JP2017516558A - 差動位相コントラストイメージング用の較正ハードウェアファントム - Google Patents

Abstract

差動位相コントラストイメージング装置ＩＭにおいて、当該装置の較正のために使用するファントム体ＰＢである。ファントム体ＰＢは、３つの異なる画像信号チャネル、即ち、屈折、位相シフト及び小角散乱の同時較正を可能にする。

Description

本発明は、位相コントラストイメージングシステムの較正用のファントム体と、位相コントラストイメージングシステムの較正用のファントム体システム及びファントム体の使用とに関する。

Ｘ線放射線といった電磁放射線は、物質を通過するときに、３種類の外乱を経験する。吸収と、屈折（つまり、放射波面の位相がシフトを経験する）と、「小角散乱」とも呼ばれる一種の散乱とがある。

従来の放射線写真術は、吸収外乱のみに着目してきている。最近では、これらの３つの外乱の全てをイメージングし、各自のコントラストを別個の画像に捕捉することを可能にする差動位相コントラスト技術及び関連のイメージャが考案されている。位相コントラスト画像は、従来の吸収のみに基づいた画像よりも優れた軟組織判別を提供する。しかし、優れたイメージング可能性にも関わらず、特に医療分野における取り込みは、期待したほど積極的ではないことも報告されている。その理由の１つとして、干渉計測機器（基本的には複数の格子）が必要であることによって、差動位相コントラストイメージングシステムの較正処置が面倒である点が挙げられる。幾つかの較正処置は、米国特許出願公開第２０１１／０２４３３０５号に説明されているように、いわゆる「ファントム」に基づいている。

したがって、差動位相コントラストイメージングシステムにおける較正処置をより効率的に行うためのファントムが必要である。

本発明の目的は、独立請求項の主題によって解決され、更なる実施形態は、従属請求項に組み込まれている。

本発明の一態様によれば、Ｘ線ビームを放出可能である位相コントラストイメージングシステムの較正用のファントム体が提供される。ファントム体は、Ｘ線ビームがファントム体を通過するときに、Ｘ線ビームについて複数の外乱を共にもたらす少なくとも３つの相互に異なる部分を含む。複数の外乱は、ｉ）位相シフト、ｉｉ）吸収及びｉｉｉ）デコヒーレンスを含む。外乱ｉ）、ｉｉ）及びｉｉｉ）の何れか１つが、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの正確に１つの部分によって、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの２つの他の部分のそれぞれによって上記外乱の何れか１つがもたらされる他の度合いよりも大きい度合いでもたらされる。３つの外乱ｉ）、ｉｉ）及びｉｉｉ）は、３つの異なる物理的影響を表し、それぞれ、例えば検出器の画素における変動強度信号を解析することによって取出し可能である３つの対応するイメージング量／パラメータによって測定可能である。当該変動は、干渉位相コントラストイメージング機器を用いてもたらされる。本明細書では、その様々な部分が、（少なくとも）３つの物理的影響のうちの異なる１つに充てられるファントム体が提供される。つまり、これらの部分は、それぞれ、３つの影響のうちの正確に１つの影響に、他の２つの部分が同じ影響に対して反応するよりも高い度合い又は量で反応する。つまり、ファントム体は、検出器信号の信号処理によって導出可能である３つのイメージングパラメータのそれぞれについて同時に位相コントラストイメージングシステムを較正することを可能にする。外乱の度合い又は量は、例えば、干渉計測機器による干渉パターンのサンプリングから計算可能である数量の大きさによって測定可能である。更に、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分は、当該部分によってもたらされる外乱のそれぞれの度合いを、３つの異なる下位の度合いへと段階を付けるように構成される少なくとも３つの異なる下位部分を含む。つまり、任意の所与の部分の３つの異なる下位部分によってもたらされる外乱の３つの異なる度合いは、互いに異なるが、各度合いは、残りの２つの部分の任意の部分又は下位部分によってもたらされる同じ種類の外乱よりも依然として高い。例えば吸収部の３つの下位部分は、高レベル、中レベル及び低レベルの吸収をそれぞれもたらすが、高、中及び低レベルの吸収のそれぞれは、残りの２つの部分又はそれらの下位部分によってもたらされるどの吸収よりも依然として高い。各外乱について、（外乱の）別箇で異なるレベル又は度合いを有することによって、放射線がファントム体を通過した後、検出器画素において受信される検出器信号を処理する際のより安定した曲線当てはめが可能になる。同じ種類の外乱の３つの異なる度合いは、それぞれ、１画素あたりに、様々な検出器画素において観察される信号によりロバストに当てはめることが可能な３つ以上の当てはめ変数の局所的な「プール」を提供する。本明細書において使用される下位部分及び部分は、各部分によってもたらされる対応する外乱レベルが、１つの部分から別の部分に滑らかに移行せず、１つの部分から別の部分への移行があると不連続性があるという意味で、明確に異なる。これは、３つの外乱が、相互の交差影響なく（又は少なくとも最小限の交差影響で）より正確に較正可能であるため、より正確な較正を提供する。

一実施形態によれば、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分は、１つ以上の直方体から形成される。一実施形態によれば、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分は、１つ以上の回転対称の固体から形成される。

ファントム体の様々な部分及び下位部分を画成する固体の回転対称配置は、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）イメージングシステムにおいて有用であり、したがって、較正を、Ｘ線源が検査領域の周りを周回する際の各投影方向に沿って行うことができる。

一実施形態によれば、ファントム体は、シンメトリックである。ファントム体を、シンメトリック（例えば鏡面対称）に構成することによって、差動位相コントラスト干渉計におけるグリッドの様々なグリッド部分の軸の左又は右側の各側を個別に較正することができる。

一実施形態によれば、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分の３つ以上の下位部分が、共にまとめられる。

一実施形態によれば、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分の３つ以上の下位部分が、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの２つの他の部分のうちの少なくとも別の１つからの１つ以上の下位部分と交互に配置される。

３種類の部分の様々な下位部分は、３つの別個の群に別個にまとめられるか、又は、交互に配置される。これにより、ファントム体は、較正されるイメージングシステムの空間要件によりうまく適合できる。下位部分は、接地板上に永久的に固定されるか、又は、好きなように再分類を可能とするように、接地板から非破壊的に取り外し可能であってよい。例えばファントム体は、部分又は下位部分が接地板上にクリック又はスナップ留めされて、現在の要件に適合するファントムの物理的構造を画成する較正キットの外観及び雰囲気を有してもよい。

