JP2018016663A - 異方導電性組成物、異方導電膜、電子部品、及び異方導電膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】柔軟性を有すると共に低温硬化可能な異方導電性組成物、異方導電膜、電子部品、及び異方導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】異方導電性組成物は、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体と、（Ｂ）球状導電性フィラーとを含有し、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体に対する（Ｂ）球状導電性フィラーの配合割合が体積比で１０％以上２０％以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、異方導電性組成物、異方導電膜、電子部品、及び異方導電膜の製造方法に関する。特に、本発明は、柔軟性を有し、低温硬化可能である異方導電性組成物、異方導電膜、電子部品、及び異方導電膜の製造方法に関する。

従来、（１）重量平均分子量が８０００〜４００００のエポキシ樹脂、（２）重量平均分子量が４５０００〜６５０００のフェノキシ樹脂、（３）ポリビニルブチラール樹脂、（４）イミダゾール化合物が封入されたマイクロカプセル、（５）導電性粒子、及び（６）溶剤を含む異方導電性組成物が知られている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に記載の異方導電性組成物によれば、耐熱性に優れた接着層を被着体の微細領域に簡便に形成できる液状の異方導電性組成物を提供できる。

特開２０１０−２４３８４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の異方導電性組成物は、エポキシ樹脂を含有していることから硬化物が硬く、柔軟性を有さない。また、特許文献１に記載の異方導電性組成物を硬化させる場合、１７０℃程度以上の高温下での処理を要し、低温で硬化させることができない。

したがって、本発明の目的は、柔軟性を有すると共に低温硬化可能な異方導電性組成物、異方導電膜、電子部品、及び異方導電膜の製造方法を提供することにある。

本発明は、上記目的を達成するため、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体と、（Ｂ）球状導電性フィラーとを含有し、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体に対する（Ｂ）球状導電性フィラーの配合割合が体積比で１０％以上２０％以下である異方導電性組成物が提供される。

また、上記異方導電性組成物において、（Ｂ）球状導電性フィラーが、銀フィラーであってもよい。

また、上記異方導電性組成物において、（Ｃ）硬化触媒を更に含有することが好ましい。

また、本発明は、上記目的を達成するため、上記のいずれか１つに記載の異方導電性組成物の硬化物を用いて構成される異方導電膜が提供される。

また、本発明は、上記目的を達成するため、上記のいずれか１つに記載の異方導電性組成物の硬化物を有する電子部品が提供される。

また、本発明は、上記目的を達成するため、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体と、（Ｂ）球状導電性フィラーとを含有し、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体に対する（Ｂ）球状導電性フィラーの配合割合が体積比で１０％以上２０％以下である異方導電性組成物を薄膜状にする薄膜化工程と、異方導電性組成物を硬化する硬化工程とを備え、薄膜状の異方導電性組成物の硬化物が、厚さ方向に導通する領域と厚さ方向に導通しない領域とを含む異方導電膜の製造方法が提供される。

本発明に係る異方導電性組成物、異方導電膜、電子部品、及び異方導電膜の製造方法によれば、柔軟性を有すると共に低温硬化可能な異方導電性組成物、異方導電膜、電子部品、及び異方導電膜の製造方法を提供できる。

異方導電膜の模式図である。 電子部品の製造に異方導電性組成物を用いる例を示す図である。 実施例に用いたフラットケーブルの構造の模式図である。

＜異方導電性組成物、及び異方導電膜＞
本発明に係る異方導電性組成物は、エポキシ樹脂等に比べて柔らかく、エポキシ樹脂等より低温で硬化すると共に所定形状の導電性フィラーを所定の割合で含有する組成物である。そして、異方導電性組成物は、薄膜状、若しくは平板状にして硬化させた場合に、厚さ方向に導通する領域と、厚さ方向に導通しない領域とを含む構造になる。すなわち、異方導電性組成物の硬化物により、厚さ方向に導電性を有する一方で、平面方向には導電性を実質的に有さない異方導電膜が形成される。

