JP2018010064A

JP2018010064A - 光スイッチ制御回路

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Publication number: JP2018010064A
Application number: JP2016137322A
Authority: JP
Inventors: 勉竹谷; Tsutomu Takeya; 慶太山口; Keita Yamaguchi; 橋本　俊和; Toshikazu Hashimoto; 俊和橋本; 秀之野坂; Hideyuki Nosaka
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2016-07-12
Filing date: 2016-07-12
Publication date: 2018-01-18

Abstract

【課題】光ファイバを経由した光のみで、光スイッチのスイッチ状態の切り替えを低コストで制御する。【解決手段】光ファイバ１を経由した光をフォトダイオード２で受光し電気信号に変換する。フォトダイオード２によって変換された電気信号を昇圧回路３によって昇圧する。昇圧回路３によって昇圧された電気信号の光スイッチ４への供給路（昇圧回路３と光スイッチ４との間）Ｌに電気スイッチ５を設ける。この電気スイッチ５をオンとするタイミングを制御回路６によって制御する。制御回路６は、昇圧回路３によって昇圧された電気信号の値（ＶBAT）が閾値ＶBATthを超えた場合に、電気スイッチ５をオンとする。これにより、電気スイッチ５を通して、閾値ＶBATthを超えるまで昇圧された電気信号が光スイッチ４に供給される。【選択図】図１

Description

本発明は、光スイッチのスイッチ状態の切り替えを制御する光スイッチ制御回路に関する。

図５に従来の光スイッチ制御回路の一例を示す。同図において、２０１は１入力２出力の光スイッチ、２０２は光スイッチ２０１のスイッチ状態の切り替えを制御する制御装置、２０３は電源線、２０４は制御線である。

光スイッチ２０１には、光ファイバ等から入力口２０１ａに光が入力され、出力口２０１ｂもしくは出力口２０１ｃから出力される。この光スイッチ２０１において、どちらの出力口（２０１ｂ，２０１ｃ）から光が出力されるかは、外部の制御装置２０２からの制御線２０４を介する制御によって行われる。すなわち、制御装置２０２は、光スイッチ２０１のスイッチ状態を切り替えることで、出力先の切り替えを行う（例えば、非特許文献１参照）。

この光スイッチ制御回路２００において、制御線２０４は金属線であり、電気信号で光スイッチ２０１のスイッチ状態の切り替えが行われる。光スイッチ２０１の制御方法としては、複数存在するが、光の干渉を利用する方法（例えば、非特許文献２参照）や、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を使用する方法（例えば、非特許文献１参照）がある。

また、この光スイッチ制御回路２００において、光スイッチ２０１のスイッチ状態の切り替えに使用する電力は、外部から供給される。この電力の供給は、制御装置２０２から制御線２０４を介して行われてもよいし、光スイッチ２０１に直接供給されてもよい。電力の供給元は、発電所でもよいし、電池や光電池などでもよい。光電池を用いる場合、電源の源は光ファイバから取り出される光ではなく、太陽などの強力な光源を用いる。また、交流を電力源とする場合は、ＡＣ−ＤＣ変換器などで、直流に変換して使用する他、適切な電圧への変換も行う。

スイッチ状態を保持するために電力を使用しない自己保持型の光スイッチ（例えば、非特許文献３参照）を光スイッチ２０１として用いることで、スイッチング時以外の電力消費を抑制することも可能である。しかし、スイッチング時には電力を消費するため、電源から回路（制御装置２０２および光スイッチ２０１）への給電は必要となる。

S. Maruyama, et al, "A MEMS DIGITAL MIRROR ARRAY INTEGRATED WITH HIGH-VOLTAGE LEVEL-SHIFTER," Transducers 2009, Jun. 2009. B. Robertson, et al, "Demonstration of Multi-Casting in a 1 × 9 LCOS Wavelength Selective Switch," S. Inagaki, et al, "Self-Holding Optical Switch UsingOptical Matrix Board, IEICE Trans. Electron,Vol. E77-C, No. 10, Oct. 1994. 麻生修他, "光ファイバ中の四光波混合発生とその応用技術開発," http://www.furukawa.co.jp/jiho/fj105/fj105_10.pdf Y. Shuto, "Fiber Fuse Generation in Single-Mode Fiber-Optic Connectors," IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 16, No. 1, Jan. 2004.

