JP2018014483A - Template for imprint and method of manufacturing template for imprint - Google Patents

Template for imprint and method of manufacturing template for imprint Download PDF

Info

Publication number
JP2018014483A
JP2018014483A JP2017089413A JP2017089413A JP2018014483A JP 2018014483 A JP2018014483 A JP 2018014483A JP 2017089413 A JP2017089413 A JP 2017089413A JP 2017089413 A JP2017089413 A JP 2017089413A JP 2018014483 A JP2018014483 A JP 2018014483A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin layer
material film
concavo
convex structure
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017089413A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6965557B2 (en
Inventor
隆治 長井
Takaharu Nagai
隆治 長井
勝敏 鈴木
Katsutoshi Suzuki
勝敏 鈴木
公二 市村
Koji Ichimura
公二 市村
吉田 幸司
Koji Yoshida
幸司 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Publication of JP2018014483A publication Critical patent/JP2018014483A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6965557B2 publication Critical patent/JP6965557B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a template for imprint satisfying both request of improvement of contrast of alignment mark at the time of alignment, and prevention of light irradiation of unintended region at the time of imprint, and to provide a manufacturing method thereof.SOLUTION: In a template for imprint having a mesa structure 20 on the principal surface of a light-transmitting base material 10, and having a first uneven structure 21 composing a transfer pattern, and a second uneven structure 22 composing an alignment mark on the upper surface of the mesa structure, a second material film 32 composed of a second material having a refractive index different from that of the first material, and formed on the bottom surface of the recess in the second uneven structure, and on the principal surface 11 of the base material on the outer periphery of the mesa structure.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、微細な転写パターンを被転写基板上に形成された樹脂に転写するナノインプリントリソグラフィに用いられるインプリント用テンプレート、及び、該インプリント用テンプレートの製造方法に関するものである。   The present invention relates to an imprint template used in nanoimprint lithography for transferring a fine transfer pattern onto a resin formed on a substrate to be transferred, and a method for producing the imprint template.

半導体用デバイス製造等において、微細なパターンを転写形成する技術として、ナノインプリントリソグラフィが知られている。
上記のナノインプリントリソグラフィは、表面に微細な凹凸形状の転写パターンを形成したインプリント用のテンプレート(モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる)を、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成された樹脂に接触させた後に前記樹脂を硬化させて、前記樹脂に前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状(より詳しくは、凹凸反転形状)を転写させる技術である。
このナノインプリントリソグラフィの手法として、加熱により樹脂を硬化させる熱インプリント法と、露光により樹脂を硬化させる光インプリント法がある。高い位置合わせ精度が要求される用途には、加熱による膨張や収縮の影響を受けない光インプリント法が、主に用いられる(例えば、特許文献1、2)。
Nanoimprint lithography is known as a technique for transferring and forming fine patterns in semiconductor device manufacturing and the like.
In the above nanoimprint lithography, an imprint template (also referred to as a mold, stamper, or mold) having a fine uneven transfer pattern formed on its surface is applied to a resin formed on a substrate to be transferred such as a semiconductor wafer. In this technique, the resin is cured after being contacted, and the uneven shape of the transfer pattern of the template (more specifically, the uneven inverted shape) is transferred to the resin.
As a technique of this nanoimprint lithography, there are a thermal imprint method in which a resin is cured by heating and a photoimprint method in which the resin is cured by exposure. For applications that require high alignment accuracy, an optical imprint method that is not affected by expansion or contraction due to heating is mainly used (for example, Patent Documents 1 and 2).

上述のようなナノインプリントリソグラフィにより、テンプレートの転写パターンを被転写基板の樹脂に位置精度良く転写するには、テンプレートと被転写基板との位置合わせを精密に行う必要がある。
一般的には、テンプレートに設けられている凹凸構造のアライメントマークと、被転写基板に設けられているアライメントマークとを、インプリント用テンプレート側から光学的に検出することにより位置合わせを行う。
そして、この位置合わせに際し、アライメントマークのコントラストを向上させるために、アライメントマークの凹部内に、高コントラスト材料を形成することが提案されている(例えば、特許文献3)。
In order to transfer the template transfer pattern onto the resin of the transfer substrate with high positional accuracy by nanoimprint lithography as described above, it is necessary to precisely align the template and the transfer substrate.
In general, alignment is performed by optically detecting an alignment mark of a concavo-convex structure provided on a template and an alignment mark provided on a transfer substrate from the imprint template side.
And in this alignment, in order to improve the contrast of an alignment mark, forming high contrast material in the recessed part of an alignment mark is proposed (for example, patent document 3).

また、上記の光インプリント法においては、インプリントに際し、非転写領域の樹脂を、意図せずに硬化させてしまうことを低減、あるいは抑制するために、テンプレートの非パターン部に遮光部材を設けることが提案されている(例えば、特許文献4)。   Further, in the above-described optical imprinting method, in order to reduce or suppress unintentional curing of the resin in the non-transfer area during imprinting, a light shielding member is provided in the non-pattern portion of the template. Has been proposed (for example, Patent Document 4).

特表2004−504718号公報JP-T-2004-504718 特開2002−93748号公報JP 2002-93748 A 特表2013−519236号公報Special table 2013-519236 gazette 特開2007−103924号公報JP 2007-103924 A

しかしながら、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の両方の要求を満たすインプリント用テンプレートは提案されておらず、また、このような2つの要求を満たすテンプレートを製造する方法も提案されていない。   However, no imprint template has been proposed that satisfies both the requirements for improving the contrast of alignment marks during alignment and preventing light irradiation on unintended areas during imprinting. A method for manufacturing a template that satisfies the above has not been proposed.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすインプリント用テンプレート及びその製造方法を提供することを主たる目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an imprint template that satisfies both the requirements of improving the contrast of an alignment mark during alignment and preventing light irradiation to an unintended region during imprinting, and The main purpose is to provide the manufacturing method.

すなわち、本発明は、光透過性の基材部の主面の上にメサ構造を有するインプリント用テンプレートであって、前記メサ構造の上面に、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体と、を有し、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上、及び、前記メサ構造の外周の前記基材部の主面の上に、前記基材部を構成する第1の材料とは屈折率が異なる第2の材料から構成される第2の材料膜が形成されていることを特徴とする、インプリント用テンプレートを提供する。   That is, the present invention is an imprint template having a mesa structure on a main surface of a light-transmitting base material portion, and the first uneven structure constituting a transfer pattern on the upper surface of the mesa structure; A second concavo-convex structure constituting an alignment mark, on the bottom surface of the recess of the second concavo-convex structure, and on the main surface of the base material portion on the outer periphery of the mesa structure An imprint template is provided in which a second material film made of a second material having a refractive index different from that of the first material constituting the base material portion is formed.

また、上記発明においては、前記基材部の主面の上の第2の材料膜が、前記メサ構造と前記主面が接する前記メサ構造の底部外縁から前記基材部の主面の外縁までの領域を覆うように形成されていることが好ましい。   Moreover, in the said invention, the 2nd material film | membrane on the main surface of the said base material part is from the outer edge of the bottom part of the said mesa structure where the said mesa structure and the said main surface contact | connect from the outer edge of the main surface of the said base material part It is preferable that it is formed so as to cover the region.

また、上記発明においては、前記基材部の主面の上の第2の材料膜が、波長365nmでの透過率が10%以下であることが好ましい。   Moreover, in the said invention, it is preferable that the transmittance | permeability in wavelength 365nm is 10% or less as for the 2nd material film | membrane on the main surface of the said base material part.

また、上記発明においては、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成されている前記第2の材料膜と、前記主面の上に形成されている前記第2の材料膜が、同じ膜厚であることが好ましい。   In the above invention, the second material film formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure and the second material film formed on the main surface include: The film thickness is preferably the same.

また、上記発明においては、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成されている前記第2の材料膜の膜厚が、前記主面の上に形成されている前記第2の材料膜の膜厚より薄いことが好ましい。   Moreover, in the said invention, the film thickness of the said 2nd material film formed on the bottom face of the recessed part of the said 2nd uneven structure body is the said 2nd film formed on the said main surface. It is preferable that the thickness is smaller than the thickness of the material film.

また、上記発明においては、前記第1の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離をD1とし、前記第2の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上面までの距離をD2とした場合に、
1≦D2
の関係を満たすものであることが好ましい。
In the aspect described above, the distance from the upper surface of the convex portion of the first uneven structure to the bottom surface of the recess and D 1, on the upper surface of the convex portion of the second concave-convex structures on the bottom surface of the recess the distance to the upper surface of the second material layer in the case of a D 2,
D 1 ≦ D 2
It is preferable that the relationship is satisfied.

また、本発明は、光透過性の基材部の主面の上にメサ構造を有し、前記メサ構造の上面に、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体と、を有する第1のインプリント用テンプレートを準備する工程と、前記メサ構造の最上面の上、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上、および、前記基材部の主面の上に、前記基材部を構成する第1の材料とは屈折率が異なる第2の材料から構成される第2の材料膜を形成する工程と、前記第2の材料膜の上に樹脂層を形成する工程と、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上に形成した前記樹脂層、および、前記基材部の主面の上の前記第2の材料膜の上に形成した前記樹脂層を残存させつつ、前記メサ構造の最上面の上の前記第2の材料膜の上に形成した前記樹脂層、および、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上に形成した前記樹脂層を除去する工程と、前記メサ構造の最上面の上に形成した前記第2の材料膜、および、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜を除去する工程と、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上、および、前記基材部の主面の上の前記第2の材料膜の上に残存させた前記樹脂層を除去する工程と、を順に備えることを特徴とする、インプリント用テンプレートの製造方法を提供する。   Further, the present invention has a mesa structure on the main surface of the light-transmitting base material portion, and forms an alignment mark and a first concavo-convex structure constituting a transfer pattern on the upper surface of the mesa structure. A step of preparing a first imprint template having a second concavo-convex structure, a top surface of the mesa structure, a bottom surface of a recess of the first concavo-convex structure, the second A second material composed of a second material having a refractive index different from that of the first material constituting the base material portion on the bottom surface of the concave portion of the concavo-convex structure and the main surface of the base material portion. Forming a material film on the second material film, forming a resin layer on the second material film, and forming on the second material film on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure. And the resin layer formed on the second material film on the main surface of the base material portion. The resin layer formed on the second material film on the uppermost surface of the mesa structure, and the second material film on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure Removing the resin layer formed thereon, the second material film formed on the top surface of the mesa structure, and the bottom formed on the bottom surface of the recess of the first concavo-convex structure body Removing the second material film; and on the second material film on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure and on the main surface of the base material portion. And a step of removing the resin layer left on the material film in order. A method for manufacturing an imprint template is provided.

また、上記発明においては、前記第2の材料膜の上に樹脂層を形成する工程が、前記第1の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜の上を覆う第1の樹脂層を形成する工程と、前記第2の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜の上を覆う第2の樹脂層を形成する工程と、前記基材部の主面の上に形成した前記第2の材料膜の上に第3の樹脂層を形成する工程と、を含み、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上に形成される第2の樹脂層の厚み、および、前記第3の樹脂層の厚みが、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上に形成される第1の樹脂層の厚みよりも厚いことが好ましい。   Moreover, in the said invention, the process of forming a resin layer on the said 2nd material film WHEREIN: The said 2nd formed on the upper surface of the convex part of the said 1st uneven structure body, and the bottom face of the recessed part. Forming a first resin layer overlying the material film; and on the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure. A step of forming a second resin layer to be covered; and a step of forming a third resin layer on the second material film formed on the main surface of the base member. The thickness of the second resin layer formed on the second material film on the bottom surface of the recess of the concavo-convex structure and the thickness of the third resin layer are determined by the first concavo-convex structure. It is preferable that it is thicker than the thickness of the 1st resin layer formed on the said 2nd material film | membrane on the bottom face of this recessed part.

また、上記発明においては、前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層を形成する工程が、前記第1の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜の上に、前記第1の樹脂層を構成する第1の樹脂を滴下し、前記第2の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜の上に、前記第2の樹脂層を構成する第2の樹脂を滴下し、前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレートを押し当て、前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂を硬化させる工程を含むことが好ましい。   Moreover, in the said invention, the process of forming a said 1st resin layer and a said 2nd resin layer was formed on the upper surface of the convex part of the said 1st uneven structure body, and on the bottom face of the recessed part. The first resin constituting the first resin layer is dropped on the second material film, and the first resin layer is formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure. A step having a step structure corresponding to each thickness of the first resin layer and the second resin layer by dropping a second resin constituting the second resin layer on the second material film. It is preferable to include a step of pressing the template and curing the first resin and the second resin.

また、上記発明においては、前記第3の樹脂層を形成する工程が、前記基材部の主面の上の前記第2の材料膜の上に、前記第3の樹脂層を構成する第3の樹脂を滴下する工程を含むことが好ましい。   Moreover, in the said invention, the process of forming a said 3rd resin layer is a 3rd which comprises a said 3rd resin layer on the said 2nd material film | membrane on the main surface of the said base material part. It is preferable to include a step of dripping the resin.

また、上記発明においては、前記第1のインプリント用テンプレートにおける、前記第2の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離が、前記第1の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離よりも大きいことが好ましい。   Moreover, in the said invention, in the said 1st imprint template, the distance from the upper surface of the convex part of the said 2nd uneven structure body to the bottom face of a recessed part is the upper surface of the convex part of the said 1st uneven structure body. It is preferable that it is larger than the distance from the bottom surface of the recess.

また、本発明は、光透過性の基材の主面の上にメサ構造を有するインプリント用テンプレートであって、前記メサ構造の上面に、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体と、を有し、前記メサ構造の外周の前記主面の上に、遮光膜が形成されており、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上に、高コントラスト膜が形成されており、前記高コントラスト膜が、前記基材を構成する材料と異なる第2の材料膜から構成され、前記遮光膜が、前記基材を構成する材料と異なる第1の材料膜と前記第2の材料膜が順次積層された積層構造を有することを特徴とする、インプリント用テンプレートを提供する。   Further, the present invention is an imprint template having a mesa structure on a main surface of a light-transmitting base material, the first uneven structure constituting a transfer pattern on the upper surface of the mesa structure, A second concavo-convex structure constituting an alignment mark, a light-shielding film is formed on the main surface of the outer periphery of the mesa structure, and a bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure A high-contrast film is formed thereon, the high-contrast film is composed of a second material film different from the material constituting the base material, and the light-shielding film is different from the material constituting the base material An imprint template is provided that has a laminated structure in which a first material film and the second material film are sequentially laminated.

また、上記発明においては、前記主面の上の遮光膜が、前記メサ構造と前記主面が接する前記メサ構造の底部外縁から前記基材の外縁までの領域を覆うように形成されていることが好ましい。   Moreover, in the said invention, the light shielding film on the said main surface is formed so that the area | region from the bottom outer edge of the said mesa structure which the said mesa structure and the said main surface may contact to the outer edge of the said base material may be covered. Is preferred.

また、上記発明においては、前記第1の材料膜が、前記基材を構成する材料とはエッチング特性が異なる第1の材料から構成され、前記第2の材料膜が、前記基材を構成する材料とは屈折率が異なる第2の材料から構成されていることが好ましい。   Moreover, in the said invention, the said 1st material film is comprised from the 1st material from which the etching characteristic differs from the material which comprises the said base material, and the said 2nd material film comprises the said base material. The material is preferably composed of a second material having a different refractive index.

また、上記発明においては、前記遮光膜が、波長365nmでの透過率が10%以下であることが好ましい。   In the above invention, the light-shielding film preferably has a transmittance of 10% or less at a wavelength of 365 nm.

また、上記発明においては、前記第1の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離をD1とし、前記第2の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面の上の前記高コントラスト膜の上面までの距離をD2とした場合に、D1≦D2の関係を満たすことが好ましい。 In the aspect described above, the distance from the upper surface of the convex portion of the first uneven structure to the bottom surface of the recess and D 1, on the upper surface of the convex portion of the second concave-convex structures on the bottom surface of the recess When the distance to the upper surface of the high contrast film is D 2 , it is preferable to satisfy the relationship of D 1 ≦ D 2 .

また、本発明は、光透過性の基材の主面の上にメサ構造を有するテンプレート用基板を準備する工程と、前記基材の主面の上、及び、前記メサ構造の上面の上に、前記基材を構成する材料と異なる第1の材料膜を形成する工程と、前記第1の材料膜の上に第1の樹脂層を形成し、前記メサ構造の上面の上に形成した前記第1の樹脂層を加工して、第1の樹脂パターンを形成する工程と、前記第1の樹脂パターンにエッチングを施して、前記第1の材料膜から第1の材料パターンを形成し、前記第1の材料パターンをエッチングマスクに用いて第1の凹凸構造体及び第2の凹凸構造体を形成する工程と、前記第1の材料パターンの上、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上、および、前記基材の主面の上の前記第1の材料膜の上に、第2の材料膜を形成する工程と、前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層を形成する工程と、前記基材の主面の上の前記第2の材料膜の上、および、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上、に形成された前記第2の樹脂層を残存させつつ、前記メサ構造の上の前記第1の材料パターンの上に形成された第2の材料膜の上、および、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上、に形成された前記第2の樹脂層を除去する工程と、前記メサ構造の上の前記第1の材料パターンの上、および、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上、に形成された前記第2の材料膜を除去する工程と、前記第1の材料パターンを除去する工程と、前記残存させた第2の樹脂層を除去する工程と、を順に備えることを特徴とする、インプリント用テンプレートの製造方法を提供する。   The present invention also includes a step of preparing a template substrate having a mesa structure on the main surface of the light-transmitting base material, the main surface of the base material, and the upper surface of the mesa structure. A step of forming a first material film different from a material constituting the base material, a first resin layer is formed on the first material film, and the first resin layer is formed on an upper surface of the mesa structure Processing the first resin layer to form a first resin pattern; etching the first resin pattern to form a first material pattern from the first material film; Forming a first concavo-convex structure and a second concavo-convex structure using the first material pattern as an etching mask; and a bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure on the first material pattern. Above the bottom surface of the recess of the second concavo-convex structure and the main surface of the base material Forming a second material film on the first material film, forming a second resin layer on the second material film, and forming a main surface of the substrate. The second resin layer formed on the second material film and on the second material film on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure is left as it is. , On the second material film formed on the first material pattern on the mesa structure and on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure. Removing the second resin layer formed on the top, on the first material pattern on the mesa structure, and on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure, Removing the formed second material film; removing the first material pattern; and removing the remaining second resin layer. Characterized in that it comprises a step, in turn, provides a method for manufacturing an imprint template.

