JP2017191870A - 情報処理装置、情報処理方法、並びにプログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】外力因子、研磨対象形状、複数の材料からなる研磨対象の材料物性値に対して、研磨進行形状がどのようになるかを解析することができるようにする。【解決手段】第1の構造体と、第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得する取得部と、第1の構造体が、第2の構造体に及ぼす応力を解析する応力解析部と、応力解析部による解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、第2の構造体の研磨状態を解析する研磨応答解析部とを備える。本技術は、化学機械研磨における研磨の進行状態を解析する情報処理装置に適用できる。【選択図】図3
Description
本技術は情報処理装置、情報処理方法、並びにプログラムに関し、例えば、化学機械研磨(chemical mechanical polishing)における研磨において、外力因子、研磨対象形状、複数の材料からなる研磨対象の材料物性値に対して、研磨進行形状がどのようになるかを解析するようにした情報処理装置、情報処理方法、並びにプログラムに関する。
化学機械研磨は、絶縁体研磨のみならず、アルミや銅配線、さらに貴金属を研磨するなどの工程にまで用いられ、微細化に伴って求められる平坦化性能が高くなり、その形状予測技術についても高い精度が求められるようになってきている。
研磨進行形状を解析する手法としては、以下のアルゴリズムが提案されている。特許文献1では、回路を任意の単位領域でメッシュ状に区切り、各メッシュ領域の配線密度を算出し、メッシュ領域間の配線密度差が特定条件以上となる領域を抽出し、規定以上の凹凸が発生する領域として、リスクのフィードバックを返す手法を提案している。
特許文献2では、レイアウトデータに対し、予め決められた量だけ変形させることで計算用3次元データを生成し、その配線パターンの密度、パターン幅、周辺長のうち少なくとも1つを用いた定量的な計算により、一定以上の段差として残ると予測されるパターンを解析する工程と、そのパターンのデータを修正部に読み込み、所定以上の段差が残らないレイアウトへ修正する工程とを有することを提案している。
特許文献1によると、配線パターンマスク情報ベースでの配線密度計算となっているため、実際に形成される3次元的な形状の効果を正確に取り込むことができず、プロセス条件が変わった場合の対応が困難である。このようなことから、汎用性と精度が低くなってしまう可能性があった。
特許文献2によると、マスク情報から疑似的に縦構造を構成し、応答関数による数式処理で直接研磨後の形状へ変換する方式をとっているものの、数式上でのフィッティング方式で精度が低下する可能性があり、プロセス条件が変わった場合の対応が困難であった。
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、外力因子、研磨対象形状、複数の材料からなる研磨対象の材料物性値に対して、研磨進行形状がどのようになるかを解析することができるようにするものである。
本技術の一側面の情報処理装置は、第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得する取得部と、前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析する応力解析部と、前記応力解析部による解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する研磨応答解析部とを備える。
本技術の一側面の情報処理方法は、第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得し、前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析し、前記解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析するステップを含む。
本技術の一側面のプログラムは、コンピュータに、第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得し、前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析し、前記解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析するステップを含む処理を実行させる。
本技術の一側面の情報処理装置、情報処理方法、並びにプログラムは、第1の構造体と、第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルが取得され、第1の構造体が、第2の構造体に及ぼす応力が解析され、解析により、応力と解析された領域が密度分布関数領域に変換され、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、第2の構造体の研磨状態が解析される。
なお、情報処理装置は、独立した装置であっても良いし、1つの装置を構成している内部ブロックであっても良い。
また、プログラムは、伝送媒体を介して伝送することにより、または、記録媒体に記録して、提供することができる。
本技術の一側面によれば、外力因子、研磨対象形状、複数の材料からなる研磨対象の材料物性値に対して、研磨進行形状がどのようになるかを解析することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
以下に、本技術を実施するための形態(以下、実施の形態という)について説明する。なお、説明は、以下の順序で行う。