しかしながら、図５を用いて説明した従来の光スイッチ制御回路では、光スイッチのスイッチ状態の切り替えを制御するために、電源および電源を回路に接続するための金属配線が必要となっていた。この場合、制御装置を動作させるために、電源の配線が光ファイバの配線とは別に必要となることから、高コスト化が問題となる。

なお、電池などを組み込むことで、遠隔地からの送電を不要とすることができるが、電池を充電するためのコストだけでなく、定期的に電池の交換が必要となるため、この場合にはメンテナンスコストの増加が問題となる。

光スイッチを通信用の光信号のスイッチングに使用する場合には、光信号は光ファイバを用いて伝送されるため、この光ファイバを用いて伝送される光信号を用いて光給電を行うことも可能である。これにより、前述の電源、電源を回路に接続するための配線および電池が不要になる。

しかしながら、光ファイバ内には通信用の光が存在する。同一の光ファイバに大電力の光を入力した場合には、非線形効果による伝送特性の劣化（例えば、非特許文献４参照）が発生することから、光ファイバを用いて大電力を送信することは困難である。また、給電専用の光ファイバを用意したとしても、ファイバヒューズ（例えば、非特許文献５参照）の問題があるため、送信可能な電力には限界がある。そのため、光ファイバを介して、大電力を送ることは難しい。

このような理由から、光スイッチへの光ファイバによる給電では給電に用いる光の強度が弱くなり、十分な電力を確保することが困難であるという課題があった。

本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、光ファイバを経由した光のみで、光スイッチのスイッチ状態の切り替えを低コストで制御することができる光スイッチ制御回路を提供することにある。

このような目的を達成するために本発明は、光スイッチ（４）のスイッチ状態の切り替えを制御する光スイッチ制御回路（１０１）において、光ファイバ（１）を経由した光を受光して電気信号に変換するフォトダイオード（２）と、フォトダイオード（２）によって変換された電気信号を昇圧する昇圧回路（３）と、昇圧回路（３）によって昇圧された電気信号の光スイッチ（４）への供給路（Ｌ）に設けられた電気スイッチ（５）と、昇圧回路（３）によって昇圧された電気信号に基づいて電気スイッチ（５）をオンとするタイミングを制御する制御回路（６）とを備えることを特徴とする。

この発明において、フォトダイオード（２）は、光ファイバ（１）を経由した光を受光して電気信号に変換する。このフォトダイオード（２）によって変換された電気信号は昇圧回路（３）によって昇圧される。この昇圧回路（３）によって昇圧された電気信号の光スイッチ（４）への供給路（Ｌ）には電気スイッチ（５）が設けられている。この電気スイッチ（５）のオンとするタイミングは制御回路（６）によって制御される。例えば、昇圧回路（３）によって昇圧された電気信号の値が予め定められている閾値を超えた場合に、制御回路（６）は電気スイッチ（５）をオンとする。これにより、電気スイッチ（５）を通して、閾値を超えるまで昇圧された電気信号が光スイッチ（４）に供給される。

なお、上記説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の構成要素を、括弧を付した参照符号によって示している。

以上説明したことにより、本発明によれば、光ファイバを経由した光をフォトダイオードによって電気信号に変換し、このフォトダイオードによって変換した電気信号を昇圧回路によって昇圧し、この昇圧回路によって昇圧された電気信号の光スイッチへの供給路に電気スイッチを設け、この電気信号をオンとするタイミングを制御回路によって制御するようにしたので、フォトダイオードが受光する光の強度が弱くても、十分な電力を確保するようにして、光ファイバを経由した光のみで、光スイッチのスイッチ状態の切り替えを低コストで制御することができるようになる。