また、上記発明においては、前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層を形成する工程が、前記第1の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層(A)を形成する工程と、前記第2の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層(B)を形成する工程と、前記基材の主面の上に形成された前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層(C)を形成する工程と、を含み、前記第2の樹脂層(B)の厚み、および、前記第2の樹脂層(C)の厚みが、前記第2の樹脂層(A)の厚みよりも厚いことが好ましい。   In the above invention, the step of forming the second resin layer on the second material film is formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure. Forming a second resin layer (A) on the second material film; and forming the second resin layer (A) on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure. A step of forming a second resin layer (B) on the second material film, and a second resin layer (C) on the second material film formed on the main surface of the substrate. And the thickness of the second resin layer (B) and the thickness of the second resin layer (C) are thicker than the thickness of the second resin layer (A). It is preferable.

また、上記発明においては、前記第2の樹脂層(A)及び前記第2の樹脂層(B)を形成する工程が、前記第1の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第2の材料膜の上に、前記第2の樹脂層(A)を構成する樹脂を滴下し、前記第2の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第2の材料膜の上に、前記第2の樹脂層(B)を構成する樹脂を滴下し、前記第2の樹脂層(A)及び前記第2の樹脂層(B)の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレートを押し当て、前記樹脂を硬化させる工程を含むことが好ましい。   Moreover, in the said invention, the process of forming a said 2nd resin layer (A) and a said 2nd resin layer (B) is on the upper surface of the convex part of the said 1st uneven structure, and the bottom face of a recessed part. A resin constituting the second resin layer (A) is dropped on the second material film formed on the upper surface of the convex portions of the second concavo-convex structure and the concave portions. A resin constituting the second resin layer (B) is dropped on the second material film formed on the bottom surface, and the second resin layer (A) and the second resin layer are dropped. It is preferable to include a step of pressing the step template having a step structure corresponding to each thickness of (B) and curing the resin.

また、上記発明においては、前記第2の樹脂層(C)を形成する工程が、前記基材の主面の上の前記第2の材料膜の上に、前記第2の樹脂層(C)を構成する樹脂を滴下する工程を含むことが好ましい。   Moreover, in the said invention, the process of forming a said 2nd resin layer (C) is a said 2nd resin layer (C) on the said 2nd material film | membrane on the main surface of the said base material. It is preferable to include the step of dripping the resin constituting the.

本発明のインプリント用テンプレートにおいては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能である。   In the imprint template of the present invention, it is possible to satisfy both the requirements of improving the contrast of the alignment mark during alignment and preventing light irradiation to unintended areas during imprinting.

また、本発明のインプリント用テンプレートの製造方法においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上のためにアライメントマークを構成する第2の凹凸構造体に設ける膜と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止のためにメサ構造の外周部に設ける膜を、共通する工程で製造できるため、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能なインプリント用テンプレートを、製造することができる。   In the imprint template manufacturing method of the present invention, the film provided on the second concavo-convex structure constituting the alignment mark for improving the contrast of the alignment mark at the time of alignment, and an unintended region at the time of imprinting Since the film provided on the outer periphery of the mesa structure can be manufactured in a common process to prevent light irradiation on the film, alignment during alignment is performed with fewer processes than in the manufacturing method in which each film is individually formed. An imprint template that can satisfy both the requirements of improving the contrast of the mark and preventing light irradiation to an unintended region during imprinting can be manufactured.

また、本発明のインプリント用テンプレートの製造方法においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上のために第2の凹凸構造体に設ける高コントラスト膜と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止のためにメサ構造の外周部に設ける積層構造の遮光膜を構成する上層の膜を、共通する工程で製造できるため、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能なインプリント用テンプレートを、製造することができる。   In the imprint template manufacturing method of the present invention, the high contrast film provided on the second concavo-convex structure for improving the contrast of the alignment mark at the time of alignment, and the light to an unintended region at the time of imprinting Since the upper layer film that constitutes the light shielding film of the laminated structure provided on the outer periphery of the mesa structure can be manufactured in a common process to prevent irradiation, fewer processes are required compared to the manufacturing method in which each film is individually formed. Thus, it is possible to manufacture an imprint template that can satisfy both the requirements of improving the contrast of the alignment mark at the time of alignment and preventing light irradiation to an unintended region during imprinting.

さらに、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体を形成するためのエッチングマスクを構成する第1の材料膜を、積層構造の遮光膜の下層の膜として利用するため、工程を増やすことなく、遮光膜の透過率を小さくすることができる。   Further, the first material film constituting the etching mask for forming the first concavo-convex structure constituting the transfer pattern and the second concavo-convex structure constituting the alignment mark is formed under the light-shielding film having a laminated structure. Therefore, the transmittance of the light shielding film can be reduced without increasing the number of steps.

第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの例を説明する図The figure explaining the example of the template for imprint which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの使用例を説明する図The figure explaining the usage example of the template for imprint which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの要部の一例を説明する図The figure explaining an example of the principal part of the template for imprint which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートThe flowchart which shows an example of the manufacturing method of the template for imprint which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図Schematic process drawing showing an example of a method for manufacturing an imprint template according to the first embodiment 図5に続く、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図FIG. 5 is a schematic process diagram illustrating an example of a method for manufacturing an imprint template according to the first embodiment, following FIG. 図5(c)に示す態様の樹脂層を形成する方法の一例を説明する図The figure explaining an example of the method of forming the resin layer of the aspect shown in FIG.5 (c) 第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの例を説明する図The figure explaining the example of the template for imprint which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの使用例を説明する図The figure explaining the usage example of the template for imprint which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの要部の一例を説明する図The figure explaining an example of the principal part of the template for imprint which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャート8 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing an imprint template according to the second embodiment. 第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図Schematic process drawing showing an example of a method for producing an imprint template according to the second embodiment 図12に続く、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図Schematic process drawing showing an example of a method for manufacturing an imprint template according to the second embodiment, following FIG. 図13(g)に示す態様の樹脂層を形成する方法の一例を説明する図The figure explaining an example of the method of forming the resin layer of the aspect shown in FIG.13 (g).

以下、本発明に係る第1実施形態及び第2実施形態について説明する。   Hereinafter, a first embodiment and a second embodiment according to the present invention will be described.

A.第1実施形態
以下、第1実施形態に係るインプリント用テンプレート及びインプリント用テンプレートの製造方法について、図面を用いて詳しく説明する。
A. First Embodiment Hereinafter, an imprint template and a method for manufacturing an imprint template according to a first embodiment will be described in detail with reference to the drawings.

<インプリント用テンプレート>
まず、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートについて説明する。
図1は、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの例を説明する図であり、図1(a)、(b)は、それぞれ、異なる態様の第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの構成を説明するための概略断面図である。
<Imprint template>
First, the imprint template according to the first embodiment will be described.
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of an imprint template according to the first embodiment. FIGS. 1A and 1B are diagrams of imprint templates according to the first embodiment in different modes, respectively. It is a schematic sectional drawing for demonstrating a structure.

例えば、図1(a)、(b)に示すように、インプリント用テンプレート1、2は、光透過性の基材部10の主面11の上にメサ構造20を有するインプリント用テンプレートであって、メサ構造20の上面に、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体21と、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体22と、を有し、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上、及び、メサ構造20の外周の基材部10の主面11の上に、基材部10を構成する第1の材料とは屈折率が異なる第2の材料から構成される第2の材料膜31、32が形成されている。
第2の材料膜31の膜厚と第2の材料膜32の膜厚は同一であることが好ましい。第2の材料膜31と第2の材料膜32を同一工程で製膜することができるからである。ここで、第2の材料膜31の膜厚と第2の材料膜32の膜厚が同一であるとは、第2の材料膜31の膜厚と第2の材料膜32の膜厚の製造誤差が±5%以内である場合を意味する。
For example, as shown in FIGS. 1A and 1B, the imprint templates 1 and 2 are imprint templates having a mesa structure 20 on the main surface 11 of the light-transmitting base material portion 10. The mesa structure 20 has a first concavo-convex structure 21 constituting a transfer pattern and a second concavo-convex structure 22 constituting an alignment mark on the upper surface of the mesa structure 20. On the bottom surface of the recess and on the main surface 11 of the base material portion 10 on the outer periphery of the mesa structure 20, the second material having a refractive index different from that of the first material constituting the base material portion 10 is configured. Second material films 31 and 32 are formed.
The film thickness of the second material film 31 and the film thickness of the second material film 32 are preferably the same. This is because the second material film 31 and the second material film 32 can be formed in the same process. Here, the film thickness of the second material film 31 and the film thickness of the second material film 32 are the same as the film thickness of the second material film 31 and the film thickness of the second material film 32. This means that the error is within ± 5%.

このような構成、即ち、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上、及び、メサ構造20の外周の主面11の上に、第2の材料膜31、32が形成されている構成を有するため、インプリント用テンプレート1、2においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能となる。   On such a configuration, that is, on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 22 constituting the alignment mark and on the main surface 11 on the outer periphery of the mesa structure 20, the second material films 31 and 32 are provided. Because it has a formed configuration, the imprint templates 1 and 2 satisfy both the requirements of improving the contrast of alignment marks during alignment and preventing light irradiation to unintended areas during imprinting. Is possible.

なお、図1(a)、(b)に示すインプリント用テンプレート1、2の相違点は、基材部10の主面11の上の第2の材料膜32が形成されている領域が異なる点である。
より具体的には、図1(b)に示すインプリント用テンプレート2においては、第2の材料膜32は、メサ構造20と主面11が接する箇所(即ち、メサ構造20の底部外縁)から、基材部10の主面11の外縁までの領域を覆うように形成されている。
一方、図1(a)に示すインプリント用テンプレート1においては、第2の材料膜32は、メサ構造20と主面11が接する箇所(即ち、メサ構造20の底部外縁)から、基材部10の主面11の外縁までの領域の間の、所定の領域に形成されている。この「所定の領域」について、図2を用いて以下に説明する。
The differences between the imprint templates 1 and 2 shown in FIGS. 1A and 1B are different in the region where the second material film 32 is formed on the main surface 11 of the base material portion 10. Is a point.
More specifically, in the imprint template 2 shown in FIG. 1B, the second material film 32 starts from a location where the mesa structure 20 and the main surface 11 are in contact (that is, the bottom outer edge of the mesa structure 20). The base portion 10 is formed so as to cover the region up to the outer edge of the main surface 11.
On the other hand, in the imprint template 1 shown in FIG. 1A, the second material film 32 is formed from the portion where the mesa structure 20 and the main surface 11 are in contact with each other (that is, the bottom outer edge of the mesa structure 20). It is formed in a predetermined region between the regions up to the outer edge of the ten main surfaces 11. This “predetermined area” will be described below with reference to FIG.

図2は、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの使用例を説明する図である。
図2に示すように、インプリント用テンプレート1を用いて、光インプリント法により被転写基板50の上に形成された光硬化性樹脂60の転写領域61にパターン転写する場合、光硬化性樹脂60の非転写領域62には露光光(例えば、波長365nmの紫外光)が照射されないようにする必要がある。非転写領域62の光硬化性樹脂60を意図せずに硬化させてしまうことを防ぐためである。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of using the imprint template according to the first embodiment.
As shown in FIG. 2, when pattern transfer is performed to the transfer region 61 of the photocurable resin 60 formed on the transfer target substrate 50 by the photoimprint method using the imprint template 1, the photocurable resin is used. It is necessary to prevent exposure light (for example, ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) from being irradiated to the 60 non-transfer areas 62. This is to prevent the photocurable resin 60 in the non-transfer area 62 from being unintentionally cured.

ここで、通常、インプリント用テンプレート1を搭載するインプリント装置には、露光光が意図しない領域に照射されることを抑制する目的で、露光領域が開口部になっている平面視枠状の遮光板が設けられている。
例えば、図2に示す例においては、遮光板70が設けられていることにより、露光光が照射される領域は、遮光板70の開口部に応じた照射領域90に規定されている。換言すれば、照射領域90よりも外側の露光光83は、遮光板70によって遮られ、光硬化性樹脂60に照射されない。
Here, in general, an imprint apparatus equipped with the imprint template 1 has a frame shape in a plan view in which an exposure area is an opening for the purpose of suppressing exposure of exposure light to an unintended area. A light shielding plate is provided.
For example, in the example shown in FIG. 2, since the light shielding plate 70 is provided, the region irradiated with the exposure light is defined as an irradiation region 90 corresponding to the opening of the light shielding plate 70. In other words, the exposure light 83 outside the irradiation region 90 is blocked by the light shielding plate 70 and is not irradiated to the photocurable resin 60.

ただし、この遮光板70だけでは、被転写基板50の上の光硬化性樹脂60から距離が離れている(例えば、途中にインプリント用テンプレート1が介在する)こともあって、高い位置精度で、光硬化性樹脂60の非転写領域62に露光光が照射されないようにすることは困難である。
それゆえ、遮光板70の形状精度や取り付け精度も含め、遮光板70で規定される照射領域90は、通常、光硬化性樹脂60の転写領域61よりも大きくなるように設計されている。すなわち、図2に示すように、照射領域90は、光硬化性樹脂60の転写領域61に応じた大きさの照射領域91に加えて、本来不要な照射領域92も含む。
However, with this light shielding plate 70 alone, the distance from the photocurable resin 60 on the substrate 50 to be transferred (for example, the imprint template 1 intervenes in the middle), so that the position accuracy is high. It is difficult to prevent exposure light from being irradiated to the non-transfer area 62 of the photocurable resin 60.
Therefore, the irradiation region 90 defined by the light shielding plate 70 including the shape accuracy and mounting accuracy of the light shielding plate 70 is normally designed to be larger than the transfer region 61 of the photocurable resin 60. That is, as shown in FIG. 2, the irradiation region 90 includes an irradiation region 92 that is originally unnecessary in addition to the irradiation region 91 having a size corresponding to the transfer region 61 of the photocurable resin 60.

そこで、インプリント用テンプレート1においては、図2に示すように、上記の照射領域92の露光光82を、メサ構造20の外周の基材部10の主面11の上に形成した第2の材料膜32で遮るようにする。これにより、被転写基板50の上の光硬化性樹脂60には、転写領域61に応じた大きさの照射領域91の露光光81のみが照射されることになる。   Therefore, in the imprint template 1, as shown in FIG. 2, the exposure light 82 in the irradiation region 92 is formed on the main surface 11 of the base material portion 10 on the outer periphery of the mesa structure 20. The material film 32 is shielded. Thereby, only the exposure light 81 in the irradiation area 91 having a size corresponding to the transfer area 61 is irradiated onto the photocurable resin 60 on the transfer substrate 50.

上記のように、露光光の照射領域90を規制する遮光板70を備えるインプリント装置に搭載されるインプリント用テンプレート1においては、基材部10の主面11に形成される第2の材料膜32は、メサ構造20と主面11が接する箇所(即ち、メサ構造20の底部外縁)から、基材部10の主面11の外縁までの領域全てを覆うように形成されている必要は無く、所定の領域に形成されていればよい。
より具体的には、インプリント用テンプレート1において、基材部10の主面11に形成される第2の材料膜32は、少なくとも、メサ構造20と主面11が接する箇所(即ち、メサ構造20の底部外縁)から、図2に示す照射領域90に相当する領域の基材部10の主面11の領域の外縁までを覆うように形成されていればよい。
As described above, in the imprint template 1 mounted on the imprint apparatus including the light shielding plate 70 that regulates the exposure light irradiation region 90, the second material formed on the main surface 11 of the base material portion 10. The film 32 needs to be formed so as to cover the entire region from the location where the mesa structure 20 and the main surface 11 are in contact (that is, the outer edge of the bottom of the mesa structure 20) to the outer edge of the main surface 11 of the base member 10. It may be formed in a predetermined region.
More specifically, in the imprint template 1, the second material film 32 formed on the main surface 11 of the base material portion 10 is at least a place where the mesa structure 20 and the main surface 11 are in contact (that is, the mesa structure). 20 to the outer edge of the region of the main surface 11 of the base member 10 in the region corresponding to the irradiation region 90 shown in FIG.

なお、第1実施形態においては、図1(b)に示すインプリント用テンプレート2のように、第2の材料膜32は、メサ構造20と主面11が接する箇所(即ち、メサ構造20の底部外縁)から、基材部10の主面11の外縁までの領域を覆うように形成されていてもよい。
このような構成であれば、インプリント用テンプレート2を搭載するインプリント装置の構成(例えば、図2に示す照射領域90のサイズ)によらずに、光硬化性樹脂60の非転写領域62には露光光が照射されないようにすることができる。
In the first embodiment, as in the imprint template 2 shown in FIG. 1B, the second material film 32 is located at a location where the mesa structure 20 and the main surface 11 are in contact (that is, the mesa structure 20). It may be formed so as to cover a region from the bottom outer edge) to the outer edge of the main surface 11 of the base material part 10.
With such a configuration, the non-transfer area 62 of the photocurable resin 60 is not dependent on the configuration of the imprint apparatus (for example, the size of the irradiation area 90 shown in FIG. 2) on which the imprint template 2 is mounted. Can prevent exposure light from being irradiated.

次に、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上の第2の材料膜31の膜厚と、メサ構造20の外周の基材部10の主面11の上の第2の材料膜32の膜厚の関係、および、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体21の深さと、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体22の深さの関係について、図3を用いて説明する。   Next, the film thickness of the second material film 31 on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 22 and the second material film on the main surface 11 of the base material portion 10 on the outer periphery of the mesa structure 20 The relationship between the film thickness of 32 and the relationship between the depth of the first concavo-convex structure 21 constituting the transfer pattern and the depth of the second concavo-convex structure 22 constituting the alignment mark will be described with reference to FIG. To do.