一実施形態によれば、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの最も高い強度の位相コントラスト外乱をもたらす部分は、複数のウェッジから形成され、各ウェッジは、異なる位相勾配をもたらすように異なるウェッジ斜面勾配を有し、各ウェッジは、部分の下位部分の１つを形成する。

複数のウェッジは、単一ブロックから切り出す又はミリング（フライス削り）することによってモノリシックに形成されてもよい。或いは、ウェッジは、別個の部分として形成され、要件に従って、（入射Ｘ線放射線の伝搬方向に垂直な平面において）隣り合わせか、又は、（当該伝播方向によって画成される軸に沿って）互いに積み重ねられて、互いに接着されてよい。ウェッジは、互いに接触するように配置されるか、又は、特定の若しくは任意の２つの隣接ウェッジ間に間隙を残すように離散的に置かれてよい。

一実施形態によれば、少なくとも１つのウェッジは、反対の斜面勾配を有するダブルウェッジとして形成される。一実施形態では、（連続的に又は任意の２つのダブルウェッジ間に間隙を有して）互いに隣接して広げられるか、又は、互いの上に置かれる複数の上記ダブルウェッジがある。

（ダブルウェッジであってもなくても）ウェッジを互いに積み重ねることによって、必要に応じて位相シフトを増加させる「位相シフトブースタ」が形成される。これは、通過する波面が、積み重ねられた（ダブル）ウェッジのそれぞれからの位相シフト寄与を経験するからである。

一実施形態によれば、部分のうちの少なくとも１つは、ｉ）ポリカーボネート、ｉｉ）ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ｉｉｉ）アルミニウム、及び、ｉｖ）エポキシ樹脂の何れか１つから形成される。

一実施形態によれば、少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの最も高い度合いのデコヒーレンス外乱をもたらす部分は、複数の空気包囲体を有する構造体から形成される。

（ＰＭＭＡといった）ポリカーボネート又はアルミニウムが、吸収及び／又は位相シフト部分に使用されることが好適である。気泡といった空気包囲体を有するエポキシ樹脂又は他の多孔性構造体が、高い度合いの散乱をもたらすように割当てられている部分に使用されることが好適である。空気包囲体について、十分に大きい平均直径が選択される場合、上記多孔性材料が、位相シフト部分にも使用されてもよい。

一実施形態では、複数の様々な「基本」ファントム体が、共通の接地板上に共に取り付けられ、比較的大きい視野が求められるイメージンシステムに使用される格子傾斜調節部といった比較的大きい格子システム全体を較正するために使用できる「複合」ファントムが形成される。

一実施形態によれば、各部分及び／又はその下位部分間には、較正処置の精度を上げるために、間隙又は安全用のマージンがある。これにより、例えば下にある検出器の画素が、複数の部分のうちの１つの部分のみを通過した信号を確実に受信する。

一実施形態によれば、ファントム体の部分は、共通接地板上に画成又は取り付けられる。

一態様によれば、上記ファントム体を複数含み、当該ファントム体は、共通の接地板上に取り付けられるファントム体システムが提供される。一実施形態によれば、複数のファントム体は、共通の接地板上に左右対称に配置される。

要約するに、本明細書では、ファントム体、より具体的には、放射線‐物質相互作用の３つの外乱又は物理的影響の１つにそれぞれ充てられる少なくとも３つの異なる部分を含む単一のファントム体が提供される。つまり、これらの部分の１つの部分のみに、それぞれ充てられる３つの異なる別個のファントムを有する代わりに、本明細書では、組み合わせアプローチが取られ、３つの画像チャネルのそれぞれに対して所与の差動位相コントラストイメージャを同時に較正することができる。様々な部分及びそれらの下位部分が、（例えば共通の接地板上に取り付けられることによって）単一のファントム体にまとめられ、使用を容易にし、実用性を高める。ファントム体、ファントム体システム及びこれらの使用は、マンモグラフィ及びＣＴを含むがこれらに限定されない医用イメージングに、特にうまく適用される。

本発明の例示的な実施形態について、以下の図面を参照して説明する。図面は、必ずしも縮尺通りではない。

図１は、位相コントラストイメージングシステムのコンポーネントを示す。 図２は、較正ファントムの平面図を示す。 図３は、図２の較正ファントムの側面図を示す。 図４は、図２の較正ファントムの第２の側面図を示す。 図５は、図２の較正ファントムの一部の側面図を示す。 図６は、位相コントラストイメージングシステムによって記録された図２の較正ファントムの画像を示す。

図１は、位相コントラストイメージング機能、特に、差動位相コントラストイメージング（ＤＰＣＩ）を有するイメージングシステムＩＭの基本的コンポーネントを示す。Ｘ線放射波ＸＢを発生させるＸ線源ＸＲがある。Ｘ線放射波ＸＢは、検査領域を通過した後、検出器Ｄの検出器画素ｐｘによって検出可能である。位相コントラストイメージング機能は、干渉計を、Ｘ線源ＸＲと放射線感応検出器Ｄとの間に配置することによって達成される。

干渉計（１つの非限定的な実施形態では、ロー・タルボ（Lau-Talbot）式干渉計である）は、２つ以上、好適には、３つの格子Ｇ_０、Ｇ_１及びＧ_２を含む。Ｘ線源側における第１の減衰格子Ｇ_０は、Ｘ線源ＸＲにおいて放出されたＸ線放射波面の空間コヒーレンスに整合し、また、当該空間コヒーレンスをもたらす周期ｐ０を有する。

吸収格子Ｇ_１（周期ｐ１を有する）は、Ｘ線源から距離Ｄに置かれ、更に下流に、周期ｐ２を有する干渉パターンをもたらす。当該干渉パターンは、検出器Ｄによって検出される。次に、（イメージングされる）サンプルが、Ｘ線源と検出器との間の検査領域内に導入されると、干渉パターンの位相がシフトされる。（例えばＦ Ｍ Ｅｐｐｌｅ他による「Unwrapping differential X-ray phase contrast images through phase estimation from multiple energy data」、ＯＰＴＩＣＳ ＥＸＰＲＥＳＳ、２０１３年１２月２日、第２１巻、第２４号といったように他の場所でも報告されているように）この干渉パターンシフトΔφは、サンプルを通る各経路に沿って蓄積された屈折による位相シフトΦΔの勾配に比例する（したがって、ＤＣＰＩの名前がある）。つまり、干渉の位相変化を測定する場合、これは、サンプルにおける屈折によってもたらされた位相シフトのシフト（又は勾配）を抽出することを可能にする。

