JP2010177347A - Ball loading mask, and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、ボール挿入孔のボール搭載側開口周縁にめっきのサイドスプレット(side-spread)現象によるR形状を利用したボール案内部を有するボール搭載マスク及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a ball mounting mask having a ball guide portion using an R shape due to a side-spread phenomenon of plating at the periphery of a ball mounting side opening of a ball insertion hole, and a method for manufacturing the same.
従来、半導体ウエハ等のベースの所定位置に導電性ボールを振り分けて配列するボール搭載マスクにおいては、ボール挿入孔のボール搭載側開口周縁(エッジ)が角張っているため、導電性ボールが傷付き易く、また、導電性ボールの未搭載の原因にもなっている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, in a ball mounting mask in which conductive balls are distributed and arranged at predetermined positions on a base such as a semiconductor wafer, the ball mounting side opening peripheral edge (edge) of the ball insertion hole is angular, and the conductive balls are easily damaged. In addition, the conductive ball is not mounted (see, for example, Patent Document 1).
近年、ボール搭載マスクのボール挿入孔の所定開口寸法公差が±2μm、又は1μmの製品があり、従来のボール搭載マスクでは精度確保が厳しい状況になってきている。
また、ボール挿入孔をめっきの自由成長により形成した場合には、パターンの密集度により電流密度(電流効率)が変化することによる成長率(皮膜厚さ及びR形状)に差が出てくるため、その差がボール挿入孔の所定開口寸法の精度に影響を与えるという問題があった。
In recent years, there are products having a predetermined opening size tolerance of the ball insertion hole of the ball mounting mask of ± 2 μm or 1 μm, and it has become difficult to ensure accuracy with the conventional ball mounting mask.
Further, when the ball insertion hole is formed by free growth of plating, a difference appears in the growth rate (film thickness and R shape) due to the change in current density (current efficiency) due to the density of the pattern. There is a problem that the difference affects the accuracy of the predetermined opening size of the ball insertion hole.
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、ボール挿入孔のボール搭載側開口周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状を利用したボール案内部を形成することにより、導電性ボールの挿入性及び搭載率を向上させるようにしたボール搭載マスク及びその製造方法を提供するものである。 The present invention has been made to solve the above-described problems. By forming a ball guide portion using an R shape due to a side spread phenomenon of plating at the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole, It is intended to provide a ball mounting mask and a method for manufacturing the same, which improve the insertion property and mounting rate of the functional ball.
この発明に係るボール搭載マスクにおいては、搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有するボール挿入孔が多数形成されたものであって、搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有するボール挿入孔が多数形成されるようにめっきにより製作された第1マスク層と、ボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール挿入孔よりも大径のボール案内部を形成した第2マスク層とからなるものである。 In the ball mounting mask according to the present invention, a large number of ball insertion holes having a predetermined opening dimension slightly larger than the diameter of the conductive ball to be mounted are formed, and the ball mounting mask has a diameter larger than that of the conductive ball to be mounted. A first mask layer formed by plating so that a large number of ball insertion holes having a slightly larger predetermined opening size are formed, and R-shaped processing by the side spread phenomenon of plating on the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole And a second mask layer formed with a ball guiding portion having a diameter larger than that of the ball insertion hole to which is applied.
また、搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有する多数のボール挿入孔がレーザー加工により形成された第1マスク層と、ボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール挿入孔よりも大径のボール案内部を形成した第2マスク層とからなるものである。 In addition, a plurality of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of the conductive ball to be mounted are plated on the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole and the first mask layer formed by laser processing. And a second mask layer formed with a ball guide portion having a diameter larger than that of the ball insertion hole subjected to the R-shaped processing by the side spread phenomenon.
また、ボール挿入孔とボール案内部との間に、ボール案内部を形成する際に用いられたレジストを除去した痕跡である空間部が形成されているものである。 In addition, a space portion is formed between the ball insertion hole and the ball guide portion, which is a trace obtained by removing the resist used when forming the ball guide portion.
