JP2017506461A - 改良された静電型トランスデューサ - Google Patents

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Abstract

静電型トランスデューサ(100)が、貫通開口(112)のアレイを有する導電性のバックプレーン部材(102)と、バックプレーン部材(102)上にわたって配置されたスペーサ部材(104)であって、スペーサ部材を貫通する孔(114)のアレイを有し、孔(114)がそれぞれ最小横方向寸法の2倍未満の最大横方向寸法を有する、スペーサ部材(104)と、スペーサ部材(104)上にわたって配置された可撓性を有する導電性の膜(106)とを備える。トランスデューサ(100)は、使用時に、バックプレーン部材(102)と膜(106)との間に静電引力を発生させる電位を印加することにより、スペーサ部材(104)の前記孔にまたがる膜(106)の部分を前記バックプレーン部材(102)の方に移動させるように構成されている。

Description

本発明は、静電型トランスデューサに関し、特に音声信号の再生に適したスピーカに関するが、これに限定されない。
従来の静電型スピーカは、キャパシタを形成する、穿孔を有する2つの導電性バックプレート間に配置された導電性の膜を備える。DCバイアスが膜に印加され、AC信号電圧が2つのバックプレートに印加される。数百ボルドまたはさらに数千ボルトの電圧が必要な場合がある。信号により静電力が荷電した膜に加えられ、この静電力が移動して、膜の両側の空気を動かす。
特許文献1には、多層パネルを備える静電型スピーカが開示されている。電気絶縁性の層が、2つの導電性の外層の間に挟まれている。この絶縁性の層は、いずれか一方の側に円形のピットを有する。DCバイアスが2つの導電性の層の間に印加されると、いずれか一方の層の一部が絶縁性の層の上まで引き上げられ、ピットを覆う小さいドラムスキン(drum skins)を形成することが記載されている。AC信号が印加されると、ドラムスキンが共振し、その導電性の層の一部が振動して必要な音を発生させる。
特許文献2には、多層パネルを備える、さらなる種類の静電型スピーカが開示されている。電気絶縁性の層が、2つの導電性の外層の間に挟まれている。この構成では、導電性の外層の一方は、穿孔されており、例えば、開口のサイズが典型的には0.11mmである織金網であってもよい。
特許文献3には、通気口のアレイおよびスペーサのアレイが設けられた導電性バックプレートを備える静電型スピーカが開示されている。この上方にわたって位置しているのは、誘電体および導電性フィルムを備える膜である。バックプレートと膜との間の空間は、約0.1mmであり、導電性バックプレートおよび導電性フィルムに低電圧が供給されることにより、膜が押されて音声を発生することが記載されている。
この種の静電型スピーカの課題の1つは、十分な膜の変位を得るということである。特許文献4は、貫通開口を有する導電性の第1の層と、第1の層上にわたる可撓性を有する絶縁性の第2の層と、第2の層上にわたって配置された可撓性を有する導電性の第3の層とを備える静電型トランスデューサを開示している。第1の層と第2の層との間または第2の層と第3の層との間に空間が設けられている。第1の層と第2の層との間の空間により、第2の層および第3の層の移動の自由度を大きくすることが可能であり、第2の層および第3の層の変位を大きくすることが可能である。第2の層と第3の層との間の空間が音響性能を向上させることも見いだされた。
米国特許第7095864号明細書 国際公開第2007/077438号パンフレット 米国特許出願公開第2009/0304212号明細書 国際公開第2012/156753号パンフレット
しかしながら、この種類の静電型トランスデューサの音響性能をさらに向上させることが依然として必要である。
第1の態様から見ると、本発明は、
貫通開口のアレイを有する導電性のバックプレーン部材と、
バックプレーン部材上にわたって配置されたスペーサ部材であって、このスペーサ部材を貫通する孔のアレイを有し、孔がそれぞれ最小横方向寸法の2倍未満の最大横方向寸法を有する、スペーサ部材と、
スペーサ部材上にわたって配置された可撓性を有する導電性の膜と、を備える、静電型トランスデューサであって、
使用時に、バックプレーン部材と膜との間に静電引力を発生させる電位を印加することにより、スペーサ部材の前記孔にまたがる膜の部分を前記バックプレーン部材の方に移動させるように構成されている、静電型トランスデューサを提供する。
したがって、当業者であれば、スペーサ部材に設けられた孔が膜と協働して、「ドラムスキン(drumskin)」効果を生み出す領域のアレイを提供していることが分かかるであろう。孔の寸法が全面にわたって同様である場合に、最適性能が実現されることが分かっている。最大横方向寸法と最小横方向寸法との間の比率は、1.5未満、例えば1.2未満とすることができる。
さらに、いくつかの部分がバックプレーン部材の方に移動するときに、静電電位が減少(それゆえ静電力が低減)すると、膜に生じた張力が戻し力を供給する。したがって、本発明は、トランスデューサに「戻しばね(return spring)」を有効に導入して、その音響性能を大幅に向上させることにより、従前の同種のトランスデューサを改良する。例えば、このような構成により、使用可能な周波数の範囲を広げ、トランスデューサによって生成される音の全体の品質を向上させることができる。いくつかの実施形態において、200Hz〜5kHzの音圧レベルで6dBの向上が認められていることにより、このことが例証される。
膜は、最初、すなわちゼロ電位が印加されているときは、スペーサ部材と接触しないように構成することができる。このような場合、電位を印加して膜をバックプレーン部材に引きつけることによって、膜をスペーサと接触させることができる。このようにスペーサ部材の孔にまたがる膜の部分は、電位に応じて上述したように移動することが可能である。同様に、膜は、例えば、機械的な予張力によって、結合によって、または電位によってスペーサ部材と接触して保持することができる。例えば、d.c.バイアス電位を印加して、膜をスペーサと接触させて維持する一方で、d.c.信号に加えてa.c.駆動信号を印加して、孔にまたがる部分の動きを駆動することができる。