残念ながら、干渉パターンの位相シフトは、通常、直接空間分解されるには、小さすぎる。ほとんどのＸ線検出器の分解能は、これを可能にしない。したがって、この干渉パターン位相シフトを「サンプリング」するために、干渉パターンと同じ周期ｐ２を有する第２の減衰格子Ｇ_２が、格子Ｇ_１から距離ｌに置かれる。干渉パターン位相シフト（したがって、サンプルによってもたらされる位相勾配のシフト）の実際の抽出は、すべて本明細書において考案される様々な実施形態にしたがって、幾つかの異なる方法で達成される。

一般に、差動位相抽出には、検出器Ｄと格子の少なくとも１つとの相対運動が必要である。これは、一実施形態では、アクチュエータを使用して、例えばアナライザ格子Ｇ_２を、様々な個別の格子位置に亘って横方向に（即ち、格子に平行なｘ方向に沿って）移動し、各格子位置において、各画素ｐｘにおける強度を測定することによって達成される。各画素における強度は、正弦状に振動することが分かる。つまり、各画素は、アナライザ格子Ｇ_２の動作中に、（対応する画素における）様々な強度を時系列的に、時間の関数（又は、より好適には、様々な格子位置の関数）として記録する。このアプローチ（「位相ステッピング」）は、Ｆ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒ他によって、「Phase retrieval and differential phase-contrast imaging with low-brilliance X-ray sources」、Ｎａｔｕｒｅ Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２、２５８−２６１（２００６）に説明されている。

例えば２９１０４頁に、Ｅｐｐｌｅによる上記参考文献における式（１ａ）、（１ｂ）に説明されるように、各画素ｐｘにおいて振動する強度信号は、サンプルによってもたらされる吸収と、サンプルによってもたらされるデコヒーレンス（「小角散乱」とも知られる）と共に、干渉パターンの所望の位相シフトを「エンコード」する。この意味で、差動位相コントラストイメージングは、当該技術が、差動位相コントラストを生じさせるだけでなく、（従来、放射線写真術において測定される）吸収信号と、Ｘ線によって経験される散乱（「小角散乱」とも呼ばれる）の度合いに関するデコヒーレンス信号である第３の量とを生じさせるため、適切な呼称ではない。つまり、画素信号は、３つの異なる画像信号チャネルを提供する。各チャネルは、３つの物理的影響、即ち、ｉ）吸収、ｉｉ）デコヒーレンス及びｉｉｉ）屈折の個別の１つの物理的影響用のチャネルである。つまり、サンプルの存在は、入射Ｘ線波面に３部からなる外乱を導入し、差動位相コントラストイメージングは、これらの外乱のそれぞれを、３つの量、即ち、パラメータＡ（吸収）、Ｖ（デコヒーレンス）、Δφ（〜ΦΔ）（位相シフト）によって捕捉することを可能にする。当該３つの量は、１画素ｐｘあたりの検出器信号を、特にＡ／Ｄ変換回路を含むデータ収集回路（図示せず）によって、数値形式になるように処理することによって得られる。数値は、フーリエアナライザＦＡによって、又は、曲線当てはめ演算によって処理され、１画素あたりのパラメータＡ、Ｖ、Δφが得られる。これらの（イメージング）パラメータの集合は、処理ユニットＰＲによって処理可能である。例えばパラメータの幾つか又は全部が、色又はグレー値パレットにマッピングされ、それぞれ、吸収画像、デコヒーレンス画像（「暗視野画像」）又は位相コントラスト画像として、スクリーンＭＴ上で見るためにレンダリングされる。３つの物理的影響（吸収、デコヒーレンス及び差動位相コントラスト）のそれぞれの外乱の度合い又は量は、モジュールＦＡによって行われるフーリエ解析又は他の曲線当てはめ演算から取り出し可能である３つの対応する量によって測定される。

前に短く述べたように、干渉パターンのサンプリングは、必ずしも、格子Ｇ_１、Ｇ_２を互いに対して移動することによって達成されるわけではない。別の実施形態において、例えばマンモグラフィイメージングシステムでは、２つの格子Ｇ_１、Ｇ_２は、検出器の上に（順に重ねて）堅く取り付けられる。この場合、検出器が、２つの格子と共に、サンプルを渡って走査動作で横方向に動かされ、（上記した位相ステッピングの代わりに）この動きを使用して、３つのイメージング量／パラメータＡ、Ｖ、Δφが得られる。

上記差動位相コントラストイメージングシステムＩＭは、一実施形態では、（上記されたように）スロット又はスリットデザインのマンモグラフィシステムであっても、ＣＴイメージングシステムであっても、回転式Ｃアームラジオグラフィシステムであってもよい。

差動位相コントラストイメージングが正しく機能するためには、上記（タルボット）距離Ｄ、ｌが、正確に観察されなければならない。これらの距離は、例えばＥ Ｒｏｅｓｓｌ他によって、「Clinical boundary conditions for grating-based differential phase-contrast mammography」、Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｔｈｅ Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ（Ａ）Ｍａｔｈｅｍａｔｉｃａｌ， Ｐｈｙｓｉｃａｌ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ、２０１４年３月６日、第３７２巻、第２０１０号に説明されるように、計算可能である。更に、上記信号処理は、関与するハードウェア、特に格子及び検出器のハードウェアの完全なアライメント及び完全な製造を想定している。しかし、実際の現実として、測定精度、したがって、上記信号処理及び関与する計算の精度を損ねる不正確さが必ずある。例えば画素が損傷していたり、しかるべき態様で反応していなかったりする。又は、格子が少し歪んでいたり、傾斜していたりする。使用される特定のイメージングシステムによって程度が異なるこれらの不完全さに対処するために、較正処置が必要である。この較正処置のために、本明細書では、特別にデザインされた較正ファントム体ＰＢが提案される。ファントム体ＰＢは、検査領域内に入れられ、乳房若しくは他の解剖学的部位、又は、イメージングすることを望む物体であれば何でもよい実際の関心物体であるかのように、イメージングされる。

