a result, handling properties are improved, and heat resistance and flame retardancy are improved.

エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(I)全体の1重量%以上55重量%以下が好ましく、2重量%以上40重量%以下がより好ましい。エポキシ樹脂の含有量を上記下限値以上とすることで、シアネート樹脂の反応性の低下を防ぎつつ、得られる製品の耐湿性の低下を防ぐことができる。また、上記上限値以下とすることで、耐熱性の低下を防ぐことができる。エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量5×10以上2×10以下が好ましく、8×10以上1.5×10以下がより好ましい。重量平均分子量を上記下限値以上とするとプリプレグにタック性が生じにくくなり、上記上限値以下とすることで、プリプレグ作製時、繊維基材への含浸性の低下を防ぎ、均一な製品を得ることができるという利点がある。 Although content of an epoxy resin is not specifically limited, 1 to 55 weight% of the whole resin composition (I) is preferable, and 2 to 40 weight% is more preferable. By making content of an epoxy resin more than the said lower limit, the fall of the moisture resistance of the product obtained can be prevented, preventing the fall of the reactivity of cyanate resin. Moreover, the heat resistance fall can be prevented by setting it as the said upper limit or less. The weight average molecular weight of the epoxy resin is not particularly limited, but is preferably 5 × 10 2 or more and 2 × 10 3 or less, more preferably 8 × 10 2 or more and 1.5 × 10 3 or less. When the weight average molecular weight is not less than the above lower limit value, tackiness is unlikely to occur in the prepreg, and by making it not more than the above upper limit value, it is possible to prevent a decrease in impregnation property to the fiber base material and to obtain a uniform product during prepreg production. There is an advantage that can be.

上記熱硬化性樹脂(A)としては、少なくともシアネート樹脂とエポキシ樹脂との組み合わせ、又は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との組み合わせを含むことが好ましく、シアネート樹脂とエポキシ樹脂とフェノール樹脂との組み合わせを含むことがより好ましい。特にノボラック型シアネート樹脂とフェノール樹脂とビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂との組合せを用いて金属張積層板を作製した場合、優れた寸法安定性を得ることができる。   The thermosetting resin (A) preferably includes at least a combination of a cyanate resin and an epoxy resin, or a combination of an epoxy resin and a phenol resin, and includes a combination of a cyanate resin, an epoxy resin, and a phenol resin. It is more preferable. In particular, when a metal-clad laminate is produced using a combination of a novolac type cyanate resin, a phenol resin, and a biphenyl aralkyl type epoxy resin, excellent dimensional stability can be obtained.

樹脂組成物(I)中の上記シアネート樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の一部は、ビニルエステル樹脂、メラミン樹脂、マレイミド樹脂等の他の熱硬化性樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂にすることもできる。   Some of the cyanate resin, epoxy resin and phenol resin in the resin composition (I) are other thermosetting resins such as vinyl ester resin, melamine resin, maleimide resin, phenoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin, A thermoplastic resin such as polyphenylene oxide resin or polyethersulfone resin can also be used.

無機充填材(B)としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好ましく、溶融シリカが低膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、ガラス基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法が採用される。   Examples of the inorganic filler (B) include talc, alumina, glass, silica, mica and the like. Among these, silica is preferable, and fused silica is preferable in that it has excellent low expansibility. The shape is crushed and spherical, but in order to reduce the melt viscosity of the resin composition in order to ensure the impregnation property to the glass substrate, a usage method adapted to the purpose such as using spherical silica is adopted. .

無機充填材(B)の平均粒子径は、特に限定されないが、0.01μm以上5μm以下が好ましく、0.2μm以上2μm以下がより好ましい。上記下限値とすることで、プリプレグ作製時の作業性を向上する。また、上記上限値とすることで、ワニス中で無機充填材(B)の沈降等の現象が発生するのを防止することができる。さらに平均粒子径5μm以下の球状溶融シリカが好ましく、平均粒子径0.01μm以上2μm以下の球状溶融シリカがより好ましい。これにより、無機充填材(B)の充填性を向上させることができる。平均粒子径は、例えばレーザー光散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することができる。   Although the average particle diameter of an inorganic filler (B) is not specifically limited, 0.01 micrometer or more and 5 micrometers or less are preferable, and 0.2 micrometer or more and 2 micrometers or less are more preferable. By setting it as the above lower limit, workability at the time of producing the prepreg is improved. Moreover, by setting it as the said upper limit, it can prevent that phenomena, such as sedimentation of an inorganic filler (B), generate | occur | produce in a varnish. Furthermore, spherical fused silica having an average particle diameter of 5 μm or less is preferable, and spherical fused silica having an average particle diameter of 0.01 μm to 2 μm is more preferable. Thereby, the filling property of an inorganic filler (B) can be improved. The average particle diameter can be measured using, for example, a laser light scattering particle size distribution measuring apparatus.

無機充填材(B)の含有量は、樹脂組成物(I)全体の30重量%以上80重量%以下が好ましく、40重量%以上75重量%以下がより好ましい。無機充填材(B)の含有量が上記範囲内であると低熱膨張、低吸水とすることができる。   The content of the inorganic filler (B) is preferably 30% by weight to 80% by weight and more preferably 40% by weight to 75% by weight of the entire resin composition (I). When the content of the inorganic filler (B) is within the above range, low thermal expansion and low water absorption can be achieved.

樹脂組成物(I)には、特に限定されないが、さらにカップリング剤を用いることが好ましい。カップリング剤を配合させることで、熱硬化性樹脂(A)と無機充填材(B)の界面の濡れ性が向上し、繊維基材に対して熱硬化性樹脂(A)および無機充填材(B)が均一に定着して、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。カップリング剤としては通常用いられるものならどのようなものも使用することができるが、中でもエポキシシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アミノシランカップリング剤及びシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これらのカップリング剤は、無機充填材(B)界面との濡れ性が高いため、耐熱性をさらに向上させることができる。
カップリング剤の配合量は無機充填材(B)に対して0.05重量%以上、3重量%以下が望ましい。上記下限値以上とすることで、無機充填材(B)を十分に被覆して十分な耐熱性を得ることができ、上記上限値以下とすることで、反応への影響が無視できる程度になり、曲げ強度等の低下を防ぐことができる。
Although it does not specifically limit to resin composition (I), It is preferable to use a coupling agent further. By incorporating the coupling agent, the wettability of the interface between the thermosetting resin (A) and the inorganic filler (B) is improved, and the thermosetting resin (A) and the inorganic filler ( B) can be uniformly fixed to improve heat resistance, particularly solder heat resistance after moisture absorption. Any coupling agent can be used as long as it is normally used. Among them, an epoxy silane coupling agent, a titanate coupling agent, an aminosilane coupling agent, and a silicone oil coupling agent are selected. It is preferable to use one or more coupling agents. Since these coupling agents have high wettability with the inorganic filler (B) interface, the heat resistance can be further improved.
The blending amount of the coupling agent is desirably 0.05% by weight or more and 3% by weight or less with respect to the inorganic filler (B). By setting it to the above lower limit or higher, the inorganic filler (B) can be sufficiently coated to obtain sufficient heat resistance, and by setting the upper limit or lower, the influence on the reaction can be ignored. Further, it is possible to prevent a decrease in bending strength and the like.

樹脂組成物(I)には、必要に応じて硬化剤を用いてもよい。硬化剤としては公知の物を用いることができる。たとえば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミン類、ジシアンジアミド等の芳香族ジアミン化合物、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。   In the resin composition (I), a curing agent may be used as necessary. A well-known thing can be used as a hardening | curing agent. For example, zinc metal naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, zinc octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III) and the like, triethylamine, tributylamine, Tertiary amines such as diazabicyclo [2,2,2] octane, aromatic diamine compounds such as dicyandiamide, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole , Imidazoles such as 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole and 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenol compounds such as phenol, bisphenol A and nonylphenol, acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, palato And organic acids such as toluenesulfonic acid, or a mixture thereof.

樹脂組成物(I)には、必要に応じて、特性を損なわない範囲で上記成分以外の添加物を添加することができる。また、樹脂組成物(I)は、特性を損なわない範囲で、適宜原料やその配合量を調整することにより得ることができる。   If necessary, additives other than the above components can be added to the resin composition (I) as long as the characteristics are not impaired. Moreover, resin composition (I) can be obtained by adjusting a raw material and its compounding quantity suitably in the range which does not impair a characteristic.

樹脂組成物(I)は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニス(I)とすることができる。
樹脂ワニス(I)の固形分は、とくに限定されないが、40質量%以上80質量%以下が好ましく、とくに50質量%以上75質量%以下が好ましい。これにより、樹脂ワニス(I)の繊維基材への含浸性をさらに向上させることができる。
Resin composition (I) is acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, carbitol, In organic solvents such as anisole, dissolution, mixing, etc. using various mixing machines such as ultrasonic dispersion method, high-pressure collision dispersion method, high-speed rotation dispersion method, bead mill method, high-speed shear dispersion method, and rotation and revolution dispersion method The resin varnish (I) can be obtained by stirring.
The solid content of the resin varnish (I) is not particularly limited, but is preferably 40% by mass or more and 80% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or more and 75% by mass or less. Thereby, the impregnation property to the fiber base material of resin varnish (I) can further be improved.

繊維基材としては、例えばガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。これら基材の中でも強度、吸水率の点でガラス織布に代表されるガラス繊維基材を用いると、プリント配線基板の機械的強度、耐熱性を良好なものとすることができる。   Examples of the fiber base material include glass fiber base materials such as glass fiber cloth and glass non-fiber cloth, or inorganic fiber base materials such as fiber cloth and non-fiber cloth containing inorganic compounds other than glass, aromatic polyamideimide resin, polyamide resin, Examples thereof include organic fiber base materials composed of organic fibers such as aromatic polyester resins, polyester resins, polyimide resins, and fluororesins. Among these substrates, when a glass fiber substrate represented by a glass woven fabric is used in terms of strength and water absorption, the mechanical strength and heat resistance of the printed wiring board can be improved.

樹脂組成物(I)を繊維基材に含浸させる方法には、例えば繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法等が挙げられる。また、樹脂組成物(I)を繊維基材に含浸させる前に、プライマー層付き金属箔に樹脂組成物(I)を塗布した後に、樹脂組成物(I)に繊維基材を含浸させてもよい。これらの中でも、繊維基材を樹脂ワニス(I)に浸漬する方法が好ましい。これにより、繊維基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができる。なお、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。   Examples of the method of impregnating the fiber base material with the resin composition (I) include a method of immersing the fiber base material in a resin varnish, a method of applying with various coaters, and a method of spraying with a spray. Moreover, before impregnating a fiber base material with resin composition (I), after applying resin composition (I) to metal foil with a primer layer, resin composition (I) may be impregnated with a fiber base material. Good. Among these, the method of immersing the fiber base material in the resin varnish (I) is preferable. Thereby, the impregnation property of the resin composition with respect to the fiber base material can be improved. In addition, when a fiber base material is immersed in a resin varnish, a normal impregnation coating equipment can be used.

つづいて、金属張積層板280の製造方法の一例について説明する。   It continues and demonstrates an example of the manufacturing method of the metal-clad laminated board 280. FIG.

はじめに、プライマー層付き金属箔250を作製する。図4は、本発明に係る実施形態のプライマー層付き金属箔250の構成の一例を示す断面図である。   First, the metal foil 250 with a primer layer is produced. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the metal foil 250 with a primer layer according to the embodiment of the present invention.

