JP2017523403A - 二重レーザ周波数掃引干渉測定システムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
周波数掃引レーザから第1のビームを受ける第1の入力部と、
固定周波数ポンプレーザ源から第2のビームを受ける第2の入力部と、
前記第1および第2のビームを受け、それらを相互変調して前記ポンプレーザ源の前記固定周波数と鏡像関係にある前記第1のビームの反転複製物である第3のビームを生成する非線形光学人工物と、
前記第1および第3のビームを出力する選択的結合要素とを含み、
前記非線形人工物は、前記第1および第2のビームの前記光学的周波数間隔が前記非線形人工物の前記コヒーレント長条件を満たすように選択すなわち構成されている光学配置が提供される。
周波数掃引レーザ源から、第1の測定ビームと、前記第1の測定ビームおよび前記第1の測定ビームの鏡像複製物を含む第2の測定ビームとを受けるように動作可能であり、
前記第2の測定ビームを光ファイバに沿って干渉計に導き、前記光ファイバに沿って逆に戻る光を測定するように配置されており、
前記第1の測定ビームをさらなる干渉計に導き、そのビームからサンプリング信号を抽出するようにさらに配置されており、前記サンプリング信号に依存する周波数で前記光ファイバに沿って逆に戻る前記第2の測定ビームの前記光をサンプリングするように配置されている測定システムが提供される。
周波数掃引レーザから第1のビームを受ける工程と、
固定周波数ポンプレーザ源から第2のビームを受ける工程と、
非線形光学人工物中で前記第1および第2のビームを相互変調して前記ポンプレーザ源の前記固定周波数と鏡像関係にある前記第1のビームの反転複製物である第3のビームを生成する工程と、
前記第1および第3のビームを出力する工程とを含み、
非線形人工物は、前記第1および第2のビームの前記光学的周波数間隔が前記非線形人工物の前記コヒーレント長条件を満たすように選択すなわち構成されている、二重レーザ周波数掃引信号を生成する方法が提供される。
周波数掃引レーザ源から、第1の測定ビームと、前記第1の測定ビームおよび前記第1の測定ビームの鏡像複製物を含む第2の測定ビームとを受ける工程と、
前記第2の測定ビームを光ファイバに沿って干渉計に導く工程と、
前記光ファイバに沿って逆に戻る光を測定する工程と、
前記第1の測定ビームをさらなる干渉計に導き、そのビームからサンプリング信号を抽出する工程と、
前記サンプリング信号に依存する周波数で前記光ファイバに沿って逆に戻る前記第2の測定ビームの前記光をサンプリングする工程とを含む測定方法が提供される。
第1の入力部に連結されている周波数掃引レーザ源であって、前記周波数掃引レーザから第1のビームを提供する周波数掃引レーザ源と、
第2の入力部に連結され、第2のビームを提供する固定周波数ポンプレーザ源と、
前記第1および第2のビームを受け、それらを相互変調して前記ポンプレーザ源の前記固定周波数と鏡像関係にある前記第1のビームの反転複製物である第3のビームを生成する非線形光学人工物と、
前記第1および第3のビームを出力する選択的結合要素とを含み、
前記周波数掃引レーザ源および前記固定周波数ポンプレーザ源は、前記第1および第2のビームの前記光学的周波数間隔が前記非線形人工物の前記コヒーレント長条件を満たすように選択すなわち構成されている、二重レーザビーム掃引生成システムが提供される。
周波数掃引レーザから第1のビームを提供する工程と、
固定周波数ポンプレーザ源から第2のビームを提供する工程と、
非線形光学人工物中で前記第1および第2のビームを相互変調して前記ポンプレーザ源の前記固定周波数と鏡像関係にある前記第1のビームの反転複製物である第3のビームを生成する工程と、
前記第1および第3のビームを出力する工程とを含み、