以下に更に詳細に説明されるファントム体ＰＢは、上記物理的影響ｉ）〜ｉｉｉ）に関して、既知の画素位置において既知の度合いの外乱をもたらすようにデザインされる。各外乱の度合いが分かっているので、フーリエアナライザＦＡにおける反応が理論的に予測される。しかし、一般に、ハードウェアの不完全さによって、この期待理論値からの偏差がある。この偏差は、実際に測定された検出器信号から計算されたイメージング量と、理論的に予測されるイメージング量との比として表される。この比は、１画素あたりの較正補正値Ａ’、Ｖ’、Δφ’として記憶される。

この結果、将来のイメージングセッションにおいて、上記されたように、関心サンプルが検査領域内に導入され、イメージングされると、記憶された補正値Ａ’、Ｖ’、Δφ’は、イメージングシステムの不完全さを補正するために、当該物体による検出器信号を処理して導出されるイメージング量に適用される。つまり、較正補正値は、画像補正のために使用される。較正処置は、繰り返される必要がある。これは、ハードウェアの不完全さが、通常、固定ではなく、熱変動等によって変化するからである。

次に、図２乃至図４を参照するに、一実施形態によるファントム体の様々な図が示される。一般に、ファントム体は、３つのイメージング量Ａ、Ｖ、Δφ、即ち、チャネルのそれぞれを同時に較正することを可能にするようにデザインされる。

図２は、ファントム体ＰＢのｚ軸に沿った平面図を提供する。ｚ軸は、Ｘ線ビーム（又は波面）ＸＢの伝搬方向と見なされる。図２におけるｚ軸は、紙面内へと延在する。使用時、つまり、検出器とＸ線源との間の検査領域内に配置されると、ファントム体は、検査領域内へと延在する検査台（図示せず）によって支持される。

図２の平面図に示されるように、ファントム体は、少なくとも（幾つかの例では正確に３つの）個別の部分Ｐ１〜Ｐ３を含む。３つの部分Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、本明細書では、それぞれ、位相コントラスト部Ｐ１、吸収部Ｐ２及びデコヒーレンス部Ｐ３と呼ぶ。図２の実施形態では、各部分Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、対応するブロック又はブロック群として形成される。ブロックＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、適切な取付け手段によって、接地板ＧＰ上に取り付けられる。ファントム体ＰＢの一実施形態は、ｘｙ平面において対称軸（破線で示される）について、鏡面対称であり、当該対称軸の片側に１つのリーフで、ファントム体ＰＢの２つの「リーフ」が形成される。したがって、以下の説明は、ファントム体の１つのリーフ上のブロックＰ１〜Ｐ３に着目するが、以下の説明は、もう１つのリーフに配置されたブロックにも同等に適用されることは理解されるものとする。その３つの下位部分／ブロックＳＰ２を有するブロックＰ２は、対称軸を横断して延在するものとして示されるが、必ずしもそうである必要はない。例えばブロックＰ２は、ブロックＰ３、Ｐ１のブロックＳＰ３、ＳＰ１がそうであるように、軸に沿って半分（又は半分以下）までしか延在しなくてもよい。実際に、これは、一実施形態では、２つのリーフのうちの１つしか、それ自体で（より小さい）ファントム体ＰＢを形成しないというブロックに対する制限である。

各ブロックＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、３つの外乱（吸収、位相シフト、デコヒーレンス）のうちの１つを、他の２つの部分よりも高い度合いでもたらすように構成される。例えば吸収ブロックＰ２は、当該ブロックＰ２によってもたらされる吸収外乱が、残りの２つのブロックタイプＰ１及びＰ３によってもたらされる吸収よりも高くなるような材料から形成される。反対に、このブロックＰ２は、他の２つの外乱に関して、２つの他のブロックＰ１、Ｐ３よりも低い度合いで作用する。他の２つのブロックについて、同じことが、任意の他の物理的影響又は外乱についても当てはまる。例えば専門位相シフトブロックＰ１によってもたらされる位相シフトは、他のブロックタイプＰ２及びＰ３の何れによってもたらされる屈折よりも高い度合いで生じる。同じことが、デコヒーレンスについても当てはまる。つまり、各ブロックＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、３種類の外乱のうちの特定の１つの外乱に充てられ、各ブロックは、３つの外乱のうちの異なる１つの外乱に関して、より顕著に作用する。つまり、３つのブロックＰ１〜Ｐ３は、度合い、即ち、各外乱をどれくらい強く引き起こすかについて相補的に作用する。この相補性によって、較正パラメータＡ、Ｖ、Δφの正確かつ同時の収集が可能となる。

物理的影響／外乱のうちの異なる１つの外乱に充てられている各部分Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、ｘｙ平面（即ち、ｚ軸に沿った波伝播方向に垂直な平面）の全面に空間的に分布する。したがって、ファントム体が検査領域内に配置されると、検出器画素ｐｘ及び／又は格子Ｇ_１、Ｇ_２の様々な部分上に重なる。ファントム体の様々な部分が、３種類の物理的外乱の異なる１つの外乱に充てられているため、ファントム体の各部分は、下にある検出器及び格子の各部分と空間的に位置合わせされ、関連付けられることが可能である。検出器及びファントム体の次元が使用されるため、検出器の様々な部分が、様々な較正パラメータを収集するために使用される。例えば吸収ブロックＰ２のすぐ下（又は場合によっては上）になる検出器画素の部分によって捕捉される信号は、吸収補正又は較正パラメータを決定するために排他的に使用される。他のファントム体の部分Ｐ１又はＰ３の１つの下になる（又は場合によっては上になってもよい。例えばファントムがＣＴにおいて使用される場合）残りの画素にもそれぞれ同じことが言える。この空間的ファントム体−検出器位置合わせ及び様々な検出器画素位置は、分かっていることが想定されるので、各画素について、当該特定の画素について保持されるのは、Ａ、Ｖ又はΔφ値であるのかが、当該画素がたまたまどのファントム部分Ｐ１〜Ｐ３に空間的に関連付けられているのかに依存して、（例えばフーリエアナライザＦＡの上流に配置される論理回路によって）決定される。各画素座標は、フーリエアナライザに転送され、当該フーリエアナライザに、当該画素に対し、画像較正パラメータＡ、Ｖ、Δφの対応するパラメータのみを、出力として提供するように伝える。