また、この発明に係るボール搭載マスクの製造方法においては、導電性母材上にレジストを形成し、搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有する多数のボール挿入孔を形成する第1マスク層をめっきで形成する第1マスク層形成工程と、第1マスク層のボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁のみにレジストを形成し、めっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール挿入孔よりも大径のボール案内部を有する第2マスク層を形成する第2マスク層形成工程と、レジストを除去するレジスト除去工程と、導電性母材から第1マスク層及び第2マスク層を剥がす剥離工程とからなるものである。 In the ball mounting mask manufacturing method according to the present invention, a resist is formed on the conductive base material, and a plurality of ball insertion holes having a predetermined opening dimension slightly larger than the diameter of the conductive ball to be mounted are formed. A first mask layer forming step of forming the first mask layer to be formed by plating, and a resist is formed only on the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole of the first mask layer, and R-shaped processing by the side spread phenomenon of plating A second mask layer forming step for forming a second mask layer having a ball guide portion having a diameter larger than that of the ball insertion hole provided with the resist, a resist removing step for removing the resist, and the first mask layer from the conductive base material. And a peeling step of peeling off the second mask layer.
また、SUS基材を用意し、該SUS基材に搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有する多数のボール挿入孔をレーザー加工により穿孔した第1マスク層を形成する第1マスク層形成工程と、第1マスク層のボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁のみにレジストを形成し、めっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール挿入孔よりも大径のボール案内部を有する第2マスク層を形成する第2マスク層形成工程と、レジストを除去するレジスト除去工程とからなるものである。 Also, a SUS base material is prepared, and a first mask layer is formed by drilling a large number of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of the conductive ball mounted on the SUS base material by laser processing. The first mask layer forming step, and a resist is formed only at the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole of the first mask layer, and the diameter is larger than that of the ball insertion hole subjected to R-shaped processing by the side spread phenomenon of plating. The second mask layer forming step for forming the second mask layer having the ball guiding portion and the resist removing step for removing the resist.
この発明によれば、ボール挿入孔のボール搭載側開口周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール案内部を形成することにより、導電性ボールの挿入性及び搭載率を向上させる効果がある。 According to the present invention, by forming the ball guide portion subjected to the R shape processing by the side spread phenomenon of plating on the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole, the insertion property and mounting rate of the conductive balls are improved. effective.
実施例1.
図1はこの発明の実施例1におけるボール搭載マスクを示す斜視図、図2はこの発明の実施例1におけるボール搭載マスクを半導体ウエハ等のベースに使用している状態を示す斜視図、図3はこの発明の実施例1におけるボール搭載マスクの要部を示す縦断面図、図4はこの発明の実施例1におけるボール搭載マスクの製造方法の主な工程を示す縦断面図である。
Example 1.
1 is a perspective view showing a ball mounting mask according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing a state in which the ball mounting mask according to Embodiment 1 of the present invention is used as a base of a semiconductor wafer or the like. FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing the main part of the ball mounting mask in Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing the main steps of the method for manufacturing the ball mounting mask in Embodiment 1 of the present invention.
