JP2017524296A - Tmr近接場磁気通信システム - Google Patents
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Abstract
Description
磁場を検出するTMRセンサブリッジTMR[A]と、
TMRセンサブリッジTMR[A]の出力側に接続され、前記TMRセンサブリッジTMR[A]によって出力されたAC電気信号とDC電気信号を分離するフィルタと前記AC電気信号を増幅させる増幅器とを有し、アナログ信号出力端から増幅された前記AC電気信号を前記オーディオ電気音響デバイスへ送信するアナログ信号回路と、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]および前記アナログ信号回路に接続され、電源を供給するための電源入力端を含む電源回路と、を備え、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]は、低感度リニアTMRセンサまたは高感度リニアTMRセンサあるいは非リニアTMRセンサである、ことを特徴とする。
前記TMRセンサブリッジTMR[B]によって出力されたDC成分の情報を前記オーディオ電気音響デバイスへ送信するデジタル出力端と、を備え、
前記TMRセンサブリッジTMR[B]の抵抗は、前記TMRセンサブリッジTMR[A]の抵抗よりも大きいことを特徴とする。
前記TMRセンサブリッジTMR[C]と前記TMRセンサブリッジTMR[B]はそれぞれ2つの互いに直交する方向の磁場成分を検出し、
前記TMRセンサブリッジTMR[C]は前記AC磁場を検出する高感度リニアTMRセンサであることを特徴とする。
前記TMR近接場磁気通信システムは、チップオンフレックスパッケージ(単一の半導体パッケージ)、マルチチップパッケージ、(COF)またはチップオンボードパッケージ(COB)にパッケージされ、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]と前記TMRセンサブリッジTMR[B]は、フリップダイプロセスによって製造されることを特徴とする。
前記TMR近接場磁気通信システムは、チップオンフレックスパッケージ、マルチチップパッケージ、(COF)またはチップオンボードパッケージ(COB)にパッケージされ、
前記TMRセンサブリッジはダイフリップ工程によって製造されることを特徴とする。
各ブリッジアームのバイアス磁場はその飽和磁場よりも大きく、前記バイアス磁場と前記飽和磁場との総和は前記TMRセンサブリッジTMR[A]によって動作された最大のDC磁場に等しいことを特徴とする。
各ブリッジアームのバイアス磁場はその飽和磁場よりも大きく、前記バイアス磁場と前記飽和磁場との総和は前記TMRセンサブリッジTMR[A]によって動作された最大のDC磁場に等しいことを特徴とする。
前記待機モードにおいては前記TMRセンサブリッジTMR[A]は動作しないことを特徴とする。
前記待機モードにおいては前記TMRセンサブリッジTMR[A]は動作しないことを特徴とする。
前記TMRセンサブリッジTMR[C]と前記TMRセンサブリッジTMR[A]は、それぞれ2つの互いに直交する磁場の成分を検出し、
前記TMRセンサブリッジTMR[C]は、AC磁場を検出する高感度リニアTMRセンサであり、
前記TMRセンサブリッジTMR[C]の出力は、バッファーされて前記アナログ信号回路における前記オーディオ増幅器にAC結合されることを特徴とする。
前記デジタル信号回路は比較器を有し、
前記比較器は、前記TMRセンサブリッジTMR[C]と前記TMRセンサブリッジTMR[A]の出力端からDC電気信号を受信し、
前記比較器の出力端は前記デジタル信号出力端に接続され、前記TMRセンサブリッジTMR[A]出力信号のDC成分情報を前記デジタル信号出力端を介して前記オーディオ電気音響デバイスへ送信することを特徴とする。
前記TMRセンサブリッジTMR[Ai]全体はそれぞれ異なるHsatを有し、
前記TMRセンサブリッジTMR[Ai]全体と前記TMRセンサブリッジTMR[A]は同一方向の磁場成分を検出し、
前記TMRセンサブリッジTMR[Ai]は、高感度リニアTMRセンサまたは低感度TMRセンサあるいは非リニアTMRセンサであり、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]と前記TMRセンサブリッジTMR[Ai]の出力は、バッファーされて前記アナログ信号回路における前記オーディオ増幅器にAC結合されることを特徴とする。