図２から分かるように、各専用ブロックＰ１、Ｐ２、Ｐ３は、モノリシックではなく、むしろ、複数の下位部分ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３によってそれぞれ一体に形成されている。しかし、これは、本明細書において、モノリシック実施形態が考えられないというわけではない。非モノリシック実施形態では、吸収部分Ｐ２は、３つの別個の下位ブロック又は部分ＳＰ２から形成される。同じことが、３つの下位部分ＳＰ１から形成される差分位相ブロックＰ１にも当てはまる。例えば一実施形態では、差動位相コントラストブロックは、ｘ軸に沿って互いに隣接して配置される３つ以上（例えば図２に示されるように正確に５つ）のウェッジ要素又はプリズムから形成される。同様に、デコヒーレンスブロックＰ３は、３つのブロックＳＰ３から形成される。

図３における側面図は、一実施形態にしたがって、各ブロックＰ１、Ｐ２、Ｐ３が、それらの対応する下位部分ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３からどのように形成されるのかをより詳細に示す図を提供する。

例えば各吸収ブロックＰ２は、それぞれ異なる高さを有する３つの下位ブロックＳＰ２から形成される。

更に、図３の側面図によれば、デコヒーレンスブロックＰ３は、３つの下位部分ＳＰ３から形成される。一実施形態では、幾つかの又は全部の下位部分ＳＰ３が、互いに重なり合ったデコヒーレンスストリップ３１０のデッキとして形成される。ストリップの数によって、デコヒーレンス下位ブロックＳＰ３の高さが個別に調整され、したがって、入射Ｘ線放射波ＸＢに与えられるデコヒーレンスの度合い又は量が調整できる。

最後に、位相コントラストブロックＰ１は、（前に簡単に述べたように）図３によって与えられる図内へと延在するｘ軸に沿って配置される複数のダブルウェッジ要素ＳＰ１でできている。各ダブルウェッジ要素ＳＰ１は、水平及び垂直対称軸に対して左右対称である。しかし、各ダブルウェッジ要素は、異なる度合いの回折をもたらすために、異なる斜面を有する。より具体的には、各ウェッジは、各ウェッジが、反対の勾配（ｔａｎ（＋α）及びｔａｎ（−α））を有する２対の斜面を含む意味で、「ダブル」である。各要素は、その４つの平行エッジが４つの斜面を形成するように斜めにされている直方体から形成される。斜向かいの任意の２つの斜面は、等しい一方で、任意の２つの隣接する斜面は、反対の勾配を有する。位相コントラストブロックＰ１は、その要素ＳＰ１が、ブロックＰ１の長手軸に沿って部分的に斜めにされていることによって形成されている点で、モノリシック構造体である。或いは、各下位部分ＳＰ１は、別個の直方体から形成されてもよく、その場合、図２乃至図４に示されるように互いに接触するように連続的に並べて配置されるか、又は、幾つかの若しくは任意の２つの隣接する要素ＳＰ１間に間隙があって離散的に配置される。一実施形態では、追加のウェッジＰ１がブロックＰ１の上に（つまり、ｚ軸方向に）積み重ねられても、又は、２つのブロックＰ１全体がｚ方向に積み重ねられてもよい。このように、位相シフトブースタが形成される。これは、位相コントラストブロックのスタックを伝播して横断する波面は、２つ以上のウェッジ（ダブルウェッジ）ＳＰ１を通過する場合に、屈折の合計を経験するからである。

３つ以上の別個の下位部分ＳＰ１〜ＳＰ３からなるブロックＰ１、Ｐ２、Ｐ３を有することの利点は、較正精度を上げられる点である。各ブロックにおいて、３つの異なる影響ｉ）〜ｉｉｉ）のそれぞれについて、少なくとも３つの異なる種類の段階を有することによって、３つ以上の変数を、検出器画素によって記録された各測定値に当てはめることができる。より具体的には、補正パラメータＡ、Ｖ、Δφは、一実施形態では、１つの画素が、各外乱ｉ）〜ｉｉｉ）の３つ以上の発生を異なる度合いで記録する場合に、より安定する曲線当てはめ演算によって計算される。例えば吸収ブロックＰ２が、異なる高さの３つの下位ブロックＳＰ２を含むことによって、３つの異なる度合いにおいて、吸収を記録することを可能にする。吸収が非常に高いブロックは、最も高いブロックであり、吸収の低いブロックは、最も低いブロックＳＰ２であり、最も高い高さと最も低い高さとの間の中間サイズのブロックは、２つの極端間の吸収レベルを記録する。各下位部分にわたって段階があるが、１つのブロックの下位部分によってもたらされる外乱の種類は、異なるが、２つの他のブロックの任意の下位部分によってもたらされる同じ種類の外乱ｉ）、ｉｉ）又はｉｉｉ）よりも依然として高い度合いにあることが依然として保証される。一例として、位相コントラストブロックＰ１において、そのコンポーネント（つまり、ダブルウェッジＳＰ１）は、様々な回折をもたらすが、これらの回折のそれぞれは、他の残りのブロックＰ２及びＰ３によって（つまり、それらの下位部分ＳＰ２、ＳＰ３によって）もたらされる任意の回折よりも依然として大きい。同様の状況が、他のブロックＰ２、Ｐ３についても、これらのブロックによってもたらされる優勢な外乱に関して当てはまる。

しかし、図２及び図３に示されるように、各ブロックにおける段階の数は、一実施形態によるものに過ぎず、本明細書において、好適には少なくとも３である他の数も考えられる。しかし、好適には、各ブロックの段階の数は、３つ以上であり、例えば５つ、７つ又は更に大きい。

図２及び図３から分かるように、各ブロック又は下位ブロックは、１ブロックあたりに、各ブロックを通り、波伝播方向Ｚに延在する少なくとも２つの穴がある。穴は、各ブロックを接地板ＧＰに取り付けるために使用される対応するボルト又はねじ３０５を受け入れるようにねじ山が付けられている。一実施形態では、ボルト３０５は、各ブロックと同じ材料から形成されるが、これは、必ずしもそうある必要はない。