上記で概説したように、いわゆるプッシュプル(push−pull)型のトランスデューサに本発明を適用することも可能であろう。プッシュプル型のトランスデューサでは、膜のいずれか一方の側に2つのバックプレーン部材が設けられ、膜を両方向に移動させる。しかしながら、好適な実施形態では、トランスデューサが、使用時に、バックプレーン部材と膜との間に静電引力のみを発生させる電位を印加するように構成されている。このような構成では、単一のバックプレーン部材のみが必要である。それにもかかわらず、上記で言及した戻し力により、良好な音響性能が実現可能になる。
このような構成は、それ自体で新規性があり、かつ進歩性がある。したがって、第2の態様から見ると、本発明は、
貫通開口のアレイを有する導電性のバックプレーン部材と、
バックプレーン部材上にわたって配置されたスペーサ部材であって、このスペーサ部材を貫通する孔のアレイを有するスペーサ部材と、
スペーサ部材上にわたって配置された可撓性を有する導電性の膜と、を備える、静電型トランスデューサであって、
使用時に、バックプレーン部材と膜との間に静電引力のみを発生させる電位を印加することにより、スペーサ部材の前記孔にまたがる膜の部分を前記バックプレーン部材の方に移動させるように構成されている、静電型トランスデューサを提供する。
任意の適切な形状が孔に用いられ得るが、好適な実施形態では、上記理由により、孔はそれぞれ最小横方向寸法の2倍未満の最大横方向寸法を有する。
そうでないことが明示的に提示されている場合を除き、以下で説明する特徴は、本発明の第1の態様または本発明の第2の態様のいずれかに適用することができる。
スペーサ部材の孔のサイズ、形状、間隔およびパターンが、膜に導入される張力の強度に影響を及ぼす場合があり、同様に、張力が生じる膜の領域に影響を及ぼす場合がある。したがって、孔のサイズ、形状、間隔およびパターンを最適化して、所望の量の張力を発生させるか、または膜で発生した張力を最大化することができる。いくつかの実施形態では、孔が、円形、六角形、正方形、および卵形からなる群から選択される形状を有する。しかしながら、他の形状も可能である。
スペーサ部材の孔は、任意の適切なサイズとすることができる。しかしながら、いくつかの実施形態では、孔は、1mm〜50mm、例えば10mm〜40mm、例えば20mm〜30mm、例えば約25mmの最大横方向寸法を有する。いくつかの実施形態では、スペーサ部材の孔は、バックプレーン部材の開口よりも大きい。孔は、バックプレーン部材の開口の最大横方向寸法の2倍〜50倍、例えば10倍〜40倍、例えば20倍〜30倍、例えばおよそ25倍の最大横方向寸法を有することができる。
スペーサ部材の孔の間の間隔は、任意の適切な寸法であってもよい。しかしながら、膜のみによって、すなわち主に膜がスペーサ部材の孔全体にわたって自由に振動することができる箇所で音が生じるため、孔の間の間隔は、孔のサイズよりもはるかに小さいことが好ましい。しかしながら、間隔は、スペーサ部材が膜に対して果たす機能に悪影響を及ぼす程度にまで小さくしたり、またはスペーサ部材の反作用力の圧力により膜がダメージを受ける程度にまで小さくしたりしてはならない。したがって、好適な実施形態では、スペーサ部材の孔の間の間隔は、1mm〜5mm、例えば2mm〜4mm、例えば約3mmである。
いくつかの実施形態では、スペーサ部材のすべての孔は、同じサイズおよび形状を有する。しかしながら、これは必須ではない。スペーサ部材の孔は、様々なサイズおよび様々な形状を有することが可能である。例えば、スペーサ部材は、一部の孔が20mmの円形で、一部の孔が30mmの円形である、孔のアレイを有することも可能であろう。別の例として、スペーサ部材は、一部の孔が六角形であり、一部の孔が正方形であることも可能であろう。孔のサイズ、間隔、形状および/またはパターンは、スペーサ部材の表面にわたって変わっていてもよい。例えば、スペーサ部材の中心に向かって大きい孔を設け、端縁に向かって小さい孔を設けてもよい。別の例として、スペーサ部材は、スペーサ部材の一部分に六角形の孔の六角形のアレイを設け、スペーサ部材の別の一部分に正方形の孔の正方形のアレイを設けることも可能であろう。
孔は、任意の適切なパターンまたは配列に配置することができる。しかしながら、上述したように、状況によっては、スペーサ部材の孔全体にわたって振動することが可能な膜の面積を最大にするために、孔の間の間隔が大きすぎないことが好ましい。したがって、いくつかの実施形態では、孔は六方最密アレイに配置されている。いくつかの他の実施形態では、孔は正方格子状配列に配置されている。孔は、孔の間の間隔を最小にするのに適切な形状、すなわち実質的にモザイク状の(tessellating)形状を与えられてもよい。例えば、アレイが六方最密アレイである場合、孔は六角形状(すなわちハチの巣状配列)であってもよい。孔が正方格子状配列に配置される場合、孔は正方形状であってもよい。しかしながら、これは必ずしも当てはまらない。例えば、孔は、正方格子状配列または六方最密配列に配置された円状とすることも可能であろう。他の格子状配列が可能であり、いくつかの実施形態では、孔がランダムに配置されている。
前述した膜の張力に関連した利点があり得るため、膜の張力を最適化するように、トランスデューサの構造を最適化することが望ましい。このようにトランスデューサの性能に影響を及ぼし得る要因は、トランスデューサの製造段階で導入される膜の任意の張力である。例えば、バックプレーン、スペーサおよび膜を組み立てる際に、(例えば、本明細書で以下にさらに説明するように、各部材の端縁で、または各部材の表面にわたって)それらをともに結合して、膜に予張力を導入することができる。
膜の振動強度を最大化することが特に望ましい場合がある。なぜなら、これにより印加された静電電位に対する音響応答を最大にし得るからである。しかしながら、膜があまりにも大きく変位することがあれば、膜は、バックプレーン部材に接触する場合がある。スペーサ部材が存在することにより、膜が膜の表面全体にわたってバックプレーン部材に接触するのを防ぐため、膜がスペーサ部材の孔の中心に対応する小さい領域でバックプレーン部材に触れるのであれば、トランスデューサは依然として機能することになる。
