JP2017535782A - ホウ素ドープダイヤモンドベース電気化学センサヘッド - Google Patents
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Abstract
Description
国際公開第2013/135783号は、広い溶媒窓、高い可逆性、および小さい電気容量を有する、ホウ素ドープダイヤモンド電極を形成するために使用することができる、ホウ素含有量が多く、かつsp2炭素含有量が少ない、電気化学的感知用途向けに最適化されたホウ素ドープダイヤモンド(BDD:boron doped diamond)材料を開示している。この文献には、所望のレベルの導電性を達成するために、合成中に高濃度のホウ素をダイヤモンド格子中へ導入することで、結果として著しく多量のsp2炭素(非ダイヤモンド炭素、またはNDC:Non−Diamond Carbonとも呼ばれる)もダイヤモンド材料中へ導入されることが記載されている。高含有量のsp2炭素、すなわち非ダイヤモンド炭素は、とりわけ対象種の濃度レベルが非常に低いとき、対象種の電気化学的感知と干渉し得るバックグラウンド電流をもたらすことが記載されている。ホウ素含有量が多く、かつsp2炭素含有量が少ない、電気化学的感知用途向けに最適化されたホウ素ドープダイヤモンド材料を提供する合成方法および生産材料が記載される。そのような材料は、溶媒窓が広く、バックグラウンド電流が低く、信号分解能が高く、電気容量が小さく、かつ外圏酸化還元種への可逆性が高い。
(1)金属ナノ粒子といった種を用いるホウ素ドープダイヤモンド電極の官能化は、特定の対象種の検出および測定を可能にするものの、官能化表面は頑丈さに欠け、使用時に不安定である。例えば、測定と測定の間に電極を洗浄する必要があり、その結果、官能化材料が除去される可能性があり、ひいては電極の性能が低下し得る。さらに、酸化電位が印加される場合、その後これが金属ナノ粒子の溶解の原因となり得、徐々に官能化が電極表面から消失する原因となる。
(2)ホウ素ドープダイヤモンド電極の官能化は、非官能化ホウ素ドープダイヤモンド電極によって生成されない対象種に関する信号の生成を可能にするものの、バックグラウンド信号も増大させる可能性があり、結果として信号対ノイズを減少させ、非常に低い濃度における対象種の確実な検出を妨げる。
(3)ホウ素ドープダイヤモンド電極の官能化は、非官能化ホウ素ドープダイヤモンド電極によって生成されない対象種に関する信号の生成を可能にするものの、当該信号は安定性を欠く傾向があり、経時的に個々の電極について、および電極間についても、いずれにおいても変化しやすい。
ホウ素ドープダイヤモンド材料から形成されるホウ素ドープダイヤモンド電極、
ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面上に配置された非ダイヤモンド炭素サイトの配列、
非ダイヤモンド炭素サイトに結合した、対象種に関連する酸化還元ピークを生成するための電気化学的に活性な表面基であって、対象種は、使用時に当該対象種を含有する溶液が感知表面と接触するよう配置された際、非ダイヤモンド炭素サイトに結合した電気化学的に活性な表面基と反応する、電気化学的に活性な表面基、
ある電位範囲に亘ってホウ素ドープダイヤモンド電極をスキャンして酸化還元ピークを生成するよう構成されている電気制御装置、および
酸化還元ピークの位置および強度の一方、または両方に基づいて、電気化学的測定値を与えるよう構成されている処理装置を含む、電気化学センサが提供される。
ホウ素ドープダイヤモンド材料から形成されるホウ素ドープダイヤモンド電極、
ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面上に配置された非ダイヤモンド炭素サイトの配列、および
非ダイヤモンド炭素サイトに結合した、対象種に関連する酸化還元ピークを生成するための電気化学的に活性な表面基であって、対象種は、使用時に当該対象種を含有する溶液が感知表面と接触するよう配置された際、非ダイヤモンド炭素サイトに結合した電気化学的に活性な表面基と反応する、電気化学的に活性な表面基を含み、
ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面に過剰量の非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面に、対象種に関連する酸化還元ピークの生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されており、それにより下記の特性の1つまたは複数が達成され、
電気化学センサは、狭すぎない溶媒窓を示し、当該溶媒窓は、少なくとも1.5eVであり、かつ3.5eV以下(例えば、少なくとも1.75eV、2.0eV、または2.25eV、および/または3.25eV以下、3.0eV以下、または2.75eV以下、および/またはこれらの上限値および下限値のあらゆる組み合わせ)の電位範囲を有し、ここで溶媒窓は、±0.4mAcm-2の間の電流密度を有すると定義され、
電気化学センサは、大きすぎない電気容量を示し、当該電気容量は、10μFcm-2から50μFcm-2(例えば、少なくとも12μFcm-2、15μFcm-2、または18μFcm-2、および/または40μFcm-2以下、30μFcm-2以下、または25μFcm-2以下、および/またはこれらの上限値および下限値のあらゆる組み合わせ)の範囲内にあり、
