JP2018006514A - Array mask for conductive pillar and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an array mask for a conductive pillar capable of completely dropping the conductive pillar into an array hole within a short time and further capable of accurately packaging the conductive pillar at a predetermined position on a workpiece while preventing inclination or positional displacement of the conductive pillar within the array hole, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: The present invention relates to an array mask for packaging a columnar conductive pillar 2 at a predetermined position on a workpiece 3 by dropping the conductive pillar 2 into an array hole 12. The array hole 12 comprises: an introduction hole part 15 which is opened on a surface of a mask body 10, introduces and guides the conductive pillar 2 into the array hole 12; and a holding hole part 16 for positioning the conductive pillar 2. A lower end of the introduction hole part 15 and an upper end of te holding hole part 16 are smoothly continued. The introduction hole part 15 is formed in a bell mouth shape that is spread toward a surface side of the mask body 10, and the holding hole part 16 is formed in a straight hole shape in which an opening diameter D1 is set a little larger than a diameter of the conductive pillar 2.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、所定の配列パターンに対応した配列通孔に導電性ピラーを落とし込んで、ワーク上の所定位置に導電性ピラーを搭載する配列用マスクおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to an array mask in which conductive pillars are dropped into array through holes corresponding to a predetermined array pattern, and the conductive pillars are mounted at predetermined positions on a workpiece, and a method for manufacturing the same.

ワーク上の所定位置にはんだからなる導電性ボールを搭載するための配列用マスクは、例えば特許文献1に公知である。係る特許文献1の配列用マスクには、導電性ボールを落とし込むための開口部が複数形成されている。開口部は基板(ワーク)の電極パッドの形成パターンに対応するように設けられている。開口部の上端周縁にはスロープ状のボール誘導部が形成されており、ボール誘導部は、開口部に向かってなだらかに下り傾斜する傾斜面で構成されている。落とし込み時には、配列用マスク上に多数個の導電性ボールを供給し、スキージブラシ等で分散させることにより、ボール誘導部で導電性ボールを開口部へ向かって案内して、導電性ボールを円滑に開口部へと落とし込むことができる。   An array mask for mounting a conductive ball made of solder at a predetermined position on a workpiece is known, for example, in Patent Document 1. The array mask disclosed in Patent Document 1 has a plurality of openings for dropping conductive balls. The opening is provided so as to correspond to the electrode pad formation pattern of the substrate (work). A slope-shaped ball guiding portion is formed on the periphery of the upper end of the opening, and the ball guiding portion is composed of an inclined surface that gently slopes downward toward the opening. At the time of dropping, a large number of conductive balls are supplied onto the arrangement mask and dispersed with a squeegee brush, etc., so that the conductive balls are guided toward the opening by the ball guiding portion, thereby smoothly moving the conductive balls. Can be dropped into the opening.

特開2011−44616号公報JP 2011-44616 A

近年、表面実装型のパッケージ化された電子素子などにおいて、回路基板と接続するための電極の形成パターンの高密度化が進んでおり、従来の導電性ボールに替えて、より高アスペクト比(高さ/径の比)で搭載間隔の狭ピッチ化が可能な円柱状の導電性ピラーが採用されつつある。特許文献1の配列用マスクでは、開口部およびボール誘導部の構造を好適化して、導電性ボールを円滑に落とし込めるようにしている。しかし、特許文献1の配列用マスクの構造を円柱状の導電性ピラーの配列用マスクに適用しても、同様の作用は得られない。それは、円柱状の導電性ピラーが開口部(配列通孔)に落ち込むためには、導電性ピラーの一端が開口部に指向していなければならない。さらに、導電性ピラーは一端を開口部に向けた状態でボール誘導部を滑り落ちる必要がある。しかし、なだらかに下り傾斜する傾斜面で形成されるボール誘導部では、導電性ピラーが滑り落ちるのは困難である。また、横臥姿勢の導電性ピラーの周面が開口部に面する状態でボール誘導部を転がり落ちると、開口部に落ち込むことができず導電性ピラーが開口部を塞いでしまい、当該開口部に導電性ピラーを落とし込むことができない。   In recent years, in surface-mount packaged electronic devices and the like, the density of electrode formation patterns for connection to circuit boards has been increasing, and instead of conventional conductive balls, higher aspect ratios (higher Cylindrical conductive pillars capable of narrowing the mounting interval with the ratio of thickness / diameter) are being adopted. In the arrangement mask of Patent Document 1, the structure of the opening and the ball guiding portion is optimized so that the conductive balls can be dropped smoothly. However, even when the structure of the arrangement mask of Patent Document 1 is applied to a cylindrical conductive pillar arrangement mask, the same effect cannot be obtained. That is, in order for a cylindrical conductive pillar to fall into the opening (array through hole), one end of the conductive pillar must be directed to the opening. Furthermore, the conductive pillar needs to slide down the ball guiding portion with one end directed to the opening. However, it is difficult for the conductive pillar to slide down in the ball guide portion formed by the inclined surface that gently slopes downward. In addition, if the ball guiding portion rolls down with the peripheral surface of the conductive pillar in the lying position facing the opening, the conductive pillar blocks the opening without being able to fall into the opening, and the opening is blocked. The conductive pillar cannot be dropped.

本発明の目的は、円柱状の導電性ピラーを円滑に配列通孔内へ落とし込むことができるようにして、導電性ピラーの搭載作業を短時間で終了でき、さらに配列通孔内に落とし込まれた導電性ピラーの傾きや位置ずれを阻止して、ワーク上の所定位置に導電性ピラーを精度よく搭載できる導電性ピラーの配列用マスクおよびその製造方法を提供することにある。   The object of the present invention is to enable the cylindrical conductive pillars to be smoothly dropped into the array through-holes, so that the mounting work of the conductive pillars can be completed in a short time, and the cylindrical pillars are further dropped into the array through-holes. Another object of the present invention is to provide a conductive pillar array mask capable of preventing the conductive pillars from being inclined and misaligned and mounting the conductive pillars accurately at predetermined positions on the workpiece, and a method for manufacturing the same.

本発明は、所定の配列パターンに対応した配列通孔12に円柱状の導電性ピラー2を落とし込んで、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を搭載する配列用マスクを対象とする。配列通孔12は、マスク本体10の表面で開口して導電性ピラー2を配列通孔12の内部へ導入案内する導入孔部15と、導入孔部15の下側に設けられて導電性ピラー2を位置決めする保持孔部16とを備え、導入孔部15の下端と保持孔部16の上端とは滑らかに連続している。導入孔部15は、マスク本体10の表面側に向かって拡開するベルマウス状に形成されており、保持孔部16は、同孔部16の開口径D1が導電性ピラー2の直径よりも僅かに大きく設定されるストレート孔で形成されていることを特徴とする。   The present invention is directed to an array mask in which the cylindrical conductive pillars 2 are dropped into the array through holes 12 corresponding to a predetermined array pattern, and the conductive pillars 2 are mounted at predetermined positions on the workpiece 3. The array through-holes 12 are opened on the surface of the mask body 10 to introduce and guide the conductive pillars 2 into the array through-holes 12. The array through-holes 12 are provided below the introduction hole 15 and are provided with conductive pillars. 2 and the lower end of the introduction hole 15 and the upper end of the holding hole 16 are smoothly continuous. The introduction hole portion 15 is formed in a bell mouth shape that expands toward the surface side of the mask body 10, and the holding hole portion 16 has an opening diameter D 1 of the hole portion 16 larger than the diameter of the conductive pillar 2. It is characterized by being formed with straight holes set slightly larger.

配列通孔12は、保持孔部16の下側に同孔部16の開口径D1よりも大きな開口径D3を有する逃げ孔部17を備えている構成を採ることができる。   The arrangement through-hole 12 can take a configuration in which a clearance hole portion 17 having an opening diameter D3 larger than the opening diameter D1 of the hole portion 16 is provided below the holding hole portion 16.

導入孔部15と保持孔部16の合計高さ寸法をH1とし、逃げ孔部17の高さ寸法をH2とするとき、前者の高さ寸法H1を後者の高さ寸法H2と同じか、それよりも大きく設定する。   When the total height of the introduction hole 15 and the holding hole 16 is H1, and the height of the escape hole 17 is H2, the former height H1 is the same as the latter height H2, or Set larger than.

導入孔部15の高さ寸法をH3とし、保持孔部16の高さ寸法をH4とするとき、後者の高さ寸法H4を前者の高さ寸法H3と同じか、それよりも大きく設定する。   When the height dimension of the introduction hole 15 is H3 and the height dimension of the holding hole 16 is H4, the latter height dimension H4 is set to be equal to or larger than the former height dimension H3.

導入孔部15の断面形状の曲率を、導入孔部15の周方向において大小に変化するように形成する。   The curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole 15 is formed so as to change in the circumferential direction of the introduction hole 15.

