JP2017504080A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 膜層と、
   支持メッシュと、を備え、
   前記膜層及び前記支持メッシュは、１０％未満のＥＵＶ（極紫外線）光吸収率のモノリシック構造を形成し、
   前記膜層は、金属‐セラミック組成物で構成される、装置。
2. 前記金属‐セラミック組成物は、ジルコニウムと、ジルコニウムジボライドと、を含む、請求項１記載の装置。
3. 前記ＥＵＶ光の波長は、１３．５ナノメータとする、請求項１記載の装置。
4. 前記膜層の厚さは、２０〜２５ナノメータ未満又はそれと同等とする、請求項１記載の装置。
5. 前記支持メッシュの各バーは、０．５〜２ミクロンの幅を有する、請求項１記載の装置。
6. 前記支持メッシュの各バーは、５０〜２００ナノメータの厚さを有する、請求項１記載の装置。
7. 前記支持メッシュの各バーは、２０〜３００ミクロンのピッチを有する、請求項１記載の装置。
8. 前記支持メッシュは、ホウ素メッシュを含む、請求項１記載の装置。
9. 前記支持メッシュは、平均０．３パーセント〜４パーセントのＥＵＶ光吸収率とする、請求項１記載の装置。
10. 前記支持メッシュは、ジルコニウム、ホウ素、ジルコニウムジボライド、炭素、ケイ素、ニオビウム、及びモリブデンから成る組、並びにその組み合わせから選択された材料である、請求項１記載の装置。
11. 前記支持メッシュは、前記膜層に構造上の支持を付与するように構成され、更に前記膜層における亀裂を捕捉するように機能する、請求項１記載の装置。
12. 前記支持メッシュは、六角形構造を備える、請求項１１記載の装置。
13. ＥＵＶ透過膜装置を組み立てる方法であって、
    ＥＵＶ透過材料の均一で薄い膜層を基板に堆積させるステップと、
    前記膜層より上からフォトレジスト層を堆積させるステップと、
    １つのマスクのパターンに従って前記ＥＵＶ光源によってフォトレジストを溶かし、メッシュの所望形状が得られるような態様とするステップと、
    支持メッシュ材料をマスクに充填し、前記支持メッシュ材料が前記膜層の材料に接合してモノリシック構造を形成するような態様とするステップと、を含み、
    前記構造は、１０パーセント未満のＥＵＶ光吸収率とし、
    前記堆積された膜材料は、金属‐セラミック組成物で構成される、方法。
14. ＥＵＶ光は、１３．５ナノメータの波長を有する、請求項１３記載の方法。
15. 前記金属‐セラミック組成物は、ジルコニウムと、ジルコニウムジボライドとを含む、請求項１３記載の方法。
16. 前記膜層の厚さは、２０〜２５ナノメータ未満又はそれと同等とする、請求項１３記載の方法。
17. 前記所望の形状は、六角形構造である、請求項１３記載の方法。
18. 前記支持メッシュは、ジルコニウム、ホウ素、ジルコニウムジボライド、炭素、ケイ素、ニオビウム、及びモリブデンから成る組、並びにその組み合わせから選択された材料とする、請求項１３記載の方法。