1.情報処理装置の構成
2.情報処理装置の機能
3.情報処理装置の動作
4.研磨状態の表示について
1.情報処理装置の構成
2.情報処理装置の機能
3.情報処理装置の動作
4.研磨状態の表示について
<情報処理装置の構成>
以下に説明する本技術は、例えば、化学機械研磨(chemical mechanical polishing)における研磨において、外力因子、研磨対象形状、複数の材料からなる研磨対象の材料物性値に対して、研磨進行形状がどのようになるかを解析する情報処理装置に適用できる。また情報処理装置は、パーソナルコンピュータなどで構成することができる。
以下に説明する本技術は、例えば、化学機械研磨(chemical mechanical polishing)における研磨において、外力因子、研磨対象形状、複数の材料からなる研磨対象の材料物性値に対して、研磨進行形状がどのようになるかを解析する情報処理装置に適用できる。また情報処理装置は、パーソナルコンピュータなどで構成することができる。
図1は、本技術を適用した情報処理装置の一実施の形態の構成を示す図である。図1に示した情報処理装置10のCPU(Central Processing Unit)11、ROM(Read Only Memory)12、RAM(Random Access Memory)13は、バス14により相互に接続されている。バス14には、さらに、入出力インタフェース15が接続されている。入出力インタフェース15には、入力部16、出力部17、記憶部18、通信部19、およびドライブ20が接続されている。
入力部16は、キーボード、マウス、マイクロフォンなどよりなる。出力部17は、ディスプレイ、スピーカなどよりなる。記憶部18は、ハードディスクや不揮発性のメモリなどよりなる。通信部19は、ネットワークインタフェースなどよりなる。ドライブ20は、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、または半導体メモリなどのリムーバブルメディア21を駆動する。
<情報処理装置の機能>
図2は、情報処理装置10が有する機能について説明するための図である。図2に示す各機能は、情報処理装置10がハードウエアとして実現する機能であっても良いし、情報処理装置10(CPU11)がプログラムを実行することで実現する機能であっても良い。
図2は、情報処理装置10が有する機能について説明するための図である。図2に示す各機能は、情報処理装置10がハードウエアとして実現する機能であっても良いし、情報処理装置10(CPU11)がプログラムを実行することで実現する機能であっても良い。
モデル生成部51は、解析対象となるモデルを生成する。情報処理装置10は、化学機械研磨における研磨において、外力因子、研磨対象形状、複数の材料からなる研磨対象の材料物性値に対して、研磨進行形状がどのようになるかを解析する装置であり、その解析対象となるウェハモデルが、モデル生成部51により生成される。
モデル取得部52は、モデル生成部51で生成されたモデル、または外部から供給されるモデルを取得する。なお外部からモデルが供給される場合、モデル生成部51を有さない構成とすることも可能である。
応力解析部53は、研磨動作を模擬する形で、応力解析を実施する。研磨応答解析部54は、応力解析部53での解析の結果、得られた各種材料の応力分布を元に、化学機械研磨パッドとの境界面の高応力領域から研磨されることによってエネルギー開放が生じ、系として低エネルギー状態へ向かうことを記述したフェーズフィールド法の数式に基づいて、研磨応答解析を行う。
表示制御部55は、出力部17(図1)を構成するディスプレイの表示を制御し、例えば研磨応答解析部54での解析結果の表示を制御する。
<情報処理装置の動作>
図3に示したフローチャートを参照し、図1、図2に示した情報処理装置10の研磨解析処理に係わる処理について説明する。
図3に示したフローチャートを参照し、図1、図2に示した情報処理装置10の研磨解析処理に係わる処理について説明する。
ステップS11において、モデル生成部51(図2)により、モデル(ウェハモデル)が生成される。ここでは、ウェハ上に塗布された絶縁体を、化学機械研磨パッドにより研磨するときの解析する場合を例に挙げて説明する。
ここでは、第1の構造体(化学機械研磨パッド)と、その第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体(絶縁体)に対応する構造体モデル(ウェハモデル)を解析する場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本技術は、複数の構造体に係わる構造体モデルを解析する場合にも適用でき、また研磨に係わる構造体モデル以外のモデルに対しても適用できる。
ステップS11においては、化学機械研磨前のウェハ上に塗布された絶縁帯の3次元形状が、高精度にモデリングされる。
マスクデータから、ウェハプロセスにおける薄膜の蒸着やスパッタリング、エッチング等の処理による形状応答を正確に予測するためのシミュレーションのアプリケーションを用いて、3次元形状がモデリングされるようにすることができる。
または、実際に作成したウェハの表面形状を観察し、断面形状を観察して、形状データを取得し、それを元にモデリングツールで3次元形状が作成されるようにしても良い。
また、既に生成されているモデルのデータを、外部から取得するような場合、ステップS11の処理を省略することができる。
ステップS12において、モデル取得部52(図2)により、ステップS11において生成されたモデルが取得される。なお、モデル生成部51によりモデルが生成された場合、モデル生成部51からモデルが取得され、外部機器などから、モデルが供給される場合、その外部機器からモデルが取得される。