図1及び図2において、1はアルミニウム材料等で四角形の枠状に構成された版枠、2は版枠1の内側に張設されたメッシュ(紗)からなるスクリーン、3はスクリーン2の中央開口部に接着固定されたボール搭載マスクである。このボール搭載マスク3は、金属からなる平板状をなし、周縁部が接着剤によりスクリーン2に対して接着されている。ボール搭載マスク3には、多数のボール挿入孔4が形成されたボール挿入孔集合体5が複数個形成されており、ここでは4個のボール挿入孔集合体5の例を示している。このボール搭載マスク3は、半導体ウエハ等のベース6に対して使用され、ベース6には多数の電極7が設けられており、ボール搭載マスク3の各ボール挿入孔4はベース6の各電極7に対応している。
1 and 2, reference numeral 1 denotes a plate frame made of an aluminum material or the like in the shape of a square frame, 2 denotes a screen made of a mesh stretched inside the
この発明によるボール搭載マスク3は、図3に示すような構造をしている。すなわち、半導体ウエハ等のベース6上の所定位置に重ねて配置されるボール搭載マスク3のボール挿入孔4は、客先から指定される所定の開口寸法Dを有しており、搭載される導電性ボール8の直径よりも若干大きく形成されている。近年では指定される所定の開口寸法Dの寸法公差管理が非常に厳しくなってきている。このボール挿入孔4の直下位置のベース6上に電極7が対応して配置されている。そして、所定開口寸法Dのボール挿入孔4のボール搭載側開口部周縁にはめっきのサイドスプレット現象(レジスト周縁上にめっきがオーバーハングしながら縦横均等に成長して行くこと)によるR形状加工が施されたボール案内部9が形成されており、ボール案内部9の最下端の直径はボール挿入孔4の直径よりも若干大きい大径となるように形成されている。ボール搭載マスク3に搭載された導電性ボール8は、R形状加工が施されたボール案内部9に案内されることにより、導電性ボール8が入り易い構造となっている。また、ボール案内部9の最下端の直径とボール挿入孔4の直径Dとの差を、導電性ボール8の直径の1/2以下とすることにより、導電性ボール8が途中で残るようなことがない。10はボール挿入孔4とボール案内部9との間に形成される空間部である。この空間部10はめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール案内部9を形成する際に用いられたレジストを除去した後の痕跡である。11はボール搭載マスク3とベース6との間に配置されたスペーサ又は突起で、電極7を逃がすためのものである。
The
次に、この発明の実施例1におけるボール搭載マスクの製造方法を図4により説明する。この製造方法はめっきによる積層工程である。
先ず、導電性母材12にボール挿入孔4を形成する第1マスク層13をめっきで形成する(図4a参照)。ここでは通常のメタルマスクをめっきで製作する場合と同様に、導電性母剤2にレジストを塗布、露光、現像、めっきの各工程を経て形成されるので詳細な説明は省略するが、ボール挿入孔4の所定開口と同寸法のレジストを形成して所定開口寸法Dの精度を確保することができるので、近年の所定開口寸法Dの寸法公差管理が非常に厳しい状況にも十分対応することが可能である。次に、第1マスク層13のボール挿入孔4のボール搭載側開口部周縁のみにボール案内部9を形成させるためのレジスト14を塗布、露光、現像により形成する(図4b参照)。そして、第1マスク層13の表面に場合によりニッケルストライクめっきを実施した後、その上からめっきのサイドスプレット現象(レジスト周縁上にめっきがオーバーハングしながら縦横均等に成長して行くこと)によるR形状加工が施されたボール案内部9を有する第2マスク層15を形成する(図4c参照)。次に、レジスト14を除去して、導電性母材12から剥がすことにより、この発明によるボール搭載マスク3が得られる(図4d参照)。このとき、レジスト14を除去した後の痕跡である空間部10がボール挿入孔4とボール案内部9との間に形成される。ここで、一例として、空間部10の高さは約10μm程度であり、R形状加工部の高さ及びその突出長はいずれも約25μm程度であり、ボール搭載マスク3の全高は約70μm程度である。
なお、R形状加工が施されたボール案内部9は、各ボール挿入孔4に対応して1個ずつ設けられているが、複数のボール挿入孔4に対して1個ずつ設けても良い。
Next, a ball mounting mask manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. This manufacturing method is a lamination process by plating.
First, the
In addition, one
この発明によれば、ボール挿入孔のボール搭載側開口周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール案内部を形成することにより、導電性ボールの挿入性及び搭載率を向上させることができる。 According to the present invention, by forming the ball guide portion subjected to the R shape processing by the side spread phenomenon of plating on the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole, the insertion property and mounting rate of the conductive balls are improved. be able to.
実施例2.
図5はこの発明の実施例2におけるボール搭載マスクの要部を示す縦断面図である。上記実施例1では、ボール搭載マスク3とベース6との間にスペーサ又は突起11を配置することにより電極7を逃がすようにしているが、この実施例2においては、図5に示すように、ボール搭載マスク3の半導体ウエハ等のベース6側となる下面にめっき層による突起部16を形成することにより、ボール挿入孔4の下部周縁部に電極逃げ部17を設けたものであり、導電性母材12の電極逃げ部17に相当する部分にレジストを形成して突起部16をめっきにより形成する。
なお、R形状加工が施されたボール案内部9は、各ボール挿入孔4に対応して1個ずつ設けられているが、複数のボール挿入孔4に対して1個ずつ設けても良い。
Example 2
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing an essential part of a ball mounting mask in Embodiment 2 of the present invention. In the first embodiment, the
In addition, one
実施例3.
