JP2017228595A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコン基板の表面に最適なテクスチャ構造を形成することができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板に対して付着工程、第1エッチング工程、第2エッチング工程を順番に行う。付着工程では、フッ化水素酸と硝酸銀とを水に含有させた第1水溶液にシリコン基板を浸漬し、シリコン基板の表面に銀を析出する。第1水溶液は、硝酸銀のモル濃度が9×10−5(mol/L)以上1×10−3(mol/L)以下の範囲内に調製される。第1エッチング工程では、フッ化水素酸と過酸化水素とを水に含有させた第2水溶液にシリコン基板を浸漬し、析出している銀を触媒にしてシリコン基板をエッチングし、シリコン基板の表面に多数の細孔を形成して多孔質化する。第2エッチング工程では、フッ化水素酸と硝酸とを水に含有させた第1水溶液にシリコン基板を浸漬しエッチングすることで、細孔の深さ開口サイズを大きくする。
【選択図】図2
【解決手段】シリコン基板に対して付着工程、第1エッチング工程、第2エッチング工程を順番に行う。付着工程では、フッ化水素酸と硝酸銀とを水に含有させた第1水溶液にシリコン基板を浸漬し、シリコン基板の表面に銀を析出する。第1水溶液は、硝酸銀のモル濃度が9×10−5(mol/L)以上1×10−3(mol/L)以下の範囲内に調製される。第1エッチング工程では、フッ化水素酸と過酸化水素とを水に含有させた第2水溶液にシリコン基板を浸漬し、析出している銀を触媒にしてシリコン基板をエッチングし、シリコン基板の表面に多数の細孔を形成して多孔質化する。第2エッチング工程では、フッ化水素酸と硝酸とを水に含有させた第1水溶液にシリコン基板を浸漬しエッチングすることで、細孔の深さ開口サイズを大きくする。
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Description
本発明は、太陽電池の製造方法に関し、特にシリコン基板の表面に微細な凹凸を形成する方法に関するものである。
石炭や石油などの代替エネルギーとして、クリーン、かつ無尽蔵なエネルギー源として太陽光が注目されており、当該太陽光の光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池の普及が一層期待されている。
太陽電池の表面には、その表面の反射を低減して太陽光を効果的に取り込む役割を有する微細な無数の凹凸、すなわちテクスチャ構造が形成されている。単結晶シリコンの場合、アルカリ液を用いてシリコン(Si)の(100)面をエッチングすることにより、容易にピラミッド形状のテクスチャ構造を得ることができる。一方、多結晶シリコンの場合は、シリコン基板の表面に種々の結晶方位が出現しているため、単結晶シリコンのようにシリコン基板の表面全体に均一なテクスチャ構造を形成することは難しい。
多結晶シリコンからなるシリコン基板の表面にテクスチャ構造を形成する方法として、金属イオンを含有する、酸化剤(例えば過酸化水素(H2O2))とフッ化水素酸の混合水溶液に、シリコン基板を浸すことにより、シリコン基板の表面を多孔質化する方法(例えば、特許文献1)が開示されている。この方法では、混合水溶液中に浸漬されたシリコン基板の表面に金属を析出し、その金属を酸化剤の還元触媒として作用させてシリコンの酸化的溶解を促進することで、あたかも析出した金属がシリコン基板に孔を掘り進めるようにして多数の細孔を形成している。また、金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液にシリコン基板を浸漬して当該シリコン基板表面を多孔質化する第1工程と、第1工程を経たシリコン基板表面をフッ化水素酸及び硝酸を主とした混酸に浸漬してエッチングしてテクスチャ構造を形成する第2工程とを備える方法(例えば、特許文献2)が開示されている。
ところで、上記特許文献1及び2では、いずれも金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液にシリコン基板を浸すことにより、当該シリコン基板の表面において金属の析出と、その析出した金属を触媒とする細孔の形成とを同時進行させている。このため、形成される細孔の深さや孔径のバラツキが大きくなり、結果としてテクスチャ構造の凹部の深さや大きさ(開口サイズや内径)のバラツキが大きくなり、シリコン基板の表面での反射を十分に低減できなかった。