ステップS13において、応力解析部53(図2)は、応力解析を実行する。応力解析部53は、モデル取得部52により取得された3次元形状のウェハモデルと、化学機械研磨パッドのモデルを用意し、実際の研磨動作を模擬する形で、応力解析を実施する。この場合、第1の構造体(化学機械研磨パッド)が、第2の構造体(絶縁体)に及ぼす応力が解析される。
応力解析部53は、複数の化学機械研磨パッドのモデルを用意できるように構成されている。例えば応力解析部53は、複数の化学機械研磨パッドの弾性率やポアソン比を、パッド毎に保持し、ユーザの指示により、適用するパッドの情報を読み出すことで、化学機械研磨パッドのモデルを用意する。
応力解析は、有限要素法(FEM:Finite Element Method)を利用することができる。有限要素法では、任意の形状に対応可能であり、高い汎用性があるため、ここでは、FEMで応力解析が行われるとして説明を続ける。
ここまでの処理で、3次元形状のウェハモデルにおける応力の分布の状態を把握することができる。
ステップS14において、研磨応答解析部54により、ステップS13において得られた各種材料の応力分布を元に、化学機械研磨パッドとの境界面の高応力領域から研磨されることによってエネルギー開放が生じ、系として低エネルギー状態へ向かうことを記述したフェーズフィールド法の数式に基づいて、研磨応答解析が行われる。
ステップS15において、表示制御部55(図2)により、ステップS14において得られた研磨応答解析結果が、ディスプレイ(不図示)上に表示される。
図4乃至図6を参照し、上記した解析処理についてさらに説明を加える。図4乃至図6は、解析処理におけるイメージ図を表す。
図4の上図は、時点T1におけるウェハモデル(初期状態のウェハモデル)を表す図であり、ステップS11において生成され、ステップS12において取得されるウェハモデルを表す図である。時点T1においては、ウェハ上に絶縁体102が塗布されており、その絶縁体102を平坦化するために、化学機械研磨パッド(図中、CMPパッドと表記)101が絶縁体102上に位置している状態である。
このように、化学機械研磨パッドと被研磨対象をシミュレーション上でモデル化しておく。また、モデル化する際、各材料の特性に応じた、弾性率、ポアソン比を各々の要素に定義し、研磨工程の圧力条件に応じた荷重も設定される。
図中および以下の説明において、Eは、弾性率を表し、Vは、ポアソン比を表す。またφは、状態関数を表し、状態関数φ=0は研磨前を表し、状態関数φ=1は研磨済を表す関数である。また、化学機械研磨パッド101の弾性率をE1とし、ポアソン比をV1とする。また、絶縁体102の弾性率をE2とし、ポアソン比をV2とする。
時点T1(初期状態)としては、研磨前を想定し、各要素の状態関数φは全て0に定義される。すなわち図4の時点T1においては、絶縁体102の状態関数φは、0である。
このようなウェハモデルに対して、FEMによる応力解析が実施された状態(ステップS13における処理が実行された状態)を、図4の時点T2に示す。応力解析が実行された時点T2においては、化学機械研磨パッド101が絶縁体102に押し当てられ、研磨が開始されるときの状態であり、化学機械研磨パッド101が絶縁体102に押し当てられることで、絶縁体102に応力がかかっている状態である。
FEMによる応力解析により、絶縁体102にかかる応力が分布している領域(応力分布領域111とする)が解析される。絶縁体102の凸部の角の部分には、中央部分よりも大きな応力がかかることが読み取れる。また、化学機械研磨パッド101も、絶縁体102の凸部と接している部分がへこむという変形を生じている。また時点T2における状態は、絶縁体102の状態関数φは、0である。
このように、化学機械研磨パッド101(第1の構造体)が絶縁体102(第2の構造体)にかける応力や歪みが計算される。
次の時点T3(図5)において、応力分布領域111は、発熱Qの領域(発熱領域112とする)に置き換えられる。時点T3のウェハモデルに対して、FEMによる熱伝導解析が行われる(ステップS14における研磨応力解析が行われる)。FEMによる熱伝導解析(FEMによる研磨応力解析)は、以下の式(1)に基づき行われる。
式(1)は、研磨応答解析で用いる支配方程式の一例である。式(1)において、φは、上記した状態変数であり、研磨前から研磨済みまでの状態を表す変数である。例えば、φ=0は、その要素が研磨前の状態であることを示し、φ=1は、研磨済み状態(無くなった状態)であることを示し、φが0〜1の間は、その途中過程であることを示す。
状態関数φと弾性率Eとの関係は、例えば、図7に示すような関係を有する。図7に示したグラフは、横軸が状態関数φを表し、縦軸が弾性率Eを表す。図7に示したように、研磨前のφ=0においては、材料本来の弾性率が定義され、φ=1の研磨済みの状態では0あるいは非常に小さい値が定義されることを特徴とする。研磨時には研磨面に対し、所定の一定の押圧が印加されるが、研磨済み領域は、その圧力を受けて潰れることでその研磨後の形状が表現される。
支配方程式(式(1))の第1項(左辺)は、状態関数φの時間微分項で、Mは、その定数である。第1項は、研磨が、時間に対してどの程度進むかを表す項となっている。
第2項(右辺の第1項)は、状態関数φに対しての空間二階微分の項、第3項(右辺の第2項)のfdoubは、ポテンシャルエネルギーに相当するものであり、第3項全体で状態関数φの状態変化に必要なエネルギーを表す項となっている。第4項(右辺の第3項)のfelastは弾性エネルギーに相当するもので、第4項全体で状態変化時に解放される弾性エネルギーを表す項となっている。