図6はこの発明の実施例3におけるボール搭載マスクの製造方法の主な工程を示す縦断面図である。この製造方法はボール挿入孔4aを形成する第1マスク層13aをSUS板とし、レーザー加工による開口加工工程を含むものである。
先ず、SUS板を用意して、ボール挿入孔4aをレーザー加工により穿孔した第1マスク層13aを形成する(図6a参照)。ここではレーザー加工により、ボール挿入孔4aの所定開口寸法Dの精度を確保することができ、近年の所定開口寸法Dの寸法公差管理が非常に厳しい状況にも十分対応することが可能である。次に、第1マスク層13aのボール挿入孔4aのボール搭載側開口部周縁のみにボール案内部9aを形成させるためのレジスト14aを塗布、露光、現像により形成する(図6b参照)。そして、第1マスク層13aの表面に場合によりニッケルストライクめっきを実施する。SUS基材とニッケルめっき皮膜が剥がれないようにするためにはニッケルストライクめっきが必要である。このニッケルストライクめっきを実施した後、その上からめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール案内部9aを有する第2マスク層15aを形成する(図6c参照)。次に、レジスト14aを除去することにより、この発明によるボール搭載マスク3aが得られる(図6d参照)。このとき、レジスト14aを除去した後の痕跡である空間部10aがボール挿入孔4aとボール案内部9aとの間に形成される。
なお、R形状加工が施されたボール案内部9aは、各ボール挿入孔4aに対応して1個ずつ設けられているが、複数のボール挿入孔4aに対して1個ずつ設けても良い。
Example 3 FIG.
FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing the main steps of the ball mounting mask manufacturing method according to
First, a SUS plate is prepared, and a
Note that one
実施例4.
図7はこの発明の実施例4におけるボール搭載マスクの製造方法の主な工程を示す縦断面図、図8はこの発明の実施例4におけるボール搭載マスクの要部を示す縦断面図である。
Example 4
FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing the main steps of the ball mounting mask manufacturing method according to
この発明の実施例4におけるボール搭載マスクの製造方法を図7により説明する。この製造方法はめっきによる積層工程である。
先ず、導電性母材12b上に電極逃げ部17のレジスト18を形成する(図7a参照)。次に、電極逃げ部17形成用の突起部16をめっき形成し、更にその上にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール挿入孔4bを有する一連の第1マスク層13bを形成する(図7b参照)。次に、第1マスク層13bのボール挿入孔4bのボール搭載側開口部周縁にボール案内部9bを形成させるためのレジスト14bを塗布、露光、現像により形成する(図7c参照)。そして、第1マスク層13bの表面に場合によりニッケルストライクめっきを実施した後、その上から上部周縁が直角形状のボール案内部9bを有する第2マスク層15bをめっきにより形成する(図7d参照)。次に、レジスト18、14bを除去する(図7e参照)。そして、導電性母材12bから剥がすことにより、この発明によるボール搭載マスク3bが得られる(図7f参照)。
A ball mounting mask manufacturing method according to
First, the resist 18 of the
上記実施例1では、所定開口寸法Dのボール挿入孔4のボール搭載側開口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール案内部9を形成しているが、この実施例4においては、図8に示すように、めっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が上半部に施されたボール挿入孔4bの上層に、更に導電性ボール8を案内する例えば約70μm程度の深さに凹ませたボール案内部9bを形成したものである。なお、17はボール挿入孔4bの下部周縁部に設けられた電極逃げ部であり、凹ませたボール案内凹部9bの底面から電極逃げ部17までの高さは例えば約200μm程度である。
なお、ボール案内部9bは、上部周縁がほぼ直角形状であるが、傾斜を持たせても良い。また、各ボール挿入孔4bに対応して1個ずつ設けられているが、複数のボール挿入孔4bに対し1個ずつ設けても良い。
In the first embodiment, the
In addition, although the ball | bowl guide
実施例5.