図１は、異方導電膜の模式的な概要を示す。すなわち、図１（ａ）は、異方導電膜１の模式的な斜視図の一例であり、図１（ｂ）は、異方導電膜１の模式的な断面の一例を示す。

まず、本発明に係る異方導電性組成物を薄膜状にして硬化させて得られる硬化物が、異方導電膜１になる。この場合、異方導電膜１は、厚さ方向３に導通する一方で、平面方向（厚さ方向３に垂直な方向）には導通しない。これは、異方導電性組成物を薄膜状にした場合、図１（ｂ）に模式的に示すように、架橋性ケイ素基含有有機重合体から主として形成される架橋性ケイ素基含有有機重合体層１０中において、複数の導電性フィラー２０が厚さ方向に電気的に互いに接続する一方で、平面方向には導電性フィラー２０同士が接触しない領域が形成されることに起因する。

異方導電膜１の厚さ方向にのみ導電性を発揮させる観点から、導電性フィラー２０の形状はフレーク状や平板状ではなく、実質的に球状であることを要する。導電性フィラー２０の形状がフレーク状や平板状である場合、異方導電性組成物を薄膜状や平板状にした場合、膜の平面方向に沿って複数の導電性フィラーが互いに電気的に接続する確率が高まるためである。したがって、本発明に係る導電性フィラーは、実質的に球状であることを要する。そして、架橋性ケイ素基含有有機重合体に対する導電性フィラーの配合割合は、異方導電性組成物を薄膜状、若しくは平板状にした場合に、平面方向において複数の導電性フィラー同士が実質的に互いに電気的に接続しない範囲で調整される。

具体的に、異方導電性組成物は、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体と、（Ｂ）球状導電性フィラーとを含有する。（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体に対する（Ｂ）球状導電性フィラーの配合割合は、体積比で１０％以上２０％以下である。また、異方導電性組成物は、（Ｃ）硬化触媒を更に含有することが好ましい。

［（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体］
（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体としては、架橋性ケイ素基を有する有機重合体であれば特に制限はない。

（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体の主鎖骨格としては、具体的には、ポリオキシプロピレン、ポリオキシテトラメチレン、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン共重合体等のポリオキシアルキレン系重合体；エチレン−プロピレン系共重合体、ポリイソブチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、これらのポリオレフィン系重合体に水素添加して得られる水添ポリオレフィン系重合体等の炭化水素系重合体；アジピン酸等の２塩基酸とグリコールとの縮合、又は、ラクトン類の開環重合で得られるポリエステル系重合体；エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等のモノマーをラジカル重合して得られる（メタ）アクリル酸エステル系重合体；（メタ）アクリル酸エステル系モノマー、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等のモノマーをラジカル重合して得られるビニル系重合体；有機重合体中でのビニルモノマーを重合して得られるグラフト重合体；ポリサルファイド系重合体；ポリアミド系重合体；ポリカーボネート系重合体；ジアリルフタレート系重合体、ウレタン結合を有する重合体等が挙げられる。これらの骨格は、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体の中に単独で含まれていても、２種類以上がブロック若しくはランダムに含まれていてもよい。

更に、ポリイソブチレン、水添ポリイソプレン、水添ポリブタジエン等の飽和炭化水素系重合体や、ポリオキシアルキレン系重合体、（メタ）アクリル酸エステル系重合体は比較的ガラス転移温度が低く、得られる硬化物が耐寒性に優れることから好ましい。また、ポリオキシアルキレン系重合体、及び（メタ）アクリル酸エステル系重合体は、透湿性が高く１液型組成物にした場合に深部硬化性に優れることから特に好ましい。

（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体の架橋性ケイ素基は、ケイ素原子に結合した水酸基又は加水分解性基を有し、シロキサン結合を形成することにより架橋しうる基である。架橋性ケイ素基としては、例えば、一般式（１）で示される基が好適である。