導入孔部15の断面形状の曲率を、一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成する。   The curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed so as to gradually change from large to small from one side edge to the opposite other edge.

本発明は、所定の配列パターンに対応した配列通孔12に円柱状の導電性ピラー2を振り込むことで、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を搭載する配列用マスクの製造方法を対象とする。配列用マスクの製造方法においては、母型21の表面に、逃げ孔部17に対応する一次レジスト体24を有する一次パターンレジスト25を設ける一次パターンニング工程と、一次パターンレジスト25の表面に、導入孔部15および保持孔部16に対応する二次レジスト体28を有する二次パターンレジスト29を設ける二次パターンニング工程と、母型21上に、電着金属を電着して電鋳層30を形成する電鋳工程とを含む。電鋳工程において、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、二次レジスト体28の上端縁を乗り越えない範囲で電着金属を電着して、ベルマウス状の導入孔部15を形成することを特徴とする。   The present invention is directed to a method of manufacturing an array mask in which the conductive pillars 2 are mounted at predetermined positions on the workpiece 3 by transferring the cylindrical conductive pillars 2 into the array through holes 12 corresponding to the predetermined array pattern. And In the method of manufacturing the array mask, a primary patterning process is provided in which a primary pattern resist 25 having a primary resist body 24 corresponding to the relief hole portion 17 is provided on the surface of the matrix 21, and the surface is introduced to the surface of the primary pattern resist 25. A secondary patterning process in which a secondary pattern resist 29 having a secondary resist body 28 corresponding to the hole 15 and the holding hole 16 is provided, and an electrodeposited metal is electrodeposited on the mother die 21 to form an electroformed layer 30. Forming an electroforming process. In the electroforming process, an electrodeposition metal is electrodeposited within a range not exceeding the upper edge of the primary resist body 24 and not exceeding the upper edge of the secondary resist body 28 to form the bell mouth-shaped introduction hole 15. Features.

二次パターンニング工程において、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1と同一軸上に位置する状態で二次パターンレジスト29を設ける。   In the secondary patterning step, the secondary pattern resist 29 is provided in a state where the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is located on the same axis as the central axis Q1 of the primary resist body 24.

二次パターンニング工程において、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1に対して偏寄配置した状態で二次パターンレジスト29を設ける。   In the secondary patterning step, the secondary pattern resist 29 is provided in a state where the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is offset from the central axis Q1 of the primary resist body 24.

本発明の導電性ピラーの配列用マスクにおいては、配列通孔12を構成する導入孔部15と保持孔部16を滑らかに連続させ、導電性ピラー2を導入案内する導入孔部15を、マスク本体10の表面側に向かって拡開するベルマウス状に形成した。このように、ベルマウス状に形成した導入孔部15によれば、導電性ピラー2を配列通孔12へ落とし込む際に、横臥姿勢にある導電性ピラー2を直立姿勢へと姿勢変更させながら、導入孔部15の湾曲面に沿って落下させ、導電性ピラー2を配列通孔12へと導入案内することができる。詳しくは、横臥姿勢にある導電性ピラー2の重心位置が導入孔部15の上端縁を超えて配列通孔12上に位置した時に、配列通孔12上に位置する導電性ピラー2の一端を導入孔部15の上端縁を支点にして下向きに傾動させることができる。これにより、横臥姿勢にある導電性ピラー2を横臥姿勢から直立姿勢へと徐々に姿勢変更できる。さらに、直立姿勢への姿勢変更と同時に、導電性ピラー2を導入孔部15に沿って配列通孔12内へ滑り込ませることができる。従って、本発明の配列用マスクによれば、導電性ピラー2を配列通孔12へと円滑に落とし込むことができるので、ワーク3に対する導電性ピラー2の搭載作業を短時間で終了できる。   In the conductive pillar array mask of the present invention, the introduction hole portion 15 that constitutes the array through-hole 12 and the holding hole portion 16 are smoothly connected, and the introduction hole portion 15 that introduces and guides the conductive pillar 2 is provided as a mask. It was formed in a bell mouth shape that expands toward the surface side of the main body 10. Thus, according to the introduction hole 15 formed in the bell mouth shape, when dropping the conductive pillar 2 into the array through-hole 12, while changing the posture of the conductive pillar 2 in the lying position to the upright posture, The conductive pillars 2 can be introduced and guided to the array through holes 12 by dropping along the curved surface of the introduction hole 15. Specifically, when the position of the center of gravity of the conductive pillar 2 in the recumbent posture is positioned on the array through hole 12 beyond the upper end edge of the introduction hole 15, one end of the conductive pillar 2 positioned on the array through hole 12 is The introduction hole 15 can be tilted downward with the upper end edge of the introduction hole 15 as a fulcrum. Thereby, the posture of the conductive pillar 2 in the recumbent posture can be gradually changed from the recumbent posture to the upright posture. Furthermore, simultaneously with the posture change to the upright posture, the conductive pillar 2 can be slid along the introduction hole portion 15 into the array through-hole 12. Therefore, according to the array mask of the present invention, the conductive pillars 2 can be smoothly dropped into the array through holes 12, so that the mounting work of the conductive pillars 2 on the workpiece 3 can be completed in a short time.

また、開口径D1を導電性ピラー2の直径よりも僅かに大きく設定したストレート状の保持孔部16によれば、導入孔部15で導入案内されて配列通孔12へと落とし込まれた導電性ピラー2を、保持孔部16の内面で受止めて位置決めできる。従って、本発明の配列用マスクによれば、導電性ピラー2を保持孔部16で的確に位置決めでき、さらに、配列通孔12内における導電性ピラー2の傾きやずれ動きを阻止できるので、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を精度よく搭載できる。   Further, according to the straight holding hole 16 in which the opening diameter D1 is set to be slightly larger than the diameter of the conductive pillar 2, the conductive material introduced and guided by the introduction hole 15 and dropped into the array through hole 12. The active pillar 2 can be received and positioned on the inner surface of the holding hole 16. Therefore, according to the arrangement mask of the present invention, the conductive pillars 2 can be accurately positioned by the holding holes 16, and further, the inclination and displacement of the conductive pillars 2 in the arrangement through holes 12 can be prevented. The conductive pillar 2 can be mounted at a predetermined position on the 3 with high accuracy.

保持孔部16の下側に、同孔部16の開口径D1よりも大きな開口径D3を有する逃げ孔部17を備える配列通孔12によれば、導電性ピラー2と保持孔部16の軸心方向の係合部分の長さを、逃げ孔部17が設けられていない配列通孔12に比べて小さくすることができる。従って、導電性ピラー2をワーク3に対して搭載した後、より少ない移動量でワーク3から配列用マスクを分離できるので、配列用マスクの分離時に導電性ピラー2が傾いたり位置ずれするのを抑制して、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2をより精度よく搭載できる。また、ワーク3上に配列用マスクを載置した時に、ワーク3と配列用マスクとの接触面積を可及的に小さくできる。これにより、配列用マスクをワーク3上に載置することによる配列用マスクおよびワーク3の傷つき等を抑制することができ、配列用マスクの耐久性の向上を図ることができる。さらに、ワーク3上の導電性ピラー2の搭載位置にはフラックスが塗布される場合があるが、このような場合でも、逃げ孔部17によりフラックスが配列用マスクに付着するのを防止して、配列用マスクの洗浄の手間を省くことができる。   According to the array through-hole 12 having the escape hole 17 having an opening diameter D3 larger than the opening diameter D1 of the hole 16 below the holding hole 16, the conductive pillar 2 and the axis of the holding hole 16 are provided. The length of the engaging portion in the center direction can be made smaller than that of the array through-hole 12 in which the escape hole portion 17 is not provided. Therefore, after the conductive pillar 2 is mounted on the work 3, the arrangement mask can be separated from the work 3 with a smaller amount of movement, so that the conductive pillar 2 can be tilted or displaced when the arrangement mask is separated. In this way, the conductive pillar 2 can be more accurately mounted at a predetermined position on the work 3. Further, when the arrangement mask is placed on the work 3, the contact area between the work 3 and the arrangement mask can be made as small as possible. As a result, it is possible to suppress damage to the array mask and the work 3 caused by placing the array mask on the work 3, and the durability of the array mask can be improved. Furthermore, the flux may be applied to the mounting position of the conductive pillar 2 on the workpiece 3, but even in such a case, the flux is prevented from adhering to the arrangement mask by the escape holes 17, The trouble of cleaning the array mask can be saved.