図9はこの発明の実施例5におけるボール搭載マスクの製造方法の主な工程を示す縦断面図、図10はこの発明の実施例5におけるボール搭載マスクの要部を示す縦断面図である。この製造方法は開口径の精度向上のため、ボール挿入孔の開口部全体をレジストで形成するものである。
FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing the main steps of the ball mounting mask manufacturing method according to
先ず、導電性母材12cに第1のレジストを塗布して電極逃げ部17となる第1レジスト部を露光する。露光後に第2のレジストを塗布してボール挿入孔4cの開口部となる第2レジスト部を露光する。露光後に第1レジスト、第2のレジストを現像して第1レジスト部18aと第2レジスト部19を同時に形成する(図9a参照)。次に、導電性母材12cに第1レジスト部18aと第2レジスト部19により電極逃げ部17及びボール挿入孔4cが形成された第1マスク層13cをめっきで形成する(図9b参照)。ここで、第1マスク層13cのボール挿入孔4cが形成される下層部では、通常のメタルマスクをめっきで製作する場合と同様に、ボール挿入孔4cの所定開口と同寸法のレジストを形成して所定開口寸法Dの精度を確保することができるので、近年このボール挿入孔4cはストレートだけでなく逆テーパー状であっても良い。また、第1マスク層13cのボール挿入孔4cが形成される上層部では、ボール搭載側開口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール入口部20を同時に形成することができる。次に、出っ張ったレジスト19を研磨する(図9c参照)。その後の工程は、上記実施例4における図7(c)〜(f)の製造工程と同一であるので、説明を省略する。なお、図9cに進まずに、図9bで止めてしまえば、ボール案内部9cの無い形状のボール搭載マスクが得られることは言うまでも無い。
First, a first resist is applied to the
この実施例5によって得られるボール搭載マスク3cは、図10に示すように、めっきのサイドスプレット現象によるR形状を利用したボール入口部20の下層に形成されるボール挿入孔4cは、所定開口と同寸法のレジストを形成して所定開口寸法Dの精度を確保することができる。
なお、ボール案内部9cは、上部周縁がほぼ直角形状であるが、傾斜を持たせても良い。また、各ボール挿入孔4cに対応して1個ずつ設けられているが、複数のボール挿入孔4cに対し1個ずつ設けても良い。
As shown in FIG. 10, the
In addition, although the ball | bowl guide
実施例6.
図11はこの発明の実施例6におけるボール搭載マスクの要部を示す縦断面図である。
上記実施例5では、ボール案内部9cは上部周縁が直角形状であるが、この実施例6によって得られるボール搭載マスク3dは、図11に示すように、ボール案内部9dは上部周縁をR形状加工が施されたものとしたものである。
Example 6
FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing an essential part of a ball mounting mask according to
In the fifth embodiment, the
実施例7.
図12はこの発明の実施例7におけるボール搭載マスクの要部を示す縦断面図である。
上記実施例5では、ボール挿入孔4cはストレート状の孔であるが、この実施例7によって得られるボール搭載マスク3eは、図12に示すように、ボール挿入孔4eは逆テーパー状の孔が施されたものとしたものである。また、ボール案内部9eも上部周縁をR形状加工が施されたものとしている。
Example 7
FIG. 12 is a longitudinal sectional view showing an essential part of the ball mounting mask according to
In the fifth embodiment, the
実施例8.
図13はこの発明の実施例8におけるボール搭載マスクの要部を示す縦断面図である。
上記実施例8によって得られるボール搭載マスク3fは、図13に示すように、ボール挿入孔4fは逆テーパー状の孔が施されたものとしているが、ボール案内部9fは上部周縁をほぼ直角形状としたものである。
Example 8 FIG.
FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing an essential part of a ball mounting mask according to
As shown in FIG. 13, in the
1 版枠
2 スクリーン
3、3a〜3f ボール搭載マスク
4、4a〜4f ボール挿入孔
5 ボール挿入孔集合体
6 ベース
7 電極
8 導電性ボール
9、9a〜9f ボール案内部
10 空間部
11 スペーサ
12、12a、12b 導電性母材
13、13a〜13c 第1マスク層
14、14a レジスト
15、15a〜15c 第2マスク層
16 突起部
17 電極逃げ部
18a 第1レジスト部
19 第2レジスト部
20 ボール入口部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plate frame 2
Claims (12)
前記搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有するボール挿入孔が多数形成されるようにめっきにより製作された第1マスク層と、前記ボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施された前記ボール挿入孔よりも大径のボール案内部を形成した第2マスク層とからなることを特徴とするボール搭載マスク。 A ball mounting mask in which a large number of ball insertion holes having a predetermined opening dimension slightly larger than the diameter of a conductive ball to be mounted are formed,
A first mask layer manufactured by plating so that a large number of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of the conductive ball to be mounted are formed, and a ball mounting side opening of the ball insertion hole A ball mounting mask comprising: a second mask layer having a ball guide portion having a diameter larger than that of the ball insertion hole, the periphery of which is subjected to an R-shape process by plating side spread phenomenon.