式（１）中、Ｒ^１は、炭素数が１〜２０の炭化水素基、炭素数が１〜２０のアルキル基、炭素数が３〜２０のシクロアルキル基、炭素数が６〜２０のアリール基、炭素数が７〜２０のアラルキル基、Ｒ^１ _３ＳｉＯ−（Ｒ^１は、前記と同じ）で示されるトリオルガノシロキシ基、若しくは−ＣＨ_２ＯＲ^１基（Ｒ^１は、前記と同じ）である。また、Ｒ^１は、１位から３位の炭素原子上の少なくとも１個の水素原子が、ハロゲン、−ＯＲ^２、−ＮＲ^３Ｒ^４、−Ｎ＝Ｒ^５、−ＳＲ^６（Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^６はそれぞれ水素原子、又は炭素数が１〜２０の置換基を有するか若しくは置換基を有さない炭化水素基、Ｒ^５は炭素数が１〜２０の２価の置換基を有するか若しくは置換基を有さない炭化水素基である。）、炭素数が１〜２０のペルフルオロアルキル基、若しくはシアノ基で置換された炭素数が１〜２０の炭化水素基を示す。これらの中でＲ^１は、メチル基が好ましい。Ｒ^１が２個以上存在する場合、複数のＲ^１は同一であっても、異なっていてもよい。Ｘは水酸基、又は加水分解性基を示し、Ｘが２個以上存在する場合、複数のＸは同一であっても、異なっていてもよい。ａは０、１、２又は３の整数のいずれかである。硬化性を考慮し、十分な硬化速度を有する硬化性組成物を得るためには、式（１）においてａは２以上が好ましく、３がより好ましい。

加水分解性基や水酸基は１個のケイ素原子に１〜３個の範囲で結合することができる。加水分解性基や水酸基が架橋性ケイ素基中に２個以上結合する場合には、それらは同一であっても、異なっていてもよい。架橋性ケイ素基を形成するケイ素原子は１個でもよく、２個以上であってもよいが、シロキサン結合等により連結されたケイ素原子の場合には、２０個程度あってもよい。

Ｘで示される加水分解性基としては、Ｆ原子以外であれば特に限定されない。例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ケトキシメート基、アミノ基、アミド基、酸アミド基、アミノオキシ基、メルカプト基、アルケニルオキシ基等が挙げられる。これらの中では、水素原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、ケトキシメート基、アミノ基、アミド基、アミノオキシ基、メルカプト基、及びアルケニルオキシ基が好ましく、アルコキシ基、アミド基、アミノオキシ基が更に好ましい。加水分解性が穏やかで取扱いやすいという観点からアルコキシ基が特に好ましい。アルコキシ基の中では炭素数の少ないものの方が反応性が高く、メトキシ基＞エトキシ基＞プロポキシ基の順のように炭素数が多くなるほどに反応性が低くなる。目的や用途に応じて選択できるが通常メトキシ基やエトキシ基が使用される。

架橋性ケイ素基の具体的な構造としては、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基等のトリアルコキシシリル基［−Ｓｉ（ＯＲ）_３］、メチルジメトキシシリル基、メチルジエトキシシリル基等のジアルコキシシリル基［−ＳｉＲ^１（ＯＲ）_２］が挙げられ、トリアルコキシシリル基［−Ｓｉ（ＯＲ）_３］が反応性が高い点で好適であり、トリメトキシシリル基がより好適である。ここでＲはメチル基やエチル基等のアルキル基である。

また、架橋性ケイ素基は１種で用いてもよく、２種以上併用してもよい。架橋性ケイ素基は、主鎖又は側鎖若しくはいずれにも存在しうる。また、複数の一般式（１）で示される架橋性ケイ素基が互いに連結していてもよい。この場合、架橋性ケイ素基を形成するケイ素原子は１個以上であるが、シロキサン結合等により連結されたケイ素原子の場合には、ケイ素原子は２０個以下であることが好ましい。

架橋性ケイ素基含有有機重合体は直鎖状、又は分岐を有してもよく、その数平均分子量はＧＰＣにおけるポリスチレン換算において５００以上１００，０００以下程度、より好ましくは１，０００以上５０，０００以下であり、特に好ましくは３，０００以上３０，０００以下である。硬化物の伸び特性を十分に確保する観点から数平均分子量は５００以上が好ましく、作業性のし易さを確保できる粘度にする観点から数平均分子量は１００，０００以下が好ましい。