本発明は、シリコン基板の表面に最適なテクスチャ構造を形成することができる太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成する太陽電池の製造方法において、フッ化水素酸と硝酸銀とを含有し、硝酸銀のモル濃度が9×10−5(mol/L)以上1×10−3(mol/L)以下の範囲内である第1水溶液に、シリコン基板を浸漬し、銀をシリコン基板表面に付着する付着工程と、フッ化水素酸と過酸化水素とを含有する第2水溶液に、付着工程を経たシリコン基板を浸漬し、銀の触媒反応によりシリコン基板の表面をエッチングする第1エッチング工程とを有するものである。
本発明によれば、硝酸銀のモル濃度が9×10−5(mol/L)以上1×10−3(mol/L)以下の範囲内に調製された第1水溶液にシリコン基板を浸漬することによって銀をシリコン基板の表面に付着した後に、酸化剤を含む第2水溶液にシリコン基板を浸漬するので、酸化剤を含まずフッ化水素酸により銀イオンが均一分散する第1水溶液中でシリコン基板の表面に銀が均一に付着し、酸化剤を含む第2水溶液中で銀の触媒反応によりシリコン基板の表面をエッチングされる。これにより、凹部の深さや大きさ(開口サイズや内径)のバラツキが小さく、しかもシリコン基板の表面の反射を十分に低減することができる最適なテクスチャ構造をシリコン基板の表面に形成することができる。
図1において、太陽電池10は、シリコン基板12と、受光面10a側のシリコン基板12の表面に形成された拡散層13と、拡散層13を覆うように形成された反射防止膜14とを有している。例えば、シリコン基板12はp型半導体であり、拡散層13は、シリコン基板12の表面に不純物を拡散することで形成されたn型半導体層である。これらシリコン基板12と拡散層13によってPN接合が形成されている。反射防止膜14は、例えば化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法などで形成される酸化チタン(TiO2)や窒化シリコン(SiN)の単層構造の薄膜であり、光の反射を抑制する。さらに、図示を省略するが、太陽電池10は、受光面10aに設けられたグリッド電極や、シリコン基板12の裏面側に積層された裏面電界層、裏面電極を有している。
太陽電池10の受光面10aは、微細な凹凸からなるテクスチャ構造を有している。周知のように、テクスチャ構造は、表面反射損失の低減,光閉込め効果による光吸収の増大を図るものであり、入射した光が透過・反射を繰り返し、その結果、平坦な受光面に比べ、より多くの光をPN接合に導く。テクスチャ構造は、その凹部の深さや密度が均一である方が不均一であるよりも入射した光を効率的に閉じ込められることが一般に知られている。なお、テクスチャ構造の凹部の深さは、テクスチャ構造の凹凸の高低差である。
上記受光面10aのテクスチャ構造は、シリコン基板12の表面のテクスチャ構造を反映したものであり、受光面10aのテクスチャ構造とシリコン基板12の表面のテクスチャ構造とは実質的に同じである。このシリコン基板12のテクスチャ構造の形成方法について、図2を参照して説明する。なお、以下に説明する各工程の間では、シリコン基板12に対して水洗浄を行う。
まず、ダメージ層除去工程においてダメージ層を除去する(ステップSP1)。このダメージ層除去工程では、シリコン基板12のダメージ層を、アルカリ溶液にシリコン基板12を浸漬することにより除去する。ダメージ層の除去に用いられるアルカリ溶液としては、例えば水酸化ナトリウム(NaOH)水溶液が用いられる。
ダメージ層除去工程後、第1水溶液にシリコン基板12を浸漬することにより、シリコン基板12の表面に銀を付着させる付着工程を実施する(ステップSP2)。第1水溶液は、フッ化水素酸(HF)と硝酸銀(AgNO3)とを含有する水溶液である。第1水溶液は、フッ化水素酸によって酸性を示し、硝酸銀の銀が銀イオンの状態で存在する。この第1水溶液中にシリコン基板12を浸漬すると、シリコン基板12の表面に銀が析出する。この銀の析出は、第1水溶液中の銀イオンが電子を得る還元反応であり、その分の電子がシリコン基板12のシリコン(Si)から引き抜かれるため、シリコンの溶解が発生する。このため、シリコン基板12の表面に形成される微細な窪みであるピットに入り込むように銀が析出する。
第1水溶液中の各銀イオンは、相互の電荷の反発力によって、第1水溶液中で凝集することがなく高い分散性をもって存在するため、シリコン基板12の表面に銀を均一に分散させて析出させることができ、析出する銀の大きさ(粒径)のバラツキも小さい。また、第1水溶液中のフッ化水素酸により、シリコン基板12の表面のシリコンの自然酸化膜が除去され、シリコン基板12の表面への銀イオンの付着が促進される。