いくつかの実施形態では、膜とバックプレーン部材との間に接触がない。したがって、いくつかの実施形態では、トランスデューサの製造時に膜に予張力が与えられることにより、静電電位がそのダイナミックレンジの最大に達するときに、膜の部分の変位がスペーサ部材の厚さよりも小さいか、またはスペーサ部材の厚さと実質的に等しい。
反対に、いくつかの実施形態では、膜がバックプレーンに触れている。膜に予張力が与えられて、電位が印加されている時間の一部またはすべての間に、膜とバックプレーンとの間の接触が可能になり得る。例えば、電位が高い場合にのみ、膜はバックプレーンに触れることができる。あるいは、電位が印加されている間、膜は、バックプレーンと接触したままで、電位の変化に応じて移動することができる。その結果、バックプレーンと接触する面積は、膜の移動につれて変わる。
所望の膜の予張力は、スペーサ部材の厚さにある程度まで依存し得ることが上記から分かるであろう。スペーサ部材は、任意の適切な厚さを有することができる。しかしながら、スペーサ部材の厚さは、15μm〜3mm、例えば0.1mm〜1mm、例えば約0.5mmとすることができる。上述したように、バックプレーン、スペーサおよび膜は、それらの端縁で結合することができる。それに加えてまたはその代わりに、これらの部材は、部分的にまたはそれらの表面全体にわたってともに結合することができる。例えば、部材は、部材にわたって間隔を置いて配置された結合線で結合することができる。別の例として、膜は、スペーサ部材のいくつかの孔の間の複数の離散点(discrete points)でスペーサ部材に結合することができる。バックプレーンとスペーサ部材との間で結合してもよく、スペーサ部材と膜との間で結合してもよく、またはバックプレーンとスペーサ部材との間およびスペーサ部材と膜との間の両方で結合してもよい。部材間の結合は、無視できる厚さとすることが可能であり、または部材同士を分離するさらなるスペーサの役割を果たすことも可能である。
バックプレーン、スペーサおよび膜はそれぞれ実質的に平坦なシートを備えることができる。
導電性のバックプレーン部材は、任意の適切な材料または材料の組み合わせで作ることができる。導電性のバックプレーン部材は、剛性とすることができるが、半剛性または可撓性であってもよい。例えば、バックプレーン部材は、ポリマーシートであって、その上に金属被覆(例えば気相成長)によって適用された導電性の層を有するポリマーシートを備える複合層とすることができる。導電性の層は、アルミニウムを含むことができる。あるいは、バックプレーン部材は、金属シートを備えることができる。いくつかの実施形態では、金属シートがアルミニウムである。バックプレーン部材は、任意の適切な厚さ、例えば0.2mm〜5mmの厚さ、例えば約1mmの厚さを有することができる。
バックプレーン部材の開口は、円形とすることができる。開口は、0.5mm〜2mm、例えば約1mmの(バックプレーン部材の正中面と平行な)最大横方向寸法を有することができる。開口間の間隔は0.5mm〜5mm、例えば約1mmとすることができる。開口間隔に言及するときに、本明細書で使用する「間隔」という用語は、例えば、隣接した開口の中心間の距離ではなく、隣接した開口の最も近い端縁間の距離(すなわち開口間の材料の厚さ)という意味を有する。
スペーサ部材は、任意の適切な材料または材料の組み合わせで作ることができるが、ポリマー、例えばマイラー(Mylar)(登録商標)から作ることが好ましい。スペーサ部材は、剛性、半剛性、または可撓性とすることができる。
いくつかの実施形態では、スペーサ部材は、電気絶縁性である。しかしながら、本出願人は、スペーサ部材が導電性である可能性も想定しており、例えば、電位が印加される絶縁性の基材上に重ねられた導電性の層を有することにより、膜がスペーサ部材の導電性の層に引きつけられる。これは、(バックプレーン膜に対する接近度と比較して、スペーサ部材上の導電性の層に対する膜の接近度が大きいため)さらに大きい引力が供給されるという利点をもたらすことができる。したがって、膜をスペーサ部材と接触させるために必要な電位が小さくてよい。導電性の層は、開口の壁の上方に延在してもよい。これは、導電性の層に対する膜の引力が、孔にまたがる膜の部分の移動に寄与し得るという利点をもたらし得る。
可撓性を有する導電性の膜は、任意の適切な材料または材料の組み合わせで作ることができる。膜は、すべて導電性の材料から作ることができ、または一部分のみを導電性の材料で作ることができる。例えば、膜は、電気絶縁性の層上に重ねられた導電性の層を備えることができる。膜は、金属被覆されたポリマーシートから作ることが好ましい。例えば、膜は、マイラー(登録商標)ポリマーシートであって、その上に金属被覆によって堆積されたアルミニウムの層を有するマイラー(登録商標)ポリマーシートから作ることができる。膜は厚さ4μm〜0.5mm、例えば厚さ6μm〜0.1mm、例えば厚さ約10μmとすることができる。
それぞれの部材の厚さは一定であってもよく、またはトランスデューサにわたって変わってもよい。
孔は、それぞれ最大横方向寸法が最小横方向寸法の2倍未満であってもよい。バックプレーン部材は、導電性とすることができる。スペーサ部材は、電気絶縁性とすることができる。使用時に、トランスデューサが、導電性の層と膜との間に静電引力のみを発生させる電位を印加するように構成されていることが好ましい。
次に、添付図面を参照して、例としてのみ、本発明の特定の好適な実施形態を説明する。
本発明の1つの実施形態によるトランスデューサの概略断面図であり、孔が貫通したスペーサ部材上にわたって配置された可撓性を有する導電性の膜の、ゼロ電位がトランスデューサに印加されているときの位置を示している。 図1のトランスデューサのスペーサ部材の平面図であり、スペーサ部材を貫通する孔を示している。 図1のトランスデューサの概略断面図であり、ゼロ以外の電位がトランスデューサに印加されているときの膜の位置を示している。 本発明の別の実施形態によるトランスデューサの概略断面図であり、導電性の層がスペーサ部材上に重ねられている。 図4のトランスデューサの概略断面図であり、ゼロ以外の電位がトランスデューサに印加されているときの膜の位置を示している。