これらの架橋性ケイ素基含有有機重合体は、単独で用いても、２種以上併用してもよい。具体的には、架橋性ケイ素基を有するポリオキシアルキレン系重合体、架橋性ケイ素基を有する飽和炭化水素系重合体、及び架橋性ケイ素基を有する（メタ）アクリル酸エステル系重合体からなる群から選択される２種以上をブレンドした有機重合体を用いることができる。

［（Ｂ）球状導電性フィラー］
導電性フィラーとしては、炭素粒子、又は銀、銅、ニッケル、金、スズ、亜鉛、白金、パラジウム、鉄、タングステン、モリブデン、はんだ等の金属粒子若しくは合金粒子、又はこれらの粒子表面を金属等の導電性コーティングで覆って調製した粒子等の導電性粒子を用いることができる。また、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、若しくはベンゾグアナミン樹脂から構成される非導電性粒子であるポリマー粒子、又はガラスビーズ、シリカ、黒鉛、若しくはセラミックから構成される無機粒子の表面に金属等の導電性コーティングを施して得られる導電性粒子を用いることもできる。導電性フィラーとしては、銀を含んで構成された導電性フィラー、若しくは銀フィラーを用いることが好ましい。

導電性フィラーの形状は、球状である。また、導電性フィラーの大きさは、５０％平均粒子径で１μｍ以上２０μｍ以下程度である。なお、異方導電膜を狭ピッチの端子を有する電子部品等に適用する場合、平均粒子径が小さな導電性フィラーを用いることが好ましい。

また、導電性フィラーとして銀を用いる場合、この導電性フィラーは様々な方法により製造できる。例えば、球状の銀粉を導電性フィラーとして用いる場合、電解法、粉砕法、熱処理法、アトマイズ法、又は還元法等により製造できる。

（Ｂ）球状導電性フィラーは、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体に対し、体積比で１０％以上２０％以下の範囲で配合される。（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体に対し、（Ｂ）球状導電性フィラーの配合量が少なすぎると導電性が不十分となり、多すぎると異方性を示しづらくなる場合がある。

［（Ｃ）硬化触媒］
（Ｃ）硬化触媒としては、例えば、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫オキサイドとシリケート化合物との反応物、ジブチル錫オキサイドとフタル酸エステルとの反応物等の有機錫化合物；カルボン酸錫、カルボン酸ビスマス、カルボン酸鉄等のカルボン酸金属塩；脂肪族アミン類、芳香族アミン類；バーサチック酸等のカルボン酸；ジイソプロポキシチタンビス（エチルアセトセテート）等のチタン化合物、アルミニウム化合物類等のアルコキシ金属；無機酸；三フッ化ホウ素エチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素錯体；アルミニウムモノアセチルアセトネートビス（エチルアセトアセテート）等の金属キレート化合物等を用いることもできる。これらの中では有機錫化合物が好ましい。

（Ｃ）硬化触媒は、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体の１００質量部に対して、０．１質量部以上２０質量部以下の範囲で用いることが好ましい。

［その他の添加剤］
本発明に係る異方導電性組成物には、必要に応じ、若しくは本発明に係る異方導電性組成物の効果を阻害しない範囲で、（Ｂ）成分以外の導電性フィラー、増量剤、可塑剤、水分吸収剤、硬化触媒、引張特性等を改善する物性調整剤、補強剤、着色剤、難燃剤、タレ防止剤、酸化防止剤、希釈剤、水分吸収剤、接着性付与剤、老化防止剤、紫外線吸収剤、溶剤、香料、顔料、染料、樹脂フィラー等の各種添加剤を加えてもよい。

本発明に係る組成物には、発明の効果を害さない範囲で（Ｂ）成分以外の導電性フィラーを更に添加しても良いが、異方導電性を示さなくなる可能性があるため、添加しないことが好ましい。添加する場合には、（Ａ）成分に対する配合割合が、体積比で５％以下が好ましく、２％以下がより好ましい。

