JP2018010869A - ナノチューブまたはナノワイヤに基づく平面陰極を有する真空電子管 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空槽E内に配置された少なくとも1つの電子放射陰極Cと少なくとも1つの陽極Aであって、陰極は導電材料を含む基板Sbを含む平面構造を有する、陰極と陽極と、基板から電気的に絶縁された複数のナノチューブまたはナノワイヤ素子であって、ナノチューブまたはナノワイヤ素子の長手軸は基板の面とほぼ平行である、素子と、ナノワイヤまたはナノチューブ素子へ第1の電位を印加することができるように少なくとも1つのナノチューブまたはナノワイヤ素子へ電気的に結合された少なくとも1つの第1のコネクタCE1と、を含む真空電子管である。
【選択図】図7
Description
− 陰極からの(冷陰極の)電子の抽出、
− 電子が真空電子管内で使用されるように電子に軌道を与えること。例えば、TWTでは、電界が電子ビームを相互作用インペラ内に注入することを可能にする、
− 真空電子管の必要性のために電圧勾配を介し電子へエネルギーを与えること。例えば、X線管では、電子のエネルギーがX線放射スペクトルを制御する。
− エッチングにより(例えば:シリコンのティップ)または直接成長により(例:CNT)のいずれかで基板上に直接。これらの2つの方法は基板に対し直角なティップの優先配向を可能にする必要がある。
− または取り付けにより:ナノ材料の合成(ナノチューブ/ナノワイヤ形式の)そして次に基板上へ取り付ける。基板に対し直角に配向する工程も必要である。
その場成長:ナノワイヤ/ナノチューブの取り付け、可能な局所化の必要性が無い。しかし、この方法はより制限され、事が終わった後にナノワイヤ/ナノチューブを選択するのは困難である。
その場外成長:その場成長よりはるかに大きな一群の成長方法を利用できる。この手法は、材料必要性に対する本方法の実施および適応化のより大きな柔軟性を提供する。さらに、電界放射のパラメータを低減するために同様な直径のナノ材料を選択することが可能である。材料品質制御もまた単純化される。最後に、広範囲の材料の商業的入手性が有利な設計柔軟性を提供する。しかし、この方法は、2つのナノワイヤ/ナノチューブを取り付ける工程と、2つのナノワイヤ/ナノチューブ間の標的間隔Wを保証するための密度を制御する工程とを必要とする欠点を提示する。
VNW=V1−Vsb
− 通常、2つのエミッタNT間の距離Wはh/2以上である。
− 通常、h/rは100以上であり、例えば、h=1〜5μm、およびr=2〜10nm。
− 通常、上部コンタクトと基板間の受容可能なバイアスは少なくともE0×h/εr(すなわち数十ボルト)程度である。
V1=V2。
− 第1の制御手段MC1:トンネル効果による電子放射のために素子NT(CE1を介したV1)と基板Sb(基板の電位VSb)間(バイアス電圧VNW=V1−VSb)、
− 第2の制御手段MC2:熱イオン効果による放射のために素子NT自体(CE1を介しV1およびCE2を介しV2)へ(加熱電圧Vch=V1−V2)。
20 ティップ
25 制御ゲート
70 真空管
90 力線
100 軌道
A 陽極
C 陰極
C1 平面コンタクト
C2 平面コンタクト
Cath 陰極
CE1 第1のコネクタ
CE2 第2のコネクタ
CNT カーボンナノチューブ
E 真空槽
E0 外部電界
E1 第1の端
E2 第2の端
Es 表面電界
εr 比誘電率
G ゲート
I 電流
h 絶縁層の高さ
Is 絶縁層
Isent 埋め込み層
L ナノワイヤの長さ
MC1 第1の制御手段
MC2 第2の制御手段
P 垂直ティップ
Pp ティップ
r ナノチューブ/ナノワイヤの半径
S 表面
Sb 導電基板
TWT 進行波管
VACNT 垂直方向アラインメントCNT
VNW バイアス電圧
VNW’ バイアス電圧
Vac 真空
Vch 加熱電圧
Vsb 基板電位
Vth 閾値電圧
V0 電位差
V1 第1の電位
V2 第2の電位
W ナノワイヤ/ナノチューブ間の平均距離
Z 区域
Z’ 区域
Claims (17)
- 真空槽(E)内に配置された少なくとも1つの電子放射陰極(C)と少なくとも1つの陽極(A)であって、前記陰極は導電材料を含む基板(Sb)を含む平面構造を有する、陰極と陽極と、
前記基板から電気的に絶縁された複数のナノチューブまたはナノワイヤ素子であって、前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子の長手軸は基板の面とほぼ平行である、素子と、
前記ナノワイヤまたはナノチューブ素子へ第1の電位(V1)を印加することができるように少なくとも1つのナノチューブまたはナノワイヤ素子へ電気的に結合された少なくとも1つの第1のコネクタ(CE1)と、を含む真空電子管。 - 前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子は互いにほぼ平行である、請求項1に記載の真空電子管。
- 前記第1のコネクタ(CE1)は、絶縁層(Is)上に配置されるとともに前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子の第1の端(E1)へ結合されたほぼ平面なコンタクト素子(C1)を含む、請求項1または2に記載の真空電子管。