前記搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有する多数のボール挿入孔がレーザー加工により形成された第1マスク層と、前記ボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施された前記ボール挿入孔よりも大径のボール案内部を形成した第2マスク層とからなることを特徴とするボール搭載マスク。 A ball mounting mask in which a large number of ball insertion holes having a predetermined opening dimension slightly larger than the diameter of a conductive ball to be mounted are formed,
A first mask layer in which a plurality of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of the conductive ball to be mounted is formed by laser processing, and the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole is plated. And a second mask layer formed with a ball guide portion having a diameter larger than that of the ball insertion hole subjected to the R-shaped processing by the side spread phenomenon.
前記搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有し、めっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール挿入孔が多数形成された第1マスク層と、前記ボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁に前記ボール挿入孔よりも大径の直角形状のボール案内部をめっきにより形成した第2マスク層とからなることを特徴とするボール搭載マスク。 A ball mounting mask in which a large number of ball insertion holes having a predetermined opening dimension slightly larger than the diameter of a conductive ball to be mounted are formed,
A first mask layer having a predetermined opening size slightly larger than a diameter of the conductive ball to be mounted and having a plurality of ball insertion holes subjected to R-shaped processing by plating side spread phenomenon; A ball mounting mask comprising: a second mask layer formed by plating a ball guide portion having a right-angle shape larger in diameter than the ball insertion hole on the periphery of the opening portion on the ball mounting side of the insertion hole.
前記搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有し、めっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施されたボール挿入孔が多数形成された第1マスク層と、前記ボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施された前記ボール挿入孔よりも大径のボール案内部を形成した第2マスク層とからなることを特徴とするボール搭載マスク。 A ball mounting mask in which a large number of ball insertion holes having a predetermined opening dimension slightly larger than the diameter of a conductive ball to be mounted are formed,
A first mask layer having a predetermined opening size slightly larger than a diameter of the conductive ball to be mounted and having a plurality of ball insertion holes subjected to R-shaped processing by plating side spread phenomenon; And a second mask layer in which a ball guide portion having a larger diameter than the ball insertion hole is formed on the periphery of the opening portion of the ball mounting side of the insertion hole, which is subjected to R-shaped processing by a side spread phenomenon of plating. Ball mounted mask.
前記搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有するボール挿入孔が多数形成されるようにめっきにより製作された第1マスク下層部と、前記ボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施された前記ボール挿入孔よりも大径のボール入口部を形成した第1マスク上層部と、前記ボール入口部周縁に前記ボール入口部よりも大径の直角状のボール案内部をめっきにより形成した第2マスク層とからなることを特徴とするボール搭載マスク。 A ball mounting mask in which a large number of ball insertion holes having a predetermined opening dimension slightly larger than the diameter of a conductive ball to be mounted are formed,
A first mask lower layer portion formed by plating so that a large number of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of the conductive ball to be mounted are formed, and a ball mounting side opening of the ball insertion hole A first mask upper layer portion having a ball inlet portion having a diameter larger than that of the ball insertion hole subjected to R-shaped processing by plating side spread phenomenon on the periphery of the portion, and more than the ball inlet portion on the periphery of the ball inlet portion A ball mounting mask comprising: a second mask layer in which a large-diameter right-angled ball guiding portion is formed by plating.
前記搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有するボール挿入孔が多数形成されるようにめっきにより製作された第1マスク下層部と、前記ボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施された前記ボール挿入孔よりも大径のボール入口部を形成した第1マスク上層部と、前記ボール入口部周縁にめっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施された前記ボール入口部よりも大径のボール案内部を形成した第2マスク層とからなることを特徴とするボール搭載マスク。 A ball mounting mask in which a large number of ball insertion holes having a predetermined opening dimension slightly larger than the diameter of a conductive ball to be mounted are formed,
A first mask lower layer portion formed by plating so that a large number of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of the conductive ball to be mounted are formed, and a ball mounting side opening of the ball insertion hole A first mask upper layer portion formed with a ball inlet portion having a diameter larger than the ball insertion hole, which has been subjected to R-shaped processing by plating side spread phenomenon on the periphery of the portion, and plating side spread phenomenon on the periphery of the ball inlet portion A ball mounting mask comprising: a second mask layer formed with a ball guide portion having a diameter larger than that of the ball inlet portion subjected to R-shape processing.