付着工程は、シリコン基板12の表面に銀を付着(銀を析出)するための工程であり、銀を触媒としたエッチングによってシリコン基板12の表面を多孔質化するものではない。したがって、第1水溶液には、銀を触媒としたエッチングを進めるための、例えば過酸化水素(H2O2)のような酸化剤を含んでいない。
この付着工程は、エッチングによるシリコン基板12の表面の多孔質化に先立ち、銀イオンを含有する第1の水溶液にシリコン基板12を浸漬し、当該シリコン基板12表面に銀を付着させる。すなわち、シリコン基板12の表面への銀の付着とエッチングによる多孔質化とを同時に行っていない。これにより、シリコン基板12の表面への銀の付着とエッチングによる多孔質とを同時に行う従来手法に比べ、銀を均一にシリコン基板12の表面に付着させることができる。
テクスチャ構造によって光の反射を十分に小さくするために、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度(単位体積の第1水溶液中の硝酸銀の物質量)は、9×10−5(mol/L)以上1×10−3(mol/L)以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは1×10−4(mol/L)以上8×10−4(mol/L)以下の範囲内であり、特に好ましくは2×10−4(mol/L)以上3×10−4(mol/L)以下の範囲内である。このように、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度を調製することで、テクスチャ構造の凹部の深さや大きさ(開口サイズや内径)のバラツキが小さく、しかも深さの大きい凹部を高い密度で形成することができ、テクスチャ構造によって光の反射を十分に小さくすることができる。
第1水溶液におけるフッ化水素のモル濃度は、0.1(mol/L)以上10(mol/L)以下の範囲内であることが好ましい。このような数値に第1水溶液におけるフッ化水素のモル濃度を調製することによって、銀イオンの分散性、シリコン基板12の表面への銀の付着し易さを最適化できる。
また、第1水溶液の温度は、20℃以上30℃以下の範囲内とすることが好ましく、この温度の範囲内において、第1水溶液への浸漬時間は、30秒以上120秒以下であることが好ましい。浸漬時間が、この範囲内であればシリコン基板12の表面への銀の付着量を過不足がない適正な範囲内とすることができる。
第1水溶液が収容された処理槽(図示省略)には、循環装置(図示省略)が接続されている。付着工程の前には、第1水溶液の温度を均一なものにするために、循環装置を作動させて処理槽内の第1水溶液を流動させて(流動工程)いるが、付着工程に先立ち循環装置を停止する(流動停止工程)。このようにして、付着工程においては、第1水溶液へのシリコン基板12の浸漬中に、循環装置による第1水溶液の流動をなくしている。これにより、シリコン基板12の表面に、反射率の悪化要因となる筋状の流痕が形成されることを防止している。流痕は、シリコン基板12の表面に付着した銀が第1水溶液の流動によってシリコン基板12の表面を移動することによって形成される。
付着工程の後に第1エッチング工程を実施する(ステップSP3)。第1エッチング工程では、フッ化水素酸と酸化剤としての過酸化水素とを含有する第2水溶液にシリコン基板12を浸漬し、銀の触媒作用によるエッチングを行って、シリコン基板12の表面を多孔質化する。すなわち、シリコン基板12の表面に析出した銀の触媒作用によって、過酸化水素水の還元反応を進め、ビットをあたかも銀で掘り進めるようにして細孔を形成する。この還元反応では、銀が接触している部分のシリコン基板12から電子が酸化剤に移動するため、銀が接触しているシリコン基板12の部分に正孔が生成されて酸化的溶解が起こる。これにより、シリコン基板12の表面の銀が付着していない部分については、エッチングをほとんど進めることなく、銀が付着している部分について、その銀の触媒作用により細孔を掘り進めるようにして形成する。
シリコン基板12の表面に析出した多数の銀によって多数の細孔が形成されて、シリコン基板12の表面が多孔質化される。付着工程で銀が析出した状態のシリコン基板12に対して、上記のように析出された銀の触媒作用を用いてエッチングを行うから、多孔質化されたシリコン基板12の表面の各細孔の深さや孔径のバラツキは小さい。
第2水溶液におけるフッ化水素のモル濃度は、0.5(mol/L)以上50(mol/L)以下の範囲内であることが好ましい。