図４は、今回は、ファントム体ＰＢのｙ方向に沿って、ブロックＰ１、Ｐ３間の透明下位ブロックＳＰ１を「通る」側面図を提供する。

図２乃至図４は、非モノリシックに形成された各部分Ｐ１〜Ｐ３を示すが、これは、幾つか又は全ての部分Ｐ１〜Ｐ３が、代替実施形態では、その中に下位部分が画成される単一のモノリシックブロックとして構成されてもよいので、限定的ではない。例えば吸収ブロックは、階段状の表面を有する単一ブロックとして構成されてもよく、各段階が下位部分ＳＰ１〜ＳＰ３の１つを画成する。

図２乃至図４に示されるように、各ブロック又はブロック群Ｐ１〜Ｐ３は、交互配置された実施形態として示される。例えば差動位相コントラストブロックＰ１は、２つの隣接する吸収ブロックＳＰ２間に配置される。しかし、この交互配置は、一実施形態によるものに過ぎず、ブロック群は相互配置されないが、各下位ブロックＰ１、Ｐ２、Ｐ３が、厳密にまとめられて、非交互配置のデコヒーレンス位相コントラスト及び吸収ブロックＰ１、Ｐ２、Ｐ３が形成される他の実施形態も考えられる。図２、図３、図４から分かるように、各ブロックＰ１〜Ｐ３間及び／又は各下位部分ＳＰ１〜ＳＰ３間に、間隙がある。更に、図２に示されるような特定の交互配置（つまり、ブロックＰ１及びＰ２の交互配置）は、例示であり、本明細書では、他の交互配置組み合わせも考えられる。つまり、ブロックＰ１乃至Ｐ３の（ｙ方向における）特定の順序は、例示的な実施形態であり、他のブロック／下位ブロックの順序も考えられる。図２に示されるような特定の連鎖配列は、優れた較正結果を提供している。

しかし、すべての又は幾つかのブロックＰ１〜Ｐ３又は下位ブロックＳＰ１〜ＳＰ３が、接地板上で互いに直接接触して配置されるか、又は、単一ブロック内に形成若しくは画成される代替実施形態も考えられる。

図５Ａ、図５Ｂを参照するに、位相コントラストブロックＰ１は、ファントムＰＢを、光軸ＯＸに対して位置合わせするのに役立つ機構を含む。

図５Ａは、良好に位置合わせされたシステムの状況を示す一方で、図５Ｂは、少し位置ずれしたシステムのインスタンスを示す。位置ずれは、光軸ＯＸに対する角度変位δによって記述可能である。検査領域内の較正ファントムＰＢを、Ｘ線源ＸＲ及び／又は検出器Ｄ及び／又は格子Ｇ_０〜Ｇ_２に対して位置合わせする際に、特別な配慮が必要であることが分かっている。位相コントラスト信号自体の場合、Ｘ線ビームに垂直な方向に対する材料の密度勾配の推移は、ＤＰＣＩにおける差動位相に最も影響を及ぼす要因である。図５Ａ）において、密度勾配は、ウェッジの角度α（又はより好適にはｔａｎ（α））によって表される。非常に急な勾配（大きいα）について、ウェッジの僅かな角度の位置ずれが、著しい誤差につながる。正常な状態とするために、上記されたように、反対の勾配を有する対のウェッジが使用される。図５Ｂ）から分かるように、実効勾配の大きさの合計は、小さい位置ずれ角度δにほぼ影響を受けない。つまり、ダブルウェッジの特別な対称性によって、「シーソー」効果（つまり、ダブルウェッジの中心点周りで旋回する効果）が提供され、一方の側の勾配の増加が、同じ量であるが反対の方向であるもう一方の側の勾配の減少によって相殺される。

上記されたように、ファントム体ＰＢは、図２において破線で示される対称軸に沿って鏡面対称である。つまり、このダブルリーフ実施形態は、１対の位相コントラストブロックＰ１と、１対のデコヒーレンスブロックＰ３（それぞれ前述した通りである）とを有し、それぞれ、対称軸の周りに配置され、吸収ブロックＰ２の３つの下位部分ＳＰ２は、対称軸を横断して延在している。吸収ブロックＰ２の代わりに又は加えて、ブロックＰ１、Ｐ３の何れか１つ（又は両方）が、軸を横断して延在する他の配置も考えられる。

上記左右対称性の検討事項は、本明細書において、左右非対称のブロック配置が排除されることを示唆するものではない。左右非対称のブロックは排除されない。イメージャの検査領域における特定の空間制約下では、左右非対称の配置が必要である。

図２の左側及び右側は、基本ファントム体を形成する。基本ファントム体は、左右対称配置の場合には、４、６、８又は任意の他の数の基本ファントム体といった、（図２に示されるように）２つ又はそれ以上の基本ファントム体から形成される、より複合的な左右対称又は左右非対称のファントム体を組み立てるために、単一接地板上に共に取り付けられる。（図２の左側又は右側のファントム体といったように）複数の基本ファントム体から構成されるこのような複合ファントム体を使用することは、較正演算が、検出器平面及び／又は格子の様々な部分に「局所化」できるという利点を有する。実際に、マンモグラフィといった幾つかのイメージングシステムでは、干渉格子が、所望の視野サイズに製造することができない。必要とされる視野は、しばしば、様々な格子Ｇ_１、Ｇ_２又はＧ_０のサイズよりもはるかに大きい。このコンテキストにおいて、１つの解決策は、必要な視野サイズを作るために、個々の格子の傾斜を使用することである。格子傾斜調節可能なイメージングシステムでは、複合ファントムが、有益である。これは、複合ファントムを構成する基本ファントムのそれぞれを使用して、格子傾斜調節部における複数の格子のうちの異なる格子を較正することができるからである。

図２乃至図４による実施形態では、様々なファントム体部分Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、ブロック又は直方体として示されているが、本明細書では、他の幾何学的形状も考えられる。つまり、様々な部分Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、必ずしも、１つの軸に沿って単に鏡面対称である必要はなく、回転対称であってもよい。例えば、一実施形態では、部分は、円筒等として形成されてもよい。より具体的には、ファントム体は、様々な層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を形成するために、幾つかの入れ子式の中空の円筒から形成され、各層は、図２乃至図４において、ブロックについて説明されたように、３つの物理的外乱のうちの１つの外乱に充てらえる。層状構造、つまり、部分Ｐ１〜Ｐ３が互いの上に積み重ねられる構造も、説明したばかりの回転対称実施形態以外の実施形態について考えられる。例えば図２乃至図４におけるブロックは、接地板ＧＰの平面上に広げられる隣り合わせの配置ではなく、層となるように互いの上に積み重ねられてよい。この積み重ね又は層状配置は、ファントムの全体的なフットプリントが小さいことが求められる場合には、好適である。層状の実施形態では、様々な部分は、較正測定の精度を保障するために、任意の所与の部分Ｐ１〜Ｐ３について、各外乱が、他の２つの外乱よりも（図６において以下により詳細に説明されるように、画像コントラストとして表現可能である倍数分で）非常に優勢であるように、非常に差別的に構成されることが好適である。この意味で、図２乃至図４に示すように、「広げられた」隣り合わせのレイアウトは、より扱い易いことが期待される。これは、３つの外乱ｉ）〜ｉｉｉ）に関して、３つの部分Ｐ１〜Ｐ３に対する差別要件が、積み重ね実施形態よりも低いからである。

