JP2017515778A5 - 融液を処理する装置、融液内で熱流を制御するシステム及び融液を処理する方法 - Google Patents
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- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 31
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000001595 flow curve Methods 0.000 description 1
Description
様々な実施形態において、サブマージヒーターを配置して、融液の露出面に30W/cm2を超える熱流を供給することができる。図5は、融液の露出面に対するサブマージヒーターの位置の関数として、露出面に対する熱流束のCFD計算の結果を示す。曲線530は、曲線522、524、526及び528と同様に、融液の表面に平行な方向に沿う位置の関数として、融液の露出面での熱流(流束)を示す熱流プロファイルである。曲線530は、サブマージヒーターが露出面の5mm下方に位置するときの熱流を示す。位置X=0は、サブマージヒーターの中心の直ぐ上方の位置を示す。従って、曲線530の鏡像であるX=0の左側に対する対称熱流曲線を含意する。図示のように、最大熱流33W/cm2はX=0で発生し、その熱流はX=6mmで20W/cm2未満まで減少する。曲線528は、サブマージヒーターが露出面の4mm下方に位置するときの熱流を示す。図示のように、最大熱流40W/cm2はX=0で発生する。サブマージヒーターの露出面下方の深さが減少するにつれて、熱流のピーク値は増加し、これを曲線526(3mm)、曲線524(2mm)及び曲線522(1mm)によって示す。1mm深さの場合、熱流ピーク値90W/cm2を達成する。加えて、ピークの半値全幅(FWHM)の値は、5mmの深さに対する7mm以上から、1mmの深さに対する5mmのFWHMまで減少する。
Claims (15)
- 融液を処理する装置において、
前記融液を容れて、前記融液が第1距離だけるつぼの床面から離れる露出面を有するよう構成したるつぼと、並びに
加熱素子、及び前記加熱素子と前記融液との間に配置し、前記加熱素子が前記融液に接触しないようにするシェルを有するサブマージヒーターと、
を備え、
前記加熱素子は、前記融液の前記露出面に対して前記第1距離よりも短い第2距離だけ離して配置する、装置。 - 請求項1記載の装置において、前記加熱素子は、炭化ケイ素でコーティングするグラファイトを含み、また前記シェルは石英ガラスを含むものとする、装置。
- 請求項1記載の装置において、前記融液はシリコンから構成し、前記シェルは石英ガラスを含むものとする、装置。
- 請求項1記載の装置において、前記サブマージヒーターは、50W/cm2より大きい熱流を前記露出面に供給するよう構成する、装置。
- 請求項1記載の装置において、前記サブマージヒーターは前記露出面に平行な第1方向に沿って細長いものとする、装置。
- 請求項1記載の装置において、さらに、前記露出面に直交する垂直方向に沿って前記サブマージヒーターを移動させるよう構成したドライブを備える、装置。
- 請求項6記載の装置において、前記サブマージヒーターは、可動キャップ構体であって、
前記融液に接触する接触面及び前記加熱素子に接触する外方表面を有する可動部分と、並びに
前記るつぼのるつぼ壁部分を形成する固定部分と
よりなる、該可動キャップ構体を有する、装置。 - 請求項1記載の装置において、前記サブマージヒーターは、前記るつぼのるつぼ壁の一部を形成し、かつ前記るつぼの前記床面よりも前記融液の前記露出面により近接して配置する上部領域を有し、また前記加熱素子を前記るつぼ壁の外部に配置する、装置。
- 融液内で熱流を制御するシステムにおいて、
前記融液を容れ、前記融液がるつぼの床面から第1距離だけ離れる露出面を有するよう構成したるつぼと、
前記融液に接触するよう構成したサブマージヒーターであって、加熱素子及び前記加熱素子と前記融液との間に配置し、前記加熱素子が前記融液に接触しないようにするシェルを有し、
前記加熱素子は、前記融液に対して前記第1距離よりも短い第2距離の位置に配置し、前記サブマージヒーターは第1熱流流率で前記露出面の領域に熱を送給するよう構成した、
該サブマージヒーターと、並びに
前記第1熱流流率よりも大きい第2熱流流率で前記露出面の領域から熱を除去するよう構成した晶析装置と
を備える、システム。 - 請求項9記載のシステムにおいて、前記サブマージヒーターは石英ガラスシェルによって封入するグラファイト加熱素子を有する、システム。
- 請求項9記載のシステムにおいて、さらに、前記るつぼの前記床面の下に配置し、かつ第3熱流を送給して前記融液を前記融液の融解温度又はそれ以上に維持するように構成する、るつぼヒーターを備える、システム。
- 請求項9記載のシステムにおいて、前記晶析装置は、第1方向に沿って結晶シートの前縁を形成するよう構成し、また前記サブマージヒーターは前記第1方向に沿って細長いものとする、システム。
- 請求項9記載のシステムにおいて、さらに、前記サブマージヒーターを前記露出面に直交する垂直方向に沿って移動させるよう構成したドライブを備える、システム。
- 融液を処理する方法において、
前記融液をるつぼに容れて、前記融液が、露出面及び前記るつぼと接触する底面を有し、前記露出面は前記底面から第1距離だけ離れるようにするステップと、並びに
サブマージヒーターの加熱素子から前記融液の前記露出面の領域内に熱流を方向付けるステップであって、この熱流方向付けは、前記加熱素子を前記第1距離よりも短い第2距離だけ前記露出面から離して配置するときに生ずる、熱流方向付けステップと、
を有し、
前記融液は前記加熱素子に接触しないようにする、方法。 - 前記サブマージヒーターは、前記加熱素子を包囲し、かつ前記融液に接触する石英ガラスシェルを有し、前記融液はシリコンとする請求項14記載の方法において、さらに、
前記露出面の領域内に第1熱流流率で熱流を方向付けるステップと、
前記第1熱流流率よりも大きい第2熱流流率で前記露出面の領域から熱を除去するステップと、
を有する、融液を処理する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/275,770 US9587324B2 (en) | 2014-05-12 | 2014-05-12 | Apparatus for processing a melt |
US14/275,770 | 2014-05-12 | ||
PCT/US2015/030319 WO2015175497A1 (en) | 2014-05-12 | 2015-05-12 | Apparatus for processing a melt |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017515778A JP2017515778A (ja) | 2017-06-15 |