この第1エッチング工程におけるシリコン基板12の浸漬時間及びフッ化水素と過酸化水素の比率を制御することにより、触媒反応により形成される細孔の深さ、孔径を制御することができる。過酸化水素水は、銀よりシリコン基板12から電子を奪う力が強く、過酸化水素のモル濃度が大きくなると、深さに対する細孔の径の比が大きくなる傾向にある。より確実に多孔質層3を形成するため、第2水溶液におけるフッ化水素のモル濃度に対する過酸化水素のモル濃度の比率は、10%以上25%以下であることが好ましい。フッ化水素のモル濃度に対する過酸化水素水のモル濃度の比率が25%以下であれば、銀の触媒作用によるエッチング速度に比べて過酸化水素水によるエッチング速度を遅くでき、シリコン基板の表面全体が平坦化されることなく細孔を形成することができる。一方、フッ化水素のモル濃度に対する過酸化水素水のモル濃度の比率が10%以上であれば、径を大きくしつつ細孔を堀り進めることができる。
また、第2水溶液の温度は、20℃以上30℃以下の範囲内とすることが好ましく、この温度の範囲内において、第2水溶液への浸漬時間は、30秒以上120秒以下であることが好ましい。第2水溶液への浸漬時間は、30秒以上であれば十分な深さの細孔を形成することができ、120秒以下であれば光閉込め効果が高いテクスチャ構造を得る上で良好な深さの細孔を形成することができる。なお、第2水溶液は、エッチングによりシリコン基板12の表面を多孔質化することのみを目的としており、シリコン基板12の表面に銀を付着させることを目的としていないため、銀やその他の金属を含有しない。
なお、第2水溶液は、シリコン基板12の処理数の増加にともなってフッ化水素酸または過酸化水素水の濃度変化(組成変化)が生じた場合に交換する。この第2水溶液は、第1水溶液と異なり銀イオンを含むものではないから、従来のように銀イオンを含む水溶液のような交換、廃棄処理を必要としない。
第1エッチング工程後、第2エッチング工程を行う(ステップSP4)。この第2エッチング工程では、フッ化水素酸と硝酸とを含有する第3水溶液にシリコン基板12を浸漬してエッチングする。これにより、細孔の内面を含めてシリコン基板をエッチングし、各細孔の径を拡大してシリコン基板12をマクロポーラス化する。また、これと同時に、シリコン基板12に付着している銀を第3水溶液に溶解して除去する。なお、溶解した銀がシリコン基板の表面に再付着することがあるので、最終的には後述する金属除去工程により除去する。
シリコン基板12に形成された細孔は、第3水溶液によってエッチングされることで、その深さ及び大きさが大きくなり、テクスチャ構造の凹部となる。第1エッチング工程で多孔質化されたシリコン基板12の各細孔は、その深さ、大きさのバラツキが小さいので、テクスチャ構造の凹部についても、深さ、大きさのバラツキが小さくなる。したがって、テクスチャ構造の凹部の深さや大きさのバラツキが小さいテクスチャ構造が形成される。
第3水溶液におけるフッ化水素のモル濃度は、0.1(mol/L)以上10(mol/L)以下の範囲内であることが好ましい。また、第3水溶液における硝酸のモル濃度は、0.5(mol/L)以上50(mol/L)以下の範囲内であることが好ましい。さらに、第3水溶液の温度は、20℃以上30℃以下の範囲内とすることが好ましく、この温度の範囲内において、第3水溶液への浸漬時間は、40秒以上120秒以下であることが好ましい。第3水溶液への浸漬時間が40秒以上であれば、凹部の深さ、大きさが十分なテクスチャ構造を形成することができ、120秒以下であれば、凹部の深さ、大きさが必要以上に拡大せずに光閉込め効果が良好なテクスチャ構造を形成することができる。
第2エッチング工程の後に、ステイン除去工程を行う(ステップSP5)。ここで、ステインとは、上記第1、第2エッチング工程で生じたシリコンの残渣やヘキサフルオロケイ酸(H2SiF6)等の副生成物である。このステイン除去工程では、アルカリ性の第4水溶液にシリコン基板12を浸漬することによって、シリコン基板12の表面上のステインを除去する。アルカリ薬液としては、例えば水酸化カリウム水溶液を用いることができる。水酸化カリウム水溶液の水酸化カリウムのモル濃度が8.6(mol/L)である場合、浸漬時間は、例えば10秒とすればよい。
ステイン除去工程に続いて、金属除去工程を行う(ステップSP6)。この金属除去工程では、第5水溶液にシリコン基板12を浸漬することによって、シリコン基板12に付着している金属を除去する。除去される金属としては、第2エッチング工程で再付着した銀が主であるが、この他にもシリコン基板12に付着している金属(例えば、銅(Cu)やアルミニウム(Al))があれば、これらも除去される。第5水溶液としては、フッ化水素酸と塩酸との水溶液や、塩酸と過酸化水素との水溶液を用いることができる。フッ化水素酸と塩酸との水溶液の場合は、液温を20℃以上30℃以下の範囲とし、塩酸と過酸化水素との水溶液の場合は、液温を40℃以上とするのがよい。また、浸漬時間は、いずれの水溶液の場合でも、例えば3分とすればよい。