プライマー層付き金属箔250は、金属箔255と、金属箔255の少なくとも一方の面に形成されたプライマー層105と、を含む。プライマー層105は、前述したプライマー層形成用樹脂組成物Pを用いて形成されたものである。金属箔255は、前述したものと同様のものを用いることができる。   The metal foil 250 with a primer layer includes a metal foil 255 and a primer layer 105 formed on at least one surface of the metal foil 255. The primer layer 105 is formed using the primer layer forming resin composition P described above. The metal foil 255 can be the same as described above.

はじめに、本実施形態に係るプライマー層形成用樹脂組成物Pを有機溶剤中に、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニス(P)を作製する。
上記有機溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等を用いることができる。
First, the primer layer forming resin composition P according to the present embodiment is dispersed in an organic solvent using an ultrasonic dispersion method, a high-pressure collision dispersion method, a high-speed rotation dispersion method, a bead mill method, a high-speed shear dispersion method, and a rotation and revolution dispersion method. A resin varnish (P) is produced by dissolving, mixing, and stirring using various types of mixers.
As the organic solvent, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, or the like can be used.

次いで、得られた樹脂ワニス(P)を金属箔255に塗布して半硬化状態にすることで、プライマー層付き金属箔250を得ることができる。   Next, the obtained resin varnish (P) is applied to the metal foil 255 to be in a semi-cured state, whereby the metal foil 250 with a primer layer can be obtained.

次いで、プライマー層付き金属箔250のプライマー層105上に各種塗工装置を用いて樹脂ワニス(I)を塗工した後、これを乾燥する。または、樹脂ワニス(I)をスプレー装置によりプライマー層105上に噴霧塗工した後、これを乾燥してもよい。このときの乾燥条件は、プライマー層105が半硬化する(Bステージ状態となる)条件であればよく、例えば、100℃以上180℃以下で乾燥させることが好ましい。これにより、プライマー層105上に絶縁樹脂層を形成することができる。   Next, the resin varnish (I) is coated on the primer layer 105 of the metal foil 250 with a primer layer using various coating apparatuses, and then dried. Alternatively, the resin varnish (I) may be spray-coated on the primer layer 105 with a spray device and then dried. The drying conditions at this time may be any conditions as long as the primer layer 105 is semi-cured (becomes a B-stage state). Thereby, an insulating resin layer can be formed on the primer layer 105.

上記塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁樹脂層の厚みを有する金属箔付き絶縁樹脂シートを効率よく製造することができる。   Although the said coating apparatus is not specifically limited, For example, a roll coater, a bar coater, a knife coater, a gravure coater, a die coater, a comma coater, a curtain coater, etc. can be used. Among these, a method using a die coater, a knife coater, and a comma coater is preferable. Thereby, the insulating resin sheet with metal foil which has no void and has a uniform thickness of the insulating resin layer can be efficiently manufactured.

金属箔付き絶縁樹脂シートにおいて、絶縁樹脂層の層厚は通常1μm以上60μm以下、好ましくは5μm以上50μm以下とすることができる。   In the insulating resin sheet with metal foil, the thickness of the insulating resin layer is usually 1 μm or more and 60 μm or less, preferably 5 μm or more and 50 μm or less.

次に、本実施形態に係るプライマー層付きプリプレグ200を作製する。図5は、本発明に係る実施形態のプライマー層付きプリプレグ200の構成の一例を示す断面図である。   Next, the primer layer-attached prepreg 200 according to the present embodiment is produced. FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the primer layer-attached prepreg 200 according to the embodiment of the present invention.

プライマー層付きプリプレグ200は、熱硬化性樹脂(A)と無機充填材(B)とを含有する樹脂組成物(I)を繊維基材201に少なくとも1層以上含浸してなるプリプレグ210と、プリプレグ210の少なくとも一方の面に形成される金属箔255とプリプレグ210との間に介在して、金属箔255とプリプレグ210とを密着させるプライマー層105と、を含む。プリプレグ210は、繊維基材201と樹脂組成物(I)からなる樹脂層203(半硬化状態)を含む。プライマー層105は、前述したプライマー層形成用樹脂組成物Pを用いて形成されたものである。金属箔255は、前述したものと同様のものを用いることができる。熱硬化性樹脂(A)と無機充填材(B)とを含有する樹脂組成物(I)および繊維基材201は、前述したものと同様のものを用いることができる。   The prepreg 200 with a primer layer includes a prepreg 210 formed by impregnating at least one layer of a fiber base material 201 with a resin composition (I) containing a thermosetting resin (A) and an inorganic filler (B), and a prepreg And a primer layer 105 that is interposed between the metal foil 255 and the prepreg 210 that are formed on at least one surface of the 210, and causes the metal foil 255 and the prepreg 210 to adhere to each other. The prepreg 210 includes a fiber base 201 and a resin layer 203 (semi-cured state) made of the resin composition (I). The primer layer 105 is formed using the primer layer forming resin composition P described above. The metal foil 255 can be the same as described above. As the resin composition (I) containing the thermosetting resin (A) and the inorganic filler (B) and the fiber substrate 201, the same ones as described above can be used.

まず、金属箔255上にプライマー層105および絶縁樹脂層が順に積層された金属箔付き絶縁樹脂シートを2つ準備する。そして、シート状の繊維基材の両面に、金属箔付き絶縁樹脂シートの絶縁樹脂層が対向するように配置する。そして、例えば、真空中で加熱60℃以上150℃以下、加圧0.1MPa以上5MPa以下で、金属箔付き絶縁樹脂シートの両側からラミネートし、絶縁樹脂層を構成する樹脂を繊維基材に含浸させる。このとき、プライマー層105は、まだ、半硬化状態である。これにより、加熱硬化前のプライマー層付きプリプレグ200を得ることができる。   First, two insulating resin sheets with metal foil in which the primer layer 105 and the insulating resin layer are sequentially laminated on the metal foil 255 are prepared. And it arrange | positions so that the insulating resin layer of an insulating resin sheet with a metal foil may oppose both surfaces of a sheet-like fiber base material. And, for example, heating is performed in a vacuum at 60 ° C. to 150 ° C., pressure is 0.1 MPa to 5 MPa and laminated from both sides of the insulating resin sheet with metal foil, and the fiber base material is impregnated with the resin constituting the insulating resin layer Let At this time, the primer layer 105 is still in a semi-cured state. Thereby, the prepreg 200 with a primer layer before heat-curing can be obtained.

次いで、プライマー層付きプリプレグ200を直接加熱加圧成形することで、金属張積層板280を得ることができる。加熱加圧成形する際の温度は、特に限定されないが、120℃以上250℃以下が好ましく、特に150℃以上230℃以下が好ましい。加熱加圧成形する際の圧力は、特に限定されないが、0.1MPa以上5MPa以下が好ましく、特に0.5MPa以上3MPa以下が好ましい。こうすることで、プライマー層105及び絶縁樹脂層が硬化される。本実施形態では、基材付きでプリプレグを作製するため、プリプレグの表面平滑性が高く低圧成形が可能となる。また、必要に応じて高温槽等で150℃以上300℃以下の温度で後硬化を行ってもかまわない。   Next, the metal-clad laminate 280 can be obtained by directly heat-pressing the prepreg 200 with a primer layer. The temperature at the time of heat and pressure molding is not particularly limited, but is preferably 120 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, particularly preferably 150 ° C. or higher and 230 ° C. or lower. The pressure at the time of heat and pressure molding is not particularly limited, but is preferably 0.1 MPa or more and 5 MPa or less, and particularly preferably 0.5 MPa or more and 3 MPa or less. By doing so, the primer layer 105 and the insulating resin layer are cured. In this embodiment, since the prepreg is prepared with a base material, the surface smoothness of the prepreg is high and low-pressure molding is possible. Further, if necessary, post-curing may be performed at a temperature of 150 ° C. or higher and 300 ° C. or lower in a high-temperature bath or the like.

また、金属張積層板280は、プライマー層付き金属箔250を、プライマー層105を内側にして絶縁層101にプレス積層することによって金属張積層板280を得ることもできる。
このとき、プライマー層付き金属箔250は、絶縁層101の片面のみに積層しても良いし、両面に積層しても良い。
The metal-clad laminate 280 can also be obtained by press-laminating the metal foil 250 with a primer layer on the insulating layer 101 with the primer layer 105 inside.
At this time, the metal foil 250 with a primer layer may be laminated | stacked only on the single side | surface of the insulating layer 101, and may be laminated | stacked on both surfaces.

また、金属張積層板280は、絶縁層101の表面にプライマー層105を積層し、次いで、プライマー層105の表面に金属箔255を積層する方法によっても製造することができる。   The metal-clad laminate 280 can also be manufactured by laminating the primer layer 105 on the surface of the insulating layer 101 and then laminating the metal foil 255 on the surface of the primer layer 105.

さらに、金属張積層板280を製造する別の方法として、絶縁樹脂層付き高分子フィルムシートを用いた金属張積層板の製造方法も挙げられる。まず、高分子フィルムシートに、プライマー層105を形成し、その上に熱硬化性樹脂および無機充填材を含む絶縁樹脂層をコーターで形成し、プライマー層付き絶縁樹脂シートを作製する。次いで、繊維基材の両側に、得られたプライマー層付き絶縁樹脂シートを、絶縁樹脂層を内側にして配置する。次いで、例えば、真空中で加熱60〜130℃、加圧0.1〜5MPaでラミネート含浸させる方法により、高分子フィルムシート付きプリプレグを得ることができる。
得られた高分子フィルムシート付きプリプレグの高分子フィルムシートを剥離することにより、両面にプライマー層105を有するプライマー層付きプリプレグ200を得た後、プリプレグのプライマー層105に金属箔を配し、加熱加圧成形することで金属張積層板280を得ることができる。
Furthermore, as another method for producing the metal-clad laminate 280, a method for producing a metal-clad laminate using a polymer film sheet with an insulating resin layer can also be mentioned. First, a primer layer 105 is formed on a polymer film sheet, and an insulating resin layer containing a thermosetting resin and an inorganic filler is formed thereon with a coater to produce an insulating resin sheet with a primer layer. Next, the obtained insulating resin sheet with a primer layer is arranged on both sides of the fiber base material with the insulating resin layer inside. Next, a prepreg with a polymer film sheet can be obtained, for example, by a method of laminating and impregnating at 60 to 130 ° C. and a pressure of 0.1 to 5 MPa in vacuum.
After removing the polymer film sheet of the obtained prepreg with a polymer film sheet, a prepreg 200 with a primer layer having a primer layer 105 on both sides was obtained, and then a metal foil was placed on the primer layer 105 of the prepreg and heated. The metal-clad laminate 280 can be obtained by pressure molding.

また、金属張積層板280はプリプレグを2枚以上積層してもよい。   The metal-clad laminate 280 may be a laminate of two or more prepregs.

この金属張積層板280をコア基板として用いてプリント配線基板100を得ることができる。   The printed wiring board 100 can be obtained using the metal-clad laminate 280 as a core substrate.

[プリント配線基板]
次に、本実施形態に係るプリント配線基板100について説明する。図1および図2は、本発明に係る実施形態のプリント配線基板100の構成の一例を示す断面図である。
[Printed wiring board]
Next, the printed wiring board 100 according to the present embodiment will be described. 1 and 2 are cross-sectional views showing an example of the configuration of a printed wiring board 100 according to an embodiment of the present invention.