電気化学センサは、対象種に関連する酸化還元ピークの位置に1つまたは複数の干渉ピークを生成せず(例えば、感知表面は、酸化還元ピークが生じる位置で酸素は還元されないように十分に少ない量の非ダイヤモンド炭素を含む)、
電気化学センサは、対象種に関連する酸化還元ピークに関し、(例えば、10ppb、100ppb、1ppm、10ppm、100ppm、0.1%、1%、2%、3%、4%、7%、または13%の溶液中の対象種の濃度で)少なくとも2.5の、好ましくは少なくとも3、4、5、6、7、または8の、信号対バックグラウンド比を示す。
溶存酸素と無関係であり、脱気工程を必要としないこと、
例えばNa+、Li+、ならびに微量のCd2+、Pb2+、Hg2+、Ca2+、Ba2+、および/またはMg2+のアルカリ金属誤差による干渉がないこと、
標準的なpH測定と同じ計測方法で機能し、この場合、電位軸上の電流のピーク電位は、基準電極に対して測定される溶液のpHに比例すること、
少なくとも200℃を超える温度に対し、高い安定性および再現性を有すること、
pH発生電極を使用する局所的/その場測定において、本技術自体を基準として使用することができること
を含む、いくつかの主要な利点を有する。
信号対バックグラウンド比の最適化を達成するために、感知表面において必要とされる非ダイヤモンド炭素の具体的な量は、検出および測定されるべき、具体的な対象種および濃度範囲に依存する。個別の対象種に対する非ダイヤモンド炭素の必要量は、さまざまな異なる濃度の非ダイヤモンド炭素を感知表面に備えるホウ素ドープダイヤモンド材料を製造し、かつそれらを検査して、関心のある対象種に対する最適な組成を決定することによって、容易に決定することができる。
本発明をより良く理解し、かつ本発明が如何にして実施され得るかを示すため、添付の図面を参照し、本発明の実施形態をほんの一例として説明する。
非ダイヤモンド炭素は、ダイヤモンドが成長する間に、ダイヤモンド格子中に取り込まれ得ることが知られている。図3は、少量の非ダイヤモンド炭素を含有するよう、意図的に成長させた多結晶ホウ素ドープダイヤモンド材料のラマンスペクトルを示す。sp3ダイヤモンド格子、ホウ素ドープ、および非ダイヤモンド炭素に起因するピークが明確に見える。
例えばMurata et al., “Electrochemical detection of free chlorine at highly boron-doped diamond electrodes”, Journal of Electroanalytical Chemistry, Volume 612, Issue 1, 1 January 2008, Pages 29-36に記載されているように、ホウ素ドープダイヤモンド電極は、ClO-といった種を検出可能であることも知られている。高品質で、非ダイヤモンド炭素含有量の少ないホウ素ドープダイヤモンド材料を電極に使用する場合、当該電極は、触媒活性が欠如するため、そのような対象種に対して不活性であることが図2から明らかなように、ここで、ClO-に関する信号の生成は、ホウ素ドープダイヤモンド電極中の非ダイヤモンド炭素に起因し得る。
上記を踏まえると、ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面における非ダイヤモンド炭素含有量を制御することにより、信号対バックグラウンド比を大幅に改善することができ、その結果、ClO-といった対象種に関して、より高い感度を達成できることが明らかである。著しく多量の炭素を含むダイヤモンドが達成することができる信号対バックグラウンド比は2であるが、制御された少量の非ダイヤモンドを付与することにより達成することができる信号対バックグラウンド比は、少なくとも2.5であり、より好ましくは少なくとも3、4、5、6、7、または8である。さらに、他の電極材料に関するバックグラウンド信号およびピーク電流密度は±10mA/cm2を超えるが、制御された少量の非ダイヤモンドを付与することにより、対象種に関し、±10mA/cm2、±8mA/cm2、±6mA/cm2、±4mA/cm2、または±3mA/cm2以下の、ピーク電流密度におけるバックグラウンド電流密度を達成することができる。
前述の効果は、ClO-対象種に関して、特に−0.5から−1.5ボルトの間におけるこの種の単一のピークを利用して説明されたが、非ダイヤモンド炭素による触媒作用を受けるが、非ダイヤモンド炭素をわずかに含むかまたは非ダイヤモンド炭素を含まないホウ素ドープダイヤモンド材料に対して不活性な、他の対象種に関しても当該効果を利用することができることは理解されるだろう。
1.NDCの、ドット、バンド、または他の形状のマイクロアレイを、高品質ホウ素ドープダイヤモンド支持マトリクス中に備え、例えばレーザパターニングにより、信号電流を最大化してもよい。官能化領域は、バックグラウンド反応に対する検体信号を最大化するよう制御されてもよい。
2.ホウ素ドープダイヤモンド電極にくぼみまたは溝を形成してsp2が豊富なダイヤモンド層を過成長させることにより、sp2が豊富なダイヤモンド領域を与えることができ、次いで、ホウ素ドープダイヤモンド電極中に形成された元のくぼみまたは溝中に、分離したsp2が豊富なダイヤモンド領域が残るよう、再びsp2が豊富なダイヤモンド層を加工する。
3.ダイヤモンド合成条件、形態、およびメタン濃度を制御し、当該グレードのダイヤモンド材料に固有なsp2が豊富なダイヤモンドを実現することができる。