導入孔部15と保持孔部16の合計高さ寸法H1を、逃げ孔部17の高さ寸法H2と同じか、それよりも大きく設定すると、保持孔部16の下側に逃げ孔部17を設けた場合でも、十分な高さの導入孔部15と保持孔部16を形成することができる。従って、導入孔部15における導電性ピラー2の導入案内作用、および保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を的確に発揮させることができる。   When the total height H1 of the introduction hole 15 and the holding hole 16 is set to be equal to or larger than the height H2 of the escape hole 17, the escape hole 17 is formed below the holding hole 16. Even when provided, the introduction hole 15 and the holding hole 16 having a sufficiently high height can be formed. Therefore, the introduction guide action of the conductive pillar 2 in the introduction hole 15 and the positioning action of the conductive pillar 2 in the holding hole 16 can be exhibited accurately.

保持孔部16の高さ寸法H4を、導入孔部15の高さ寸法H3と同じか、それよりも大きく設定すると、保持孔部16における導電性ピラー2の位置保決め作用を可及的に大きく発揮させることができ、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を精度よく搭載できる。   When the height dimension H4 of the holding hole 16 is set to be equal to or larger than the height dimension H3 of the introduction hole 15, the position retaining action of the conductive pillar 2 in the holding hole 16 is made as much as possible. The conductive pillar 2 can be accurately mounted at a predetermined position on the work 3.

導入孔部15の断面形状の曲率を、導入孔部15の周方向において変化するように形成すると、曲率の小さい部分では、導電性ピラー2の導入案内作用を大きく発揮させ、曲率の大きい部分では、保持孔部16の高さ寸法H4を大きくして、保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を大きく発揮させることができる。従って、導入孔部15の周方向において部分的に導電性ピラー2を落とし込みやすくすることができ、さらに落とし込んだ導電性ピラー2を的確に位置決めできる配列通孔12とすることができる。   If the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed so as to change in the circumferential direction of the introduction hole portion 15, the introduction guide action of the conductive pillar 2 is greatly exerted in a portion with a small curvature, and in the portion with a large curvature. The height dimension H4 of the holding hole 16 can be increased to greatly exert the positioning action of the conductive pillar 2 in the holding hole 16. Therefore, the conductive pillars 2 can be partially dropped easily in the circumferential direction of the introduction hole 15, and the arrayed through holes 12 that can accurately position the dropped conductive pillars 2 can be obtained.

導入孔部15の断面形状の曲率を、一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成すると、例えば、曲率の小さい側が同一方向に指向するように配列通孔12を形成することにより、導電性ピラー2の落とし込み時に、スキージを曲率の小さい側から大きい側に向かって移動させることにより、より素早く配列通孔12へ導電性ピラー2を落とし込んで、搭載作業をより短時間で終了できる。   When the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed so as to gradually change from large to small from one side edge to the opposite other edge, for example, the arrangement is made so that the small curvature side is directed in the same direction. By forming the holes 12, when the conductive pillars 2 are dropped, the squeegee is moved from the small curvature side toward the large side, so that the conductive pillars 2 can be dropped into the array through holes 12 more quickly. Can be completed in a shorter time.

本発明に係る導電性ピラーの配列用マスクの製造方法によれば、導入孔部15をベルマウス状に形成するための工程を別途行う必要なく、ベルマウス状の導入孔部15を有する配列通孔12を備えた配列用マスクを製造できる。詳しくは、一次レジスト体24の上端縁を乗り越えて成長する、電鋳金属の成長先端の縁部は四半円弧状に成長する。従って、電鋳工程において、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、しかも二次レジスト体28の上端縁を乗り越えない範囲で電着金属を電着するだけで、ベルマウス状の導入孔部15を形成することができる。従って、配列用マスクの製造過程における作業工程を短縮して、配列用マスクの製造コストの低減を図ることができる。   According to the method for manufacturing the conductive pillar array mask according to the present invention, there is no need to separately perform a process for forming the introduction hole 15 in the bell mouth shape, and the array through which the introduction hole 15 in the bell mouth shape is provided. An array mask having the holes 12 can be manufactured. Specifically, the edge of the growth tip of the electroformed metal that grows over the upper edge of the primary resist body 24 grows in a quadrant shape. Accordingly, in the electroforming step, the bell mouth-shaped introduction hole 15 can be formed only by electrodepositing the electrodeposited metal within a range not exceeding the upper end edge of the primary resist body 24 and not exceeding the upper end edge of the secondary resist body 28. Can be formed. Therefore, it is possible to shorten the work process in the manufacturing process of the array mask and reduce the manufacturing cost of the array mask.

二次パターンニング工程において、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1と同一軸状に位置する状態にすると、一次レジスト体24の上端縁を乗り越えて成長する距離を周方向で一様にできるので、導入孔部15の断面形状を周方向において同一に形成することができる。従って、導入孔部15における導電性ピラー2の導入案内作用を周方向において一様に発揮でき、いずれの方向からでも円滑に導電性ピラー2を落とし込むことができる配列通孔12を形成できる。   In the secondary patterning process, when the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is positioned on the same axis as the central axis Q1 of the primary resist body 24, the distance over which the upper end edge of the primary resist body 24 is grown. Can be made uniform in the circumferential direction, so that the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 can be formed identically in the circumferential direction. Therefore, the introduction guide action of the conductive pillars 2 in the introduction hole portion 15 can be exhibited uniformly in the circumferential direction, and the array through-holes 12 that can smoothly drop the conductive pillars 2 from any direction can be formed.

二次パターンニング工程において、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1に対して偏寄配置すると、一次レジスト体24の上端縁を乗り越えて成長する距離を周方向で異ならせることができるので、導入孔部15の断面形状を周方向において曲率が大から小に漸次変化するように形成することができる。このとき、乗り越えて成長する距離が長いほど断面形状の曲率は小さくなる。これにより、曲率の小さい側では、導電性ピラー2の導入案内作用を大きく発揮させ、曲率の大きい側では、保持孔部16の高さ寸法H4を大きくして、保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を大きく発揮させることができる。従って、導電性ピラー2を落とし込みやすくしながら、落とし込んだ導電性ピラー2を的確に位置決めできる配列通孔12を、電鋳工程を行うだけで容易に形成できる。   In the secondary patterning step, when the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is offset from the central axis Q1 of the primary resist body 24, the distance over which the upper edge of the primary resist body 24 grows is increased in the circumferential direction. Therefore, the cross-sectional shape of the introduction hole 15 can be formed so that the curvature gradually changes from large to small in the circumferential direction. At this time, the curvature of the cross-sectional shape becomes smaller as the distance over which it grows is longer. As a result, the introduction and guiding action of the conductive pillar 2 is greatly exerted on the side having a small curvature, and the height dimension H4 of the holding hole portion 16 is increased on the side having a large curvature so that the conductive pillar in the holding hole portion 16 is increased. The positioning action 2 can be exerted greatly. Therefore, it is possible to easily form the array through-holes 12 capable of accurately positioning the dropped conductive pillars 2 by simply performing the electroforming process while easily dropping the conductive pillars 2.

本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの要部を示す縦断正面図である。It is a vertical front view which shows the principal part of the mask for arrangement | sequence of the conductive pillar which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの全体構造を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the whole structure of the mask for arrangement | sequence of the conductive pillar which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの縦断正面図である。It is a vertical front view of the conductive pillar arrangement mask according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the mask for arrangement | sequence of the conductive pillar which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the mask for arrangement | sequence of the conductive pillar which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの要部を示す縦断正面図である。It is a vertical front view which shows the principal part of the mask for arrangement | sequence of the conductive pillar which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの要部を示す平面図である。It is a top view which shows the principal part of the mask for arrangement | sequence of the conductive pillar which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the mask for arrangement | sequence of the conductive pillar which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクの縦断正面図である。It is a vertical front view of the conductive pillar arrangement mask according to the third embodiment of the present invention.

(第1実施形態) 図1から図3に、本発明に係る導電性ピラーの配列用マスクの第1実施形態を示す。なお、本実施形態の図1から図3における厚みや幅などの寸法は実際の様子を示したものではなく、それぞれ模式的に示したものである。他の図においても同様である。配列用マスク(以下、単にマスクという)1は、LSIチップの電極ポスト形成における導電性ピラー2の搭載作業において使用される。図3に示すように、導電性ピラー2は銅からなる円柱状のブロックであり、その直径寸法は80μmであり、高さ寸法は
85μmである。図2において、符号3は、マスク1による導電性ピラー2の搭載対象となるワークであり、このワーク3は、ガラスエポキシ基板のベース4に複数個の半導体チップ5を搭載したのちモールド封止して形成されている。ワーク3の上面には、半導体チップ5を囲むように入出力端子である電極6が所定のパターンで形成されている。なお、ワーク3は、電極ポストの形成後に図2に一点鎖線で示すダイシングラインに沿ってダイシングされ個々のLSIチップに分割される。
First Embodiment FIGS. 1 to 3 show a first embodiment of a conductive pillar array mask according to the present invention. Note that the dimensions such as the thickness and the width in FIGS. 1 to 3 of the present embodiment do not show the actual state, but schematically show each. The same applies to the other drawings. An array mask (hereinafter simply referred to as a mask) 1 is used in a mounting operation of conductive pillars 2 in forming an electrode post of an LSI chip. As shown in FIG. 3, the conductive pillar 2 is a cylindrical block made of copper, and has a diameter of 80 μm and a height of 85 μm. In FIG. 2, reference numeral 3 denotes a workpiece on which the conductive pillar 2 is mounted by the mask 1, and this workpiece 3 is molded and sealed after mounting a plurality of semiconductor chips 5 on a base 4 of a glass epoxy substrate. Is formed. On the upper surface of the work 3, electrodes 6 as input / output terminals are formed in a predetermined pattern so as to surround the semiconductor chip 5. The work 3 is diced along a dicing line shown by a one-dot chain line in FIG. 2 after the electrode post is formed, and is divided into individual LSI chips.