プリント配線基板100は、ビアホール107が設けられた絶縁層101と、絶縁層101の少なくとも一方の面に設けられたプライマー層105と、プライマー層105上に形成された金属層103とを少なくとも有する。なお、本実施形態において、ビアホール107とは層間を電気的に接続するための孔であり、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。   The printed wiring board 100 includes at least an insulating layer 101 provided with a via hole 107, a primer layer 105 provided on at least one surface of the insulating layer 101, and a metal layer 103 formed on the primer layer 105. In the present embodiment, the via hole 107 is a hole for electrically connecting the layers, and may be either a through hole or a non-through hole.

本実施形態に係るプリント配線基板100は、図1に示すように、片面プリント配線基板であってもよいし、両面プリント配線基板または多層プリント配線基板であってもよい。両面プリント配線基板とは、絶縁層101の両面に金属層103を積層したプリント配線基板である。また、多層プリント配線基板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法などにより、絶縁層101上に、層間絶縁層(ビルドアップ層とも呼ぶ。)を介して金属層103を2層以上積層したプリント配線基板である。   As shown in FIG. 1, the printed wiring board 100 according to the present embodiment may be a single-sided printed wiring board, a double-sided printed wiring board, or a multilayer printed wiring board. The double-sided printed wiring board is a printed wiring board in which the metal layer 103 is laminated on both sides of the insulating layer 101. The multilayer printed wiring board is a print in which two or more metal layers 103 are laminated on the insulating layer 101 via an interlayer insulating layer (also referred to as a build-up layer) by a plated through hole method or a build-up method. It is a wiring board.

(金属層)
金属層103は、例えば、回路層であり、無電解金属めっき膜108と、電解金属めっき層109とを有する。
(Metal layer)
The metal layer 103 is, for example, a circuit layer, and includes an electroless metal plating film 108 and an electrolytic metal plating layer 109.

金属層103は、例えば、薬液処理またはプラズマ処理されたプライマー層105の面上に、SAP(セミアディティブプロセス)法により形成される。図6は、本発明に係る実施形態のプリント配線基板100の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。プライマー層105上に無電解めっき膜108を施した後(図6(d))、めっきレジスト205により非回路形成部を保護し(図6(e))、電解めっきにより電解金属めっき層109付けを行い(図6(f))、めっきレジスト205の除去とフラッシュエッチングによる無電解金属めっき膜108の除去により、プライマー層105上に金属層103を形成する(図6(g))。   The metal layer 103 is formed, for example, on the surface of the primer layer 105 that has been subjected to chemical treatment or plasma treatment by the SAP (semi-additive process) method. FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing the printed wiring board 100 according to the embodiment of the present invention. After the electroless plating film 108 is applied on the primer layer 105 (FIG. 6 (d)), the non-circuit forming portion is protected by the plating resist 205 (FIG. 6 (e)), and the electrolytic metal plating layer 109 is applied by electrolytic plating. (FIG. 6F), the metal layer 103 is formed on the primer layer 105 by removing the plating resist 205 and removing the electroless metal plating film 108 by flash etching (FIG. 6G).

金属層103の回路寸法は、ラインアンドスペース(L/S)で表わすとき、25μm/25μm以下とすることができ、特に15μm/15μm以下とすることができる。回路寸法を小さくし、微細配線にすると、密着性の低下、配線間の絶縁信頼性が低下する。しかし、本実施形態に係るプリント配線基板100は、ラインアンドスペース(L/S)15μm/15μm以下の微細配線が可能であり、ラインアンドスペース(L/S)10μm/10μm程度までの微細化を達成できる。   The circuit dimension of the metal layer 103, when expressed in line and space (L / S), can be 25 μm / 25 μm or less, particularly 15 μm / 15 μm or less. If the circuit dimensions are reduced and the wiring is made fine, the adhesiveness decreases and the insulation reliability between the wirings decreases. However, the printed wiring board 100 according to the present embodiment is capable of fine wiring with a line and space (L / S) of 15 μm / 15 μm or less, and the line and space (L / S) can be refined to about 10 μm / 10 μm. Can be achieved.

金属層103の厚みは、特に限定されないが、通常は5μm以上25μm以下である。   The thickness of the metal layer 103 is not particularly limited, but is usually 5 μm or more and 25 μm or less.

(絶縁層)
絶縁層101は、例えば、ビアホール107が設けられている。
また、絶縁層101は、例えば、絶縁樹脂層である。プリント配線基板100が多層プリント配線基板の場合は、図2に示すように、コア層111またはビルドアップ層117中の絶縁層101である。なお、プライマー層105も絶縁であるため絶縁層の一種であるが、本実施形態ではプライマー層105は絶縁層101に含まれない。
(Insulating layer)
The insulating layer 101 is provided with a via hole 107, for example.
The insulating layer 101 is an insulating resin layer, for example. When the printed wiring board 100 is a multilayer printed wiring board, it is the insulating layer 101 in the core layer 111 or the build-up layer 117 as shown in FIG. Note that the primer layer 105 is also an insulating layer because it is insulating, but the primer layer 105 is not included in the insulating layer 101 in this embodiment.

コア層111中の絶縁層101(ビルドアップ層117を含まないプリント配線基板100中の絶縁層101も含む。)は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂、ガラス基材−エポキシ樹脂積層板、ガラス基材−ポリイミド樹脂積層板、ガラス基材−テフロン(登録商標)樹脂積層板、ガラス基材−ビスマレイミド・トリアジン樹脂積層板、ガラス基材−シアネート樹脂積層板、ガラス基材−ポリフェニレンエーテル樹脂積層板、ポリエステル樹脂、セラミック、樹脂含浸セラミック、プリプレグのいずれか等により構成することができる。これらの中でも、プリプレグはシート状材料であり、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性などの各種特性に優れ、プリント配線基板用のコア層111の製造に適しており好ましい。
プリプレグとしては、前述したプリプレグ210やプライマー層付きプリプレグ200を用いることができる。
The insulating layer 101 in the core layer 111 (including the insulating layer 101 in the printed wiring board 100 that does not include the build-up layer 117) is not particularly limited as long as it is made of an insulating material. , Glass substrate-epoxy resin laminate, glass substrate-polyimide resin laminate, glass substrate-Teflon (registered trademark) resin laminate, glass substrate-bismaleimide / triazine resin laminate, glass substrate-cyanate resin It can be composed of a laminated plate, a glass substrate-polyphenylene ether resin laminated plate, a polyester resin, a ceramic, a resin-impregnated ceramic, a prepreg, or the like. Among these, the prepreg is a sheet-like material, and is excellent in various properties such as dielectric properties, mechanical and electrical connection reliability under high temperature and high humidity, and suitable for the production of the core layer 111 for a printed wiring board. .
As the prepreg, the above-described prepreg 210 or the prepreg 200 with a primer layer can be used.

また、ビルドアップ層117中の絶縁層101は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、たとえば、樹脂フィルム、プリプレグのいずれか等により構成することができる。これらの中でも、プリプレグはシート状材料であり、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性などの各種特性に優れ、プリント配線基板用のビルドアップ層117の製造に適しており好ましい。
プリプレグとしては、前述したプリプレグ210やプライマー層付きプリプレグ200を用いることができる。
The insulating layer 101 in the build-up layer 117 is not particularly limited as long as it is made of an insulating material, but can be made of, for example, a resin film or a prepreg. Among these, the prepreg is a sheet-like material, which has excellent dielectric properties, various properties such as mechanical and electrical connection reliability under high temperature and high humidity, and is suitable for manufacturing the build-up layer 117 for a printed wiring board. preferable.
As the prepreg, the above-described prepreg 210 or the prepreg 200 with a primer layer can be used.

コア層111中の絶縁層101(ビルドアップ層117を含まないプリント配線基板100中の絶縁層101も含む。)の厚さは、好ましくは0.025mm以上0.6mm以下であり、より好ましくは0.04mm以上0.4mm以下であり、さらに好ましくは0.04mm以上0.3mm以下であり、とくに好ましくは0.05mm以上0.2mm以下である。絶縁層101の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスがとくに優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層101を得ることができる。   The thickness of the insulating layer 101 in the core layer 111 (including the insulating layer 101 in the printed wiring board 100 that does not include the build-up layer 117) is preferably 0.025 mm or more and 0.6 mm or less, and more preferably It is 0.04 mm or more and 0.4 mm or less, more preferably 0.04 mm or more and 0.3 mm or less, and particularly preferably 0.05 mm or more and 0.2 mm or less. When the thickness of the insulating layer 101 is within the above range, the balance between mechanical strength and productivity is particularly excellent, and the insulating layer 101 suitable for a thin printed wiring board can be obtained.

ビルドアップ層117中の絶縁層101の厚さは、好ましくは0.01mm以上0.1mm以下であり、より好ましくは0.015mm以上0.05mm以下である。絶縁層101の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスがとくに優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層101を得ることができる。   The thickness of the insulating layer 101 in the buildup layer 117 is preferably 0.01 mm or greater and 0.1 mm or less, and more preferably 0.015 mm or greater and 0.05 mm or less. When the thickness of the insulating layer 101 is within the above range, the balance between mechanical strength and productivity is particularly excellent, and the insulating layer 101 suitable for a thin printed wiring board can be obtained.

また、プリント配線基板100は、JIS C−6481:1996に準拠して測定される、絶縁層101と金属層103との間のピール強度が、好ましくは0.5kN/m以上であり、より好ましくは0.6kN/m以上である。ピール強度が上記下限値以上であると、金属層103の剥離をより一層抑制することができ、その結果、プリント配線基板100の配線間の絶縁信頼性をより一層向上させることができる。   In the printed wiring board 100, the peel strength between the insulating layer 101 and the metal layer 103, which is measured according to JIS C-6481: 1996, is preferably 0.5 kN / m or more, and more preferably. Is 0.6 kN / m or more. When the peel strength is not less than the above lower limit value, the peeling of the metal layer 103 can be further suppressed, and as a result, the insulation reliability between the wirings of the printed wiring board 100 can be further improved.

(プライマー層)
プライマー層105は、図1に示すように、絶縁層101と金属層103との間に介在しており前述したプライマー層形成用樹脂組成物Pにより形成されている。
また、プライマー層105は、図2に示すようにビルドアップ層117をさらに有する場合、コア層111中の絶縁層101と金属層103との間およびビルドアップ層117中の絶縁層101と金属層103との間のうち少なくとも一方に介在されていればよいが、図2に示すようにコア層111中の絶縁層101と金属層103との間およびビルドアップ層117中の絶縁層101と金属層103との間の両方に介在しているのが好ましい。
(Primer layer)
As shown in FIG. 1, the primer layer 105 is interposed between the insulating layer 101 and the metal layer 103 and is formed of the above-described primer layer forming resin composition P.
When the primer layer 105 further includes a buildup layer 117 as shown in FIG. 2, the insulating layer 101 and the metal layer between the insulating layer 101 and the metal layer 103 in the core layer 111 and between the insulating layer 101 and the metal layer 103 in the buildup layer 117. 2 as long as it is interposed between at least one of the insulating layer 101 and the metal layer 103 and between the insulating layer 101 and the metal layer 103 in the core layer 111 and between the insulating layer 101 and the metal in the buildup layer 117 as shown in FIG. It is preferable to intervene between both layers 103.

