JP2017208059A - メモリデバイスにおける電力シグネチャ抑制のための方法及びシステム - Google Patents
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000001629 suppression Effects 0.000 title description 9
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 78
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 15
- 101001093025 Geobacillus stearothermophilus 50S ribosomal protein L7/L12 Proteins 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 7
- 101001105315 Bacillus subtilis (strain 168) 50S ribosomal protein L17 Proteins 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 101000575029 Bacillus subtilis (strain 168) 50S ribosomal protein L11 Proteins 0.000 description 2
- 102100035793 CD83 antigen Human genes 0.000 description 2
- 101000946856 Homo sapiens CD83 antigen Proteins 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/76—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
- G11C7/065—Differential amplifiers of latching type
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1048—Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
-
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1057—Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/106—Data output latches
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1066—Output synchronization
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- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1075—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
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- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
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- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
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- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
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Abstract
【解決手段】メモリアレイはデータを、ビット当たり2つのセルなど、ビット当たり偶数のセルに記憶し、そこで相補データ状態が各対のセルに記憶される。メモリアレイからアクセスされているデータにかかわらず同じ電力消費が発生するので、ビット線を介するメモリアレイの差動読出しは電力シグネチャを抑制する。相補データを下流の回路システムに提供するデータ出力バッファは、(相補出力バッファ対の)1つの出力バッファのみが常に各読出しサイクルで逆の論理状態に駆動されるように、あらゆる読出し動作の前に同じ論理状態にリセットされる。それ故に、メモリアレイから読み出され、出力バッファによって提供されているデータ状態にかかわらず、電力消費は同じままである。
【選択図】図3
Description
Claims (25)
- 半導体デバイスであって、
読出し動作において少なくとも1つのビット線からビットのデータを提供するための、ビット線及びワード線に接続されているメモリセルを有するメモリアレイと、
前記ビット線に結合されており、且つ前記少なくとも1つのビット線からの前記ビットのデータを検出するように構成されている出力経路回路であって、該出力経路回路は、第1の出力ポート及び第2の出力ポートを有し、該第1の出力ポート及び第2の出力ポートが前記少なくとも1つのビット線が検出される前に制御信号に応答して読出し動作においてリセット電圧レベルに選択的に駆動されるように構成されており、且つ前記検出されたビットのデータに対応する電圧レベルに前記第1の出力ポート及び第2の出力ポートの一方を駆動することによって前記検出されたビットのデータを出力するように構成されている出力経路回路と、