前記第1のビームを提供する前記工程と、前記第2のビームを提供する前記工程との1つ以上は、前記第1および第2のビームの前記光学的周波数間隔が非線形人工物のコヒーレント長条件を満たすように、前記固定周波数ポンプレーザ源と前記周波数掃引レーザとの一方または両方を選択すなわち構成する工程をさらに備えている、二重レーザ周波数掃引信号を生成する方法が提供される。
その評価から、測定されることになる前記距離を決定する工程とをさらに備えてもよい。
フィッティングを実行することによってピークの位置を評価して前記距離を決定する工程とをさらに備えてもよい。
1.両方の信号のFFTを計算する。
2.各目標に関連する周波数成分を特定する。
3.目標毎に以下を行なう。
a.周波数領域でウインドウを適用することで各信号の信号成分を分離する。
b.周波数領域で2つの信号を畳み込む。
c.畳み込まれた信号の大きさのピークの位置を粗く特定する。例えば、最も高いデータポイントを見つけることで位置を特定する。
d.その後、代表的なモデル(例えばsin2)をピークの周囲のデータに当てはめ、ピーク中心を求めることで、ピークの位置を精密に特定する。
本発明の実施の形態は、以下の添付の図面に関して、単に例としてここに記載される。
上記に提示されているものに対応するセットアップを構築し、生成されたFWM掃引および1次掃引を、FWM生成掃引が1次の完全な鏡像複製物である状態で実際の距離測定実験にて同時に試験した。
Claims (18)
- 周波数掃引レーザから第1のビームを受ける第1の入力部と、
固定周波数ポンプレーザ源から第2のビームを受ける第2の入力部と、
前記第1および第2のビームを受け、それらを相互変調して前記ポンプレーザ源の前記固定周波数と鏡像関係にある前記第1のビームの反転複製物である第3のビームを生成する非線形光学人工物と、
前記第1および第3のビームを出力する選択的結合要素とを含み、
前記非線形人工物は、前記第1および第2のビームの光学的周波数間隔が前記非線形人工物のコヒーレント長条件を満たすように選択すなわち構成されている光学配置。 - 前記第1のビームを受け、そのビームを第1および第2の部分に分波し、前記第1の部分を前記非線形光学人工物に提供する第1のカプラをさらに含む請求項1に記載の光学配置。
- 前記非線形光学人工物は半導体光増幅器を備えている請求項1または2に記載の光学配置。
- 前記非線形人工物は4光波混合を引き起こして前記第3のビームを生成する請求項1、2または3に記載の光学配置。
- 前記非線形光学人工物の出力から前記第3のビームを抽出するフィルタをさらに含む請求項3または4に記載の光学配置。
- 周波数掃引レーザ源と、ポンプレーザ源と、請求項1〜5のいずれかに記載の光学配置とを含み、前記周波数掃引レーザは前記第1の入力部に連結されており、前記ポンプレーザ源は前記第2の入力部に連結されている、二重レーザビーム掃引生成システム。
- 第1の入力部に連結されている周波数掃引レーザ源であって、前記周波数掃引レーザから第1のビームを提供する周波数掃引レーザ源と、
第2の入力部に連結され、第2のビームを提供する固定周波数ポンプレーザ源と、
前記第1および第2のビームを受け、それらを相互変調して前記ポンプレーザ源の固定周波数と鏡像関係にある前記第1のビームの反転複製物である第3のビームを生成する非線形光学人工物と、
前記第1および第3のビームを出力する選択的結合要素とを含み、
前記周波数掃引レーザ源および前記固定周波数ポンプレーザ源は、前記第1および第2のビームの光学的周波数間隔が前記非線形人工物のコヒーレント長条件を満たすように選択すなわち構成されている、二重レーザビーム掃引生成システム。 - 周波数掃引レーザ源から、第1の測定ビームと、前記第1の測定ビームおよび前記第1の測定ビームの鏡像複製物を含む第2の測定ビームとを受けるように動作可能であり、
