JP2017183431A - コンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】従来と比較してインダクタンスを低減することが可能なコンデンサを提供する。【解決手段】コンデンサ１は、第１及び第２の電極２１、２２を有する第１のコンデンサ素子１１と、第１のコンデンサ素子１１に隣接して設けられ、第３及び第４の電極２３、２４を有する第２のコンデンサ素子１２と、第１の電極２１に接続され、第１の電極２１に対して高圧側の電位を接続するための第１の配線４１と、第２の電極２２に接続され、第２の電極に対して低圧側の電位を接続するための第２の配線４２と、第３の電極２３に接続され、第３の電極に対して低圧側の電位を接続するための第３の配線４３と、第４の電極２４に接続され、第４の電極に対して高圧側の電位を接続するための第４の配線４４とを備える。第１の配線４１と第３の配線４３とが隣接して配置され、第２の配線４２と第４の配線４４とが隣接して配置される。【選択図】図１

Description

本発明は、複数のコンデンサ素子を含むコンデンサに関する。

例えば電気自動車やハイブリット自動車等におけるインバータ回路では、ＳｉＣやＧａＮ等の半導体素子を採用することにより、高周波駆動が可能となってきている。そのため、インバータ回路に用いられるコンデンサにも高周波特性が要求される。コンデンサにおいて、高周波特性を阻害する要因の一つは、コンデンサ自身が有するインダクタンス（等価直列インダクタンス）である。そのため、コンデンサにおいて、低インダクタンス化が要望される。

この点に関し、特許文献１には、フィルムコンデンサに関する発明が記載されている。特許文献２には、コンデンサに関する発明が記載されている。上記特許文献１及び２は、いずれも同軸に２重に巻回した２つのコンデンサ素子を含むコンデンサを開示する。

特開平０８−０７８２８２号公報 特開２０１５−１３５９２５号公報

特許文献１に開示のフィルムコンデンサでは、同軸に構成した内周側コンデンサ素子及び外周側コンデンサ素子を、一方の端を突出させて挿入したセパレータで絶縁し、両端面に金属を溶射してセパレータが突出している側の端面には内周側電極引出部及び外周側電極引出部を形成し、セパレータが突出していない側の端面には共通電極を形成している。そのため、このフィルムコンデンサの内部では、内周側電極引出部→内周側コンデンサ素子→共通電極→外周側コンデンサ素子→外周側電極引出部、あるいはこの逆の順に電流が流れる。そのため、コンデンサ内部を流れる電流の方向が二方向となり、この電流による磁束がキャンセルし合い、コンデンサ内部におけるインダクタンスの発生を抑えている。

また、特許文献１に開示のフィルムコンデンサでは、内周側電極引出部及び外周側電極引出部には、それぞれ板状の内周側電極引出基板及び外周側電極引出基板を重なり合うように設けている。これにより、両電極引出基板には互いに逆方向の電流が流れるので、磁束が互いにキャンセルし合い、端子の引出しにおけるインダクタンスを低減させている。このように、特許文献１は、コンデンサ自体のインダクタンスだけではなく、接続ループを含めた総合インダクタンスを減少させるフィルムコンデンサを開示する。

また、特許文献２は、二種類のコンデンサを同軸上に巻回したコンデンサを開示する。このコンデンサは、内側に巻回されたコンデンサと、このコンデンサと同軸に外側に巻回されたコンデンサと、これらの両コンデンサの一端側のメタリコン電極に共通に接続されてコンデンサ内を通過して両コンデンサの他端側に延びるバスバ５０とを備える。そのため、コンデンサを流れる電流経路にバスバが近接することにより、互いに逆方向に電流が流れる電流経路同士が近づくため、互いに逆方向に流れる電流の相互作用によって、互いの電流が発生する磁界が打ち消し合い、バスバのインダクタンス成分が低減する。

本発明者等は上記問題を突き止めた。そこで、本発明の目的は、従来と比較してインダクタンスを低減することが可能なコンデンサを提供することにある。

本発明者等は、鋭意検討の結果、以下に記載する手段により上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、以下の好適な態様を包含する。
［１］第１及び第２の電極を有する第１のコンデンサ素子と、
第１のコンデンサ素子に隣接して設けられ、第３及び第４の電極を有する第２のコンデンサ素子と、
第１のコンデンサ素子における第１の電極に接続され、第１の電極に対して第１の電位を接続するための第１の配線と、
第１のコンデンサ素子における第２の電極に接続され、第２の電極に対して第２の電位を接続するための第２の配線と、
第２のコンデンサ素子における第３の電極に接続され、第３の電極に対して第２の電位を接続するための第３の配線と、
第２のコンデンサ素子における第４の電極に接続され、第４の電極に対して第１の電位を接続するための第４の配線と、
を備え、
第１の配線と第３の配線とが隣接して配置され、
第２の配線と第４の配線とが隣接して配置される、
コンデンサ。
［２］第１の配線と第３の配線との間隔、及び、第２の配線と第４の配線との間隔は、所定のインダクタンスを満たすように設定される、前記［１］に記載のコンデンサ。
［３］第１の配線と第３の配線との間隔、及び、第２の配線と第４の配線との間隔は、絶縁耐圧要求を満たすように設定される、前記［１］又は［２］に記載のコンデンサ。
［４］第１及び第３の配線は互いに平行に配置され、
第２及び第４の配線は互いに平行に配置される、
前記［１］〜［３］のいずれかに記載のコンデンサ。
［５］第１及び第３の配線のうちの一方は筒状の配線であり、他方は一方の配線の中心軸上に配置され、
第２及び第４の配線のうちの一方は筒状の配線であり、他方は一方の配線の中心軸上に配置される、前記［１］〜［４］のいずれかに記載のコンデンサ。
［６］第１のコンデンサ素子の第１の電極と第２のコンデンサ素子の第３の電極とが隣接し、
第１のコンデンサ素子の第２の電極と第２のコンデンサ素子の第４の電極とが隣接する、前記［１］〜［５］のいずれかに記載のコンデンサ。
［７］第１のコンデンサ素子は巻回されてなり、
第２のコンデンサ素子は第１のコンデンサ素子の外周に巻回されてなる、前記［１］〜［６］のいずれかに記載のコンデンサ。
［８］第１及び第２のコンデンサ素子は積層されてなる、前記［１］〜［７］のいずれかに記載のコンデンサ。
［９］第１及び第２のコンデンサ素子は、フィルムコンデンサ、電気二重層コンデンサ、タンタルコンデンサ、電解コンデンサ、又はセラミックコンデンサである、前記［１］〜［８］のいずれかに記載のコンデンサ。

