JP2018016838A - 微細構造体の作製方法および装置 - Google Patents
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- 原料ガスを供給した状態で集束イオンビームを照射して堆積物を堆積する集束イオンビーム化学気相成長法により前記集束イオンビームの照射位置および照射時間を制御して前記堆積物による微細構造体を作製する微細構造体の作製方法において、
目的の原料ガスを用いた集束イオンビーム化学気相成長法により、設定された同一の基準層厚で各々異なる層数とした複数の試験微細構造体を形成する第1ステップと、
複数の前記試験微細構造体毎に形成に要した時間と形成高さとから、複数の前記試験微細構造体毎に堆積速度を求める第2ステップと、
複数の前記試験微細構造体毎の堆積速度と層数Nとの関係から層数N毎の補正関数K(N)を求める第3ステップと、
目的の微細構造体の設計形状を前記基準層厚で除して設計層数を求める第4ステップと、
求めた前記設計層数で分割した前記設計形状の層毎に、基板の側からの層位置を前記層数に対応させたNとして、前記補正関数K(N)を設定された集束イオンビームの最大照射時間に乗じた補正照射時間を対応させることで、集束イオンビーム化学気相成長法により前記目的の微細構造体を作製する第5ステップと
を備えることを特徴とする微細構造体の作製方法。 - FIB−CVD装置と、
前記FIB−CVD装置を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
目的の微細構造体の設計形状のデータをもとに前記FIB−CVD装置における集束イオンビームの照射位置を制御する照射位置制御部と、
目的の微細構造体の設計形状のデータをもとに前記FIB−CVD装置における集束イオンビームの照射時間を制御する照射時間制御部と
を備え、
前記照射時間制御部は、目的の微細構造体の設計形状を設定されている基準層厚で除して求めた設計層数で分割した前記設計形状の層毎に、基板の側からの層位置を前記層数に対応させたNとして、設定されている補正関数K(N)を設定された集束イオンビームの最大照射時間に乗じた補正照射時間を用いて集束イオンビームの照射時間を制御する
ことを特徴とする微細構造体の作製装置。
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JP2016147155A JP2018016838A (ja) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 微細構造体の作製方法および装置 |
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JP2004209626A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-07-29 | Seiko Instruments Inc | 3次元微細構造体作製方法および作製装置 |
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Patent Citations (1)
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