導電性母材上にレジストを形成し、前記搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有する多数のボール挿入孔を形成する第1マスク層をめっきで形成する第1マスク層形成工程と、前記第1マスク層のボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁のみにレジストを形成し、めっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施された前記ボール挿入孔よりも大径のボール案内部を有する第2マスク層を形成する第2マスク層形成工程と、前記レジストを除去するレジスト除去工程と、前記導電性母材から第1マスク層及び第2マスク層を剥がす剥離工程とからなることを特徴とするボール搭載マスクの製造方法。 A method for manufacturing a ball mounting mask in which a large number of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of a conductive ball to be mounted are formed,
A first mask in which a resist is formed on a conductive base material, and a first mask layer for forming a plurality of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of the mounted conductive ball is formed by plating. A layer forming step, a resist is formed only at the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole of the first mask layer, and the diameter of the ball insertion hole is larger than that of the ball insertion hole subjected to R-shaped processing by the side spread phenomenon of plating. A second mask layer forming step for forming a second mask layer having a ball guiding portion; a resist removing step for removing the resist; and a peeling step for peeling the first mask layer and the second mask layer from the conductive base material. A method for manufacturing a ball-mounted mask, comprising:
SUS基材を用意し、該SUS基材に前記搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有する多数のボール挿入孔をレーザー加工により穿孔した第1マスク層を形成する第1マスク層形成工程と、前記第1マスク層のボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁のみにレジストを形成し、めっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施された前記ボール挿入孔よりも大径のボール案内部を有する第2マスク層を形成する第2マスク層形成工程と、前記レジストを除去するレジスト除去工程とからなることを特徴とするボール搭載マスクの製造方法。 A method for manufacturing a ball mounting mask in which a large number of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of a conductive ball to be mounted are formed,
First, a SUS substrate is prepared, and a first mask layer is formed in which a number of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of the conductive ball mounted on the SUS substrate are formed by laser processing. 1 mask layer forming step, and a resist is formed only on the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole of the first mask layer, which is larger than the ball insertion hole subjected to R-shaped processing by the side spread phenomenon of plating. A method for manufacturing a ball mounting mask, comprising: a second mask layer forming step of forming a second mask layer having a ball guide portion having a diameter; and a resist removing step of removing the resist.
導電性母材上に電極逃げ部形成用のレジスト及びその上にボール挿入孔形成用のレジストを形成し、電極逃げ部形成用の突起部をめっき形成し、更にその上に前記搭載される導電性ボールの直径よりも若干大きい所定の開口寸法を有し、めっきのサイドスプレット現象によるR形状加工が施された多数のボール挿入孔を形成する第1マスク層をめっきで形成する第1マスク層形成工程と、前記ボール挿入孔のボール搭載側開口部周縁に前記ボール挿入孔よりも大径の直角形状のボール案内部を有する第2マスク層をめっきにより形成する第2マスク層形成工程と、前記レジストを除去するレジスト除去工程と、前記導電性母材から第1マスク層及び第2マスク層を剥がす剥離工程とからなることを特徴とするボール搭載マスクの製造方法。 A method for manufacturing a ball mounting mask in which a large number of ball insertion holes having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of a conductive ball to be mounted are formed,
A resist for forming an electrode escape portion and a resist for forming a ball insertion hole are formed on the conductive base material, a protrusion for forming the electrode escape portion is formed by plating, and the conductive material mounted thereon is further formed thereon. A first mask layer having a predetermined opening size slightly larger than the diameter of the conductive ball and forming a first mask layer by plating to form a large number of ball insertion holes subjected to R-shaped processing by plating side-splet phenomenon And a second mask layer forming step of forming, by plating, a second mask layer having a right angle ball guide portion having a diameter larger than that of the ball insertion hole at the periphery of the ball mounting side opening of the ball insertion hole, A method for manufacturing a ball-mounted mask, comprising: a resist removing process for removing the resist; and a peeling process for peeling the first mask layer and the second mask layer from the conductive base material.
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