マスク1は、ニッケルからなる電着金属を素材として電鋳法によって形成されたマスク本体10と、マスク本体10を囲むように装着された額縁状の枠体11とからなる。マスク本体10の盤面には、電極6の形成パターンに合致する配列パターンに対応する多数独立の配列通孔12が形成されている。この配列通孔12に導電性ピラー2を落とし込むことで、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を搭載できる。枠体11はマスク本体10を補強しており、マスク本体10よりも肉厚の42アロイ、インバー材、スーパーインバー材、SUS430等の低熱線膨張係数の材質からなる。マスク本体10の外周縁に枠体11を接着剤等で接着することにより両者10・11は不離一体的に接合されている。なお、マスク本体10は、ニッケルコバルト等のニッケル合金、銅、その他の電着金属を素材として形成することができる。   The mask 1 includes a mask body 10 formed by electroforming using an electrodeposited metal made of nickel, and a frame-like frame body 11 attached so as to surround the mask body 10. A large number of independent array through holes 12 corresponding to the array pattern matching the formation pattern of the electrodes 6 are formed on the surface of the mask body 10. The conductive pillar 2 can be mounted at a predetermined position on the workpiece 3 by dropping the conductive pillar 2 into the array through-hole 12. The frame 11 reinforces the mask main body 10 and is made of a material having a low coefficient of thermal expansion such as 42 alloy, Invar material, Super Invar material, SUS430, etc., which is thicker than the mask main body 10. The frame body 11 is bonded to the outer peripheral edge of the mask main body 10 with an adhesive or the like, so that the both 10 and 11 are joined together in an integrated manner. The mask body 10 can be made of a nickel alloy such as nickel cobalt, copper, or other electrodeposited metal.

図1に示すように、配列通孔12は、マスク本体10の表面で開口する導入孔部15と、導入孔部15の下側に設けられる保持孔部16とを備えており、導入孔部15の下端と保持孔部16の上端とは滑らかに連続させている。また、配列通孔12は、保持孔部16の下側に逃げ孔部17を備えている。   As shown in FIG. 1, the array through-hole 12 includes an introduction hole 15 that opens on the surface of the mask body 10, and a holding hole 16 that is provided below the introduction hole 15. The lower end of 15 and the upper end of the holding hole portion 16 are smoothly continuous. In addition, the array through-hole 12 includes a relief hole 17 below the holding hole 16.

導入孔部15は、マスク本体10の表面側に向かって拡開するベルマウス状に形成されており、配列通孔12に導電性ピラー2を落とし込む際に、導電性ピラー2を配列通孔12内へ導入案内する作用を有する。導入孔部15の断面形状は周方向において同一であり、導入孔部15における導電性ピラー2の導入案内作用を周方向において一様に発揮できる。本実施形態における導入孔部15の断面形状は、真円の四半円弧状に形成されている。   The introduction hole portion 15 is formed in a bell mouth shape that expands toward the surface side of the mask main body 10, and when the conductive pillar 2 is dropped into the array through-hole 12, the conductive pillar 2 is inserted into the array through-hole 12. It has the effect of guiding it into the inside. The cross-sectional shape of the introduction hole 15 is the same in the circumferential direction, and the introduction guide action of the conductive pillar 2 in the introduction hole 15 can be uniformly exhibited in the circumferential direction. The cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 in the present embodiment is formed as a perfect circular quarter arc.

保持孔部16は、開口径D1が導電性ピラー2の直径よりも僅かに大きく設定されるストレート孔状に形成されており、配列通孔12に落とし込まれた導電性ピラー2を位置決めする作用を有する。導電性ピラー2の外周面が保持孔部16の内周面と接触することにより傾きやずれ動きが阻止され、導電性ピラー2は位置決めされる。   The holding hole portion 16 is formed in a straight hole shape in which the opening diameter D1 is set to be slightly larger than the diameter of the conductive pillars 2, and positions the conductive pillars 2 dropped into the array through-holes 12. Have When the outer peripheral surface of the conductive pillar 2 comes into contact with the inner peripheral surface of the holding hole portion 16, tilting and displacement are prevented, and the conductive pillar 2 is positioned.

逃げ孔部17は、保持孔部16の開口径D1よりも大きな開口径D3を有するストレート孔状に形成されており、逃げ孔部17の中心軸P2は、保持孔部16の中心軸P1と同一軸上に位置している。本実施形態では、保持孔部16の開口径D1は85μmに設定し、導入孔部15上端の開口径D2は125μmに設定し、逃げ孔部17の開口径D3は145μmに設定した。   The escape hole portion 17 is formed in a straight hole shape having an opening diameter D3 larger than the opening diameter D1 of the holding hole portion 16, and the central axis P2 of the escape hole portion 17 is the same as the central axis P1 of the holding hole portion 16. Located on the same axis. In the present embodiment, the opening diameter D1 of the holding hole portion 16 is set to 85 μm, the opening diameter D2 at the upper end of the introduction hole portion 15 is set to 125 μm, and the opening diameter D3 of the escape hole portion 17 is set to 145 μm.

導入孔部15と保持孔部16の合計高さ寸法H1は、逃げ孔部17の高さ寸法H2よりも大きく設定されており、前者の高さ寸法H1は50μmであり、後者の高さ寸法H2は40μmである。このように、配列通孔12の高さ寸法H1を、逃げ孔部17の高さ寸法H2より大きく設定すると、保持孔部16の下側に逃げ孔部17を設けた場合でも、十分な高さの導入孔部15と保持孔部16を形成することができる。従って、導入孔部15における導電性ピラー2の導入案内作用、および保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を的確に発揮させることができる。   The total height H1 of the introduction hole 15 and the holding hole 16 is set to be larger than the height H2 of the escape hole 17, the former height H1 being 50 μm, and the latter height dimension. H2 is 40 μm. Thus, if the height dimension H1 of the array through-holes 12 is set to be larger than the height dimension H2 of the escape hole part 17, even if the escape hole part 17 is provided below the holding hole part 16, the height dimension H1 is sufficiently high. The introduction hole 15 and the holding hole 16 can be formed. Therefore, the introduction guide action of the conductive pillar 2 in the introduction hole 15 and the positioning action of the conductive pillar 2 in the holding hole 16 can be exhibited accurately.

保持孔部16の高さ寸法H4は、導入孔部15の高さ寸法H3よりも大きく設定されており、後者の高さ寸法H3は20μmであり、前者の高さ寸法H4は30μmである。このように、保持孔部16の高さ寸法H4を、導入孔部15の高さ寸法H3よりも大きく設定すると、保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用をさらに確実に発揮させることができる。   A height dimension H4 of the holding hole portion 16 is set to be larger than a height dimension H3 of the introduction hole portion 15. The latter height dimension H3 is 20 μm, and the former height dimension H4 is 30 μm. As described above, when the height dimension H4 of the holding hole 16 is set larger than the height dimension H3 of the introduction hole 15, the positioning action of the conductive pillar 2 in the holding hole 16 can be more reliably exhibited. it can.

マスク1を用いた導電性ピラー2のワーク3に対する搭載作業は、次のような手順で行われる。なお、この搭載作業は、ピラー供給装置、余剰ピラー回収装置、スキージブラシなどを備えた専用の配列装置によって行われる。ます、ワーク3の電極6の表面にフラックスをスクリーン印刷法により印刷塗布する。フラックスは、電極6の表面を活性化させ、リフロー後の電極6と導電性ピラー2との接合強度の向上を図る目的と、導電性ピラー2の搭載時にフラックスが持つ粘着性により導電性ピラー2を仮固定する目的のために塗布される。   The mounting operation of the conductive pillar 2 on the workpiece 3 using the mask 1 is performed in the following procedure. This mounting operation is performed by a dedicated arrangement device including a pillar supply device, a surplus pillar recovery device, a squeegee brush, and the like. First, a flux is printed on the surface of the electrode 6 of the work 3 by screen printing. The flux activates the surface of the electrode 6 to improve the bonding strength between the electrode 6 after reflow and the conductive pillar 2, and the conductive pillar 2 due to the adhesiveness of the flux when the conductive pillar 2 is mounted. Is applied for the purpose of temporarily fixing.