＜異方導電膜の製造方法＞
異方導電膜は、本発明に係る異方導電性組成物を膜状にし、硬化させることで形成される。すなわち、異方導電膜は、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体と、（Ｂ）球状導電性フィラーとを含有し、（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体に対する（Ｂ）球状導電性フィラーの配合割合が体積比で１０％以上２０％以下である異方導電性組成物を薄膜状にし（薄膜化工程）、薄膜化工程で得られる異方導電性組成物を硬化（硬化工程）して製造される。硬化工程においては、室温で硬化させることもできるが、硬化速度を向上させる観点から加熱工程を設けてもよい。加熱工程における加熱温度は、特に制限はないが、基材の損傷を防ぐため、例えば、８０℃程度以下の温度が好ましい。そして、上記のとおり、薄膜状の異方導電性組成物の硬化物は、厚さ方向に導通する領域と厚さ方向に導通しない領域とを含んで形成される。

＜電子部品＞
本発明に係る異方導電性組成物の硬化物は、フラットケーブル同士の接続、メンブレンスイッチ等の電子部品の構成に用いることができる。例えば、一の電子部材の複数の端子のそれぞれと他の電子部材の複数の端子のそれぞれとを接続する場合に異方導電性組成物を用いることができる。

図２は、電子部品の製造に異方導電性組成物を用いる例を示す。具体的に図２は、電子部材としての第１のフラットケーブル３０と、電子部材としての第２のフラットケーブル３２とを電気的に接続させる例を示す。

第１のフラットケーブル３０は、絶縁基材６０上に略直線状の複数の配線部（例えば、配線部４０ａ、配線部４０ｂ、配線部４０ｃ、及び配線部４０ｄ）が予め定められた間隔をおいて平行に配列されており、複数の配線部の端部がそれぞれ外部に露出している。また、第２のフラットケーブル３２は、絶縁基材６２上に略直線状の複数の配線部（例えば、配線部４２ａ、配線部４２ｂ、配線部４２ｃ、及び配線部４２ｄ）が予め定められた間隔をおいて平行に配列されており、複数の配線部の端部がそれぞれ外部に露出している。

第１のフラットケーブル３０と第２のフラットケーブル３２とを電気的に接続させる場合、第１のフラットケーブル３０の複数の配線部の端部それぞれを、これら各配線部に対応する第２のフラットケーブルの複数の配線部の端部のそれぞれに電気的に接続させた状態で固定することを要する。すなわち、配線部４０ａと配線部４２ａとが電気的に接続され、配線部４０ｂと配線部４２ｂと電気的に接続され、配線部４０ｃと配線部４２ｃと電気的に接続され、配線部４０ｄと配線部４２ｄと電気的に接続され、その他の組合わせでは電気的に絶縁されることが要求される。

この場合において、配線部４０ａ乃至配線部４０ｄ、及び／又は配線部４２ａ乃至配線部４２ｄの露出している端部に、異方導電性組成物５０を塗布する。例えば、第１のフラットケーブル３０の配線部４０ａ乃至配線部４０ｄの露出している端部に異方導電性組成物５０を塗布する。次に、異方導電性組成物５０を塗布した領域に第２のフラットケーブル３２の配線部４２ａ乃至配線部４２ｄの露出している端部を接触させ、第１のフラットケーブル３０と第２のフラットケーブル３２とを貼り合せる。この場合において、異方導電性組成物５０は、薄膜状に変形される。そして、薄膜状にされた異方導電性組成物５０を硬化させることで異方導電性組成物５０の硬化物５２が形成され、第１のフラットケーブル３０と第２のフラットケーブル３２とが固定される。

異方導電性組成物５０が薄膜状になることで図１（ｂ）に模式的に示したように、異方導電性組成物５０の硬化物５２内では、複数の導電性フィラー２０が膜厚方向（硬化物５２の厚さ方向）に連なることで膜厚方向の導電性が確保される一方で、平面方向においては複数の導電性フィラー２０同士が実質的に接触しないので、平面方向での絶縁性が確保される。したがって、図２（ｂ）に示すように、例えば、第１のフラットケーブル３０の配線部４０ａと第２のフラットケーブル３２の配線部４２ａとが電気的に接続される一方で、第１のフラットケーブル３０の配線部４０ｂと第２のフラットケーブル３２の配線部４２ｂを除く他の配線部（例えば、配線部４２ａや配線部４２ｃ等）とは、実質的に電気的に絶縁されることになる。