最適な信号対雑音比を取得するように少なくとも1つの前記TMRセンサブリッジを10〜100Gの磁場範囲内で動作させることが可能であることを特徴とする。
前記TMRセンサブリッジTMR[A]と前記TMRセンサブリッジTMR[Ai](iは正の整数である)は、フリップダイプロセスによって製造されることを特徴とする。
図1はトンネル接合磁気抵抗(MTJ)素子の構造およびその抵抗値測定を示す図である。一般的なΜTJ層構造1は、強磁性ピン止めルテニウム層4と反強磁性材料により製造される固定層3とを電磁結合して形成される磁性ピン止め層2、およびMgOまたはAl2O3で形成されるトンネルバリア層5を含む。トンネルバリア層5は、強磁性ピン止めルテニウム層4に直接堆積される。強磁性層6は、トンネルバリア層5の上に堆積される。磁性ピン止め層2の磁気モーメント方向8と感度層の磁気モーメント方向7の方向は矢印で示される。固定層の磁化方向8は、相対的に固定するように一方向にピン止めされ、それほど強くない磁場強度の状態下では変化しない。これに対して、感度層の磁気モーメント方向7は、外部磁場の変化に従って変化する。磁性自由層6の磁気モーメント方向7は二重矢印で示され、ピン止め層4の磁気モーメント方向8はこのような回転自由度の差異を示すように単一矢印で示される。層3、4、5、6の典型的な厚みは0.1nmから10nm超である。
(1)飽和磁場(Hsat)、及び
(2)信号対雑音比(SNR)
である。
i.高感度リニアセンサ
ii.低感度リニアセンサ
iii.高SNRと低消費電力である電話オーディオ磁場信号収集器として動作する非リニアTMRセンサ
上記の数種類のTMRセンサは、異なる機能を有する幾つかの組み合わせを構築することが可能で、電話オーディオ磁場信号収集または聴力ループシステムに適用することができる。
図8は、第1実施例を示す図である。磁場検出に適用できるTMR近接場磁気通信システム11は、磁場を検出するためのTMRセンサブリッジTMR[A]24Aと、TMRセンサブリッジTMR[A]24Aの出力端に接続されてフィルタ18と増幅器12を有するアナログ信号回路37であって、フィルタ18はTMRセンサブリッジTMR[A]24AのAC信号とDC信号を分離でき、増幅器12はAC信号を増幅させるアナログ信号回路37と、AC信号をオーディオ電気音響デバイスに伝送するためのアナログ信号出力端14と、TMRセンサブリッジTMR[A]24Aおよびアナログ回路37に接続される電源回路19と、電源回路19へ給電するための電源入力端20とを含む。TMRセンサブリッジTMR[A]24Aは、低感度リニアTMRセンサまたは高感度リニアTMRセンサあるいは非リニアTMRセンサである。
図9は、第2実施例を示す図である。このTMR近接場磁気通信システム11は、磁場を測定するためのTMRセンサブリッジTMR[A]24Aと、TMRセンサブリッジTMR[A]24Aの出力端に接続されてフィルタ18および増幅器12を有するアナログ信号回路37であって、フィルタ18はTMRセンサブリッジTMR[A]24AのAC電気信号とDC電気信号を分離でき、増幅器12はAC電気信号を増幅させるアナログ信号回路37と、AC電気信号をオーディオ電気音響デバイスに伝送するためのアナログ信号出力端14と、TMRセンサブリッジTMR[A]24Aおよびアナログ信号回路37に接続される電源回路19と、TMR近接場磁気通信システム11の電源回路19へ給電するための電源入力端20とを含む。TMRセンサブリッジTMR[A]24Aは、低感度リニアTMRセンサ、または非リニアTMRセンサである。
図10は、第3実施例を示す図である。このTMR近接場磁気通信システム11は、磁場を検出するためのTMRセンサブリッジTMR[A]24Aと、TMRセンサブリッジTMR[A]24Aの出力端に接続されてフィルタ18および増幅器12を有するアナログ信号回路37であって、フィルタ18はTMRセンサブリッジTMR[A]24AのAC電気信号とDC電気信号を分離でき、増幅器12はAC電気信号を増幅させるアナログ信号回路37と、AC電気信号をオーディオ電気音響デバイスに伝送するためのアナログ信号出力端14と、TMRセンサブリッジTMR[A]24Aおよびアナログ信号回路37に接続される電源回路19と、電源回路19へ給電するための電源入力端20とを含む。TMRセンサブリッジTMR[A]24Aは、低感度リニアTMRセンサ、または非リニアTMRセンサである。