次いで、配列通孔12が電極6と一致するように、ワーク3上にマスク1を位置合わせしたうえで、マスク1を載置し固定する。このとき、逃げ孔部17によりワーク3とマスク1との接触面積を可及的に小さくできるので、マスク1をワーク3上に載置することによるマスク1およびワーク3の傷つき等を抑制することができ、マスク1の耐久性の向上を図ることができる。また、逃げ孔部17によりフラックスがマスク1に付着するのを防止して、マスク1の洗浄の手間を省くことができる。   Next, after aligning the mask 1 on the work 3 so that the array through-holes 12 coincide with the electrodes 6, the mask 1 is placed and fixed. At this time, the contact area between the work 3 and the mask 1 can be made as small as possible by the escape hole portion 17, so that the damage of the mask 1 and the work 3 caused by placing the mask 1 on the work 3 is suppressed. The durability of the mask 1 can be improved. Further, the escape hole 17 prevents the flux from adhering to the mask 1, and the labor for cleaning the mask 1 can be saved.

次いで、マスク1上に多数個の導電性ピラー2を供給し、スキージブラシを用いてマスク1上で導電性ピラー2を分散させて、それぞれの配列通孔12内に一つずつ導電性ピラー2を落とし込む。配列通孔12への導電性ピラー2を落とし込みは、以下のように行われる。スキージブラシにより分散された横臥姿勢にある導電性ピラー2の重心位置が、導入孔部15の上端縁を超えて配列通孔12上に位置すると、配列通孔12上に位置する導電性ピラー2の一端は、導入孔部15の上端縁を支点にして下向きに傾動する。これにより、横臥姿勢にある導電性ピラー2は横臥姿勢から直立姿勢へと徐々に姿勢変更される。さらに、直立姿勢への姿勢変更と同時に、導電性ピラー2は導入孔部15に沿って配列通孔12内へ滑り込む。これにて、導電性ピラー2は導入孔部15で導入案内されて配列通孔12へと円滑に落とし込まれる。配列通孔12へ落とし込まれた導電性ピラー2は、フラックスによる仮固定に加え、保持孔部16の内面で的確に位置決めされる。   Next, a large number of conductive pillars 2 are supplied onto the mask 1, and the conductive pillars 2 are dispersed on the mask 1 using a squeegee brush. Drop. The conductive pillars 2 are dropped into the array through holes 12 as follows. When the position of the center of gravity of the conductive pillars 2 in a recumbent posture dispersed by the squeegee brush is positioned on the array through holes 12 beyond the upper end edge of the introduction hole portion 15, the conductive pillars 2 positioned on the array through holes 12. Is tilted downward with the upper edge of the introduction hole 15 as a fulcrum. Thereby, the posture of the conductive pillar 2 in the recumbent posture is gradually changed from the recumbent posture to the upright posture. Furthermore, simultaneously with the posture change to the upright posture, the conductive pillar 2 slides into the array through hole 12 along the introduction hole portion 15. As a result, the conductive pillar 2 is introduced and guided by the introduction hole portion 15 and smoothly dropped into the array through-hole 12. The conductive pillars 2 dropped into the array through-holes 12 are accurately positioned on the inner surface of the holding hole 16 in addition to temporary fixing with flux.

導電性ピラー2の落とし込みが終了したら、マスク1上に残存している余剰な導電性ピラー2を回収する。最後に、ワーク3とマスク1の固定を解除し、マスク1を持ち上げて分離することにより、ワーク3への導電性ピラー2の搭載作業が完了する。このとき、逃げ孔部17によって、導電性ピラー2と保持孔部16との係合部分の軸心方向の係合部分の長さを小さくしてあるので、少ない移動量でワーク3からマスク1を分離でき、マスク1の分離時に導電性ピラー2が傾いたり位置ずれするのを抑制できる。   When the dropping of the conductive pillar 2 is completed, the excess conductive pillar 2 remaining on the mask 1 is recovered. Finally, the work 3 and the mask 1 are unlocked, and the mask 1 is lifted and separated to complete the work of mounting the conductive pillar 2 on the work 3. At this time, since the length of the engagement portion in the axial direction of the engagement portion between the conductive pillar 2 and the holding hole portion 16 is reduced by the escape hole portion 17, the mask 1 can be moved from the workpiece 3 with a small amount of movement. It is possible to prevent the conductive pillar 2 from being inclined or displaced when the mask 1 is separated.

図4および図5は、第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法を示す。
(一次パターンニング工程)
図4(a)に示すように、導電性を有する例えばステンレスや真ちゅう製の母型21の表面全体にフォトレジスト層22を形成してから、逃げ孔部17に対応する円状の透光孔を有するガラスマスクからなるパターンフィルム23を密着させる。この状態で、紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行う。ここでのフォトレジスト層22は、ネガタイプのシート状感光性ドライフィルムレジストの一枚ないし数枚をラミネートして熱圧着により形成して、所定の厚みになるようにする。次いで、未露光部分のフォトレジスト層22を溶解除去することにより、図4(b)に示すように、逃げ孔部17に対応する円盤状の一次レジスト体24を有する一次パターンレジスト25を得る。
4 and 5 show a method of manufacturing the array mask according to the first embodiment.
(Primary patterning process)
As shown in FIG. 4A, a circular light transmitting hole corresponding to the escape hole 17 is formed after forming a photoresist layer 22 on the entire surface of a mother mold 21 made of, for example, stainless steel or brass. A pattern film 23 made of a glass mask having In this state, exposure is performed by irradiating with ultraviolet light, and development and drying are performed. Here, the photoresist layer 22 is formed by laminating one or several negative type sheet-like photosensitive dry film resists and thermocompression-bonded to have a predetermined thickness. Next, the unexposed portion of the photoresist layer 22 is dissolved and removed, thereby obtaining a primary pattern resist 25 having a disk-shaped primary resist body 24 corresponding to the escape hole portion 17 as shown in FIG.

(二次パターンニング工程)
図4(c)に示すように、一次パターンレジスト25の形成部分を含む母型21の表面全体にフォトレジスト層26を形成し、その上面に保持孔部16に対応する円状の透光孔を有するガラスマスクからなるパターンフィルム27を密着させる。このとき、透光孔の中心と一次レジスト体24の中心軸Q1とが一致するように、パターンフィルム27を密着させる。この状態で、紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行う。ここでのフォトレジスト層26は、先に説明したフォトレジスト層22の形成手法と同様である。次いで、未露光部分のフォトレジスト層26を溶解除去することにより、図4(d)に示すように、導入孔部15および保持孔部16に対応する円柱状の二次レジスト体28を有する二次パターンレジスト29を得る。なお、パターンフィルム27の透光孔の中心と一次レジスト体24の中心軸Q1とを一致させたので、円柱状の二次レジスト体28の中心軸Q2は、円盤状の一次レジスト体24の中心軸Q1と同一軸状に位置している。
(Secondary patterning process)
As shown in FIG. 4C, a photoresist layer 26 is formed on the entire surface of the mother die 21 including the portion where the primary pattern resist 25 is formed, and a circular light transmitting hole corresponding to the holding hole 16 is formed on the upper surface thereof. A pattern film 27 made of a glass mask having At this time, the pattern film 27 is brought into close contact so that the center of the light transmitting hole coincides with the central axis Q1 of the primary resist body 24. In this state, exposure is performed by irradiating with ultraviolet light, and development and drying are performed. The photoresist layer 26 here is the same as the method for forming the photoresist layer 22 described above. Next, the unexposed portion of the photoresist layer 26 is dissolved and removed, so that a second secondary resist body 28 having a cylindrical secondary resist body 28 corresponding to the introduction hole portion 15 and the holding hole portion 16 is obtained as shown in FIG. Next pattern resist 29 is obtained. Since the center of the light transmitting hole of the pattern film 27 and the central axis Q1 of the primary resist body 24 coincide with each other, the central axis Q2 of the cylindrical secondary resist body 28 is the center of the disc-shaped primary resist body 24. It is located on the same axis as the axis Q1.