上記の内容から分かるように、様々な部分Ｐ１〜Ｐ３及び／又はその対応する下位部分ＳＰ１〜ＳＰ３は、接地板に、例えば接着されて永久的に固定されるか、又は、例えば、図３に示されるように、ネジ又はボルト３０５を緩める若しくは外すことによって、若しくは、取り外し可能な取付け手段、スナップフィット、ベルクロ（登録商標）等を使用することによって、非破壊的に取り外し可能である。

ファントム体が、例えば規則的なグリッドレイアウトとなるように適切な空間間隔で配置された適切なスナップ取り付け具をその表面上に含む接地板を含むファントム体キットを本質的に形成する別の実施形態が考えられる。様々な部分Ｐ１〜Ｐ３の対応する下位部分ＳＰ１〜ＳＰ３のそれぞれは、空間及び形状の要件に従って、接地板上の適切な位置にスナップフィットされる。これは、例えば較正されるイメージャの空間要件について、ファントム体を調整する高い適応性を提供する。

接地板ＧＰは、一般に、様々なブロックＰ１〜Ｐ３の組み合わされたフットプリントと同一の広がりを有するが、図２に示されるように、良好な基盤を確保するために、接地板が、ブロックのフットプリントを越えて延在する他の実施形態も考えられる。接地板は、矩形、特に四角形であるが、他の形状も考えられる。形状は、較正測定中に、ファントムがその上に配置される検査台又は支持台のサイズ及び形状に大きく応じる。

好適には、吸収ブロックＰ２は、（ＰＭＭＡといった）適切なポリカーボネート（好適には均質）ブロックから製造され、様々な吸収段階は、ブロックの下位ブロックＳＰ２が様々な高さにおいて配置されることによって達成される。幾つかの実施形態では、代わりにアルミニウムが使用される。吸収ブロックの適切な高さは、一実施形態では、２、１０、２０及び５０ｍｍであるが、当然ながら、吸収要件に応じて、他の高さも同様に考えられる。明白な吸収を有するこれらのブロックは、様々な高さ、即ち、１０、２０及び５０ｍｍを有し、減衰信号が較正又は評価されることが可能である領域としての役割を果たす。

好適には、デコヒーレンスブロックは、本出願人の欧州特許第２，２８３，０８９号に開示されるように、Ａｒａｌｄｉｔｅのようなマイクロガラス気泡エポキシ樹脂から製造される。デコヒーレンスブロックの高さは、一実施形態では、１、２及び４ｍｍであり、図３を参照して上記されたように、それぞれ、適切な数のデコヒーレンスストリップ３１０を互いの上に積み重ねることによって達成される。適切な平均サイズの空気包囲体を有する任意の他の多孔性又はスポンジ状又は発泡構造体が、デコヒーレンスブロックを形成するのに適した材料である。多数の空気包囲体を有するこのような構造体は、弱い吸収しか示さないが、小さいガラス気泡が比較的強い散乱をもたらすことにより、デコヒーレンス信号を較正することができる領域としての役割を果たすことができる。空気包囲体の平均構造体が、十分の大きい場合（つまり、デコヒーレンスブロックにおけるよりも大きい場合）、このような多孔性材料は、位相コントラストブロックの利益にもなるように、使用可能である。この場合、図２乃至図４に示されるような一連の様々なウェッジは不要であるが、この場合、下位部分ＳＰ１は、異なる平均サイズの空気包囲体を有するセクションとして画成される。

差動位相ブロックＰ１は、一実施形態では、切断、ミリング又は他の適切な加工技術によって、斜面が形成された均質ＰＭＭＡブロックとして製造される。上記されたように、一実施形態では、異なる斜面又は勾配を有する５対のウェッジがある。普遍性を失うことなく、また、実施形態のほんの一例として、一実施形態における傾斜角は、それぞれ、１．５、３、４．５、６及び７°である。これらのウェッジは、比較的強い位相コントラストを示し、ブロックは、比較的弱い減衰を有し、ほぼデコヒーレンスがないので、ウェッジブロックは、差動位相信号が較正される領域としての役割を果たす。代替実施形態では、デコヒーレンスブロックと同様に、吸収ブロックも、様々な高さを達成するように、互いの上に積み重ね可能である幾つかのストリップ又は下位ブロックによって構成されてよい。

上記されたように、図１の平面図に示されるように、様々なブロック及び／又はその下位ブロック間には、特定の安全用の間隙又はマージンが残されている。これらのマージンは、より正確な較正結果を確保する。これは、検出器の各画素を、上又は下にあるブロックに関連付けることがより簡単だからである。正確な較正結果を確保するために、様々なブロック及び下位ブロック間に５〜１０ｍｍの間隙が好適である。