図11は、第4実施例を示す図である。このTMR近接場磁気通信システム11は、近接場磁気通信システムのAC磁場とDC磁場を検出し、AC磁場とDC磁場をオーディオ電気音響デバイスによって受信可能な電気信号に変換するために用いられる。このTMR近接場磁気通信システム11は、互いに90度の方向を向いた一対のTMRセンサを含み、それぞれ互いに直交する2方向の磁場成分を検出できる。この一対のTMRセンサは、TMRセンサブリッジTMR[A]24AとTMRセンサブリッジTMR[C]24Cである。TMRセンサブリッジTMR[A]24Aの出力端とTMRセンサブリッジTMR[C]24Cの出力端は、それぞれ各々のバッファーに接続され、フィルタを用いることによってAC電気信号とDC電気信号が分離され、更に、2つのセンサのAC電気信号は増幅器12により増幅される。アナログ信号出力端14は、AC電気信号をオーディオ電気音響デバイスに伝送するために用いられる。電源回路19は、TMRセンサブリッジTMR[A]24AとTMR[C]24C、およびアナログ信号回路37に接続される。電源入力端20は、TMR近接場磁気通信システム11の電源回路19に給電するためのものである。TMRセンサブリッジTMR[A]24AとTMR[C]24Cは、低感度リニアTMRセンサ、または高感度リニアTMRセンサ、あるいは非リニアTMRセンサである。
図12は、第5実施例を示す図である。このTMR近接場磁気通信システム11は、AC磁場検出におけるDC磁場の閾値範囲を拡張するために、更に、同一方向の磁場成分を検出するためのいくつかの追加のTMRセンサブリッジTMR[A1]、TMR[A2]、・・・、TMR[Ai](iは正の整数である)を含み、これらの追加のTMRセンサブリッジTMR[A1]、TMR[A2]、・・・、TMR[Ai](iは正の整数である)の感度方向はTMRセンサブリッジTMR[A]と同じである。電源回路19は給電を行い、各センサの出力端はバッファー入力を有するアナログ信号回路37の入力端に接続される。これらのTMRセンサはそれぞれ異なるHsatを有し、それらHsatの分布は図13に示すようになる。このような設計により、幅広いDC磁場範囲において、AC磁場をスムーズに測定することができる。電源回路19は、TMRセンサの感度を向上させるための電圧ダブラ28と、消費電力を低減させるためのデューティサイクルコントローラ36を含む。各TMRセンサの出力は、バッファーを経由してハイパスフィルタ18へ出力され、フィルタ18の各出力端は増幅器12と電気的に接続され、増幅器12はTMRセンサからのAC電気信号を増幅させ、処理後のAC電気信号はアナログ出力端14を介してオーディオ電気音響デバイスへ伝送される。
2 磁性ピン止め層
3 固定層
4 強磁性ピン止めルテニウム層
5 トンネルバリア層
6 磁性自由層
7 磁気モーメント方向
8 磁気モーメント方向
9 絶縁層
10 基板
11 TMR近接場磁気通信システム
16 底部電極
17 頂部電極
18 オームメータ
Claims (20)
- 近接場磁気通信システムにより発生するAC磁場とDC磁場を検出し、磁気信号を、オーディオ電気音響デバイスによって受信される電気信号に変換するTMR近接場磁気通信システムにおいて、
磁場を検出するTMRセンサブリッジTMR[A]と、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]の出力に接続され、フィルタと増幅器とを有し、前記フィルタは前記TMRセンサブリッジTMR[A]の出力をAC電気信号とDC電気信号とに分離し、前記増幅器はAC電気信号を増幅し、前記増幅されたAC電気信号を前記オーディオ電気音響デバイスへ送信するアナログ信号回路と、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]および前記アナログ信号回路とに接続され、電源供給のための電源入力端を含む電源回路とを具備し、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]は、低感度リニアTMRセンサ、高感度リニアTMRセンサ又は非リニアTMRセンサであることを特徴とするTMR近接場磁気通信システム。 - 前記TMRセンサブリッジTMR[A]に接続され、前記TMRセンサブリッジTMR[A]によって出力された電気信号のDC成分を処理するデジタル信号回路と、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]によって出力された前記DC成分の情報を前記オーディオ電気音響デバイスへ送信するためのデジタル信号出力端とをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記電源回路は、前記TMRセンサブリッジTMR[A]のハイレベルのデューティサイクル比を制御するデューティサイクルコントローラを有し、
