JP2018034275A - 電子デバイス、インターポーザ及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明に係る電子デバイスの第1の実施形態の斜視図を示す。本実施形態の電子デバイス10は、図1に示すように、所定の機能を実現するための点線で囲んだ構造体部分11と、構造体部分11を支持するフレーム部分12とよりなる。構造体部分11及びフレーム部分12は、それぞれ半導体微細加工技術等によるMEMS技術を適用して作製された同じ厚さ(例えば1〜100μm程度)の扁平な概略直方体形状で、構造体部分11により所定の機能を実現する極薄機能性素子である電子デバイス10を構成している。ここでは、電子デバイス10は一例として光スキャナ機能を有する構成である。
図8は、本発明に係る電子デバイスの一実施形態の製造方法の各素子工程説明図で、(A1)、(B1)、(C1)及び(D1)は素子の斜視図、(A2)、(B2)、(C2)及び(D2)は素子の断面図を示す。本実施形態の電子デバイスの製造方法は、図1に示した電子デバイス10の製造方法であるが、電子デバイス20も同様の手法にて製造可能である。なお、図8中、図1と同一構成部分には同一符号を付してある。
11、21 構造体部分
12、22 フレーム部分
31 信号処理回路チップ
32、34、36、38、40、42、50 インターポーザ
33 加速度センサ
35 圧力センサ
37 ジャイロセンサ
39 温度センサ
41 湿度センサ
43 光センサ
51 枠
52 ビア
53 空洞(開口部)
61〜63 配線
70、80 フレキシブル基板
71 穴
90 SOI基板
91、91’ シリコン基板
92、92'、92”、94 シリコン酸化膜層
93、93’ 表層シリコン層
95 下部電極層
96 圧電薄膜層
97 上部電極層
99 凹部
101、114a、114b 支持部
111 可動部
112a、112b アクチュエータ
113 開口部
Claims (8)
- 基板上に形成された所望の機能を実現する、厚さ1μm〜100μmの極薄構造体部分と、
前記基板上において前記極薄構造体部分の周囲に形成されて前記極薄構造体部分を支持するとともに、複数のビアが穿設された、前記極薄構造体部分と同じ厚さの極薄フレーム部分と
により、単一の極薄機能性素子を構成することを特徴とする電子デバイス。 - 互いに異なる機能を実現する複数の機能性素子のそれぞれの間にインターポーザを介在して積層された構造であって、
前記複数の機能性素子のそれぞれは、
基板上に形成された所定の機能を実現する、厚さ1μm〜100μmの極薄構造体部分と、
前記基板上において前記極薄構造体部分の周囲に形成されて前記極薄構造体部分を支持するとともに、複数のビアが穿設された、前記極薄構造体部分と同じ厚さの極薄フレーム部分とを備え、
前記複数の機能性素子によるマルチセンシングセンサ端末を構成することを特徴とする電子デバイス。 - 前記極薄構造体部分に対応した面積の開口部である空洞が中心に設けられた枠状体であって、前記極薄フレーム部分に対応した位置の枠部分に複数のビアが所定のピッチで穿設されていることを特徴とする請求項2記載の電子デバイスに用いるインターポーザ。
- 請求項1記載の単一の極薄機能性素子又は請求項2記載のマルチセンシングセンサ端末がフレキシブル基板に搭載された構成であり、
前記極薄機能性素子又は前記マルチセンシングセンサ端末の所定の端子が前記フレキシブル基板の表面に形成された配線膜に電気的に接続されていることを特徴とする電子デバイス。 - 第1の基板上に積層された、前記第1の基板よりも厚さの薄い第2の基板上に、所望の機能を実現する構造体部分と、前記構造体部分の周囲に形成されて前記構造体部分を支持するフレーム部分とを、厚さ1μm〜100μmの範囲内の同じ厚さでMEMS技術を適用して作製するデバイス作製工程と、
前記デバイス作製工程で作製された前記構造体部分及び前記フレーム部分を、前記第1の基板から剥離する剥離工程と
を含み、前記構造体部分と前記フレーム部分とからなる電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記デバイス作製工程は、
前記第2の基板上に前記構造体部分と前記フレーム部分とを作製するとともに、前記構造体部分及び前記フレーム部分のいずれか一方又は両方の端部に接続する小片の支持部を形成する工程と、
前記第2の基板上の前記構造体部分及び前記フレーム部分を架け渡し、かつ、前記支持部の一部でのみ支持された凹部を前記第1の基板に形成する工程とを含み、
前記剥離工程は、前記支持部の一部を破断して前記第2の基板上の前記構造体部分及び前記フレーム部分を前記第1の基板から剥離することを特徴とする請求項5記載の電子デバイスの製造方法。 - 前記剥離工程により前記第1の基板から剥離された前記第2の基板上の前記構造体部分及び前記フレーム部分を、フレキシブル基板上に転写する転写工程を更に含むことを特徴とする請求項5又は6記載の電子デバイスの製造方法。
- それぞれが基板上に形成された所定の機能を実現する厚さ1μm〜100μmの極薄構造体部分と、前記基板上において前記極薄構造体部分の周囲に形成されて前記極薄構造体部分を支持するとともに、複数のビアが穿設された、前記極薄構造体部分と同じ厚さの極薄フレーム部分とからなり、かつ、互いに異なる種類の機能を実現する複数の機能性素子のそれぞれの間に、前記極薄構造体部分に対応した面積の開口部である空洞が中心に設けられ、かつ、前記極薄フレーム部分に対応した位置の枠部分に複数のビアが所定のピッチで穿設されている枠状体のインターポーザを介在させて積層し、かつ、前記インターポーザのビア及び前記フレーム部分のビアを通して配線してマルチセンシングセンサ端末を作製するマルチセンングサンサ端末作製工程と、
前記マルチセンシングセンサ端末の最下層の前記機能性素子をフレキシブル基板上に接着させて搭載するとともに、前記マルチセンシングセンサ端末の所定の端子を前記フレキシブル基板の表面に形成された所定の配線膜に電気的に接続して電子デバイスを製造する工程と
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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US6142358A (en) * | 1997-05-31 | 2000-11-07 | The Regents Of The University Of California | Wafer-to-wafer transfer of microstructures using break-away tethers |
JP2007313594A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Omron Corp | 積層デバイス、およびその製造方法 |
JP2010199266A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Seiko Epson Corp | 電子部品と可撓性基板との電気的接続の検査方法 |
WO2015103688A1 (en) * | 2014-01-09 | 2015-07-16 | Motion Engine Inc. | Integrated mems system |
JP2016039343A (ja) * | 2014-08-11 | 2016-03-22 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子デバイス及びその製造方法 |
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
US6142358A (en) * | 1997-05-31 | 2000-11-07 | The Regents Of The University Of California | Wafer-to-wafer transfer of microstructures using break-away tethers |
JP2007313594A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Omron Corp | 積層デバイス、およびその製造方法 |
JP2010199266A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Seiko Epson Corp | 電子部品と可撓性基板との電気的接続の検査方法 |
WO2015103688A1 (en) * | 2014-01-09 | 2015-07-16 | Motion Engine Inc. | Integrated mems system |
JP2017505721A (ja) * | 2014-01-09 | 2017-02-23 | モーション・エンジン・インコーポレーテッド | 集積memsシステム |
JP2016039343A (ja) * | 2014-08-11 | 2016-03-22 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子デバイス及びその製造方法 |
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