- 前記陰極はさらに、前記第1のコネクタ(CE1)および前記基板(Sb)へ結合された第1の制御手段(MC1)であって、前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子がトンネル効果によりその表面(S)を通して電子を放射するように前記基板と前記ナノチューブ素子間にバイアス電圧(VNW)を印加するように構成された第1の制御手段(MC1)を含む、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空電子管。
- 前記バイアス電圧は100V〜1000Vである、請求項4に記載の真空電子管。
- 前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子(NT)は1nm〜100nmの半径(r)を有する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の真空電子管。
- 前記陰極は、前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子へ第2の電位(V2)を印加することができるように少なくとも1つのナノチューブまたはナノワイヤ素子(NT)へ電気的に結合された第2の電気コネクタ(CE2)を含む、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の真空電子管。
- 前記第1および第2のコネクタ(CE1,CE2)はそれぞれ、絶縁層上に配置されるとともにそれぞれ前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子の第1の端(E1)と第2の端(E2)とへ結合された第1のほぼ平面なコンタクト素子(C1)と第2のほぼ平面なコンタクト素子(C2)とを含む、請求項7に記載の真空電子管。
- 前記陰極(C)は前記第1のコネクタと前記第2のコネクタとへ同時に結合された少なくとも1つのナノチューブまたはナノワイヤ素子(NT)を含む、請求項7乃至8のいずれか一項に記載の真空電子管。
- 前記陰極は前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子を加熱するための手段をさらに含む、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の真空電子管。
- 前記陰極は、前記第1のコネクタ(CE1)と第2のコネクタ(CE2)とへ結合された第2の制御手段(MC2)であって前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子が熱イオン効果によりその表面(S)を通して電子を放射するように前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子(NT)内に電流(I)を生成するように前記第1の電位(V1)と前記第2の電位(V2)とを介し前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子(NT)へ加熱電圧(Vch)を印加するように構成された第2の制御手段(MC2)を含む、請求項9乃至10のいずれか一項に記載の真空電子管。
- 前記加熱電圧は0.1V〜10Vである、請求項11に記載の真空電子管。
- 前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子(NT)は埋め込み絶縁層(Isent)内に部分的に埋め込まれる、請求項1乃至12のいずれか一項に記載の真空電子管。
- 前記陰極(C)は複数の区域(Z,Z’)に分割され、
各区域(Z,Z’)の前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子は、各区域へ印可される前記バイアス電圧(VNW,VNW’)が独立しており再構成可能であるように、異なる第1の電気コネクタ(CE1,CE1’)へ結合される、請求項4乃至13のいずれか一項に記載の真空電子管。 - 前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子は導体である、請求項1乃至14のいずれか一項に記載の真空電子管。
- 前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子は半導体であり、前記バイアス電圧(VNW)は閾値電圧(Vth)より大きく、前記ナノワイヤまたはナノチューブ素子は前記ナノワイヤまたはナノチューブ素子内に自由キャリヤを生成するようにMOS型のキャパシタのチャネルを構成する、請求項4乃至14のいずれか一項に記載の真空電子管。
- 前記陰極はさらに、光生成により前記ナノワイヤまたはナノチューブ素子内に自由キャリヤを生成するように前記ナノチューブまたはナノワイヤ素子を照射するように構成された光源を含む、請求項16に記載の真空電子管。
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