(電鋳工程)
上記母型21を建浴された電鋳槽に入れ、図5(a)に示すように、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、しかも二次レジスト体28の上端縁を乗り越えない範囲で電着金属を電着して、電鋳層30、すなわちマスク本体10となる層を形成する。このとき、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え成長する、電鋳金属の成長先端の縁部は四半円弧状に成長するので、母型21上に電着金属を電着するだけで、ベルマウス状の導入孔部15を形成することができる。以上より、導入孔部15をベルマウス状に形成するための工程を別途行う必要なく、ベルマウス状の導入孔部15を有する配列通孔12を備えた配列用マスクを製造できるので、配列用マスクの製造過程における作業工程を短縮して、配列用マスクの製造コストを低減できる。また、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1と同一軸状に位置する状態にしたので、導入孔部15の断面形状が周方向において同一な導入孔部15を形成できる。
(Electroforming process)
As shown in FIG. 5 (a), the mother die 21 is put in a built-up electroforming tank, and as shown in FIG. The deposited metal is electrodeposited to form an electroformed layer 30, that is, a layer that becomes the mask body 10. At this time, the edge of the growth tip of the electroformed metal that grows over the upper edge of the primary resist body 24 grows in a quadrant shape. A shaped introduction hole 15 can be formed. As described above, an array mask having the array through-holes 12 having the bellmouth-like introduction hole portions 15 can be manufactured without the necessity of separately performing a process for forming the introduction hole portions 15 in the bellmouth shape. The manufacturing process of the mask for arrangement can be reduced by shortening the work process in the mask manufacturing process. Further, since the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is positioned in the same axis as the central axis Q1 of the primary resist body 24, the cross-sectional shape of the introduction hole 15 is the same in the circumferential direction. Can be formed.

(剥離工程)
図5(b)に示すように、母型21から電鋳層30と、一次および二次パターンレジスト25・29とを剥離したうえで、一次および二次パターンレジスト25・29を溶解除去することにより、図3に示すマスク本体10を得る。得られたマスク本体10の外周縁に枠体11を接着剤で接着して、両者10・11を不離一体的に接合することにより、配列用マスク1を得る。
(Peeling process)
As shown in FIG. 5B, the electroformed layer 30 and the primary and secondary pattern resists 25 and 29 are peeled off from the matrix 21 and the primary and secondary pattern resists 25 and 29 are dissolved and removed. Thus, the mask main body 10 shown in FIG. 3 is obtained. The frame body 11 is adhered to the outer peripheral edge of the obtained mask main body 10 with an adhesive, and the both masks 10 and 11 are joined together in an integrated manner, whereby the arrangement mask 1 is obtained.

(第2実施形態)図6および図7は、本発明に係る導電性ピラーの配列用マスクの第2実施形態を示す。本実施形態においては、図6に示すように、逃げ孔部17の中心軸P2に対して、保持孔部16の中心軸P1を偏寄配置し、これに伴い導入孔部15の断面形状の曲率が、一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成されている。より詳しくは、導入孔部15の断面形状が周方向において相似状に形成されており、導入孔部15の断面形状の曲率は、図6に向かって右側の曲率が最も大きく、左側の曲率が最も小さくなっており、導入孔部15の右側から左側に至る中途部は、曲率が大から小へと漸次変化している。導入孔部15の断面形状は、真円の四半円弧状に形成されている。本実施形態における導入孔部15の高さ寸法H3は、最も曲率が小さい位置での寸法とする。他は第1実施形態と同じであるので、同じ部材に同じ符号を付してその説明を省略する。以下の実施形態においても同じとする。 (Second Embodiment) FIGS. 6 and 7 show a second embodiment of the conductive pillar array mask according to the present invention. In the present embodiment, as shown in FIG. 6, the central axis P1 of the holding hole 16 is offset from the central axis P2 of the escape hole 17, and the cross-sectional shape of the introduction hole 15 is accordingly increased. The curvature is formed so as to gradually change from large to small from one side edge to the opposite side edge. More specifically, the cross-sectional shape of the introduction hole 15 is formed in a similar shape in the circumferential direction, and the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole 15 is the largest on the right side and the curvature on the left side in FIG. In the midway part from the right side to the left side of the introduction hole 15, the curvature gradually changes from large to small. The cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed in a perfect circular arc shape. The height dimension H3 of the introduction hole 15 in the present embodiment is a dimension at the position where the curvature is the smallest. Since others are the same as 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same member and the description is abbreviate | omitted. The same applies to the following embodiments.

図8は、第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法を示す。本実施形態の製造方法における一次パターンニング工程は、第1実施形態で説明した図4(a)、(b)に示す方法と同様である。   FIG. 8 shows a method for manufacturing an array mask according to the second embodiment. The primary patterning process in the manufacturing method of this embodiment is the same as the method shown in FIGS. 4A and 4B described in the first embodiment.

(二次パターンニング工程)
図8(a)に示すように、一次パターンレジスト25の形成部分を含む母型21の表面全体にフォトレジスト層26を形成し、その上面に保持孔部16に対応する円状の透光孔を有するガラスマスクからなるパターンフィルム27を密着させる。このとき、透光孔の中心と一次レジスト体24の中心軸Q1とが異なる位置になるように、パターンフィルム27の全体を図8(a)に向かって右側にずらした状態で密着させる。この状態で、紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行う。ここでのフォトレジスト層26は、先に説明したフォトレジスト層22の形成手法と同様である。次いで、未露光部分のフォトレジスト層26を溶解除去することにより、図8(b)に示すように、導入孔部15および保持孔部16に対応する円柱状の二次レジスト体28を有する二次パターンレジスト29を得る。なお、パターンフィルム27の透光孔の中心と一次レジスト体24の中心軸Q1とが異なる位置になるようにしたので、二次レジスト体28の中心軸Q2は、一次レジスト体24の中心軸Q1に対して偏寄している。
(Secondary patterning process)
As shown in FIG. 8A, a photoresist layer 26 is formed on the entire surface of the mother die 21 including the portion where the primary pattern resist 25 is formed, and a circular light transmitting hole corresponding to the holding hole portion 16 is formed on the upper surface thereof. A pattern film 27 made of a glass mask having At this time, the entire pattern film 27 is brought into close contact with the center of the light transmitting hole and the center axis Q1 of the primary resist body 24 while being shifted to the right as viewed in FIG. In this state, exposure is performed by irradiating with ultraviolet light, and development and drying are performed. The photoresist layer 26 here is the same as the method for forming the photoresist layer 22 described above. Next, the unexposed portion of the photoresist layer 26 is dissolved and removed, so that a second resist body 28 having a columnar shape corresponding to the introduction hole portion 15 and the holding hole portion 16 is formed as shown in FIG. Next pattern resist 29 is obtained. Since the center of the light transmission hole of the pattern film 27 and the central axis Q1 of the primary resist body 24 are located at different positions, the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is the central axis Q1 of the primary resist body 24. Is biased against.

(電鋳工程)
上記母型21を建浴された電鋳槽に入れ、図8(c)に示すように、一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、しかも二次レジスト体28の上端縁を乗り越えない範囲で電着金属を電着して、電鋳層30、すなわちマスク本体10となる層を形成する。このとき、一次レジスト体24の上端縁を乗り越えて成長する、電鋳金属の成長先端の縁部は四半円弧状に成長するので、母型21上に電着金属を電着するだけで、ベルマウス状の導入孔部15を形成することができる。また、母型21の表面から二次レジスト体28までの距離が長いほど、四半円弧の曲率は小さくなるため、図8(c)に向かって右側に成長する電鋳金属の成長先端の縁部の曲率が小さく、左側に成長する電鋳金属の成長先端の縁部の曲率が大きく形成される。これにより、導入孔部15の断面形状の曲率が周方向において大から小に漸次変化する配列通孔12を、電鋳工程を行うだけで容易に形成できる。また、二次レジスト体28の中心軸Q2を、一次レジスト体24の中心軸Q1に対して偏寄させたので、保持孔部16の中心軸P1を逃げ孔部17の中心軸P2に対して偏寄配置した状態で形成できる。
(Electroforming process)
As shown in FIG. 8 (c), the mother die 21 is put in a bathed electroforming tank, and as shown in FIG. The deposited metal is electrodeposited to form an electroformed layer 30, that is, a layer that becomes the mask body 10. At this time, since the edge of the growth tip of the electroformed metal that grows over the upper edge of the primary resist body 24 grows in a semicircular arc shape, the electrodeposition metal is simply electrodeposited on the mother die 21 to form a bell. A mouse-like introduction hole 15 can be formed. Further, the longer the distance from the surface of the matrix 21 to the secondary resist body 28, the smaller the curvature of the quarter arc, so that the edge of the growth tip of the electroformed metal growing on the right side in FIG. 8C. The curvature of the edge of the growth tip of the electroformed metal growing on the left side is large. Thereby, the array through-hole 12 in which the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 gradually changes from large to small in the circumferential direction can be easily formed only by performing the electroforming process. Further, since the central axis Q2 of the secondary resist body 28 is offset with respect to the central axis Q1 of the primary resist body 24, the central axis P1 of the holding hole portion 16 is offset from the central axis P2 of the escape hole portion 17. It can be formed in a biased arrangement.