本発明によれば、従来と比較して、コンデンサのインダクタンスを低減することができる。

実施形態１に係るコンデンサの構成を示す図 図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿うコンデンサの断面図 実施形態１に係るコンデンサの等価回路図 実施形態２に係るコンデンサの構成を示す図 実施形態３に係るコンデンサの構成を示す図 実施形態４に係るコンデンサの構成を示す図 他の実施形態に係るコンデンサの構成を示す図 他の実施形態に係るコンデンサの構成を示す図 （ａ）比較例１のコンデンサの構成を示す図、（ｂ）比較例２のコンデンサの構成を示す図 実施例及び比較例のインダクタンス測定結果を示す図

以下、添付の図面を参照して本発明に係るコンデンサの実施形態を説明する。

（実施形態１）
以下、実施形態１に係るコンデンサを図１〜３を用いて説明する。

１．構成
図１は、実施形態１に係るコンデンサの構成を示す図であり、図２は、図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿うコンデンサの断面図である。図１及び図２に示すコンデンサ（複合コンデンサ）１は、２つのコンデンサ素子１１、１２を含むコンデンサ素子（複合コンデンサ素子）１０と、コンデンサ素子１１に対する一対の引き出し配線４１と４２、コンデンサ素子１２に対する一対の引き出し配線４３と４４とを備える。

１．１．コンデンサ素子
コンデンサ素子１０は、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２と、第１、第２、第３及び第４の電極２１、２２、２３、２４と、中芯部材３１と、絶縁部材３２とを備える。コンデンサ素子１０における第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２は、同軸に２重に巻回されている。コンデンサ素子１０は、巻回軸が延在する巻回軸方向に延びる柱状をなし、巻回軸方向に交差する方向にプレスされた扁平形状をなす。

第１のコンデンサ素子１１は、限定的ではなく、フィルムコンデンサ、電気二重層コンデンサ、タンタルコンデンサ、電解コンデンサ、（積層）セラミックコンデンサ等のいずれのコンデンサであってもよいが、フィルムコンデンサが好ましい。第１のコンデンサ素子１１がフィルムコンデンサである場合、フィルムに金属蒸着を施した蒸着フィルムを、中芯部材３１に複数回巻回してなるフィルムコンデンサである。蒸着フィルムの巻回数は、所望の静電容量に従って設定される。フィルムとしては、例えば樹脂フィルムが挙げられる。上記樹脂フィルムとしては、例えばポリエステルフィルム（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素樹脂フィルム（例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム）が挙げられる。蒸着金属としては、例えばアルミニウム、亜鉛、スズ、銅等（好ましくはアルミニウム及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも１種）が挙げられる。

第２のコンデンサ素子１２は、限定的ではなく、フィルムコンデンサ、電気二重層コンデンサ、タンタルコンデンサ、電解コンデンサ、（積層）セラミックコンデンサ等のいずれのコンデンサであってもよいが、フィルムコンデンサが好ましい。第２のコンデンサ素子１２がフィルムコンデンサである場合、例えば上記蒸着フィルムを、第１のコンデンサ素子１１の外周に複数回巻回してなるフィルムコンデンサである。蒸着フィルムの巻回数は、所望の静電容量に従って設定される。

中芯部材３１は、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２を巻回するための中芯となる部材である。中芯部材３１は、例えば上記フィルムの未蒸着フィルムを、巻回軸に対して複数回巻回してなる。中芯部材３１は、巻回軸方向において、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の両端部よりも突出している（図２参照）。

絶縁部材３２は、第１のコンデンサ素子１１と第２のコンデンサ素子１２とを絶縁するための部材である。絶縁部材３２は、例えば上記フィルムの未蒸着フィルム（絶縁フィルム）を、第１のコンデンサ素子１１と第２のコンデンサ素子１２との間において第１のコンデンサ素子１１の外周に複数回巻回してなる。絶縁部材３２は、巻回軸方向において、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の両端部よりも突出している（図２参照）。

このような同軸２重巻回構造により、第１のコンデンサ素子１１と第２のコンデンサ素子１２とは隣接して配置される。

第１及び第２の電極２１、２２は、第１のコンデンサ素子１１の引き出し電極である。第１の電極２１は第１のコンデンサ素子１１の巻回軸方向における一方の端部に形成され、第２の電極２２は第１のコンデンサ素子１１の他方の端部に形成される。第１の電極２１は、第１のコンデンサ素子１１の高圧側端に接続され、第２の電極２２は、第１のコンデンサ素子１１の低圧側端に接続される。

第３及び第４の電極２３、２４は、第２のコンデンサ素子１２の引き出し電極である。第３の電極２３は第２のコンデンサ素子１２の巻回軸方向における一方の端部に形成され、第４の電極２４は第２のコンデンサ素子１２の他方の端部に形成される。第３の電極２３は、第２のコンデンサ素子１２の低圧側端に接続され、第４の電極２４は、第２のコンデンサ素子１２の高圧側端に接続される。

第１の電極２１と第３の電極２３とは、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の巻回軸方向における一方の端部において隣接し、絶縁部材３２の突出部分によって絶縁される。また、第２の電極２２と第４の電極２４とは、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の巻回軸方向における他方の端部において隣接し、絶縁部材３２の突出部分によって絶縁される。

第１、第２、第３及び第４の電極２１、２２、２３、２４は、メタリコン処理によって形成されたメタリコン電極である。メタリコン処理は、溶射材と称される材料を加熱して対象物に吹き付けて被膜を形成する表面処理の一種であり、金属材料を溶射して形成される電極のことをメタリコン電極と称する。メタリコン電極の材質としては、亜鉛、スズ、若しくは銅またはこれら２種以上の合金等が挙げられる。

１．２．コンデンサの配線
第１の配線４１は、第１のコンデンサ素子１１の一方の端部における第１の電極２１に例えば半田又は溶接によって接続される。第１の配線４１は、高圧側の電位（第１の電位）に接続される。第２の配線４２は、第１のコンデンサ素子１１の他方の端部における第２の電極２２に例えば半田又は溶接によって接続される。第２の配線４２は、低圧側の電位（第２の電位）に接続される。

第３の配線４３は、第２のコンデンサ素子１２の一方の端部における第３の電極２３に例えば半田又は溶接によって接続される。第３の配線４３は、低圧側の電位に接続される。第４の配線４４は、第２のコンデンサ素子１２の他方の端部における第４の電極２４に例えば半田又は溶接によって接続される。第４の配線４４は、高圧側の電位に接続される。

第１、第２、第３及び第４の配線４１、４２、４３、４４の各々は、例えば表面に絶縁被膜が施された金属線である。第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の一方の端部にそれぞれ接続された高圧側の第１の配線４１と低圧側の第３の配線４３とは、互いに平行に隣接して配置される（平行２線式配線）。また、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の他方の端部にそれぞれ接続された低圧側の第２の配線４２と高圧側の第４の配線４４とは、互いに平行に隣接して配置される（平行２線式配線）。