図１は、本発明の実施の形態１に係る光スイッチ制御回路の要部を示す図である。図２は、本発明の実施の形態２に係る光スイッチ制御回路の要部を示す図である。図３は、本発明の実施の形態３に係る光スイッチ制御回路の要部を示す図である。図４は、実施の形態３に係る光スイッチ制御回路の変形例を示す図である。図５は、従来の光スイッチ制御回路の一例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

〔実施の形態１〕
図１に本発明の実施の形態１に係る光スイッチ制御回路１０１の要部を示す。この光スイッチ制御回路１０１は、光ファイバ１を経由した光を受光して電気信号に変換するフォトダイオード２と、フォトダイオード２によって変換された電気信号を昇圧する昇圧回路３と、昇圧回路３によって昇圧された電気信号の光スイッチ４への供給路（電源供給ライン）Ｌに設けられた電気スイッチ５と、電気スイッチ５をオンとするタイミングを制御する制御回路６と、コンデンサＣ１と、コンデンサＣ２とを備えている。

コンデンサＣ１は、フォトダイオード２のアノードとカソードとの間に接続され、このコンデンサＣ１に電荷が蓄えられることによって生じる電圧Ｖｃが電気信号（フォトダイオード２によって変換された電気信号）として昇圧回路３に送られる。フォトダイオード２のアノードとコンデンサＣ１との接続点は接地されている。

コンデンサＣ２は、昇圧回路３と電気スイッチ５との間の電源供給ラインＬと接地ラインＧＮＤとの間に接続され、このコンデンサＣ２に電荷が蓄えられることによって生じる電圧（充電々圧）Ｖ_BATが電気信号（昇圧回路３によって昇圧された電気信号）として、電気スイッチ５に送られる。コンデンサＣ２の静電容量はＣ_BATとされている。

制御回路６は、コンデンサＣ２の充電々圧Ｖ_BATを監視し、この充電々圧Ｖ_BATが予め定められている閾値Ｖ_BATthを超えた場合、電気スイッチ５をオンとする制御指令Ｓ１を電気スイッチ５に送る機能を備えている。この制御回路６からの電気スイッチ５への制御指令Ｓ１は制御回路６と電気スイッチ５との間の制御線ＬＣを通して電気スイッチ５に送られる。

光スイッチ４は、自己保持型の光スイッチとされている。なお、入力光の経路を一時的に切り替える用途として光スイッチ４を使用する場合には、自己保持型の光スイッチである必要はない。

この光スイッチ制御回路１０１において、光ファイバ１を経由して入力された光をフォトダイオード２が受光すると、起電力が生じる。光通信においては、逆バイアスをかけた状態で起電力を生じさせ、光通信を行うが、この光スイッチ制御回路１０１では、フォトダイオード２にはバイアスをかけずに使用する。バイアスをかけない条件下においても、数百ｍＶ程度の起電圧が生じる。この起電圧の値は、フォトダイオードの構造に依存するが、いずれにしても、電子回路を切り替えさせる電圧としては不足している。また、この起電圧は、光スイッチ４を直接動作させるには低い値である。

このため、フォトダイオード２によって生じた数百ｍＶの起電圧を、昇圧回路３によって、数Ｖ程度まで高める。生じる起電圧は直流であることから、トランスを用いた電圧変換を行うことはできない。この場合、昇圧回路３はキャパシタアレイとスイッチなどによって実現することが可能であり、このキャパシタアレイとスイッチなどを用いた構成によってフォトダイオード２によって生じた数百ｍＶの起電圧を数Ｖ程度まで高める。

また、この光スイッチ制御回路１０１において、昇圧回路３の出力を光スイッチ４に直接接続して、光スイッチ４のスイッチ状態を切り替えることは難しい。すなわち、光スイッチ４の構造として、低い入力抵抗を持ち、電流を流すことにより経路を切り替える構造を取る場合がある。この場合、昇圧回路３の出力を光スイッチ４に直接接続すると、昇圧した出力が直ちに光スイッチ４に流れることになり、必要な切り替え電流を確保することができないためである。