すなわち、式(1)に示した支配方程式は、各空間点に定義される研磨状態を表現する変数(状態関数φ)と、変数に依存する弾性特性を持つ材料のエネルギー開放率を計算し、変数の時間微分の項と、変数の空間二階微分に比例する項と、エネルギー開放率に比例する項と、を持つ微分方程式である。
一方でよく知られている熱伝導方程式は次式(2)で与えられる。
式(2)において、Cvは、単位体積熱容量(J/(m3・K))を表し、λは、熱伝導率(W/(m/K))を表し、Tは、温度(K)を表し、Qは、発熱量(W/m3)を表す。式(2)に示した関係は、材料毎に定義される。
式(2)は、第1項(左辺)の温度に対する時間微分項、第2項(右辺の第1項)の温度に対する空間二階微分の項、および第3項(右辺の第2項)の発熱量の項からなっており、式(1)の微分方程式と同等の方程式となっている。
これは、式(1)の状態関数φを、式(2)の温度Tに対応させ、式(1)の第3項と第4項を、式(2)の第3項と対応させれば、熱伝導解析のソルバーを利用して式(1)の方程式をベースとした解析が可能であることを意味する。
また拡散方程式も同様の微分方程式の形をしているため、そちらのソルバーを利用することもできる。熱伝導/拡散解析用のソルバーは、商用/非商用共に非常に多く準備されており、こなれているため、流用して解析が行えることは非常にメリットが大きい。
なおここで説明した応力分布領域111を発熱領域112に置き換え、FEMによる熱伝導解析が行われる例は、応力分布領域111を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで研磨状態を解析する一例である。すなわち、ここでは、密度分布関数として、発熱量分布を用い、拡散方程式として熱伝導方程式を用いる例を挙げて説明し、以下の説明も行う。
しかしながら、本技術は、密度分布関数として、発熱量分布以外の分布関数を用いる場合にも適用可能であるし、拡散方程式として熱伝導方程式以外の方程式を用いた解析を行う場合にも適用可能である。
図5を参照した説明に戻り、時点T3において、応力分布領域111を発熱領域112に置き換え、式(1)に基づく研磨応力解析(式(2)に基づく熱伝導解析)が行われることで、時点T4に示すような解析結果が得られる。
時点T3において、式(1)または式(2)に基づく解析が行われるとき、化学機械研磨パッド101の状態関数φは0、研磨レートξは0とされ、絶縁体102の状態関数φは0、研磨レートξ=aとされて演算が行われる。
なお、式(1)の第2項にかかる研磨レートξ(拡散定数)は、材料の研磨され易さとして定義することができる。熱伝導方程式(式(2))上では、研磨レートξは、熱伝導率に相当するパラメータであり、被研磨材料、スラリー、パッド条件等によって決定される。
また、研磨レートξは、空間上の方向依存性を持って定義されてもよい。これにより被研磨対象が結晶体、ポーラス構造、平坦部と側壁部での粗密違い、またスラリーの化学的な応答の異方性等、半導体装置上のプロセス条件依存による異方性研磨応答を表現することが可能となる。
このように、各要素における応力あるいは歪みの結果が用いられて、式(1)の第4項(右辺の第3項)が計算される。式(1)の第3項(右辺の第2項)についても材料によって一意に計算されるため、式(2)の第3項(右辺の第2項)に相当する値を求めることができる。
これによって、式(2)の発熱量Qに相当する値が定義され、前述したとおり式(1)の各パラメータを、式(2)の各パラメータに置き換え、熱伝導方程式ベースのソルバーを用いて状態関数φの拡散問題として一定時間経過後の過渡解析が行われる。
このようにして、状態関数φの分布が得られる(時点T4)。図5の時点T4でのウェハモデルを参照するに、絶縁体102の凸部(研磨対象とされている部分)の表面に近い側(化学機械研磨パッド101と接している側)は、状態関数φが1であり、研磨済の状態であるとの解析結果が得られている。
状態関数φ=1の下側は、状態関数φ=0.7、さらにその下側は、状態関数φ=0.3であるとの解析結果が得られている。さらに、状態関数φ=0.3の下側は、状態関数φ=0であり、研磨前の状態であるとの解析結果が得られている。
このように、研磨開始から所定の時間、この場合、時点T1から時点T4までの時間が経過したときのウェハモデルの研磨状態、例えば、どの程度研磨されているか、研磨後の形状がどのような形状であるかなどを解析することができる。
さらに、時点T4の状態から、時点T5(図6)の移行するとき、状態関数φが弾性率Eに置き換えられる。図7に示したように、状態関数φと弾性率Eには所定の関係性があり、その関係性を利用し、状態関数φを弾性率Eに変換することができる。図6の時点T5に示したように、絶縁体102の状態関数φ=1は、弾性率E2(1)に変換され、状態関数φ=0.7は、弾性率E2(0.7)に変換され、状態関数φ=0.3は、弾性率E2(0.3)に変換され、状態関数φ=0は、弾性率E2(0)に変換される。
このようなウェハモデルが、弾性率Eで表される状態は、時点T1(図4)に示した状態と同一である。しかしながら、研磨が実行された後であるため、状態関数φの値の変化を受けて、各材料の弾性率Eの値(E(φ))も変化している点は異なる。
時点T5のウェハモデルの状態に対して、再度FEMによる応力解析を実施する。これは、時点T1のウェハモデル状態に対して、FEMによる応力解析を実行したときと同様に行うことができる。すなわち、所定の時間、研磨を実行したウェハモデルに対して応力解析を行うことができる。換言すれば、研磨の途中における研磨の状態を確認し、さらに研磨を継続した場合には、どのようになるかをシミュレーションすることができる。
再度応力解析が実行された後のウェハモデルを、図6の時点T6に示す。状態関数φの変化を受けて、研磨済み状態、あるいはその状態に近づいた要素の弾性率Eが低下し、化学機械研磨パッド101の圧力によって絶縁体102の凸部は潰れ、時点T2(図4)とは異なる形状に変化する。