JP2017515778A5 true JP2017515778A5 (ja) | 2018-06-14 |
JP6553089B2 JP6553089B2 (ja) | 2019-07-31 |
Family
ID=54367314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016566977A Expired - Fee Related JP6553089B2 (ja) | 2014-05-12 | 2015-05-12 | 融液を処理する装置、融液内で熱流を制御するシステム及び融液を処理する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9587324B2 (ja) |
EP (1) | EP3142973A4 (ja) |
JP (1) | JP6553089B2 (ja) |
KR (1) | KR20170007361A (ja) |
CN (1) | CN106458687B (ja) |
TW (1) | TWI675134B (ja) |
WO (1) | WO2015175497A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MX2022001458A (es) * | 2019-08-09 | 2022-06-08 | Leading Edge Equipment Tech Inc | Produccion de una cinta u oblea con regiones de baja concentracion de oxigeno. |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5912631B2 (ja) * | 1976-01-28 | 1984-03-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 横引きリボン結晶成長法 |
JPS5261180A (en) | 1975-11-14 | 1977-05-20 | Toyo Shirikon Kk | Horizontal growth of crystal ribbons |
US4289571A (en) | 1979-06-25 | 1981-09-15 | Energy Materials Corporation | Method and apparatus for producing crystalline ribbons |
DE3136454A1 (de) * | 1981-09-14 | 1983-03-24 | Energy Materials Corp., 01451 Harvard, Mass. | Verfahren und vorrichtung zum bilden von kristallband aus einer schmelze |
US5047113A (en) | 1989-08-23 | 1991-09-10 | Aleksandar Ostrogorsky | Method for directional solidification of single crystals |
JP2933404B2 (ja) | 1990-06-25 | 1999-08-16 | 信越石英 株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法 |
JP2000319080A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素被覆黒鉛部材 |
US6849121B1 (en) | 2001-04-24 | 2005-02-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Growth of uniform crystals |
KR100588425B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2006-06-12 | 실트로닉 아게 | 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법 |
FR2927910B1 (fr) | 2008-02-27 | 2011-06-17 | Centre Nat Rech Scient | Procede de cristallogenese d'un materiau electriquement conducteur a l'etat fondu. |
US7998224B2 (en) * | 2008-10-21 | 2011-08-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Removal of a sheet from a production apparatus |
US9464364B2 (en) * | 2011-11-09 | 2016-10-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Thermal load leveling during silicon crystal growth from a melt using anisotropic materials |
-
2014
- 2014-05-12 US US14/275,770 patent/US9587324B2/en active Active
-
2015
- 2015-04-23 TW TW104112956A patent/TWI675134B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-05-12 CN CN201580024930.3A patent/CN106458687B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-05-12 WO PCT/US2015/030319 patent/WO2015175497A1/en active Application Filing
- 2015-05-12 KR KR1020167034346A patent/KR20170007361A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-05-12 JP JP2016566977A patent/JP6553089B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-05-12 EP EP15792841.7A patent/EP3142973A4/en not_active Withdrawn
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