そこで、この光スイッチ制御回路１０１では、コンデンサＣ２と電気スイッチ５とを設け、コンデンサＣ２に光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを行うのに十分な電荷が蓄えられた段階で、電気スイッチ５をオンとし、光スイッチ４へ電流を流し、光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを行うようにする。

電気スイッチ５をオンとするタイミングの制御は制御回路６が行う。制御回路６は、コンデンサＣ２の充電々圧Ｖ_BATを監視し、コンデンサＣ２に光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを行うのに十分な電荷が蓄えられたことを確認した段階で、電気スイッチ５へ制御指令Ｓ１を送り、電気スイッチ５をオンとする。これにより、コンデンサＣ２の充電々圧Ｖ_BAT（昇圧回路３によって昇圧された電気信号）が電気スイッチ５を通して光スイッチ４に供給され、光スイッチ４のスイッチ状態が切り替えられる。

この光スイッチ制御回路１０１において、光スイッチ４がＶ_TH以上の電圧で動作し、入力インピーダンスがＲ_in、切り替えに必要な時間をｔ_SWとする。光スイッチ４の入力電圧Ｖ（ｔ）は、ＣＲの時定数で減衰するため、Ｖ（ｔ）＝Ｖ₀ｅｘｐ（−ｔ／Ｒ_inＣ_BAT）となる。ここで、Ｖ₀は初期電圧であり、電気スイッチ５を閉じる電圧である。

光スイッチ４はＶ_TH以上の電圧で動作し、切り替えに必要な時間がｔ_SWであることにより、Ｖ（ｔ_SW）≧Ｖ_THが必要となる。すなわち、制御回路６が電気スイッチ５をオンとする閾値Ｖ_BATthは、Ｖ_BATth＝Ｖ_TH×ｅｘｐ（ｔ_SW／Ｒ_inＣ_BAT）以上の電圧を設定すればよい。この閾値Ｖ_BATthにおいて、Ｒ_inは光スイッチ４の特性によって定まる定数であり、通常変更することはできない。このため、閾値Ｖ_BATthにおいて、容易に変更できるパラメータはコンデンサＣ２の静電容量Ｃ_BATとなる。

このようにして、本実施の形態の光スイッチ制御回路１０１では、フォトダイオード２が受光する光の強度が弱くても、十分な電力を確保するようにして、光ファイバ１を経由した光のみで、光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを低コストで制御することができるようになる。

〔実施の形態２〕
図２に本発明の実施の形態２に係る光スイッチ制御回路１０２の要部を示す。この光スイッチ制御回路１０２は、複数の光スイッ４と、複数の電気スイッチ５とを備え、複数の光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを制御する。

この光スイッチ制御回路１０２では、昇圧回路３と複数の光スイッチ４との間に、電気スイッチ５をそれぞれ設けている。すなわち、昇圧回路３からの光スイッチ４−１〜４−Ｎへの電源供給ラインＬ₁〜Ｌ_Nに電気スイッチ５−１〜５−Ｎをそれぞれ設け、昇圧回路３の出力（昇圧回路３によって昇圧された電気信号）を各電気スイッチ５で共用するものとしている。また、この光スイッチ制御回路１０２では、制御回路６と電気スイッチ５−１〜５−Ｎとの間を独立した制御線ＬＣ₁〜ＬＣ_Nで結んでいる。

また、この光スイッチ制御回路１０２において、制御回路６は、コンデンサＣ２の充電々圧Ｖ_BATを監視し、この充電々圧Ｖ_BATが予め定められている閾値Ｖ_BATthを超えた場合、内部の記憶素子６Ａに記憶されている内容を参照し、その内容によって指定された電気スイッチ５に対して、その電気スイッチ５をオンとする制御指令Ｓ１を送信する機能を有している。