また、図6の時点T6に示したウェハモデルにおいては、絶縁体102の凸部が研磨され、圧力により潰れたことにより、絶縁体102の凸部以外の部分にも化学機械研磨パッド101が接触し、応力がかかることが解析されている。すなわちこの場合、応力分布領域111’は、絶縁体102の凸部だけでなく、凸部以外の領域にも発生することが解析されている。
このように、形状変化に伴って、各領域の接触または非接触の状態が変化し、応力や歪み状態が変化する。そして、本技術によれば、研磨が進行した形状に合わせた応力や歪み分布の結果を得ることができる。
時点T6のウェハモデルは、時点T2のウェハモデルと同じく、応力分布が得られた状態であるため、時点T2のウェハモデルと同じく、時点T6のウェハモデルに対して、熱伝導解析(研磨応答解析)を行うことで、さらに研磨した状態のウェハモデルを得ることができる。
上記した解析、すなわち微分方程式による過渡応答解析を一定の時刻まで進めた後、その解析の結果の変数の変化を取り込んでエネルギー開放率を計算するための応力解析を実施し、その結果を微分方程式に反映させて先と同様の過渡応答解析を繰り返し行うことで、形状変化の影響を考慮しながら過渡的に高精度な研磨応答解析を実施することができる。
ところで、研磨済みと判定された要素は、弾性率が大きく低下し、圧力下においては大変形が生じる。一般的な解析用のソルバーにおいては、初期形状から一定以上の大きな変形、あるいは高アスペクト比の形状に達すると、計算の精度や収束性の悪化を招く可能性がある。
そこで、このようなことを未然に防ぐために、計算領域の要素の歪み、変形が一定量に達した際には、メッシュの再構築を行うアルゴリズムを追加し、計算の精度や収束性の悪化が発生しないようにする処理が含まれるようにしても良い。
また、再構築を行う判定基準は、全材料共通でも良いし、材料毎に定義してもよい。上記した例では、第1の構造体と第2の構造体(化学機械研磨パッド101と絶縁体102)で共通の判定基準を用いても良いし、第1の構造体と第2の構造体のそれぞれで異なる判定基準を用いても良い。
上記した実施の形態においては、絶縁体102を解析する場合を例にあげて説明したが、さらに化学機械研磨パッド101についても解析を行う、または化学機械研磨パッド101についての解析を行うようにしても良い。化学機械研磨パッド101にも、状態関数φや弾性率Eを定義し、上記した解析と同等の解析を行うことで、化学機械研磨パッド101の潰れ量や研磨量を解析することができる。
また、上記した実施の形態においては、式(1)や式(2)を例示したが、式(1)や式(2)は、基本方程式であり、追加事象に対応できるように、さらなる項を追加しても良い。また、式(1)や式(2)の全体に対して一定の定数を乗算したり、一定の定数で除算したりする形式に変形し、本技術に適用することも可能である。
本技術によれば、被研磨対象構造の構造再現モデリングで、高精度化することができる。また、FEMによる解析結果の応力値に対する応答解析で、高汎用化することができる。また、応力解析から研磨応答解析の一気通貫解析が可能である。
また、研磨応答解析は、熱伝導あるいは拡散方程式との連成解析で、計算時間を大幅に短縮することができる。また、一定、あるいは可変時間での刻みで、応答解析の繰り返し処理を行うことができ、形状変化による接触や非接触の状態での変化の影響も考慮した高精度な解析が可能となる。さらに、化学機械研磨パッド側の研磨量も解析することもできる。
<研磨状態の表示について>
上記したように、本技術によれば、研磨が開始されてから終了するまで、途中結果を含めた解析をすることができる。すなわち、本技術によれば、研磨を開始してから、所定の時間研磨したときのウェハモデルの状態を得ることができる。
上記したように、本技術によれば、研磨が開始されてから終了するまで、途中結果を含めた解析をすることができる。すなわち、本技術によれば、研磨を開始してから、所定の時間研磨したときのウェハモデルの状態を得ることができる。
例えば、時点T1(図4)は、研磨開始前であり、時点T6(図6)は、所定の時間研磨した後の状態を示す。この研磨開始前のウェハモデルをユーザに提供したり、所定の時間研磨した後のウェハモデルをユーザに提供したりすることが、本技術によればできる。
図8にユーザに所定の時間研磨した後のウェハモデルを提供する場合の画面例を示す。図8に示した画面例は、情報処理装置10の出力部17(図1)を構成するディスプレイ201上に、研磨開始から10分経過したときの絶縁体102の形状と、研磨開始から20分経過したときの絶縁体102の形状が表示されている例を示した。
ディスプレイ201の画面の上部には、絶縁体の弾性率を入力できる欄211が設けられ、その欄211に入力された値で、上記した解析が行われる。他の値を入力する欄も表示されるようにしても勿論良い。また、化学機械研磨パッド101の種類を選択できる欄などが表示されるようにしても良い。
欄211の下側には、研磨開始から10分経過後の絶縁体102の研磨状態を表すモデルが表示される表示部212が設けられている。さらに、表示部212の下側には、研磨開始から20分経過後の絶縁体102の研磨状態を表すモデルが表示される表示部213が設けられている。
表示部212や表示部213に表示されるモデルは、上記したような解析が行われた結果、得られたモデルである。表示部212や表示部213に表示されるモデルは、10分や20分といった時間に限らず、例えば、ユーザが指定した時間のモデルが表示される。また、スライドできるようにし、時間経過と共に研磨状態の変化を確認できるようにしても良い。また時間経過とともに研磨状態の変化を確認できるアニメーションでユーザに提示されるようにしても良い。