図3は、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの要部の一例を説明する図である。
この図3は、第2の材料膜31と第2の材料膜32の膜厚の関係、および、第1の凹凸構造体21と第2の凹凸構造体22の深さの関係について説明するための図であり、インプリント用テンプレート1を構成する他の要素については、図示を省略している。
また、図3においては、一例として、インプリント用テンプレート1を用いて説明しているが、インプリント用テンプレート2においても、同様に説明できるものである。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a main part of the imprint template according to the first embodiment.
FIG. 3 is for explaining the relationship between the film thicknesses of the second material film 31 and the second material film 32 and the relationship between the depths of the first uneven structure 21 and the second uneven structure 22. The other elements constituting the imprint template 1 are not shown.
In FIG. 3, the imprint template 1 is described as an example, but the imprint template 2 can be similarly described.

まず、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上の第2の材料膜31の膜厚と、メサ構造20の外周の基材部10の主面11の上の第2の材料膜32の膜厚の関係について、説明する。   First, the film thickness of the second material film 31 on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 22 and the second material film 32 on the main surface 11 of the base material portion 10 on the outer periphery of the mesa structure 20. The film thickness relationship will be described.

第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの好ましい態様の一例は、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上に形成されている第2の材料膜31と、メサ構造20の外周の基材部10の主面11の上の第2の材料膜32が、同じ膜厚である態様である。例えば、図3に示す例において、第2の材料膜31の膜厚(T1)と第2の材料膜32の膜厚(T2)が、同じ膜厚(T1=T2)となる態様である。
このような態様であれば、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートを製造する際に、同一の成膜工程により、第2の材料膜31と第2の材料膜32を容易に形成することができ、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、両膜を形成することができるからである。詳しくは、後述する、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法において、図4〜6を用いて説明する。
An example of a preferable aspect of the imprint template according to the first embodiment is that the second material film 31 formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 22 and the outer peripheral base of the mesa structure 20 are used. In this embodiment, the second material film 32 on the main surface 11 of the material part 10 has the same film thickness. For example, in the example shown in FIG. 3, the thickness of the second material thickness of the film 31 (T 1) and the second material layer 32 (T 2) is the same thickness (T 1 = T 2) It is an aspect.
With such an aspect, when the imprint template according to the first embodiment is manufactured, the second material film 31 and the second material film 32 can be easily formed by the same film forming process. This is because both films can be formed with fewer steps compared to the manufacturing method in which each film is formed individually. In detail, in the manufacturing method of the imprint template which concerns on 1st Embodiment mentioned later, it demonstrates using FIGS.

また、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいては、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上に形成されている第2の材料膜31の膜厚(T1)が、メサ構造20の外周の基材部10の主面11の上に形成されている第2の材料膜32の膜厚(T2)より薄い(T1<T2)ものとなる態様であってもよい。
メサ構造20の外周の基材部10の主面11の上の第2の材料膜32には、インプリント時における意図しない領域への露光光の照射を防止することが求められるが、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上に形成されている第2の材料膜31は、位置合わせ時のアライメントマークのコントラストを向上させることができればよく、第2の材料膜32よりも薄い膜厚であっても構わないからである。
In the imprint template according to the first embodiment, the film thickness (T 1 ) of the second material film 31 formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 22 has a mesa structure. the second thickness of the material film 32 formed on the major surface 11 of the base portion 10 of the outer circumference of 20 (T 2) than thinner (T 1 <T 2) may be those with a further aspect .
The second material film 32 on the main surface 11 of the base material portion 10 on the outer periphery of the mesa structure 20 is required to prevent exposure light from being irradiated to an unintended region during imprinting. The second material film 31 formed on the bottom surface of the concave portion of the concavo-convex structure 22 only needs to improve the contrast of the alignment mark at the time of alignment, and is thinner than the second material film 32. This is because it may be thick.

このような膜厚の差異は、例えば、第2の凹凸構造体22の凹部に、位置合わせに影響しない微細なパターンを設けることで、生じさせることができる。
例えば、第2の凹凸構造体22の凹部に、位置合わせに影響しない微細なパターンを設けることで、第2の凹凸構造体22の凹部を空間的に狭くして、同一の成膜工程であっても、空間的に広い、即ち、解放された平面状の基材部10の主面11の上に形成される第2の材料膜32よりも、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上に形成される第2の材料膜31を形成され難くすることにより、第2の材料膜31の膜厚(T1)を第2の材料膜32の膜厚(T2)より薄くすることができる。
Such a difference in film thickness can be caused, for example, by providing a fine pattern that does not affect the alignment in the concave portion of the second concavo-convex structure 22.
For example, the recesses of the second uneven structure 22 are provided with a fine pattern that does not affect alignment, so that the recesses of the second uneven structure 22 are spatially narrowed. However, the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 22 is larger than the second material film 32 formed on the main surface 11 of the planar base member 10 which is spatially wide, that is, released. The film thickness (T 1 ) of the second material film 31 is made smaller than the film thickness (T 2 ) of the second material film 32 by making it difficult to form the second material film 31 formed thereon. be able to.

次に、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体21とアライメントマークを構成する第2の凹凸構造体22の深さの関係について説明する。
第1実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいては、図3に示すように、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体21の凸部の上面から凹部の底面までの距離をD1とし、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体22の凸部の上面から凹部の底面の上の第2の材料膜31の上面までの距離をD2とした場合に、D1≦D2の関係を満たすものであることが好ましい。
このような構成であれば、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートを製造する際に、第2の材料膜31の上に残存するエッチングマスクとしての樹脂層(図6に示す第2の樹脂層102)の厚みをより厚くすることが可能になり、エッチングに際して第2の材料膜31が消失してしまう不具合を、より確実に防止できるからである。詳しくは、後述する第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法において、図4〜6を用いて説明する。
Next, the relationship between the depth of the first concavo-convex structure 21 constituting the transfer pattern and the second concavo-convex structure 22 constituting the alignment mark will be described.
In imprint template according to the first embodiment, as shown in FIG. 3, the distance to the bottom surface of the recess and D 1 from the upper surface of the convex portion of the first concave-convex structure 21 constituting the transfer pattern, alignment the distance from the upper surface of the convex portion of the second concave-convex structures 22 constituting the mark to the top surface of the second material layer 31 on the bottom surface of the recess in the case of a D 2, the relationship D 1 ≦ D 2 It is preferable to satisfy.
With such a configuration, when the imprint template according to the first embodiment is manufactured, the resin layer (second resin shown in FIG. 6) as an etching mask remaining on the second material film 31 is produced. This is because the thickness of the layer 102) can be increased, and the problem that the second material film 31 disappears during etching can be prevented more reliably. In detail, in the manufacturing method of the imprint template which concerns on 1st Embodiment mentioned later, it demonstrates using FIGS.

次に、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する材料について、説明する。
第1実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する光透過性の基材部10は、光インプリント法に用いることが可能なものであって、インプリント時における露光光、及び、位置合わせ時のアライメント光を透過できるものである。
Next, materials constituting the imprint template according to the first embodiment will be described.
The light-transmitting base material portion 10 constituting the imprint template according to the first embodiment can be used for a light imprint method, and includes exposure light during imprinting and alignment. The alignment light can be transmitted.

この露光光には、一般に、波長200nm〜400nmの範囲(特に300nm〜380nmの範囲)の紫外光が用いられる。
一方、アライメント光は、被転写基板の上の光硬化性樹脂を硬化させないように、露光光とは異なる波長の光が用いられる。一般的には、波長400nm〜800nmの範囲(特に633nm近傍)の可視光が用いられる。
In general, ultraviolet light having a wavelength in the range of 200 nm to 400 nm (particularly in the range of 300 nm to 380 nm) is used as the exposure light.
On the other hand, as the alignment light, light having a wavelength different from that of the exposure light is used so as not to cure the photocurable resin on the transfer substrate. Generally, visible light having a wavelength in the range of 400 nm to 800 nm (particularly in the vicinity of 633 nm) is used.

光透過性の基材部10を構成する材料(第1の材料)としては、例えば、石英ガラス、耐熱ガラス、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化マグネシウム(MgF2)、及びアクリルガラス等の透明材料や、これら透明材料の積層構造物を挙げることができる。特に、合成石英は、剛性が高く、熱膨張係数が低く、かつ一般に使用される波長である300nm〜380nmの範囲での透過率が良いため、基材部10に用いる材料として適している。
なお、通常、インプリント用テンプレートは、基材部を構成する主たる材料と、転写パターンを有するメサ構造を構成する主たる材料は、同一材料であり、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいても、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体21とアライメントマークを構成する第2の凹凸構造体22を有するメサ構造20は、基材部10と同じ材料から構成されている。
Examples of the material (first material) constituting the light-transmitting base material portion 10 include quartz glass, heat-resistant glass, calcium fluoride (CaF 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), and acrylic glass. The transparent material and the laminated structure of these transparent materials can be mentioned. In particular, synthetic quartz has high rigidity, a low thermal expansion coefficient, and good transmittance in the range of 300 nm to 380 nm, which is a commonly used wavelength, and thus is suitable as a material used for the base material portion 10.
Note that the main material constituting the base material portion and the main material constituting the mesa structure having the transfer pattern are usually the same material in the imprint template, and also in the imprint template according to the first embodiment. The mesa structure 20 having the first concavo-convex structure 21 constituting the transfer pattern and the second concavo-convex structure 22 constituting the alignment mark is made of the same material as the base material portion 10.

第1実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する第2の材料膜31、32は、基材部10を構成する材料(第1の材料)とは屈折率が異なる材料(第2の材料)から構成される。屈折率が異なる材料とすることで、アライメント光を用いた位置合わせ時のアライメントマークのコントラストを向上させることができる。また、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の効果を奏することができる。   The second material films 31 and 32 constituting the imprint template according to the first embodiment have a refractive index different from the material (first material) constituting the base material portion 10 (second material). Consists of By using materials having different refractive indexes, the contrast of the alignment mark at the time of alignment using alignment light can be improved. Moreover, the effect of preventing light irradiation to an unintended region at the time of imprinting can be achieved.

第2の材料膜31、32を構成する材料(第2の材料)としては、例えば、金属材料及びその酸化物、窒化物、酸窒化物等を1種以上含むものを挙げることができる。上記の金属材料の具体例としては、例えば、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)等を挙げることができる。   As a material (second material) constituting the second material films 31 and 32, for example, a material containing at least one metal material and its oxide, nitride, oxynitride, or the like can be given. Specific examples of the metal material include chromium (Cr), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), zirconium (Zr), titanium (Ti), and the like.

ここで、インプリント時における意図しない領域への露光光の照射を防止するため、基材部10の主面11の上に形成される第2の材料膜32は、波長365nmでの透過率が10%以下であることが好ましい。
例えば、第2の材料膜32を構成する材料(第2の材料)としてクロム(Cr)を用いる場合、この第2の材料膜32の膜厚(T2)は、15nm以上あればよい。
Here, the second material film 32 formed on the main surface 11 of the base material portion 10 has a transmittance at a wavelength of 365 nm in order to prevent exposure of exposure light to an unintended region during imprinting. It is preferable that it is 10% or less.
For example, when chromium (Cr) is used as the material (second material) constituting the second material film 32, the film thickness (T 2 ) of the second material film 32 may be 15 nm or more.

なお、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートは、平面視においてメサ構造を包含する位置関係となる窪み部を、裏面側に有していても良い。
例えば、図1(a)、(b)に示すように、インプリント用テンプレート1、2は、平面視においてメサ構造20を包含する位置関係となる窪み部40を、裏面12側に有している。
Note that the imprint template according to the first embodiment may have a recessed portion on the back surface side that has a positional relationship including the mesa structure in plan view.
For example, as shown in FIGS. 1A and 1B, the imprint templates 1 and 2 have a recess 40 on the back surface 12 side that is in a positional relationship including the mesa structure 20 in plan view. Yes.

このような構成であれば、窪み部40が形成されている部分のインプリント用テンプレート1、2の肉厚を薄くでき、メサ構造20を湾曲させ易くなる。
それゆえ、例えば、インプリント用テンプレート1、2の転写パターン(第1の凹凸構造体21)を被転写基板50の上の光硬化性樹脂60と接触させる際に、メサ構造20を、その中央部が周囲よりも光硬化性樹脂60に近づく形に湾曲させることで、中央部から外周部に向かって徐々に、気体の混入を排除しつつ、転写パターン(第1の凹凸構造体21)を光硬化性樹脂60と接触させることができる。
また、離型時においても、メサ構造20を湾曲させることで、その外周部から中央部に向かって、徐々に転写パターン(第1の凹凸構造体21)を光硬化性樹脂60から離脱させることができる。
With such a configuration, it is possible to reduce the thickness of the imprint templates 1 and 2 in the portion where the recess 40 is formed, and the mesa structure 20 can be easily bent.
Therefore, for example, when the transfer pattern (first concavo-convex structure 21) of the imprint templates 1 and 2 is brought into contact with the photocurable resin 60 on the transfer substrate 50, the mesa structure 20 is placed at its center. The transfer pattern (first concavo-convex structure 21) is gradually removed from the central part toward the outer peripheral part by curving the part closer to the photocurable resin 60 than the surroundings, while gradually excluding gas from mixing. It can be brought into contact with the photocurable resin 60.
In addition, even at the time of mold release, the mesa structure 20 is curved so that the transfer pattern (first uneven structure 21) is gradually detached from the photocurable resin 60 from the outer peripheral portion toward the central portion. Can do.

なお、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの転写パターンは、ラインアンドスペースパターンであってもよく、また、ピラー形状であってもよい。一例として、その大きさは、ラインアンドスペースパターンの場合、ライン幅が30nm程度であり、その高さは60nm程度である。また、ピラー形状の場合、直径が50nm程度であり、その高さは60nm程度である。   The transfer pattern of the imprint template according to the first embodiment may be a line and space pattern or may be a pillar shape. As an example, in the case of a line and space pattern, the line width is about 30 nm and the height is about 60 nm. In the case of a pillar shape, the diameter is about 50 nm and the height is about 60 nm.

<インプリント用テンプレートの製造方法>
次に、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法について説明する。
図4は、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。また、図5、6は、第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。なお、この図4〜6は、主に第1実施形態に係るインプリント用テンプレートの第2の材料膜31と第2の材料膜32の形成方法について説明するものであり、他の構成要素の形成方法については、省略している。
<Method for producing imprint template>
Next, a method for manufacturing an imprint template according to the first embodiment will be described.
FIG. 4 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing an imprint template according to the first embodiment. 5 and 6 are schematic process diagrams showing an example of a method for manufacturing an imprint template according to the first embodiment. FIGS. 4 to 6 mainly explain a method of forming the second material film 31 and the second material film 32 of the imprint template according to the first embodiment. The forming method is omitted.

例えば、本製造方法により、インプリント用テンプレート1を製造するには、まず、光透過性の基材部の主面11の上にメサ構造20を有し、メサ構造20の上面に、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体21と、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体22と、を有する第1のインプリント用テンプレート100を準備する(図4のS1、図5(a))。   For example, in order to manufacture the imprint template 1 by this manufacturing method, first, the mesa structure 20 is provided on the main surface 11 of the light-transmitting substrate portion, and the transfer pattern is formed on the upper surface of the mesa structure 20. A first imprint template 100 having a first concavo-convex structure 21 that constitutes an alignment mark and a second concavo-convex structure 22 that constitutes an alignment mark is prepared (S1 in FIG. 4, FIG. 5A). ).

この第1のインプリント用テンプレート100は、第2の材料膜31や第2の材料膜32を有していないものであり、例えば、従来の光インプリント法に用いられるインプリント用テンプレートと同じものを用いることができる。
例えば、第1のインプリント用テンプレート100は合成石英から構成されており、図1(a)に示すインプリント用テンプレート1のように、平面視においてメサ構造を包含する位置関係となる窪み部を、裏面側に有するものである。
The first imprint template 100 does not have the second material film 31 or the second material film 32, and is the same as, for example, the imprint template used in the conventional optical imprint method. Things can be used.
For example, the first imprint template 100 is made of synthetic quartz, and, as in the imprint template 1 shown in FIG. , On the back side.

ここで、第1のインプリント用テンプレート100における、第2の凹凸構造体22の凸部の上面から凹部の底面までの距離(D3)は、第1の凹凸構造体21の凸部の上面から凹部の底面までの距離(D1)よりも大きいものであることが好ましい。
このような構成であれば、後述するエッチング工程(図6(e))において、第2の材料膜31の上に残存する第2の樹脂層102の厚みをより厚くすることが可能になり、エッチングに際して第2の材料膜31が消失してしまう不具合を、より確実に防止できるからである。
Here, in the first imprint template 100, the distance (D 3 ) from the upper surface of the convex portion of the second concavo-convex structure 22 to the bottom surface of the concave portion is the upper surface of the convex portion of the first concavo-convex structure 21. It is preferable that the distance is larger than the distance (D 1 ) from the bottom surface of the recess.
With such a configuration, it becomes possible to increase the thickness of the second resin layer 102 remaining on the second material film 31 in an etching step (FIG. 6E) described later, This is because the problem that the second material film 31 disappears during etching can be prevented more reliably.

上記のような態様は、例えば、特願2014−193694号に記載した方法により得ることができる。
すなわち、第1の凹凸構造体21と第2の凹凸構造体22を形成する際のエッチングマスクとなるハードマスクパターンを形成後、第1の凹凸構造体21を形成するためのハードマスクパターン領域を樹脂層で覆った状態で、第2の凹凸構造体22をハーフエッチングし、その後、上記樹脂層を除去して、第1の凹凸構造体21及び第2の凹凸構造体22をエッチング形成することにより、得ることができる。
The above aspect can be obtained by the method described in Japanese Patent Application No. 2014-193694, for example.
That is, after forming a hard mask pattern to be an etching mask when forming the first concavo-convex structure 21 and the second concavo-convex structure 22, a hard mask pattern region for forming the first concavo-convex structure 21 is formed. The second concavo-convex structure 22 is half-etched with the resin layer covered, and then the resin layer is removed to form the first concavo-convex structure 21 and the second concavo-convex structure 22 by etching. Can be obtained.