を備える半導体デバイス。 - 前記リセット電圧が第1の電圧源レベル(VDD)及び第2の電圧源レベル(VSS)の一方である、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記メモリアレイが、1つの論理状態に対応する単一のメモリセルに、又は相補型論理状態に対応する少なくとも2つのメモリセルに、前記ビットのデータを記憶するように構成可能である、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記メモリアレイが、前記相補型論理状態に対応する第1の対のメモリセル、及び前記相補型論理状態に対応する第2の対のメモリセルに、前記ビットのデータを記憶するように構成可能である、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記メモリアレイが、前記相補型論理状態に対応する第1の対のメモリセル、及び逆相補型論理状態に対応する第2の対のメモリセルに、前記ビットのデータを記憶するように構成可能である、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記メモリアレイの第1の部分がデータを単一のメモリセルに記憶するように構成されており、且つ前記メモリアレイの第2の部分がデータを少なくとも2つのメモリセルに記憶するように構成されている、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記メモリアレイが前記ビットのデータを単一のメモリセルに記憶するように構成されており、前記制御信号が阻止されて前記第1の出力ポート及び前記第2の出力ポートがリセット電圧レベルに駆動されるのを防止し、前記出力経路回路が、前記検出されたビットのデータを前記第1の出力ポートで出力し、且つ前記第2の出力ポートでの出力のために別のビット線からの別のビットのデータを検出する、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記メモリアレイが前記ビットのデータを少なくとも2つのメモリセルに記憶するように構成されており、前記出力経路回路が複数のリセット回路を含み、該リセット回路はそれぞれ前記制御信号に応答して前記第1の出力ポート及び前記第2の出力ポートを前記リセット電圧レベルに駆動するように構成されている、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記リセット回路が、前記第1の出力ポートと前記リセット電圧との間に接続されている第1のトランジスタデバイス、及び前記第2の出力ポートと前記リセット電圧との間に接続されている第2のトランジスタデバイスを含み、前記第1のトランジスタデバイス及び第2のトランジスタデバイスの各々が前記制御信号を受信するためのゲート端子を有している、請求項8に記載の半導体デバイス。
- 前記リセット回路が、前記第1の出力ポートに接続されている第1のラッチ、及び前記第2の出力ポートに接続されている第2のラッチを含み、前記第1のラッチ及び第2のラッチの各々が、前記第1の出力ポート及び前記第2の出力ポートを前記リセット電圧に駆動するように前記制御信号によってリセット可能である、請求項8に記載の半導体デバイス。
- 前記出力経路回路が、
第1のビット線を第1のデータバスに結合し且つ第2のビット線を第2のデータバスに結合するための複数のビット線セレクタと、
前記第1のデータバス及び前記第2のデータバスの電圧を検出するためのシングルエンド検出モード及び差動検出モードで選択的に動作可能であり、且つ前記第1の出力ポート及び第2の出力ポートを前記第1の電圧源レベル(VDD)か又は前記第2の電圧源レベル(VSS)かに駆動するように構成されている検出ブロックと、
を含む、請求項2に記載の半導体デバイス。 - 前記検出ブロックが複数の出力ラッチ回路を含み、該出力ラッチ回路はそれぞれ前記制御信号に応答して前記第1の出力ポート及び前記第2の出力ポートを前記リセット電圧レベルに駆動するように構成されている、請求項11に記載の半導体デバイス。
- 前記検出ブロックが、
前記シングルエンド検出モードで動作可能な第1のシングルエンドセンスアンプであり、且つ前記第1のデータバスの電圧を基準電圧と比較して第1のシングルエンド出力を提供するように構成されている第1のシングルエンドセンスアンプと、
前記シングルエンド検出モードで動作可能な第2のシングルエンドセンスアンプであり、且つ前記第2のデータバスの電圧を前記基準電圧と比較して第2のシングルエンド出力を提供するように構成されている第2のシングルエンドセンスアンプと、
前記差動検出モードで動作可能な差動センスアンプであり、且つ前記第1のデータバスの電圧を前記第2のデータバスの電圧と比較して複数の差動出力を提供するように構成されている差動センスアンプと、
複数の出力セレクタであり、前記シングルエンド検出モードでは前記第1のシングルエンド出力及び前記第2のシングルエンド出力を前記出力ラッチ回路に結合するように構成されており、且つ前記差動検出モードでは前記差動出力を前記出力ラッチ回路に結合するように構成されている複数の出力セレクタと、
を含む、請求項12に記載の半導体デバイス。 - 前記検出ブロックが、
前記第1のデータバスに接続されている第1の入力、第1の基準ノードに接続されている第2の入力、及び第1の出力を有している第1の差動センスアンプと、
前記第2のデータバスに接続されている第1の入力、第2の基準ノードに接続されている第2の入力、及び第2の出力を有しており、前記第1の出力及び前記第2の出力が前記出力ラッチ回路に接続されている、第2の差動センスアンプと、
前記シングルエンド検出モードでは基準電圧を前記第1の基準ノード及び前記第2の基準ノードに結合し、且つ前記差動検出モードでは前記第2のデータバスを前記第1の基準ノードに結合するとともに前記第1のデータバスを前記第2の基準ノードに結合する複数の基準セレクタと、
を含む、請求項12に記載の半導体デバイス。 - 前記基準セレクタが、更に、第2の差動検出モードでは第3のビット線を前記第1の基準ノードに結合するように構成されており且つ第4のビット線を前記第2の基準ノードに結合するように構成されている、請求項14に記載の半導体デバイス。