上記のようにして、シリコン基板12の表面にテクスチャ構造が形成される。この形成されるテクスチャ構造は、テクスチャ構造の凹部の深さや大きさのバラツキが小さい。しかも、上記のように第1水溶液における硝酸銀のモル濃度を調製することにより、深さの大きい凹部を高い密度で形成されるので、光の反射が十分に小さいテクスチャ構造が得られる。
テクスチャ構造の形成後、シリコン基板12の表面に、不純物を拡散させて拡散層13を形成し、その拡散層13上に反射防止膜14を形成する。さらにシリコン基板12に対してグリッド電極や裏面電界層、裏面電極を形成して太陽電池とする。
上述のように付着工程における第1水溶液の硝酸銀のモル濃度の違いは、シリコン基板12の表面の反射率、すなわち太陽電池10の受光面10aの反射率に影響を与える。この違いは、図3に模式的に示すように、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度の違いによる銀のシリコン基板12の表面上における密度の違いが、シリコン基板12のテクスチャ構造の凹部の密度のみならず凹部の深さにも影響するためと推測される。
図3Aは、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度が上述した範囲内であって適正な場合のテクスチャ構造の形成過程を示している。第1水溶液中の銀イオン21は、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度に応じた密度で分散している。このため、この第1水溶液中にシリコン基板12を浸漬すると、銀22がシリコン基板12の表面に硝酸銀のモル濃度に応じた密度で分散して析出する。なお、符号23a〜23cは、銀22の析出部分でシリコンが溶解することで形成されるピットである。
第1エッチング工程においては、上述のように、シリコン基板12の表面において銀22が付着していない部分のエッチングがほとんど進まないが、銀22が付着している部分は、銀22が触媒となってエッチングが進む。このため、ビット23aが深くなった細孔24aが形成される。第2エッチング工程では、細孔24aの孔径が拡大された凹部25aを有するテクスチャ構造が形成される。そして、このように形成されるテクスチャ構造は、凹部25aの密度が高い状態であり、多数の凹部25aの深さ及び大きさのバラツキが小さい構造となる。
一方、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度が適正な場合を基準として、硝酸銀のモル濃度が低ければ、図3Bに示すように、第1水溶液中の銀イオン21の密度が低く、付着工程において、シリコン基板12の表面に析出する銀22の密度が低い。この場合でも、第1エッチング工程においては銀22が付着していない部分ではエッチングがほとんど進まないが、銀22が付着している部分では、銀22が触媒となってエッチングが進み、シリコン基板12の表面に細孔24bが形成され、第2エッチング工程では、細孔24bの径が大きくなった凹部25bを有するテクスチャ構造が形成される。
ところで、硝酸銀のモル濃度が適正な場合に比べて、ビット23bに入る銀22の個数が少なくなるので、銀22の触媒作用によるエッチングが遅くなる。したがって、細孔24b及びこの細孔24bから形成される凹部24bが浅くなる。また、銀22のシリコン基板12の表面における密度が低いので、凹部25bの密度も低くなる。結果として、浅い凹部25bが小さい密度で形成されたテクスチャ構造となるため、シリコン基板12の表面での反射率が十分に低くならない。
また、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度が適正な場合を基準として、硝酸銀のモル濃度が高い場合には、図3Cに示すように、銀イオン21の第1水溶液中の密度が高いため、付着工程でシリコン基板12の表面に析出する銀22の個数が多くなり、表面における密度も高い。この場合、例えば、ビット23cを形成した銀22以外の銀22が、ビット23cの内面に析出する場合もある。そして、第1エッチング工程では、シリコン基板12の表面に高い密度で銀22が析出しているので、細孔24cが形成されるもののシリコン基板12の表面が全体的にエッチングされるような状態になり、その分だけ細孔24cが浅くなったり、あるいは隣接した細孔24c同士が連結されて1つになったりする。そして、第2エッチング工程で細孔24cの内面を含めてシリコン基板12の表面がエッチングされることによって形成されるテクスチャ構造の凹部25cは、かなり浅くまたかなり小さい。したがって、シリコン基板12の表面での反射率が十分に低くならない。