次に、メサ構造20の最上面20aの上、第1の凹凸構造体21の凹部の底面の上、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上、および、基材部の主面11の上に、基材部を構成する第1の材料とは屈折率が異なる第2の材料から構成される第2の材料膜30a、30b、31、32を形成する(図4のS2、図5(b))。   Next, on the top surface 20 a of the mesa structure 20, on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure body 21, on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure body 22, and on the main surface 11 of the base material portion. The second material films 30a, 30b, 31, and 32 made of the second material having a refractive index different from that of the first material constituting the base material portion are formed on the substrate (S2, FIG. 4). 5 (b)).

この第2の材料膜30a、30b、31、32を形成する方法には、スパッタ法やCVD法等の真空成膜の技術を用いることができる。
例えば、第2の材料膜30a、30b、31、32を構成する材料(第2の材料)としてクロム(Cr)を用い、スパッタ法による真空成膜を施して、第2の材料膜32の膜厚が15nm以上となる膜を形成することができる。
As a method of forming the second material films 30a, 30b, 31, and 32, a vacuum film forming technique such as a sputtering method or a CVD method can be used.
For example, chromium (Cr) is used as a material (second material) constituting the second material film 30a, 30b, 31, 32, and vacuum film formation is performed by a sputtering method, so that the film of the second material film 32 A film having a thickness of 15 nm or more can be formed.

なお、第1実施形態においては、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上、及び、基材部の主面11の上に、第2の材料膜31、32が形成されさえすればよく、その他の箇所である、メサ構造20の最上面20aの上、及び、第1の凹凸構造体21の凹部の底面の上には、必ずしも、第2の材料膜30a、30bを形成する必要は無い。   In the first embodiment, it is only necessary that the second material films 31 and 32 be formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 22 and on the main surface 11 of the base material portion. The second material films 30 a and 30 b need not necessarily be formed on the top surface 20 a of the mesa structure 20 and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure 21, which are other places. There is no.

次に、図5(b)に示す工程で形成した第2の材料膜30a、30b、31、32の上に、各領域に応じて、第1の樹脂層101、第2の樹脂層102、第3の樹脂層103を形成する(図4のS3、図5(c))。
より詳しくは、第1の凹凸構造体21の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第2の材料膜の上を覆うように第1の樹脂層101を形成し、第2の凹凸構造体22の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第2の材料膜の上を覆うように第2の樹脂層102を形成し、基材部の主面11の上に形成された第2の材料膜の上に第3の樹脂層103を形成する。
Next, on the second material films 30a, 30b, 31, 32 formed in the step shown in FIG. 5B, the first resin layer 101, the second resin layer 102, A third resin layer 103 is formed (S3 in FIG. 4, FIG. 5C).
More specifically, the first resin layer 101 is formed so as to cover the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure 21, The second resin layer 102 is formed so as to cover the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the two concavo-convex structure 22, and the main surface of the base material portion A third resin layer 103 is formed on the second material film formed on the substrate 11.

この際、図5(c)に示すように、第2の凹凸構造体22の凹部の底面の上の第2の材料膜31の上に形成される第2の樹脂層102の厚み(R2)、および、第3の樹脂層103の厚み(R3)が、第1の凹凸構造体21の凹部の底面の上の第2の材料膜30bの上に形成される第1の樹脂層101の厚み(R1)よりも厚くなるように、それぞれの樹脂層を形成する。
次の工程、すなわち、図6(d)に示す、樹脂層の部分的除去工程において、第2の材料膜31の上に形成された第2の樹脂層102、および、第2の材料膜32の上に形成された第3の樹脂層103が、残存できるようにするためである。
At this time, as shown in FIG. 5C, the thickness (R 2) of the second resin layer 102 formed on the second material film 31 on the bottom surface of the concave portion of the second concave-convex structure 22. ) And the thickness (R 3 ) of the third resin layer 103 is formed on the second material film 30b on the bottom surface of the concave portion of the first concave-convex structure 21. Each resin layer is formed to be thicker than the thickness (R 1 ).
In the next step, that is, the resin layer partial removing step shown in FIG. 6D, the second resin layer 102 formed on the second material film 31 and the second material film 32 are formed. This is because the third resin layer 103 formed on the top can remain.

上記のように、第2の材料膜31の上に形成される第2の樹脂層102の厚み(R2)を、第2の材料膜30bの上に形成される第1の樹脂層101の厚み(R1)よりも厚くなるようにするには、例えば、図7に示すような、段差テンプレート110を用いる方法を挙げることができる。
より詳しくは、第1の凹凸構造体21の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第2の材料膜の上に、第1の樹脂層101を構成する第1の樹脂を滴下し、第2の凹凸構造体22の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第2の材料膜の上に、第2の樹脂層102を構成する第2の樹脂を滴下し、図7に示すように、第1の樹脂層101及び第2の樹脂層102の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレート110を押し当て、第1の樹脂及び第2の樹脂を硬化させる。
As described above, the thickness (R 2 ) of the second resin layer 102 formed on the second material film 31 is set to be equal to that of the first resin layer 101 formed on the second material film 30b. In order to make it thicker than the thickness (R 1 ), for example, a method using a step template 110 as shown in FIG. 7 can be mentioned.
More specifically, the first resin constituting the first resin layer 101 on the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure 21. The second resin constituting the second resin layer 102 on the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 22 As shown in FIG. 7, a step template 110 having a step structure corresponding to each thickness of the first resin layer 101 and the second resin layer 102 is pressed against the first resin and the second resin. Is cured.

第1の樹脂層101を構成する第1の樹脂、及び、第2の樹脂層102を構成する第2の樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。この第1の樹脂及び第2の樹脂は、同じものであっても良く、異なるものであっても良い。
第1の樹脂及び第2の樹脂に光硬化性樹脂を用いる場合、例えば、合成石英から構成される段差テンプレート110を用いて、図7に示すように紫外光111を照射して、第1の樹脂及び第2の樹脂を硬化させることで、所望の厚みの第1の樹脂層101、及び、第2の樹脂層102を形成することができる。
For the first resin constituting the first resin layer 101 and the second resin constituting the second resin layer 102, a photo-curable resin that can be used for the photoimprint method is preferably used. be able to. The first resin and the second resin may be the same or different.
In the case of using a photocurable resin for the first resin and the second resin, for example, using a step template 110 made of synthetic quartz, irradiation with ultraviolet light 111 as shown in FIG. The first resin layer 101 and the second resin layer 102 having a desired thickness can be formed by curing the resin and the second resin.

上記のような方法を用いることで、図5(c)に示す例において、第2の材料膜30bの上に形成される第1の樹脂層101の厚み(R1)が50nm〜100nmの範囲となる第1の樹脂層101、および、第2の材料膜31の上に形成される第2の樹脂層102の厚み(R2)が160nm〜300nmの範囲となる第2の樹脂層102を形成することができる。 By using the method as described above, in the example shown in FIG. 5C, the thickness (R 1 ) of the first resin layer 101 formed on the second material film 30b is in the range of 50 nm to 100 nm. The first resin layer 101 and the second resin layer 102 in which the thickness (R 2 ) of the second resin layer 102 formed on the second material film 31 is in the range of 160 nm to 300 nm. Can be formed.

一方、第3の樹脂層103は、第2の材料膜32の上に、第3の樹脂層103を構成する第3の樹脂を滴下することで形成できる。
この第3の樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。この第3の樹脂は、上記の第1の樹脂や第2の樹脂と、同じものであっても良く、異なるものであっても良い。
例えば、第3の樹脂として光硬化性樹脂を用い、第2の材料膜32の必要な領域の上を覆うような態様となるように第3の樹脂を滴下し、その後、光硬化させて第3の樹脂層103を形成することができる。
On the other hand, the third resin layer 103 can be formed by dropping a third resin constituting the third resin layer 103 on the second material film 32.
As the third resin, a photocurable resin that can be used in the photoimprinting method can be suitably used. The third resin may be the same as or different from the first resin or the second resin.
For example, a photo-curing resin is used as the third resin, and the third resin is dropped so as to cover the necessary region of the second material film 32, and then the photo-curing is performed. 3 resin layers 103 can be formed.

なお、上記のような方法で形成される第3の樹脂層103においては、段差テンプレート110を押し当てて膜厚規定する第1の樹脂層101及び第2の樹脂層102に比べて、膜厚が不均一、すなわち、厚い部分と薄い部分を含む態様を生じやすい。
しかしながら、第1実施形態においては、第3の樹脂層103が必要とされる領域において、最も薄い部分の膜厚が、第1の凹凸構造体21の凹部の底面の上の第2の材料膜30bの上に形成される第1の樹脂層101の厚み(R1)よりも厚くなるように、第3の樹脂層103を形成すればよい。
例えば、図5(c)に示す例において、第3の樹脂層103の膜厚(R3)は、1μm以上とすることができる。
Note that the third resin layer 103 formed by the method as described above has a film thickness as compared with the first resin layer 101 and the second resin layer 102 that press the step template 110 to define the film thickness. Is non-uniform, that is, an embodiment including a thick portion and a thin portion is likely to occur.
However, in the first embodiment, in the region where the third resin layer 103 is required, the thickness of the thinnest portion is the second material film on the bottom surface of the recess of the first uneven structure 21. as is thicker than the first thickness of the resin layer 101 formed on the 30b (R 1), it may be formed a third resin layer 103.
For example, in the example shown in FIG. 5C, the film thickness (R 3 ) of the third resin layer 103 can be 1 μm or more.

次に、第2の材料膜31の上に形成した第2の樹脂層102、および、第2の材料膜32の上に形成した第3の樹脂層103を残存させつつ、第2の材料膜30aの上に形成した第1の樹脂層101、第2の樹脂層102、および、第2の材料膜30bの上に形成した第2の樹脂層102を除去する(図4のS4、図6(d))。
上記の図5(c)に示す膜厚の差(R2>R1、R3>R1)があるため、図6(d)に示すように、第2の材料膜31の上に形成された第2の樹脂層102、および、第2の材料膜32の上に形成された第3の樹脂層103を残すことができる。
Next, while leaving the second resin layer 102 formed on the second material film 31 and the third resin layer 103 formed on the second material film 32, the second material film The first resin layer 101, the second resin layer 102, and the second resin layer 102 formed on the second material film 30b are removed (S4 in FIG. 4, FIG. 6). (D)).
Since there is a difference in film thickness (R 2 > R 1 , R 3 > R 1 ) shown in FIG. 5C, it is formed on the second material film 31 as shown in FIG. 6D. The second resin layer 102 and the third resin layer 103 formed on the second material film 32 can be left.

この部分的除去、より詳しくは、第2の材料膜30aの上に形成した第1の樹脂層101、第2の樹脂層102、および、第2の材料膜30bの上に形成した第2の樹脂層102の除去には、酸素ガスを用いたエッチバックの手法を用いることができる。   This partial removal, more specifically, the second resin layer 101 formed on the first resin layer 101, the second resin layer 102, and the second material film 30b formed on the second material film 30a. For removing the resin layer 102, an etch-back technique using oxygen gas can be used.

次に、上記の図6(d)に示す工程により、樹脂層が除去されて露出することになった第2の材料膜30a、30bを除去する(図4のS5、図6(e))。
より詳しくは、図6(e)に示すように、メサ構造の最上面20aの上に形成された第2の材料膜30a、および、第1の凹凸構造体21の凹部の底面の上に形成された第2の材料膜30bを除去する。
Next, by the process shown in FIG. 6D, the second material films 30a and 30b that have been exposed by removing the resin layer are removed (S5 in FIG. 4, FIG. 6E). .
More specifically, as shown in FIG. 6E, the second material film 30a formed on the top surface 20a of the mesa structure and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure 21 are formed. The second material film 30b thus formed is removed.

例えば、第2の材料膜30a、30bを構成する第2の材料にクロム(Cr)を用いた場合、酸素と塩素を含む混合ガスを用いたエッチングを施すことにより、この第2の材料膜30a、30bを除去することができる。   For example, when chromium (Cr) is used as the second material constituting the second material films 30a and 30b, the second material film 30a can be obtained by etching using a mixed gas containing oxygen and chlorine. , 30b can be removed.

次に、上記の図6(d)に示す工程において残存させた第1の樹脂層101及び第2の樹脂層102を除去して(図4のS6、図6(f))、インプリント用テンプレート1を得る。
上記の第1の樹脂層101及び第2の樹脂層102の除去には、例えば、酸素ガスを用いたアッシングの手法を用いることができる。
Next, the first resin layer 101 and the second resin layer 102 left in the step shown in FIG. 6D are removed (S6 in FIG. 4 and FIG. 6F), and the imprinting is performed. Template 1 is obtained.
For the removal of the first resin layer 101 and the second resin layer 102, for example, an ashing method using oxygen gas can be used.

上記のように、第1実施形態のインプリント用テンプレートの製造方法においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上のためにアライメントマークを構成する第2の凹凸構造体に設ける膜(第2の材料膜31)と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止のためにメサ構造の外周部に設ける膜(第2の材料膜32)を、共通する工程で製造できるため、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能なインプリント用テンプレートを、製造することができる。   As described above, in the imprint template manufacturing method according to the first embodiment, the film (second film) provided on the second concavo-convex structure constituting the alignment mark in order to improve the contrast of the alignment mark during alignment. Since the material film 31) and the film (second material film 32) provided on the outer periphery of the mesa structure for preventing light irradiation to an unintended region at the time of imprinting can be manufactured in a common process, It is possible to satisfy both the requirements of improving the contrast of alignment marks during alignment and preventing light irradiation to unintended areas during imprinting, with fewer steps compared to individual manufacturing methods. An imprint template can be manufactured.

以上、第1実施形態に係るインプリント用テンプレート及びインプリント用テンプレートの製造方法について説明したが、第1実施形態は、上記実施態様に限定されるものではない。上記実施態様は例示であり、第1実施形態の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても第1実施形態の技術的範囲に包含される。   The imprint template and the imprint template manufacturing method according to the first embodiment have been described above. However, the first embodiment is not limited to the above embodiment. The above embodiment is an exemplification, and has the same configuration as that of the technical idea described in the claims of the first embodiment, and exhibits the same operational effects in any case. Is also included in the technical scope of the first embodiment.

B.第2実施形態
以下、第2実施形態に係るインプリント用テンプレート及びインプリント用テンプレートの製造方法について、図面を用いて詳しく説明する。
B. Second Embodiment Hereinafter, an imprint template and a method for manufacturing an imprint template according to a second embodiment will be described in detail with reference to the drawings.

<インプリント用テンプレート>
まず、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートについて説明する。
図8は、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの例を説明する図であり、図8(a)、(b)は、それぞれ、異なる態様の第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの構成を説明するための概略断面図である。
<Imprint template>
First, an imprint template according to the second embodiment will be described.
FIG. 8 is a diagram for explaining an example of an imprint template according to the second embodiment. FIGS. 8A and 8B are diagrams of imprint templates according to the second embodiment having different aspects, respectively. It is a schematic sectional drawing for demonstrating a structure.

例えば、図8(a)、(b)に示すように、インプリント用テンプレート201、202は、光透過性の基材210の主面211の上にメサ構造220を有するインプリント用テンプレートであって、メサ構造220の上面に、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体221と、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体222と、を有し、メサ構造220の外周の主面211の上に、第1の材料膜231と第2の材料膜232が順次積層された積層構造を有する遮光膜233が形成されており、第2の凹凸構造体222の凹部の底面の上に、第2の材料膜232から構成される高コントラスト膜が形成されている。   For example, as shown in FIGS. 8A and 8B, the imprint templates 201 and 202 are imprint templates having a mesa structure 220 on a main surface 211 of a light-transmitting substrate 210. The mesa structure 220 has a first concavo-convex structure 221 constituting a transfer pattern and a second concavo-convex structure 222 constituting an alignment mark on the upper surface of the mesa structure 220, and the main surface 211 on the outer periphery of the mesa structure 220. A light shielding film 233 having a stacked structure in which a first material film 231 and a second material film 232 are sequentially stacked is formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 222. A high contrast film composed of the second material film 232 is formed.

このような構成、即ち、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体222の凹部の底面の上に、第2の材料膜232から構成される高コントラスト膜が形成されており、メサ構造220の外周の主面211の上に、第1の材料膜231と第2の材料膜232が順次積層された積層構造を有する遮光膜233が形成されている構成を有するため、インプリント用テンプレート201、202においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能となる。   A high-contrast film composed of the second material film 232 is formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 222 constituting the alignment mark, and the mesa structure 220 Since the light-shielding film 233 having a stacked structure in which the first material film 231 and the second material film 232 are sequentially stacked is formed on the outer peripheral main surface 211, the imprint template 201, In 202, it is possible to satisfy both the requirements of improving the contrast of the alignment mark at the time of alignment and preventing light irradiation to an unintended region at the time of imprinting.

なお、図8(a)、(b)に示すインプリント用テンプレート201、202の相違点は、基材210の主面211の上の遮光膜233が形成されている領域が異なる点である。
より具体的には、図8(b)に示すインプリント用テンプレート202においては、遮光膜233は、メサ構造220と主面211が接する箇所(即ち、メサ構造220の底部外縁)から、基材210の主面211の外縁までの領域を覆うように形成されている。
一方、図8(a)に示すインプリント用テンプレート201においては、遮光膜233は、メサ構造220と主面211が接する箇所(即ち、メサ構造220の底部外縁)から、基材210の主面211の外縁までの領域の間の、所定の領域に形成されている。この「所定の領域」について、図9を用いて以下に説明する。
The difference between the imprint templates 201 and 202 shown in FIGS. 8A and 8B is that the region where the light shielding film 233 is formed on the main surface 211 of the substrate 210 is different.
More specifically, in the imprint template 202 shown in FIG. 8B, the light shielding film 233 is formed from the portion where the mesa structure 220 and the main surface 211 are in contact (that is, the bottom outer edge of the mesa structure 220). 210 is formed so as to cover the region up to the outer edge of main surface 211 of 210.
On the other hand, in the imprint template 201 shown in FIG. 8A, the light-shielding film 233 is formed from the portion where the mesa structure 220 and the main surface 211 are in contact (that is, the bottom outer edge of the mesa structure 220). It is formed in a predetermined area between the areas up to the outer edge of 211. This “predetermined area” will be described below with reference to FIG.