隣接する第１の配線４１と第３の配線４３との間隔、隣接する第２の配線４２と第４の配線４４との間隔、及び、隣接する第１のコンデンサ素子１１と第２のコンデンサ素子１２との間隔は、小さければ小さいほどインダクタンスが小さくなるので、所定のインダクタンス（目標値）を満たすように設定される。なお、これらの間隔が小さくなるほど絶縁耐圧が低下してしまうので、これらの間隔は、安全規格等に従う絶縁耐圧要求を満たすように下限値を考慮して設定される必要がある。

１．３．インダクタンスの低減
図３は、実施形態１に係るコンデンサ１の等価回路図である。図３において、矢印は、第１及び第４の配線４１、４４が高圧側の電位（第１の電位）に接続され、第２及び第３の配線４２、４３が低圧側の電位（第２の電位）に接続されたときに、各部に流れる電流の向きを示す。

図３に示すように、第１及び第４の配線４１、４４が高圧側の電位に接続され、第２及び第３の配線４２、４３が低圧側の電位に接続されると、第１の配線４１→第１の電極２１→第１のコンデンサ素子１１→第２の電極２２→第２の配線４２の順に電流が流れる。また、第４の配線４４→第４の電極２４→第２のコンデンサ素子１２→第３の電極２３→第３の配線４３の順に電流が流れる。なお、第１及び第４の配線４１、４４が低圧側の電位に接続され、第２及び第３の配線４２、４３が高圧側の電位に接続されてもよい。このとき、各部の電流は図３の矢印とは逆に流れる。この場合、特許請求の範囲における第１の電位が低圧側の電位に相当し、第２の電位が高圧側の電位に相当する。

以上のように、隣接した高圧側の第１の配線４１と低圧側の第３の配線４３において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第１及び第３の配線４１、４３のインダクタンスが低減される。

また、隣接した低圧側の第２の配線４２と高圧側の第４の配線４４において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第２及び第４の配線４２、４４のインダクタンスが低減される。

さらに、隣接した第１のコンデンサ素子１１と第２のコンデンサ素子１２とにおいても互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の等価直列インダクタンス（Equivalent Series Inductance：ＥＳＬ）が低減される。

３．まとめ
以上説明したように、本実施形態によれば、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２が同軸２重巻回構造により隣接し、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の一方の端部にそれぞれ接続された高圧側の第１の配線４１と低圧側の第３の配線４３とが隣接し、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の他方の端部にそれぞれ接続された低圧側の第２の配線４２と高圧側の第４の配線４４とが隣接する。これにより、隣接した高圧側の第１の配線４１と低圧側の第３の配線４３において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第１及び第３の配線４１、４３のインダクタンスが低減される。また、隣接した低圧側の第２の配線４２と高圧側の第４の配線４４において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第２及び第４の配線４２、４４のインダクタンスが低減される。

さらに、隣接した第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２において互いに逆方向に電流が流れる。そのため、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の等価直列インダクタンスが低減される。

このように、本実施形態によれば、コンデンサの等価直列インダクタンスのみでなく、コンデンサの両端に接続された両側配線を含めた総合インダクタンスが低減される。

また、本実施形態では、配線が第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の両方の端部から引き出されるので、配線に対する自由度が高い。

（実施形態２）
実施形態１では、第１の配線４１と第３の配線４３とを隣接させるため、また第２の配線４２と第４の配線４４とを隣接させるため、いわゆる平行２線式の配線構造を採用した。実施形態２では、いわゆる同軸配線構造を採用する。以下、実施形態２に係るコンデンサについて、図４を用いて説明する。

図４は、実施形態２に係るコンデンサの構成を示す図である。図４に示すコンデンサ１Ａは、図１に示すコンデンサ１と比較して、平行２線構造の第１及び第３の配線４１、４３に代えて同軸構造の第１及び第３の配線４１Ａ、４３Ａを備え、平行２線構造の第２及び第４の配線４２、４４に代えて同軸構造の第２及び第４の配線４２Ａ、４４Ａを備える。

第３の配線４３Ａは筒状の配線であり、第２のコンデンサ素子１２の一方の端部における第３の電極２３に接続される。第３の配線４３Ａは、低圧側の電位に接続される。第１の配線４１Ａは第３の配線４３Ａの中心軸上に配置され、第１のコンデンサ素子１１の一方の端部における第１の電極２１に接続される。第１の配線４１Ａは、高圧側の電位に接続される。

第４の配線４４Ａは筒状の配線であり、第２のコンデンサ素子１２の他方の端部における第４の電極２４に接続される。第４の配線４４Ａは、高圧側の電位に接続される。第２の配線４２Ａは第４の配線４４Ａの中心軸上に配置され、第１のコンデンサ素子１１の他方の端部における第２の電極２２に接続される。第２の配線４２Ａは、低圧側の電位に接続される。

本実施形態でも、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の一方の端部にそれぞれ接続された高圧側の第１の配線４１Ａと低圧側の第３の配線４３Ａとが隣接し、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の他方の端部にそれぞれ接続された低圧側の第２の配線４２Ａと高圧側の第４の配線４４Ａとが隣接する。これにより、隣接した高圧側の第１の配線４１Ａと低圧側の第３の配線４３Ａにおいて互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第１及び第３の配線４１Ａ、４３Ａのインダクタンスが低減される。また、隣接した低圧側の第２の配線４２Ａと高圧側の第４の配線４４Ａにおいて互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第２及び第４の配線４２Ａ、４４Ａのインダクタンスが低減される。

（実施形態３）
本実施形態では、コンデンサを実装する配線基板上に形成されたパターン配線についてインダクタンスを低減する構成を説明する。以下、実施形態３に係るコンデンサに対するパターン配線ついて、図５を用いて説明する。

図５は、実施形態３に係るコンデンサ及びそれを実装するプリント配線基板を示す図である。図５に示すコンデンサ１Ｂは、図１に示すコンデンサ１と比較して、第１及び第３の配線４１、４３に代えて、第１及び第３のリードピン４１Ｃ、４３Ｃを備え、第２及び第４の配線４２、４４に代えて第２及び第４のリードピン４２Ｃ、４３Ｃを備える。

第１、第２、第３及び第４のリードピン４１Ｃ、４２Ｃ、４３Ｃ、４４Ｃは、例えばＩＭＤ（Insert Mount Device）におけるリードピンである。第１のリードピン４１Ｃは、第１のコンデンサ素子１１の一方の端部における第１の電極２１に接続され、第２のリードピン４２Ｃは、第１のコンデンサ素子１１の他方の端部における第２の電極２２に接続される。第３のリードピン４３Ｃは、第２のコンデンサ素子１２の一方の端部における第３の電極２３に接続され、第４のリードピン４４Ｃは、第２のコンデンサ素子１２の他方の端部における第４の電極２４に接続される。