[プリント配線基板の製造方法]
つづいて、プリント配線基板100の製造方法の一例について説明する。ただし、本実施形態に係るプリント配線基板100の製造方法は、以下の例に限定されない。図6は、本発明に係る実施形態のプリント配線基板100の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。
[Printed wiring board manufacturing method]
Next, an example of a method for manufacturing the printed wiring board 100 will be described. However, the manufacturing method of the printed wiring board 100 according to the present embodiment is not limited to the following example. FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing the printed wiring board 100 according to the embodiment of the present invention.

(金属張積層板の作製)
はじめに、絶縁層101の両面または片面に、プライマー層105を介して金属箔255を積層させることにより、金属張積層板280を作製する(図6(a))。金属張積層板280の製造方法は前述した方法を用いることができる。プライマー層105は、絶縁層101の片面のみに積層してもよいし、両面に積層してもよい。
(Production of metal-clad laminate)
First, the metal-clad laminate 280 is produced by laminating the metal foil 255 on both surfaces or one surface of the insulating layer 101 via the primer layer 105 (FIG. 6A). The method described above can be used as a method for manufacturing the metal-clad laminate 280. The primer layer 105 may be laminated on only one surface of the insulating layer 101 or may be laminated on both surfaces.

次いで、エッチング処理により、金属箔255を除去する(図6(b))。   Next, the metal foil 255 is removed by an etching process (FIG. 6B).

次いで、絶縁層101にビアホール107を形成する(図6(c))。ビアホール107は、例えば、ドリル機やレーザー照射を用いて形成することができる。レーザー照射に用いるレーザーは、エキシマレーザー、UVレーザーおよび炭酸ガスレーザーなどが挙げられる。
ビアホール107を形成後の樹脂残渣等は、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去してもよい。
なお、エッチング処理による金属箔255の除去前に、絶縁層101にビアホール107を形成してもよい。
Next, a via hole 107 is formed in the insulating layer 101 (FIG. 6C). The via hole 107 can be formed using, for example, a drilling machine or laser irradiation. Examples of the laser used for laser irradiation include an excimer laser, a UV laser, and a carbon dioxide gas laser.
Resin residues and the like after forming the via hole 107 may be removed by an oxidizing agent such as permanganate or dichromate.
Note that the via hole 107 may be formed in the insulating layer 101 before the metal foil 255 is removed by etching.

次いで、プライマー層105の表面に対して、薬液処理またはプラズマ処理を行う(図6(c))。   Next, a chemical treatment or plasma treatment is performed on the surface of the primer layer 105 (FIG. 6C).

薬液処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液等を使用する方法などが挙げられる。また、プラズマ処理としては、対象物となるものに直接酸化作用の強い活性種(プラズマ、ラジカル等)を照射して有機物残渣を除去する方法などが挙げられる。   The chemical treatment is not particularly limited, and examples thereof include a method using an oxidant solution having an organic substance decomposing action. Examples of the plasma treatment include a method of directly irradiating a target object with active species (plasma, radical, etc.) having a strong oxidizing action to remove organic residue.

薬液処理としては、具体的には、プライマー層105表面の膨潤処理を施した後、アルカリ処理によりエッチングを行い、続いて中和処理を行う方法等が挙げられる。
また、プラズマ処理としては、数mTorr〜数Torrのガス雰囲気下において数kHz〜数十MHz程度の高周波電源にて放電することにより行う方法等が挙げられる。なお、使用ガスとしては、例えば、酸素等の反応性ガス、または窒素やアルゴン等の不活性ガスを用いることができる。プラズマにより活性化されたガス成分は、圧力と使用ガスの種類によって、化学的反応、ガス分子そのものの衝突(ボンバリング)による物理的反応、またはこれら両方が生じることによって、ビアホール中の残渣や低分子による表面汚れを除去することができる。プラズマ処理によるクリーニングは、例えば、平行平板方式により行うことができる。
プラズマ処理により、薬液によるクリーニングでは除去しきれないような強固な樹脂組成物の残滓を除去することができる。
Specific examples of the chemical treatment include a method of performing a swelling treatment on the surface of the primer layer 105, performing an etching by an alkali treatment, and subsequently performing a neutralization treatment.
Examples of the plasma treatment include a method of performing discharge by a high frequency power source of about several kHz to several tens of MHz in a gas atmosphere of several mTorr to several Torr. In addition, as a use gas, reactive gas, such as oxygen, or inert gas, such as nitrogen and argon, can be used, for example. Depending on the pressure and the type of gas used, the gas components activated by the plasma may cause chemical reactions, physical reactions due to collision (bombing) of the gas molecules themselves, or both. Surface fouling due to molecules can be removed. Cleaning by plasma treatment can be performed by, for example, a parallel plate method.
By the plasma treatment, it is possible to remove a strong resin composition residue that cannot be removed by cleaning with a chemical solution.

次に、金属層103を形成する。金属層103は、セミアディティブプロセスにより形成することができる。以下、具体的に説明する。   Next, the metal layer 103 is formed. The metal layer 103 can be formed by a semi-additive process. This will be specifically described below.

はじめに、無電解めっき法を用いて、プライマー層105の表面およびビアホール107に無電解金属めっき膜108を形成する(図6(d))。プリント配線基板100の両面の導通を図る。またビアホール107は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。無電解めっき法の例を説明する。例えば、まずプライマー層105の表面上に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により無電解金属めっき膜108を形成する。無電解めっきには、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウム等を含むものを用いることができる。なお、無電解めっき後に、100〜250℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることが好ましい。120〜180℃の加熱処理が酸化を抑制できる被膜を形成できる点で、特に好ましい。また、無電解金属めっき膜108の平均厚さは、例えば、0.1〜2μm程度である。   First, an electroless metal plating film 108 is formed on the surface of the primer layer 105 and the via hole 107 using an electroless plating method (FIG. 6D). Conduction of both sides of the printed wiring board 100 is intended. The via hole 107 can be appropriately filled with a conductor paste or a resin paste. An example of the electroless plating method will be described. For example, first, catalyst nuclei are provided on the surface of the primer layer 105. The catalyst nucleus is not particularly limited. For example, a noble metal ion or palladium colloid can be used. Subsequently, an electroless metal plating film 108 is formed by electroless plating using the catalyst nucleus as a nucleus. For electroless plating, for example, one containing copper sulfate, formalin, complexing agent, sodium hydroxide, or the like can be used. In addition, it is preferable to heat-process 100-250 degreeC after electroless plating, and to stabilize a plating film. A heat treatment at 120 to 180 ° C. is particularly preferable in that a film capable of suppressing oxidation can be formed. The average thickness of the electroless metal plating film 108 is, for example, about 0.1 to 2 μm.

次いで、無電解金属めっき膜108上に所定の開口パターンを有するめっきレジスト205を形成する(図6(e))。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。めっきレジスト205としては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、めっきレジスト205としては、感光性ドライフィルム等を用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜108上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、めっきレジスト205を形成する。   Next, a plating resist 205 having a predetermined opening pattern is formed on the electroless metal plating film 108 (FIG. 6E). This opening pattern corresponds to, for example, a circuit pattern. The plating resist 205 is not particularly limited, and known materials can be used, but liquid and dry films can be used. In the case of forming fine wiring, it is preferable to use a photosensitive dry film or the like as the plating resist 205. An example using a photosensitive dry film will be described. For example, a photosensitive dry film is laminated on the electroless metal plating film 108, the non-circuit formation region is exposed and photocured, and the unexposed portion is dissolved and removed with a developer. The plating resist 205 is formed by leaving the cured photosensitive dry film.

次いで、図6(f)に示すように、少なくともめっきレジスト205の開口パターン内部かつ無電解金属めっき膜108上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層109を形成する。電気めっきとしては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。電解金属めっき層109は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層109の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか1種以上を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 6 (f), an electrolytic metal plating layer 109 is formed by electroplating at least inside the opening pattern of the plating resist 205 and on the electroless metal plating film 108. Although it does not specifically limit as electroplating, The well-known method used with a normal printed wiring board can be used, For example, an electric current is sent through a plating solution in the state immersed in plating solutions, such as copper sulfate. Etc. can be used. The electrolytic metal plating layer 109 may be a single layer or may have a multilayer structure. The material of the electrolytic metal plating layer 109 is not particularly limited, and for example, one or more of copper, copper alloy, 42 alloy, nickel, iron, chromium, tungsten, gold, and solder can be used.

次いで、図6(g)に示すように、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液等を用いてめっきレジスト205を除去する。   Next, as shown in FIG. 6G, the plating resist 205 is removed using an alkaline stripping solution, sulfuric acid, a commercially available resist stripping solution, or the like.

次いで、図6(g)に示すように、電解金属めっき層109が形成されている領域以外の無電解金属めっき膜108を除去する。例えば、ソフトエッチング(フラッシュエッチング)等を用いることにより、無電解金属めっき膜108を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、金属層103を形成することができる。金属層103は無電解金属めっき膜108および電解金属めっき層109で構成されることになる。   Next, as shown in FIG. 6G, the electroless metal plating film 108 other than the region where the electrolytic metal plating layer 109 is formed is removed. For example, the electroless metal plating film 108 can be removed by using soft etching (flash etching) or the like. Here, the soft etching treatment can be performed, for example, by etching using an etchant containing sulfuric acid and hydrogen peroxide. Thereby, the metal layer 103 can be formed. The metal layer 103 is composed of the electroless metal plating film 108 and the electrolytic metal plating layer 109.

さらに、プリント配線基板100上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。   Furthermore, a build-up layer can be laminated on the printed wiring board 100 as necessary, and multilayer connection can be made by repeating the steps of interlayer connection and circuit formation by a semi-additive process.

以上により、本実施形態のプリント配線基板100が得られる。 The printed wiring board 100 of this embodiment is obtained by the above.

[半導体パッケージ]
つづいて、本実施形態に係る半導体パッケージ300について説明する。図7および図8は、本発明に係る実施形態の半導体パッケージ300の構成の一例を示す断面図である。プリント配線基板100は、図7および図8に示すような半導体パッケージ300に用いることができる。半導体パッケージ300の製造方法としては、とくに限定されないが、例えば以下のような方法がある。
[Semiconductor package]
Next, the semiconductor package 300 according to the present embodiment will be described. 7 and 8 are cross-sectional views showing an example of the configuration of the semiconductor package 300 according to the embodiment of the present invention. The printed wiring board 100 can be used in a semiconductor package 300 as shown in FIGS. A method for manufacturing the semiconductor package 300 is not particularly limited, and examples thereof include the following methods.

まず、プリント配線基板100上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じてソルダーレジスト層301をプリント配線基板100の両面又は片面に積層する。   First, build-up layers are stacked on the printed wiring board 100 as necessary, and the steps of interlayer connection and circuit formation by a semi-additive process are repeated. And the soldering resist layer 301 is laminated | stacked on the both surfaces or one side of the printed wiring board 100 as needed.

ソルダーレジスト層301の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像することにより形成する方法によりなされる。   The method for forming the solder resist layer 301 is not particularly limited. For example, a method of forming a dry film type solder resist by laminating and exposing and developing, or by exposing and developing a liquid resist printed This is done by the forming method.

つづいて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子307を配線パターンの一部である接続端子上に半田バンプ310を介して固着させる。その後、半導体素子307、半田バンプ310等を封止材313で封止することによって、図7および図8に示す様な半導体パッケージ300が得られる。   Subsequently, by performing a reflow process, the semiconductor element 307 is fixed to the connection terminal which is a part of the wiring pattern via the solder bump 310. Thereafter, the semiconductor element 307, the solder bump 310, and the like are sealed with a sealing material 313, whereby the semiconductor package 300 as shown in FIGS. 7 and 8 is obtained.