4.制御された合成後の表面加工を目的として、ホウ素ドープダイヤモンド材料中のsp2炭素領域を露出させることができる。
5.熱処理、レーザマイクロマシニング、または溶銑処理(例えば、金属ナノ粒子の蒸着と、それに続く加熱により黒鉛化を引き起こす)といった合成後の黒鉛化技術をホウ素ドープダイヤモンド基材に適用してもよい。
6.残存する非ダイヤモンド炭素が頑丈となるよう、合成後の酸化処理を適用し、出発材料が露出する非ダイヤモンド炭素を過剰に有する場合に、余剰の非結合sp2炭素を除去すること、および/またはダイヤモンド電極に弱く結合したsp2炭素を除去することができる。
溶液中の対象種に対して電気化学的に不活性なホウ素ドープダイヤモンド材料から形成されるホウ素ドープダイヤモンド電極、および
ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面上に配置された非ダイヤモンド炭素サイトの配列を含み、ここでホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面上の非ダイヤモンド炭素サイトの大きさおよび分布は、
少なくとも2.5、3、4、5、6、7、または8である、溶液中の対象種の電流密度に関する信号対バックグラウンド比、および
±10mA/cm2、±8mA/cm2、±6mA/cm2、±4mA/cm2、または±3mA/cm2以下の、対象種のピーク電流密度におけるバックグラウンド電流密度
のうちの一方または両方をダイヤモンド電気化学センサヘッドがもたらすような大きさおよび分布である。
次いで、レーザパターン加工された多結晶ホウ素ドープダイヤモンド電極の電気化学を、未修飾の多結晶ホウ素ドープダイヤモンドおよびガラス状炭素と対比して試験した。図17(a)および図17(b)は、3種の異なる電極の溶媒窓および電気容量を示す(溶媒窓の範囲は±0.4mAcm-2の間で規定される)。レーザパターン加工されたホウ素ドープダイヤモンド電極は、加工されていないホウ素ドープダイヤモンド材料とガラス状炭素の、中間の溶媒窓および電気容量応答を有することがわかる。レーザパターン加工された多結晶ホウ素ドープダイヤモンドは、ホウ素ドープダイヤモンドに起因するより低いバックグラウンド電流という好条件とともに、ガラス状炭素に関連する、より高い触媒活性という利点を示すことがわかる。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1. ホウ素ドープダイヤモンド材料から形成されたホウ素ドープダイヤモンド電極、
前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面上に配置された非ダイヤモンド炭素サイトの配列、
前記非ダイヤモンド炭素サイトに結合した、対象種に関連する酸化還元ピークを生成するための電気化学的に活性な表面基であって、前記対象種は、使用時に前記対象種を含有する溶液が前記感知表面と接触するよう配置された際、前記非ダイヤモンド炭素サイトに結合した前記電気化学的に活性な表面基と反応する、電気化学的に活性な表面基、
ある電位範囲に亘って前記ホウ素ドープダイヤモンド電極をスキャンして前記酸化還元ピークを生成するよう構成されている電気制御装置、および
前記酸化還元ピークの位置および強度の一方、または両方に基づいて、電気化学的測定値を与えるよう構成されている処理装置
を含む、電気化学センサ。
2. 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されており、前記電気化学センサは狭すぎない溶媒窓を示し、前記溶媒窓は、少なくとも1.5eVで、かつ3.5eV以下の電位範囲を有し、前記溶媒窓は、±0.4mAcm -2 の間の電流密度を有すると規定される、上記1に記載の電気化学センサ。
3. 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されており、前記電気化学センサは高すぎない電気容量を示し、前記電気容量は、10μFcm -2 から50μFcm -2 の範囲内にある、上記1または2に記載の電気化学センサ。
4. 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されており、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークの位置に、1つまたは複数の干渉ピークが生成する、上記1から3までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
5. 前記感知表面は、前記酸化還元ピークが発生する位置で酸素が還元されないように十分に少ない量の非ダイヤモンド炭素を含む、上記4に記載の電気化学センサ。
6. 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な非ダイヤモンド炭素が付与されており、前記酸化還元ピークの信号対バックグラウンド比は、少なくとも2.5、3、4、5、6、7、または8である、上記1から5までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
7. 前記信号対バックグラウンド比は、10ppb、100ppb、1ppm、10ppm、100ppm、0.1%、1%、2%、3%、4%、7%、または13%の溶液中の前記対象種の濃度を用いて測定される、上記6に記載の電気化学センサ。