図9は、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの使用例を説明する図である。
図9に示すように、インプリント用テンプレート201を用いて、光インプリント法により被転写基板250の上に形成された光硬化性樹脂260の転写領域261にパターン転写する場合、光硬化性樹脂260の非転写領域262には露光光(例えば、波長365nmの紫外光)が照射されないようにする必要がある。非転写領域262の光硬化性樹脂260を意図せずに硬化させてしまうことを防ぐためである。
FIG. 9 is a diagram for explaining an example of using the imprint template according to the second embodiment.
As shown in FIG. 9, when a pattern is transferred to a transfer region 261 of a photocurable resin 260 formed on a substrate to be transferred 250 by a photoimprint method using an imprint template 201, the photocurable resin is used. It is necessary to prevent the non-transfer area 262 of 260 from being irradiated with exposure light (for example, ultraviolet light having a wavelength of 365 nm). This is to prevent the photocurable resin 260 in the non-transfer area 262 from being unintentionally cured.

ここで、通常、インプリント用テンプレート201を搭載するインプリント装置には、露光光が意図しない領域に照射されることを抑制する目的で、露光領域が開口部になっている平面視枠状の遮光板が設けられている。
例えば、図9に示す例においては、遮光板270が設けられていることにより、露光光が照射される領域は、遮光板270の開口部に応じた照射領域290に規定されている。換言すれば、照射領域290よりも外側の露光光283は、遮光板270によって遮られ、光硬化性樹脂260に照射されない。
Here, in general, an imprint apparatus equipped with the imprint template 201 has a frame shape in a plan view in which an exposure area is an opening for the purpose of suppressing exposure light to an unintended area. A light shielding plate is provided.
For example, in the example shown in FIG. 9, since the light shielding plate 270 is provided, the region irradiated with the exposure light is defined as an irradiation region 290 corresponding to the opening of the light shielding plate 270. In other words, the exposure light 283 outside the irradiation region 290 is blocked by the light shielding plate 270 and is not irradiated to the photocurable resin 260.

ただし、この遮光板270だけでは、被転写基板250の上の光硬化性樹脂260から距離が離れている(例えば、途中にインプリント用テンプレート201が介在する)こともあって、高い位置精度で、光硬化性樹脂260の非転写領域262に露光光が照射されないようにすることは困難である。
それゆえ、遮光板270の形状精度や取り付け精度も含め、遮光板270で規定される照射領域290は、通常、光硬化性樹脂260の転写領域261よりも大きくなるように設計されている。すなわち、図9に示すように、照射領域290は、光硬化性樹脂260の転写領域261に応じた大きさの照射領域291に加えて、本来不要な照射領域292も含む。
However, with this light shielding plate 270 alone, the distance from the photocurable resin 260 on the substrate to be transferred 250 may be increased (for example, the imprint template 201 is interposed in the middle), so that the position accuracy is high. It is difficult to prevent exposure light from being irradiated to the non-transfer area 262 of the photocurable resin 260.
Therefore, the irradiation region 290 defined by the light shielding plate 270 including the shape accuracy and mounting accuracy of the light shielding plate 270 is usually designed to be larger than the transfer region 261 of the photocurable resin 260. That is, as shown in FIG. 9, the irradiation region 290 includes an irradiation region 292 that is originally unnecessary in addition to the irradiation region 291 having a size corresponding to the transfer region 261 of the photocurable resin 260.

そこで、インプリント用テンプレート201においては、図9に示すように、上記の照射領域292の露光光282を、メサ構造220の外周の基材210の主面211の上に形成した遮光膜233で遮るようにする。これにより、被転写基板250の上の光硬化性樹脂260には、転写領域261に応じた大きさの照射領域291の露光光281のみが照射されることになる。   Therefore, in the imprint template 201, as shown in FIG. 9, the exposure light 282 in the irradiation region 292 is formed by the light shielding film 233 formed on the main surface 211 of the base 210 on the outer periphery of the mesa structure 220. Try to block. As a result, only the exposure light 281 of the irradiation region 291 having a size corresponding to the transfer region 261 is irradiated onto the photocurable resin 260 on the transfer substrate 250.

上記のように、露光光の照射領域290を規制する遮光板270を備えるインプリント装置に搭載されるインプリント用テンプレート201においては、基材210の主面211に形成される遮光膜233は、メサ構造220と主面211が接する箇所(即ち、メサ構造220の底部外縁)から、基材210の主面211の外縁までの領域全てを覆うように形成されている必要は無く、所定の領域に形成されていればよい。
より具体的には、インプリント用テンプレート201において、基材210の主面211に形成される遮光膜233は、少なくとも、メサ構造220と主面211が接する箇所(即ち、メサ構造220の底部外縁)から、図9に示す照射領域290に相当する領域の基材210の主面211の領域の外縁までを覆うように形成されていればよい。
As described above, in the imprint template 201 mounted on the imprint apparatus including the light shielding plate 270 that regulates the exposure light irradiation region 290, the light shielding film 233 formed on the main surface 211 of the base 210 is: The mesa structure 220 and the main surface 211 are not necessarily formed so as to cover the entire region from the place where the main surface 211 is in contact (that is, the outer edge of the bottom of the mesa structure 220) to the outer edge of the main surface 211 of the base 210, but a predetermined region. What is necessary is just to be formed.
More specifically, in the imprint template 201, the light-shielding film 233 formed on the main surface 211 of the base 210 is at least a portion where the mesa structure 220 and the main surface 211 are in contact (that is, the outer edge of the bottom of the mesa structure 220). ) To the outer edge of the region of the main surface 211 of the base 210 in the region corresponding to the irradiation region 290 shown in FIG. 9.

なお、第2実施形態においては、図8(b)に示すインプリント用テンプレート202のように、遮光膜233は、メサ構造220と主面211が接する箇所(即ち、メサ構造220の底部外縁)から、基材210の主面211の外縁までの領域を覆うように形成されていてもよい。
このような構成であれば、インプリント用テンプレート202を搭載するインプリント装置の構成(例えば、図9に示す照射領域290のサイズ)によらずに、光硬化性樹脂260の非転写領域262には露光光が照射されないようにすることができるからである。
In the second embodiment, as in the imprint template 202 shown in FIG. 8B, the light shielding film 233 is a portion where the mesa structure 220 and the main surface 211 are in contact (that is, the bottom outer edge of the mesa structure 220). To the outer edge of the main surface 211 of the substrate 210 may be formed.
With such a configuration, the non-transfer area 262 of the photo-curable resin 260 is used regardless of the configuration of the imprint apparatus (for example, the size of the irradiation area 290 shown in FIG. 9) on which the imprint template 202 is mounted. This is because exposure light can be prevented from being irradiated.

次に、第2の凹凸構造体222の凹部の底面の上の高コントラスト膜(第2の材料膜232)の膜厚と、メサ構造220の外周の基材210の主面211の上の遮光膜233(第1の材料膜231と第2の材料膜232が順次積層された積層構造)の膜厚の関係、および、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体221の深さと、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体222の深さの関係について、図10を用いて説明する。   Next, the film thickness of the high-contrast film (second material film 232) on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 222 and the light shielding on the main surface 211 of the base 210 on the outer periphery of the mesa structure 220 The film thickness relationship of the film 233 (a stacked structure in which the first material film 231 and the second material film 232 are sequentially stacked), the depth of the first concavo-convex structure 221 constituting the transfer pattern, and the alignment mark The depth relationship of the second concavo-convex structure 222 that constitutes the structure will be described with reference to FIG.

図10は、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの要部の一例を説明する図である。
この図10は、高コントラスト膜(第2の材料膜232)と遮光膜233の膜厚の関係、および、第1の凹凸構造体221と第2の凹凸構造体222の深さの関係について説明するための図であり、インプリント用テンプレート201を構成する他の要素については、図示を省略している。
また、図10においては、一例として、インプリント用テンプレート201を用いて説明しているが、インプリント用テンプレート202においても、同様に説明できるものである。
FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a main part of an imprint template according to the second embodiment.
FIG. 10 illustrates the relationship between the film thickness of the high-contrast film (second material film 232) and the light-shielding film 233, and the relationship between the depths of the first concavo-convex structure 221 and the second concavo-convex structure 222. The other elements constituting the imprint template 201 are not shown.
In FIG. 10, the imprint template 201 is described as an example, but the imprint template 202 can be similarly described.

まず、第2の凹凸構造体222の凹部の底面の上の高コントラスト膜(第2の材料膜232)の膜厚と、メサ構造220の外周の基材210の主面211の上の遮光膜233の膜厚の関係について、説明する。   First, the film thickness of the high-contrast film (second material film 232) on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 222 and the light-shielding film on the main surface 211 of the base 210 on the outer periphery of the mesa structure 220 The relationship of the film thickness of 233 will be described.

第2実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいて、第2の凹凸構造体222の凹部の底面の上に形成されている高コントラスト膜(第2の材料膜232)は、位置合わせ時のアライメントマークのコントラストを向上させることができればよいが、メサ構造220の外周の基材210の主面211の上の遮光膜233には、インプリント時における意図しない領域への露光光の照射を防止することが求められる。
それゆえ、例えば、遮光膜233を構成する材料と、高コントラスト膜(第2の材料膜232)を構成する材料が、同じ光学特性を有する材料である場合、遮光膜233の膜厚(T2)は、高コントラスト膜(第2の材料膜232)の膜厚(T1)よりも厚い(T1<T2)ものであることが好ましい。より遮光性が向上するからである。
ここで、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいては、遮光膜233は、高コントラスト膜を構成する第2の材料膜232に加えて、第1の材料膜231を有する構成になっている。
それゆえ、遮光膜233の膜厚(T2)は、高コントラスト膜(第2の材料膜232)の膜厚(T1)よりも厚い(T1<T2)ものとなる。
In the imprint template according to the second embodiment, the high-contrast film (second material film 232) formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 222 is an alignment mark at the time of alignment. As long as the contrast can be improved, the light shielding film 233 on the main surface 211 of the substrate 210 on the outer periphery of the mesa structure 220 can prevent exposure light from being irradiated to an unintended region during imprinting. Desired.
Therefore, for example, when the material constituting the light shielding film 233 and the material constituting the high contrast film (second material film 232) are materials having the same optical characteristics, the film thickness of the light shielding film 233 (T 2 ) Is preferably thicker (T 1 <T 2 ) than the film thickness (T 1 ) of the high-contrast film (second material film 232). This is because the light shielding property is further improved.
Here, in the imprint template according to the second embodiment, the light shielding film 233 includes the first material film 231 in addition to the second material film 232 constituting the high contrast film. .
Therefore, the thickness (T 2 ) of the light shielding film 233 is thicker (T 1 <T 2 ) than the thickness (T 1 ) of the high contrast film (second material film 232).

次に、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体221とアライメントマークを構成する第2の凹凸構造体222の深さの関係について説明する。
第2実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいては、図10に示すように、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体221の凸部の上面から凹部の底面までの距離をD1とし、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体222の凸部の上面から凹部の底面の上の高コントラスト膜(第2の材料膜232)の上面までの距離をD2とした場合に、D1≦D2の関係を満たすものであることが好ましい。
このような構成であれば、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートを製造する際に、第2の材料膜232の上に残存するエッチングマスクとしての樹脂層(図13(h)に示す第2の樹脂層302a)の厚みをより厚くすることが可能になり、エッチングに際して第2の材料膜232が消失してしまう不具合を、より確実に防止できるからである。
Next, the relationship between the depths of the first concavo-convex structure 221 constituting the transfer pattern and the second concavo-convex structure 222 constituting the alignment mark will be described.
In imprint template according to the second embodiment, as shown in FIG. 10, the distance to the bottom surface of the recess and D 1 from the upper surface of the convex portion of the first concave-convex structure 221 constituting the transfer pattern, alignment When the distance from the upper surface of the convex portion of the second concavo-convex structure 222 constituting the mark to the upper surface of the high contrast film (second material film 232) on the bottom surface of the concave portion is D 2 , D 1 ≦ it is preferably satisfy the relation of D 2.
With such a configuration, when the imprint template according to the second embodiment is manufactured, the resin layer (the first layer shown in FIG. 13H) as an etching mask remaining on the second material film 232 is produced. This is because the thickness of the second resin layer 302a) can be increased, and the problem that the second material film 232 disappears during etching can be more reliably prevented.

上記のような態様は、例えば、特願2014−193694号に記載した方法により得ることができる。
すなわち、後述する第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法において、第1の凹凸構造体221と第2の凹凸構造体222を形成する際のエッチングマスクとなるハードマスクパターン(図12(d)に示す第1の材料パターン231P)を形成後、第1の凹凸構造体221を形成するためのハードマスクパターン領域を樹脂層で覆った状態で、第2の凹凸構造体222をハーフエッチングし、その後、上記樹脂層を除去して、第1の凹凸構造体221及び第2の凹凸構造体222をエッチング形成することにより、得ることができる。
The above aspect can be obtained by the method described in Japanese Patent Application No. 2014-193694, for example.
That is, in the method for manufacturing an imprint template according to the second embodiment to be described later, a hard mask pattern (FIG. 12 (FIG. 12)) that serves as an etching mask when the first concavo-convex structure 221 and the second concavo-convex structure 222 are formed. After the first material pattern 231P) shown in d) is formed, the second concavo-convex structure 222 is half-etched in a state where the hard mask pattern region for forming the first concavo-convex structure 221 is covered with a resin layer. Thereafter, the resin layer is removed and the first concavo-convex structure 221 and the second concavo-convex structure 222 can be formed by etching.

次に、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する材料について、説明する。
第2実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する光透過性の基材210は、光インプリント法に用いることが可能なものであって、インプリント時における露光光、及び、位置合わせ時のアライメント光を透過できるものである。
Next, materials constituting the imprint template according to the second embodiment will be described.
The light-transmitting substrate 210 constituting the imprint template according to the second embodiment can be used for a light imprint method, and includes exposure light during imprinting and alignment. It can transmit alignment light.

この露光光には、一般に、波長200nm〜400nmの範囲(特に300nm〜380nmの範囲)の紫外光が用いられる。
一方、アライメント光は、被転写基板の上の光硬化性樹脂を硬化させないように、露光光とは異なる波長の光が用いられる。一般的には、波長400nm〜800nmの範囲(特に633nm近傍)の可視光が用いられる。
In general, ultraviolet light having a wavelength in the range of 200 nm to 400 nm (particularly in the range of 300 nm to 380 nm) is used as the exposure light.
On the other hand, as the alignment light, light having a wavelength different from that of the exposure light is used so as not to cure the photocurable resin on the transfer substrate. Generally, visible light having a wavelength in the range of 400 nm to 800 nm (particularly in the vicinity of 633 nm) is used.

光透過性の基材210を構成する材料としては、例えば、石英ガラス、耐熱ガラス、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化マグネシウム(MgF2)、及びアクリルガラス等の透明材料や、これら透明材料の積層構造物を挙げることができる。特に、合成石英は、剛性が高く、熱膨張係数が低く、かつ一般に使用される波長である300nm〜380nmの範囲での透過率が良いため、基材210に用いる材料として適している。
なお、通常、インプリント用テンプレートにおいては、基材を構成する主たる材料と、転写パターンを有するメサ構造を構成する主たる材料は、同一材料であり、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートにおいても、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体221とアライメントマークを構成する第2の凹凸構造体222を有するメサ構造220は、基材210と同じ材料から構成されている。
Examples of the material constituting the light-transmitting substrate 210 include transparent materials such as quartz glass, heat resistant glass, calcium fluoride (CaF 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), and acrylic glass, and these transparent materials. Can be mentioned. In particular, synthetic quartz is suitable as a material used for the substrate 210 because it has high rigidity, a low coefficient of thermal expansion, and good transmittance in a range of 300 nm to 380 nm, which is a commonly used wavelength.
Normally, in the imprint template, the main material constituting the base material and the main material constituting the mesa structure having the transfer pattern are the same material, and also in the imprint template according to the second embodiment. The mesa structure 220 having the first concavo-convex structure 221 constituting the transfer pattern and the second concavo-convex structure 222 constituting the alignment mark is made of the same material as the substrate 210.

第2実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する第1の材料膜231は、基材210を構成する材料とはエッチング特性が異なる材料から構成されるものである。
より詳しくは、第1の材料膜231は、後述するインプリント用テンプレートの製造方法において、図12(e)に示すように、第1の凹凸構造体221及び第2の凹凸構造体222を形成する工程に際して、エッチングマスクとして機能するエッチング耐性を有する材料から構成される。
このように、第1の凹凸構造体221と第2の凹凸構造体222を形成するためのエッチングマスクを構成する第1の材料膜231を、遮光膜233の下層の膜として利用するため、第2実施形態においては、工程を増やすことなく、遮光膜233の透過率を小さくすることができる。
The first material film 231 constituting the imprint template according to the second embodiment is made of a material having etching characteristics different from those of the material constituting the substrate 210.
More specifically, the first material film 231 forms the first concavo-convex structure 221 and the second concavo-convex structure 222 as shown in FIG. 12E in the imprint template manufacturing method described later. At the time of the step, the material is made of a material having etching resistance that functions as an etching mask.
As described above, since the first material film 231 constituting the etching mask for forming the first concavo-convex structure 221 and the second concavo-convex structure 222 is used as a film below the light-shielding film 233, the first In the second embodiment, the transmittance of the light shielding film 233 can be reduced without increasing the number of steps.