前記デジタル信号回路は、前記TMRセンサブリッジTMR[A]によって出力された信号における比較的大きい前記DC電気信号の存在を検出する比較器を有し、
前記比較器がTMRセンサ[A]の出力において比較的大きい前記DC電気信号を検出した場合、前記デューティサイクルコントローラは動作を停止するものの、その出力は依然としてDCバイアス電圧であることを特徴とする請求項2に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記電源回路は電圧ダブラを有し、
前記比較器がTMRセンサブリッジTMR[A]の出力において比較的大きい前記DC電気信号を検出した場合、前記電圧ダブラはオンになって前記TMRセンサブリッジTMR[A]のバイアス電圧を増加させることを特徴とする請求項3に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記電源回路に接続されるTMRセンサブリッジTMR[B]をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のTMR近接場磁気通信システム。
- 前記TMRセンサブリッジTMR[B]に接続され、前記TMRセンサブリッジTMR[B]からのDC電気信号を処理するデジタル信号回路であって、更に前記TMRセンサブリッジTMR[B]の出力において比較的大きいDC成分を検出する比較器を有すると共に、前記比較器は前記TMRセンサブリッジTMR[B]によって出力された信号において前記DC電気信号を検出した場合は前記TMRセンサブリッジTMR[A]のバイアス電圧を適用する信号を送信するデジタル信号回路と、
前記TMRセンサブリッジTMR[B]によって出力されたDC成分の情報を前記オーディオ電気音響デバイスへ送信するデジタル出力端と、を備え、
前記TMRセンサブリッジTMR[B]の抵抗は、前記TMRセンサブリッジTMR[A]の抵抗よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記電源回路は電圧ダブラを有し、
前記比較器がTMRセンサブリッジTMR[B]の出力において前記DC電気信号を検出した場合、前記電圧ダブラはオンになって前記TMRセンサブリッジTMR[A]のバイアス電圧を増加させることを特徴とする請求項6に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - TMRセンサブリッジTMR[C]を備え、
前記TMRセンサブリッジTMR[C]と前記TMRセンサブリッジTMR[B]はそれぞれ2つの互いに直交する方向の磁場成分を検出し、
前記TMRセンサブリッジTMR[C]は前記AC磁場を検出する高感度リニアTMRセンサであることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一項に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記アナログ信号回路は、前記TMRセンサブリッジTMR[C]の出力端に接続され、前記TMRセンサブリッジTMR[C]によって出力されたAC電気信号を分離して増幅し、処理後の前記AC電気信号を前記TMR近接場磁気通信システムのアナログ信号出力端へ送信することを特徴とする請求項8に記載のTMR近接場磁気通信システム。
- 前記TMRセンサブリッジTMR[A]と前記TMRセンサブリッジTMR[B]は、ハーフブリッジ、フルブリッジ、プッシュプルブリッジ、またはそれらの任意の組み合わせであり、
前記TMR近接場磁気通信システムは、チップオンフレックスパッケージ、マルチチップパッケージ、またはチップオンボードパッケージにパッケージされ、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]と前記TMRセンサブリッジTMR[B]は、ダイフリップ工程によって製造されることを特徴とする請求項1又は5に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記TMRセンサブリッジは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、プッシュプルブリッジ、またはそれらの任意の組み合わせであり、
前記TMR近接場磁気通信システムは、チップオンフレックスパッケージ、マルチチップパッケージ、またはチップオンボードパッケージにパッケージされ、
前記TMRセンサブリッジは、ダイフリップ工程によって製造されることを特徴とする請求項8に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記TMRセンサブリッジTMR[A]は、ダイフリップ工程によって製造される非リニアTMRセンサであり、