8. 前記電気化学的に活性な表面基は、電位がpHと共に変化する酸化還元ピークを有し、前記処理装置は、前記電気化学的に活性な表面基の前記酸化還元ピークの位置に基づいてpH測定値を与えるよう構成されている、上記1から7までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
9. 前記電気化学的に活性な表面基は、カルボニル含有基である、上記8に記載の電気化学センサ。
10. 前記カルボニル含有基は、キノン基である、上記8または9に記載の電気化学センサ。
11. 前記感知表面に、少なくとも2から10のpH範囲に亘って線形なpH応答をもたらすのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されている、上記8から10までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
12. 前記線形なpH応答は、−0.059+/−0.01の勾配を有する、上記11に記載の電気化学センサ。
13. バックグラウンドノイズが前記酸化還元ピークと干渉する、過剰な非ダイヤモンド炭素を付与することなく、前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基を付与することにより、前記pHセンサは、少なくとも1、0.5、または0.1のpH単位までのpH精度をもたらすよう構成されている、上記8から12までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
14. 前記精度は少なくとも2から10のpH範囲に亘る、上記13に記載の電気化学センサ。
15. 電位がpHと共に変化しない酸化還元ピークを有する、さらなる電気化学的に活性な表面基が前記感知表面上に付与されており、前記処理装置は、前記さらなる電気化学的に活性な表面基に対する、前記電気化学的に活性な表面基の前記酸化還元ピークの相対的な位置に基づいて、pH測定値を与えるよう構成されている、上記8から14までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
16. 前記酸化還元ピークの強度は、溶液中の前記対象種の濃度に比例し、前記処理装置は、前記酸化還元ピークの前記強度に基づいて、前記対象種に関する濃度測定値を与えるよう構成されている、上記1から7までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
17. 前記処理装置は、ClO - 対象種に関する濃度測定値を与えるよう構成されている、上記16に記載の電気化学センサ。
18. 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面上に配置された前記非ダイヤモンド炭素サイトの配列は、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の表面上にパターン加工されている、上記1から17までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
19. 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面上に配置された前記非ダイヤモンド炭素サイトの配列は、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極を形成する前記ホウ素ドープダイヤモンド材料内に配置された内在性非ダイヤモンド炭素である、上記1から17までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
20. 上記1から19までのいずれか1項に記載の電気化学センサに使用されるダイヤモンド電気化学センサヘッドであって、前記ダイヤモンド電気化学センサヘッドは、
ホウ素ドープダイヤモンド材料から形成されたホウ素ドープダイヤモンド電極、
前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面上に配置された非ダイヤモンド炭素サイトの配列、および
前記非ダイヤモンド炭素サイトに結合した、対象種に関連する酸化還元ピークを生成するための電気化学的に活性な表面基であって、前記対象種は、使用時に前記対象種を含有する溶液が前記感知表面と接触するよう配置された際、前記非ダイヤモンド炭素サイトに結合した前記電気化学的に活性な表面基と反応する、電気化学的に活性な表面基を含み、
ここで、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されており、下記の特性:
前記電気化学センサは、狭すぎない溶媒窓を示し、ここで前記溶媒窓は、少なくとも1.5eVで、かつ3.5eV以下の電位範囲を有し、前記溶媒窓は、±0.4mAcm -2 の間の電流密度を有すると規定されること、
前記電気化学センサは、高すぎない電気容量を示し、ここで前記電気容量は、10μFcm -2 から50μFcm -2 の範囲内にあること、
前記電気化学センサは、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークの位置に1つまたは複数の干渉ピークを生成しないこと、および