第１のリードピン４１Ｃは、配線基板１００上に形成された第１のパターン配線４１Ｂに、例えばスルーホールを介して接続される。第２のリードピン４２Ｃは、配線基板１００上に形成された第２のパターン配線４２Ｂに、例えばスルーホールを介して接続される。第３のリードピン４３Ｃは、配線基板１００上に形成された第３のパターン配線４３Ｂに、例えばスルーホールを介して接続される。第４のリードピン４４Ｃは、配線基板１００上に形成された第４のパターン配線４４Ｂに、例えばスルーホールを介して接続される。なお第３のパターン配線４３Ｂは、第４のパターン配線４４Ｂと交差するため、ビア等を介して裏面等の他層のパターン配線を経由する。

以上のように、第１のパターン配線４１Ｂは、第１のリードピン４１Ｃを介して、第１のコンデンサ素子１１の一方の端部における第１の電極２１に接続される。第１のパターン配線４１Ｂは、高圧側の電位に接続される。第２のパターン配線４２Ｂは、第２のリードピン４２Ｃを介して、第１のコンデンサ素子１１の他方の端部における第２の電極２２に接続される。第２のパターン配線４２Ｂは、低圧側の電位に接続される。

第３のパターン配線４３Ｂは、第３のリードピン４３Ｃを介して、第２のコンデンサ素子１２の一方の端部における第３の電極２３に接続される。第３のパターン配線４３Ｂは、低圧側の電位に接続される。第４のパターン配線４４Ｂは、第４のリードピン４４Ｃを介して、第２のコンデンサ素子１２の他方の端部における第４の電極２４に接続される。第４のパターン配線４４Ｂは、高圧側の電位に接続される。

第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の一方の端部にそれぞれ接続された高圧側の第１のパターン配線４１Ｂと低圧側の第３のパターン配線４３Ｂとは、互いに平行に隣接して配置され、また、高圧側の第１のリードピン４１Ｃと低圧側の第３のリードピン４３Ｃも互いに平行に隣接して配置される。さらに、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の他方の端部にそれぞれ接続された低圧側の第２のパターン配線４２Ｂと高圧側の第４のパターン配線４４Ｂとは、互いに平行に隣接して配置され、また、低圧側の第２のリードピン４２Ｃと高圧側の第４のリードピン４４Ｃも互いに平行に隣接して配置される。

本実施形態でも、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の一方の端部にそれぞれ接続された高圧側の第１のパターン配線４１Ｂと低圧側の第３のパターン配線４３Ｂとが隣接すると共に高圧側の第１のリードピン４１Ｃと低圧側の第３のリードピン４３Ｃが隣接し、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２の他方の端部にそれぞれ接続された低圧側の第２のパターン配線４２Ｂと高圧側の第４のパターン配線４４Ｂとが隣接すると共に低圧側の第２のリードピン４２Ｃと高圧側の第４のリードピン４４Ｃが隣接する。これにより、隣接した高圧側の第１のパターン配線４１Ｂと低圧側の第３のパターン配線４３Ｂにおいて互いに逆方向に電流が流れると共に高圧側の第１のリードピン４１Ｃと低圧側の第３のリードピン４３Ｃにおいて互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第１及び第３のパターン配線４１Ｂ、４３Ｂのインダクタンスが低減されると共に第１及び第３のリードピン４１Ｃ、４３Ｃのインダクタンスが低減される。また、隣接した低圧側の第２のパターン配線４２Ｂと高圧側の第４のパターン配線４４Ｂにおいても互いに逆方向に電流が流れると共に低圧側の第２のリードピン４２Ｃと高圧側の第４のリードピン４４Ｃにおいて互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合い、第２及び第４のパターン配線４２Ａ、４４Ａのインダクタンスが低減されると共に第２及び第４のリードピン４２Ｃ、４４Ｃのインダクタンスが低減される。

（実施形態４）
実施形態１では、同軸２重巻回構造のコンデンサ素子１０について説明した。実施形態４では、同軸３重巻回構造のコンデンサ素子について説明する。以下、実施形態４に係るコンデンサについて、図６を用いて説明する。

図６は、実施形態４に係るコンデンサの構成を示す図である。図６に示すコンデンサ１Ｃは、図１に示すコンデンサ１と比較して、同軸２重巻回構造のコンデンサ素子１０に代えて同軸３重巻回構造のコンデンサ素子１０Ｃを備える。また、コンデンサ１Ｃは、第５及び第６の配線４５、４６をさらに備える。

コンデンサ素子１０Ｃは、コンデンサ素子１０と比較して、さらに第３のコンデンサ素子１３と、第５及び第６の電極２５、２６と、絶縁部材３３とを備える。

第３のコンデンサ素子１３は、例えば上記蒸着フィルムを、第２のコンデンサ素子１２の外周に複数回巻回してなるフィルムコンデンサである。

絶縁部材３３は、第２のコンデンサ素子１２と第３のコンデンサ素子１３とを絶縁するための部材である。絶縁部材３３は、例えば上記樹脂フィルムの未蒸着フィルム（絶縁フィルム）を、第２のコンデンサ素子１２と第３のコンデンサ素子１３との間において第２のコンデンサ素子１２の外周に複数回巻回してなる。絶縁部材３３は、巻回軸方向において、第２及び第３のコンデンサ素子１２、１３の両端部よりも突出している。

このような同軸３重巻回構造により、第１のコンデンサ素子１１、第２のコンデンサ素子１２、及び、第３のコンデンサ素子１３は順に隣接して配置される。

第５及び第６の電極２５、２６は、第３のコンデンサ素子１３の引き出し電極である。第５の電極２５は第３のコンデンサ素子１３の巻回軸方向における一方の端部に形成され、第６の電極２６は第３のコンデンサ素子１３の他方の端部に形成される。第５の電極２５は、第３のコンデンサ素子１３の高圧側端に接続され、第６の電極２６は、第３のコンデンサ素子１３の低圧側端に接続される。

第３の電極２３と第５の電極２５とは、第２及び第３のコンデンサ素子１２、１２の巻回軸方向における一方の端部において隣接し、絶縁部材３３の突出部分によって絶縁される。また、第４の電極２４と第６の電極２６とは、第２及び第３のコンデンサ素子１２、１３の巻回軸方向における他方の端部において隣接し、絶縁部材３３の突出部分によって絶縁される。

第５の配線４５は、第３のコンデンサ素子１３の一方の端部における第５の電極２５に接続される。第５の配線４５は、高圧側の電位に接続される。第６の配線４６は、第３のコンデンサ素子１３の他方の端部における第６の電極２６に接続される。第６の配線４６は、低圧側の電位に接続される。