各ブリッジアームのバイアス磁場はその飽和磁場よりも大きく、前記バイアス磁場と前記飽和磁場との総和は前記TMRセンサブリッジTMR[A]によって動作された最大のDC磁場に等しいことを特徴とする請求項10に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記TMRセンサブリッジTMR[A]は、ダイフリップ工程によって製造される非リニアTMRセンサであり、
各ブリッジアームのバイアス磁場はその飽和磁場よりも大きく、前記バイアス磁場と前記飽和磁場との総和は前記TMRセンサブリッジTMR[A]によって動作された最大のDC磁場に等しいことを特徴とする請求項11に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記TMR近接場磁気通信システムを聴力ループシステムモード、T−coilモードおよび待機モード間で手動にて切り替えるためのデジタル入力端を有し、
前記待機モードにおいては前記TMRセンサブリッジTMR[A]は動作しないことを特徴とする請求項1又は5に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記TMR近接場磁気通信システムを聴力ループシステムモード、T−coilモードおよび待機モード間で手動にて切り替えるためのデジタル入力端を有し、
前記待機モードにおいては前記TMRセンサブリッジTMR[A]は動作しないことを特徴とする請求項8に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - TMRセンサブリッジTMR[C]を有し、
前記TMRセンサブリッジTMR[C]と前記TMRセンサブリッジTMR[A]は、それぞれ2つの互いに直交する磁場の成分を検出し、
前記TMRセンサブリッジTMR[C]は、AC磁場を検出する高感度リニアTMRセンサであり、
前記TMRセンサブリッジTMR[C]の出力は、バッファーされて前記アナログ信号回路における前記オーディオ増幅器にAC結合されることを特徴とする請求項1に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - デジタル信号回路を有し、
前記デジタル信号回路は比較器を有し、
前記比較器は、前記TMRセンサブリッジTMR[C]と前記TMRセンサブリッジTMR[A]の出力端からDC電気信号を受信し、
前記比較器の出力端は前記デジタル信号出力端に接続され、前記TMRセンサブリッジTMR[A]出力信号のDC成分情報を前記デジタル信号出力端を介して前記オーディオ電気音響デバイスへ送信することを特徴とする請求項16に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 1つまたは複数の付加されたTMRセンサブリッジTMR[A1]、TMR[A2]、・・・、TMR[Ai](iは正の整数である)を有し、
前記TMRセンサブリッジTMR[Ai]全体はそれぞれ異なるHsatを有し、
前記TMRセンサブリッジTMR[Ai]全体と前記TMRセンサブリッジTMR[A]は同一方向の磁場成分を検出し、
前記TMRセンサブリッジTMR[Ai]は、高感度リニアTMRセンサまたは低感度TMRセンサあるいは非リニアTMRセンサであり、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]と前記TMRセンサブリッジTMR[Ai]の出力は、バッファーされて前記アナログ信号回路における前記オーディオ増幅器にAC結合されることを特徴とする請求項1に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 少なくとも1つの前記TMRセンサブリッジのバイアス場はその飽和磁場よりは大きく、
最適な信号対雑音比を取得するように少なくとも1つの前記TMRセンサブリッジを10〜100Gの磁場範囲内で動作させることが可能であることを特徴とする請求項16又は18に記載のTMR近接場磁気通信システム。 - 前記TMR近接場磁気通信システムは、チップオンフレックスパッケージ、マルチチップパッケージ、またはチップオンボードパッケージにパッケージされ、
前記TMRセンサブリッジTMR[A]と前記TMRセンサブリッジTMR[Ai]は、ダイフリップ工程によって製造されることを特徴とする請求項16又は18に記載のTMR近接場磁気通信システム。
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