図1は、厚さ1mmのバックプレーン部材102を備えるトランスデューサ100を示す。バックプレーン部材102は、アルミニウムシートから作られているが、他の材料または材料の組み合わせを用いることも可能であろう。バックプレーン部材上にわたって配置されているのは、絶縁性のスペーサ部材104である。スペーサ部材104は、厚さが0.3mmで、ポリマーマイラー(登録商標)から作られている。
スペーサ部材104上にわたって配置されているのは、複合膜106である。膜106は、厚さ10μmのポリマーシートを備え、その上にアルミニウム層110が金属被覆によって堆積されている。本実施形態では、アルミニウム層が、ポリマーシート108の、スペーサ部材104から離れる方向に向いた表面上に設けられている。しかしながら、他の実施形態では、膜は、ポリマー層の、スペーサ部材の方を向いている側に導電性の層を備えていてもよく、または2つのポリマーシートの間に導電性の層を挟むことも可能であろう。いくつかの実施形態では、複合膜の代わりに、単一の可撓性を有する導電性の膜が存在している場合もある。
バックプレーン部材102には、貫通開口112のアレイが設けられている。開口112は、直径が3mmで、開口間の間隔が2mmの円形である。貫通開口112は、規則的な正方格子状配列に配置されている。
スペーサ部材104には、貫通孔114のアレイが設けられている。図2に示されるように、貫通孔114は六角形状をしており、六方最密配列、すなわち、ハチの巣状配列に配置されている。それらは、(矢印Aによって示されるような頂点間の)最大横方向寸法が22mmであり、(端縁間の)最小横方向寸法が19mmである。孔114間の間隔が孔間壁116を画定する。孔間壁116は、(矢印Bによって示されるような)厚さが3mmである。
使用時に、様々な静電電位が、バックプレーン部材102、および膜106の導電性のアルミニウム層110に印加される。これは、図3に示されている。電位は、AC駆動信号(+/−200V)に加えられたDC電位(250V)で構成され、AC駆動信号は所望の音に対応している。このため、電位は、所望の音の波形に応じて50V〜450Vで変えることができる。電位により、バックプレーン部材102と膜106との間に、電位の強さによって左右される静電引力が発生する。膜106は、この力の結果、その周囲の空気を移動させながら、バックプレーン部材102の方に変位される部分118を有する。これにより、電気信号に対する音響応答が発生する。
バックプレーン部材102に接近するために、部分118が変形するにつれて、孔114にまたがる膜の部分118に張力が生じる。この張力により、部分118を付勢してその平衡位置の方に戻す付勢力が加えられる。その結果、電位が減少すると、張力に起因する付勢力により戻しばね効果がもたらされ、膜106の部分118をその平衡位置の方に戻すことにより、トランスデューサの音響性能を向上させる。
本実施形態では、部材102、104、106の間は結合されていない。しかしながら、他の実施形態では、部材102、104、106が接触している場合、それらを部分的に、またはその表面全体にわたってともに結合することも可能であろう。例えば、孔間壁116の上面に接触するいくつかの箇所で膜106を結合することも可能であろう。同様に、孔間壁116の底面に接触するいくつかの箇所で、またはすべての箇所でバックプレーン部材102をスペーサ部材104に結合することも可能であろう。
図4は、図1の実施形態の特徴に対応する特徴、すなわち、バックプレーン部材402と、バックプレーン部材402上にわたって配置されたスペーサ部材404と、複合膜406とを有するトランスデューサ400を示す。しかしながら、本実施形態では、それに加えて、導電性の金属層420が、スペーサ部材404全体にわたって被覆されている。本実施形態では、金属層420は実際には、バックプレーン部材402上にわたって続いており、その場合、バックプレーン部材が導電性である必要はない。スペーサ部材404の基材は、0.3mmの厚さで、ポリマーマイラー(登録商標)から作られている。導電性の層420が、スペーサ部材404およびバックプレーン部材402の金属被覆によって生成され、その結果、導電性の層420が、スペーサ部材404およびバックプレーン部材402の露出した上面、ならびにスペーサ部材404の孔の壁を覆っている。導電性の層は、部分的にバックプレーン部材402の開口の壁の下方へも延在する。他の実施形態では、別個の金属層をスペーサ部材およびバックプレーン部材に被覆することも可能であり、または金属層をスペーサ部材のみに被覆することも可能であろう。膜406は、厚さ10μmのポリマーシートを備え、その上にアルミニウム層110が金属被覆によって堆積されている。
使用時に、様々な静電電位が、導電性の層420および膜406の導電性のアルミニウム層410に印加される。これは、図5に示されている。電位は、AC駆動信号(+/−200V)に加えられたDC電位(250V)で構成され、AC駆動信号は所望の音に対応している。このため、電位は、所望の音の波形に応じて50V〜450Vで変えることができる。電位により、導電性の層420と膜406との間に、電位の強さによって左右される静電引力が発生する。膜406は、この力の結果、その周囲の空気を移動させながら、導電性の層420の方に、したがって、バックプレーン部材402の方に変位される部分418を有する。これにより、電気信号に対する音響応答が発生する。
導電性の層420に(したがってバックプレーン部材402に)接近するために、部分418が変形し、孔414にまたがる膜の部分418に張力が生じる。前の実施形態におけるように、この張力により、部分418を付勢してその平衡位置の方に戻す付勢力が加えられる。その結果、電位が減少すると、張力に起因する付勢力により戻しばね効果がもたらされ、膜406の部分418をその平衡位置の方に戻すことにより、トランスデューサの音響性能を向上させる。
2つの可能な実施形態のみが説明されていること、および本発明の範囲内で多くの変更形態および改良形態が可能であることが、当業者であれば分かるであろう。例えば、部材はそれぞれ、厚さが異なっていてもよく、または代替の材料から作られてもよい。孔は、様々な形状、サイズ、間隔またはパターンを有することも可能であり、および開口は、様々な形状、サイズ、間隔またはパターンを有することができる。