ユーザは、このような画面を参照することで、時間経過による研磨状態を確認することができる。このようなことが確認することができることで、例えば、適切な研磨時間を検討することができる。換言すれば、所望の膜圧や形状に、絶縁体102が研磨されるまでの時間を、研磨開始からの経過時間と解析結果であるモデルを確認しながら決定することができる。
また、ウエハレベルで、研磨の状態を確認できるため、例えば、研磨しづらい領域を検出し、その対策を検討するといったことも可能となる。例えば、研磨しづらい領域は、所定の時間だけ研磨した後、レジストエッチングなどの他の研磨方式で研磨するといった検討を行うことが可能となる。また、ウェハの全体を研磨した後、研磨しづらい領域を個々に研磨するといった検討を行うことも可能となる。又、その検討の際には、図8に示したような画面を参照しながら行うことができる。
また、経過時間による研磨状況を確認することができるため、条件を変えた研磨方法を組み合わせたらどのようになるかといったような検討を行うことも可能となる。例えば、所定の時間、化学機械研磨パッドAを用いて研磨し、その後、化学機械研磨パッドAとは異なる化学機械研磨パッドBで研磨した場合、どのように、研磨状況が変化するのかを、本技術によれば確認することができる。よって、効率良い研磨方法の組み合わせなどを検討する際などにも用いることができる。
<記録媒体について>
上述した一連の処理は、ハードウエアにより実行することもできるし、ソフトウエアにより実行することもできる。一連の処理をソフトウエアにより実行する場合には、そのソフトウエアを構成するプログラムが、コンピュータにインストールされる。ここで、コンピュータには、専用のハードウエアに組み込まれているコンピュータや、各種のプログラムをインストールすることで、各種の機能を実行することが可能な、例えば汎用のパーソナルコンピュータなどが含まれる。
上述した一連の処理は、ハードウエアにより実行することもできるし、ソフトウエアにより実行することもできる。一連の処理をソフトウエアにより実行する場合には、そのソフトウエアを構成するプログラムが、コンピュータにインストールされる。ここで、コンピュータには、専用のハードウエアに組み込まれているコンピュータや、各種のプログラムをインストールすることで、各種の機能を実行することが可能な、例えば汎用のパーソナルコンピュータなどが含まれる。
情報処理装置10(CPU11)が実行するプログラムは、例えば、パッケージメディア等としてのリムーバブルメディア21に記録して提供することができる。また、プログラムは、ローカルエリアネットワーク、インターネット、デジタル衛星放送といった、有線または無線の伝送媒体を介して提供することができる。
情報処理装置10では、プログラムは、リムーバブルメディア21をドライブ20に装着することにより、入出力インタフェース15を介して、記憶部18にインストールすることができる。また、プログラムは、有線または無線の伝送媒体を介して、通信部19で受信し、記憶部18にインストールすることができる。その他、プログラムは、ROM12や記憶部18に、予めインストールしておくことができる。
なお、コンピュータが実行するプログラムは、本明細書で説明する順序に沿って時系列に処理が行われるプログラムであっても良いし、並列に、あるいは呼び出しが行われたとき等の必要なタイミングで処理が行われるプログラムであっても良い。
また、本明細書において、システムとは、複数の装置により構成される装置全体を表すものである。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
(1)
第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得する取得部と、
前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析する応力解析部と、
前記応力解析部による解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する研磨応答解析部と
を備える情報処理装置。
(2)
前記密度分布関数を発熱量分布に置き換え、前記拡散方程式を熱伝導方程式に置き換え、熱伝導解析にて、研磨状態を解析する
請求項1に記載の情報処理装置。
(3)
化学機械研磨における研磨の進行状態を解析する
前記(1)または(2)に記載の情報処理装置。
(4)
前記応力解析部は、FEM(Finite Element Method)で解析を行う
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の情報処理装置。
(5)
前記研磨応答解析部は、FEM(Finite Element Method)で解析を行う
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の情報処理装置。
(6)
前記研磨応答解析部は、各空間点に定義される研磨状態を表現する変数と、前記変数に依存する弾性特性を持つ材料のエネルギー開放率を計算し、
前記変数の時間微分の項と、前記変数の空間二階微分に比例する項と、前記エネルギー開放率に比例する項と、を持つ微分方程式を計算する
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の情報処理装置。
(7)
前記変数の空間二階微分の項にかかる比例定数が、材料毎の研磨のされ易さと相関のあるパラメータとして定義されている
前記(6)に記載の情報処理装置。
(8)
前記パラメータは、空間上の方向依存性を持って定義されている
前記(7)に記載の情報処理装置。
(9)
前記エネルギー開放率を計算する応力計算において、計算領域の要素のボリューム変化率が一定値以上となった場合、メッシュを再構成する
前記(6)に記載の情報処理装置。
(10)