制御回路６の記憶素子６Ａには、電気スイッチ５−１〜５−Ｎについて、オンとすべき電気スイッチ５がどれであるかを示す情報が記憶されている。すなわち、光スイッチ４−１〜４−Ｎについて、スイッチ状態の切り替えを行うべき光スイッチ４がどれであるかを示す情報が記憶されている。

この制御回路６が有する機能によって、コンデンサＣ２に光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを行うのに十分な電荷が蓄えられたことが確認された段階で、記憶素子６Ａに記憶されている内容によって指定された電気スイッチ５へ制御指令Ｓ１が送られる。これにより、指定された電気スイッチ５がオンとされ、コンデンサＣ２の充電々圧Ｖ_BAT（昇圧回路３によって昇圧された電気信号）が後段の光スイッチ４に供給される。

このようにして、本実施の形態の光スイッチ制御回路１０２では、フォトダイオード２が受光する光の強度が弱くても、十分な電力を確保するようにして、光ファイバ１を経由した光のみで、複数の光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを低コストで制御することができるようになる。

なお、上述した実施の形態１，２では、光スイッチ４のスイッチ状態を自由に切り替えることができるようにすることが望まれるが、これは光ファイバ１を通してフォトダイオード２に送信する光（フォトダイオード２が受信する光）にパターンを持たせるようにすることによって解決することができる。

例えば、フォトダイオード２のカソードとＧＮＤとの間に抵抗を挿入したり、昇圧回路３と電気スイッチ５との間の電源供給ラインＬとＧＮＤとの間に抵抗を挿入したりすることで、意図的にリーク電流が生じるようにし、フォトダイオード２に送信する光のオン／オフの比率を変更することで、Ｖ_BATの電位を変化させるようにして、フォトダイオード２への光の送信を行いながら、光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを送信元で自由に行うことが可能となる。

この場合、リーク電流が生じている時、外部から電力が供給されなければ、Ｖ_BATの電位が低くなる。すなわち、外部から供給する電力を、フォトダイオード２に送信する光のオン／オフで制御することで、Ｖ_BATの電位をハイレベル（後段の回路が動作するに足りる電圧）とローレベル（後段の回路が動作しない電圧）とに変化させることができる。なお、フォトダイオード２に送信する光のオン／オフの比率の変更は、定期的にそのようなパターンを送る形で実現してもよいし、変調を導入してもよい。

また、上述した実施の形態１，２では、Ｖ_BATの電位を監視し、閾値Ｖ_BATthを超えた場合に電気スイッチ５をオンとするようにしているが、入力信号に応じて、単調に電流量が増加する素子を用いて、電気スイッチ５を構成するようにしてもよい。例えば、Ｎチャネル型のＦＥＴなどを用いた場合、入力のゲートに印加される電圧が高いとき、スイッチがオンとなるので、電気スイッチ５として使用することができる。他にも実現方法は種々考えられる。

〔実施の形態３〕
図３に本発明の実施の形態３に係る光スイッチ制御回路１０３の要部を示す。この光スイッチ制御回路１０３は、光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを行わせる電力を得るための電源用回路（昇圧回路）７と、光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを制御するための制御用回路（昇圧回路＋制御回路）８とを別に用意している。

電源用回路７に対しては、第１のフォトダイオード２−１と、この第１のフォトダイオード２−１のアノードとカソードとの間に接続されたコンデンサＣ１とが設けられており、制御用回路８に対しては、第２のフォトダイオード２−２と、この第２のフォトダイオード２−２のアノードとカソードとの間に接続されたコンデンサＣ３とが設けられている。

第１のフォトダイオード２−１は、第１の光ファイバ１−１を経由した第１の光を受光して電気信号に変換し、この変換された電気信号はコンデンサＣ１に生じる電圧Ｖｃ₁として電源用回路７へ送られる。電源用回路７は、この送られてくる電圧Ｖｃ₁を昇圧する。これにより、コンデンサＣ２の充電々圧Ｖ_BATが高められる。