これに対して、硝酸銀のモル濃度が適正な場合のテクスチャ構造は、上記のように凹部25aの密度が高く、多数の凹部25aの深さ及び大きさのバラツキが小さい構造である。しかも、硝酸銀のモル濃度が適正値よりも低い場合に比べて細孔24aが深く形成され、また高い場合のように凹部が浅くなるようなことがないから、結果として凹部25aが十分な深さを持っている。したがって、シリコン基板12の表面の反射率を十分に低くすることができる。
(実施例)
次に、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度を変えてシリコン基板12にテクスチャ構造を形成した実施例1〜4について説明する。実施例1〜4は、上記の手順にしたがって、シリコン基板12の表面にテクスチャ構造を形成した。これら実施例1〜4では、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度が異なる他は、条件を同じにした。
次に、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度を変えてシリコン基板12にテクスチャ構造を形成した実施例1〜4について説明する。実施例1〜4は、上記の手順にしたがって、シリコン基板12の表面にテクスチャ構造を形成した。これら実施例1〜4では、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度が異なる他は、条件を同じにした。
付着工程で用いた第1水溶液は、フッ化水素酸と硝酸銀の水溶液とを水に混合して、フッ化水素と硝酸銀の各モル濃度を表1のように調製した。第1水溶液の液温は、室温(25℃±5)として、p型のシリコン基板12を浸漬した。第1水溶液に対するシリコン基板12の浸漬時間は、60秒とした。
付着工程後に、シリコン基板12を水洗浄してから第2水溶液に浸漬し、第1エッチング工程を行った。第1エッチング工程に用いる第2水溶液は、フッ化水素酸と過酸化水素の水溶液とを水に混合して、フッ化水素と過酸化水素の各モル濃度を表2に示すように調製した。第2水溶液の液温は、室温(25℃±5)とし、第2水溶液に対するシリコン基板12の浸漬時間を60秒とした。第1エッチング工程後、シリコン基板12を水洗浄してから、第3水溶液に浸漬し、第2エッチング工程を行った。第2エッチング工程に用いる第3水溶液は、フッ化水素酸と硝酸との各水溶液を水に混合して、フッ化水素と硝酸モル濃度を表2に示すように調製した。第3水溶液の液温は、室温(25℃±5)とし、第3水溶液に対するシリコン基板12の浸漬時間を40秒とした。
また、比較例1〜4として、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度を変えて、シリコン基板の表面にテクスチャ構造を形成した。比較例1〜4の第1水溶液の硝酸銀のモル濃度は、表1に示す通りである。なお、比較例1〜4における条件、手順は、硝酸銀のモル濃度が異なる他は、実施例1〜4と同じである。
実施例1〜4及び比較例1〜4の各シリコン基板の表面の絶対反射率とテクスチャ構造の凹部の深さを測定した。これらの測定は、第2エッチング工程後、シリコン基板を水洗浄し乾燥させてから行った。各測定結果を表1に示す。なお、テクスチャ構造の凹部の深さは、シリコン基板をへき開し、その断面をSEM(Scanning Electron Microscope:走査型電子顕微鏡)にて観察し、その付帯するスケールにて、各条件のそれぞれについて複数の凹部を測定した深さの平均値とした。シリコン基板の断面に凹部の最深部が現われているとは限られないので、観察される凹部内部の形状等から最深部と考えられる深さを測定した。
また、図4に、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度に対する絶対反射率のグラフを示し、図5に、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度に対するテクスチャ構造の凹部の深さのグラフを示す。なお、図4のグラフは、縦軸が波長700nmの光に対する絶対反射率(%)、図5のグラフは、縦軸がテクスチャ構造の凹部の深さ(nm)であり、図4、図5のグラフいずれも横軸が第1水溶液の硝酸銀のモル濃度(mol/L)である。図5では、グラフとともに実施例1、2、4と比較例1、3の各シリコン基板の表面のSEM画像を示してある。このSEM画像では、濃い部分ほど凹部の深さが大きい。さらに、図6に実施例1、2と比較例2、4の各シリコン基板の表面の波長に対する絶対反射率を測定した結果を示す。図6に示されるグラフ内には、実施例1、2と比較例2、4に対応させて銀(硝酸銀)のモル濃度を示してある。