前記微分方程式による過渡応答解析を一定の時刻まで進めた後、その解析の結果の変数の変化を取り込んでエネルギー開放率を計算するための応力解析を実施し、その結果を前記微分方程式に反映させて先と同様の過渡応答解析を繰り返し行う
前記(6)に記載の情報処理装置。
(11)
第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得し、
前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析し、
前記解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する
ステップを含む情報処理方法。
(12)
コンピュータに、
第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得し、
前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析し、
前記解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する
ステップを含む処理を実行させるためのプログラム。
(1)
第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得する取得部と、
前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析する応力解析部と、
前記応力解析部による解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する研磨応答解析部と
を備える情報処理装置。
(2)
前記密度分布関数を発熱量分布に置き換え、前記拡散方程式を熱伝導方程式に置き換え、熱伝導解析にて、研磨状態を解析する
請求項1に記載の情報処理装置。
(3)
化学機械研磨における研磨の進行状態を解析する
前記(1)または(2)に記載の情報処理装置。
(4)
前記応力解析部は、FEM(Finite Element Method)で解析を行う
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の情報処理装置。
(5)
前記研磨応答解析部は、FEM(Finite Element Method)で解析を行う
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の情報処理装置。
(6)
前記研磨応答解析部は、各空間点に定義される研磨状態を表現する変数と、前記変数に依存する弾性特性を持つ材料のエネルギー開放率を計算し、
前記変数の時間微分の項と、前記変数の空間二階微分に比例する項と、前記エネルギー開放率に比例する項と、を持つ微分方程式を計算する
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の情報処理装置。
(7)
前記変数の空間二階微分の項にかかる比例定数が、材料毎の研磨のされ易さと相関のあるパラメータとして定義されている
前記(6)に記載の情報処理装置。
(8)
前記パラメータは、空間上の方向依存性を持って定義されている
前記(7)に記載の情報処理装置。
(9)
前記エネルギー開放率を計算する応力計算において、計算領域の要素のボリューム変化率が一定値以上となった場合、メッシュを再構成する
前記(6)に記載の情報処理装置。
(10)
前記微分方程式による過渡応答解析を一定の時刻まで進めた後、その解析の結果の変数の変化を取り込んでエネルギー開放率を計算するための応力解析を実施し、その結果を前記微分方程式に反映させて先と同様の過渡応答解析を繰り返し行う
前記(6)に記載の情報処理装置。
(11)
第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得し、
前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析し、
前記解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する
ステップを含む情報処理方法。
(12)
コンピュータに、
第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得し、
前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析し、
前記解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する
ステップを含む処理を実行させるためのプログラム。
10 情報処理装置, 51 モデル生成部, 52 モデル取得部, 53 応力解析部, 54 研磨応答解析部, 55 表示制御部, 101 化学機械研磨パッド, 102 絶縁体, 111 応力分布領域, 112 発熱領域, 201 ディスプレイ, 211 欄, 212,213 表示部
Claims (12)
- 第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得する取得部と、
前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析する応力解析部と、
前記応力解析部による解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する研磨応答解析部と
を備える情報処理装置。 - 前記密度分布関数を発熱量分布に置き換え、前記拡散方程式を熱伝導方程式に置き換え、熱伝導解析にて、研磨状態を解析する
請求項1に記載の情報処理装置。 - 化学機械研磨における研磨の進行状態を解析する
請求項1に記載の情報処理装置。 - 前記応力解析部は、FEM(Finite Element Method)で解析を行う