第1の材料膜231を構成する材料としては、基材210に用いる材料をエッチングする際にエッチングマスクとして機能する物であれば、用いることができる。
ここで、上記のように基材210に用いる材料は主に合成石英であることから、第1の材料膜231を構成する材料としては、フッ素系のガスを用いたドライエッチングに耐性を有する物であることが好ましい。
第1の材料膜231を構成する材料として、例えば、金属材料及びその酸化物、窒化物、酸窒化物等を1種以上含むものを挙げることができる。上記の金属材料の具体例としては、例えば、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)等を挙げることができる。
この第1の材料膜231を構成する材料として、クロム(Cr)を用いる場合、その膜厚は、形成する第1の凹凸構造体221のサイズにもよるが、例えば、3nm〜5nm程度の厚みがあればよい。
As a material constituting the first material film 231, any material can be used as long as it functions as an etching mask when the material used for the substrate 210 is etched.
Here, since the material used for the base material 210 is mainly synthetic quartz as described above, the material constituting the first material film 231 has resistance to dry etching using a fluorine-based gas. It is preferable that
As a material constituting the first material film 231, for example, a material containing one or more metal materials and oxides, nitrides, oxynitrides thereof, and the like can be given. Specific examples of the metal material include chromium (Cr), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), zirconium (Zr), titanium (Ti), and the like.
When chromium (Cr) is used as a material constituting the first material film 231, the film thickness depends on the size of the first concavo-convex structure 221 to be formed, for example, a thickness of about 3 nm to 5 nm. If there is.

第2実施形態に係るインプリント用テンプレートを構成する第2の材料膜232は、基材210を構成する材料とは屈折率が異なる材料から構成されるものである。
屈折率が異なる材料とすることで、アライメント光を用いた位置合わせ時のアライメントマークのコントラストを向上させることができる。
The second material film 232 constituting the imprint template according to the second embodiment is made of a material having a refractive index different from that of the material constituting the substrate 210.
By using materials having different refractive indexes, the contrast of the alignment mark at the time of alignment using alignment light can be improved.

第2の材料膜232を構成する材料としては、アライメント光に対して、基材210を構成する材料とは屈折率が異なる物であれば用いることができる。
上記のように基材210に用いる材料は主に合成石英であることから、第2の材料膜232を構成する材料としては、例えば、金属材料及びその酸化物、窒化物、酸窒化物等を1種以上含むものを挙げることができる。上記の金属材料の具体例としては、例えば、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)等を挙げることができる。
As a material constituting the second material film 232, any material having a refractive index different from that of the material constituting the substrate 210 with respect to the alignment light can be used.
Since the material used for the substrate 210 is mainly synthetic quartz as described above, examples of the material constituting the second material film 232 include a metal material and its oxide, nitride, oxynitride, and the like. The thing containing 1 or more types can be mentioned. Specific examples of the metal material include chromium (Cr), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), zirconium (Zr), titanium (Ti), and the like.

ここで、インプリント時における意図しない領域への露光光の照射を防止するため、基材210の主面211の上に形成される遮光膜33は、波長365nmでの透過率が10%以下であることが好ましい。
例えば、第1の材料膜231を構成する材料、及び、第2の材料膜232を構成する材料としてクロム(Cr)を用いる場合、遮光膜33の膜厚(T2)は、15nm以上あればよい。
Here, in order to prevent exposure light from being irradiated to an unintended region during imprinting, the light shielding film 33 formed on the main surface 211 of the substrate 210 has a transmittance of 10% or less at a wavelength of 365 nm. Preferably there is.
For example, when chromium (Cr) is used as a material constituting the first material film 231 and a material constituting the second material film 232, the thickness (T 2 ) of the light shielding film 33 is 15 nm or more. Good.

なお、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートは、平面視においてメサ構造を包含する位置関係となる窪み部を、裏面側に有していても良い。
例えば、図8(a)、(b)に示すように、インプリント用テンプレート201、202は、平面視においてメサ構造220を包含する位置関係となる窪み部240を、裏面212側に有している。
Note that the imprint template according to the second embodiment may have a recessed portion on the back surface side that has a positional relationship including the mesa structure in plan view.
For example, as shown in FIGS. 8A and 8B, the imprint templates 201 and 202 have a recess 240 on the back surface 212 side that is in a positional relationship including the mesa structure 220 in plan view. Yes.

このような構成であれば、窪み部240が形成されている部分のインプリント用テンプレート201、202の肉厚を薄くでき、メサ構造220を湾曲させ易くなる。
それゆえ、例えば、インプリント用テンプレート201、202の転写パターン(第1の凹凸構造体221)を被転写基板250の上の光硬化性樹脂260と接触させる際に、メサ構造220を、その中央部が周囲よりも光硬化性樹脂260に近づく形に湾曲させることで、中央部から外周部に向かって徐々に、気体の混入を排除しつつ、転写パターン(第1の凹凸構造体221)を光硬化性樹脂260と接触させることができる。
また、離型時においても、メサ構造220を湾曲させることで、その外周部から中央部に向かって、徐々に転写パターン(第1の凹凸構造体221)を光硬化性樹脂260から離脱させることができる。
With such a configuration, the thickness of the imprint templates 201 and 202 in the portion where the recess 240 is formed can be reduced, and the mesa structure 220 can be easily bent.
Therefore, for example, when the transfer pattern (first concavo-convex structure 221) of the imprint templates 201 and 202 is brought into contact with the photocurable resin 260 on the transfer substrate 250, the mesa structure 220 is moved to the center. The transfer pattern (the first concavo-convex structure 221) is gradually eliminated from the central portion toward the outer peripheral portion by curving the portion closer to the photo-curable resin 260 than the surroundings, while gradually excluding gas contamination. It can be brought into contact with the photocurable resin 260.
Further, even at the time of mold release, by curving the mesa structure 220, the transfer pattern (first concavo-convex structure 221) is gradually detached from the photocurable resin 260 from the outer peripheral portion toward the central portion. Can do.

なお、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの転写パターンは、ラインアンドスペースパターンであってもよく、また、ピラー形状であってもよい。一例として、その大きさは、ラインアンドスペースパターンの場合、ライン幅が30nm程度であり、その高さは60nm程度である。また、ピラー形状の場合、直径が50nm程度であり、その高さは60nm程度である。   The transfer pattern of the imprint template according to the second embodiment may be a line and space pattern or a pillar shape. As an example, in the case of a line and space pattern, the line width is about 30 nm and the height is about 60 nm. In the case of a pillar shape, the diameter is about 50 nm and the height is about 60 nm.

<インプリント用テンプレートの製造方法>
次に、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法について説明する。
図11は、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。また、図12、13は、第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。なお、この図11〜13は、主に第2実施形態に係るインプリント用テンプレートの第1の凹凸構造体221、第2の凹凸構造体222、高コントラスト膜(第2の材料膜232)、および、遮光膜233(第1の材料膜231と第2の材料膜232が順次積層された積層構造)の形成方法について説明するものであり、他の構成要素の形成方法については、省略している。
<Method for producing imprint template>
Next, a method for manufacturing an imprint template according to the second embodiment will be described.
FIG. 11 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing an imprint template according to the second embodiment. 12 and 13 are schematic process diagrams showing an example of a method for manufacturing an imprint template according to the second embodiment. 11 to 13 mainly show the first concavo-convex structure 221, the second concavo-convex structure 222, the high contrast film (second material film 232), and the imprint template according to the second embodiment. In addition, a method for forming the light shielding film 233 (a stacked structure in which the first material film 231 and the second material film 232 are sequentially stacked) is described, and a method for forming other components is omitted. Yes.

例えば、本製造方法により、インプリント用テンプレート201を製造するには、まず、光透過性の基材210の主面211の上にメサ構造220を有するテンプレート用基板300を準備し(図11のS1、図12(a))、基材210の主面211の上、及び、メサ構造220の上面220aの上に第1の材料膜231を形成する(図11のS2、図12(b))。
第1の材料膜231を形成する方法としては、例えば、スパッタ成膜法を用いることができる。
For example, in order to manufacture the imprint template 201 by this manufacturing method, first, the template substrate 300 having the mesa structure 220 on the main surface 211 of the light-transmitting substrate 210 is prepared (see FIG. 11). S1, FIG. 12A), a first material film 231 is formed on the main surface 211 of the substrate 210 and on the upper surface 220a of the mesa structure 220 (S2, FIG. 12B). ).
As a method for forming the first material film 231, for example, a sputtering film forming method can be used.

次に、第1の材料膜231の上に第1の樹脂層301a、301bを形成し、メサ構造220の上面の上に形成した第1の樹脂層301aを加工して、第1の樹脂パターン221a、222aを形成する(図11のS3、図12(c))。   Next, first resin layers 301a and 301b are formed on the first material film 231, and the first resin layer 301a formed on the upper surface of the mesa structure 220 is processed to obtain a first resin pattern. 221a and 222a are formed (S3 in FIG. 11, FIG. 12C).

第1の樹脂層301a、301bを構成する樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。なお、第1の樹脂層301aを構成する樹脂と、第1の樹脂層301bを構成する樹脂は、同じものであっても良く、異なるものであっても良い。
第1の樹脂層301aを構成する樹脂に光硬化性樹脂を用いる場合、例えば、第1の樹脂パターン221a、222aに相当する凹凸パターンを有するマスターテンプレートを用いた光インプリント法により、第1の樹脂パターン221a、222aを形成することができる。
As the resin constituting the first resin layers 301a and 301b, a photocurable resin that can be used in the photoimprint method can be suitably used. Note that the resin constituting the first resin layer 301a and the resin constituting the first resin layer 301b may be the same or different.
When a photocurable resin is used as the resin constituting the first resin layer 301a, for example, the first imprint method using a master template having an uneven pattern corresponding to the first resin patterns 221a and 222a Resin patterns 221a and 222a can be formed.

一方、第1の樹脂層301bは、第1の材料膜231の上に、第1の樹脂層301bを構成する樹脂を滴下することで形成できる。
例えば、光硬化性樹脂を用い、第1の材料膜231の必要な領域の上を覆うような態様となるように、この樹脂を滴下し、その後、光硬化させて第1の樹脂層301bを形成することができる。
On the other hand, the first resin layer 301b can be formed by dropping a resin constituting the first resin layer 301b on the first material film 231.
For example, using a photocurable resin, this resin is dropped so as to cover the necessary region of the first material film 231, and then photocured to form the first resin layer 301 b. Can be formed.

なお、上記のような方法で形成される第1の樹脂層301bにおいては、膜厚が不均一、すなわち、厚い部分と薄い部分を含む態様を生じやすい。
しかしながら、第2実施形態においては、第1の樹脂層301bが必要とされる領域において、最も薄い部分の膜厚が、第1の樹脂パターン221a、222aの凹部の膜厚(第1の樹脂パターン221a、222aの凹部の底面から第1の材料膜231の上面までの樹脂の厚み)よりも厚くなるように、第1の樹脂層301bを形成すればよい。
In addition, in the 1st resin layer 301b formed by the above methods, it is easy to produce the aspect containing a nonuniform film thickness, ie, a thick part and a thin part.
However, in the second embodiment, in the region where the first resin layer 301b is required, the thickness of the thinnest part is the thickness of the recesses of the first resin patterns 221a and 222a (first resin pattern The first resin layer 301b may be formed so as to be thicker than the thickness of the resin from the bottom surface of the recesses 221a and 222a to the top surface of the first material film 231.

次に、第1の樹脂パターン221a、222aにエッチングを施して、第1の材料膜231から第1の材料パターン231Pを形成し(図11のS4、図12(d))、第1の材料パターン231Pをエッチングマスクに用いて、第1の凹凸構造体221及び第2の凹凸構造体222を形成する(図11のS5、図12(e))。   Next, the first resin patterns 221a and 222a are etched to form a first material pattern 231P from the first material film 231 (S4 in FIG. 11, FIG. 12D), and the first material Using the pattern 231P as an etching mask, the first concavo-convex structure 221 and the second concavo-convex structure 222 are formed (S5 in FIG. 11, FIG. 12E).

上記の第1の樹脂パターン221a、222aにエッチングを施して、第1の材料膜231から第1の材料パターン231Pを形成する工程(図11のS4、図12(d))には、従来のインプリント法と同様の方法を用いることができる。   In the process of forming the first material pattern 231P from the first material film 231 by etching the first resin patterns 221a and 222a (S4 in FIG. 11 and FIG. 12D), the conventional process is performed. A method similar to the imprint method can be used.

例えば、まず酸素ガスを用いたドライエッチングにより、第1の樹脂パターン221a、222aの凹部の下の樹脂を除去して、第1の材料膜231を露出させ、その後、露出した第1の材料膜231の部分をエッチング除去することにより、第1の材料パターン231Pを形成することができる(図11のS4、図12(d))。
例えば、第1の材料膜231を構成する材料として、クロム(Cr)を用いた場合、塩素と酸素の混合ガスを用いたドライエッチングにより、第1の材料パターン231Pを形成することができる。
For example, first, the resin under the recesses of the first resin patterns 221a and 222a is removed by dry etching using oxygen gas to expose the first material film 231, and then the exposed first material film The first material pattern 231P can be formed by etching away the portion 231 (S4 in FIG. 11, FIG. 12D).
For example, when chromium (Cr) is used as a material constituting the first material film 231, the first material pattern 231P can be formed by dry etching using a mixed gas of chlorine and oxygen.

また、基材210の材料に合成石英を用いた場合、フッ素系のガスを用いたドライエッチングにより、第1の凹凸構造体221及び第2の凹凸構造体222を形成することができる(図11のS5、図12(e))。   In addition, when synthetic quartz is used as the material of the substrate 210, the first concavo-convex structure 221 and the second concavo-convex structure 222 can be formed by dry etching using a fluorine-based gas (FIG. 11). S5, FIG. 12 (e)).

なお、第1の凹凸構造体221及び第2の凹凸構造体222を形成する工程(図11のS5、図12(e))の後に残存する第1の樹脂層301a、301bは、例えば、酸素ガスを用いたアッシングで除去される。   Note that the first resin layers 301a and 301b remaining after the step of forming the first concavo-convex structure 221 and the second concavo-convex structure 222 (S5 in FIG. 11, FIG. 12E) are, for example, oxygen It is removed by ashing using gas.

次に、第1の材料パターン231Pの上、第1の凹凸構造体221の凹部の底面の上、第2の凹凸構造体222の凹部の底面の上、および、基材210の主面の上の第1の材料膜231の上に、第2の材料膜232を形成する(図11のS6、図13(f))。   Next, on the first material pattern 231P, on the bottom surface of the concave portion of the first concave-convex structure body 221, on the bottom surface of the concave portion of the second concave-convex structure body 222, and on the main surface of the substrate 210 A second material film 232 is formed on the first material film 231 (S6 in FIG. 11, FIG. 13F).

この第2の材料膜232を形成する方法には、スパッタ法やCVD法等の真空成膜の技術を用いることができる。
例えば、第2の材料膜232を構成する材料としてクロム(Cr)を用いる場合、スパッタ法による真空成膜を施して、第2の材料膜232を形成することができる。
As a method of forming the second material film 232, a vacuum film forming technique such as a sputtering method or a CVD method can be used.
For example, in the case where chromium (Cr) is used as a material constituting the second material film 232, the second material film 232 can be formed by performing vacuum film formation by a sputtering method.

次に、第2の材料膜232の上に、第2の樹脂層302a、302bを形成する(図11のS7、図13(g))。
より詳しくは、第1の凹凸構造体221の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第2の材料膜232の上に第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))を形成し、第2の凹凸構造体222の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第2の材料膜232の上に第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))を形成し、基材210の主面の上に形成された第2の材料膜232の上に第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))を形成する。
Next, second resin layers 302a and 302b are formed on the second material film 232 (S7 in FIG. 11, FIG. 13G).
More specifically, the second resin layer 302a (second resin layer (on the second material layer 232) is formed on the second material film 232 formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure 221. A)), and the second resin layer 302a (the second resin layer 302a is formed on the second material film 232 formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 222. The resin layer (B)) is formed, and the second resin layer 302b (second resin layer (C)) is formed on the second material film 232 formed on the main surface of the substrate 210. .

この際、図13(g)に示すように、第2の凹凸構造体222の凹部の底面の上の第2の材料膜232の上に形成される第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))の厚み、および、第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))の厚みが、第1の凹凸構造体221の凹部の底面の上の第2の材料膜232の上に形成される第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))よりも厚くなるように、それぞれの樹脂層を形成する。
次の工程、すなわち、図13(h)に示す、第2の樹脂層の部分的除去工程において、第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))及び第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))を残存させつつ、第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))を除去するためである。
At this time, as shown in FIG. 13G, the second resin layer 302a (second resin) formed on the second material film 232 on the bottom surface of the concave portion of the second concave-convex structure 222. The thickness of the layer (B)) and the thickness of the second resin layer 302b (second resin layer (C)) are such that the second material film 232 on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure 221. Each resin layer is formed so as to be thicker than the second resin layer 302a (second resin layer (A)) formed thereon.
In the next step, that is, in the partial removal step of the second resin layer shown in FIG. 13H, the second resin layer 302a (second resin layer (B)) and the second resin layer 302b ( This is to remove the second resin layer 302a (second resin layer (A)) while leaving the second resin layer (C)).

上記のように、第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))の厚み(R2)を、第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))の厚み(R1)よりも厚くなるようにするには、例えば、図14に示すような、段差テンプレート310を用いる方法を挙げることができる。
より詳しくは、第1の凹凸構造体221の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第2の材料膜232の上に、第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))を構成する樹脂を滴下し、第2の凹凸構造体222の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された第2の材料膜232の上に、第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))を構成する樹脂を滴下し、第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))及び第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレート310を押し当て、樹脂を硬化させる。
As described above, the thickness (R 2 ) of the second resin layer 302a (second resin layer (B)) is set to the thickness (R 1 ) of the second resin layer 302a (second resin layer (A)). For example, a method using a step template 310 as shown in FIG. 14 can be mentioned.
More specifically, the second resin layer 302a (second resin layer) is formed on the second material film 232 formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure 221. (A)) is dropped, and the second resin is formed on the second material film 232 formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure 222. A resin constituting the layer 302a (second resin layer (B)) is dropped, and the second resin layer 302a (second resin layer (A)) and the second resin layer 302a (second resin layer ( The step template 310 having a step structure corresponding to each thickness of B)) is pressed to cure the resin.