[半導体装置]
つづいて、本実施形態に係る半導体装置400について説明する。図9および図10は、本発明に係る実施形態の半導体装置400の構成の一例を示す断面図である。
プリント配線基板100および半導体パッケージ300は、図9および図10に示すような半導体装置400に用いることができる。半導体装置400の製造方法としては、とくに限定されないが、例えば以下のような方法がある。
[Semiconductor device]
Next, the semiconductor device 400 according to the present embodiment will be described. 9 and 10 are cross-sectional views showing an example of the configuration of the semiconductor device 400 according to the embodiment of the present invention.
The printed wiring board 100 and the semiconductor package 300 can be used in a semiconductor device 400 as shown in FIGS. A method for manufacturing the semiconductor device 400 is not particularly limited, and examples thereof include the following methods.

はじめに、両面に回路層が設けられたプリント配線基板を用いて半導体パッケージ300を作製する。ここで、半導体素子307はプリント配線基板の一方の面のみに搭載し、他方の面には開口部が設けられたソルダーレジスト層301を設ける。得られた半導体パッケージ300のソルダーレジスト層301の上記開口部に半田ペーストを塗布、次いで半田ボールを搭載後、リフロー処理を行なうことによって半田バンプ310を形成する。また、半田バンプ310は、あらかじめ作製した半田ボールを開口部に取り付けることによっても形成できる。   First, the semiconductor package 300 is manufactured using a printed wiring board provided with circuit layers on both sides. Here, the semiconductor element 307 is mounted only on one surface of the printed wiring board, and the solder resist layer 301 having an opening is provided on the other surface. A solder bump 310 is formed by applying a solder paste to the opening of the solder resist layer 301 of the obtained semiconductor package 300 and then mounting a solder ball, followed by a reflow process. The solder bump 310 can also be formed by attaching a solder ball prepared in advance to the opening.

つぎに、実装基板420の接続端子425と半田バンプ310とを接合することによって半導体パッケージ300を実装基板420に実装し、図9および図10に示した半導体装置400が得られる。   Next, the semiconductor package 300 is mounted on the mounting substrate 420 by joining the connection terminals 425 of the mounting substrate 420 and the solder bumps 310, and the semiconductor device 400 shown in FIGS. 9 and 10 is obtained.

本実施形態における半導体パッケージ300は、反りおよびクラックが発生しにくく、薄型化が可能である。したがって半導体パッケージ300を含む半導体装置400は、接続信頼性が優れている。   The semiconductor package 300 in this embodiment is less likely to warp and crack, and can be thinned. Therefore, the semiconductor device 400 including the semiconductor package 300 has excellent connection reliability.

以上、本発明の実施形態について述べたが、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention. .

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、部はとくに特定しない限り質量部を表す。また、それぞれの厚みは平均膜厚で表わされている。   Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to these. In addition, in an Example, unless otherwise specified, a part represents a mass part. Moreover, each thickness is represented by the average film thickness.

(実施例1)
(1)樹脂ワニス(A)の調製
一般式(3)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−6000、一般式(3)において、Rがいずれも水素原子で、n=1である成分とn=2である成分との混合物)30.0質量部と、シアネート樹脂であるフェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)10.0質量部と、熱可塑性樹脂であるエラストマー変性ポリアミド樹脂(芳香族ポリアミド樹脂、ゴム成分:ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、日本化薬社製、KAYAFLEX BPAM155)20.0質量部と、硬化剤である1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール(四国化成社製、キュアゾール1B2PZ)0.3質量部と、をジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒に添加し、30分攪拌して溶解させた。
さらに、カップリング剤であるエポキシシランカップリング剤(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、A187)0.2質量部と、無機充填材であるシリカナノ粒子(ナノシリカ、平均粒子径56nm)39.5質量部とを添加して、高速攪拌装置を用いて10分攪拌し、固形分30重量%の樹脂ワニス(A)を調製した。
Example 1
(1) Preparation of resin varnish (A) A naphthylene ether type epoxy resin represented by general formula (3) (manufactured by DIC, EPICLON HP-6000, in general formula (3), each R is a hydrogen atom, 30.0 parts by mass of a mixture of a component where n = 1 and a component where n = 2), and 10.0 parts by mass of a phenol novolac-type cyanate resin (LONZA, Primeset PT-30) which is a cyanate resin, 20.0 parts by mass of an elastomer-modified polyamide resin (aromatic polyamide resin, rubber component: butadiene-acrylonitrile copolymer, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., KAYAFLEX BPAM155), which is a thermoplastic resin, and 1-benzyl-2, which is a curing agent -0.3 part by mass of phenylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., Curazole 1B2PZ), and dimethylaceto The mixture was added to a mixed solvent of imide and methyl ethyl ketone, and dissolved by stirring for 30 minutes.
Furthermore, epoxy silane coupling agent (Momentive Performance Materials Co., A187) 0.2 parts by mass as a coupling agent and silica nanoparticles (nanosilica, average particle size 56 nm) 39.5 mass as inorganic filler. And the mixture was stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to prepare a resin varnish (A) having a solid content of 30% by weight.

(2)プライマー層付金属箔の作製
樹脂ワニス(A)を、厚さ3μmの極薄銅箔(MT18SD−H、厚さ18μmのキャリア銅箔付き、三井金属鉱業社製)の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後(半硬化後)のプライマー層の厚さが5μmとなるように塗工した。これを160℃の乾燥装置で10分間乾燥して、プライマー層付金属箔を作製した。
(2) Preparation of metal foil with primer layer A resin varnish (A) was applied to one side of a 3 μm thick ultrathin copper foil (MT18SD-H, with a carrier copper foil of 18 μm thickness, manufactured by Mitsui Mining & Mining Co., Ltd.). Coating was performed using a coater apparatus so that the thickness of the primer layer after drying (after semi-curing) was 5 μm. This was dried with a dryer at 160 ° C. for 10 minutes to prepare a metal foil with a primer layer.

(3)両面銅張積層板の製造
以上のようにして得られた2枚のプライマー層付金属箔のプライマー層同士を互いに対向させて重ね合わせ、ホットプレスを用いて200℃、30kgf/mmのプレス条件で、1時間加熱加圧し、プライマー層を硬化させた。これにより、プライマー層付金属箔のプライマー層同士を張り合わせて、両面銅張積層板を作製した。
(3) Manufacture of double-sided copper-clad laminate The primer layers of the two metal foils with a primer layer obtained as described above are overlapped to face each other, and are heated at 200 ° C. and 30 kgf / mm 2 using a hot press. Under the above pressing conditions, the primer layer was cured by heating and pressing for 1 hour. Thereby, the primer layers of the metal foil with a primer layer were bonded together, and the double-sided copper clad laminated board was produced.

(4)樹脂ワニス(B)の調整
シリカ粒子(アドマテックス社製、SO25R、平均粒子径0.5μm)59.7質量部と、エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC3000、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、重量平均分子量:1300、軟化点:57℃、エポキシ当量:276g/eq)11.2質量部と、シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30、フェノールノボラック型シアネート樹脂、重量平均分子量380)20.0質量部と、フェノール樹脂(明和化成社製、MEH7851)8.8質量部と、エポキシシランカップリング剤(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、A187)0.3質量部と、をメチルエチルケトンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、固形分70重量%の樹脂ワニス(B)を得た。
(4) Preparation of resin varnish (B) 59.7 parts by mass of silica particles (manufactured by Admatechs, SO25R, average particle size 0.5 μm) and epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., NC3000, biphenyl aralkyl type epoxy resin) , Weight average molecular weight: 1300, softening point: 57 ° C., epoxy equivalent: 276 g / eq) 11.2 parts by mass and cyanate resin (manufactured by LONZA, Primeset PT-30, phenol novolac type cyanate resin, weight average molecular weight 380) 20.0 parts by mass, 8.8 parts by mass of phenol resin (Maywa Kasei Co., Ltd., MEH7851) and 0.3 parts by mass of epoxy silane coupling agent (Momentive Performance Materials, A187) 70% by weight of solid content Of resin varnish (B) was obtained.

(5)金属張積層板の作製
(2)で得られたプライマー層付金属箔のプライマー層上に、樹脂ワニス(B)をコンマコーター装置を用いて絶縁樹脂層の厚さが19μmとなるように塗工した。これを160℃の乾燥装置で10分間乾燥して、金属箔付き絶縁樹脂シート(半硬化)を作製した。この金属箔付き絶縁樹脂シートは同様のものを2枚作製した。
得られた2枚の金属箔付き絶縁樹脂シートを繊維基材(厚さ48μm、日東紡績製Eガラス織布、WEA−1280)の両面に絶縁樹脂層が繊維基材に接するようにそれぞれ配し、圧力0.5MPa、温度140℃で1分間の条件で真空プレスにより加熱加圧して、繊維基材に各絶縁樹脂層を含浸させた。このときの絶縁樹脂層と繊維基材との合計は、60μmであった。
次いで、圧力1MPa、温度220℃で2時間加熱加圧成形し、厚さ112μmの両面にキャリア付き銅箔を有する金属張積層板を作製した。
(5) Preparation of metal-clad laminate On the primer layer of the metal foil with primer layer obtained in (2), the resin varnish (B) is made to have a thickness of 19 μm using a comma coater device. Coated. This was dried with a 160 ° C. drying apparatus for 10 minutes to produce an insulating resin sheet with metal foil (semi-cured). Two similar insulating resin sheets with metal foil were prepared.
The obtained two insulating resin sheets with metal foil were respectively arranged on both sides of a fiber base material (thickness 48 μm, Nittobo E glass woven fabric, WEA-1280) so that the insulating resin layer was in contact with the fiber base material. The fiber base material was impregnated with each insulating resin layer by heating and pressing with a vacuum press under the conditions of a pressure of 0.5 MPa and a temperature of 140 ° C. for 1 minute. The total of the insulating resin layer and the fiber base material at this time was 60 μm.
Subsequently, it heat-press-molded for 2 hours at the pressure of 1 MPa and the temperature of 220 degreeC, and produced the metal-clad laminated board which has a copper foil with a carrier on both surfaces with a thickness of 112 micrometers.