Claims (33)

  1. 貫通開口のアレイを有する導電性のバックプレーン部材と、
    前記バックプレーン部材上にわたって配置されたスペーサ部材であって、前記スペーサ部材を貫通する孔のアレイを有し、前記孔がそれぞれ最小横方向寸法の2倍未満の最大横方向寸法を有する、スペーサ部材と、
    前記スペーサ部材上にわたって配置された可撓性を有する導電性の膜と
    を備える、静電型トランスデューサであって、
    前記トランスデューサは、使用時に、前記バックプレーン部材と前記膜との間に静電引力を発生させる電位を印加することにより、前記スペーサ部材の前記孔にまたがる前記膜の部分を前記バックプレーン部材の方に移動させるように構成されている、静電型トランスデューサ。
  2. 貫通開口のアレイを有する導電性のバックプレーン部材と、
    前記バックプレーン部材上にわたって配置されたスペーサ部材であって、前記スペーサ部材を貫通する孔のアレイを有するスペーサ部材と、
    前記スペーサ部材上にわたって配置された可撓性を有する導電性の膜と
    を備える、静電型トランスデューサであって、
    前記トランスデューサは、使用時に、前記バックプレーン部材と前記膜との間に静電引力のみを発生させる電位を印加することにより、前記スペーサ部材の前記孔にまたがる前記膜の部分を前記バックプレーン部材の方に移動させるように構成されている、静電型トランスデューサ。
  3. 前記孔がそれぞれ最小横方向寸法の2倍未満の最大横方向寸法を有する、請求項2に記載の静電型トランスデューサ。
  4. 前記最大横方向寸法と前記最小横方向寸法との間の比率が1.5未満、好ましくは1.2未満である、請求項1または3に記載の静電型トランスデューサ。
  5. 前記膜が、ゼロ電位が印加されているときに前記スペーサ部材と接触しないように構成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  6. 前記膜が、前記スペーサ部材と接触して保持される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  7. 前記膜が、機械的な予張力、結合、および電位のうちの少なくとも1つによって、前記スペーサ部材と接触して保持される、請求項6に記載の静電型トランスデューサ。
  8. 前記トランスデューサは、使用時に、前記バックプレーン部材と前記膜との間に静電引力のみを発生させる電位を印加するように構成されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  9. 前記孔が、円形、六角形、正方形、および卵形からなる群から選択される形状を有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  10. 前記孔が、1mm〜50mm、好ましくは10mm〜40mm、より好ましくは20mm〜30mmの最大横方向寸法を有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  11. 前記孔が、前記バックプレーン部材の前記開口の最大横方向寸法の2倍〜50倍、好ましくは10倍〜40倍、より好ましくは20倍〜30倍の最大横方向寸法を有する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  12. 前記スペーサ部材の前記孔の間の間隔が、1mm〜5mm、好ましくは2mm〜4mm、より好ましくは約3mmである、請求項1〜11のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  13. 前記スペーサ部材のすべての孔が、同じサイズおよび形状を有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  14. 前記孔のアレイのいくつかの孔が、前記孔のアレイの他の孔とは異なるサイズおよび異なる形状のうちの少なくも一つを有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  15. 前記孔のサイズ、間隔、形状およびパターンのうちの少なくとも一つが、前記スペーサ部材の表面にわたって変わる、請求項1〜14のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  16. 前記孔が六方最密アレイに配置されている、請求項1〜15のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  17. 前記孔が正方格子状配列に配置されている、請求項1〜15のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  18. 前記孔が実質的にモザイク状の形状を有する、請求項1〜17のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  19. 前記膜に予張力を導入するように、前記バックプレーン、スペーサおよび膜がともに結合されている、請求項1〜18のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  20. 前記膜に予張力が与えられ、その結果、静電電位がそのダイナミックレンジの最大に達するときに、前記膜の前記部分の変位が前記スペーサ部材の厚さよりも小さいか、または前記スペーサ部材の厚さと実質的に等しい、請求項1〜19のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  21. 前記膜に予張力が与えられて、電位が印加されている時間の一部またはすべての間に、前記膜と前記バックプレーンとの間の接触が可能になる、請求項1〜19のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  22. 