（実施の形態の効果）
本発明に係る異方導電性組成物は、架橋性ケイ素基含有有機重合体を用いているので、硬化物がエポキシ樹脂等に比べて柔らかく、また、異方導電性組成物を比較的低温で硬化させることができる。そして、異方導電性組成物は、架橋性ケイ素基含有有機重合体に球状導電性フィラーを用いるとともに、球状導電性フィラーを所定の体積比で含有させ、数μｍ〜数百μｍ程度の厚さ（例えば、５０μｍ〜１００μｍ程度）にすることで、硬化物の導電性に異方性を容易に発揮させることができる。

以下、実施例を用いて詳細に説明する。なお、これらの実施例は例示であり、限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。

１）数平均分子量の測定
数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により下記条件で測定した。本発明において、当該測定条件でＧＰＣにより測定し、標準ポリエチレングリコールで換算した最大頻度の分子量を数平均分子量と称する。
・分析装置：Ａｌｌｉａｎｃｅ（Ｗａｔｅｒｓ社製）、２４１０型示差屈折検出器（Ｗａｔｅｒｓ社製）、９９６型多波長検出器（Ｗａｔｅｒｓ社製）、Ｍｉｌｌｅｎｉａｍデータ処理装置（Ｗａｔｅｒｓ社製）
・カラム：Ｐｌｇｅｌ ＧＵＡＲＤ＋５μｍＭｉｘｅｄ−Ｃ×３本（５０×７．５ｍｍ，３００×７．５ｍｍ：ＰｏｌｙｍｅｒＬａｂ社製）
・流速：１ｍＬ／分
・換算したポリマー：ポリエチレングリコール
・測定温度：４０℃
・ＧＰＣ測定時の溶媒：ＴＨＦ

２）ＮＭＲ及びＩＲの測定
ＮＭＲ及びＩＲの測定は、下記測定装置を用いて実施した。
ＦＴ−ＮＭＲ測定装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＣＡ５００（５００ＭＨｚ）
ＦＴ−ＩＲ測定装置：日本分光（株）製ＦＴ−ＩＲ４６０Ｐｌｕｓ

（合成例１）トリメトキシシリル基を有する（メタ）アクリル系重合体Ａ１の合成
メチルメタクリレート７０．００ｇ、２−エチルヘキシルメタクリレート３０．００ｇ、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１２．００ｇ、金属触媒としてのチタノセンジクライド０．１０ｇ、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン８．６０ｇ、重合停止剤としてのベンゾキノン溶液（９５％ＴＨＦ溶液）２０．００ｇを用いて、ＷＯ２０１５−０８８０２１の合成例４の方法に準じ、トリメトキシシリル基を有する（メタ）アクリル系重合体Ａ１を得た。（メタ）アクリル系重合体Ａ１のピークトップ分子量は４，０００、分子量分布は２．４であった。^１Ｈ−ＮＭＲ測定により含有されるトリメトキシシリル基は１分子あたり２．００個であった。

（実施例１）
表１に示す配合割合にて、各配合物質をそれぞれ添加し、混合撹拌して異方導電性組成物を調製した。

表１において、各配合物質の配合量の単位は「ｇ」である。また、配合物質の詳細は下記の通りである。
［（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体］
・シリル化ウレタン（製品名：ＳＰＵＲ^＋１０５０ＭＭ、モメンティブ社製）
・アクリル骨格変成シリコーン（合成例１で得たトリメトキシシリル基を有する（メタ）アクリル系重合体Ａ１）
［（Ｂ）球状導電性フィラー］
・球状導電性フィラー（製品名：シルコートＡｇＣ−１０３、福田金属箔粉工業社製）
・球状導電性フィラー（製品名：シルコートＡｇＣ−１０４Ｗ、福田金属箔粉工業社製）
［（Ｂ’）導電性フィラー］
・球状でない導電性フィラー（フレーク状導電性フィラー、製品名：シルコートＡｇＣ−Ｂ、福田金属箔粉工業社製）
［（Ｃ）硬化触媒］
・硬化触媒（製品名：ネオスタンＵ−８３０、日東化成社製）
［その他の添加物］
・酸化防止剤（製品名：イルガノックス２４５、ＢＡＳＦ社製）
・タレ防止剤（フュームドシリカ、製品名：アエロジルＲ９７２、日本アエロジル社製）
・希釈剤（製品名：カクタスノルマルパラフィンＮ−１１、ＪＸ日鉱日石エネルギー社製）
・水分吸収剤（製品名：シリコーンＫＢＭ−１００３、信越シリコーン社製）
・接着性付与剤（アミノシラン、製品名：シリコーンＫＢＭ−９０３、信越シリコーン社製）
・接着性付与剤（アミノシラン、製品名：Ｓｉｌｑｕｅｓｔ ＶＸ−２２５、モメンティブ社製）