(剥離工程)
図8(d)に示すように、母型21から電鋳層30と、一次および二次パターンレジスト25・29とを剥離したうえで、一次および二次パターンレジスト25・29を溶解除去することにより、図6に示すマスク本体10を得る。得られたマスク本体10の外周縁に枠体11を接着剤で接着して、両者10・11を不離一体的に接合することにより、配列用マスク1を得る。
(Peeling process)
As shown in FIG. 8D, after the electroformed layer 30 and the primary and secondary pattern resists 25 and 29 are peeled from the matrix 21, the primary and secondary pattern resists 25 and 29 are dissolved and removed. Thus, the mask main body 10 shown in FIG. 6 is obtained. The frame body 11 is adhered to the outer peripheral edge of the obtained mask main body 10 with an adhesive, and the both masks 10 and 11 are joined together in an integrated manner, whereby the arrangement mask 1 is obtained.

上記のように、導入孔部15の断面形状を周方向において一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成すると、曲率の小さい側では、導電性ピラー2の導入案内作用を大きく発揮させ、曲率の大きい側では、保持孔部16の高さ寸法H4を大きくして、保持孔部16における導電性ピラー2の位置決め作用を大きく発揮させることができる。従って、導入孔部15の周方向において部分的に導電性ピラー2を落とし込みやすくすることができ、さらに落とし込んだ導電性ピラー2を的確に位置決めできる配列通孔12とすることができる。また、曲率の小さい側が同一方向に指向するように配列通孔12を形成することにより、導電性ピラー2の落とし込み時に、スキージを曲率の小さい側から大きい側に向かって移動させることにより、より素早く配列通孔12へ導電性ピラー2を落とし込んで、搭載作業をより短時間で終了できる。   As described above, when the cross-sectional shape of the introduction hole 15 is formed so as to gradually change from one side edge to the opposite other side edge in the circumferential direction, the conductive pillar 2 is formed on the side having a small curvature. In this case, the height guide H2 of the holding hole 16 can be increased on the side having a large curvature, and the positioning action of the conductive pillar 2 in the holding hole 16 can be greatly exerted. Therefore, the conductive pillars 2 can be partially dropped easily in the circumferential direction of the introduction hole 15, and the arrayed through holes 12 that can accurately position the dropped conductive pillars 2 can be obtained. Further, by forming the array through-holes 12 so that the side with the smaller curvature is oriented in the same direction, the squeegee is moved from the side with the smaller curvature toward the side with the larger curvature when the conductive pillar 2 is dropped. The conductive pillars 2 are dropped into the array through holes 12, and the mounting operation can be completed in a shorter time.

本実施形態においては、曲率が一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成したが、導入孔部15の周方向において曲率が大きい部分と、曲率が小さい部分とが滑らかに交互に形成されていてもよい。なお、曲率が大きい部分と小さい部分との間は、曲率が大から小へ、あるいは小から大へ漸次変化するように形成するとよい。この場合には、一次パターンニング工程において、逃げ孔部17に対応する透光孔を花弁状に形成したガラスマスクからなるパターンフィルム23を用いて、逃げ孔部17に対応する一次レジスト体24を有する一次パターンレジスト25を形成する。その後の工程は、第1実施形態と同一である。このように、花弁状の一次レジスト体24を形成することで、電鋳工程時に電着金属が一次レジスト体24の上端縁を乗り越え、二次レジスト体28に接触するタイミングを部分的に異ならせることができる。これにより、二次レジスト体28に先に接触した電鋳金属の成長先端の縁部の曲率を大きくでき、その他の部分の成長先端の縁部の曲率を小さくできる。   In the present embodiment, the curvature is formed so as to gradually change from large to small from one side edge to the opposite other edge, but the portion having a large curvature in the circumferential direction of the introduction hole portion 15 and the curvature is small. The portions may be formed alternately and smoothly. In addition, it is good to form so that a curvature may change gradually from large to small or from small to large between a part with a large curvature and a small part. In this case, in the primary patterning step, the primary resist body 24 corresponding to the escape hole 17 is formed using the pattern film 23 made of a glass mask in which the light transmitting holes corresponding to the escape holes 17 are formed in a petal shape. A primary pattern resist 25 is formed. The subsequent steps are the same as those in the first embodiment. In this way, by forming the petal-shaped primary resist body 24, the timing at which the electrodeposited metal gets over the upper edge of the primary resist body 24 and contacts the secondary resist body 28 during the electroforming process is partially varied. be able to. As a result, the curvature of the edge of the growth tip of the electroformed metal previously in contact with the secondary resist body 28 can be increased, and the curvature of the edge of the growth tip of the other part can be reduced.

なお、本実施形態の配列用マスク(メタルマスク)は、例えば導電性ボールの配列用マスク、導電性ペーストの印刷層を形成するスクリーン印刷用マスクなどのメタルマスクにも適用することができる。なお、他の各実施形態においても同様であることを補足する。   Note that the arrangement mask (metal mask) of this embodiment can also be applied to metal masks such as an arrangement mask for conductive balls and a screen printing mask for forming a printed layer of conductive paste. Note that the same applies to the other embodiments.

(第3実施形態)図9は、本発明に係る導電性ピラーの配列用マスクの第3実施形態を示す。本実施形態においては、図9に示すように、マスク本体10の下面に柱状に形成した複数の支持突起35を、逃げ孔部17を避けるように一体に設けた点が先の第1実施形態と異なる。支持突起35はマスク本体10と同一の金属からなる素材で形成してもよいし、他の金属からなる素材で形成してもよい。また、銅や樹脂などの非磁性体で形成することもできる。このように、マスク本体10の下面に支持突起35を設けたので、ワーク3とマスク1とが接触するのを極力避けることができ、マスク1をワーク3上に載置することによるマスク1およびワーク3の傷つき等をより抑制することができる。また、マスク1の耐久性のより一層の向上を図ることができる。 (Third Embodiment) FIG. 9 shows a third embodiment of the conductive pillar array mask according to the present invention. In the present embodiment, as shown in FIG. 9, a plurality of support protrusions 35 formed in a columnar shape on the lower surface of the mask body 10 are integrally provided so as to avoid the escape hole portion 17 in the first embodiment. And different. The support protrusion 35 may be formed of a material made of the same metal as the mask body 10 or may be formed of a material made of another metal. It can also be formed of a non-magnetic material such as copper or resin. As described above, since the support protrusion 35 is provided on the lower surface of the mask main body 10, the contact between the work 3 and the mask 1 can be avoided as much as possible, and the mask 1 by placing the mask 1 on the work 3 and Damage to the workpiece 3 can be further suppressed. Further, the durability of the mask 1 can be further improved.

上記の実施形態では、支持突起35は逃げ孔部17を避けるように設けたが、図2の一点鎖線で示すワーク3のダイシングラインに対応する位置に等間隔おきに設けてもよく、また、ダイシングラインの交点に対応する位置にのみ設けてもよい。支持突起35は柱状に限らず、リブ状に形成することができる。リブ状に形成する場合には、平行に配置される支持突起35の一群を形成してもよいし、支持突起35を格子状に形成してもよい。   In the above embodiment, the support protrusions 35 are provided so as to avoid the escape holes 17. However, the support protrusions 35 may be provided at regular intervals at positions corresponding to the dicing lines of the work 3 indicated by the one-dot chain line in FIG. You may provide only in the position corresponding to the intersection of a dicing line. The support protrusion 35 is not limited to a columnar shape but can be formed in a rib shape. When formed in a rib shape, a group of support protrusions 35 arranged in parallel may be formed, or the support protrusions 35 may be formed in a lattice shape.

以上のように、上記各実施形態に係る導電性ピラーの配列用マスクによれば、ベルマウス状に形成した導入孔部15で導電性ピラー2を導入案内して、導電性ピラー2を配列通孔12へと円滑に落とし込むことができるので、ワーク3に対する導電性ピラー2の搭載作業を短時間で終了できる。また、ストレート孔状の保持孔部16で配列通孔12へ落とし込まれた導電性ピラー2を位置決めして、配列通孔12内における導電性ピラー2の傾きやずれ動きを阻止できるので、ワーク3上の所定位置に導電性ピラー2を精度よく搭載できる。   As described above, according to the conductive pillar array masks according to the above-described embodiments, the conductive pillars 2 are introduced and guided by the introduction holes 15 formed in a bell mouth shape so that the conductive pillars 2 can be arranged. Since it can drop smoothly into the hole 12, the mounting work of the conductive pillar 2 on the workpiece 3 can be completed in a short time. In addition, since the conductive pillars 2 dropped into the array through holes 12 are positioned by the holding holes 16 having a straight hole shape, the conductive pillars 2 in the array through holes 12 can be prevented from being tilted or displaced. The conductive pillar 2 can be mounted at a predetermined position on the 3 with high accuracy.