請求項1に記載の情報処理装置。 - 前記研磨応答解析部は、FEM(Finite Element Method)で解析を行う
請求項1に記載の情報処理装置。 - 前記研磨応答解析部は、各空間点に定義される研磨状態を表現する変数と、前記変数に依存する弾性特性を持つ材料のエネルギー開放率を計算し、
前記変数の時間微分の項と、前記変数の空間二階微分に比例する項と、前記エネルギー開放率に比例する項と、を持つ微分方程式を計算する
請求項1に記載の情報処理装置。 - 前記変数の空間二階微分の項にかかる比例定数が、材料毎の研磨のされ易さと相関のあるパラメータとして定義されている
請求項6に記載の情報処理装置。 - 前記パラメータは、空間上の方向依存性を持って定義されている
請求項7に記載の情報処理装置。 - 前記エネルギー開放率を計算する応力計算において、計算領域の要素のボリューム変化率が一定値以上となった場合、メッシュを再構成する
請求項6に記載の情報処理装置。 - 前記微分方程式による過渡応答解析を一定の時刻まで進めた後、その解析の結果の変数の変化を取り込んでエネルギー開放率を計算するための応力解析を実施し、その結果を前記微分方程式に反映させて先と同様の過渡応答解析を繰り返し行う
請求項6に記載の情報処理装置。 - 第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得し、
前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析し、
前記解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する
ステップを含む情報処理方法。 - コンピュータに、
第1の構造体と、前記第1の構造体で研磨される被研磨対象の第2の構造体に対応する構造体モデルを取得し、
前記第1の構造体が、前記第2の構造体に及ぼす応力を解析し、
前記解析により、応力と解析された領域を密度分布関数領域に変換し、拡散方程式に基づいた解析を行うことで、前記第2の構造体の研磨状態を解析する
ステップを含む処理を実行させるためのプログラム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016081032A JP2017191870A (ja) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | 情報処理装置、情報処理方法、並びにプログラム |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR102706766B1 (ko) * | 2023-08-07 | 2024-09-20 | 한국전자통신연구원 | 제어 시스템의 운전 데이터 기반 평가 데이터 생성 장치 및 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11126765A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Toshiba Corp | 研磨シミュレーション方法および研磨シミュレーション方法を記録した記録媒体および研磨方法 |
| US6169931B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-01-02 | Southwest Research Institute | Method and system for modeling, predicting and optimizing chemical mechanical polishing pad wear and extending pad life |
| JP2007201256A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Renesas Technology Corp | 半導体デバイスの形状予測方法および形状予測システム |
| JP2008277450A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Cmp装置の研磨条件管理装置及び研磨条件管理方法 |
| US20160162626A1 (en) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | Globalfoundries Inc. | Lithography process window prediction based on design data |
-
2016
- 2016-04-14 JP JP2016081032A patent/JP2017191870A/ja active Pending
-
2017
- 2017-03-31 US US16/086,685 patent/US20190102495A1/en not_active Abandoned
- 2017-03-31 WO PCT/JP2017/013506 patent/WO2017179441A1/ja not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102706766B1 (ko) * | 2023-08-07 | 2024-09-20 | 한국전자통신연구원 | 제어 시스템의 운전 데이터 기반 평가 데이터 생성 장치 및 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017179441A1 (ja) | 2017-10-19 |
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