前記電気化学センサは、少なくとも2.5の、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークに関する信号対バックグラウンド比を示すこと
のうちの1つまたは複数が達成される、ダイヤモンド電気化学センサヘッド。
21. 前記非ダイヤモンド炭素サイトの配列が配置された前記ホウ素ドープダイヤモンド材料は、ホウ素ドープダイヤモンド材料を含み、ホウ素含有量がホウ素原子1×10 20 個cm -3 からホウ素原子7×10 21 個cm -3 の範囲内であり、かつ少なくとも露出表面のsp2炭素含有量が、材料のラマンスペクトルで非ダイヤモンド炭素ピークを示さないように十分に少ない、上記20に記載のダイヤモンド電気化学センサヘッド。
22. 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極は、電気絶縁性ダイヤモンド支持マトリクス中に配置されている、上記20または21に記載のダイヤモンド電気化学センサヘッド。
23. 前記非ダイヤモンド炭素サイトの配列は、それぞれ10nmから100μmの範囲内の大きさを有する、複数の分離した非ダイヤモンド炭素サイトを含む、上記20から22までのいずれか1項に記載のダイヤモンド電気化学センサヘッド。
Claims (23)
- ホウ素ドープダイヤモンド材料から形成されたホウ素ドープダイヤモンド電極、
前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面上に配置された非ダイヤモンド炭素サイトの配列、
前記非ダイヤモンド炭素サイトに結合した、対象種に関連する酸化還元ピークを生成するための電気化学的に活性な表面基であって、前記対象種は、使用時に前記対象種を含有する溶液が前記感知表面と接触するよう配置された際、前記非ダイヤモンド炭素サイトに結合した前記電気化学的に活性な表面基と反応する、電気化学的に活性な表面基、
ある電位範囲に亘って前記ホウ素ドープダイヤモンド電極をスキャンして前記酸化還元ピークを生成するよう構成されている電気制御装置、および
前記酸化還元ピークの位置および強度の一方、または両方に基づいて、電気化学的測定値を与えるよう構成されている処理装置
を含む、電気化学センサ。 - 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されており、前記電気化学センサは狭すぎない溶媒窓を示し、前記溶媒窓は、少なくとも1.5eVで、かつ3.5eV以下の電位範囲を有し、前記溶媒窓は、±0.4mAcm-2の間の電流密度を有すると規定される、請求項1に記載の電気化学センサ。
- 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されており、前記電気化学センサは高すぎない電気容量を示し、前記電気容量は、10μFcm-2から50μFcm-2の範囲内にある、請求項1または2に記載の電気化学センサ。
- 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されており、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークの位置に、1つまたは複数の干渉ピークが生成する、請求項1から3までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
- 前記感知表面は、前記酸化還元ピークが発生する位置で酸素が還元されないように十分に少ない量の非ダイヤモンド炭素を含む、請求項4に記載の電気化学センサ。
- 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な非ダイヤモンド炭素が付与されており、前記酸化還元ピークの信号対バックグラウンド比は、少なくとも2.5、3、4、5、6、7、または8である、請求項1から5までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
- 前記信号対バックグラウンド比は、10ppb、100ppb、1ppm、10ppm、100ppm、0.1%、1%、2%、3%、4%、7%、または13%の溶液中の前記対象種の濃度を用いて測定される、請求項6に記載の電気化学センサ。
- 前記電気化学的に活性な表面基は、電位がpHと共に変化する酸化還元ピークを有し、前記処理装置は、前記電気化学的に活性な表面基の前記酸化還元ピークの位置に基づいてpH測定値を与えるよう構成されている、請求項1から7までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
- 前記電気化学的に活性な表面基は、カルボニル含有基である、請求項8に記載の電気化学センサ。
- 前記カルボニル含有基は、キノン基である、請求項8または9に記載の電気化学センサ。
- 前記感知表面に、少なくとも2から10のpH範囲に亘って線形なpH応答をもたらすのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されている、請求項8から10までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
- 前記線形なpH応答は、−0.059+/−0.01の勾配を有する、請求項11に記載の電気化学センサ。