前記スペーサ部材の厚さが、15μm〜3mm、好ましくは0.1mm〜1mmである、請求項1〜21のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  23. 結合が、前記バックプレーン部材と前記スペーサ部材との間、前記スペーサ部材と前記膜との間、または前記バックプレーン部材と前記スペーサ部材との間および前記スペーサ部材と前記膜との間の両方で行われる、請求項1〜22のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  24. 前記バックプレーン、スペーサ部材および膜がそれぞれ実質的に平坦なシートを備える、請求項1〜23のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  25. 前記バックプレーン部材が、ポリマーシートであって、その上に金属被覆によって適用された導電性の層を有するポリマーシートを備える複合層である、請求項1〜24のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  26. バックプレーン部材が0.2mm〜5mmの厚さである、請求項1〜25のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  27. 前記開口が0.5mm〜2mmの最大横方向寸法を有する、請求項1〜26のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  28. 前記開口間の間隔が0.5mm〜5mmである、請求項1〜27のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  29. 前記スペーサ部材がポリマーから作られている、請求項1〜28のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  30. 前記スペーサ部材が、絶縁性の基材上に重ねられた導電性の層を備える、請求項1〜29のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  31. 前記可撓性を有する導電性の膜が、電気絶縁性の層上に重ねられた導電性の層を備える、請求項1〜30のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  32. 前記膜が厚さ4μm〜0.5mm、好ましくは厚さ6μm〜0.1mmである、請求項1〜31のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
  33. 各部材の厚さが前記トランスデューサにわたって変わる、請求項1〜32のいずれか一項に記載の静電型トランスデューサ。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2522932A (en) 2014-02-11 2015-08-12 Warwick Audio Technologies Ltd Improved electrostatic transducer
CA2991319A1 (en) * 2015-07-08 2017-01-12 Performance Indicator, Llc Led panel lighting system
CN106714055B (zh) * 2016-12-31 2019-04-19 苏州清听声学科技有限公司 背极板多通道静电式换能器
GB201906425D0 (en) 2019-05-07 2019-06-19 Warwick Acoustics Ltd Electrostatic transducer and diaphragm

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030123683A1 (en) * 2000-03-07 2003-07-03 George Raicevich Double-capacitor microphone
JP2007067483A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Yamaha Corp コンデンサマイクロホン及びコンデンサマイクロホンの製造方法
JP2008022501A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Yamaha Corp コンデンサマイクロホン及びその製造方法
JP2010034779A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Yamaha Corp 静電型スピーカ
JP2012028900A (ja) * 2010-07-21 2012-02-09 Yamaha Corp コンデンサマイクロホン
US20130044905A1 (en) * 2011-08-18 2013-02-21 National Taiwan University Electret loudspeaker device
JP2013058889A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Sony Corp 電気音響変換器およびアレイ状電気音響変換装置ならびに電気音響変換システム

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB228176A (en) 1924-01-22 1926-07-22 Ernst Hueter Improvements in vibratory diaphragms
US2975243A (en) * 1958-01-17 1961-03-14 Philco Corp Transducers
US3895193A (en) 1968-04-29 1975-07-15 Pond Chester C Cross-over network and bias voltage supply for dynamic-electrostatic speaker system
JPS5121791B2 (ja) 1972-08-04 1976-07-05
JPS5419172B2 (ja) 1973-07-23 1979-07-13