(6)プリント配線基板の作製
(5)で得られた金属張積層板のキャリア銅箔を剥離し、更に極薄銅箔をエッチング除去し、プライマー層を露出させた。次いで炭酸レーザーによりスルーホール(貫通孔)を形成した。次にスルーホール内および、プライマー層表面を、80℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に10分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)に5分浸漬後、中和して粗化処理を行った。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約1μm、めっきレジスト形成、無電解銅めっき皮膜を給電層としパターン電気メッキ銅を12μm形成させL/S=12/12μmの微細回路加工を施した。次に、熱風乾燥装置にて200℃で60分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。
次に、ソルダーレジスト(太陽インキ製造社製、PSR−4000 AUS703)を印刷し、半導体素子搭載パッド等が露出するように、所定のマスクで露光し、現像、キュアを行い、回路上のソルダーレジスト層厚さが12μmとなるように形成した。
最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層3μmと、さらにその上へ、無電解金めっき層0.1μmとからなるめっき層を形成し、プリント配線基板を得た。
(6) Fabrication of printed wiring board The carrier copper foil of the metal-clad laminate obtained in (5) was peeled off, and the ultrathin copper foil was removed by etching to expose the primer layer. Next, a through hole (through hole) was formed by a carbonic acid laser. Next, the inside of the through hole and the surface of the primer layer were immersed in an 80 ° C. swelling liquid (manufactured by Atotech Japan, Swelling Dip Securigant P) for 10 minutes, and further an 80 ° C. potassium permanganate aqueous solution (manufactured by Atotech Japan) , And concentrated for 5 minutes, and then neutralized and roughened.
After passing through the steps of degreasing, applying a catalyst, and activating this, electroless copper plating film is about 1 μm, plating resist formation, electroless copper plating film is used as a power feeding layer, and pattern electroplating copper is formed to form 12 μm L / S = 12 / 12 μm fine circuit processing was performed. Next, an annealing process was performed at 200 ° C. for 60 minutes with a hot air drying apparatus, and then the power feeding layer was removed by flash etching.
Next, a solder resist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., PSR-4000 AUS703) is printed, exposed with a predetermined mask so that the semiconductor element mounting pads and the like are exposed, developed and cured, and the solder resist on the circuit The layer thickness was 12 μm.
Finally, on the circuit layer exposed from the solder resist layer, an electroless nickel plating layer of 3 μm and a plating layer of 0.1 μm of the electroless gold plating layer were further formed to obtain a printed wiring board. .

(7)半導体パッケージの作製
半導体パッケージは、(6)で得られたプリント配線基板上に半田バンプを有する半導体素子(TEGチップ、サイズ8mm×8mm、厚み0.1mm)を、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、その後、液状封止樹脂を硬化させることで半導体パッケージを得た。尚、液状封止樹脂は、温度150℃、120分の条件で硬化させた。上記半導体素子の半田バンプは、Sn/Pb組成の共晶で形成されたものを用いた。最後に14mm×14mmのサイズにルーターで個片化し、半導体パッケージを得た。
(7) Production of semiconductor package A semiconductor package is obtained by using a flip chip bonder device to obtain a semiconductor element (TEG chip, size 8 mm × 8 mm, thickness 0.1 mm) having solder bumps on the printed wiring board obtained in (6). It was mounted by thermocompression bonding. Next, after solder bumps were melt-bonded in an IR reflow furnace, a liquid sealing resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRP-4152S) was filled, and then the liquid sealing resin was cured to obtain a semiconductor package. The liquid sealing resin was cured at a temperature of 150 ° C. for 120 minutes. As the solder bumps of the semiconductor element, those formed of eutectic of Sn / Pb composition were used. Finally, it was separated into pieces of 14 mm × 14 mm with a router to obtain a semiconductor package.

(8)プライマー層付きフィルムの作製
(1)で得られた樹脂ワニス(A)を、キャリアフィルムである厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステル社製、SFB−38、厚さ38μm、幅480m)の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後(半硬化後)のプライマー層の厚さが5μmとなるように塗工した。これを160℃の乾燥装置で10分間乾燥して、プライマー層付きフィルムを作製した。
(8) Production of film with primer layer The resin varnish (A) obtained in (1) is a 38 μm thick polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester, SFB-38, 38 μm thick, width) as a carrier film. On one side of 480 m), coating was performed using a comma coater so that the primer layer after drying (after semi-curing) had a thickness of 5 μm. This was dried with a drying apparatus at 160 ° C. for 10 minutes to produce a film with a primer layer.

(9)プライマー層付きプリプレグの作製
(8)で得られたプライマー層付きフィルムのプライマー層上に、樹脂ワニス(B)をコンマコーター装置を用いて絶縁樹脂層の厚さが19μmとなるように塗工した。これを160℃の乾燥装置で10分間乾燥して、キャリアフィルム付き絶縁樹脂シート(半硬化)を作製した。このキャリアフィルム付き絶縁樹脂シート(半硬化)は同様のものを2枚作製した。
得られた2枚のキャリアフィルム付き絶縁樹脂シートを繊維基材(厚さ48μm、日東紡績製Eガラス織布、WEA−1280)の両面に絶縁樹脂層が繊維基材に接するようにそれぞれ配し、圧力0.5MPa、温度100℃で1分間の条件で真空プレスにより加熱加圧して、繊維基材に各絶縁樹脂層を含浸させた。このときの絶縁樹脂層と繊維基材との合計は、60μmであった。キャリアフィルムを剥離して厚さ70μmのプリプレグを得た。
(9) Production of prepreg with primer layer On the primer layer of the film with primer layer obtained in (8), the resin varnish (B) is made to have a thickness of 19 μm using a comma coater device. Coated. This was dried with a 160 ° C. drying apparatus for 10 minutes to produce an insulating resin sheet (semi-cured) with a carrier film. Two similar insulating resin sheets with a carrier film (semi-cured) were prepared.
The obtained two insulating resin sheets with a carrier film are arranged on both sides of a fiber base material (thickness 48 μm, Nittobo E glass woven fabric, WEA-1280) so that the insulating resin layer is in contact with the fiber base material. The fiber base material was impregnated with each insulating resin layer by heating and pressing with a vacuum press at a pressure of 0.5 MPa and a temperature of 100 ° C. for 1 minute. The total of the insulating resin layer and the fiber base material at this time was 60 μm. The carrier film was peeled off to obtain a prepreg having a thickness of 70 μm.

(10)線膨脹係数
(3)で得られた両面銅張積層板の金属箔をエッチングにより除去し、金属箔を除去したプライマー層から4mm×20mmの試験片を作製した。この試験片について、TMA(熱機械的分析)装置(TAインスツルメント社製,Q400)を用いて、温度範囲30〜300℃、10℃/分、荷重5gの条件で2サイクル目の50〜150℃における平面方向(XY方向)の線膨張係数(CTE)を測定した。
(10) Linear expansion coefficient The metal foil of the double-sided copper-clad laminate obtained in (3) was removed by etching, and a 4 mm × 20 mm test piece was prepared from the primer layer from which the metal foil was removed. About this test piece, using a TMA (thermomechanical analysis) apparatus (TA Instrument Co., Ltd., Q400), a temperature range of 30 to 300 ° C., 10 ° C./min, and a load of 5 g, 50 to 50 in the second cycle. The linear expansion coefficient (CTE) in the plane direction (XY direction) at 150 ° C. was measured.

(11)ガラス転移温度
(3)で得られた両面銅張積層板の金属箔をエッチングにより除去し、金属箔を除去したプライマー層から6mm×25mmの試験片を作製した。この試験片について、DMA装置(TAインスツルメント社製動的粘弾性測定装置DMA983)を用いて5℃/分(周波数1Hz)で昇温し、tanδのピーク位置をガラス転移温度とした。
(11) Glass transition temperature The metal foil of the double-sided copper-clad laminate obtained in (3) was removed by etching, and a 6 mm × 25 mm test piece was prepared from the primer layer from which the metal foil was removed. About this test piece, it heated up at 5 degree-C / min (frequency 1Hz) using DMA apparatus (The dynamic viscoelasticity measuring apparatus DMA983 by TA Instruments), and made the peak position of tan-delta the glass transition temperature.

(12)ピール強度
(5)で得られた金属張積層板から銅箔をエッチング除去し、60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に10分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン株式会社製、コンセントレート コンパクト CP)に5分浸漬後、中和して粗化処理を行った。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約1μm、電気メッキ銅を30μm形成させ、熱風乾燥装置にて200℃で60分間アニール処理を行った。JIS−C−6481に基づき100mm×20mmの試験片を作製し、23℃におけるピール強度を測定した。
(12) Peel strength The copper foil is removed from the metal-clad laminate obtained in (5) by etching, and dipped in a swelling solution at 60 ° C. (Swelling Dip Securigant P, manufactured by Atotech Japan) for 10 minutes, and further 80 After immersion for 5 minutes in an aqueous potassium permanganate solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., Concentrate Compact CP) at 0 ° C., the mixture was neutralized and roughened.
After passing through the steps of degreasing, applying a catalyst, and activating this, an electroless copper plating film was formed to have a thickness of about 1 μm and electroplated copper was formed to 30 μm, and annealed at 200 ° C. for 60 minutes in a hot air drying apparatus. A 100 mm × 20 mm test piece was prepared based on JIS-C-6481, and the peel strength at 23 ° C. was measured.

(13)微細配線加工性評価
(6)においてL/S=12/12μmの微細回路パターンを形成した後のプリント配線基板について、レーザー顕微鏡で細線の外観検査及び導通チェックにより評価した。評価基準は以下の通りである。
◎:形状、導通ともに問題なし
○:ショート、配線切れはなく、実質上問題ない
×:ショート,配線切れあり
(13) Evaluation of fine wiring processability The printed wiring board after forming a fine circuit pattern of L / S = 12/12 μm in (6) was evaluated by a thin wire appearance inspection and a continuity check with a laser microscope. The evaluation criteria are as follows.
◎: No problem in both shape and continuity ○: No short circuit or wire breakage, no problem ×: Short circuit, wire breakage

(14)絶縁信頼性評価
(6)で得られたプリント配線基板のL/S=12/12μmの微細回路パターン上に、ソルダーレジストの代わりにビルドアップ材(住友ベークライト社製、BLA−3700GS)を積層、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、温度130℃、湿度85%、印加電圧3.3Vの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。尚、抵抗値10Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
◎:300時間以上故障なし
○:150時間以上300時間未満で故障あり
×:150時間未満で故障あり
(14) Insulation reliability evaluation On the fine circuit pattern of L / S = 12/12 μm of the printed wiring board obtained in (6), a buildup material (BLA-3700GS manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) is used instead of the solder resist. A test sample was prepared by laminating and curing. Using this test sample, the continuous humidity insulation resistance was evaluated under the conditions of a temperature of 130 ° C., a humidity of 85%, and an applied voltage of 3.3 V. A resistance value of 10 6 Ω or less was regarded as a failure. The evaluation criteria are as follows.
◎: No failure for 300 hours or more ○: Failure for 150 hours or more and less than 300 hours ×: Failure for less than 150 hours

(15)半導体パッケージの反り評価
(7)で得られた半導体パッケージの常温(23℃)及び260℃での反りを温度可変レーザー三次元測定機(日立テクノロジーアンドサービス社製、形式LS220−MT100MT50)を用いて評価した。上記測定機のサンプルチャンバーに半導体素子面を下にして設置し、高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。評価基準は以下の通りである。
常温(23℃)
◎ :反り量が150μm未満
○ :反り量が150μm以上200μm未満
× :反り量が200μm以上
260℃
◎ :反り量が100μm未満
○ :反り量が100μm以上150μm未満
× :反り量が150μm以上
(15) Warpage evaluation of semiconductor package Warpage of the semiconductor package obtained in (7) at normal temperature (23 ° C.) and 260 ° C. is measured using a temperature variable laser three-dimensional measuring machine (manufactured by Hitachi Technology and Service, model LS220-MT100MT50). Was used to evaluate. The semiconductor element surface was placed in the sample chamber of the measuring machine, the displacement in the height direction was measured, and the largest value of the displacement difference was taken as the amount of warpage. The evaluation criteria are as follows.
Normal temperature (23 ℃)
A: Warpage amount is less than 150 μm B: Warpage amount is 150 μm or more and less than 200 μm ×: Warpage amount is 200 μm or more and 260 ° C.
A: Warpage amount is less than 100 μm B: Warpage amount is 100 μm or more and less than 150 μm ×: Warpage amount is 150 μm or more

(16)プライマー層の海島構造の観察
(3)で得られた両面銅張積層板の銅箔をエッチングで除去し、次に、ルテニウム酸染色法により樹脂成分を染色した。100μm×100μmの切片サンプルを切り出し、透過型電子顕微鏡(日立製H−7100FA型)によって、加速電圧100kV、倍率1万〜4万倍で観察した。海島構造が形成されているものを○、されていないものを×とした。また、海相および島相から一部を切り出し、各相に含まれる樹脂をガスクロマトグラフィーにより分析した。
(16) Observation of sea-island structure of primer layer The copper foil of the double-sided copper-clad laminate obtained in (3) was removed by etching, and then the resin component was dyed by a ruthenic acid dyeing method. A section sample of 100 μm × 100 μm was cut out and observed with a transmission electron microscope (H-7100FA, manufactured by Hitachi) at an acceleration voltage of 100 kV and a magnification of 10,000 to 40,000 times. The case where the sea-island structure is formed is marked with ◯, and the case where the sea-island structure is not marked with ×. Moreover, a part was cut out from the sea phase and the island phase, and the resin contained in each phase was analyzed by gas chromatography.