- 前記第1のビット線及び前記第3のビット線が第1の相補データに対応する電圧を伝え、且つ前記第2のビット線及び前記第4のビット線が第2の相補データに対応する電圧を伝える、請求項15に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の相補データ及び前記第2の相補データが同じビットのデータを表しており、前記第1の差動センスアンプが前記第1の相補データを検出して前記ビットのデータの真の状態を出力し、且つ前記第2の差動センスアンプが前記第2の相補データを検出して前記真の状態の補数を出力する、請求項15に記載の半導体デバイス。
- 前記出力経路回路が、
複数のビット線セレクタであり、第1のビット線及び第2のビット線の一方を第1のデータバスに選択的に結合し、且つ第3のビット線及び第4のビット線の一方を第2のデータバスに選択的に結合するように構成されている複数のビット線セレクタと、
前記第1のデータバスに接続されている第1の入力、第1の基準ノードに接続されている第2の入力、及び第1の出力を有している第1の差動センスアンプと、
前記第2のデータバスに接続されている第1の入力、第2の基準ノードに接続されている第2の入力、及び第2の出力を有している第2の差動センスアンプと、
第1の出力ラッチ回路及び第2の出力ラッチ回路であり、それぞれが前記制御信号に応答して前記第1の出力ポート及び前記第2の出力ポートを前記リセット電圧レベルに駆動するように構成されている第1の出力ラッチ回路及び第2の出力ラッチ回路と、
複数の基準セレクタであり、基準電圧、前記第2のビット線及び前記第2のデータバスの1つを前記第1の基準ノードに選択的に結合し、且つ前記基準電圧、前記第3のビット線及び前記第1のデータバスの1つを前記第2の基準ノードに選択的に結合するように構成されている複数の基準セレクタと、
を含む、請求項2に記載の半導体デバイス。 - 半導体デバイスからデータを読み出すための方法であって、
前記メモリデバイスのメモリアレイからの読出し動作を実行するステップと、
複数の差動出力を第1の電圧レベルにリセットするステップと、
前記メモリアレイから読み出された前記データに応答して前記差動出力の一方を第2の電圧レベルに駆動するステップと、
を含む方法。 - 前記リセットするステップが差動出力を前記第1の電圧レベルに駆動することを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記リセットするステップが前記差動出力に接続されている複数のラッチ回路をリセットすることを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記読出し動作を実行する前記ステップが、前記メモリアレイのワード線をアサートすることを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記読出し動作を実行する前記ステップが、前記ワード線をアサートした後に少なくとも1つのセンスアンプを活性化することを含む、請求項22に記載の方法。
- 前記差動出力をリセットする前記ステップが、前記少なくとも1つのセンスアンプを活性化することの前に発生する、請求項23に記載の方法。
- 前記差動出力をリセットする前記ステップが、前記ワード線をアサートすることと同時に発生する、請求項23に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662338277P | 2016-05-18 | 2016-05-18 | |
US62/338,277 | 2016-05-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017208059A true JP2017208059A (ja) | 2017-11-24 |
JP2017208059A5 JP2017208059A5 (ja) | 2018-11-15 |
JP6496936B2 JP6496936B2 (ja) | 2019-04-10 |
Family
ID=57543757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016180703A Active JP6496936B2 (ja) | 2016-05-18 | 2016-09-15 | 半導体デバイス及びメモリデバイスからデータを読み出すための方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9870810B2 (ja) |
JP (1) | JP6496936B2 (ja) |
KR (1) | KR20170130267A (ja) |
CA (1) | CA2940152C (ja) |
TW (1) | TWI617944B (ja) |
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- 2016-09-12 TW TW105129542A patent/TWI617944B/zh active
- 2016-09-15 JP JP2016180703A patent/JP6496936B2/ja active Active
- 2016-09-30 KR KR1020160126975A patent/KR20170130267A/ko active Application Filing
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Publication number | Publication date |
---|---|
US9870810B2 (en) | 2018-01-16 |
US20170337957A1 (en) | 2017-11-23 |
JP6496936B2 (ja) | 2019-04-10 |
TW201741928A (zh) | 2017-12-01 |
KR20170130267A (ko) | 2017-11-28 |
CA2940152C (en) | 2017-08-29 |
CA2940152A1 (en) | 2016-12-13 |
TWI617944B (zh) | 2018-03-11 |
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