上記の各実施形態では、導入孔部15の断面形状は四半円弧状に形成したが、楕円の四半円弧状、あるいは部分外突円弧状であってもよい。逃げ孔部17は、ストレート孔状に限らず、円錐台孔状、段付き孔状に形成することができる。段付き孔状に形成する場合には、一次レジスト体24を2度に分けて階段状に形成すればよい。   In each of the above-described embodiments, the cross-sectional shape of the introduction hole portion 15 is formed in a quarter arc shape, but may be an elliptic quarter arc shape or a partially projecting arc shape. The escape hole portion 17 is not limited to a straight hole shape, but can be formed in a truncated cone shape or a stepped shape. In the case of forming a stepped hole shape, the primary resist body 24 may be formed in a stepped shape by dividing it twice.

2 導電性ピラー
3 ワーク
10 マスク本体
12 配列通孔
15 導入孔部
16 保持孔部
17 逃げ孔部
21 母型
24 一次レジスト体
25 一次パターンレジスト
28 二次レジスト体
29 二次パターンレジスト
30 電鋳層
D1 開口径
D3 開口径
H1 導入孔部と保持孔部の合計高さ寸法
H2 逃げ孔部の高さ寸法
H3 導入孔部の高さ寸法
H4 保持孔部の高さ寸法
Q1 一次レジスト体の中心軸
Q2 二次レジスト体の中心軸
2 conductive pillar 3 work 10 mask body 12 array through-hole 15 introduction hole 16 holding hole 17 escape hole 21 master mold 24 primary resist body 25 primary pattern resist 28 secondary resist body 29 secondary pattern resist 30 electroformed layer D1 Aperture diameter D3 Aperture diameter H1 Total height dimension of introduction hole and holding hole H2 Height dimension of escape hole H3 Height dimension of introduction hole H4 Height dimension of retention hole Q1 Central axis of primary resist body Q2 Center axis of secondary resist body

Claims (9)

所定の配列パターンに対応した配列通孔(12)に円柱状の導電性ピラー(2)を落とし込んで、ワーク(3)上の所定位置に導電性ピラー(2)を搭載する配列用マスクであって、
配列通孔(12)は、マスク本体(10)の表面で開口して導電性ピラー(2)を配列通孔(12)の内部へ導入案内する導入孔部(15)と、導入孔部(15)の下側に設けられて導電性ピラー(2)を位置決めする保持孔部(16)とを備え、導入孔部(15)の下端と保持孔部(16)の上端とは滑らかに連続しており、
導入孔部(15)は、マスク本体(10)の表面側に向かって拡開するベルマウス状に形成されており、
保持孔部(16)は、同孔部(16)の開口径(D1)が導電性ピラー(2)の直径よりも僅かに大きく設定されるストレート孔で形成されていることを特徴とする導電性ピラーの配列用マスク。
This is an array mask in which cylindrical conductive pillars (2) are dropped into array through holes (12) corresponding to a predetermined array pattern, and the conductive pillars (2) are mounted at predetermined positions on the work (3). And
The array through-hole (12) opens on the surface of the mask body (10) and introduces and guides the conductive pillar (2) into the array through-hole (12). 15) a holding hole (16) provided on the lower side for positioning the conductive pillar (2), and the lower end of the introduction hole (15) and the upper end of the holding hole (16) are smoothly continuous. And
The introduction hole (15) is formed in a bell mouth shape that expands toward the surface side of the mask body (10),
The holding hole portion (16) is formed of a straight hole in which the opening diameter (D1) of the hole portion (16) is set slightly larger than the diameter of the conductive pillar (2). Mask for array of sex pillars.
配列通孔(12)は、保持孔部(16)の下側に同孔部(16)の開口径(D1)よりも大きな開口径(D3)を有する逃げ孔部(17)を備えている請求項1に記載の導電性ピラーの配列用マスク。   The array through-hole (12) includes an escape hole (17) having an opening diameter (D3) larger than the opening diameter (D1) of the hole (16) below the holding hole (16). The conductive pillar array mask according to claim 1. 導入孔部(15)と保持孔部(16)の合計高さ寸法を(H1)とし、逃げ孔部(17)の高さ寸法を(H2)とするとき、前者の高さ寸法(H1)が後者の高さ寸法(H2)と同じか、それよりも大きく設定されている請求項2に記載の導電性ピラーの配列用マスク。   When the total height of the introduction hole (15) and the holding hole (16) is (H1) and the height of the escape hole (17) is (H2), the former height (H1) The mask for arranging the conductive pillars according to claim 2, wherein is set to be equal to or greater than the height dimension (H2) of the latter. 導入孔部(15)の高さ寸法を(H3)とし、保持孔部(16)の高さ寸法を(H4)とするとき、後者の高さ寸法(H4)が前者の高さ寸法(H3)と同じか、それよりも大きく設定されている請求項1から3のいずれかひとつに記載の導電性ピラーの配列用マスク。   When the height dimension of the introduction hole (15) is (H3) and the height dimension of the holding hole (16) is (H4), the latter height dimension (H4) is the former height dimension (H3). The mask for arranging the conductive pillars according to any one of claims 1 to 3, wherein the mask is set to be equal to or larger than. 導入孔部(15)の断面形状の曲率が、導入孔部(15)の周方向において変化するように形成されている請求項1から4のいずれかひとつに記載の導電性ピラーの配列用マスク。   5. The conductive pillar array mask according to claim 1, wherein the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion (15) is changed in the circumferential direction of the introduction hole portion (15). . 導入孔部(15)の断面形状の曲率が、一側縁から対向する他側縁に向かって大から小に漸次変化するように形成されている請求項5に記載の導電性ピラーの配列用マスク。   The array of conductive pillars according to claim 5, wherein the curvature of the cross-sectional shape of the introduction hole portion (15) is formed so as to gradually change from one side edge to the opposite other side edge from large to small. mask. 所定の配列パターンに対応した配列通孔(12)に円柱状の導電性ピラー(2)を振り込むことで、ワーク(3)上の所定位置に導電性ピラー(2)を搭載する配列用マスクの製造方法であって、
母型(21)の表面に、逃げ孔部(17)に対応する一次レジスト体(24)を有する一次パターンレジスト(25)を設ける一次パターンニング工程と、
一次パターンレジスト(25)の表面に、保持孔部(16)に対応する二次レジスト体(28)を有する二次パターンレジスト(29)を設ける二次パターンニング工程と、
母型(21)上に、電着金属を電着して電鋳層(30)を形成する電鋳工程とを含み、
電鋳工程において、一次レジスト体(24)の上端縁を乗り越え、二次レジスト体(28)の上端縁を乗り越えない範囲で電着金属を電着して、ベルマウス状の導入孔部(15)を形成することを特徴とする導電性ピラーの配列用マスクの製造方法。
An array mask for mounting the conductive pillar (2) at a predetermined position on the work (3) by swinging the cylindrical conductive pillar (2) into the array through hole (12) corresponding to the predetermined array pattern. A manufacturing method comprising:
A primary patterning step of providing a primary pattern resist (25) having a primary resist body (24) corresponding to the escape hole (17) on the surface of the matrix (21);
A secondary patterning step of providing a secondary pattern resist (29) having a secondary resist body (28) corresponding to the holding hole (16) on the surface of the primary pattern resist (25);
An electroforming step of electrodepositing an electrodeposited metal on the matrix (21) to form an electroformed layer (30),
In the electroforming process, the electrodeposited metal is electrodeposited within a range not exceeding the upper end edge of the primary resist body (24) and not exceeding the upper end edge of the secondary resist body (28). ) Forming a mask for arranging conductive pillars.
二次パターンニング工程において、二次レジスト体(28)の中心軸(Q2)を、一次レジスト体(24)の中心軸(Q1)と同一軸上に位置する状態で二次パターンレジスト(29)を設ける請求項7に記載の導電性ピラーの配列用マスクの製造方法。   In the secondary patterning step, the secondary pattern resist (29) is positioned with the central axis (Q2) of the secondary resist body (28) on the same axis as the central axis (Q1) of the primary resist body (24). A method for manufacturing a mask for arranging conductive pillars according to claim 7. 二次パターンニング工程において、二次レジスト体(28)の中心軸(Q2)を、一次レジスト体(24)の中心軸(Q1)に対して偏寄配置した状態で二次パターンレジスト(29)を設ける請求項7に記載の導電性ピラーの配列用マスクの製造方法。   In the secondary patterning step, the secondary pattern resist (29) is arranged in a state where the central axis (Q2) of the secondary resist body (28) is offset from the central axis (Q1) of the primary resist body (24). A method for manufacturing a mask for arranging conductive pillars according to claim 7.
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