第５及び第６の配線４５、４６の各々は、例えば表面に絶縁被膜が施された金属線である。第１、第２及び第３のコンデンサ素子１１、１２、１３の一方の端部にそれぞれ接続された第１、第３及び第５の配線４１、４３、４５は、順に平行に隣接した配置される（平行３線式配線）。また、第１、第２及び第３のコンデンサ素子１１、１２、１３の他方の端部に接続された第２、第４及び第６の配線４２、４４、４６は、順に平行に隣接して配置される（平行３線式配線）。

本実施形態でも、第１、第２及び第３のコンデンサ素子１１、１２、１３の一方の端部において、高圧側の第１の配線４１と低圧側の第３の配線４３とが隣接すると共に低圧側の第３の配線４３と高圧側の第５の配線４５とが隣接する。隣接した高圧側の第１の配線４１と低圧側の第３の配線４３において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合う。また、隣接した低圧側の第３の配線４３と高圧側の第５の配線４５において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合う。これにより、第１、第３及び第５の配線４１、４３、４５のインダクタンスが低減される。

また、第１、第２及び第３のコンデンサ素子１１、１２、１３の他方の端部において、低圧側の第２の配線４２と高圧側の第４の配線４４が隣接すると共に高圧側の第４の配線４４と低圧側の第６の配線４６が隣接する。隣接した低圧側の第２の配線４２と高圧側の第４の配線４４において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合う。また、隣接した高圧側の第４の配線４４と低圧側の第６の配線４６において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合う。これにより、第２、第４及び第６の配線４２、４４、４６のインダクタンスが低減される。

さらに、同軸３重巻回構造により、第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２が隣接すると共に第２及び第３のコンデンサ素子１２、１３が隣接する。隣接した第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合う。また、隣接した第２及び第３のコンデンサ素子１２、１３において互いに逆方向に電流が流れるので、これらの電流により発生する磁束が互いに打ち消し合う。これにより、第１、第２及び第３のコンデンサ素子１１、１２、１３の等価直列インダクタンスが低減される。

（他の実施形態）
本実施形態１〜４では、配線４１〜４６、４１Ａ〜４４Ａ、４１Ｂ〜４４Ｂの構造として、平行２線式及び平行３線式の配線構造、同軸配線構造、パターン配線構造を例示した。本発明の配線構造はこれに限定されず、電流により発生する磁束が打ち消されるように近接した概略平行な種々の配線であればよい。

また、本実施形態１〜４では、コンデンサ素子１０、１０Ｃとして、同軸２重巻回構造及び同軸３重巻回構造の素子を例示した。本発明の思想はこれに限定されず、同軸に４重以上巻回した構造のコンデンサ素子にも適用可能である。

さらに、本発明の思想は、図７に示すように、単一コンデンサ素子１０Ｄを複数隣接して配置した形態にも適用できる。図７に示すコンデンサ１Ｄは、２つの隣接する単一コンデンサ素子１０Ｄを並べて配置している。２つのコンデンサ素子１０Ｄの一方の端部にそれぞれ接続された高圧側の第１の配線４１と低圧側の第３の配線４３とが隣接し、２つのコンデンサ素子１０Ｄの他方の端部にそれぞれ接続された低圧側の第２の配線４２と高圧側の第４の配線４４とが隣接する。この形態でも、隣接した高圧側の第１の配線４１と低圧側の第３の配線４３において互いに逆方向に電流が流れ、隣接した低圧側の第２の配線４２と高圧側の第４の配線４４においても互いに逆方向に電流が流れるので、第１及び第３の配線４１、４３のインダクタンスが低減され、第２及び第４の配線４２、４４のインダクタンスが低減される。さらに、隣接した２つのコンデンサ素子１０Ｄにおいて互いに逆方向に電流が流れ、２つのコンデンサ素子１０Ｄの等価直列インダクタンスが低減される。

また、実施形態１〜４では、第１のコンデンサ素子１１の高圧側の第１の電極２１と第２のコンデンサ素子１２の低圧側の第３の電極２３とが隣接し、第１のコンデンサ素子１１の低圧側の第２の電極２２と第２のコンデンサ素子１２の高圧側の第４の電極２４とが隣接するように第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２を配置した。本開示の思想はこれに限定されず、第１のコンデンサ素子１１の高圧側の第１の電極２１と第２のコンデンサ素子１２の高圧側の第４の電極２４とが隣接し、第１のコンデンサ素子１１の低圧側の第２の電極２２と第２のコンデンサ素子１２の低圧側の第３の電極２３とが隣接するように第１及び第２のコンデンサ素子１１、１２を配置する態様にも適用できる。例えば、配線４１〜４６、４１Ａ〜４４Ａ、４１Ｂ〜４４Ｂが比較的に長く、そのインダクタンスが比較的に大きい場合には、高圧側の第１の配線４１、４１Ａ、４１Ｂと低圧側の第３の配線４３、４３Ａ、４３Ｂとを隣接させ、低圧側の第２の配線４２、４２Ａ、４２Ｂと高圧側の第４の配線４４、４４Ａ、４４Ｂとを隣接させることにより、コンデンサの等価直列インダクタンスを低減させずとも、コンデンサの両端に接続された両側配線のインダクタンスを低減させることにより、コンデンサの総合インダクタンスを低減することができる。

また、実施形態１〜４では、巻回軸に交差する断面が扁平形状であるコンデンサ素子１０、１０Ｃを例示した。本発明はこれに限定されず、図８に示すように、断面が略円形状（例えばプレス処理をしない形状）や楕円形状等のコンデンサ素子にも適用可能である。

また、実施形態１〜４では、コンデンサ素子１０、１０Ｃとしてフィルムコンデンサを例示した。本発明はこれに限定されず、フィルムコンデンサ、電気二重層コンデンサ、タンタルコンデンサ、電解コンデンサ、又はセラミックコンデンサ等に適用可能であるが、電解コンデンサ等の巻回型の種々のコンデンサや積層型の種々のコンデンサ（セラミックコンデンサやフィルムコンデンサなど）に特に適用可能である。

図４に示す実施形態２のコンデンサ１Ａ、図１に示す実施形態１のコンデンサ１、及び、図６に示す実施形態４のコンデンサ１Ｃをそれぞれ実施例１、２、３として製作し、インダクタンスの測定を行った。この測定では、実施例１〜３と比較例１、２との対比評価を行った。

以下に、実施例１〜３及び比較例１、２の詳細を説明する。以下の説明において、特に断らない限り、例中の部及び％はそれぞれ「質量部」及び「重量％」を示す。

＜ポリプロピレン樹脂＞
実施例及び比較例のポリプロピレンフィルムを製造するために使用したポリプロピレン樹脂を、以下に示す。

表１に示すポリプロピレン樹脂Ａ１は、プライムポリマー株式会社製であり、ポリプロピレン樹脂Ｂ１は、大韓油化社製である。

表１に、これらのポリプロピレン樹脂Ａ１及びＢ１の重量平均分子量（Ｍｗ）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）、分子量分布（Ｍｚ／Ｍｎ）、微分分布値差、及びメソペンタッド分率（[ｍｍｍｍ]）を示した。