- バックグラウンドノイズが前記酸化還元ピークと干渉する、過剰な非ダイヤモンド炭素を付与することなく、前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基を付与することにより、前記pHセンサは、少なくとも1、0.5、または0.1のpH単位までのpH精度をもたらすよう構成されている、請求項8から12までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
- 前記精度は少なくとも2から10のpH範囲に亘る、請求項13に記載の電気化学センサ。
- 電位がpHと共に変化しない酸化還元ピークを有する、さらなる電気化学的に活性な表面基が前記感知表面上に付与されており、前記処理装置は、前記さらなる電気化学的に活性な表面基に対する、前記電気化学的に活性な表面基の前記酸化還元ピークの相対的な位置に基づいて、pH測定値を与えるよう構成されている、請求項8から14までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
- 前記酸化還元ピークの強度は、溶液中の前記対象種の濃度に比例し、前記処理装置は、前記酸化還元ピークの前記強度に基づいて、前記対象種に関する濃度測定値を与えるよう構成されている、請求項1から7までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
- 前記処理装置は、ClO-対象種に関する濃度測定値を与えるよう構成されている、請求項16に記載の電気化学センサ。
- 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面上に配置された前記非ダイヤモンド炭素サイトの配列は、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の表面上にパターン加工されている、請求項1から17までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
- 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面上に配置された前記非ダイヤモンド炭素サイトの配列は、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極を形成する前記ホウ素ドープダイヤモンド材料内に配置された内在性非ダイヤモンド炭素である、請求項1から17までのいずれか1項に記載の電気化学センサ。
- 請求項1から19までのいずれか1項に記載の電気化学センサに使用されるダイヤモンド電気化学センサヘッドであって、前記ダイヤモンド電気化学センサヘッドは、
ホウ素ドープダイヤモンド材料から形成されたホウ素ドープダイヤモンド電極、
前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の感知表面上に配置された非ダイヤモンド炭素サイトの配列、および
前記非ダイヤモンド炭素サイトに結合した、対象種に関連する酸化還元ピークを生成するための電気化学的に活性な表面基であって、前記対象種は、使用時に前記対象種を含有する溶液が前記感知表面と接触するよう配置された際、前記非ダイヤモンド炭素サイトに結合した前記電気化学的に活性な表面基と反応する、電気化学的に活性な表面基を含み、
ここで、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に過剰な非ダイヤモンド炭素が付与されることなく、前記ホウ素ドープダイヤモンド電極の前記感知表面に、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークを生成するのに十分な電気化学的に活性な表面基が付与されており、下記の特性:
前記電気化学センサは、狭すぎない溶媒窓を示し、ここで前記溶媒窓は、少なくとも1.5eVで、かつ3.5eV以下の電位範囲を有し、前記溶媒窓は、±0.4mAcm-2の間の電流密度を有すると規定されること、
前記電気化学センサは、高すぎない電気容量を示し、ここで前記電気容量は、10μFcm-2から50μFcm-2の範囲内にあること、
前記電気化学センサは、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークの位置に1つまたは複数の干渉ピークを生成しないこと、および
前記電気化学センサは、少なくとも2.5の、前記対象種に関連する前記酸化還元ピークに関する信号対バックグラウンド比を示すこと
のうちの1つまたは複数が達成される、ダイヤモンド電気化学センサヘッド。 - 前記非ダイヤモンド炭素サイトの配列が配置された前記ホウ素ドープダイヤモンド材料は、ホウ素ドープダイヤモンド材料を含み、ホウ素含有量がホウ素原子1×1020個cm-3からホウ素原子7×1021個cm-3の範囲内であり、かつ少なくとも露出表面のsp2炭素含有量が、材料のラマンスペクトルで非ダイヤモンド炭素ピークを示さないように十分に少ない、請求項20に記載のダイヤモンド電気化学センサヘッド。
- 前記ホウ素ドープダイヤモンド電極は、電気絶縁性ダイヤモンド支持マトリクス中に配置されている、請求項20または21に記載のダイヤモンド電気化学センサヘッド。
- 前記非ダイヤモンド炭素サイトの配列は、それぞれ10nmから100μmの範囲内の大きさを有する、複数の分離した非ダイヤモンド炭素サイトを含む、請求項20から22までのいずれか1項に記載のダイヤモンド電気化学センサヘッド。
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