次に、フラットケーブル（ＡＷＭ２０７０６ＶＷ−１、ＷＵＲＴＨ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＫ社製）を一組準備した。

図３は、実施例に用いたフラットケーブルの構造を模式的に示す。図３（ａ）は、フラットケーブルの模式的な平面図であり、図３（ｂ）は、一組のフラットケーブルが互いに接続された模式的な例を示す。

フラットケーブル３５は、平面視にて帯状の絶縁基材６０ｂと、絶縁基材６０ｂ上に予め定められたピッチで互いに平行に配列される複数の略直線状の導体（例えば、導体４４ａ乃至導体４４ｆ。なお、図３においては説明を簡略化するため、導体の本数を製品の本数より減らして図示している。）と、絶縁基材６０ｂの複数の導体が設けられている面側に設けられる平面視にて帯状の絶縁基材６０ａとを有する。ここで、絶縁基材６０ｂの一方の端部から長手方向内側に所定の長さだけ絶縁基材６０ａが除去されており、複数の導体が外部に露出する露出領域８０が形成されている（例えば、図３（ａ）の下側に示すＡ−Ａ断面図参照。）。同様に、絶縁基材６０ｂの他方の端部側において、絶縁基材６０ａの端部から長手方向内側に所定の長さだけ絶縁基材６０ｂが除去されており、絶縁基材６０ａの複数の導体が接している面側に、複数の導体が外部に露出する露出領域８２が形成されている。

なお、フラットケーブル３５は、露出領域８０の反対側の面であって、一方の端部から長手方向内側に向けて所定の長さを有する補強部７０と、露出領域８２の反対側の面であって、他方の端部から長手方向内側に向けて所定の長さを有する補強部７２とを有する。補強部７０及び補強部７２はそれぞれ、フラットケーブル３５の長手方向において、露出領域８０及び露出領域８２よりも長い長さを有して形成される。なお、複数の導体の幅は各々１ｍｍであり、導体間の距離（ピッチ）は０．２ｍｍである。

そして、実施例１に係る異方導電性組成物を一方のフラットケーブル３５の露出領域８０の略全面に塗布した。続いて、一方のフラットケーブル３５の露出領域８０に塗布した異方導電性組成物上に、他方のフラットケーブル３５の露出領域８２を重ね合せた。この場合において、一方のフラットケーブル３５の複数の導体の端部のそれぞれと他方のフラットケーブル３５の複数の導体の端部のそれぞれとが平面視にて重なる位置で重ね合せた。すなわち、図３（ｂ）に示すように、一方のフラットケーブル３５の導体４４ａの端部と他方のフラットケーブル３５の導体４４ａの端部とが重なるように（他の導体においても同様である）、一方のフラットケーブルの露出領域８０と他方のフラットケーブル３５の露出領域８２とを重ね合せた。

一方のフラットケーブル３５の露出領域８０と他方のフラットケーブル３５の露出領域８２とを重ね合せた状態で所定の圧力を加えて異方導電性組成物を薄膜状にし、２３℃５０％ＲＨの環境下で２４時間養生し、異方導電性組成物を硬化させた。これにより、一方のフラットケーブル３５の露出領域８０と他方のフラットケーブル３５の露出領域８２との間の異方導電性組成物が硬化して硬化物５２になり、一方のフラットケーブル３５に他方のフラットケーブル３５が接続された（図３（ｂ）参照。）。