なお、これらの値は、原料樹脂ペレットの形態での値である。また、ポリプロピレン樹脂Ａ１及びＢ１のいずれも、酸化防止剤（１次剤）として、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール（一般名称：ＢＨＴ）を２０００ｐｐｍ、カルボニル基を有するヒンダードフェノール系酸化防止剤（２次剤）として、ペンタエリスルチル・テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（商品名：イルガノックス１０１０）を５０００〜６５００ｐｐｍ含有する。

＜二軸延伸ポリプロピレンフィルム（未蒸着フィルム）＞
上記したポリプロピレン樹脂を使用し、実施例及び比較例のポリプロピレンフィルム（未蒸着フィルム）を製造した。樹脂Ａ１（酸化防止剤としてイルガノックス１０１０を５０００ｐｐｍ添加）と樹脂Ｂ１（酸化防止剤としてイルガノックス１０１０を５０００ｐｐｍ添加）を、Ａ１／Ｂ１＝６５／３５（質量比）で、連続的に計量し混合したドライブレンド体を、押出機に供給した。ドライブレンド体を２５０℃の温度で溶融した後、Ｔダイを用いて押出し、表面温度を９２℃に保持した金属ドラムに巻きつけて固化させて、厚さ約１２５μｍのキャスト原反シートを製造した。このキャスト原反シートを１４０℃の温度で、流れ方向に５倍に延伸し、直ちに室温まで冷却した後、テンターにて１６５℃の温度で横方向に１０倍に延伸して、厚さ２．３μｍの非常に薄い二軸延伸ポリプロピレンフィルム（未蒸着フィルム）を得た。

＜蒸着フィルム＞
上記した二軸延伸ポリプロピレンフィルムに、Ｔマージン蒸着パターンを１５Ω／□にてアルミニウム蒸着を施し、実施例及び比較例の厚さ２．３μｍの蒸着フィルムを得た。パターン蒸着はワイヤー方式による真空蒸着法に従って行い、ヘビーエッジ蒸着はるつぼ方式による真空蒸着法に従って行った。

（実施例１）
＜コンデンサ素子１０の製作＞
素子巻きには、株式会社皆藤製作所製の自動巻取機３ＫＡＷ-Ｎ２型を用い、巻取り張力は２５０ｇとした。

まず、中芯部材３１として、未蒸着フィルムを１０回巻回した。次に、第１のコンデンサ素子１１として、蒸着フィルムを２枚１対として、アルミニウム蒸着膜とポリプロピレンフィルムとが交互に積層されるように重ね合わせ、中芯部材３１に６００回巻回した。次に、絶縁部材３２として、未蒸着フィルムを第１のコンデンサ素子１１の外周に１０回巻回した。次に、第２のコンデンサ素子１２として、蒸着フィルムを２枚１対として、アルミニウム蒸着膜とポリプロピレンフィルムとが交互に積層されるように重ね合わせ、絶縁部材３２の外周に５００回巻回した。

次に、素子巻きした素子（巻回物）に対して、圧力をかけながら加熱処理（熱プレス）を施すことで扁平形状の素子を得た。次に、扁平形状の素子の両端面に金属亜鉛を溶射すること（メタリコン処理）によって第１、第２、第３及び第４の電極２１、２２、２３、２４（メタリコン電極）を形成した。未蒸着フィルムは，蒸着フィルムよりも１０ｍｍほど幅広であるため、両端面に片側５ｍｍずつ突出しており、吹き付けた溶射金属は絶縁される。金属溶射後、(配線を取り付けやすいように)その突出した未蒸着フィルムを切り落とし、扁平形状のフィルムコンデンサ素子である実施例１のコンデンサ素子１０を得た。製作した素子において、第１のコンデンサ素子１１（内側の素子）の静電容量は３７μＦであり、第２のコンデンサ素子１２（外側の素子）の静電容量は３９μＦであった。

＜コンデンサ１Ａの製作＞
第１、第２、第３及び第４の配線４１Ａ、４２Ａ、４３Ａ、４４Ａとして、長さ８５ｍｍの同軸ケーブル１．５Ｄ−２Ｖ（中心導体の直径０．５４ｍｍ、外皮導体の内径１．６ｍｍ）を２本用意し、それを製作した素子の両端の電極に半田付けした。同軸ケーブルの中心導体を第１及び第２の配線４１Ａ、４２Ａとして、それらの一端を第１のコンデンサ素子１１（内側の素子）の端面の電極２１、２２にそれぞれ接続した。同軸ケーブルの外皮導体を第３及び第４の配線４３Ａ、４４Ａとして、それらの一端を第２のコンデンサ素子１２（外側の素子）の端面の電極２３、２４にそれぞれ接続した。同軸ケーブルの他端において、中心導体の第１の配線４１Ａと外皮導体の第３の配線４３Ａとを半田付けし、中心導体の第２の配線４２Ａと外皮導体の第４の配線４４Ａとを半田付けして一対の端子とし、実施例１のコンデンサ１Ａを得た。この実施例１では、第１のコンデンサ素子１１（内側の素子）と第２のコンデンサ素子１２（外側の素子）とが並列接続となっており、製作したコンデンサ１Ａの一対の端子間には、７６μＦの静電容量が現れた。

（実施例２）
実施例２のコンデンサ１は、実施例１のコンデンサ１Ａと比較して、同軸構造の第１及び第３の配線４１Ａ、４３Ａに代えて平行２線構造の第１及び第３の配線４１、４３を備え、同軸構造の第２及び第４の配線４２Ａ、４４Ａに代えて平行２線構造の第２及び第４の配線４２、４４を備えた。第１、第２、第３及び第４の配線４１、４２、４３、４４として、長さ８５ｍｍのＡＷＧ１６（導体径１．２９ｍｍ）の被覆銅線を４本用意し、それを上記同様に製作したコンデンサ素子１０の両端の電極に半田付けした。第１及び第２の配線４１、４２の一端を第１のコンデンサ素子１１（内側の素子）の端面の電極２１、２２にそれぞれ接続し、第３及び第４の配線４３、４４の一端を第２のコンデンサ素子１２（外側の素子）の端面の電極２３、２４にそれぞれ接続した。第１の配線４１と第３の配線４３とをこれらの間隔（中心間隔）が約４ｍｍとなるように配置し、第２の配線４２と第４の配線４４とをこれらの間隔（中心間隔）が約４ｍｍとなるように配置した。第１及び第３の配線４１、４３の他端を半田付けし、第２及び第４の配線４２、４４の他端を半田付けして一対の端子とし、実施例２のコンデンサ１を得た。このコンデンサ１でも、第１のコンデンサ素子１１（内側の素子）と第２のコンデンサ素子１２（外側の素子）とが並列接続となっており、製作したコンデンサ１の一対の端子間には、７６μＦの静電容量が現れた。