図６を参照するに、画像としてレンダリングされた典型的な較正パラメータのセットの再構成結果が示される。簡潔さのために、図６では、図２乃至図４においてブロックを示すために使用された参照符号と同じ参照符号Ｐ１〜Ｐ３を、様々な画像を示すために使用している。左から右に、３つの列は、吸収画像、差動位相コントラスト画像及びデコヒーレンス画像に対応する。３列の画像は、３つのブロックタイプＰ１〜Ｐ３の相補的な特徴を明らかに示す。各列において、最も高いコントラストは、Ｐ１又はＰ２又はＰ３ブロックの正確に１つによって達成される。例えば中央列は、位相コントラストブロックＰ１について最も高いコントラストを示す一方で、残りのブロックＰ１又はＰ３は、屈折信号についてのみ、無視可能なコントラストを示す。ウェッジブロックＳＰ１の様々な斜面によってもたらされる位相コントラストは、かなり良好に観察できる（吸収ブロックの端からの幾らかの寄与もあるが、これは、次に、例えばファンビームの代わりに平行ビームといった適切なＸ線ビームＸＢ形状を使用して回避される）。更に、デコヒーレンス画像が示される最右列を参照するに、デコヒーレンスブロックＰ３は、良好なコントラストを示すが、他のブロックは示さない。左列における吸収画像についても同様である。３つの吸収ブロックは、比較的強く、異なる吸収を示すが、アラルダイト（Ａｒａｌｄｉｔｅ）ブロックは、弱い吸収しか示さないことが観察できる。図６の画像では、図２乃至図４のダブルファントム実施形態の右又は左リーフに対応する「基本」又は単一リーフファントム体が使用される。図６の３列を比較した場合、各ブロック又は下位ブロックの様々な画像コントラストは、もたらされた様々な外乱の度合い又は卓越（又は下位部分の場合には、段階の量）を定量化するために使用される。例えば（左列における）吸収ブロックの「フットプリント」は、当該列における他の２つのブロックのフットプリントよりも高いコントラスト（１つの例示的な実施形態では、２倍又は２乃至１０倍のコントラスト）で現れる。同様の観察が、他のブロック／下位ブロックの各フットプリントについても当てはまる。画像コントラストは、図６の所与の列における各フットプリントに亘る各ブロックフットプリントにおける画像画素強度全体で取られるＲＭＳ（二乗平均平方根）尺度といった比較が可能である任意の適切な形式で表現される。

なお、本発明の実施形態は、様々な主題を参照して説明されている。具体的には、方法タイプの請求項を参照して説明される実施形態もあれば、装置タイプの請求項を参照して説明される実施形態もある。しかし、当業者であれば、上記及び下記の説明から、特に明記されない限り、１つのタイプの主題に属する特徴の任意の組み合わせに加えて、様々な主題に関連する特徴の任意の組み合わせも、本願によって開示されていると見なされると理解できるであろう。しかし、すべての特徴は、特徴の単なる足し合わせ以上の相乗効果を提供する限り、組み合わされることが可能である。

本発明は、図面及び上記説明において詳細に例示され、説明されたが、当該例示及び説明は、例示的に見なされるべきであり、限定的に見なされるべきではない。本発明は、開示される実施形態に限定されない。開示された実施形態の他の変形態様は、図面、開示内容及び従属請求項の検討から、請求項に係る発明を実施する当業者によって理解され、実施される。

請求項において、「含む」との用語は、他の要素又はステップを排除するものではなく、また、「ａ」又は「ａｎ」との不定冠詞も、複数形を排除するものではない。単一のプロセッサ又は他のユニットが、請求項に記載される幾つかの項目の機能を果たしてもよい。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されることだけで、これらの手段の組み合わせを有利に使用することができないことを示すものではない。請求項における任意の参照符号は、範囲を限定すると解釈されるべきではない。

Claims (14)

1. Ｘ線ビームを放出可能である位相コントラストイメージングシステムの較正用のファントム体であって、
   前記ファントム体は、前記Ｘ線ビームが前記ファントム体を通過するときに、前記Ｘ線ビームについて複数の外乱を共にもたらす少なくとも３つの相互に異なる部分を含み、前記複数の外乱は、ｉ）位相シフト、ｉｉ）吸収及びｉｉｉ）デコヒーレンスを含み、前記複数の外乱ｉ）、ｉｉ）及びｉｉｉ）の何れか１つが、前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの正確に１つの部分によって、前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの２つの他の部分のそれぞれによって前記複数の外乱の前記何れか１つがもたらされる他の度合いよりも大きい度合いでもたらされ、前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分は、前記少なくとも１つの部分によってもたらされる外乱のそれぞれの度合いを、３つの異なる下位の度合いへと段階を付ける少なくとも３つの異なる下位部分を含む、ファントム体。
2. 前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分は、１つ以上の直方体から形成される、請求項１に記載のファントム体。
3. 前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分は、１つ以上の回転対称の固体から形成される、請求項１に記載のファントム体。
4. 前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分の３つ以上の下位部分が、共にまとめられる、請求項１乃至３の何れか一項に記載のファントム体。
5. 前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの少なくとも１つの部分の３つ以上の下位部分が、前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの前記２つの他の部分のうちの少なくとも別の１つからの１つ以上の下位部分と交互に配置される、請求項１乃至３の何れか一項に記載のファントム体。
6. 前記ファントム体は、シンメトリックである、請求項１乃至５の何れか一項に記載のファントム体。
7. 前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの最も高い強度の位相コントラスト外乱をもたらす部分は、複数のウェッジから形成され、各ウェッジは、異なる位相勾配をもたらすように異なるウェッジ斜面勾配を有し、各ウェッジは、前記部分の下位部分の１つを形成する、請求項１乃至６の何れか一項に記載のファントム体。
8. 前記複数のウェッジのうちの少なくとも１つのウェッジは、反対の斜面勾配を有するダブルウェッジとして形成される、請求項７に記載のファントム体。
9. 前記少なくとも３つの相互に異なる部分の当該部分のうちの少なくとも１つは、ｉ）ポリカーボネート、ｉｉ）ポリメチルメタクリレート、ｉｉｉ）アルミニウム、及び、ｉｖ）エポキシ樹脂の何れか１つから形成される、請求項１乃至８の何れか一項に記載のファントム体。
10. 前記少なくとも３つの相互に異なる部分のうちの最も高い度合いのデコヒーレンス外乱をもたらす部分は、複数の空気包囲体を有する構造体から形成される、請求項１乃至９の何れか一項に記載のファントム体。
11. 前記少なくとも３つの相互に異なる部分は、共通の接地板上に画成される、請求項１乃至１０の何れか一項に記載のファントム体。
12. 請求項１乃至１０の何れか一項に記載のファントム体を複数含み、複数の前記ファントム体は、共通の接地板上に取り付けられる、ファントム体システム。
13. 前記複数のファントム体は、前記共通の接地板上にシンメトリックに配置される、請求項１２に記載のファントム体システム。
14. 位相コントラストイメージングシステムの較正処置における、請求項１乃至１１の何れか一項に記載のファントム体又は請求項１２若しくは１３に記載のファントム体システムの使用。
    

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