(実施例2)
樹脂ワニス(A)に用いたエラストマー変性ポリアミド樹脂(芳香族ポリアミド樹脂、日本化薬社製、KAYAFLEX BPAM155)の代わりにポリアミドイミド樹脂(東洋紡績社製 HR−11NN)を用いた以外は実施例1と同様にした。
(Example 2)
Example 1 except that a polyamide-imide resin (HR-11NN manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was used instead of the elastomer-modified polyamide resin (aromatic polyamide resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., KAYAFLEX BPAM155) used for the resin varnish (A). And so on.

(実施例3)
樹脂ワニス(A)に用いたエラストマー変性ポリアミド樹脂(芳香族ポリアミド樹脂、日本化薬社製、KAYAFLEX BPAM155)の代わりにポリアミドイミド樹脂(東洋紡績社製 HR−16NN)を用いた以外は実施例1と同様にした。
Example 3
Example 1 except that a polyamide-imide resin (HR-16NN manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was used instead of the elastomer-modified polyamide resin (aromatic polyamide resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., KAYAFLEX BPAM155) used for the resin varnish (A). And so on.

(実施例4)
樹脂ワニス(A)に用いたエラストマー変性ポリアミド樹脂(芳香族ポリアミド樹脂、日本化薬社製、KAYAFLEX BPAM155)の代わりにポリアミドイミド樹脂(DIC社製 V−8000)を用いた以外は実施例1と同様にした。
Example 4
Example 1 except that a polyamide-imide resin (V-8000, manufactured by DIC) was used instead of the elastomer-modified polyamide resin (aromatic polyamide resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., KAYAFLEX BPAM155) used for the resin varnish (A). The same was done.

(実施例5)
樹脂ワニス(A)に用いたエラストマー変性ポリアミド樹脂(芳香族ポリアミド樹脂、日本化薬社製、KAYAFLEX BPAM155)の代わりにポリエーテルスルホン樹脂(住友化学社製 5003P)を用いた以外は実施例1と同様にした。
(Example 5)
Example 1 except that a polyethersulfone resin (5003P manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was used instead of the elastomer-modified polyamide resin (aromatic polyamide resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., KAYAFLEX BPAM155) used for the resin varnish (A). The same was done.

(合成例1)シアネート樹脂(ナフトールアラルキル型シアネート樹脂)
ナフトールアラルキル型フェノール樹脂(新日鐵化学社製、SN485N、水酸基当量215g/eq)101g(0.47molの水酸基)をメチルイソブチルケトン(以下MIBK)400gに仕込み、室温で攪拌溶解した。溶解後、−10℃まで冷却を行った。−10℃にて臭化シアン(以下BrCN)110g(純度95%、0.987mol)を投入し、内温が−15℃になったら、トリエチルアミン(以下TEA)100g(0.99mol)とMIBK600gの混合液を1時間かけて滴下した。滴下後、さらに30分間熟成し、さらに約2時間熟成させ反応を完結させた。
得られた溶液に、純水400mlを加えて分液し、さらに5%塩化水素水溶液(HCl)1000mlを加えて分液した。さらに、10%食塩水500gで2回洗浄分液し、純粋500mlにて2回洗浄した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、溶剤を減圧除去し、固形の樹脂を得た。得られた固形物をヘキサンにて洗浄した後、減圧乾燥することにより、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂を得た。このようにして得られたナフトールアラルキル型シアネート樹脂は、赤外吸収スペクトル測定(島津製作所社製IR Prestige−21、KBr透過法)により分析し、フェノール性水酸基の吸収帯である3200〜3600cm−1のピークが消失し、シアン酸エステルの二トリルの吸収帯である2264cm−1付近のピークを確認した。
(Synthesis example 1) Cyanate resin (naphthol aralkyl type cyanate resin)
A naphthol aralkyl type phenolic resin (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., SN485N, hydroxyl group equivalent: 215 g / eq) (101 g, 0.47 mol hydroxyl group) was charged in 400 g of methyl isobutyl ketone (hereinafter MIBK) and dissolved at room temperature with stirring. After dissolution, it was cooled to -10 ° C. At −10 ° C., 110 g of cyanogen bromide (hereinafter BrCN) was added (purity 95%, 0.987 mol), and when the internal temperature reached −15 ° C., 100 g (0.99 mol) of triethylamine (hereinafter TEA) and 600 g of MIBK The mixture was added dropwise over 1 hour. After dropping, the reaction was further aged for 30 minutes and further aged for about 2 hours to complete the reaction.
To the obtained solution, 400 ml of pure water was added for liquid separation, and further 1000 ml of 5% aqueous hydrogen chloride solution (HCl) was added for liquid separation. Furthermore, it was washed and separated twice with 500 g of 10% saline and washed twice with 500 ml of pure water.
The organic layer was dehydrated with anhydrous sodium sulfate, and then the solvent was removed under reduced pressure to obtain a solid resin. The obtained solid was washed with hexane and then dried under reduced pressure to obtain a naphthol aralkyl-type cyanate resin. The naphthol aralkyl-type cyanate resin thus obtained was analyzed by infrared absorption spectrum measurement (IR Prestige-21, KBr transmission method manufactured by Shimadzu Corporation), and 3200 to 3600 cm −1 which is an absorption band of a phenolic hydroxyl group. The peak of 2264 cm −1, which is the absorption band of nitrile cyanate ester, was confirmed.

(実施例6)
樹脂ワニス(A)に用いたフェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)の代わりに合成例1のシアネート樹脂を用いた以外は実施例1と同様にした。
(Example 6)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the cyanate resin of Synthesis Example 1 was used instead of the phenol novolac-type cyanate resin (LONZA, Primaset PT-30) used for the resin varnish (A).

(実施例7)
樹脂ワニス(A)の代わりに以下の樹脂ワニスを用いた以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂であるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−6000)29.3質量部と、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−4710)10.0質量部と、熱可塑性樹脂であるエラストマー変性ポリアミド樹脂(芳香族ポリアミド樹脂、日本化薬社製、KAYAFLEX BPAM155)20.0質量部と、硬化剤である1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール(四国化成社製、キュアゾール1B2PZ)1.0質量部と、をジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒に添加し、30分攪拌して溶解させた。
さらに、カップリング剤であるエポキシシランカップリング剤(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、A187)0.2質量部、無機充填材であるシリカナノ粒子(ナノシリカ、平均粒子径56nm)39.5質量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分攪拌し、固形分30%の樹脂ワニスを調製した。
(Example 7)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the following resin varnish was used instead of the resin varnish (A).
29.3 parts by mass of an epoxy resin naphthylene ether type epoxy resin (DIC Corporation, EPICLON HP-6000) and tetrafunctional naphthalene type epoxy resin (DIC Corporation, EPICLON HP-4710) 10.0 parts by mass; 20.0 parts by mass of an elastomer-modified polyamide resin (aromatic polyamide resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., KAYAFLEX BPAM155), which is a thermoplastic resin, and 1-benzyl-2-phenylimidazole (cured by Shikoku Kasei Co., Ltd.), which is a curing agent 1B2PZ) and 1.0 part by mass were added to a mixed solvent of dimethylacetamide and methyl ethyl ketone and stirred for 30 minutes to dissolve.
Furthermore, epoxy silane coupling agent (Momentive Performance Materials Co., A187) 0.2 parts by mass as a coupling agent, silica nanoparticles (nanosilica, average particle size 56 nm) as an inorganic filler 39.5 parts by mass And stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to prepare a resin varnish having a solid content of 30%.

(実施例8)
樹脂ワニス(A)の代わりに以下の樹脂ワニスを用いた以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂であるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−6000)29.3質量部と、ビスマレイミド(大和化成社製、4,4'−ジフェニルメタンビスマレイミド BMI−1000)10.0質量部と、熱可塑性樹脂であるエラストマー変性ポリアミド樹脂(芳香族ポリアミド樹脂、日本化薬社製、KAYAFLEX BPAM155)20.0質量部と、硬化剤である1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール(四国化成社製、キュアゾール1B2PZ)1.0質量部と、をジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒に添加し、30分攪拌して溶解させた。
さらに、カップリング剤であるエポキシシランカップリング剤(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、A187)0.2質量部、無機充填材としてシリカナノ粒子(ナノシリカ、平均粒子径56nm)39.5質量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分攪拌し、固形分30%の樹脂ワニスを調製した。
(Example 8)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the following resin varnish was used instead of the resin varnish (A).
29.3 parts by mass of an epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin (manufactured by DIC, EPICLON HP-6000) and bismaleimide (manufactured by Daiwa Kasei Co., Ltd., 4,4′-diphenylmethane bismaleimide BMI-1000) 10.0 20.0 parts by mass of an elastomer-modified polyamide resin (aromatic polyamide resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., KAYAFLEX BPAM155) as a thermoplastic resin, and 1-benzyl-2-phenylimidazole (Shikoku Chemicals) as a curing agent 1.0 part by mass (Corazole 1B2PZ) manufactured by the company was added to a mixed solvent of dimethylacetamide and methyl ethyl ketone and dissolved by stirring for 30 minutes.
Furthermore, 0.29.5 parts by mass of an epoxy silane coupling agent (Momentive Performance Materials Co., A187), which is a coupling agent, and 39.5 parts by mass of silica nanoparticles (nanosilica, average particle size 56 nm) as an inorganic filler The mixture was added and stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to prepare a resin varnish having a solid content of 30%.

(比較例1)
樹脂ワニス(A)に用いたナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−6000)を用いずに、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000)を用いた以外は実施例1と同様にした。
(Comparative Example 1)
The biphenylaralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000) was used without using the naphthylene ether type epoxy resin (DIC Corporation, EPICLON HP-6000) used for the resin varnish (A). Same as Example 1.

(比較例2)
樹脂ワニス(A)に用いたナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−6000)を用いずに、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−4032D)を用いた以外は実施例1と同様にした。
(Comparative Example 2)
Except for using naphthalene diol epoxy resin (DIC Corporation, EPICLON HP-4032D) without using naphthylene ether type epoxy resin (DIC Corporation, EPICLON HP-6000) used for resin varnish (A). Same as Example 1.

(比較例3)
樹脂ワニスに用いたナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−6000)を用いずに、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000)を用いた以外は実施例8と同様にした。
(Comparative Example 3)
Example 8 except that a biphenylaralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000) was used without using the naphthylene ether type epoxy resin (DICIC, EPICLON HP-6000) used for the resin varnish. And so on.