（実施例３）
実施例３のコンデンサ１Ｃは、実施例２のコンデンサ１と比較して、同軸２重巻回構造のコンデンサ素子１０に代えて同軸３重巻回構造のコンデンサ素子１０Ｃを備え、第５及び第６の配線４５、４６をさらに備えた。コンデンサ素子１０Ｃとして、未蒸着フィルムを１０回巻回した中芯部材３１に実施例１、２と同様の２枚１対の蒸着フィルムを４００回巻回して第１のコンデンサ素子１１を形成し、第１のコンデンサ素子１１の外周に未蒸着フィルムを１０回巻回して絶縁部材３２を形成し、絶縁部材３２の外周に実施例１、２と同様の２枚１対の蒸着フィルムを４００回巻回して第２のコンデンサ素子１２を形成し、第２のコンデンサ素子１２の外周に未蒸着フィルムを１０回巻回して絶縁部材３３を形成し、絶縁部材３３の外周に実施例１、２と同様の２枚１対の蒸着フィルムを３００回巻回して第３のコンデンサ素子１３を形成した（素子部分の総巻回数は実施例１及び２と同じ）。その後、実施例１、２と同様に熱プレス処理及びメタリコン処理（電極形成）等を行い、実施例３のコンデンサ素子１０Ｃを得た。製作した素子において、第１のコンデンサ素子１１（内側の素子）の静電容量は２４μＦであり、第２のコンデンサ素子１２（中間の素子）の静電容量は２８μＦであり、第３のコンデンサ素子１３（外側の素子）の静電容量は２４μＦであった。

その後、第１、第２、第３、第４、第５及び第６の配線４１、４２、４３、４４、４５、４６として、長さ８５ｍｍのＡＷＧ１６（導体径１．２９ｍｍ）の被覆銅線を６本用意し、それを製作したコンデンサ素子１０Ｃの両端の電極に半田付けした。第１及び第２の配線４１、４２の一端を第１のコンデンサ素子１１（内側の素子）の端面の電極２１、２２にそれぞれ接続し、第３及び第４の配線４３、４４の一端を第２のコンデンサ素子１２（中間の素子）の端面の電極２３、２４にそれぞれ接続し、第５及び第６の配線４５、４６の一端を第３のコンデンサ素子１３（外側の素子）の端面の電極２５、２６にそれぞれ接続した。第１の配線４１、第３の配線４３及び第５の配線４５を順に、これらの間隔（中心間隔）が約４ｍｍとなるように配置し、第２の配線４２、第４の配線４４及び第６の配線４６を順に、これらの間隔（中心間隔）が約４ｍｍとなるように配置した。第１及び第５の配線４１、４５と第４の配線４４との他端を半田付けし、第２及び第６の配線４２、４６と第３の配線４３との他端を半田付けして一対の端子とし、実施例３のコンデンサ１Ｃを得た。このコンデンサ１Ｃでも、第１のコンデンサ素子１１（内側の素子）と、第２のコンデンサ素子１２（中間の素子）と、第３のコンデンサ素子１３（外側の素子）とが並列接続となっており、製作したコンデンサ１Ｃの一対の端子間には、７６μＦの静電容量が現れた。

（比較例１）
図９（ａ）に、比較例１に係る単一コンデンサ１Ｘの構成を示す。比較例１の単一コンデンサ１Ｘは、実施例の第１のコンデンサ素子１１からなる１重巻回構造の単一コンデンサ素子１０Ｘと、コンデンサ素子１０Ｘの両端の第１及び第２の電極２１Ｘ、２２Ｘにそれぞれ接続された第１及び第２の配線４１、４２とを備える。単一コンデンサ素子１０Ｘとしては、未蒸着フィルムを１０回巻回した中芯部材３１に、実施例と同様の２枚１対の蒸着フィルムを１１００回巻回して第１のコンデンサ素子１１を形成して（素子部分の総巻回数は実施例と同じ）、実施例のコンデンサ素子１０とほぼ同一の体積を有する素子を製作した。第１及び第２の配線４１、４２としては、実施例の第１及び第２の配線４１、４２と同一の長さ８５ｍｍを有するＡＷＧ１６（導体径１．２９ｍｍ)の被覆銅線を使用した。比較例１の単一コンデンサ１Ｘの静電容量は、７６μＦであった。

（比較例２）
図９（ｂ）に、比較例２に係るコンデンサ１Ｙの構成を示す。比較例２のコンデンサ１Ｙは、コンデンサ素子１０Ｙと一対の配線４１、４３とを備える。コンデンサ素子１０Ｙは、実施例のコンデンサ素子１０において、他方の端部の全面に金属亜鉛を溶射し、第１のコンデンサ素子１１の第２の電極２２と第２のコンデンサ素子１２の第４の電極２４とをメタリコン電極４２Ｙで接続した（なお、他方の端部では、全面にメタリコンを行うため、未蒸着フィルム巻回時に中芯部材３１及び絶縁部材３２を突出させない）。コンデンサ素子１０Ｙの一方の端部では、第１のコンデンサ素子１１の第１の電極２１及び第２のコンデンサ素子１２の第３の電極２３に配線４１、４３をそれぞれ接続した。配線４１、４３としては、実施例１の第１の配線４１と第２の配線４２とを足し合わせた長さ（或いは、第３の配線４３と第４の配線４４とを足し合わせた長さ）１７０ｍｍの同軸ケーブル１．５Ｄ−２Ｖを使用した（配線の総長は実施例と同じ）。このように、比較例２のコンデンサ１Ｙは、片側配線のコンデンサであり、特許文献１に開示のコンデンサと類似する。

（静電容量およびインダクタンスの測定）
日置電機株式会社製ＬＣＲハイテスター３５２２−５０を用い、０．１Ｖの電圧を印加して、実施例１〜３及び比較例１、２の静電容量ＣおよびインダクタンスＬの測定を行った。測定周波数は、静電容量の測定時には１ｋＨｚ、インダクタンスの測定時には１００ｋＨｚに設定された。この評価結果を図１０に示す。

図１０に示すように、比較例１と比較例２とはコンデンサ素子の体積及び配線の長さが同一であるが、１重巻回構造のコンデンサ素子１０Ｘを有する比較例１の単一コンデンサ１Ｘのインダクタンスが２４６ｎＨであるのに対して、同軸２重巻回構造のコンデンサ素子１０Ｙを有する比較例２のコンデンサ１Ｙのインダクタンスは比較例１の約３／４倍の１８０ｎＨと低減した。