第2の樹脂層302aを構成する樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。
第2の樹脂層302aを構成する樹脂に光硬化性樹脂を用いる場合、例えば、合成石英から構成される段差テンプレート310を用いて、図14に示すように紫外光311を照射して、第2の樹脂層302aを構成する樹脂を硬化させることで、所望の厚みの第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))及び第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))を形成することができる。
As the resin constituting the second resin layer 302a, a photocurable resin that can be used for the photoimprinting method can be suitably used.
When a photocurable resin is used as the resin constituting the second resin layer 302a, for example, a step template 310 made of synthetic quartz is used to irradiate ultraviolet light 311 as shown in FIG. The second resin layer 302a (second resin layer (A)) and second resin layer 302a (second resin layer (B)) having a desired thickness are cured by curing the resin constituting the resin layer 302a. ) Can be formed.

上記のような方法を用いることで、図13(g)、図14に示す例において、厚み(R1)が50nm〜100nmの範囲となる第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))、および、厚み(R2)が160nm〜300nmの範囲となる第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))を形成することができる。 By using the method as described above, in the example shown in FIGS. 13 (g) and 14, the second resin layer 302a (second resin layer (A) having a thickness (R 1 ) in the range of 50 nm to 100 nm is used. )) And the second resin layer 302a (second resin layer (B)) having a thickness (R 2 ) in the range of 160 nm to 300 nm can be formed.

一方、第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))は、基材210の主面の上に形成された第2の材料膜232の上に、第2の樹脂層302bを構成する樹脂を滴下することで形成できる。
この第2の樹脂層302bを構成する樹脂には、光インプリント法に用いることが可能な光硬化性樹脂を好適に用いることができる。この第2の樹脂層302bを構成する樹脂は、上記の第2の樹脂層302aを構成する樹脂と、同じものであっても良く、異なるものであっても良い。
例えば、第2の樹脂層302bを構成する樹脂として光硬化性樹脂を用い、基材210の主面の上に形成された第2の材料膜232の必要な領域の上を覆うような態様となるようにこの樹脂を滴下し、その後、光硬化させて第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))を形成することができる。
On the other hand, the second resin layer 302b (second resin layer (C)) constitutes the second resin layer 302b on the second material film 232 formed on the main surface of the substrate 210. It can form by dripping resin to do.
As the resin constituting the second resin layer 302b, a photocurable resin that can be used in the photoimprint method can be suitably used. The resin constituting the second resin layer 302b may be the same as or different from the resin constituting the second resin layer 302a.
For example, a mode in which a photocurable resin is used as the resin constituting the second resin layer 302b and covers a necessary region of the second material film 232 formed on the main surface of the substrate 210, and The second resin layer 302b (second resin layer (C)) can be formed by dropping the resin so that the resin layer is light-cured.

なお、上記のような方法で形成される第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))においては、段差テンプレート310を押し当てて膜厚規定する第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))及び第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))に比べて、膜厚が不均一、すなわち、厚い部分と薄い部分を含む態様を生じやすい。
しかしながら、第2実施形態においては、第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))が必要とされる領域において、最も薄い部分の膜厚が、第1の凹凸構造体221の凹部の底面の上の第2の材料膜232の上に形成される第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(A))の厚み(R1)よりも厚くなるように、第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))を形成すればよい。
例えば、図13(g)に示す例において、第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))の膜厚は、1μm以上とすることができる。
In the second resin layer 302b (second resin layer (C)) formed by the method as described above, the second resin layer 302a (second resin layer) is formed by pressing the step template 310 to define the film thickness. In comparison with the second resin layer (A)) and the second resin layer 302a (second resin layer (B)), the film thickness is non-uniform, that is, an aspect including a thick portion and a thin portion is likely to occur.
However, in the second embodiment, in the region where the second resin layer 302b (second resin layer (C)) is required, the thickness of the thinnest portion is the concave portion of the first concavo-convex structure 221. The second resin so as to be thicker than the thickness (R 1 ) of the second resin layer 302a (second resin layer (A)) formed on the second material film 232 on the bottom surface of The layer 302b (second resin layer (C)) may be formed.
For example, in the example shown in FIG. 13G, the thickness of the second resin layer 302b (second resin layer (C)) can be 1 μm or more.

次に、基材210の主面の上の第2の材料膜232の上に形成された第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))、および、第2の凹凸構造体222の凹部の底面の上の第2の材料膜232の上、に形成された第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))を残存させつつ、メサ構造220の上の第1の材料パターン231Pの上に形成された第2の材料膜232の上、および、第1の凹凸構造体221の凹部の底面の上の第2の材料膜232の上、に形成された第2の樹脂層302aを除去する(図11のS8、図13(h))。
上記の図13(g)に示す膜厚の差があるため、図13(h)に示すように、第2の樹脂層302a(第2の樹脂層(B))、および、第2の樹脂層302b(第2の樹脂層(C))を残すことができる。
Next, the second resin layer 302b (second resin layer (C)) formed on the second material film 232 on the main surface of the substrate 210, and the second concavo-convex structure 222 The second resin layer 302a (second resin layer (B)) formed on the second material film 232 on the bottom surface of the concave portion of the concave portion of the first recess on the mesa structure 220 is left. The second material film 232 formed on the material pattern 231P and the second material film 232 formed on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure 221 are formed on the second material film 232 formed on the material pattern 231P. The resin layer 302a is removed (S8 in FIG. 11, FIG. 13 (h)).
Since there is a difference in film thickness shown in FIG. 13 (g), as shown in FIG. 13 (h), the second resin layer 302a (second resin layer (B)) and the second resin The layer 302b (second resin layer (C)) can be left.

この部分的除去、より詳しくは、第1の材料パターン231Pの上に形成された第2の材料膜232の上に形成された第2の樹脂層302a、および、第1の凹凸構造体221の凹部の底面の上の第2の材料膜232の上、に形成された第2の樹脂層302aの除去には、酸素ガスを用いたエッチバックの手法を用いることができる。   This partial removal, more specifically, the second resin layer 302a formed on the second material film 232 formed on the first material pattern 231P, and the first concavo-convex structure 221 An etching back method using oxygen gas can be used to remove the second resin layer 302a formed on the second material film 232 on the bottom surface of the recess.

次に、上記の図13(h)に示す工程により、第2の樹脂層302aが部分的に除去されて露出することになった第2の材料膜232を除去し、次いで、第1の材料パターン231Pを除去し、その後、残存させた第2の樹脂層302a、302bを除去して(図11のS9〜10、図13(i))、インプリント用テンプレート201を得る。
より詳しくは、まず、メサ構造220の上の第1の材料パターン231Pの上、および、第1の凹凸構造体221の凹部の底面の上、に形成された第2の材料膜232を除去し、これにより露出する第1の材料パターン31Pを除去し、その後、第2の凹凸構造体222の凹部に形成した第2の材料膜232の上に残存する第2の樹脂層302a、及び、基材210の主面の上の第2の材料膜232の上に残存する第2の樹脂層302bを除去して、図13(i)に示すインプリント用テンプレート201を得る。
Next, by the process shown in FIG. 13H, the second material film 232 that has been exposed by partially removing the second resin layer 302a is removed, and then the first material is removed. The pattern 231 </ b> P is removed, and then the remaining second resin layers 302 a and 302 b are removed (S <b> 9 to 10 in FIG. 11, FIG. 13 (i)) to obtain the imprint template 201.
More specifically, first, the second material film 232 formed on the first material pattern 231P on the mesa structure 220 and on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure 221 is removed. Then, the exposed first material pattern 31P is removed, and then the second resin layer 302a remaining on the second material film 232 formed in the recess of the second uneven structure 222, and the base The second resin layer 302b remaining on the second material film 232 on the main surface of the material 210 is removed to obtain an imprint template 201 shown in FIG.

例えば、第2の材料膜232及び第1の材料パターン231Pを構成する材料にクロム(Cr)を用いた場合、塩素と酸素を含む混合ガスを用いたドライエッチングを施すことにより、この第2の材料膜232及び第1の材料パターン231Pを除去することができる。
また、上記の第2の樹脂層302a、302bの除去には、例えば、酸素ガスを用いたアッシングの手法を用いることができる。
なお、第2の材料膜232を構成する材料と、第1の材料パターン231Pを構成する材料が、同じ材料である場合、上記の第2の材料膜232を除去する工程と、第1の材料パターン231Pを除去する工程は、一の工程で行うことができる。
For example, when chromium (Cr) is used as the material constituting the second material film 232 and the first material pattern 231P, the second material film 232 and the first material pattern 231P are subjected to dry etching using a mixed gas containing chlorine and oxygen. The material film 232 and the first material pattern 231P can be removed.
Further, for example, an ashing method using oxygen gas can be used to remove the second resin layers 302a and 302b.
When the material constituting the second material film 232 and the material constituting the first material pattern 231P are the same material, the step of removing the second material film 232 and the first material The step of removing the pattern 231P can be performed in one step.

上記のように、第2実施形態のインプリント用テンプレートの製造方法においては、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上のために第2の凹凸構造体に設ける高コントラスト膜と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止のためにメサ構造の外周部に設ける積層構造の遮光膜を構成する上層の膜を、共通する工程で製造できるため、各膜をそれぞれ個別に形成する製造方法に比べて、より少ない工程で、位置合わせ時のアライメントマークのコントラスト向上と、インプリント時における意図しない領域への光照射防止の、両方の要求を満たすことが可能なインプリント用テンプレートを、製造することができる。   As described above, in the method for manufacturing an imprint template of the second embodiment, the high contrast film provided on the second concavo-convex structure for improving the contrast of the alignment mark at the time of alignment, and the intention at the time of imprinting Since the upper layer film constituting the light-shielding film of the laminated structure provided on the outer periphery of the mesa structure can be manufactured in a common process in order to prevent light irradiation to the areas not to be irradiated, compared with the manufacturing method in which each film is individually formed Therefore, it is possible to manufacture an imprint template that can satisfy both the requirements of improving the contrast of the alignment mark at the time of alignment and preventing light irradiation to an unintended area at the time of imprinting with fewer steps. Can do.

さらに、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体を形成するためのエッチングマスクを構成する第1の材料膜を、積層構造の遮光膜の下層の膜として利用するため、工程を増やすことなく、遮光膜の透過率を小さくすることができる。   Further, the first material film constituting the etching mask for forming the first concavo-convex structure constituting the transfer pattern and the second concavo-convex structure constituting the alignment mark is formed under the light-shielding film having a laminated structure. Therefore, the transmittance of the light shielding film can be reduced without increasing the number of steps.

また、インプリント用テンプレートを製造するための基板(テンプレート用基板)の非パターン部に遮光部材を形成し、その後、パターン部に凹凸構造体を形成する場合には、凹凸構造体の形成工程で遮光膜に損傷が生じやすいという問題もあるが、第2実施形態のインプリント用テンプレートの製造方法においては、第1の凹凸構造体221及び第2の凹凸構造体222の形成後に、積層構造の遮光膜を構成する上層の膜(第2の材料膜232)を形成するため、上記のような問題も防止できる。   In the case where a light shielding member is formed on a non-pattern part of a substrate (template substrate) for manufacturing an imprint template and then a concavo-convex structure is formed on the pattern part, Although there is a problem that the light-shielding film is easily damaged, in the imprint template manufacturing method according to the second embodiment, after the formation of the first concavo-convex structure 221 and the second concavo-convex structure 222, the laminated structure Since the upper film (second material film 232) constituting the light shielding film is formed, the above-described problem can be prevented.

以上、第2実施形態に係るインプリント用テンプレート及びインプリント用テンプレートの製造方法について説明したが、第2実施形態は、上記実施態様に限定されるものではない。上記実施態様は例示であり、第2実施形態の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても第2実施形態の技術的範囲に包含される。   The imprint template and the imprint template manufacturing method according to the second embodiment have been described above. However, the second embodiment is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and in any case, it has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the second embodiment and exhibits the same effect. Is also included in the technical scope of the second embodiment.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

1、2 インプリント用テンプレート
10 基材部
11 主面
12 裏面
20 メサ構造
20a メサ構造の最上面
21 第1の凹凸構造体
22 第2の凹凸構造体
30a、30b、31、32 第2の材料膜
40 窪み部
50 被転写基板
60 光硬化性樹脂
61 転写領域
62 非転写領域
70 遮光板
81、82、83 露光光
90、91、92 照射領域
100 第1のインプリント用テンプレート
101 第1の樹脂層
102 第2の樹脂層
103 第3の樹脂層
110 段差テンプレート
111 紫外光
201、202 インプリント用テンプレート
210 基材
211 主面
212 裏面
220 メサ構造
220a メサ構造の上面
221 第1の凹凸構造体
221a 第1の樹脂パターン
222 第2の凹凸構造体
222a 第1の樹脂パターン
231 第1の材料膜
231P 第1の材料パターン
232 第2の材料膜
233 遮光膜
240 窪み部
250 被転写基板
260 光硬化性樹脂
261 転写領域
262 非転写領域
270 遮光板
281、282、283 露光光
290、291、292 照射領域
300 テンプレート用基板
301a、301b 第1の樹脂層
302a、302b 第2の樹脂層
310 段差テンプレート
311 紫外光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 Imprint template 10 Base material part 11 Main surface 12 Back surface 20 Mesa structure 20a Top surface 21 of mesa structure 1st uneven structure body 22 2nd uneven structure body 30a, 30b, 31, 32 2nd material Film 40 Depression 50 Transferred substrate 60 Photocurable resin 61 Transfer area 62 Non-transfer area 70 Light shielding plates 81, 82, 83 Exposure light 90, 91, 92 Irradiation area 100 First imprint template 101 First resin Layer 102 Second resin layer 103 Third resin layer 110 Step template 111 Ultraviolet light 201, 202 Imprint template 210 Base material 211 Main surface 212 Back surface 220 Mesa structure 220a Mesa structure upper surface 221 First uneven structure 221a First resin pattern 222 Second uneven structure 222a First resin pattern 231 First material film 231 P First material pattern 232 Second material film 233 Light-shielding film 240 Recessed portion 250 Transferred substrate 260 Photo-curing resin 261 Transfer region 262 Non-transfer region 270 Light-shielding plates 281, 282, 283 Exposure light 290, 291, 292 Irradiation Region 300 Template substrate 301a, 301b First resin layer 302a, 302b Second resin layer 310 Step template 311 Ultraviolet light

Claims (20)