（接続抵抗、及び異方性の評価）
図３（ｂ）に模式的に示すように、一組のフラットケーブルが互いに接続された状態で、一方のフラットケーブル３５の外部に露出している導体４４ａと、他方のフラットケーブル３５の外部に露出している導体４４ａとの間の接続抵抗をデジタルマルチメーターＫＥＷ １０５２（共立電気計器株式会社製）を用いて計測した。また、一方のフラットケーブル３５の外部に露出している導体４４ａと、他方のフラットケーブル３５の外部に露出している導体４４ｂ（すなわち、一方のフラットケーブル３５の一の導体に対応していない他方のフラットケーブルの導体）との間の接続抵抗も同様に測定した。

接続抵抗を計測できた場合であって、一方のフラットケーブル３５の導体４４ａと、当該導体４４ａに対応する他方のフラットケーブル３５の導体４４ａとの間が電気的に接続されている場合を「○」、一方のフラットケーブル３５の導体４４ａと当該導体４４ａに対応しない他方のフラットケーブルの導体４４ｂとの間が電気的に接続されている場合を「×」、一方のフラットケーブル３５の導体４４ａと他方のフラットケーブル３５の導体４４ａとの間が絶縁されている場合を「ＮＧ」と評価した。評価結果を表１に示す。

（実施例２〜４、及び比較例１〜４について）
表１に示すように、（Ｂ）成分の材料、及び／又は配合量を変更した点を除き実施例１と同様の方法で異方導電性組成物を得た後、得られた異方導電性組成物の特性を実施例１と同様に評価した。その結果を表１に示す。

表１を参照すると分かるように、実施例においてはいずれも、異方導電性組成物が適切な異方性を示すことが示された。すなわち、実施例においては、異方導電性組成物の硬化物５２の厚さ方向にのみ実質的に導通し、平面方向には実質的に導通しないことが示された。一方、比較例１においては、一方のフラットケーブル３５の導体４４ａと他方のフラットケーブル３５の導体４４ａとの間が絶縁されており、比較例２〜４においてはいずれも、一方のフラットケーブル３５の導体４４ａと他方のフラットケーブル３５の導体４４ｂとの間に電流が流れ、異方性を示さなかった（すなわち、硬化物５２の平面方向に電流が流れることが示された。）。

以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組み合わせの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点、及び本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が可能である点に留意すべきである。

１ 異方導電膜
３ 厚さ方向
１０ 架橋性ケイ素基含有有機重合体層
２０ 導電性フィラー
３０ 第１のフラットケーブル
３２ 第２のフラットケーブル
３５ フラットケーブル
４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ 配線部
４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ 配線部
４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄ、４４ｅ、４４ｆ 導体
５０ 異方導電性組成物
５２ 硬化物
６０、６０ａ、６０ｂ 絶縁基材
６２ 絶縁基材
７０、７２ 補強部
８０、８２ 露出領域

Claims (6)

1. （Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体と、
   （Ｂ）球状導電性フィラーと
   を含有し、
   前記（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体に対する前記（Ｂ）球状導電性フィラーの配合割合が体積比で１０％以上２０％以下である異方導電性組成物。
2. 前記（Ｂ）球状導電性フィラーが、銀フィラーである請求項１に記載の異方導電性組成物。
3. （Ｃ）硬化触媒を更に含有する請求項１又は２に記載の異方導電性組成物。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方導電性組成物の硬化物を用いて構成される異方導電膜。
5. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方導電性組成物の硬化物を有する電子部品。
6. （Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体と、（Ｂ）球状導電性フィラーとを含有し、前記（Ａ）架橋性ケイ素基含有有機重合体に対する前記（Ｂ）球状導電性フィラーの配合割合が体積比で１０％以上２０％以下である異方導電性組成物を薄膜状にする薄膜化工程と、
   前記異方導電性組成物を硬化する硬化工程と、を備え、
   前記薄膜状の前記異方導電性組成物の硬化物が、厚さ方向に導通する領域と前記厚さ方向に導通しない領域とを含む異方導電膜の製造方法。