１重巻回構造のコンデンサ素子１０Ｘを有する比較例１の単一コンデンサ１Ｘでは、電流が流れる方向が一方向であるため、発生する磁束の分のインダクタンスを有することになる。これに対して、同軸２重巻回構造のコンデンサ素子１０Ｙを有する比較例２のコンデンサ１Ｙでは、隣接する２つのコンデンサ素子１１、１２において互いに逆向きの電流が流れるともに、隣接する２つの配線４１、４３において互いに逆向きの電流が流れるため、発生する磁束が相殺されてコンデンサ１Ｙの総インダクタンスが低減した。

なお、比較例２の片側配線では、２つのコンデンサ素子１１、１２（これらの静電容量の総和は比較例１のコンデンサ素子１０Ｘの静電容量と同じ）が直列接続となるため、その静電容量は比較例１の約１／４の１９μＦとなる。一般に直列接続の場合、並列接続の１／４以下でしかない。

また、図１０に示すように、比較例２と実施例１とはコンデンサ素子の体積が同一であるが、片側配線の比較例２のコンデンサ１Ｙのインダクタンスが１８０ｎＨであるのに対して、両側配線の実施例１のコンデンサ１Ａのインダクタンスは比較例２の約半分の１００ｎＨと低減した（理論的には１／４以下になる）。また、実施例２でもコンデンサ素子の体積が同一であるが、両側配線の実施例２のコンデンサ１のインダクタンスは１２４ｎＨであり、比較例２と比較して低減した（理論的には１／４以下になる）。また、実施例３でもコンデンサ素子の体積が同一であるが、両側配線の実施例３のコンデンサ１Ｃのインダクタンスは８７ｎＨであり、比較例２と比較して低減した。

実施例１、２、３では、２つのコンデンサ素子１１、１２、或いは３つのコンデンサ素子１１、１２、１３を並列接続することができ、比較例１と同一の静電容量７６μＦを得ることができる。したがって、実施例１、２、３は、容量密度（同一体積のときの静電容量）においても、比較例２と比較して有利である。

本発明のコンデンサは、以下の各種用途に使用することができる。即ち、(1)携帯端末（携帯電話、携帯音楽プレーヤー、スマートフォン、タブレット型端末、ウエアラブル機器等）、(2)パソコン、(3)デジタルカメラ、(4)家電製品（テレビ、ＤＶＤレコーダー、冷蔵庫、洗濯機、エアコン等）、(5)カーナビゲーション、(6)発電用パワーコンディショナー(太陽光、風力等)、(7)ＬＥＤ照明、(8)自動車（電気自動車、ハイブリッド自動車、プラグインハイブリッド車等）、(9)鉄道車両、(10)建機、(11)産業機器、(12)その他各種インバータ、などが挙げられる。中でも、高周波特性が要求される自動車や電力の用途などに用いられるコンデンサに利用できる。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｙ コンデンサ
１Ｘ 単一コンデンサ
１０、１０Ｃ、１０Ｙ コンデンサ素子
１０Ｄ、１０Ｘ 単一コンデンサ素子
１１ 第１のコンデンサ素子
１２ 第２のコンデンサ素子
１３ 第３のコンデンサ素子
２１ 第１の電極
２２ 第２の電極
２３ 第３の電極
２４ 第４の電極
２５ 第５の電極
２６ 第６の電極
３１ 中芯部材
３２、３３ 絶縁部材
４１、４１Ａ 第１の配線
４２、４２Ａ 第２の配線
４３、４３Ａ 第３の配線
４４、４４Ａ 第４の配線
４５ 第５の配線
４６ 第６の配線
４１Ｂ パターン配線
４２Ｂ パターン配線
４３Ｂ パターン配線
４４Ｂ パターン配線
４１Ｃ 第１のリードピン
４２Ｃ 第２のリードピン
４３Ｃ 第３のリードピン
４４Ｃ 第４のリードピン
４２Ｙ メタリコン電極

Claims (9)

1. 第１及び第２の電極を有する第１のコンデンサ素子と、
   前記第１のコンデンサ素子に隣接して設けられ、第３及び第４の電極を有する第２のコンデンサ素子と、
   前記第１のコンデンサ素子における前記第１の電極に接続され、前記第１の電極に対して第１の電位を接続するための第１の配線と、
   前記第１のコンデンサ素子における前記第２の電極に接続され、前記第２の電極に対して第２の電位を接続するための第２の配線と、
   前記第２のコンデンサ素子における前記第３の電極に接続され、前記第３の電極に対して前記第２の電位を接続するための第３の配線と、
   前記第２のコンデンサ素子における前記第４の電極に接続され、前記第４の電極に対して前記第１の電位を接続するための第４の配線と、
   を備え、
   前記第１の配線と前記第３の配線とが隣接して配置され、
   前記第２の配線と前記第４の配線とが隣接して配置される、
   コンデンサ。
2. 前記第１の配線と前記第３の配線との間隔、及び、前記第２の配線と前記第４の配線との間隔は、所定のインダクタンスを満たすように設定される、
   請求項１に記載のコンデンサ。
3. 前記第１の配線と前記第３の配線との間隔、及び、前記第２の配線と前記第４の配線との間隔は、絶縁耐圧要求を満たすように設定される、
   請求項１又は２に記載のコンデンサ。
4. 前記第１及び第３の配線は互いに平行に配置され、
   前記第２及び第４の配線は互いに平行に配置される、
   請求項１〜３のいずれかに記載のコンデンサ。
5. 前記第１及び第３の配線のうちの一方は筒状の配線であり、他方は前記一方の配線の中心軸上に配置され、
   前記第２及び第４の配線のうちの一方は筒状の配線であり、他方は前記一方の配線の中心軸上に配置される、
   請求項１〜４のいずれかに記載のコンデンサ。
6. 前記第１のコンデンサ素子の前記第１の電極と前記第２のコンデンサ素子の前記第３の電極とが隣接し、
   前記第１のコンデンサ素子の前記第２の電極と前記第２のコンデンサ素子の前記第４の電極とが隣接する、
   請求項１〜５のいずれかに記載のコンデンサ。
7. 前記第１のコンデンサ素子は巻回されてなり、
   前記第２のコンデンサ素子は前記第１のコンデンサ素子の外周に巻回されてなる、
   請求項１〜６のいずれかに記載のコンデンサ。
8. 前記第１及び第２のコンデンサ素子は積層されてなる、
   請求項１〜７のいずれかに記載のコンデンサ。
9. 前記第１及び第２のコンデンサ素子は、フィルムコンデンサ、電気二重層コンデンサ、タンタルコンデンサ、電解コンデンサ、又はセラミックコンデンサである、
   請求項１〜８のいずれかに記載のコンデンサ。

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