第２のフォトダイオード２−２は、第２の光ファイバ１−２を経由した第２の光を受光して電気信号に変換し、この変換された電気信号はコンデンサＣ３に生じる電圧Ｖｃ₃として制御用回路８へ送られる。制御用回路８は、この送られてくる電圧Ｖｃ₃を昇圧し、この昇圧された電圧Ｖｃ₃を電源電圧として、電気スイッチ５をオンとする制御指令Ｓ１を生成し、この生成した制御指令Ｓ１を制御線ＬＣを通して電気スイッチ５に送る。

これにより、コンデンサＣ２の充電々圧Ｖ_BAT（電源用回路７によって昇圧された電気信号）が電気スイッチ５を通して光スイッチ４に供給され、光スイッチ４のスイッチ状態が切り替えられる。

この光スイッチ制御回路１０３では、第１のフォトダイオード２−１への第１の光を光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを行わせる電力の供給用の光とし、第２のフォトダイオード２−２への第２の光を光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを制御するための光とすることにより、コンデンサＣ２への充電を待つ時間を削減し、光スイッチ４のスイッチ状態の切り替えを素早く行うことが可能となる。

なお、この光スイッチ制御回路１０３では、第１の光を第１の光ファイバ１−１を通して第１のフォトダイオード２−１へ送り、第２の光を第２の光ファイバ１−２を通して第２のフォトダイオード２−２へ送るようにしたが、図４に光スイッチ制御回路１０３’として示すように、波長が互いに異なる第１の光（λ１）と第２の光（λ２）を１つの光ファイバ（同一の光ファイバ）１を通して送るようにし、この１つの光ファイバ１を通して送られてきた第１の光（λ１）および第２の光（λ２）をフィルタ９で分離し、第１の光（λ１）を第１のフォトダイオード２−１へ、第２の光（λ２）を第２のフォトダイオード２−２へ送るようにしてもよい。

図４に示した光スイッチ制御回路１０３’では、同一の光ファイバを使用するため、第１の光と第２の光とで光の波長を変え、第１の光と第２の光とを分離するためのフィルタを設ける必要があるが、図３に示した光スイッチ制御回路１０３では、個別の光ファイバを使用するため、フィルタは不要で、第１の光と第２の光とで光の波長を変えなくてもよい（同一の波長であってもよい）。

また、上述した光スイッチ制御回路１０３，１０３’では、制御用回路８において、第２のフォトダイオード２−１側からの電圧Ｖｃ₃を昇圧し、この昇圧された電圧Ｖｃ₃を電源電圧として使用するようにしているが、電源用回路７で昇圧された電圧を制御用回路８へ送り、制御用回路８における電源電圧として使用するようにしてもよい。これにより、制御用回路８内で使用しているメモリとして、揮発性メモリを容易に使用することが可能となる。

また、上述した光スイッチ制御回路１０３，１０３’において、制御用回路８は、複数設けてもよい。また、制御用回路８を複数設ける場合、各制御用回路８間で連携を取るため、中央制御用の制御回路などを設けるようにしてもよい。その他、図２に示した実施の形態２の光スイッチ制御回路１０２と同様のバリエーションも可能であり、電気スイッチ５、光スイッチ４，制御用回路８の数を増やしてもよい。また、給電する電力を増やす目的で、電源用回路７の個数やフォトダイオード２の数を増やしてもよい。

また、上述した実施の形態１〜３において、記憶素子６Ａ、光スイッチ４、電気スイッチ５などの実現方法は問わない。例えば、記憶素子６Ａは、ＮＡＮＤフラッシュメモリを用いて構成してもよいし、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などで構成してもよい。また、光スイッチ４は、ＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit）やＭＥＭＳなどで構成してもよい。また、電気スイッチ５は、指定電圧に降下させるレギュレータで構成してもよい。この場合、制御回路６が電気スイッチ５をオンとする閾値Ｖ_BATthについて、レギュレータ内部で発生する電圧降下を加味して、値を設定する必要がある。同様に、バイポーラトランジスタやＦＥＴトランジスタにより電気スイッチ５を実現するようにしてもよい。また、電源の極性に応じて、フォトダイオード２のアノードとカソードの結線を反転させてもよい。

〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。

１…光ファイバ、１−１…第１の光ファイバ、１−２…第２の光ファイバ、２…フォトダイオード、２−１…第１のフォトダイオード、２−２…第２のフォトダイオード、３…昇圧回路、４（４−１〜４−Ｎ）…光スイッチ、５（５−１〜５−Ｎ）…電気スイッチ、６…制御回路、６Ａ…記憶素子、７…電源用回路、８…制御要回路、９…フィルタ、Ｃ１〜Ｃ３…コンデンサ、Ｌ（Ｌ₁〜Ｌ_N）…電源供給ライン、ＬＣ（ＬＣ₁〜ＬＣ_N）…制御線、１０１〜１０３，１０３’…光スイッチ制御回路。

Claims

光スイッチのスイッチ状態の切り替えを制御する光スイッチ制御回路において、
光ファイバを経由した光を受光して電気信号に変換するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードによって変換された電気信号を昇圧する昇圧回路と、
前記昇圧回路によって昇圧された電気信号の前記光スイッチへの供給路に設けられた電気スイッチと、
前記電気スイッチをオンとするタイミングを制御する制御回路と
を備えることを特徴とする光スイッチ制御回路。
請求項１に記載された光スイッチ制御回路において、
前記制御回路は、
前記昇圧回路によって昇圧された電気信号の値が予め定められている閾値を超えた場合に前記電気スイッチをオンとする
ことを特徴とする光スイッチ制御回路。
請求項１に記載された光スイッチ制御回路において、
複数の前記光スイッチと、
複数の前記電気スイッチとを備え、
前記複数の電気スイッチは、
前記昇圧回路と前記複数の光スイッチとの間にそれぞれ設けられ、
前記制御回路は、
前記昇圧回路によって昇圧された電気信号の値が予め定められている閾値を超えた場合、予め記憶されている内容を参照し、その内容によって指定された前記電気スイッチをオンとする
ことを特徴とする光スイッチ制御回路。
光スイッチのスイッチ状態の切り替えを制御する光スイッチ制御回路において、
光ファイバを経由した第１光を受光して電気信号に変換する第１のフォトダイオードおよび第２の光を受光して電気信号に変換する第２のフォトダイオードと、
前記第１のフォトダイオードによって変換された電気信号を昇圧する昇圧回路と、
前記昇圧回路によって昇圧された電気信号の前記光スイッチへの供給路に設けられた電気スイッチと、
前記電気スイッチをオンとするタイミングを制御する制御回路と
を備えることを特徴とする光スイッチ制御回路。
請求項４に記載された光スイッチ制御回路において、
前記制御回路は、
前記第２のフォトダイオードによって変換された電気信号に基づいて前記電気スイッチをオンとするタイミングを制御する
ことを特徴とする光スイッチ制御回路。
請求項４に記載された光スイッチ制御回路において、
前記光ファイバは、
前記第１の光を前記第１のフォトダイオードへ送る第１の光ファイバと、
前記第２の光を前記第２のフォトダイオードへ送る第２の光ファイバとから成る
ことを特徴とする光スイッチ制御回路。
請求項４に記載された光スイッチ制御回路において、
前記第１の光および前記第２の光は、
波長が互いに異なる光とされ、
前記光ファイバは、
前記第１の光と前記第２の光が通る１つの光ファイバとされ、
さらに、
前記１つの光ファイバを通して送られてくる前記第１の光および前記第２の光を分離して、前記第１の光を前記第１のフォトダイオードへ、前記第２の光を前記第２のフォトダイオードへ送るフィルタを備える
ことを特徴とする光スイッチ制御回路。