上記の結果から、凹部の深さは、第1水溶液における銀、すなわち硝酸銀のモル濃度が3×10−4(mol/L)で最大となる。また、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度がモル濃度が3×10−4(mol/L)よりも小さくなると凹部の深さは急激に減少し、3×10−4(mol/L)より大きくなると凹部の深さは減少する。そして、第1水溶液における硝酸銀の濃度が9×10−5(mol/L)以上1×10−3(mol/L)以下の範囲内において、凹部の密度が高く、深さも大きい良好なテクスチャ構造が得られることがわかる。シリコン基板12の表面の反射率についても、凹部深さに対応して、第1水溶液における硝酸銀のモル濃度が3×10−4(mol/L)で最小となり、モル濃度が小さくなっても大きくなっても増加することがわかる。
上述のように、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度が3×10−4(mol/L)よりも小さい場合と比べて3×10−4(mol/L)以上である場合の第1水溶液の硝酸銀のモル濃度の変化に対する絶対反射率(%)及び凹部の深さの変化の割合が小さい。この点については、図4や図5のグラフにおける横軸(第1水溶液の硝酸銀のモル濃度)をリニアスケールに変換することで明確に確認することができる。このような、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度に対する絶対反射率(%)及び凹部の深さの変化の割合の違いは、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度を3×10−4(mol/L)よりも小さくするよりも、3×10−4(mol/L)以上となるように第1水溶液を調製するようにすれば、何らかの要因で第1水溶液の硝酸銀のモル濃度に多少の誤差や変動が生じても、シリコン基板12の表面の絶対反射率(%)及び凹部の深さの変動を小さく抑えられることを意味する。したがって、シリコン基板12の絶対反射率(%)及び凹部の深さのバラツキを小さく抑え、ひいては性能のバラツキを小さくした太陽電池10を製造するという観点から、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度(mol/L)を3×10−4(mol/L)以上とすることが好ましく、シリコン基板12の表面の反射率を十分に低くするという観点を考慮すれば、第1水溶液の硝酸銀のモル濃度(mol/L)を3×10−4(mol/L)以上1×10−3(mol/L)以下とすることが好ましい。
10 太陽電池
12 シリコン基板
21 銀イオン
22 銀
24a〜24c 細孔
25a〜25c 凹部
12 シリコン基板
21 銀イオン
22 銀
24a〜24c 細孔
25a〜25c 凹部
Claims (5)
- シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成する太陽電池の製造方法において、
フッ化水素酸と硝酸銀とを含有し、硝酸銀のモル濃度が9×10−5(mol/L)以上1×10−3(mol/L)以下の範囲内である第1水溶液に、前記シリコン基板を浸漬し、銀を前記シリコン基板表面に付着する付着工程と、
フッ化水素酸と過酸化水素とを含有する第2水溶液に、前記付着工程を経た前記シリコン基板を浸漬し、前記銀の触媒反応により前記シリコン基板の表面をエッチングする第1エッチング工程と
を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - フッ化水素酸と硝酸とを水に含有する第3水溶液に、前記第1エッチング工程を経た前記シリコン基板を浸漬してさらにエッチングする第2エッチング工程を有することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1水溶液は、フッ化水素のモル濃度が0.1(mol/L)以上10(mol/L)以下の範囲内であることを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第2水溶液は、過酸化水素のモル濃度がフッ化水素のモル濃度に対し10%以上25%以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第2エッチング工程を経た前記シリコン基板をアルカリ薬液に浸漬するステイン除去工程を有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
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