前記第2の測定ビームを光ファイバに沿って干渉計に導き、前記光ファイバに沿って逆に戻る光を測定するように配置されており、
前記第1の測定ビームをさらなる干渉計に導き、そのビームからサンプリング信号を抽出するようにさらに配置されており、前記サンプリング信号に依存する周波数で前記光ファイバに沿って逆に戻る前記第2の測定ビームの光をサンプリングするように配置されている測定システム。 - 前記光ファイバに沿って逆に戻る前記第2の測定ビームの前記サンプリングされた光の周波数を評価し、その評価結果から測定されることになる距離を決定するように配置されているデータ解析システムをさらに含む請求項8に記載の測定システム。
- 前記データ解析システムは、高速フーリエ変換を計算し、フィッティングを実行することによってピークの位置を評価して前記距離を決定するように配置されている請求項9に記載の測定システム。
- 周波数掃引レーザから第1のビームを受ける工程と、
固定周波数ポンプレーザ源から第2のビームを受ける工程と、
非線形光学人工物中で前記第1および第2のビームを相互変調して前記ポンプレーザ源の固定周波数と鏡像関係にある前記第1のビームの反転複製物である第3のビームを生成する工程と、
前記第1および第3のビームを出力する工程とを含み、
非線形人工物は、前記第1および第2のビームの光学的周波数間隔が前記非線形人工物のコヒーレント長条件を満たすように選択すなわち構成されている、二重レーザ周波数掃引信号を生成する方法。 - 前記第1のビームを第1および第2の部分に分波し、前記第1の部分を前記非線形光学人工物に提供する工程をさらに含む請求項11に記載の方法。
- 前記非線形人工物で4光波混合を引き起こして前記第3のビームを生成する工程を含む請求項11または12に記載の方法。
- 前記非線形光学人工物の出力をフィルタリングして前記第3のビームを抽出する工程をさらに含む請求項11、12または13に記載の方法。
- 周波数掃引レーザ源から、第1の測定ビームと、前記第1の測定ビームおよび前記第1の測定ビームの鏡像複製物を含む第2の測定ビームとを受ける工程と、
前記第2の測定ビームを光ファイバに沿って干渉計に導く工程と、
前記光ファイバに沿って逆に戻る光を測定する工程と、
前記第1の測定ビームをさらなる干渉計に導き、そのビームからサンプリング信号を抽出する工程と、
前記サンプリング信号に依存する周波数で前記光ファイバに沿って逆に戻る前記第2の測定ビームの光をサンプリングする工程とを含む測定方法。 - 前記光ファイバに沿って逆に戻る前記第2の測定ビームの前記サンプリングされた光の周波数を評価する工程と、
その評価から、測定されることになる距離を決定する工程とをさらに含む請求項15に記載の測定方法。 - 前記光ファイバに沿って逆に戻る前記第2の測定ビームの前記サンプリングされた光の高速フーリエ変換を計算する工程と、
フィッティングを実行することによってピークの位置を評価して前記距離を決定する工程とをさらに含む請求項16に記載の測定方法。 - 周波数掃引レーザから第1のビームを提供する工程と、
固定周波数ポンプレーザ源から第2のビームを提供する工程と、
非線形光学人工物中で前記第1および第2のビームを相互変調して前記ポンプレーザ源の固定周波数と鏡像関係にある前記第1のビームの反転複製物である第3のビームを生成する工程と、
前記第1および第3のビームを出力する工程とを含み、
前記第1のビームを提供する工程と、前記第2のビームを提供する工程との1つ以上は、前記第1および第2のビームの光学的周波数間隔が非線形人工物のコヒーレント長条件を満たすように、前記固定周波数ポンプレーザ源と前記周波数掃引レーザとの一方または両方を選択すなわち構成する工程をさらに備えている、二重レーザ周波数掃引信号を生成する方法。
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