光透過性の基材部の主面の上にメサ構造を有するインプリント用テンプレートであって、
前記メサ構造の上面に、
転写パターンを構成する第1の凹凸構造体と、
アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体と、
を有し、
前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上、及び、前記メサ構造の外周の前記基材部の主面の上に、
前記基材部を構成する第1の材料とは屈折率が異なる第2の材料から構成される第2の材料膜が形成されていることを特徴とする、インプリント用テンプレート。
An imprint template having a mesa structure on a main surface of a light-transmitting base material portion,
On the top surface of the mesa structure,
A first concavo-convex structure constituting a transfer pattern;
A second concavo-convex structure constituting an alignment mark;
Have
On the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure and on the main surface of the base material portion on the outer periphery of the mesa structure,
A template for imprinting, wherein a second material film made of a second material having a refractive index different from that of the first material constituting the substrate portion is formed.
前記基材部の主面の上の第2の材料膜が、
前記メサ構造と前記主面が接する前記メサ構造の底部外縁から前記基材部の主面の外縁までの領域を覆うように形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のインプリント用テンプレート。
The second material film on the main surface of the base material portion is
2. The imprint according to claim 1, wherein the imprint is formed so as to cover a region from a bottom outer edge of the mesa structure that contacts the mesa structure and the main surface to an outer edge of the main surface of the base material portion. Template.
前記基材部の主面の上の第2の材料膜が、波長365nmでの透過率が10%以下であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のインプリント用テンプレート。   The imprint template according to claim 1 or 2, wherein the second material film on the main surface of the base material portion has a transmittance of 10% or less at a wavelength of 365 nm. 前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成されている前記第2の材料膜と、前記主面の上に形成されている前記第2の材料膜が、同じ膜厚であることを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のインプリント用テンプレート。   The second material film formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure and the second material film formed on the main surface have the same film thickness. The imprint template according to claim 1, wherein the imprint template is a template. 前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成されている前記第2の材料膜の膜厚が、前記主面の上に形成されている前記第2の材料膜の膜厚より薄いことを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のインプリント用テンプレート。   The film thickness of the second material film formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure is smaller than the film thickness of the second material film formed on the main surface. The imprint template according to claim 1, wherein the imprint template is a template. 前記第1の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離をD1とし、
前記第2の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上面までの距離をD2とした場合に、
1≦D2
の関係を満たすものであることを特徴とする、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のインプリント用テンプレート。
D 1 is a distance from the top surface of the convex portion of the first concavo-convex structure to the bottom surface of the concave portion,
The distance from the upper surface of the convex portion of the second concave-convex structures to the upper surface of said second material film on the bottom surface of the recess in the case of a D 2,
D 1 ≦ D 2
The imprint template according to claim 1, wherein the imprint template satisfies the following relationship.
光透過性の基材部の主面の上にメサ構造を有し、前記メサ構造の上面に、転写パターンを構成する第1の凹凸構造体と、アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体と、を有する第1のインプリント用テンプレートを準備する工程と、
前記メサ構造の最上面の上、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上、および、前記基材部の主面の上に、前記基材部を構成する第1の材料とは屈折率が異なる第2の材料から構成される第2の材料膜を形成する工程と、
前記第2の材料膜の上に樹脂層を形成する工程と、
前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上に形成した前記樹脂層、および、前記基材部の主面の上の前記第2の材料膜の上に形成した前記樹脂層を残存させつつ、前記メサ構造の最上面の上の前記第2の材料膜の上に形成した前記樹脂層、および、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上に形成した前記樹脂層を除去する工程と、
前記メサ構造の最上面の上に形成した前記第2の材料膜、および、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜を除去する工程と、
前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上、および、前記基材部の主面の上の前記第2の材料膜の上に残存させた前記樹脂層を除去する工程と、
を順に備えることを特徴とする、インプリント用テンプレートの製造方法。
A first concavo-convex structure that has a mesa structure on the main surface of the light-transmitting base material portion and that forms a transfer pattern on the upper surface of the mesa structure, and a second concavo-convex structure that forms an alignment mark And preparing a first imprint template having:
On the top surface of the mesa structure, on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure, on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure, and on the main surface of the base material portion, Forming a second material film composed of a second material having a refractive index different from that of the first material constituting the base portion;
Forming a resin layer on the second material film;
On the resin layer formed on the second material film on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure, and on the second material film on the main surface of the base material portion The resin layer formed on the second material film on the uppermost surface of the mesa structure and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure body while the formed resin layer remains. Removing the resin layer formed on the second material film;
Removing the second material film formed on the uppermost surface of the mesa structure and the second material film formed on the bottom surface of the recess of the first concavo-convex structure;
The resin layer left on the second material film on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure and on the second material film on the main surface of the base material portion Removing the
In order. The manufacturing method of the template for imprints characterized by the above-mentioned.
前記第2の材料膜の上に樹脂層を形成する工程が、
前記第1の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜の上を覆う第1の樹脂層を形成する工程と、
前記第2の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜の上を覆う第2の樹脂層を形成する工程と、
前記基材部の主面の上に形成した前記第2の材料膜の上に第3の樹脂層を形成する工程と、を含み、
前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上に形成される第2の樹脂層の厚み、および、前記第3の樹脂層の厚みが、
前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上に形成される第1の樹脂層の厚みよりも厚いことを特徴とする、請求項7に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
Forming a resin layer on the second material film,
Forming a first resin layer covering the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure;
Forming a second resin layer covering the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure;
Forming a third resin layer on the second material film formed on the main surface of the base material part,
The thickness of the second resin layer formed on the second material film on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure, and the thickness of the third resin layer are:
The imprint according to claim 7, wherein the imprint is thicker than a thickness of the first resin layer formed on the second material film on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure. Template manufacturing method.
前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層を形成する工程が、
前記第1の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜の上に、前記第1の樹脂層を構成する第1の樹脂を滴下し、
前記第2の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成した前記第2の材料膜の上に、前記第2の樹脂層を構成する第2の樹脂を滴下し、
前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレートを押し当て、前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする、請求項8に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
Forming the first resin layer and the second resin layer,
A first resin constituting the first resin layer is dropped on the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure;
A second resin constituting the second resin layer is dropped on the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure,
A step of pressing a step template having a step structure corresponding to each thickness of the first resin layer and the second resin layer, and curing the first resin and the second resin. The method for manufacturing an imprint template according to claim 8.
前記第3の樹脂層を形成する工程が、前記基材部の主面の上の前記第2の材料膜の上に、前記第3の樹脂層を構成する第3の樹脂を滴下する工程を含むことを特徴とする、請求項8または請求項9に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。   The step of forming the third resin layer includes a step of dropping a third resin constituting the third resin layer onto the second material film on the main surface of the base material portion. The method for producing an imprint template according to claim 8, wherein the imprint template is produced. 前記第1のインプリント用テンプレートにおける、前記第2の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離が、前記第1の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離よりも大きいことを特徴とする、請求項7乃至請求項10のいずれか1項に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。   In the first imprint template, the distance from the top surface of the convex portion of the second concavo-convex structure to the bottom surface of the concave portion is the distance from the top surface of the convex portion of the first concavo-convex structure to the bottom surface of the concave portion. The imprint template manufacturing method according to any one of claims 7 to 10, wherein the imprint template is larger than the imprint template. 光透過性の基材の主面の上にメサ構造を有するインプリント用テンプレートであって、
前記メサ構造の上面に、
転写パターンを構成する第1の凹凸構造体と、
アライメントマークを構成する第2の凹凸構造体と、
を有し、
前記メサ構造の外周の前記主面の上に、遮光膜が形成されており、
前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上に、高コントラスト膜が形成されており、
前記高コントラスト膜が、
前記基材を構成する材料と異なる第2の材料膜から構成され、
前記遮光膜が、
前記基材を構成する材料と異なる第1の材料膜と前記第2の材料膜が順次積層された積層構造を有することを特徴とする、インプリント用テンプレート。
An imprint template having a mesa structure on a main surface of a light-transmitting substrate,
On the top surface of the mesa structure,
A first concavo-convex structure constituting a transfer pattern;
A second concavo-convex structure constituting an alignment mark;
Have
A light shielding film is formed on the main surface of the outer periphery of the mesa structure,
A high contrast film is formed on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure,
The high contrast film is
It is composed of a second material film different from the material constituting the base material,
The light shielding film is
An imprint template comprising a laminated structure in which a first material film different from a material constituting the substrate and the second material film are sequentially laminated.
前記主面の上の遮光膜が、
前記メサ構造と前記主面が接する前記メサ構造の底部外縁から前記基材の外縁までの領域を覆うように形成されていることを特徴とする、請求項12に記載のインプリント用テンプレート。
A light-shielding film on the main surface,
The imprint template according to claim 12, wherein the template is formed so as to cover a region from a bottom outer edge of the mesa structure where the mesa structure and the main surface are in contact to an outer edge of the base material.
前記第1の材料膜が、
前記基材を構成する材料とはエッチング特性が異なる第1の材料から構成され、
前記第2の材料膜が、
前記基材を構成する材料とは屈折率が異なる第2の材料から構成されていることを特徴とする、請求項12または請求項13に記載のインプリント用テンプレート。
The first material film is
The material constituting the base material is composed of a first material having different etching characteristics,
The second material film is
The imprint template according to claim 12 or 13, wherein the imprint template is composed of a second material having a refractive index different from that of the material constituting the base material.
前記遮光膜が、波長365nmでの透過率が10%以下であることを特徴とする、請求項12乃至請求項14のいずれか1項に記載のインプリント用テンプレート。   The imprint template according to any one of claims 12 to 14, wherein the light-shielding film has a transmittance of 10% or less at a wavelength of 365 nm. 前記第1の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面までの距離をD1とし、
前記第2の凹凸構造体の凸部の上面から凹部の底面の上の前記高コントラスト膜の上面までの距離をD2とした場合に、
1≦D2
の関係を満たすことを特徴とする、請求項12乃至請求項15のいずれか1項に記載のインプリント用テンプレート。
D 1 is a distance from the top surface of the convex portion of the first concavo-convex structure to the bottom surface of the concave portion,
The distance to the upper surface of the high-contrast film on the top surface of the recess of the bottom surface of the convex portion of the second concave-convex structure in the case of a D 2,
D 1 ≦ D 2
The imprint template according to any one of claims 12 to 15, wherein the relationship is satisfied.
光透過性の基材の主面の上にメサ構造を有するテンプレート用基板を準備する工程と、
前記基材の主面の上、及び、前記メサ構造の上面の上に、前記基材を構成する材料と異なる第1の材料膜を形成する工程と、
前記第1の材料膜の上に第1の樹脂層を形成し、前記メサ構造の上面の上に形成した前記第1の樹脂層を加工して、第1の樹脂パターンを形成する工程と、
前記第1の樹脂パターンにエッチングを施して、前記第1の材料膜から第1の材料パターンを形成し、前記第1の材料パターンをエッチングマスクに用いて第1の凹凸構造体及び第2の凹凸構造体を形成する工程と、
前記第1の材料パターンの上、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上、および、前記基材の主面の上の前記第1の材料膜の上に、第2の材料膜を形成する工程と、
前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層を形成する工程と、
前記基材の主面の上の前記第2の材料膜の上、および、前記第2の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上、に形成された前記第2の樹脂層を残存させつつ、
前記メサ構造の上の前記第1の材料パターンの上に形成された第2の材料膜の上、および、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上の前記第2の材料膜の上、に形成された前記第2の樹脂層を除去する工程と、
前記メサ構造の上の前記第1の材料パターンの上、および、前記第1の凹凸構造体の凹部の底面の上、に形成された前記第2の材料膜を除去する工程と、
前記第1の材料パターンを除去する工程と、
前記残存させた第2の樹脂層を除去する工程と、
を順に備えることを特徴とする、インプリント用テンプレートの製造方法。
Preparing a template substrate having a mesa structure on a main surface of a light-transmitting substrate;
Forming a first material film different from the material constituting the base material on the main surface of the base material and on the top surface of the mesa structure;
Forming a first resin layer on the first material film, processing the first resin layer formed on the upper surface of the mesa structure, and forming a first resin pattern;
The first resin pattern is etched to form a first material pattern from the first material film, and the first concavo-convex structure and the second material are formed using the first material pattern as an etching mask. Forming the concavo-convex structure,
On the first material pattern, on the bottom surface of the recess of the first concavo-convex structure, on the bottom surface of the recess of the second concavo-convex structure, and on the main surface of the substrate. Forming a second material film on the first material film;
Forming a second resin layer on the second material film;
The second material film formed on the second material film on the main surface of the base material and on the second material film on the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure. While leaving the resin layer of
On the second material film formed on the first material pattern on the mesa structure and on the second material film on the bottom surface of the recess of the first uneven structure Removing the second resin layer formed on,
Removing the second material film formed on the first material pattern on the mesa structure and on the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure;
Removing the first material pattern;
Removing the remaining second resin layer;
In order. The manufacturing method of the template for imprints characterized by the above-mentioned.
前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層を形成する工程が、
前記第1の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層(A)を形成する工程と、
前記第2の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層(B)を形成する工程と、
前記基材の主面の上に形成された前記第2の材料膜の上に第2の樹脂層(C)を形成する工程と、
を含み、
前記第2の樹脂層(B)の厚み、および、前記第2の樹脂層(C)の厚みが、
前記第2の樹脂層(A)の厚みよりも厚いことを特徴とする、請求項17に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
Forming a second resin layer on the second material film,
Forming a second resin layer (A) on the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure;
Forming a second resin layer (B) on the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure;
Forming a second resin layer (C) on the second material film formed on the main surface of the substrate;
Including
The thickness of the second resin layer (B) and the thickness of the second resin layer (C) are:
The method for producing an imprint template according to claim 17, wherein the imprint template is thicker than a thickness of the second resin layer (A).
前記第2の樹脂層(A)及び前記第2の樹脂層(B)を形成する工程が、
前記第1の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第2の材料膜の上に、前記第2の樹脂層(A)を構成する樹脂を滴下し、
前記第2の凹凸構造体の凸部の上面の上及び凹部の底面の上に形成された前記第2の材料膜の上に、前記第2の樹脂層(B)を構成する樹脂を滴下し、
前記第2の樹脂層(A)及び前記第2の樹脂層(B)の各厚みに応じた段差構造を有する段差テンプレートを押し当て、前記樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする、請求項18に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
Forming the second resin layer (A) and the second resin layer (B),
A resin constituting the second resin layer (A) is dropped on the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the first concavo-convex structure. ,
A resin constituting the second resin layer (B) is dropped on the second material film formed on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the second concavo-convex structure. ,
The method includes pressing a step template having a step structure corresponding to each thickness of the second resin layer (A) and the second resin layer (B) and curing the resin. Item 19. A method for producing an imprint template according to Item 18.
前記第2の樹脂層(C)を形成する工程が、前記基材の主面の上の前記第2の材料膜の上に、前記第2の樹脂層(C)を構成する樹脂を滴下する工程を含むことを特徴とする、請求項18または請求項19に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。   In the step of forming the second resin layer (C), the resin constituting the second resin layer (C) is dropped on the second material film on the main surface of the base material. The method for producing an imprint template according to claim 18, further comprising a step.
JP2017089413A 2016-04-28 2017-04-28 Imprint template and imprint template manufacturing method Active JP6965557B2 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016090829 2016-04-28
JP2016090829 2016-04-28
JP2016137576 2016-07-12
JP2016137576 2016-07-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018014483A true JP2018014483A (en) 2018-01-25
JP6965557B2 JP6965557B2 (en) 2021-11-10

Family

ID=61020368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017089413A Active JP6965557B2 (en) 2016-04-28 2017-04-28 Imprint template and imprint template manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6965557B2 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019198668A1 (en) * 2018-04-09 2019-10-17 大日本印刷株式会社 Template for nanoimprinting, method for producing same, and two-stage mesa blank and method for producing same
US10474028B2 (en) * 2017-09-12 2019-11-12 Toshiba Memory Corporation Template, method for fabricating template, and method for manufacturing semiconductor device
US10768522B2 (en) 2018-08-30 2020-09-08 Toshiba Memory Corporation Original plate
JP2020170771A (en) * 2019-04-02 2020-10-15 キヤノン株式会社 Imprint device and article manufacturing method
US10935883B2 (en) * 2017-09-29 2021-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Nanoimprint template with light blocking material and method of fabrication
US11281095B2 (en) 2018-12-05 2022-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Frame curing template and system and method of using the frame curing template
US11747731B2 (en) 2020-11-20 2023-09-05 Canon Kabishiki Kaisha Curing a shaped film using multiple images of a spatial light modulator
US11762285B2 (en) 2020-03-18 2023-09-19 Kioxia Corporation Template, patterning method, and method for manufacturing semiconductor device
US11769667B2 (en) 2020-03-10 2023-09-26 Kioxia Corporation Template, method for producing template, and method for producing semiconductor device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009023113A (en) * 2007-07-17 2009-02-05 Dainippon Printing Co Ltd Imprint mold
JP2010258259A (en) * 2009-04-27 2010-11-11 Dainippon Printing Co Ltd Nano imprint transfer substrate and nano imprint transfer method
JP2010258326A (en) * 2009-04-28 2010-11-11 Dainippon Printing Co Ltd Nano imprinting mold and manufacturing method of the same
JP2011146496A (en) * 2010-01-14 2011-07-28 Dainippon Printing Co Ltd Mold for optical imprint, and optical imprint method using the same
JP2013069921A (en) * 2011-09-22 2013-04-18 Toshiba Corp Imprint method
JP2013519236A (en) * 2010-02-05 2013-05-23 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Template with high contrast alignment mark

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009023113A (en) * 2007-07-17 2009-02-05 Dainippon Printing Co Ltd Imprint mold
JP2010258259A (en) * 2009-04-27 2010-11-11 Dainippon Printing Co Ltd Nano imprint transfer substrate and nano imprint transfer method
JP2010258326A (en) * 2009-04-28 2010-11-11 Dainippon Printing Co Ltd Nano imprinting mold and manufacturing method of the same
JP2011146496A (en) * 2010-01-14 2011-07-28 Dainippon Printing Co Ltd Mold for optical imprint, and optical imprint method using the same
JP2013519236A (en) * 2010-02-05 2013-05-23 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Template with high contrast alignment mark
JP2013069921A (en) * 2011-09-22 2013-04-18 Toshiba Corp Imprint method

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10474028B2 (en) * 2017-09-12 2019-11-12 Toshiba Memory Corporation Template, method for fabricating template, and method for manufacturing semiconductor device
US10935883B2 (en) * 2017-09-29 2021-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Nanoimprint template with light blocking material and method of fabrication
TWI766156B (en) * 2018-04-09 2022-06-01 日商大日本印刷股份有限公司 Template for nanoimprinting and method for producing thereof, as well as two-stage mesa blanks and method for producing therof
WO2019198668A1 (en) * 2018-04-09 2019-10-17 大日本印刷株式会社 Template for nanoimprinting, method for producing same, and two-stage mesa blank and method for producing same
JPWO2019198668A1 (en) * 2018-04-09 2021-04-22 大日本印刷株式会社 Nanoimprint template and its manufacturing method, and two-stage mesa ranks and its manufacturing method
TWI754374B (en) * 2018-04-09 2022-02-01 日商大日本印刷股份有限公司 Template for nanoimprinting and method for producing thereof, as well as two-stage mesa blanks and method for producing therof
US10768522B2 (en) 2018-08-30 2020-09-08 Toshiba Memory Corporation Original plate
US11281095B2 (en) 2018-12-05 2022-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Frame curing template and system and method of using the frame curing template
JP2020170771A (en) * 2019-04-02 2020-10-15 キヤノン株式会社 Imprint device and article manufacturing method
JP7278135B2 (en) 2019-04-02 2023-05-19 キヤノン株式会社 Imprint apparatus and article manufacturing method
US11769667B2 (en) 2020-03-10 2023-09-26 Kioxia Corporation Template, method for producing template, and method for producing semiconductor device
US11762285B2 (en) 2020-03-18 2023-09-19 Kioxia Corporation Template, patterning method, and method for manufacturing semiconductor device
US11747731B2 (en) 2020-11-20 2023-09-05 Canon Kabishiki Kaisha Curing a shaped film using multiple images of a spatial light modulator

Also Published As

Publication number Publication date
JP6965557B2 (en) 2021-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6965557B2 (en) Imprint template and imprint template manufacturing method
JP7056013B2 (en) Templates and template blanks, manufacturing method of template substrate for imprint, manufacturing method of template for imprint, and template
JP2013168604A (en) Manufacturing method of mold for nanoimprint
JP2008074043A (en) Mold for fine molding and its regeneration method
JP2012019076A (en) Pattern formation method
JP6278383B2 (en) Method for manufacturing mold with high contrast alignment mark
JP2015139888A (en) Method for manufacturing imprint mold and semiconductor device
JP7060836B2 (en) Imprint mold manufacturing method
JP7139751B2 (en) Imprint mold manufacturing method
JP2013539549A (en) Improved mask for rim wafer photolithography
JP7039993B2 (en) Photomasks, blanks for imprint molds, and their manufacturing methods
JP6972581B2 (en) Imprint mold and imprint mold manufacturing method
JP2006126243A (en) Exposure mask, microlens array and manufacturing method therefor
JP7338308B2 (en) Substrate for imprint mold, imprint mold, and manufacturing method thereof
JP2007130871A (en) Template, its producing method template, and pattern forming method
JP2016002664A (en) Structure for producing mold, mold, method for producing the structure, and method for producing the mold
JP7302347B2 (en) Substrate for imprint mold, imprint mold, and manufacturing method thereof
JP6417728B2 (en) Template manufacturing method
JP5944436B2 (en) Pattern forming method and template manufacturing method
TWI754374B (en) Template for nanoimprinting and method for producing thereof, as well as two-stage mesa blanks and method for producing therof
JP7124585B2 (en) Manufacturing method of replica mold
JP6638493B2 (en) Method of manufacturing template having multi-stage structure
JP2018133591A (en) Manufacturing method of template
KR20210023567A (en) Photomask, manufacturing method of the same and manufacturing method of display device using the same
JP2019009469A (en) Member

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210309

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210422

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210921

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211004

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6965557

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150