US3935397A (en) 1974-01-28 1976-01-27 Electronic Industries, Inc. Electrostatic loudspeaker element
US3992585A (en) 1975-10-06 1976-11-16 Koss Corporation Self-energizing electrostatic loudspeaker system
US4533794A (en) 1983-05-23 1985-08-06 Beveridge Harold N Electrode for electrostatic transducer
JPS60157399A (ja) 1984-01-27 1985-08-17 Audio Technica Corp コンデンサマイクロホン
JPS6046196A (ja) 1984-06-12 1985-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd スピ−カ用振動板
US5161128A (en) 1990-11-30 1992-11-03 Ultrasonic Arrays, Inc. Capacitive transducer system and method
WO1993001691A1 (en) 1991-07-11 1993-01-21 Driver Michael L Electrolytic loudspeaker assembly
JP3277498B2 (ja) 1992-10-24 2002-04-22 ソニー株式会社 スピーカ装置
DE4425901A1 (de) 1994-07-21 1996-01-25 Siemens Ag Regelverstärker zur Steuerung einer hochohmigen Niedersapnnungsquelle
US5973368A (en) 1996-06-05 1999-10-26 Pearce; Lawrence G. Monolithic class D amplifier
WO1998035529A2 (en) 1997-02-07 1998-08-13 Sri International Elastomeric dielectric polymer film sonic actuator
US6044160A (en) 1998-01-13 2000-03-28 American Technology Corporation Resonant tuned, ultrasonic electrostatic emitter
US6201874B1 (en) 1998-12-07 2001-03-13 American Technology Corporation Electrostatic transducer with nonplanar configured diaphragm
US6628791B1 (en) 1999-10-29 2003-09-30 American Technology Corporation Signal derived bias supply for electrostatic loudspeakers
US6321428B1 (en) 2000-03-28 2001-11-27 Measurement Specialties, Inc. Method of making a piezoelectric transducer having protuberances for transmitting acoustic energy
US7095864B1 (en) 2000-09-02 2006-08-22 University Of Warwick Electrostatic audio loudspeakers
US20020135272A1 (en) * 2001-01-02 2002-09-26 Minoru Toda Curved film electrostatic ultrasonic transducer
US20020141606A1 (en) 2001-02-09 2002-10-03 Richard Schweder Power supply assembly
GB2413027A (en) 2004-04-01 2005-10-12 Steve Kelsey Bias for electrostatic loudspeaker is dependent upon signal level
US7595580B2 (en) 2005-03-21 2009-09-29 Artificial Muscle, Inc. Electroactive polymer actuated devices
JP4793174B2 (ja) 2005-11-25 2011-10-12 セイコーエプソン株式会社 静電型トランスデューサ、回路定数の設定方法
JP4867565B2 (ja) 2005-11-29 2012-02-01 セイコーエプソン株式会社 容量性負荷の駆動回路、および超音波スピーカ
GB0600014D0 (en) 2006-01-03 2006-02-08 Warwick Audio Technologies Ltd Electrostatic loudspeakers
RU2440693C2 (ru) 2006-01-03 2012-01-20 Транспарент Саунд Текнолоджи БИ.ВИ.,NL Электростатические акустические системы и способы
US8670581B2 (en) * 2006-04-14 2014-03-11 Murray R. Harman Electrostatic loudspeaker capable of dispersing sound both horizontally and vertically
JP2008085507A (ja) 2006-09-26 2008-04-10 Matsushita Electric Works Ltd 音響センサ並びにそれを備えた音響モジュール