(比較例4)
樹脂ワニス(A)の代わりに以下の樹脂ワニスを用いた以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂であるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−6000)40.0質量部と、シアネート樹脂であるフェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)20.0質量部と、硬化剤である1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール(四国化成社製、キュアゾール1B2PZ)0.3質量部と、をジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒に添加し、30分攪拌して溶解させた。
さらに、カップリング剤としてエポキシシランカップリング剤(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、A187)0.2質量部、無機充填材としてシリカナノ粒子(ナノシリカ、平均粒子径56nm)39.5質量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分攪拌し、固形分30%の樹脂ワニスを調製した。
(Comparative Example 4)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the following resin varnish was used instead of the resin varnish (A).
40.0 parts by mass of naphthylene ether type epoxy resin (EPICLON HP-6000, manufactured by DIC) which is an epoxy resin, and 20.0 mass parts of phenol novolac type cyanate resin (LONZA, Primase PT-30) which is a cyanate resin. And 0.3 parts by mass of 1-benzyl-2-phenylimidazole (Curesol 1B2PZ, Shikoku Kasei Co., Ltd.), which is a curing agent, are added to a mixed solvent of dimethylacetamide and methyl ethyl ketone and dissolved by stirring for 30 minutes. It was.
Further, 0.2 parts by mass of an epoxysilane coupling agent (M187, manufactured by Momentive Performance Materials, Inc., A187) is added as a coupling agent, and 39.5 parts by mass of silica nanoparticles (nanosilica, average particle size 56 nm) is added as an inorganic filler. And it stirred for 10 minutes using the high-speed stirring apparatus, and prepared the resin varnish of 30% of solid content.

以上の結果を表1に示す。実施例1〜8のプライマー層はすべて海島構造を形成しており、海相からナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がそれぞれ検出され、島相から熱可塑性樹脂がそれぞれ検出された。   The results are shown in Table 1. All of the primer layers of Examples 1 to 8 formed a sea-island structure, and naphthylene ether type epoxy resin was detected from the sea phase, and thermoplastic resin was detected from the island phase.

Figure 2014205755
Figure 2014205755

100 プリント配線基板
101 絶縁層
103 金属層
105 プライマー層
107 ビアホール
108 無電解金属めっき膜
109 電解金属めっき層
111 コア層
117 ビルドアップ層
200 プライマー層付きプリプレグ
201 繊維基材
203 樹脂層
205 めっきレジスト
210 プリプレグ
250 プライマー層付き金属箔
255 金属箔
280 金属張積層板
300 半導体パッケージ
301 ソルダーレジスト層
307 半導体素子
310 半田バンプ
313 封止材
400 半導体装置
420 実装基板
425 接続端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Printed wiring board 101 Insulating layer 103 Metal layer 105 Primer layer 107 Via hole 108 Electroless metal plating film 109 Electrolytic metal plating layer 111 Core layer 117 Buildup layer 200 Prepreg with primer layer 201 Fiber base material 203 Resin layer 205 Plating resist 210 Prepreg 250 Metal foil with primer layer 255 Metal foil 280 Metal-clad laminate 300 Semiconductor package 301 Solder resist layer 307 Semiconductor element 310 Solder bump 313 Sealant 400 Semiconductor device 420 Mounting substrate 425 Connection terminal

Claims (17)

絶縁層と金属層との間に介在して前記絶縁層と前記金属層とを密着させるプライマー層を形成するために用いられる、プライマー層形成用樹脂組成物であって、
下記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂と、
熱可塑性樹脂と、
無機充填材と、
を含む、プライマー層形成用樹脂組成物。
Figure 2014205755
(前記一般式(1)式において、nは1以上20以下の整数であり、lは1または2の整数であり、Rはそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基または下記一般式(2)で表される構造であり、Rはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。)
Figure 2014205755
(前記一般式(2)式において、Arはそれぞれ独立にフェニレン基またはナフチレン基であり、Rはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基であり、mは1又は2の整数である。)
A resin composition for forming a primer layer, which is used to form a primer layer that is interposed between an insulating layer and a metal layer and causes the insulating layer and the metal layer to adhere to each other,
A naphthylene ether type epoxy resin represented by the following general formula (1);
A thermoplastic resin;
An inorganic filler;
A resin composition for forming a primer layer.
Figure 2014205755
(In the general formula (1), n is an integer of 1 or more and 20 or less, l is an integer of 1 or 2, and R 1 is independently a hydrogen atom, a benzyl group, an alkyl group, or the following general formula ( 2), and each R 2 is independently a hydrogen atom or a methyl group.)
Figure 2014205755
(In the general formula (2), Ar is each independently a phenylene group or a naphthylene group, R 2 is each independently a hydrogen atom or a methyl group, and m is an integer of 1 or 2.)
請求項1に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
前記絶縁層および前記金属層がプリント配線基板の一部を構成するものである、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the primer layer forming resin composition according to claim 1,
A resin composition for forming a primer layer, wherein the insulating layer and the metal layer constitute a part of a printed wiring board.
請求項1または2に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
前記金属層が回路層である、プライマー層形成用樹脂組成物。
The resin composition for forming a primer layer according to claim 1 or 2,
A resin composition for forming a primer layer, wherein the metal layer is a circuit layer.
請求項1乃至3いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
当該プライマー層形成用樹脂組成物により形成されるプライマー層が海島構造であり、
少なくとも前記ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が海相に存在し、前記熱可塑性樹脂が島相に存在する、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the resin composition for primer layer formation as described in any one of Claims 1 thru | or 3,
The primer layer formed by the primer layer forming resin composition has a sea-island structure,
A resin composition for forming a primer layer, wherein at least the naphthylene ether type epoxy resin is present in a sea phase and the thermoplastic resin is present in an island phase.
請求項1乃至4いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
前記熱可塑性樹脂がゴム成分を含む、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the resin composition for primer layer formation as described in any one of Claims 1 thru | or 4,
A resin composition for forming a primer layer, wherein the thermoplastic resin contains a rubber component.
請求項1乃至5いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
前記熱可塑性樹脂がポリアミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびポリエーテルスルホン樹脂からなる群より選択される一種または二種以上の樹脂である、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the resin composition for primer layer formation as described in any one of Claims 1 thru | or 5,
A resin composition for forming a primer layer, wherein the thermoplastic resin is one or two or more resins selected from the group consisting of a polyamide resin, a thermoplastic polyimide resin, a polyamideimide resin, and a polyethersulfone resin.
請求項1乃至6いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
前記無機充填材がシリカナノ粒子を含む、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the resin composition for primer layer formation as described in any one of Claims 1 thru | or 6,
A resin composition for forming a primer layer, wherein the inorganic filler contains silica nanoparticles.
請求項1乃至7いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
さらにカップリング剤を含む、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the resin composition for primer layer formation as described in any one of Claims 1 thru | or 7,
Furthermore, the resin composition for primer layer formation containing a coupling agent.
請求項1乃至8いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
当該プライマー層形成用樹脂組成物は、セミアディティブプロセス法によって回路形成するプリント配線基板に用いられる、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the resin composition for primer layer formation as described in any one of Claims 1 thru | or 8,
The primer layer-forming resin composition is a primer layer-forming resin composition used for a printed wiring board for forming a circuit by a semi-additive process method.
請求項9に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
当該プライマー層形成用樹脂組成物を用いて形成されるプライマー層は、コア層およびビルドアップ層のうち少なくとも一方の層中の絶縁層と金属層との間に形成される、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the resin composition for forming a primer layer according to claim 9,
The primer layer-forming resin formed using the primer layer-forming resin composition is formed between the insulating layer and the metal layer in at least one of the core layer and the build-up layer. Composition.
請求項1乃至10いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
当該プライマー層形成用樹脂組成物を200℃、1時間加熱硬化させて得られる硬化物の動的粘弾性測定によるガラス転移温度が150℃以上250℃以下である、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the resin composition for primer layer formation as described in any one of Claims 1 thru | or 10,
The resin composition for primer layer formation whose glass transition temperature by the dynamic viscoelasticity measurement of the hardened | cured material obtained by heat-curing the said resin composition for primer layer formation at 200 degreeC for 1 hour is 150 to 250 degreeC.
請求項1乃至11いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物において、
当該プライマー層形成用樹脂組成物を200℃、1時間加熱硬化させて得られる硬化物の線膨張係数が75ppm/℃以下である、プライマー層形成用樹脂組成物。
In the resin composition for primer layer formation as described in any one of Claims 1 thru | or 11,
A resin composition for forming a primer layer, wherein a linear expansion coefficient of a cured product obtained by heating and curing the primer layer-forming resin composition at 200 ° C. for 1 hour is 75 ppm / ° C. or less.
熱硬化性樹脂と無機充填材とを含有する樹脂組成物を繊維基材に少なくとも1層以上含浸してなるプリプレグと、
前記プリプレグの少なくとも一方の面に形成される金属層と前記プリプレグとの間に介在して、前記金属層と前記プリプレグとを密着させるプライマー層と、
を含む、プライマー層付きプリプレグであって、
前記プライマー層が請求項1乃至12いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物を用いて形成されたものである、プライマー層付きプリプレグ。
A prepreg formed by impregnating at least one layer of a fiber base material with a resin composition containing a thermosetting resin and an inorganic filler;
A primer layer that is interposed between the metal layer formed on at least one surface of the prepreg and the prepreg, and causes the metal layer and the prepreg to adhere to each other;
A prepreg with a primer layer,
A prepreg with a primer layer, wherein the primer layer is formed using the primer layer forming resin composition according to any one of claims 1 to 12.
金属箔と、
前記金属箔の少なくとも一方の面に形成されたプライマー層と、
を含む、プライマー層付き金属箔であって、
前記プライマー層が、請求項1乃至12いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物を用いて形成されたものである、プライマー層付き金属箔。
Metal foil,
A primer layer formed on at least one surface of the metal foil;
A metal foil with a primer layer,
A metal foil with a primer layer, wherein the primer layer is formed using the primer layer forming resin composition according to any one of claims 1 to 12.
熱硬化性樹脂、無機充填材および繊維基材を含む絶縁層と、
前記絶縁層の両面又は片面に積層される金属箔と、
前記絶縁層の膜厚よりも膜厚が薄く、前記絶縁層と前記金属箔との間に介在して前記絶縁層と前記金属箔とを密着させるプライマー層と、
を有する金属張積層板であって、
前記プライマー層が、請求項1乃至12いずれか一項に記載のプライマー層形成用樹脂組成物を用いて形成されたものである、金属張積層板。
An insulating layer comprising a thermosetting resin, an inorganic filler and a fiber substrate;
Metal foil laminated on both sides or one side of the insulating layer;
A primer layer having a thickness smaller than the thickness of the insulating layer, and interposing between the insulating layer and the metal foil to adhere the insulating layer and the metal foil,
A metal-clad laminate having
A metal-clad laminate, wherein the primer layer is formed using the resin composition for forming a primer layer according to any one of claims 1 to 12.
請求項15に記載の金属張積層板を回路加工してなるプリント配線基板。   A printed wiring board obtained by processing a circuit on the metal-clad laminate according to claim 15. 請求項16に記載のプリント配線基板に半導体素子を実装してなる半導体パッケージ。   A semiconductor package formed by mounting a semiconductor element on the printed wiring board according to claim 16.
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