CN101256900A (zh) 2006-09-29 2008-09-03 三洋电机株式会社 驻极体元件及具备该驻极体元件的静电感应型转换装置
JP2008172696A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 音響検出機構及びその製造方法
DE102007007957A1 (de) 2007-02-17 2008-08-21 Lyttron Technology Gmbh Lautsprecher aufgebaut aus Folien
US8559660B2 (en) 2007-07-12 2013-10-15 Industrial Technology Research Institute Electrostatic electroacoustic transducers
JP2009038637A (ja) 2007-08-02 2009-02-19 Yamaha Corp 静電型スピーカ
TW200908542A (en) 2007-08-10 2009-02-16 Richtek Technology Corp Driving device for electrostatic loudspeaker
US8300858B2 (en) 2007-09-27 2012-10-30 Yamaha Corporation Electrostatic speaker
JP5262288B2 (ja) 2007-09-27 2013-08-14 ヤマハ株式会社 静電型スピーカ
JP5169208B2 (ja) 2007-12-21 2013-03-27 ヤマハ株式会社 ワイヤレススピーカ装置
JP2009284397A (ja) 2008-05-26 2009-12-03 Yamaha Corp 静電型スピーカ
JP2009296125A (ja) 2008-06-03 2009-12-17 Yamaha Corp 静電型スピーカ
TWI330501B (en) * 2008-06-05 2010-09-11 Ind Tech Res Inst Flexible electret transducer assembly, speaker and method of making a flexible electret transducer assembly
CN101651915B (zh) 2008-08-13 2013-07-24 宏达国际电子股份有限公司 电子装置及其电声换能器
TW201038086A (en) * 2009-04-09 2010-10-16 Ind Tech Res Inst Electrostatic speaker
US8666097B2 (en) 2009-09-30 2014-03-04 Yamaha Corporation Electrostatic speaker
CN201657310U (zh) * 2010-03-08 2010-11-24 瑞声微电子科技(常州)有限公司 Mems麦克风
TW201204062A (en) 2010-07-15 2012-01-16 Taiwan Electrets Electronics Co Ltd Electrostatic speaker and manufacturing method thereof and conducting plate of the speaker
US20120051564A1 (en) * 2010-08-31 2012-03-01 Industrial Technology Research Institute Flat speaker structure and manufacturing method thereof
GB2490931A (en) * 2011-05-19 2012-11-21 Warwick Audio Technologies Ltd Electrostatic acoustic transducer
US20130044899A1 (en) * 2011-08-15 2013-02-21 Harman International Industries, Inc. Dual Backplate Microphone
CN102355619A (zh) 2011-08-15 2012-02-15 董斌 一种平板静电扬声器
GB2522932A (en) 2014-02-11 2015-08-12 Warwick Audio Technologies Ltd Improved electrostatic transducer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030123683A1 (en) * 2000-03-07 2003-07-03 George Raicevich Double-capacitor microphone
JP2007067483A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Yamaha Corp コンデンサマイクロホン及びコンデンサマイクロホンの製造方法
JP2008022501A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Yamaha Corp コンデンサマイクロホン及びその製造方法
JP2010034779A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Yamaha Corp 静電型スピーカ
JP2012028900A (ja) * 2010-07-21 2012-02-09 Yamaha Corp コンデンサマイクロホン
US20130044905A1 (en) * 2011-08-18 2013-02-21 National Taiwan University Electret loudspeaker device
JP2013058889A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Sony Corp 電気音響変換器およびアレイ状電気音響変換装置ならびに電気音響変換システム

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